JP5532566B2 - 半導体装置 - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 43
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 3
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 23
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 22
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 10
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 9
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 230000002457 bidirectional effect Effects 0.000 description 4
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Description
図1は、本発明の一実施形態に係る半導体装置の構成を示す回路図である。この半導体装置は、電源系統が分離された複数の回路ブロックを含んでいる。例えば、半導体装置がアナログ回路ブロックとディジタル回路ブロックとを含む場合には、ディジタル回路ブロックによって誘起される電源ノイズがアナログ回路ブロックに影響を与えないように、電源系統が分離される。以下においては、半導体装置が、電源系統が分離された3つの回路ブロックA〜Cを有する場合について説明する。
Claims (4)
- 電源系統が分離された複数の回路ブロックを有する半導体装置であって、
前記回路ブロックを3以上有し、
前記複数の回路ブロックの接地電位線にそれぞれ接続されたアノードを有する第1群の
ダイオードと、
前記複数の回路ブロックの接地電位線にそれぞれ接続されたカソードを有する第2群の
ダイオードと、
前記第1群のダイオードのカソード及び前記第2群のダイオードのアノードに接続され
たフローティング状態の共通放電線と、
を具備する半導体装置。 - 前記複数の回路ブロックの各々が、電源電位線と接地電位線との間に接続されたサイリ
スタ及び逆方向ダイオードによって構成される静電保護素子を含む、請求項1記載の半導
体装置。 - 前記共通放電線が、配線層に形成されたメタル配線によって構成される、請求項1又は
2記載の半導体装置。 - 前記共通放電線が、入出力バッファ領域に形成されている、請求項1〜3のいずれか1
項記載の半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008243759A JP5532566B2 (ja) | 2008-09-24 | 2008-09-24 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008243759A JP5532566B2 (ja) | 2008-09-24 | 2008-09-24 | 半導体装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010080472A JP2010080472A (ja) | 2010-04-08 |
JP5532566B2 true JP5532566B2 (ja) | 2014-06-25 |
Family
ID=42210623
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008243759A Expired - Fee Related JP5532566B2 (ja) | 2008-09-24 | 2008-09-24 | 半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5532566B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN105229782B (zh) | 2013-05-21 | 2018-05-08 | 瑞萨电子株式会社 | 半导体集成电路装置 |
JP2015180050A (ja) | 2014-02-26 | 2015-10-08 | セイコーエプソン株式会社 | 半導体集積回路装置及びそれを用いた電子機器 |
JP6595948B2 (ja) * | 2016-05-10 | 2019-10-23 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置 |
JP2021027060A (ja) | 2019-07-31 | 2021-02-22 | セイコーエプソン株式会社 | 回路装置、光源装置及び電子機器 |
WO2021176551A1 (ja) * | 2020-03-03 | 2021-09-10 | オリンパス株式会社 | 内視鏡及び撮像モジュール |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001244418A (ja) * | 2000-03-01 | 2001-09-07 | Nec Corp | 半導体集積回路装置 |
JP2001298157A (ja) * | 2000-04-14 | 2001-10-26 | Nec Corp | 保護回路及びこれを搭載した半導体集積回路 |
JP4945998B2 (ja) * | 2005-10-24 | 2012-06-06 | セイコーエプソン株式会社 | 集積回路装置及び電子機器 |
-
2008
- 2008-09-24 JP JP2008243759A patent/JP5532566B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2010080472A (ja) | 2010-04-08 |
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A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20110916 |
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A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20130627 |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
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R350 | Written notification of registration of transfer |
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LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |