JP5527585B2 - 多層配線基板及びその製造方法 - Google Patents
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Description
1. 金属箔Aを回路加工して形成された第1層配線パターンと、この第1層配線パターン上に配置された絶縁樹脂層及びこの絶縁樹脂層上に配置された配線パターンを有する複数層の高層側の配線層と、を有し、前記第1層配線パターン上に配置された絶縁樹脂層よりも前記高層側の絶縁樹脂層の硬化収縮が大きい多層配線基板であって、前記高層側の配線パターンは、前記絶縁樹脂層上に金属箔とめっきにより形成された導体層を回路加工することにより形成され、前記第1層配線パターンより最も高層側の配線パターンの厚みが厚く、または前記第1層配線パターンより最も高層側の配線パターンの導体層残存率が大きく、または前記第1層配線パターン上の絶縁樹脂層より最も高層側の絶縁樹脂層の厚みが薄くなるように形成される多層配線基板。
2. 上記1において、高層側にいくにつれて、配線パターンの厚みが厚く、または配線パターンの導体層残存率が大きく、または絶縁樹脂層の厚みが薄くなるように形成される多層配線基板。
3. 上記1または2において、最も高層側の導体層に、この導体層が平面方向に伸長するように機械的処理が施される多層配線板。
4. コア基板の金属箔上に、直接金属箔Aを重ね、この上に絶縁樹脂層及びこの絶縁樹脂層上に配置された配線パターンを有する少なくとも1層の高層側の配線層を形成し、この上にさらに高層側の配線層を形成するための絶縁樹脂層及び導体層を積層することによって、前記コア基板の金属箔上に直接接触した金属箔Aと、この金属箔A上の配線層と、この配線層上に形成された絶縁樹脂層及び導体層を有し、前記金属箔A上に配置された絶縁樹脂層よりも前記高層側の絶縁樹脂層の硬化収縮が大きい多層基板を形成する工程と、前記コア基板の金属箔と金属箔Aとの界面で、前記コア基板と多層基板とを分離する工程と、この多層基板の前記金属箔A及び導体層を回路加工することにより、一方に前記金属箔Aを回路加工して形成された第1層配線パターンを、他方に前記導体層を回路加工して形成された高層側の配線パターンを有する多層配線基板を形成する工程と、を有する多層配線基板の製造方法であって、前記第1層配線パターンより最も高層側の配線パターンの厚みが厚く、または前記第1層配線パターンより最も高層側の配線パターンの導体層残存率が大きく、または前記第1層配線パターン上の絶縁樹脂層より最も高層側の絶縁樹脂層の厚みが薄くなるように形成する多層配線基板の製造方法。
5. コア基板の金属箔上に、直接金属箔Aを重ね、この上に絶縁樹脂層及びこの絶縁樹脂層上に配置された配線パターンを有する少なくとも1層の高層側の配線層を形成し、この上にさらに高層側の配線層を形成するための絶縁樹脂層及び導体層を重ねることによって、前記コア基板の金属箔上に直接接触した金属箔Aと、この金属箔A上の配線層と、この配線層上に形成された絶縁樹脂層及び導体層を有し、前記金属箔A上に配置された絶縁樹脂層よりも前記高層側の絶縁樹脂層の硬化収縮が大きい多層基板を形成する工程と、この多層基板の前記導体層を回路加工する工程と、前記コア基板の金属箔と金属箔Aとの界面で、前記コア基板と多層基板とを分離する工程と、この多層基板の前記金属箔Aを回路加工することにより、一方に前記金属箔Aを回路加工して形成された第1層配線パターンを、他方に前記導体層を回路加工して形成された高層側の配線パターンを有する多層配線基板を形成する工程と、を有する多層配線基板の製造方法であって、前記第1層配線パターンより最も高層側の配線パターンの厚みが厚く、または前記第1層配線パターンより最も高層側の配線パターンの導体層残存率が大きく、または前記第1層配線パターン上の絶縁樹脂層より最も高層側の絶縁樹脂層の厚みが薄くなるように形成する多層配線基板の製造方法。
6. 上記4または5において、高層側にいくにつれて、配線パターンの厚みが厚く、または配線パターンの導体層残存率が大きく、または絶縁樹脂層の厚さが薄くなるよう形成される多層配線基板の製造方法。
7. 上記4から6の何れかにおいて、最も高層側の導体層に、この導体層が平面方向に伸長するように機械的処理が施される多層配線板の製造方法。
図3に示すように、支持体となるコア基板25として、銅厚18μmの両面銅張積層板(日立化成工業株式会社製MCL−E679FG)厚さ0.20mmを準備した。次に、その両面に、金属箔A19として、サイズがコア基板25よりひと回り小さく、厚さが12μmの銅箔(三井金属株式会社製3EC−VLP−12)を、平面視においてコア基板25の上下左右均等に、且つ銅箔光沢面をコア基板25に向けて配置した。次に、更にその上に、第1絶縁樹脂層9として、厚さ0.03mmのプリプレグ(ガラス布を基材としエポキシ樹脂を含浸したプリプレグ日立化成工業株式会社製GEA−679FG)と、金属箔B20として厚さ5μmの銅箔(三井金属株式会社製MT18SDH5)を順次重ねた構成体を作製した。これらを加熱加圧処理(185℃、3MPa、90分のプレス成形処理)により積層し、積層板a26を作製した。
実施例1と同様にして、第3層導体層35に第3層間接続孔34を加工し、デスミア処理、無電解銅めっき、表面の手研磨を行った後、電解銅めっきにて、第3層間接続孔34及び表面にフィルドビアめっき21cを形成した。その後、実施例1とは違い、第2層導体層〜第4層導体層について12μmの銅厚までソフトエッチングを行った。その後は、実施例1と同様にして、多層配線基板を作製した。つまり、第1層配線パターンの厚みと、最も高層側の全ての配線パターンの厚みとが、同等になるようにした点が、実施例1とは異なる。
実施例1と比較例について、コア基板と分離した直後の多層配線基板、ソルダーレジスト形成後の多層配線基板(何れも基板サイズ500×500mm)、及び外形加工後の多層配線基板(製品サイズ100×100mm)のそれぞれの反り量の測定結果を、表1に示す。表1からどの工程においても、最も高層側の第4層配線パターンの厚みが厚い場合は、比較例1と比べて、反り量が小さくなり、第4層配線パターンの厚みが厚いほど、反り量が小さくなる効果が大きかった。また、高層側にいくにつれて、配線パターンの厚みが厚くなる場合は、さらに反り量が小さかった。
実施例1と同様にして多層配線基板を作製した。但し、実施例2は、第1層配線パターン〜第4層配線パターンまでの全ての厚みを12μmとし、第4層配線パターンの導体層残存率を30%、50%、70%、90%とした点が、実施例1と相違する。
実施例2と比較例について、コア基板と分離した直後の多層配線基板、ソルダーレジスト形成後の多層配線基板(何れも基板サイズ500×500mm)、及び外形加工後の多層配線基板(製品サイズ100×100mm)のそれぞれの反り量の測定結果を、表2に示す。表2より、第4層配線パターンの導体層残存率を増加させたときの基板反り量は低減していた。また、高層側にいくにつれて、配線パターンの導体層残存率を増加させた場合は、さらに反り量が小さかった。
実施例1と同様にして多層配線基板を作製した。但し、実施例3は、配線パターン〜第4層配線パターンまでの全ての厚みを12μmとし、第1層絶縁樹脂層よりも、第4層絶縁樹脂層の厚みを薄くした点が、実施例1と相違する。
実施例3と比較例について、コア基板と分離した直後の多層配線基板、ソルダーレジスト形成後の多層配線基板(何れも基板サイズ500×500mm)、及び外形加工後の多層配線基板(製品サイズ100×100mm)のそれぞれの反り量の測定結果を、表3に示す。表3より、第1層絶縁樹脂層よりも第3層絶縁樹脂層に用いるプリプレグの厚みを薄くしたときの基板反り量は低減していた。また、第1層絶縁樹脂層から順に、厚いプリプレグから薄いプリプレグへと構成する方が反り量が低減した。
第1層間接続孔29への無電解銅めっき後の手研磨、または第2層層間接続孔32への無電解銅めっき後の手研磨、または第3層間接続孔34への無電解銅めっき後の手研磨の代わりに、各層間接続孔への無電解銅めっき後の表面に対して、表4に示す組合せで、機械研磨(ジャブロ工業製V3#600)を行なった。また、第1層配線パターン〜第4層配線パターンまでの全ての厚みを12μmとした。それ以外は、実施例1と同様にして多層配線基板を作製した。
表4より、機械研磨をかけたときの基板反り量は、手研磨のときより低減していた。また、第2層以降の全てに機械研磨を行なったときの基板反り量は、さらに向上していた。
Claims (7)
- 金属箔Aを回路加工して形成された第1層配線パターンと、この第1層配線パターン上に配置された絶縁樹脂層及びこの絶縁樹脂層上に配置された配線パターンを有する複数層の高層側の配線層と、を有し、前記第1層配線パターン上に配置された絶縁樹脂層よりも前記高層側の絶縁樹脂層の硬化収縮が大きい多層配線基板であって、
前記高層側の配線パターンは、前記絶縁樹脂層上に金属箔とめっきにより形成された導体層を回路加工することにより形成され、
前記第1層配線パターンより最も高層側の配線パターンの厚みが厚く、または前記第1層配線パターンより最も高層側の配線パターンの導体層残存率が大きく、または前記第1層配線パターン上の絶縁樹脂層より最も高層側の絶縁樹脂層の厚みが薄くなるように形成される多層配線基板。 - 請求項1において、
高層側にいくにつれて、配線パターンの厚みが厚く、または配線パターンの導体層残存率が大きく、または絶縁樹脂層の厚みが薄くなるように形成される多層配線基板。 - 請求項1または2において、
最も高層側の導体層に、この導体層が平面方向に伸長するように機械的処理が施される多層配線板。 - コア基板の金属箔上に、直接金属箔Aを重ね、この上に絶縁樹脂層及びこの絶縁樹脂層上に配置された配線パターンを有する少なくとも1層の高層側の配線層を形成し、この上にさらに高層側の配線層を形成するための絶縁樹脂層及び導体層を積層することによって、前記コア基板の金属箔上に直接接触した金属箔Aと、この金属箔A上の配線層と、この配線層上に形成された絶縁樹脂層及び導体層を有し、前記金属箔A上に配置された絶縁樹脂層よりも前記高層側の絶縁樹脂層の硬化収縮が大きい多層基板を形成する工程と、
前記コア基板の金属箔と金属箔Aとの界面で、前記コア基板と多層基板とを分離する工程と、
この多層基板の前記金属箔A及び導体層を回路加工することにより、一方に前記金属箔Aを回路加工して形成された第1層配線パターンを、他方に前記導体層を回路加工して形成された高層側の配線パターンを有する多層配線基板を形成する工程と、
を有する多層配線基板の製造方法であって、
前記第1層配線パターンより最も高層側の配線パターンの厚みが厚く、または前記第1層配線パターンより最も高層側の配線パターンの導体層残存率が大きく、または前記第1層配線パターン上の絶縁樹脂層より最も高層側の絶縁樹脂層の厚みが薄くなるように形成する多層配線基板の製造方法。 - コア基板の金属箔上に、直接金属箔Aを重ね、この上に絶縁樹脂層及びこの絶縁樹脂層上に配置された配線パターンを有する少なくとも1層の高層側の配線層を形成し、この上にさらに高層側の配線層を形成するための絶縁樹脂層及び導体層を重ねることによって、前記コア基板の金属箔上に直接接触した金属箔Aと、この金属箔A上の配線層と、この配線層上に形成された絶縁樹脂層及び導体層を有し、前記金属箔A上に配置された絶縁樹脂層よりも前記高層側の絶縁樹脂層の硬化収縮が大きい多層基板を形成する工程と、
この多層基板の前記導体層を回路加工する工程と、
前記コア基板の金属箔と金属箔Aとの界面で、前記コア基板と多層基板とを分離する工程と、
この多層基板の前記金属箔Aを回路加工することにより、一方に前記金属箔Aを回路加工して形成された第1層配線パターンを、他方に前記導体層を回路加工して形成された高層側の配線パターンを有する多層配線基板を形成する工程と、
を有する多層配線基板の製造方法であって、
前記第1層配線パターンより最も高層側の配線パターンの厚みが厚く、または前記第1層配線パターンより最も高層側の配線パターンの導体層残存率が大きく、または前記第1層配線パターン上の絶縁樹脂層より最も高層側の絶縁樹脂層の厚みが薄くなるように形成する多層配線基板の製造方法。 - 請求項4または5において、
高層側にいくにつれて、配線パターンの厚みが厚く、または配線パターンの導体層残存率が大きく、または絶縁樹脂層の厚さが薄くなるよう形成される多層配線基板の製造方法。 - 請求項4から6の何れかにおいて、
最も高層側の導体層に、この導体層が平面方向に伸長するように機械的処理が施される多層配線板の製造方法。
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