JP5542509B2 - Plasma processing apparatus and plasma processing method - Google Patents

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Description

本発明は、半導体装置等の製造プロセスに用いられるプラズマ処理装置およびプラズマ処理方法に関する。   The present invention relates to a plasma processing apparatus and a plasma processing method used in a manufacturing process of a semiconductor device or the like.

近時、半導体デバイスの高性能化，高集積化および微細化が急速に進んでいる。半導体デバイスの高集積化のためには、微細加工技術，エピタキシャル成長技術，パッケージング技術等の向上が必要となるが、中でも微細加工技術の比重が高く、高アスペクト比や最小線幅の狭小化等の加工精度の向上が強く求められている。   Recently, high performance, high integration and miniaturization of semiconductor devices are rapidly progressing. High integration of semiconductor devices requires improvements in microfabrication technology, epitaxial growth technology, packaging technology, etc. Among them, microfabrication technology has a high specific gravity, high aspect ratio, narrowing of minimum line width, etc. There is a strong demand for improved machining accuracy.

このような半導体デバイスの微細加工技術の１つとして、高いエッチングレートで異方性微細加工が可能な反応性イオンエッチング（Reactive Ion Etching；ＲＩＥ）が知られている。一般的にＲＩＥでは、雰囲気調整が可能なチャンバ内に一対の電極を所定間隔で対向配置し、一方の電極に基板を保持させ、電極に高周波電力（ＲＦ電力）を供給して電極間にプラズマを生成させる。   As one of such microfabrication techniques for semiconductor devices, reactive ion etching (RIE) capable of anisotropic microfabrication at a high etching rate is known. In general, in RIE, a pair of electrodes are arranged opposite to each other at a predetermined interval in a chamber capable of adjusting the atmosphere, a substrate is held on one electrode, high frequency power (RF power) is supplied to the electrodes, and plasma is generated between the electrodes. Is generated.

ＲＩＥは、このとき基板に生じる自己バイアス電圧とプラズマポテンシャルの差の電位によってプラズマ中の正イオンが加速されて基板に入射し衝突する物理的エッチング（スパッタリング）と、活性な中性ラジカルによる化学的エッチングの複合作用を利用する。プラズマポテンシャルは自己バイアス電圧よりも相対的に小さいために、基板に入射するイオンのエネルギー制御は自己バイアス電圧を制御することによって行われている。   In RIE, physical etching (sputtering) in which positive ions in the plasma are accelerated by the potential of the difference between the self-bias voltage generated on the substrate and the plasma potential at this time and incident on the substrate and collide with it, and chemical by active neutral radicals. Utilizes the combined action of etching. Since the plasma potential is relatively smaller than the self-bias voltage, the energy control of ions incident on the substrate is performed by controlling the self-bias voltage.

電極電位はＲＦ電圧に対応して周期的に変化するため、イオンエネルギーも周期的に変化する。そして、イオンエネルギーはＲＦ電圧の周波数に依存して分散し、ＲＦ電圧の周波数が低いほどイオンエネルギーの分散は大きくなることが知られている。   Since the electrode potential changes periodically corresponding to the RF voltage, the ion energy also changes periodically. It is known that the ion energy is dispersed depending on the frequency of the RF voltage, and the dispersion of the ion energy increases as the frequency of the RF voltage decreases.

イオンエネルギーに分散が生じると、高エネルギーのイオンは肩削りを誘発して加工形状を悪化させ、一方、低エネルギーのイオンは基板加工に寄与せずまたは異方性劣化に伴い加工形状を悪化させるおそれがある。そこで、プラズマを生成、維持するためのＲＦ電力とイオンエネルギーを制御するためのＲＦ電力の２つ以上の異なる周波数のＲＦ電力を用いる技術が提案されている（例えば、特許文献１参照）。   When dispersion occurs in ion energy, high-energy ions induce shoulder cutting and deteriorate the processing shape, while low-energy ions do not contribute to substrate processing or deteriorate the processing shape due to anisotropic deterioration. There is a fear. Therefore, a technique has been proposed that uses RF power of two or more different frequencies of RF power for generating and maintaining plasma and RF power for controlling ion energy (see, for example, Patent Document 1).

しかしながら、このような従来技術では、低い周波数に起因するイオンエネルギーの分散が大きく、この分散を加工精度の向上のために必要とされる範囲に十分に狭帯域化させることは困難である。また、低い方の周波数を高くすることでイオンエネルギーの分散を小さくすることができるが、所望されるイオンエネルギーを得ることが困難になるという問題がある。   However, in such a conventional technique, the dispersion of ion energy due to the low frequency is large, and it is difficult to sufficiently narrow the dispersion to a range required for improving the processing accuracy. Moreover, although dispersion | distribution of ion energy can be made small by making a lower frequency high, there exists a problem that it becomes difficult to obtain desired ion energy.

特開２００３−２３４３３１号公報（特許請求の範囲、段落［００５８］〜［００６１］等）JP 2003-234331 A (claims, paragraphs [0058] to [0061], etc.)

本発明は、プラズマ中のイオンに基板の処理に適したエネルギーをもたせるとともに、イオンエネルギーの分散を狭帯域化させることを可能とするプラズマ処理装置およびプラズマ処理方法を提供することを目的とする。   An object of the present invention is to provide a plasma processing apparatus and a plasma processing method capable of giving ions suitable for processing a substrate to ions in plasma and narrowing the dispersion of ion energy.

本発明は第１態様として、被処理基板を載置する第１電極と、一定間隔で前記第１電極と対向するように配置された第２電極と、前記第１，第２電極を収容し、その内部の雰囲気を調整可能に構成されたチャンバと、前記第１電極上の自己バイアス電圧を制御するための所定の第１周波数の負の直流パルス電圧を前記第１電極に印加する第１電源装置と、前記第１，第２電極間にプラズマを発生させるための所定の第２周波数のＲＦ電圧を前記直流パルス電圧と同期させて前記第１電極に印加する第２電源装置と、を具備し、前記第１の電源装置による前記負の直流パルス電圧の直流電圧印加の間が接地状態で無電圧時間となるように前記第１の電極に対して電圧印加を行うことを特徴とするプラズマ処理装置を提供する。 As a first aspect, the present invention accommodates a first electrode on which a substrate to be processed is placed, a second electrode arranged to face the first electrode at regular intervals, and the first and second electrodes. A chamber configured to be capable of adjusting the atmosphere inside thereof, and a first DC pulse voltage having a predetermined first frequency for controlling a self-bias voltage on the first electrode applied to the first electrode. A power supply device, and a second power supply device that applies an RF voltage of a predetermined second frequency for generating plasma between the first and second electrodes to the first electrode in synchronization with the DC pulse voltage. And applying a voltage to the first electrode so that a period between the application of the DC voltage of the negative DC pulse voltage by the first power supply device is a grounded state and no voltage is applied. A plasma processing apparatus is provided.

本発明は第２態様として、その内部雰囲気を調整可能に構成されたチャンバ内の下部および上部に互いに一定間隔で対向するようにそれぞれ配置された第１電極と第２電極の当該第１電極上に被処理基板を載置させ、前記第１電極上の自己バイアス電圧を制御するための所定の負の直流パルス電圧を前記第１電極に印加するとともに、前記第１，第２電極間にプラズマを発生させるための所定のＲＦ電圧を前記直流パルス電圧と同期させて間欠的に前記第１電極に印加し、前記負の直流パルス電圧は、このパルス電圧の直流電圧印加の間が接地状態で無電圧時間となるように前記第１の電極に印加されることを特徴とするプラズマ処理方法を提供する。 As a second aspect, the present invention provides a first electrode and a second electrode arranged on a first electrode and a second electrode, which are arranged so as to be opposed to each other at a predetermined interval on a lower part and an upper part in a chamber configured to be capable of adjusting the internal atmosphere. A predetermined negative DC pulse voltage for controlling a self-bias voltage on the first electrode is applied to the first electrode, and plasma is applied between the first and second electrodes. A predetermined RF voltage for generating a voltage is intermittently applied to the first electrode in synchronization with the DC pulse voltage, and the negative DC pulse voltage is grounded during the application of the DC voltage of the pulse voltage. A plasma processing method is provided, wherein the plasma treatment method is applied to the first electrode so as to have a no-voltage time.

本発明によれば、プラズマ中のイオンに基板の処理に適したエネルギーをもたせるとともに、イオンエネルギーの分散を狭帯域化することができ、これによりプラズマを用いた種々の加工を高精度に行うことができる。   According to the present invention, the ions in the plasma can have energy suitable for the processing of the substrate, and the dispersion of the ion energy can be narrowed, whereby various processing using the plasma can be performed with high accuracy. Can do.

本発明の第１形態に係るＲＩＥ装置の概略構成を示す断面図。Sectional drawing which shows schematic structure of the RIE apparatus which concerns on the 1st form of this invention. 第１形態に係るＲＩＥ装置においてＲＦ電極に印加される電圧波形を示す図。The figure which shows the voltage waveform applied to RF electrode in the RIE apparatus which concerns on a 1st form. 第１形態に係るＲＩＥ装置によるプラズマ電子密度，プラズマポテンシャル，自己バイアス電圧の関係を模式的に示す図。The figure which shows typically the relationship of the plasma electron density by the RIE apparatus which concerns on a 1st form, a plasma potential, and a self-bias voltage. イオンが電極電位に追従する場合のイオンエネルギーおよびその分散についてのシミュレーション結果を示すグラフ。The graph which shows the simulation result about ion energy in case ion follows an electrode potential, and its dispersion | distribution. イオンが電極電位に追従しない場合のイオンエネルギーおよびその分散についてのシミュレーション結果を示すグラフ。The graph which shows the simulation result about ion energy in case an ion does not follow an electrode potential, and its dispersion | distribution. 被処理体の構成を示す概略断面図。The schematic sectional drawing which shows the structure of a to-be-processed object. 第１形態に係るＲＩＥ装置においてＲＦ電極に印加される別の電圧波形を示す図。The figure which shows another voltage waveform applied to RF electrode in the RIE apparatus which concerns on a 1st form. 本発明の第２形態に係るＲＩＥ装置の概略構成を示す図。The figure which shows schematic structure of the RIE apparatus which concerns on the 2nd form of this invention. 第２形態に係るＲＩＥ装置においてＲＦ電極に印加される電圧波形を示す図。The figure which shows the voltage waveform applied to RF electrode in the RIE apparatus which concerns on a 2nd form. 第２形態に係るＲＩＥ装置によるプラズマ電子密度，プラズマポテンシャル，自己バイアス電圧の関係を模式的に示す図。The figure which shows typically the relationship of the plasma electron density by the RIE apparatus which concerns on a 2nd form, a plasma potential, and a self-bias voltage. 本発明の第３形態に係るＲＩＥ装置の概略構成を示す図。The figure which shows schematic structure of the RIE apparatus which concerns on the 3rd form of this invention. 第３形態に係るＲＩＥ装置においてＲＦ電極に印加される電圧波形を示す図。The figure which shows the voltage waveform applied to RF electrode in the RIE apparatus which concerns on a 3rd form. 第１形態に係るＲＩＥ装置の変形例の概略構成を示す図。The figure which shows schematic structure of the modification of the RIE apparatus which concerns on a 1st form. 自己バイアス電圧を制御するための電圧の別の印加形態を示す図。The figure which shows another application form of the voltage for controlling a self-bias voltage.

以下、本発明の実施の形態について図面を参照しながら詳細に説明する。ここではプラズマ処理装置として、半導体基板（以下「基板」と記す）にＲＩＥ処理を施すＲＩＥプラズマ処理装置（以下「ＲＩＥ装置」と記す）を取り上げることとする。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. Here, as the plasma processing apparatus, an RIE plasma processing apparatus (hereinafter referred to as “RIE apparatus”) that performs RIE processing on a semiconductor substrate (hereinafter referred to as “substrate”) is taken up.

図１に本発明の第１形態に係るＲＩＥ装置１０Ａの概略構成を示す。ＲＩＥ装置１０Ａは、基板Ｗを載置する第１電極たる高周波電極（以下「ＲＦ電極」と記す）１１と、一定間隔でこのＲＦ電極１１と対向するように配置された第2電極たる対向電極１２と、これらＲＦ電極１１と対向電極１２を収容するチャンバ１３と、チャンバ１３の内部にプラズマ生成に必要なガスを供給するためのガス供給機構１４と、チャンバ１３内を減圧するための減圧ポンプ１５を備えている。   FIG. 1 shows a schematic configuration of an RIE apparatus 10A according to the first embodiment of the present invention. The RIE apparatus 10A includes a high-frequency electrode (hereinafter referred to as “RF electrode”) 11 serving as a first electrode on which the substrate W is placed, and a counter electrode serving as a second electrode disposed so as to face the RF electrode 11 at regular intervals. 12, a chamber 13 that accommodates the RF electrode 11 and the counter electrode 12, a gas supply mechanism 14 for supplying a gas necessary for plasma generation into the chamber 13, and a decompression pump for decompressing the inside of the chamber 13 15 is provided.

ガス供給機構１４からチャンバ１３の内部へ供給されるガスとしては、Ａｒ，Ｋｒ，Ｘｅ，Ｎ２，Ｏ２，ＣＯ，Ｈ２等のガスの他、ＳＦ６やＣＦ４，Ｃ２Ｆ６，Ｃ４Ｆ８，Ｃ５Ｆ８，Ｃ４Ｆ６，Ｃｌ２，ＨＢｒ，ＳｉＨ４，ＳｉＦ４等のプロセスガスが挙げられる。対向電極１２はこれらのガスをチャンバ１３の内部に送出する構造となっている。ガス供給機構１４と減圧ポンプ１５の動作調節により、チャンバ１３の内部を所望する処理雰囲気、例えば１Ｐａ〜数Ｐａに調整することができるようになっている。 Gases supplied from the gas supply mechanism 14 to the inside of the chamber 13 include gases such as Ar, Kr, Xe, N 2 , O 2 , CO, and H 2 , as well as SF 6 , CF 4 , C 2 F 6 , Examples of the process gas include C 4 F 8 , C 5 F 8 , C 4 F 6 , Cl 2 , HBr, SiH 4 , and SiF 4 . The counter electrode 12 has a structure for sending these gases into the chamber 13. By adjusting the operation of the gas supply mechanism 14 and the decompression pump 15, the inside of the chamber 13 can be adjusted to a desired processing atmosphere, for example, 1 Pa to several Pa.

ガス供給機構１４からチャンバ１３内に供給されるガスをＲＦ電極１１と対向電極１２の間でプラズマ化させてＲＩＥ処理を行うために、ＲＩＥ装置１０Ａは、ＲＦ電極１１に異なる周波数の高周波（ＲＦ）電圧を印加する第１電源装置１８と第２電源装置１９を備えている。なお、ＲＦ電極１１の詳細な構造は図１に示していないが、ＲＦ電極１１は、例えば基板Ｗを吸着保持するための静電チャックと、この静電チャックを支持する金属製のステージから構成されており、このステージにＲＦ電圧が印加される。静電チャックには基板Ｗを所定温度に保持するためのヒータを埋設することができる。対向電極１２はアース（グランド）電位に保持されている。   In order to perform the RIE process by making the gas supplied from the gas supply mechanism 14 into the chamber 13 into plasma between the RF electrode 11 and the counter electrode 12, the RIE apparatus 10 </ b> A has a high frequency (RF ) A first power supply device 18 and a second power supply device 19 for applying a voltage are provided. Although the detailed structure of the RF electrode 11 is not shown in FIG. 1, the RF electrode 11 is composed of, for example, an electrostatic chuck for attracting and holding the substrate W and a metal stage for supporting the electrostatic chuck. The RF voltage is applied to this stage. A heater for holding the substrate W at a predetermined temperature can be embedded in the electrostatic chuck. The counter electrode 12 is held at an earth (ground) potential.

第１電源装置１８は、ＲＦ電極１１上の自己バイアス電圧（つまりＲＦ電極１１に保持された基板Ｗに生じる自己バイアス電圧）Ｖｄｃを制御するための電圧を間欠的にＲＦ電極１１に印加する。そのために第１電源装置１８は、第１周波数ｆ１でｓｉｎ波形のＲＦ電圧を連続的に出力する第１ＲＦ電源２１と、プラズマ負荷に対するインピーダンス整合等を行う第１整合器２２と、第１ＲＦ電源２１から出力されるＲＦ電圧を周期的にアース側へ逃がすための第１スイッチング部２３を備えている。第１電源装置１８はまた、第２電源装置１９からＲＦ電極１１へ供給される電力成分が第１整合器２２へ侵入することを防止するための第１フィルタ２４を備えている。 The first power supply device 18 intermittently applies a voltage for controlling a self-bias voltage on the RF electrode 11 (that is, a self-bias voltage generated in the substrate W held by the RF electrode 11) V dc to the RF electrode 11. . For this purpose, the first power supply device 18 includes a first RF power supply 21 that continuously outputs an RF voltage having a sine waveform at a first frequency f 1 , a first matching unit 22 that performs impedance matching and the like for a plasma load, and a first RF power supply. The 1st switching part 23 for letting the RF voltage output from 21 to the ground side periodically is provided. The first power supply device 18 also includes a first filter 24 for preventing a power component supplied from the second power supply device 19 to the RF electrode 11 from entering the first matching unit 22.

第２電源装置１９は、ＲＦ電極１１と対向電極１２の間にプラズマを発生させ、これを維持することを主目的とするＲＦ電圧をＲＦ電極１１に印加する。そのために第２電源装置１９は、第２周波数ｆ２のＲＦ電圧を連続的に出力する第２ＲＦ電源２５と、第２整合器２６と、第１電源装置１８からＲＦ電極１１に供給される電力成分が第２整合器２６へ侵入することを防止するための第２フィルタ２７を備えている。 The second power supply device 19 generates plasma between the RF electrode 11 and the counter electrode 12 and applies an RF voltage to the RF electrode 11 whose main purpose is to maintain the plasma. Second power supply 19 to do so, and the 2RF power supply 25 for outputting a second RF voltage of frequency f 2 continuously, a second matching unit 26, the power supplied to the RF electrode 11 from first power unit 18 A second filter 27 is provided for preventing components from entering the second matching unit 26.

第２周波数ｆ２は、例えば１００ＭＨｚに設定される。第１周波数ｆ１は第２周波数ｆ２よりも低い周波数に設定され、例えば１ＭＨｚや１３．５６ＭＨｚに設定することができる。その設定条件については後に詳細に説明する。 The second frequency f 2 is set to for example 100 MHz. The first frequency f 1 may be set at a frequency lower than the second frequency f 2, for example, 1MHz or 13.56 MHz. The setting conditions will be described in detail later.

図２に第１電源装置１８と第２電源装置１９からそれぞれ出力される電圧波形およびこれらの重畳電圧波形を模式的に示す。第１スイッチング部２３は、ＲＦ電極１１に対して、時間幅ｔ０での電圧印加の間に時間幅ｔ１の無電圧時間が存在するように、スイッチング動作を行う。つまり、第１スイッチング部２３は第１ＲＦ電源２１から出力される電圧をパルス化する。 FIG. 2 schematically shows voltage waveforms output from the first power supply device 18 and the second power supply device 19 and their superimposed voltage waveforms. The first switching unit 23 performs a switching operation on the RF electrode 11 such that a non-voltage time with a time width t 1 exists between voltage applications with a time width t 0 . That is, the first switching unit 23 pulses the voltage output from the first RF power supply 21.

時間幅ｔ０，ｔ１は１／ｆ１＝ｔ０＋ｔ１の関係を満たしている。したがって図２上段の波形に示されるように、第１ＲＦ電源２１から出力される第１周波数ｆ１のＲＦ電圧のピーク−ピーク電圧Ｖ１Ｐ−Ｐのうちの略一定幅（電位差ΔＶ）かつ略一定値が、間欠的にＲＦ電極１１に印加されることとなる。 The time widths t 0 and t 1 satisfy the relationship 1 / f 1 = t 0 + t 1 . Thus, as shown in FIG. 2 upper waveform, the peak of the first frequency f 1 of the RF voltage output from the first 1RF power 21 - substantially constant width of the peak voltage V1 P-P (difference [Delta] V) and substantially constant The value is intermittently applied to the RF electrode 11.

“略一定幅”，“略一定値”とは、その幅，絶対値に、第１スイッチング部２３の動作精度等に依存して若干のばらつきが生じることがあることをいう。理想的な状態では、図２上段の波形に示される通り、ＲＦ電圧の変化に対して時間幅ｔ０，ｔ１は時間的にずれることなく、したがって電位差ΔＶの幅は変化することなく、かつ、印加電圧の絶対値は一定値内に維持される。以下、このようにして第１電源装置１８から出力される電圧を“第１周波数ｆ１のパルス電圧”ということとする。 “Substantially constant width” and “substantially constant value” mean that the width and absolute value may vary slightly depending on the operation accuracy of the first switching unit 23 and the like. In an ideal state, as shown in the upper waveform of FIG. 2, the time widths t 0 and t 1 are not shifted in time with respect to the change of the RF voltage, and therefore the width of the potential difference ΔV does not change, and The absolute value of the applied voltage is maintained within a certain value. Hereinafter, the voltage output from the first power supply device 18 in this manner is referred to as “pulse voltage of the first frequency f 1 ”.

第１周波数ｆ１のパルス電圧は、負の自己バイアス電位によって負の電圧値領域で変化するようになるため、第１周波数ｆ１のパルス電圧を正電圧としてしまうと、自己バイアス電圧Ｖｄｃの絶対値が小さくなる。そこで、第１周波数ｆ１のパルス電圧は負のパルス電圧とする。 Since the pulse voltage of the first frequency f 1 changes in the negative voltage value region due to the negative self-bias potential, if the pulse voltage of the first frequency f 1 is set to a positive voltage, the self-bias voltage V dc The absolute value becomes smaller. Therefore, the pulse voltage of the first frequency f 1 is a negative pulse voltage.

第２電源装置１９からは、図２中段の電圧波形に示されるように、第２周波数ｆ２のＲＦ電圧が連続的に出力される。第１ＲＦ電源２１から出力されるＲＦ電圧のピーク−ピーク電圧Ｖ１Ｐ−Ｐは数百ボルトとされるのに対して、第２ＲＦ電源２５から出力されるＲＦ電圧のピーク−ピーク電圧Ｖ２Ｐ−Ｐは数十ボルトとされ、これらはともに負電圧とされる。そのため第１電源装置１８から出力される第１周波数ｆ１のパルス電圧と第２電源装置１９から出力される第２周波数ｆ２のＲＦ電圧とが重畳されると、図２下段に示されるような電圧波形が得られる。 From the second power supply unit 19, as shown in Figure 2 the middle of the voltage waveform, RF voltage of the second frequency f 2 is continuously output. Peak of the RF voltage output from the first 1RF power 21 - peak voltage V1 P-P for being a few hundred volts, the peak of the RF voltage output from the first 2RF power 25 - peak voltage V2 P-P Is several tens of volts, both of which are negative. Therefore, when the pulse voltage of the first frequency f 1 output from the first power supply device 18 and the RF voltage of the second frequency f 2 output from the second power supply device 19 are superimposed, as shown in the lower part of FIG. A simple voltage waveform is obtained.

この図２下段に示した重畳電圧がＲＦ電極１１に印加されることによってＲＦ電極１１と対向電極１２との間に生じるプラズマの電子密度Ｎｅと，プラズマポテンシャルＶＰと，自己バイアス電圧Ｖｄｃの関係を模式的に図３に示す。 And the electron density N e of the plasma generated between the RF electrode 11 and the counter electrode 12 by the superposed voltage shown in FIG. 2 lower part is applied to the RF electrode 11, and the plasma potential V P, the self-bias voltage V dc This relationship is schematically shown in FIG.

プラズマ電子密度Ｎｅは、第２電源装置１９からＲＦ電極１１に印加される第２周波数ｆ２のＲＦ電力成分に依存するため、ほぼ一定値に維持される。したがって、プラズマ中の正イオン密度も一定に維持され（図示せず）、プラズマポテンシャルＶＰも一定に維持される。 Plasma electron density N e is dependent on the RF power components of the second frequency f 2 which is applied from the second power supply device 19 to the RF electrode 11 is maintained at a substantially constant value. Therefore, the positive ion density in the plasma is also maintained constant (not shown), and the plasma potential VP is also maintained constant.

自己バイアス電圧Ｖｄｃは、実質的に第１周波数ｆ１のパルス電圧の変化に対応して負の電圧値範囲において変化し、第２周波数ｆ２のＲＦ電圧の寄与は無視することができる。自己バイアス電圧Ｖｄｃは負電位であり、プラズマポテンシャルＶＰは正電位であるから、プラズマ中の正イオンのイオンエネルギーＥｉは自己バイアス電圧ＶｄｃとプラズマポテンシャルＶＰとの差（すなわち絶対値の和）で表される。プラズマポテンシャルＶＰは自己バイアス電圧Ｖｄｃに比べて極めて小さいために、実質的に自己バイアス電圧ＶｄｃをイオンエネルギーＥｉと考えることができる。 The self-bias voltage V dc changes in the negative voltage value range substantially corresponding to the change in the pulse voltage at the first frequency f 1 , and the contribution of the RF voltage at the second frequency f 2 can be ignored. Self-bias voltage V dc is negative potential, because the plasma potential V P is the positive potential, the ion energy E i of the positive ions in the plasma difference between the self-bias voltage V dc and plasma potential V P (i.e. absolute value Sum). Plasma potential V P is for very small compared to the self-bias voltage V dc, substantially self-bias voltage V dc can be considered as the ion energy E i.

そこで、ＲＦ電極１１への小さな電力投入によってプラズマ中の正イオンにＲＩＥ加工に必要なエネルギーを持たせるために、先に図２上段に示した通り、時間幅ｔ０の中央（＝ｔ０／２）において第１周波数ｆ１のｓｉｎ波ＲＦ電圧値が極小値をとるように時間幅ｔ０，ｔ１が設定された第１周波数ｆ１のパルス電圧を用いる。これにより、図３に示されるように、絶対値の大きな自己バイアス電圧Ｖｄｃを生じさせてプラズマ中の正イオンを加速させ、基板Ｗに引き込むことができる。 Therefore, in order to give positive ions in the plasma energy necessary for RIE processing by applying a small electric power to the RF electrode 11, as shown in the upper part of FIG. 2, the center of the time width t 0 (= t 0 / In 2), the pulse voltage of the first frequency f 1 in which the time widths t 0 and t 1 are set so that the sin wave RF voltage value of the first frequency f 1 takes the minimum value is used. Thereby, as shown in FIG. 3, a self-bias voltage V dc having a large absolute value can be generated to accelerate positive ions in the plasma and be drawn into the substrate W.

第１周波数ｆ１のパルス電圧における電位差ΔＶに起因して、自己バイアス電圧Ｖｄｃには電位差ΔＶｄｃが生じる。この電位差ΔＶｄｃはイオンエネルギーＥｉの分散（分布幅）を広くする１つの要因となる。図２に示した通りに時間幅ｔ０の中央（＝ｔ０／２）で第１周波数ｆ１のｓｉｎ波ＲＦ電圧値が極小値をとるように時間幅ｔ０，ｔ１を設定することにより、時間幅ｔ０に対する電位差ΔＶを最も小さくすることができ、これにより電位差ΔＶｄｃを小さく抑えることができる。イオンエネルギーＥｉの分散を狭帯域化するために、時間幅ｔ０は第１周波数ｆ１の周期（＝１／ｆ１）の１／４周期以下とすることが望ましい。 Due to the potential difference ΔV in the pulse voltage of the first frequency f 1, a potential difference ΔV dc is generated in the self-bias voltage V dc . This potential difference ΔV dc is one factor that widens the dispersion (distribution width) of the ion energy E i . Central duration t 0 as shown in FIG. 2 (= t 0/2) by sin wave RF voltage value of the first frequency f 1 is set the time width t 0, t 1 to take a minimum value Thus, the potential difference ΔV with respect to the time width t 0 can be minimized, and thus the potential difference ΔV dc can be suppressed to be small. In order to narrow the dispersion of the ion energy E i , it is desirable that the time width t 0 is equal to or less than ¼ period of the period (= 1 / f 1 ) of the first frequency f 1 .

イオンエネルギーＥｉの分散は、プラズマ中の正イオンがＲＦ電極１１の電極電位に追従できるか否かにも依存する。プラズマ中の正イオンは、ＲＦ電極１１の電極電位の周波数がプラズマのイオン周波数ωｐｉ以下である場合に、この電極電位に追従する。ここで、ωｐｉ＝（ｅ２Ｎｉ／（ε０Ｍ））１／２［Ｈｚ］（但し、Ｎｉ：イオン密度（個／ｍ３）、ε０：真空の誘電率、Ｍ：イオン質量（ｋｇ）、ｅ：電子素量）で与えられる。 The dispersion of the ion energy E i also depends on whether or not positive ions in the plasma can follow the electrode potential of the RF electrode 11. Positive ions in the plasma follow this electrode potential when the frequency of the electrode potential of the RF electrode 11 is equal to or lower than the ion frequency ω pi of the plasma. Here, ω pi = (e 2 Ni / (ε 0 M)) 1/2 [Hz] (where Ni: ion density (pieces / m 3 ), ε 0 : vacuum permittivity, M: ion mass ( kg), e: elementary amount of electrons).

ＲＦ電極１１の電極電位の周波数は第１周波数ｆ１と同じであるから、第１周波数ｆ１がイオン周波数ωｐｉ以下である場合に、プラズマ中の正イオンはＲＦ電極１１の電極電位に追従したイオンエネルギーを有するようになる。図３の自己バイアス電圧Ｖｄｃはこのイオンエネルギーを反映する値を示す。 Since the frequency of the electrode potential of the RF electrode 11 is the same as the first frequency f 1, when the first frequency f 1 is below the ion frequency omega pi, positive ions in the plasma follow the electrode potential of the RF electrode 11 It has the ion energy. The self-bias voltage V dc in FIG. 3 shows a value reflecting this ion energy.

第１比較例として、ＲＩＥ装置１０Ａから第１スイッチング部２３を取り除いた構成のＲＩＥ装置を用い、第１周波数ｆ１（＝１ＭＨｚ）のＲＦ電圧と第２周波数ｆ２（＝１００ＭＨｚ）のＲＦ電圧を連続的にＲＦ電極１１に重畳印加した場合のイオンエネルギーの分布を、連続体モデルプラズマシミュレータ（G. Chen, L.L. Raja, J. Appl. Phys., 96, 6073（2004））でシミュレーションした結果を図４に模式的に示す。 As a first comparative example, an RIE apparatus having a configuration in which the first switching unit 23 is removed from the RIE apparatus 10A is used, and an RF voltage having a first frequency f 1 (= 1 MHz) and an RF voltage having a second frequency f 2 (= 100 MHz). Results of simulating the distribution of ion energy in the case of continuously superimposing and applying to the RF electrode 11 with a continuum model plasma simulator (G. Chen, LL Raja, J. Appl. Phys., 96, 6073 (2004)) Is schematically shown in FIG.

また第１実施例として、ＲＩＥ装置１０Ａを用い、第１周波数ｆ１（＝１ＭＨｚ）のパルス電圧（時間幅ｔ０＝１／４ｆ１）と第２周波数ｆ２（＝１００ＭＨｚ）の連続ＲＦ電圧を、第１比較例と同電圧，同電力でＲＦ電極１１に重畳印加した場合のイオンエネルギーの分布を、同シミュレータにより求めた結果を図４に模式的に併記する。ここで、具体的に図４においては、ＲＦ電極と対向電極の電極間距離を３０ｍｍ、基板サイズをφ３００ｍｍ、アルゴン（Ａｒ）ガス流量を２００ｓｃｃｍ、チャンバ圧力を１．３３３Ｐａ（＝１０ｍＴｏｒｒ）とし、第１周波数ｆ１（＝１ＭＨｚ）のＲＦ電圧（ＶＰ−Ｐ＝９００Ｖ，電力：４００Ｗ）と第２周波数ｆ２（＝１００ＭＨｚ）のＲＦ電圧（ＶＰ−Ｐ＝２０Ｖ，電力：５００Ｗ）をＲＦ電極１１に重畳印加した場合のイオンエネルギーの分布を示している。なお、図４では第１比較例と第１実施例の各イオンエネルギー分布を、ベースラインを上下にずらして記載している。 As a first example, using a RIE apparatus 10A, continuous RF voltage at the first frequency f 1 pulse voltage (time width t 0 = 1 / 4f 1) of (= 1 MHz) and the second frequency f 2 (= 100 MHz) FIG. 4 schematically shows the result of obtaining the ion energy distribution obtained by superimposing on the RF electrode 11 with the same voltage and power as in the first comparative example. Specifically, in FIG. 4, the distance between the RF electrode and the counter electrode is 30 mm, the substrate size is φ300 mm, the argon (Ar) gas flow rate is 200 sccm, the chamber pressure is 1.333 Pa (= 10 mTorr), 1 frequency f 1 (= 1 MHz) RF voltage (V P-P = 900V, power: 400W) and the second frequency f 2 (= 100 MHz) RF voltage (V P-P = 20V, power: 500 W) of the RF and The distribution of ion energy when superimposed on the electrode 11 is shown. In FIG. 4, the ion energy distributions of the first comparative example and the first example are shown with the baseline shifted vertically.

先に示した種々のガスを用いたプラズマ中の正イオンは、ＲＦ電極１１の電極電位が周波数１ＭＨｚで変化する場合にこの電極電位に追従する。第１比較例の場合には、プラズマ中のイオンエネルギーは低エネルギー側ピークと高エネルギー側ピークに分かれており、そのエネルギー差は約７００ｅＶである。また、これら２つのピーク間のエネルギーを有するイオンが一定の割合で存在している。これに対して、第１実施例の場合には、低エネルギー側ピークと高エネルギー側ピークとの間のエネルギー差は第１比較例の場合と同等であるが、高エネルギー側ピークは、狭いピーク幅を有しながら極端に大きくなっており、このピークのエネルギーを有するイオンの割合が極めて多くなっていることがわかる。この高エネルギー側ピークが全体に占める割合は８０％程度にまで達する。   The positive ions in the plasma using the various gases described above follow this electrode potential when the electrode potential of the RF electrode 11 changes at a frequency of 1 MHz. In the case of the first comparative example, the ion energy in the plasma is divided into a low energy side peak and a high energy side peak, and the energy difference is about 700 eV. Further, ions having energy between these two peaks are present at a certain ratio. On the other hand, in the case of the first embodiment, the energy difference between the low energy side peak and the high energy side peak is the same as that in the first comparative example, but the high energy side peak is a narrow peak. It can be seen that the ratio is extremely large while having a width, and the proportion of ions having this peak energy is extremely large. The ratio of the high energy peak to the whole reaches about 80%.

よって、この高エネルギー側ピーク位置を適切なエネルギー範囲内に設定し、実質的にこの高エネルギー側ピークを専ら用いて基板ＷのＲＩＥ処理を行うことにより、加工形状を精密に制御することができるようになる。この高エネルギー側ピークの値は第１周波数ｆ１のパルス電圧の値により制御することができる。 Therefore, the processing shape can be precisely controlled by setting the high energy side peak position within an appropriate energy range and substantially performing the RIE processing of the substrate W using the high energy side peak. It becomes like this. The value of the high-energy side peak can be controlled by the value of the first frequency f 1 of the pulse voltage.

一方、ＲＦ電極１１の電極電位の周波数がプラズマのイオン周波数ωｐｉ超である場合には、プラズマ中の正イオンはこの電極電位に追従することができない。この場合、イオンエネルギーすなわち自己バイアス電圧Ｖｄｃは、第１周波数ｆ１のパルス電圧の値よりも小さい振幅で変動する。 On the other hand, when the frequency of the electrode potential of the RF electrode 11 exceeds the plasma ion frequency ω pi , the positive ions in the plasma cannot follow this electrode potential. In this case, the ion energy, that is, the self-bias voltage V dc varies with an amplitude smaller than the value of the pulse voltage of the first frequency f 1 .

第２比較例として、ＲＩＥ装置１０Ａから第１スイッチング部２３を取り除いたＲＩＥ装置の構成において、ＲＦ電極と対向電極の電極間距離を３０ｍｍ、基板サイズをφ３００ｍｍ、アルゴン（Ａｒ）ガス流量を２００ｓｃｃｍ、チャンバ圧力を１．３３３Ｐａ（＝１０ｍＴｏｒｒ）とし、第１周波数ｆ１（＝１３．５６ＭＨｚ）のＲＦ電圧（ＶＰ−Ｐ＝９００Ｖ，電力：４００Ｗ）と第２周波数ｆ２（＝１００ＭＨｚ）のＲＦ電圧（ＶＰ−Ｐ＝２０Ｖ，電力：５００Ｗ）を連続的にＲＦ電極１１に重畳印加した場合のイオンエネルギーの分布を、前記シミュレータでシミュレーションした結果を図５に示す。 As a second comparative example, in the configuration of the RIE apparatus in which the first switching unit 23 is removed from the RIE apparatus 10A, the distance between the RF electrode and the counter electrode is 30 mm, the substrate size is φ300 mm, the argon (Ar) gas flow rate is 200 sccm, The chamber pressure is 1.333 Pa (= 10 mTorr), the RF voltage (V P−P = 900 V, power: 400 W) at the first frequency f 1 (= 13.56 MHz) and the RF at the second frequency f 2 (= 100 MHz). FIG. 5 shows a simulation result of the ion energy distribution when the voltage (V P−P = 20 V, power: 500 W) is continuously applied to the RF electrode 11 by the simulator.

これに対して、第２実施例としてＲＩＥ装置１０Ａを用い、第１周波数ｆ１（＝１３．５６ＭＨｚ）のパルス電圧（時間幅ｔ０＝１／４ｆ１）と、第２周波数ｆ２（＝１００ＭＨｚ）の連続ＲＦ電圧を、第２比較例と同電圧，同電力でＲＦ電極１１に重畳印加した場合のイオンエネルギーの分布を、同シミュレータにより求めた結果を図５に模式的に併記する。さらに図５に、ＲＦ電極１１に１００ＭＨｚのＲＦ電圧のみを第２実施例と同電圧，同電力で連続印加した場合のイオンエネルギーを併記する。 On the other hand, using the RIE apparatus 10A as the second embodiment, the pulse voltage (time width t 0 = ¼f 1 ) of the first frequency f 1 (= 13.56 MHz) and the second frequency f 2 (= FIG. 5 schematically shows the result of the ion energy distribution obtained when the continuous RF voltage of 100 MHz) is superimposed and applied to the RF electrode 11 with the same voltage and the same power as in the second comparative example. Further, FIG. 5 also shows the ion energy when only a 100 MHz RF voltage is continuously applied to the RF electrode 11 at the same voltage and the same power as in the second embodiment.

先に示した種々のガスを用いたプラズマ中の正イオンは、ＲＦ電極１１の電極電位が周波数１３．５６ＭＨｚで変化する場合には、この電極電位に追従することができない。   The positive ions in the plasma using the various gases described above cannot follow the electrode potential when the electrode potential of the RF electrode 11 changes at a frequency of 13.56 MHz.

第２比較例では自己バイアス電圧Ｖｄｃとして−３５０Ｖが発生し、イオンエネルギーは３２０ｅＶ〜４５０ｅＶで、イオンエネルギーの分散ΔＥ１は１３０ｅＶとなっている。この場合、一部の正イオンはＲＩＥ加工に適したエネルギー範囲から外れたエネルギーを有してしまうこととなる。 In the second comparative example, −350 V is generated as the self-bias voltage V dc , the ion energy is 320 eV to 450 eV, and the ion energy dispersion ΔE 1 is 130 eV. In this case, some of the positive ions have energy that is out of the energy range suitable for RIE processing.

これに対して第２実施例では、第２比較例と同様に自己バイアス電圧Ｖｄｃとして−３５０Ｖが得られる。また、第１周波数ｆ１のパルス電圧に正イオンが追従できないために、低エネルギー側ピークと高エネルギー側ピークとが近接するようになり、イオンエネルギーの分散ΔＥ２は４０ｅＶとなって、第２比較例の場合の約１／３に狭帯域化される。これにより、実質的に全ての正イオンのイオンエネルギーをＲＩＥ加工に適したエネルギー範囲に収めることができる。 On the other hand, in the second embodiment, −350 V is obtained as the self-bias voltage V dc as in the second comparative example. Further, since positive ions cannot follow the pulse voltage of the first frequency f 1 , the low energy side peak and the high energy side peak come close to each other, and the ion energy dispersion ΔE 2 becomes 40 eV, The bandwidth is narrowed to about 1/3 of the comparative example. Thereby, the ion energy of substantially all the positive ions can be within the energy range suitable for RIE processing.

なお、第２周波数ｆ２（＝１００ＭＨｚ）のＲＦ電圧だけがＲＦ電極１１に印加された場合のイオンエネルギーは約７５ｅＶで、このイオンエネルギーを有する正イオンはＲＩＥ加工に寄与しない。 Note that the ion energy when only the RF voltage of the second frequency f 2 (= 100 MHz) is applied to the RF electrode 11 is about 75 eV, and positive ions having this ion energy do not contribute to the RIE processing.

第１実施例と第２実施例とを対比すると、第１実施例によるイオンエネルギーの狭帯域化では、多くのイオンが高エネルギー部に集中する一方で、一定量のイオンはこれよりも低いエネルギーを有し、その分布範囲も広いことから、このような低エネルギーのイオンが加工形状を悪化させるおそれや、エッチングレートを高めることを困難にするおそれがないとは言えない。   When comparing the first embodiment with the second embodiment, in the narrowing of the ion energy band according to the first embodiment, while many ions are concentrated in the high energy part, a certain amount of ions has a lower energy. Since the distribution range is wide, it cannot be said that there is no risk that such low-energy ions may deteriorate the processed shape or make it difficult to increase the etching rate.

これに対して、第２実施例では、プラズマ中のほぼ全ての正イオンがＲＩＥ加工に適したイオンエネルギーを有するように、イオンエネルギーの分散を狭帯域化させることができるので、高いエッチングレートと高精度な加工を同時に実現することができる。   On the other hand, in the second embodiment, since the dispersion of ion energy can be narrowed so that almost all positive ions in the plasma have ion energy suitable for RIE processing, a high etching rate can be obtained. High precision machining can be realized at the same time.

次に、このようなイオンエネルギーの狭帯域化がＲＩＥ加工プロセスに及ぼす影響についてより具体的に説明する。ここでは上述した第１実施例と第２実施例のいずれの形態を用いてもよいが、好ましくは第２実施例が用いられる。図６に被処理体２００の構成を示した概略断面図を記す。図６（ａ）はＲＩＥを施す前の断面図であり、図６（ｂ）はＲＩＥ処理中の断面図であり、図６（ｃ）はＲＩＥ終了後の断面図である。   Next, the effect of such narrowing of ion energy on the RIE process will be described more specifically. Here, any form of the first embodiment and the second embodiment described above may be used, but the second embodiment is preferably used. FIG. 6 is a schematic cross-sectional view showing the configuration of the target object 200. FIG. 6A is a cross-sectional view before RIE, FIG. 6B is a cross-sectional view during RIE processing, and FIG. 6C is a cross-sectional view after RIE.

ＲＩＥ処理前の被処理体２００は、例えばリソグラフィ工程により予めパターニングされたマスク層２０２とその下層の被エッチング層２０４が、例えばシリコン基板２０６上部に形成された構造を有している。マスク層２０２には、例えばＸ線用あるいはエキシマレーザ用のレジストが用いられる。被エッチング層２０４は例えばシリコン酸化膜であるが、ボロンあるいはリンなどを添加したシリコン酸化膜でもよい。また、マスク層２０２と被エッチング層２０４との間には他の材料からなる膜が形成されていてもよい。   The target object 200 before the RIE process has a structure in which, for example, a mask layer 202 patterned in advance by a lithography process and an etching target layer 204 therebelow are formed on the silicon substrate 206, for example. For the mask layer 202, for example, a resist for X-ray or excimer laser is used. The etched layer 204 is, for example, a silicon oxide film, but may be a silicon oxide film to which boron or phosphorus is added. Further, a film made of another material may be formed between the mask layer 202 and the etching target layer 204.

このような被処理体２００に、上述した第２実施例に係るエッチング処理を施すと、図６（ｃ）に示すようにマスク層２０２のホール径ＣＤ１（以下「トップＣＤ」ともいう）に対し、ボトム径ＣＤ２（以下「ボトムＣＤ」ともいう）、被エッチング層２０４の表面からの深さＤ３のホールが形成される。このときマスク層２０２では、ホール入口付近の肩部２０８が初期の表面から深さＤ２で削られる。なお、図６（ｂ）に示されるように、エッチング処理中の被エッチング層２０４の表面からのホールの深さをＤ３′、肩部２０８が初期の表面から削られた深さをＤ２′とする。   When such an object to be processed 200 is subjected to the etching process according to the second embodiment described above, the hole diameter CD1 (hereinafter also referred to as “top CD”) of the mask layer 202 as shown in FIG. A hole having a bottom diameter CD2 (hereinafter also referred to as “bottom CD”) and a depth D3 from the surface of the etching target layer 204 is formed. At this time, in the mask layer 202, the shoulder 208 near the hole entrance is scraped from the initial surface to a depth D2. As shown in FIG. 6B, the depth of the hole from the surface of the etching target layer 204 during the etching process is D3 ′, and the depth of the shoulder 208 cut from the initial surface is D2 ′. To do.

例えば、被処理体として、被エッチング層２０４がφ３００ｍｍのシリコン基板上に熱酸化で形成されたシリコン酸化膜であり、マスク層２０２がＸ線用レジストであって、所定径のホールパターンが形成されているものをＲＩＥ処理する。このとき、Ｃ４Ｆ６ガス／Ａｒガス／Ｏ２ガスの各流量を所定比に設定し（例えば、Ｃ４Ｆ８：Ａｒ：Ｏ２＝１８：４００：１０（ｓｃｃｍ））、チャンバ１３内の圧力を２．６６７Ｐａ（＝２０ｍＴｏｒｒ）とし、印加電力は１００ＭＨｚを５００Ｗ、１３．５６ＭＨｚを４００Ｗとする。また、１３．５６ＭＨｚのＲＦ電圧は第２実施例と同じ形態でパルス電圧化されている。対向電極１２と被処理体である半導体ウエハ表面との距離は２７ｍｍ、ＲＦ電極１１の温度を２０℃に設定することができる。 For example, as an object to be processed, an etching target layer 204 is a silicon oxide film formed on a silicon substrate having a diameter of 300 mm by thermal oxidation, a mask layer 202 is an X-ray resist, and a hole pattern having a predetermined diameter is formed. RIE process what is being At this time, each flow rate of C 4 F 6 gas / Ar gas / O 2 gas is set to a predetermined ratio (for example, C 4 F 8 : Ar: O 2 = 18: 400: 10 (sccm)), and the inside of the chamber 13 The pressure is 2.667 Pa (= 20 mTorr), and the applied power is 500 W at 100 MHz and 400 W at 13.56 MHz. The 13.56 MHz RF voltage is converted to a pulse voltage in the same form as in the second embodiment. The distance between the counter electrode 12 and the surface of the semiconductor wafer that is the object to be processed can be set to 27 mm, and the temperature of the RF electrode 11 can be set to 20 ° C.

エッチング選択比は、マスク層２０２に対する被エッチング層２０４のエッチングレートの比であるから、図６（ｂ）に示すパラメータを用いるとＤ３′／Ｄ２′で表される。ボトムＣＤ／トップＣＤはホール形状を示す値の１つであり、図６（ｃ）に示すパラメータを用いるとＣＤ２／ＣＤ１で表される。   Since the etching selection ratio is the ratio of the etching rate of the etched layer 204 to the mask layer 202, it is represented by D3 ′ / D2 ′ using the parameters shown in FIG. The bottom CD / top CD is one of the values indicating the hole shape, and is expressed by CD2 / CD1 using the parameters shown in FIG.

エッチング選択比が低いと、エッチングレートが高くても所望のホールの深さが確保されるまでにマスク層２０２が破壊される危険性がある。したがって、深いホールを形成する際にマスク層２０２を破壊することなくエッチング処理を行うためには、エッチング選択比が高いことが必要とされる。また、ボトムＣＤ／トップＣＤが高いことは、底面の広さが開口部の広さに対して十分なホールが形成されていることを表しており、好ましい。   If the etching selectivity is low, there is a risk that the mask layer 202 will be destroyed before the desired hole depth is secured even if the etching rate is high. Therefore, in order to perform an etching process without destroying the mask layer 202 when forming a deep hole, a high etching selectivity is required. In addition, a high bottom CD / top CD is preferable because a hole having a sufficient bottom surface with respect to a width of the opening is formed.

第２実施例に係る形態を用いたＲＩＥ処理では、イオンエネルギーの狭帯域化により、被エッチング層２０４に対しては適切なエッチング性能を有し、かつ、マスク層２０２に対するエッチングレートが低い条件にＲＩＥ処理条件を設定することが容易となり、エッチング選択比Ｄ３′／Ｄ２′を大きく取り、ボトムＣＤ／トップＣＤを高く確保することができる。   In the RIE process using the form according to the second embodiment, the ion energy is narrowed so that the etching target layer 204 has an appropriate etching performance and the etching rate for the mask layer 202 is low. It becomes easy to set the RIE processing conditions, and the etching selectivity D3 ′ / D2 ′ can be increased to ensure a high bottom CD / top CD.

ＲＩＥ装置１０Ａにおいて、第１電源装置１８によるＲＦ電極１１へのパルス電圧の印加は、図３に示した形態に限定されるものではなく、第１周波数ｆ１の周期（１／ｆ１）の自然数倍の周期でパルス化した電圧を印加する形態としてもよい。一例として、図７に第１周波数ｆ１の２倍の周期２／ｆ１でＲＦ電極１１に第１周波数のパルス電圧を印加する形態を示す。図７において、ｔ０＋ｔ１＝２／ｆ１の関係が満たされている。 In the RIE apparatus 10A, the application of the pulse voltage to the RF electrode 11 by the first power supply apparatus 18 is not limited to the form shown in FIG. 3, but has the period (1 / f 1 ) of the first frequency f 1 . It is good also as a form which applies the voltage pulsed with the period of natural number times. As an example, FIG. 7 shows a mode in which a pulse voltage of the first frequency is applied to the RF electrode 11 with a period 2 / f 1 that is twice the first frequency f 1 . In FIG. 7, the relationship of t 0 + t 1 = 2 / f 1 is satisfied.

この場合、ｆ１＞ωｐｉの関係が満たされていても、ＲＦ電極１１へのパルス電圧印加の実質的な周波数はｆ１／２となるため、ｆ１／２＞ωｐｉの関係が満たされていれば上述した第２実施例と同じ形態でのイオンエネルギーの狭帯域化が実現され、ｆ１／２≦ωｐｉの関係が満たされていれば上述した第１実施例と同じ形態でのイオンエネルギーの狭帯域化が実現される。 In this case, it is filled with the relationship f 1> ω pi, substantial frequency of the pulse voltage applied to the RF electrode 11 to become a f 1/2, f 1/ 2> ω pi relationship met It is narrowing of the ion energy in the same form as the second embodiment described above if it is realized in the same form as the first embodiment described above if satisfied the relationship of f 1/2 ≦ omega pi Narrow band of ion energy is realized.

次に、本発明の第２形態に係るＲＩＥ装置について説明する。図８にＲＩＥ装置１０Ｂの概略構成を示した断面図を記す。ＲＩＥ装置１０Ｂが先に説明したＲＩＥ装置１０Ａと異なっている点は、ＲＩＥ装置１０Ｂが具備する第２電源装置１９Ａは第２ＲＦ電源２５から出力されるＲＦ電圧を周期的にアース側へ逃がすための第２スイッチング部２８を備えている点である。   Next, an RIE apparatus according to the second embodiment of the present invention will be described. FIG. 8 is a sectional view showing a schematic configuration of the RIE apparatus 10B. The difference between the RIE apparatus 10B and the RIE apparatus 10A described above is that the second power supply apparatus 19A included in the RIE apparatus 10B is configured to periodically release the RF voltage output from the second RF power supply 25 to the ground side. The second switching unit 28 is provided.

図９に第１電源装置１８と第２電源装置１９ＡからＲＦ電極１１に出力される電圧波形および重畳波形を示す。第１電源装置１８からは先に図２に示したものと同じ，第１周波数ｆ１のパルス電圧が出力される（図９上段）。第２電源装置１９Ａの第２スイッチング部２８は、第１電源装置１８から出力される第１周波数ｆ１のパルス電圧と同期して時間幅ｔ０での電圧印加の間に時間幅ｔ１の無電圧時間が存在するように、スイッチング動作を行う（図９中段）。こうして、図９下段に示される重畳波形が得られる。 FIG. 9 shows voltage waveforms and superimposed waveforms output from the first power supply device 18 and the second power supply device 19A to the RF electrode 11. The first power supply 18 outputs the same pulse voltage having the first frequency f 1 as shown in FIG. 2 (the upper part of FIG. 9). The second switching unit 28 of the second power supply device 19A has a time width t 1 during voltage application in the time width t 0 in synchronization with the pulse voltage of the first frequency f 1 output from the first power supply device 18. Switching operation is performed so that no-voltage time exists (middle stage in FIG. 9). In this way, the superimposed waveform shown in the lower part of FIG. 9 is obtained.

図９下段に示した重畳電圧がＲＦ電極１１に印加されることによってＲＦ電極１１と対向電極１２との間に生じるプラズマの電子密度Ｎｅと，プラズマポテンシャルＶＰと，自己バイアス電圧Ｖｄｃの関係を模式的に図１０に示す。 And the electron density N e of the plasma generated between the RF electrode 11 and the counter electrode 12 by the superposed voltage shown in FIG. 9 lower is applied to the RF electrode 11, and the plasma potential V P, the self-bias voltage V dc The relationship is schematically shown in FIG.

プラズマ電子密度Ｎｅは第２電源装置１９ＡからＲＦ電極１１に印加される第２周波数ｆ２のＲＦ電力成分に依存するため、これが間欠印加されるようになると、ＲＦ電極１１への電圧印加オフによりプラズマ維持のためのエネルギーが供給されなくなるために、電子密度Ｎｅが低下し、プラズマ中の正イオン密度も電子密度と対応して低下する（図示せず）。第２スイッチング部がＲＦ電極１１への電圧印加をオンとすると、電子密度Ｎｅ，正イオン密度，プラズマポテンシャルＶＰは一定値に戻る。 Since the plasma electron density N e is dependent on the RF power components of the second frequency f 2 which is applied to the RF electrode 11 from the second power supply unit 19A, when it is to be intermittently applied, the voltage applied off to the RF electrode 11 As a result, energy for maintaining the plasma is not supplied, so that the electron density Ne decreases, and the positive ion density in the plasma also decreases corresponding to the electron density (not shown). When the second switching unit is turned on the voltage applied to the RF electrode 11, the electron density N e, the positive ion density, plasma potential V P is returned to a predetermined value.

近時において放電周波数（第２周波数ｆ２）の高周波数化が図られ、プラズマの安定生成が実現されたが、プラズマの高密度化のために必要以上にプロセスガスの解離が進行し、過剰に活性種（正イオン）が供給され、マスクの変形や選択比不足等の問題が生じているが、第２電源装置１９Ａにより第２周波数ｆ２のＲＦ電力を間欠印加とすることにより、過剰なプロセスガスの解離による活性種の生成を抑制してマスク変形を防止し、また選択比を向上させることができるようになる。 Recently, the discharge frequency (second frequency f 2 ) has been increased, and stable plasma generation has been realized. However, the process gas dissociates more than necessary to increase the plasma density, and excessively high. active species (positive ions) is supplied, but modifications and selectivity of shortage problem of the mask is generated by the RF power of the second frequency f 2 intermittently applied by the second power supply unit 19A, an excess The generation of active species due to the dissociation of the process gas can be suppressed, mask deformation can be prevented, and the selectivity can be improved.

第２周波数ｆ２のＲＦ電力のＲＦ電極１１への間欠印加による電子密度Ｎｅの低下に対応して、プラズマポテンシャルＶＰは増大する。このプラズマポテンシャルＶＰの変化量は、自己バイアス電圧Ｖｄｃよりも極めて小さく、イオンエネルギーＥｉには実質的に影響を与えず、ＲＩＥ装置１０Ｂでも、第１周波数ｆ１のパルス電圧を用いることにより、ＲＩＥ装置１０Ａを用いた第１実施例と第２実施例の形態によるイオンエネルギーの狭帯域化と同じ効果を得ることができる。 In response to a decrease in the electron density N e by intermittent application to the second frequency f 2 of the RF power of the RF electrode 11, the plasma potential V P is increased. Variation of the plasma potential V P is much smaller than the self-bias voltage V dc, without substantially affecting the ion energy E i, even RIE apparatus 10B, the use of the first pulse voltage having the frequency f 1 Thus, the same effect as the narrowing of the ion energy band according to the first and second embodiments using the RIE apparatus 10A can be obtained.

次に、本発明の第３形態に係るＲＩＥ装置について説明する。図１１にＲＩＥ装置１０Ｃの概略構成を示した断面図を記す。ＲＩＥ装置１０Ｃが先に説明したＲＩＥ装置１０Ｂと異なっている点は、ＲＩＥ装置１０Ｃが具備する第１電源装置１８Ａは、第１ＲＦ電源２１に代えて直流電源２１Ａを備えている点である。   Next, an RIE apparatus according to the third embodiment of the present invention will be described. FIG. 11 is a cross-sectional view showing a schematic configuration of the RIE apparatus 10C. The RIE apparatus 10C is different from the RIE apparatus 10B described above in that the first power supply apparatus 18A included in the RIE apparatus 10C includes a DC power supply 21A instead of the first RF power supply 21.

図１２に第１電源装置１８Ａと第２電源装置１９ＡからＲＦ電極１１に出力される電圧波形および重畳波形を示す。第１電源装置１８Ａからは、時間幅ｔ０の直流電圧印加の間に時間幅ｔ１の無電圧時間が存在する直流パルス電圧が出力され、その周期は１／ｆ１とされる（図１２上段）。第２電源装置１９Ａからは、第１電源装置１８Ａから出力される第１周波数ｆ１の直流パルス電圧と同期して時間幅ｔ０での電圧印加の間に時間幅ｔ１の無電圧時間が存在するように、間欠的にＲＦ電力が出力される（図１２中段）。こうして、図１２下段に示される重畳波形が得られる。 FIG. 12 shows voltage waveforms and superimposed waveforms output from the first power supply device 18A and the second power supply device 19A to the RF electrode 11. The first power supply device 18A outputs a DC pulse voltage in which a non-voltage time with a time width t 1 exists during application of a DC voltage with a time width t 0 , and the cycle thereof is 1 / f 1 (FIG. 12). Top). From the second power supply 19A, the no-voltage time duration t 1 between the voltage application at the first frequency f time width t 0 in synchronization with the DC pulse voltage of 1 output from the first power supply unit 18A As shown, RF power is intermittently output (middle stage in FIG. 12). Thus, the superimposed waveform shown in the lower part of FIG. 12 is obtained.

ＲＩＥ装置１０Ａ，１０Ｂでは、第１ＲＦ電源２１として交流電源を用いているために、電圧印加のための時間幅ｔ０を決めたときに不可避的に電位差ΔＶが生じる。これに対して直流電源２１Ａを用いた場合、理想的には電位差ΔＶは発生しないため、イオンエネルギーの狭帯域化の効果がより大きくなる。但し、現実には、直流パルス電圧の立ち下がり／立ち上がりの勾配に起因し、また、直流パルス電圧の両端部では図１２に示されるように９０°で電圧変化せずに一定の曲率が存在するため、ΔＶを完全にゼロとすることは困難である。しかし、直流電源を用いた場合には、交流電源を用いた場合と対比して、電位差ΔＶを小さく抑えることができ、自己バイアス電圧Ｖｄｃの電位差ΔＶｄｃも小さく抑えることができる。 RIE apparatus 10A, the 10B, due to the use of AC power source as the 1RF power source 21, is inevitably difference ΔV when decided time width t 0 for voltage application occurs. On the other hand, when the DC power source 21A is used, the potential difference ΔV does not ideally occur, and thus the effect of narrowing the ion energy band becomes greater. However, in reality, it is caused by the gradient of the falling / rising of the DC pulse voltage, and at both ends of the DC pulse voltage, there is a constant curvature without voltage change at 90 ° as shown in FIG. Therefore, it is difficult to make ΔV completely zero. However, when a DC power supply is used, the potential difference ΔV can be suppressed to a smaller value than when an AC power supply is used, and the potential difference ΔV dc of the self-bias voltage V dc can also be suppressed to a smaller value.

以上、本発明の実施の形態について説明したが、本発明はこのような形態に限定されるものではない。例えば、ＲＩＥ装置１０Ａでは、第１電源装置１８と第２電源装置１９から出力される電圧を重畳させてＲＦ電極１１に印加する構成としたが、図１３に示すＲＩＥ装置１０Ｄのように、第１電源装置１８から第１フィルタ２４を除いた新たな第１電源装置１８ＢをＲＦ電極１１に接続し、第２電源装置１９から第２フィルタ２７を除いた新たな第２電源装置１９Ｂを対向電極１２に接続し、第１電源装置１８Ｂと第２電源装置１９Ｂからの出力は図２に示した形態とする装置構成へと変形してもよい。   As mentioned above, although embodiment of this invention was described, this invention is not limited to such a form. For example, in the RIE apparatus 10A, the voltages output from the first power supply apparatus 18 and the second power supply apparatus 19 are superimposed and applied to the RF electrode 11. However, like the RIE apparatus 10D shown in FIG. A new first power supply device 18B obtained by removing the first filter 24 from the first power supply device 18 is connected to the RF electrode 11, and a new second power supply device 19B obtained by removing the second filter 27 from the second power supply device 19 is connected to the counter electrode. 12 and the outputs from the first power supply device 18B and the second power supply device 19B may be transformed into the device configuration shown in FIG.

これらＲＩＥ装置１０Ａ，１０Ｄを用いたＲＩＥ処理の効果には差はなく、ＲＩＥ装置１０Ｄでは第１フィルタ２４と第２フィルタ２７が不要となるため装置構成が簡単となる。ＲＩＥ装置１０ＡをＲＩＥ装置１０Ｄへ変形したように、ＲＩＥ装置１０Ｂ，１０Ｃについても同様の変形が可能である。   There is no difference in the effect of the RIE processing using these RIE apparatuses 10A and 10D, and the first filter 24 and the second filter 27 are not necessary in the RIE apparatus 10D, so that the apparatus configuration is simplified. Similar modifications can be made to the RIE apparatuses 10B and 10C as the RIE apparatus 10A is modified to the RIE apparatus 10D.

また、ＲＩＥ装置１０Ａについて、図７に示す電圧印加方法を用いることができたように、この電圧印加方法はＲＩＥ装置１０Ｂにおいても用いることができる。その場合には、第２電源装置１９は、プラズマ維持等のために第１周波数ｆ１の周期（１／ｆ１）で第２周波数ｆ２のＲＦ電圧をパルス化してＲＦ電極１１に印加することが好ましい。 Further, as the voltage application method shown in FIG. 7 can be used for the RIE apparatus 10A, this voltage application method can also be used in the RIE apparatus 10B. In that case, the second power supply device 19 pulsates the RF voltage of the second frequency f 2 with the period (1 / f 1 ) of the first frequency f 1 and applies it to the RF electrode 11 in order to maintain plasma. It is preferable.

さらにＲＩＥ装置１０Ａについて、第１電源装置１８からＲＦ電極１１への自己バイアス電圧Ｖｄｃを制御するための電圧印加を、第１ＲＦ電源２１から出力されるＲＦ電圧の最小値（極小値）を含むタイミングで行ったが、別の形態として図１４に示すように、ＲＦ電圧印加の周期を１／２ｆ１とし、最大電位と最小電位の中間値近傍に電圧印加のタイミングを設定することもできる。この場合、実質的な周波数は２ｆ１となるので、２ｆ１＞ωｐｉの関係が満たされていれば正イオンはＲＦ電極１１の電極電位に追従することはなく、２ｆ１≦ωｐｉの関係が満たされていれば正イオンはＲＦ電極１１の電極電位に追従する。さらにこのとき第１ＲＦ電源２１からのＲＦ電圧印加の周期を１／２ｆ１の自然数倍の周期としてもよく、また、第２周波数ｆ２のＲＦ電力は、第１電源装置１８からの出力に同期させてもよいし、連続的であってもよい。 Further, for the RIE apparatus 10A, voltage application for controlling the self-bias voltage V dc from the first power supply apparatus 18 to the RF electrode 11 includes the minimum value (minimum value) of the RF voltage output from the first RF power supply 21. As shown in FIG. 14 as another form, the cycle of RF voltage application can be set to 1 / 2f 1 and the voltage application timing can be set in the vicinity of the intermediate value between the maximum potential and the minimum potential. In this case, since the substantial frequency is 2f 1 , if the relationship of 2f 1 > ω pi is satisfied, the positive ions do not follow the electrode potential of the RF electrode 11 and the relationship of 2f 1 ≦ ω pi Is satisfied, the positive ions follow the electrode potential of the RF electrode 11. Further, at this time, the period of application of the RF voltage from the first RF power source 21 may be set to a period that is a natural number multiple of 1 / 2f 1 , and the RF power of the second frequency f 2 is output to the output from the first power source device 18. It may be synchronized or may be continuous.

第１電源装置１８，１８Ａや第２電源装置１９，１９Ａは、第１ＲＦ電源２１や直流電源２１Ａ，第２ＲＦ電源２５から出力された電圧を増幅するための増幅器を備えた構成としてもよい。第１電源装置１８，１８Ａでは、第１スイッチング部２３の動作により電圧の間欠印加を行う構成について説明したが、コンピュータ等により所定のパルス電圧波形を作製し、それを所望値へ増幅する構成としてもよい。   The first power supply device 18, 18 </ b> A and the second power supply device 19, 19 </ b> A may include an amplifier for amplifying the voltage output from the first RF power supply 21, the DC power supply 21 </ b> A, and the second RF power supply 25. In the first power supply device 18, 18 </ b> A, the configuration in which the voltage is intermittently applied by the operation of the first switching unit 23 has been described. However, as a configuration in which a predetermined pulse voltage waveform is generated by a computer or the like and amplified to a desired value. Also good.

本発明は、ＲＩＥエッチング装置に限定して適用されるものではなく、その他のプラズマ処理装置、例えば、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）装置，スパッタリング装置，イオンインプラ装置等にも適用され得る。   The present invention is not limited to the RIE etching apparatus but can be applied to other plasma processing apparatuses such as a CVD (Chemical Vapor Deposition) apparatus, a sputtering apparatus, and an ion implantation apparatus.

１０Ａ・１０Ｂ・１０Ｃ・１０Ｄ…ＲＩＥ装置、１１…ＲＦ電極、１２…対向電極、１３…チャンバ、１４…ガス供給機構、１５…減圧ポンプ、１８・１８Ａ・１８Ｂ…第１電源装置、１９・１９Ａ・１９Ｂ…第２電源装置、２１…第１ＲＦ電源、２１Ａ…直流電源、２２…第１整合器、２３…第１スイッチング部、２４…第１フィルタ、２５…第２ＲＦ電源、２６…第２整合器、２７…第２フィルタ、２８…第２スイッチング部、２００…被処理体、２０２…マスク層、２０４…被エッチング層、２０６…シリコン基板、Ｗ…基板。   10A, 10B, 10C, 10D ... RIE device, 11 ... RF electrode, 12 ... Counter electrode, 13 ... Chamber, 14 ... Gas supply mechanism, 15 ... Depressurization pump, 18 / 18A / 18B ... First power supply device, 19 / 19A 19B: second power supply device, 21: first RF power supply, 21A: DC power supply, 22: first matching unit, 23: first switching unit, 24: first filter, 25: second RF power supply, 26: second matching 27, second filter, 28, second switching unit, 200, object to be processed, 202, mask layer, 204, etched layer, 206, silicon substrate, W, substrate.

Claims (4)

被処理基板を載置する第１電極と、
一定間隔で前記第１電極と対向するように配置された第２電極と、
前記第１，第２電極を収容し、その内部の雰囲気を調整可能に構成されたチャンバと、
前記第１電極上の自己バイアス電圧を制御するための所定の第１周波数の負の直流パルス電圧を前記第１電極に印加する第１電源装置と、
前記第１，第２電極間にプラズマを発生させるための所定の第２周波数のＲＦ電圧を前記直流パルス電圧と同期させて前記第１電極に印加する第２電源装置と、を具備し、
前記第１の電源装置による前記負の直流パルス電圧の直流電圧印加の間が接地状態で無電圧時間となるように前記第１の電極に対して電圧印加を行うことを特徴とするプラズマ処理装置。 A first electrode on which a substrate to be processed is placed;
A second electrode arranged to face the first electrode at regular intervals;
A chamber configured to accommodate the first and second electrodes, and to be capable of adjusting an atmosphere inside the first and second electrodes;
A first power supply device that applies a negative DC pulse voltage having a predetermined first frequency to control the self-bias voltage on the first electrode to the first electrode;
A second power supply device that applies an RF voltage of a predetermined second frequency for generating plasma between the first and second electrodes to the first electrode in synchronization with the direct-current pulse voltage;
A plasma processing apparatus, wherein a voltage is applied to the first electrode such that a period of time during which the negative DC pulse voltage is applied by the first power supply apparatus is in a grounded state with no voltage time. . 前記第１電源装置が前記第１電極に対して印加する電圧の周波数は、前記第２周波数未満かつ生成するプラズマのイオン周波数ωｐｉ（ωｐｉ＝（ｅ２Ｎｉ／（ε０Ｍ））１／２［Ｈｚ］，Ｎｉ：イオン密度（個／ｍ３）、ε０：真空の誘電率、Ｍ：イオン質量（ｋｇ）、ｅ：電子素量）超であることを特徴とする請求項１に記載のプラズマ処理装置。 The frequency of the voltage applied to the first electrode by the first power supply device is less than the second frequency and the ion frequency of the generated plasma ω pi (ω pi = (e 2 Ni / (ε 0 M)) 1 / 2 [Hz], Ni: ion density (pieces / m 3 ), ε 0 : dielectric constant of vacuum, M: ion mass (kg), e: elementary electron quantity) The plasma processing apparatus according to 1. 前記第１電源装置と、前記第２電源装置の少なくともいずれかは、前記第１電極に供給される電力成分の侵入を防止するためのフィルタを備えることを特徴とする請求項１または２に記載のプラズマ処理装置。 Wherein the first power unit, at least one of said second power supply according to claim 1 or 2, characterized in that it comprises a filter for preventing the intrusion of the power components to be supplied to the first electrode Plasma processing equipment. その内部雰囲気を調整可能に構成されたチャンバ内の下部および上部に互いに一定間隔で対向するようにそれぞれ配置された第１電極と第２電極の当該第１電極上に被処理基板を載置させ、
前記第１電極上の自己バイアス電圧を制御するための所定の負の直流パルス電圧を前記第１電極に印加するとともに、前記第１，第２電極間にプラズマを発生させるための所定のＲＦ電圧を前記直流パルス電圧と同期させて間欠的に前記第１電極に印加し、
前記負の直流パルス電圧は、このパルス電圧の直流電圧印加の間が接地状態で無電圧時間となるように前記第１の電極に印加されることを特徴とするプラズマ処理方法。 The substrate to be processed is placed on the first electrode and the second electrode of the first electrode and the second electrode, respectively, which are arranged so as to oppose each other at a predetermined interval in a lower part and an upper part of a chamber configured to adjust the internal atmosphere. ,
A predetermined negative DC pulse voltage for controlling a self-bias voltage on the first electrode is applied to the first electrode, and a predetermined RF voltage for generating plasma between the first and second electrodes Is intermittently applied to the first electrode in synchronization with the DC pulse voltage,
The plasma processing method according to claim 1, wherein the negative DC pulse voltage is applied to the first electrode so that a period between the application of the DC voltage of the pulse voltage is grounded and there is no voltage time.
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JP4013271B2 (en) * 1997-01-16 2007-11-28 日新電機株式会社 Article surface treatment method and apparatus
DE69942034D1 (en) * 1998-11-04 2010-04-01 Surface Technology Systems Plc METHOD OF HEATING A SUBSTRATE
JP2000269198A (en) * 1999-03-19 2000-09-29 Toshiba Corp Method and apparatus for plasma treatment
JP4672456B2 (en) * 2004-06-21 2011-04-20 東京エレクトロン株式会社 Plasma processing equipment
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