JP5515554B2

JP5515554B2 - 透明導電性薄膜の製造方法

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Publication number: JP5515554B2
Application number: JP2009217177A
Authority: JP
Inventors: 国臻張
Original assignee: Toppan Inc
Current assignee: Toppan Inc
Priority date: 2009-09-18
Filing date: 2009-09-18
Publication date: 2014-06-11
Anticipated expiration: 2029-09-18
Also published as: JP2011065937A

Description

本発明は、透明なプラスチック基材上に成膜された酸化インジウム・スズ（ＩＴＯ）積層体に関して、導電性、透過率が高く、且優れた密着性と耐性を持つ、透明導電膜に関するものである。

従来から可視透過率の高い透明導電膜は液晶ディスプレイ（ＬＣＤ：ｌｉｑｕｉｄｃｒｙｓｔａｌｄｉｓｐｌａｙ）、プラズマディスプレイ（ＰＤＰ：ｐｌａｓｍａｄｉｓｐｌａｙｐａｎｅｌ）、タッチパネル等に使用されている。これらのディスプレイとタッチパネルは従来のブラウン管（ＣＲT：ｃａｔｈｏｄｅｒａｙｔｕｂｅ）ディスプレイに比べて圧倒的に薄く、軽量で、省電力等の多くの利点を有するので、近年、需要が著しく拡大し、主流になっている。

液晶ディスプレイ、プラズマディスプレイとタッチパネルは光学部品であるため、その中の部材として用いられる透明導電膜には低い電気抵抗、可視光に対する高い透過率と高い耐久性などが要求される。ＩＴＯ膜は、導電性が良好で、しかも可視光波長域での透光性が良好のため、従来から各種のディスプレイ、タッチパネル及び太陽電池の透明電極、熱反射ガラス、防曇、防氷、帯電防止ガラス、電磁シールガラス等に利用されている。

ＩＴＯ透明導電膜について、現在マグネトロンスパッタ法、加速電子ビームを照射するＥＢ蒸着法などの方法が工業的に広く用いられている。ＩＴＯ透明導電膜を形成する方法についは特許第３２０８７９４号公報、特許第４２７１４３８号公報、特開平６−３２０６６１号公報、特開平７−２０７４３９号公報、特許第３１７６８１２号公報、特許第３３１８１４５号公報、特開２００３−１６０３６２号公報などを提案されている。

特許第３２０８７９４号公報特許第４２７１４３８号公報特開平６−３２０６６１号公報特開平７−２０７４３９号公報特許第３１７６８１２号公報特許第３３１８１４５号公報特開２００３−１６０３６２号公報

上記の特許文献１、特許文献２によれば、湿式塗工方法で作製したＩＴＯ薄膜は透明性を持ち、抵抗率も低く、効率が高く、コストも低い。しかし、得られたＩＴＯ透明導電膜は耐久性が弱く、タッチパネルへの応用が困難である。

特許文献３、特許文献４によればマグネトロンスパッタリング法を用いて積層体を作製することによって、可視光域での透過率が高い透明導電膜を作る方法を提案されている。得られた透明導電薄膜は一定の耐性を持っているが、しかし、上記透明導電膜は基材自身の強度が不足であり、且つ透明導電膜の密着性と耐久性が不十分であるという欠点がある。

また、特許文献５、特許文献６では透明基板の片面あるいは両面に透明硬質な有機物質層によるハードコート層が設けられ、その上に、酸化ケイ素とＩＴＯ透明導電膜を積層する方法が提案されている。この方法から、得られた透明導電膜は密着性と一定の耐性を持っているが、ハードコート層と酸化珪素層の屈折率の差が大きく、干渉縞が出やすい。そして、タッチパネルへの応用において上記透明導電膜の耐性はまだ不十分である。

さらに、特許文献７では透明ガラス基板の上に、酸化金属層、酸化珪素層とＩＴＯ透明導電膜を積層する方法が提案されている。この方法から、得られた透明導電膜は密着性と一定の耐性を持っているが、タッチパネルへの応用において上記透明導電膜の耐性はまだ不十分である。そして、積層する時に、基板２００℃以上加熱が必要であり、プラスチックへの応用はできない。

そこで、本発明は前記従来技術の問題点を解決し、フィルムなどの基材に対して透明性高く、優れた密着性と耐久性を持ち、且低温成膜でき、タッチパネルへ応用可能なＩＴＯ透明導電膜を作製とすることを目的とする。

上記課題を解決するために請求項１に係る発明としては、透明プラスチック基材の両面に第１のハードコート層と第２のハードコート層が設けられ、前記第１のハードコート層の表面に金属酸化物層と酸化珪素層を順次に形成されている積層体の表面に、酸化インジウム・スズ（ＩＴＯ）層を積層した透明導電薄膜の製造方法であって、
膜厚が１μｍ以上８μｍ以下の第１のハードコート層を設ける工程と、
膜厚が１．５μｍ以上１０μｍ以下であり、前記第１のハードコート層と同じ有機物質であり、前記第１のハードコート層の膜厚より厚く、その差が０．５μｍ以上２．０μｍ以下である第２のハードコート層を設ける工程と、
前記第１のハードコート層の表面にマグネトロンスパッタリング法にて成膜した膜厚が５ｎｍ以上５０ｎｍ以下で、屈折率が１．７以上２．８以下の金属酸化物層を設ける工程と、
前記金属酸化物層の表面にマグネトロンスパッタリング法にて成膜した膜厚が３０ｎｍ以上１００ｎｍ以下で、屈折率が１．３以上１．５以下の酸化珪素層を設ける工程と、
前記積層体の表面に酸化スズの含量３質量％以上１５質量％以下のＩＴＯターゲットを用いてマグネトロンスパッタリング法にて成膜した膜厚が１５ｎｍ以上４０ｎｍ以下のＩＴＯ層を設ける工程とを具備し、
前記ＩＴＯ層をマグネトロンスパッタリング法にて成膜する際に、８．５Ｗ／ｃｍ ^２以上１５Ｗ／ｃｍ ^２以下の高電力密度を印加することを特徴とする透明導電薄膜の製造方法である。

また、請求項２に係る発明としては、前記金属酸化物層と酸化珪素層の積層体と、前記ＩＴＯ層の成膜温度が−１０℃以上５０℃以下であることを特徴とする請求項１に記載の透明導電薄膜の製造方法である。

本発明は透明プラスチック基材（５）の両面に透明硬質な有機物質層による第１のハードコート層（１）と第２のハードコート層（２）が設けられる。低温下で、該第１のハードコート層（１）の表面に金属酸化物層（３−１）と酸化珪素層（３−２）を順次に形成されている積層体（３）の表面で、酸化インジウム・スズ（ＩＴＯ）層（４）を積層し、成膜された積層膜を備えることを特徴とする透明導電薄膜である。得られた透明導電薄膜は透明性が高く、優れた密着性と耐久性を持っている。

本発明の一実施例の透明導電薄膜の構成説明図である。

本発明の透明プラスチック基板（５）として、アクリル樹脂、ポリアミド樹脂、メラミン樹脂、ポリイミド樹脂、ポリエステル樹脂、セルロースおよびこれらの共重合樹脂、ゼラチン、カゼインなどの有機天然化合物などから、合成した透明な基板が例示できる。詳しい例として、ポリエステル、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリブチレンテレフタレート、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）、アクリル、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリスチレン、トリアセテート（ＴＡＣ）、ポリビニルアルコール、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリエチレン、エチレン−酢酸ビニル共重合体、ポリビニルブチラール、金属イオン架橋エチレン−メタクリル酸共重合体、ポリウレタン、セロファンなどが、好ましくはＰＥＴ、ＰＣ、ＰＭＭＡ、TACなどが挙げられるが、この限りではない。

本発明では透明プラスチック基板として上記のポリエステル、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリブチレンテレフタレート、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）、トリアセテート（ＴＡＣ）などを利用できる。しかし、上記透明プラスチック基板の機械的な強度が不十分なため、その上に成膜した製品は機械的な強度が不十分である。この問題を解決するために、透明プラスチック基板の表面に、第１のハードコート層（１）を設けることが必要となる。さらに、透明プラスチック基板の強度を増加した時に発生するとカールを抑制するために、透明プラスチック基板の裏面に第２のハードコート層（２）も設けることが必要となる。

本発明の第１のハードコート層（１）と第２のハードコート層（２）とは、透明かつ硬質な有機物質による層である。第１のハードコート層（１）と第２のハードコート層（２）の膜厚については第１のハードコート層（１）が１μｍ以上８μｍ以下であり、第２のハードコート層（２）が１．５μｍ以上１０μｍ以下である。

第１のハードコート層（１）の膜厚は前記第２のハードコート層（２）より、０．５μｍ以上２．０μｍ以下の範囲で、薄くすることが好ましい。第１のハードコート層（１）の表面に透明導電積層成膜することによって、表裏の応力が非対称になるのを調整するからである。前記ハードコート層の膜厚が規定範囲以上を超えると成膜効率が悪くなり、コストも高くなる。そして、クラックが出やすい。膜厚が規定範囲以下になった場合、膜が薄過ぎで、期待される物性が出難くなる。

本発明のハードコート層に用いられる硬化性樹脂には、電離放射線や紫外線照射により硬化する硬化性樹脂や熱硬化性の樹脂が挙げられる。

具体的には、電離放射線や紫外線照射により硬化する硬化性樹脂材料は、アクリル系材料を含んでいてもよく、多価アルコールのアクリル酸またはメタクリル酸エステルのような多官能または多官能の（メタ）アクリレート化合物、ジイソシアネートと多価アルコール及びアクリル酸またはメタクリル酸のヒドロキシエステル等から合成されるような多官能のウレタン（メタ）アクリレート化合物を使用することができる。またこれらの他にも、アクリレート系の官能基を有するポリエーテル樹脂、ポリエステル樹脂、エポキシ樹脂、アルキッド樹脂、スピロアセタール樹脂、ポリブタジエン樹脂、ポリチオールポリエン樹脂等を使用することができる。また、熱硬化型のポリシロキサン樹脂等が好適である。以上の樹脂が挙げられるが、この限りではない。

また、ハードコート層の形成方法としては、ハードコート層の塗布方法としては、湿式成膜法が一般的であり、ロールコーター、リバースロールコーター、グラビアコーター、マイクログラビアコーター、ナイフコーター、バーコーター、ワイヤーバーコーター、ダイコーター、ディップコーターを用いた塗布方法を用いることができる。

また、ハードコート層の硬化方法としては、電離放射線としては、紫外線、電子線を用いることができる。紫外線硬化の場合は、高圧水銀灯、低圧水銀灯、超高圧水銀灯、メタルハライドランプ、カーボンアーク、キセノンアーク等の光源が利用できる。また、電子線硬化の場合はコックロフトワルト型、バンデグラフ型、共振変圧型、絶縁コア変圧器型、直線型、ダイナミトロン型、高周波型等の各種電子線加速器から放出される電子線が利用できる。

なお、硬化によりハードコート層を形成する工程の前後に乾燥工程もしくは加熱工程を設けてもよい。特に、塗液が溶媒を含む場合、形成された塗膜の溶媒を除去するために電離放射線を照射する前に乾燥工程を設ける必要がある。乾燥手段としては加熱、送風、熱風などが例示される。

本発明の積層体（３）の金属酸化物層（３−１）である高屈折率金属酸化物層としては、ＺｎＯ、ＴｉＯ₂、ＣｅＯ₂、Ｓｂ₂Ｏ₅、ＳｎＯ₂、Ｙ₂Ｏ₃、Ｌａ₂Ｏ₃、ＺｒＯ₂、Ａｌ₂Ｏ₃、Ｎｂ_２Ｏ_５等が挙げられるが、この限りではない。

本発明の積層体（３）の酸化珪素層（３−２）である低屈折率金属酸化物層としては、ＳｉＯ_ｘである。Ｘは１．２以上２．０以下であることが好ましい。

本発明の積層成膜方法としては膜の特性を得るために、気相成膜が好ましい。気相成膜方法には、マグネトロンスパッタリング法や、加速電子ビームを照射するＥＢ蒸着法や、物理真空蒸着法（ＰＶＤ）や、化学真空蒸着法（ＣＶＤ）などがある。この中で、マグネトロンスパッタリング法が好ましい。

本発明の前記積層体（３）高屈折率金属酸化物層の屈折率は１．７以上２．８以下であり、膜厚が５ｎｍ以上５０ｎｍ以下であることを特徴とする。そして、低屈折率酸化珪素層の屈折率は１．３以上１．５以下であり、膜厚が１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下であることを特徴とする。一般状況下で、透明なプラスチック基板とハードコート層の屈折率は１．５以上１．７以下である。このために、高屈折率層として適当な材料の屈折率は１．７以上になる。低屈折率酸化ケイ素層は低い屈折率が望ましいが、コストと成膜特性を総合的に考えることが必要である。

高屈折率金属酸化物層の膜厚は５ｎｍ以上５０ｎｍ以下、低屈折率酸化珪素層の膜厚１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下であることが好ましい。膜厚が規定範囲以上を超えると成膜効率が悪くなり、コストも高くなる上に、干渉縞が出やすい。膜厚が規定範囲以下になった場合、膜が薄過ぎで、透過率増加の効果が弱く、光学特性が出難くなる。

本発明の前記積層体（３）無機酸化積層の作用として単純な光学調整と密着性の向上だけではなく、プラスチック基材の保護作用もある。本発明ではＩＴＯ成膜する時に、耐久性と効率を向上するために高電力密度下で成膜を行った。高電力密度によって、透明プラスチック基材（５）は外観破損する可能性がある。ここで、前記積層体（３）無機酸化積層を利用して、プラスチック基材を保護して、高電力密度で成膜を行うことができる。

前記ＩＴＯ層（４）のＩＴＯ薄膜が酸化スズの含量３質量％以上１５質量％以下のＩＴＯを用いて成膜したことを特徴とする。

酸化スズの含量が３質量％以下になるとキャリア密度が低すぎで、導電性能が著しく落ちる。また、酸化スズ１５質量％以上になるとＩＴＯ膜の構造を変化し、導電性能と耐久性も悪くなる。

本発明はＩＴＯ薄膜の膜厚が５ｎｍ以上４０ｎｍ以下である。ＩＴＯ薄膜の膜厚が５ｎｍ以下になると膜厚が薄く、性能が出られない。逆に、ＩＴＯ層（４）の膜厚が４０ｎｍ以上になると成膜の効率が悪くなり、コストが増加する。

前記積層体（３）とＩＴＯ層（４）の基板上に成膜の温度が−１０℃以上５０℃以下であることが好ましい。

本発明において、積層体を順次成膜する時に基板を熱処理しなくでも、得られた膜が透明導電膜の各性能を満たしている。尚装置の適正運転条件を考慮し、基板上の成膜の温度を−１０℃〜５０℃で設定している。

本発明では全光透過率９０％以上、ヘーズ１％以下、カール−２ｍｍ以上２ｍｍ以下、シート抵抗１００Ω/□以上８００Ω/□以下、且つアニール前後のシート抵抗率変化が０．８以上１．５以内、さらに透過色相ｂ＊は−１．５から１．５の範囲（色彩計算：２°、視野Ｄ６５光源）である優れた光学特性を持つ透明導電薄膜の作製することができる。

本発明の応用範囲は透明導電薄膜を用いたことを特徴とするディスプレイや、タッチパネルなどである。本発明作製したＩＴＯ透明導電膜は、シート抵抗が低く、耐久性が良く、透過率が高いなどの特徴を持っているために、静電防止フィルム、タッチパネルなどのへの応用が可能である。

以下、本発明を実施例に基づいて具体的に説明する。

（実施例１）
紫外線硬化型アクリル系樹脂であるユニディックＶ−９５００（ＤＩＣ社製）を用いて、１８８μｍのＰＥＴ両面にハードコート層（ＨＣ）塗工した。得られた第１のハードコート層（１）の膜厚は３μｍ、第２のハードコート層（２）の膜厚は４μｍである。

マグネトロンスパッタリング法にて、この１９５μｍ厚の第１のハードコート層（１）／ＰＥＴ／第２のハードコート層（２）フィルム（両面ハードコート付けＰＥＴフィルム）の第１のハードコート層（１）の表面上に高屈折率酸化ニオブ（Ｎｂ_２Ｏ_５）（屈折率は２．３０であった。）と低屈折率酸化ケイ素（ＳｉＯ_２）（屈折率は１．４６であった。）を順次に積層した。

そして、Ｎｂ_２Ｏ_５層（３−１）を１８ｎｍ、ＳｉＯ_２層（３−２）を６０ｎｍの厚さで、電力密度２．５Ｗ／ｃｍ^２を印加して成膜した上に、酸化スズを３質量％含有ＩＴＯ薄膜（４）を２０ｎｍの厚さで、電力密度８．５Ｗ／ｃｍ^２を印加して成膜した。積層した薄膜の総膜厚は約１００ｎｍとなった。

成膜時の酸素流量（分圧）を変化させることにより、形成される薄膜の酸素欠損の量を変化させ、屈折率を請求項１に記載の範囲で変化させることができる。ＩＴＯ薄膜の成膜時のシート抵抗の制御は、酸素流量の制御により行った。

以上により、（実施例１）の透明導電薄膜を作製した。得られた透明導電膜の評価は以下のように行った。

「シート抵抗測定」
三菱化学社製の表面抵抗測定装置ＬｏｒｅｓｔａＨＰ／ＭＣＰ−４１０を用いて抵抗値を４端子法で測定した。

「シート抵抗変化率測定」
１５０℃で１時間アニール前後シート抵抗値を測定して、その変化率を計算した。

「分光スペクトルの測定」
アニール後、得られた透明導電薄膜は自動分光光度計（日立製作所製、Ｕ−４０００）を用い、Ｄ６５、２度視野の条件下で、薄膜面について入射角５°における分光スペクトルを測定した。

「全光透過率とヘーズの測定」
アニール後、得られた透明導電薄膜はＮｉｐｐｏｎＤＥＮＳＨＯＫＵ社製ＮＤＨ−２０００ヘーズメーターを使用して測定した。

「耐湿熱密着性の測定」
アニール後、得られた透明導電薄膜は８０℃、９５％ＲＨの環境下で、２０日間放置した。その後、ガラス基板の上に両面テープで張り付け、透明導電薄膜の上から、ナイフで碁盤の目状に１００個の切り込みを入れて、セロハン粘着テープを強く張り付けた後、９０°方向に急速に剥し、透明導電薄膜剥離の有無を調べた。１００目のうち剥離しない目の数をＸで表示した。従って、剥離なし＝１００/１００；剥離あり＝Ｘ/１００である。

「５０万回ペン書き試験の測定」
アニール後の透明導電膜の裏面にポリアセタール製で先半径０．８ｍｍのペン先を持つタッチペンを用いて、プロッターを用いて２５０ｇ加重で、アからンまでのカタカナ文字を５０万字筆記するテストを行った。それから、透明導電膜面のシート抵抗を測定する。ペン書き試験前後シート抵抗の変化率を計算した。

「カールの測定」
ハードコートフィルムを１００ｍｍ×１００ｍｍの大きさに切断したサンプルを作製し、水平で平滑な台上にハードコート層を上にした状態で静置させた。台上から、ハードコートフィルム端部の浮き上がりを測定した：ＩＴＯ面高い（＋カール）；ＨＣ面高い（−カール）と定義した。

（実施例１）についての評価結果を（表１）に示した。アニール後、得られた透明導電薄膜のシート抵抗変化率が１．３である。そして、全光透過率は９１％以上であり、透過色相ｂ＊−０．２であり、カールも低い（−１．２ｍｍ）。さらに、耐湿熱密着性は問題なく、５０万回ペン書き試験後のシート抵抗変化率も１．３になっている。即ち、（実施例１）から、得られた透明導電薄膜は優れた物性を持ち、ディスプレイ、タッチパネルなどへの応用が可能である。

（実施例２）
（実施例１）において、ＩＴＯ成膜電力密度は１０．０Ｗ/ｃｍ^２であり、それ以外は（実施例１）同様に操作して、透明導電薄膜を得た。（実施例２）の評価結果を（表１）に示した。

（実施例２）から得られた透明導電薄膜は（実施例１）とほぼ同じ物性を持ち（５０万回ペン書き試験後の抵抗変化率は（実施例１）より低い）、タッチパネルなどへ応用することが可能である。

（比較例１）
（実施例１）において、酸化ニオブと酸化珪素層なしで、ＩＴＯ薄膜を直接に第１のハードコート層ＨＣ（１）の表面に成膜し、その以外は（実施例１）同様に操作し透明導電薄膜を得た。得られたサンプルはＩＴＯ成膜電力密度が高いので、外観的に部分的に破損していることが観察された。よって、（比較例１）の評価は不可能になった。

（比較例２）
（実施例１）において、酸化ニオブなしで、ＩＴＯ薄膜を酸化珪素の表面に成膜し、それ以外は（実施例１）同様に操作し透明導電薄膜を得た。（比較例２）の評価結果を（表１）に示した。

（比較例２）から得られた透明導電薄膜は屈折率を調整する酸化金属層（酸化ニオブ）がないので、全光透過率が低く（８８．７％）、透過色相ｂ＊も高い（２．８）。他の物性は（実施例１）とほぼ同様である。

（比較例３）
（実施例１）において、電力密度が５．０Ｗ／ｃｍ^２の条件下で、ＩＴＯ薄膜成膜した以外は（実施例１）同様に操作し、透明導電薄膜を得た。（比較例３）の評価結果を（表１）に示した。

（比較例３）と（実施例１）を比較するとペン書き試験の結果が悪い（抵抗変化率２．８）。成膜の電力密度が（実施例１）より小さいことから、ＩＴＯの密度は（実施例１）より低くなるために、（比較例３）の透明導電薄膜が耐性不足したと考えられる。

（比較例４）
（実施例１）において、電力密度を更に下げて、３．０Ｗ/ｃｍ^２の条件下で、ＩＴＯ薄膜成膜した以外は（実施例１）と同様に操作し透明導電薄膜を得た。（比較例４）の評価結果を（表１）に示した。

（比較例４）と（実施例１）を比較するとペン書き試験の結果が悪く（抵抗変化率６．２）なった。さらに、アニール前後のシート抵抗変化率１．７は（実施例１）１．３より高くなった。電力密度が低い場合に、ＩＴＯ成膜品質が悪くなると考えられる。

（比較例５）
紫外線硬化型アクリル系樹脂であるユニディックＶ−９５００（ＤＩＣ社製）を用いて、１８８μｍのＰＥＴ両面にハードコート層（ＨＣ）塗工を行った。得られた第１のハードコート層（１）の膜厚は４μｍ、第２のハードコート層（２）の膜厚は４μｍである。それ以外は（実施例１）と同様に操作し透明導電薄膜を得た。

（比較例５）の各物性評価結果と（実施例１）はほぼ同等であるが、カールの測定結果（−６．２ｍｍ）と（実施例１）の結果（−１．２）比較すると大きな差がある。これは第１のハードコート層（１）と第２のハードコート層（２）は同じ膜厚で、第１のハードコート層（１）の上に積層すると応力の平衡が崩れ、カールが大きくなったからと考えられる。

本発明ではフィルムなどの透明プラスチック基材に対して透明性が高く、優れた密着性と耐性を持ち、且低温成膜できるＩＴＯ導電膜を作製とすることができた。得られたＩＴＯ透明導電膜はタッチパネル等に応用することが十分可能である。

１第１のハードコート層
２第２のハードコート層
３積層体
３−１金属酸化物層
３−２酸化珪素層
４酸化インジウム・スズ（ＩＴＯ）層
５透明プラスチック基材

Claims

透明プラスチック基材の両面に第１のハードコート層と第２のハードコート層が設けられ、前記第１のハードコート層の表面に金属酸化物層と酸化珪素層を順次に形成されている積層体の表面に、酸化インジウム・スズ（ＩＴＯ）層を積層した透明導電薄膜の製造方法であって、
膜厚が１μｍ以上８μｍ以下の第１のハードコート層を設ける工程と、
膜厚が１．５μｍ以上１０μｍ以下であり、前記第１のハードコート層と同じ有機物質であり、前記第１のハードコート層の膜厚より厚く、その差が０．５μｍ以上２．０μｍ以下である第２のハードコート層を設ける工程と、
前記第１のハードコート層の表面にマグネトロンスパッタリング法にて成膜した膜厚が５ｎｍ以上５０ｎｍ以下で、屈折率が１．７以上２．８以下の金属酸化物層を設ける工程と、
前記金属酸化物層の表面にマグネトロンスパッタリング法にて成膜した膜厚が３０ｎｍ以上１００ｎｍ以下で、屈折率が１．３以上１．５以下の酸化珪素層を設ける工程と、
前記積層体の表面に酸化スズの含量３質量％以上１５質量％以下のＩＴＯターゲットを用いてマグネトロンスパッタリング法にて成膜した膜厚が１５ｎｍ以上４０ｎｍ以下のＩＴＯ層を設ける工程とを具備し、
前記ＩＴＯ層をマグネトロンスパッタリング法にて成膜する際に、８．５Ｗ／ｃｍ ^２以上１５Ｗ／ｃｍ ^２以下の高電力密度を印加することを特徴とする透明導電薄膜の製造方法。
前記金属酸化物層と酸化珪素層の積層体と、前記ＩＴＯ層の成膜温度が−１０℃以上５０℃以下であることを特徴とする請求項１に記載の透明導電薄膜の製造方法。