JP5565198B2 - Circuit composition adhesive injection device and circuit composition adhesive injection method - Google Patents

Circuit composition adhesive injection device and circuit composition adhesive injection method Download PDF

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Description

この発明は、回路構成体の接着剤注入装置および回路構成体の接着剤注入方法に関する。   The present invention relates to an adhesive injection device for a circuit component and an adhesive injection method for a circuit component.

３次元半導体集積回路を形成する方法として、集積回路が形成された複数の半導体ウエハを、相互に間隙を設けて積層し、この間隙に接着剤を注入して、１つの３次元集積半導体ウエハを構成する方法が知られている。この方法により作成される３次元集積半導体ウエハは、隣接する半導体ウエハの間に、各半導体ウエハの集積回路に接続された接続用バンプを設け、隣接する半導体ウエハの接続用バンプ同士を接合して形成される。   As a method of forming a three-dimensional semiconductor integrated circuit, a plurality of semiconductor wafers on which integrated circuits are formed are stacked with a gap between them, and an adhesive is injected into the gap to form one three-dimensional integrated semiconductor wafer. A method of configuring is known. In the three-dimensional integrated semiconductor wafer produced by this method, connection bumps connected to the integrated circuit of each semiconductor wafer are provided between adjacent semiconductor wafers, and the connection bumps of adjacent semiconductor wafers are joined together. It is formed.

そして、積層半導体ウエハの間隙への接着剤の注入は、積層半導体ウエハをチャンバ内に配置し、チャンバ内を真空にした状態で、積層半導体ウエハの接着剤注入口を接着剤に浸し、チャンバ内を大気圧に戻すことにより行われる。
この場合、積層半導体ウエハの間隙の圧力は大気圧より低いので、チャンバ内を大気圧にすることにより、真空差圧と毛細管作用によって接着剤が積層半導体ウエハの間隙に注入されるのである（例えば、特許文献１参照）。 The adhesive is injected into the gap between the laminated semiconductor wafers by placing the laminated semiconductor wafer in the chamber and evacuating the adhesive inlet of the laminated semiconductor wafer in the adhesive while the chamber is evacuated. Is performed by returning the pressure to atmospheric pressure.
In this case, since the pressure in the gap between the laminated semiconductor wafers is lower than the atmospheric pressure, the adhesive is injected into the gap between the laminated semiconductor wafers by the vacuum differential pressure and the capillary action by setting the inside of the chamber to atmospheric pressure (for example, , See Patent Document 1).

特開平１１−２６１００１号公報Japanese Patent Laid-Open No. 11-261001

しかし、半導体ウエハは製造後の保管時に、周囲のガスを吸収する。このため、上記の方法で、積層半導体ウエハの間隙に接着剤を注入する工程において、各半導体ウエハから吸収されたガスが放出され、この放出ガスによって、積層半導体ウエハの間隙の圧力が上昇する。この積層半導体ウエハの間隙の圧力の上昇のために、接着剤を積層半導体ウエハの間隙の全領域に完全に注入することが困難であった。   However, the semiconductor wafer absorbs ambient gas during storage after manufacture. For this reason, in the step of injecting the adhesive into the gap between the stacked semiconductor wafers by the above method, the gas absorbed from each semiconductor wafer is released, and the pressure of the gap between the stacked semiconductor wafers is increased by this released gas. Due to the increase in the pressure in the gap between the laminated semiconductor wafers, it is difficult to completely inject the adhesive into the entire area of the gap between the laminated semiconductor wafers.

請求項１に係る発明の回路構成体の接着剤注入装置は、接着剤注入領域を有する回路構成体および接着剤が収納された接着剤容器を収納するチャンバと、回路構成体から接着剤注入領域内に放出されたガスをチャンバ内から外部に導出する放出ガス排出手段と、チャンバ内を減圧する減圧手段と、回路構成体の接着剤注入領域への接着剤の注入を行う接着剤注入手段と、放出ガス排出手段によりチャンバ内からガスを排出し、減圧手段によりチャンバ内を減圧した後、回路構成体の接着剤注入領域への接着剤の注入を開始させる制御手段と、を具備し、放出ガス排出手段は、チャンバ内に不活性ガスを導入して回路構成体から接着剤注入領域内に放出されたガスをパージするパージ手段を含むことを特徴とする。
請求項２に係る発明の回路構成体の接着剤注入装置は、接着剤注入領域を有する回路構成体および接着剤が収納された接着剤容器を収納するチャンバと、回路構成体から接着剤注入領域内に放出されたガスをチャンバ内から外部に導出する放出ガス排出手段と、チャンバ内を減圧する減圧手段と、回路構成体の接着剤注入領域への接着剤の注入を行う接着剤注入手段と、放出ガス排出手段によりチャンバ内からガスを排出し、減圧手段によりチャンバ内を減圧した後、回路構成体の接着剤注入領域への接着剤の注入を開始させる制御手段と、を具備し、放出ガス排出手段は、回路構成体を加熱する加熱手段および加熱手段を、回路構成体が接着剤注入領域内にガスを放出するに適した温度範囲に制御する温度制御手段を含むことを特徴とする。
請求項３に係る発明の回路構成体の接着剤注入装置は、接着剤注入領域を有する回路構成体および接着剤が収納された接着剤容器を収納するチャンバと、回路構成体から接着剤注入領域内に放出されたガスをチャンバ内から外部に導出する放出ガス排出手段と、チャンバ内を減圧する減圧手段と、回路構成体の接着剤注入領域への接着剤の注入を行う接着剤注入手段と、放出ガス排出手段によりチャンバ内からガスを排出し、減圧手段によりチャンバ内を減圧した後、回路構成体の接着剤注入領域への接着剤の注入を開始させる制御手段と、を具備し、放出ガス排出手段は、チャンバ内に不活性ガスを導入して回路構成体からチャンバ内に放出されたガスをパージするパージ手段と、回路構成体を加熱する加熱手段および加熱手段を、回路構成体が接着剤注入領域内にガスを放出するに適した温度範囲に制御する温度制御手段と、を含むことを特徴とする。
また、請求項６に係る発明の回路構成体の接着剤注入装置は、接着剤注入領域を有する回路構成体を収納するチャンバおよび回路構成体から接着剤注入領域内に放出されたガスをチャンバの外部に導出する放出ガス排出手段を有する排気室と、排気室から搬送された回路構成体の接着剤注入領域の少なくとも一部を接着剤に接触させて接着剤を注入する接着剤注入室と、を具備し、接着剤注入室は、回路構成体の接着剤注入領域の少なくとも一部を接着剤に接触させて注入を開始する第１の接着剤注入室と、第１の接着剤注入室における接着剤の注入処理に引き続いて接着剤注入領域の未注入領域への接着剤注入を行う第２の接着剤注入室を含むことを特徴とする。 Adhesive injection device of the circuit structure of the invention according to claim 1 comprises a chamber for accommodating the adhesive container circuit component and the adhesive is housed with adhesive injection region, adhesive injection area from the circuit structure A discharge gas discharge means for deriving the gas released into the chamber from the inside, a decompression means for reducing the pressure in the chamber, and an adhesive injection means for injecting the adhesive into the adhesive injection region of the circuit structure the gas discharged from the chamber by emitting gas discharge means, after reducing the pressure in the chamber by vacuum means, comprising a control means for starting the injection of the adhesive into the adhesive injection region of the circuit structure, the release The gas discharge means includes a purge means for introducing an inert gas into the chamber and purging the gas released from the circuit structure into the adhesive injection region .
According to a second aspect of the present invention, there is provided an apparatus for injecting an adhesive for a circuit component, including a circuit component having an adhesive injection region and a chamber for storing an adhesive container storing the adhesive, and an adhesive injection region from the circuit component. A discharge gas discharge means for deriving the gas released into the chamber from the inside, a decompression means for reducing the pressure in the chamber, and an adhesive injection means for injecting the adhesive into the adhesive injection region of the circuit structure And a control means for starting the injection of the adhesive into the adhesive injection region of the circuit component after the gas is discharged from the chamber by the discharge gas discharge means and the pressure in the chamber is reduced by the pressure reduction means. The gas discharging means includes a heating means for heating the circuit structure and a temperature control means for controlling the heating means to a temperature range suitable for the circuit structure to release gas into the adhesive injection region.
According to a third aspect of the present invention, there is provided an apparatus for injecting an adhesive for a circuit structure, comprising: a circuit structure having an adhesive injection region; a chamber for storing an adhesive container containing the adhesive; and an adhesive injection region from the circuit structure. A discharge gas discharge means for deriving the gas released into the chamber from the inside, a decompression means for reducing the pressure in the chamber, and an adhesive injection means for injecting the adhesive into the adhesive injection region of the circuit structure And a control means for starting the injection of the adhesive into the adhesive injection region of the circuit component after the gas is discharged from the chamber by the discharge gas discharge means and the pressure in the chamber is reduced by the pressure reduction means. The gas discharge means includes a purge means for introducing an inert gas into the chamber and purging the gas released from the circuit structure into the chamber, a heating means for heating the circuit structure, and a heating means. Body, characterized in that it comprises a temperature control means for controlling the temperature range suitable for releasing gas into the adhesive injection region.
According to a sixth aspect of the present invention, there is provided an apparatus for injecting an adhesive for a circuit structure, comprising: a chamber for storing a circuit structure having an adhesive injection area; and a gas released from the circuit structure into the adhesive injection area. An exhaust chamber having discharge gas discharge means led out to the outside, an adhesive injection chamber for injecting the adhesive by bringing at least a part of the adhesive injection region of the circuit component conveyed from the exhaust chamber into contact with the adhesive, The adhesive injection chamber includes a first adhesive injection chamber that starts injection by bringing at least a part of the adhesive injection region of the circuit structure into contact with the adhesive, and the first adhesive injection chamber. It includes a second adhesive injection chamber for injecting adhesive into an uninjected area of the adhesive injection area following the adhesive injection process .

本発明の回路構成体の接着剤注入方法は、チャンバ内に配置された回路構成体の接着剤注入領域内を、チャンバ内と共に減圧した後、接着剤注入領域への接着剤の注入を開始する回路構成体の接着剤注入方法において、チャンバ内を減圧して接着剤の注入を開始する前の工程であって、回路構成体から接着剤注入領域内に放出されたガスをチャンバの外部に導出する放出ガス排出工程を備え、放出ガス排出工程は、チャンバ内に不活性ガスを導入して回路構成体から接着剤注入領域内に放出されたガスをパージするパージ工程を含むことを特徴とする。 In the method for injecting an adhesive for a circuit component according to the present invention, after the pressure in the adhesive injection region of the circuit component disposed in the chamber is reduced together with the inside of the chamber, the injection of the adhesive into the adhesive injection region is started. In the method of injecting an adhesive for a circuit structure, the process is performed before the pressure in the chamber is reduced to start the injection of the adhesive, and the gas released from the circuit structure into the adhesive injection region is led out of the chamber. The discharge gas discharge step includes a purge step of introducing an inert gas into the chamber and purging the gas released from the circuit structure into the adhesive injection region. .

この発明によれば、回路構成体から接着剤注入領域内に放出されたガスがチャンバの外部に導出されるので、接着剤注入領域への接着剤の注入が確実になる。   According to the present invention, since the gas released from the circuit structure into the adhesive injection region is led out of the chamber, the injection of the adhesive into the adhesive injection region is ensured.

この発明の回路構成体の接着剤注入装置の第１実施形態を示し、接着剤の注入前の状態を示す断面図。Sectional drawing which shows 1st Embodiment of the adhesive injection apparatus of the circuit structure of this invention, and shows the state before injection | pouring of an adhesive agent. 図１に示された回路構成体の接着剤注入装置において、接着剤を注入する状態を示す断面図。Sectional drawing which shows the state which inject | pours an adhesive agent in the adhesive agent injection apparatus of the circuit structure shown by FIG. 図１に示された回路構成体の接着剤注入装置の回路ブロック図。The circuit block diagram of the adhesive injection apparatus of the circuit structure shown by FIG. 回路構成体を形成する方法を説明するための分解図。The exploded view for demonstrating the method of forming a circuit structure. 回路構成体の断面図。Sectional drawing of a circuit structure. 接着剤の注入完了状態を示す回路構成体の断面図。Sectional drawing of the circuit structure which shows the injection completion state of an adhesive agent. 回路構成体の周囲を封止した状態を示す、回路素子体の一部の平面図。The top view of a part of circuit element body which shows the state which sealed the circumference | surroundings of the circuit structure body. この発明の回路構成体の接着剤注入方法の第１実施形態を示すフローチャート。The flowchart which shows 1st Embodiment of the adhesive agent injection | pouring method of the circuit structure of this invention. チャンバ内圧力と時間の関係を示すチャンバ内圧力時間関係図。The chamber pressure time relational diagram showing the relationship between the chamber pressure and time. チャンバ内圧力と時間の関係を示し、図９とは別の例を示すチャンバ内圧力時間関係図。The chamber pressure-time relation diagram showing the relationship between the chamber pressure and time, and showing an example different from FIG. チャンバ内圧力と時間の関係を示し、図９とはさらに別の例を示すチャンバ内圧力時間関係図。The chamber pressure-time relation diagram showing the relationship between the chamber pressure and time, and showing still another example of FIG. 図８の回路構成体の接着剤注入方法に係る第１実施形態の変形例を示すフローチャート。The flowchart which shows the modification of 1st Embodiment which concerns on the adhesive agent injection | pouring method of the circuit structure of FIG. チャンバ内圧力と時間および加熱温度と時間の関係を示すチャンバ内圧力および加熱温度時間関係図。The chamber internal pressure and heating temperature time relationship figure which shows the relationship between chamber internal pressure and time, and heating temperature and time. チャンバ内圧力と時間および温度と時間の関係を示し、図１３とは異なる他の例を示すチャンバ内圧力および加熱温度時間関係図。FIG. 14 is a relationship diagram of pressure in a chamber and time of heating temperature showing another example different from FIG. この発明の回路構成体の接着剤注入方法の第２実施形態を示すフローチャート。The flowchart which shows 2nd Embodiment of the adhesive agent injection method of the circuit structure of this invention. この発明の回路構成体の接着剤注入方法の第２実施形態の変形例に係り、チャンバ内圧力と時間および温度と時間の関係を示すチャンバ内圧力および加熱温度時間関係図。The chamber internal pressure and heating temperature time relationship figure which shows the relationship between the chamber internal pressure and time, temperature, and time concerning the modification of 2nd Embodiment of the adhesive agent injection method of the circuit structure of this invention. 図１６とは別の例を示すチャンバ内圧力および加熱温度時間関係図。FIG. 17 is a relationship diagram between chamber pressure and heating temperature time, showing an example different from FIG. 16. この発明の回路構成体の接着剤注入方法の第２実施形態の変形例に係るフローチャート。The flowchart which concerns on the modification of 2nd Embodiment of the adhesive agent injection method of the circuit structure of this invention. この発明の回路構成体の接着剤注入装置の構成を示す装置断面の概略図。The schematic of the apparatus cross section which shows the structure of the adhesive agent injection apparatus of the circuit structure of this invention.

チャンバ内を減圧して接着剤の注入を開始する前に、回路構成体からチャンバ内に放出されたガスをチャンバの外部に導出することにより実現した。   This was realized by deriving the gas released from the circuit structure into the chamber before the injection of the adhesive was started by reducing the pressure inside the chamber.

（第１実施形態）
以下、この発明の回路構成体の接着剤注入装置および回路構成体の接着剤注入方法の第１実施形態について説明する。
図１および図２は、この発明の回路構成体の接着剤注入装置の第１実施形態を示す断面図であり、図１は、接着剤を注入する前の状態を示し、図２は接着剤を注入している状態を示す。
注入装置１０は、壁部１０Ｂを有し、壁部１０Ｂに周囲を囲まれて外部と密閉することが可能なチャンバ１０Ａを有する。チャンバ１０Ａ内には、台１１、軸１２、昇降駆動部１３からなる昇降機構１５が設けられている。軸１２は支持部１２から繰出しおよび引込みが可能であり、軸１２に一体に設けられた台１１は、上昇および下降が可能である。また、チャンバ１０Ａ内には、ヒータ１６が設けられている。 (First embodiment)
Hereinafter, a first embodiment of an adhesive injection device for a circuit component and an adhesive injection method for a circuit component according to the present invention will be described.
1 and 2 are sectional views showing a first embodiment of an adhesive injection device for a circuit component according to the present invention. FIG. 1 shows a state before the adhesive is injected, and FIG. 2 shows an adhesive. The state which is injecting is shown.
The injection device 10 has a wall portion 10B, and has a chamber 10A that is surrounded by the wall portion 10B and can be sealed from the outside. In the chamber 10A, an elevating mechanism 15 including a base 11, a shaft 12, and an elevating drive unit 13 is provided. The shaft 12 can be extended and retracted from the support portion 12, and the base 11 provided integrally with the shaft 12 can be raised and lowered. A heater 16 is provided in the chamber 10A.

注入装置１０には、壁部１０Ｂを貫通してチャンバ１０Ａ内を真空にする真空排気系２０、チャンバ１０Ａ内にガスを導入するガス導入系３０および接着剤を導入する接着剤導入系４０が設けられている。
真空排気系２０は、配管２１、排気停止弁２２、排気流量調整弁２３および真空ポンプ２４を備える。真空ポンプ２４を駆動し、排気停止弁２２、排気流量調整弁２３を開くことにより、配管２１を介してチャンバ１０Ａ内を減圧することができる。
ガス導入系３０は、配管３１、導入停止弁２２、導入流量調整弁３３を有する。導入停止弁３２および導入流量調整弁３３を開き、不活性ガスを外部よりチャンバ１０Ａ内に導入することができる。 The injection apparatus 10 is provided with an evacuation system 20 that evacuates the chamber 10A through the wall 10B, a gas introduction system 30 that introduces gas into the chamber 10A, and an adhesive introduction system 40 that introduces an adhesive. It has been.
The vacuum exhaust system 20 includes a pipe 21, an exhaust stop valve 22, an exhaust flow rate adjustment valve 23, and a vacuum pump 24. By driving the vacuum pump 24 and opening the exhaust stop valve 22 and the exhaust flow rate adjustment valve 23, the inside of the chamber 10 </ b> A can be decompressed via the pipe 21.
The gas introduction system 30 includes a pipe 31, an introduction stop valve 22, and an introduction flow rate adjustment valve 33. The introduction stop valve 32 and the introduction flow rate adjustment valve 33 are opened, and the inert gas can be introduced into the chamber 10A from the outside.

接着剤導入系４０は、配管４１、供給停止弁４２、供給流量調整弁４３を有する。
４５は、接着剤４４が収容された接着剤槽であり、接着剤導入系４０の配管４１の一端４１ａは、接着剤槽４５に収容された接着剤４４の中まで延出されている。配管４１の他端４１ｂは、チャンバ１０Ａ内に導入されている。
昇降機構１５の台１１上には、接着剤４４ａが収納された接着剤容器４６が搭載されている。図示はしないが、配管４１にはポンプ等の供給装置が接続されており、供給停止弁４２および供給流量調整弁４３を開いて、接着剤槽４５に収容された接着剤４４を、チャンバ１０Ａ内に配置された接着剤容器４６内に供給することが可能である。 The adhesive introduction system 40 includes a pipe 41, a supply stop valve 42, and a supply flow rate adjustment valve 43.
Reference numeral 45 denotes an adhesive tank in which the adhesive 44 is accommodated, and one end 41 a of the pipe 41 of the adhesive introduction system 40 extends into the adhesive 44 accommodated in the adhesive tank 45. The other end 41b of the pipe 41 is introduced into the chamber 10A.
An adhesive container 46 in which an adhesive 44 a is stored is mounted on the base 11 of the lifting mechanism 15. Although not shown, a supply device such as a pump is connected to the pipe 41, the supply stop valve 42 and the supply flow rate adjustment valve 43 are opened, and the adhesive 44 accommodated in the adhesive tank 45 is placed in the chamber 10A. It is possible to supply in an adhesive container 46 arranged in

接着剤容器４６の上方には、回路構成体５０が配置されている。回路構成体５０は、ホルダ１７により支持されている。ホルダ１７は、図示しないが、注入装置１０の壁面１０Ｂに取付けられた固定部材によりチャンバ１０Ａ内の所定の位置に保持され、これにより、回路構成体１０を昇降機構１５の上方の所定の位置に保持する。
回路構成体５０は、図７に、その一部を拡大した平面図に図示されるように、外周のほぼ全体にシール材５２が設けられ、また、外周の一部にシール材５２が設けられていない注入口５１が形成されている。 A circuit structure 50 is arranged above the adhesive container 46. The circuit structure 50 is supported by the holder 17. Although not shown, the holder 17 is held at a predetermined position in the chamber 10A by a fixing member attached to the wall surface 10B of the injection device 10, thereby bringing the circuit component 10 to a predetermined position above the lifting mechanism 15. Hold.
As shown in FIG. 7 which is an enlarged plan view of a part of the circuit structure 50, a sealing material 52 is provided on almost the entire outer periphery, and a sealing material 52 is provided on a part of the outer periphery. An unfilled inlet 51 is formed.

図４および図５は、回路構成体５０の構造および形成方法を説明するための断面図である。
回路構成体５０は、回路素子体５３、５４、５５を積層して構成されている。回路素子体５３は、シリコンウエハなどの半導体基板５６を有し、その半導体基板５６の上面側に、ゲートＧ、ドレインＤおよびソースＳを有するＭＯＳ型トランジスタ５７および接続端子部５７ａを含む集積回路が形成されている。
回路素子体５４および５５は、それぞれ、シリコンウエハ等の半導体基板５６Ａ上にゲートＧ、ドレインＤおよびソースＳを有するＭＯＳ型トランジスタ５７を含む集積回路が形成されている。また、回路素子体５４および５５には、半導体基板５６Ａの主面に垂直な方向に形成された複数の接続配線５８が形成されている。各接続配線５８は半導体基板５６Ａの底面より下方に突き出す接続端子部５８ａを有している。 4 and 5 are cross-sectional views for explaining the structure and forming method of the circuit structure 50.
The circuit configuration body 50 is configured by stacking circuit element bodies 53, 54, and 55. The circuit element body 53 includes a semiconductor substrate 56 such as a silicon wafer, and an integrated circuit including a MOS transistor 57 having a gate G, a drain D, and a source S and a connection terminal portion 57a on the upper surface side of the semiconductor substrate 56. Is formed.
In each of the circuit element bodies 54 and 55, an integrated circuit including a MOS transistor 57 having a gate G, a drain D, and a source S is formed on a semiconductor substrate 56A such as a silicon wafer. The circuit element bodies 54 and 55 are formed with a plurality of connection wirings 58 formed in a direction perpendicular to the main surface of the semiconductor substrate 56A. Each connection wiring 58 has a connection terminal portion 58a protruding downward from the bottom surface of the semiconductor substrate 56A.

回路素子体５４、５５は、回路素子体５３と同様に、半導体基板５６上に集積回路を形成した後、半導体基板５６の底面を研磨またはエッチング等、適宜な方法で除去し、接続配線５８を形成して得られる。
そして、回路素子体５３上に回路素子体５４を、接続端子部５７ａと５８ａとを位置合わせして搭載して両端子部を接合し、また、回路素子体５４上に回路素子体５５を、両部材の接続端子部５８ａを位置合わせして接合する。 Similarly to the circuit element body 53, the circuit element bodies 54 and 55 are formed by forming an integrated circuit on the semiconductor substrate 56, and then removing the bottom surface of the semiconductor substrate 56 by an appropriate method such as polishing or etching. It is obtained by forming.
Then, the circuit element body 54 is mounted on the circuit element body 53 by aligning the connection terminal portions 57a and 58a, and the both terminal portions are joined. Also, the circuit element body 55 is mounted on the circuit element body 54. The connecting terminal portions 58a of both members are aligned and joined.

このようにして、図５に図示されるように、回路構成体５０は、回路素子体５３―５４の間および５４−５５の間に、接続端子部５７ａおよび接続端子部５８ａが介在されることに起因した間隙を有し、この間隙が、接着剤注入領域５０Ａとなる。
この後、回路構成体５０の周囲に、注入口５１が開口されたシール材５２を形成する。封止構造は、回路構成体５０を樹脂中に浸漬した後、注入口５１となる部分を除去して形成する、または、印刷、インクジェット法等により、注入口５１を有するシール材５２を形成する、あるいは、接着剤シールを貼り付ける等、適宜な方法で形成することができる。 In this way, as shown in FIG. 5, in the circuit configuration body 50, the connection terminal portion 57a and the connection terminal portion 58a are interposed between the circuit element bodies 53-54 and 54-55. And the gap becomes the adhesive injection region 50A.
Thereafter, a sealing material 52 in which an injection port 51 is opened is formed around the circuit structure 50. The sealing structure is formed by immersing the circuit component 50 in a resin and then removing the portion that becomes the injection port 51, or forming the sealing material 52 having the injection port 51 by printing, an inkjet method, or the like. Alternatively, it can be formed by an appropriate method such as attaching an adhesive seal.

接着剤４４ａが収納された接着剤容器は、回路構成体５０の下方に位置する図１に図示された状態から、昇降機構１５により上昇して、図２に図示された回路構成体５０の注入口５１に接触することが可能であり、この状態で、回路構成体５０の接着剤注入領域５０Ａ内に接着剤４４ａが注入される。   The adhesive container in which the adhesive 44a is accommodated is lifted by the lifting mechanism 15 from the state illustrated in FIG. 1 located below the circuit component 50, and the circuit component 50 illustrated in FIG. It is possible to contact the inlet 51, and in this state, the adhesive 44a is injected into the adhesive injection region 50A of the circuit structure 50.

図３は、図１に示された回路構成体の接着剤注入装置の回路ブロック図である。
制御部８１は、真空排気系２０の真空ポンプ２４の駆動をする真空駆動部８２の動作タイミングを制御する。さらに、排気停止弁２２を開閉し、排気流量調整弁２３の開閉量を調整する真空排気系８３を制御してチャンバ１０Ａ内を所定の真空度にする。また、ガス導入系４０の導入停止弁３２を開閉し、導入流量調整弁３３の開閉量を調整するガス導入系調整部８４を制御する。また、制御部８１は、ヒータ１６による加熱温度を制御するヒータ温度制御部８５を制御する。 FIG. 3 is a circuit block diagram of the adhesive injection device for the circuit structure shown in FIG.
The control unit 81 controls the operation timing of the vacuum drive unit 82 that drives the vacuum pump 24 of the vacuum exhaust system 20. Further, the exhaust stop valve 22 is opened and closed, and the vacuum exhaust system 83 that adjusts the opening and closing amount of the exhaust flow rate adjustment valve 23 is controlled to make the inside of the chamber 10A have a predetermined degree of vacuum. Further, the gas introduction system adjusting unit 84 that opens and closes the introduction stop valve 32 of the gas introduction system 40 and adjusts the opening and closing amount of the introduction flow rate adjustment valve 33 is controlled. Further, the control unit 81 controls a heater temperature control unit 85 that controls the heating temperature by the heater 16.

接着剤４４を接着剤容器４６に供給するためのポンプ（図示せず）を駆動する接着剤供給駆動部８６ａは接着剤供給駆動制御部８６により駆動を制御され、接着剤供給駆動制御部８６は制御部８１により動作タイミングを制御される。昇降機構１５を駆動する昇降機構駆動部８７ａは、昇降機構駆動制御部８７により駆動を制御され、昇降機構駆動制御部８７は制御部８１により動作タイミングを制御される。
また、制御部８１は、後述するが、真空排気系２０の動作回数をカウントとするカウンタ９１を駆動する。 An adhesive supply drive unit 86a for driving a pump (not shown) for supplying the adhesive 44 to the adhesive container 46 is controlled by an adhesive supply drive control unit 86, and the adhesive supply drive control unit 86 is The operation timing is controlled by the control unit 81. The elevating mechanism drive unit 87 a that drives the elevating mechanism 15 is controlled to be driven by the elevating mechanism drive control unit 87, and the operation timing of the elevating mechanism drive control unit 87 is controlled by the control unit 81.
Further, as will be described later, the control unit 81 drives a counter 91 that counts the number of operations of the evacuation system 20.

図８は、第１実施形態の回路構成体の接着剤注入手順を示すフローチャートであり、以下、図８のフローチャートと共に、その動作を説明する。
先ず、図１に図示されるように、チャンバ１０Ａ内には、昇降機構１５の台１１上に、接着剤４４ａが収納された接着剤容器４６が搭載されている。この注入装置１０の壁面１０Ｂを開口して形成された導入口（図示せず）を開いて、チャンバ１０Ａ内に、回路構成体５０を配置する（ステップＳ１１）。ホルダ１７を、チャンバ１０Ａ内に設置しておき、予め外周部にシール材５２が形成された回路構成体５０を該チャンバ１０Ａ内に設置されたホルダ１７に取付けても良いし、チャンバ１０Ａの外部で回路構成体５０をホルダ１７に取り付け、チャンバ１０Ａ内で、ホルダ１７を注入装置１０の壁面１０Ｂに固定された固定部材に取付けてもよい。 FIG. 8 is a flowchart showing an adhesive injection procedure of the circuit structure according to the first embodiment, and the operation thereof will be described below together with the flowchart of FIG.
First, as illustrated in FIG. 1, an adhesive container 46 in which an adhesive 44 a is stored is mounted on the base 11 of the elevating mechanism 15 in the chamber 10 </ b> A. The inlet (not shown) formed by opening the wall surface 10B of the injection apparatus 10 is opened, and the circuit structure 50 is placed in the chamber 10A (step S11). The holder 17 may be installed in the chamber 10A, and the circuit component 50 in which the sealing material 52 is previously formed on the outer periphery may be attached to the holder 17 installed in the chamber 10A. The circuit structure 50 may be attached to the holder 17 and the holder 17 may be attached to a fixing member fixed to the wall surface 10B of the injection device 10 in the chamber 10A.

ステップＳ１２では、真空排気系２０の排気停止弁２２および排気流量調整弁２３を開き、真空ポンプ２４を駆動してチャンバ１０Ａ内を真空にする真空引きを開始する。ステップＳ１３では、図示はしないが、真空引き回数Ｎを保持するカウンタ９１を１つアップして、真空引き回数ＮをＮ＋１に更新する。そして、ステップＳ１４で、更新された真空引き回数Ｎが予め設定した所定値ｋ以上であるか否かを判断し、ＮｏであればステップＳ１５の処理を、ＹｅｓであればステップＳ２１の処理を行う。   In step S12, the exhaust stop valve 22 and the exhaust flow rate adjustment valve 23 of the vacuum exhaust system 20 are opened, and the vacuum pumping is started to drive the vacuum pump 24 to evacuate the chamber 10A. In step S13, although not shown, the counter 91 that holds the number of evacuations N is incremented by 1, and the number of evacuations N is updated to N + 1. Then, in step S14, it is determined whether or not the updated number of evacuation times N is equal to or greater than a predetermined value k set in advance. If No, the process of step S15 is performed, and if Yes, the process of step S21 is performed. .

更新された真空引き回数Ｎが所定値ｋ未満であれば、ステップＳ１５でチャンバ１０Ａ内の真空度が所定の低圧力に達したか否かを判断する。ステップＳ１５でＮｏであれば真空引きを継続し、真空度が所定の低圧力、例えば、１０Ｐａ程度に達したらステップＳ１６おいてパージを開始する。すなわち、ガス導入系３０の導入停止弁３２を開き、導入流量調整弁３３の開度にて、チャンバ１０Ａ内にＮ2(窒素)ガス等の不活性ガスを導入する。この場合、真空排気系２０の排気停止弁２２および排気流量調整弁２３は開いた状態にしておく。 If the updated number of evacuations N is less than the predetermined value k, it is determined in step S15 whether or not the degree of vacuum in the chamber 10A has reached a predetermined low pressure. If No in step S15, evacuation is continued. When the degree of vacuum reaches a predetermined low pressure, for example, about 10 Pa, purging is started in step S16. That is, the introduction stop valve 32 of the gas introduction system 30 is opened, and an inert gas such as N 2 (nitrogen) gas is introduced into the chamber 10A at the opening degree of the introduction flow rate adjustment valve 33. In this case, the exhaust stop valve 22 and the exhaust flow rate adjustment valve 23 of the vacuum exhaust system 20 are kept open.

不活性ガスを導入するとチャンバ１０Ａ内の圧力が上昇する。このため、回路構成体５０から接着剤注入領域５０Ａに放出されたガスは、この導入された不活性ガスにて希釈される。すなわち、パージが開始される。このパージは、ステップＳ１７で、所定の高圧力に達したと判断されるまでパージ、真空排気を継続される。上記は、排気停止弁２２および排気流量調整弁２３が開けた状態での制御にすることもできる。   When the inert gas is introduced, the pressure in the chamber 10A increases. For this reason, the gas released from the circuit structure 50 to the adhesive injection region 50A is diluted with the introduced inert gas. That is, the purge is started. In this purge, purging and evacuation are continued until it is determined in step S17 that a predetermined high pressure has been reached. The above control can also be performed with the exhaust stop valve 22 and the exhaust flow rate adjustment valve 23 opened.

ステップＳ１８で所定の高圧力に達したと判断されると、ガス導入系３０の導入停止弁３２を閉じて、ステップＳ１３に戻る。そして、ステップＳ１３〜ステップＳ１８の処理が繰り返される。ステップＳ１５で更新された真空引き回数Ｎが所定値ｋに達したと判断されると、ステップＳ２１において、接着剤４４ａの注入が開始される。すなわち、昇降機構１５により接着剤容器４６を上昇させて、回路構成体５０の注入口５１を接着剤４４ａに接触させる。   If it is determined in step S18 that the predetermined high pressure has been reached, the introduction stop valve 32 of the gas introduction system 30 is closed, and the process returns to step S13. And the process of step S13-step S18 is repeated. If it is determined that the number of times of vacuuming N updated in step S15 has reached the predetermined value k, injection of the adhesive 44a is started in step S21. That is, the adhesive container 46 is raised by the elevating mechanism 15, and the inlet 51 of the circuit component 50 is brought into contact with the adhesive 44a.

図９は、チャンバ１０Ａ内の圧力と時間との関係を示すチャンバ内圧力時間関係図である。
ステップＳ１２〜ステップＳ１５の処理でチャンバ１０Ａ内の圧力が減圧される。ステップＳ１５でチャンバ１０Ａ内の圧力が所定の圧力に達したと判断されると、ステップＳ１６においてパージが開始され、チャンバ内圧力１０Ａが上昇し大気圧に近づく。チャンバ１０Ａ内の圧力が所定の高気圧に達したら、再び、減圧処理が開始され、以降、減圧とパージとが繰り返される。この作用により、回路構成体５０から接着剤注入領域５０Ａに放出されたガスはチャンバ１０Ａの外部に排出される。 FIG. 9 is a chamber pressure-time relationship diagram showing the relationship between the pressure in the chamber 10A and time.
The pressure in the chamber 10A is reduced by the processing from step S12 to step S15. If it is determined in step S15 that the pressure in the chamber 10A has reached a predetermined pressure, purging is started in step S16, and the chamber internal pressure 10A increases to approach atmospheric pressure. When the pressure in the chamber 10A reaches a predetermined high atmospheric pressure, the decompression process is started again, and thereafter the decompression and the purge are repeated. By this action, the gas released from the circuit structure 50 to the adhesive injection region 50A is discharged to the outside of the chamber 10A.

そして、更新された真空引き回数Ｎが予め設定した所定値ｋに達すると、例えば、図９に図示された例では、ｋ＝４とされているので、真空引きが４回実行されるとステップＳ２１の接着剤４４ａの注入が開始される。
図９では、パージは、チャンバ１０Ａ内の圧力が大気圧（ＡＴＭ）よりも低い状態で、真空引きに切り替えられるように図示されている。しかし、真空引きに切り替えるチャンバ１０Ａ内の圧力は、図１０に図示されるように、大気圧とほぼ同じ圧力に設定したり、図１１に図示されるように大気圧よりも高い圧力に設定したりすることができる。 Then, when the updated number of evacuations N reaches a predetermined value k set in advance, for example, in the example shown in FIG. 9, k = 4. Injection of the adhesive 44a in S21 is started.
In FIG. 9, the purge is illustrated as being switched to evacuation while the pressure in the chamber 10A is lower than atmospheric pressure (ATM). However, the pressure in the chamber 10A for switching to evacuation is set to substantially the same pressure as the atmospheric pressure as shown in FIG. 10, or to a pressure higher than the atmospheric pressure as shown in FIG. Can be.

また、図９〜図１１では、接着剤注入工程に移る前の真空引き回数の所定値ｋを、いずれの場合もｋ＝４の場合で示しているが、この所定値ｋは、２以上であればよく、図９〜図１１の○印に示すタイミング以降であれば任意に設定することができる。   In addition, in FIGS. 9 to 11, the predetermined value k of the number of times of vacuuming before moving to the adhesive injection process is shown in the case of k = 4 in all cases, but this predetermined value k is 2 or more. Any timing can be set after the timing indicated by the circles in FIGS.

接着剤注入開始処理では、昇降機構１５が駆動され、台１１に搭載された接着剤容器４６が上昇し、図２に図示されるように、回路構成体５０に形成された注入口５１を浸漬する。図２に図示された状態になると、ステップＳ２２において、チャンバ１０Ａを大気に開放する。これにより、回路構成体５０の接着剤注入領域５０Ａ内に接着剤４４ａが注入され始める。そして、適宜な手段、例えば、注入時間とか、回路構成体５０への赤外線の照射による透視により、ステップＳ２３において接着剤注入の完了を判断して終了する。   In the adhesive injection start process, the elevating mechanism 15 is driven, the adhesive container 46 mounted on the base 11 is raised, and the injection port 51 formed in the circuit structure 50 is immersed as shown in FIG. To do. When the state shown in FIG. 2 is reached, the chamber 10A is opened to the atmosphere in step S22. Thereby, the adhesive 44a starts to be injected into the adhesive injection region 50A of the circuit structure 50. Then, in step S23, the completion of the adhesive injection is determined by an appropriate means, for example, injection time or fluoroscopy of the circuit structure 50 by infrared irradiation.

図６は、回路構成体５０への接着剤の注入が完了した状態の断面図を示す。回路素子体５３−５４間および５４−５５間の接着剤注入領域５０Ａの全体に接着剤４４ａが注入されている。
なお、図８に示すフローチャートにおいて、ステップＳ１２〜ステップＳ２３を制御部８１で制御して行い、回路構成体５０の外周部をシール材５２により封止する工程は別途、行うこととした。しかし、後述するように、回路構成体５０の外周部をシール材５２により封止する封止処理およびステップＳ２１〜ステップＳ２３の接着剤注入領域５０Ａ内への接着剤の注入処理は、それぞれ、例えば、インライン型の装置（図１９参照）を構成して行うようにしてもよい。 FIG. 6 is a cross-sectional view showing a state where the injection of the adhesive into the circuit structure 50 is completed. The adhesive 44a is injected into the entire adhesive injection region 50A between the circuit element bodies 53-54 and 54-55.
In the flowchart shown in FIG. 8, steps S12 to S23 are controlled by the control unit 81, and the step of sealing the outer peripheral portion of the circuit structure 50 with the sealing material 52 is performed separately. However, as will be described later, the sealing process for sealing the outer peripheral portion of the circuit component 50 with the sealing material 52 and the process for injecting the adhesive into the adhesive injection region 50A in steps S21 to S23, respectively, Alternatively, an inline type apparatus (see FIG. 19) may be configured and performed.

上述した回路構成体の接着剤注入方法によれば、チャンバ１０Ａ内を真空引きして接着剤の注入を開始する前に、回路構成体５０から接着剤注入領域５０Ａに放出されたガスをチャンバ１０Ａの外部に導出するので、接着剤注入領域５０Ａの圧力が十分に低い状態で接着剤を注入することが可能となり、確実性が向上する。この場合、接着剤注入領域５０Ａに圧力が高い箇所があると、その箇所にボイド（空泡）が発生するが、本発明では空泡の発生を防止することができる。また、接着剤注入の速度が大きくなるので、生産効率が向上する。   According to the above-described adhesive injection method for the circuit structure, the gas released from the circuit structure 50 to the adhesive injection region 50A is supplied to the chamber 10A before the chamber 10A is evacuated and the injection of the adhesive is started. Therefore, the adhesive can be injected in a state where the pressure in the adhesive injection region 50A is sufficiently low, and the reliability is improved. In this case, if there is a part where the pressure is high in the adhesive injection region 50A, a void (air bubble) is generated at the part, but in the present invention, the generation of air bubbles can be prevented. Moreover, since the speed | rate of adhesive injection becomes large, production efficiency improves.

（第１実施形態の変形例）
図１２は、第１実施形態の変形例を示す接着剤注入手順のフローチャートである。変形例の回路構成体の接着剤注入手順では、先ず、ステップＳ３１において、回路構成体５０内のガス出しが行われる。
回路構成体５０に吸収される成分のうち、水分等は加熱により水蒸気となって、他のガスと共に放出される。そこで、予め、注入装置１０の外部で、あるいは別の装置内で回路構成体５０を加熱し、ガス放出処理を行う。そして、回路構成体５０の周囲が不活性ガスで覆われるようにカセット内に収納し、この状態で注入装置１０のチャンバ１０Ａ内に導入する（ステップＳ３２）。なお、回路構成体５０を加熱し、ガスを放出させる処理は、図１における注入装置内のヒータ１６を用いて行ってもよい。この場合には、ステップＳ３２とステップＳ３１の順序は逆になる。 (Modification of the first embodiment)
FIG. 12 is a flowchart of an adhesive injection procedure showing a modification of the first embodiment. In the adhesive injection procedure for the circuit configuration body according to the modified example, first, in step S31, the gas out of the circuit configuration body 50 is performed.
Among the components absorbed by the circuit structure 50, moisture and the like become water vapor by heating and are released together with other gases. Therefore, in advance, the circuit component 50 is heated outside the injection apparatus 10 or in another apparatus to perform a gas release process. And it accommodates in a cassette so that the circumference | surroundings of the circuit structure 50 may be covered with an inert gas, and introduce | transduces in the chamber 10A of the injection apparatus 10 in this state (step S32). In addition, you may perform the process which heats the circuit structure 50 and discharge | releases gas using the heater 16 in the injection apparatus in FIG. In this case, the order of step S32 and step S31 is reversed.

ステップＳ３３において、真空引きを開始する。そして、チャンバ１０Ａ内が所定の圧力、例えば、１０Ｐａ程度になったら、図２に図示されるように、回路構成体５０に形成された注入口５１を接着剤４４ａに接触させる（ステップＳ３４）。次に、チャンバ１０Ａを大気に開放する（ステップＳ３５）ことにより、接着剤４４ａが回路構成体５０の接着剤注入領域５０Ａ内に注入され始め、ステップＳ３６において注入が完了することにより終了する。   In step S33, evacuation is started. When the inside of the chamber 10A reaches a predetermined pressure, for example, about 10 Pa, as shown in FIG. 2, the inlet 51 formed in the circuit structure 50 is brought into contact with the adhesive 44a (step S34). Next, by opening the chamber 10A to the atmosphere (step S35), the adhesive 44a starts to be injected into the adhesive injection region 50A of the circuit structure 50, and the process ends when the injection is completed in step S36.

この変形例の場合には、回路構成体５０から放出されるガスのガス出しを注入装置１０の外部で行うので、タクト時間を小さくすることができる。また、注入装置１０を簡素な構造にすることができる。   In the case of this modification, the gas discharged from the circuit structure 50 is discharged outside the injection apparatus 10, so that the tact time can be reduced. Moreover, the injection apparatus 10 can be made into a simple structure.

（第２実施形態）
第１実施形態では、回路構成体から放出されるガスの放出をパージ及び真空排気によって注入装置の外部に導出するものであった。これに対し、第２実施形態では、回路構成体を加熱、真空排気することにより、回路構成体からの放出ガスを外部に導出する。
以下、図１５のフローチャートに沿って、第２実施形態を説明する。 (Second Embodiment)
In the first embodiment, the release of the gas released from the circuit structure is led out of the injection device by purging and evacuation. On the other hand, in 2nd Embodiment, the discharge gas from a circuit structure body is guide | induced outside by heating and evacuating a circuit structure body.
The second embodiment will be described below along the flowchart of FIG.

ステップＳ４１において、回路構成体１０をチャンバ１０Ａ内に配置する。ステップＳ４２において、真空引きを開始する。ステップＳ４３では、回路構成体５０の加熱が開始される。このステップ４３は、図１に図示されたヒータ１６を用いて行う。このヒータ１６による加熱温度は、ステップＳ４４において、回路構成体５０から接着剤注入領域５０Ａ内にガスを放出するに適した温度範囲となるようにＰＩＤ(Proportional Integral Derivative)制御等により制御される。接着剤注入領域５０Ａに注入される接着剤４４ａがエポキシ系樹脂の場合、ガスを放出するに適した温度範囲は、６５℃よりも高く、９５℃よりも低くする必要がある。温度が６５℃よりも低い場合には、水分等を主とするガス放出の作用が殆ど無く、温度が９５℃よりも高い場合には、接着剤４４ａの粘度が増大し、また、回路構成体５０からのガス放出量の増大や、シール材５２が熱損傷して注入に支障を生じる。   In step S41, the circuit structure 10 is placed in the chamber 10A. In step S42, evacuation is started. In step S43, heating of the circuit structure 50 is started. This step 43 is performed using the heater 16 shown in FIG. In step S44, the heating temperature by the heater 16 is controlled by PID (Proportional Integral Derivative) control or the like so as to be within a temperature range suitable for releasing gas from the circuit component 50 into the adhesive injection region 50A. When the adhesive 44a injected into the adhesive injection region 50A is an epoxy resin, the temperature range suitable for releasing the gas needs to be higher than 65 ° C. and lower than 95 ° C. When the temperature is lower than 65 ° C., there is almost no gas releasing action mainly including moisture, and when the temperature is higher than 95 ° C., the viscosity of the adhesive 44a increases, and the circuit component An increase in the amount of gas released from 50 and thermal damage to the sealing material 52 cause trouble in injection.

ガス放出がなされるとステップＳ４５において、図２に図示されるように、回路構成体５０に形成された注入口５１が接着剤４４ａに接触され、ステップＳ４６において、チャンバ１０Ａを大気に開放して接着剤注入領域１０Ａに接着剤４４ａが注入され、ステップＳ４７において注入が完了すると終了する。   When the gas is released, in step S45, as shown in FIG. 2, the inlet 51 formed in the circuit structure 50 is brought into contact with the adhesive 44a. In step S46, the chamber 10A is opened to the atmosphere. The adhesive 44a is injected into the adhesive injection region 10A, and the process ends when the injection is completed in step S47.

図１３は、チャンバ内圧力と時間および加熱温度と時間の関係を示すチャンバ内圧力および加熱温度時間関係図である。
チャンバ内圧力は、ステップＳ４２の処理により減圧されて真空状態に維持される。ステップＳ４３の処理によって、回路構成体５０の温度（またはヒータ１６の温度）は、６５℃〜９５℃の範囲になるように制御され、回路構成体５０から接着剤注入領域５０Ａに放出されたガスは、真空排気系２０によりチャンバ１０Ａから排出される。 FIG. 13 is a relationship diagram between the pressure in the chamber and the time of heating, and the relationship between the pressure in the chamber and the heating temperature and time.
The pressure in the chamber is reduced by the process of step S42 and maintained in a vacuum state. By the processing in step S43, the temperature of the circuit component 50 (or the temperature of the heater 16) is controlled to be in the range of 65 ° C. to 95 ° C., and the gas released from the circuit component 50 to the adhesive injection region 50A. Is discharged from the chamber 10A by the vacuum exhaust system 20.

そして、回路構成体５０からのガス放出が十分に行われた時間が経過すると、接着剤注入領域１０Ａへの接着剤の注入が開始される。
図１３では、加熱の開始が、ステップＳ４２の真空引き工程の後工程となっている。しかし、図１４に示されるように、加熱の開始をステップＳ４２の真空引き工程の前工程としてもよい。
また、図１３および図１４では、加熱による回路構成体５０の温度は直線的に上昇するように図示されているが、ＰＩＤ制御とすれば、初期は急峻で、到達温度付近では緩やかな曲線になる。 Then, when a time when gas is sufficiently discharged from the circuit structure 50 has elapsed, injection of the adhesive into the adhesive injection region 10A is started.
In FIG. 13, the start of heating is a step after the evacuation step in step S42. However, as shown in FIG. 14, the start of heating may be a pre-process of the evacuation process in step S42.
13 and 14, the temperature of the circuit component 50 due to heating is shown to rise linearly. However, with PID control, the initial value is steep and has a gentle curve near the ultimate temperature. Become.

第２実施形態の場合にも、第１実施形態の場合と同様な効果が得られる。加えて、第１実施形態の変形例と同様、回路構成体５０から放出されるガスのガス排出を加熱のみで行うので、注入装置１０を簡素な構造にすることができる。   In the case of the second embodiment, the same effect as in the case of the first embodiment can be obtained. In addition, as in the modification of the first embodiment, the gas discharged from the circuit component 50 is discharged only by heating, so that the injection device 10 can have a simple structure.

（第２実施形態の変形例）
図１８は、第２実施形態の変形例のフローチャートを示す。この変形例は、ガスの排出を、繰り返しパージと加熱の両方で行う方法である。
以下、第２実施形態の変形例の方法を説明する。
ステップＳ５１で、回路構成体５０をチャンバ１０Ａ内に配置する。ステップＳ５２で真空引きが開始される。 (Modification of the second embodiment)
FIG. 18 shows a flowchart of a modification of the second embodiment. This modification is a method of repeatedly discharging gas by both purging and heating.
Hereinafter, the method of the modification of 2nd Embodiment is demonstrated.
In step S51, the circuit structure 50 is placed in the chamber 10A. In step S52, evacuation is started.

ステップＳ５２の処理が開始されて、所定の時間が経過した時点で、ステップＳ５３において、ヒータ１６により回路構成体５０を加熱する。ヒータ１６の加熱温度は、ステップＳ５４において、回路構成体５０から接着剤注入領域５０Ａ内にガスを放出するに適した温度範囲となるようにＰＩＤ(Proportional Integral Derivative)制御等により制御される。   When the predetermined time has elapsed after the process of step S52 is started, the circuit component 50 is heated by the heater 16 in step S53. In step S54, the heating temperature of the heater 16 is controlled by PID (Proportional Integral Derivative) control or the like so as to be within a temperature range suitable for releasing gas from the circuit component 50 into the adhesive injection region 50A.

ステップＳ５５では、パージが開始される。すなわち、チャンバ１０Ａ内に不活性ガスが導入され、チャンバ１０Ａ内の圧力が上昇する。これにより、回路構成体５０から接着剤注入領域５０Ａに放出されたガスは、チャンバ１０Ａの外部に導出される。パージが開始されると、ステップＳ５６において、カウント値ＭがＭ＋１に更新される。   In step S55, purge is started. That is, an inert gas is introduced into the chamber 10A, and the pressure in the chamber 10A increases. As a result, the gas released from the circuit structure 50 to the adhesive injection region 50A is led out of the chamber 10A. When the purge is started, the count value M is updated to M + 1 in step S56.

ステップＳ５７では、更新されたカウント値Ｍが所定値ｌ以上か否か判断され、所定値ｌ未満であれば、ステップＳ５２の処理に戻る。そして、ステップＳ５２〜ステップＳ５７の処理が繰り返される。更新されたカウント値Ｍが所定値ｌ以上であれば、ステップＳ５８で回路構成体５０に設けられた注入口５１に接着剤４４ａが接触して、接着剤４４ａの注入が開始され、ステップＳ５９でチャンバ１０Ａを大気に開放し、ステップＳ６０で接着剤４４ａの注入が完了したら終了する。ステップＳ５８〜ステップＳ６０は、第１実施形態におけるステップＳ２１〜ステップＳ２３と同様の処理である。   In step S57, it is determined whether or not the updated count value M is greater than or equal to a predetermined value l. If it is less than the predetermined value 1, the process returns to step S52. And the process of step S52-step S57 is repeated. If the updated count value M is greater than or equal to the predetermined value l, the adhesive 44a comes into contact with the injection port 51 provided in the circuit structure 50 in step S58, and injection of the adhesive 44a is started, and in step S59. The chamber 10A is opened to the atmosphere, and the process ends when the injection of the adhesive 44a is completed in step S60. Steps S58 to S60 are the same processes as steps S21 to S23 in the first embodiment.

図１６は、第２実施形態に係り、チャンバ内圧力と時間および加熱温度と時間の関係を示すチャンバ内圧力および加熱温度時間関係図である。
チャンバ１０Ａの減圧とパージが繰り返し行われ、同時にヒータ１６より回路構成体５０の加熱が行われる。この場合、パージ回数の設定値Ｍ＝３とされている。減圧とパージとがそれぞれＭ回行われた後（図１６では３回目以降）は、チャンバ１０Ａ内を真空引きして、接着剤４４ａの注入を開始することができる。つまり、図中、○印以降は、接着剤の注入の開始を任意に設定することができる。
図１６では、加熱開始のタイミングを最初の真空引きの後工程としている。しかし、図１７の如く、加熱開始のタイミングを最初の真空引きの前工程とすることもできる。 FIG. 16 is a chamber internal pressure / heating temperature time relationship diagram illustrating a relationship between chamber internal pressure and time and heating temperature and time according to the second embodiment.
The chamber 10A is repeatedly depressurized and purged, and at the same time, the circuit component 50 is heated by the heater 16. In this case, the setting value M = 3 for the number of purges. After the depressurization and the purge are performed M times (the third and subsequent times in FIG. 16), the chamber 10A can be evacuated and injection of the adhesive 44a can be started. That is, in the figure, the start of the injection of the adhesive can be arbitrarily set after the circle mark.
In FIG. 16, the heating start timing is the post-evacuation process after the initial evacuation. However, as shown in FIG. 17, the heating start timing can be set as the pre-evacuation process of the first evacuation.

（第３実施形態）
図１９に示す第３実施形態は、図１に示す注入装置１００をインライン方式としたものである。注入装置１００は、前処理室１０５、シール塗布室１１０、シール硬化室１２０、排気室１３０、第１注入室１４０、接着剤脱泡室１５０、第２注入室１６０、接着剤段取室１７０、拭取室１８０、接着剤硬化室１８５の各室を備えている。各室の境界は、出入口弁１０１で仕切られている。 (Third embodiment)
In the third embodiment shown in FIG. 19, the injection apparatus 100 shown in FIG. The injection apparatus 100 includes a pretreatment chamber 105, a seal application chamber 110, a seal curing chamber 120, an exhaust chamber 130, a first injection chamber 140, an adhesive defoaming chamber 150, a second injection chamber 160, an adhesive setup chamber 170, Each chamber includes a wiping chamber 180 and an adhesive curing chamber 185. The boundary of each chamber is partitioned by an inlet / outlet valve 101.

前処理室１０５では、回路構成体５０およびホルダ１７をロードする。この室には、図示はしないが、静電除去イオナイザが備えられている。シール塗布室１１０では、回路構成体５０の外周にシール材５２を塗布する。この室には、シール材５２を塗布するためのローラ１１１および、ローラ１１１を回転可能に支持する支持板１１２が設けられている。シール硬化室１２０では、回路構成体５０に塗布された封止材を硬化する。この室には、ヒータ１２１が備えられている。   In the pretreatment chamber 105, the circuit component 50 and the holder 17 are loaded. This chamber is provided with an electrostatic elimination ionizer (not shown). In the seal application chamber 110, the seal material 52 is applied to the outer periphery of the circuit component 50. In this chamber, a roller 111 for applying the sealing material 52 and a support plate 112 for rotatably supporting the roller 111 are provided. In the seal curing chamber 120, the sealing material applied to the circuit component 50 is cured. This chamber is provided with a heater 121.

排気室１３０では、回路構成体５０からガスを排出させ、チャンバ内の排気（パージ）を行う。この室には、回路構成体５０を周囲から加熱するヒータ１３１が備えられている。また、この排気室１３０に対しては、制御弁１３８および導入流量調整弁１３６を有するガス導入系１３５が設置され、また、真空ポンプ１３２およびターボ分子ポンプ１３３が、それぞれ、制御弁１３４、１３６を介して真空引き可能に設置されている。   In the exhaust chamber 130, the gas is discharged from the circuit structure 50 and the chamber is exhausted (purged). This chamber is provided with a heater 131 for heating the circuit structure 50 from the surroundings. In addition, a gas introduction system 135 having a control valve 138 and an introduction flow rate adjustment valve 136 is installed in the exhaust chamber 130, and a vacuum pump 132 and a turbo molecular pump 133 have control valves 134 and 136, respectively. It can be evacuated through.

第１注入室１４０では、接着剤４４ａを回路構成体５０の注入口５１に接触して、接着剤４４ａの注入を開始する。第１注入室１４０には、真空ポンプ１４２が制御弁１４３を介して真空引きするように設けられている。
接着剤脱泡室１５０には、昇降機構１５が設けられ、昇降機構１５の台１１にヒータ１５１が設けられている。また、台１１上には接着剤４４ａが収納された接着剤容器４６が搭載されている。また、接着剤脱泡室１５０には、真空ポンプ１５５が真空引きするように設けられている。真空ポンプ１５５により、制御弁１５６を介して接着剤脱泡室１５０を真空にして、接着剤４４ａ内に含有されているガスを脱泡した後、出入口弁１０１を開いて昇降機構１５により、接着剤容器４６を上昇させて第１注入室１４０内に搬送する。 In the first injection chamber 140, the adhesive 44a is brought into contact with the injection port 51 of the circuit component 50, and injection of the adhesive 44a is started. A vacuum pump 142 is provided in the first injection chamber 140 so as to evacuate via the control valve 143.
The adhesive defoaming chamber 150 is provided with a lifting mechanism 15, and a heater 151 is provided on the base 11 of the lifting mechanism 15. An adhesive container 46 in which an adhesive 44 a is stored is mounted on the table 11. The adhesive defoaming chamber 150 is provided with a vacuum pump 155 for evacuation. The vacuum degassing chamber 150 is evacuated by the vacuum pump 155 through the control valve 156 to degas the gas contained in the adhesive 44a, and then the inlet / outlet valve 101 is opened and the lifting mechanism 15 is used for bonding. The agent container 46 is raised and conveyed into the first injection chamber 140.

第２注入室１６０内は大気圧とされており、第１注入室１４０での接着剤注入処理に引き続いて接着剤注入処理を継続し、接着剤４４ａの注入を完了する。接着剤４４ａの注入が完了すると、出入口弁１０１を開き、昇降機構１５を下降して、接着剤４４ａが収容された接着剤容器４６が接着剤段取室１７０に搬送される。   The inside of the second injection chamber 160 is at atmospheric pressure, and the adhesive injection process is continued following the adhesive injection process in the first injection chamber 140 to complete the injection of the adhesive 44a. When the injection of the adhesive 44 a is completed, the inlet / outlet valve 101 is opened, the elevating mechanism 15 is lowered, and the adhesive container 46 containing the adhesive 44 a is conveyed to the adhesive setup chamber 170.

接着剤段取室１７０は、接着剤容器４６に収容された接着剤４４ａの量をセンサで監視し、量が不足すると、接着剤槽４５内に収容された接着剤４４を、図示しないポンプ等により、接着剤容器４６内に補充する。接着剤４４ａの量に限らず、接着剤４４ａの粘度を監視し、溶媒を補充するようにしてもよい。   The adhesive setup chamber 170 monitors the amount of the adhesive 44a accommodated in the adhesive container 46 with a sensor. If the amount is insufficient, the adhesive 44 accommodated in the adhesive tank 45 is removed from a pump or the like (not shown). Thus, the adhesive container 46 is replenished. Not only the amount of the adhesive 44a but also the viscosity of the adhesive 44a may be monitored to replenish the solvent.

拭取室１８０は、回路構成体５０にノズル１８１から洗浄液を照射して、回路構成体５０に付着した接着剤を除去する。吸引式による接着剤除去や吸着布ワイプによる物理的除去にすることもできる。また、接着剤硬化室１８５は、回路構成体５０の接着剤注入領域５０Ａ内に注入された接着剤４４ａを硬化する室であり、ヒータ１８６を備えている。   The wiping chamber 180 removes the adhesive adhered to the circuit component 50 by irradiating the circuit component 50 with the cleaning liquid from the nozzle 181. Adhesive removal by suction or physical removal by suction cloth wipe can also be used. The adhesive curing chamber 185 is a chamber for curing the adhesive 44a injected into the adhesive injection region 50A of the circuit component 50, and includes a heater 186.

以下、注入装置１００による、接着剤の注入処理について説明する。
先ず、図５に図示された回路構成体５０が、前処理室１０５にロードされて、ホルダ１７に回転可能に軸支される。静電除去イオナイザを用いて、静電気除去を行った後、出入口弁１０１を開いて、回路構成体５０およびホルダ１７は、シール塗布室１１０に搬送される。 Hereinafter, an adhesive injection process performed by the injection apparatus 100 will be described.
First, the circuit structure 50 shown in FIG. 5 is loaded into the pretreatment chamber 105 and is rotatably supported by the holder 17. After removing static electricity using an electrostatic removal ionizer, the inlet / outlet valve 101 is opened, and the circuit component 50 and the holder 17 are conveyed to the seal coating chamber 110.

シール塗布室１１０では、図示しない駆動機構により、回路構成体５０を回転させながら、封止材が被着されたローラ１１１を回路構成体５０の外周に接触させて回路構成体５０の外周にシール材５２を塗布する。この場合、図７に図示されるように、シール材５２が注入口５１に転写されないように、回路構成体５０の回転を制御する。   In the seal coating chamber 110, the roller 111 to which the sealing material is applied is brought into contact with the outer periphery of the circuit component 50 while the circuit component 50 is rotated by a driving mechanism (not shown) to seal the outer periphery of the circuit component 50. A material 52 is applied. In this case, as shown in FIG. 7, the rotation of the circuit component 50 is controlled so that the sealing material 52 is not transferred to the injection port 51.

シール材５２が回路構成体５０に形成されると、出入口弁１０１を開いて、回路構成体５０はシール硬化室１２０に搬送される。シール硬化室１２０では、ヒータ１２１により、回路構成体５０に塗布されたシール材５２が硬化される。シール材５２が硬化された回路構成体５０は、出入口弁１０１を開いて排気室１３０に搬送される。   When the sealing material 52 is formed on the circuit component 50, the inlet / outlet valve 101 is opened and the circuit component 50 is conveyed to the seal curing chamber 120. In the seal curing chamber 120, the seal material 52 applied to the circuit component 50 is cured by the heater 121. The circuit structure 50 in which the sealing material 52 has been cured is conveyed to the exhaust chamber 130 with the inlet / outlet valve 101 opened.

排気室１３０では、真空ポンプ１３２およびターボ分子ポンプ１３３によりチャンバ内が真空にされる。ターボ分子ポンプ１３３を備えているため、排気室１３０の真空引きは、高速に且つ高真空度に達するように行われる。これにより、回路構成体５０から、接着剤注入領域５０Ａ内にガスが放出される。真空引きの後、ガス導入系１３６からチャンバ内に不活性ガスを導入する。この場合、制御弁１３６を開放しておき、回路構成体５０から放出されたガスをチャンバの外部に排出する。制御弁１３６を閉じた状態で制御することも可能である。
減圧およびパージは図８のステップＳ１２〜ステップＳ１７のように複数回繰り返される。但し、回路構成体５０から放出されるガスが少ない場合には、それぞれ、一度ずつ行うようにしてもよい。次に、出入口弁１０１を開放して回路構成体５０が第１注入室１４０に搬送される。搬送時の状況は、真空状態を保った搬送とするが大気圧に戻した状況にて搬送することもできる。 In the exhaust chamber 130, the inside of the chamber is evacuated by the vacuum pump 132 and the turbo molecular pump 133. Since the turbo molecular pump 133 is provided, the evacuation of the exhaust chamber 130 is performed at a high speed and a high degree of vacuum. As a result, gas is released from the circuit component 50 into the adhesive injection region 50A. After evacuation, an inert gas is introduced from the gas introduction system 136 into the chamber. In this case, the control valve 136 is opened, and the gas released from the circuit component 50 is discharged to the outside of the chamber. It is also possible to control the control valve 136 in a closed state.
Depressurization and purging are repeated a plurality of times as in steps S12 to S17 in FIG. However, when there are few gas discharge | released from the circuit structure 50, you may make it each perform once. Next, the inlet / outlet valve 101 is opened and the circuit component 50 is transferred to the first injection chamber 140. The state at the time of conveyance is the conveyance in which the vacuum state is maintained, but the conveyance can be performed in a state where the pressure is returned to the atmospheric pressure.

第１注入室１４０内は、制御弁１４３を介して真空ポンプ１４２により減圧されており、この第１注入室１４０では、接着剤４４ａが収納された接着剤容器４６が、昇降機構１５により上昇され、回路構成体５０の注入口５１に接触する。その後、図８のステップＳ２１〜Ｓ２２にて接着剤４４ａが回路構成体５０の接着剤注入領域５０Ａ内に注入される。ただし、この注入は、回路構成体５０の接着剤注入領域５０Ａ内の一部に注入された状態で終了する。次に、接着剤注入領域５０Ａ内の一部に注入された回路構成体５０は、接着剤容器４６内の接着剤４４ａに接触した状態で第２注入室１６０に搬送される。   The inside of the first injection chamber 140 is depressurized by the vacuum pump 142 via the control valve 143, and in this first injection chamber 140, the adhesive container 46 containing the adhesive 44 a is raised by the elevating mechanism 15. Then, it contacts the inlet 51 of the circuit structure 50. Thereafter, the adhesive 44a is injected into the adhesive injection region 50A of the circuit component 50 in steps S21 to S22 of FIG. However, this injection is completed in a state where it is injected into a part of the adhesive injection region 50A of the circuit structure 50. Next, the circuit component 50 injected into a part of the adhesive injection region 50 </ b> A is conveyed to the second injection chamber 160 in a state of being in contact with the adhesive 44 a in the adhesive container 46.

第２注入室１６０のチャンバ内は大気圧に開放されている。このため、第１注入室における接着剤４４ａの注入に引き続いて、回路構成体５０の接着剤注入領域５０Ａ内への接着剤４４ａの注入が行われ、この接着剤４４ａの注入は、回路構成体５０の接着剤注入領域５０Ａ内の全体に接着剤４４ａが注入されるまで行われる。すなわち、接着剤４４ａの回路構成体５０の接着剤注入領域５０Ａ内への注入が完了する。   The inside of the second injection chamber 160 is open to atmospheric pressure. Therefore, following the injection of the adhesive 44a in the first injection chamber, the adhesive 44a is injected into the adhesive injection region 50A of the circuit component 50, and the injection of the adhesive 44a is performed by the circuit component. This is performed until the adhesive 44a is injected into the entire 50 adhesive injection region 50A. That is, the injection of the adhesive 44a into the adhesive injection region 50A of the circuit component 50 is completed.

接着剤の注入が完了すると、出入口弁１０１を開いて、回路構成体５０が拭取室１８０に搬送される。また、第２注入室１６０の接着剤段取室１７０側の出入口弁１０１を開いて、接着剤容器４６が昇降機構１５により下降され、接着剤段取室１７０に移動する。
なお、接着剤注入領域５０Ａへの接着剤４４ａの注入を、第１注入室１４０と第２注入室１６０とにおいて分担して行う実施形態としているが、接着剤注入領域５０Ａへの接着剤４４ａの注入を１つの注入室で行うようにすることもできる。 When the injection of the adhesive is completed, the inlet / outlet valve 101 is opened and the circuit component 50 is conveyed to the wiping chamber 180. Further, the inlet / outlet valve 101 on the adhesive setup chamber 170 side of the second injection chamber 160 is opened, and the adhesive container 46 is lowered by the lifting mechanism 15 and moves to the adhesive setup chamber 170.
In the embodiment, the injection of the adhesive 44a into the adhesive injection region 50A is performed in the first injection chamber 140 and the second injection chamber 160, but the adhesive 44a is injected into the adhesive injection region 50A. The injection may be performed in one injection chamber.

拭取室１８０に搬送された、回路構成体５０は、ノズル１８１から射出される洗浄液によって接着剤を除去される。除去は、吸引式に夜接着剤除去や吸着ワイプによる物理的除去にすることもできる。そして、出入口弁１０１を開いて、回路構成体５０は、接着剤硬化室１８５に搬送される。接着剤硬化室１８５において、ヒータ１８６により回路構成体５０の接着剤注入領域５０Ａ内に注入された接着剤が硬化される。   The adhesive is removed from the circuit component 50 transferred to the wiping chamber 180 by the cleaning liquid ejected from the nozzle 181. Removal can also be physical removal by night adhesive removal or suction wipe in a suction manner. Then, the inlet / outlet valve 101 is opened, and the circuit component 50 is conveyed to the adhesive curing chamber 185. In the adhesive curing chamber 185, the adhesive injected into the adhesive injection region 50A of the circuit component 50 is cured by the heater 186.

一方、接着剤段取室１７０に移動された接着剤容器４６に収納された接着剤４４ａは、センサにより、その量が測定される。接着剤４４ａの量が十分であれば、接着剤容器４６は接着剤脱泡室１５０に搬送される。接着剤４４ａの量が不足していれば、接着剤槽４５内に収容された接着剤４４が、接着剤容器４６内に補充される。   On the other hand, the amount of the adhesive 44a accommodated in the adhesive container 46 moved to the adhesive setup chamber 170 is measured by a sensor. If the amount of the adhesive 44 a is sufficient, the adhesive container 46 is conveyed to the adhesive defoaming chamber 150. If the amount of the adhesive 44 a is insufficient, the adhesive 44 accommodated in the adhesive tank 45 is replenished in the adhesive container 46.

接着剤脱泡室１５０に搬送された接着剤４４ａは、脱泡される。真空ポンプ１５５により、接着剤脱泡室１５のチャンバ内が真空引きされ、これと共に、台１１に設けられたヒータ１５１により加熱されることにより、接着剤４４ａ内に封入されていた空気などを含むガスが膨張してチャンバ内に放出され、真空ポンプ１５５によって外部に排出される。すなわち、接着剤４４ａの脱泡が行われる。また、接着剤４４ａの粘度制御も行い、注入時間を短縮することも可能である。
脱泡された接着剤４４ａが収納された接着剤容器４６は、出入口弁１０１を開き、昇降機構１５によって上昇されて第１注入室１４０に移動され、排気室１３０から搬送される回路構成体５０の注入口５１に接触する。
接着剤４４ａを収納した接着剤容器４６は、このように、接着剤段取室１７０−接着剤脱泡室１５０−第１注入室１４０−第２注入室１６０を循環する。 The adhesive 44a conveyed to the adhesive defoaming chamber 150 is defoamed. The inside of the adhesive defoaming chamber 15 is evacuated by the vacuum pump 155 and is heated by the heater 151 provided on the base 11 together with the air contained in the adhesive 44a. The gas expands and is released into the chamber, and is exhausted to the outside by the vacuum pump 155. That is, defoaming of the adhesive 44a is performed. Further, the viscosity of the adhesive 44a can be controlled to shorten the injection time.
The adhesive container 46 containing the defoamed adhesive 44 a opens the inlet / outlet valve 101, is lifted by the lifting mechanism 15, is moved to the first injection chamber 140, and is transported from the exhaust chamber 130. In contact with the inlet 51.
Thus, the adhesive container 46 containing the adhesive 44a circulates through the adhesive setup chamber 170-adhesive defoaming chamber 150-first injection chamber 140-second injection chamber 160.

第３実施形態の回路構成体の接着剤注入方法においても、第１実施形態と同様に、回路構成体５０から接着剤注入領域５０Ａに放出されたガスをチャンバの外部に導出するので、接着剤注入領域５０Ａの圧力が十分に低い状態で接着剤を注入することが可能となり、確実性が向上する。加えて、インライン方式であるので、タクト時間を短くすることができ、生産効率を大幅に向上することができる。   In the circuit component adhesive injection method of the third embodiment, the gas released from the circuit component 50 to the adhesive injection region 50A is led out of the chamber as in the first embodiment. It becomes possible to inject the adhesive in a state where the pressure in the injection region 50A is sufficiently low, and the reliability is improved. In addition, since the inline method is used, the tact time can be shortened and the production efficiency can be greatly improved.

回路構成体５０を構成する回路素子体５３〜５５は、集積回路が形成された半導体ウエハを例としたが、ガラス板、セラミック板等の絶縁性基板上に、薄膜トランジスタ等の回路素子を設けた場合にも適用が可能である。
また、積層回路基板により、多層配線基板を形成する場合にも適用が可能である。 The circuit element bodies 53 to 55 constituting the circuit structure 50 are exemplified by a semiconductor wafer on which an integrated circuit is formed. However, circuit elements such as thin film transistors are provided on an insulating substrate such as a glass plate or a ceramic plate. It can also be applied to cases.
The present invention can also be applied to the case where a multilayer wiring board is formed by using a laminated circuit board.

その他、本発明の回路構成体の接着剤注入装置は、発明の趣旨の範囲内において、種々、変形して構成することが可能であり、要は、接着剤注入領域を有する回路構成体および接着剤が収納された接着剤容器を収納するチャンバと、回路構成体から接着剤注入領域内に放出されたガスをチャンバ内から外部に導出する放出ガス排出手段と、チャンバ内を減圧する減圧手段と、回路構成体の接着剤注入領域への接着剤の注入を行う接着剤注入手段と、放出ガス排出手段によりチャンバ内からガスを排出し、減圧手段によりチャンバ内を減圧した後、回路構成体の接着剤注入領域への接着剤の注入を開始させる制御手段と、を具備し、放出ガス排出手段は、チャンバ内に不活性ガスを導入して回路構成体から接着剤注入領域内に放出されたガスをパージするパージ手段を含むものであればよい。
また、本発明の回路構成体の接着剤注入装置は、接着剤注入領域を有する回路構成体および接着剤が収納された接着剤容器を収納するチャンバと、回路構成体から接着剤注入領域内に放出されたガスをチャンバ内から外部に導出する放出ガス排出手段と、チャンバ内を減圧する減圧手段と、回路構成体の接着剤注入領域への接着剤の注入を行う接着剤注入手段と、放出ガス排出手段によりチャンバ内からガスを排出し、減圧手段によりチャンバ内を減圧した後、回路構成体の接着剤注入領域への接着剤の注入を開始させる制御手段と、を具備し、放出ガス排出手段は、回路構成体を加熱する加熱手段および加熱手段を、回路構成体が接着剤注入領域内にガスを放出するに適した温度範囲に制御する温度制御手段を含むものであればよい。
さらに、本発明の回路構成体の接着剤注入装置は、接着剤注入領域を有する回路構成体および接着剤が収納された接着剤容器を収納するチャンバと、回路構成体から接着剤注入領域内に放出されたガスをチャンバ内から外部に導出する放出ガス排出手段と、チャンバ内を減圧する減圧手段と、回路構成体の接着剤注入領域への接着剤の注入を行う接着剤注入手段と、放出ガス排出手段によりチャンバ内からガスを排出し、減圧手段によりチャンバ内を減圧した後、回路構成体の接着剤注入領域への接着剤の注入を開始させる制御手段と、を具備し、放出ガス排出手段は、チャンバ内に不活性ガスを導入して回路構成体からチャンバ内に放出されたガスをパージするパージ手段と、回路構成体を加熱する加熱手段および加熱手段を、回路構成体が接着剤注入領域内にガスを放出するに適した温度範囲に制御する温度制御手段と、を含むものであればよい。 In addition, the adhesive injection device for the circuit component of the present invention can be variously modified and configured within the scope of the invention. In short, the circuit component and the adhesive having the adhesive injection region A chamber for storing an adhesive container in which an agent is stored, a discharge gas discharging means for leading gas released from the circuit component into the adhesive injection region to the outside, and a pressure reducing means for reducing the pressure in the chamber The adhesive injection means for injecting the adhesive into the adhesive injection region of the circuit component and the gas is discharged from the chamber by the discharge gas discharge means, and the pressure in the chamber is reduced by the pressure reducing means. Control means for initiating injection of adhesive into the adhesive injection region, and the discharge gas discharge means introduces an inert gas into the chamber and is released from the circuit structure into the adhesive injection region. Gas As long as it includes a purge means for over-di.
The circuit component adhesive injection device according to the present invention includes a circuit component having an adhesive injection region, a chamber for storing an adhesive container storing the adhesive, and a circuit component from the circuit component into the adhesive injection region. Release gas discharge means for deriving the released gas from the inside of the chamber, decompression means for reducing the pressure in the chamber, adhesive injection means for injecting adhesive into the adhesive injection area of the circuit component, and release And a control means for starting the injection of the adhesive into the adhesive injection region of the circuit structure after the gas is discharged from the chamber by the gas discharge means and the pressure in the chamber is reduced by the pressure reduction means. The means only needs to include heating means for heating the circuit structure and temperature control means for controlling the heating means to a temperature range suitable for the circuit structure to release gas into the adhesive injection region.
Furthermore, an adhesive injection device for a circuit component according to the present invention includes a circuit component having an adhesive injection region and a chamber for storing an adhesive container containing the adhesive, and the circuit component from the circuit component to the adhesive injection region. Release gas discharge means for deriving the released gas from the inside of the chamber, decompression means for reducing the pressure in the chamber, adhesive injection means for injecting adhesive into the adhesive injection area of the circuit component, and release And a control means for starting the injection of the adhesive into the adhesive injection region of the circuit structure after the gas is discharged from the chamber by the gas discharge means and the pressure in the chamber is reduced by the pressure reduction means. The means includes a purge means for introducing an inert gas into the chamber to purge the gas released from the circuit structure into the chamber, a heating means for heating the circuit structure, and a heating means. A temperature control means for controlling the temperature range suitable for releasing gas into the adhesive injection area, as long as it contains a.

また、本発明の回路構成体の接着剤注入装置は、接着剤注入領域を有する回路構成体を収納するチャンバおよび回路構成体から接着剤注入領域内に放出されたガスをチャンバの外部に導出する放出ガス排出手段を有する排気室と、排気室から搬送された回路構成体の接着剤注入領域の少なくとも一部を接着剤に接触させて接着剤を注入する接着剤注入室と、を具備し、接着剤注入室は、回路構成体の接着剤注入領域の少なくとも一部を接着剤に接触させて注入を開始する第１の接着剤注入室と、第１の接着剤注入室における接着剤の注入処理に引き続いて接着剤注入領域の未注入領域への接着剤注入を行う第２の接着剤注入室を含むものであればよい。 In addition, the adhesive injection device for a circuit component according to the present invention guides the gas released from the circuit component into the adhesive injection region to the outside of the chamber, which houses the circuit component having the adhesive injection region. comprising an exhaust chamber having a discharge gas discharging means, an adhesive injection chamber to inject the adhesive in contact with the adhesive at least part of the adhesive injection region of the conveying circuit structure body from the exhaust chamber, and The adhesive injection chamber includes a first adhesive injection chamber that starts injection by bringing at least a part of the adhesive injection region of the circuit structure into contact with the adhesive, and injection of the adhesive in the first adhesive injection chamber What is necessary is just to include the 2nd adhesive agent injection | pouring chamber which inject | pours the adhesive agent to the uninjected area | region of an adhesive agent injection | pouring area | region following a process .

また、本発明の回路構成体の接着剤注入方法は、チャンバ内に配置された回路構成体の接着剤注入領域内を、チャンバ内と共に減圧した後、接着剤注入領域への接着剤の注入を開始する回路構成体の接着剤注入方法において、チャンバ内を減圧して接着剤の注入を開始する前の工程であって、回路構成体から接着剤注入領域内に放出されたガスをチャンバの外部に導出する放出ガス排出工程を備え、放出ガス排出工程は、チャンバ内に不活性ガスを導入して回路構成体から接着剤注入領域内に放出されたガスをパージするパージ工程を含むものであればよい。 In the circuit component adhesive injection method of the present invention, the adhesive injection region of the circuit component disposed in the chamber is decompressed together with the chamber, and then the adhesive is injected into the adhesive injection region. In the method of injecting adhesive for a circuit structure to be started, the process is performed before decompressing the inside of the chamber and injecting the adhesive, and the gas released from the circuit structure into the adhesive injecting region is supplied to the outside of the chamber. The discharge gas discharge process includes a purge process for introducing an inert gas into the chamber and purging the gas released from the circuit structure into the adhesive injection region. That's fine.

１０、１００ 注入装置
１５ 昇降機構
１６ ヒータ
２０ 真空排気系
３０ ガス導入系
４０ 接着剤導入系
４４、４４ａ 接着剤樹脂層
４６ 接着剤容器
５０ 回路構成体
５０Ａ 接着剤注入領域
５１ 注入口
５２ シール材
５３〜５５ 回路素子体
８１ 制御部
１０５ 前処理室
１１０ シール塗布室
１２０ シール硬化室
１３０ 排気室
１４０ 第１注入室
１５０ 接着剤脱泡室
１６０ 第２注入室
１７０ 接着剤段取室
１８０ 拭取室
１８５ 接着剤硬化室
DESCRIPTION OF SYMBOLS 10,100 Injection apparatus 15 Lifting mechanism 16 Heater 20 Vacuum exhaust system 30 Gas introduction system 40 Adhesive introduction system 44, 44a Adhesive resin layer 46 Adhesive container 50 Circuit structure 50A Adhesive injection area 51 Inlet 52 Sealing material 53 55 Circuit element body 81 Control unit 105 Pretreatment chamber 110 Seal application chamber 120 Seal curing chamber 130 Exhaust chamber 140 First injection chamber 150 Adhesive defoaming chamber 160 Second injection chamber 170 Adhesive setup chamber 180 Wiping chamber 185 Adhesive curing room

Claims (11)

接着剤注入領域を有する回路構成体および接着剤が収納された接着剤容器を収納するチャンバと、
前記回路構成体から前記接着剤注入領域内に放出されたガスを前記チャンバ内から外部に導出する放出ガス排出手段と、
前記チャンバ内を減圧する減圧手段と、
前記回路構成体の接着剤注入領域への前記接着剤の注入を行う接着剤注入手段と、
前記放出ガス排出手段により前記チャンバ内から前記ガスを排出し、前記減圧手段により前記チャンバ内を減圧した後、前記回路構成体の接着剤注入領域への前記接着剤の注入を開始させる制御手段と、を具備し、
前記放出ガス排出手段は、前記チャンバ内に不活性ガスを導入して前記回路構成体から前記接着剤注入領域内に放出されたガスをパージするパージ手段を含むことを特徴とする回路構成体の接着剤注入装置。 A chamber for storing a circuit component having an adhesive injection region and an adhesive container storing the adhesive;
A discharge gas discharging means for deriving the gas released into the adhesive injection area from the circuit structure to the outside from the chamber,
Pressure reducing means for reducing the pressure in the chamber;
An adhesive injection means for injecting the adhesive into the adhesive injection region of the circuit component;
Wherein the discharge gas discharging means discharges the gas from the chamber, after reducing the pressure in the chamber by the pressure reducing means, and a control means for initiating the injection of the adhesive into the adhesive injection region of the circuit structure , comprising a,
The discharge gas discharge means includes purge means for introducing an inert gas into the chamber and purging the gas released from the circuit structure into the adhesive injection region. Adhesive injection device. 接着剤注入領域を有する回路構成体および接着剤が収納された接着剤容器を収納するチャンバと、
前記回路構成体から前記接着剤注入領域内に放出されたガスを前記チャンバ内から外部に導出する放出ガス排出手段と、
前記チャンバ内を減圧する減圧手段と、
前記回路構成体の接着剤注入領域への前記接着剤の注入を行う接着剤注入手段と、
前記放出ガス排出手段により前記チャンバ内から前記ガスを排出し、前記減圧手段により前記チャンバ内を減圧した後、前記回路構成体の接着剤注入領域への前記接着剤の注入を開始させる制御手段と、を具備し、
前記放出ガス排出手段は、前記回路構成体を加熱する加熱手段および前記加熱手段を、前記回路構成体が前記接着剤注入領域内にガスを放出するに適した温度範囲に制御する温度制御手段を含むことを特徴とする回路構成体の接着剤注入装置。 A chamber for storing a circuit component having an adhesive injection region and an adhesive container storing the adhesive;
Released gas discharge means for leading the gas released from the circuit structure into the adhesive injection region to the outside from the chamber;
Pressure reducing means for reducing the pressure in the chamber ;
An adhesive injection means for injecting the adhesive into the adhesive injection region of the circuit component;
Control means for starting the injection of the adhesive into the adhesive injection region of the circuit structure after exhausting the gas from the chamber by the discharge gas exhausting means and reducing the pressure in the chamber by the decompression means; , And
It said discharge gas discharge means, the heating means and the heating means for heating the circuit structure, the temperature control in which the circuit component is controlled to a temperature range suitable for releasing gas before Kise' Chakuzai implanted region A device for injecting an adhesive for a circuit structure, characterized in that it comprises means. 接着剤注入領域を有する回路構成体および接着剤が収納された接着剤容器を収納するチャンバと、
前記回路構成体から前記接着剤注入領域内に放出されたガスを前記チャンバ内から外部に導出する放出ガス排出手段と、
前記チャンバ内を減圧する減圧手段と、
前記回路構成体の接着剤注入領域への前記接着剤の注入を行う接着剤注入手段と、
前記放出ガス排出手段により前記チャンバ内から前記ガスを排出し、前記減圧手段により前記チャンバ内を減圧した後、前記回路構成体の接着剤注入領域への前記接着剤の注入を開始させる制御手段と、を具備し、
前記放出ガス排出手段は、前記チャンバ内に不活性ガスを導入して前記回路構成体から前記チャンバ内に放出されたガスをパージするパージ手段と、前記回路構成体を加熱する加熱手段および前記加熱手段を、前記回路構成体が前記接着剤注入領域内にガスを放出するに適した温度範囲に制御する温度制御手段と、を含むことを特徴とする回路構成体の接着剤注入装置。 A chamber for storing a circuit component having an adhesive injection region and an adhesive container storing the adhesive;
Released gas discharge means for leading the gas released from the circuit structure into the adhesive injection region to the outside from the chamber;
Pressure reducing means for reducing the pressure in the chamber ;
An adhesive injection means for injecting the adhesive into the adhesive injection region of the circuit component;
Control means for starting the injection of the adhesive into the adhesive injection region of the circuit structure after exhausting the gas from the chamber by the discharge gas exhausting means and reducing the pressure in the chamber by the decompression means; , And
It said discharge gas discharge means includes a purge means for purging the gas released into said chamber from said circuit component by introducing an inert gas into the chamber, heating means and said heat for heating the circuit structure Temperature control means for controlling the temperature within a temperature range suitable for the circuit component to release gas into the adhesive injection region. 請求項２または３に記載の回路構成体の接着剤注入装置において、前記温度制御手段により制御する温度範囲は、６５℃よりも高く、９５℃よりも低く設定されていることを特徴とする回路構成体の接着剤注入装置。 4. The circuit unit adhesive injection device according to claim 2 , wherein a temperature range controlled by the temperature control means is set to be higher than 65 ° C. and lower than 95 ° C. The apparatus for injecting the adhesive of the structure. 請求項１乃至４のいずれか１項に記載の回路構成体の接着剤注入装置において、
記制御手段は、少なくとも、前記減圧手段による前記チャンバ内の減圧と、前記放出ガス排出手段による前記チャンバ内ガスの排出とのいずれかを複数回実行した後、前記回路構成体の接着剤注入領域への前記接着剤の注入を開始させる手段を含むことを特徴とする回路構成体の接着剤注入装置。 In the adhesive injection device for a circuit component according to any one of claims 1 to 4 ,
Serial control means includes at least a pressure reduction in the chamber by the pressure reducing means, after one of the discharge of the chamber gas by the discharge gas discharge means performs a plurality of times, the adhesive injection region of the circuit structure An apparatus for injecting an adhesive for a circuit structure, comprising means for initiating injection of the adhesive into the circuit. 接着剤注入領域を有する回路構成体を収納するチャンバおよび前記回路構成体から前記接着剤注入領域内に放出されたガスを前記チャンバの外部に導出する放出ガス排出手段を有する排気室と、
前記排気室から搬送された前記回路構成体の接着剤注入領域の少なくとも一部を接着剤に接触させて接着剤を注入する接着剤注入室と、
を具備し、
前記接着剤注入室は、
前記回路構成体の接着剤注入領域の少なくとも一部を接着剤に接触させて注入を開始する第１の接着剤注入室と、前記第１の接着剤注入室における接着剤の注入処理に引き続いて前記接着剤注入領域の未注入領域への接着剤注入を行う第２の接着剤注入室を含むことを特徴とする回路構成体の接着剤注入装置。 A chamber containing a circuit structure having an adhesive injection region, and an exhaust chamber having discharge gas discharge means for deriving gas released from the circuit structure into the adhesive injection region to the outside of the chamber;
An adhesive injection chamber for injecting an adhesive by bringing at least a part of the adhesive injection region of the circuit component conveyed from the exhaust chamber into contact with the adhesive; and
Equipped with,
The adhesive injection chamber is
Following the first adhesive injection chamber that starts injection by bringing at least a part of the adhesive injection region of the circuit structure into contact with the adhesive, and subsequent to the adhesive injection processing in the first adhesive injection chamber An adhesive injection device for a circuit structure , comprising a second adhesive injection chamber for injecting an adhesive into an uninjected region of the adhesive injection region . 請求項６に記載の回路構成体の接着剤注入装置において、さらに、前記接着剤を脱泡し、脱泡後に前記接着剤を前記接着剤注入室に搬送するための接着剤脱泡室を備えていることを特徴とする回路構成体の接着剤注入装置。 The adhesive injection device for a circuit structure according to claim 6 , further comprising an adhesive defoaming chamber for defoaming the adhesive and transporting the adhesive to the adhesive injection chamber after defoaming. An apparatus for injecting an adhesive for a circuit structure. 請求項７に記載の回路構成体の接着剤注入装置において、さらに、前記接着剤が収納された容器に、接着剤を供給して前記接着剤脱泡室に搬送するための接着剤段取室を備えていることを特徴とする回路構成体の接着剤注入装置。 8. The adhesive injection device for a circuit structure according to claim 7 , further comprising an adhesive setup chamber for supplying an adhesive to a container in which the adhesive is stored and transporting the same to the adhesive defoaming chamber. An apparatus for injecting an adhesive for a circuit structure, comprising: チャンバ内に配置された回路構成体の接着剤注入領域内を、前記チャンバ内と共に減圧した後、接着剤注入領域への接着剤の注入を開始する回路構成体の接着剤注入方法において、
前記チャンバ内を減圧して接着剤の注入を開始する前の工程であって、回路構成体から前記接着剤注入領域内に放出されたガスを前記チャンバの外部に導出する放出ガス排出工程を備え、
前記放出ガス排出工程は、前記チャンバ内に不活性ガスを導入して前記回路構成体から前記接着剤注入領域内に放出されたガスをパージするパージ工程を含むことを特徴とする回路構成体の接着剤注入方法。 Within the adhesive injection region arranged circuit structure in the chamber, the pressure was reduced with the chamber, the adhesive injection method of the circuit structure to initiate the injection of the adhesive into the adhesive injection region,
A before the step of initiating the injection of the adhesive by reducing the pressure within the chamber, includes a discharge gas discharging step of deriving the gas released into the adhesive injection area from the circuit structure to the outside of the chamber ,
The discharge gas discharging step includes a purge step of introducing an inert gas into the chamber and purging the gas released from the circuit component into the adhesive injection region. Adhesive injection method. 請求項９に記載の回路構成体の接着剤注入方法において、前記パージ工程の前の工程であって、前記チャンバ内を減圧する減圧工程を備えていることを特徴とする回路構成体の接着剤注入方法。 10. The adhesive for injecting circuit components according to claim 9 , further comprising a pressure reducing step for reducing the pressure in the chamber before the purge step. Injection method. 請求項９に記載の回路構成体の接着剤注入方法において、前記放出ガス排出工程は、前記回路構成体を前記接着剤注入領域内にガスを放出するに適した温度範囲に加熱する加熱工程を含むことを特徴とする回路構成体の接着剤注入方法。 10. The circuit component adhesive injection method according to claim 9 , wherein the discharge gas discharge step includes a heating step of heating the circuit component to a temperature range suitable for releasing gas into the adhesive injection region. A method for injecting an adhesive for a circuit structure, comprising:
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