JP5563012B2

JP5563012B2 - Extreme ultraviolet light source device

Info

Publication number: JP5563012B2
Application number: JP2012094542A
Authority: JP
Inventors: 真生中野
Original assignee: Gigaphoton Inc
Current assignee: Gigaphoton Inc
Priority date: 2012-04-18
Filing date: 2012-04-18
Publication date: 2014-07-30
Anticipated expiration: 2026-01-24
Also published as: JP2012146682A

Description

本発明は、ターゲットにレーザビームを照射することにより極端紫外（ＥＵＶ：extreme ultra violet）光を発生する極端紫外光源装置に関する。 The present invention relates to an extreme ultraviolet light source device that generates extreme ultra violet (EUV) light by irradiating a target with a laser beam.

半導体プロセスの微細化に伴って光リソグラフィも微細化が急速に進展しており、次世代においては、１００〜７０ｎｍの微細加工、更には５０ｎｍ以下の微細加工が要求されるようになる。例えば、５０ｎｍ以下の微細加工の要求に応えるべく、波長１３ｎｍ程度のＥＵＶ光源と縮小投影反射光学系（cataoptric system）とを組み合わせた露光装置の開発が期待されている。 With the miniaturization of semiconductor processes, the miniaturization of optical lithography is rapidly progressing, and in the next generation, fine processing of 100 to 70 nm and further fine processing of 50 nm or less are required. For example, in order to meet the demand for fine processing of 50 nm or less, development of an exposure apparatus that combines an EUV light source with a wavelength of about 13 nm and a reduced projection reflection optical system (cataoptric system) is expected.

ＥＵＶ光源としては、レーザビームをターゲットに照射することによって生成するプラズマを用いたＬＰＰ（laser produced plasma）光源と、放電によって生成するプラズマを用いたＤＰＰ（discharge produced plasma）光源と、軌道放射光を用いたＳＲ（synchrotron radiation）光源との３種類がある。これらの内でも、ＬＰＰ光源は、プラズマ密度をかなり大きくできるので黒体輻射に近い極めて高い輝度が得られ、ターゲット材料を選択することにより必要な波長帯のみの発光が可能であり、ほぼ等方的な角度分布を持つ点光源であるので光源の周囲に電極等の構造物がなく、２πsteradという極めて大きな捕集立体角の確保が可能であること等の利点から、数十ワット以上のパワーが要求されるＥＵＶリソグラフィ用の光源として有力であると考えられている。 As the EUV light source, an LPP (laser produced plasma) light source using plasma generated by irradiating a target with a laser beam, a DPP (discharge produced plasma) light source using plasma generated by discharge, and orbital radiation light There are three types of SR (synchrotron radiation) light sources used. Among these, since the LPP light source can considerably increase the plasma density, extremely high brightness close to that of black body radiation can be obtained, and light emission only in a necessary wavelength band is possible by selecting a target material, which is almost isotropic. Because it is a point light source with a typical angular distribution, there is no structure such as an electrode around the light source, and it is possible to secure a very large collection solid angle of 2πsterad. It is considered to be a powerful light source for required EUV lithography.

図３１は、一般的なＬＰＰ型ＥＵＶ光源装置の構成を示す模式図である。このＥＵＶ光源装置は、ノズル１が配置されたプラズマ発生室２と、レーザ光源３と、レーザ光をプラズマ発生室２に導光する伝播光学系（例えば、レンズ４）と、排気ポンプ５とを含んでいる。以下、伝播光学系としてレンズを例示して説明する。
ノズル１は、加圧供給される液体又は気体のターゲット物質を噴射することにより、レーザ光照射点７を通るターゲット噴流を形成する。ターゲット物質として、キセノン（Ｘｅ）等の常温において気体の物質を用いる場合には、ノズルの上流側に、ターゲット物質を加圧冷却することにより液化させる機構を設けることもある。反対に、常温では固体である錫やリチウムを用いる場合には、ノズルの上流側に、ターゲット物質を溶融温度以上に加熱して液化させる機構が設けられる。 FIG. 31 is a schematic diagram showing a configuration of a general LPP type EUV light source apparatus. This EUV light source device includes a plasma generation chamber 2 in which a nozzle 1 is disposed, a laser light source 3, a propagation optical system (for example, a lens 4) for guiding laser light to the plasma generation chamber 2, and an exhaust pump 5. Contains. Hereinafter, a lens will be described as an example of the propagation optical system.
The nozzle 1 forms a target jet passing through the laser beam irradiation point 7 by ejecting a liquid or gaseous target material supplied under pressure. When a gaseous substance at normal temperature such as xenon (Xe) is used as the target substance, a mechanism for liquefying the target substance by pressurizing and cooling may be provided on the upstream side of the nozzle. On the other hand, when tin or lithium that is solid at room temperature is used, a mechanism for heating and liquefying the target material above the melting temperature is provided on the upstream side of the nozzle.

また、ノズル１にピエゾ素子６を設け、ノズル１を振動させながら液体のターゲット物質を噴射させることにより、ターゲット物質の液滴（ドロップレット）８を形成することができる。即ち、レイリーの微小擾乱の安定性理論によれば、速度ｖで流れる直径ｄのターゲット噴流を、周波数ｆで振動させることにより擾乱させるときに、ターゲット噴流に生じた振動の波長λ（λ＝ｖ／ｆ）が所定の条件（例えば、λ／ｄ＝４．５１）を満たす場合に、均一な大きさの液滴８が、周波数ｆで繰り返して形成される。そのときの周波数ｆは、レイリー周波数と呼ばれる。 Further, by providing a piezo element 6 in the nozzle 1 and ejecting a liquid target material while vibrating the nozzle 1, a droplet 8 of the target material can be formed. That is, according to the Rayleigh micro-turbulence stability theory, when a target jet having a diameter d flowing at a velocity v is disturbed by vibrating at a frequency f, the wavelength λ (λ = v When / f) satisfies a predetermined condition (for example, λ / d = 4.51), uniform-sized droplets 8 are repeatedly formed at the frequency f. The frequency f at that time is called the Rayleigh frequency.

レーザ光源３は、所定の繰り返し動作周波数でレーザ光を出力する。レーザ光源３から出力されたレーザ光は、レンズ４によってレーザ光照射点７に集光され、ターゲット噴流やドロップレットを照射する。それにより、ターゲット物質がプラズマ化してＥＵＶ光を放射する。なお、図３１には、レーザ光を照射された結果、プラズマ生成に寄与した液滴の跡８ａが示されている。このようにして生成されたＥＵＶ光は、例えば、半導体装置の露光を行う場合には、波長１３ｎｍ〜１４ｎｍの光を高反射率で反射するＭｏ（モリブデン）／Ｓｉ（シリコン）膜が形成された曲面型集光ミラーによって集められ、反射ミラー光学系によって露光装置へ導光される。ここで、ＥＵＶ光は、物質による吸収や物質との相互作用が大きいので、ＥＵＶ光を減衰させないために、ＥＵＶ光を露光装置等に導光する光学系や露光装置内部の投影光学系には、反射型が用いられる。 The laser light source 3 outputs laser light at a predetermined repetition operating frequency. The laser light output from the laser light source 3 is focused on the laser light irradiation point 7 by the lens 4 and irradiates a target jet or droplet. As a result, the target material is turned into plasma and emits EUV light. FIG. 31 shows a trace 8a of a droplet that contributes to plasma generation as a result of irradiation with laser light. The EUV light generated in this way is formed with, for example, a Mo (molybdenum) / Si (silicon) film that reflects light having a wavelength of 13 nm to 14 nm with high reflectivity when exposing a semiconductor device. The collected light is collected by the curved condenser mirror and guided to the exposure apparatus by the reflecting mirror optical system. Here, since EUV light is largely absorbed and interacted with a substance, in order not to attenuate the EUV light, an optical system that guides the EUV light to an exposure apparatus or a projection optical system inside the exposure apparatus is used. A reflection type is used.

排気ポンプ５は、プラズマ発生室２内を排気することにより所望の圧力に維持すると共に、ターゲット物質の蒸発ガス９等の不要な物質を排出する。プラズマ発生室２内には、ガス化したターゲット物質によるＥＵＶ光の吸収や、さらには、ミラー等の光学系の汚染を防止するために、例えば、キセノンを用いる場合には０．１Ｐａ程度の高真空が要求される。 The exhaust pump 5 exhausts the inside of the plasma generation chamber 2 to maintain a desired pressure and exhausts unnecessary substances such as the target material evaporative gas 9. In the plasma generation chamber 2, in order to prevent absorption of EUV light by the gasified target material and further contamination of the optical system such as a mirror, for example, when using xenon, a high pressure of about 0.1 Pa is used. A vacuum is required.

ところで、通常、均一な液滴を形成するためにノズル１に与えられる振動の周波数ｆは、照射レーザ光が出力される周波数の数倍から数十倍となる。例えば、ＬＰＰ型ＥＵＶ光源装置において一般に用いられるＹＡＧレーザにおける繰り返し動作周波数は、１０ｋＨｚ程度であるのに対し、速度約３０ｍ／ｓで滴下する直径約６０μｍの液滴を形成する場合に、振動により液滴が生成される周波数ｆは約１１０ｋＨｚとなる。そのため、生成された液滴８の多くは、レーザ光が照射されることなくレーザ光照射点７を通過してしまう。このような液滴（残留ターゲット物質）１０は、排気ポンプ５によってプラズマ発生室２の外部に排出される。しかしながら、排気ポンプ５しかプラズマ発生室２に設けられていない場合には、プラズマ発生室２の内部を高真空に維持することが困難である。その結果、生成されたＥＵＶ光がプラズマ発生室２の内部においてガス化したターゲットに吸収されてしまい、ＥＵＶ光の出力低下を招いてしまう。特に、ＥＵＶ光リソグラフィに用いられる１３．５ｎｍのＥＵＶ光はキセノンガスに吸収され易いので、ＥＵＶ光の発生効率が悪く、これが問題となっていた。 By the way, normally, the frequency f of vibration applied to the nozzle 1 in order to form uniform droplets is several to several tens of times the frequency at which the irradiation laser light is output. For example, the repetition operating frequency of a YAG laser generally used in an LPP type EUV light source device is about 10 kHz, whereas when a droplet having a diameter of about 60 μm is dropped at a speed of about 30 m / s, the liquid is generated by vibration. The frequency f at which drops are generated is about 110 kHz. Therefore, many of the generated droplets 8 pass through the laser beam irradiation point 7 without being irradiated with the laser beam. Such droplets (residual target material) 10 are discharged to the outside of the plasma generation chamber 2 by the exhaust pump 5. However, when only the exhaust pump 5 is provided in the plasma generation chamber 2, it is difficult to maintain the inside of the plasma generation chamber 2 at a high vacuum. As a result, the generated EUV light is absorbed by the gasified target inside the plasma generation chamber 2 and the output of the EUV light is reduced. In particular, since EUV light of 13.5 nm used for EUV light lithography is easily absorbed by xenon gas, the generation efficiency of EUV light is poor, which is a problem.

関連する技術として、特許文献１には、後続の標的小滴（ターゲット物質の液滴）が先行の標的小滴のイオン化により影響を受けないようにするために、ＥＵＶ放射線源において、自然レイリー不安定破壊周波数の理論に基づいて決定される小滴発生率で放出される小滴の内、励振レーザのパルス周波数との関係により標的とならない小滴を、イオン化された標的小滴から発生する放射線を吸収するバッファとして作用させることが開示されている。しかしながら、バッファとして作用させるとしても、不要な小滴が存在することにより、プラズマ発生室内の真空度や清浄度は低下するので、ＥＵＶ光の出力低下を招くことには変わりはない。 As a related technique, U.S. Pat. No. 6,057,049 describes a natural Rayleigh defect in an EUV radiation source in order to prevent subsequent target droplets (target material droplets) from being affected by ionization of the preceding target droplets. Radiation generated from ionized target droplets out of droplets emitted at a droplet generation rate determined based on the theory of stable breakdown frequency, which is not targeted due to the relationship with the excitation laser pulse frequency. It is disclosed to act as a buffer that absorbs water. However, even if it acts as a buffer, the presence of unnecessary droplets reduces the degree of vacuum and cleanliness in the plasma generation chamber, so that the output of EUV light is still reduced.

このような問題を解決するため、特許文献２には、図３１に示すようなＥＵＶ光源装置に対して、不要なターゲット物質の液滴を回収する回収チャンバを設けることが開示されている（第１０頁）。即ち、図３２に示すように、排気ポンプ１２が設けられた回収チャンバ１１を、プラズマ発生室２の下流側に配置する。回収チャンバ１１とプラズマ発生室２とは、開口部１３ａを有する狭窄部（スキマー又はオリフィス）１３を通じて接続される。これにより、ノズル１から噴射されたターゲット物質の液滴８の内、レーザ光を照射されずにプラズマ生成に寄与しなかった液滴１０は、開口部１３ａを通って回収チャンバ１１に回収され、排気ポンプ１２によって外部に排出される。この開口部１３ａの径や、排気ポンプ１２の排気量等を適切に選択することにより、プラズマ発生室２内の真空度や清浄度を、図３１に示すＥＵＶ光源装置と比較して、容易に高く維持することができる。また、トータルで２つの排気ポンプを設けることにより、各排気ポンプへの負担を小さくすることができるので、排気ポンプを小型化することができる。 In order to solve such a problem, Patent Document 2 discloses that an EUV light source apparatus as shown in FIG. 31 is provided with a recovery chamber for recovering unnecessary target material droplets (No. 1). 10). That is, as shown in FIG. 32, the recovery chamber 11 provided with the exhaust pump 12 is disposed downstream of the plasma generation chamber 2. The collection chamber 11 and the plasma generation chamber 2 are connected through a constriction (skimmer or orifice) 13 having an opening 13a. Thereby, among the droplets 8 of the target material ejected from the nozzle 1, the droplets 10 that have not contributed to the plasma generation without being irradiated with the laser light are collected in the collection chamber 11 through the opening 13a, It is discharged outside by the exhaust pump 12. By appropriately selecting the diameter of the opening 13a and the exhaust amount of the exhaust pump 12, the degree of vacuum and cleanliness in the plasma generation chamber 2 can be easily compared with the EUV light source device shown in FIG. Can be kept high. Further, by providing two exhaust pumps in total, the burden on each exhaust pump can be reduced, so that the exhaust pump can be reduced in size.

しかしながら、図３２に示すＥＵＶ光源装置においても、ノズル１から噴射されてから狭窄部１３を通過するまでの間に、液滴８の表面から絶えずターゲット物質が蒸発している。また、照射レーザ光のエネルギーは非常に高いので、レーザ光が照射される液滴の前後数個の範囲に位置する液滴８ｂは、レーザ光照射時の衝撃による変形又は位置ずれ等の影響を受ける他、最悪の場合には熱により蒸発してしまう。そのため、レーザ光が照射されない液滴の全てが回収チャンバ１１に回収されるとは限らない。このようなターゲット物質の蒸発ガス９や未回収液滴は、プラズマ発生室２に設けられた排気ポンプ５によって排出しなければならない。そのため、プラズマ発生室２内の真空度を要求されるレベル（例えば、キセノンの場合には０．１Ｐａ程度）まで低くすることは困難である。従って、このＥＵＶ光源装置においても、プラズマ発生室２内を高真空度に維持することができないので、生成されたＥＵＶ光が吸収されてしまい、ＥＵＶ光の出力低下を招来するという問題が依然として残っている。 However, also in the EUV light source device shown in FIG. 32, the target material is constantly evaporated from the surface of the droplet 8 between the time when it is ejected from the nozzle 1 and the time when it passes through the narrowed portion 13. In addition, since the energy of the irradiated laser beam is very high, the droplet 8b positioned in the several ranges before and after the droplet irradiated with the laser beam is affected by deformation or displacement due to an impact at the time of laser beam irradiation. In the worst case, it is evaporated by heat. Therefore, not all the droplets that are not irradiated with the laser light are collected in the collection chamber 11. Such evaporative gas 9 and unrecovered droplets of the target material must be discharged by an exhaust pump 5 provided in the plasma generation chamber 2. Therefore, it is difficult to reduce the degree of vacuum in the plasma generation chamber 2 to a required level (for example, about 0.1 Pa in the case of xenon). Therefore, even in this EUV light source device, since the inside of the plasma generation chamber 2 cannot be maintained at a high degree of vacuum, the problem that the generated EUV light is absorbed and the output of the EUV light is reduced still remains. ing.

そこで、特許文献２においては、図３２に示すＥＵＶ光源装置に対し、さらに真空スペース（回収チャンバ）を設けることが開示されている。即ち、図３３に示すように、排気ポンプ１５が設けられた第２の回収チャンバ１４を、プラズマ発生室２の上流側に配置する。回収チャンバ１４とプラズマ発生室２とは、狭窄部１６に形成された開口部１６ａを通じて接続される。これにより、ノズル１から噴射された液滴８の表面から蒸発する蒸発ガス９は排気ポンプ１５によって外部に排出されるので、プラズマ発生室２の真空度や清浄度を、図３２に示すＥＵＶ光源装置と比較して、高く維持することができる。 Thus, Patent Document 2 discloses that a vacuum space (recovery chamber) is further provided for the EUV light source device shown in FIG. That is, as shown in FIG. 33, the second recovery chamber 14 provided with the exhaust pump 15 is arranged on the upstream side of the plasma generation chamber 2. The collection chamber 14 and the plasma generation chamber 2 are connected through an opening 16 a formed in the narrowed portion 16. As a result, the evaporative gas 9 evaporating from the surface of the droplet 8 ejected from the nozzle 1 is discharged to the outside by the exhaust pump 15, so that the degree of vacuum and cleanliness of the plasma generation chamber 2 can be determined by the EUV light source shown in FIG. Compared to the device, it can be kept high.

特開２００４−３１３４２（図２）JP2004-31342 (FIG. 2) 特表２００３−５１８７３１（第１頁、第９頁）Special table 2003-518731 (1st page, 9th page)

しかしながら、プラズマ発生室２の内部には、依然としてレーザ光が照射されない液滴１０が存在している。そのような液滴は、近隣の液滴へのレーザ光照射時の衝撃によって変形又は位置ずれ等の影響を受けるのに加えて、最悪の場合には熱によって蒸発してしまう。このように、プラズマ発生室２においては意図しない蒸発等が生じうるので、不要な液滴１０の全てが回収チャンバ１１に回収されるとは限らない。そのため、プラズマ発生室２内を高真空度に維持することや、ガス化したターゲット物質からミラー等のチャンバ内構成部品を防御することは、やはり困難である。また、トータルで３つのチャンバ及び３つの排気ポンプが必要になるので、システムが大型化及び複雑化してしまう。 However, there are still droplets 10 that are not irradiated with laser light inside the plasma generation chamber 2. Such a droplet is affected by deformation or misalignment due to an impact when a nearby droplet is irradiated with laser light, and in the worst case, it is evaporated by heat. As described above, unintended evaporation or the like may occur in the plasma generation chamber 2, so that not all unnecessary droplets 10 are necessarily collected in the collection chamber 11. Therefore, it is still difficult to maintain the inside of the plasma generation chamber 2 at a high vacuum level and to protect the components in the chamber such as a mirror from the gasified target material. In addition, since a total of three chambers and three exhaust pumps are required, the system becomes large and complicated.

このように、プラズマ化したターゲットが近隣のターゲットに与える影響は、特許文献１及び２に記載されているキセノンのような常温で気体のターゲット物質だけでなく、常温で固体のターゲット物質や、常温で固体の物質を含む液体のターゲット物質においても問題となっている（例えば、錫やリチウム等の溶融金属、水又はアルコールに錫や酸化銅や銅等の微小な金属粒子を分散させたもの、水にフッ化リチウムや塩化リチウム等を溶解させたイオン溶液）。これらのターゲット物質もプラズマの熱等の影響によって蒸発する可能性があるので、一旦ガス化した金属原子がミラー等のチャンバ内構成部品を汚染し、更には、ＥＵＶ光源としての性能を劣化させてしまうからである。 As described above, the influence of the plasma target on neighboring targets is not limited to a target material that is gaseous at room temperature, such as xenon described in Patent Documents 1 and 2, but a target material that is solid at room temperature, It is also a problem in liquid target materials containing solid substances (for example, molten metal such as tin or lithium, or water or alcohol in which fine metal particles such as tin, copper oxide or copper are dispersed, An ionic solution in which lithium fluoride or lithium chloride is dissolved in water). Since these target materials may also evaporate due to the influence of plasma heat, etc., once gasified metal atoms contaminate the components in the chamber, such as mirrors, and further deteriorate the performance as an EUV light source. Because it ends up.

そこで、上記の点に鑑み、本発明は、ＬＰＰ型ＥＵＶ光源装置において、簡単な構成によりプラズマ発生室内の真空度や清浄度を高めることを目的とする。 Therefore, in view of the above points, an object of the present invention is to increase the degree of vacuum and cleanliness in a plasma generation chamber with a simple configuration in an LPP type EUV light source device.

上記課題を解決するため、本発明の１つの観点に係る極端紫外光源装置は、レーザ光源から出力されたレーザ光をターゲット物質に照射することにより、ターゲット物質をプラズマ化して極端紫外光を放射させる極端紫外光源装置であって、第１のチャンバと、該第１のチャンバと開口を介して接続されている第２のチャンバと、溶融金属のターゲット物質の液滴を生成して第１のチャンバ内に供給するターゲット物質供給手段と、該ターゲット物質供給手段によって供給されたターゲット物質の液滴が開口を通過するのを妨げる少なくとも１つの遮断手段と、ターゲット物質供給手段によって供給される液滴の生成周波数と、レーザ光源の繰り返し動作周波数とに基づいて、少なくとも１つの遮断手段が所定のタイミングで動作するように該少なくとも１つの遮断手段の動作タイミングを制御する制御手段と、レーザ光源から出射したレーザ光を、第１のチャンバにおいて生成され、開口を通過して第２のチャンバに導入されたターゲット物質の液滴に照射させる光学系とを具備する。
この極端紫外光源装置においては、少なくとも１つの遮断手段が、ターゲット物質の液滴と衝突し、又は、ターゲット物質の液滴の軌道に挿入される遮断部材と、遮断部材の位置又は角度を変化させる変位手段とを含む。そして、遮断部材に、加熱手段が設けられている。
本発明の他の観点に係る極端紫外光源装置においては、少なくとも１つの遮断手段が、ターゲット物質の液滴を照射するレーザ光を出射する第２のレーザ光源と、第２のレーザ光源から出射したレーザ光をターゲット物質の液滴の軌道上に伝播する伝播光学系とを含む。
本発明の他の観点に係る極端紫外光源装置においては、少なくとも１つの遮断手段が、ターゲット物質の液滴に吹き付けられる高圧ガスを噴射するノズルと、ノズルに高圧ガスを供給するガス供給手段と、ノズルから噴射される高圧ガスをターゲットガスの液滴から遮蔽するシャッタ手段とを含む。
本発明の他の観点に係る極端紫外光源装置においては、少なくとも１つの遮断手段が、ターゲット物質の液滴を破壊し、又は、その軌道を変更する。この極端紫外光源装置は、少なくとも１つの遮断手段によって破壊され、又は、その軌道を変更されたターゲット物質の液滴を回収する回収手段をさらに具備する。
本発明の他の観点に係る極端紫外光源装置においては、少なくとも１つの遮断手段が、ノズルの位置又は角度を変化させることにより、ノズルから噴射されるターゲット物質の液滴の軌道を開口からずらす。
本発明の他の観点に係る極端紫外光源装置においては、第１のチャンバと第２のチャンバとが、変形可能な部材に設けられた開口を介して接続されており、少なくとも１つの遮断手段が、開口をターゲット物質の液滴の軌道からずらすように、部材を変形させる変形手段を含む。
本発明の他の観点に係る極端紫外光源装置においては、少なくとも１つの遮断手段が、ターゲット物質の液滴を帯電させる電荷供給手段と、帯電した液滴を偏向するために電界を形成する電界形成手段とを含む。
本発明の他の観点に係る極端紫外光源装置においては、少なくとも１つの遮断手段が、ターゲット物質の液滴に電圧を印加することにより液滴を微粒化する微粒化手段を含む。 In order to solve the above problem, an extreme ultraviolet light source device according to one aspect of the present invention irradiates a target material with laser light output from a laser light source, thereby converting the target material into plasma and emitting extreme ultraviolet light. An extreme ultraviolet light source device, a first chamber, a second chamber connected to the first chamber through an opening, and a first chamber for generating droplets of a molten metal target material Target material supply means for supplying the target material, at least one blocking means for preventing droplets of the target material supplied by the target material supply means from passing through the opening, and droplets supplied by the target material supply means Based on the generation frequency and the repetitive operating frequency of the laser light source, at least one shut-off means operates at a predetermined timing. Control means for controlling the operation timing of at least one shut-off means, and a droplet of the target material generated in the first chamber by the laser light emitted from the laser light source and introduced into the second chamber through the opening And an optical system for irradiation.
In this extreme ultraviolet light source apparatus, at least one blocking means collides with a droplet of the target material, or changes the position or angle of the blocking member inserted into the trajectory of the droplet of the target material and the blocking member. Displacement means. And the interruption | blocking member is provided with the heating means.
In the extreme ultraviolet light source device according to another aspect of the present invention, at least one blocking means emits a laser beam that irradiates a target material droplet, and a second laser light source that emits the laser beam. And a propagation optical system for propagating the laser light on the trajectory of the droplet of the target material.
In the extreme ultraviolet light source device according to another aspect of the present invention, the at least one blocking means includes a nozzle for injecting a high-pressure gas sprayed onto the droplet of the target material, a gas supply means for supplying the high-pressure gas to the nozzle, Shutter means for shielding high pressure gas ejected from the nozzle from droplets of the target gas.
In the extreme ultraviolet light source device according to another aspect of the present invention, at least one blocking means breaks the droplet of the target material or changes its trajectory. The extreme ultraviolet light source device further includes a recovery unit that recovers a target material droplet that has been destroyed by at least one blocking unit or whose trajectory has been changed.
In the extreme ultraviolet light source apparatus according to another aspect of the present invention, at least one blocking means shifts the trajectory of the droplet of the target material ejected from the nozzle from the opening by changing the position or angle of the nozzle.
In the extreme ultraviolet light source apparatus according to another aspect of the present invention, the first chamber and the second chamber are connected via an opening provided in the deformable member, and at least one blocking means is provided. , Including deformation means for deforming the member so as to shift the opening from the trajectory of the droplet of the target material.
In the extreme ultra violet light source device according to another aspect of the present invention, at least one blocking means is a charge supply means for charging a droplet of the target material, and an electric field formation for forming an electric field to deflect the charged droplet Means.
In the extreme ultraviolet light source device according to another aspect of the present invention, the at least one blocking means includes atomizing means for atomizing the droplets by applying a voltage to the droplets of the target material.

本発明によれば、生成されたターゲット物質の液滴の内、レーザ光が照射されない液滴を遮断して、余分な液滴が第２のチャンバに導入されるのを妨げるので、安価で簡単な構成により、第２のチャンバ内の真空度や清浄度を高く維持することができる。従って、プラズマ化したターゲット物質から放射される極端紫外光の出力効率を、低コストで高めることが可能になる。 According to the present invention, among the generated droplets of the target material, the droplets that are not irradiated with the laser light are blocked to prevent the excessive droplets from being introduced into the second chamber. With this configuration, the degree of vacuum and cleanliness in the second chamber can be maintained high. Therefore, the output efficiency of extreme ultraviolet light radiated from the plasma target material can be increased at low cost.

本発明に係るＥＵＶ光源装置の原理を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the principle of the EUV light source device which concerns on this invention. 本発明の第１の実施形態に係るＥＵＶ光源装置の構成を示す模式図である。It is a schematic diagram which shows the structure of the EUV light source device which concerns on the 1st Embodiment of this invention. 図２に示すＥＵＶ光源装置の変形例について説明するための図である。It is a figure for demonstrating the modification of the EUV light source device shown in FIG. 本発明の第２の実施形態に係るＥＵＶ光源装置の構成を示す模式図である。It is a schematic diagram which shows the structure of the EUV light source device which concerns on the 2nd Embodiment of this invention. 本発明の第３の実施形態に係るＥＵＶ光源装置の構成を示す模式図である。It is a schematic diagram which shows the structure of the EUV light source device which concerns on the 3rd Embodiment of this invention. 本発明の第４の実施形態に係るＥＵＶ光源装置の構成を示す模式図である。It is a schematic diagram which shows the structure of the EUV light source device which concerns on the 4th Embodiment of this invention. 図６に示すピエゾ素子及び遮断部が動作する様子を示す模式図である。It is a schematic diagram which shows a mode that the piezoelectric element and interruption | blocking part which are shown in FIG. 6 operate | move. 本発明の第５の実施形態に係るＥＵＶ光源装置の構成を示す模式図である。It is a schematic diagram which shows the structure of the EUV light source device which concerns on the 5th Embodiment of this invention. バイモルフ型のピエゾ素子の構造を示す模式図である。It is a schematic diagram showing the structure of a bimorph type piezoelectric element. 本発明の第６の実施形態に係るＥＵＶ光源装置の構成を示す模式図である。It is a schematic diagram which shows the structure of the EUV light source device which concerns on the 6th Embodiment of this invention. 図１０に示すピエゾ素子及び遮断棒の動作を説明するための図である。It is a figure for demonstrating operation | movement of the piezo element shown in FIG. 本発明の第７の実施形態に係るＥＵＶ光源装置の構成を示す模式図である。It is a schematic diagram which shows the structure of the EUV light source device which concerns on the 7th Embodiment of this invention. 図１２に示すモータ及び遮断棒と、遮断棒の変形例を示す平面図である。It is a top view which shows the modification shown in FIG. 本発明の第８の実施形態に係るＥＵＶ光源装置の構成を示す模式図である。It is a schematic diagram which shows the structure of the EUV light source device which concerns on the 8th Embodiment of this invention. 図１４に示すモータ及び穴開き円盤の動作を説明するための平面図である。It is a top view for demonstrating operation | movement of the motor and holed disk shown in FIG. 本発明の第９の実施形態に係るＥＵＶ光源装置の構成を示す模式図である。It is a schematic diagram which shows the structure of the EUV light source device which concerns on the 9th Embodiment of this invention. 本発明の第１０の実施形態に係るＥＵＶ光源装置の構成を示す模式図である。It is a schematic diagram which shows the structure of the EUV light source device which concerns on the 10th Embodiment of this invention. レーザ伝搬光学系によって集光されるレーザ光の断面を示す図である。It is a figure which shows the cross section of the laser beam condensed by a laser propagation optical system. 本発明の第１１の実施形態に係るＥＵＶ光源装置の構成を示す模式図である。It is a schematic diagram which shows the structure of the EUV light source device which concerns on the 11th Embodiment of this invention. 本発明の第１２の実施形態に係るＥＵＶ光源装置の構成を示す模式図である。It is a schematic diagram which shows the structure of the EUV light source device which concerns on the 12th Embodiment of this invention. 本発明の第１３の実施形態に係るＥＵＶ光源装置の構成を示す模式図である。It is a schematic diagram which shows the structure of the EUV light source device which concerns on the 13th Embodiment of this invention. 本発明の第１４の実施形態に係るＥＵＶ光源装置の構成を示す模式図である。It is a schematic diagram which shows the structure of the EUV light source device which concerns on the 14th Embodiment of this invention. 本発明の第１５の実施形態に係るＥＵＶ光源装置の構成を示す模式図である。It is a schematic diagram which shows the structure of the EUV light source device which concerns on the 15th Embodiment of this invention. 本発明の第１６の実施形態に係るＥＵＶ光源装置の構成を示す模式図である。It is a schematic diagram which shows the structure of the EUV light source device which concerns on the 16th Embodiment of this invention. 本発明の第１７の実施形態に係るＥＵＶ光源装置の構成を示す模式図である。It is a schematic diagram which shows the structure of the EUV light source device which concerns on the 17th Embodiment of this invention. ノズルから噴射される液滴を間引く態様について説明するための図である。It is a figure for demonstrating the aspect which thins out the droplet ejected from a nozzle. 液滴遮断ユニットの駆動タイミングを制御する第１の方法について説明するための図である。It is a figure for demonstrating the 1st method of controlling the drive timing of a droplet blockage unit. 液滴遮断ユニットの駆動タイミングを制御する第２の方法について説明するための図である。It is a figure for demonstrating the 2nd method of controlling the drive timing of a droplet blockage unit. 液滴遮断ユニットの駆動タイミングを制御する第３の方法について説明するための図である。It is a figure for demonstrating the 3rd method of controlling the drive timing of a droplet blocking unit. 液滴遮断ユニットの駆動タイミングを制御する第４の方法について説明するための図である。It is a figure for demonstrating the 4th method of controlling the drive timing of a droplet blocking unit. 一般的なＬＰＰ型ＥＵＶ光源装置の構成を示す模式図である。It is a schematic diagram which shows the structure of a general LPP type EUV light source device. ＬＰＰ型ＥＵＶ光源装置において、液滴回収チャンバを設けた例を示す模式図である。It is a schematic diagram showing an example in which a droplet recovery chamber is provided in an LPP type EUV light source device. ＬＰＰ型ＥＵＶ光源装置において、第２の回収チャンバを設けた例を示す模式図である。It is a schematic diagram which shows the example which provided the 2nd collection | recovery chamber in the LPP type EUV light source device.

以下、本発明を実施するための形態について、図面を参照しながら詳しく説明する。なお、同一の構成要素には同一の参照番号を付して、説明を省略する。
図１は、本発明の原理を説明するための図であり、極端紫外（extreme ultra violet:ＥＵＶ）光源装置の一部を模式的に示している。このＥＵＶ光源装置は、ＬＰＰ（Laser Produced Plasma）型であり、液滴生成室１００と、ピエゾドライバ１０６と、ＥＵＶ光を生成するためのプラズマ発生が行われるプラズマ発生室１１０と、プラズマ発生室においてターゲット物質の液滴を照射するレーザ光を発生するレーザ光源１１１と、レーザ光源１１１から出射したレーザ光Ｌ１をレーザ光照射点１１３に導くレンズ１１２と、制御部１１５とを含んでいる。液滴生成室１００とプラズマ発生室１１０とは、狭窄部１０１に設けられた開口部１０１ａを通じて接続されている。 Hereinafter, embodiments for carrying out the present invention will be described in detail with reference to the drawings. The same constituent elements are denoted by the same reference numerals, and the description thereof is omitted.
FIG. 1 is a diagram for explaining the principle of the present invention, and schematically shows a part of an extreme ultra violet (EUV) light source device. This EUV light source device is an LPP (Laser Produced Plasma) type, and includes a droplet generation chamber 100, a piezo driver 106, a plasma generation chamber 110 in which plasma generation for generating EUV light is performed, and a plasma generation chamber. A laser light source 111 that generates laser light for irradiating a target material droplet, a lens 112 that guides the laser light L1 emitted from the laser light source 111 to a laser light irradiation point 113, and a control unit 115 are included. The droplet generation chamber 100 and the plasma generation chamber 110 are connected through an opening 101 a provided in the narrowed portion 101.

液滴生成室１００には、ピエゾ素子１０３が設けられたノズル１０２と、排気ポンプ１０５とが設けられている。また、ピエゾ素子１０３には、ピエゾ素子１０３に供給される駆動信号を発生するピエゾドライバ１０６が接続されている。さらに、液滴生成室１００の内部には、滴下する液滴を遮断する液滴遮断ユニット１０７が配置されている。 In the droplet generation chamber 100, a nozzle 102 provided with a piezo element 103 and an exhaust pump 105 are provided. In addition, a piezo driver 106 that generates a drive signal supplied to the piezo element 103 is connected to the piezo element 103. Further, inside the droplet generation chamber 100, a droplet blocking unit 107 that blocks dropped droplets is disposed.

ノズル１０２は、外部から供給されるターゲット物質を、液滴生成室１００内に向けて噴射する。ターゲット物質としては、溶融させた錫（Ｓｎ）やリチウム（Ｌｉ）等の溶融金属、水又はアルコールに錫、酸化錫、銅等の微小な金属粒子を分散させたもの、水にフッ化リチウム（ＬｉＦ）や塩化リチウム（ＬｉＣｌ）を溶解させたイオン溶液等が用いられる。本実施形態においては、ターゲット物質として溶融錫（Ｓｎ）を用いる場合について説明するが、それ以外のターゲット物質を用いる場合においても、本発明はチャンバの真空度及び清浄度の向上に有効である。 The nozzle 102 ejects a target material supplied from the outside into the droplet generation chamber 100. Examples of the target substance include molten metal such as tin (Sn) and lithium (Li), water or alcohol in which fine metal particles such as tin, tin oxide, and copper are dispersed, and lithium fluoride ( An ion solution in which LiF) or lithium chloride (LiCl) is dissolved is used. In this embodiment, a case where molten tin (Sn) is used as a target material will be described. However, the present invention is effective in improving the degree of vacuum and cleanliness of the chamber even when other target materials are used.

ピエゾ素子１０３は、ピエゾドライバ１０６から供給される駆動信号に基づいて伸縮することにより、ノズル１０２に所定の周波数ｆの振動を与える。このように、ノズル１０２を介して、ノズル１０２から噴射されるターゲット物質の流れ（ターゲット噴流）を擾乱させることにより、繰り返して滴下するターゲット物質の液滴１０８を生成することができる。即ち、ターゲット噴流の速度をｖ、ターゲット噴流に生じた振動の波長をλ（λ＝ｖ／ｆ）、ターゲット噴流の直径をｄとした場合に、所定の条件（例えば、λ／ｄ＝４．５１）を満たすときに、均一な大きさの理想的な液滴が形成される。このターゲット噴流に生じさせる擾乱の周波数ｆは、レイリー周波数と呼ばれている。実際には、λ／ｄ＝３〜８程度であれば、ほぼ均一な大きさの液滴が形成される。ＥＵＶ光源装置において一般的に用いられるノズルから噴射されるターゲット噴流の速度ｖは２０ｍ／ｓ〜３０ｍ／ｓ程度であるので、直径が１０μｍ〜１００μｍ程度の液滴を形成する場合に、ノズルに与えるべき周波数は、数１０ｋＨｚ〜数１００ｋＨｚ程度となる。以下において、このようにして１秒間あたりに生成される液滴の数のことを、液滴生成周波数、又は、単に生成周波数という。 The piezo element 103 gives a vibration of a predetermined frequency f to the nozzle 102 by expanding and contracting based on a drive signal supplied from the piezo driver 106. Thus, by disturbing the flow of the target material (target jet flow) ejected from the nozzle 102 through the nozzle 102, the droplet 108 of the target material that is repeatedly dropped can be generated. That is, when the velocity of the target jet is v, the wavelength of vibration generated in the target jet is λ (λ = v / f), and the diameter of the target jet is d, for example, λ / d = 4. When satisfying 51), ideal droplets of uniform size are formed. The disturbance frequency f generated in the target jet is called the Rayleigh frequency. Actually, when λ / d = about 3 to 8, droplets of almost uniform size are formed. Since the velocity v of a target jet ejected from a nozzle generally used in an EUV light source apparatus is about 20 m / s to 30 m / s, it is given to the nozzle when forming a droplet having a diameter of about 10 μm to 100 μm. The power frequency is about several tens of kHz to several hundreds of kHz. Hereinafter, the number of droplets generated per second in this way is referred to as a droplet generation frequency or simply a generation frequency.

排気ポンプ１０５は、液滴生成室１００内を所望の真空度に維持すると共に、生成された液滴１０８の表面から蒸発した蒸発ガス１０９や、後述するように、不要となったターゲット物質を外部に排出する。 The exhaust pump 105 maintains the inside of the droplet generation chamber 100 at a desired degree of vacuum and removes an evaporative gas 109 evaporated from the surface of the generated droplet 108 and an unnecessary target material as described later. To discharge.

液滴遮断ユニット１０７は、制御部１１５の制御の下、所定のタイミングで動作することにより、滴下する液滴１０８を破壊し、又は、その軌道を変更し、若しくは、開口部１０１ａを液滴から遮蔽することにより、所定の液滴が開口部１０１ａを通過するのを妨げる。 The droplet blocking unit 107 operates at a predetermined timing under the control of the control unit 115, thereby destroying the droplet 108 to be dropped, changing its trajectory, or removing the opening 101a from the droplet. The shielding prevents a predetermined droplet from passing through the opening 101a.

液滴遮断ユニット１０７によって遮断される液滴は、次のように選択される。先に説明したように、液滴１０８の生成周波数は、通常、数１０ｋＨｚ〜数１００ｋＨｚ程度となるのに対し、一般的なＥＵＶ光源に求められる繰り返し周波数は、１０ｋＨｚ程度である。そこで、液滴１０８がレーザ光照射点１１３を通過するタイミングが、レーザ光源の繰り返し動作周波数と一致するように、液滴１０８を間引く。例えば、液滴１０８の生成周波数が１００ｋＨｚ、レーザの発振周波数が１０ｋＨｚである場合には、液滴１０８を１／１０に間引けば良い。即ち、９個の液滴を連続して遮断した後に、１個の液滴を通過させる動作を繰り返す。なお、図１には、液滴遮断ユニット１０７によって遮断すべき液滴１０８ａと、開口部１０１ａを通過させるべき液滴１０８ｂとが示されている。 A droplet to be blocked by the droplet blocking unit 107 is selected as follows. As described above, the generation frequency of the droplets 108 is usually about several tens kHz to several hundreds kHz, whereas the repetition frequency required for a general EUV light source is about 10 kHz. Therefore, the droplets 108 are thinned out so that the timing at which the droplets 108 pass the laser beam irradiation point 113 coincides with the repetition operation frequency of the laser light source. For example, when the generation frequency of the droplets 108 is 100 kHz and the oscillation frequency of the laser is 10 kHz, the droplets 108 may be thinned out to 1/10. That is, after the nine liquid droplets are continuously blocked, the operation of passing one liquid droplet is repeated. FIG. 1 shows a droplet 108a to be blocked by the droplet blocking unit 107 and a droplet 108b to be passed through the opening 101a.

図１に示すように、このような液滴遮断ユニット１０７に、移動ステージ１０７ａを設けても良い。液滴１０８の径は、通常、１０μｍ〜１００μｍ程度と小さいので、液滴遮断ユニット１０７と液滴１０８との距離や位置関係を調整する必要が生じるからである。移動ステージ１０７ａは、リモートコントロール装置等を用いたチャンバ外からの制御に従い、液滴遮断ユニット１０７の位置をＸ方向、Ｙ方向及びＺ方向について微調整する。 As shown in FIG. 1, a moving stage 107a may be provided in such a droplet blocking unit 107. This is because the diameter of the droplet 108 is usually as small as about 10 μm to 100 μm, and it is necessary to adjust the distance and positional relationship between the droplet blocking unit 107 and the droplet 108. The moving stage 107a finely adjusts the position of the droplet blocking unit 107 in the X direction, the Y direction, and the Z direction in accordance with control from outside the chamber using a remote control device or the like.

プラズマ発生室１１０には、排気ポンプ１１４が設けられている。排気ポンプ１１４は、開口部１０１ａを通過してプラズマ発生室１１０に導入された液滴１０８ｂの表面から蒸発した蒸発ガス等の不要な物質を外部に排出することにより、プラズマ発生室１１０内を所望の真空度に維持する。 An exhaust pump 114 is provided in the plasma generation chamber 110. The exhaust pump 114 discharges unnecessary substances such as evaporating gas evaporated from the surface of the droplets 108b introduced into the plasma generation chamber 110 through the opening 101a to the outside, so that the inside of the plasma generation chamber 110 is desired. Maintain the degree of vacuum.

レーザ光源１１１から出射したレーザ光Ｌ１は、レンズ１１２によって集光され、プラズマ発生室１１０内のレーザ光照射点１１３を所定の繰り返し動作周波数（例えば、１０ｋＨｚ）で照射する。このようなプラズマ発生室１１０において、所定の間隔に間引かれた液滴１０８ｂが、レーザ光照射点１１３を通過する際にレーザ光Ｌ１を照射されると、ターゲット物質がプラズマ化してＥＵＶ光が放射される。このようにして生成されたＥＵＶ光は、例えば、Ｍｏ／Ｓｉ膜が形成された反射光学系により、露光装置等に導かれる。 The laser light L1 emitted from the laser light source 111 is collected by the lens 112 and irradiates the laser light irradiation point 113 in the plasma generation chamber 110 at a predetermined repetition operating frequency (for example, 10 kHz). In such a plasma generation chamber 110, when the droplet 108b thinned at a predetermined interval is irradiated with the laser beam L1 when passing through the laser beam irradiation point 113, the target material is turned into plasma and EUV light is emitted. Radiated. The EUV light generated in this way is guided to an exposure apparatus or the like by, for example, a reflection optical system on which a Mo / Si film is formed.

制御部１１５は、ノズル１０２の径やターゲット物質の噴射速度等に応じてピエゾドライバ１０６の液滴生成周波数を設定すると共に、設定された液滴生成周波数と、レーザ光源１１１の繰り返し動作周波数とに応じて、液滴遮断ユニット１０７の動作タイミングを制御する。 The control unit 115 sets the droplet generation frequency of the piezo driver 106 according to the diameter of the nozzle 102, the injection speed of the target material, and the like, and sets the set droplet generation frequency and the repetition operation frequency of the laser light source 111. Accordingly, the operation timing of the droplet blocking unit 107 is controlled.

図２は、本発明の第１の実施形態に係るＥＵＶ光源装置の構成を示す模式図である。このＥＵＶ光源装置は、図１に示す液滴遮断ユニット１０７を、ピエゾ素子を用いる構造としたものである。その他の構成については、図１に示すＥＵＶ光源装置と同様である。
図２に示すように、このＥＵＶ光源装置は、遮断棒１２１が取り付けられたピエゾ素子１２０と、ピエゾ素子１２０に供給される駆動信号を発生するピエゾドライバ１２２とを含んでいる。本実施形態においては、アクチュエータタイプのピエゾ素子を用いている。アクチュエータタイプのピエゾ素子は、印加される電圧の極性に応じた方向に伸縮する素子であり、駆動信号に対する時間応答性が高いことを特徴としている。ピエゾドライバ１２２は、制御部１１５の制御の下で、ピエゾ素子１２０を伸張又は収縮させるための駆動信号を、所定の時間間隔で発生する。遮断棒１２１は、ピエゾ素子１２０が伸張したときに、液滴１０８の軌道に達し、ピエゾ素子１２０が収縮したときに、液滴１０８の軌道から外れるように、ピエゾ素子１２０に対する位置及び長さを調整されている。 FIG. 2 is a schematic diagram showing the configuration of the EUV light source apparatus according to the first embodiment of the present invention. In this EUV light source apparatus, the droplet blocking unit 107 shown in FIG. 1 has a structure using a piezoelectric element. About another structure, it is the same as that of the EUV light source device shown in FIG.
As shown in FIG. 2, the EUV light source device includes a piezo element 120 to which a blocking bar 121 is attached, and a piezo driver 122 that generates a drive signal supplied to the piezo element 120. In this embodiment, an actuator type piezo element is used. An actuator-type piezo element is an element that expands and contracts in a direction corresponding to the polarity of an applied voltage, and is characterized by high time response to a drive signal. The piezo driver 122 generates a drive signal for expanding or contracting the piezo element 120 at predetermined time intervals under the control of the control unit 115. The blocking bar 121 reaches the orbit of the droplet 108 when the piezo element 120 expands, and has a position and length with respect to the piezo element 120 so as to be out of the orbit of the droplet 108 when the piezo element 120 contracts. It has been adjusted.

生成された液滴１０８を間引くために、具体的には以下に示す２つの方法が考えられる。第１の方法として、レーザ光を照射されない液滴１０８ａが遮断棒１２１の高さ（ターゲットが上から下へ進行する場合を例にした。以下、同様。）を通過しようとする度にピエゾ素子１２０を伸張させ、遮断棒１２１によって液滴１０８ａを突くことにより、液滴１０８ａを破壊し、又は、液滴１０８ａの軌道を変更させる。反対に、レーザ光を照射される液滴１０８ｂが遮断棒１２１の高さを通過しようとする際には、ピエゾ素子１２０を駆動しない。これにより、液滴１０８ｂのみに開口部１０１ａを通過させることができる。また、第２の方法として、液滴１０８ａが滴下している間中、ピエゾ素子１２０を伸張し、遮断棒１２１を液滴１０８ａの軌道に挿入しておくことにより開口部１０１ａを液滴１０８ａから遮蔽する。そして、液滴１０８ｂが遮断棒１２１の高さを通過しようとする際にのみ、ピエゾ素子１２０を収縮させることにより、液滴１０８ｂに開口部１０１ａを通過させる。 In order to thin out the generated droplets 108, specifically, the following two methods can be considered. As a first method, every time the droplet 108a not irradiated with laser light passes through the height of the blocking bar 121 (the case where the target travels from top to bottom, the same applies hereinafter), the piezo element. 120 is extended and the droplet 108a is pierced by the blocking rod 121, thereby destroying the droplet 108a or changing the trajectory of the droplet 108a. On the other hand, when the droplet 108b irradiated with the laser beam tries to pass the height of the blocking bar 121, the piezo element 120 is not driven. Thereby, only the droplet 108b can pass through the opening 101a. As a second method, while the droplet 108a is being dropped, the piezo element 120 is extended, and the blocking bar 121 is inserted into the orbit of the droplet 108a so that the opening 101a is removed from the droplet 108a. Shield. Then, only when the droplet 108b attempts to pass the height of the blocking bar 121, the droplet 108b is allowed to pass through the opening 101a by contracting the piezo element 120.

上記の第２の方法を用いる場合には、ピエゾ素子１２０の駆動周波数を、液滴１０８の生成周波数（例えば、１００ｋＨｚ）ではなく、レーザ光源１１１の繰り返し動作周波数（例えば、１０ｋＨｚ）に合わせれば良い。そのため、ピエゾ素子１２０を駆動するための消費電力を低減すると共に、ピエゾ素子１２０を長寿命化することができるので、図２に示すＥＵＶ光源装置の信頼性を高めることができる。 In the case of using the second method, the driving frequency of the piezo element 120 may be set not to the generation frequency of the droplets 108 (for example, 100 kHz) but to the repetition operation frequency (for example, 10 kHz) of the laser light source 111. . Therefore, power consumption for driving the piezo element 120 can be reduced and the life of the piezo element 120 can be extended, so that the reliability of the EUV light source device shown in FIG. 2 can be improved.

図３は、図２に示すＥＵＶ光源装置の変形例について説明するための図である。本実施形態においては、図２に示す遮断棒１２１の形状や構造を変更することにより、様々な効果を付加することができる。例えば、図２に示す遮断棒１２１の替わりに、図３に示す遮断棒１２３を用いても良い。遮断棒１２３の液滴衝突面１２３ａは、法線が液滴１０８の軌道と角度θを為すように形成されている。このように、遮断棒１２３の先端に傾斜をつけることにより、液滴衝突面１２３ａに衝突した液滴１０８ａやその残滓１０８ｃが、傾斜に沿って流れるようになる。それにより、遮断棒１２３上に残滓１０８ｃが滞留したり、滞留した残滓１０８ｃが固化することがなくなるので、遮断棒１２３の動作効率の低下を防ぐことができる。また、遮断棒の先端や液滴衝突面１２３ａ付近に、ヒータ１２４を設けても良い。液滴１０８ａが衝突する領域を加熱することにより、液滴１０８ａの残滓１０８ｃが固化して遮断棒に蓄積するのを防ぐことができる。 FIG. 3 is a diagram for explaining a modification of the EUV light source device shown in FIG. In the present embodiment, various effects can be added by changing the shape and structure of the blocking bar 121 shown in FIG. For example, instead of the blocking bar 121 shown in FIG. 2, a blocking bar 123 shown in FIG. 3 may be used. The droplet collision surface 123 a of the blocking bar 123 is formed so that the normal line makes an angle θ with the orbit of the droplet 108. In this way, by inclining the tip of the blocking bar 123, the droplet 108a colliding with the droplet collision surface 123a and its residue 108c flow along the inclination. As a result, the residue 108c does not stay on the blocking bar 123, and the remaining residue 108c does not solidify, so that the operating efficiency of the blocking bar 123 can be prevented from being lowered. Further, a heater 124 may be provided in the vicinity of the tip of the blocking bar or the droplet collision surface 123a. By heating the region where the droplet 108a collides, the residue 108c of the droplet 108a can be prevented from solidifying and accumulating on the blocking bar.

図４は、本発明の第２の実施形態に係るＥＵＶ光源装置の構成を示す模式図である。このＥＵＶ光源装置は、図１に示す液滴遮断ユニット１０７を、複数のピエゾ素子を用いる構造としたものである。なお、図４には、２つのピエゾ素子を用いる例が示されているが、３つ以上のピエゾ素子を用いても良い。その他の構成については、図１に示すＥＵＶ光源装置と同様である。 FIG. 4 is a schematic diagram showing a configuration of an EUV light source apparatus according to the second embodiment of the present invention. In this EUV light source device, the droplet blocking unit 107 shown in FIG. 1 has a structure using a plurality of piezo elements. FIG. 4 shows an example in which two piezo elements are used, but three or more piezo elements may be used. About another structure, it is the same as that of the EUV light source device shown in FIG.

図４に示すように、このＥＵＶ光源装置は、遮断棒１３１が取り付けられたアクチュエータタイプのピエゾ素子１３０と、遮断棒１３３が取り付けられたアクチュエータタイプのピエゾ素子１３２と、ピエゾ素子１３０及び１３２にそれぞれ供給される駆動信号を発生するピエゾドライバ１３４とを含んでいる。遮断棒１３１及び１３３は、ピエゾ素子が伸張したときに、液滴１０８の軌道に達し、ピエゾ素子が収縮したときに、液滴１０８の軌道から外れるように、ピエゾ素子１３０及び１３２における位置及び長さを調整されている。 As shown in FIG. 4, the EUV light source device includes an actuator-type piezo element 130 to which a blocking bar 131 is attached, an actuator-type piezo element 132 to which a blocking bar 133 is attached, and piezo elements 130 and 132, respectively. And a piezo driver 134 for generating a supplied drive signal. The blocking rods 131 and 133 reach the orbit of the droplet 108 when the piezo element is extended, and the positions and lengths of the piezo elements 130 and 132 so as to be out of the orbit of the droplet 108 when the piezo element contracts. Has been adjusted.

ピエゾドライバ１３４は、制御部１１５の制御の下で、ピエゾ素子１３０及び１３２に駆動信号を同時に又は交互に供給する。これにより、遮断棒１３１及び１３３が、同時に又は交互に液滴１０８ａを破壊し、又は、その軌道を変更し、若しくは、開口部１０１ａを液滴１０８ａから遮蔽する。このように、複数のピエゾ素子を用いることにより、各ピエゾ素子の駆動周波数を、１つのピエゾ素子のみを用いる場合と比較して低減することができる。例えば、図４に示すように２つのピエゾ素子を用いる場合には、駆動周波数は１／２となり、３つのピエゾ素子を用いる場合には、駆動周波数は１／３となるので、各ピエゾ素子の負担を減らし、長寿命化することが可能になる。
なお、本実施形態においても、図３に示すものと同様に、遮断棒１３１及び１３３の先端に傾斜をつけたり、ヒータを設けても良い。 The piezo driver 134 supplies drive signals to the piezo elements 130 and 132 simultaneously or alternately under the control of the control unit 115. As a result, the blocking bars 131 and 133 break the droplets 108a simultaneously or alternately, or change their trajectories, or shield the openings 101a from the droplets 108a. Thus, by using a plurality of piezo elements, the drive frequency of each piezo element can be reduced as compared with the case where only one piezo element is used. For example, as shown in FIG. 4, when two piezo elements are used, the drive frequency is ½, and when three piezo elements are used, the drive frequency is ３. The burden can be reduced and the life can be extended.
In the present embodiment, as in the case shown in FIG. 3, the tips of the blocking bars 131 and 133 may be inclined or a heater may be provided.

以上説明した本発明の第１及び第２の実施形態においては、ピエゾ素子に遮断棒を取り付けているが、棒の替わりに板状の遮蔽部材（遮蔽板）をピエゾ素子に取り付けても良い。この場合には、液滴の軌道に対する遮蔽板の位置調整を緩和することができる。 In the first and second embodiments of the present invention described above, the blocking bar is attached to the piezo element, but a plate-shaped shielding member (shielding plate) may be attached to the piezo element instead of the bar. In this case, the position adjustment of the shielding plate with respect to the droplet trajectory can be relaxed.

図５は、本発明の第３の実施形態に係るＥＵＶ光源装置の構成を示す模式図である。本実施形態は、図１に示す液滴遮断ユニット１０７として、ピエゾ素子を用いる他の具体例を示すものである。その他の構成については、図１に示すＥＵＶ光源装置と同様である。
図５に示すＥＵＶ光源装置は、遮断部１４１が取り付けられたアクチュエータタイプのピエゾ素子１４０と、ピエゾ素子１４０に供給される駆動信号を発生するピエゾドライバ１４２とを含んでいる。遮断部１４１は、液滴列の方向に長さを有する遮断棒１４１ａを含んでいる。遮断棒１４１ａは、ピエゾ素子１４１が１回伸縮することにより、複数の液滴１０８ａと衝突し、それらの液滴１０８ａを破壊し、又は、それらの軌道を変更させる。このように、１度に複数の液滴１０８ａを破壊等することにより、ピエゾ素子の駆動周波数を小さくすることができるので、ピエゾ素子の長寿命化を図ることができる。 FIG. 5 is a schematic diagram showing a configuration of an EUV light source apparatus according to the third embodiment of the present invention. This embodiment shows another specific example using a piezo element as the droplet blocking unit 107 shown in FIG. About another structure, it is the same as that of the EUV light source device shown in FIG.
The EUV light source apparatus shown in FIG. 5 includes an actuator-type piezo element 140 to which a blocking unit 141 is attached, and a piezo driver 142 that generates a drive signal supplied to the piezo element 140. The blocking unit 141 includes a blocking bar 141a having a length in the direction of the droplet row. The blocking bar 141a collides with a plurality of droplets 108a by the expansion and contraction of the piezo element 141 once, and destroys these droplets 108a or changes their trajectories. In this manner, by destroying the plurality of droplets 108a at a time, the driving frequency of the piezo element can be reduced, so that the life of the piezo element can be extended.

なお、本実施形態においては、遮断棒１４１ａの替わりに、液滴列に対向する広い面積を有する遮蔽板を設けても良い。また、本実施形態においても、図３に示すものと同様に、遮断棒１４１ａの先端に傾斜をつけたり、ヒータを設けても良い。さらに、図４に示すものと同様に、各々に遮断棒１４１ａを含む遮断部１４１が取り付けられた複数のピエゾ素子を設け、それらを同時に又は交互に駆動しても良い。 In this embodiment, instead of the blocking bar 141a, a blocking plate having a large area facing the droplet row may be provided. Also in the present embodiment, as in the case shown in FIG. 3, the tip of the blocking bar 141a may be inclined or a heater may be provided. Further, similarly to the one shown in FIG. 4, a plurality of piezo elements each provided with a blocking portion 141 including a blocking bar 141a may be provided and driven simultaneously or alternately.

図６は、本発明の第４の実施形態に係るＥＵＶ光源装置の構成を示す模式図である。本実施形態は、図１に示す液滴遮断ユニット１０７として、ピエゾ素子を用いる他の具体例を示すものである。その他の構成については、図１に示すＥＵＶ光源装置と同様である。
図６に示すように、このＥＵＶ光源装置は、２つのアクチュエータタイプのピエゾ素子１５０及び１５１と、２つのピエゾ素子１５０及び１５１の間に取り付けられている遮断部１５２と、２つのピエゾ素子１５０及び１５１に供給される駆動信号を発生するピエゾドライバ１５３とを含んでいる。 FIG. 6 is a schematic diagram showing a configuration of an EUV light source apparatus according to the fourth embodiment of the present invention. This embodiment shows another specific example using a piezo element as the droplet blocking unit 107 shown in FIG. About another structure, it is the same as that of the EUV light source device shown in FIG.
As shown in FIG. 6, this EUV light source device includes two actuator-type piezoelectric elements 150 and 151, a blocking portion 152 attached between the two piezoelectric elements 150 and 151, two piezoelectric elements 150 and And a piezo driver 153 for generating a drive signal supplied to 151.

図７は、図６に示すピエゾ素子１５０及び１５１、並びに、遮断部１５２の動作を、ノズル１０２側（Ｚ軸方向）から見た様子を示している。遮断部１５２は、ピエゾ素子１５０及び１５１に接続された移動部１５２ａと、移動部１５２ａに設けられた突部１５２ｂとを含んでいる。ピエゾドライバ１５３は、制御部１１５の制御の下で、レーザ光を照射されない液滴１０８ａが通過しようとするときに、ピエゾ素子１５０及び１５１の内の一方を伸張させるための駆動信号を発生し、他方を収縮させるための駆動信号を発生する。これにより、ピエゾ素子１５０及び１５１の伸縮に伴って移動部１５２ａが移動し、その際に突部１５２ｂが液滴１０８ａに衝突する。 FIG. 7 shows a state in which the operations of the piezo elements 150 and 151 and the blocking unit 152 shown in FIG. 6 are viewed from the nozzle 102 side (Z-axis direction). The blocking unit 152 includes a moving unit 152a connected to the piezo elements 150 and 151, and a protrusion 152b provided on the moving unit 152a. The piezo driver 153 generates a drive signal for expanding one of the piezo elements 150 and 151 under the control of the control unit 115 when the droplet 108a not irradiated with the laser light is about to pass through. A drive signal for contracting the other is generated. Thereby, the moving part 152a moves with expansion and contraction of the piezo elements 150 and 151, and at this time, the projecting part 152b collides with the droplet 108a.

本実施形態において、２つのピエゾ素子を用いて遮断部１５２を移動させる理由は次のとおりである。一般に、アクチュエータタイプのピエゾ素子は、伸張時の圧縮応力に対する機械的強度は大きいが、収縮時の引張応力に対しては機械的強度が小さい。そのため、遮断部を「押す」作用と「引く」作用との両方を行うことは、ピエゾ素子にとって大きな負担となる。そこで、２つのピエゾ素子１５０及び１５１を同期して駆動することにより、一方の素子が収縮するときの応力負担を、他方の素子が伸張することによってカバーするようにしている。これにより、ピエゾ素子１５０及び１５１の各々に対する機械的な負担を減らし、長寿命化を図ることができる。 In the present embodiment, the reason why the blocking unit 152 is moved using two piezo elements is as follows. In general, an actuator-type piezo element has a large mechanical strength against a compressive stress when stretched, but a small mechanical strength against a tensile stress when contracted. For this reason, performing both the “pushing” action and the “pulling” action on the blocking portion is a heavy burden on the piezo element. Therefore, by driving the two piezo elements 150 and 151 in synchronism, the stress burden when one element contracts is covered by the other element extending. As a result, the mechanical burden on each of the piezo elements 150 and 151 can be reduced and the life can be extended.

なお、ピエゾ素子１５０及び１５１の一方を伸張し、他方を収縮するためには、圧電体の分極の向きが互いに反対を向くようにピエゾ素子１５０及び１５１を配置し、ピエゾ素子１５０及び１５１に同じ位相の駆動信号をそれぞれ供給すれば良い。或いは、圧電体の分極が同じ向きとなるようにピエゾ素子１５０及び１５１を配置し、ピエゾ素子１５０及び１５１に互いに位相が反転する駆動信号をそれぞれ供給する方法を用いても良い。 In order to expand one of the piezo elements 150 and 151 and contract the other, the piezo elements 150 and 151 are arranged so that the polarization directions of the piezoelectric bodies are opposite to each other, and the same as the piezo elements 150 and 151. What is necessary is just to supply the drive signal of a phase, respectively. Alternatively, a method may be used in which the piezo elements 150 and 151 are arranged so that the polarizations of the piezoelectric bodies are in the same direction, and drive signals whose phases are inverted are supplied to the piezo elements 150 and 151, respectively.

なお、本実施形態においても、図３に示すものと同様に、突部１５２ｂの一端に傾斜をつけたり、ヒータを設けても良い。或いは、突部１５２ｂの形状を、液滴列の方向に長さを有する面形状とすることにより、図５に示すものと同様に、複数の液滴１０８ａを１度に破壊等できるようにしても良い。さらに、図４に示すものと同様に、遮断部及びその両端に取り付けられた２つピエゾ素子を含む複数の液滴遮断ユニットを設け、それらを交互に駆動しても良い。 In the present embodiment, as in the case shown in FIG. 3, one end of the protrusion 152b may be inclined or a heater may be provided. Alternatively, by making the shape of the protrusion 152b into a surface shape having a length in the direction of the droplet row, a plurality of droplets 108a can be destroyed at a time, as shown in FIG. Also good. Further, similarly to the one shown in FIG. 4, a plurality of droplet blocking units including a blocking unit and two piezo elements attached to both ends thereof may be provided and driven alternately.

図８は、本発明の第５の実施形態に係るＥＵＶ光源装置の構成を示す模式図である。本実施形態は、図１に示す液滴遮断ユニット１０７として、ピエゾ素子を用いる他の具体例を示すものである。その他の構成については、図１に示すＥＵＶ光源装置と同様である。
図８に示すように、このＥＵＶ光源装置は、遮断棒１６１が取り付けられたピエゾ素子１６０と、ピエゾ素子に供給される駆動信号を発生するピエゾドライバ１６２とを含んでいる。本実施形態においては、ピエゾ素子１６０として、バイモルフ型やマルチモルフ型のベンディングタイプ（屈曲変位型）を用いている。 FIG. 8 is a schematic diagram showing a configuration of an EUV light source apparatus according to the fifth embodiment of the present invention. This embodiment shows another specific example using a piezo element as the droplet blocking unit 107 shown in FIG. About another structure, it is the same as that of the EUV light source device shown in FIG.
As shown in FIG. 8, the EUV light source device includes a piezo element 160 to which a blocking bar 161 is attached, and a piezo driver 162 that generates a drive signal supplied to the piezo element. In the present embodiment, a bimorph type or multimorph type bending type (bending displacement type) is used as the piezo element 160.

図９の（ａ）及び（ｂ）は、バイモルフ型のピエゾ素子の構造を示す模式図である。図９の（ａ）及び（ｂ）において、圧電体１６５ａ及び１６５ｂ、並びに、１６８ａ及び１６８ｂ中に示す矢印は、分極の向きを表している。図９の（ａ）に示すピエゾ素子は、パラレル型と呼ばれており、２つの圧電体１６５ａ及び１６５ｂを、分極方向が同じ方向を向くように電極１６６を介して張り合わせ、それらの圧電体１６５ａ及び１６５ｂに電極１６７ａ及び１６７ｂをそれぞれ形成することによって作製される。このようなピエゾ素子において、電極１６７ａ及び１６６を介して、圧電体１６５ａに電界Ｅ_Ａを加え、電極１６７ｂ及び１６６を介して、圧電体１６５ｂに電界Ｅ_Ａとは反対向きの電界Ｅ_Ｂを加える。それにより、一方の圧電体１６５ａは伸張し、他方の圧電体１６５ｂは収縮するので、結果として、ピエゾ素子は矢印の方向（図の右方向）に屈曲する。一方、図９の（ｂ）に示すピエゾ素子はシリーズ型と呼ばれている。シリーズ型のピエゾ素子において、２つの圧電体１６８ａ及び１６８ｂは、分極が互いに反対方向を向くように張り合わせられている。これらの圧電体に、電極１６９ａ及び１６９ｂを介して同じ向きの電界Ｅを加えることにより、一方の圧電体は伸張し、他方の圧電体が収縮するので、結果として、ピエゾ素子が屈曲する。また、マルチモルフ型のピエゾ素子においては、さらに複数の圧電体が積層されている。 FIGS. 9A and 9B are schematic views showing the structure of a bimorph type piezoelectric element. 9A and 9B, the arrows shown in the piezoelectric bodies 165a and 165b and 168a and 168b indicate the direction of polarization. The piezoelectric element shown in FIG. 9A is called a parallel type, and two piezoelectric bodies 165a and 165b are bonded together via an electrode 166 so that the polarization directions are the same, and the piezoelectric bodies 165a. And 165b by forming electrodes 167a and 167b, respectively. In such a piezoelectric element, via the electrodes 167a and 166, the electric field _{E A} applied to the piezoelectric body 165a, through the electrodes 167b and 166, applying an electric field _{E B} in the opposite direction to the electric field _{E A} in the piezoelectric 165b . As a result, one piezoelectric body 165a expands and the other piezoelectric body 165b contracts. As a result, the piezoelectric element bends in the direction of the arrow (the right direction in the figure). On the other hand, the piezoelectric element shown in FIG. 9B is called a series type. In the series-type piezoelectric element, the two piezoelectric bodies 168a and 168b are bonded to each other so that the polarization faces in opposite directions. By applying an electric field E in the same direction to these piezoelectric bodies via the electrodes 169a and 169b, one piezoelectric body expands and the other piezoelectric body contracts, and as a result, the piezoelectric element bends. In the multimorph type piezoelectric element, a plurality of piezoelectric bodies are further laminated.

再び、図８を参照すると、ピエゾドライバ１６２が、制御部１１５の制御の下で、ピエゾ素子１６０を駆動するための駆動信号を発生すると、ピエゾ素子１６０が屈曲する。その結果、ピエゾ素子１６０に取り付けられた遮断棒１６１が液滴１０８ａと衝突して、液滴１０８ａを破壊し、又は、軌道を変更させる。 Referring to FIG. 8 again, when the piezo driver 162 generates a drive signal for driving the piezo element 160 under the control of the control unit 115, the piezo element 160 bends. As a result, the blocking bar 161 attached to the piezo element 160 collides with the droplet 108a to destroy the droplet 108a or change the trajectory.

一般に、ベンディングタイプのピエゾ素子においては、アクチュエータタイプのピエゾ素子と比較して、遮断棒が取り付けられる先端の変位量が大きい。そのため、液滴１０８ａをより確実に遮断することが可能になる。なお、本実施形態においても、図３に示すものと同様に、遮断棒１６１の先端に傾斜をつけたり、ヒータを設けても良い。また、遮断棒１６１の先端に、液滴列の方向に長さを有する遮断部材（遮断棒や遮断板）を設けることにより、図５に示すものと同様に、複数の液滴１０８ａを１度に破壊等できるようにしても良い。或いは、図４に示すように、複数個のユニットを配置しても良い。 Generally, a bending type piezo element has a larger amount of displacement at a tip to which a blocking bar is attached than an actuator type piezo element. Therefore, it becomes possible to block the droplet 108a more reliably. In the present embodiment, as in the case shown in FIG. 3, the tip of the blocking bar 161 may be inclined or a heater may be provided. In addition, by providing a blocking member (blocking bar or blocking plate) having a length in the direction of the droplet row at the tip of the blocking bar 161, a plurality of droplets 108a can be removed once as in the case shown in FIG. It may be possible to destroy it. Alternatively, as shown in FIG. 4, a plurality of units may be arranged.

図１０は、本発明の第６の実施形態に係るＥＵＶ光源装置の構成を示す模式図である。本実施形態は、図１に示す液滴遮断ユニット１０７として、ピエゾ素子を用いる他の具体例を示すものである。その他の構成については、図１に示すＥＵＶ光源装置と同様である。
図１０に示すように、このＥＵＶ光源装置は、遮断棒１７１が取り付けられたアクチュエータタイプのピエゾ素子１７０と、ピエゾドライバ１７２とを含んでいる。 FIG. 10 is a schematic diagram showing a configuration of an EUV light source apparatus according to the sixth embodiment of the present invention. This embodiment shows another specific example using a piezo element as the droplet blocking unit 107 shown in FIG. About another structure, it is the same as that of the EUV light source device shown in FIG.
As shown in FIG. 10, the EUV light source device includes an actuator type piezo element 170 to which a blocking bar 171 is attached, and a piezo driver 172.

図１１は、ピエゾ素子１７０及び遮断棒１７１を拡大して示している。遮断棒１７１は、支点１７３において回転可能に支持されていると共に、一端においてピエゾ素子１７０と係合している。このピエゾ素子１７０を、ピエゾドライバ１７２から供給される駆動信号によって収縮させる。その結果、図１１に示すように、遮断棒１７１の他端（衝突点１７１ａ）が支点１７３を軸として回転して、液滴１０８ａに衝突する。 FIG. 11 shows the piezo element 170 and the blocking bar 171 in an enlarged manner. The blocking bar 171 is rotatably supported at the fulcrum 173 and is engaged with the piezo element 170 at one end. The piezo element 170 is contracted by a drive signal supplied from the piezo driver 172. As a result, as shown in FIG. 11, the other end (collision point 171a) of the blocking bar 171 rotates around the fulcrum 173 and collides with the droplet 108a.

このように、本実施形態においては、梃子の原理を利用して、遮断棒１７１における液滴との衝突点１７１ａを移動させる。そのため、ピエゾ素子１７０の変位量が小さい場合においても、支点の位置を調節することにより、衝突点１７１ａの変位量を大きくすることができる。従って、液滴１０８ａをより確実に破壊等することが可能になる。なお、本実施形態においても、図３に示すものと同様に、遮断棒１７１の衝突点１７１ａに傾斜をつけたり、ヒータを設けても良い。或いは、遮断棒１７１の先端に、液滴列の方向に長さを有する遮断部を設けることにより、図５に示すものと同様に、複数の液滴１０８ａを１度に破壊等できるようにしても良い。さらに、図４に示すものと同様に、ピエゾ素子及び固定された支点を有する遮断棒を含む複数の遮蔽ユニットを設け、それらを交互に駆動しても良い。 Thus, in this embodiment, the collision point 171a with the droplet in the blocking bar 171 is moved using the principle of the lever. Therefore, even when the displacement amount of the piezo element 170 is small, the displacement amount of the collision point 171a can be increased by adjusting the position of the fulcrum. Therefore, the droplet 108a can be destroyed more reliably. Also in this embodiment, as in the case shown in FIG. 3, the collision point 171a of the blocking bar 171 may be inclined or a heater may be provided. Alternatively, by providing a blocking portion having a length in the direction of the droplet row at the tip of the blocking bar 171, a plurality of droplets 108 a can be broken at a time, as shown in FIG. Also good. Furthermore, similarly to the one shown in FIG. 4, a plurality of shielding units including a piezo element and a blocking bar having a fixed fulcrum may be provided, and these may be driven alternately.

図１２は、本発明の第７の実施形態に係るＥＵＶ光源装置の構成を示す模式図である。このＥＵＶ光源装置は、図１に示す液滴遮断ユニット１０７を、モータを用いる構造としたものである。その他の構成については、図１に示すＥＵＶ光源装置と同様である。
図１２に示すように、このＥＵＶ光源装置は、遮断棒１８１が取り付けられたモータ１８０と、モータ１８０の動作を制御するモータ制御部１８２とを含んでいる。また、図１３の（ａ）は、モータ１８０及び遮断棒１８１をＺ軸方向から見た図を示している。図１３の（ａ）に示すように、モータ１８０は、Ｚ軸を回転軸として回転し、それに伴い、遮断棒１８１は、ＸＹ平面内において回転する。遮断棒１８１は、液滴１０８の軌道を横切るように、長さを調節されている。 FIG. 12 is a schematic diagram showing a configuration of an EUV light source apparatus according to the seventh embodiment of the present invention. In this EUV light source device, the droplet blocking unit 107 shown in FIG. 1 has a structure using a motor. About another structure, it is the same as that of the EUV light source device shown in FIG.
As shown in FIG. 12, the EUV light source device includes a motor 180 to which a blocking bar 181 is attached and a motor control unit 182 that controls the operation of the motor 180. FIG. 13A shows the motor 180 and the blocking bar 181 as viewed from the Z-axis direction. As shown in FIG. 13A, the motor 180 rotates about the Z axis as a rotation axis, and accordingly, the blocking bar 181 rotates in the XY plane. The length of the blocking bar 181 is adjusted so as to cross the trajectory of the droplet 108.

モータ制御部１８２は、制御部１１５の制御の下で、モータ１８０を所定の速度及びタイミングで回転させる。例えば、モータ制御部１８２は、遮断棒１８１が液滴１０８ａと衝突するタイミングで、液滴の生成周波数とほぼ等しい周波数でモータ１８０を回転させる。これにより、液滴１０８ａは、回転する遮断棒１８１によって次々と破壊等される。反対に、モータ制御部１８２は、液滴１０８ｂが通過しようとするときには、モータ１８０の回転を停止させ、又は、回転速度を変化させる。これにより、液滴１０８ｂは、遮断棒１８１と衝突することなく開口部１０１ａを通過する。 The motor control unit 182 rotates the motor 180 at a predetermined speed and timing under the control of the control unit 115. For example, the motor control unit 182 rotates the motor 180 at a frequency substantially equal to the droplet generation frequency at the timing when the blocking bar 181 collides with the droplet 108a. As a result, the droplets 108a are successively destroyed by the rotating blocking bar 181. Conversely, when the droplet 108b is about to pass, the motor control unit 182 stops the rotation of the motor 180 or changes the rotation speed. Thereby, the droplet 108b passes through the opening 101a without colliding with the blocking bar 181.

図１３の（ｂ）〜（ｄ）は、モータに取り付けられる遮断棒のバリエーションを示している。例えば、図１３の（ｂ）に示すように、モータ１８３における向かい合う位置に２つの遮断棒１８４を設けても良い。この場合には、図１３の（ａ）に示すものと比較して、モータの回転速度（回転周波数）を約半分にすることができ、モータへの負担を軽くすることができる。また、図１３の（ｃ）に示すように、モータ１８５の周囲に複数の遮断翼１８６を設けても良い。さらに、図１３の（ｄ）に示すように、モータ１８７の周囲に、歯車状の遮断部１８８を設けても良い。 (B)-(d) of FIG. 13 has shown the variation of the interruption | blocking stick | rod attached to a motor. For example, as shown in FIG. 13B, two blocking bars 184 may be provided at opposite positions in the motor 183. In this case, compared with what is shown to (a) of FIG. 13, the rotational speed (rotational frequency) of a motor can be made into about a half, and the burden to a motor can be lightened. Further, as shown in FIG. 13C, a plurality of blocking blades 186 may be provided around the motor 185. Furthermore, as shown in FIG. 13D, a gear-shaped blocking portion 188 may be provided around the motor 187.

なお、本実施形態においても、図３に示すものと同様に、遮断棒等の先端に傾斜をつけたり、ヒータを設けても良い。或いは、遮断棒等の先端に、液滴列の方向に長さを有する部材（遮断棒や遮断板）を取り付けることにより、図５に示すものと同様に、複数の液滴１０８ａを１度に破壊等できるようにしても良い。さらに、図４に示すものと同様に、モータ及び遮断棒等を含む複数の遮蔽ユニットを設け、それらを同時に又は交互に駆動しても良い。 In this embodiment as well, as in the case shown in FIG. 3, the tip of a blocking bar or the like may be inclined or a heater may be provided. Alternatively, by attaching a member (blocking bar or blocking plate) having a length in the direction of the droplet row to the tip of the blocking bar or the like, a plurality of droplets 108a can be transferred at a time in the same manner as shown in FIG. It may be possible to destroy it. Furthermore, like the one shown in FIG. 4, a plurality of shielding units including a motor and a blocking bar may be provided, and these may be driven simultaneously or alternately.

図１４は、本発明の第８の実施形態に係るＥＵＶ光源装置の構成を示す模式図である。本実施形態は、図１に示す液滴遮断ユニット１０７として、モータを用いる他の具体例を示すものである。その他の構成については、図１に示すＥＵＶ光源装置と同様である。
図１４に示すように、このＥＵＶ光原装置は、穴開き円盤１９１が取り付けられたモータ１９０と、モータ１９０の動作を制御するモータ制御部１９２とを含んでいる。また、図１５の（ａ）は、モータ１９０及び穴開き円盤１９１をＺ軸方向から見た図を示している。図１５の（ａ）に示すように、モータ１９０は、Ｚ軸を回転軸として回転し、それに伴い、穴開き円盤１９１は、ＸＹ平面内において回転する。穴開き円盤１９１には、液滴１０８の軌道を通るように位置調節された液滴通過口１９１ａが形成されている。 FIG. 14 is a schematic diagram showing a configuration of an EUV light source apparatus according to the eighth embodiment of the present invention. The present embodiment shows another specific example using a motor as the droplet blocking unit 107 shown in FIG. About another structure, it is the same as that of the EUV light source device shown in FIG.
As shown in FIG. 14, the EUV light source apparatus includes a motor 190 to which a perforated disk 191 is attached, and a motor control unit 192 that controls the operation of the motor 190. FIG. 15A shows the motor 190 and the perforated disk 191 viewed from the Z-axis direction. As shown in FIG. 15A, the motor 190 rotates about the Z axis as a rotation axis, and accordingly, the perforated disk 191 rotates in the XY plane. The perforated disk 191 is formed with a droplet passage port 191 a whose position is adjusted so as to pass through the trajectory of the droplet 108.

モータ制御部１９２は、制御部１１５の制御の下で、モータ１９０を所定の速度及びタイミングで回転させる。例えば、モータ制御部１９２は、液滴１０８ｂが穴開き円盤１９１の高さを通過しようとするときに、液滴通過口１９１ａが液滴１０８の軌道を通るようにタイミングを合わせ、液滴の生成周波数とほぼ等しい速度でモータ１９０を回転させる。これにより、液滴１０８ｂは、液滴通過口１９１ａを通過して開口部１０１ａに導かれ、一方、液滴１０８ａは、穴開き円盤１９１に衝突して破壊等される。 The motor control unit 192 rotates the motor 190 at a predetermined speed and timing under the control of the control unit 115. For example, when the droplet 108b is about to pass through the height of the perforated disk 191, the motor control unit 192 sets the timing so that the droplet passage port 191a passes through the orbit of the droplet 108, thereby generating a droplet. The motor 190 is rotated at a speed approximately equal to the frequency. Thereby, the droplet 108b passes through the droplet passage port 191a and is guided to the opening 101a, while the droplet 108a collides with the perforated disk 191 and is destroyed.

本実施形態において、穴開き円盤には、２つ以上の液滴通過口を形成しても良い。例えば、図１５の（ｂ）に示すように、穴開き円盤１９３に４つの液滴通過口１９３ａを形成することにより、図１５の（ａ）に示す場合と比較して、モータの回転速度を１／４にすることができ、モータへの負担を軽くすることができる。 In the present embodiment, two or more droplet passage openings may be formed in the perforated disk. For example, as shown in FIG. 15B, by forming four droplet passages 193a in the perforated disk 193, the rotational speed of the motor can be increased compared to the case shown in FIG. The load on the motor can be reduced.

図１６は、本発明の第９の実施形態に係るＥＵＶ光源装置の構成を示す模式図である。このＥＵＶ光原装置は、図１に示す液滴遮断ユニット１０７を、レーザ光源を用いる構造としたものである。その他の構成については、図１に示すＥＵＶ光源装置と同様である。
図１６に示すように、このＥＵＶ光源装置は、液滴を破壊するために用いられるレーザ光源２００と、レーザ光源２００から出射したレーザ光Ｌ２を液滴１０８の軌道上に導くレーザ伝播光学系２０１とを含んでいる。レーザ光源２００は、制御部１１５の制御の下で、所定の繰り返し動作周波数及びタイミングでレーザ光Ｌ２を出射する。例えば、レーザ光源２００は、液滴の生成周波数に合わせてレーザ光Ｌ２を出射すると共に、プラズマを発生させるためのレーザ光源１１１の繰り返し動作周波数に合わせてレーザ光Ｌ２の出射を停止する。また、レーザ伝播光学系２０１は、レーザ光Ｌ２を、液滴１０８の軌道上において所定のスポット径となるように集光する。これにより、液滴１０８ａはレーザ光を照射されて破壊され、又は、その軌道を変更される。一方、液滴１０８ｂは、レーザ光を照射されることなく開口部１０１ａを通過し、プラズマ発生室１１０に導入される。 FIG. 16 is a schematic diagram showing a configuration of an EUV light source apparatus according to the ninth embodiment of the present invention. In this EUV light source apparatus, the droplet blocking unit 107 shown in FIG. 1 has a structure using a laser light source. About another structure, it is the same as that of the EUV light source device shown in FIG.
As shown in FIG. 16, this EUV light source device includes a laser light source 200 used for breaking a droplet, and a laser propagation optical system 201 that guides a laser beam L2 emitted from the laser light source 200 onto the trajectory of the droplet 108. Including. The laser light source 200 emits the laser light L2 at a predetermined repetition operating frequency and timing under the control of the control unit 115. For example, the laser light source 200 emits the laser light L2 in accordance with the droplet generation frequency, and stops emitting the laser light L2 in accordance with the repetition operation frequency of the laser light source 111 for generating plasma. In addition, the laser propagation optical system 201 condenses the laser light L2 so as to have a predetermined spot diameter on the orbit of the droplet 108. Thereby, the droplet 108a is destroyed by being irradiated with the laser beam, or its trajectory is changed. On the other hand, the droplet 108 b passes through the opening 101 a without being irradiated with laser light and is introduced into the plasma generation chamber 110.

液滴破壊用のレーザ光Ｌ２のエネルギーは、少なくとも、液滴１０８ａを破砕又は蒸発させることができる程度であれば十分であり、それによって破砕された液滴の残滓の大部分が開口部１０１ａを通過しないように、残滓の軌道を変更できることが望ましい。また、レーザ光Ｌ２のエネルギーは、液滴１０８ａを破壊する際に生じる熱衝撃により、周囲の液滴に影響を与えたり、周囲の構成部品にダメージを与えない範囲内であることが望ましい。特に、プラズマ生成室１１０に導入される液滴１０８ｂの速度や軌道が変化しないように留意すべきである。 It is sufficient for the energy of the laser beam L2 for breaking the droplets to be at least enough to crush or evaporate the droplets 108a, and most of the residue of the crushed droplets thereby opens the opening 101a. It is desirable to be able to change the trajectory of the residue so that it does not pass. Further, it is desirable that the energy of the laser beam L2 be within a range that does not affect surrounding droplets or damage surrounding components due to thermal shock generated when the droplets 108a are destroyed. In particular, it should be noted that the velocity and trajectory of the droplet 108b introduced into the plasma generation chamber 110 do not change.

レーザ光源２００としては、ＹＡＧレーザ、エキシマレーザ、炭酸ガスレーザ、半導体レーザ等、液滴を破壊する程度のエネルギーを出力できるものであれば、どのような種類のものを用いても良い。
また、レーザ光Ｌ２のスポット径は、１つの液滴を破壊し得る十分な大きさを有していれば良い。なお、レーザ伝播光学系２０１は、図１６に示すように、液滴生成室１００の外部に設けても良いし、その一部又は全部を内部に設けても良い。 As the laser light source 200, any type of YAG laser, excimer laser, carbon dioxide laser, semiconductor laser, or the like can be used as long as it can output energy that can destroy the droplets.
Further, the spot diameter of the laser light L2 only needs to be large enough to break one droplet. The laser propagation optical system 201 may be provided outside the droplet generation chamber 100 as shown in FIG. 16, or a part or all of the laser propagation optical system 201 may be provided inside.

さらに、本実施形態においても、図４に示すものと同様に、液滴破壊用のレーザ光源及びレーザ伝播光学系を含む複数のユニットを設け、それらを同時に又は交互に駆動するようにしても良い。その場合には、各レーザ光源の駆動周波数を低減させることができるので、レーザ光源の長寿命化を図ることが可能になる。また、パルス繰り返し数の低いレーザ光源を用いることもできる。 Further, in the present embodiment, a plurality of units including a laser light source for droplet breakage and a laser propagation optical system may be provided and driven simultaneously or alternately as in the case shown in FIG. . In that case, since the driving frequency of each laser light source can be reduced, it is possible to extend the life of the laser light source. A laser light source with a low pulse repetition number can also be used.

図１７は、本発明の第１０の実施形態に係るＥＵＶ光源装置の構成を示す模式図である。このＥＵＶ光源装置は、図１６に示すレーザ光源２００及びレーザ伝播光学系２０１の替わりに、レーザ光源２１０及びレーザ伝播光学系２１１を有している。その他の構成については、図１６に示すＥＵＶ光源装置と同様である。 FIG. 17 is a schematic diagram showing a configuration of an EUV light source apparatus according to the tenth embodiment of the present invention. This EUV light source apparatus has a laser light source 210 and a laser propagation optical system 211 instead of the laser light source 200 and the laser propagation optical system 201 shown in FIG. About another structure, it is the same as that of the EUV light source device shown in FIG.

図１７に示すように、レーザ伝播光学系２１１は、レーザ光源２１０から出射されたレーザ光Ｌ３を、液滴１０８の軌道上において複数の液滴を含むスポット径となるように集光する。これにより、１回のレーザ出射によって複数の液滴１０８ａを破壊できるようになるので、レーザ光源の駆動周波数を低減して、レーザ光源２１０の長寿命化を図ることが可能になる。 As shown in FIG. 17, the laser propagation optical system 211 condenses the laser light L3 emitted from the laser light source 210 so as to have a spot diameter including a plurality of droplets on the trajectory of the droplets 108. As a result, a plurality of droplets 108a can be destroyed by one laser emission, so that the drive frequency of the laser light source can be reduced and the life of the laser light source 210 can be extended.

図１８の（ａ）〜（ｃ）は、レーザ伝播光学系２１１によって集光されたレーザ光Ｌ３のＹＺ平面における断面（レーザプロファイル）を示している。本実施形態においては、図１８の（ａ）に示すように、円形のスポット形状を用いている。しかしながら、図１８の（ｂ）に示すように、液滴列方向に長い楕円形状や、図１８の（ｃ）に示すように、液滴列方向に長い矩形状を用いても良い。これらの場合には、レーザ光を狭い範囲に集中させてエネルギー密度を高くすることができるので、確実且つ効率的に液滴を破壊することができる。 18A to 18C show cross sections (laser profiles) in the YZ plane of the laser light L3 collected by the laser propagation optical system 211. FIG. In the present embodiment, a circular spot shape is used as shown in FIG. However, as shown in FIG. 18B, an elliptical shape that is long in the droplet row direction, or a rectangular shape that is long in the droplet row direction as shown in FIG. In these cases, the energy density can be increased by concentrating the laser beam in a narrow range, so that the droplets can be destroyed reliably and efficiently.

図１９は、本発明の第１１の実施形態に係るＥＵＶ光源装置の構成を示す模式図である。このＥＵＶ光源装置は、図１に示す液滴遮断ユニット１０７を、高圧ガスノズルを用いる構造としたものである。その他の構成については、図１に示すＥＵＶ光源装置と同様である。
図１９に示すように、このＥＵＶ光源装置は、高圧ガスノズル２２０と、ガスボンベ２２１と、ガス供給管２２２と、ガス遮蔽板２２３と、ガス遮蔽板駆動部２２４と、ガス遮蔽板制御部２２５とを含んでいる。 FIG. 19 is a schematic diagram showing a configuration of an EUV light source apparatus according to the eleventh embodiment of the present invention. In this EUV light source apparatus, the droplet blocking unit 107 shown in FIG. 1 has a structure using a high-pressure gas nozzle. About another structure, it is the same as that of the EUV light source device shown in FIG.
As shown in FIG. 19, this EUV light source device includes a high-pressure gas nozzle 220, a gas cylinder 221, a gas supply pipe 222, a gas shielding plate 223, a gas shielding plate driving unit 224, and a gas shielding plate control unit 225. Contains.

高圧ガスノズル２２０は、液滴を破壊するために用いられる高圧ガス（以下において、「液滴破壊ガス」ともいう）を噴射する。高圧ガスノズル２２０のガス噴出力は、液滴を破壊、又は、液滴の軌道を変更させることができる程度であれば良い。反対に、過剰にガスを噴出することは、液滴生成室１００やプラズマ発生室１１０内の圧力を上昇させる要因となるので、好ましくない。 The high-pressure gas nozzle 220 injects a high-pressure gas (hereinafter also referred to as “droplet breaking gas”) used to break the droplets. The gas jet output of the high-pressure gas nozzle 220 may be a level that can break the droplets or change the trajectory of the droplets. On the other hand, excessive gas ejection is not preferable because it increases the pressure in the droplet generation chamber 100 and the plasma generation chamber 110.

ガスボンベ２２１は、ガス供給管２２２を介して高圧ガスノズル２２０にガスを供給する。液滴破壊ガスの種類としては、水素ガス（Ｈ_２）、ヘリウム（Ｈｅ）、アルゴン（Ａｒ）等のように、ＥＵＶ光を吸収し難い気体を用いることが望ましい。液滴破壊ガスの一部は、開口部１０１ａを通ってプラズマ発生室１１０に流入する可能性があるからである。 The gas cylinder 221 supplies gas to the high pressure gas nozzle 220 via the gas supply pipe 222. As the type of the droplet breaking gas, it is desirable to use a gas that does not easily absorb EUV light, such as hydrogen gas (H ₂ ), helium (He), or argon (Ar). This is because a part of the droplet breaking gas may flow into the plasma generation chamber 110 through the opening 101a.

ガス供給管２２２には、コンプレッサ２２２ａが設けられている。コンプレッサ２２２ａは、ガスボンベ２２１内のガス残量が少なくなりガスの供給圧力が低下した場合に、ガスボンベ２２１から供給されるガスを圧縮することにより、高圧ガスノズル２２０に高圧ガスを供給する。 The gas supply pipe 222 is provided with a compressor 222a. The compressor 222a supplies the high-pressure gas to the high-pressure gas nozzle 220 by compressing the gas supplied from the gas cylinder 221 when the remaining gas amount in the gas cylinder 221 decreases and the gas supply pressure decreases.

ガス遮蔽板２２３には、高圧ガスノズル２２０から噴射されるガスを遮蔽するシャッタが設けられている。このシャッタは、ガス遮蔽板制御部２２５の制御の下で動作するガス遮蔽板駆動部２２４によって開閉される。ガス遮蔽板駆動部２２４は、液滴１０８ａがシャッタ前を通過しようとするときには、シャッタを開いておく。これにより、液滴１０８ａは、高圧ガス噴射ノズル２２０から噴射されたガスを吹き付けられることにより、破壊され、又は、その軌道を変更させられる。一方、ガス遮蔽板駆動部２２４は、液滴１０８ｂがシャッタ前を通過しようとするときに、シャッタを閉じる。これにより、液滴１０８ｂは、ガスを吹き付けられることなく、開口部１０１ａを通過し、プラズマ発生室１１０に導入される。 The gas shielding plate 223 is provided with a shutter that shields the gas ejected from the high pressure gas nozzle 220. The shutter is opened and closed by a gas shielding plate driving unit 224 that operates under the control of the gas shielding plate control unit 225. The gas shielding plate driving unit 224 keeps the shutter open when the droplet 108a attempts to pass in front of the shutter. Thereby, the droplet 108a is destroyed or the trajectory is changed by blowing the gas injected from the high-pressure gas injection nozzle 220. On the other hand, the gas shielding plate driving unit 224 closes the shutter when the droplet 108b attempts to pass in front of the shutter. Thereby, the droplet 108b passes through the opening 101a and is introduced into the plasma generation chamber 110 without being blown with gas.

液滴破壊用ガスの液滴１０８の軌道上におけるスポット径は、図１６に示すものと同様に、１回の噴射により、１つの液滴１０７ａを破壊できる大きさでも良いし、図１８の（ａ）〜（ｃ）に示すものと同様に、１回の噴射により、複数の液滴１０７ａを破壊できる大きさでも良い。このようなスポット径は、高圧ガスノズル２２０のノズル径と、ガスの噴射速度とを適切に選択することにより、調節することができる。 As in the case shown in FIG. 16, the spot diameter on the orbit of the droplet 108 of the droplet breaking gas may be large enough to break one droplet 107a by one injection, or ( Similarly to those shown in a) to (c), the size may be such that a plurality of droplets 107a can be destroyed by one injection. Such a spot diameter can be adjusted by appropriately selecting the nozzle diameter of the high-pressure gas nozzle 220 and the gas injection speed.

また、本実施形態においても、図４に示すものと同様に、高圧ガスノズル及びガスボンベを含む複数のユニットを設け、複数の高圧ガスノズルから交互に液滴破壊用ガスを噴射させても良い。その場合には、液滴破壊用ガスを長時間に渡って安定して噴射させることができるので、ＥＵＶ光源装置の動作の信頼性を向上させることができる。 Also in the present embodiment, a plurality of units including a high-pressure gas nozzle and a gas cylinder may be provided in the same manner as that shown in FIG. 4, and the droplet breaking gas may be alternately ejected from the plurality of high-pressure gas nozzles. In that case, since the droplet breaking gas can be stably ejected over a long period of time, the operation reliability of the EUV light source device can be improved.

図２０は、本発明の第１２の実施形態に係るＥＵＶ光源装置の構成を示す模式図である。このＥＵＶ光源装置は、図１に示すＥＵＶ光源装置に対し、破壊された液滴等を回収する回収筒をさらに設けたものである。その他の構成については、図１に示すＥＵＶ光源装置と同様である。 FIG. 20 is a schematic diagram showing a configuration of an EUV light source apparatus according to the twelfth embodiment of the present invention. This EUV light source device is further provided with a collection cylinder for collecting broken droplets and the like with respect to the EUV light source device shown in FIG. About another structure, it is the same as that of the EUV light source device shown in FIG.

図２０に示すように、このＥＵＶ光源装置は、回収筒２３０、及び、回収筒２３０と接続された排気ポンプ２３１を含んでいる。回収筒２３０及び排気ポンプ２３１は、液滴遮断ユニット１０７によって破壊された液滴の残滓や、軌道を変更された液滴を集中的に回収する。回収筒２３０の回収口２３０ａは、液滴等を効率良く回収できるように、液滴破壊ポイント近傍に配置されている。具体的には、回収口２３０ａを、液滴列を挟み、液滴遮断ユニット１０７に対向する位置に設けることが望ましい。 As shown in FIG. 20, the EUV light source device includes a recovery cylinder 230 and an exhaust pump 231 connected to the recovery cylinder 230. The collection cylinder 230 and the exhaust pump 231 collect the residue of the droplets destroyed by the droplet blocking unit 107 and the droplets whose trajectory has been changed in a concentrated manner. The collection port 230a of the collection cylinder 230 is disposed in the vicinity of the droplet breakage point so that droplets and the like can be collected efficiently. Specifically, it is desirable to provide the recovery port 230a at a position facing the droplet blocking unit 107 with the droplet row interposed therebetween.

本実施形態によれば、破壊された液滴の残滓１０８ｃや軌道を変更された液滴１０８ａが液滴生成室１００に拡散する前に、それらを回収することができる。そのため、液滴の残滓１０８ｃや蒸発ガスがプラズマ発生室１１０内に流入するのを抑制できるので、プラズマ発生室１１０内を高真空に維持することが可能になる。その結果、ＥＵＶ光の出力効率を向上させるだけでなく、プラズマ発生室１１０に設けられている排気ポンプ１１４等を小型化することも可能になる。従って、ＥＵＶ光源装置の性能および信頼性を向上させることが可能になる。 According to the present embodiment, the broken droplet residue 108c and the droplet 108a whose trajectory has been changed can be collected before diffusing into the droplet generation chamber 100. Therefore, it is possible to suppress the droplet residue 108c and the evaporation gas from flowing into the plasma generation chamber 110, so that the inside of the plasma generation chamber 110 can be maintained at a high vacuum. As a result, not only the EUV light output efficiency is improved, but also the exhaust pump 114 and the like provided in the plasma generation chamber 110 can be downsized. Therefore, it is possible to improve the performance and reliability of the EUV light source device.

なお、図２０においては、液滴生成室１００に、排気ポンプ１０５及び２３１が設けられているが、本実施形態においては、排気ポンプ１０５を省くことも可能である。即ち、排気ポンプ２３１に、液滴の残滓１０８ｃの回収と、液滴生成室１００内部の排気との両方を兼ねさせる。それにより、ＥＵＶ光源装置全体を小型化することが可能になる。 In FIG. 20, exhaust pumps 105 and 231 are provided in the droplet generation chamber 100. However, in this embodiment, the exhaust pump 105 can be omitted. That is, the exhaust pump 231 is used for both the recovery of the droplet residue 108 c and the exhaust inside the droplet generation chamber 100. As a result, the entire EUV light source device can be reduced in size.

図２１は、本発明の第１３の実施形態に係るＥＵＶ光源装置の構成を示す模式図である。このＥＵＶ光源装置は、図１に示すＥＵＶ光源装置において、液滴遮断ユニット１０７を設ける替わりに、ターゲット物質を噴射するノズル１０２を移動させる機構を設けている。その他の構成については、図１に示すＥＵＶ光源装置と同様である。 FIG. 21 is a schematic diagram showing a configuration of an EUV light source apparatus according to the thirteenth embodiment of the present invention. This EUV light source apparatus is provided with a mechanism for moving a nozzle 102 for injecting a target material instead of providing the droplet blocking unit 107 in the EUV light source apparatus shown in FIG. About another structure, it is the same as that of the EUV light source device shown in FIG.

図２１に示すように、このＥＵＶ光源装置は、ノズル１０２に設けられた第２のピエゾ素子２４０と、ピエゾ素子２４０に供給される駆動信号を発生するピエゾドライバ２４１と、狭窄部１０１近傍に設けられたヒータ２４２とを含んでいる。
ピエゾドライバ２４１は、制御部１１５の制御の下で、ピエゾ素子２４０を伸縮させる駆動信号を所定のタイミングで発生する。ピエゾ素子２４０は、供給される駆動信号に基づいて伸縮することにより、ノズル１０２の位置を変位させ、又は、ノズル１０２の向きを傾斜させる。その結果、ノズル１０２から滴下する液滴１０８の軌道を変更することができる。制御部１１５は、液滴１０８ａが滴下するときに、液滴の軌道を開口部１０１ａの方向からずれるように、ピエゾ素子２４０を駆動させる。それにより、液滴１０８ａが開口部１０１ａを通過してプラズマ発生室１１０に進入するのを妨げ、液滴１０８ｂのみをプラズマ発生室１１０に導入することができる。 As shown in FIG. 21, this EUV light source device is provided in the vicinity of the constriction portion 101, a second piezo element 240 provided in the nozzle 102, a piezo driver 241 that generates a drive signal supplied to the piezo element 240. The heater 242 is included.
The piezo driver 241 generates a drive signal for expanding and contracting the piezo element 240 at a predetermined timing under the control of the control unit 115. The piezoelectric element 240 expands and contracts based on the supplied drive signal, thereby displacing the position of the nozzle 102 or tilting the direction of the nozzle 102. As a result, the trajectory of the droplet 108 dripping from the nozzle 102 can be changed. The controller 115 drives the piezo element 240 so that the droplet trajectory deviates from the direction of the opening 101a when the droplet 108a drops. This prevents the droplet 108a from passing through the opening 101a and entering the plasma generation chamber 110, and allows only the droplet 108b to be introduced into the plasma generation chamber 110.

ここで、ノズル１０２を傾斜させる場合に、液滴１０８ａの軌道は、傾斜させない本来の軌道に対して非平行となる。そのため、時間の経過に伴い、液滴１０８ａの軌道と本来の軌道とのズレΔＸは次第に大きくなる。従って、ノズルを傾斜させる場合には、ノズルの位置をずらす場合と比較して、ピエゾ素子２４０の振幅は小さくて済むので、ピエゾ素子の負担を抑制することができる。 Here, when the nozzle 102 is tilted, the trajectory of the droplet 108a is not parallel to the original trajectory that is not tilted. Therefore, the deviation ΔX between the trajectory of the droplet 108a and the original trajectory gradually increases with time. Therefore, when the nozzle is tilted, the amplitude of the piezo element 240 can be reduced compared to the case where the position of the nozzle is shifted, so that the burden on the piezo element can be suppressed.

ところで、軌道を変更されて狭窄部１０１近傍に着地した液滴１０８ａは、即座に固化して開口部１０１ａを塞いでしまうおそれがある。そのため、本実施形態においては、狭窄部１０１近傍にヒータ２４２を設け、液滴１０８ａの固化を防止している。 By the way, there is a possibility that the droplet 108a that has changed its trajectory and has landed in the vicinity of the constriction 101 will immediately solidify and block the opening 101a. Therefore, in the present embodiment, a heater 242 is provided in the vicinity of the constriction portion 101 to prevent solidification of the droplet 108a.

ピエゾ素子２４０の駆動方式としては、液滴１０８ａが生成される毎にノズル１０２が変位又は傾斜するように、液滴の生成周波数に同期して駆動する方式を用いても良い。或いは、液滴１０８ａが生成されている間中ノズルが変位又は傾斜した状態を保ち、液滴１０８ｂが滴下されるときにノズル１０２が本来の位置に戻るように、レーザ光源１１１の繰り返し動作周波数に同期して駆動する方式を用いても良い。なお、前者の場合には、ピエゾ素子２４０の駆動周波数を、均一な液滴を生成するためのピエゾ素子１０３による液滴生成周波数よりも小さくする必要がある。例えば、ピエゾ素子２４０の駆動周波数を、液滴生成周波数の１／４以下にすることが望ましい。 As a driving method of the piezo element 240, a method of driving in synchronization with a droplet generation frequency may be used so that the nozzle 102 is displaced or inclined every time the droplet 108a is generated. Alternatively, the nozzle is kept displaced or tilted while the droplet 108a is being generated, and the repetition frequency of the laser light source 111 is set so that the nozzle 102 returns to its original position when the droplet 108b is dropped. A method of driving in synchronization may be used. In the former case, the drive frequency of the piezo element 240 needs to be lower than the droplet generation frequency by the piezo element 103 for generating uniform droplets. For example, it is desirable that the driving frequency of the piezo element 240 be ¼ or less of the droplet generation frequency.

図２２は、本発明の第１４の実施形態に係るＥＵＶ光源装置の構成を示す模式図である。このＥＵＶ光源装置は、図１に示すＥＵＶ光源装置において、液滴遮断ユニット１０７を設ける替わりに、液滴生成室１００とプラズマ発生室１１０とを導通している開口部を変位させる機構を設けている。その他の構成については、図１に示すＥＵＶ光源装置と同様である。 FIG. 22 is a schematic diagram showing a configuration of an EUV light source apparatus according to the fourteenth embodiment of the present invention. This EUV light source device is provided with a mechanism for displacing the opening that connects the droplet generation chamber 100 and the plasma generation chamber 110 in place of providing the droplet blocking unit 107 in the EUV light source device shown in FIG. Yes. About another structure, it is the same as that of the EUV light source device shown in FIG.

図２２に示すように、このＥＵＶ光源装置は、開口部２５０ａを有する狭窄部２５０と、狭窄部２５０に取り付けられたピエゾ素子２５１と、ピエゾ素子２５１に供給される駆動信号を発生するピエゾドライバ２５２とを含んでいる。
本実施形態において、狭窄部２５０は、例えば、フレキシブルチューブのように、適当な外力を加えることによって変形可能な部材によって作製されている。また、狭窄部２５０に外力を加える機構として、ピエゾ素子２５１を用いている。 As shown in FIG. 22, this EUV light source device includes a narrowed portion 250 having an opening 250a, a piezoelectric element 251 attached to the narrowed portion 250, and a piezoelectric driver 252 that generates a drive signal supplied to the piezoelectric element 251. Including.
In the present embodiment, the narrowed portion 250 is made of a member that can be deformed by applying an appropriate external force, such as a flexible tube. Further, a piezo element 251 is used as a mechanism for applying an external force to the narrowed portion 250.

ピエゾドライバ２５２は、制御部１１５の制御の下で、ピエゾ素子２５１を伸張又は収縮させる駆動信号を、所定のタイミングで発生する。ピエゾ素子２５１は、供給される駆動信号に基づいて伸縮することにより、狭窄部２５０を変形させる。これにより、狭窄部２５０に形成された開口部２５０ａを変位させることができる。そこで、ノズル１０２から液滴１０８ａが滴下するときに、ピエゾ素子２５１を駆動して開口部２５０ａの位置を液滴の軌道からずらすことにより、液滴１０８ａがプラズマ発生室１１０に侵入するのを妨げることができる。一方、液滴１０８ｂが滴下するときには、開口部２５０ａを液滴の軌道からずらすことなく、液滴１０８ｂをプラズマ発生室１１０に導入する。 The piezo driver 252 generates a drive signal for expanding or contracting the piezo element 251 at a predetermined timing under the control of the control unit 115. The piezo element 251 deforms the narrowed portion 250 by expanding and contracting based on the supplied drive signal. Thereby, the opening part 250a formed in the constriction part 250 can be displaced. Therefore, when the droplet 108 a is dropped from the nozzle 102, the piezoelectric element 251 is driven to shift the position of the opening 250 a from the orbit of the droplet, thereby preventing the droplet 108 a from entering the plasma generation chamber 110. be able to. On the other hand, when the droplet 108b is dropped, the droplet 108b is introduced into the plasma generation chamber 110 without shifting the opening 250a from the orbit of the droplet.

なお、本実施形態においても、図２１に示すものと同様に、狭窄部２５０近傍にヒータを設けても良い。それにより、狭窄部２５０近傍に着地した液滴１０８ａの固化を防止し、開口部２５０ａが塞がれるのを防ぐことができる。 Also in the present embodiment, a heater may be provided in the vicinity of the narrowed portion 250 as in the case shown in FIG. Thereby, solidification of the droplet 108a that has landed in the vicinity of the narrowed portion 250 can be prevented, and the opening portion 250a can be prevented from being blocked.

図２３は、本発明の第１５の実施形態に係るＥＵＶ光源装置の構成を示す模式図である。このＥＵＶ光源装置は、図１に示すＥＵＶ光源装置における液滴遮断ユニット１０７を、液滴の軌道を変更するための２種類の電極を用いる構造としたものである。その他の構成については、図１に示すものと同様である。 FIG. 23 is a schematic diagram showing a configuration of an EUV light source apparatus according to the fifteenth embodiment of the present invention. In this EUV light source device, the droplet blocking unit 107 in the EUV light source device shown in FIG. 1 has a structure using two types of electrodes for changing the trajectory of the droplet. Other configurations are the same as those shown in FIG.

図２３に示すように、このＥＵＶ光源装置は、帯電用電極２６０ａ及び２６０ｂと、帯電用電源２６１と、偏向用電極２６２ａ及び２６２ｂと、偏向用電源２６３とを含んでいる。
帯電用電極２６０ａ及び２６０ｂは、ノズル１０２の近傍に、ノズル１０２から滴下する液滴１０８の軌道を挟み、対向して配置されている。また、帯電用電極２６０ａは接地配線に接続されており、帯電用電極２６０ｂは帯電用電源２６１に接続されている。ノズル１０２から滴下した液滴１０８は、帯電用電極２６０ａ及び２６０ｂの間を通過する間に、帯電用電源２６０から、帯電用電極２６０ａ及び２６０ｂを介して電荷を供給され、帯電する。 As shown in FIG. 23, this EUV light source device includes charging electrodes 260a and 260b, a charging power source 261, deflection electrodes 262a and 262b, and a deflection power source 263.
The charging electrodes 260 a and 260 b are arranged in the vicinity of the nozzle 102 so as to face each other with the trajectory of the droplet 108 dropped from the nozzle 102 interposed therebetween. The charging electrode 260 a is connected to the ground wiring, and the charging electrode 260 b is connected to the charging power source 261. While the droplet 108 dropped from the nozzle 102 passes between the charging electrodes 260a and 260b, a charge is supplied from the charging power supply 260 via the charging electrodes 260a and 260b to be charged.

偏向用電極２６２ａ及び２６２ｂは、帯電用電極２６０ａ及び２６０ｂの下流に、液滴１０８の軌道を挟み、対向して配置されている。また、偏向用電極２６２ａは偏向用電源２６３の正の高電圧の端子に接続されており、偏向用電極２６２ｂは偏向用電源２６３の負の高電圧の端子に接続されている。偏向用電源２６３は、制御部１１５によって制御されており、偏向用電極２６２ａ及び２６２ｂの間に電位差を与えることにより、それらの電極２６２ａ及び２６２ｂの間に電界を生成する。 The deflection electrodes 262a and 262b are arranged opposite to each other with the orbit of the droplet 108 sandwiched downstream of the charging electrodes 260a and 260b. The deflection electrode 262a is connected to the positive high voltage terminal of the deflection power supply 263, and the deflection electrode 262b is connected to the negative high voltage terminal of the deflection power supply 263. The deflection power source 263 is controlled by the control unit 115, and generates an electric field between the electrodes 262a and 262b by applying a potential difference between the deflection electrodes 262a and 262b.

制御部１１５は、帯電用電極２６０ａ及び２６０ｂによって帯電させられた液滴１０８ａが滴下してくるときに、偏向用電源２６３を活性化する。それにより、偏向用電極２６２ａ及び２６２ｂの間において液滴１０８ａが偏向するので、その軌道が開口部１０１ａからずれてしまい、液滴１０８ａは開口部１０１ａを通過することができなくなる。一方、制御部１１５は、帯電用電極２６０ａ及び２６０ｂによって帯電させられた液滴１０８ｂが滴下するときに、偏向用電源２６３を非活性化する。それにより、液滴１０８ｂは、偏向することなく開口部１０１ａを通過し、プラズマ発生室１１０に導入される。 The control unit 115 activates the deflection power source 263 when the droplet 108a charged by the charging electrodes 260a and 260b is dropped. As a result, the droplet 108a is deflected between the deflection electrodes 262a and 262b, so that the trajectory is deviated from the opening 101a, and the droplet 108a cannot pass through the opening 101a. On the other hand, the control unit 115 deactivates the deflection power source 263 when the droplets 108b charged by the charging electrodes 260a and 260b are dropped. Thereby, the droplet 108b passes through the opening 101a without being deflected and is introduced into the plasma generation chamber 110.

ここで、本実施形態は、ターゲット物質の液滴を帯電させるため、導電性のターゲット物質を用いる場合に有効である。そのようなターゲット物質として、例えば、溶融させた錫やリチウム等の溶融金属、水又はアルコールに錫や銅等の微小な金属粒子を分散させたものや、水にフッ化リチウム（ＬｉＦ）を溶解させたイオン溶液等を用いることができる。 Here, this embodiment is effective when a conductive target material is used in order to charge droplets of the target material. As such a target material, for example, molten metal such as tin or lithium melted, fine metal particles such as tin or copper dispersed in water or alcohol, or lithium fluoride (LiF) dissolved in water The ion solution etc. which were made to use can be used.

図２４は、本発明の第１６の実施形態に係るＥＵＶ光源装置の構成を示す模式図である。このＥＵＶ光源装置は、図１に示すＥＵＶ光源装置における液滴遮断ユニット１０７を、液滴を微粒化するための電極を用いる構造としたものである。その他の構成については、図１に示すものと同様である。 FIG. 24 is a schematic diagram showing a configuration of an EUV light source apparatus according to the sixteenth embodiment of the present invention. In this EUV light source device, the droplet blocking unit 107 in the EUV light source device shown in FIG. 1 has a structure using an electrode for atomizing droplets. Other configurations are the same as those shown in FIG.

図２４に示すように、このＥＵＶ光源装置は、リング状の微粒化用電極２７０及び微粒化用電源２７１を含んでいる。微粒化用電極２７０は、ノズル１０２から滴下する液滴１０８がリング内を通過するように配置されている。微粒化用電源２７１は、制御部１１５の制御の下で動作しており、微粒化用電極２７０とノズル１０２との間に電位差を与えることにより、ノズル１０２から滴下する液滴１０８に電圧を印加する。 As shown in FIG. 24, this EUV light source device includes a ring-shaped atomization electrode 270 and an atomization power source 271. The atomizing electrode 270 is arranged so that the droplet 108 dropped from the nozzle 102 passes through the ring. The atomization power source 271 operates under the control of the control unit 115, and applies a voltage to the droplet 108 dropped from the nozzle 102 by applying a potential difference between the atomization electrode 270 and the nozzle 102. To do.

制御部１１５は、液滴１０８ａが微粒化用電極２７０を通過しようとするときに、微粒化用電源２７１を活性化する。その結果、液滴１０８ａは、過剰な電圧を印加されて破壊され、微粒化する。それによって生じたターゲット物質の微粒子１０８ｄは、液滴生成室１００内に散逸し、その内の大部分は開口部１０１ａを通過することなく排気ポンプ１０５に回収される。一方、制御部１１５は、液滴１０８ｂが微粒化用電極２７０を通過しようとするときには、微粒化用電源２７１を非活性化する。その結果、液滴１０８ｂは、微粒化されることなく開口部１０１ａを通過し、プラズマ発生室１１０に導入される。
なお、本実施形態も、溶融させた錫やリチウム等の溶融金属、水又はアルコールに錫や銅等の微小な金属粒子を分散させたものや、水にフッ化リチウム（ＬｉＦ）を溶解させたイオン溶液等のように、導電性のターゲット物質を用いる場合に有効である。 The control unit 115 activates the atomization power source 271 when the droplet 108a attempts to pass through the atomization electrode 270. As a result, the droplet 108a is destroyed by being applied with an excessive voltage and atomized. Fine particles 108d of the target material generated thereby are dissipated into the droplet generation chamber 100, and most of them are collected by the exhaust pump 105 without passing through the opening 101a. On the other hand, the control unit 115 deactivates the atomization power source 271 when the droplet 108b attempts to pass through the atomization electrode 270. As a result, the droplet 108b passes through the opening 101a without being atomized and is introduced into the plasma generation chamber 110.
In the present embodiment, molten metal such as molten tin and lithium, water or alcohol in which fine metal particles such as tin and copper are dispersed, and lithium fluoride (LiF) are dissolved in water. This is effective when a conductive target material such as an ionic solution is used.

図２５は、本発明の第１７の実施形態に係るＥＵＶ光源装置の構成を示す模式図である。このＥＵＶ光源装置は、図２４に示すＥＵＶ光源装置に、微粒化されたターゲット物質を捕捉する捕捉用電極２８０ａ及び２８０ｂと、捕捉用電源２８１とをさらに設けたものである。その他の構成については、図２４に示すものと同様である。 FIG. 25 is a schematic diagram showing a configuration of an EUV light source apparatus according to the seventeenth embodiment of the present invention. In this EUV light source device, the EUV light source device shown in FIG. 24 is further provided with capturing electrodes 280a and 280b for capturing the atomized target material and a capturing power source 281. Other configurations are the same as those shown in FIG.

捕捉用電極２８０ａ及び２８０ｂは、微粒化用電極２７０の下流に、液滴１０８の軌道を挟み、対向して配置されている。捕捉用電源２８１は、制御部１１５の制御の下で動作しており、捕捉用電極２８０ａ及び２８０ｂの間に電位差を与えることにより、それらの電極２８０ａ及び２８０ｂの間に電界を形成する。 The trapping electrodes 280a and 280b are arranged opposite to each other with the trajectory of the droplet 108 sandwiched downstream of the atomization electrode 270. The capturing power supply 281 operates under the control of the control unit 115, and forms an electric field between the electrodes 280a and 280b by applying a potential difference between the capturing electrodes 280a and 280b.

ここで、微粒化用電極２７０のリング内を通過することによって微粒化されたターゲット物質の微粒子１０８ｄは、印加された電圧と微粒子の径とに応じた電荷を与えられている。制御部１１５は、そのようなターゲット物質の微粒子１０８ｄが、捕捉用電極２８０ａ及び２８０ｂの間を通過するタイミングで、捕捉用電源の２８１を活性化する。その結果、ターゲット物質の微粒子１０８ｄは、捕捉用電極２８０ａ又は２８０ｂに捕捉される。一方、制御部１１５は、液滴１０８ｂが捕捉用電極２８０ａ及び２８０ｂの間を通過しようとするときには、捕捉用電源２８１を非活性化する。その結果、液滴１０８ｂは、電極に捕捉されることなく、開口部１０１ａを通過し、プラズマ発生室１１０に導入される。 Here, the fine particles 108d of the target material atomized by passing through the ring of the atomization electrode 270 are given charges according to the applied voltage and the diameter of the fine particles. The control unit 115 activates the capture power source 281 at a timing when such target material fine particles 108d pass between the capture electrodes 280a and 280b. As a result, the fine particles 108d of the target material are captured by the capturing electrode 280a or 280b. On the other hand, the control unit 115 deactivates the capturing power supply 281 when the droplet 108b attempts to pass between the capturing electrodes 280a and 280b. As a result, the droplet 108 b passes through the opening 101 a without being captured by the electrode, and is introduced into the plasma generation chamber 110.

なお、本実施形態も、溶融させた錫やリチウム等の溶融金属、水又はアルコールに錫や銅等の微小な金属粒子を分散させたものや、水にフッ化リチウム（ＬｉＦ）を溶解させたイオン溶液のように、導電性のターゲット物質を用いる場合に有効である。
本実施形態によれば、微粒化されたターゲット物質の内のほとんどが捕捉用電極２８０ａ及び２８０ｂに捕捉されるので、開口部１０１ａを通ってプラズマ発生室１１０に流入するターゲット物質を大幅に低減することができる。 In the present embodiment, molten metal such as molten tin and lithium, water or alcohol in which fine metal particles such as tin and copper are dispersed, and lithium fluoride (LiF) are dissolved in water. This is effective when using a conductive target material such as an ionic solution.
According to the present embodiment, since most of the atomized target material is captured by the capturing electrodes 280a and 280b, the target material flowing into the plasma generation chamber 110 through the opening 101a is greatly reduced. be able to.

なお、以上説明した本発明の第１５〜第１７の実施形態においても、図２１に示すものと同様に、狭窄部１０１又は２５０の近傍にヒータを設けても良い。それにより、狭窄部１０１近傍に着地した液滴１０８ａやその微粒子の固化を防止し、開口部１０１ａが塞がれるのを防ぐことができる。 In the fifteenth to seventeenth embodiments of the present invention described above, a heater may be provided in the vicinity of the narrowed portion 101 or 250 as in the case shown in FIG. Thereby, solidification of the droplet 108a and its fine particles landing in the vicinity of the narrowed portion 101 can be prevented, and the opening portion 101a can be prevented from being blocked.

図２６は、本発明の第１〜第１７の実施形態において、ノズルから噴射される液滴１０８を間引く態様について説明するための図である。図２６の（ａ）〜（ｆ）においては、液滴の生成周波数を１００ｋＨｚ、レーザ光の繰り返し動作周波数を１０ｋＨｚとしており、生成される液滴１０個の内の１個にレーザ光が照射されるものとする。図２６の（ａ）〜（ｆ）において、二重丸印は、生成される液滴１０８の内、プラズマ発生室においてレーザ光が照射される予定の液滴１０８ｂを示しており、破線の丸印は、レーザ光が照射されないため間引かれる液滴１０８ａを示しており、実線の丸印は、レーザ光は照射されないが、間引かれない液滴１０８ｅを示している。また、矢印は、液滴１０８の進行方向を表している。 FIG. 26 is a diagram for explaining a mode of thinning out the droplets 108 ejected from the nozzles in the first to seventeenth embodiments of the present invention. In (a) to (f) of FIG. 26, the droplet generation frequency is 100 kHz, and the repetition operation frequency of the laser beam is 10 kHz, and one of the ten generated droplets is irradiated with the laser beam. Shall be. In FIGS. 26A to 26F, double circles indicate droplets 108b that are to be irradiated with laser light in the plasma generation chamber among the droplets 108 that are generated. The mark indicates the droplet 108a that is thinned out because the laser beam is not irradiated, and the solid circle indicates the droplet 108e that is not irradiated with the laser beam but is not thinned out. Moreover, the arrow represents the traveling direction of the droplet 108.

図２６の（ａ）は、参考のために、従来のＥＵＶ光源装置におけるレーザ光照射方法を示している。従来は、液滴を間引くことが行われていなかったので、不要な液滴１０８ｅがプラズマ発生室１１０（図１）に導入されてしまい、それが真空度や清浄度を低下させる要因の１つとなっていた。 For reference, FIG. 26A shows a laser beam irradiation method in a conventional EUV light source apparatus. Conventionally, since thinning out of the droplets has not been performed, unnecessary droplets 108e are introduced into the plasma generation chamber 110 (FIG. 1), which is one of the factors that lower the degree of vacuum and cleanliness. It was.

図２６の（ｂ）は、レーザ光が照射される液滴１０８ｂ以外の全ての液滴を間引く例を示している。この例によれば、不要な液滴が開口部１０１ａを通過するのを最小限に留めることができるので、プラズマ発生室１１０の真空度や清浄度を最も高く維持することが可能になる。この場合には、プラズマ発生室１１０内の真空度や清浄度を、図２６の（ａ）に示す場合と比較して、約１０倍にすることができる。 FIG. 26B shows an example in which all droplets other than the droplet 108b irradiated with the laser light are thinned out. According to this example, it is possible to keep unnecessary droplets from passing through the opening 101a to the minimum, so that the degree of vacuum and cleanliness of the plasma generation chamber 110 can be maintained at the highest level. In this case, the degree of vacuum and cleanliness in the plasma generation chamber 110 can be increased by about 10 times compared to the case shown in FIG.

図２６の（ｃ）〜（ｅ）は、レーザ光が照射される液滴１０８ｂ以外の液滴を間欠的に間引く例を示している。このように、液滴遮断ユニットの構造や動作に応じて駆動周波数を調整することにより、液滴遮断ユニットを安定して動作させることができると共に、液滴遮断ユニットを長寿命化させることができる。例えば、図２６の（ｃ）に示すように、液滴遮断ユニット１０７（図１）を５０ｋＨｚで駆動することにより、不要な液滴を１個おきに間引くことができる。この場合には、プラズマ発生室１１０内の真空度や清浄度を、図２６の（ａ）に示す場合と比較して約２倍にすることができる。また、図２６の（ｄ）に示すように、液滴遮断ユニット１０７を１０ｋＨｚで駆動することにより、プラズマ発生室１１０内の真空度や清浄度を、図２６の（ａ）に示す場合と比較して約１．１倍にすることができる。さらに、図２６の（ｅ）に示すように、液滴遮断ユニット１０７を５ｋＨｚで駆動することにより、プラズマ発生室１１０内の真空度や清浄度を、図２６の（ａ）に示す場合と比較して約１．０５倍にすることができる。 FIGS. 26C to 26E show an example in which droplets other than the droplet 108b irradiated with the laser light are intermittently thinned out. Thus, by adjusting the drive frequency according to the structure and operation of the droplet blocking unit, the droplet blocking unit can be stably operated and the life of the droplet blocking unit can be extended. . For example, as shown in (c) of FIG. 26, every other droplet can be thinned out by driving the droplet blocking unit 107 (FIG. 1) at 50 kHz. In this case, the degree of vacuum and cleanliness in the plasma generation chamber 110 can be approximately doubled compared to the case shown in FIG. Also, as shown in FIG. 26 (d), by driving the droplet blocking unit 107 at 10 kHz, the degree of vacuum and cleanliness in the plasma generation chamber 110 are compared with the case shown in FIG. 26 (a). About 1.1 times. Further, as shown in FIG. 26 (e), by driving the droplet blocking unit 107 at 5 kHz, the degree of vacuum and cleanliness in the plasma generation chamber 110 are compared with the case shown in FIG. 26 (a). About 1.05 times.

図２６の（ｆ）は、液滴１０８ｂの前後に位置する液滴１０８ｅを残し、それ以外の液滴１０８ａを間引く例を示している。ここで、液滴遮断ユニット１０７によりある液滴を破壊すると、その周辺に存在する液滴がその影響を受けて、破壊されたり、変形したり、その軌道が変更されてしまう事態が生じる可能性もある。そのため、図２６の（ｆ）においては、レーザ光が照射される予定の液滴１０８ｂがそのような影響を受けないように、その前後の液滴１０８ｅを残存させている。この残存させる液滴１０８ｅの数は、レーザ光を照射される予定の液滴１０８ｂの前後１個ずつでも良いし、複数ずつでも良い。それらの液滴数は、使用される液滴遮断ユニット１０７の構造や破壊力等に応じて、破壊された液滴が近隣の液滴に与える影響を考慮しつつ、プラズマ発生室１１０内の真空度や清浄度を図２６の（ａ）に示す場合と比較して高くすることができる範囲で選択することが望ましい。 FIG. 26 (f) shows an example in which the droplets 108e located before and after the droplet 108b are left and the other droplets 108a are thinned out. Here, when a droplet is destroyed by the droplet blocking unit 107, there is a possibility that a droplet existing in the vicinity of the droplet is affected and destroyed, deformed, or changed in its trajectory. There is also. Therefore, in FIG. 26 (f), the droplets 108e before and after that are left so that the droplet 108b to be irradiated with the laser beam is not affected by such influence. The number of the remaining droplets 108e may be one before or after the droplets 108b to be irradiated with the laser light, or may be plural. The number of droplets depends on the structure of the droplet blocking unit 107 used, the destructive force, and the like, while taking into account the influence of the broken droplets on neighboring droplets, and the vacuum in the plasma generation chamber 110 It is desirable to select the degree and the cleanliness within a range that can be increased as compared with the case shown in FIG.

図２７〜３０は、液滴遮断ユニットの駆動タイミングを制御する方法について説明するための図であり、本発明の第１〜第１７の実施形態における制御部１１５（図１〜図２５）の構成を具体的に示したものである。
図２７には、液滴を生成するためのピエゾ素子１０３に供給される駆動信号を発生するピエゾドライバ１０６を制御する液滴生成用コントローラ３００と、液滴遮断ユニット１０７を制御する液滴遮断用コントローラ３０１と、ターゲット物質を照射するレーザ光を出射するレーザ光源を制御するレーザ光源用コントローラ３０２とが示されている。液滴生成用コントローラ３００は、例えば、１００ｋＨｚで駆動信号を発生するようにピエゾドライバ１０６を制御している。また、レーザ光源用コントローラ３０２は、液滴生成用コントローラから供給されるトリガ信号に同期して、例えば、１０ｋＨｚの繰り返し動作周波数でレーザ光を出射するようにレーザ光源１１１を制御している。また、液滴遮断用コントローラ３０１には、液滴遮断ユニットを動作させるための駆動周波数や、動作時間の長さや、動作周期や、動作強度等が予めプログラムされている。 27 to 30 are diagrams for explaining a method of controlling the drive timing of the droplet blocking unit, and the configuration of the control unit 115 (FIGS. 1 to 25) in the first to seventeenth embodiments of the present invention. Is specifically shown.
FIG. 27 shows a droplet generation controller 300 that controls a piezo driver 106 that generates a drive signal supplied to a piezo element 103 for generating droplets, and a droplet blocking unit that controls a droplet blocking unit 107. A controller 301 and a laser light source controller 302 for controlling a laser light source that emits laser light for irradiating a target material are shown. For example, the droplet generation controller 300 controls the piezo driver 106 so as to generate a drive signal at 100 kHz. In addition, the laser light source controller 302 controls the laser light source 111 so as to emit laser light at a repetition operation frequency of 10 kHz, for example, in synchronization with the trigger signal supplied from the droplet generation controller. The droplet blocking controller 301 is programmed in advance with a driving frequency for operating the droplet blocking unit, a length of operation time, an operation cycle, an operation intensity, and the like.

このような装置において、液滴生成用コントローラ３００は、自身が動作を開始するのと同時に、液滴遮断用コントローラ３０１に、スタートトリガ信号を供給する。それにより、液滴遮断用コントローラ３０１は、予めプログラムされた動作を開始する。例えば、液滴遮断用コントローラ３０１において、駆動周波数として５０ｋＨｚを用いることをプログラムしておくことにより、図２６の（ｃ）を用いて説明したような動作をさせることができる。このように、コントローラ３００〜３０２における動作を、トリガ信号を用いて同期させることにより、簡単且つ安価に制御系を構成することができる。 In such an apparatus, the droplet generation controller 300 supplies a start trigger signal to the droplet blocking controller 301 at the same time that the droplet generation controller 300 starts its operation. Thereby, the droplet blocking controller 301 starts a pre-programmed operation. For example, in the droplet blocking controller 301, the operation described with reference to FIG. 26C can be performed by programming the use of 50 kHz as the driving frequency. In this way, by synchronizing the operations in the controllers 300 to 302 using the trigger signal, the control system can be configured easily and inexpensively.

図２８に示す構成は、図２７に示す構成に対して、液滴生成用コントローラ３００と液滴遮断用コントローラ３０１との間に、遅延部３０３をさらに設けたものである。遅延部３０３は、液滴生成用コントローラ３００から出力されるスタートトリガ信号に適切な遅延を与えて、液滴遮断用コントローラ３０１に供給することにより、これらのコントローラ３００及び３０１の間で動作タイミングを調整する。 In the configuration shown in FIG. 28, a delay unit 303 is further provided between the droplet generation controller 300 and the droplet blocking controller 301 in the configuration shown in FIG. The delay unit 303 gives an appropriate delay to the start trigger signal output from the droplet generation controller 300 and supplies the start trigger signal to the droplet blocking controller 301, thereby controlling the operation timing between the controllers 300 and 301. adjust.

ここで、例えば、流速２５ｍ／ｓ、生成周波数１００ｋＨｚの液滴を生成する場合に、ノズル１０２から滴下する液滴の列において、隣接する液滴間の距離は約２５０μｍ、時間間隔は約１０μｓとなる。そのため、ノズル１０２と液滴遮断ユニット１０７との間の距離によっては、液滴１０８が液滴遮断ユニット１０７の高さを通過するタイミングと、液滴遮断ユニット１０７の動作タイミングとがずれてしまう場合がある。そこで、予め、スタートトリガ信号の発信タイミングを遅延部３０３によって調整しておくことにより、不要な液滴１０８を液滴遮断ユニット１０７によって確実に間引けるようになる。この遅延部３０３の調整は、手動で行うこともできる。或いは、遅延部３０３を設ける替わりに、液滴遮断用コントローラ３０１内において、スタートトリガ信号が活性化されてから動作開始タイミングまでの遅延時間を調整して良い。 Here, for example, when a droplet having a flow rate of 25 m / s and a generation frequency of 100 kHz is generated, in the row of droplets dropped from the nozzle 102, the distance between adjacent droplets is about 250 μm and the time interval is about 10 μs. Become. Therefore, depending on the distance between the nozzle 102 and the droplet blocking unit 107, the timing at which the droplet 108 passes through the height of the droplet blocking unit 107 and the operation timing of the droplet blocking unit 107 may deviate. There is. Therefore, by adjusting the transmission timing of the start trigger signal by the delay unit 303 in advance, unnecessary droplets 108 can be surely thinned out by the droplet blocking unit 107. The adjustment of the delay unit 303 can also be performed manually. Alternatively, instead of providing the delay unit 303, the delay time from the activation of the start trigger signal to the operation start timing may be adjusted in the droplet blocking controller 301.

図２９に示す構成は、図２７に示す構成に対して、液滴生成用コントローラ３００と、液滴遮断用コントローラ３０１と、レーザコントローラ３０２とを制御する総合コントローラ３０４をさらに設けたものである。
図２９において、総合コントローラ３０４は、液滴生成用コントローラ３００及び液滴遮断用コントローラ３０１にスタートトリガ信号を供給し、レーザコントローラ３０２にトリガ信号を供給する。それにより、液滴生成用コントローラ３００は、設定された生成周波数で液滴の生成を開始し、液滴遮断用コントローラ３０１は、予めプログラムされた駆動周波数や、動作時間の長さや、動作周期や、動作強度等に従って動作を開始する。また、レーザコントローラ３０２は、レーザ光源１１１に所定の繰り返し動作周波数でレーザ発振を起こさせる。 29 is different from the configuration shown in FIG. 27 in that an overall controller 304 for controlling the droplet generation controller 300, the droplet blocking controller 301, and the laser controller 302 is further provided.
In FIG. 29, the integrated controller 304 supplies a start trigger signal to the droplet generation controller 300 and the droplet blocking controller 301 and supplies a trigger signal to the laser controller 302. As a result, the droplet generation controller 300 starts generating droplets at the set generation frequency, and the droplet blocking controller 301 detects the pre-programmed drive frequency, the length of operation time, the operation cycle, The operation starts according to the operation intensity. The laser controller 302 causes the laser light source 111 to oscillate at a predetermined repetition frequency.

図３０に示す構成は、図２９に示す総合コントローラ３０４の替わりに、総合コントローラ３０５を設けたものである。総合コントローラ３０５には、液滴１０８の生成周波数や、液滴遮断ユニット１０７の駆動周波数や、動作時間の長さや、動作周期や、動作強度等がプログラムされている。総合コントローラ３０５は、液滴生成用コントローラ３００に対し、生成周波数に応じたパルストリガ信号（例えば、１００ｋＨｚ）を供給し、液滴遮断用コントローラ３０１に対し、駆動周波数に応じたパルストリガ信号（例えば、５０ｋＨｚ）を供給し、レーザ光源用コントローラ３０２に対し、繰り返し動作周波数に応じたパルストリガ信号（例えば、１０ｋＨｚ）を供給する。これに応じて、液滴生成用コントローラ３００は、パルストリガ信号が供給されたときに１回動作し、液滴遮断用コントローラ３０１は、パルストリガ信号が供給されたときに１回動作し、レーザ光源用コントローラ３０２は、パルストリガ信号が供給されたときに１回動作する。 In the configuration shown in FIG. 30, a general controller 305 is provided instead of the general controller 304 shown in FIG. The total controller 305 is programmed with the generation frequency of the droplets 108, the driving frequency of the droplet blocking unit 107, the length of the operation time, the operation cycle, the operation intensity, and the like. The integrated controller 305 supplies a pulse trigger signal (for example, 100 kHz) corresponding to the generation frequency to the droplet generation controller 300, and a pulse trigger signal (for example, corresponding to the drive frequency) to the droplet blocking controller 301. , 50 kHz) and a pulse trigger signal (for example, 10 kHz) corresponding to the repetitive operating frequency is supplied to the laser light source controller 302. In response to this, the droplet generation controller 300 operates once when the pulse trigger signal is supplied, and the droplet blocking controller 301 operates once when the pulse trigger signal is supplied. The light source controller 302 operates once when a pulse trigger signal is supplied.

図２９又は図３０において、液滴１０８の通過タイミングと液滴遮断ユニット１０７の動作タイミングとの間にずれが生じるおそれがある場合には、ずれを解消するために、総合コントローラ３０４又は３０５から液滴生成用コントローラ３００及び液滴遮断用コントローラ３０１に、所定の時間差を設けてスタートトリガ信号を供給しても良い。或いは、総合コントローラ３０４又は３０５と液滴遮断用コントローラ３０１との間に遅延部を設けても良いし、液滴遮断用コントローラ３０１内において、スタートトリガ信号が活性化されてから動作開始タイミングまでの遅延時間を調整しても良い。 In FIG. 29 or FIG. 30, when there is a possibility of a deviation between the passage timing of the droplet 108 and the operation timing of the droplet blocking unit 107, the total controller 304 or 305 removes the liquid in order to eliminate the deviation. A start trigger signal may be supplied to the droplet generation controller 300 and the droplet blocking controller 301 with a predetermined time difference. Alternatively, a delay unit may be provided between the general controller 304 or 305 and the droplet blocking controller 301. In the droplet blocking controller 301, the start trigger signal is activated until the operation start timing. The delay time may be adjusted.

本発明は、露光装置等に用いられるＬＰＰ型ＥＵＶ光源装置において利用可能である。 The present invention can be used in an LPP type EUV light source apparatus used in an exposure apparatus or the like.

１、１０２…ノズル、２、１１０…プラズマ発生室、３、１１１、２００、２１０…レーザ光源、４、１１２…レンズ、５、１２、１５、１０５、１１４、２３１…排気ポンプ、６、１０３、１２０、１３０、１３２、１４０、１５０、１５１、１６０、１６５ａ、１６５ｂ、１６８ａ、１６８ｂ、１７０、２４０、２５１…ピエゾ素子、７、１１３…レーザ光照射点、８、１０８、１０８ａ、１０８ｂ、１０８ｅ…液滴、１０８ｃ…液滴の残滓、１０８ｄ…ターゲット物質の微粒子、８ａ…液滴の跡、９、１０９…蒸発ガス、１０…残留ターゲット物質、１１、１４…回収チャンバ、１３、１６、１０１、２５０…狭窄部、１３ａ、１６ａ、１０１ａ、２５０ａ…開口部、１００…液滴生成室、１０６、１２２、１３４、１５３、１６２、１７２、２４１、２５２…ピエゾドライバ、１０７…液滴遮断ユニット、１０７ａ…移動ステージ、１１５…制御部、１２１、１２３、１３１、１３３、１４１ａ、１６１、１７１、１８１、１８４…遮断棒、１２４、２４２…ヒータ、１４１、１５２、１８８…遮断部、１６５ａ〜１６５ｄ…圧電体、１６６、１６７ａ、１６７ｂ、１６９ａ、１６９ｂ…電極、１７３…支点、１８０、１８３、１８５、１８７、１９０…モータ、１８２、１９２…モータ制御部、１８６…遮断翼、１９１、１９３…穴開き円盤、２０１、２１１…レーザ伝播光学系、２２０…高圧ガスノズル、２２１…ガスボンベ、２２２…ガス供給管、２２２ａ…コンプレッサ、２２３…ガス遮蔽板、２２４…ガス遮蔽板駆動部、２２５…ガス遮蔽板制御部、２３０…回収筒、２３０ａ…回収口、２６０ａ、２６０ｂ…帯電用電極、２６１…帯電用電源、２６２ａ、２６２ｂ…偏向用電極、２６３…偏向用電源、２７０…微粒化用電極、２７１…微粒化用電源、２８０ａ、２８０ｂ…捕捉用電極、２８１…捕捉用電源、３００…液滴生成用コントローラ、３０１…液滴遮断用コントローラ、３０２…レーザ光源用コントローラ、３０３…遅延部、３０４、３０５…総合コントローラ DESCRIPTION OF SYMBOLS 1,102 ... Nozzle 2, 110 ... Plasma generation chamber 3, 111, 200, 210 ... Laser light source 4, 112 ... Lens 5, 12, 15, 105, 114, 231 ... Exhaust pump 6, 103, 120, 130, 132, 140, 150, 151, 160, 165a, 165b, 168a, 168b, 170, 240, 251 ... Piezo elements, 7, 113 ... Laser beam irradiation points, 8, 108, 108a, 108b, 108e ... Droplet, 108c ... residue of droplet, 108d ... fine particles of target material, 8a ... trace of droplet, 9,109 ... evaporated gas, 10 ... residual target material, 11,14 ... recovery chamber, 13, 16, 101, 250: Narrowed portion, 13a, 16a, 101a, 250a ... Opening, 100 ... Droplet generation chamber, 106, 122, 134, 153, 162, 72, 241, 252 ... Piezo driver, 107 ... Droplet blocking unit, 107a ... Moving stage, 115 ... Control unit, 121, 123, 131, 133, 141a, 161, 171, 181, 184 ... Blocking rod, 124, 242 ... heaters, 141, 152, 188 ... blocking sections, 165a to 165d ... piezoelectric bodies, 166, 167a, 167b, 169a, 169b ... electrodes, 173 ... fulcrums, 180, 183, 185, 187, 190 ... motors, 182, 192 DESCRIPTION OF SYMBOLS Motor control part, 186 ... Shut-off blade, 191, 193 ... Drilled disk, 201, 211 ... Laser propagation optical system, 220 ... High pressure gas nozzle, 221 ... Gas cylinder, 222 ... Gas supply pipe, 222a ... Compressor, 223 ... Gas shield Plate, 224 ... gas shielding plate driving unit, 225 ... gas shielding plate control unit, 230 ... times Tube, 230a ... Recovery port, 260a, 260b ... Charging electrode, 261 ... Charging power source, 262a, 262b ... Deflection electrode, 263 ... Deflection power source, 270 ... Atomization electrode, 271 ... Atomization power source, 280a 280b ... Capturing electrode, 281 ... Capturing power supply, 300 ... Droplet generation controller, 301 ... Droplet blocking controller, 302 ... Laser light source controller, 303 ... Delay unit, 304,305 ... General controller

Claims

レーザ光源から出力されたレーザ光をターゲット物質に照射することにより、前記ターゲット物質をプラズマ化して極端紫外光を放射させる極端紫外光源装置であって、
第１のチャンバと、
前記第１のチャンバと開口を介して接続されている第２のチャンバと、
溶融金属のターゲット物質の液滴を生成して前記第１のチャンバ内に供給するターゲット物質供給手段と、
前記ターゲット物質供給手段によって供給されたターゲット物質の液滴が前記開口を通過するのを妨げる少なくとも１つの遮断手段と、
前記ターゲット物質供給手段によって供給される液滴の生成周波数と、前記レーザ光源の繰り返し動作周波数とに基づいて、前記少なくとも１つの遮断手段が所定のタイミングで動作するように前記少なくとも１つの遮断手段の動作タイミングを制御する制御手段と、
前記レーザ光源から出射したレーザ光を、前記第１のチャンバにおいて生成され、前記開口を通過して前記第２のチャンバに導入されたターゲット物質の液滴に照射させる光学系と、
を具備し、
前記少なくとも１つの遮断手段が、ターゲット物質の液滴と衝突し、又は、ターゲット物質の液滴の軌道に挿入される遮断部材と、前記遮断部材の位置又は角度を変化させる変位手段とを含み、
前記遮断部材に、加熱手段が設けられている、極端紫外光源装置。 By irradiating a target material with laser light output from a laser light source, the target material is converted to plasma and emits extreme ultraviolet light,
A first chamber;
A second chamber connected to the first chamber through an opening;
Target material supply means for generating droplets of a molten metal target material and supplying the droplets into the first chamber;
At least one blocking means for preventing droplets of the target material supplied by the target material supplying means from passing through the opening;
Based on the generation frequency of the droplets supplied by the target material supply means and the repetition operation frequency of the laser light source, the at least one cutoff means is operated so that the at least one cutoff means operates at a predetermined timing. Control means for controlling the operation timing;
An optical system that emits laser light emitted from the laser light source to a droplet of a target material that is generated in the first chamber, passes through the opening, and is introduced into the second chamber;
Equipped with,
The at least one blocking means includes a blocking member that collides with a droplet of the target material or is inserted into a trajectory of the droplet of the target material, and a displacement unit that changes a position or an angle of the blocking member;
An extreme ultraviolet light source device , wherein the blocking member is provided with heating means .

レーザ光源から出力されたレーザ光をターゲット物質に照射することにより、前記ターゲット物質をプラズマ化して極端紫外光を放射させる極端紫外光源装置であって、
第１のチャンバと、
前記第１のチャンバと開口を介して接続されている第２のチャンバと、
溶融金属のターゲット物質の液滴を生成して前記第１のチャンバ内に供給するターゲット物質供給手段と、
前記ターゲット物質供給手段によって供給されたターゲット物質の液滴が前記開口を通過するのを妨げる少なくとも１つの遮断手段と、
前記ターゲット物質供給手段によって供給される液滴の生成周波数と、前記レーザ光源の繰り返し動作周波数とに基づいて、前記少なくとも１つの遮断手段が所定のタイミングで動作するように前記少なくとも１つの遮断手段の動作タイミングを制御する制御手段と、
前記レーザ光源から出射したレーザ光を、前記第１のチャンバにおいて生成され、前記開口を通過して前記第２のチャンバに導入されたターゲット物質の液滴に照射させる光学系と、
を具備し、
前記少なくとも１つの遮断手段が、ターゲット物質の液滴を照射するレーザ光を出射する第２のレーザ光源と、前記第２のレーザ光源から出射したレーザ光をターゲット物質の液滴の軌道上に伝播する伝播光学系とを含む、極端紫外光源装置。 By irradiating a target material with laser light output from a laser light source, the target material is converted to plasma and emits extreme ultraviolet light,
A first chamber;
A second chamber connected to the first chamber through an opening;
Target material supply means for generating droplets of a molten metal target material and supplying the droplets into the first chamber;
At least one blocking means for preventing droplets of the target material supplied by the target material supplying means from passing through the opening;
Based on the generation frequency of the droplets supplied by the target material supply means and the repetition operation frequency of the laser light source, the at least one cutoff means is operated so that the at least one cutoff means operates at a predetermined timing. Control means for controlling the operation timing;
An optical system that emits laser light emitted from the laser light source to a droplet of a target material that is generated in the first chamber, passes through the opening, and is introduced into the second chamber;
Equipped with,
The at least one blocking means propagates the laser beam emitted from the second laser light source onto the trajectory of the target material droplet on the second laser light source that emits the laser beam that irradiates the target material droplet. An extreme ultraviolet light source device including a propagating optical system .

レーザ光源から出力されたレーザ光をターゲット物質に照射することにより、前記ターゲット物質をプラズマ化して極端紫外光を放射させる極端紫外光源装置であって、
第１のチャンバと、
前記第１のチャンバと開口を介して接続されている第２のチャンバと、
溶融金属のターゲット物質の液滴を生成して前記第１のチャンバ内に供給するターゲット物質供給手段と、
前記ターゲット物質供給手段によって供給されたターゲット物質の液滴が前記開口を通過するのを妨げる少なくとも１つの遮断手段と、
前記ターゲット物質供給手段によって供給される液滴の生成周波数と、前記レーザ光源の繰り返し動作周波数とに基づいて、前記少なくとも１つの遮断手段が所定のタイミングで動作するように前記少なくとも１つの遮断手段の動作タイミングを制御する制御手段と、
前記レーザ光源から出射したレーザ光を、前記第１のチャンバにおいて生成され、前記開口を通過して前記第２のチャンバに導入されたターゲット物質の液滴に照射させる光学系と、
を具備し、
前記少なくとも１つの遮断手段が、ターゲット物質の液滴に吹き付けられる高圧ガスを噴射するノズルと、前記ノズルに高圧ガスを供給するガス供給手段と、前記ノズルから噴射される高圧ガスをターゲットガスの液滴から遮蔽するシャッタ手段とを含む、極端紫外光源装置。 By irradiating a target material with laser light output from a laser light source, the target material is converted to plasma and emits extreme ultraviolet light,
A first chamber;
A second chamber connected to the first chamber through an opening;
Target material supply means for generating droplets of a molten metal target material and supplying the droplets into the first chamber;
At least one blocking means for preventing droplets of the target material supplied by the target material supplying means from passing through the opening;
Based on the generation frequency of the droplets supplied by the target material supply means and the repetition operation frequency of the laser light source, the at least one cutoff means is operated so that the at least one cutoff means operates at a predetermined timing. Control means for controlling the operation timing;
An optical system that emits laser light emitted from the laser light source to a droplet of a target material that is generated in the first chamber, passes through the opening, and is introduced into the second chamber;
Equipped with,
The at least one shut-off means includes a nozzle for injecting a high-pressure gas sprayed onto a droplet of the target material, a gas supply means for supplying the high-pressure gas to the nozzle, and the high-pressure gas injected from the nozzle as a target gas liquid. An extreme ultraviolet light source device including shutter means for shielding from drops .

レーザ光源から出力されたレーザ光をターゲット物質に照射することにより、前記ターゲット物質をプラズマ化して極端紫外光を放射させる極端紫外光源装置であって、
第１のチャンバと、
前記第１のチャンバと開口を介して接続されている第２のチャンバと、
溶融金属のターゲット物質の液滴を生成して前記第１のチャンバ内に供給するターゲット物質供給手段と、
前記ターゲット物質供給手段によって供給されたターゲット物質の液滴を破壊し、又は、その軌道を変更することにより、ターゲット物質の液滴が前記開口を通過するのを妨げる少なくとも１つの遮断手段と、
前記ターゲット物質供給手段によって供給される液滴の生成周波数と、前記レーザ光源の繰り返し動作周波数とに基づいて、前記少なくとも１つの遮断手段が所定のタイミングで動作するように前記少なくとも１つの遮断手段の動作タイミングを制御する制御手段と、
前記レーザ光源から出射したレーザ光を、前記第１のチャンバにおいて生成され、前記開口を通過して前記第２のチャンバに導入されたターゲット物質の液滴に照射させる光学系と、
前記少なくとも１つの遮断手段によって破壊され、又は、その軌道を変更されたターゲット物質の液滴を回収する回収手段と、
を具備する極端紫外光源装置。 By irradiating a target material with laser light output from a laser light source, the target material is converted to plasma and emits extreme ultraviolet light,
A first chamber;
A second chamber connected to the first chamber through an opening;
Target material supply means for generating droplets of a molten metal target material and supplying the droplets into the first chamber;
At least one blocking means for preventing the target material droplets from passing through the opening by breaking or changing the trajectory of the target material droplets supplied by the target material supply means;
Based on the generation frequency of the droplets supplied by the target material supply means and the repetition operation frequency of the laser light source, the at least one cutoff means is operated so that the at least one cutoff means operates at a predetermined timing. Control means for controlling the operation timing;
An optical system that emits laser light emitted from the laser light source to a droplet of a target material that is generated in the first chamber, passes through the opening, and is introduced into the second chamber;
Recovery means for recovering droplets of the target material that has been destroyed by the at least one blocking means or whose trajectory has been changed;
An extreme ultraviolet light source device comprising:

レーザ光源から出力されたレーザ光をターゲット物質に照射することにより、前記ターゲット物質をプラズマ化して極端紫外光を放射させる極端紫外光源装置であって、
第１のチャンバと、
前記第１のチャンバと開口を介して接続されている第２のチャンバと、
溶融金属のターゲット物質の液滴を生成して前記第１のチャンバ内に供給するターゲット物質供給手段と、
前記ターゲット物質供給手段によって供給されたターゲット物質の液滴が前記開口を通過するのを妨げる少なくとも１つの遮断手段と、
前記ターゲット物質供給手段によって供給される液滴の生成周波数と、前記レーザ光源の繰り返し動作周波数とに基づいて、前記少なくとも１つの遮断手段が所定のタイミングで動作するように前記少なくとも１つの遮断手段の動作タイミングを制御する制御手段と、
前記レーザ光源から出射したレーザ光を、前記第１のチャンバにおいて生成され、前記開口を通過して前記第２のチャンバに導入されたターゲット物質の液滴に照射させる光学系と、
を具備し、
前記少なくとも１つの遮断手段が、前記ノズルの位置又は角度を変化させることにより、前記ノズルから噴射されるターゲット物質の液滴の軌道を前記開口からずらす、極端紫外光源装置。 By irradiating a target material with laser light output from a laser light source, the target material is converted to plasma and emits extreme ultraviolet light,
A first chamber;
A second chamber connected to the first chamber through an opening;
Target material supply means for generating droplets of a molten metal target material and supplying the droplets into the first chamber;
At least one blocking means for preventing droplets of the target material supplied by the target material supplying means from passing through the opening;
Based on the generation frequency of the droplets supplied by the target material supply means and the repetition operation frequency of the laser light source, the at least one cutoff means is operated so that the at least one cutoff means operates at a predetermined timing. Control means for controlling the operation timing;
An optical system that emits laser light emitted from the laser light source to a droplet of a target material that is generated in the first chamber, passes through the opening, and is introduced into the second chamber;
Equipped with,
The extreme ultraviolet light source device , wherein the at least one blocking means shifts the orbit of a droplet of the target material ejected from the nozzle from the opening by changing the position or angle of the nozzle .

前記少なくとも１つの遮断手段が、前記ノズルに設けられたピエゾ素子と、前記ピエゾ素子に供給される駆動信号を発生する駆動信号発生手段とを含む、請求項５記載の極端紫外光源装置。 6. The extreme ultraviolet light source apparatus according to claim 5 , wherein the at least one blocking means includes a piezo element provided in the nozzle and drive signal generating means for generating a drive signal supplied to the piezo element.

レーザ光源から出力されたレーザ光をターゲット物質に照射することにより、前記ターゲット物質をプラズマ化して極端紫外光を放射させる極端紫外光源装置であって、
第１のチャンバと、
前記第１のチャンバと開口を介して接続されている第２のチャンバと、
溶融金属のターゲット物質の液滴を生成して前記第１のチャンバ内に供給するターゲット物質供給手段と、
前記ターゲット物質供給手段によって供給されたターゲット物質の液滴が前記開口を通過するのを妨げる少なくとも１つの遮断手段と、
前記ターゲット物質供給手段によって供給される液滴の生成周波数と、前記レーザ光源の繰り返し動作周波数とに基づいて、前記少なくとも１つの遮断手段が所定のタイミングで動作するように前記少なくとも１つの遮断手段の動作タイミングを制御する制御手段と、
前記レーザ光源から出射したレーザ光を、前記第１のチャンバにおいて生成され、前記開口を通過して前記第２のチャンバに導入されたターゲット物質の液滴に照射させる光学系と、
を具備し、
前記第１のチャンバと前記第２のチャンバとが、変形可能な部材に設けられた開口を介して接続されており、
前記少なくとも１つの遮断手段が、前記開口をターゲット物質の液滴の軌道からずらすように、前記部材を変形させる変形手段を含む、極端紫外光源装置。 By irradiating a target material with laser light output from a laser light source, the target material is converted to plasma and emits extreme ultraviolet light,
A first chamber;
A second chamber connected to the first chamber through an opening;
Target material supply means for generating droplets of a molten metal target material and supplying the droplets into the first chamber;
At least one blocking means for preventing droplets of the target material supplied by the target material supplying means from passing through the opening;
Based on the generation frequency of the droplets supplied by the target material supply means and the repetition operation frequency of the laser light source, the at least one cutoff means is operated so that the at least one cutoff means operates at a predetermined timing. Control means for controlling the operation timing;
An optical system that emits laser light emitted from the laser light source to a droplet of a target material that is generated in the first chamber, passes through the opening, and is introduced into the second chamber;
Equipped with,
The first chamber and the second chamber are connected via an opening provided in a deformable member;
The extreme ultraviolet light source device , wherein the at least one blocking means includes a deformation means for deforming the member so as to shift the opening from the trajectory of the droplet of the target material .

前記変形手段が、前記部材に設けられたピエゾ素子と、前記ピエゾ素子に供給される駆動信号を発生する駆動信号発生手段とを含む、請求項７記載の極端紫外光源装置。 The extreme ultraviolet light source device according to claim 7 , wherein the deforming means includes a piezoelectric element provided on the member and a driving signal generating means for generating a driving signal supplied to the piezoelectric element.

レーザ光源から出力されたレーザ光をターゲット物質に照射することにより、前記ターゲット物質をプラズマ化して極端紫外光を放射させる極端紫外光源装置であって、
第１のチャンバと、
前記第１のチャンバと開口を介して接続されている第２のチャンバと、
溶融金属のターゲット物質の液滴を生成して前記第１のチャンバ内に供給するターゲット物質供給手段と、
前記ターゲット物質供給手段によって供給されたターゲット物質の液滴が前記開口を通過するのを妨げる少なくとも１つの遮断手段と、
前記ターゲット物質供給手段によって供給される液滴の生成周波数と、前記レーザ光源の繰り返し動作周波数とに基づいて、前記少なくとも１つの遮断手段が所定のタイミングで動作するように前記少なくとも１つの遮断手段の動作タイミングを制御する制御手段と、
前記レーザ光源から出射したレーザ光を、前記第１のチャンバにおいて生成され、前記開口を通過して前記第２のチャンバに導入されたターゲット物質の液滴に照射させる光学系と、
を具備し、
前記少なくとも１つの遮断手段が、ターゲット物質の液滴を帯電させる電荷供給手段と、帯電した液滴を偏向するために電界を形成する電界形成手段とを含む、極端紫外光源装置。 By irradiating a target material with laser light output from a laser light source, the target material is converted to plasma and emits extreme ultraviolet light,
A first chamber;
A second chamber connected to the first chamber through an opening;
Target material supply means for generating droplets of a molten metal target material and supplying the droplets into the first chamber;
At least one blocking means for preventing droplets of the target material supplied by the target material supplying means from passing through the opening;
Based on the generation frequency of the droplets supplied by the target material supply means and the repetition operation frequency of the laser light source, the at least one cutoff means is operated so that the at least one cutoff means operates at a predetermined timing. Control means for controlling the operation timing;
An optical system that emits laser light emitted from the laser light source to a droplet of a target material that is generated in the first chamber, passes through the opening, and is introduced into the second chamber;
Equipped with,
The extreme ultraviolet light source device , wherein the at least one blocking means includes a charge supplying means for charging a droplet of the target material and an electric field forming means for forming an electric field to deflect the charged droplet .

前記電荷供給手段が、プラズマ発生手段を含む、請求項９記載の極端紫外光源装置。 The extreme ultraviolet light source device according to claim 9 , wherein the charge supply means includes plasma generation means.

前記電荷供給手段が、電子ビーム発生手段を含む、請求項９記載の極端紫外光源装置。 The extreme ultraviolet light source apparatus according to claim 9 , wherein the charge supply unit includes an electron beam generation unit.

レーザ光源から出力されたレーザ光をターゲット物質に照射することにより、前記ターゲット物質をプラズマ化して極端紫外光を放射させる極端紫外光源装置であって、
第１のチャンバと、
前記第１のチャンバと開口を介して接続されている第２のチャンバと、
溶融金属のターゲット物質の液滴を生成して前記第１のチャンバ内に供給するターゲット物質供給手段と、
前記ターゲット物質供給手段によって供給されたターゲット物質の液滴が前記開口を通過するのを妨げる少なくとも１つの遮断手段と、
前記ターゲット物質供給手段によって供給される液滴の生成周波数と、前記レーザ光源の繰り返し動作周波数とに基づいて、前記少なくとも１つの遮断手段が所定のタイミングで動作するように前記少なくとも１つの遮断手段の動作タイミングを制御する制御手段と、
前記レーザ光源から出射したレーザ光を、前記第１のチャンバにおいて生成され、前記開口を通過して前記第２のチャンバに導入されたターゲット物質の液滴に照射させる光学系と、
を具備し、
前記少なくとも１つの遮断手段が、ターゲット物質の液滴に電圧を印加することにより液滴を微粒化する微粒化手段を含む、極端紫外光源装置。 By irradiating a target material with laser light output from a laser light source, the target material is converted to plasma and emits extreme ultraviolet light,
A first chamber;
A second chamber connected to the first chamber through an opening;
Target material supply means for generating droplets of a molten metal target material and supplying the droplets into the first chamber;
At least one blocking means for preventing droplets of the target material supplied by the target material supplying means from passing through the opening;
Based on the generation frequency of the droplets supplied by the target material supply means and the repetition operation frequency of the laser light source, the at least one cutoff means is operated so that the at least one cutoff means operates at a predetermined timing. Control means for controlling the operation timing;
An optical system that emits laser light emitted from the laser light source to a droplet of a target material that is generated in the first chamber, passes through the opening, and is introduced into the second chamber;
Equipped with,
The extreme ultraviolet light source device , wherein the at least one blocking means includes atomizing means for atomizing the droplets by applying a voltage to the droplets of the target material .

前記微粒化手段によって微粒化されたターゲット物質を捕捉するための電界を形成する捕捉手段をさらに具備する、請求項１２記載の極端紫外光源装置。 The extreme ultraviolet light source device according to claim 12 , further comprising a capturing unit that forms an electric field for capturing the target material atomized by the atomizing unit.

前記開口の周辺を加熱する加熱手段をさらに具備する、請求項１〜１３のいずれか１項記載の極端紫外光源装置。 Further comprising heating means for heating the periphery of the opening, extreme ultraviolet light source device according to any one of claims 1 to 13.