JP5515365B2 - Electrostatic chuck and method of manufacturing electrostatic chuck - Google Patents
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本発明の態様は、一般に、静電チャックに関する。 Aspects of the invention generally relate to electrostatic chucks.
エッチング、ＣＶＤ(Chemical Vapor Deposition)、スパッタリング、イオン注入、アッシング、露光、検査などを行う基板処理装置において、被処理物である半導体ウェーハやガラス基板などを吸着保持する手段として静電チャックが用いられている。また、静電チャックとしては、クーロン力を生じさせて被処理物を吸着するクーロン型静電チャックや、ジョンセン−ラーベック力を生じさせて強い吸着力を発現させるジョンセン−ラーベック型静電チャックなどが知られている。 Electrostatic chucks are used as a means to attract and hold semiconductor wafers and glass substrates, etc., to be processed in substrate processing equipment that performs etching, CVD (Chemical Vapor Deposition), sputtering, ion implantation, ashing, exposure, inspection, etc. ing. Examples of the electrostatic chuck include a Coulomb electrostatic chuck that generates a Coulomb force to attract a workpiece, and a Johnsen-Rabeck electrostatic chuck that generates a strong adsorption force by generating a Johnsen-Rabeck force. Are known.
ここで、静電チャックの載置面と被処理物とが擦れ合うとパーティクルが発生するおそれがある。この場合、ジョンセン−ラーベック型静電チャックなどのように強い吸着力を発現可能な静電チャックほどパーティクルが発生するおそれが高くなる。また、被処理物の吸着脱離応答性も悪くなるおそれがある。 Here, when the mounting surface of the electrostatic chuck and the object to be processed rub against each other, particles may be generated. In this case, an electrostatic chuck capable of expressing a strong attracting force such as a Johnsen-Rahbek type electrostatic chuck is more likely to generate particles. In addition, the adsorption / desorption response of the object to be processed may be deteriorated.
そのため、静電チャックの載置面側に突起部を設けることで接触面積を小さくし、パーティクル汚染の抑制と被処理物の吸着脱離応答性の向上とを図った静電チャックが提案されている。また、この静電チャックの載置面を樹脂層で覆うことによりパーティクルやスクラッチの発生をさらに抑制する技術も提案されている（特許文献１を参照）。 Therefore, an electrostatic chuck has been proposed in which a protrusion is provided on the mounting surface side of the electrostatic chuck to reduce the contact area, thereby suppressing particle contamination and improving the adsorption / desorption response of the workpiece. Yes. In addition, a technique for further suppressing generation of particles and scratches by covering the mounting surface of the electrostatic chuck with a resin layer has been proposed (see Patent Document 1).
しかしながら、特許文献１に開示された技術においては、樹脂層の下地に関する考慮がされておらず、被処理物との接触部分（突起部頂面における樹脂層の表面）における表面粗さが大きくなり、この部分にチップポケット（微細な凹部）が形成されるおそれがある。そのため、このチップポケット内に微細な粒子が入り込み、後にこの粒子が放出されることでパーティクル汚染が発生するおそれがある。また、樹脂層の下地の表面粗さによっては、樹脂層の密着力が低下してしまうおそれがあった。 However, in the technique disclosed in Patent Document 1, no consideration is given to the base of the resin layer, and the surface roughness at the contact portion with the object to be processed (the surface of the resin layer on the top surface of the protrusion) increases. There is a possibility that a chip pocket (fine concave portion) is formed in this portion. For this reason, fine particles may enter the chip pocket, and the particles may be released later to cause particle contamination. Further, depending on the surface roughness of the base of the resin layer, there is a possibility that the adhesion of the resin layer may be reduced.
また、２種以上の原料モノマーを蒸発させ、基体に原料モノマーを蒸着重合させることで絶縁材料の被膜を形成させる静電チャック部品の製造方法が提案されている（特許文献２を参照）。 Also, a method for manufacturing an electrostatic chuck component has been proposed in which two or more kinds of raw material monomers are evaporated and a raw material monomer is vapor-deposited on a substrate to form a coating film of an insulating material (see Patent Document 2).
しかしながら、特許文献２に開示された技術においても樹脂層の下地に関する考慮がされておらず、特許文献１に開示がされた技術と同様にパーティクル汚染の発生や、樹脂層の下地の表面粗さに起因する樹脂層の密着力の低下が起こるおそれがあった。
However, in the technique disclosed in
本発明の態様は、かかる課題の認識に基づいてなされたものであり、パーティクル汚染の発生を大幅に抑制することができ、かつ、静電チャックの載置面側に形成された樹脂層の密着力が高い静電チャックおよび静電チャックの製造方法を提供する。 An aspect of the present invention has been made on the basis of recognition of such a problem, can greatly suppress the occurrence of particle contamination, and adheres to the resin layer formed on the mounting surface side of the electrostatic chuck. An electrostatic chuck having a high force and a method for manufacturing the electrostatic chuck are provided.
本発明の一態様によれば、被処理物を載置する側の主面に形成された突起部と、前記突起部の周辺に形成された平面部と、を有し、セラミック焼結体からなる誘電体基板と、前記突起部と、前記平面部と、を覆うように形成された樹脂層と、を備えた静電チャックであって、前記樹脂層の２５℃における体積抵抗率は、１０ １４ Ωｃｍ以上とされ、前記樹脂層の下地である前記突起部の頂面の表面粗さは、前記平面部の表面粗さより小さく、前記樹脂層の下地である前記突起部の頂面の表面粗さは、算術平均粗さＲａで０．０６μｍ以上、０．３μｍ以下であり、前記樹脂層の下地である前記平面部の表面粗さは、算術平均粗さＲａで０．０６μｍを超え、０．７μｍ以下であること、を特徴とする静電チャックが提供される。 According to one aspect of the present invention, possess a protrusion formed on the main surface on the side for placing an object to be processed, and a flat portion formed around the protruding portion, a ceramic sintered body a dielectric substrate that Do, and the protrusion, the a plane portion, and a resin layer formed so as to cover the, an electrostatic chuck having a volume resistivity at 25 ° C. of the resin layer, 10 14 Ωcm or more, and the surface roughness of the top surface of the protrusion that is the base of the resin layer is smaller than the surface roughness of the flat portion, and the surface of the top surface of the protrusion that is the base of the resin layer The roughness is 0.06 μm or more and 0.3 μm or less in terms of arithmetic average roughness Ra, and the surface roughness of the planar portion that is the base of the resin layer exceeds 0.06 μm in terms of arithmetic average roughness Ra, An electrostatic chuck characterized by being 0.7 μm or less is provided.
また、本発明の他の一態様によれば、セラミック焼結体からなる誘電体基板の被処理物を載置する側の主面を研磨し、前記主面に所望の形状のマスクを設け、サンドブラスト法を用いて前記マスクにより覆われていない部分を除去することで平面部を形成するとともに突起部を形成し、前記突起部と、前記平面部と、を覆うように樹脂を被覆することで樹脂層を形成し、前記突起部の頂面に形成された前記樹脂層の表面をポリッシュ加工する静電チャックの製造方法であって、前記平面部と前記突起部とを形成する際に、前記突起部の頂面の表面粗さが前記平面部の表面粗さより小さくなるようにし、前記主面の研磨を行う際に、前記主面の表面粗さが算術平均粗さＲａで０．０６μｍ以上、０．３μｍ以下となるようにすることで、形成される前記突起部の頂面の表面粗さが算術平均粗さＲａで０．０６μｍ以上、０．３μｍ以下となるようにし、前記平面部を形成する際に、前記平面部の表面粗さが算術平均粗さＲａで０．０６μｍを超え、０．７μｍ以下となるようにすること、を特徴とする静電チャックの製造方法が提供される。 According to another aspect of the present invention, the main surface of the dielectric substrate made of a ceramic sintered body on the side on which the workpiece is placed is polished, and a mask having a desired shape is provided on the main surface. By removing a portion not covered by the mask using a sandblast method, a flat portion is formed and a protrusion is formed, and a resin is coated so as to cover the protrusion and the flat portion. A method of manufacturing an electrostatic chuck that forms a resin layer and polishes the surface of the resin layer formed on the top surface of the protrusion, wherein when forming the flat portion and the protrusion, When the surface roughness of the top surface of the protrusion is made smaller than the surface roughness of the flat surface portion and the main surface is polished, the surface roughness of the main surface is 0.06 μm in terms of arithmetic average roughness Ra. As described above, it is formed by being 0.3 μm or less. The surface roughness of the top surface of the protrusion is such that the arithmetic average roughness Ra is 0.06 μm or more and 0.3 μm or less, and the surface roughness of the planar portion is arithmetic when forming the planar portion. There is provided an electrostatic chuck manufacturing method characterized in that the average roughness Ra is more than 0.06 μm and not more than 0.7 μm .
本発明の態様によれば、パーティクル汚染の発生を大幅に抑制することができ、かつ、静電チャックの載置面側に形成された樹脂層の密着力が高い静電チャックおよび静電チャックの製造方法が提供される。 According to the aspects of the present invention, the occurrence of particle contamination can be significantly suppressed, and the adhesion of the resin layer formed on the mounting surface side of the electrostatic chuck is high. A manufacturing method is provided.
第１の発明の実施形態は、被処理物を載置する側の主面に形成された突起部と、前記突起部の周辺に形成された平面部と、を有し、セラミック焼結体からなる誘電体基板と、前記突起部と、前記平面部と、を覆うように形成された樹脂層と、を備えた静電チャックであって、前記樹脂層の２５℃における体積抵抗率は、１０ １４ Ωｃｍ以上とされ、前記樹脂層の下地である前記突起部の頂面の表面粗さは、前記平面部の表面粗さより小さく、前記樹脂層の下地である前記突起部の頂面の表面粗さは、算術平均粗さＲａで０．０６μｍ以上、０．３μｍ以下であり、前記樹脂層の下地である前記平面部の表面粗さは、算術平均粗さＲａで０．０６μｍを超え、０．７μｍ以下であること、を特徴とする静電チャックである。
この静電チャックによれば、パーティクル汚染の発生を大幅に抑制することができ、かつ、静電チャックの載置面側に形成された樹脂層の密着力を高めることができる。
この静電チャックによれば、突起部の頂面に形成された樹脂層の表面粗さが所定の範囲となるように加工する時間（仕上げのためのポリッシュ加工時間など）が長くなることを抑制することができる。
この静電チャックによれば、密着力が小さいために樹脂層が剥離することを抑制することができる。
この静電チャックによれば、樹脂層を介して被処理物に電流が流れジョンセン−ラーベック力が増加することを抑制することができる。その結果、残留吸着力が増大して吸着脱離応答性が悪化することを抑制することができる。
Embodiment of the first invention, possess a protrusion formed on the main surface on the side for placing an object to be processed, and a flat portion formed around the protruding portion, a ceramic sintered body a dielectric substrate that Do, and the protrusion, the a plane portion, and a resin layer formed so as to cover the, an electrostatic chuck having a volume resistivity at 25 ° C. of the resin layer, 10 14 Ωcm or more, and the surface roughness of the top surface of the protrusion that is the base of the resin layer is smaller than the surface roughness of the flat portion, and the surface of the top surface of the protrusion that is the base of the resin layer The roughness is 0.06 μm or more and 0.3 μm or less in terms of arithmetic average roughness Ra, and the surface roughness of the planar portion that is the base of the resin layer exceeds 0.06 μm in terms of arithmetic average roughness Ra, The electrostatic chuck is characterized by being 0.7 μm or less .
According to this electrostatic chuck, the occurrence of particle contamination can be greatly suppressed, and the adhesion of the resin layer formed on the mounting surface side of the electrostatic chuck can be increased.
According to this electrostatic chuck, it is possible to prevent the processing time (such as polishing time for finishing) from being prolonged so that the surface roughness of the resin layer formed on the top surface of the protrusion is within a predetermined range. can do.
According to this electrostatic chuck, since the adhesive force is small, it is possible to suppress the resin layer from peeling off.
According to this electrostatic chuck, it is possible to suppress an increase in the Johnsen-Rahbek force due to the current flowing through the workpiece through the resin layer. As a result, it is possible to prevent the residual adsorption force from increasing and the adsorption / desorption response from deteriorating.
また、第２の発明の実施形態は、第１の発明の実施形態において、前記突起部の頂面に形成された前記樹脂層の表面粗さは、算術平均粗さＲａで０．０１μｍ以上、０．１μｍ以下であること、を特徴とする静電チャックである。
また、この静電チャックによれば、樹脂層の形成後のポリッシュ加工（仕上げ加工）時間を低減させることができる。また、チップポケット（微細な凹部）が形成されることを抑制することができるので、パーティクル汚染の発生を抑制することができる。
In addition, in the embodiment of the second invention, in the embodiment of the first invention, the surface roughness of the resin layer formed on the top surface of the protrusion is 0.01 μm or more in terms of arithmetic average roughness Ra, The electrostatic chuck is characterized by being 0.1 μm or less .
Further, according to this electrostatic chuck, it is possible to reduce the polishing (finishing) time after the formation of the resin layer. In addition, since the formation of chip pockets (fine concave portions) can be suppressed, the occurrence of particle contamination can be suppressed.
また、第３の発明の実施形態は、第１または２の発明の実施形態において、静電チャックの使用温度領域における前記誘電体基板の体積抵抗率は、１０９Ωｃｍ以上、１０１１Ωｃｍ以下であること、を特徴とする静電チャックである。
この静電チャックによれば、電圧印加時の電流値が大きくなりすぎることを抑制することができる。また、吸着脱離応答性が悪化することを抑制することができる。
In addition, according to an embodiment of the third invention, in the embodiment of the first or second invention, the volume resistivity of the dielectric substrate in the use temperature region of the electrostatic chuck is 10 9 Ωcm or more and 10 11 Ωcm or less. It is an electrostatic chuck characterized by being.
According to this electrostatic chuck, it is possible to prevent the current value at the time of voltage application from becoming too large. Moreover, it can suppress that adsorption-desorption responsiveness deteriorates.
また、第４の発明の実施形態は、第１〜第３のいずれか１つの発明の実施形態において、前記樹脂層は、ポリイミド系樹脂を含むこと、を特徴とする静電チャックである。
この静電チャックによれば、耐食性に優れ、また、蒸着重合法などにより被覆特性に優れた樹脂層を有するものとすることができる。
An embodiment of the fourth invention is an electrostatic chuck according to any one of the first to third inventions, wherein the resin layer includes a polyimide resin.
According to this electrostatic chuck, it is possible to have a resin layer having excellent corrosion resistance and excellent coating properties by vapor deposition polymerization or the like.
また、第５の発明の実施形態は、第１〜第４のいずれか１つの発明の実施形態において、前記樹脂層は、蒸着重合法を用いて形成されること、を特徴とする静電チャックである。
この静電チャックによれば、被覆特性に優れた樹脂層を有するものとすることができる。
An embodiment of a fifth invention is the electrostatic chuck according to any one of the first to fourth inventions, wherein the resin layer is formed using a vapor deposition polymerization method. It is.
According to this electrostatic chuck, the resin layer having excellent coating characteristics can be provided.
また、第６発明の実施形態は、第１〜第５のいずれか１つの発明の実施形態において、前記突起部と被処理物との接触面積比が、０．００５％以上、１．５％以下であること、を特徴とする静電チャックである。
この静電チャックによれば、サンドブラスト法等による突起部の形成加工を容易とすることができる。また、被処理物を吸着した際に、被処理物の表面と、平面部の表面に形成された樹脂層の表面とが接触することを抑制することができる。また、擦れによるパーティクル汚染の増大と吸着脱離応答性の悪化を抑制することができる。
In addition, according to an embodiment of the sixth invention, in the embodiment of any one of the first to fifth inventions, a contact area ratio between the protrusion and the object to be processed is 0.005% or more and 1.5%. The electrostatic chuck is characterized by the following.
According to this electrostatic chuck, it is possible to facilitate the formation of the protrusions by the sandblast method or the like. Further, when the object to be processed is adsorbed, it is possible to prevent the surface of the object to be processed from contacting the surface of the resin layer formed on the surface of the flat portion. Further, it is possible to suppress an increase in particle contamination due to rubbing and a deterioration in adsorption / desorption response.
また、第７の発明の実施形態は、セラミック焼結体からなる誘電体基板の被処理物を載置する側の主面を研磨し、前記主面に所望の形状のマスクを設け、サンドブラスト法を用いて前記マスクにより覆われていない部分を除去することで平面部を形成するとともに突起部を形成し、前記突起部と、前記平面部と、を覆うように樹脂を被覆することで樹脂層を形成し、前記突起部の頂面に形成された前記樹脂層の表面をポリッシュ加工する静電チャックの製造方法であって、前記平面部と前記突起部とを形成する際に、前記突起部の頂面の表面粗さが前記平面部の表面粗さより小さくなるようにし、前記主面の研磨を行う際に、前記主面の表面粗さが算術平均粗さＲａで０．０６μｍ以上、０．３μｍ以下となるようにすることで、形成される前記突起部の頂面の表面粗さが算術平均粗さＲａで０．０６μｍ以上、０．３μｍ以下となるようにし、前記平面部を形成する際に、前記平面部の表面粗さが算術平均粗さＲａで０．０６μｍを超え、０．７μｍ以下となるようにすること、を特徴とする静電チャックの製造方法である。
この静電チャックの製造方法によれば、パーティクル汚染の発生を大幅に抑制することができ、かつ、静電チャックの載置面側に形成された樹脂層の密着力が高い静電チャックを製造することができる。
この静電チャックの製造方法によれば、突起部の頂面に形成された樹脂層の表面粗さが所定の範囲となるように加工する時間（仕上げのためのポリッシュ加工時間など）が長くなることを抑制することができる。
この静電チャックの製造方法によれば、密着力が小さいために樹脂層が剥離することを抑制することができる。
Further, an embodiment of the seventh invention is a sand blasting method in which a principal surface on a side of placing a workpiece of a dielectric substrate made of a ceramic sintered body is polished, and a mask having a desired shape is provided on the principal surface. The resin layer is formed by forming a flat portion by removing a portion not covered with the mask using a mask and forming a protrusion, and covering the protrusion and the flat portion with a resin. And manufacturing the electrostatic chuck for polishing the surface of the resin layer formed on the top surface of the protrusion, wherein the protrusion is formed when the flat portion and the protrusion are formed. When the main surface is polished, the surface roughness of the main surface is 0.06 μm or more in terms of arithmetic average roughness Ra. Before being formed by making it 0.3 μm or less When the surface roughness of the top surface of the projection is 0.06 μm or more and 0.3 μm or less in terms of arithmetic average roughness Ra, the surface roughness of the planar portion is the arithmetic average when forming the planar portion. A method for producing an electrostatic chuck, characterized in that the roughness Ra is more than 0.06 μm and not more than 0.7 μm .
According to this method for manufacturing an electrostatic chuck, an electrostatic chuck that can greatly suppress the occurrence of particle contamination and has a high adhesion force to a resin layer formed on the mounting surface side of the electrostatic chuck is manufactured. can do.
According to this method for manufacturing an electrostatic chuck, the time required for processing so that the surface roughness of the resin layer formed on the top surface of the protrusions is within a predetermined range (such as polishing time for finishing) becomes longer. This can be suppressed.
According to this method for manufacturing an electrostatic chuck, it is possible to prevent the resin layer from being peeled off because the adhesion force is small.
また、第８の発明の実施形態は、第７の発明の実施形態において、前記ポリッシュ加工を行う際に、前記突起部の頂面に形成された前記樹脂層の表面の表面粗さが、算術平均粗さＲａで０．０１μｍ以上、０．１μｍ以下となるようにすること、を特徴とする静電チャックの製造方法である。
この静電チャックの製造方法によれば、樹脂層の形成後のポリッシュ加工（仕上げ加工）時間を低減させることができる。また、チップポケット（微細な凹部）が形成されることを抑制することができる。
Further, according to an eighth aspect of the present invention, in the seventh aspect of the present invention, the surface roughness of the surface of the resin layer formed on the top surface of the protrusion is arithmetic when performing the polishing process. An electrostatic chuck manufacturing method characterized in that an average roughness Ra is 0.01 μm or more and 0.1 μm or less.
According to this method for manufacturing an electrostatic chuck, the polishing (finishing) time after the formation of the resin layer can be reduced. In addition, it is possible to suppress the formation of chip pockets (fine concave portions).
また、第９の発明の実施形態は、第７または８の発明の実施形態において、前記樹脂層は、蒸着重合法を用いて形成されること、を特徴とする静電チャックの製造方法である。 この静電チャックの製造方法によれば、被覆特性に優れた樹脂層を形成することができる。 An ninth embodiment of the present invention is the method for manufacturing an electrostatic chuck according to the seventh or eighth embodiment, wherein the resin layer is formed using a vapor deposition polymerization method. . According to this method of manufacturing an electrostatic chuck, a resin layer having excellent coating characteristics can be formed.
以下、図面を参照しつつ、本発明の実施の形態について例示をする。なお、各図面中、同様の構成要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。
図１は、本発明の実施の形態に係る静電チャックを例示するための模式断面図である。 なお、図１（ａ）は静電チャックを例示するための模式断面図、図１（ｂ）は図１（ａ）におけるＡ部の模式拡大図である。
図１（ａ）、（ｂ）に示すように、静電チャック１には、基台２、誘電体基板３、電極４が設けられている。
Hereinafter, embodiments of the present invention will be illustrated with reference to the drawings. In addition, in each drawing, the same code | symbol is attached | subjected to the same component and detailed description is abbreviate | omitted suitably.
FIG. 1 is a schematic cross-sectional view for illustrating an electrostatic chuck according to an embodiment of the present invention. 1A is a schematic cross-sectional view for illustrating an electrostatic chuck, and FIG. 1B is a schematic enlarged view of a portion A in FIG. 1A.
As shown in FIGS. 1A and 1B, the electrostatic chuck 1 is provided with a
基台２の一方の主面（電極４の側の表面）には、無機材料からなる絶縁体層５が形成されている。また、誘電体基板３は、被処理物を載置する側の主面（載置面側）に形成された突起部３ａと、突起部３ａの周辺に形成された平面部３ｂと、を有している。また、突起部３ａと、平面部３ｂとを覆うように樹脂層７が形成されている。この突起部３ａの頂面における樹脂層７の表面が、半導体ウェーハ等の被処理物を載置する際に載置面となる。なお、樹脂層７の下地となる突起部３ａや平面部３ｂの表面粗さなどに関しては後述する。 また、電極４が設けられた誘電体基板３の主面と、絶縁体層５が設けられた基台２の主面とが絶縁性接着剤で接着されている。この絶縁性接着剤が硬化したものが接合層６となる。
An
電極４と電源１０ａ、電源１０ｂとは、電線９で接続されている。なお、電線９は基台２を貫通するようにして設けられているが、電線９と基台２とは絶縁されている。図１に例示をしたものは、正極、負極の電極を互いに隣接させるようにして誘電体基板３に形成させたいわゆる双極型静電チャックである。ただし、これに限定されるわけではなく、１つの電極を誘電体基板３に形成させたいわゆる単極型静電チャックであってもよいし、三極型、その他多極型であってもよい。また、電極の数や配置も適宜変更することができる。
The
また、静電チャック１を貫通するように貫通孔１１が設けられている。貫通孔１１の一端は樹脂層７の表面に開口し、他端は図示しない圧力制御手段や流量制御手段を介して、これも図示しないガス供給手段と接続されている。図示しないガス供給手段はヘリウムガスまたはアルゴンガスなどを供給する。そして、平面部３ｂを形成することで設けられた空間３ｃが供給されたガスの通路となる。空間３ｃ同士はそれぞれ連通し、供給されたガスが全体にいきわたるようになっている。
A through
また、半導体ウェーハ等の被処理物を載置した際に被処理物の外周部を支持する位置に図示しないリング状の突起部を配設し、前述のガスが漏出しないようにすることもできる。また、前述したガス供給用の貫通孔１１以外の貫通孔が設けられている場合には、その貫通孔の周囲に図示しないリング状の突起部を配設し、前述のガスが漏出しないようにすることもできる。このようなリング状突起部にも、突起部３ａと同様にして樹脂層７を形成することができる。
さらに、平面部３ｂに放射状、同心円状に設けられ、貫通孔１１と連通する図示しないガス分配溝（凹状の溝）を設けることで、ガス分配速度を早めることができる。そして、このガス分配溝にも樹脂層７を形成するようにすることができる。
Further, when a workpiece such as a semiconductor wafer is placed, a ring-shaped protrusion (not shown) can be disposed at a position that supports the outer peripheral portion of the workpiece, so that the aforementioned gas can be prevented from leaking. . When a through hole other than the gas supply through
Furthermore, by providing a gas distribution groove (concave groove) (not shown) that is provided radially and concentrically on the
基台２は、例えば、アルミニウム合金や銅などのような熱伝導率の高い金属で形成することができる。そして、その内部には冷却液または加熱液が流れる流路８を設けることができる。なお、流路８は必ずしも必要ではないが、被処理物の温度制御の観点からは設けられていた方が好ましい。
The
また、基台２の一方の主面に設けられる絶縁体層５は、例えば、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）やイットリア（Ｙ２Ｏ３）等の多結晶体で形成することができる。また、絶縁体層５は、接合層６よりも熱伝導率が大きいことが好ましく、熱伝導率を２Ｗ／ｍＫ以上にすることがより好ましい。そのようにすれば、接合層単独の場合よりも熱伝達性が良好となり、被処理物の温度制御性と面内温度の均一性をより向上させることができる。
The
接合層６においては、その熱伝導率を高くすることが好ましい。例えば、熱伝導率を１Ｗ／ｍＫ以上とすることが好ましく、１．６Ｗ／ｍＫ以上とすればより好ましい。このような熱伝導率は、例えば、シリコーン樹脂等にアルミナや窒化アルミニウムをフィラーとして添加することで得ることができる。また、添加の割合で熱伝導率を調整することもできる。
In the
接合層６の厚みは、熱伝達性を考慮すればできるだけ薄い方が好ましい。一方、基台２と誘電体基板３との間における熱膨張率の差に起因する熱せん断応力により、接合層６が剥離することなどを考慮すれば、接合層６の厚みはできるだけ厚い方が好ましい。そのため、接合層６の厚みはこれらを考慮して０．１ｍｍ以上、０．３ｍｍ以下とすることが好ましい。
The thickness of the
誘電体基板３としては、静電チャックに求められる様々な要求により種々の材料を用いることができる。この場合、熱伝導率、電気絶縁の信頼性を考慮すると、セラミック焼結体を用いることが好ましい。セラミック焼結体の具体例を例示すれば、アルミナ、イットリア、窒化アルミニウム、炭化珪素などを挙げることができる。 As the dielectric substrate 3, various materials can be used according to various requirements required for the electrostatic chuck. In this case, considering the thermal conductivity and the reliability of electrical insulation, it is preferable to use a ceramic sintered body. Specific examples of the ceramic sintered body include alumina, yttria, aluminum nitride, silicon carbide and the like.
この誘電体基板３の材料の体積抵抗率は、静電チャックの使用温度領域で１０８Ωｃｍ以上であることが好ましい。
この場合、体積抵抗率が静電チャックの使用温度領域で１０９Ωｃｍ以上、１０１１Ωｃｍ以下となるようにすることがより好ましい。１０９Ωｃｍ未満とすれば、印加電圧の電流値が大きくなりすぎるからである。また、１０１１Ωｃｍを超えるものとすれば吸着脱離応答性が悪化するおそれがあるからである。
The volume resistivity of the material of the dielectric substrate 3 is preferably 10 8 Ωcm or more in the operating temperature range of the electrostatic chuck.
In this case, it is more preferable that the volume resistivity be 10 9 Ωcm or more and 10 11 Ωcm or less in the operating temperature region of the electrostatic chuck. This is because if it is less than 10 9 Ωcm, the current value of the applied voltage becomes too large. Further, if it exceeds 10 11 Ωcm, the adsorption / desorption responsiveness may be deteriorated.
また、誘電体基板３は、平均粒子径が２μｍ以下のセラミック焼結体とすることが好ましい。平均粒子径が２μｍ以下のセラミック焼結体を用いるものとすれば、仮に樹脂層７の一部が侵食されたり、剥離したりすることがあっても、誘電体基板３から大きなサイズの粒子が脱粒することを抑制することができるからである。
The dielectric substrate 3 is preferably a ceramic sintered body having an average particle diameter of 2 μm or less. If a ceramic sintered body having an average particle diameter of 2 μm or less is used, even if a part of the
体積抵抗率が使用温度領域で１０９Ωｃｍ以上、１０１１Ωｃｍ以下である静電チャックの場合、実用的な電圧範囲（±５００Ｖ〜±２０００Ｖ）で使用するためには、誘電体基板３の厚みを１．５ｍｍ以下にすることが好ましい。また、製作の容易さを考慮すれば誘電体基板３の厚みは０．２ｍｍ以上（より好ましくは０．３ｍｍ以上）とすることが好ましい。 In the case of an electrostatic chuck having a volume resistivity of 10 9 Ωcm or more and 10 11 Ωcm or less in the operating temperature range, the thickness of the dielectric substrate 3 is required for use in a practical voltage range (± 500 V to ± 2000 V). Is preferably 1.5 mm or less. In consideration of ease of manufacture, the thickness of the dielectric substrate 3 is preferably 0.2 mm or more (more preferably 0.3 mm or more).
なお、誘電体基板３と樹脂層７とのトータル厚みは、０．５ｍｍ以上、２．０ｍｍ以下であることが好ましい。このような厚みにすることで、被処理物と電極４との間の電気絶縁性を確保することができる。また、被処理物から基台２ヘの熱伝達性が良好な静電チャック１とすることができる。
The total thickness of the dielectric substrate 3 and the
電極４の材料としては、酸化チタン、チタンの単体あるいはチタンと酸化チタンの混合体、窒化チタン、炭化チタン、タングステン、金、銀、銅、アルミニウム、クロム、ニッケル、金−白金合金などを例示することができる。
Examples of the material of the
ここで、樹脂層７の材料、体積抵抗率、厚み寸法やそのばらつき、表面粗さなどは、耐食性、パーティクル汚染の発生、吸着脱離応答性などに大きな影響を及ぼす。そのため、樹脂層７の体積抵抗率、厚み寸法やそのばらつき、表面粗さなどを所定の範囲内に収めることが重要となる。以下、樹脂層７に関して本発明者らの得た知見について例示をする。
Here, the material, volume resistivity, thickness dimension and variation thereof, surface roughness, etc. of the
樹脂層７の材料としては、ポリイミド系樹脂、ポリ尿素系樹脂、フッ素系樹脂等の耐食性を有する樹脂とすることが好ましい。特に、ポリイミド系樹脂とすれば耐食性、耐熱性、及び絶縁性に優れ、また、後述する蒸着重合法などにより段差、凹凸の存在する面への被覆特性に優れた成膜をすることが可能となるのでより好ましい。この場合、少なくともポリイミド系樹脂を含むものとすることもできる。
The material of the
樹脂層７の２５℃における体積抵抗率は、１０１４Ωｃｍ以上とすることが好ましい。１０１４Ωｃｍ未満とすれば、樹脂層７を介して被処理物に電流が流れてしまうのでジョンセン−ラーベック力が増加するおそれがある。その結果、残留吸着力が増大してしまい吸着脱離応答性が悪化するおそれがあるからである。
The volume resistivity at 25 ° C. of the
樹脂層７の厚み寸法は、５μｍ以上、１５μｍ以下とすることが好ましい。ここで、下地の表面形状はその上に形成される樹脂層７の表面に転写され、樹脂層７の厚み寸法が薄くなるほどその影響を受けやすくなる。そのため、樹脂層７の厚み寸法を５μｍ未満とすれば、下地の影響を大きく受けることになるので、樹脂層７の形成後のポリッシュ加工（仕上げ加工）において表面粗さを小さくすることが困難となる場合があるからである。一方、樹脂層７の厚み寸法が１５μｍを超えるものとすれば、吸着力が小さくなりすぎるおそれがあるからである。
The thickness dimension of the
樹脂層７の厚み寸法のばらつきは、−１０％以上、＋１０％以下とすることが好ましい。樹脂層７の厚み寸法のばらつきが、−１０％未満もしくは＋１０％を超えるものとすれば、吸着力のばらつきが大きくなりすぎたり、吸着力の面内分布が大きくなりすぎたりするからである。なお、厚み寸法のばらつきが−１０％以上、＋１０％以下となるような樹脂層７は、例えば、蒸着重合法やＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法などにより形成することができる。
The variation of the thickness dimension of the
突起部３ａの頂面に形成された樹脂層７の表面粗さは、算術平均粗さＲａで０．０１μｍ以上、０．１μｍ以下となるようにすることが好ましい。突起部３ａの頂面に形成された樹脂層７の表面粗さが、算術平均粗さＲａで０．０１μｍ未満となるようにするためには、樹脂層７の形成後のポリッシュ加工（仕上げ加工）に多くの時間を必要とするため生産性が著しく低下するからである。一方、突起部３ａの頂面に形成された樹脂層７の表面粗さが、算術平均粗さＲａで０．１μｍを超えるものとすれば、この部分にチップポケット（微細な凹部）が形成されるおそれがある。そして、ポリッシュ加工（仕上げ加工）をした際にこのチップポケット内に微細な粒子が入り込み、後にこの粒子が放出されることでパーティクル汚染が発生するおそれがあるからである。または、このチップポケット内に入り込んだ粒子が被処理物に直接吸着転写されることで、パーティクル汚染が発生するおそれがあるからである。なお、本明細書における「表面粗さ」は、「ＪＩＳ Ｂ０６０１：２００１」に基づくものである。
It is preferable that the surface roughness of the
また、平面部３ｂの表面に形成された樹脂層７の表面粗さは、算術平均粗さＲａで１μｍ以下となるようにすることが好ましい。平面部３ｂの表面に形成された樹脂層７の表面粗さが、算術平均粗さＲａで１μｍを超えるものとすれば、この部分にチップポケットが形成されるおそれがある。そして、突起部３ａの頂面に形成された樹脂層７をポリッシュ加工した際に発生した微細な粒子がこのチップポケット内に入り込み、後にこの粒子が放出されることでパーティクル汚染が発生するおそれがあるからである。
Further, the surface roughness of the
次に、突起部３ａに関してさらに例示をする。
突起部３ａの水平方向断面は、任意の形状とすることができる。ただし、円などのように角部のない形状とすれば、割れや欠けなどを抑制することができる。
Next, the
The horizontal cross section of the
突起部３ａの水平方向断面の形状を円形とすれば、その直径寸法が０．１ｍｍ以上、１．０ｍｍ以下となるようにすることが好ましい。直径寸法が０．１ｍｍ未満となれば、突起部３ａの形成加工が困難となるからである。一方、直径寸法が１．０ｍｍを超えるものとなれば、被処理物との総接触面積が大きくなりすぎるため、擦れによるパーティクル汚染の増大と吸着脱離応答性の悪化が生じるおそれがあるからである。
If the shape of the cross section in the horizontal direction of the
突起部３ａの高さ寸法は、２μｍ以上、１５μｍ以下となるようにすることが好ましい。突起部３ａの高さ寸法が２μｍ未満となれば、被処理物を吸着した際に、被処理物の表面と、平面部３ｂの表面に形成された樹脂層７の表面とが接触するおそれがあるからである。一方、突起部３ａの高さ寸法が１５μｍを超えるものとなれば、後述する空間クーロン力が弱まるため吸着力が不足するおそれがあるからである。
It is preferable that the height of the
突起部３ａの配設ピッチ寸法は、２ｍｍ以上、１５ｍｍ以下となるようにすることが好ましい。配設ピッチ寸法が２ｍｍ未満となれば、被処理物との総接触面積が大きくなりすぎるため、擦れによるパーティクル汚染の増大と吸着脱離応答性の悪化が生じるおそれがあるからである。一方、配設ピッチ寸法が１５ｍｍを超えるものとなれば、被処理物を吸着した際に、被処理物の表面と、平面部３ｂの表面に形成された樹脂層７の表面とが接触するおそれがあるからである。
It is preferable that the arrangement pitch dimension of the
突起部３ａと被処理物との接触面積比は、０．００５％以上、１．５％以下となるようにすることが好ましい。接触面積比が０．００５％未満となれば、突起部３ａの形成加工が困難となるおそれがあるからである。また、被処理物を吸着した際に、被処理物の表面と、平面部３ｂの表面に形成された樹脂層７の表面とが接触するおそれがあるからである。一方、接触面積比が１．５％を超えるものとなれば、被処理物との総接触面積が大きくなりすぎるため、擦れによるパーティクル汚染の増大と吸着脱離応答性の悪化が生じるおそれがあるからである。
この場合、突起部３ａと被処理物との接触面積比の計算には、前述したリング状突起部の面積を含めないこととする。
The contact area ratio between the
In this case, the calculation of the contact area ratio between the
次に、樹脂層７の下地に関して例示をする。
樹脂層７の下地の表面粗さ、すなわち、突起部３ａと平面部３ｂとの表面粗さは、これらの上に形成される樹脂層７の表面粗さや、樹脂層７と下地との密着力（耐剥離性）に大きな影響を及ぼす。そのため、突起部３ａと平面部３ｂとの表面粗さが所定の範囲内に収まるようにすることが重要となる。
Next, the base of the
The surface roughness of the base of the
以下、樹脂層７の下地の表面粗さに関して本発明者らが得た知見について例示をする。 図２は、下地の表面粗さと密着力との関係を例示するためのグラフ図である。なお、横軸は下地の表面粗さ（算術平均粗さＲａ）を表し、縦軸は樹脂層７と下地との密着力を表している。また、下地が前述した誘電体基板３の形成に用いられるセラミック焼結体からなり、樹脂層７がポリイミド系樹脂からなるものの場合である。
また、表１は、図２に例示をした下地の表面粗さと密着力との関係を示す表である。
ここで、下地と樹脂層７との間の密着力の測定には、引き倒し法を用いた。具体的には、樹脂層７に対して垂直に円筒棒を接着し、円筒棒の所定の位置に樹脂層７に対して平行な方向に力を加え、円筒棒が倒れたときの力を測定した。この場合、加えた力をＦ（Ｎ）、円筒棒の半径寸法をＲ（ｍ）、樹脂層７から力の作用点までの高さ寸法をｈ（ｍ）とすると、密着力ｆ（Ｐａ）は、以下の（１）式で表すことができる。
Hereinafter, the knowledge obtained by the inventors regarding the surface roughness of the base of the
Table 1 is a table showing the relationship between the surface roughness of the base and the adhesion force illustrated in FIG.
Here, the pulling-down method was used for the measurement of the adhesive force between the base and the
そして、次のようにして密着力の測定を行った。
円筒棒としては、材料が高炭素クロム軸受け鋼材（ＳＵＪ材）、ロックウェル硬さがＨＲＣ５８以上、半径寸法Ｒが３ｍｍ、長さ寸法が５０ｍｍのものを用いた。また、円筒棒と樹脂層７との接着には、エポキシ接着剤（エポキシレジン ＸＤ９１１、ナガセケムテックス製）を用いた。そして、接着乾燥の後、樹脂層７からの高さ寸法ｈが４０ｍｍの位置において、樹脂層７に対して平行な方向に力Ｆを加えた。
And the adhesive force was measured as follows.
As the cylindrical rod, a high carbon chrome bearing steel (SUJ material), a Rockwell hardness of HRC58 or more, a radius R of 3 mm, and a length of 50 mm were used. An epoxy adhesive (epoxy resin XD911, manufactured by Nagase ChemteX) was used for bonding the cylindrical rod and the
ここで、アンカー効果を考慮すると、下地の表面粗さが大きくなれば密着力が高くなるように思える。そのため、従来は、下地の表面粗さがなるべく大きくなるようにしていた。例えば、特許文献１（特開２００６−２８７２１０号公報）の[００６６]段落にあるように下地の表面粗さを算術平均粗さＲａで１．１μｍ程度としていた。 Here, when the anchor effect is taken into account, it seems that the adhesion strength increases as the surface roughness of the base increases. Therefore, conventionally, the surface roughness of the base has been increased as much as possible. For example, as described in paragraph [0066] of Patent Document 1 (Japanese Patent Laid-Open No. 2006-287210), the surface roughness of the base is about 1.1 μm in terms of arithmetic average roughness Ra.
しかしながら、本発明者らの検討の結果、下地の表面粗さを大きくしすぎるとかえって密着力が低下してしまうことが判明した。すなわち、図２から分かるように、下地の表面粗さを大きくすれば密着力が高くなるが、一定の値を超えると密着力が低下することが判明した。
この場合、耐剥離性を考慮すれば、密着力が４０ＭＰａ以上となるようにすることが好ましい。密着力が４０ＭＰａ以上であれば、樹脂層７を形成した後にポリッシュ加工（仕上げ加工）を行う場合であっても樹脂層７が剥離するおそれが少ないからである。そのため、下地の表面粗さ（算術平均粗さＲａ）は、図２、表１から分かるように０．０６μｍ以上、０．７μｍ以下とすることが好ましい。
また、耐久性をも考慮すれば、密着力が６０ＭＰａ以上となるようにすることが好ましい。本発明者らの検討の結果、密着力が６０ＭＰａ以上であれば、樹脂層７を形成した後のポリッシュ加工（仕上げ加工）などを安定して行うことができる。そのため、下地の表面粗さは、図２、表１から分かるように算術平均粗さＲａで０．１μｍを超え、０．７μｍ以下とすることがより好ましい。
また、下地の表面粗さを算術平均粗さＲａで０．１７μｍを超え、０．７μｍ以下とすれば、８０ＭＰａ以上の密着力を得ることができる。そのため、耐剥離性や耐久性などをさらに向上させることができる。
また、下地の表面粗さを算術平均粗さＲａで０．３２μｍ以上、０．４１μｍ以下とすれば、１１０ＭＰａ以上という非常に高い密着力を得ることができる。そのため、耐剥離性や耐久性などを大幅に向上させることができる。
However, as a result of the study by the present inventors, it has been found that if the surface roughness of the base is increased too much, the adhesion is rather reduced. That is, as can be seen from FIG. 2, it was found that if the surface roughness of the base is increased, the adhesion is increased, but if it exceeds a certain value, the adhesion is reduced.
In this case, it is preferable that the adhesion is 40 MPa or more in consideration of the peel resistance. This is because if the adhesion force is 40 MPa or more, the
In consideration of durability, it is preferable that the adhesion force be 60 MPa or more. As a result of the study by the present inventors, if the adhesion is 60 MPa or more, the polishing process (finishing process) after forming the
Further, when the surface roughness of the base is 0.17 μm in arithmetic mean roughness Ra and 0.7 μm or less, an adhesive strength of 80 MPa or more can be obtained. Therefore, the peel resistance and durability can be further improved.
Further, if the surface roughness of the base is 0.32 μm or more and 0.41 μm or less in terms of arithmetic average roughness Ra, a very high adhesion force of 110 MPa or more can be obtained. Therefore, the peel resistance and durability can be greatly improved.
以上は、密着力を高める観点から好ましいとされる下地の表面粗さであるが、下地の表面形状はその上に形成される樹脂層７の表面に転写される。そのため、下地の表面形状が転写されることをも考慮することが好ましい場合もある。
前述したように、突起部３ａの頂面に形成された樹脂層７の場合には、その表面粗さが算術平均粗さＲａで０．０１μｍ以上、０．１μｍ以下となるようにすることが好ましい。そのため、転写された凹凸が余り大きくなると、この様な表面粗さ（算術平均粗さＲａ）とするための加工時間（仕上げのためのポリッシュ加工時間など）が長くなり、生産性が著しく低下するおそれがある。
The above is the surface roughness of the base that is preferable from the viewpoint of increasing the adhesion, but the surface shape of the base is transferred to the surface of the
As described above, in the case of the
そのため、これらを考慮すれば、突起部３ａの頂面の表面粗さは、算術平均粗さＲａで０．０６μｍ以上、０．３μｍ以下となるようにすることが好ましい。突起部３ａの頂面の表面粗さが算術平均粗さＲａで０．０６μｍ未満となれば、前述したように密着力が小さくなりすぎるので、突起部３ａの頂面に形成された樹脂層７が剥離するおそれがあるからである。また、突起部３ａの頂面の表面粗さが算術平均粗さＲａで０．３μｍを超えるものとなれば、樹脂層７の表面に形成される凹凸もその分大きくなる。その結果、前述した表面粗さ（算術平均粗さＲａ）を有する面を得るために要する時間（仕上げのためのポリッシュ加工時間など）が長くなり、生産性が著しく低下するおそれがあるからである。
Therefore, in consideration of these, it is preferable that the surface roughness of the top surface of the
平面部３ｂにおける密着力の高さは、突起部３ａにおける耐剥離性にも影響を及ぼす。すなわち、平面部３ｂにおける密着力が高ければ、突起部３ａにおいて樹脂層７が剥離することを抑制することができる。また、前述したように、平面部３ｂに形成された樹脂層７の場合には、その表面粗さが算術平均粗さＲａで１μｍ以下となるようにすればよい。そのため、平面部３ｂの表面粗さ（例えば、算術平均粗さＲａ）に関しては、前述した密着力を高める観点から好ましいとされる表面粗さ（例えば、算術平均粗さＲａ）とすればよい。
The height of the adhesion strength in the
そのため、平面部３ｂの表面粗さは、算術平均粗さＲａで、０．０６μｍ以上、０．７μｍ以下とすることが好ましく、０．１μｍを超え、０．７μｍ以下とすることがより好ましい。また、平面部３ｂの表面粗さを算術平均粗さＲａで０．３２μｍ以上、０．４１μｍ以下とすることがさらに好ましい。この場合、平面部３ｂの表面粗さが算術平均粗さＲａで０．７μｍ以下となるので、転写により樹脂層７の表面粗さＲａが１μｍを超えることが抑制される。
Therefore, the surface roughness of the
なお、平面部３ｂの表面粗さが算術平均粗さＲａで１．０μｍを超えるような形成加工を行えば、突起部３ａの寸法精度が悪化するおそれがある。例えば、後述するサンドブラスト法を用いて平面部３ｂを形成するとともに、その表面粗さが算術平均粗さＲａで１．０μｍを超えるようにするためには、通常より大きな粒子径の研磨材を使用する必要がある。そのため、突起部３ａ部分の寸法制御が困難となり高さ寸法精度が悪化するおそれがある。従って、平面部３ｂの形成加工を考慮する場合においても平面部３ｂの表面粗さが算術平均粗さＲａで１．０μｍ以下となるようにすることが好ましい。
If the forming process is performed such that the surface roughness of the
以上は、突起部３ａの頂面、平面部３ｂのそれぞれにおいて好ましいとされる表面粗さである。この場合、突起部３ａの頂面の表面粗さ（例えば、算術平均粗さＲａ）が、平面部３ｂの表面粗さ（例えば、算術平均粗さＲａ）よりも小さくなるようにすることが好ましい。この様にすれば、突起部３ａの頂面に形成された樹脂層７の表面（被処理物と接触する部分）をパーティクル発生の少ない平滑面とすることが容易となる。一方、樹脂層７と下地との密着力（耐剥離性）は、平面部３ｂにおいて確保することができる。この場合、突起部３ａの頂面の総面積よりも平面部３ｂの総面積の方がはるかに大きい。そのため、密着力のより高い部分が多くなるような構造とすることができるので、樹脂層７が剥離することを効果的に抑制することができる。
The above is the surface roughness that is preferable for each of the top surface of the
次に、本実施の形態に係る静電チャック１の作用について例示をする。
突起部３ａの頂面に形成された樹脂層７の表面（載置面）に、被処理物（例えば、半導体ウェーハ等）を載置し、電源１０ａ、電源１０ｂにより電極４に電圧を印加する。このとき、被処理物と突起部３ａの頂面近傍とにそれぞれ異なる極性の電荷が発生し、この電荷間に働くクーロン力によって被処理物が吸着固定される。また、平面部３ｂの上方には空間３ｃが形成されるため、平面部３ｂとその上方に保持された被処理物とにもそれぞれ異なる極性の電荷が発生し、この電荷間に働くクーロン力（空間クーロン力）によって被処理物が吸着固定される。すなわち、静電チャック１は、突起部３ａ部分に生じるクーロン力と、平面部３ｂ部分に生じる空間クーロン力とによって被処理物を吸着固定する。
Next, the operation of the electrostatic chuck 1 according to the present embodiment will be illustrated.
An object to be processed (for example, a semiconductor wafer) is placed on the surface (mounting surface) of the
この場合、クーロン力が発生する部分（突起部３ａ部分）においては被処理物と樹脂層７とが接触するためパーティクルが発生するおそれがある。しかしながら、前述したような樹脂層７の表面粗さとなっているのでパーティクルの発生を抑制することができる。また、樹脂層７の厚み寸法が前述した所定の範囲内に収まるようになっているので、吸着力のばらつきが低減される。
In this case, since the object to be processed and the
また、空間クーロン力が発生する部分（平面部３ｂ部分）においては被処理物と樹脂層７とが接触することがないため、擦れにともなうパーティクルの発生がない。そのため、空間クーロン力が発生する部分を多くすることでパーティクル汚染の発生を大幅に低減させることができる。本実施の形態に係る静電チャック１においては、前述したような突起部３ａの高さ寸法、配設ピッチ寸法、直径寸法、突起部３ａと被処理物との接触面積比などとしている。そのため、空間クーロン力が発生する部分を多くすることができる。また、被処理物が撓むなどした場合であっても、平面部３ｂに形成された樹脂層７と被処理物とが接触することを抑制することができる。また、突起部３ａに関するこれらの条件は、空間クーロン力が発生する部分を多くしても適正な吸着力が得られるような条件でもある。なお、パーティクルの低減効果については後述する（表２を参照）。
Further, in the portion where the space Coulomb force is generated (the
被処理物の処理においては、静電チャック１を介して被処理物の温度制御が行われる場合がある。本実施の形態に係る静電チャック１においては、流路８に冷却液や加熱液を流すことで被処理物の温度制御を行うことができる。なお、一例として、冷却液や加熱液を用いて温度制御を行う場合を例示したが、ヒータなどの他の温度制御手段を設けて被処理物の温度制御を行うようにすることもできる。
In the processing of the workpiece, the temperature of the workpiece may be controlled via the electrostatic chuck 1 in some cases. In the electrostatic chuck 1 according to the present embodiment, the temperature of the object to be processed can be controlled by flowing a cooling liquid or a heating liquid through the
また、図示しないガス供給手段から供給されたガス（例えば、ヘリウムガスなど）は、図示しない圧力制御手段や流量制御手段により圧力や流量が調整された後、貫通孔１１を介して空間３ｃに導入される。導入されたガスは空間３ｃを通り、互いに連通された空間３ｃ全体にいきわたる。そして、導入されたガスにより熱伝導率が著しく高められるので、被処理物の加熱や冷却が効果的に行われる。
A gas (for example, helium gas) supplied from a gas supply means (not shown) is introduced into the
また、半導体ウェーハ等の被処理物を載置した際に被処理物の外周部を支持する位置に図示しないリング状の突起部が配設されている場合には、前述のガスが静電チャック１の外部に漏出することが抑制される。また、前述した貫通孔１１以外の貫通孔の周囲に図示しないリング状の突起部が配設されている場合には、この貫通孔を介して前述のガスが静電チャック１の外部に漏出することが抑制される。また、貫通孔１１と連通する図示しないガス分配溝（凹状の溝）が設けられている場合には、ガス分配速度を早めることができるので、被処理物の温度制御を迅速に行うことができる。
In addition, when a ring-shaped protrusion (not shown) is disposed at a position that supports the outer peripheral portion of the workpiece when a workpiece such as a semiconductor wafer is placed, the gas described above is Leakage to the outside of 1 is suppressed. Further, when a ring-shaped protrusion (not shown) is disposed around the through-holes other than the above-described through-
次に、本発明者らが行った他の測定に関して例示をする。
表２は、パーティクルの発生数の測定結果を例示するための表である。
ここで、パーティクルの発生数の測定を行った際に用いた測定方法について説明をする。
まず、直径２００ｍｍのシリコンベアウェーハ（モニターグレード）を用意する。そして、静電チャック１への吸着前に、ウェーハ裏面のパーティクル数をパーティクルカウンターで測定する。ここで、パーティクルカウンターには、ＫＬＡ−Ｔｅｎｃｏｒ社製、ＳＦＳ−６２２０を用いた。また、レーザのゲインを４、ヘイズ測定をＯＦＦとし、測定レンジとしては、０．１６μｍ以上、１０μｍ以下を５カラムに分け、１０μｍを超えるものについては、巨大欠陥のカウント数として転記することにした。
また、測定には、外径寸法が３００ｍｍ、双極電極タイプ、突起部の直径寸法が０．５ｍｍ、突起部の配設ピッチ寸法が約５ｍｍ、突起部の高さ寸法が１０μｍ、ポリイミド系樹脂からなる樹脂層７の厚み寸法が１０μｍの静電チャック１を用いた。
シリコンベアウェーハの吸着条件としては、印可電圧を±８００ＶＤＣとし、減圧雰囲気（１０−２Ｐａ以下）中において３０秒間の静電吸着を行なうものとした。
そして、静電吸着の後、ウェーハ裏面のパーティクル数を再度測定し、吸着前のパーティクル数を差し引いたものをパーティクルの発生数として表２にまとめた。
Next, other measurements performed by the present inventors will be exemplified.
Table 2 is a table for illustrating measurement results of the number of generated particles.
Here, a measurement method used when measuring the number of generated particles will be described.
First, a silicon bare wafer (monitor grade) having a diameter of 200 mm is prepared. Then, before adsorption to the electrostatic chuck 1, the number of particles on the back surface of the wafer is measured with a particle counter. Here, as the particle counter, SFS-6220 manufactured by KLA-Tencor was used. In addition, the laser gain is 4, the haze measurement is OFF, and the measurement range is 0.16 μm or more and 10 μm or less is divided into 5 columns, and those exceeding 10 μm are transferred as the count number of giant defects. .
For measurement, the outer diameter is 300 mm, the bipolar electrode type, the diameter of the protrusion is 0.5 mm, the protrusion pitch is about 5 mm, the height of the protrusion is 10 μm, and the polyimide resin is used. The electrostatic chuck 1 having a
As the adsorption conditions for the silicon bare wafer, the applied voltage was set to ± 800 VDC, and electrostatic adsorption was performed for 30 seconds in a reduced pressure atmosphere (10 −2 Pa or less).
Then, after electrostatic adsorption, the number of particles on the back surface of the wafer was measured again, and the number of particles before adsorption was subtracted from the number of particles generated in Table 2.
表２からわかるように、本実施の形態に係る静電チャック１においては、パーティクルの発生数を大幅に低減させることができた。例えば、特許文献１（特開２００６−２８７２１０号公報）において開示がされた静電チャックにおいては１０００個〜５０００個（特許文献１の[００７４]段落を参照）であったパーティクルの発生数を９４個と大幅に低減させることができた。
表３は、サンドブラスト法を用いて形成した平面部３ｂの表面粗さを例示するための表である。
表３からわかるように、サンドブラスト法を用いて平面部３ｂを形成するようにすれば、平面部３ｂの表面粗さを前述した範囲内（算術平均粗さＲａで０．０６μｍ以上、０．７μｍ以下）に収めることができる。
As can be seen from Table 2, in the electrostatic chuck 1 according to the present embodiment, the number of particles generated can be significantly reduced. For example, in the electrostatic chuck disclosed in Patent Document 1 (Japanese Patent Application Laid-Open No. 2006-287210), the number of generated particles, which is 1000 to 5000 (see paragraph [0074] in Patent Document 1), is 94. It was possible to greatly reduce the number.
Table 3 is a table for illustrating the surface roughness of the
As can be seen from Table 3, if the
表４は、突起部３ａの頂面に形成された樹脂層７の成膜直後（樹脂層７の形成直後）の表面粗さ（算術平均粗さＲａ）と、ポリッシュ加工後の表面粗さ（算術平均粗さＲａ）とを例示するための表である。
Table 4 shows the surface roughness (arithmetic average roughness Ra) immediately after the formation of the
表４からわかるように、ポリッシュ加工を行えば、突起部３ａの頂面に形成された樹脂層７表面（被処理物との接触面）の表面粗さ（算術平均粗さＲａ）を前述した範囲内（０．０１μｍ以上、０．１μｍ以下）に収めることができる。
As can be seen from Table 4, the surface roughness (arithmetic average roughness Ra) of the surface of the resin layer 7 (contact surface with the object to be processed) formed on the top surface of the
表５は、突起部３ａの配設ピッチを変えた場合における、吸着力と被処理物（半導体ウェーハ）の撓みとの関係を例示するための表である。
表５からわかるように、突起部３ａの配設ピッチを前述した範囲内（２ｍｍ以上、１５ｍｍ以下）に収めれば、吸着力が大きい場合であっても被処理物（半導体ウェーハ）の撓み量（１．５５μｍ以下）を前述した突起部３ａの高さ寸法（２μｍ以上、１５μｍ以下）より小さくすることができる。そのため、被処理物の表面と平面部３ｂの上方に形成された樹脂層７の表面との接触を防止することができる。
Table 5 is a table for illustrating the relationship between the suction force and the bending of the workpiece (semiconductor wafer) when the arrangement pitch of the
As can be seen from Table 5, if the arrangement pitch of the
次に、本実施の形態に係る静電チャック１の製造方法について例示をする。
図３は、静電チャックの製造方法を例示するためのフローチャートである。
最初に誘電体基板３の形成方法を例示する。
誘電体基板３の形成に用いられる原材料（顆粒粉）は、以下のようにして製造することができる。
例えば、原材料（顆粒粉）の製造においては、まず、原料として平均粒子径０．１μｍ、純度９９．９９％以上のアルミナ原料粉末を用い、これに０．２ｗｔ％を超え、０．６ｗｔ％以下の酸化チタン（ＴｉＯ２）を混合する。次に、混合したものを粉砕し、アクリル系バインダーを添加する。そして、調整後にスプレードライヤーで造粒し、顆粒粉を製造する。
Next, the manufacturing method of the electrostatic chuck 1 according to the present embodiment will be illustrated.
FIG. 3 is a flowchart for illustrating the method of manufacturing the electrostatic chuck.
First, a method for forming the dielectric substrate 3 will be illustrated.
The raw material (granular powder) used for forming the dielectric substrate 3 can be manufactured as follows.
For example, in the production of raw materials (granular powder), first, an alumina raw material powder having an average particle size of 0.1 μm and a purity of 99.99% or more is used as a raw material, which exceeds 0.2 wt% and is 0.6 wt% or less. Of titanium oxide (TiO 2 ). Next, the mixture is pulverized and an acrylic binder is added. And it granulates with a spray dryer after adjustment, and granule powder is manufactured.
次に、前述した原材料（顆粒粉）を用い、ＣＩＰ（ラバープレス）またはメカプレスにより成形を行う。その後、所定の形状に加工し、１１５０℃〜１３５０℃の還元雰囲気下で焼成する。そして、焼成がされたものをＨＩＰ処理（熱間等方圧加圧）することで誘電体基板３を形成する。（ステップＳ１）
ＨＩＰ処理の条件は、Ａｒガス１０００気圧以上とし、温度は焼成温度と同じ１１５０℃〜１３５０℃とする。このような条件とすれば、相対密度が９９％以上、構成粒子の平均粒子径が２μｍ以下、２０±３℃のときの体積抵抗率が１０８〜１０１１Ωｃｍ、熱伝導率が３０Ｗ／ｍＫ以上の誘電体基板３が得られる。
Next, the raw material (granular powder) described above is used for molding by CIP (rubber press) or mechanical press. Thereafter, it is processed into a predetermined shape and fired in a reducing atmosphere of 1150 ° C. to 1350 ° C. Then, the dielectric substrate 3 is formed by subjecting the fired product to HIP processing (hot isostatic pressing). (Step S1)
The conditions of the HIP treatment are Ar gas of 1000 atm or higher, and the temperature is 1150 ° C. to 1350 ° C. which is the same as the firing temperature. Under such conditions, the relative density is 99% or more, the average particle diameter of the constituent particles is 2 μm or less, the volume resistivity is 10 8 to 10 11 Ωcm at 20 ± 3 ° C., and the thermal conductivity is 30 W / mK. The above dielectric substrate 3 is obtained.
なお、ここにいう平均粒子径とは、以下のプラニメトリック法で求められた粒子径である。
プラニメトリック法により粒子径を求める場合には、まず、走査型電子顕微鏡(ＳＥＭ；scanning electron microscope)で誘電体基板３の写真を撮る。次に、この写真上に、既知の面積Ｓの円を描く。そして、円内の粒子数ncと円周にかかった粒子数niとを算出し、下記の（２）式によって単位面積当たりの粒子数NGを求める。
In addition, the average particle diameter here is a particle diameter obtained by the following planimetric method.
When obtaining the particle diameter by the planimetric method, first, a picture of the dielectric substrate 3 is taken with a scanning electron microscope (SEM). Next, a circle with a known area S is drawn on this photograph. Then, the number of particles nc in the circle and the number of particles ni applied to the circumference are calculated, and the number of particles NG per unit area is obtained by the following equation (2).
ここで、ｍは写真の倍率である。
Here, m is the magnification of the photograph.
１／ＮＧが１個の粒子の占める面積であるから、平均粒子径を円相当径として下記の（３）式により求めることができる。 Since 1 / NG is the area occupied by one particle, the average particle diameter can be determined by the following equation (3) as the equivalent circle diameter.
次に、誘電体基板３の一方の主面を研削加工する。そして、研削加工がされた面に前述のチタンまたはチタン化合物などからなる導電膜を形成する。導電膜の形成には、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法やＰＶＤ（Physical Vapor Deposition）法などを用いることができる。この形成された導電膜を所定の形状に加工することで、所望の形状の電極４を形成する。導電膜の加工には、サンドブラスト法やエッチング法などを用いることができる。（ステップＳ２）
なお、電極４には電線９が適宜配線される。
Next, one main surface of the dielectric substrate 3 is ground. Then, a conductive film made of the aforementioned titanium or titanium compound is formed on the ground surface. For the formation of the conductive film, a CVD (Chemical Vapor Deposition) method, a PVD (Physical Vapor Deposition) method, or the like can be used. By processing the formed conductive film into a predetermined shape, the
An
次に、誘電体基板３の被処理物を載置する側となる主面（電極４が形成された面と対向する面）に、サンドブラスト法を用いて突起部３ａと平面部３ｂとを形成する。（ステップＳ３）
なお、後述するように平面部３ｂを形成することで、突起部３ａが形成されることになる。
Next, the projecting
In addition, the
突起部３ａと平面部３ｂとの形成においては、まず、誘電体基板３の被処理物を載置する側となる主面を研磨し、その表面粗さを算術平均粗さＲａで０．０６μｍ以上、０．３μｍ以下にする。その後、その表面にレジストフィルムを貼り付け、感光、除去を行い所望の形状のマスクを形成する。（ステップＳ３ａ）
すなわち、平面部３ｂが形成される部分にはマスクがなく露出した状態とされ、突起部３ａが形成される部分はマスクにより覆われるようにする。マスクにより覆われる部分が突起部３ａの頂面となるので、突起部３ａの頂面の表面粗さが前述した範囲内（算術平均粗さＲａで０．０６μｍ以上、０．３μｍ以下）となる。
In the formation of the
That is, the portion where the
次に、サンドブラスト法を用いて誘電体基板３の被処理物を載置する側となる主面のうちマスクにより覆われていない部分を除去する。（ステップＳ３ｂ）
この場合、除去が行われた部分が平面部３ｂとなる。
このようにサンドブラスト法により突起部３ａと平面部３ｂとの形成を行うようにすれば、突起部３ａの高さの寸法精度を向上させることができる。そのため、平面部３ｂの表面から被処理物までの寸法のばらつきを抑えることができるので、発現させる静電気力（空間クーロン力）のばらつきを抑制することができる。
なお、平面部３ｂの形成をサンドブラスト法により行うことで、表３に示すように、その表面粗さが前述した範囲内（算術平均粗さＲａで０．０６μｍ以上、０．７μｍ以下）となるようにすることができる。
次に、マスクを除去する。（ステップＳ３ｃ）
なお、必要に応じて、突起部３ａの頂部のエッヂを除去するようにしてもよい。
Next, the part which is not covered with the mask among the main surfaces used as the side which mounts the to-be-processed object of the dielectric substrate 3 is removed using the sandblasting method. (Step S3b)
In this case, the removed portion becomes the
Thus, if the
In addition, by performing the formation of the
Next, the mask is removed. (Step S3c)
In addition, you may make it remove the edge of the top part of the
次に、突起部３ａと平面部３ｂとを覆うように樹脂層７を形成する。（ステップＳ４） 樹脂層７の材料は、例えば、ポリイミド系樹脂とすることができる。なお、少なくともポリイミド系樹脂を含むものとすることもできる。また、樹脂層７の厚み寸法を５μｍ以上、１５μｍ以下とする。この場合、樹脂層７の形成には、蒸着重合法、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法、スピンコート法などの各種の成膜法を用いることができる。この場合、樹脂層７の厚み寸法のばらつきを−１０％以上、＋１０％以下とするためには、蒸着重合法、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法を用いるようにすることが好ましい。
Next, the
次に、突起部３ａの頂面に形成された樹脂層７の表面（被処理物との接触面）が滑らかとなるように仕上げる。（ステップＳ５）
この際、突起部３ａの頂面に形成された樹脂層７の表面粗さが前述した範囲内（算術平均粗さＲａで０．０１μｍ以上、０．１μｍ以下）に収まるようにする。例えば、ポリッシュ加工を行うことによりそのような表面粗さとすることができる。
Next, it finishes so that the surface (contact surface with a to-be-processed object) of the
At this time, the surface roughness of the
一方、切削加工などにより流路８を備えた基台２を作成し、基台２の一方の主面に絶縁体層５を形成する。（ステップＳ６）
この場合、基台２の全面に絶縁体層５を形成するようにすることもできる。また、流路８は、必要に応じて設けるようにすればよい。
絶縁体層５は、溶射法やエアロゾルデポジション法などを用いて形成することができる。
On the other hand, the
In this case, the
The
次に、誘電体基板３の電極４が設けられた主面と、基台２の絶縁体層５が設けられた主面と、を絶縁性接着剤を用いて接合する。（ステップＳ７）
この際、電極４と電源１０ａ、電源１０ｂとが、電線９で接続できるように、基台２を貫通するようにして電線９を通しておく。絶縁性接着剤が硬化したものが接合層６となる。
Next, the main surface of the dielectric substrate 3 on which the
At this time, the
次に、必要に応じて樹脂層７の表面などの洗浄を行う。（ステップＳ８）
この場合、例えば、中性洗剤を用いた洗浄が行われた後にＩＰＡ（Isopropyl Alcohol）を用いた超音波洗浄が行われ、その後に超純水を用いた超音波洗浄が行われるようにすることができる。
以上のようにして本実施の形態に係る静電チャック１を製造することができる。
Next, the surface of the
In this case, for example, ultrasonic cleaning using IPA (Isopropyl Alcohol) is performed after cleaning using a neutral detergent, and then ultrasonic cleaning using ultrapure water is performed. Can do.
As described above, the electrostatic chuck 1 according to the present embodiment can be manufactured.
図４は、他の実施形態に係る静電チャック１ａを例示するための模式断面図である。なお、図４（ａ）は静電チャックを例示するための模式断面図、図４（ｂ）は図４（ａ）におけるＢ部の模式拡大図である。
図５は、図４に例示をした静電チャック１ａの製造方法を例示するためのフローチャートである。
なお、静電チャック１ａは、基台２が設けられていない点を除いては、図１において例示をした静電チャック１と同様であるため、その構成の説明は省略する。
FIG. 4 is a schematic cross-sectional view for illustrating an
FIG. 5 is a flowchart for illustrating a method of manufacturing the
The
図３に例示をした静電チャックの製造方法とは、突起部３ａ、平面部３ｂの形成手順が異なる。すなわち、絶縁体層５と誘電体基板３の接合後に、サンドブラスト法により誘電体基板３の表面（被処理物を載置する側となる主面）に突起部３ａと平面部３ｂとを形成するようにしている。
This is different from the method for manufacturing the electrostatic chuck illustrated in FIG. 3 in the procedure for forming the
すなわち、まず、図３のステップＳ１と同様にして、原材料から成形、焼成、ＨＩＰ処理を経て誘電体基板３を形成する。（ステップＳ１１）
次に、図３のステップＳ２と同様にして、誘電体基板３の一方の主面に電極を形成する。（ステップＳ１２）
また一方で、絶縁体層５を形成する。（ステップＳ１３）
そして、図３のステップＳ７と同様にして、誘電体基板３の電極４が設けられた主面と、絶縁体層５の主面と、を絶縁性接着剤を用いて接合する。（ステップＳ１４）
次に、図３のステップＳ３ａと同様にして、誘電体基板３の電極４が設けられた主面と対向する側の主面を研磨し、その表面にレジストフィルムを貼り付け、感光させることで所望の形状のマスクを形成する。（ステップＳ１５ａ）
次に、図３のステップＳ３ｂと同様にして、サンドブラスト法を用いてマスクにより覆われていない部分を除去する。（ステップＳ１５ｂ）
次に、図３のステップＳ３ｃと同様にして、マスクを除去する。（ステップＳ１５ｃ）
次に、図３のステップＳ４と同様にして、突起部３ａと平面部３ｂとを覆うように樹脂層７を形成する。（ステップＳ１６）
次に、図３のステップＳ５と同様にして、突起部３ａの頂面に形成された樹脂層７の表面（被処理物との接触面）が滑らかとなるように仕上げる。（ステップＳ１７）
次に、図３のステップＳ８と同様にして、必要に応じて樹脂層７の表面などの洗浄を行う。（ステップＳ１８）
なお、各手順における内容は、図３において例示をしたものと同様のためその説明は省略する。
That is, first, as in step S1 of FIG. 3, the dielectric substrate 3 is formed from raw materials through molding, firing, and HIP processing. (Step S11)
Next, an electrode is formed on one main surface of the dielectric substrate 3 in the same manner as in step S2 of FIG. (Step S12)
On the other hand, the
Then, similarly to step S7 in FIG. 3, the main surface of the dielectric substrate 3 on which the
Next, in the same manner as in step S3a of FIG. 3, the main surface of the dielectric substrate 3 opposite to the main surface provided with the
Next, as in step S3b of FIG. 3, the portion not covered with the mask is removed using the sandblast method. (Step S15b)
Next, the mask is removed as in step S3c of FIG. (Step S15c)
Next, in the same manner as in step S4 of FIG. 3, the
Next, as in step S5 of FIG. 3, the surface of the
Next, as in step S8 of FIG. 3, the surface of the
The contents in each procedure are the same as those illustrated in FIG.
１ 静電チャック、１ａ 静電チャック、２ 基台、３ 誘電体基板、３ａ 突起部、３ｂ 平面部、３ｃ 空間、４ 電極、５ 絶縁体層、６ 接合層、７ 樹脂層、８ 流路、９ 電線、１０ａ 電源、１０ｂ 電源、１１ 貫通孔 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Electrostatic chuck, 1a Electrostatic chuck, 2 bases, 3 dielectric substrate, 3a protrusion part, 3b plane part, 3c space, 4 electrode, 5 insulator layer, 6 bonding layer, 7 resin layer, 8 flow path, 9 Electric wire, 10a power supply, 10b power supply, 11 Through hole
Claims (9)
前記突起部と、前記平面部と、を覆うように形成された樹脂層と、
を備えた静電チャックであって、
前記樹脂層の２５℃における体積抵抗率は、１０ １４ Ωｃｍ以上とされ、
前記樹脂層の下地である前記突起部の頂面の表面粗さは、前記平面部の表面粗さより小さく、
前記樹脂層の下地である前記突起部の頂面の表面粗さは、算術平均粗さＲａで０．０６μｍ以上、０．３μｍ以下であり、
前記樹脂層の下地である前記平面部の表面粗さは、算術平均粗さＲａで０．０６μｍを超え、０．７μｍ以下であること、を特徴とする静電チャック。 A protrusion formed on the main surface on the side for placing an object to be processed, have a, and a flat portion formed in the periphery of the protrusions, a dielectric substrate ing ceramic sintered body,
A resin layer formed so as to cover the protrusion and the flat portion;
An electrostatic chuck comprising:
The volume resistivity at 25 ° C. of the resin layer is 10 14 Ωcm or more,
The surface roughness of the top surface of the protrusion that is the base of the resin layer is smaller than the surface roughness of the planar portion
The surface roughness of the top surface of the protrusion, which is the base of the resin layer, is 0.06 μm or more and 0.3 μm or less in terms of arithmetic average roughness Ra,
The electrostatic chuck characterized in that the surface roughness of the flat portion, which is the base of the resin layer, is 0.06 μm or more and 0.7 μm or less in terms of arithmetic average roughness Ra .
サンドブラスト法を用いて前記マスクにより覆われていない部分を除去することで平面部を形成するとともに突起部を形成し、
前記突起部と、前記平面部と、を覆うように樹脂を被覆することで樹脂層を形成し、
前記突起部の頂面に形成された前記樹脂層の表面をポリッシュ加工する静電チャックの製造方法であって、
前記平面部と前記突起部とを形成する際に、前記突起部の頂面の表面粗さが前記平面部の表面粗さより小さくなるようにし、
前記主面の研磨を行う際に、前記主面の表面粗さが算術平均粗さＲａで０．０６μｍ以上、０．３μｍ以下となるようにすることで、形成される前記突起部の頂面の表面粗さが算術平均粗さＲａで０．０６μｍ以上、０．３μｍ以下となるようにし、
前記平面部を形成する際に、前記平面部の表面粗さが算術平均粗さＲａで０．０６μｍを超え、０．７μｍ以下となるようにすること、を特徴とする静電チャックの製造方法。 Polishing the main surface of the dielectric substrate made of a ceramic sintered body on the side on which the workpiece is placed, providing a mask of a desired shape on the main surface,
By forming a flat portion by removing a portion that is not covered by the mask using a sandblast method, a protrusion is formed,
A resin layer is formed by coating the resin so as to cover the protrusion and the flat portion,
A method of manufacturing an electrostatic chuck for polishing the surface of the resin layer formed on the top surface of the protrusion,
When forming the flat portion and the protrusion, the surface roughness of the top surface of the protrusion is made smaller than the surface roughness of the flat portion ,
When polishing the main surface, the surface roughness of the main surface is such that the arithmetic average roughness Ra is 0.06 μm or more and 0.3 μm or less, so that the top surface of the protrusion is formed. The surface roughness is such that the arithmetic average roughness Ra is 0.06 μm or more and 0.3 μm or less,
When forming the flat portion, the surface roughness of the flat portion is set to an arithmetic average roughness Ra of more than 0.06 μm and 0.7 μm or less. .
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