JP5537476B2 - 導電パターンの作製方法 - Google Patents
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Description
(1)サブトラクティブ法による導電パターンの作製方法において、該導電パターンが、第一導電パターン部及び第二導電パターン部から少なくとも構成されており、(a)表面に導電層が設けられている基板上に光架橋性樹脂層を形成する工程、(b)第一導電パターン部に相当する部分の光架橋性樹脂層を硬化させる工程、(c)アルカリ水溶液によって光架橋性樹脂層の薄膜化処理を行う工程、(d)少なくとも第二導電パターン部に相当する部分の光架橋性樹脂層を硬化させる工程、(e)現像工程、(f)エッチング工程をこの順に含む導電パターンの作製方法において、工程(b)で形成された光架橋性樹脂層の硬化部の一部を、工程(d)でアライメントマークとして用いて光架橋性樹脂を硬化させることを特徴とする導電パターンの作製方法、
(2)サブトラクティブ法による導電パターンの作製方法において、該導電パターンが、ランド部、第一導電パターン部及び第二導電パターン部から少なくとも構成されており、(a′)孔を有し、表面及び孔内部に導電層が設けられている基板上に光架橋性樹脂層を形成する工程、(b′)ランド部及び第一導電パターン部に相当する部分の光架橋性樹脂層を硬化させる工程、(c)アルカリ水溶液によって光架橋性樹脂層の薄膜化処理を行う工程、(d)少なくとも第二導電パターン部に相当する部分の光架橋性樹脂層を硬化させる工程、(e)現像工程、(f)エッチング工程をこの順に含む導電パターンの作製方法において、工程(b′)で形成された光架橋性樹脂層の硬化部の一部を、工程(d)でアライメントマークとして用いて光架橋性樹脂を硬化させることを特徴とする導電パターンの作製方法、
を見出した。
工程(a)では、表面に導電層が設けられている基板の少なくとも片面に光架橋性樹脂層を形成する。工程(a′)では、孔を有し表面及び孔内部に導電層が設けられている基板の少なくとも片面に光架橋性樹脂層を形成する。光架橋性樹脂層の形成には、例えば、加熱したゴムロールを加圧して押し当てる熱圧着方式のラミネータ装置を用いることができる。温度は、40℃から150℃、より好ましくは、60℃から120℃である。圧力は、熱ロールでのラミネートの場合には、線圧力で、1N/cmから100N/cmの範囲、より好ましくは5N/cmから50N/cmの範囲である。基板には、アルカリ脱脂、酸洗等の前処理を施してもよい。
本発明の導電パターンの作製方法(1)において、工程(b)では、第一導電パターン部に相当する光架橋性樹脂層を硬化させる。基板のハンドリングにおいて、基板を重ねて積層する場合や、あるいは両面露光を行う場合に、この第一導電パターン部に相当する光架橋性樹脂層が、支柱となって薄膜化後の光架橋性樹脂層が直接接触するのを防止することができる。露光方式としては、キセノンランプ、高圧水銀灯、低圧水銀灯、超高圧水銀灯、UV蛍光灯を光源とした反射画像露光、フォトツールを用いた片面あるいは両面密着露光方式、プロキシミティ方式、プロジェクション方式やレーザー走査露光方式等が挙げられる。
工程(c)では、アルカリ水溶液によって未硬化の光架橋性樹脂層を薄膜化処理し、薄膜化部を形成させる。光架橋性樹脂層上に支持層フィルムが設けられている場合には、剥がしてから薄膜化処理を実施する。薄膜化処理とは、光架橋性樹脂層の厚みを略均一に薄くする処理のことであり、詳しくは、薄膜化処理を施す前の厚みの0.05〜0.9倍の厚みまで薄くすることをいう。
工程(d)では、工程(b)及び工程(b′)で硬化させた第一導電パターンに相当する部分の光架橋性樹脂層の一部をアライメントマークとして用い、少なくとも第二導電パターン部に相当する部分の光架橋性樹脂層を硬化させる。アライメントマークとして用いられる光架橋性樹脂層の形状としては、二値化可能な点対称図形が適しており、例として真円、正方形等が挙げられる。
工程(e)では、未硬化の光架橋性樹脂層を現像液で除去して、エッチングレジスト層を形成する。現像方法としては、使用する光架橋性樹脂層に見合った現像液を用い、基板の上下方向から基板表面に向かってスプレーを噴射して、エッチングレジストパターンとして不要な部分を除去し、回路パターンに相当するエッチングレジスト層を形成する。一般的には、0.3〜2質量%の炭酸ナトリウム水溶液が使用される。
工程(f)では、エッチングレジスト層で保護されない導電層をエッチングすることにより、微細な導電パターンを作製する。エッチング工程では、「プリント回路技術便覧」((社)日本プリント回路工業会編、1987年刊行、(株)日刊工業新聞社刊)記載の方法等を使用することができる。エッチング液は金属箔層を溶解除去できるもので、また、少なくともエッチングレジスト層が耐性を有しているものであればよい。一般に導電層に銅を使用する場合には、塩化第二鉄水溶液、塩化第二銅水溶液等を使用することができる。エッチングに続き、エッチングレジスト層を水酸化ナトリウム等のアルカリ性化合物を含有する高pHの水溶液、有機溶剤等で除去することにより、導電パターンを作製することができる。
<工程(a)>
ガラス基材エポキシ樹脂銅張積層板(面積406mm×510mm、銅箔厚み18μm、基材厚み0.1mm、商品名:CCL−E170、三菱ガス化学社製)に、ドリルを用いて、図5に示すように、直径3mmの貫通孔Aを4穴形成した。この上に、耐熱シリコンゴムライニング表面処理されたラミネートロールを備えたドライフィルム用ラミネータを用いて、保護フィルムを剥がしながら、ロール温度100℃、エアー圧力0.3MPa、ラミネート速度1.00m/minにて、ドライフィルムレジスト(商品名:サンフォート(登録商標)AQ4059、厚み40μm、旭化成イーマテリアルズ社製)をラミネートした。
工程(a)で形成した直径3mmの貫通孔Aをアライメントマークとして、ライン/スペース=120/30μm、110/40μm、100/50μm、90/60μmのパターンが混在する回路パターン部と非回路パターン部(例えば、ガイド部、ベタ部、図5で示した円状パターン部B及びC等)を有するパターンデータ(非回路パターン部の面積率は基板全面積の10%)を用い、直接描画装置(商品名:LI−8500、大日本スクリーン製造社製)で第一導電パターン部に相当する部分の光架橋性樹脂層の露光を行った。第一導電パターン部は、非回路パターン部及びライン/スペース=110/40μm、100/50μm、90/60μmの回路パターン部とした。第一導電パターン部の基板全面積に対する割合は80%だった。なお、円状パターン部Bの直径は1.5mmであり、円状パターン部Cの直径は50μmであり、どちらも各4個である。なお、露光時にアライメントマークとして用いた貫通孔上の光架橋性樹脂層のテント破れは起きていなかった。
ドライフィルムレジストの支持層フィルムを剥離した後、10質量%の炭酸ナトリウム水溶液を用いて、光架橋性樹脂層の厚みが平均15μmになるように薄膜化処理を行い(液温度25℃、スプレー圧0.05MPa)、十分な水洗、冷風乾燥を経て、薄膜化された光架橋性樹脂層を得た。
上記パターンデータ全体を第二導電パターン部として、直接描画装置(商品名:LI−8500、大日本スクリーン製造社製)において、薄膜化後の光架橋性樹脂層の両面露光を行った。工程(b)で硬化させた直径1.5mmの円状パターン部B計4個をアライメントマークとして露光を行った。
1質量%の炭酸ナトリウム水溶液(液温度30℃、スプレー圧0.15MPa)を用いて現像処理を行い、エッチングレジスト層を形成した。得られたエッチングレジスト層を光学顕微鏡で観察したところ、厚膜部及び薄膜化部いずれにおいても、線細りや断線あるいは線太りやショート等の欠陥は見られなかった。また、レーザー顕微鏡(商品名:VK−8510、キーエンス社製)で観察したところ、直径50μmの円状パターン部C計4個について、第一導電パターン部と第二導電パターン部の中心間距離の平均は8μmであった。
エッチングレジスト層を形成した基板を塩化第二鉄溶液(液温度45℃、スプレー圧0.20MPa)で処理し、エッチングレジスト層で保護されない銅箔を除去することでエッチングを行った。続いて、液温度40℃、3質量%の水酸化ナトリウム溶液で残存するエッチングレジスト層を除去し、導電パターンを得た。得られた導電パターンを光学顕微鏡で観察したところ、実用上問題となる断線またはショート欠陥は見られなかった。
第一導電パターン部の露光領域について、下記のように変更した以外は、実施例1と同じ方法で導電パターンの作製を行った。それぞれの第一導電パターン部の基板全面積に対する割合は、60%、35%、10%である。工程(e)で得られたエッチングレジスト層の直径50μmの円状パターン部C計4個について、第一導電パターン部と第二導電パターン部の中心間距離の平均はそれぞれ7μm、8μm、8μmであった。また、工程(f)で得られた導電パターンには、実用上問題となる断線またはショート欠陥は見られなかった。
実施例2:非回路パターン部及びライン/スペース=100/50μm、90/60μmの回路パターン部
実施例3:非回路パターン部及びライン/スペース=90/60μmの回路パターン部
実施例4:非回路パターン部
<工程(a′)>
ガラス基材エポキシ樹脂銅張積層板(面積406mm×510mm、銅箔厚み18μm、基材厚み0.1mm、商品名:CCL−E170、三菱ガス化学社製)に、ドリルを用いて直径5mmの貫通孔を100穴、図5に示すように、直径3mmの貫通孔Aを4穴形成した後、直径5mmの貫通孔内部と銅箔上に15μm厚のめっき銅層を形成した孔あり銅張積層板を作製した。その孔あり銅張積層板上に耐熱シリコンゴムライニング表面処理されたラミネートロールを備えたドライフィルム用ラミネータを用いて、保護フィルムを剥がしながら、ロール温度100℃、エアー圧力0.3MPa、ラミネート速度1.00m/minにて、ドライフィルムレジスト(商品名:サンフォート(登録商標)AQ4059、厚み40μm、旭化成イーマテリアルズ社製)をラミネートした。
工程(a′)で形成した直径3mmの貫通孔Aをアライメントマークとして、ランドパターン(ランドパターンの面積率は基板全面積の10%)とライン/スペース=120/30μm、110/40μm、100/50μm、90/60μmのパターンが混在する回路パターン部と、非回路パターン部(例えば、ガイド部、ベタ部、図5で示した円状パターン部B及びC等)を有するパターンデータ(非回路パターン部の面積率は基板全面積の10%)を用い、直接描画装置(商品名:LI−8500、大日本スクリーン製造社製)で第一導電パターン部に相当する部分の光架橋性樹脂層の露光を行った。第一導電パターン部は、非回路パターン部、ランドパターン及びライン/スペース=110/40μm、100/50μm、90/60μmの回路パターン部とした。第一導電パターン部の基板全面積に対する割合は80%だった。なお、円状パターン部Bの直径は1.5mmであり、円状パターン部Cの直径は50μmであり、どちらも各4個である。なお、アライメントマークとして用いた貫通孔上の光架橋性樹脂層のテント破れは起きていなかった。
支持層フィルムを剥離した後、10質量%の炭酸ナトリウム水溶液を用いて、光架橋性樹脂層の厚みが平均15μmになるように薄膜化処理を行い(液温度25℃、スプレー圧0.05MPa)、十分な水洗、冷風乾燥を経て、薄膜化された光架橋性樹脂層を得た。
上記パターンデータ全体を第二導電パターン部として、直接描画装置(商品名:LI−8500、大日本スクリーン製造社製)において、薄膜化後の光架橋性樹脂層の両面露光を行った。この時、工程(b)で硬化させた直径1.5mmの円状パターン部B計4個をアライメントマークとして露光を行った。
1質量%の炭酸ナトリウム水溶液(液温度30℃、スプレー圧0.15MPa)を用いて現像処理を行い、エッチングレジスト層を形成した。得られたエッチングレジスト層を光学顕微鏡で観察したところ、厚膜部及び薄膜化部いずれにおいても、線細りや断線あるいは線太りやショート等の欠陥は見られなかった。また、レーザー顕微鏡(商品名:VK−8510、キーエンス社製)で観察したところ、直径50μmの円状パターン部C計4個について、第一導電パターン部と第二導電パターン部の中心間距離の平均は7μmであった。
エッチングレジスト層を形成した基板を塩化第二鉄溶液(液温度45℃、スプレー圧0.20MPa)で処理し、エッチングレジスト層以外の銅箔を除去することでエッチングを行った。続いて、液温度40℃、3質量%の水酸化ナトリウム溶液で残存するエッチングレジスト層を除去し、導電パターンを得た。得られた導電パターンを光学顕微鏡で観察したところ、実用上問題となる断線またはショート欠陥は見られなかった。
第一導電パターン部の露光領域について、下記のように変更した以外は、実施例5と同じ方法で導電パターンの作製を行った。それぞれの第一導電パターン部の基板全面積に対する割合は、60%、40%、20%である。工程(e)で得られたエッチングレジスト層の直径50μmの円状パターン部C計4個について、第一導電パターン部と第二導電パターン部の中心間距離の平均は、それぞれ8μm、7μm、7μmであった。また、工程(f)で得られた導電パターンには、実用上問題となる断線またはショート欠陥はなく、孔内壁の断線も見られなかった。
実施例6:非回路パターン部、ランドパターン及びライン/スペース=100/50μm、90/60μmの回路パターン部
実施例7:非回路パターン部、ランドパターン及びライン/スペース=90/60μmの回路パターン部
実施例8:非回路パターン部、ランドパターン
第一導電パターン部に相当する部分の光架橋性樹脂層を硬化させずに、樹脂層全面を薄膜化した以外は、実施例1と同じ方法で導電パターンの作製を行った。薄膜化処理後、未硬化の薄膜化樹脂層が全面剥き出しの状態であり、両面露光時のハンドリングや基板の重ね置き時において擦り傷や打痕に由来するパターンの断線またはショート欠陥が多発していた。
第一導電パターン部の露光領域を、ランドパターンのみとした以外は、実施例5と同じ方法で導電パターンの作製を行った。得られた導電パターンには、孔内壁の断線は見られなかったが、両面露光時のハンドリングや基板の重ね置き時において発生したと考えられる擦り傷や打痕に由来するパターンの断線またはショート欠陥が散発していた。
第一導電パターン部の露光領域を、ランドパターンのみとし、薄膜化処理後に厚み16μmのポリエチレンテレフタレートフィルムを再積層させた以外は、実施例5と同じ方法で導電パターンの作製を行った。第一導電パターン部であるランドパターンと薄膜化部の段差にポリエチレンテレフタレートフィルムが追従しておらず、段差周囲において、回折光による線太り及びショート欠陥が発生していた。また、段差周囲に存在する空気(酸素)の存在のため重合阻害による膜減りが発生していた。
工程(d)において、アライメントマークとして、工程(a)で形成した貫通孔A4穴を用いた以外は、実施例1と同様にして導電パターンを作製した。この時、工程(c)で光架橋性樹脂層を薄膜化処理した際、該貫通孔上のテント破れが起きた。工程(e)で得られたエッチングレジスト層の直径50μmの円状パターン部C計4個について、第一導電パターン部と第二導電パターン部の中心間距離の平均は25μmであった。工程(f)で得られた導電パターンには、第一導電パターン部と第二導電パターン部の位置ずれに由来するショート欠陥が多発していた。
工程(b)において、アライメントマークとして用いた貫通孔A上及びその周囲(貫通孔の外縁から300μm範囲内)の光架橋性樹脂層も硬化させた後、工程(d)において貫通孔(A)をアライメントマークとした以外は、実施例1と同様にして導電パターンを作製した。工程(e)で得られたエッチングレジスト層の直径50μmの円状パターン部C計4個について、第一導電パターン部と第二導電パターン部の中心間距離の平均は20μmであった。工程(f)で得られた導電パターンには、第一導電パターン部と第二導電パターン部の位置ずれに由来するショート欠陥が多発していた。
工程(d)において、アライメントマークとして工程(a′)で形成した直径3mmの貫通孔A4穴を用いた以外は、実施例5と同様にして導電パターンを作製した。工程(c)において、光架橋樹脂層を薄膜化処理した際、直径3mmの貫通孔上のテンティング膜が破れた。工程(e)で得られたエッチングレジスト層の直径50μmの円状パターン部C計4個について、第一導電パターン部と第二導電パターン部の中心間距離の平均は28μmであった。工程(f)で得られた導電パターンには、第一導電パターン部と第二導電パターン部の位置ずれに由来するショート欠陥が多発していた。
工程(b′)において、アライメントマークとして用いた貫通孔A上及びその周囲(貫通孔の外縁から300μm範囲内)の光架橋性樹脂層も硬化させた後、工程(d)において、貫通孔Aをアライメントマークとした以外は、実施例5と同様にして導電パターンを作製した。工程(e)で得られたエッチングレジスト層の直径50μmの円状パターン部C計4個について、第一導電パターン部と第二導電パターン部の中心間距離の平均は20μmであった。工程(f)で得られた導電パターンには、第一導電パターン部と第二導電パターン部の位置ずれに由来するショート欠陥が多発していた。
2 基板
3 導電層
4 絶縁性基板
5 第一導電パターン部(厚膜硬化部)
6 第二導電パターン部(薄膜硬化部)
7 薄膜化部
8 ランド部(厚膜硬化部)
9 孔
A 直径3mmの貫通孔
B 直径1.5mmの円状パターン部
C 直径50μmの円状パターン部
Claims (2)
- サブトラクティブ法による導電パターンの作製方法において、該導電パターンが、第一導電パターン部と第二導電パターン部とから少なくとも構成されており、(a)表面に導電層が設けられている基板上に光架橋性樹脂層を形成する工程、(b)第一導電パターン部に相当する部分の光架橋性樹脂層を硬化させる工程、(c)アルカリ水溶液によって光架橋性樹脂層の薄膜化処理を行う工程、(d)少なくとも第二導電パターン部に相当する部分の光架橋性樹脂層を硬化させる工程、(e)現像工程、(f)エッチング工程をこの順に含み、工程(b)で形成された光架橋性樹脂層の硬化部の一部を、工程(d)でアライメントマークとして用いて光架橋性樹脂を硬化させることを特徴とする導電パターンの作製方法。
- サブトラクティブ法による導電パターンの作製方法において、該導電パターンが、ランド部、第一導電パターン部及び第二導電パターン部とから少なくとも構成されており、(a′)孔を有し、表面及び孔内部に導電層が設けられている基板上に光架橋性樹脂層を形成する工程、(b′)ランド部及び第一導電パターン部に相当する部分の光架橋性樹脂層を硬化させる工程、(c)アルカリ水溶液によって光架橋性樹脂層の薄膜化処理を行う工程、(d)少なくとも第二導電パターン部に相当する部分の光架橋性樹脂層を硬化させる工程、(e)現像工程、(f)エッチング工程をこの順に含み、工程(b′)で形成された光架橋性樹脂層の硬化部の一部を、工程(d)でアライメントマークとして用いて光架橋性樹脂を硬化させることを特徴とする導電パターンの作製方法。
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