JP5560592B2 - 含窒素複素環化合物、有機電界発光素子材料、有機電界発光素子用組成物、有機電界発光素子、有機ｅｌディスプレイ及び有機ｅｌ照明 - Google Patents

Description

本発明は、種々の溶剤に可溶で、電荷輸送能が高く、更には高い非晶性を示し優れた成膜性を有する含窒素複素環化合物、該化合物からなる有機電界発光素子用材料、該化合物を含む有機電界発光素子用組成物、該化合物を含む層を有する有機電界発光素子、並びにこの有機電界発光素子を用いた有機ＥＬディスプレイ、及び有機ＥＬ照明に関するものである。

近年、有機薄膜を用いた電界発光素子（有機電界発光素子）の開発が行われている。有機電界発光素子における有機薄膜の形成方法としては、真空蒸着法と湿式成膜法が挙げられる。このうち、湿式成膜法は真空プロセスが要らず、大面積化が容易で、１つの層を形成するための塗布液（有機電界発光素子用組成物）に様々な機能をもった複数の材料を混合して入れることが容易である等の利点がある。

湿式成膜法によって形成された発光層の材料としては、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）誘導体やポリフルオレン誘導体等の高分子材料が主に用いられているが、高分子材料には以下のような改善すべき点がある。
・高分子材料は重合度や分子量分布を制御することが困難である。
・連続駆動時に末端残基による劣化が起こる。
・材料自体の高純度化が困難で、不純物を含む。
上記改善すべき点のために、湿式成膜法による素子は、真空蒸着法による素子に比べて駆動安定性に劣り、一部を除いて実用レベルに至っていないのが現状である。

以上のような問題を解決する試みとして、例えば、特許文献１には高分子化合物ではなく、複数の低分子材料（電荷輸送材料、発光材料）を混合して湿式成膜法により形成した有機薄膜を用いた有機電界発光素子が記載されている。しかしながら、特許文献１に記載されている有機電界発光素子は蛍光発光を利用しているため、素子の発光効率及び最大発光輝度が低く、実用特性を満たしていない。

湿式成膜法により形成された複数の低分子材料からなる有機薄膜を用いた有機電界発光素子において、非特許文献１では、素子の発光効率を高めるために、燐光発光を利用した素子が記載されている。非特許文献１に記載の有機電界発光素子の電荷輸送材料は、以下に示すビフェニル誘導体を用いている。

しかしながら、上記ビフェニル誘導体は、非常に結晶化しやすく、湿式成膜法では均一な膜を得ることが困難であった。更に、上記ビフェニル誘導体は、溶剤に対する溶解性が低い。このため、クロロホルム、１， ２ − ジクロロエタン等のハロゲン系溶剤を塗布
溶剤に用いる必要があるが、ハロゲン系溶剤は環境負荷が大きく実用上問題がある。又、
ハロゲン系溶剤中に含まれる不純物により材料が劣化される可能性が大きいため、ハロゲン系溶剤を用いた湿式成膜法による素子は駆動安定性が十分でないことが考えられる。

特開平１１−２７３８５９号公報

J a p a n e s e J o u r n a l o f A p p l i e d P h y s i c s V o l . 4 4 ,N o . 1 B , 2 0 0 5 , p p . 6 2 6 - 6 2 9

本発明は、上記の従来実状に鑑みてなされたものであり、種々の溶剤に可溶であり、電荷輸送能が高く、容易には結晶化しない有機電界発光素子用材料を提供すること、更には優れた成膜性を示し、十分な駆動安定性を持ち、低い駆動電圧での駆動が可能な有機電界発光素子を形成するための組成物、並びにそれを用いた有機電界発光素子及び有機ＥＬディスプレイを提供することを課題とする。

本発明者らが鋭意検討した結果、下記式（１）で表される含窒素複素環化合物が、種々の溶剤に可溶で、電荷輸送能が高く、結晶化しにくい化合物であるため湿式成膜法による薄膜形成が可能であり、しかも、優れた電荷輸送能を有するため、有機電界発光素子に用いると高い駆動安定性を示し、かつ低い駆動電圧で駆動可能であることを見出し、本発明に到達した。

即ち、本発明は、下記式（１）で表されることを特徴とする含窒素複素環化合物、及び該化合物からなる有機電界発光素子材料、及び該化合物を含む有機電界発光素子用組成物、有機電界発光素子、並びに有機ELディスプレイ及び有機ＥＬ照明に存する。

（式（１）中X¹〜X³は、CH又は窒素原子表す。但し、X¹〜X³のいずれか一つは窒素原子を表す。
Ｒ^１〜Ｒ^３は、各々独立に、炭素数５０以下の、置換基を有していてもよい有機基を表す。Ｌ^１は、単結合又は炭素数２５以下の、置換基を有していてもよい芳香環基を表す。
ｎは２以上６以下の整数を表す。

ｍは０以上４以下の整数を表す。
ｐ，ｒ及びｓは、各々独立に、０以上４以下の整数を表す。
尚、一分子内に、複数のＲ^１〜Ｒ^３、Ｌ^１、及びＡｒ^１が含まれる場合、各々独立に、同じでもよく、また異なっていてもよい。
また、Ar¹は、下記芳香族炭化水素基群Aから選ばれる基を表す。）
＜芳香族炭化水素基群A＞

（上記式中の、ベンゼン環及びナフタレン環は、置換基を有していてもよい。）

本発明の含窒素複素環化合物は、種々溶剤に対する溶解性が優れると共に、結晶化しない化合物であるため、湿式成膜法による薄膜形成が可能であり、しかも優れた電荷輸送能を有する。
この為、本発明の含窒素複素環化合物を含む有機電界発光素子用組成物を用いて、湿式成膜法により形成される有機電界発光素子は、大面積化が可能である。

本発明の含窒素複素環化合物を含む有機電界発光素子によれば、優れた成膜性により十分な駆動安定性を持ち、且つ低電圧での駆動が可能な、大面積を持つ有機ELディスプレイの作成が可能である。

本発明の有機電界発光素子の構造の一例を模式的に示す断面図である。

以下に本発明の実施の形態を詳細に説明するが、以下に記載する構成要件の説明は、本発明の実施態様の一例（代表例）であり、本発明はその要旨を超えない限り、これらの内容に特定されない。
[語句の説明]
本発明において、単に「複素環」又は「炭化水素環」と称した場合には、芳香族性を有する環及び芳香族性を有しない環のいずれをも含むものとする。また、単に「芳香環」と称した場合には、炭化水素芳香環及び複素芳香環のいずれをも含むものとする。

また、本発明において、「芳香環基」とは、「単環の芳香環に由来する基」、「２以上の環が縮合した縮合環に由来する基」の他、「これらの単環及び／又は縮合環の２以上が単結合を介して連結した基」も含むものとする。
また、本発明において、「置換基を有していてもよい」とは、置換基を１又は２以上有していてもよいことを意味するものとする。

また、「（ヘテロ）アリール」とは、「アリール」と「ヘテロアリール」の両方を意味するものとする。
［式（１）で表される含窒素複素環化合物］
本発明の含窒素複素環化合物は、下記式（１）で表される化合物である。

（式（１）中X¹〜X³は、CH又は窒素原子表す。但し、X¹〜X³のいずれか一つは窒素原子を表す。
Ｒ^１〜Ｒ^３は、各々独立に、炭素数５０以下の、置換基を有していてもよい有機基を表す。Ｌ^１は、単結合又は炭素数２５以下の、置換基を有していてもよい芳香環基を表す。
ｎは２以上６以下の整数を表す。

ｍは０以上４以下の整数を表す。
ｐ，ｒ及びｓは、各々独立に、０以上４以下の整数を表す。
尚、一分子内に、複数のＲ^１〜Ｒ^３、Ｌ^１、及びＡｒ^１が含まれる場合、各々独立に、同じでもよく、また異なっていてもよい。
また、Ar¹は、下記芳香族炭化水素基群Aから選ばれる基を表す。）
＜芳香族炭化水素基群A＞

（上記式中の、ベンゼン環及びナフタレン環は、置換基を有していてもよい。）
[１]構造上の特徴
本発明の下記式(1)で示される化合物は、窒素複素環部に電子豊富な窒素原子を二つ有
する事から高い電子輸送能を示し、さらに上記の芳香族炭化水素群を有することで分子が非対称性を持つため、種々の溶剤に対して優れた溶解性と、高い非晶性を示す。

[２]式（１）における各構成要素
[２−１] X¹〜X³について。
X¹〜X³は、CH又は窒素原子表す。但し、X¹〜X³のいずれか一つは窒素原子を表す。
中でも、高い電子輸送能を有する事、化合物の安定性、また合成的な容易さの点で、X¹〜X³のいずれかが窒素原子である。

[２−２]ｎについて。
ｎは、前記式（１）に含まれる、下記式（i）で表される部分構造の数を表す。ｎは、
通常２以上、また、通常６以下、好ましくは３以下、の整数を表す。
昇華精製での高純度化が容易である点で、ｎは２であることが特に好ましい。

（上記式（ｉ）中、Ｌ^１、Ａｒ^１、Ｒ^２〜Ｒ^３、並びに、ｓ及びｒは、各々前記式（１）におけるものと同義である。）
[２−３]Ａｒ^１について。
前記式（１）中、Ａｒ^１は下記芳香族炭化水素基群Aから選ばれる基を表す。
＜芳香族炭化水素基群A＞

（上記式で表される基は、置換基を有していてもよい。）
式（１）中の芳香族炭化水素基Ａｒ^１は、分子に非対称性を与え、種々の溶剤に対する溶解性を向上させる目的で導入されており、o-フェニレン基、m-フェニレン基、1,2-ナフチル基、1,4-ナフチル基、1,6-ナフチル基、1,7-ナフチル基、1,8-ナフチル基が挙げられる。該芳香族炭化水素基Ａｒ^１は、化合物の安定性、合成の容易さ、精製のし易さなどの面からm-フェニレン基を用いることが特に好ましい。

また、芳香族炭化水素基Ａｒ^１が有していてもよい置換基としては、上記芳香族炭化水素基群Ａを含めたＡｒ^１の炭素数が通常２５以下であれば特に制限はされないが、後述の＜Ｒ^１〜Ｒ^３、ｍ、ｒ、ｓについて＞の項のＲ^１〜Ｒ^３の具体例に記載のものから選択し用いてもよい。尚、置換基同士が結合して環を形成することはない。また化合物の酸化還元安定性の面で、式（１）中の芳香族炭化水素基Ａｒ^１は、置換基を有さないことが好ましい。

[２−４] Ｒ^１〜Ｒ^３、ｍ、ｒ、ｓについて
式（１）中、Ｒ^１〜Ｒ^３は、炭素数５０以下の、置換基を有していてもよい有機基を表す。
Ｒ^１は、含窒素複素環に結合する置換基であり、ｍは含窒素複素環に結合するR¹の数を表す。ｍは、昇華精製での高純度化が容易である点で、通常０以上、また４以下、好ましくは２以下の整数であり、ｍが０とはR¹が含窒素複素環に置換しない事を意味する。また、ｍが２以上のとき、含窒素複素環に置換する複数のR¹は、同一であっても異なっていてもよい。

Ｒ^２は、カルバゾール環に結合する置換基であり、ｒはカルバゾール環に結合するR^２
の数を表す。ｒは、昇華精製での高純度化が容易である点で、通常０以上、また通常４以下、好ましくは１以下の整数であり、ｒが０とはR^２がカルバゾール環に置換しない事を
意味する。また、ｒが２以上のとき、カルバゾール環に置換する複数のR^２は、同一であ
っても異なっていてもよい。

Ｒ^３は、カルバゾール環に結合する置換基であり、ｓはカルバゾール環に結合するR^３
の数を表す。ｓは、昇華精製での高純度化が容易である点で、通常０以上、また通常４以下、好ましくは１以下の整数であり、ｓが０とはR^３がカルバゾール環に置換しない事を
意味する。また、ｓが２以上のとき、カルバゾール環に置換する複数のR^３は、同一であ
っても異なっていてもよい。

Ｒ^１〜Ｒ^３は、各々独立に炭素数５０以下の有機基を表し、これらは置換基を有していてもよい。通常炭素数５０以下であるが、分子の安定性、精製の容易さという点で、好ましくは３０以下である。
有機基の具体例としては、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数６〜２５の芳香族炭化水素基、炭素数３〜２０の芳香族複素環基、炭素数１〜２０のアルコキシ基、炭素数３〜２０の（ヘテロ）アリールオキシ基、炭素数１〜２０のアルキルチオ基、炭素数３〜２０の（ヘテロ）アリールチオ基、シアノ基が挙げられる。アルキル基、芳香族炭化水素基、芳香族複素環基は化合物の安定性の面から好ましく、芳香族炭化水素基は特に好ましい。

炭素数１〜２０のアルキル基の例としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、ｉｓｏ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ヘキシル基、オクチル基、シクロヘキシル基、デシル基、オクタデシル基等が挙げられる。好ましくは、メチル基、エチル基、イソプロピル基である。メチル基、エチル基が原料の入手しやすさ、安価さなどから好ましく、ｉｓｏ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基は、非極性溶剤に対して高い溶解性を持つために好ましい。

炭素数６〜２５の芳香族炭化水素基の例としては、フェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基などのナフチル基、９−フェナンチル基、３−フェナンチル基などのフェナンチル基、１−アントリル基、２−アントリル基、９−アントリル基などのアントリル基、１−ナフタセニル基、２−ナフタセニル基などのナフタセニル基、１−クリセニル基、２−クリセニル基、３−クリセニル基、４−クリセニル基、５−クリセニル基、６−クリセニル基などのクリセニル基、１−ピレニル基などのピレニル基、１−トリフェニレニル基などのトリフェニレニル基、１−コロネニル基などのコロネニル基等があげられ、化合物の安定性の面からフェニル基、２−ナフチル基、１−アントリル基、９−アントリル基、９−フェナントリル基が好ましく、フェニル基、２−ナフチル基が化合物の精製のし易さから特に好ましい。

炭素数３〜２０の芳香族複素環基の例としては、２−チエニル基などのチエニル基、２−フリル基などのフリル基、２−イミダゾリル基などのイミダゾリル基、９−カルバゾリル基などのカルバゾリル基、２−ピリジル基などのピリジル基、１，３，５−トリアジン−２−イル基などのトリアジン−イル基等が挙げられる。中でも９−カルバゾリル基が安定性の面から好ましい。

炭素数１〜２０のアルコキシ基の例としては、メトキシ基、エトキシ基、イソプロピルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基、オクタデシルオキシ基等が挙げられる。中でもメトキシ基、エトキシ基が溶解性向上とガラス転移点の面から好ましい。
炭素数３〜２０の（ヘテロ）アリールオキシ基の例としては、フェノキシ基、３−フェノキシフェノキシ基、２−ナフチルオキシ基、９−アントラニルオキシ基、２−チエニルオキシ基等が挙げられる。中でも、フェノキシ基、３−フェノキシフェノキシ基、２−ナフチルオキシ基が溶解性向上の面から好ましく、３−フェノキシフェノキシ基は特に好ましい。

炭素数１〜２０のアルキルチオ基の例としては、メチルチオ基、エチルチオ基、イソプロピルチオ基、シクロヘキシルチオ基等が挙げられる。中でも、メチルチオ基、エチルチオ基は溶解性向上とガラス転移点の面から好ましい。
炭素数３〜２０の（ヘテロ）アリールチオ基の例としては、フェニルチオ基、１−ナフチルチオ基、９−アントラニルチオ基、２−チエニルチオ基等が挙げられる。中でも、フェニルチオ基は、溶剤に対する溶解性が向上する点で好ましい。

Ｒ^１〜Ｒ^３は、上記した基を更に置換基として有していてもよい。
［２−５］Ｌ^１について。
式（１）中のＬ^１は単結合又は炭素数２５以下の、置換基を有していてもよい芳香環基を表す。
炭素数２５以下の芳香環基の具体例としては、炭素数６〜２５の芳香族炭化水素基、炭素数３〜２５の芳香族複素環基が挙げられる。芳香族炭化水素基が化合物の酸化還元安定性の面から好ましい。

炭素数６〜２５の芳香族炭化水素基の例としては、１，４−フェニレン基、１，３−フェニレン基などのフェニレン基、１、６−ナフチレン基などのナフチレン基、３，９−フェナンチレン基などのフェナンチレン基、２，６−アントラニレン基、９、１０−アントラニレン基などのアントラニレン基、１、６−ピレニレン基などのピレニレン基、２，７−トリフェニレニル基などのトリフェニレニル基、４，４’−ビフェニレン基、3，3’−ビフェニレン基、4，3’−ビフェニレン基などのビフェニレン基等があげられ、化合物の安定性の面から１，４−フェニレン基、１，３−フェニレン基、3，3’−ビフェニレン基、4，3’−ビフェニレン基、１、６−ナフチレン基が好ましく、１，３−フェニレン基、3，3’−ビフェニレン基、１、６−ナフチレン基が化合物の溶剤に対する溶解性の面から
特に好ましい。

炭素数３〜２５の芳香族複素環基の例としては、２、５−チエニレン基などのチエニレン基、２、５−フリレン基などのフリレン基、２、６−ピリジレン基などのピリジレン基、２，６−キノリレン基などのキノリレン基等が挙げられる。中でも２、６−ピリジレン基、２，６−キノリレン基が安定性の面から好ましい。
Ｌ^１が置換基を有していてもよい芳香環の場合、その置換基として、前記＜Ｒ^１〜Ｒ^３、ｍ、ｒ、ｓについて＞の項のＲ^１〜Ｒ^３の具体例に記載のものから選択して用いてもよい。

[３]式（２）について。
前記式（１）で表される化合物の中でも、ｍ−フェニレン基の導入により溶剤に対して高い溶解性を示す点で、下記式（２）で表される化合物が好ましい。

（式（２）中X¹〜X³は、CH又は窒素原子を表す。但し、X¹〜X³のいずれか一つは窒素原子を表す。Ｒ^１〜Ｒ^４は、各々独立に、炭素数５０以下、置換基を有していてもよいの有機基を表す。
Ｌ^１は、単結合又は炭素数２５以下の、置換基を有していてもよい芳香環基を表す。
ｎは１以上６以下の整数を表す。

ｍは０以上４以下の整数を表す。
ｐ、ｒ及びｓは、各々独立に０以上、４以下の整数を表す。
尚、一分子内に、複数のＲ^２〜Ｒ^４、及びＬ^１が含まれる場合、各々独立に、同じでもよく、また異なっていてもよい。）
[３−１] X¹〜X³について。

式（２）中のX¹〜X³は、前記式（１）のX¹〜X³と同義である。好ましい例も同様である。
[３−２] Ｒ^１〜Ｒ^４、並びに、ｍ、ｐ、ｒ及びｓについて。
ｍ、ｒ及びｓは、各々、前記式（１）におけるものと同義である。また、具体例、好ましい例も同様である。

また、Ｒ^１〜Ｒ^３は、各々、前記式（１）におけるものと同義である。また、具体例、好ましい例及びさらに有していてもよい置換基も同様である。
Ｒ^４は、カルバゾール環の窒素原子に結合したベンゼン環に結合する置換基であり、ｐはベンゼン環に結合するR^４の数を表す。ｐは、昇華精製での高純度化が容易である点で
、通常０以上、また通常４以下、好ましくは１以下の整数であり、ｐが０とはR^４がベン
ゼン環に置換しない事を意味する。また、ｐが２以上のとき、ベンゼン環に置換する複数
のR^４は、同一であっても異なっていてもよい。

［３−３］Ｌ^１について。
式（２）中、Ｌ^１は、前記式（１）におけるものと同義である。また、具体例、好ましい例及びさらに有していてもよい置換基も同様である。
[４]式（３）について。
式（２）で表される化合物の中でも、ガラス転移温度が高く、耐熱性に優れる点から下記式（３）で表される化合物であることが好ましい。

（式（３）中、X¹〜X³、はCH又は窒素原子表す。但し、X¹〜X³のいずれか一つは窒素原子を表す。
Ｒ^１２〜Ｒ^１４及びＲ^２２〜Ｒ^２４は、各々独立に、炭素数５０以下の、置換基を有していてもよい有機基を表す。Ｌ^１１及びＬ^１２は、各々独立に、単結合又は炭素数２５以下の、置換基を有していてもよい芳香環基を表す。

ｐ^１、ｒ^１、ｓ^１、ｐ^２、ｒ^２及びｓ^２は、各々独立に、０以上４以下の整数を表す。
尚、一分子内に、複数のＲ^１２〜Ｒ^１４及びＲ^２２〜Ｒ^２４が含まれる場合、各々独立に、同じでもよく、また異なっていてもよい。）
［４−１］X¹〜X³について。
式（３）中のX¹〜X³は、前記式（２）のX¹〜X³と同義である。好ましい例も同様である。

［４−２］Ｒ^１２〜Ｒ^１４及びＲ^２２〜Ｒ^２４、並びにｐ^１、ｒ^１、ｓ^１、ｐ^２、ｒ^２及びｓ^２について。
式（３）中のｐ^１、ｒ^１、ｓ^１、ｐ^２、ｒ^２及びｓ^２は、各々前記式（２）のｐ、ｒ及びｓと同義である。また、好ましい範囲も同様である。
式（３）中のＲ^１２〜Ｒ^１４及びＲ^２２〜Ｒ^２４は、前記式（２）のＲ^２〜Ｒ^４と同義である。また、具体例及び好ましい例も同様である。

［４−３］Ｌ^１１、及びＬ^１２について。
式（３）中のＬ^１１、及びＬ^１２は、各々独立に、炭素数２５以下の、置換基を有していてもよい芳香環基を表す。Ｌ^１１及びＬ^１２は、前記式（１）及び（２）のＬ^１の具体例、好ましい例及びその置換基と同様である。
Ｌ^１１、及びＬ^１２は、同一であっても異なっていてもよいが、分子の非対称性を高めて、溶剤に対する溶解度を向上させる点で、異なっていることが好ましい。

[５]式（４）について。
式（３）で表される化合物の中でも、好ましい態様であるＬ^１１及びＬ^１２が、異なる含窒素環化合物として、下記式（４）で表される化合物が好ましい。

（式（４）中、X¹〜X³は、CH又は窒素原子表す。但し、X¹〜X³のいずれか一つは窒素原子を表す。
Ｒ^１２〜Ｒ^１４及びＲ^２２〜Ｒ^２４は、各々独立に、置換基を有していてもよい炭素数５０以下の有機基を表す。Ｌ^１１は、単結合又は置換基を有していてもよい炭素数２５以下の芳香環基を表す。また、環Bはベンゼン環を表し、Ｌ’は単結合又は炭素数１９以下
の、置換基を有していてもよい芳香環基を表す。

尚、一分子内に、複数のＲ^１２〜Ｒ^１４及びＲ^２２〜Ｒ^２４が含まれる場合、各々独立に、同じでもよく、また異なっていてもよい。）
［５−１］X¹〜X³について。
式（４）中のX¹〜X³は、前記式（３）のX¹〜X³と同義である。好ましい例も同様である。

［５−２］ Ｒ^１２〜Ｒ^１４及びＲ^２２〜Ｒ^２４、並びにｐ^１、ｒ^１、ｓ^１、ｐ^２、ｒ
^２及びｓ^２について。
式（４）中のｐ^１、ｒ^１、ｓ^１、ｐ^２、ｒ^２及びｓ^２は、各々前記式（３）のｐ^１、ｒ^１、ｓ^１、ｐ^２、ｒ^２及びｓ^２と同義である。また、好ましい範囲も同様である。
式（４）中のＲ^１２〜Ｒ^１４及びＲ^２２〜Ｒ^２４は、前記式（３）のＲ^１２〜Ｒ^１４及びＲ^２２〜Ｒ^２４と同義である。また、具体例及び好ましい例も同様である。

［５−３］Ｌ^１１及びＬ’について。
式（４）中のＬ^１１は、各々独立に置換基を有していてもよい炭素数２５以下の芳香環基を表す。Ｌ^１１は、前記式（１）及び（２）のＬ^１の具体例、好ましい例及びその置換基と同様である。
式（４）中のＬ’は、単結合又は炭素数１９以下の、置換基を有していてもよい芳香環基を表す。尚、Ｌ’−環Bは、式（３）におけるＬ^１２に相当する。

炭素数１９以下の、置換基を有していてもよい芳香環基の具体例としては、炭素数６〜２５の芳香族炭化水素基、炭素数３〜２５の芳香族複素環基が挙げられる。芳香族炭化水素基が化合物の安定性の面から好ましい。
炭素数６〜１９の芳香族炭化水素基の例としては、１，４−フェニレン基、１，３−フェニレン基などのフェニレン基、１、６−ナフチレン基などのナフチレン基、３，９−フェナンチレン基などのフェナンチレン基、２，６−アントラニレン基、９、１０−アント
ラニレン基などのアントラニレン基、１、６−ピレニレン基などのピレニレン基、２，７−トリフェニレニル基などのトリフェニレニル基、４，４’−ビフェニレン基、3，3’−ビフェニレン基、4，3’−ビフェニレン基などのビフェニレン基等があげられ、化合物の安定性の面から１，４−フェニレン基、１，３−フェニレン基、3，3’−ビフェニレン基、4，3’−ビフェニレン基、１、６−ナフチレン基が好ましく、１，３−フェニレン基、3，3’−ビフェニレン基、１、６−ナフチレン基が化合物の溶解性の面から特に好ましい。

炭素数３〜１９の芳香族複素環基の例としては、２、５−チエニレン基などのチエニレン基、２、５−フリレン基などのフリレン基、２、６−ピリジレン基などのピリジレン基、２，６−キノリレン基などのキノリレン基等が挙げられる。中でも２、６−ピリジレン基、２，６−キノリレン基が安定性の面から好ましい。
[６]分子量
本発明の含窒素複素環化合物の分子量は、通常７０００以下であり、化合物の精製の容易さを考えた場合、好ましくは分子量５０００以下であり、溶剤に対する溶解性を考慮した場合特に好ましくは３０００以下、昇華精製による高純度化を考えた場合最も好ましくは１５００以下である。

本発明の含窒素複素環化合物の分子量は、通常１００以上であり、化合物の熱的安定性を考えた場合、好ましくは分子量５００以上である。
[７]物性
本発明の含窒素複素環化合物におけるガラス転移温度は、通常９０℃以上、好ましくは１００℃以上、更に好ましくは１２０℃以上、また通常５００℃以下、好ましくは２５０℃以下、更に好ましくは２００℃以下である。上記範囲内であると、耐熱性に優れ、得られる素子の駆動寿命が長くなるため好ましい。

また、溶剤への溶解度は、室温で通常０．１重量％以上、好ましくは１重量％以上、更に好ましくは５重量％以上、また通常３０重量％以下である。上記範囲内であると、湿式成膜法で膜を形成する場合に、均一な膜が得られ、素子とした場合にクラッキングや短絡などが生じにくくなる点で好ましい。
[８]例示化合物
本発明の含窒素複素環化合物の好ましい具体例を挙げるが、本発明の含窒素複素環化合物は以下の例示化合物に限定されるものではない。

[９]製造方法
＜合成法＞
本発明の含窒素複素環化合物の製造方法は特には制限されず、本発明の含窒素複素環化合物が得られる限り任意である。例えば本発明の式（１）で表される化合物は、アミノベンゾニトリル誘導体と金属触媒を用いたカップリング反応、続くベンゾイルハライド誘導体とのカップリング反応を用いることにより合成できる。

例えば、含窒素複素環のX²位にリンカーLを介してフェニルカルバゾールが、6位にフェニルカルバゾールが置換した化合物の場合は、以下のスキームに従い合成することが可能
である。

（上式中、R¹は、前記式（１）、（２）及び（３）と同義であり、Lはリンカー、Mは金属元子、Xはハロゲン原子又はトリフルオロメタンスルホン酸エステル基を表す。）
以下に、上記スキーム中に示した素反応について説明する。
＜含窒素複素環形成反応＞
不活性ガス雰囲気下、有機金属試薬１モルと、アミノベンゾニトリル誘導体１モルを反応させ、アセチル基を有する化合物０．５〜１０モルを極性又は無極性の溶剤に溶解又は懸濁させ、攪拌しながら０〜１５０度の温度を加える事により含窒素複素環を含んだ基質の混合物を得る。混合物からの精製は、蒸留、濾過、抽出、再結晶、再沈殿、懸濁洗浄、クロマトグラフィーの操作を組み合わせることにより精製することができる。

溶剤としては、基質を溶解させるものであれば特に制限はないが、ヘキサン、シクロヘキサン等の非ベンゼン系無極性溶剤、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド等のアミド系溶剤、ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサン、ジエチレングリコールジメチルエーテル等のエーテル系溶剤、メタノール、エタノールなどのアルコール系溶剤、酢酸、酪酸、ポリリン酸などの酸性系溶剤等を用いて反応を行うことが好ましく、酢酸等の酸性溶剤が特に好ましい。

＜カップリング反応＞
フェニルカルバゾールの硼素試薬１モルと含窒素複素環基質を有するハロゲン化物又はトリフルオロメタンスルホン酸エステル試薬０．７５〜５モルを遷移金属元素触媒を用いて、塩基存在下で無極性又は極性溶剤中で反応させることにより基質のカップリングした混合物を得ることができる混合物からの精製は、蒸留、濾過、抽出、再結晶、再沈殿、懸濁洗浄、クロマトグラフィーの操作を組み合わせることにより精製することができる。

遷移金属元素触媒としては、有機パラジウム触媒、有機ニッケル触媒、有機銅触媒、有機白金触媒、有機ロジウム触媒、有機ルテニウム触媒、有機イリジウム触媒などがあげられ、反応の簡便さや反応収率の高さから有機パラジウム触媒が好ましい。
塩基は、特に限定はしないが、金属水酸化物、金属塩、有機アルカリ金属試薬などが好ましい。

使用する溶剤としては、反応基質に対して活性である溶剤以外であれば特に限定はしないが、ヘキサン、ヘプタン、シクロヘキサン等の非芳香族炭化水素系溶剤、ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素系溶剤、ジメトキシエタン、テトラヒドロフラン、ジオキサン等のエーテル系溶剤、エタノール、プロパノール等のアルコール系溶剤、水等
を単一又は混合して使用することができる。
又必要であれば界面活性剤を1-100mol%加えることもできる。

[１０]含窒素化合物の用途
本発明の含窒素複素環化合物は、高い電荷輸送能を有するため、電荷輸送材料として電子写真感光体、有機電界発光素子、光電変換素子、有機太陽電池、有機整流素子等に好適に使用できる。例えば、本発明の含窒素複素環化合物は、有機電界発光素子の発光層において、ドーパント材料、とりわけ赤色燐光発光材料のホスト材料として有用である。

特に、本発明の含窒素複素環化合物は、種々の溶剤に対する溶解性に優れると共に、非晶性を有するため、湿式成膜法による薄膜形成が可能であることから、湿式成膜法に適用される有機電界発光素子用材料として好適であり、本発明の含窒素複素環化合物よりなる有機電界発光素子用材料、或いは本発明の含窒素複素環化合物を含む有機電界発光素子用組成物を用いて、湿式成膜法により駆動安定性に優れ、かつ低い駆動電圧で駆動可能な有機電界発光素子を製造することができる。

[有機電界発光素子用組成物]
本発明の有機電界発光素子用組成物は、前述の本発明の含窒素複素環化合物を含むものであり、通常、本発明の含窒素複素環化合物と溶剤とを含み、更に好ましくは燐光発光材料を含むものであり、有機電界発光素子に使用される。
[１]溶剤
有機電界発光素子用組成物は、さらに溶剤を含有する。

ここで溶剤とは、湿式成膜により発光層を形成するために用いる、揮発性を有する液体成分である。
溶剤は、溶質が良好に溶解する溶剤であれば特に限定されないが、以下の例が好ましい。
例えば、ｎ−デカン、シクロヘキサン、エチルシクロヘキサン、デカリン、ビシクロヘキサン等のアルカン類；トルエン、キシレン、メチシレン、シクロヘキシルベンゼン、テトラリン等の芳香族炭化水素類；クロロベンゼン、ジクロロベンゼン、トリクロロベンゼン等のハロゲン化芳香族炭化水素類；１，２−ジメトキシベンゼン、１，３−ジメトキシベンゼン、アニソール、フェネトール、２−メトキシトルエン、３−メトキシトルエン、４−メトキシトルエン、２，３−ジメチルアニソール、２，４−ジメチルアニソール、ジフェニルエーテル等の芳香族エーテル類；酢酸フェニル、プロピオン酸フェニル、安息香酸メチル、安息香酸エチル、安息香酸エチル、安息香酸プロピル、安息香酸ｎ−ブチル等の芳香族エステル類、シクロヘキサノン、シクロオクタノン、フェンコン等の脂環族ケトン類；シクロヘキサノール、シクロオクタノール等の脂環族アルコール類；メチルエチルケトン、ジブチルケトン等の脂肪族ケトン類；ブタノール、ヘキサノール等の脂肪族アルコール類；エチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、プロピレングリコール−１−モノメチルエーテルアセタート（ＰＧＭＥＡ）等の脂肪族エーテル類；等が挙げられる。

中でも好ましくは、アルカン類や芳香族炭化水素類である。これらの溶剤は１種類を単独で用いてもよく、また２種類以上を任意の組み合わせ、及び比率で用いてもよい。
用いられる溶剤の沸点は、通常１００℃以上、好ましくは１４０℃以上、さらに好ましくは２００℃以上、また通常４００℃以下、好ましくは３００℃以下、さらに好ましくは２６０℃以下である。この範囲内であると、乾燥速度が適度であるため良好な膜質を得られ、さらに乾燥工程での加熱温度が高くなりにくく、他の有機層やガラス基板などに影響を与えにくくなるため好ましい。

[２]発光材料
本発明の有機電界発光素子用組成物は、発光材料を含むことが好ましい。本発明における発光材料とは、主として発光する成分を示し、ドーパント成分に当たる。即ち、有機電界発光素子用組成物から発せられる光量（単位：ｃｄ／ｍ^２）の内、通常１０〜１００％、好ましくは２０〜１００％、より好ましくは５０〜１００％、最も好ましくは８０〜１００％が、ある成分材料からの発光と同定される場合、それを発光材料と定義する。

組成物から発せられる光量の測定は、作製した有機電界発光素子に、フォトダイオードが光を認識できる任意の電圧を印加したときのＰＬスペクトルをフォトダイオードにより観察する。
発光材料としては、公知材料を適用可能であり、蛍光発光材料或いは燐光発光材料を単独若しくは複数を混合して使用できるが、内部量子効率の観点から、好ましくは、燐光発光材料である。

本発明の有機電界発光素子用組成物に使用する場合、この発光材料の最大発光ピーク波長は３９０〜４９０ｎｍの範囲にあることが好ましい。
なお、溶剤への溶解性を向上させる目的で、発光材料における分子の対称性や剛性を低下させたり、或いはアルキル基などの親油性置換基を導入したりすることも、重要である。

青色発光を与える蛍光色素としては、ペリレン、ピレン、アントラセン、クマリン、ｐ−ビス（２−フェニルエテニル）ベンゼン及びそれらの誘導体等が挙げられる。緑色蛍
光色素としては、キナクリドン誘導体、クマリン誘導体等が挙げられる。黄色蛍光色素としては、ルブレン、ペリミドン誘導体等が挙げられる。赤色蛍光色素としては、ＤＣＭ系化合物、ベンゾピラン誘導体、ローダミン誘導体、ベンゾチオキサンテン誘導体、アザベンゾチオキサンテン等が挙げられる。

燐光発光材料としては、例えば周期表７ないし１１族から選ばれる金属を含む有機金属錯体が挙げられる。
周期表７ないし１１族から選ばれる金属を含む燐光性有機金属錯体における金属として好ましくは、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、銀、レニウム、オスミウム、イリジウム、白金、金等が挙げられる。これらの有機金属錯体として、好ましくは下記一般式（Ｖ）又は式（VI）で表される化合物が挙げられる。

ＭＱ_{（ｑ−ｊ）}Ｑ’_ｊ （Ｖ）
（一般式（Ｖ）中、Ｍは金属を表し、ｑは上記金属の価数を表す。また、Ｑ及びＱ’は二座配位子を表す。ｊは０、１又は２を表す。）

（一般式（VI）中、Ｍ^ｄは金属を表し、Ｔは炭素又は窒素を表す。Ｒ^９２〜Ｒ^９５は、それぞれ独立に、置換基を表す。ただし、Ｔが窒素の場合は、Ｒ^９４及びＲ^９５は無い。）
以下、まず、一般式（Ｖ）で表される化合物について説明する。
一般式（Ｖ）中、Ｍは任意の金属を表し、好ましいものの具体例としては、周期表７ないし１１族から選ばれる金属として前述した金属が挙げられる。

また、一般式（Ｖ）中の二座配位子Ｑ及びＱ’は、それぞれ、以下の部分構造を有する配位子を示す。

Ｑ’として、錯体の安定性の観点から、特に好ましくは、下記のものが挙げられる。

上記Ｑ，Ｑ’の部分構造において、環Ａ１は、芳香族炭化水素基又は芳香族複素環基を表し、これらは置換基を有していてもよい。また、環Ａ２は、含窒素芳香族複素環基を表し、これらは置換基を有していてもよい。
環Ａ１，Ａ２が置換基を有する場合、好ましい置換基としては、フッ素原子等のハロゲン原子；メチル基、エチル基等のアルキル基；ビニル基等のアルケニル基；メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基等のアルコキシカルボニル基；メトキシ基、エトキシ基等のアルコキシ基；フェノキシ基、ベンジルオキシ基などのアリールオキシ基；ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基等のジアルキルアミノ基；ジフェニルアミノ基等のジアリールアミノ基；カルバゾリル基；アセチル基等のアシル基；トリフルオロメチル基等のハロアルキル基；シアノ基；フェニル基、ナフチル基、フェナンチル基等の芳香族炭化水素基等が挙げられる。

一般式（Ｖ）で表される化合物として、さらに好ましくは、下記一般式（Ｖａ）、（Ｖｂ）、（Ｖｃ）で表される化合物が挙げられる。

（一般式（Ｖａ）中、Ｍ^ａはＭと同様の金属を表し、ｗは上記金属の価数を表す。また、環Ａ１は置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基を表し、環Ａ２は置換基を有していてもよい含窒素芳香族複素環基を表す。）

（一般式（Ｖｂ）中、Ｍ^ｂはＭと同様の金属を表し、ｗは上記金属の価数を表す。また、環Ａ１は置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基又は置換基を有していてもよい芳香族複素環基を表し、環Ａ２は置換基を有していてもよい含窒素芳香族複素環基を表す。
）

（一般式（Ｖｃ）中、Ｍ^ｃはＭと同様の金属を表し、ｗは上記金属の価数を表す。また、ｊは０、１又は２を表す。さらに、環Ａ１及び環Ａ１’は、それぞれ独立に、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基又は置換基を有していてもよい芳香族複素環基を表す。また、環Ａ２及び環Ａ２’は、それぞれ独立に、置換基を有していてもよい含窒素芳香族複素環基を表す。）
上記一般式（Ｖａ）、（Ｖｂ）、（Ｖｃ）において、環Ａ１及び環Ａ１’の基としては、好ましくは、例えばフェニル基、ビフェニル基、ナフチル基、アントリル基、チエニル基、フリル基、ベンゾチエニル基、ベンゾフリル基、ピリジル基、キノリル基、イソキノリル基、カルバゾリル基等が挙げられる。

また、環Ａ２、環Ａ２’の基としては、好ましくは、例えばピリジル基、ピリミジル基、ピラジル基、トリアジル基、ベンゾチアゾール基、ベンゾオキサゾール基、ベンゾイミダゾール基、キノリル基、イソキノリル基、キノキサリル基、フェナントリジル基等が挙げられる。
更に、一般式（Ｖａ）、（Ｖｂ）、（Ｖｃ）で表される化合物が有していてもよい置換基としては、フッ素原子等のハロゲン原子；メチル基、エチル基等のアルキル基；ビニル基等のアルケニル基；メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基等のアルコキシカルボニル基；メトキシ基、エトキシ基等のアルコキシ基；フェノキシ基、ベンジルオキシ基などのアリールオキシ基；ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基等のジアルキルアミノ基；ジフェニルアミノ基等のジアリールアミノ基；カルバゾリル基；アセチル基等のアシル基；トリフルオロメチル基等のハロアルキル基；シアノ基等が挙げられる。

上記置換基がアルキル基である場合は、その炭素数は通常１以上６以下である。さらに、置換基がアルケニル基である場合は、その炭素数は通常２以上６以下である。また、置換基がアルコキシカルボニル基である場合は、その炭素数は通常２以上６以下である。さらに、置換基がアルコキシ基である場合は、その炭素数は通常１以上６以下である。また、置換基がアリールオキシ基である場合は、その炭素数は通常６以上１４以下である。さらに、置換基がジアルキルアミノ基である場合は、その炭素数は通常２以上２４以下である。また、置換基がジアリールアミノ基である場合は、その炭素数は通常１２以上２８以下である。さらに、置換基がアシル基である場合は、その炭素数は通常１以上１４以下である。また、置換基がハロアルキル基である場合は、その炭素数は通常１以上１２以下である。

なお、これら置換基は互いに連結して環を形成してもよい。具体例としては、環Ａ１が
有する置換基と環Ａ２が有する置換基とが結合するか、又は、環Ａ１’が有する置換基と環Ａ２’が有する置換基とが結合するかして、一つの縮合環を形成してもよい。このような縮合環基としては、７，８−ベンゾキノリン基等が挙げられる。
中でも、環Ａ１、環Ａ１’、環Ａ２及び環Ａ２’の置換基として、より好ましくはアルキル基、アルコキシ基、芳香族炭化水素基、シアノ基、ハロゲン原子、ハロアルキル基、ジアリールアミノ基、カルバゾリル基が挙げられる。

また、一般式（Ｖａ）、（Ｖｂ）、（Ｖｃ）におけるＭ^ａ，Ｍ^ｂ，Ｍ^ｃとして好ましくは、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、銀、レニウム、オスミウム、イリジウム、白金又は金が挙げられる。
上記一般式（Ｖ）、（Ｖａ）、（Ｖｂ）又は（Ｖｃ）で示される有機金属錯体の具体例を以下に示すが、下記の化合物に限定されるものではない（以下において、Ｐｈはフェニル基を表す。）。

上記一般式（Ｖ）、（Ｖａ）、（Ｖｂ）、（Ｖｃ）で表される有機金属錯体の中でも、特に、配位子Ｑ及び／又はＱ’として２−アリールピリジン系配位子、即ち、２−アリールピリジン、これに任意の置換基が結合したもの、及び、これに任意の基が縮合してなるものを有する化合物が好ましい。
また、国際公開第２００５／０１９３７３号パンフレットに記載の化合物も使用することができる。

次に、前記一般式（VI）で表される化合物について説明する。
一般式（VI）中、Ｍ^ｄは金属を表し、具体例としては、周期表７ないし１１族から選ばれる金属として前述した金属が挙げられる。中でも好ましくは、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、銀、レニウム、オスミウム、イリジウム、白金又は金が挙げられ、特に好ましくは、白金、パラジウム等の２価の金属が挙げられる。

また、一般式（VI）において、Ｒ^９２及びＲ^９３は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アラルキル基、アルケニル基、シアノ基、アミノ基、アシル基、アルコキシカルボニル基、カルボキシル基、アルコキシ基、アルキルアミノ基、アラルキルアミノ基、ハロアルキル基、水酸基、アリールオキシ基、芳香族炭化水素基又は芳香族複素環基を表す。

さらに、Ｔが炭素の場合、Ｒ^９４及びＲ^９５は、それぞれ独立に、Ｒ^９２及びＲ^９３と同様の例示物で表される置換基を表す。また、前述の如く、Ｔが窒素の場合はＲ^９４及びＲ^９５は無い。
また、Ｒ^９２〜Ｒ^９５はさらに置換基を有していてもよい。この場合のさらに有していてもよい置換基には特に制限はなく、任意の基を置換基とすることができる。

さらに、Ｒ^９２〜Ｒ^９５は互いに連結して環を形成してもよく、この環が更に任意の置換基を有していてもよい。
一般式（VI）で表される有機金属錯体の具体例（Ｔ−１，Ｔ−１０〜Ｔ−１５）を以下に示すが、下記の例示化合物に限定されるものではない。なお、以下において、Ｍｅはメチル基を表し、Ｅｔはエチル基を表す。

［３］その他の成分
本発明の有機電界発光素子用組成物中には、前述した溶剤及び発光材料以外にも、必要に応じて、各種の他の溶剤を含んでいてもよい。このような他の溶剤としては、例えば、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド等のアミド類、ジメチルスルホキシド等が挙げられる。

また、レベリング剤や消泡剤等の各種添加剤を含んでいてもよい。
また、２層以上の層を湿式成膜法により積層する際に、これらの層が相溶することを防ぐため、成膜後に硬化させて不溶化させる目的で光硬化性樹脂や、熱硬化性樹脂を含有させておくこともできる。
[４]組成物中の各々の割合
有機電界発光素子用組成物中の本発明のキナゾリン系化合物、発光材料及び必要に応じて添加可能な成分（レベリング剤など）などの固形分濃度は、通常０．０１重量％以上、
好ましくは０．０５重量％以上、より好ましくは０．１重量％以上、さらに好ましくは０．５重量％以上、最も好ましくは１重量％以上であり、通常８０重量％以下、好ましくは５０重量％以下、より好ましくは４０重量％以下、さらに好ましくは３０重量％以下、最も好ましくは２０重量％以下である。この濃度が下限を下回ると、薄膜を形成する場合、厚膜を形成するのが困難となり、上限を超えると、薄膜を形成するのが困難となる恐れがある。

また、本発明の有機電界発光素子用組成物において、発光材料／含窒素複素環化合物の重量混合比は、通常、０．１／９９．９以上であり、より好ましくは０．５／９９．５以上であり、更に好ましくは１／９９以上であり、最も好ましくは２／９８以上で、通常、５０／５０以下であり、より好ましくは４０／６０以下であり、更に好ましくは３０／７０以下であり、最も好ましくは２０／８０以下である。この比が下限を下回ったり、上限を超えたりすると、著しく発光効率が低下する恐れがある。

また、溶剤の含有量は、本発明の含窒素複素環化合物１００重量部に対して、好ましくは１０重量部以上、より好ましくは５０重量部以上、特に好ましくは８０重量部以上、また、好ましくは９９．９５重量部以下、より好ましくは９９．９重量部以下、特に好ましくは９９．８重量部以下である。
上記範囲内であると、湿式成膜法で膜を形成する場合に、膜均一性に優れ、また成膜後の膜の厚みが十分に得られるため好ましい。

[５]有機電界発光素子用組成物の性状及び物性等について。
・水分濃度
具体的には、本発明の有機電界発光素子用組成物中に含まれる水分量は、通常１重量％以下、好ましくは０．１重量％以下、より好ましくは０．０１重量％以下である。また、組成物中に含まれる水分は少ない方がよいので、下限値は理想的には０である。

有機電界発光素子用組成物中の水分濃度の測定方法としては、日本工業規格「化学製品の水分測定法」（ＪＩＳ Ｋ００６８：２００１）に記載の方法が好ましく、例えば、カールフィッシャー試薬法（ＪＩＳ Ｋ０２１１−１３４８）等により分析することができる。
（物性）
本発明の有機電界発光素子用組成物の粘度については、極端に低粘度の場合は、例えば成膜工程における過度の液膜流動による塗面不均一、インクジェット成膜におけるノズル吐出不良等が起こりやすくなり、極端に高粘度の場合は、インクジェット成膜におけるノズル目詰まり等が起こりやすくなる。このため、本発明の組成物の２５℃における粘度は、通常２ｍＰａ・ｓ以上、好ましくは３ｍＰａ・ｓ以上、より好ましくは５ｍＰａ・ｓ以上であり、通常１０００ｍＰａ・ｓ以下、好ましくは１００ｍＰａ・ｓ以下、より好ましくは５０ｍＰａ・ｓ以下である。

また、本発明の有機電界発光素子用組成物の表面張力が高い場合は、基板に対する成膜用液の濡れ性が低下する、液膜のレベリング性が悪く、乾燥時の成膜面乱れが起こりやすくなる等の問題が発生する場合があるため、本発明の組成物の２０℃における表面張力は、通常５０ｍＮ／ｍ未満、好ましくは４０ｍＮ／ｍ未満である。
更に、本発明の有機電界発光素子用組成物の蒸気圧が高い場合は、溶剤の蒸発による溶質濃度の変化等の問題が起こりやすくなる場合がある。このため、本発明の組成物の２５℃における蒸気圧は、通常５０ｍｍＨｇ以下、好ましくは１０ｍｍＨｇ以下、より好ましくは１ｍｍＨｇ以下である。

[有機電界発光素子]
本発明の有機電界発光素子は、基板上に陽極、陰極、及びこれら両極間に設けられた有機層を有するものであって、この有機層に本発明の含窒素複素環化合物を含有することを特徴とする。該含窒素複素環化合物を含有する層は、本発明の有機電界発光素子用材料又は有機電界発光素子用組成物を用いて形成されることが好ましい。また、本発明の含窒素複素環化合物を含有する有機層は、発光層であることが好ましい。また、該含窒素複素環化合物を含有する層に、有機金属錯体がドープされていることが好ましい。この有機金属錯体としては、前記発光材料として例示したものを使用できる。

図１は本発明にかかる有機電界発光素子の構造例を示す断面の模式図であり、図１において、１は基板、２は陽極、３は正孔注入層、４は正孔輸送層、５は発光層、６は正孔阻止層、７は電子輸送層、８は電子注入層、９は陰極を各々表す。
尚、本発明において湿式成膜法とは、例えば、スピンコート法、ディップコート法、ダイコート法、バーコート法、ブレードコート法、ロールコート法、スプレーコート法、キャピラリーコート法、インクジェット法、スクリーン印刷法、グラビア印刷法、フレキソ印刷法等湿式で成膜される方法をいう。これらの成膜方法の中でも、スピンコート法、スプレーコート法、インクジェット法が好ましい。これは、有機電界発光素子に用いられる塗布用組成物特有の液性に合うためである。

｛基板｝
基板１は有機電界発光素子の支持体となるものであり、石英やガラスの板、金属板や金属箔、プラスチックフィルムやシート等が用いられる。特にガラス板や、ポリエステル、ポリメタクリレート、ポリカーボネート、ポリスルホン等の透明な合成樹脂の板が好ましい。合成樹脂基板を使用する場合にはガスバリア性に留意する必要がある。基板のガスバリア性が小さすぎると、基板を通過した外気により有機電界発光素子が劣化することがあるので好ましくない。このため、合成樹脂基板の少なくとも片面に緻密なシリコン酸化膜等を設けてガスバリア性を確保する方法も好ましい方法の一つである。

｛陽極｝
陽極２は発光層側の層への正孔注入の役割を果たすものである。
この陽極２は、通常、アルミニウム、金、銀、ニッケル、パラジウム、白金等の金属、インジウム及び／又はスズの酸化物等の金属酸化物、ヨウ化銅等のハロゲン化金属、カーボンブラック、或いは、ポリ（３−メチルチオフェン）、ポリピロール、ポリアニリン等の導電性高分子等により構成される。

陽極２の形成は通常、スパッタリング法、真空蒸着法等により行われることが多い。また、銀等の金属微粒子、ヨウ化銅等の微粒子、カーボンブラック、導電性の金属酸化物微粒子、導電性高分子微粉末等を用いて陽極２を形成する場合には、適当なバインダー樹脂溶液に分散させて、基板１上に塗布することにより陽極２を形成することもできる。さらに、導電性高分子の場合は、電解重合により直接基板１上に薄膜を形成したり、基板１上に導電性高分子を塗布して陽極２を形成することもできる（Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．，６０巻，２７１１頁，１９９２年）。

陽極２は通常は単層構造であるが、所望により複数の材料からなる積層構造とすることも可能である。
陽極２の厚みは、必要とする透明性により異なる。透明性が必要とされる場合は、可視光の透過率を、通常６０％以上、好ましくは８０％以上とすることが好ましい。この場合、陽極２の厚みは通常５ｎｍ以上、好ましくは１０ｎｍ以上であり、また、通常１０００ｎｍ以下、好ましくは５００ｎｍ以下程度である。不透明でよい場合は陽極２の厚みは任意であり、陽極２は基板１と同一でもよい。また、さらには、上記の陽極２の上に異なる導電材料を積層することも可能である。

陽極２に付着した不純物を除去し、イオン化ポテンシャルを調整して正孔注入性を向上させることを目的に、陽極２表面を紫外線（ＵＶ）／オゾン処理したり、酸素プラズマ、アルゴンプラズマ処理したりすることは好ましい。
｛正孔注入層｝
正孔注入層３は、陽極２から発光層５へ正孔を輸送する層であり、通常、陽極２上に形成される。

本発明に係る正孔注入層３の形成方法は真空蒸着法でも、湿式成膜法でもよく、特に制限はないが、ダークスポット低減の観点から正孔注入層３を湿式成膜法により形成することが好ましい。
正孔注入層３の膜厚は、通常５ｎｍ以上、好ましくは１０ｎｍ以上、また、通常１０００ｎｍ以下、好ましくは５００ｎｍ以下の範囲である。

＜湿式成膜法による正孔注入層の形成＞
湿式成膜により正孔注入層３を形成する場合、通常は、正孔注入層３を構成する材料を適切な溶剤（正孔注入層用溶剤）と混合して成膜用の組成物（正孔注入層形成用組成物）を調製し、この正孔注入層形成用組成物を適切な手法により、正孔注入層３の下層に該当する層（通常は、陽極）上に塗布して、乾燥することにより正孔注入層３を形成する。

（正孔輸送性化合物）
正孔注入層形成用組成物は通常、正孔注入層の構成材料として正孔輸送性化合物及び溶剤を含有する。
正孔輸送性化合物は、通常、有機電界発光素子の正孔注入層に使用される、正孔輸送性を有する化合物であれば、重合体などの高分子化合物であっても、単量体などの低分子化合物であってもよいが、高分子化合物であることが好ましい。

正孔輸送性化合物としては、陽極２から正孔注入層３への電荷注入障壁の観点から４．５ｅＶ〜６．０ｅＶのイオン化ポテンシャルを有する化合物が好ましい。正孔輸送性化合物の例としては、芳香族アミン誘導体、フタロシアニン誘導体、ポルフィリン誘導体、オリゴチオフェン誘導体、ポリチオフェン誘導体、ベンジルフェニル誘導体、フルオレン基で３級アミンを連結した化合物、ヒドラゾン誘導体、シラザン誘導体、シラナミン誘導体、ホスファミン誘導体、キナクリドン誘導体、ポリアニリン誘導体、ポリピロール誘導体、ポリフェニレンビニレン誘導体、ポリチエニレンビニレン誘導体、ポリキノリン誘導体、ポリキノキサリン誘導体、カーボン等が挙げられる。

尚、本発明において誘導体とは、例えば、芳香族アミン誘導体を例にするならば、芳香族アミンそのもの及び芳香族アミンを主骨格とする化合物を含むものであり、重合体であっても、単量体であってもよい。
正孔注入層３の材料として用いられる正孔輸送性化合物は、このような化合物のうち何れか１種を単独で含有していてもよく、２種以上を含有していてもよい。２種以上の正孔輸送性化合物を含有する場合、その組み合わせは任意であるが、芳香族三級アミンポリマー１種又は２種以上と、その他の正孔輸送性化合物１種又は２種以上とを併用することが好ましい。

上記例示した中でも非晶性、可視光の透過率の点から、芳香族アミン化合物が好ましく、特に芳香族三級アミン化合物が好ましい。ここで、芳香族三級アミン化合物とは、芳香族三級アミン構造を有する化合物であって、芳香族三級アミン由来の基を有する化合物も含む。
芳香族三級アミン化合物の種類は特に制限されないが、表面平滑化効果による均一な発
光の点から、重量平均分子量が１０００以上、１００００００以下の高分子化合物（繰り返し単位が連なる重合型化合物）がさらに好ましい。芳香族三級アミンポリマーの好ましい例として、下記式（Ｉ）で表される繰り返し単位を有する高分子化合物が挙げられる。

（式（Ｉ）中、Ａｒ^１及びＡｒ^２は、各々独立して、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基又は置換基を有していてもよい芳香族複素環基を表す。Ａｒ^３〜Ａｒ^５は、各々独立して、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基又は置換基を有していてもよい芳香族複素環基を表す。Ｙは、下記の連結基群の中から選ばれる連結基を表す。また、Ａｒ^１〜Ａｒ^５のうち、同一のＮ原子に結合する二つの基は互いに結合して環を形成してもよい。

（上記各式中、Ａｒ^６〜Ａｒ^１６は、各々独立して、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基又は置換基を有していてもよい芳香族複素環基を表す。Ｒ^１及びＲ^２は、各々独立して、水素原子又は任意の置換基を表す。））
Ａｒ^１〜Ａｒ^１６の芳香族炭化水素基及び芳香族複素環基としては、高分子化合物の溶解性、耐熱性、正孔注入・輸送性の点から、ベンゼン環、ナフタレン環、フェナントレン環、チオフェン環、ピリジン環由来の基が好ましく、ベンゼン環、ナフタレン環由来の基がさらに好ましい。

Ａｒ^１〜Ａｒ^１６の芳香族炭化水素基及び芳香族複素環基は、さらに置換基を有してい
てもよい。置換基の分子量としては、通常４００以下、中でも２５０以下程度が好ましい。置換基としては、アルキル基、アルケニル基、アルコキシ基、芳香族炭化水素基、芳香族複素環基などが好ましい。
Ｒ^１及びＲ^２が任意の置換基である場合、該置換基としては、アルキル基、アルケニル基、アルコキシ基、シリル基、シロキシ基、芳香族炭化水素基、芳香族複素環基などが挙げられる。

式（Ｉ）で表される繰り返し単位を有する芳香族三級アミンポリマーの具体例としては、国際公開第２００５／０８９０２４号パンフレットに記載のものが挙げられる。
また、正孔輸送性化合物としては、ポリチオフェンの誘導体である3,4-ethylenedioxythiophene（3,4-エチレンジオキシチオフェン）を高分子量ポリスチレンスルホン酸中で重合してなる導電性ポリマー（PEDOT/PSS）もまた好ましい。また、このポリマーの末端を
メタクリレート等でキャップしたものであってもよい。

正孔注入層形成用組成物中の、正孔輸送性化合物の濃度は本発明の効果を著しく損なわない限り任意であるが、膜厚の均一性の点で通常０．０１重量％以上、好ましくは０．１重量％以上、さらに好ましくは０．５重量％以上、また、通常７０重量％以下、好ましくは６０重量％以下、さらに好ましくは５０重量％以下である。この濃度が大きすぎると膜厚ムラが生じる可能性があり、また、小さすぎると成膜された正孔注入層に欠陥が生じる可能性がある。

（電子受容性化合物）
正孔注入層形成用組成物は正孔注入層の構成材料として、電子受容性化合物を含有していることが好ましい。
電子受容性化合物とは、酸化力を有し、上述の正孔輸送性化合物から一電子受容する能力を有する化合物が好ましく、具体的には、電子親和力が４ｅＶ以上である化合物が好ましく、５ｅＶ以上の化合物である化合物がさらに好ましい。

このような電子受容性化合物としては、例えば、トリアリールホウ素化合物、ハロゲン化金属、ルイス酸、有機酸、オニウム塩、アリールアミンとハロゲン化金属との塩、アリールアミンとルイス酸との塩よりなる群から選ばれる１種又は２種以上の化合物等が挙げられる。さらに具体的には、４−イソプロピル−４’−メチルジフェニルヨードニウムテトラキス（ペンダフルオロフェニル）ボラート、トリフェニルスルホニウムテトラフルオロボラート等の有機基の置換したオニウム塩（国際公開２００５／０８９０２４号パンフレット）；塩化鉄（III）（特開平１１−２５１０６７号公報）、ペルオキソ二硫酸アン
モニウム等の高原子価の無機化合物；テトラシアノエチレン等のシアノ化合物、トリス（ペンダフルオロフェニル）ボラン（特開２００３−３１３６５号公報）等の芳香族ホウ素化合物；フラーレン誘導体；ヨウ素；ポリスチレンスルホン酸イオン、アルキルベンゼンスルホン酸イオン、ショウノウスルホン酸イオン等のスルホン酸イオン等が挙げられる。

これらの電子受容性化合物は、正孔輸送性化合物を酸化することにより正孔注入層の導電率を向上させることができる。
正孔注入層或いは正孔注入層形成用組成物中の電子受容性化合物の正孔輸送性化合物に対する含有量は、通常０．１モル％以上、好ましくは１モル％以上である。但し、通常１００モル％以下、好ましくは４０モル％以下である。

（その他の構成材料）
正孔注入層の材料としては、本発明の効果を著しく損なわない限り、上述の正孔輸送性化合物や電子受容性化合物に加えて、さらに、その他の成分を含有させてもよい。その他の成分の例としては、各種の発光材料、電子輸送性化合物、バインダー樹脂、塗布性改良
剤などが挙げられる。なお、その他の成分は、１種のみを用いてもよく、２種以上を任意の組み合わせ及び比率で併用してもよい。

（溶剤）
湿式成膜法に用いる正孔注入層形成用組成物の溶剤のうち少なくとも１種は、上述の正孔注入層の構成材料を溶解しうる化合物であることが好ましい。また、この溶剤の沸点は通常１１０℃以上、好ましくは１４０℃以上、中でも２００℃以上、通常４００℃以下、中でも３００℃以下であることが好ましい。溶剤の沸点が低すぎると、乾燥速度が速すぎ、膜質が悪化する可能性がある。また、溶剤の沸点が高すぎると乾燥工程の温度を高くする必要があり、他の層や基板に悪影響を与える可能性がある。

溶剤として例えば、エーテル系溶剤、エステル系溶剤、芳香族炭化水素系溶剤、アミド系溶剤などが挙げられる。
エーテル系溶剤としては、例えば、エチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、プロピレングリコール−１−モノメチルエーテルアセタート（ＰＧＭＥＡ）等の脂肪族エーテル；１，２−ジメトキシベンゼン、１，３−ジメトキシベンゼン、アニソール、フェネトール、２−メトキシトルエン、３−メトキシトルエン、４−メトキシトルエン、２，３−ジメチルアニソール、２，４−ジメチルアニソール等の芳香族エーテル、等が挙げられる。

エステル系溶剤としては、例えば、酢酸フェニル、プロピオン酸フェニル、安息香酸メチル、安息香酸エチル、安息香酸プロピル、安息香酸ｎ−ブチル等の芳香族エステル、等が挙げられる。
芳香族炭化水素系溶剤としては、例えば、トルエン、キシレン、シクロヘキシルベンゼン、３−イロプロピルビフェニル、１，２，３，４−テトラメチルベンゼン、１，４−ジイソプロピルベンゼン、シクロヘキシルベンゼン、メチルナフタレン等が挙げられる。

アミド系溶剤としては、例えば、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、等が挙げられる。
その他、ジメチルスルホキシド、等も用いることができる。
これらの溶剤は１種のみを用いてもよく、２種以上を任意の組み合わせ及び比率で用いてもよい。

（成膜方法）
正孔注入層形成用組成物を調製後、この組成物を湿式成膜により、正孔注入層３の下層に該当する層（通常は、陽極２）上に塗布して、乾燥することにより正孔注入層３を形成する。
塗布工程における温度は、組成物中に結晶が生じることによる膜の欠損を防ぐため、１０℃以上が好ましく、５０℃以下が好ましくい。

塗布工程における相対湿度は、本発明の効果を著しく損なわない限り限定されないが、通常０．０１ｐｐｍ以上、通常８０％以下である。
塗布後、通常加熱等により正孔注入層形成用組成物の膜を乾燥させる。加熱工程において使用する加熱手段の例を挙げると、クリーンオーブン、ホットプレート、赤外線、ハロゲンヒーター、マイクロ波照射などが挙げられる。中でも、膜全体に均等に熱を与えるためには、クリーンオーブン及びホットプレートが好ましい。

加熱工程における加熱温度は、本発明の効果を著しく損なわない限り、正孔注入層形成用組成物に用いた溶剤の沸点以上の温度で加熱することが好ましい。また、正孔注入層に用いた溶剤が２種類以上含まれている混合溶剤の場合、少なくとも１種類がその溶剤の沸
点以上の温度で加熱されるのが好ましい。溶剤の沸点上昇を考慮すると、加熱工程においては、好ましくは１２０℃以上、好ましくは４１０℃以下で加熱することが好ましい。

加熱工程において、加熱温度が正孔注入層形成用組成物の溶剤の沸点以上であり、かつ塗布膜の十分な不溶化が起こらなければ、加熱時間は限定されないが、好ましくは１０秒以上、通常１８０分以下である。加熱時間が長すぎると他の層の成分が拡散する傾向があり、短すぎると正孔注入層が不均質になる傾向がある。加熱は２回に分けて行ってもよい。

＜真空蒸着法による正孔注入層の形成＞
真空蒸着により正孔注入層３を形成する場合には、正孔注入層３の構成材料（前述の正孔輸送性化合物、電子受容性化合物等）の１種又は２種以上を真空容器内に設置されたるつぼに入れ（２種以上の材料を用いる場合は各々のるつぼに入れ）、真空容器内を適当な真空ポンプで１０^−４Ｐａ程度まで排気した後、るつぼを加熱して（２種以上の材料を用いる場合は各々のるつぼを加熱して）、蒸発量を制御して蒸発させ（２種以上の材料を用いる場合は各々独立に蒸発量を制御して蒸発させ）、るつぼと向き合って置かれた基板の陽極２上に正孔注入層３を形成させる。なお、２種以上の材料を用いる場合は、それらの混合物をるつぼに入れ、加熱、蒸発させて正孔注入層３を形成することもできる。

蒸着時の真空度は、本発明の効果を著しく損なわない限り限定されないが、通常０．１×１０^−６Ｔｏｒｒ（０．１３×１０^−４Ｐａ）以上、通常９．０×１０^−６Ｔｏｒｒ（１２．０×１０^−４Ｐａ）以下である。 蒸着速度は、本発明の効果を著しく損なわない
限り限定されないが、通常０．１Å／秒以上、通常５．０Å／秒以下である。蒸着時の成膜温度は、本発明の効果を著しく損なわない限り限定されないが、好ましくは１０℃以上で、好ましくは５０℃以下で行われる。

｛正孔輸送層｝
本発明に係る正孔輸送層４の形成方法は真空蒸着法でも、湿式成膜法でもよく、特に制限はないが、ダークスポット低減の観点から正孔輸送層４を湿式成膜法により形成することが好ましい。
正孔輸送層４は、正孔注入層がある場合には正孔注入層３の上に、正孔注入層３が無い場合には陽極２の上に形成することができる。 また、本発明の有機電界発光素子は、正
孔輸送層を省いた構成であってもよい。

正孔輸送層４を形成する材料としては、正孔輸送能が高く、かつ、注入された正孔を効率よく輸送することができる材料であることが好ましい。そのために、イオン化ポテンシャルが小さく、可視光の光に対して透明性が高く、正孔移動度が大きく、安定性に優れ、トラップとなる不純物が製造時や使用時に発生しにくいことが好ましい。また、多くの場合、発光層５に接するため、発光層５からの発光を消光したり、発光層５との間でエキサイプレックスを形成して効率を低下させたりしないことが好ましい。

このような正孔輸送層４の材料としては、従来、正孔輸送層の構成材料として用いられている材料であればよく、例えば、前述の正孔注入層３に使用される正孔輸送性化合物として例示したものが挙げられる。また、アリールアミン誘導体、フルオレン誘導体、スピロ誘導体、カルバゾール誘導体、ピリジン誘導体、ピラジン誘導体、ピリミジン誘導体、トリアジン誘導体、キノリン誘導体、フェナントロリン誘導体、フタロシアニン誘導体、ポルフィリン誘導体、シロール誘導体、オリゴチオフェン誘導体、縮合多環芳香族誘導体、金属錯体などが挙げられる。

また、例えば、ポリビニルカルバゾール誘導体、ポリアリールアミン誘導体、ポリビニ
ルトリフェニルアミン誘導体、ポリフルオレン誘導体、ポリアリーレン誘導体、テトラフェニルベンジジンを含有するポリアリーレンエーテルサルホン誘導体、ポリアリーレンビニレン誘導体、ポリシロキサン誘導体、ポリチオフェン誘導体、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）誘導体等が挙げられる。これらは、交互共重合体、ランダム重合体、ブロック重合体又はグラフト共重合体のいずれであってもよい。また、主鎖に枝分かれがあり末端部が３つ以上ある高分子や、所謂デンドリマーであってもよい。

中でも、ポリアリールアミン誘導体やポリアリーレン誘導体が好ましい。
ポリアリールアミン誘導体としては、下記式（ＩＩ）で表される繰り返し単位を含む重合体であることが好ましい。特に、下記式（ＩＩ）で表される繰り返し単位からなる重合体であることが好ましく、この場合、繰り返し単位それぞれにおいて、Ａｒ^ａ又はＡｒ^ｂが異なっているものであってもよい。

（式（ＩＩ）中、Ａｒ^ａ及びＡｒ^ｂは、各々独立して、置換基を有していてもよい、芳香族炭化水素基又は芳香族複素環基を表す。）
置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基としては、例えば、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、フェナントレン環、ペリレン環、テトラセン環、ピレン環、ベンズピレン環、クリセン環、トリフェニレン環、アセナフテン環、フルオランテン環、フルオレン環などの、６員環の単環又は２〜５縮合環由来の基及びこれらの環が２環以上直接結合で連結してなる基が挙げられる。

置換基を有していてもよい芳香族複素環基としては、例えばフラン環、ベンゾフラン環、チオフェン環、ベンゾチオフェン環、ピロール環、ピラゾール環、イミダゾール環、オキサジアゾール環、インドール環、カルバゾール環、ピロロイミダゾール環、ピロロピラゾール環、ピロロピロール環、チエノピロール環、チエノチオフェン環、フロピロール環、フロフラン環、チエノフラン環、ベンゾイソオキサゾール環、ベンゾイソチアゾール環、ベンゾイミダゾール環、ピリジン環、ピラジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、トリアジン環、キノリン環、イソキノリン環、シノリン環、キノキサリン環、フェナントリジン環、ベンゾイミダゾール環、ペリミジン環、キナゾリン環、キナゾリノン環、アズレン環などの、５又は６員環の単環又は２〜４縮合環由来の基及びこれらの環が２環以上直接結合で連結してなる基が挙げられる。

溶剤に対する溶解性や耐熱性の点から、Ａｒ^ａ及びＡｒ^ｂは、各々独立に、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、フェナントレン環、トリフェニレン環、ピレン環、チオフェン環、ピリジン環、フルオレン環からなる群より選ばれる環由来の基やベンゼン環が２環以上連結してなる基（例えば、ビフェニル基（ビフェニレン基）やターフェニル基（ターフェニレン基））が好ましい。

中でも、ベンゼン環由来の基（フェニル基）、ベンゼン環が２環連結してなる基（ビフェニル基）及びフルオレン環由来の基（フルオレニル基）が好ましい。
Ａｒ^ａ及びＡｒ^ｂにおける芳香族炭化水素基及び芳香族複素環基が有していてもよい置換基としては、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アルコキシ基、アリールオキ
シ基、アルコキシカルボニル基、ジアルキルアミノ基、ジアリールアミノ基、アシル基、ハロゲン原子、ハロアルキル基、アルキルチオ基、アリールチオ基、シリル基、シロキシ基、シアノ基、芳香族炭化水素環基、芳香族複素環基などが挙げられる。

ポリアリーレン誘導体としては、前記式（ＩＩ）におけるＡｒ^ａやＡｒ^ｂとして例示した置換基を有していてもよい、芳香族炭化水素基又は芳香族複素環基などのアリーレン基をその繰り返し単位に有する重合体が挙げられる。
ポリアリーレン誘導体としては、下記式（ＩＩＩ−１）及び／又は下記式（ＩＩＩ−２）からなる繰り返し単位を有する重合体が好ましい。

（式（ＩＩＩ−１）中、Ｒ^a、Ｒ^b、Ｒ^ｃ及びＲ^ｄは、各々独立に、アルキル基、アルコキシ基、フェニルアルキル基、フェニルアルコキシ基、フェニル基、フェノキシ基、アルキルフェニル基、アルコキシフェニル基、アルキルカルボニル基、アルコキシカルボニル基、又はカルボキシ基を表す。ｔ及びｓは、各々独立に、０〜３の整数を表す。ｔ又はｓが２以上の場合、一分子中に含まれる複数のＲ^a又はＲ^bは同一であっても異なっていてもよく、隣接するＲ^a又はＲ^b同士で環を形成していてもよい。）

（式（ＩＩＩ−２）中、Ｒ^ｅ及びＲ^ｆは、各々独立に、上記式（ＩＩＩ−１）におけるＲ^a、Ｒ^b、Ｒ^ｃ又はＲ^ｄと同義である。ｒ及びｕは、各々独立に、０〜３の整数を表す。ｒ又はｕが２以上の場合、一分子中に含まれる複数のＲ^ｅ及びＲ^ｆは同一であっても異なっていてもよく、隣接するＲ^ｅ又はＲ^ｆ同士で環を形成していてもよい。Ｘは、５員環又は６員環を構成する原子又は原子群を表す。）
Ｘの具体例としては、―Ｏ―、―ＢＲ―、―ＮＲ―、―ＳｉＲ_２―、―ＰＲ―、―ＳＲ―、―ＣＲ_２―又はこれらが結合してなる基である。尚、Ｒは、水素原子又は任意の有機基を表す。本発明における有機基とは、少なくとも一つの炭素原子を含む基である。

また、ポリアリーレン誘導体としては、前記式（ＩＩＩ−１）及び／又は前記式（ＩＩＩ−２）からなる繰り返し単位に加えて、さらに下記式（ＩＩＩ−３）で表される繰り返し単位を有することが好ましい。

（式（ＩＩＩ−３）中、Ａｒ^ｃ〜Ａｒ^ｊは、各々独立に、置換基を有していてもよい、芳香族炭化水素基又は芳香族複素環基を表す。ｖ及びｗは、各々独立に０又は１を表す。）
Ａｒ^ｃ〜Ａｒ^ｊの具体例としては、前記式（ＩＩ）における、Ａｒ^ａ及びＡｒ^ｂと同様である。
上記式（ＩＩＩ−１）〜（ＩＩＩ−３）の具体例及びポリアリーレン誘導体の具体例等は、特開２００８−９８６１９号公報に記載のものなどが挙げられる。

湿式成膜法で正孔輸送層４を形成する場合は、上記正孔注入層３の形成と同様にして、正孔輸送層形成用組成物を調製した後、湿式塗布後、加熱乾燥させて成膜する。
正孔輸送層形成用組成物には、上述の正孔輸送性化合物の他、溶剤を含有する。用いる溶剤は上記正孔注入層形成用組成物に用いたものと同様である。また、塗布条件、加熱乾燥条件等も正孔注入層３の形成の場合と同様である。

真空蒸着法により正孔輸送層を形成する場合もまた、その成膜条件等は上記正孔注入層３の形成の場合と同様である。
正孔輸送層４は、上記正孔輸送性化合物の他、各種の発光材料、電子輸送性化合物、バインダー樹脂、塗布性改良剤などを含有していてもよい。
正孔輸送層４はまた、架橋性化合物を架橋して形成される層であってもよい。架橋性化合物は、架橋性基を有する化合物であって、架橋することにより網目状高分子化合物を形成する。

この架橋性基の例を挙げると、オキセタン、エポキシなどの環状エーテル由来の基；ビニル基、トリフルオロビニル基、スチリル基、アクリル基、メタクリロイル、シンナモイル等の不飽和二重結合由来の基；ベンゾシクロブテン環由来の基などが挙げられる。
架橋性化合物は、モノマー、オリゴマー、ポリマーのいずれであってもよい。 架橋性
化合物は１種のみを有していてもよく、２種以上を任意の組み合わせ及び比率で有していてもよい。

架橋性化合物としては、架橋性基を有する正孔輸送性化合物を用いることが好ましい。正孔輸送性化合物としては、上記の例示したものが挙げられ、これら正孔輸送性化合物に対して、架橋性基が主鎖又は側鎖に結合しているものが挙げられる。特に架橋性基は、アルキレン基等の連結基を介して、主鎖に結合していることが好ましい。また、特に正孔輸送性化合物としては、架橋性基を有する繰り返し単位を含む重合体であることが好ましく、上記式（ＩＩ）や式（ＩＩＩ−１）〜（ＩＩＩ−３）に架橋性基が直接又は連結基を介して結合した繰り返し単位を有する重合体であることが好ましい。

架橋性化合物としては、架橋性基を有する正孔輸送性化合物を用いることが好ましい。正孔輸送性化合物の例を挙げると、ピリジン誘導体、ピラジン誘導体、ピリミジン誘導体
、トリアジン誘導体、キノリン誘導体、フェナントロリン誘導体、カルバゾール誘導体、フタロシアニン誘導体、ポルフィリン誘導体等の含窒素芳香族化合物誘導体；トリフェニルアミン誘導体；シロール誘導体；オリゴチオフェン誘導体、縮合多環芳香族誘導体、金属錯体などが挙げられる。その中でも、ピリジン誘導体、ピラジン誘導体、ピリミジン誘導体、トリアジン誘導体、キノリン誘導体、フェナントロリン誘導体、カルバゾール誘導体等の含窒素芳香族誘導体；トリフェニルアミン誘導体、シロール誘導体、縮合多環芳香族誘導体、金属錯体などが好ましく、特に、トリフェニルアミン誘導体がより好ましい。

架橋性化合物を架橋して正孔輸送層４を形成するには、通常、架橋性化合物を溶剤に溶解又は分散した正孔輸送層形成用組成物を調製して、湿式成膜により成膜して架橋させる。
正孔輸送層形成用組成物には、架橋性化合物の他、架橋反応を促進する添加物を含んでいてもよい。架橋反応を促進する添加物の例を挙げると、アルキルフェノン化合物、アシルホスフィンオキサイド化合物、メタロセン化合物、オキシムエステル化合物、アゾ化合物、オニウム塩等の重合開始剤及び重合促進剤；縮合多環炭化水素、ポルフィリン化合物、ジアリールケトン化合物等の光増感剤；などが挙げられる。

また、さらに、レベリング剤、消泡剤等の塗布性改良剤；電子受容性化合物；バインダー樹脂；などを含有していてもよい。
正孔輸送層形成用組成物は、架橋性化合物を通常０．０１重量％以上、好ましくは０．０５重量％以上、さらに好ましくは０．１重量％以上、通常５０重量％以下、好ましくは２０重量％以下、さらに好ましくは１０重量％以下含有する。

このような濃度で架橋性化合物を含む正孔輸送層形成用組成物を下層（通常は正孔注入層３）上に成膜後、加熱及び／又は光などの活性エネルギー照射により、架橋性化合物を架橋させて網目状高分子化合物を形成する。
塗布時の温度、湿度などの条件は、前記正孔注入層３の湿式塗布時と同様である。
塗布後の加熱の手法は特に限定されない。加熱温度条件としては、通常１２０℃以上、好ましくは４００℃以下である。

加熱時間としては、通常１分以上、好ましくは２４時間以下である。加熱手段としては特に限定されないが、成膜された層を有する積層体をホットプレート上に載せたり、オーブン内で加熱するなどの手段が用いられる。例えば、ホットプレート上で１２０℃以上、１分間以上加熱する等の条件を用いることができる。
光などの活性エネルギー照射による場合には、超高圧水銀ランプ、高圧水銀ランプ、ハロゲンランプ、赤外ランプ等の紫外・可視・赤外光源を直接用いて照射する方法、あるいは前述の光源を内蔵するマスクアライナ、コンベア型光照射装置を用いて照射する方法などが挙げられる。光以外の活性エネルギー照射では、例えばマグネトロンにより発生させたマイクロ波を照射する装置、いわゆる電子レンジを用いて照射する方法が挙げられる。照射時間としては、膜の溶解性を低下させるために必要な条件を設定することが好ましいが、通常、０．１秒以上、好ましくは１０時間以下照射される。

加熱及び光などの活性エネルギー照射は、それぞれ単独、あるいは組み合わせて行ってもよい。組み合わせる場合、実施する順序は特に限定されない。
このようにして形成される正孔輸送層４の膜厚は、通常５ｎｍ以上、好ましくは１０ｎｍ以上であり、また通常３００ｎｍ以下、好ましくは１００ｎｍ以下である。
｛発光層｝
正孔注入層３の上には通常発光層４が設けられる。発光層４は発光材料を含む層であり、電界を与えられた電極間において、陽極２から正孔注入層３を通じて注入された正孔と、陰極６から電子注入層５を通じて注入された電子との再結合により励起されて、主たる
発光源となる層である。発光層４は発光材料（ドーパント）と１種又は２種以上のホスト材料を含むことが好ましく、発光層４は本発明の含窒素複素環化合物をホスト材料として含むことが更に好ましく、真空蒸着法で形成していてもよいが、本発明の有機電界発光素子用組成物を用い、湿式成膜法によって作製された層であることが特に好ましい。

ここで、湿式成膜法とは、上記溶剤を含む本発明の有機電界発光素子用組成物を、スピンコート、スプレーコート、ディップコート、ダイコート、フレキソ印刷、スクリーン印刷、インクジェット法により塗布して成膜するものである。
なお、発光層４は、本発明の性能を損なわない範囲で、他の材料、成分を含んでいてもよい。

一般に有機電界発光素子において、同じ材料を用いた場合、電極間の膜厚が薄い方が、実効電界が大きくなる為、注入される電流が多くなるので、駆動電圧は低下する。その為、電極間の総膜厚は薄い方が、有機電界発光素子の駆動電圧は低下するが、あまりに薄いと、ＩＴＯ等の電極に起因する突起により短絡が発生する為、ある程度の膜厚が必要となる。

本発明においては、発光層４以外に、正孔注入層３及び後述の電子輸送層７等の有機層を有する場合、発光層４と正孔注入層３や電子輸送層７等の他の有機層とを合わせた総膜厚は通常３０ｎｍ以上、好ましくは５０ｎｍ以上であり、更に好ましくは１００ｎｍ以
上で、通常１０００ｎｍ以下、好ましくは５００ｎｍ以下であり、更に好ましくは３００ｎｍ以下である。また、発光層４以外の正孔注入層３や後述の電子注入層５の導電性が高い場合、発光層４に注入される電荷量が増加する為、例えば正孔注入層３の膜厚を厚くして発光層４の膜厚を薄くし、総膜厚をある程度の膜厚を維持したまま駆動電圧を下げることも可能である。

よって、発光層４の膜厚は、通常１０ｎｍ以上、好ましくは２０ｎｍ以上で、通常３００ｎｍ以下、好ましくは２００ｎｍ以下である。なお、本発明の素子が、陽極及び陰極の両極間に、発光層４のみを有する場合の発光層４の膜厚は、通常３０ｎｍ以上、好ましくは５０ｎｍ以上、通常５００ｎｍ以下、好ましくは３００ｎｍ以下である。
｛正孔阻止層｝
発光層５と後述の電子注入層８との間に、正孔阻止層６を設けてもよい。正孔阻止層６は、発光層５の上に、発光層５の陰極９側の界面に接するように積層される層である。

この正孔阻止層６は、陽極２から移動してくる正孔を陰極９に到達するのを阻止する役割と、陰極９から注入された電子を効率よく発光層５の方向に輸送する役割とを有する。

正孔阻止層６を構成する材料に求められる物性としては、電子移動度が高く正孔移動度が低いこと、エネルギーギャップ（ＨＯＭＯ、ＬＵＭＯの差）が大きいこと、励起三重項準位（Ｔ１）が高いことが挙げられる。このような条件を満たす正孔阻止層の材料としては、例えば、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）（フェノラト）アルミニウム、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）（トリフェニルシラノラト）アルミニウム等の混合配位子錯体、ビス（２−メチル−８−キノラト）アルミニウム−μ−オキソ−ビス−（２−メチル−８−キノリラト）アルミニウム二核金属錯体等の金属錯体、ジスチリルビフェニル誘導体等のスチリル化合物（特開平１１−２４２９９６号公報）、３−（４−ビフェニルイル）−４−フェニル−５（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，２，４−トリアゾール等のトリアゾール誘導体（特開平７−４１７５９号公報）、バソクプロイン等のフェナントロリン誘導体（特開平１０−７９２９７号公報）などが挙げられる。更に、国際公開第２００５−０２２９６２号パンフレットに記載の２，４，６位が置換されたピリジン環を少なくとも１個有する化合物も、正孔阻止層６の材料として好ましい。

なお、正孔阻止層６の材料は、１種のみを用いてもよく、２種以上を任意の組み合わせ及び比率で併用してもよい。
正孔阻止層６の形成方法に制限はない。従って、湿式成膜法、蒸着法や、その他の方法で形成できる。
正孔阻止層６の膜厚は、本発明の効果を著しく損なわない限り任意であるが、通常０．３ｎｍ以上、好ましくは０．５ｎｍ以上、また、通常１００ｎｍ以下、好ましくは５０ｎｍ以下である。

｛電子輸送層｝
発光層５と後述の電子注入層８の間に、電子輸送層７を設けてもよい。
電子輸送層７は、素子の発光効率を更に向上させることを目的として設けられるもので、電界を与えられた電極間において陰極９から注入された電子を効率よく発光層５の方向に輸送することができる化合物より形成される。

電子輸送層７に用いられる電子輸送性化合物としては、通常、陰極９又は電子注入層８からの電子注入効率が高く、かつ、高い電子移動度を有し注入された電子を効率よく輸送することができる化合物を用いる。このような条件を満たす化合物としては、例えば、８−ヒドロキシキノリンのアルミニウム錯体などの金属錯体（特開昭５９−１９４３９３号公報）、１０−ヒドロキシベンゾ［ｈ］キノリンの金属錯体、オキサジアゾール誘導体、ジスチリルビフェニル誘導体、シロール誘導体、３−ヒドロキシフラボン金属錯体、５−ヒドロキシフラボン金属錯体、ベンズオキサゾール金属錯体、ベンゾチアゾール金属錯体、トリスベンズイミダゾリルベンゼン（米国特許第５６４５９４８号明細書）、キノキサリン化合物（特開平６−２０７１６９号公報）、フェナントロリン誘導体（特開平５−３３１４５９号公報）、２−ｔ−ブチル−９，１０−Ｎ，Ｎ’−ジシアノアントラキノンジイミン、ｎ型水素化非晶質炭化シリコン、ｎ型硫化亜鉛、ｎ型セレン化亜鉛などが挙げられる。

なお、電子輸送層７の材料は、１種のみを用いてもよく、２種以上を任意の組み合わせ及び比率で併用してもよい。
電子輸送層７の形成方法に制限はない。従って、湿式成膜法、蒸着法や、その他の方法で形成することができる。
電子輸送層７の膜厚は、本発明の効果を著しく損なわない限り任意であるが、通常１ｎｍ以上、好ましくは５ｎｍ以上、また、通常３００ｎｍ以下、好ましくは１００ｎｍ以下の範囲である。
｛電子注入層｝
電子注入層８は、陰極９から注入された電子を効率良く発光層５へ注入する役割を果たす。電子注入を効率よく行なうには、電子注入層８を形成する材料は、仕事関数の低い金属が好ましい。例としては、ナトリウムやセシウム等のアルカリ金属、バリウムやカルシウムなどのアルカリ土類金属等が用いられ、その膜厚は通常０．１ｎｍ以上、５ｎｍ以下が好ましい。

更に、バソフェナントロリン等の含窒素複素環化合物や８−ヒドロキシキノリンのアルミニウム錯体などの金属錯体に代表される有機電子輸送化合物に、ナトリウム、カリウム、セシウム、リチウム、ルビジウム等のアルカリ金属をドープする（特開平１０−２７０１７１号公報、特開２００２−１００４７８号公報、特開２００２−１００４８２号公報などに記載）ことにより、電子注入・輸送性が向上し優れた膜質を両立させることが可能となるため好ましい。この場合の膜厚は、通常、５ｎｍ以上、中でも１０ｎｍ以上が好ましく、また、通常２００ｎｍ以下、中でも１００ｎｍ以下が好ましい。

なお、電子注入層８の材料は、１種のみを用いてもよく、２種以上を任意の組み合わせ及び比率で併用してもよい。
電子注入層８の形成方法に制限はない。従って、湿式成膜法、蒸着法や、その他の方法で形成することができる。
｛陰極｝
陰極９は、発光層５側の層（電子注入層８又は発光層５など）に電子を注入する役割を果たすものである。

陰極９の材料としては、前記の陽極２に使用される材料を用いることが可能であるが、効率良く電子注入を行なうには、仕事関数の低い金属が好ましく、例えば、スズ、マグネシウム、インジウム、カルシウム、アルミニウム、銀等の適当な金属又はそれらの合金が用いられる。具体例としては、マグネシウム−銀合金、マグネシウム−インジウム合金、アルミニウム−リチウム合金等の低仕事関数合金電極が挙げられる。

なお、陰極９の材料は、１種のみを用いてもよく、２種以上を任意の組み合わせ及び比率で併用してもよい。
陰極９の膜厚は、通常、陽極２と同様である。
さらに、低仕事関数金属から成る陰極９を保護する目的で、この上に更に、仕事関数が高く大気に対して安定な金属層を積層すると、素子の安定性が増すので好ましい。この目的のために、例えば、アルミニウム、銀、銅、ニッケル、クロム、金、白金等の金属が使われる。なお、これらの材料は、１種のみで用いてもよく、２種以上を任意の組み合わせ及び比率で併用してもよい。

｛その他の層｝
本発明に係る有機電界発光素子は、その趣旨を逸脱しない範囲において、別の構成を有していてもよい。例えば、その性能を損なわない限り、陽極２と陰極９との間に、上記説明にある層の他に任意の層を有していてもよく、また、任意の層が省略されていてもよい。
＜電子阻止層＞
有していてもよい層としては、例えば、電子阻止層が挙げられる。

電子阻止層は、正孔注入層３又は正孔輸送層４と発光層５との間に設けられ、発光層５から移動してくる電子が正孔注入層３に到達するのを阻止することで、発光層５内で正孔と電子との再結合確率を増やし、生成した励起子を発光層５内に閉じこめる役割と、正孔注入層３から注入された正孔を効率よく発光層５の方向に輸送する役割とがある。特に、発光材料として燐光材料を用いたり、青色発光材料を用いたりする場合は電子阻止層を設けることが効果的である。

電子阻止層に求められる特性としては、正孔輸送性が高く、エネルギーギャップ（ＨＯＭＯ、ＬＵＭＯの差）が大きいこと、励起三重項準位（Ｔ１）が高いこと等が挙げられる。更に、本発明においては、発光層５を本発明に係る有機層として湿式成膜法で作製する場合には、電子阻止層にも湿式成膜の適合性が求められる。このような電子阻止層に用いられる材料としては、Ｆ８−ＴＦＢに代表されるジオクチルフルオレンとトリフェニルアミンの共重合体（国際公開第２００４／０８４２６０号パンフレット）等が挙げられる。

なお、電子阻止層の材料は、１種のみを用いてもよく、２種以上を任意の組み合わせ及び比率で併用してもよい。
電子阻止層の形成方法に制限はない。従って、湿式成膜法、蒸着法や、その他の方法で形成することができる。

さらに陰極９と発光層５又は電子輸送層７との界面に、例えばフッ化リチウム（ＬｉＦ）、フッ化マグネシウム（ＭｇＦ₂）、酸化リチウム（Ｌｉ₂Ｏ）、炭酸セシウム（ＩＩ）（ＣｓＣＯ₃）等で形成された極薄絶縁膜（０．１〜５ｎｍ）を挿入することも、素子の
効率を向上させる有効な方法である（Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ， １９９７年， Ｖｏｌ．７０， ｐｐ．１５２；特開平１０−７４５８６号公報；ＩＥＥＥ Ｔｒａｎｓａｃｔｉｏｎｓ ｏｎ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｄｅｖｉｃｅｓ， １
９９７年，Ｖｏｌ．４４， ｐｐ．１２４５；ＳＩＤ ０４ Ｄｉｇｅｓｔ， ｐｐ．１５４等参照）。

また、以上説明した層構成において、基板以外の構成要素を逆の順に積層することも可能である。例えば、図１の層構成であれば、基板１上に他の構成要素を陰極９、電子注入層８、電子輸送層７、正孔阻止層６、発光層５、正孔輸送層４、正孔注入層３、陽極２の順に設けてもよい。
更には、少なくとも一方が透明性を有する２枚の基板の間に、基板以外の構成要素を積層することにより、本発明に係る有機電界発光素子を構成することも可能である。

また、基板以外の構成要素（発光ユニット）を複数段重ねた構造（発光ユニットを複数積層させた構造）とすることも可能である。その場合には、各段間（発光ユニット間）の界面層（陽極がＩＴＯ、陰極がＡｌの場合は、それら２層）の代わりに、例えば五酸化バナジウム（Ｖ₂Ｏ₅）等からなる電荷発生層（Ｃａｒｒｉｅｒ Ｇｅｎｅｒａｔｉｏｎ Ｌａｙｅｒ：ＣＧＬ）を設けると、段間の障壁が少なくなり、発光効率・駆動電圧の観点からより好ましい。

更には、本発明に係る有機電界発光素子は、単一の有機電界発光素子として構成してもよく、複数の有機電界発光素子がアレイ状に配置された構成に適用してもよく、陽極と陰極がＸ−Ｙマトリックス状に配置された構成に適用してもよい。
また、上述した各層には、本発明の効果を著しく損なわない限り、材料として説明した以外の成分が含まれていてもよい。

[有機ＥＬディスプレイ及び有機ＥＬ照明]
本発明の有機電界発光素子は、有機ＥＬディスプレイ又は有機ＥＬ照明に使用される。本発明により得られる有機電界発光素子は、例えば、「有機ＥＬディスプレイ」（オーム社，平成１６年８月２０日発行，時任静士、安達千波矢、村田英幸著）に記載されているような方法で有機ＥＬディスプレイ及び有機ＥＬ照明を形成することができる。

次に、本発明を実施例によって更に具体的に説明するが、本発明はその要旨を超えない限り、以下の実施例の記載に限定されるものではない。
（合成例１：化合物１の合成）

＜中間体１の合成＞
THF(3 mL)に削状マグネシウム(145 mg, 6.0 mmol)を加え、室温下でブロモベンゼン(973 mg, 6.2 mmol)のTHF溶液(1 mL)を穏やかに滴下した。滴下終了後、反応混合液を還流させながら１時間攪拌した。次いで、還流条件下で2-アミノ-5-ブロモベンゾニトリル(1.18
g, 6.0 mmol)のTHF溶液(1 mL)を穏やかに滴下し、さらに30分間攪拌を行った。その後反応混合液を０度まで冷却し、3-ブロモベンゾイルクロライド(658 mg, 3.0 mmol)のTHF溶
液(1 mL)を穏やか加えた後に、反応混合液を還流させながら１時間攪拌を行った。反応終了後、精製水にあけ、塩化メチレンで抽出した。有機層を精製水で洗浄後、硫酸ナトリウムで乾燥させた。減圧下に溶剤を留去し、残渣をクロロホルム・ヘキサンにより再結晶を行い中間体１(444 mg)を得た。

＜化合物１の合成＞
窒素雰囲気下、中間体１（400 mg, 0.901 mmol）、３-（９-カルバゾリル）フェニルボロン酸（625 mg, 2.17mmol）のトルエン（2.7 mL）溶液に、２M-炭酸ナトリウム水溶液（1.4 mL）、エタノール(1.4 mL)を加え、１０分間窒素を通して脱気を行った。混合物にテトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）（63 mg, 0.055 mmol）を添加し
、還流させながら３時間攪拌した。反応終了後、混合物を水にあけ、トルエンで抽出した。有機層を精製水で洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥後、溶剤を減圧下に留去した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製し、化合物１（649 mg）を得た。

このものの質量分析値は764(M⁺)であり、ガラス転移温度は、１３５℃であった。
（合成例２：化合物２の合成）

THF(50 mL)に削状マグネシウム(471 mg, 19.4 mmol)を加え、室温下で3-ブロモビフェ
ニル(4.89 g, 21.0 mmol)のTHF溶液(5 mL)を穏やかに滴下した。滴下終了後、反応混合液を還流させながら１時間攪拌した。次いで、還流条件下で2-アミノ-5-ブロモベンゾニト
リル(3.17g, 16.1 mmol)のTHF溶液(12.5 mL)を穏やかに滴下し、さらに30分間攪拌を行った。その後反応混合液を０度まで冷却し、3-ブロモベンゾイルクロライド(4.25 g, 19.4 mmol)のTHF溶液(12.5 mL)を穏やか加えた後に、反応混合液を還流させながら１時間攪拌
を行った。反応終了後、精製水にあけ、塩化メチレンで抽出した。有機層を精製水で洗浄後、硫酸ナトリウムで乾燥させた。減圧下に溶剤を留去し、残渣にヘキサンを加えて固体を析出させ中間体２(4.8 g)を得た。

＜化合物２の合成＞
窒素雰囲気下、中間体２（1.0 g, 1.94 mmol）、３-（９-カルバゾリル）フェニルボロン酸（1.22 g, 4.26 mmol）にトルエン（5 mL）、２M-炭酸ナトリウム水溶液（2.5 mL）
、エタノール(2.5 mL)を加え、１０分間窒素を通して脱気を行った。混合物にテトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）（115 mg, 0.10 mmol）を添加し、還流さ
せながら３時間攪拌した。反応終了後、混合物を水にあけ、トルエンで抽出した。有機層を精製水で洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥後、溶剤を減圧下に留去した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製し、化合物２（1.01 g）を得た。

このものの質量分析値は840(M⁺)であり、ガラス転移温度は、135 ℃であった。
［有機電界発光素子の作製］
｛測定方法｝
＜輝度半減期＞
輝度半減期の測定方法は、作製した有機電界発光素子に、試験開始時の輝度が３０００ｎｉｔとなる直流一定電流を通電したときの輝度変化をフォトダイオードにより観察した。輝度値が試験開始時の半分、すなわち１５００ｎｉｔとなるまでの時間（輝度半減期）を求めた。通電試験は、室温を空調により２３±１．５℃に制御した室内で行なった。

＜駆動電圧＞
駆動電圧の測定方法は、作製した有機電界発光素子に、最初に直流一定電流を通電した
ときの輝度が、１０００ｎｉｔとなる電圧を測定した。
＜発光効率＞
発光効率の測定方法は、作製した有機電界発光素子に、１０００ｎｉｔとなる電流値を測定し発光効率を算出した。 以下、製造例、及び実施例を挙げて、本発明を更に詳細に説明する。なお、以下の実施例は本発明を詳細に説明するために示すものであり、本発明はその趣旨に反しない限り以下の実施例に限定されるものではない。

〈基板〉
図１に示す有機電界発光素子を作製した。
ガラス基板１上に、インジウム・スズ酸化物（ＩＴＯ）透明導電膜を１２０ｎｍの厚さに堆積したもの（三容真空社製、スパッタ成膜品）を、通常のフォトリソグラフィー技術と塩酸エッチングを用いて２ｍｍ幅のストライプにパターニングして陽極２を形成した。

〈前処理〉
パターン形成したＩＴＯ基板を、界面活性剤水溶液による超音波洗浄、超純水による水洗、超純水による超音波洗浄、超純水による水洗の順で洗浄後、圧縮空気で乾燥させ、最後に紫外線オゾン洗浄を行った。

〈正孔注入層の成膜〉
まず、下の構造式（Ｐ１）に示す繰り返し構造を有する正孔輸送性高分子２重量％と、構造式（Ａ１）に示す４−イソプロピル−４’−メチルジフェニルヨードニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボラート０．４重量％を、溶剤としての安息香酸エチルに溶解した後、孔径０．２μｍのＰＴＦＥ（ポリテトラフルオロエチレン）製メンブレンフィルターを用いて濾過し、塗布組成物を作製した。この塗布組成物を上記ガラス基板上にスピンコートした。スピンコート条件として、スピナ回転数５００ｒｐｍ、２秒、そして２２５０ｒｐｍ、３０秒の２段階で行った。乾燥条件は下記の２つの加熱工程を経る。第１の加熱工程として、８０℃で１分間加熱を行った後、第２の加熱工程として、２３０℃で１時間乾燥を行い、室温まで冷却することで、均質な膜厚３０ｎｍの薄膜を形成した。このようにして、膜厚３０ｎｍの正孔注入層３を形成した。尚、加熱の際用いた装置はオーブンである。

〈正孔輸送層の成膜〉
次いで、正孔輸送層４を以下のように湿式成膜法によって形成した。正孔輸送層の材料は、下記式（ＨＴ−１）の繰り返し構造を有する高分子化合物１．４重量％を、シクロヘキシルベンゼンに溶解させた組成物を調製し、孔径０．２μｍＰＴＦＥ製メンブレンフィルターを用いて濾過し、以下に示す条件で上記正孔注入層３上にスピンコートした。スピンコートは窒素雰囲気グローブボックス中にて行い、スピンコート条件として、スピナ回転数５００ｒｐｍ、２秒、そして１５００ｒｐｍ、１２０秒の２段階で行った。その後、窒素雰囲気グローブボックス中にて２３０℃で１時間乾燥を行うことで、均質な膜厚１８．２ｎｍの薄膜を形成した。尚、加熱の際用いた装置はホットプレートである。

〈発光層の成膜〉
次いで、発光層（有機層）を以下のように湿式成膜法によって形成した。発光層の材料は以下に示す材料Ｈ−１、Ｈ−２及びＤ−１、Ｄ−２を５０対５０対５対７の割合で混合し、この混合物４．８重量％をシクロヘキシルベンゼンに溶解させた組成物を調整し、孔径０．２μｍＰＴＦＥ製メンブレンフィルターを用いて濾過し、以下に示す条件で上記正孔輸送層４上にスピンコートした。

スピンコートは窒素雰囲気グローブボックス中にて行い、スピンコート条件として、スピナ回転数５００ｒｐｍ、２秒、そして１５００ｒｐｍ、１２０秒の２段階で行った。その後、窒素雰囲気グローブボックス中にて１３０℃で１時間真空乾燥を行うことで、均質な膜厚５７．２ｎｍの薄膜を形成した。尚、加熱の際用いた装置はホットプレートである。

次に、正孔注入層３と正孔輸送層４と発光層５を成膜した基板をチャンバー型真空蒸着装置内に移し、油回転ポンプにより装置の粗排気を行った後、装置内の真空度が１．８×１０^−６Ｔｏｒｒ以下になるまでクライオポンプを用いて排気し、下記構造式（ＨＢ−１）で表される化合物を真空蒸着法によって積層し正孔阻止層６を得た。蒸着時の真空度は１．６〜１．５×１０^−６Ｔｏｒｒ、蒸着速度は０．７〜０．９Å／秒の範囲で制御し、膜厚１０．０ｎｍの膜を発光層の上に積層して正孔阻止層６を形成した。

次いで、トリス（８−キノリナート）アルミニウムを加熱して蒸着を行い、電子輸送層７を成膜した。蒸着時の真空度は１．３〜１．２×１０^−６Ｔｏｒｒ、蒸着速度は１．０〜１．１Å／秒の範囲で制御し、膜厚３０．０ｎｍの膜を正孔阻止層６の上に積層して電子輸送層７を形成した。
ここで、電子輸送層７までの蒸着を行った素子を電子輸送層までを蒸着した有機層蒸着チャンバーから金属蒸着チャンバーへと移動し、陰極蒸着用のマスクとして２ｍｍ幅のストライプ状シャドーマスクを、陽極２のＩＴＯストライプと直交するように素子に密着させて、別の真空蒸着装置内に設置して、有機層蒸着時と同様にして装置内の真空度が３．７×１０^−４Ｐａ以下になるまで排気した。

電子注入層８として、先ずフッ化リチウム（ＬｉＦ）を、モリブデンボートを用いて、蒸着速度０．１３〜０．１６Å／秒、真空度３．７×１０^−４Ｐａで制御し、０．５ｎｍの膜厚で電子輸送層の上に成膜した。次に、アルミニウムを同様にモリブデンボートにより加熱して、蒸着速度０．８〜５．２Å／秒、真空度３．３〜３．８×１０^−４Ｐａで制御して膜厚８０．１ｎｍのアルミニウム層を形成して陰極９を形成した。以上の２層型陰極の蒸着時の基板温度は室温に保持した。

引き続き、素子が保管中に大気中の水分等で劣化することを防ぐため、以下に記載の方法で封止処理を行った。
真空蒸着装置に連結された窒素グローブボックス中で、２３ｍｍ×２３ｍｍサイズのガラス板の外周部に、約１ｍｍの幅で光硬化性樹脂３０Ｙ−４３７（スリーボンド社製）を塗布し、中央部に水分ゲッターシート（ダイニック社製）を設置した。この上に、陰極形成を終了した基板を、蒸着された面が乾燥剤シートと対向するように貼り合わせた。その後、光硬化性樹脂が塗布された領域のみに紫外光を照射し、樹脂を硬化させた。

以上の様にして、２ｍｍ×２ｍｍのサイズの発光面積部分を有する有機電界発光素子が得られた。

この素子の効率は３．９ ｌｍ／Ｗであり、１０００ｃｄ／ｍ^２で駆動させた場合の素子半減寿命は３０００時間であった。

本発明は、有機電界発光素子が使用される各種の分野、例えば、フラットパネル・ディスプレイ（例えばＯＡコンピュータ用や壁掛けテレビ）や、面発光体としての特徴を生かした光源（例えば、複写機の光源、液晶ディスプレイや計器類のバックライト光源）、表示板、標識灯等の分野において、好適に使用することが出来る。

１ 基板
２ 陽極
３ 正孔注入層
４ 正孔輸送層
５ 発光層
６ 正孔阻止層
７ 電子輸送層
８ 電子注入層
９ 陰極

Claims (11)

1. 下記式（１）で表されることを特徴とする、含窒素複素環化合物。
   

   

   （式（１）中Ｒ^１ は、炭素数６〜２５の芳香族炭化水素基を表す。Ｌは、単結合又は炭素数６〜２５の芳香族炭化水素基を表す。）
2. 上記式（１）中、Ｒ ^１ が、フェニル基、２−ナフチル基、１−アントリル基、９−アントリル基、９−フェナントリル基、または、ビフェニリル基から選ばれるものである、請求項１に記載の含窒素複素環化合物。
3. 上記式（１）中、Ｌが、単結合、１，４−フェニレン基、１，３−フェニレン基、3，3’−ビフェニレン基、4，3’−ビフェニレン基、または、１、６−ナフチレン基から選ばれるものである、請求項１または２に記載の含窒素複素環化合物。
4. 上記式（１）中、Ｒ ^１ が、フェニル基、または、ビフェニリル基である、請求項１〜３のいずれか一項に記載の含窒素複素環化合物。
5. 上記式（１）中、Ｌが、１，３−フェニレン基である、請求項１〜４のいずれか一項に記載の含窒素複素環化合物。
6. 請求項１〜５のいずれか一項に記載の含窒素複素環化合物からなることを特徴とする、有機電界発光素子用材料。
7. 請求項１〜５のいずれか一項に記載の含窒素複素環化合物、及び有機溶剤を含有することを特徴とする、有機電界発光素子用組成物。
8. 陽極、陰極及び該陽極と該陰極の間に有機層を有する有機電界発光素子であって、 該
   有機層が、請求項７に記載の有機電界発光素子用組成物を用いて、湿式成膜法にて形成された層を含むことを特徴とする、有機電界発光素子
9. 上記有機層が、請求項１〜５のいずれか一項に記載の含窒素複素環化合物を含有することを特徴とする、有機電界発光素子。
10. 請求項８又は９に記載の有機電界発光素子を備えたことを特徴とする、有機ＥＬディスプレイ。
11. 請求項８又は９に記載の有機電界発光素子を備えたことを特徴とする、有機ＥＬ照明。

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