JP5521305B2 - 液晶装置の製造方法および液晶装置 - Google Patents

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Description

本発明は、液晶装置の製造方法および液晶装置に関する。
液晶装置は、対向配置された一対の基板の間に液晶層が挟持された液晶セルと、液晶セルの両外側に配置された一対の偏光板とを備えている。液晶装置は、偏光光を利用して表示を行うため、液晶層における液晶分子の配向方向と、一対の偏光板の光学軸とが所定の位置関係となるように設定されている。したがって、液晶セルに偏光板を貼り付ける工程において、液晶セルと偏光板との所定の配置位置にズレが生じると、所望の光学特性（コントラスト等）が得られず表示品質の低下を招くこととなる。
そこで、液晶セルの一方の基板に設けられたアライメントマークを基準にして、偏光板の外形との位置合わせを行う方法が提案されている（例えば、特許文献１参照）。また、マスタ偏光子の光学軸を基準にして液晶セルの配向方向と偏光板の光学軸との位置合わせを行う方法が提案されている（例えば、特許文献２および特許文献３参照）。
特開２０００−２２１４６１号公報 特開平８−２０１８０１号公報 特開２００３−１０７４５２号公報
しかしながら、上記特許文献１に記載された方法では、アライメントマークと偏光板の外形とで位置合わせを行うため、偏光板の外形と光学軸とのズレがある場合、液晶セルに対して偏光板の光学軸を正確に位置合わせすることが難しいという課題がある。上記特許文献２および特許文献３に記載された方法では、マスタ偏光子の光学軸を基準にして液晶セルの配向方向や各偏光板の光学軸を個別に位置合わせして貼り付けるため、位置合わせおよび貼り付けの工程が多くなり工数が増加するとともに、マスタ偏光子の位置にズレが生じた場合そのズレが液晶セルと偏光板との位置合わせに反映されるという課題がある。
本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。
［適用例１］本適用例に係る液晶装置の製造方法は、互いに対向して配置された第１の基板および第２の基板と、前記第１の基板および前記第２の基板の間に挟持された液晶層と、前記第１の基板の少なくとも１箇所に設けられた偏光分離機能を有する第１の光学素子と、を備えた液晶セルを用意する工程と、前記液晶セルの前記第１の基板および前記第２の基板のうちの一方の基板の外側に第１の偏光体を対向配置させた状態で、前記液晶セルと前記第１の偏光体とのうちの少なくとも一方を対向する面内で回転させて、前記液晶セルの前記第１の光学素子が設けられた領域と前記第１の偏光体とを透過した光の強度を測定する第１の工程と、前記光の強度の測定結果に基づいて前記第１の光学素子に対する前記第１の偏光体の相対的な面内での位置関係を決定し、前記第１の偏光体を前記液晶セルの前記一方の基板に貼り付ける第２の工程と、を含むことを特徴とする。
この構成によれば、第１の光学素子の光学軸を基準にして第１の偏光体の光学軸を光学的に所定の位置に合わせることにより、液晶セルに対する第１の偏光体の相対的な位置関係を決定する。このため、液晶セルと第１の偏光体との相対的な位置ズレを低減できる。これにより、液晶装置のコントラスト等の光学特性低下が抑えられるので、液晶装置の表示品質を向上できる。さらに、同一の工程で一方の偏光体と液晶セルとの位置関係を決定するとともにその偏光体を液晶セルに貼り付けるので、位置合わせおよび貼り付けによる工数増加を抑えることができる。
［適用例２］上記適用例に係る液晶装置の製造方法であって、前記第１の工程では、前記液晶セルの前記第１の基板の外側に前記第１の基板に対向するように前記第１の偏光体を配置してもよい。
この構成によれば、第１の光学素子が設けられた第１の基板の外側に第１の偏光体を配置するので、第１の光学素子と第１の偏光体との間には液晶層が介在しない。このため、第１の光学素子の光学軸を基準にして第１の偏光体の光学軸を光学的に所定の位置に合わせる際に、液晶層による光学的影響が排除される。これにより、液晶セルに対する第１の偏光体の位置合わせをより正確に行うことができる。
［適用例３］上記適用例に係る液晶装置の製造方法であって、前記第１の光学素子の光学軸は、前記第１の基板における前記液晶層の配向方向に平行に配置されており、前記第２の工程では、前記光の強度が最大となるように、前記第１の光学素子に対する前記第１の偏光体の相対的な位置関係を決定してもよい。
この構成によれば、液晶セルの第１の光学素子が設けられた領域と第１の偏光体とを透過した光の強度を測定する際に、光の強度が大きい側で感度が高い測定機器を好適に用いることができる。
［適用例４］上記適用例に係る液晶装置の製造方法であって、前記第１の光学素子の光学軸は、前記第１の基板における前記液晶層の配向方向と直交して配置されており、前記第２の工程では、前記光の強度が最小となるように、前記第１の光学素子に対する前記第１の偏光体の相対的な位置関係を決定してもよい。
この構成によれば、液晶セルの第１の光学素子が設けられた領域と第１の偏光体とを透過した光の強度を測定する際に、光の強度が小さい側で感度が高い測定機器を好適に用いることができる。
［適用例５］上記適用例に係る液晶装置の製造方法であって、前記第１の光学素子は、ストライプ状に配列された金属反射膜を備えていてもよい。
この構成によれば、ワイヤグリッド偏光子を第１の光学素子として用いることができる。
［適用例６］上記適用例に係る液晶装置の製造方法であって、前記第１の光学素子は、プリズムアレイと前記プリズムアレイ上に形成された誘電体干渉膜とを備えていてもよい。
この構成によれば、プリズムアレイ上に形成された誘電体干渉膜を備えた光学素子を第１の光学素子として用いることができる。
［適用例７］上記適用例に係る液晶装置の製造方法であって、前記第１の光学素子は、２箇所以上に設けられていてもよい。
この構成によれば、第１の光学素子が２箇所以上に設けられているので、２箇所以上の異なる位置で、第１の光学素子の光学軸を基準にして第１の偏光体の光学軸を光学的に所定の位置に合わせることができる。これにより、液晶セルに対する第１の偏光体の位置合わせをより一層正確に行うことができる。
［適用例８］上記適用例に係る液晶装置の製造方法であって、前記２箇所以上に設けられた前記第１の光学素子は、第１の個所に設けられており、前記第１の基板における前記液晶層の配向方向に平行に光学軸が配置された光学素子と、前記第１の個所とは異なる第２の個所に設けられており、前記第１の基板における前記液晶層の配向方向と直交して光学軸が配置された光学素子と、を含んでいてもよい。
この構成によれば、液晶層の配向方向に平行に光学軸が配置された光学素子と第１の偏光体とを透過した光の強度が大きくなると、液晶層の配向方向と直交して光学軸が配置された光学素子と第１の偏光体とを透過した光の強度は小さくなる。このため、両者の光の強度の測定値の差が最大となるように位置関係を決定すれば、液晶セルに対する第１の偏光体の位置合わせをより一層正確に行うことができる。
［適用例９］上記適用例に係る液晶装置の製造方法であって、前記第１の光学素子は、前記液晶層に平面的に重ならない位置に配置されていてもよい。
この構成によれば、第１の偏光体を第１の基板および第２の基板のうちのいずれの基板の外側に配置しても、第１の光学素子と第１の偏光体との間に液晶層が介在しないので、第１の光学素子の光学軸を基準にして第１の偏光体の光学軸を光学的に所定の位置に合わせる際に、液晶層による光学的影響が排除される。
［適用例１０］上記適用例に係る液晶装置の製造方法であって、前記第１の基板は、前記第２の基板に平面的に重ならない張出し部を有しており、前記第１の光学素子は、前記張出し部に配置されていてもよい。
この構成によれば、第１の偏光体を第１の基板および第２の基板のうちのいずれの基板の外側に配置しても、第１の光学素子が液晶層と第２の基板に平面的に重ならないので、第１の光学素子と第１の偏光体との間には液晶層と第２の基板とが介在しない。このため、第１の光学素子の光学軸を基準にして第１の偏光体の光学軸を光学的に所定の位置に合わせる際に、液晶層および第２の基板による光学的影響が排除される。これにより、液晶セルに対する第１の偏光体の位置合わせをより正確に行うことができる。
［適用例１１］上記適用例に係る液晶装置の製造方法であって、前記液晶セルは、表示に寄与する表示領域に配列された反射表示領域を備え、前記第１の光学素子は、前記反射表示領域に配置されていてもよい。
この構成によれば、半透過反射型液晶装置における第１の偏光体の位置合わせの際に、反射表示領域に配置された光学素子を位置合わせの基準として利用することができる。
［適用例１２］上記適用例に係る液晶装置の製造方法であって、前記液晶セルは、表示に寄与する表示領域に配列された反射表示領域と、前記第１の基板の前記反射表示領域に設けられた偏光分離機能を有する第２の光学素子と、をさらに備えていてもよい。
この構成によれば、第１の偏光体の位置合わせの基準とする第１の光学素子と、反射表示領域に配置された第２の光学素子とを同様の構成にすれば、第２の光学素子を形成する工程で第１の光学素子を一緒に形成することができる。
［適用例１３］上記適用例に係る液晶装置の製造方法であって、前記第２の工程の後に、前記液晶セルの前記第１の基板および前記第２の基板のうちの他方の基板の外側に第２の偏光体を対向配置させた状態で、前記液晶セルと前記第２の偏光体とのうちの少なくとも一方を対向する面内で回転させて、前記液晶セルの前記第１の光学素子が設けられていない領域と前記第１の偏光体と前記第２の偏光体とを透過した光の強度を測定する第３の工程と、前記光の強度の測定結果に基づいて、前記第１の偏光体と前記液晶セルとに対する前記第２の偏光体の相対的な面内での位置関係を決定し、前記第２の偏光体を前記液晶セルの前記他方の基板に貼り付ける第４の工程と、をさらに含んでいてもよい。
この構成によれば、第２の工程で光学軸を所定の位置に合わせて第１の偏光体が貼り付けられた液晶セルに対して、第２の偏光体の光学軸を光学的に所定の位置に合わせるので、液晶セルと第２の偏光体との位置ズレを低減できる。
［適用例１４］上記適用例に係る液晶装置の製造方法であって、前記第１の偏光体および前記第２の偏光体のうちの少なくとも一方は、偏光板と、前記偏光板に積層された光学補償板と、を備えていてもよい。
この構成によれば、偏光体が偏光板と光学補償板とを備えている場合でも、液晶セルと第１の偏光体および第２の偏光体との相対的な位置ズレを低減できる。
［適用例１５］本適用例に係る液晶装置は、互いに対向して配置された第１の基板および第２の基板と、前記第１の基板および前記第２の基板の間に挟持された液晶層と、前記第１の基板および前記第２の基板の両外側に配置された一対の偏光体と、前記第１の基板の少なくとも１箇所に設けられた偏光分離機能を有する第１の光学素子と、表示に寄与する表示領域と、を備え、前記第１の光学素子は、前記表示領域の外に配置されていることを特徴とする。
この構成によれば、液晶装置は、偏光体を貼り付ける際に偏光体の位置合わせの基準とする第１の光学素子を備えている。このため、第１の光学素子の光学軸を基準として偏光体の光学軸を光学的に所定の位置に合わせることができるので、液晶セルと偏光体との相対的な位置ズレを低減できる。これにより、液晶装置のコントラスト低下が抑えられるので、液晶装置の表示品質を向上できる。
［適用例１６］上記適用例に係る液晶装置であって、前記第１の光学素子の光学軸は、前記第１の基板における前記液晶層の配向方向に平行に配置されており、前記一対の偏光体のうちの少なくとも一方の偏光体の光学軸は、前記第１の光学素子の光学軸に平行に配置されていてもよい。
この構成によれば、液晶セルに偏光体を貼り付ける際、第１の光学素子の光学軸に対して偏光体の光学軸が所定の位置となるときに、液晶セルの第１の光学素子が設けられた領域と偏光体とを透過した光の強度が最大となる。したがって、光の強度を測定する際に、光の強度が大きい側で感度が高い測定機器を好適に用いることができる。
［適用例１７］上記適用例に係る液晶装置であって、前記第１の光学素子の光学軸は、前記第１の基板における前記液晶層の配向方向と直交して配置されており、前記一対の偏光体のうちの少なくとも一方の偏光体の光学軸は、前記第１の光学素子の光学軸と直交して配置されていてもよい。
この構成によれば、液晶セルに偏光体を貼り付ける際、第１の光学素子の光学軸に対して偏光体の光学軸が所定の位置となるときに、液晶セルの第１の光学素子が設けられた領域と偏光体とを透過した光の強度が最小となる。したがって、光の強度を測定する際に、光の強度が小さい側で感度が高い測定機器を好適に用いることができる。
［適用例１８］上記適用例に係る液晶装置であって、前記第１の光学素子は、２箇所以上に設けられていてもよい。
この構成によれば、第１の光学素子が２箇所以上に設けられているので、２箇所以上の異なる位置で、第１の光学素子の光学軸を基準にして第１の偏光体の光学軸を光学的に所定の位置に合わせることができる。これにより、液晶セルに対する第１の偏光体の位置合わせをさらに正確に行うことができる。
［適用例１９］上記適用例に係る液晶装置であって、前記２箇所以上に設けられた前記第１の光学素子は、第１の個所に設けられており、前記第１の基板における前記液晶層の配向方向に平行に配置された光学軸を有する光学素子と、前記第１の個所とは異なる第２の個所に設けられており、前記第１の基板における前記液晶層の配向方向と直交して配置された光学軸を有する光学素子と、を含んでいてもよい。
この構成によれば、液晶層の配向方向に平行に光学軸が配置された光学素子と偏光体とを透過した光の強度が大きくなると、液晶層の配向方向と直交して光学軸が配置された光学素子と偏光体とを透過した光の強度は小さくなる。このため、両者の光の強度の測定値の差が最大となるように位置関係を決定すれば、液晶セルに対する偏光体の位置合わせをさらに正確に行うことができる。
［適用例２０］上記適用例に係る液晶装置であって、前記第１の光学素子は、前記液晶層に平面的に重ならない位置に配置されていてもよい。
この構成によれば、第１の光学素子と偏光体との間に液晶層が介在しない。このため、第１の光学素子の光学軸を基準にして偏光体の光学軸を光学的に所定の位置に合わせる際に、液晶層による光学的影響が排除されるので、液晶セルに対する偏光体の位置合わせをより正確に行うことができる。
［適用例２１］上記適用例に係る液晶装置であって、前記第１の基板は、前記第２の基板に平面的に重ならない張出し部を有しており、前記第１の光学素子は、前記張出し部に配置されていてもよい。
この構成によれば、第１の光学素子は液晶層と第２の基板とに平面的に重ならないので、第１の光学素子と偏光体との間には液晶層と第２の基板とが介在しない。このため、第１の光学素子の光学軸を基準にして偏光体の光学軸を光学的に所定の位置に合わせる際に、液晶層と第２の基板とによる光学的影響が排除されるので、第１の光学素子に対する偏光体の位置合わせをより一層正確に行うことができる。
［適用例２２］上記適用例に係る液晶装置であって、前記第１の光学素子は、ストライプ状に配列された金属反射膜を備えていてもよい。
この構成によれば、ワイヤグリッド偏光子を第１の光学素子として用いることができる。
［適用例２３］上記適用例に係る液晶装置であって、前記第１の光学素子は、プリズムアレイと前記プリズムアレイ上に形成された誘電体干渉膜とを備えていてもよい。
この構成によれば、プリズムアレイ上に形成された誘電体干渉膜を備えた光学素子を第１の光学素子として用いることができる。
［適用例２４］上記適用例に係る液晶装置であって、前記表示領域に配列された反射表示領域と、前記第１の基板の前記反射表示領域に設けられた、偏光分離機能を有する第２の光学素子と、をさらに備えていてもよい。
この構成によれば、偏光体の位置合わせの基準とする第１の光学素子と、反射表示領域に設けられた第２の光学素子とを同様の構成にすれば、第２の光学素子を形成する工程で第１の光学素子を一緒に形成することができる。
［適用例２５］上記適用例に係る液晶装置であって、前記一対の偏光体のうちの少なくとも一方は、偏光板と、前記偏光板に積層された光学補償板と、を備えていてもよい。
この構成によれば、偏光体が偏光板と光学補償板とを備えている場合でも、液晶セルと第１の偏光体および第２の偏光体との相対的な位置ズレを低減できる。
以下に、本実施の形態について図面を参照して説明する。なお、参照する各図面において、構成をわかりやすく示すため、各構成要素の層厚や寸法の比率、角度等は適宜異ならせてある。
（第１の実施形態）
＜液晶装置＞
まず、第１の実施形態に係る液晶装置について図を参照して説明する。図１は、第１の実施形態に係る液晶装置の概略構成を示す図である。詳しくは、図１（ａ）は液晶装置の平面図であり、図１（ｂ）は図１（ａ）中のＡ−Ａ線に沿った断面図である。図２は、第１の実施形態に係る液晶装置の電気的な構成を示す等価回路図である。図３は、第１の実施形態に係る液晶装置の画素の構成を説明する図である。詳しくは、図３（ａ）は対向基板側から見たときの画素の構成を示す平面図であり、図３（ｂ）は液晶セルの配向方向を示す図である。図４は、図３（ａ）中のＢ−Ｂ線に沿った断面図である。なお、図３（ａ）では対向基板の図示を省略している。
第１の実施形態に係る液晶装置１００は、例えば、スイッチング素子としてＴＦＴ（Thin Film Transistor：薄膜トランジスタ）素子を備えたアクティブマトリクス型の液晶装置であるとともに、ＦＦＳ（Fringe-Field Switching）方式の透過型の液晶装置である。
図１（ａ）および（ｂ）に示すように、液晶装置１００は液晶セル５０を備えている。液晶セル５０は、第１の基板としての素子基板１０と、素子基板１０に対向して配置された第２の基板としての対向基板３０と、素子基板１０と対向基板３０との間に挟持された液晶層４０とを備えている。素子基板１０と対向基板３０とは、枠状のシール剤４１を介して互いに対向して貼り合わされている。液晶層４０は、素子基板１０と対向基板３０とシール剤４１とによって囲まれた空間に封入されている。
表示領域２は、液晶装置１００において、表示に寄与する領域である。表示領域２は、シール剤４１によって囲まれた領域、すなわち液晶層４０が封入された領域内に位置している。素子基板１０には、第１の光学素子としてのワイヤグリッド偏光子６０が設けられている。ワイヤグリッド偏光子６０は、シール剤４１によって囲まれた領域内であって、表示領域２の外に配置されている。ワイヤグリッド偏光子６０は、偏光分離機能を有している。
素子基板１０は、対向基板３０より大きく、対向基板３０に対して張り出した部分である張出し部１０ａを有している。この張出し部１０ａには、液晶層４０を駆動するためのドライバＩＣ４２が実装されている。
図１（ｂ）に示すように、素子基板１０の外側の面には、第１の偏光体としての偏光板４４が配置されている。対向基板３０の外側の面には、第２の偏光体としての偏光板４５が配置されている。図示しないが、偏光板４４の側には、偏光板４４に対向してバックライト等の照明装置が配置されている。
図２に示すように、表示領域２には、複数の走査線１２と複数の信号線１４と複数の共通配線１７とが形成されている。複数の走査線１２と複数の共通配線１７とは、それぞれが互いに略平行に配置されている。複数の信号線１４は、複数の走査線１２と複数の共通配線１７とのそれぞれに交差するように配置されている。走査線１２および共通配線１７と信号線１４との交差に対応して画素４が設けられている。
画素４は、互いに隣り合う画素４同士の間に間隔が空くようにマトリクス状に配置されている。画素４は、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）のいずれかの表示に寄与し、Ｒ、Ｇ、Ｂの各表示に寄与する３つの画素４から１つの画素群が構成されている。液晶装置１００では、各画素群において３つの画素４のそれぞれの輝度を適宜変えることで、種々の色の表示を行うことができる。
画素４のそれぞれには、画素電極１６と、画素電極１６を制御するためのＴＦＴ素子２０とが形成されている。また、画素４のそれぞれには、画素電極１６との間で横電界を発生させるための共通電極１８が形成されている。共通電極１８は、共通配線１７に電気的に接続されている。
ＴＦＴ素子２０のソース電極２０ｓ（図３（ａ）参照）は、信号線駆動回路１３から延在する信号線１４に電気的に接続されている。信号線１４には、信号線駆動回路１３からデータ信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎが線順次で供給される。ＴＦＴ素子２０のゲート電極２０ｇ（図３（ａ）参照）は、走査線駆動回路１５から延在する走査線１２の一部である。走査線１２には、走査線駆動回路１５から走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍが線順次で供給される。ＴＦＴ素子２０のドレイン電極２０ｄ（図３（ａ）参照）は、画素電極１６に電気的に接続されている。
データ信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、ＴＦＴ素子２０を一定期間だけオン状態とすることにより、信号線１４を介して画素電極１６に所定のタイミングで書き込まれる。このようにして画素電極１６を介して、液晶層４０に書き込まれた所定レベルのデータ信号は、共通電極１８との間で一定期間保持される。ここで、画素電極１６と共通電極１８との間には保持容量１９が形成されており、画素電極１６の電圧は、例えば、ソース電圧が印加された時間よりも長い時間保持される。これにより、電荷の保持特性が改善され、液晶装置１００はコントラスト比の高い表示を行うことができる。
次に、液晶装置１００の構成について説明する。図３（ａ）に示すように、画素４には、画素電極１６と、画素電極１６との間で横電界を発生させるための共通電極１８と、画素電極１６を制御するためのＴＦＴ素子２０とが設けられている。
画素電極１６は、矩形状に形成されており、複数のスリット状の開口部１６ａを有している。スリット状の開口部１６ａは、例えば信号線１４の延在方向に沿う方向に、互いに平行に形成されている。画素電極１６は、絶縁層２４（図４参照）を貫通するコンタクトホール２４ａを介して、ＴＦＴ素子２０のドレイン電極２０ｄに電気的に接続されている。画素電極１６は、透光性を有する導電材料からなり、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）からなる。
共通電極１８は、矩形状に形成されており、画素電極１６に平面的に重なるように設けられている。共通電極１８は、一辺部において共通配線１７に重なっており、この部分で共通配線１７に電気的に接続されている。共通電極１８は、透光性を有する導電材料からなり、例えばＩＴＯからなる。
ＴＦＴ素子２０は、ゲート電極２０ｇと半導体層２０ａとソース電極２０ｓとドレイン電極２０ｄとを備えている。ゲート電極２０ｇは、走査線１２の一部である。半導体層２０ａは、ゲート電極２０ｇに平面的に重なる位置に形成されている。ソース電極２０ｓは、信号線１４から分岐した部分であり、その一部が半導体層２０ａの一部（ソース側）を覆うように形成されている。ドレイン電極２０ｄは、一部が半導体層２０ａの一部（ドレイン側）を覆うように形成されている。
図４に示すように、素子基板１０は、基板１１を基体として構成されており、基板１１上に、ＴＦＴ素子２０と、共通配線１７と、共通電極１８と、ゲート絶縁層２２と、絶縁層２４と、画素電極１６と、配向膜２８と、ワイヤグリッド偏光子６０（図５参照）を備えている。基板１１は、透光性を有する材料からなり、例えば、ガラス、石英、樹脂等からなる。基板１１は、酸化シリコン（ＳｉＯ2）膜等からなる絶縁層に覆われていてもよい。
基板１１の液晶層４０側には、ゲート電極２０ｇと、共通配線１７と、共通電極１８とが形成されている。ゲート絶縁層２２は、基板１１とゲート電極２０ｇと共通配線１７と共通電極１８とを覆うように形成されている。ゲート絶縁層２２上には、半導体層２０ａとソース電極２０ｓとドレイン電極２０ｄとが形成されている。
絶縁層２４は、ゲート絶縁層２２と、半導体層２０ａと、ソース電極２０ｓと、ドレイン電極２０ｄとを覆うように形成されている。画素電極１６は、絶縁層２４上に形成されている。画素電極１６と共通電極１８とはゲート絶縁層２２と絶縁層２４とを介して対向しており、画素電極１６と共通電極１８との間に挟まれたゲート絶縁層２２と絶縁層２４とを誘電体膜とする保持容量が形成されている。
素子基板１０では、画素電極１６と共通電極１８との間に電圧が印加されると、スリット状の開口部１６ａおよびその周辺に素子基板１０に平行な方向の横電界が発生する。この横電界によって、液晶層４０の液晶分子の配向が制御される。なお、画素電極１６と共通電極１８との配置はこの形態に限定されない。共通電極１８が画素電極１６よりも液晶層４０側に配置されていてもよい。このような構成の場合は、共通電極１８がスリット状の開口部を有することとなる。
素子基板１０の液晶層４０に接する側には配向膜２８が形成されている。配向膜２８は、例えばポリイミド樹脂からなる。配向膜２８の表面には、例えば、信号線１４の延在方向に対して時計回りの方向に５度の角度をなす方向を配向方向（図３（ｂ）参照）として、ラビング処理等の配向処理が施されている。
次に、対向基板３０は、液晶装置１００の観察側に位置している。対向基板３０は、基板３１を基体として構成されており、基板３１上に、遮光層３２と、カラーフィルタ層３４と、オーバーコート層３５と、配向膜３６とを備えている。
基板３１は、透光性を有する材料からなり、例えば、ガラス、石英、樹脂等からなる。遮光層３２とカラーフィルタ層３４とは、基板３１上に形成されている。遮光層３２は、基板３１上の隣り合う画素４同士の間の領域に配置されている。カラーフィルタ層３４は、画素４の領域に対応して配置されている。カラーフィルタ層３４は、例えばアクリル樹脂等からなり、Ｒ、Ｇ、Ｂの各色に対応する色材を含有している。オーバーコート層３５は、遮光層３２とカラーフィルタ層３４とを覆うように形成されている。
対向基板３０の液晶層４０に接する側には配向膜３６が形成されている。配向膜３６は、例えばポリイミド樹脂からなる。配向膜３６の表面には、例えば、信号線１４の延在方向に対して時計回りの方向に５度の角度をなす方向を配向方向（図３（ｂ）参照）として、配向膜２８のラビングの向きとは１８０度異なる向きに、ラビング処理等の配向処理が施されている。
液晶層４０は、素子基板１０と対向基板３０との間に配置されている。液晶層４０の液晶分子は、画素電極１６と共通電極１８との間に電界が発生していない状態（オフ状態）では、配向膜２８と配向膜３６とに施された配向処理によって規制される配向方向（図３（ｂ）参照）に沿って水平に配向する。また、液晶層４０の液晶分子は、画素電極１６と共通電極１８との間に電界が発生している状態（オン状態）では、開口部１６ａの延在方向と直交する方向に発生する電界に沿って配向する。このように、液晶層４０では、オフ状態とオン状態とにおける液晶分子の配向状態の差異に基づく複屈折性を利用して液晶層４０を通過する光に対して位相差を付与している。
次に、ワイヤグリッド偏光子６０について説明する。図５は、第１の実施形態に係るワイヤグリッド偏光子６０を説明する図である。詳しくは、図５（ａ）はワイヤグリッド偏光子６０の概略構成を示す斜視図であり、図５（ｂ）は図５（ａ）中のＣ−Ｃ線に沿った断面図である。
図５（ａ）および（ｂ）に示すように、ワイヤグリッド偏光子６０は、ストライプ状に配置された複数の金属反射膜６１を備えている。金属反射膜６１は、直線状の形状を有しており、基板１１上に互いに略平行に配置されている。金属反射膜６１は、光反射性の高い金属からなり、例えばアルミニウムからなる。金属反射膜６１の材料は、ＡＰＣ（銀−パラジウム−銅の合金）等であってもよい。
金属反射膜６１は所定のピッチで配置されている。金属反射膜６１の配置ピッチは、入射する光の波長よりも小さく設定されており、例えば４０ｎｍ〜１４０ｎｍ程度である。金属反射膜６１の高さは、例えば１００ｎｍ程度である。金属反射膜６１の幅は、例えば１００ｎｍ程度である。
ワイヤグリッド偏光子６０は、半導体プロセスによりＴＦＴ素子２０等を形成する工程の中で形成される。したがって、ワイヤグリッド偏光子６０は、ＴＦＴ素子２０等と同等の精度で形成されている。また、ワイヤグリッド偏光子６０は、素子基板１０と対向基板３０とを貼り合わせる際のアライメント（位置合わせ）用に素子基板１０上に設けられるマーク等にアライメントされて形成されている。
ワイヤグリッド偏光子６０は、入射光を偏光状態の異なる反射光と透過光とに分離する機能を備えている。ワイヤグリッド偏光子６０は、入射光のうち、金属反射膜６１の延在方向に平行な偏光成分を反射し、金属反射膜６１の延在方向に対して直交する偏光成分を透過する。すなわち、ワイヤグリッド偏光子６０は、光学軸としての透過軸６０ａおよび反射軸６０ｂを有している。図５（ａ）に示すように、透過軸６０ａは金属反射膜６１の延在方向と直交しており、反射軸６０ｂは金属反射膜６１の延在方向に平行である。
なお、金属反射膜６１は、ゲート絶縁層２２上に形成されていてもよいし、絶縁層２４上に形成されていてもよい。また、金属反射膜６１は、酸化シリコン（ＳｉＯ2）等からなる保護層に覆われていてもよい。
次に、液晶装置１００の光学設計条件について説明する。図６は、液晶装置１００の光学設計条件を説明する図である。偏光板４４，４５は、光学軸としての透過軸および吸収軸を有している。図６（ａ）に、偏光板４４の透過軸４４ａと偏光板４５の透過軸４５ａとを示す。偏光板４４の透過軸４４ａと偏光板４５の透過軸４５ａとは、互いに直交するように配置されている。
図６（ｂ）に示すように、画素電極１６のスリット状の開口部１６ａは、信号線１４の延在方向に沿って延在している。オン状態において画素電極１６と共通電極１８との間に発生する電界の方向は、信号線１４の延在方向と直交する方向、すなわち走査線１２の延在方向に沿った方向である。配向膜２８，３６のラビング方向は、信号線１４（開口部１６ａ）の延在方向に対して時計回りの方向に５度の角度をなす方向である。
ワイヤグリッド偏光子６０の透過軸６０ａは、配向膜２８，３６のラビング方向に平行に配置されている。したがって、ワイヤグリッド偏光子６０の透過軸６０ａは、信号線１４（開口部１６ａ）の延在方向に対して時計回りの方向に５度の角度をなす方向である。ワイヤグリッド偏光子６０の反射軸６０ｂは、配向膜２８，３６のラビング方向と直交する方向であり、信号線１４（開口部１６ａ）の延在方向に対して時計回りの方向に９５度の角度をなす方向である。
偏光板４４の透過軸４４ａは配向膜２８，３６のラビング方向に平行であり、偏光板４５の透過軸４５ａは配向膜２８，３６のラビング方向と直交している。すなわち、偏光板４４の透過軸４４ａはワイヤグリッド偏光子６０の透過軸６０ａに平行であり、偏光板４５の透過軸４５ａはワイヤグリッド偏光子６０の透過軸６０ａと直交している。したがって、ワイヤグリッド偏光子６０を透過する直線偏光は、偏光板４４を透過するが、偏光板４５を透過しない。
偏光板４４，４５の透過軸４４ａ，４５ａがこのような所定の位置に配置されていると、オフ状態において照明装置から液晶装置１００に入射した光は、偏光板４４によって透過軸４４ａに平行な直線偏光に変換されて液晶層４０に入射する。そして、同一の偏光状態で液晶層４０から射出された直線偏光は、その偏光方向が偏光板４５の透過軸４５ａと直交するため、偏光板４５で遮断されるので、液晶装置１００は暗表示となる。したがって、液晶装置１００はノーマリーブラックモードである。
ところで、配向膜２８，３６のラビング方向と偏光板４４，４５の透過軸４４ａ，４５ａとの相対的な位置関係にズレが生じると、オフ状態において入射した光が少量ではあるが透過することによるコントラスト低下や、背景色の着色等、表示品質の低下を招くこととなる。このため、液晶セル５０に偏光板４４，４５を貼り付ける際に、配向膜２８，３６のラビング方向に対して透過軸４４ａ，４５ａが光学設計上の所定の位置に配置されるように、液晶セル５０に対する偏光板４４，４５の相対的な位置関係を正確に合わせることが、液晶装置１００の表示品質を確保する上で重要である。
そこで、液晶装置１００では、液晶セル５０に偏光板４４，４５を貼り付ける際の位置合わせの基準として、配向膜２８，３６のラビング方向に平行な透過軸６０ａを有するワイヤグリッド偏光子６０が素子基板１０に設けられている。すなわち、ワイヤグリッド偏光子６０の透過軸６０ａを基準にして、偏光板４４，４５のいずれか一方の透過軸の位置合わせを光学的に行うことで、液晶セル５０（配向膜２８，３６のラビング方向）に対する偏光板４４，４５の位置ズレを低減することができる。
なお、液晶装置１００において、画素電極１６の開口部１６ａの延在方向や配向膜２８，３６のラビング方向等の光学設計条件は、上記の形態に限定されるものではない。
＜液晶装置の製造方法＞
次に、第１の実施形態に係る液晶装置の製造方法について図を参照して説明する。図７は、第１の実施形態に係る液晶装置の製造方法を説明するフローチャートである。図８、図９および図１０は、第１の実施形態に係る偏光板の貼り付け方法を説明する図である。
図７において、工程Ｐ１１および工程Ｐ１２は素子基板１０を製造する工程であり、工程Ｐ２１および工程Ｐ２２は対向基板３０を製造する工程である。工程Ｐ１１および工程Ｐ１２と、工程Ｐ２１および工程Ｐ２２とはそれぞれ独立に行われる。工程Ｐ３１および工程Ｐ３２は、素子基板１０と対向基板３０とを組み合わせて液晶セル５０を用意する工程である。工程Ｐ３３は、一対の偏光板４４，４５を液晶セル５０に貼り付ける工程である。なお、これらの工程のうち詳述しない工程においては、公知の技術を適用することができる。
まず、素子基板１０を製造する工程と対向基板３０を製造する工程とを説明する。工程Ｐ１１では、基板１１上にＴＦＴ素子２０、共通配線１７、共通電極１８、ゲート絶縁層２２、絶縁層２４、画素電極１６、ワイヤグリッド偏光子６０等を形成する。
ここで、ワイヤグリッド偏光子６０は、半導体プロセスによりＴＦＴ素子２０等を形成する工程の中で形成される。より具体的には、基板１１上にワイヤグリッド偏光子６０の形成材料からなる金属薄膜を形成し、例えばフォトリソグラフィ法を用いて、その金属薄膜をパターニングすることにより、ストライプ状に配置された複数の金属反射膜６１を備えたワイヤグリッド偏光子６０が形成される。これにより、ＴＦＴ素子２０等と同等の精度で、かつ製造工程を煩雑にすることなく、ワイヤグリッド偏光子６０を形成することができる。なお、ワイヤグリッド偏光子６０を形成する方法として、レーザ光による二光束干渉露光法や電子線露光法等を用いてもよい。
続いて、工程Ｐ１２では、これらの素子、電極等が形成された素子基板１０の表面に配向膜２８を形成し、配向膜２８の表面に図６（ｂ）に示す方向にラビング処理を施す。
次に、工程Ｐ２１では、基板３１上に遮光層３２、カラーフィルタ層３４、オーバーコート層３５等を形成する。続いて、工程Ｐ２２では、対向基板３０の表面に配向膜３６を形成し、配向膜３６の表面に図６（ｂ）に示す方向にラビング処理を施す。
次に、工程Ｐ３１では、素子基板１０と対向基板３０との貼り合わせを行う。貼り合わせは、素子基板１０または対向基板３０にシール剤４１を塗布し、アライメントをした後、素子基板１０と対向基板３０とを接触させ、圧着して行われる。続いて、工程Ｐ３２では、シール剤４１の開口部（注入口）から素子基板１０と対向基板３０との間に液晶を注入し、注入口を封止する。以上により、液晶セル５０が用意される。
次に、図８、図９および図１０を参照して、工程Ｐ３３における偏光板の貼り付け方法を詳しく説明する。工程Ｐ３３は、偏光板４４を配置する第１の工程と、偏光板４４を液晶セル５０に貼り付ける第２の工程と、偏光板４５を配置する第３の工程と、偏光板４５を液晶セル５０に貼り付ける第４の工程とを含んでいる。
第１の工程では、図８に示すように、液晶セル５０の素子基板１０の外側に偏光板４４を配置する。液晶セル５０と偏光板４４とは、それぞれ保持部５２により、互いに平行に保持される。液晶セル５０は対向基板３０側が保持され、偏光板４４は素子基板１０に対向するように保持される。また、液晶セル５０および偏光板４４は、液晶セル５０の表面（素子基板１０、対向基板３０の表面）および偏光板４４の表面の法線方向を回転軸として回転可能に保持される。
保持部５２は、例えば吸着孔等を有し、液晶セル５０や偏光板４４を吸着固定可能に構成されている。保持部５２は、例えば透光性を有する材料からなる。保持部５２の材料が非透光性である場合は、保持部５２に光を透過させる貫通孔等が設けられていてもよい。
続いて、液晶セル５０の対向基板３０側に光源５６を配置する。また、偏光板４４の液晶セル５０とは反対側に受光部５８を配置する。そして、光源５６からの光を液晶セル５０と偏光板４４とに順次入射させる。このとき、光源５６から受光部５８に向かう光の光路上に、素子基板１０に設けられたワイヤグリッド偏光子６０が位置するように配置する。
次に、図９に示すように、液晶セル５０と偏光板４４とを対向させた状態を維持しながら、液晶セル５０と偏光板４４とのうちの少なくとも一方を対向する面内で回転させる。ここでは、液晶セル５０を固定し、偏光板４４を回転させる。そして、液晶セル５０のワイヤグリッド偏光子６０が設けられた領域と偏光板４４とを透過した光５７を受光部５８で受光し、光５７の強度を測定する。なお、図９では、保持部５２の図示を省略している。
光源５６としては、例えば可視光領域の波長を有する光を発するランプを用いてもよいし、発光ダイオード（ＬＥＤ）やレーザダイオードを用いてもよい。また、受光部５８として、例えばフォトマルチメータ等を用いて、光５７の強度を電気信号に変換して測定してもよい。あるいは、受光部５８として輝度計等を用いて、光５７の輝度を測定してもよい。
なお、光源５６から射出される光が液晶セル５０の法線方向から入射するように、液晶セル５０に対して光源５６を相対的に配置することが望ましい。また、光源５６と受光部５８との位置関係は、図面上において上下逆であってもよい。
次に、第２の工程では、光５７の強度の測定結果に基づいて光５７の強度が最大となるように、液晶セル５０に対する偏光板４４の相対的な面内での位置関係を調整する。このとき、偏光板４４の透過軸４４ａがワイヤグリッド偏光子６０の透過軸６０ａ（図６（ｂ）参照）に平行になる位置において、光５７の強度が最大となる。この光５７の強度が最大となる位置が、偏光板４４の透過軸４４ａが配向膜２８のラビング方向に平行になる所定の位置である。
光５７の強度が最大となったところで、ワイヤグリッド偏光子６０（液晶セル５０）に対する偏光板４４の相対的な面内での位置関係を決定し、偏光板４４を液晶セル５０の素子基板１０に貼り付ける。このとき、偏光板４４を保持部５２により液晶セル５０側に移動させてもよいし、液晶セル５０を保持部５２により偏光板４４側に移動させてもよい。
次に、第３の工程では、図１０に示すように、液晶セル５０の偏光板４４が貼り付けられた側とは反対側、すなわち対向基板３０の外側に、対向基板３０に対向するように偏光板４５を配置する。液晶セル５０と偏光板４５とは、互いに平行に保持される。図示しないが、液晶セル５０と偏光板４５とは、保持部５２により保持される。
液晶セル５０の偏光板４４が貼り付けられた側に光源５６を配置し、偏光板４５の液晶セル５０とは反対側に受光部５８を配置する。光源５６と受光部５８との位置関係は、上下逆であってもよい。そして、光源５６からの光を偏光板４４と液晶セル５０と偏光板４５とに順次入射させる。このとき、光源５６から受光部５８に向かう光の光路上に、ワイヤグリッド偏光子６０が位置しないように配置する。
続いて、液晶セル５０と偏光板４５とを対向させた状態を維持しながら、液晶セル５０と偏光板４５とのうちの少なくとも一方を対向する面内で回転させる。そして、液晶セル５０のワイヤグリッド偏光子６０が設けられていない領域と偏光板４４と偏光板４５とを透過した光５７を受光部５８で受光し、光５７の強度を測定する。
次に、第４の工程では、光５７の強度の測定結果に基づいて、光５７の強度が最小となるように、偏光板４４と液晶セル５０とに対する偏光板４５の相対的な面内での位置関係を調整する。このとき、偏光板４４の透過軸４４ａは素子基板１０の配向膜２８のラビング方向（図６（ｂ）参照）に平行に配置されているので、偏光板４５の透過軸４５ａが偏光板４４の透過軸４４ａおよび対向基板３０の配向膜３６のラビング方向（図６（ｂ）参照）と直交する所定の位置において、光５７の強度が最小となる。
光５７の強度が最小となったところで、偏光板４４と液晶セル５０とに対する偏光板４５の相対的な面内での位置関係を決定し、偏光板４５を液晶セル５０の対向基板３０に貼り付ける。以上により液晶装置１００が完成する。なお、偏光板４４，４５が液晶セル５０の外形からはみ出している場合は、そのはみ出し部分を切断してもよい。
上記第１の実施形態によれば、以下の効果が得られる。
（１）液晶セル５０のワイヤグリッド偏光子６０が設けられた領域と偏光板４４とを透過した光５７の強度の測定結果に基づいて、液晶セル５０に対する偏光板４４の相対的な位置関係を決定するので、ワイヤグリッド偏光子６０の透過軸６０ａを基準にして、偏光板４４の透過軸４４ａを光学的に所定の位置に合わせることができる。これにより、液晶セル５０と偏光板４４との相対的な位置ズレを低減できる。また、偏光板４４が透過軸４４ａを所定の位置に合わせて貼り付けられた液晶セル５０と、偏光板４５とを光学的に所定の位置に合わせるので、液晶セル５０の配向方向と偏光板４５の透過軸４５ａとの位置ズレを低減できる。この結果、液晶装置１００のコントラスト低下や、背景色の着色等、表示品質の低下が抑えられるので、液晶装置１００の表示品質を向上できる。
（２）液晶セル５０に対する偏光板４４の位置合わせおよび貼り付けと、液晶セル５０に対する偏光板４５の位置合わせおよび貼り付けとを、それぞれ同一の工程で行うので、位置合わせおよび貼り付けによる工数増加を抑えることができる。
（３）液晶セル５０に対する偏光板４４の位置合わせの際、ワイヤグリッド偏光子６０が設けられた素子基板１０の外側に偏光板４４を配置するので、ワイヤグリッド偏光子６０と偏光板４４との間には液晶層４０が介在しない。これにより、ワイヤグリッド偏光子６０の透過軸６０ａを基準にして偏光板４４の透過軸４４ａを光学的に所定の位置に合わせる際に、液晶層４０による光学的影響が排除されるので、液晶セル５０に対する偏光板４４の位置合わせをより正確に行うことができる。
（４）第２の工程において、液晶セル５０のワイヤグリッド偏光子６０が設けられた領域と偏光板４４とを透過した光５７の強度が最大となるように位置関係を決定するので、光５７の強度を測定する際に光の強度が大きい側で感度が高い測定機器を好適に用いることができる。
なお、液晶装置１００において、偏光板４４の透過軸４４ａが配向膜２８，３６のラビング方向（ワイヤグリッド偏光子６０の透過軸６０ａ）と直交しており、偏光板４５の透過軸４５ａが配向膜２８，３６のラビング方向（ワイヤグリッド偏光子６０の透過軸６０ａ）に平行であってもよい。この場合、工程Ｐ３３の第２の工程において、偏光板４４の透過軸４４ａが配向膜２８のラビング方向（ワイヤグリッド偏光子６０の透過軸６０ａ）と直交する所定の位置において、光５７の強度が最小となる。
また、液晶装置１００は、オフ状態で照明装置から入射した光が透過して明表示となるノーマリーホワイトモードであってもよい。液晶装置１００がノーマリーホワイトモードである場合にも、本実施形態に係る液晶装置の製造方法を適用することができる。液晶装置１００がノーマリーホワイトモードの場合は、偏光板４４の透過軸と偏光板４５の透過軸とが互いに平行に配置される。したがって、工程Ｐ３３の第４の工程において、光５７の強度が最大となるように偏光板４４と液晶セル５０とに対する偏光板４５の相対的な位置関係を調整すればよい。この場合、偏光板４５の透過軸４５ａが偏光板４４の透過軸４４ａおよび対向基板３０の配向膜３６のラビング方向に平行になる所定の位置において、光５７の強度が最大となる。
本実施形態では、工程Ｐ３３の第２の工程で偏光板４４の貼り付けを先に行い、その後で第４の工程で偏光板４５の貼り付けを行ったが、第２の工程で偏光板４５の貼り付けを先に行い、その後で第４の工程で偏光板４４の貼り付けを行ってもよい。しかしながら、この場合、第２の工程でワイヤグリッド偏光子６０（液晶セル５０）に対する偏光板４５の位置関係を調整する際、ワイヤグリッド偏光子６０と偏光板４５との間に液晶層４０と対向基板３０とが介在することとなる。
（第２の実施形態）
＜液晶装置＞
次に、第２の実施形態に係る液晶装置について図を参照して説明する。図１１は、第２の実施形態に係るワイヤグリッド偏光子を説明する図である。詳しくは、図１１（ａ）はワイヤグリッド偏光子の概略構成を示す斜視図であり、図１１（ｂ）は光学設計条件を示す図である。
第２の実施形態に係る液晶装置は、第１の実施形態に係る液晶装置に対して、ワイヤグリッド偏光子の透過軸および反射軸の方向が異なっているが、その他の構成は同じである。第１の実施形態と共通する構成要素については、同一の符号を付しその説明を省略する。
図１１（ａ）に示すように、第２の実施形態に係る液晶装置が備えるワイヤグリッド偏光子６２は、ストライプ状に配置された複数の金属反射膜６３を備えている。ワイヤグリッド偏光子６２は、光学軸としての透過軸６２ａおよび反射軸６２ｂを有している。
図１１（ｂ）に示すように、ワイヤグリッド偏光子６２の透過軸６２ａは、配向膜２８，３６のラビング方向と直交しており、信号線１４（開口部１６ａ）の延在方向に対して時計回りの方向に９５度の角度をなす方向である。ワイヤグリッド偏光子６２の反射軸６２ｂは、配向膜２８，３６のラビング方向に平行であり、信号線１４（開口部１６ａ）の延在方向に対して時計回りの方向に５度の角度をなす方向である。
また、偏光板４４の透過軸４４ａはワイヤグリッド偏光子６２の透過軸６２ａに直交しており、偏光板４５の透過軸４５ａはワイヤグリッド偏光子６２の透過軸６２ａに平行である。したがって、ワイヤグリッド偏光子６２を透過する直線偏光は、偏光板４４を透過しないが、偏光板４５を透過する。
＜液晶装置の製造方法＞
次に、第２の実施形態に係る液晶装置の製造方法について説明する。第２の実施形態に係る液晶装置の製造方法は、第１の実施形態に係る液晶装置の製造方法に対して、第２の工程において、光５７の強度が最小となるように液晶セル５０に対する偏光板４４の位置合わせをする点が異なっているが、その他の製造方法は同じである。以下は、図９を参照して説明する。
本実施形態では、図９におけるワイヤグリッド偏光子６０の代わりにワイヤグリッド偏光子６２が素子基板１０上に設けられている。本実施形態における第１の工程および第２の工程では、液晶セル５０のワイヤグリッド偏光子６２が設けられた領域と偏光板４４とを透過した光５７の強度を測定して、光５７の強度が最小となるように、ワイヤグリッド偏光子６２（液晶セル５０）に対する偏光板４４の相対的な面内での位置関係を調整する。
このとき、偏光板４４の透過軸４４ａがワイヤグリッド偏光子６２の透過軸６２ａ（図１１（ｂ）参照）と直交する位置において、光５７の強度が最小となる。この光５７の強度が最小となる位置が、偏光板４４の透過軸４４ａが配向膜２８のラビング方向に平行になる所定の位置である。
光５７の強度の測定結果に基づいて光５７の強度が最小となったところで、液晶セル５０（ワイヤグリッド偏光子６２）に対する偏光板４４の相対的な面内での位置関係を決定し、偏光板４４を液晶セル５０の素子基板１０に貼り付ける。
上記第２の実施形態によれば、以下の効果が得られる。
第２の工程において、液晶セル５０のワイヤグリッド偏光子６２が設けられた領域と偏光板４４とを透過した光５７の強度が最小となるように位置関係を決定するので、光５７の強度を測定する際に光の強度が小さい側で感度が高い測定機器を好適に用いることができる。また、第４の工程においても、液晶セル５０のワイヤグリッド偏光子６２が設けられていない領域と偏光板４４と偏光板４５とを透過した光５７の強度が最小となるように、位置関係を決定するので、同様に光の強度が小さい側で感度が高い測定機器を好適に用いることができる。したがって、液晶セル５０に偏光板４４を貼り付ける工程と偏光板４５を貼り付ける工程との両方において、光の強度が小さい側で感度が高い測定機器を用いることにより、液晶セル５０に対する偏光板４４，４５の位置合わせをより正確に行うことができる。
（第３の実施形態）
＜液晶装置およびその製造方法＞
次に、第３の実施形態に係る液晶装置およびその製造方法について図を参照して説明する。図１２は、第３の実施形態に係る液晶装置の概略構成を示す平面図である。
第３の実施形態に係る液晶装置は、第１の実施形態に係る液晶装置に対して、ワイヤグリッド偏光子がシール剤４１によって囲まれた領域外に配置されている点が異なっているが、その他の構成は同じである。第１の実施形態と共通する構成要素については、同一の符号を付しその説明を省略する。
図１２（ａ）に示す液晶装置１１０の例では、ワイヤグリッド偏光子６０は、シール剤４１によって囲まれた領域の外、すなわち液晶層４０に平面的に重ならない位置に配置されている。
このような構成によれば、第２の工程で液晶セル５０への偏光板４５の貼り付けを先に行う場合でも、ワイヤグリッド偏光子６０と偏光板４５との間に液晶層４０が介在しない。このため、ワイヤグリッド偏光子６０の透過軸６０ａを基準にして偏光板４５の透過軸４５ａを光学的に所定の位置に合わせる際に、液晶層４０による光学的影響が排除される。これにより、液晶セル５０に対する偏光板４５の位置合わせをより正確に行うことができる。
図１２（ｂ）に示す液晶装置１２０の例では、ワイヤグリッド偏光子６０は、素子基板１０の張出し部１０ａに配置されている。すなわち、ワイヤグリッド偏光子６０は、液晶層４０および対向基板３０に平面的に重ならない位置に配置されている。
このような構成によれば、第２の工程で液晶セル５０への偏光板４５の貼り付けを先に行う場合、ワイヤグリッド偏光子６０と偏光板４５との間に液晶層４０および対向基板３０が介在しない。このため、ワイヤグリッド偏光子６０の透過軸６０ａを基準にして偏光板４５の透過軸４５ａを光学的に所定の位置に合わせる際に、液晶層４０および対向基板３０による光学的影響が排除される。これにより、液晶セル５０に対する偏光板４５の位置合わせをより一層正確に行うことができる。
（第４の実施形態）
＜液晶装置およびその製造方法＞
次に、第４の実施形態に係る液晶装置およびその製造方法について図を参照して説明する。図１３は、第４の実施形態に係る液晶装置の概略構成を示す平面図である。
第４の実施形態に係る液晶装置は、第１の実施形態に係る液晶装置に対して、ワイヤグリッド偏光子が２箇所以上に設けられている点が異なっているが、その他の構成は同じである。第１の実施形態と共通する構成要素については、同一の符号を付しその説明を省略する。
図１３（ａ）に示す液晶装置１３０の例では、２つのワイヤグリッド偏光子６０が、それぞれ素子基板１０の張出し部１０ａにおける第１の位置と第２の位置とに設けられている。第１の位置と第２の位置とは、例えば互いに離れた位置である。
液晶装置１３０を製造する工程Ｐ３３の第１の工程および第２の工程では、ワイヤグリッド偏光子６０が設けられた第１の位置と第２の位置とのそれぞれに対応して光源５６および受光部５８を配置し、液晶セル５０の第１の位置におけるワイヤグリッド偏光子６０が設けられた領域と偏光板４４とを透過した光５７と、液晶セル５０の第２の位置におけるワイヤグリッド偏光子６０が設けられた領域と偏光板４４とを透過した光５７とを受光部５８で受光し、それぞれの光５７の強度を測定する。
このような構成によれば、液晶セル５０の２つの異なる場所で並行して、それぞれのワイヤグリッド偏光子６０の透過軸６０ａを基準にして偏光板４４の透過軸４４ａを光学的に所定の位置に合わせることができる。したがって、液晶セル５０に対する偏光板４４の位置合わせをより正確に行うことができる。
図１３（ｂ）に示す液晶装置１４０の例では、ワイヤグリッド偏光子６０が第１の位置に設けられており、ワイヤグリッド偏光子６２が第２の位置に設けられている。第１の位置と第２の位置とは、素子基板１０の張出し部１０ａにおける異なる位置であり、例えば互いに近い位置である。上述の通り、ワイヤグリッド偏光子６０の透過軸６０ａは配向膜２８，３６のラビング方向に平行であり、ワイヤグリッド偏光子６２の透過軸６２ａは配向膜２８，３６のラビング方向と直交している。
液晶装置１４０を製造する工程Ｐ３３の第１の工程および第２の工程では、ワイヤグリッド偏光子６０が設けられた第１の位置と、ワイヤグリッド偏光子６２が設けられた第２の位置とのそれぞれに対応して光源５６および受光部５８を配置し、液晶セル５０のワイヤグリッド偏光子６０が設けられた領域と偏光板４４とを透過した光５７と、ワイヤグリッド偏光子６２が設けられた領域と偏光板４４とを透過した光５７とを受光部５８で受光し、それぞれの光５７の強度を測定する。
液晶セル５０のワイヤグリッド偏光子６０が設けられた領域と偏光板４４とを透過した光５７の強度は、偏光板４４の透過軸４４ａがワイヤグリッド偏光子６０の透過軸６０ａに平行になる位置において最大となる。一方、液晶セル５０のワイヤグリッド偏光子６２が設けられた領域と偏光板４４とを透過した光５７の強度は、偏光板４４の透過軸４４ａがワイヤグリッド偏光子６２の透過軸６２ａと直交する位置において最小となる。
ここで、両者の光５７の強度の測定値の差を取るようにすれば、位置合わせを行う際の測定値の変化量はいずれか一方の測定値を取る場合に比べて大きくなる。このようにして、両者の測定値の差が最大となるように位置関係を決定すれば、液晶セル５０に対する偏光板４４の位置合わせをさらに正確に行うことができる。
また、液晶装置１４０の構成によれば、光の強度の測定に用いる測定機器の感度特性（光の強度が小さい側で感度が高い、または光の強度が大きい側で感度が高い）に応じて、ワイヤグリッド偏光子６０とワイヤグリッド偏光子６２のうちのいずれか一方のワイヤグリッド偏光子を基準として偏光板４４の位置合わせを行うことも可能である。
なお、本実施形態の液晶装置１３０，１４０のいずれにおいても、第２の工程で偏光板４５を先に液晶セル５０に貼り付ける場合、同等の効果が得られる。また、本実施形態の液晶装置１３０，１４０において、ワイヤグリッド偏光子６０または６２が３箇所以上に設けられていてもよい。液晶装置１３０において、ワイヤグリッド偏光子６０の代わりにワイヤグリッド偏光子６２が設けられていてもよい。
（第５の実施形態）
＜液晶装置＞
次に、第５の実施形態に係る液晶装置について図を参照して説明する。図１４は、第５の実施形態に係る液晶装置の概略構成を説明する図である。詳しくは、図１４（ａ）は対向基板側から見たときの画素の構成を示す平面図であり、図１４（ｂ）は光学設計条件を示す図である。
第５の実施形態に係る液晶装置は、第１の実施形態に係る液晶装置に対して、反射表示領域を有する半透過反射型であり、反射表示領域にワイヤグリッド偏光子が設けられている点が異なっているが、その他の構成は同じである。第１の実施形態と共通する構成要素については、同一の符号を付しその説明を省略する。
図１４（ａ）に示すように、第５の実施形態に係る液晶装置２００は、画素４に透過表示領域Ｔと反射表示領域Ｒとを備えた半透過反射型の液晶装置である。液晶装置２００は、第１の実施形態に係る液晶装置１００と略同様の構成を有しており、ワイヤグリッド偏光子６０の代わりに、第２の光学素子としてのワイヤグリッド偏光子６４を反射表示領域Ｒに備えている点が異なっている。なお、図１４（ａ）では、構成をわかりやすく示すため、ワイヤグリッド偏光子６４に斜線を施して表示している。
ワイヤグリッド偏光子６４は、ワイヤグリッド偏光子６０と同様の構成を有している。ワイヤグリッド偏光子６４は、図示しないが、例えば、基板１１と共通電極１８との間に形成されている。ワイヤグリッド偏光子６４と共通電極１８との間は、絶縁層またはワイヤグリッド偏光子６４が備える保護層等により絶縁されている。
図１４（ｂ）に示すように、ワイヤグリッド偏光子６４の透過軸６４ａは、配向膜２８，３６のラビング方向に平行に配置されている。したがって、偏光板４４の透過軸４４ａはワイヤグリッド偏光子６４の透過軸６４ａに平行であり、偏光板４５の透過軸４５ａはワイヤグリッド偏光子６４の透過軸６４ａと直交している。
＜液晶装置の製造方法＞
次に、第５の実施形態に係る液晶装置の製造方法について説明する。第５の実施形態に係る液晶装置の製造方法は、第１の実施形態に係る液晶装置の製造方法に対して、第１の工程および第２の工程において、ワイヤグリッド偏光子６０の代わりにワイヤグリッド偏光子６４を偏光板の光学的位置合わせの基準とする点が異なっているが、その他の製造方法は同じである。第１の実施形態と共通する構成要素については、同一の符号を付しその説明を省略する。
本実施形態における第１の工程および第２の工程では、図示しないが、液晶セル５０のワイヤグリッド偏光子６４が設けられた領域、すなわち反射表示領域Ｒと偏光板４４とを透過した光５７の強度を測定して、光５７の強度が最大となるように、ワイヤグリッド偏光子６４（液晶セル５０）に対する偏光板４４の相対的な面内での位置関係を調整する。このとき、偏光板４４の透過軸４４ａがワイヤグリッド偏光子６４の透過軸６４ａ（図１４（ｂ）参照）に平行になる位置、すなわち偏光板４４の透過軸４４ａが配向膜２８のラビング方向に平行になる所定の位置において、光５７の強度が最大となる。
また、第３の工程および第４の工程では、液晶セル５０のワイヤグリッド偏光子６４が設けられていない領域、すなわち透過表示領域Ｔと偏光板４４と偏光板４５とを透過した光５７の強度を測定して、液晶セル５０に対する偏光板４５に位置合わせと貼り付けとを行えばよい。
第５の実施形態によれば、液晶装置２００のようにワイヤグリッド偏光子６４を反射表示領域Ｒに備えた半透過反射型の液晶装置において、ワイヤグリッド偏光子６４の透過軸６４ａを基準にして偏光板４４の透過軸４４ａを光学的に所定の位置に合わせることができる。これにより、位置合わせ用のワイヤグリッド偏光子を設けることなく、液晶セル５０と偏光板４４との相対的な位置ズレを低減できる。
なお、第５の実施形態の液晶装置２００に、上記実施形態における位置合わせ用のワイヤグリッド偏光子６０，６２をさらに設けた構成としてもよい。このような場合、反射表示領域Ｒに配置されるワイヤグリッド偏光子６４を形成する工程で、位置合わせ用のワイヤグリッド偏光子６０，６２を一緒に形成することができる。
（第６の実施形態）
＜液晶装置＞
次に、第６の実施形態に係る液晶装置について図を参照して説明する。図１５は、第６の実施形態に係る光学素子の概略構成を示す図である。詳しくは、図１５（ａ）は光学素子の斜視図であり、図１５（ｂ）は図１５（ａ）中のＤ−Ｄ線に沿った断面図である。図１５（ｃ）は光学設計条件を説明する図である。
第６の実施形態に係る液晶装置は、上記実施形態の液晶装置に対して、ワイヤグリッド偏光子の代わりに誘電体干渉膜プリズムを備えている点が異なっているが、その他の構成は同じである。第１の実施形態と共通する構成要素については、同一の符号を付しその説明を省略する。
第６の実施形態に係る液晶装置は、図１５（ａ），（ｂ）に示すように、第１の光学素子として、プリズムアレイ７１と、プリズムアレイ７１上に形成された誘電体干渉膜７４とを有する光学素子を備えている。ここでは、この光学素子を誘電体干渉膜プリズム７０と称する。
プリズムアレイ７１は、基板１１上に形成されており、２つの斜面を有する三角柱状（プリズム形状）の複数の凸条７２を有している。換言すれば、凸条７２が連続して周期的に形成されることにより、断面が三角波状のプリズムアレイ７１が構成されている。プリズムアレイ７１は、例えば、アクリル樹脂等の熱硬化性または光硬化性の透明樹脂からなる。プリズムアレイ７１の凸条７２の高さは、例えば０．５μｍ〜３μｍ程度であり、互いに隣接する凸条７２間のピッチは、例えば１μｍ〜６μｍ程度である。
誘電体干渉膜７４は、プリズムアレイ７１上に形成されることで、複数の凸条７２による三角柱状（プリズム形状）の斜面が反映された表面を有している。誘電体干渉膜７４は、屈折率の異なる２種類の材料からなる誘電体膜が交互に複数積層された、いわゆる３次元フォトニック結晶層である。誘電体干渉膜７４は、例えば、酸化チタン（ＴｉＯ2）膜と酸化シリコン（ＳｉＯ2）膜とを交互に７層積層することで形成されている。誘電体膜の材料は、酸化タンタル（Ｔａ2Ｏ5）やシリコン（Ｓｉ）であってもよい。誘電体干渉膜７４を構成する１層の誘電体膜の膜厚は、例えば１０ｎｍ〜１００ｎｍ程度であり、誘電体干渉膜７４の総膜厚は、例えば３００ｎｍ〜１μｍ程度である。
誘電体干渉膜プリズム７０は、入射光を偏光状態の異なる反射光と透過光とに分離する機能を備えている。図１５（ａ）に示すように、誘電体干渉膜プリズム７０は、入射光のうち、凸条７２の延在方向に平行な偏光成分を反射し、凸条７２の延在方向に対して直交する偏光成分を透過する。すなわち、誘電体干渉膜プリズム７０は、光学軸としての透過軸７０ａおよび反射軸７０ｂを有している。透過軸７０ａは凸条７２の延在方向と直交しており、反射軸７０ｂは凸条７２の延在方向に平行である。
図１５（ｃ）に示すように、誘電体干渉膜プリズム７０の透過軸７０ａは、配向膜２８，３６のラビング方向に平行に配置されている。したがって、誘電体干渉膜プリズム７０の透過軸７０ａは、信号線１４（開口部１６ａ）の延在方向に対して時計回りの方向に５度の角度をなす方向である。誘電体干渉膜プリズム７０の反射軸７０ｂは、配向膜２８，３６のラビング方向と直交する方向であり、信号線１４（開口部１６ａ）の延在方向に対して時計回りの方向に９５度の角度をなす方向である。したがって、偏光板４４の透過軸４４ａは誘電体干渉膜プリズム７０の透過軸７０ａに平行であり、偏光板４５の透過軸４５ａは誘電体干渉膜プリズム７０の透過軸７０ａと直交している。
誘電体干渉膜７４を構成する誘電体膜の積層ピッチおよび凸条７２のピッチは、誘電体干渉膜プリズム７０に要求される特性に応じて適宜調整される。誘電体干渉膜７４では、誘電体干渉膜７４を構成する誘電体膜の積層数によってその透過率（反射率）を制御することができる。すなわち、誘電体膜の積層数を減ずることで、反射軸７０ｂ（凸条７２の延在方向）に平行な直線偏光の透過率を増大させ、反射率を低下させることができる。所定数以上の誘電体膜を積層した場合には、反射軸７０ｂに平行な直線偏光のほとんどが反射される。
本実施形態に係る誘電体干渉膜プリズム７０では、誘電体干渉膜７４の調整により、入射光のうち、例えば反射軸７０ｂに平行な直線偏光の７０％程度を反射し、残り３０％程度を透過するように設定されている。なお、誘電体干渉膜７４の表面は、樹脂層により覆われて平坦化されていてもよい。
上記実施形態における液晶装置が、ワイヤグリッド偏光子６０，６２の代わりに第１の光学素子として誘電体干渉膜プリズム７０を備える場合や、ワイヤグリッド偏光子６４の代わりに第２の光学素子として誘電体干渉膜プリズムを反射表示領域Ｒに備える場合においても、上記実施形態の液晶装置の製造方法を適用することができるとともに、上記実施形態と同様の効果が得られる。
なお、ワイヤグリッド偏光子６２の代わりに誘電体干渉膜プリズムが設けられる場合、誘電体干渉膜プリズムの透過軸は、配向膜２８，３６のラビング方向と直交するように配置される。したがって、誘電体干渉膜プリズムの透過軸は、偏光板４４の透過軸４４ａに直交し、偏光板４５の透過軸４５ａに平行となる。
＜電子機器＞
上記実施形態の液晶装置は、例えば、携帯電話機等の電子機器に搭載して用いることができる。電子機器は、モバイルコンピュータ、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、オーディオ機器、液晶プロジェクタ等であってもよい。上記実施形態の液晶装置を表示部に備えることにより、優れた表示品質を有する電子機器を提供することができる。
以上、本発明の実施形態について説明したが、上記実施形態に対しては、本発明の趣旨から逸脱しない範囲で様々な変形を加えることができる。変形例としては、例えば以下のようなものが考えられる。
（変形例１）
第１の実施形態の液晶装置は、ワイヤグリッド偏光子６０が素子基板１０に設けられた構成であったが、この形態に限定されない。ワイヤグリッド偏光子６０は、対向基板３０に設けられていてもよい。図１６は、変形例１に係る液晶装置の製造方法を説明する図である。
図１６に示すように、変形例１に係る液晶装置では、ワイヤグリッド偏光子６０は、対向基板３０上に設けられている。対向基板３０は、素子基板１０に比べて、表示領域２（図１参照）周辺にワイヤグリッド偏光子６０を配置可能なスペースを多く有している。したがって、ワイヤグリッド偏光子６０を対向基板３０に設けることで、ワイヤグリッド偏光子６０を配置する場所の制約が緩和される。
変形例１に係る液晶装置では、工程Ｐ３３において、偏光板４５の液晶セル５０への貼り付けを先に行うことが好ましい。工程Ｐ３３の第１の工程では、液晶セル５０の対向基板３０の外側に偏光板４５を配置する。そして、液晶セル５０のワイヤグリッド偏光子６０が設けられた領域と偏光板４５とを透過した光５７の強度を測定し、例えば光５７の強度が最小となるようにワイヤグリッド偏光子６０（液晶セル５０）に対する偏光板４５の相対的な面内での位置関係を決定して、偏光板４５を液晶セル５０の対向基板３０に貼り付ける。
このような方法によれば、ワイヤグリッド偏光子６０が設けられた対向基板３０の外側に偏光板４５を配置するので、ワイヤグリッド偏光子６０と偏光板４５との間には液晶層４０と素子基板１０とが介在しない。これにより、ワイヤグリッド偏光子６０の透過軸６０ａを基準にして偏光板４５の透過軸４５ａを光学的に所定の位置に合わせる際に、液晶層４０と素子基板１０とによる光学的影響が排除される。なお、ワイヤグリッド偏光子６０の代わりに、ワイヤグリッド偏光子６２または誘電体干渉膜プリズム７０が設けられた構成であってもよい。
（変形例２）
上記実施形態の液晶装置は、第１の光学素子または第２の光学素子として、ワイヤグリッド偏光子または誘電体干渉膜プリズムを備えた構成であったが、この形態に限定されない。第１の光学素子または第２の光学素子は、偏光分離機能を有するものであれば他の光学素子であってもよい。
（変形例３）
上記の実施形態では、偏光板からなる偏光体を液晶セルに貼り付ける構成であったが、この形態に限定されない。偏光体が偏光板の他に光学補償板を備えた構成であっても、上記実施形態の液晶装置の製造方法を適用することができる。図１７は、変形例３に係る液晶装置および液晶装置の製造方法を説明する図である。詳しくは、図１７（ａ）は変形例３に係る液晶装置の概略構成を示す断面図であり、図１７（ｂ）は液晶装置の製造方法を説明する図である。
図１７（ａ）に示すように、変形例３に係る液晶装置１５０は、液晶セル５０と、液晶セル５０の両外側に配置される偏光体４６と偏光体４８とを備えている。偏光体４６は、偏光板４４と偏光板４４に積層された光学補償板４７とを備えており、光学補償板４７が素子基板１０側に対向するように配置されている。偏光体４８は、偏光板４５と偏光板４５に積層された光学補償板４９とを備えており、光学補償板４９が対向基板３０側に対向するように配置されている。光学補償板４７，４９は、例えば、液晶セル５０や偏光板４４，４５の光学補償を行うことにより、液晶装置の表示における視野角の拡大、背景色の着色の補償等を図るためのものである。
ここでは、工程Ｐ３３において、例えば、偏光体４６の液晶セル５０への貼り付けを先に行い、その後で偏光体４８の貼り付けを行う。図１７（ｂ）に示すように、第１の工程および第２の工程では、液晶セル５０の素子基板１０の外側に偏光体４６を、光学補償板４７が素子基板１０側に対向するように配置する。そして、液晶セル５０のワイヤグリッド偏光子６０が設けられた領域と偏光体４６とを透過した光５７の強度が最大となるようにワイヤグリッド偏光子６０（液晶セル５０）に対する偏光体４６の相対的な面内での位置関係を決定して、偏光体４６を液晶セル５０の素子基板１０に貼り付ける。
次に、図示しないが、第３の工程および第４の工程では、液晶セル５０の対向基板３０の外側に偏光体４８を、光学補償板４９が対向基板３０側に対向するように配置する。そして、液晶セル５０のワイヤグリッド偏光子６０が設けられていない領域と偏光体４８とを透過した光５７の強度が最大となるように液晶セル５０に対する偏光体４８の相対的な面内での位置関係を決定して、偏光体４８を液晶セル５０の対向基板３０に貼り付ける。
なお、偏光体４６，４８は、偏光板４４，４５に２層以上の光学補償板が積層された構成であってもよい。また、偏光体４６，４８のいずれか一方が光学補償板を備えていない構成であってもよい。
（変形例４）
上記の実施形態では、液晶装置がＦＦＳ方式の液晶装置であったが、この形態に限定されない。液晶装置は、ＦＦＳ方式と同様に素子基板に平行な方向の横電界により液晶分子の配向制御を行うＩＰＳ（In-Plane Switching）方式の液晶装置であってもよい。また、液晶装置は、素子基板と対向基板との間に生じる縦電界により液晶分子の配向制御を行う、ＴＮ（Twisted Nematic）方式、ＶＡ（Vertical Alignment）方式やＥＣＢ（Electrically Controlled Birefringence）方式等の液晶装置であってもよい。これらの液晶装置であっても、上記実施形態の液晶装置の構成およびの液晶装置の製造方法を適用することができる。
第１の実施形態に係る液晶装置の概略構成を示す図。 第１の実施形態に係る液晶装置の電気的な構成を示す等価回路図。 第１の実施形態に係る液晶装置の画素の構成を説明する図。 図３（ａ）中のＢ−Ｂ’線に沿った断面図。 第１の実施形態に係るワイヤグリッド偏光子を説明する図。 液晶装置の光学設計条件を説明する図。 第１の実施形態に係る液晶装置の製造方法を説明するフローチャート。 第１の実施形態に係る偏光板の貼り付け方法を説明する図。 第１の実施形態に係る偏光板の貼り付け方法を説明する図。 第１の実施形態に係る偏光板の貼り付け方法を説明する図。 第２の実施形態に係るワイヤグリッド偏光子を説明する図。 第３の実施形態に係る液晶装置の概略構成を示す平面図。 第４の実施形態に係る液晶装置の概略構成を示す平面図。 第５の実施形態に係る液晶装置の概略構成を説明する図。 第６の実施形態に係る光学素子の概略構成を示す図。 変形例１に係る液晶装置の製造方法を説明する図。 変形例３に係る液晶装置および液晶装置の製造方法を説明する図。
符号の説明
２…表示領域、４…画素、１０…素子基板、１０ａ…張出し部、１１…基板、１２…走査線、１３…信号線駆動回路、１４…信号線、１５…走査線駆動回路、１６…画素電極、１６ａ…開口部、１７…共通配線、１８…共通電極、１９…保持容量、２０…ＴＦＴ素子、２０ａ…半導体層、２０ｄ…ドレイン電極、２０ｇ…ゲート電極、２０ｓ…ソース電極、２２…ゲート絶縁層、２４…絶縁層、２４ａ…コンタクトホール、２８，３６…配向膜、３０…対向基板、３１…基板、３２…遮光層、３４…カラーフィルタ層、３５…オーバーコート層、４０…液晶層、４１…シール剤、４２…ドライバＩＣ、４４，４５…偏光板、４４ａ，４５ａ…透過軸、４６，４８…偏光体、４７，４９…光学補償板、５０…液晶セル、５２…保持部、５６…光源、５７…光、５８…受光部、６０，６２，６４…ワイヤグリッド偏光子、６０ａ，６２ａ，６４ａ…透過軸、６０ｂ，６２ｂ…反射軸、６１，６３…金属反射膜、７０…誘電体干渉膜プリズム、７０ａ…透過軸、７０ｂ…反射軸、７１…プリズムアレイ、７２…凸条、７４…誘電体干渉膜、１００，１１０，１２０，１３０，１４０，１５０，２００…液晶装置。

Claims (24)

  1. 第１の偏光体と第２の偏光体との間に液晶セルが配置された液晶装置の製造方法であって、
    互いに対向して配置された第１の基板および第２の基板と、前記第１の基板および前記第２の基板の間に挟持された液晶層と、前記第１の基板の少なくとも１箇所に設けられた偏光分離機能を有する第１の光学素子と、を備えた前記液晶セルを用意する工程と、
    前記第１の基板に前記第１の偏光体を対向配置させた状態で、前記液晶セルと前記第１の偏光体とのうちの少なくとも一方を対向する面内で回転させて、前記液晶セルの前記第１の光学素子が設けられた領域と前記第１の偏光体とを透過した光の強度を測定する第１の工程と、
    前記光の強度の測定結果に基づいて前記第１の光学素子に対する前記第１の偏光体の相対的な面内での位置関係を決定し、前記第１の偏光体を前記液晶セルの前記第１の基板に貼り付ける第２の工程と、
    を含むことを特徴とする液晶装置の製造方法。
  2. 請求項１に記載の液晶装置の製造方法であって、
    前記第１の光学素子の光学軸は、前記第１の基板における前記液晶層の配向方向に平行に配置されており、
    前記第２の工程では、前記光の強度が最大となるように、前記第１の光学素子に対する前記第１の偏光体の相対的な位置関係を決定することを特徴とする液晶装置の製造方法。
  3. 請求項１に記載の液晶装置の製造方法であって、
    前記第１の光学素子の光学軸は、前記第１の基板における前記液晶層の配向方向と直交して配置されており、
    前記第２の工程では、前記光の強度が最小となるように、前記第１の光学素子に対する前記第１の偏光体の相対的な位置関係を決定することを特徴とする液晶装置の製造方法。
  4. 請求項１から３のいずれか一項に記載の液晶装置の製造方法であって、
    前記第１の光学素子は、ストライプ状に配列された金属反射膜を備えていることを特徴とする液晶装置の製造方法。
  5. 請求項１から３のいずれか一項に記載の液晶装置の製造方法であって、
    前記第１の光学素子は、プリズムアレイと前記プリズムアレイ上に形成された誘電体干渉膜とを備えていることを特徴とする液晶装置の製造方法。
  6. 第１の偏光体と第２の偏光体との間に液晶セルが配置された液晶装置の製造方法であって、
    互いに対向して配置された第１の基板および第２の基板と、前記第１の基板および前記第２の基板の間に挟持された液晶層と、前記第１の基板の２箇所以上に設けられた偏光分離機能を有する第１の光学素子と、を備えた前記液晶セルを用意する工程と、
    前記液晶セルの前記第１の基板および前記第２の基板のうちの一方の基板の外側に前記第１の偏光体を対向配置させた状態で、前記液晶セルと前記第１の偏光体とのうちの少なくとも一方を対向する面内で回転させて、前記液晶セルの前記第１の光学素子が設けられた領域と前記第１の偏光体とを透過した光の強度を測定する第１の工程と、
    前記光の強度の測定結果に基づいて前記第１の光学素子に対する前記第１の偏光体の相対的な面内での位置関係を決定し、前記第１の偏光体を前記液晶セルの前記一方の基板に貼り付ける第２の工程と、
    を含むことを特徴とする液晶装置の製造方法。
  7. 請求項６に記載の液晶装置の製造方法であって、
    前記２箇所以上に設けられた前記第１の光学素子は、
    第１の個所に設けられており、前記第１の基板における前記液晶層の配向方向に平行に光学軸が配置された光学素子と、
    前記第１の個所とは異なる第２の個所に設けられており、前記第１の基板における前記液晶層の配向方向と直交して光学軸が配置された光学素子と、
    を含むことを特徴とする液晶装置の製造方法。
  8. 第１の偏光体と第２の偏光体との間に液晶セルが配置された液晶装置の製造方法であって、
    互いに対向して配置された第１の基板および第２の基板と、前記第１の基板および前記第２の基板の間に挟持された液晶層と、前記第１の基板の少なくとも１箇所に設けられた偏光分離機能を有する第１の光学素子と、を備えた前記液晶セルを用意する工程と、
    前記液晶セルの前記第１の基板および前記第２の基板のうちの一方の基板の外側に前記第１の偏光体を対向配置させた状態で、前記液晶セルと前記第１の偏光体とのうちの少なくとも一方を対向する面内で回転させて、前記液晶セルの前記第１の光学素子が設けられた領域と前記第１の偏光体とを透過した光の強度を測定する第１の工程と、
    前記光の強度の測定結果に基づいて前記第１の光学素子に対する前記第１の偏光体の相対的な面内での位置関係を決定し、前記第１の偏光体を前記液晶セルの前記一方の基板に貼り付ける第２の工程とを含み、
    前記第１の光学素子は、前記液晶層に平面的に重ならない位置に配置されていることを特徴とする液晶装置の製造方法。
  9. 請求項８に記載の液晶装置の製造方法であって、
    前記第１の基板は、前記第２の基板に平面的に重ならない張出し部を有しており、
    前記第１の光学素子は、前記張出し部に配置されていることを特徴とする液晶装置の製造方法。
  10. 請求項１から７のいずれか一項に記載の液晶装置の製造方法であって、
    前記液晶セルは、表示に寄与する表示領域に配列された反射表示領域を備え、
    前記第１の光学素子は、前記反射表示領域に配置されていることを特徴とする液晶装置の製造方法。
  11. 第１の偏光体と第２の偏光体との間に液晶セルが配置された液晶装置の製造方法であって、
    互いに対向して配置された第１の基板および第２の基板と、前記第１の基板および前記第２の基板の間に挟持された液晶層と、前記第１の基板の少なくとも１箇所に設けられた偏光分離機能を有する第１の光学素子と、前記第１の基板の反射表示領域に設けられた偏光分離機能を有する第２の光学素子と、を備えた前記液晶セルを用意する工程と、
    前記液晶セルの前記第１の基板および前記第２の基板のうちの一方の基板の外側に前記第１の偏光体を対向配置させた状態で、前記液晶セルと前記第１の偏光体とのうちの少なくとも一方を対向する面内で回転させて、前記液晶セルの前記第１の光学素子が設けられた領域と前記第１の偏光体とを透過した光の強度を測定する第１の工程と、
    前記光の強度の測定結果に基づいて前記第１の光学素子に対する前記第１の偏光体の相対的な面内での位置関係を決定し、前記第１の偏光体を前記液晶セルの前記一方の基板に貼り付ける第２の工程と、
    を含むことを特徴とする液晶装置の製造方法。
  12. 第１の偏光体と第２の偏光体との間に液晶セルが配置された液晶装置の製造方法であって、
    互いに対向して配置された第１の基板および第２の基板と、前記第１の基板および前記第２の基板の間に挟持された液晶層と、前記第１の基板の少なくとも１箇所に設けられた偏光分離機能を有する第１の光学素子と、を備えた前記液晶セルを用意する工程と、
    前記液晶セルの前記第１の基板および前記第２の基板のうちの一方の基板の外側に前記第１の偏光体を対向配置させた状態で、前記液晶セルと前記第１の偏光体とのうちの少なくとも一方を対向する面内で回転させて、前記液晶セルの前記第１の光学素子が設けられた領域と前記第１の偏光体とを透過した光の強度を測定する第１の工程と、
    前記光の強度の測定結果に基づいて前記第１の光学素子に対する前記第１の偏光体の相対的な面内での位置関係を決定し、前記第１の偏光体を前記液晶セルの前記一方の基板に貼り付ける第２の工程と、
    前記第２の工程の後に、
    前記液晶セルの前記第１の基板および前記第２の基板のうちの他方の基板の外側に前記第２の偏光体を対向配置させた状態で、前記液晶セルと前記第２の偏光体とのうちの少なくとも一方を対向する面内で回転させて、前記液晶セルの前記第１の光学素子が設けられていない領域と前記第１の偏光体と前記第２の偏光体とを透過した光の強度を測定する第３の工程と、
    前記光の強度の測定結果に基づいて、前記第１の偏光体と前記液晶セルとに対する前記第２の偏光体の相対的な面内での位置関係を決定し、前記第２の偏光体を前記液晶セルの前記他方の基板に貼り付ける第４の工程と、
    を含むことを特徴とする液晶装置の製造方法。
  13. 請求項１２に記載の液晶装置の製造方法であって、
    前記第１の偏光体および前記第２の偏光体のうちの少なくとも一方は、偏光板と、前記偏光板に積層された光学補償板と、を備えていることを特徴とする液晶装置の製造方法。
  14. 一対の偏光体間に、互いに対向して配置された第１の基板および第２の基板と、
    前記第１の基板および前記第２の基板の間に挟持された液晶層と、
    前記第１の基板の少なくとも１箇所に設けられた偏光分離機能を有する第１の光学素子と、
    表示に寄与する表示領域と、を備え、
    前記第１の光学素子は、前記表示領域の外に配置されていることを特徴とする液晶装置。
  15. 請求項１４に記載の液晶装置であって、
    前記第１の光学素子の光学軸は、前記第１の基板における前記液晶層の配向方向に平行に配置されており、
    前記一対の偏光体のうちの少なくとも一方の偏光体の光学軸は、前記第１の光学素子の光学軸に平行に配置されていることを特徴とする液晶装置。
  16. 請求項１４に記載の液晶装置であって、
    前記第１の光学素子の光学軸は、前記第１の基板における前記液晶層の配向方向と直交して配置されており、
    前記一対の偏光体のうちの少なくとも一方の偏光体の光学軸は、前記第１の光学素子の光学軸と直交して配置されていることを特徴とする液晶装置。
  17. 請求項１４から１６のいずれか一項に記載の液晶装置であって、
    前記第１の光学素子は、２箇所以上に設けられていることを特徴とする液晶装置。
  18. 請求項１７に記載の液晶装置であって、
    前記２箇所以上に設けられた前記第１の光学素子は、
    第１の個所に設けられており、前記第１の基板における前記液晶層の配向方向に平行に配置された光学軸を有する光学素子と、
    前記第１の個所とは異なる第２の個所に設けられており、前記第１の基板における前記液晶層の配向方向と直交して配置された光学軸を有する光学素子と、
    を含むことを特徴とする液晶装置。
  19. 請求項１４から１８のいずれか一項に記載の液晶装置であって、
    前記第１の光学素子は、前記液晶層に平面的に重ならない位置に配置されていることを特徴とする液晶装置。
  20. 請求項１９に記載の液晶装置であって、
    前記第１の基板は、前記第２の基板に平面的に重ならない張出し部を有しており、
    前記第１の光学素子は、前記張出し部に配置されていることを特徴とする液晶装置。
  21. 請求項１４から２０のいずれか一項に記載の液晶装置であって、
    前記第１の光学素子は、ストライプ状に配列された金属反射膜を備えていることを特徴とする液晶装置。
  22. 請求項１４から２０のいずれか一項に記載の液晶装置であって、
    前記第１の光学素子は、プリズムアレイと前記プリズムアレイ上に形成された誘電体干渉膜とを備えていることを特徴とする液晶装置。
  23. 請求項１４から２２のいずれか一項に記載の液晶装置であって、
    前記表示領域に配列された反射表示領域と、
    前記第１の基板の前記反射表示領域に設けられた、偏光分離機能を有する第２の光学素子と、をさらに備えていることを特徴とする液晶装置。
  24. 請求項１４から２３のいずれか一項に記載の液晶装置であって、
    前記一対の偏光体のうちの少なくとも一方は、偏光板と、前記偏光板に積層された光学補償板と、を備えていることを特徴とする液晶装置。
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