JP5510865B2 - 防眩処理方法、防眩フィルムの製造方法および金型の製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、防眩処理方法および防眩フィルムの製造方法、ならびに、かかる防眩処理方法および防眩フィルムの製造方法に用いられる金属金型の製造方法に関する。

液晶ディスプレイ、プラズマディスプレイパネル、ブラウン管（陰極線管：ＣＲＴ）ディスプレイ、有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）ディスプレイなどの画像表示装置は、その表示面に外光が映り込むと視認性が著しく損なわれてしまう。従来、このような外光の映り込みを防止するために、画質を重視するテレビやパーソナルコンピュータ、外光の強い屋外で使用されるビデオカメラやデジタルカメラ、および反射光を利用して表示を行なう携帯電話などにおいては、画像表示装置の表面に外光の映り込みを防止するための処理が施されている。このような画像表示装置の表面に施される処理は、光学多層膜による干渉を利用した無反射処理と、表面に微細な凹凸を形成することにより入射光を散乱させて映り込み像をぼかす防眩処理とに大別される。前者の無反射処理は、均一な光学膜厚の多層膜を形成する必要があるため、コスト高になる。これに対して、後者の防眩処理は、比較的安価に行なうことができるため、大型のパーソナルコンピュータやモニタなどの用途に広く用いられている。

上記画像表示装置の防眩処理は、典型的には、画像表示装置の表面に防眩性が付与された防眩フィルムを貼合することによりなされる。防眩フィルムは従来、たとえば、微粒子を分散させた樹脂溶液を、基材シート上に膜厚を調整して塗布し、該微粒子を塗布膜表面に露出させることでランダムな表面凹凸を基材シート上に形成する方法などにより製造されている。しかしながら、このような微粒子を分散させた樹脂溶液を用いて製造された防眩フィルムは、樹脂溶液中の微粒子の分散状態や塗布状態などによって表面凹凸の配置や形状が左右されてしまうため、意図したとおりの表面凹凸を得ることが困難であり、防眩フィルムのヘイズを低く設定する場合、十分な防眩効果が得られないという問題があった。さらに、このような従来の防眩フィルムを画像表示装置の表面に配置した場合、散乱光によって表示面全体が白っぽくなり、表示が濁った色になる、いわゆる「白ちゃけ」が発生しやすいという問題があった。また、最近の画像表示装置の高精細化に伴って、画像表示装置の画素と防眩フィルムの表面凹凸形状とが干渉し、その結果、輝度分布が発生して表示面が見えにくくなる、いわゆる「ギラツキ」現象が発生しやすいという問題もあった。ギラツキを解消するために、バインダー樹脂とこれに分散される微粒子との間に屈折率差を設けて光を散乱させる試みもあるが、そのような防眩フィルムを画像表示装置の表面に配置した際には、微粒子とバインダー樹脂との界面における光の散乱によって、コントラストが低下しやすいという問題もあった。

一方、微粒子を含有させずに、透明樹脂層の表面に形成された微細な凹凸だけで防眩性を発現させる試みもある。たとえば、特開２００２−１８９１０６号公報（特許文献１）には、透明樹脂フィルム上に、三次元１０点平均粗さ、および、三次元粗さ基準面上における隣接する凸部同士の平均距離が、それぞれ所定値を満足する微細な表面凹凸を有する電離放射線硬化性樹脂層の硬化物層が積層された防眩フィルムが開示されている。この防眩フィルムは、エンボス鋳型と透明樹脂フィルムとの間に電離放射線硬化性樹脂を挟んだ状態で、当該電離放射線硬化性樹脂を硬化させることにより製造される。しかしながら、特許文献１に開示される防眩フィルムによっても、十分な防眩効果、白ちゃけの抑制、高コントラスト、およびギラツキの抑制を達成することは難しかった。

また、表示装置の表示面に配置される防眩フィルムではなく、液晶表示装置の背面側に配置される光拡散層として、表面に微細な凹凸が形成されたフィルムを用いることも、たとえば特開平６−３４９６１号公報（特許文献２）、特開２００４−４５４７１号公報（特許文献３）、特開２００４−４５４７２号公報（特許文献４）などに開示されている。このうち特許文献３および４には、フィルムの表面に凹凸を形成する手法として、凹凸を反転させた形状を有するエンボスロールに電離放射線硬化性樹脂液を充填し、充填された樹脂にロール凹版の回転方向に同期して走行する透明基材を接触させ、透明基材がロール凹版に接触しているときに、ロール凹版と透明基材との間にある樹脂を硬化させ、硬化と同時に硬化樹脂と透明基材とを密着させた後、硬化後の樹脂と透明基材との積層体をロール凹版から剥離する方法が開示されている。

しかしながらこのような特許文献３および４に開示された方法では、用いることのできる電離放射線硬化性樹脂液の組成が限られ、また溶媒で希釈して塗布したときのようなレベリングが期待できないことから、膜厚の均一性に課題があることが予想される。さらに、特許文献３および４に開示された方法では、エンボスロール凹版に直接樹脂液を充填する必要があることから、凹凸面の均一性を確保するためには、エンボスロール凹版に高い機械精度が要求され、エンボスロールの作製が難しいという課題があった。

次に、表面に凹凸を有するフィルムの作製に用いられるロールの作製方法としては、たとえば、上述した特許文献２には、金属などを用いて円筒体を作り、その表面に電子彫刻、エッチング、サンドブラストなどの手法により凹凸を形成する方法が開示されている。また、特開２００４−２９２４０号公報（特許文献５）には、ビーズショット法によってエンボスロールを作製する方法が開示されており、特開２００４−９０１８７号公報（特許文献６）には、エンボスロールの表面に金属めっき層を形成する工程、金属めっき層の表面を鏡面研磨する工程、さらに必要に応じてピーニング処理をする工程を経て、エンボスロールを作製する方法が開示されている。

しかしながら、このようにエンボスロールの表面にブラスト処理を施したままの状態では、ブラスト粒子の粒径分布に起因する凹凸径の分布が生じるとともに、ブラストにより得られるくぼみの深さを制御することが困難であり、防眩機能に優れた凹凸の形状を再現性よく得ることに課題があった。

また、上述した特許文献１には、好ましくは鉄の表面にクロムめっきしたローラを用い、サンドブラスト法やビーズショット法により凹凸型面を形成することが記載されている。さらに、このように凹凸が形成された型面には、使用時の耐久性を向上させる目的で、クロムめっきなどを施してから使用することが好ましく、それにより硬膜化および腐食防止を図ることができる旨の記載もある。一方、上述した特許文献３、４のそれぞれの実施例には、鉄芯表面にクロムめっきし、＃２５０の液体サンドブラスト処理をした後に、再度クロムめっき処理して、表面に微細な凹凸形状を形成することが記載されている。

しかしながら、このようなエンボスロールの作製法では、硬度の高いクロムめっきの上にブラストやショットを行なうため、凹凸が形成されにくく、しかも形成された凹凸の形状を精密に制御することが困難であった。また、特開２００４−２９６７２号公報（特許文献７）にも記載されるとおり、クロムめっきは、下地となる材質およびその形状に依存して表面が荒れることが多く、ブラストにより形成された凹凸上にクロムめっきで生じた細かいクラックが形成されるため、どのような凹凸ができるかの設計が難しいという課題があった。さらに、クロムめっきで生じる細かいクラックがあるため、最終的に得られる防眩フィルムの散乱特性が好ましくない方向に変化するという課題もあった。さらには、エンボスロール母材表面の材質とめっき種の組み合わせにより、仕上がりのロール表面が多種多様に変化するため、必要とする表面凹凸形状を精度よく得るためには、適切なロール表面の材質と適切なめっき種を選択しなければならないという課題もあった。さらにまた、望む表面凹凸形状が得られたとしても、めっき種によっては使用時の耐久性が不十分となることもあった。

特開２０００−２８４１０６号公報（特許文献８）には、基材にサンドブラスト加工を施した後、エッチング工程および／または薄膜の積層工程を施すことが記載されているが、サンドブラスト工程前に金属めっき層を設けることについては記載も示唆もされていない。また、特開２００６−５３３７１号公報（特許文献９）には、基材を研磨し、サンドブラスト加工を施した後、無電解ニッケルめっきを施すことが記載されている。また、特開２００７−１８７９５２号公報（特許文献１０）には、基材に銅めっきまたはニッケルめっきを施した後、研磨し、サンドブラスト加工を施した後、クロムめっきを施してエンボス版を作製することが記載されている。さらに、特開２００７−２３７５４１号公報（特許文献１１）には、銅めっきまたはニッケルめっきを施した後、研磨し、サンドブラスト加工を施した後、エッチング工程または銅めっき工程を施した後にクロムめっきを施してエンボス版を作製することが記載されている。これらのサンドブラスト加工を用いる製法では、表面凹凸形状を精密に制御された状態で形成することが難しいため、表面凹凸形状に５０μｍ以上の周期を持つ比較的大きい凹凸形状も作製されてしまう。その結果、それらの大きい凹凸形状と画像表示装置の画素とが干渉し、輝度分布が発生して表示面が見にくくなる、いわゆるギラツキが発生しやすいという問題があった。

特開２００２−１８９１０６号公報 特開平６−３４９６１号公報 特開２００４−４５４７１号公報 特開２００４−４５４７２号公報 特開２００４−２９２４０号公報 特開２００４−９０１８７号公報 特開２００４−２９６７２号公報 特開２０００−２８４１０６号公報 特開２００６−５３３７１号公報 特開２００７−１８７９５２号公報 特開２００７−２３７５４１号公報

本発明の目的は、画像表示装置に適用したときに、優れた防眩性能を示しながら、白ちゃけによる視認性の低下を防止することができるとともに、高精細の画像表示装置に適用した場合においても、ギラツキを発生せずに高いコントラストを発現することができる透明基材の防眩処理方法を提供することである。

本発明の他の目的は、画像表示装置の表面に配置したときに、優れた防眩性能を示しながら、白ちゃけによる視認性の低下を防止することができるとともに、高精細の画像表示装置の表面に配置した場合においても、ギラツキを発生せずに高いコントラストを発現することができる防眩フィルムの製造方法を提供することである。

本発明のさらに他の目的は、上記表示特性を兼備する防眩性が付与された画像表示装置を提供することである。本発明のさらに他の目的は、上記防眩処理方法および防眩フィルムの製造方法において好適に用いられる金属金型の製造方法を提供することである。

本発明者らは、上記目的を達成すべく鋭意研究を重ねた結果、画像や画像データ等からなる第１のパターンを作成した後、該第１のパターンに対し、空間周波数が特定値未満である低空間周波数成分を少なくとも除去または低減するフィルタを適用することにより第２のパターンを作成し、該第２のパターンに基づき、透明基材上に凹凸形状を加工する方法によれば、加工再現性良く透明基材上に凹凸形状を付与することができるとともに、十分な防眩効果を発現し、かつ白ちゃけおよびギラツキの発生ならびにコントラストの低下が十分に抑制されることを見出した。また、上記フィルタとして、第１のパターンに含まれる空間周波数成分のうち、特定の下限値Ｂ’より低い空間周波数からなる低空間周波数成分を除去または低減し、該下限値Ｂ’以上の空間周波数からなる空間周波数成分（以下、該下限値Ｂ’を空間周波数範囲下限値Ｂ’とも称する。）を抽出するハイパスフィルタ、または、第１のパターンに含まれる空間周波数成分のうち、特定の下限値Ｂより低い空間周波数からなる低空間周波数成分および特定の上限値Ｔを超える空間周波数からなる高空間周波数成分を除去または低減し、該下限値Ｂから該上限値Ｔに至る特定の範囲の空間周波数からなる空間周波数成分（以下、当該特定の範囲の下限値Ｂおよび上限値Ｔを、それぞれ空間周波数範囲下限値Ｂ、空間周波数範囲上限値Ｔとも称する。）を抽出するバンドパスフィルタを好適に用いることができることを見出した。本発明はかかる知見に基づき、さらに種々の検討を加えて完成されたものである。

本発明は、複数のドットがランダムに配置された、または明度分布が配置された第１のパターンに対し、第１のパターンに含まれる空間周波数成分から、空間周波数が特定値未満である低空間周波数成分を少なくとも除去または低減するフィルタを適用して第２のパターンを作成する工程と、第２のパターンを用いて、透明基材上に凹凸形状を加工する工程とを備える透明基材の防眩処理方法を提供する。

上記フィルタとしては、第１のパターンに含まれる空間周波数成分から、空間周波数が特定値未満である低空間周波数成分のみを除去または低減するハイパスフィルタを好ましく用いることができる。このハイパスフィルタは、第１のパターンに含まれる空間周波数成分から、空間周波数が０．０１μｍ^-1未満である低空間周波数成分のみを除去または低減するものであることが好ましい。

また、上記フィルタとして、第１のパターンに含まれる空間周波数成分から、空間周波数が特定値未満である低空間周波数成分を除去または低減するとともに、空間周波数が特定値を超える高空間周波数成分を除去または低減することにより、特定範囲の空間周波数成分を抽出するバンドパスフィルタを用いることも好ましい。

本発明の防眩処理方法において、バンドパスフィルタの適用により抽出される上記特定範囲の空間周波数成分における空間周波数の下限値Ｂは、０．０１μｍ^-1以上であることが好ましく、上限値Ｔは、１／（Ｄ×２）μｍ^-1以下であることが好ましい。ここで、Ｄ（μｍ）は、透明基材上に凹凸形状を加工する際に用いられる加工装置の分解能である。また、空間周波数の上限値Ｔおよび下限値Ｂは、下記式（１）：
０．２０ ＜ ２×（Ｔ−Ｂ）／（Ｔ＋Ｂ） ＜ ０．８０ （１）
を満たすことが好ましい。

上記第１のパターンとしては、たとえば、複数のドットをランダムに配置してなるパターンを好ましく用いることができる。

本発明の防眩処理方法は、上記第２のパターンにディザリング法を適用することにより、離散化された情報に変換された第３のパターンを作成する工程をさらに備えることが好ましい。この場合、上記透明基材上に凹凸形状を加工する工程は、第３のパターンを用いて行なわれる。ディザリング法としては、誤差拡散法を好ましく用いることができる。また、第３のパターンは、２段階に離散化された情報に変換されたパターンであることが好ましい。本発明の防眩処理方法における１つの好ましい実施形態においては、３ピクセル以上、６ピクセル以下の範囲に変換誤差を拡散させる誤差拡散法を適用することにより、第３のパターンを作成する。

本発明の防眩処理方法は、２段階に離散化された情報に変換された第３のパターンに対し、モンテカルロ法により孤立した黒、もしくは白ピクセルを移動させて第４のパターンを作成する工程をさらに備えることが好ましい。この場合、上記透明基材上に凹凸形状を加工する工程は、第４のパターンを用いて行なわれる。

上記透明基材上に凹凸形状を加工する工程は、第２のパターン、第３のパターンまたは第４のパターンを用いて、凹凸面を有する金型を作製し、該金型の凹凸面を透明基材上に転写する工程を含むことが好ましい。

上記透明基材上に凹凸形状を加工する工程は、第３のパターンまたは第４のパターンが有する離散化された情報に基づいて加工を行なう加工装置を用いて行なわれることが好ましい。

また本発明は、複数のドットがランダムに配置された、または明度分布が配置された第１のパターンに対し、第１のパターンに含まれる空間周波数成分から、空間周波数が特定値未満である低空間周波数成分を少なくとも除去または低減するフィルタを適用して第２のパターンを作成する工程と、第２のパターンを用いて、透明基材上に凹凸形状を加工する工程とを備える防眩フィルムの製造方法を提供する。

上記フィルタとしては、第１のパターンに含まれる空間周波数成分から、空間周波数が特定値未満である低空間周波数成分のみを除去または低減するハイパスフィルタを好ましく用いることができる。このハイパスフィルタは、第１のパターンに含まれる空間周波数成分から、空間周波数が０．０１μｍ^-1未満である低空間周波数成分のみを除去または低減するものであることが好ましい。

また、上記フィルタとして、第１のパターンに含まれる空間周波数成分から、空間周波数が特定値未満である低空間周波数成分を除去または低減するとともに、空間周波数が特定値を超える高空間周波数成分を除去または低減することにより、特定範囲の空間周波数成分を抽出するバンドパスフィルタを用いることも好ましい。

本発明の防眩フィルムの製造方法において、バンドパスフィルタの適用により抽出される上記特定範囲の空間周波数成分における空間周波数の下限値Ｂは、０．０１μｍ^-1以上であることが好ましく、上限値Ｔは、１／（Ｄ×２）μｍ^-1以下であることが好ましい。Ｄは上記と同じ意味である。また、空間周波数の上限値Ｔおよび下限値Ｂは、下記式（１）：
０．２０ ＜ ２×（Ｔ−Ｂ）／（Ｔ＋Ｂ） ＜ ０．８０ （１）
を満たすことが好ましい。

上記第１のパターンとしては、たとえば、複数のドットをランダムに配置してなるパターンを好ましく用いることができる。

本発明の防眩フィルムの製造方法は、上記第２のパターンにディザリング法を適用することにより、離散化された情報に変換された第３のパターンを作成する工程をさらに備えることが好ましい。この場合、上記透明基材上に凹凸形状を加工する工程は、第３のパターンを用いて行なわれる。ディザリング法としては、誤差拡散法を好ましく用いることができる。また、第３のパターンは、２段階に離散化された情報に変換されたパターンであることが好ましい。本発明の製造方法における１つの好ましい実施形態においては、３ピクセル以上、６ピクセル以下の範囲に変換誤差を拡散させる誤差拡散法を適用することにより、第３のパターンを作成する。

本発明の防眩フィルムの製造方法は、２段階に離散化された情報に変換された第３のパターンに対し、モンテカルロ法により孤立した黒、もしくは白ピクセルを移動させて第４のパターンを作成する工程をさらに備えることが好ましい。この場合、上記透明基材上に凹凸形状を加工する工程は、第４のパターンを用いて行なわれる。

上記透明基材上に凹凸形状を加工する工程は、第２のパターン、第３のパターンまたは第４のパターンを用いて、凹凸面を有する金型を作製し、該金型の凹凸面を透明基材上に転写する工程を含むことが好ましい。

上記透明基材上に凹凸形状を加工する工程は、第３のパターンまたは第４のパターンが有する離散化された情報に基づいて加工を行なう加工装置を用いて行なわれることが好ましい。

さらに本発明は、上記本発明の防眩処理方法および防眩フィルムの製造方法に好適に用いられる金型の製造方法を提供する。本発明の金型の製造方法は、金型用基材の表面に銅めっきまたはニッケルめっきを施す第１めっき工程と、第１めっき工程によってめっきが施された表面を研磨する研磨工程と、研磨された面に感光性樹脂膜を形成する感光性樹脂膜形成工程と、感光性樹脂膜上に上記第２のパターン、第３のパターンまたは第４のパターンを露光する露光工程と、第２のパターン、第３のパターンまたは第４のパターンが露光された感光性樹脂膜を現像する現像工程と、現像された感光性樹脂膜をマスクとして用いてエッチング処理を行ない、研磨されためっき面に凹凸を形成する第１エッチング工程と、感光性樹脂膜を剥離する感光性樹脂膜剥離工程と、形成された凹凸面にクロムめっきを施す第２めっき工程とを含む。

本発明の金型の製造方法は、感光性樹脂膜剥離工程と第２めっき工程との間に、第１エッチング工程によって形成された凹凸面の凹凸形状をエッチング処理によって鈍らせる第２エッチング工程を含むことが好ましい。

第２めっき工程において形成されるクロムめっきが施された凹凸面が、透明基材上に転写される金型の凹凸面であることが好ましい。すなわち、第２のめっき工程後に表面を研磨する工程を設けることなく、クロムめっきが施された凹凸面を、そのまま透明基材上に転写される金型の凹凸面として用いることが好ましい。

第２めっき工程におけるクロムめっきにより形成されるクロムめっき層は、１〜１０μｍの厚みを有することが好ましい。

さらに本発明によれば、上記本発明の防眩処理方法により、画像表示装置が備える透明基材の表面に防眩処理を施す画像表示装置の防眩処理方法および、上記本発明の防眩フィルムの製造方法により得られる防眩フィルムを備える画像表示装置が提供される。

本発明によれば、画像表示装置に適用したときに、優れた防眩性能を示しながら、白ちゃけによる視認性の低下を防止することができるとともに、高精細の画像表示装置に適用した場合においても、ギラツキを発生せずに高いコントラストを発現することができる透明基材の防眩処理方法および防眩フィルムを提供することができる。また、本発明によれば、上記優れた表示特性をもたらす凹凸形状を、透明基材上に加工再現性良く形成することができる。また本発明の方法により得られる金型を用いることにより、本発明の防眩処理方法の実施および防眩フィルムの製造を生産性良く行なうことができる。本発明の透明基材の防眩処理方法および防眩フィルムの製造方法によれば、上記優れた表示特性を兼備する画像表示装置を提供することが可能となる。

本発明の透明基材の防眩処理方法および防眩フィルムの製造方法に用いられ得る、ドットを多数ランダムに配置して作成した第１のパターンの好ましい一例を示す拡大図である。 本発明の透明基材の防眩処理方法および防眩フィルムの製造方法に用いられ得る、乱数により濃淡を決定したラスタイメージからなる第１のパターンの好ましい一例を示す図である。 図２に示される第１のパターンの一部を拡大して示す図である。 ドットを多数ランダムに配置して作成した第１のパターン（ランダムドットパターン）より得られる二次元配列を高速フーリエ変換（ＦＦＴ）により空間周波数領域に変換して得られる空間周波数分布の一例と、乱数により濃淡を決定したラスタイメージ（乱数ラスタイメージ）からなる第１のパターンより得られる二次元配列をＦＦＴにより空間周波数領域に変換して得られる空間周波数分布の一例とを比較する図である。 図１に示される第１のパターンより得られる二次元配列をＦＦＴにより空間周波数領域に変換して得られた二次元的な空間周波数分布を示す図である。 図４の点線で示される空間周波数分布に対し、振幅の補正を行なった結果の一例を示す図である。 ハイパスフィルタの適用によって抽出される空間周波数帯域（透過帯域）における透過帯域の形状の一例を示す図である。 ハイパスフィルタの適用によって抽出される空間周波数帯域（透過帯域）における透過帯域ピークの形状の他の一例を示す図である。 ハイパスフィルタの適用によって抽出される空間周波数帯域（透過帯域）における透過帯域ピークの形状の他の一例を示す図である。 バンドパスフィルタの適用によって抽出される空間周波数帯域（透過帯域）における透過帯域ピークの形状の一例を示す図である。 バンドパスフィルタの適用によって抽出される空間周波数帯域（透過帯域）における透過帯域ピークの形状の他の一例を示す図である。 バンドパスフィルタの適用によって抽出される空間周波数帯域（透過帯域）における透過帯域ピークの形状の他の一例を示す図である。 バンドパスフィルタの適用によって抽出される空間周波数帯域（透過帯域）における透過帯域ピークの形状の他の一例を示す図である。 バンドパスフィルタの適用によって抽出される空間周波数帯域（透過帯域）における透過帯域ピークの形状の他の一例を示す図である。 図５に示される空間周波数分布を有する第１のパターンに対して、バンドパスフィルタを適用した後の二次元的な空間周波数分布の一例を示す図である。 図１に示される第１のパターンにバンドパスフィルタを適用して作成された第２のパターンの一例を示す拡大図である。 ２×（Ｔ−Ｂ）／（Ｔ＋Ｂ）の値と、バンドパスフィルタの適用により得られた第２のパターンを閾値法によって二値化して得られる自己相関係数最大値との関係を示す図である。 ２×（Ｔ−Ｂ）／（Ｔ＋Ｂ）の値と、バンドパスフィルタの適用により得られた第２のパターンを閾値法によって二値化して得られるパターンの孤立小ドットの発生個数との関係を示す図である。 図１６に示される画像データについてグレイスケールインデックスのヒストグラムを解析することにより得られたグレイスケールインデックスの累積率の分布を示す図である。 閾値法により二値化された第２のパターンの一例を示す拡大図である。 図２０に示される二値化された第２のパターンより得られる二次元配列を高速フーリエ変換（ＦＦＴ）により空間周波数領域に変換して得られる空間周波数分布を示す図である。 一般に知られる誤差拡散マトリクスにおける変換誤差の拡散の重み付けを説明するための図である。 Ｆｌｏｙｄ ＆ Ｓｔｅｉｎｂｅｒｇのマトリクスに従う誤差拡散法の適用により得られる第３のパターンの一例を一部拡大して示す図である。 Ｊａｒｖｉｓ，Ｊｕｄｉｓ ａｎｄ Ｎｉｎｋのマトリクスに従う誤差拡散法の適用により得られる第３のパターンの一例を一部拡大して示す図である。 Ｓｔｕｃｋｉのマトリクスに従う誤差拡散法の適用により得られる第３のパターンの一例を一部拡大して示す図である。 Ｓｉｅｒｒａ ３ Ｌｉｎｅのマトリクスに従う誤差拡散法の適用により得られる第３のパターンの一例を一部拡大して示す図である。 Ｓｉｅｒｒａ ２ Ｌｉｎｅのマトリクスに従う誤差拡散法の適用により得られる第３のパターンの一例を一部拡大して示す図である。 Ｓｉｅｒｒａ Ｆｉｌｔｅｒ Ｌｉｔｅのマトリクスに従う誤差拡散法の適用により得られる第３のパターンの一例を一部拡大して示す図である。 Ｂｕｒｋｓのマトリクスに従う誤差拡散法の適用により得られる第３のパターンの一例を一部拡大して示す図である。 Ｓｔｅｖｅｎｓｏｎ ＆ Ａｒｃｈｅのマトリクスに従う誤差拡散法の適用により得られる第３のパターンの一例を一部拡大して示す図である。 図２３〜３０に示される第３のパターンの作成に用いた第２のパターンを一部拡大して示す図である。 図２３〜３０に示される、各種マトリクスに従う誤差拡散法により二値化された第３のパターンの空間周波数分布と、閾値法により二値化されたパターンの空間周波数分布とを比較する図である。 一般に知られている誤差拡散マトリクスに従う誤差拡散法の適用により第３のパターンを作成したときに発生する孤立ドットの発生個数を、閾値法により作成した場合と比較する図である。 拡散距離が１である誤差拡散マトリクスの一例を示す図である。 拡散距離が２である誤差拡散マトリクスの一例を示す図である。 拡散距離が３である誤差拡散マトリクスの一例を示す図である。 拡散距離が４である誤差拡散マトリクスの一例を示す図である。 拡散距離が５である誤差拡散マトリクスの一例を示す図である。 拡散距離が６である誤差拡散マトリクスの一例を示す図である。 拡散距離が３＋４である誤差拡散マトリクスの一例を示す図である。 拡散距離が４＋５である誤差拡散マトリクスの一例を示す図である。 拡散距離が３＋４＋５である誤差拡散マトリクスの一例を示す図である。 図３４に示されるマトリクスに従う誤差拡散法の適用により得られる第３のパターンの一例を一部拡大して示す図である。 図３５に示されるマトリクスに従う誤差拡散法の適用により得られる第３のパターンの一例を一部拡大して示す図である。 図３６に示されるマトリクスに従う誤差拡散法の適用により得られる第３のパターンの一例を一部拡大して示す図である。 図３７に示されるマトリクスに従う誤差拡散法の適用により得られる第３のパターンの一例を一部拡大して示す図である。 図３８に示されるマトリクスに従う誤差拡散法の適用により得られる第３のパターンの一例を一部拡大して示す図である。 図３９に示されるマトリクスに従う誤差拡散法の適用により得られる第３のパターンの一例を一部拡大して示す図である。 図４０に示されるマトリクスに従う誤差拡散法の適用により得られる第３のパターンの一例を一部拡大して示す図である。 図４１に示されるマトリクスに従う誤差拡散法の適用により得られる第３のパターンの一例を一部拡大して示す図である。 図４２に示されるマトリクスに従う誤差拡散法の適用により得られる第３のパターンの一例を一部拡大して示す図である。 図３４〜４２に示される誤差拡散マトリクスに従う誤差拡散法の適用により第３のパターンを作成したときに発生する孤立ドットの発生個数を、閾値法により作成した場合と比較する図である。 図３４〜４２に示される誤差拡散マトリクスに従う誤差拡散法により二値化された図４３〜５１の第３のパターンの空間周波数分布と、閾値法により二値化されたパターンの空間周波数分布とを比較する図である。 モンテカルロ法による孤立ドットの処理方法の例を示す図である。 モンテカルロ法適用回数による第４のパターンの変化を示す図である。 モンテカルロ法適用回数と孤立ドットの発生個数との関係を示す図である。 本発明の金型の製造方法の前半部分の好ましい一例を模式的に示す図である。 本発明の金型の製造方法の後半部分の好ましい一例を模式的に示す図である。 第１エッチング工程においてサイドエッチングが進行する状態を模式的に示す図である。 第１エッチング工程によって形成された凹凸面が第２エッチング工程によって鈍る状態を模式的に示す図である。 実施例１で使用した単位パターンを一部拡大して示す図である。 実施例１〜３の単位パターンの作成に用いた第１のパターンを一部拡大して示す図である。 実施例２で使用した単位パターンを一部拡大して示す図である。 実施例３で使用した単位パターンを一部拡大して示す図である。 比較例１で使用した単位パターンを一部拡大して示す図である。 比較例２で使用した単位パターンを一部拡大して示す図である。 実施例４で使用した単位パターンを一部拡大して示す図である。 実施例１〜３で用いた単位パターンの空間周波数分布を示す図である。 比較例１〜２で用いた単位パターンの空間周波数分布を示す図である。 実施例４で用いた単位パターンの空間周波数分布を示す図である。 実施例５で使用した単位パターンを一部拡大して示す図である。 実施例５で用いた単位パターンの空間周波数分布を示す図である。 ギラツキの評価方法を模式的に示す図である。 実施例６で使用する単位パターンを一部拡大して示す図である。 実施例７で使用する単位パターンを一部拡大して示す図である。 図７４に示されるパターンの空間周波数分布と、図７５に示されるパターンの空間周波数分布とを比較する図である。 実施例８で使用する単位パターンを一部拡大して示す図である。 実施例９で使用する単位パターンを一部拡大して示す図である。 図７７に示されるパターンの空間周波数分布と、図７８に示されるパターンの空間周波数分布とを比較する図である。 パターン１の作成に用いた第１のパターンＡを一部拡大して示す図である。 パターン１を一部拡大して示す図である。 パターン２を一部拡大して示す図である。 パターン３を一部拡大して示す図である。 パターン４の作成に用いた第１のパターンＢを一部拡大して示す図である。 パターン４を一部拡大して示す図である。 パターン５を一部拡大して示す図である。 パターン６を一部拡大して示す図である。 パターン７の作成に用いた第１のパターンＣを一部拡大して示す図である。 パターン７を一部拡大して示す図である。 パターン８を一部拡大して示す図である。 パターン９を一部拡大して示す図である。 パターン１０の作成に用いた第１のパターンＤを一部拡大して示す図である。 パターン１０を一部拡大して示す図である。 パターン１１を一部拡大して示す図である。 パターン１２を一部拡大して示す図である。 パターン１３の作成に用いた第１のパターンＥを一部拡大して示す図である。 パターン１３を一部拡大して示す図である。 パターン１４を一部拡大して示す図である。 パターン１５を一部拡大して示す図である。 第１のパターンＡ〜Ｅの空間周波数分布を示す図である。 パターン１〜３の空間周波数分布を示す図である。 パターン４〜６の空間周波数分布を示す図である。 パターン７〜９の空間周波数分布を示す図である。 パターン１０〜１２の空間周波数分布を示す図である。 パターン１３〜１５の空間周波数分布を示す図である。 パターンの作製方法の違いによる低空間周波数成分の低減の程度をまとめた図である。 パターンの作製方法と孤立ドット発生個数との関係を示す図である。 明度分布をランダムに配置した第１のパターンを一部拡大して示す図である。 図１０８に示される第１のパターンに対し、ハイパスフィルタの適用および閾値法による二値化を行なって得られたパターンを一部拡大して示す図である。 図１０８に示される第１のパターンに対し、ハイパスフィルタの適用および誤差拡散法による二値化を行なって得られたパターンを一部拡大して示す図である。 図１０８に示される第１のパターンに対し、ハイパスフィルタの適用、誤差拡散法による二値化およびモンテカルロ法の適用を行なって得られたパターンを一部拡大して示す図である。 図１０９〜１１１に示されるパターンの孤立ドット発生個数を示す図である。 図１０８〜１１１に示されるパターンの空間周波数分布を比較する図である。

＜透明基材の防眩処理方法および防眩フィルムの製造方法＞
以下、本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。本発明の透明基材の防眩処理方法および防眩フィルムの製造方法においては、透明基材上に、特定の空間周波数分布を持つ微細な凹凸形状を形成するために、たとえばドットを多数ランダムに配置したパターンや明度分布を配置したパターンなどからなる第１のパターンを作成した後、第１のパターンに、第１のパターンに含まれる空間周波数成分から空間周波数が特定値未満である低空間周波数成分を少なくとも除去または低減する、ハイパスフィルタまたはバンドパスフィルタ等のフィルタを適用して第２のパターンを作成し、得られた第２のパターンを用いて、透明基材上に凹凸形状を加工することを特徴とする。また、後述するように、得られた第２のパターンをディザリング法によって離散化された情報に変換した第３のパターン、もしくは、二値化された第３のパターンに含まれる孤立ドットをモンテカルロ法によって処理した第４のパターンを用いて、透明基材上に凹凸形状を加工することも好ましい。このように、本発明では、第２のパターン、第３のパターンまたは第４のパターンを用いて、透明基材上に微細凹凸形状を付与する。

透明基材に防眩性を付与するための手段または防眩フィルムを作製するための手段としては、透明基材中に粒子を分散させる方法が従来知られているが、ハイパスフィルタもしくはバンドパスフィルタ等の適用により、低空間周波数成分が除去または低減されたパターンを用いた本発明の方法によれば、このような従来の方法では実現することが不可能な低空間周波数成分が抑制された独特の表面形状を与える防眩処理を実現できる。本発明の透明基材の防眩処理方法および防眩フィルムの製造方法によれば、加工再現性良く透明基材上に凹凸形状を付与することができるとともに、十分な防眩効果を発現し、かつ白ちゃけおよびギラツキの発生ならびにコントラストの低下が十分に抑制された画像表示装置を得ることができる。また、バンドパスフィルタを適用した場合、凹凸加工が困難な高空間周波数成分が抑制されるため、透明基材表面の加工における凹凸の再現性をより向上させることができる。

ここで、「第１〜第４のパターン」における「パターン」とは、画像、画像データ、離散化された情報の二次元配列、またはプレートに配置された開口の配列を意味する。

上記画像データは、ラスタ形式の画像データ（ラスタイメージ）であってもよいし、ベクトル形式の画像データ（ベクタイメージ）であってもよい。ラスタイメージとは、画像を色のついたドット（点）の羅列として表現したデータである。ラスタイメージでは、各ドットの色の情報は数値で保存されている。このようなラスタイメージを保存するフォーマットとしては各種存在するが、特に一般的なものとして、たとえばビットマップが挙げられる。ビットマップとしては、赤、緑、青の強さをそれぞれ８ビット深度で表した２４ビットカラービットマップ、明度を８ビット深度２５６段階で表した８ビットグレースケールビットマップが特に広く用いられている。

ラスタイメージを保存するフォーマットとしては、ビットマップの他、圧縮アルゴリズム等が適用された画像データであるＰＮＧ（Ｐｏｒｔａｂｌｅ Ｎｅｔｗｏｒｋ Ｇｒａｐｈｉｃｓ）、ＴＩＦＦ（Ｔａｇｇｅｄ Ｉｍａｇｅ Ｆｉｌｅ Ｆｏｒｍａｔ）、ＪＰＥＧ、ＧＩＦ（Ｇｒａｐｈｉｃｓ Ｉｎｔｅｒｃｈａｎｇｅ Ｆｏｒｍａｔ）など各種フォーマットを挙げることができる。

ベクタイメージにおいては、線の起終点の座標（位置）、曲線であればその曲がり方、太さ、色、それら線に囲まれた面の色などの情報が数値で保存される。これらの数値データの集合、あるいは、円の半径や中心座標、多角形の各頂点座標などを記録したものもベクタイメージに含まれる。

ベクタイメージを保存するフォーマットとしては、特に一般的なものとして、ＤＸＦ（Ｄｒａｗｉｎｇ Ｉｎｔｅｒｃｈａｎｇｅ Ｆｉｌｅ）、ＳＶＧ（Ｓｃａｌａｂｌｅ Ｖｅｃｔｏｒ Ｇｒａｐｈｉｃｓ）が例示される。ただし、本発明においてベクタイメージは、上記定義に属するものであればよく、これらの例示された形式に限定されるものではない。また、ベクタイメージは二次元に限るものではなく、三次元の情報を有するものであってもよい。

また、ベクタイメージのうち、閉じた円や多角形の配列を有するものは、上記の「プレートに配置された開口の配列」に、容易に置き換えることが可能である。

本発明におけるパターンは、上記のように画像または画像データとして取り扱われるものに限らず、離散化された情報の二次元配列として与えられるものであってもよい。離散化された情報を保存する方法としては、浮動小数点（たとえば、６４ビット浮動小数点）、整数（たとえば、符号付３２ビット整数、符号なし１６ビット整数）などの各種形式を挙げることができる。

（第１のパターンの作成）
第１のパターンとしては、上記で定義したパターンの中から任意のものを用いることができ、濃淡あるいは数値の変化を有する任意のパターンであってよい。より具体的には、たとえば、画像の全範囲にわたって複数のドットを配置した画像データ（黒地に白のドットを複数配置した、あるいは白地に黒のドットを複数配置した画像データなど）；濃淡の変化を有するパターンなどの明度分布を有するパターン；離散化された情報の二次元配列などを挙げることができ、また、第１のパターンに対してハイパスフィルタまたはバンドパスフィルタ等のフィルタを適用する際（この点については後述する）、光学的な手法でフーリエ変換を行なう場合には、開口が配置されたプレートであってもよい。さらに、パターンが形成された写真乾板（乾板）や透明基材に部分的にトナーを付着させたものも、第１のパターンとして用い得る。画像データにおけるドットの配置、明度分布およびプレートにおける開口の配置等は、規則的であってもランダム（不規則）であってもよいが、空間周波数領域において、広い範囲に振幅を有するとともに、規則性が低い凹凸形状加工用パターンが得られることから、ランダムな配置とすることが好ましい。

第１のパターンを、作成する画像の全範囲にわたって多数のドットをランダムに描画することにより作成する場合、多数のドットをランダムに描画する手段としては、たとえば、幅ＷＸ、高さＷＹの画像に対し、０から１の値をとる擬似乱数列Ｒ[ｎ]を生成させることにより、たとえばドット中心のｘ座標がＷＸ×Ｒ[２×ｍ−１]、ｙ座標がＷＹ×Ｒ[２×ｍ]である多数のドットを生成する手法が挙げられる。ここで、ｎ、ｍはともに自然数である。擬似乱数列を生成する方法としては、線形合同法、Ｋｎｕｔｈの乱数ジェネレータ減算アルゴリズム、Ｘｏｒｓｈｉｆｔあるいはメルセンヌツイスタなど、分布させるドット数に対応できる十分な周期長を有するものである限り、任意の擬似乱数生成法を用いることができる。あるいは、擬似乱数に限らず、熱雑音などにより乱数を生成するハードウェアにより、ランダムにドットが配列された第１のパターンを作成してもよい。

ドットの形状は、円形、楕円形などの丸状や多角形などであってよく、同一の形状を有する多数のドットを配置してもよいし、異なる２種以上の形状のドットを多数配置してもよい。また、ドットの大きさは、すべてのドットについて同じであってもよいし、異なっていてもよい。したがって、ドットが丸状である場合、１種類のドット径（ドットの直径）を持つ多数のドットをランダムに配置させることによって第１のパターンを作成してもよいし、複数種類のドット径を持つ多数のドットをランダムに配置させてもよい。

第１のパターンを構成するドットの平均ドット径（パターン中の全ドットのドット径の平均値）は特に限定されないが、バンドパスフィルタを用いる場合、通過帯域の範囲にドット径のピークを有し、当該通過帯域の範囲を下回る低空間周波数領域にピークを有さないように設定することが好ましいことから、通常４〜５０μｍであり、好ましくは１６〜３２μｍである。平均ドット径が５０μｍを超える場合には、ギラツキに影響を与える低空間周波数成分が多く含まれ、作成される第２のパターンに濃淡ムラが生じやすくなる。一方、第１のパターンを構成するドットの平均ドット径が小さすぎて、バンドパスフィルタを適用したときに、抽出される空間周波数成分の振幅が小さい場合、第１のパターンが有するランダム性が損なわれやすく、好ましい第２のパターンを得ることができない。平均ドット径は、バンドパスフィルタに与える空間周波数範囲上限値Ｔを用いて、０．５×（１／（２×Ｔ））よりも大きいことが好ましい。これにより、ドットの充填率が後述する好ましい範囲にある場合において、バンドパスフィルタによって抽出される空間周波数成分を十分に含み、かつ濃淡ムラが生じにくい第２のパターンが作成されやすい。

ハイパスフィルタを用いる場合も同様に、通過帯域の範囲にドット径のピークを有し、当該通過帯域の範囲を下回る低空間周波数領域にピークを有さないように設定することが好ましいことから、第１のパターンを構成するドットの平均ドット径は、通常４〜５０μｍであり、好ましくは６μｍ以上、より好ましくは８μｍ以上であり、また、好ましくは３２μｍ以下、より好ましくは３０μｍ以下、さらに好ましくは１２μｍ以下である。平均ドット径が５０μｍを超える場合には、ギラツキに影響を与える低空間周波数成分が多く含まれ、作成される第２のパターンに濃淡ムラが生じやすくなる。

多数のドットを配置することにより第１のパターンを作成する場合におけるドットの充填率（画像全面積中のドットの占有面積）は、２０〜８０％であることが好ましく、２０〜７０％であることがより好ましく、３０〜７０％であることがさらに好ましく、３０〜６０％であることがよりさらに好ましく、４０〜６０％（たとえば、５０％前後であってもよい）であることが特に好ましい。ドット数が極めて少なく、第１のパターンにおけるドットの充填率が２０％に満たない場合、生成される第２のパターンに同心円状の特徴的なパターンからなるムラが生じ、好ましいランダムなパターンを得ることができない傾向にある。また、ドットの充填率が８０％を超える場合においても同様に、閉じた円形のパターンからなるムラが多く見られるようになる傾向があり、ランダム性が損なわれる。

第１のパターンは、ベクトル形式の画像データとして作成してもよいし、ラスタ形式の画像データとして作成してもよい。ラスタ形式の場合、１ビット、２ビット、８ビットなど、任意のビット深さの画像形式で第１のパターンを作成することができる。ラスタ形式の画像データとして第１のパターンを作成する際には、パターンの詳細を描画できるように高い解像度で作成することが好ましい。防眩処理のために好ましい解像度は６４００ｄｐｉ以上、より好ましくは１２８００ｄｐｉ以上である。

図１は、本発明の透明基材の防眩処理方法および防眩フィルムの製造方法に用いられ得る、ドットを多数ランダムに配置して作成した第１のパターンの好ましい一例を示す拡大図である。図１に示される第１のパターンは、８ビット階調のグレイスケール画像であり、黒色円形の領域がドット１である。本発明では、ドットの直径を「ドット径」、パターン中の全ドットのドット径の平均値を「平均ドット径」とする。図１に示される第１のパターンの平均ドット径は１６μｍである。また、画像解像度は１２８００ｄｐｉである。すなわち、１ピクセルのサイズは、縦横２μｍに相当する。図１に示される第１のパターンにおいて、画像のサイズは、ＷＸ＝０．５１２ｍｍ、ＷＹ＝０．５１２ｍｍであり、ドットの充填率は約５０％である。また、ドットの中心座標を決定する擬似乱数は、広島大学のグループにより実装されたＳＩＭＤ ｏｒｉｅｎｔｅｄ Ｆａｓｔ Ｍｅｒｓｅｎｎｅ Ｔｗｉｓｔｅｒプログラム、ＳＦＭＴ ｖｅｒ１．３．３に対し、主として数値６０７を与えることによって生成した。

また、第１のパターンとして、明度分布が配置されたパターン、たとえば、乱数により濃淡を決定したラスタイメージを用いることも好ましい。ラスタイメージの各ピクセル（画素）の濃度を乱数、あるいは計算機によって生成された擬似乱数によって決定することで、規則性が小さなパターンを得ることができる。

画素の濃度の決定方法について、０〜１の範囲の実数を出力する擬似乱数を用いる場合を例に挙げて説明する。画素の階調数は任意でよいが、取扱が容易な階調深度は、１ビット、８ビット、１６ビット、２４ビットなどであり、好ましくは８ビット（２５６階調：インデックス０〜２５５）である。たとえば８ビット階調の場合、８ビットの深度を有するＰＩＸＣＥＬ［ｘ，ｙ］に対し、ＰＩＸＣＥＬ［ｘ，ｙ］＝Ｒ［ｘ＋ｙ×ＩｍａｇｅＷｉｄｔｈ］×２５５を代入することによって画像を生成することができる。ここで、ｘ、ｙは画像におけるピクセルの座標であり、ＩｍａｇｅＷｉｄｔｈはｘ座標の画像幅である。この例では、平均インデックスが１２７〜１２８のイメージが生成されるが、オフセットを付加することにより、平均値が異なるイメージを生成してもよい。

図２は、乱数により濃淡を決定したラスタイメージからなる第１のパターンの一例を示す図であり、図３は、その一部を拡大して示す図である。図２に示されるラスタイメージは、１画素１画素の明度を擬似乱数により決定することにより作成した８ビット階調の画像であり、具体的には、８ビットの深度を有する２次元配列ＰＩＸＣＥＬ［ｘ，ｙ］に対し、ＰＩＸＣＥＬ［ｘ，ｙ］＝Ｒ［ｘ＋ｙ×ＩｍａｇｅＷｉｄｔｈ］×２５５を代入することによって作成した。ここで、ｘ、ｙは画像におけるピクセルの座標であり、ＩｍａｇｅＷｉｄｔｈはｘ座標の画素幅である。配列Ｒ［］として、Ｍｉｃｒｏｓｏｆｔ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎによって開発された「．ＮＥＴ Ｆｒａｍｅｗｏｒｋ２．０クラス ライブラリ」に含まれるＲａｎｄｏｍクラスＮｅｘｔＤｏｕｂｌｅメソッドにより生成される０．０と１．０の間の値をとるＫｎｕｔｈの乱数ジェネレータ減算アルゴリズムによる擬似乱数列を用いた。

また、第１のパターンは、上記のラスタイメージと同様にして生成された、離散化された情報の二次元配列であってもよい。この場合、配列の各要素の値を決定するために擬似乱数を用いる。

第１のパターンの形態は、たとえばハイパスフィルタまたはバンドパスフィルタを適用するための手法や透明基材上に凹凸形状を加工するために用いられる加工装置が求める入力の形式などにより適宜選定することができるが、なかでも、乱数により濃淡を決定したラスタイメージは、幅広い空間周波数範囲に振幅を有することから好ましく用いることができる。これは、ハイパスフィルタまたはバンドパスフィルタ等のフィルタによって抽出される空間周波数範囲に関わらず、第１のパターンのランダム性を維持しやすいためである。

図４は、ドットを多数ランダムに配置して作成した第１のパターン（ランダムドットパターン）より得られる二次元配列をＦＦＴにより空間周波数領域に変換して得られる空間周波数分布の一例と、乱数により濃淡を決定したラスタイメージ（乱数ラスタイメージ）からなる第１のパターンより得られる二次元配列をＦＦＴにより空間周波数領域に変換して得られる空間周波数分布の一例とを比較する図であり、空間周波数０から０．３０μｍ^-1の領域における振幅の強度を示すものである。図４に示されるように、ランダムドットパターンは、乱数ラスタイメージと比較して、特に空間周波数０．００〜０．１０μｍ^-1の領域において、高い振幅強度を有している。なお、図４については、後で詳述する。

（第２のパターンの作成）
本発明の透明基材の防眩処理方法および防眩フィルムの製造方法において、第２のパターンは、第１のパターンに対し、第１のパターンに含まれる空間周波数成分から、空間周波数が特定値未満である低空間周波数成分を少なくとも除去または低減するフィルタを適用することにより作成される。本発明においては、当該フィルタとして、第１のパターンに含まれる空間周波数成分から、空間周波数が特定値未満である低空間周波数成分のみを除去または低減するハイパスフィルタ、または、第１のパターンに含まれる空間周波数成分から、空間周波数が特定値未満である低空間周波数成分を除去または低減するとともに、空間周波数が特定値を超える高空間周波数成分を除去または低減することにより、特定範囲の空間周波数成分を抽出するバンドパスフィルタを好ましく用いることができる。一般に、パターンは、その変化に応じた空間周波数成分を含んでいる。変化が激しい、もしくは配置が密にされているパターンは、空間周波数が高い成分を多く含んでおり、変化が緩やか、もしくは配置が疎なパターンは、空間周波数が高い成分は少ない。ハイパスフィルタまたはバンドパスフィルタの適用により、第１のパターンに含まれる空間周波数成分から特定範囲の空間周波数成分、すなわち、ギラツキ等を生じさせる長周期成分である低空間周波数成分を除去または低減することができる。ハイパスフィルタまたはバンドパスフィルタの適用により、透明基材上に凹凸形状を付与するための第２のパターン、第３のパターンまたは第４のパターンにおける低空間周波数成分を低減させることができる。第１のパターンへのハイパスフィルタまたはバンドパスフィルタの適用による第２のパターンの作成は、具体的には、以下の（１）〜（３）の一連の操作によって実施することができる。

（１）空間周波数領域への変換
まず、第１のパターンに含まれる空間周波数成分から特定の空間周波数成分を抽出（すなわち、特定の空間周波数成分を除去または低減）できるようにするために、第１のパターンがラスタイメージであるときには、第１のパターンを、必要に応じて、各ピクセルの明度に応じた値が代入された浮動小数点型の二次元配列ｇ［ｘ，ｙ］に変換する。ここで、ｘ、ｙはラスタイメージ内の直交座標上の位置を示す。このようにして得られた二次元配列ｇ［ｘ，ｙ］に対し、第１のパターンにおける様々な空間周波数成分の大きさを得るための手段を適用することにより、第１のパターンに含まれる空間周波数成分と各空間周波数における振幅とを示す空間周波数分布が得られる。空間周波数成分の大きさを得るための手段としては、光学的な手法、数学的な手法などがあり、特に計算機を用いて数学的に求める方法が広く一般的に用いられている。空間周波数成分の大きさを得る数学的な方法を、一般にフーリエ変換と呼ぶ。フーリエ変換は、計算機を用いた離散フーリエ変換（以下、ＤＦＴ）によって行なうことができる。したがって、空間周波数領域への変換は、第１のパターンから得られる二次元配列に対し、たとえば、計算機を用い、二次元のＤＦＴを適用することによって行なうことができる。

ＤＦＴアルゴリズムとしては、一般的に知られているアルゴリズムを使用することができるが、特にＣｏｏｌｅｙ−Ｔｕｋｅｙ型アルゴリズムは計算速度に優れることから好適に用いることができる。Ｃｏｏｌｅｙ−Ｔｕｋｅｙ型アルゴリズムによるＤＦＴは、高速フーリエ変換（以下、ＦＦＴ）とも呼称される。

第１のパターンがラスタ形式で作成されている場合、当該ラスタ形式の画像データは、上記ＤＦＴアルゴリズムを用いることにより、容易に計算機上で空間周波数領域に変換することができる。第１のパターンがベクトル形式で作成されており、かつ上記ＤＦＴアルゴリズムを用いて空間周波数領域に変換する場合には、ベクトル形式の画像データをラスタ形式に変換し、ラスタ形式に変換された画像データを計算機上で二次元配列ｇ［ｘ，ｙ］に変換する。ここで、ｘ、ｙはラスタイメージ内の直交座標上の位置を示す。一般的な、たとえば８ビット階調をもつグレイスケール画像として第１のパターンを作成した場合、白の領域には２５５が、黒の領域には０が割り当てられる。これらの値を用いてＤＦＴにより、画像データを計算機上で空間周波数領域の二次元配列Ｇ［ｆ_x，ｆ_y］に変換する。ここで、ｆ_x、ｆ_yはそれぞれ、ｘ方向の空間周波数、ｙ方向の空間周波数を示す。なお、第１のパターンが離散化された情報の二次元配列として与えられる場合、これにＤＦＴを適用することによって計算機上で空間周波数領域の二次元配列Ｇ［ｆ_x，ｆ_y］に変換することが可能であることは言うまでもない。

ＤＦＴを用いる場合、離散化された情報の二次元配列である第１のパターン、もしくは二次元配列に変換された第１のパターンの各配列要素から二次元配列の全要素平均値ＰＡを減じる処理を行なってもよい。たとえば０から２５５の値を持つ８ビット階調のグレイスケール画像として作成された第１のパターンを二次元配列に変換した後、各配列要素から二次元配列の全要素平均値ＰＡを減じる処理を行なうことができる。０から２５５の値を持つ８ビット階調のグレイスケール画像を二次元配列に変換すると、空間周波数０において振幅を有する空間周波数スペクトルが得られることがある。これは、二次元配列を構成する全ての要素が正に偏っていることに起因する。透明基材に施す防眩処理および防眩フィルムの製造においては、透明基材に付与される表面凹凸形状の特性を把握できることが重要であるが、上記空間周波数０における振幅は、最終的に形成される凹凸形状の特性を知る上では有意な情報ではない。空間周波数０において振幅が０となるよう、各配列要素から二次元配列の全要素平均値ＰＡを減じる処理を行なうことにより、最終的に形成される凹凸形状の特性を容易に把握できるようになる。

図５は、図１に示される第１のパターンより得られる二次元配列をＦＦＴにより空間周波数領域に変換して得られた二次元的な空間周波数分布を示す図である。図５において、横軸および縦軸はともに、空間周波数を示している。両軸が交差する点は、空間周波数０の点であり、当該交差点（ゼロ点）から離れるに従い、空間周波数は大きくなる。また、各空間周波数における振幅の強度を色の濃さで示しており、色が濃いほど振幅が大きいことを意味する。

二次元データである画像をＦＦＴにより空間周波数領域に変換して得られるのは、上述のように、図５のような２次元の情報である。ただし、２次元の表示は見通しが良好でないことから、以下、空間周波数分布を示す場合には、空間周波数を横軸とし、各空間周波数における振幅強度の平均値を縦軸とした一次元の空間周波数分布を示すこととする。図５に示される２次元の空間周波数分布を一次元の空間周波数分布で示したものが、上述した図４における点線のグラフである。すなわち、図４における点線のグラフは、図１に示される第１のパターンより得られる二次元配列をＦＦＴにより空間周波数領域に変換して得られる（ＦＦＴにより空間周波数に分解した結果得られる）、一次元の空間周波数分布を示す図である。図４において、横軸は空間周波数を示し、縦軸は各空間周波数に属する要素の振幅強度の平均値を示している。ここで、振幅強度とは、二次元配列の各要素の絶対値｜Ｇ［ｆ_x，ｆ_y］｜を意味する。また、平均値は、ＦＦＴにより得られる最高空間周波数をｆmaxとすると、空間周波数０〜ｆmaxの範囲を１２８分割し、それぞれの分割された空間周波数範囲に属する二次元配列の要素を平均することにより求められる。要素が属する空間周波数範囲は、ｆ_xおよびｆ_yから計算される値ｆ_aにより判定することができる。ｆmaxおよびｆ_aの計算式である式（Ａ）および式（Ｂ）を下記に示す。
ｆmax ＝ （ｆ_xmax²＋ｆ_ymax²）^1/2 （Ａ）
ｆ_a ＝ （ｆ_x ²＋ｆ_y ²）^1/2 （Ｂ）
なお、ｆ_xmaxはｆ_xの最大値、ｆ_ymaxはｆ_yの最大値を意味する。

図４の点線で示されるグラフのように、十分にランダムな擬似乱数によって第１のパターンを作成した場合であっても、第１のパターンは、特定の空間周波数に振幅のピークを有することがある。このような振幅ピークが存在する場合、後述するハイパスフィルタに指定する空間周波数下限値またはバンドパスフィルタに指定する空間周波数範囲上限値や下限値によっては、望ましい空間周波数特性を有する第２のパターンを得ることができない可能性があることから、特定の空間周波数範囲において各空間周波数における振幅が等しくまたは略等しくなるよう、各要素の振幅を補正することが好ましい。

図６は、図４の点線で示される空間周波数分布に対し、振幅の補正を行なった結果の一例を示す図である。振幅補正前の空間周波数分布（図４の点線のものと同一）を点線で、振幅補正後の空間周波数分布を実線で示している。図６に示される空間周波数分布においては、補正により、空間周波数０から約０．３０μｍ^-1の領域において、各要素の振幅がおよそ一定になっている。このように、ハイパスフィルタまたはバンドパスフィルタによって抽出され得る空間周波数領域において振幅を一定にしておくことにより、ハイパスフィルタまたはバンドパスフィルタの適用により作成された第２のパターンは、一定の振幅を有する特定範囲の空間周波数成分を有することとなる。このことは、ハイパスフィルタまたはバンドパスフィルタの適用により生成されるパターン特性を制御する上で有利である。なお、上記振幅の補正は、具体的には、補正後の複素振幅絶対値Ｃを用いて下記式：
α＝Ｃ／｜Ａ_org｜
によって与えられる実数αを複素振幅Ａ_orgに乗算することによって行なわれる。ただし、｜Ａ_org｜はゼロ値であってはならない。したがって、上記補正は｜Ａ_org｜が非ゼロ値である範囲において可能である。

（２）ハイパスフィルタまたはバンドパスフィルタの適用
次に、ＤＦＴによって得られた空間周波数領域における二次元配列に対して、ハイパスフィルタまたはバンドパスフィルタに対応する操作を施す。この操作により、第１のパターンに含まれる低空間周波数成分を除去または低減させる。

ハイパスフィルタは、高域通過濾波器、Ｌｏｗ−Ｃｕｔ Ｆｉｌｔｅｒとも呼称され、信号処理の分野において、指定された周波数未満の成分を除去または低減する働きを有する。ハイパスフィルタに対応する操作とは、第１のパターンに含まれる空間周波数成分のうち、空間周波数範囲下限値Ｂ’より低い空間周波数からなる低空間周波数成分を除去または低減し、該下限値Ｂ’以上の空間周波数からなる空間周波数成分を抽出する操作である。ＤＦＴを用いる場合について、より具体的に述べると、空間周波数領域に変換された配列に対し、空間周波数範囲下限値Ｂ’によって指定される範囲より低い空間周波数成分の配列要素（複素振幅の実部、虚部のそれぞれ）に対し０を代入する（振幅を０とする）、もしくは、絶対値が１よりも十分に小さな値を乗ずる操作である。絶対値が１よりも十分に小さな値として、一般にハイパスフィルタと呼ばれるフィルタの性能から例示すると、たとえば絶対値が０．５よりゼロに近い数値、絶対値が０．３よりゼロに近い数値、絶対値が０．１よりゼロに近い数値、あるいは絶対値が０．０１よりゼロに近い数値などが挙げられる。一般に乗ずる値の絶対値がゼロに近いほど（ゼロを含む）、理想的なハイパスフィルタとなる。

空間周波数範囲下限値Ｂ’の値は、ハイパスフィルタに対応する透過割合の空間周波数依存が、たとえば図７に示されるように、ある空間周波数を境に急激に立ち上がる場合には、その立ち上がりの始点とみなすことができる。一方、透過割合がなだらかに立ち上がる場合、空間周波数範囲下限値Ｂ’の値は、透過帯域のピーク強度の１／２の強度を示す空間周波数とされる。バンドパスフィルタの空間周波数範囲上限値Ｔおよび空間周波数範囲下限値Ｂについても同様である。図７および後述する図８〜１４で示した透過割合は、前述の各要素に乗ずる値の絶対値を示す。なお、以下で示す例では、いずれも実数を乗じてバンドパスフィルタ、およびハイパスフィルタに対応する操作を行なった。

ハイパスフィルタの適用によって抽出される空間周波数帯域（透過帯域）において、各空間周波数成分の透過割合（ハイパスフィルタ適用前における振幅強度に対するハイパスフィルタ適用後における振幅強度の割合）は、図７に示す例のように、透過帯域全体にわたって一定であってもよいし、図８に示す例のように、値が変化していてもよい。また、図９に示す例のように、透過帯域は、複数のピークを有していてもよい。

バンドパスフィルタは、帯域フィルタとも呼称され、信号処理の分野において、意図する範囲の周波数を通過させ、それ以外の周波数を除去または低減する働きを有する。バンドパスフィルタに対応する操作とは、上記で得られた第１のパターンの空間周波数分布において、第１のパターンに含まれる空間周波数成分のうち、空間周波数範囲下限値Ｂより低い空間周波数からなる低空間周波数成分および空間周波数範囲上限値Ｔを超える空間周波数からなる高空間周波数成分を除去または低減し、該下限値Ｂから該上限値Ｔに至る特定の範囲の空間周波数からなる空間周波数成分を抽出する操作であり、ＤＦＴを用いる場合について、より具体的に述べると、通過する空間周波数範囲上限値Ｔおよび空間周波数範囲下限値Ｂによって指定される範囲に含まれない配列要素に対し０を代入する（振幅を０とする）もしくは、１よりも十分に小さな値を乗ずる操作である。１よりも十分に小さな値については、上述のとおりである。

バンドパスフィルタの適用によって抽出される空間周波数帯域（透過帯域）において、各空間周波数成分の透過割合（バンドパスフィルタ適用前における振幅強度に対するバンドパスフィルタ適用後における振幅強度の割合）は、図１０に示す例（透過帯域ピークの形状が矩形を有する）のように、透過帯域全体にわたって一定であってもよいし、図１１に示す例（透過帯域ピークの形状がガウス型である）のように、値が変化していてもよい。また、透過帯域のピーク形状は、空間周波数軸に対して左右対称であってもよいし、図１２に示す例（透過帯域ピークの形状が、ピークの右側と左側とで傾きが異なる変形ガウス型である）のように、非対称であってもよい。また、透過帯域ピークは、図１３および１４に示す例（透過帯域ピークが２つのピークからなる）のように、複数のピークからなっていてもよい。

図１５は、図５に示される空間周波数分布を有する第１のパターンに対して、バンドパスフィルタを適用した後の二次元的な空間周波数分布の一例を示す図である。図１５において、横軸、縦軸および色の濃さは図５と同じ意味を表わす。図１５に示されるように、上記バンドパスフィルタに対応する操作により、空間周波数範囲上限値Ｔおよび空間周波数範囲下限値Ｂによって指定される特定の範囲の空間周波数成分が除去またはその振幅強度が低減される。

次に、ハイパスフィルタに与える空間周波数範囲下限値Ｂ’、ならびにバンドパスフィルタに与える空間周波数範囲上限値Ｔおよび空間周波数範囲下限値Ｂの好ましい範囲について説明する。ハイパスフィルタまたはバンドパスフィルタによって除去または低減される低空間周波数成分は、本発明によって得られる防眩処理がなされた透明基材（防眩フィルムなど）を適用する画像表示装置の平均的な一辺の画素サイズ〔たとえば、ＲＧＢの３色が横に並んでいる場合、ＲＧＢそれぞれの平均的な一辺の画素サイズとは、長辺と短辺の平均値である〕に対して、約１０分の１以下の周期に対応する空間周波数以下の低空間周波数成分であることが好ましい。これにより、画像表示装置におけるギラツキを効果的に抑制することができる。

市販されている画像表示装置を例に挙げて具体的に述べると、たとえば対角が約１０３インチのフルハイビジョン（解像度水平１９２０×垂直１０８０ドット等）に相当する画像表示装置に適用する場合、ハイパスフィルタまたはバンドパスフィルタにより除去または低減される低空間周波数成分の空間周波数の最大値、すなわち、空間周波数範囲下限値Ｂ’または空間周波数範囲下限値Ｂは、０．０１μｍ^-1以上であることが好ましい。また、対角が約５０インチのハイビジョン（解像度水平１３６６×垂直７６８ドット等）に相当する画像表示装置に適用する場合、空間周波数範囲下限値Ｂ’または空間周波数範囲下限値Ｂは、０．０２μｍ^-1以上であることが好ましい。同様の考察から、対角約３２インチのハイビジョンに相当する画像表示装置に適用する場合、空間周波数範囲下限値Ｂ’または空間周波数範囲下限値Ｂは、０．０３μｍ^-1以上であることが好ましい。対角約３７インチのフルハイビジョンに相当する画像表示装置に適用する場合、空間周波数範囲下限値Ｂ’または空間周波数範囲下限値Ｂは、０．０４μｍ^-1以上であることが好ましい。対角約２０インチのハイビジョンに相当する画像表示装置に適用する場合、空間周波数範囲下限値Ｂ’または空間周波数範囲下限値Ｂは、０．０５μｍ^-1以上であることが好ましい。対角約２２インチのフルハイビジョン相当する画像表示装置に適用する場合、空間周波数範囲下限値Ｂ’または空間周波数範囲下限値Ｂは、０．０７μｍ^-1以上であることが好ましい。このように、適用する画像表示装置の解像度およびサイズに応じて、ハイパスフィルタまたはバンドパスフィルタに与える空間周波数範囲下限値を適切に調整することにより、画像表示装置に対し適切な範囲の低空間周波数成分が除去または低減された第２、第３または第４のパターンを作成することができ、これを用いて凹凸形状を加工することにより、ギラツキが抑制された好ましい防眩処理を実現することができる。

また、バンドパスフィルタにおいては、加工適性の観点から、空間周波数範囲上限値Ｔは、１／（Ｄ×２）μｍ^-1以下であることが好ましい。ここで、Ｄ（μｍ）は、透明基材上に凹凸形状を加工する際に用いられる加工装置の分解能である。空間周波数範囲上限値Ｔが１／（Ｄ×２）μｍ^-1を超える場合、加工再現性良く透明基材上に凹凸形状を付与することが困難となる場合がある。加工再現性が、空間周波数範囲上限値Ｔが小さいほど良好となることから、空間周波数範囲上限値Ｔは、より好ましくは１／（Ｄ×４）μｍ^-1以下であり、さらに好ましくは１／（Ｄ×６）μｍ^-1以下である。空間周波数範囲上限値Ｔが１／（Ｄ×６）μｍ^-1以下である場合、生産性が高いレーザー描画装置を用いて良好な加工再現性で透明基材上に凹凸形状を形成できるため特に好ましい。一方、空間周波数範囲上限値Ｔが大きくなるほど、周期のより細かい構造を有する第２のパターンが形成されるため、加工再現が困難となりやすい。

透明基材上に凹凸形状を加工する際に用いる加工装置は、従来公知の装置であってよく、たとえば、レーザー描画装置、精密旋盤などを用いることができる。レーザー描画装置を用いてレジストを露光し、凹凸形状を形成する場合、レーザーのスポット直径が分解能Ｄ（μｍ）に相当する。また、先端が半球状のボールエンドミルを備える精密旋盤を用いて凹凸形状を形成する場合であって、先端半径がｒ（μｍ）であるボールエンドミルを用いて、加工後の凹凸面における平坦面と各位置における面とのなす角度がθ度（θはたとえば１０度である）以内となるようにして凹凸形状を加工する場合においては、２×ｒ÷（ｓｉｎ（θ÷１８０×π））が分解能Ｄ（μｍ）に相当する。なお、第２のパターンを用いて、凹凸面を有する金型を作製し、金型の凹凸面を透明基材上に転写することにより、凹凸形状を加工する場合、透明基材上に凹凸形状を加工する際に用いる加工装置とは、凹凸面を有する金型を作製する際に用いる加工装置を意味する。

また、バンドパスフィルタにおいては、透明基材に適切な微細凹凸表面形状を付与するために、空間周波数範囲下限値Ｂの逆数である最長周期長１／Ｂと空間周波数範囲上限値Ｔの逆数である最短周期長１／Ｔとの中間である中間周期長ＭａｉｎＰｅｒｉｏｄ＝（１／Ｂ＋１／Ｔ）／２は、６μｍ以上３３μｍ以下の範囲内であることが好ましい。ＭａｉｎＰｅｒｉｏｄは、バンドパスフィルタに与える空間周波数範囲上限値Ｔに対応する周期長（１÷Ｔ）μｍと空間周波数範囲下限値Ｂに対応する周期長（１÷Ｂ）μｍとの平均値に相当する。ＭａｉｎＰｅｒｉｏｄが３３μｍを上回る場合には、透明基材上への凹凸形状の加工において、空間周波数が０．１０μｍ^-1より低い微細凹凸表面形状が形成されにくく、防眩性を効果的に発現できない。また、ＭａｉｎＰｅｒｉｏｄが６μｍを下回る場合には、透明基材上への凹凸形状の加工において、空間周波数が０．０１μｍ^-1を下回る微細凹凸表面形状が形成される可能性があり、その結果、高精細の画像表示装置に適用したとき（たとえば、得られた防眩フィルムを高精細の画像表示装置の表面に配置したとき）にギラツキが発生する可能性がある。

上述のように、ハイパスフィルタまたはバンドパスフィルタ等のフィルタを適用する主な目的は、最終的に凹凸形状を加工するために用いられるパターン（たとえば後述する第２、第３または第４のパターン）において、空間周波数範囲下限値Ｂ’またはＢより低い空間周波数からなる低空間周波数成分を除去または低減することにある。

（３）第２のパターンの生成
次に、ハイパスフィルタまたはバンドパスフィルタに対応する操作を施すことによって得られた空間周波数の情報を、逆離散フーリエ変換（ＩＤＦＴ）により二次元配列に変換し、この二次元配列に基づき、第２のパターンを生成する。ＩＤＦＴアルゴリズムとしては、上記ＤＦＴと同様、一般的に知られているアルゴリズムを使用することができる。第２のパターンは、８ビット、１６ビット、３２ビット、６４ビットなど、各種のビット深度を持つことができる。

図１６は、図１に示される第１のパターンにバンドパスフィルタを適用して作成された第２のパターンの一例を示す拡大図である。図１６も図１同様、１２８００ｄｐｉの画像データである。バンドパスフィルタに与えた空間周波数範囲下限値Ｂおよび空間周波数範囲上限値Ｔはそれぞれ、０．０４３μｍ^-1、０．０５９μｍ^-1である。また、２×（Ｔ−Ｂ）／（Ｔ＋Ｂ）は０．３０である。

なお、第２のパターンを生成する際には、ＩＤＦＴによって得られた二次元配列の最大値と最小値が、生成する第２のパターンのビット深度によって規定される最大値・最小値にそれぞれに対応するように換算して代入してもよい。すなわち、ＩＤＦＴにより計算された二次元配列要素の最大値をＩｍａｘ、最小値をＩｍｉｎとすると、要素の値Ｉｘを８ビット（０−２５５）のパターンに変換する場合、パターンの各画素に代入される値は、２５５×（Ｉｘ−Ｉｍｉｎ）÷（Ｉｍａｘ−Ｉｍｉｎ）で計算される。上記図１６の画像データは、このような換算を行なって得られたものである。

以上、ＤＦＴを用いたハイパスフィルタまたはバンドパスフィルタの適用により第２のパターンを作成する方法の例を述べたが、これ以外の方法によっても第２のパターンを作成することが可能である。たとえば、第１のパターンとして開口が配置されたプレートを用い、これに光学的な手法でフーリエ変換を行なうことによっても第２のパターンを得ることができる。具体的に説明すると、焦点を一致させた２枚のレンズからなる空間周波数フィルタリング光学系を用意し、第１のパターンを１枚目のレンズの焦点面に配置する。このとき、２枚のレンズの焦点が一致する面（フーリエ面）に、画像の空間周波数分布が得られる。このフーリエ面において、光の透過率を空間的に変化させることにより、所望する範囲の空間周波数を透過させることができる。

フィルタリングされた出力画像は、２枚目のレンズのフーリエ面の反対側の焦点面に得られる。たとえば、開口の中心部のみがフーリエ面に透過するようにプレートを配置すると、上記画像の低空間周波数成分のみが出力画像として得られる。逆に、開口の中心部を遮光すると、高空間周波数成分のみが出力画像として得られる。したがって、フーリエ面において中心部分とその周辺部分を遮光することにより、２枚目のレンズの反対側の焦点面に、目的とする空間周波数分布を有する第２のパターンを得ることができる。

（離散化された情報への変換および第３のパターンの作成）
本発明では、上記のようにして得られた第２のパターンから、離散化された情報に変換されたパターンを作成することが好ましい。離散化された情報に変換されたパターンとすることにより、凹凸形状を加工するために用いられる加工装置に好ましく適用されるパターンとすることができる。たとえば、後述する透明基材上に凹凸形状を加工する工程がレーザー描画装置等を用いたレジストワークやＮＣ加工（Ｎｕｍｅｒｉｃａｌ Ｃｏｎｔｒｏｌ Ｍａｃｈｉｎｉｎｇ）を含む場合、これらに用いられるパターンは、二値化など多値化されていることが好ましい。特に、後述する透明基材上に凹凸形状を加工する工程がレーザー描画装置等を用いたレジストワークを含む場合、第２のパターンは、２段階に離散化された情報に変換する、すなわち、二値化されたパターンに変換することが好ましい。これは、レーザーが照射されるか否かの二値によって、レジストパターンが生成されるためである。第２のパターンを二値化することにより、レーザー描画装置等に適用可能な画像を生成することができる。

「離散化された情報」とは、一般にはデジタルデータとも呼称され、コンピュータ上で扱われる情報は、ほとんどの場合、離散化された情報である。離散化された情報の例としては、ビットマップデータ等のコンピュータ上で取り扱うことのできる画像データ；および、１２８ビット、６４ビット、３２ビット、１６ビット等の各種ビット深度を有する浮動小数点数、または符号あり、もしくは符号なし整数などが挙げられる。

「離散化された情報への変換」とは、連続関数を離散表現に変換すること、アナログデータをデジタルデータに変換すること、または、より多くの段階数で表現されている離散化されている情報を、より少ない段階数で表現された情報に変換することを意味し、デジタル信号をより少ないビット深度で表現されるデジタル信号に変換することを含む。離散化された情報への変換の例としては、たとえば、連続関数である余弦関数を離散的に表現すること、および、より段階数の多い３２ビット浮動小数点で表現された情報を、より段階数の少ない８ビット整数に変換することなどが挙げられる。

本発明においては、ハイパスフィルタまたはバンドパスフィルタの適用によって得られる第２のパターンは連続性が高いことから、多値化されたパターン、とりわけ二値化されたパターンを得る際においては、特定の条件でハイパスフィルタまたはバンドパスフィルタを適用し、得られた第２のパターンを多値化するか、もしくは、特定の方法で第２のパターンを多値化することが好ましい。以下、本発明において好ましく用いられる多値化方法を、例を示して説明する。

（１）閾値法による二値化
バンドパスフィルタの適用により得られた第２のパターンを二値化する方法としては、閾値法を好ましく用いることができる。閾値法とは、グレイスケールインデックス（明度値）に特定の閾値を設定し、閾値を超えるピクセル（画素）については白（または黒）を与え、閾値以下のピクセルについては黒（または白）を与えることにより、二値化を行なう手法である。

バンドパスフィルタの適用により得られた第２のパターンの閾値法による二値化にあたっては、バンドパスフィルタに与える空間周波数範囲下限値Ｂおよび空間周波数範囲上限値Ｔは、下記式（１）：
０．２０ ＜ ２×（Ｔ−Ｂ）／（Ｔ＋Ｂ） ＜ ０．８０ （１）
を満たすことが好ましく、下記式（２）：
０．３０ ≦ ２×（Ｔ−Ｂ）／（Ｔ＋Ｂ） ≦ ０．７０ （２）
を満たすことがより好ましい。上記式（１）および（２）における２×（Ｔ−Ｂ）／（Ｔ＋Ｂ）は、上記バンドパスフィルタによって抽出された、第２のパターンが有する空間周波数の範囲の指標となる数値である。すなわち、２×（Ｔ−Ｂ）／（Ｔ＋Ｂ）が大きいほど、第２のパターンが有する空間周波数範囲は広く、小さいほど、第２のパターンが有する空間周波数範囲は狭い。

図１７は、２×（Ｔ−Ｂ）／（Ｔ＋Ｂ）の値と、バンドパスフィルタの適用により得られた第２のパターンを閾値法によって二値化して得られるパターンの自己相関係数最大値との関係を示す図である。自己相関係数最大値とは、自己相関係数の最大値を意味する。自己相関係数は、ウィーナー・ヒンチンの定理に基づき、第２のパターンを二次元フーリエ変換により空間周波数領域における二次元配列に変換した後、各要素の係数を二乗し、さらにこれに逆フーリエ変換を施すことにより得られる。自己相関係数最大値は、自身の平行移動に関する自己相関の強さを示す指標となる数値である。したがって、自己相関係数最大値が高いほど、透明基材上に加工される凹凸形状において、似たような凹凸形状が連続しやすくなり、凹凸形状の周期長が短いにも関わらず、目視において特異な周期性が感じられやすいものとなる。なお、図１７に示される自己相関係数最大値は、移動距離が２０μｍ以上の範囲における自己相関係数最大値である。

図１７に示されるように、自己相関係数最大値は、２×（Ｔ−Ｂ）／（Ｔ＋Ｂ）が０．２０以下のときに極端に増加する一方、２×（Ｔ−Ｂ）／（Ｔ＋Ｂ）が０．３０以上である場合においては、比較的低い値を維持することがわかる。したがって、透明基材上に特異な周期性が感じられない凹凸形状を形成するためには、２×（Ｔ−Ｂ）／（Ｔ＋Ｂ）の値は、０．２０より大きいこと好ましく、０．３０以上であることがより好ましい。

一方、第２のパターンが有する空間周波数範囲が広くなるほど、周期長の異なる多数の成分が足し合わされることによって、第２のパターンに対して閾値法による二値化処理を行なったときに孤立した小ドットが生成されやすくなるという傾向が、検討の結果明らかとなった。図１８は、２×（Ｔ−Ｂ）／（Ｔ＋Ｂ）の値と、バンドパスフィルタの適用により得られた第２のパターンを閾値法によって二値化して得られるパターンの孤立小ドットの発生個数との関係を示す図である。図１８において、「発生個数」とは、第２のパターンに対して閾値法による二値化処理を施すことによって得られる画像において、中心空間周波数を０．０５μｍ^-1、透明基材上に凹凸形状を加工する際に使用する加工装置（レーザー描画装置等）の分解能Ｄを２μｍとしたとき、連続する露光範囲の一辺の長さが分解能２×Ｄμｍ以下となる孤立した小ドットの発生個数を意味している。これらの連続する要素数が少ない孤立した小ドットの存在は、十分な加工再現性を妨げ得る。なお、中心空間周波数とは、上記したＭａｉｎＰｅｒｉｏｄの逆数である。

図１８に示されるように、孤立した小ドットの発生個数は、２×（Ｔ−Ｂ）／（Ｔ＋Ｂ）が０．８０以上の範囲である場合において、その値が大きくなるほど、急激に増加する傾向が見られる一方、２×（Ｔ−Ｂ）／（Ｔ＋Ｂ）が０．７０以下である場合においては、比較的低い値を維持することがわかる。したがって、凹凸形状の加工再現性を良好なものとするためには、２×（Ｔ−Ｂ）／（Ｔ＋Ｂ）の値は、０．８０未満であるがこと好ましく、０．７０以下であることがより好ましい。

以上より、加工再現性が良好で、かつ特異な周期性が感じられない凹凸形状を形成するためには、空間周波数範囲下限値Ｂおよび空間周波数範囲上限値Ｔは、上記式（１）を満たすことが好ましく、上記式（２）を満たすことがより好ましい。上記式（１）を満たす、好ましくは上記式（２）を満たすバンドパスフィルタの適用により、後述するモンテカルロ法を用いた孤立ドットの低減処理を必ずしも行なうことなく、閾値法による二値化によって、加工再現性が良好なパターンを得ることが可能となる。

なお、バンドパスフィルタを適用した後の、空間周波数範囲下限値Ｂから空間周波数範囲上限値Ｔの範囲の空間周波数分布に対し、第１のパターンの空間周波数分布の場合と同様に、振幅強度が好ましくは一定となるよう、振幅強度を増減させる処理を施してもよい。滑らかに空間周波数成分の振幅強度を変化させることにより、より滑らかな凹凸形状を得ることができるようになる。

ここで、レジストワークにおいては、露光領域の比率が３０％〜７０％の範囲にあるとき、エッチングや現像への適性が良好となる。さらに好ましくは４０％〜６０％の範囲である。第２のパターンを閾値法により二値化したパターンがこの条件を満たすためには、閾値を適切に設定する必要がある。これは、得られた第２のパターンの各画素について頻度分布を解析し、累積度数が目標の比率となる値を閾値として二値化することで達成できる。具体的には、たとえば次のとおりである。

図１９は、図１６に示される画像データについてグレイスケールインデックスのヒストグラムを解析することにより得られたグレイスケールインデックスの累積率の分布を示す図である。図１９に示される累積率分布によると、グレイスケールインデックス１２５以下の画素数が４０％であることがわかる。図２０は、この累積率分布の解析結果を考慮し、グレイスケールインデックス１２５を閾値として、図１６に示される画像データを閾値法により二値化することにより得られたパターンの拡大図である。図２０に示される二値化された第２のパターンにおいて、黒で表示した部分（露光領域に相当する）の充填率は、グレイスケールインデックス１２５を閾値としたことにより、４０％となっている。図２１に、図２０に示される二値化された第２のパターンより得られる二次元配列を高速フーリエ変換（ＦＦＴ）により空間周波数領域に変換して得られる空間周波数分布を示す。図２１に示されるように、図２０に示される二値化された第２のパターンは、ギラツキの発生に関与する低空間周波数成分が低減され、かつ、加工再現性を低下させる高空間周波数成分も低減された空間周波数分布を有していることから、図２０に示される二値化された第２のパターンを用いて透明基材上に凹凸形状を加工することにより、優れた防眩性能、ギラツキ低減および加工適性が期待される。

（２）ディザリング法による多値化
ハイパスフィルタまたはバンドパスフィルタの適用により得られた第２のパターンを二値化など多値化する方法としては、ディザリング法を好ましく用いることができる。この場合、第２のパターンにディザリング法を適用して得られる第３のパターンを用いて、透明基材上に凹凸形状を加工する。ディザリング法は、アナログデータのデジタルデータへの変換、あるいはデジタルデータのビットレートやビット深度を変換するための手法の一つであり、デジタル信号処理の一手法として位置づけることができる。方形確率密度関数や三角形確率密度関数などのランダムな信号を付与することで、信号を離散化する際の誤差の偏りを低減させる手法、あるいは、パターンディザ法、誤差拡散法など各種の手法が知られている。

上記のなかでも、本発明においては、モアレや干渉による着色の原因となる繰り返し模様が発生しにくく、また、局所的な平均明度の変動を抑制する効果が期待でき、さらに、マトリクスの最適化により、加工が困難な細かい模様の発生を抑制できる可能性があることから、ディザリング法として誤差拡散法を用いることが好ましい。誤差拡散法は、離散化する際に生じる誤差を周辺に拡散させることを特徴とする。

誤差拡散法のアルゴリズムの概要を、８ビット２５６階調のグレースケールビットマップを１ビット２階調の白黒ビットマップに変換する場合を例に挙げて説明する。今、変換対象のピクセル（画素）が有する明度値が６４であったとする。この画素を１ビット２階調の白黒ビットマップに変換する場合、８ビットでは明度値２５５と表現される白、もしくは明度値０で表現される黒に変換する必要がある。通常はより近い値に変換することになる。したがって、明度値が６４である画素は、２５５よりも０に近いため、０に対応する値（すなわち黒）に変換される。この際、変換によって、８ビット階調の画像と比較すると、変換された後の画像では−６４の明度値誤差が生じる。これは、画像の明度の総和が６４だけ減少したことを意味する。誤差拡散法では、生じた−６４の明度値誤差を相殺するように、事前に決定された重みに従って、周囲の画素の明度値を変更する。このような操作をすべての画素について繰り返すことにより二値化が行なわれる。

重みの付け方については、画像処理の分野においていくつか好ましいとされるマトリクスが知られている。たとえば、Ｆｌｏｙｄ ＆ Ｓｔｅｉｎｂｅｒｇ；Ｊａｒｖｉｓ，Ｊｕｄｉｓ ａｎｄ Ｎｉｎｋ；Ｓｔｕｃｋｉ；Ｂｕｒｋｓ；Ｓｔｅｖｅｎｓｏｎ ＆ Ａｒｃｈｅ；Ｓｉｅｒｒａ ３ Ｌｉｎｅ；Ｓｉｅｒｒａ ２ Ｌｉｎｅ；Ｓｉｅｒｒａ Ｆｉｌｔｅｒ Ｌｉｔｅなどが好ましい重み付けを有するマトリクスとして知られている。

図２２は、上記例示されたマトリクスにおける変換誤差の拡散の重み付けを説明するための図である。マトリクスの一例として、Ｆｌｏｙｄ ＆ Ｓｔｅｉｎｂｅｒｇを例に挙げて説明すると、ピクセルＡは、変換対象のピクセルである。上記の例のように、ピクセルＡの変換（明度値６４から０への変換）により、変換された後の画像に−６４の明度値誤差が生じた場合、この明度値誤差を相殺するように、隣接する４つのピクセルの明度値を、７：１：５：３の重み付けで変更する。すなわち、隣接する４つのピクセルの明度値をそれぞれ、（７／１６）×６４、（１／１６）×６４、（５／１６）×６４、（３／１６）×６４だけ増加させる。なお、斜線のハッチングが付されたピクセルＢは、二値化処理が完了したピクセルを示している。また、「０」と記載されたピクセルは、誤差を拡散させない重みがゼロのピクセルである。

バンドパスフィルタの適用により得られた第２のパターンに対して、図２２に示されるマトリクスに従う誤差拡散法を適用して得られた第３のパターンの例を図２３〜３０に示す。図２３〜３０に示される第３のパターンはいずれも、８ビットグレースケールイメージとして得られた図３１に示される第２のパターンから作成したものであり、１ビットの白黒画像データからなる。より具体的に説明すると、図２３〜３０に示される第３のパターンは、１２８００ｄｐｉの解像度で１．０２４ｍｍ四方の８ビットのビットマップイメージをＫｎｕｔｈの乱数ジェネレータ減算アルゴリズムにより生成された０から１の値を有する擬似乱数列を用いて作成した第１のパターンに対し、空間周波数範囲下限値Ｂおよび空間周波数範囲上限値Ｔが下記式（Ｉ）および（ＩＩ）：
Ｂ＝１／（ＭａｉｎＰｅｒｉｏｄ＊（１＋ＢａｎｄＷｉｄｔｈ／１００）） （Ｉ）
Ｔ＝１／（ＭａｉｎＰｅｒｉｏｄ＊（１−ＢａｎｄＷｉｄｔｈ／１００）） （ＩＩ）
であり、透過帯域ピークの形状が矩形型であるバンドパスフィルタを適用することによって得られた図３１に示される第２のパターンを、各種マトリクスを用いた誤差拡散法によって二値化したものである。ＭａｉｎＰｅｒｉｏｄ＝１２（μｍ）、ＢａｎｄＷｉｄｔｈ＝２０（％）とした。なお、図２３〜３０は、画像の特徴を把握しやすくするため、生成された第３のパターンから一部を拡大して示したものである。

図３２は、図２３〜３０に示される、各種マトリクスに従う誤差拡散法により二値化された第３のパターンの空間周波数分布と、閾値法により二値化されたパターンの空間周波数分布とを比較する図である。図３２に示されるように、閾値法により二値化を行なう場合、得られるパターンは、低空間周波数領域において比較的高い振幅強度を示す。一方、誤差拡散法を適用した場合、いずれのマトリクスを採用した場合においても、低空間周波数成分をより低減させることができる。したがって、誤差拡散法の適用により、ギラツキがより効果的に抑制された防眩処理および防眩フィルムを実現することが可能となる。なお、図３２における閾値法により二値化されたパターンは、図３１に示される第２のパターンに対し、中間値１２７を閾値として、これよりも大きい値を白、これ以下の値を黒とする二値化により作成したものである。

このように、図２２に示されるような一般に知られている誤差拡散マトリクスに従う誤差拡散法の適用により、良好な空間周波数特性を有する第３のパターンを得ることができる。しかし、これらの誤差拡散マトリクスに従って二値化された第３のパターンを作成する方法は、同色のピクセルが一定数以上の集団として存在していない孤立したピクセル（以下、「孤立ドット」という。この孤立ドットは、上記した「孤立した小ドット」と概念的に類似するが、後述するようにその定義が異なる。）を多く発生させる傾向にある。ここで、「孤立ドット」とは、二値化されたパターンに存在する、１６個以下の連続した同色のピクセル（画素）からなる塊（島）をいう。第３のパターンが多くの孤立ドットを有する場合、１辺が４ピクセル以下の塊（島）が存在し得ることとなり、たとえばＣＴＰ法やウェットエッチングを含むプロセスまたは旋盤加工等の当該パターンを用いた凹凸加工に極めて高い精度が要求され、加工再現性が妨げられる場合がある。

図３３は、一般に知られている誤差拡散マトリクスに従う誤差拡散法の適用により第３のパターンを作成したときに発生する孤立ドットの発生個数を、閾値法により作成した場合と比較する図である。図示された数値は、閾値法により二値化されたパターンを作成したときに発生する孤立ドットの発生個数に対する比を示している。図３３に示されるように、孤立ドットの発生頻度が最も少ないＳｔｅｖｅｎｓｏｎ ＆ Ａｒｃｈｅのマトリクスでも、発生個数は閾値法の２７倍であり、Ｆｌｏｙｄ ＆ Ｓｔｅｉｎｂｅｒｇのマトリクスを用いた場合には１５５倍にも達する。

本発明者らは鋭意検討した結果、孤立ドットの発生個数を抑制するためには、誤差拡散マトリクスとして、短距離の誤差拡散を含まないマトリクスを用いることが好ましいことを見出した。

図３４〜４２は、それぞれ拡散距離が１、２、３、４、５、６、３＋４、４＋５および３＋４＋５である誤差拡散マトリクスの例を示す図である。これらの図は、図２２と同様、変換誤差の拡散の重み付けを示したものである。拡散距離とは、変換対象のピクセル（ピクセルＡ）の白または黒への変換によって生じた明度値誤差を相殺するために、明度値を変更するピクセルと変換対象のピクセルとの距離をいい、「拡散距離１」とは、明度値を変更するピクセルと変換対象のピクセルとが隣接していることを意味する（図３４参照）。「拡散距離２」とは、変換対象のピクセルから数えて２つ目のピクセルを、明度値を変更するピクセルとする（明度値を変更するピクセルと変換対象のピクセルとの間に１つのピクセルが介在する）ことを意味する（図３５参照）。３以上の拡散距離についても同様である。また、図４０の「拡散距離３＋４のマトリクス」とは、図３６に示される「拡散距離３のマトリクス」と図３７に示される「拡散距離４のマトリクス」の合成である。図４１および４２についても同様である。

また、図３４〜４２に示されるマトリクスに従う誤差拡散法の適用により得られる第３のパターンの例をそれぞれ図４３〜５１に示す。用いた第２のパターンは図３１に示されるパターンである。なお、図４３〜５１は、画像の特徴を把握しやすくするため、生成された第３のパターンから一部を拡大して示したものである。さらに、図５２は、図３４〜４２に示される誤差拡散マトリクスに従う誤差拡散法の適用により第３のパターンを作成したときに発生する孤立ドットの発生個数を、閾値法により作成した場合と比較する図である。図示された数値は、閾値法により二値化されたパターンを作成したときに発生する孤立ドットの発生個数に対する比を示している。

図５２に示されるように、誤差拡散距離が１の場合には、閾値法と比較して２４７倍に達する個数の孤立ドットが発生するが、誤差拡散距離を大きく設定するに従い、発生個数が減少することが分かる。特に誤差拡散距離が１を超える場合、急激に孤立ドットの数が減少することがわかる。図５２に示される結果から、孤立ドットの発生をより効果的に抑制するためには、誤差拡散距離は、１を超える（すなわち、１ピクセルを超える範囲に変換誤差を拡散させる、以下同様）ことが好ましく、２以上であることがより好ましく、３以上であることがさらに好ましい。また、誤差拡散距離の上限は特に制限されないが、たとえば６以下である。なかでも、３以上の誤差拡散距離を持つマトリクスを用いて作成したパターンは、加工範囲の幅が広く、良好な加工適性が期待される。

図５３は、図３４〜４２に示される誤差拡散マトリクスに従う誤差拡散法により二値化された図４３〜５１の第３のパターンの空間周波数分布と、閾値法により二値化されたパターンの空間周波数分布とを比較する図である。この閾値法により二値化されたパターンは、図３２のものと同じである。図５３から、いずれの誤差拡散マトリクスを用いた場合でも、閾値法と比べ、低空間周波数成分の振幅を低減できることがわかる。

（第４のパターンの作成）
閾値法もしくはディザリング法によって２段階に離散化された情報に変換された（二値化された）パターンは、孤立ドットを多く含む場合がある。このような場合、第３のパターン等の二値化されたパターンに対して、孤立ドットを減少させる操作をさらに施し、第４のパターンを作成してもよい。この場合、得られる第４のパターンを用いて、透明基材上に凹凸形状を加工する。孤立ドットを減少させる操作を施すことにより、より加工再現性良く透明基材上に凹凸形状を付与することができる。第４のパターンの作成に用いる二値化されたパターンは、閾値法によって二値化されたものであってもよいし、誤差拡散法等のディザリング法によって二値化されたものであってもよい。ただし、上述のように、上記式（１）を満たす、好ましくは上記式（２）を満たすバンドパスフィルタの適用により第２のパターンを作成する場合には、このような孤立ドットの低減処理は必ずしも必要ではない。

上記孤立ドットを減少させる操作としては、モンテカルロ法により、第３のパターン等の二値化されたパターンに存在する孤立ドットである黒または白のピクセルを同色の塊（島）まで移動させる手法を好ましく用いることができる。モンテカルロ法は、乱数に基づいてシミュレーションを行なう手法の総称である。孤立ドットの処理方法としては、単純に孤立しているドットを削除する方法が最も単純である。しかし、画像処理においてこのような単純な方法を用いると局所的に平均的な明度の値が変化する場合があり、これは、低空間周波数成分の増大に繋がる。モンテカルロ法は、局所的にも平均的な明度に影響を与えることなく、孤立ドットを処理する有効な手法である。以下、モンテカルロ法による孤立ドットの処理方法の具体例を、図５４を参照して説明する。

まず、対象画素（ピクセル）が「孤立ドット」であるか否かを判定する。ここで説明する具体例における「孤立ドット」とは、上記した定義と異なり、周囲の最近接８画素のうち、対象画素と同じ段階にある（同色の）画素の個数が２個以下のものと定義される。たとえば、対象画素が黒である場合、最近接８画素のうち、黒画素の個数が２個以下であれば、孤立ドットと判定される。白画素についても同様である。次に、孤立ドットと判定された画素を、空いている最近接画素のうち、乱数で選択された画素に移動させる。

たとえば、図５４（ａ）においては、対象画素が黒である場合、最近接８画素のうち１画素のみが黒であるため孤立ドットと判定され、対象画素は、空いている最近接７画素のうち、乱数で選択された画素に移動される。また、図５４（ｂ）においては、対象画素が黒である場合、最近接８画素のうち２画素が黒であるため孤立ドットと判定され、対象画素は、空いている最近接６画素のうち、乱数で選択された画素に移動される。図５４（ｃ）においては、対象画素が黒である場合、最近接８画素のうち３画素が黒であるため、孤立ドットと判定されず、移動させない。

以上のようなモンテカルロ法による操作を繰り返し行なうことにより、孤立ドットを効果的に減少させることができる。モンテカルロ法による操作を、たとえば１０〜６０回程度繰り返すと、バンドパスフィルタを透過した空間周波数成分の空間周波数の値が、周期長に換算して３ピクセルから６ピクセルの間の時、孤立ドットがほとんど検出されない、良好な加工適性が期待されるパターンを得ることができる。

図５５（ａ）〜（ｆ）は、モンテカルロ法適用回数による第４のパターンの変化を示す図である。図５５（ａ）〜（ｆ）に示されるパターンは、図４７に示される第３のパターン（拡散距離５）に対して、モンテカルロ法をそれぞれ、０、４、８、２０、４０および６０回適用して孤立ドットを処理して得られたものである。また、図５６は、モンテカルロ法適用回数と孤立ドットの発生個数との関係を示す図である。図５６における孤立ドット発生個数比は、図３３および図５２と同様、図３１に示される第２のパターンから閾値法により二値化されたパターンを作成したときに発生する孤立ドットの発生個数に対する比である。このように、繰り返しモンテカルロ法を適用することにより、孤立ドットの低減が可能であり、より優れた加工適性が期待される第４のパターンを作成することができる。

上記した第４のパターンの作成例は、第２のパターンとして、第１のパターンに対しバンドパスフィルタを適用して作成したものを用いたものであるが、ハイパスフィルタを適用して作成した第２のパターンを用いる場合であっても、バンドパスフィルタの場合と同様に、二値化および孤立ドットの低減処理により、低空間周波数成分が低減され、加工適性に優れる第４のパターンを得ることができる。

以上に示される透明基材上に凹凸形状を加工するために用いられるパターンの作成方法のうち、第２のパターンに対してディザリング法（なかでも誤差拡散法）を適用して第３のパターンを作成し、これにモンテカルロ法を適用して第４のパターンを作成する方法は、第２のパターンを作成する際、上記式（１）を満たすバンドパスフィルタを適用しない場合においても、低空間周波数成分および孤立ドットが低減されたパターンを得ることが可能であることから、好ましい実施形態の１つである。

（パターンを用いた凹凸形状の加工）
本工程では、上記のようにして得られたパターンのいずれか（第２のパターンあるいはこれを閾値法により２段階に離散化された情報に変換された（二値化された）パターン、第３のパターンまたは第４のパターン）を用いて、透明基材上に凹凸形状を加工し、透明基材に防眩性を付与する。透明基材上に凹凸形状を加工する際に用いる加工装置は、従来公知の装置であってよく、たとえば、レーザー描画装置、レーザー加工装置、精密旋盤などを用いることができる。レーザー加工装置としては、たとえば、レーザーマーカ、レーザー彫刻機、レーザー加工機などとして販売されている各種加工装置を用いることができる。

透明基材上への凹凸形状の加工は、上記したパターンが有する離散化された情報に基づいて加工を行なう加工装置を用いて行なわれることが好ましい。離散化された情報に基づいて加工を行なう加工装置としては、具体的には、精密旋盤、自動彫刻装置、レーザー加工装置、レーザー描画装置などの各種ＮＣ加工装置を挙げることができる。加工装置として、たとえばレーザー描画装置等を用いる場合、離散化された情報は、好ましくは２段階に離散化された情報である。

また、凹凸加工に用いるパターンが、離散化された情報の二次元配列からなる場合、当該二次元配列に格納される値に基づいて行なう凹凸の加工においては、加工装置の特性に応じてこれらの値を変換し、加工に用いることができる。たとえば、レーザー加工機やレーザー彫刻機の場合には、レーザー照射回数に読み替えてもよい。精密旋盤のようなバイトの深さを制御する加工装置の場合には、バイト押し込み量に対応する量に変換してもよい。

透明基材としては、光学的に透明な材料からなる部材である限り特に制限されず、たとえば、紫外線硬化型樹脂等の硬化性樹脂、熱可塑性樹脂などの樹脂材料からなる部材のほか、ガラス基板などであってもよい。たとえば、画像表示装置の最表面に備えられたガラス基板等の透明基材の表面に直接、本発明の防眩処理を施すことにより、画像表示装置に防眩処理を施すことが可能であり、これにより、優れた防眩性能を示しながら、白ちゃけおよびギラツキが効果的に抑制された画像表示装置を得ることができる。また、透明基材として樹脂フィルムを用い、本発明の方法により、該樹脂フィルム上に凹凸形状を加工することにより防眩フィルムを得ることができる。本発明の方法により得られる防眩フィルムを画像表示装置の表面に配置することにより、優れた防眩性能を示しながら、白ちゃけおよびギラツキが効果的に抑制された画像表示装置を得ることができる。

本発明の透明基材の防眩処理方法および防眩フィルムの製造方法においては、透明基材上に微細凹凸表面形状をより精度良く、かつより加工再現性よく製造することができ、生産性にも優れることから、上記パターンのいずれか（第２のパターンあるいはこれを閾値法により２段階に離散化された情報に変換された（二値化された）パターン、第３のパターンまたは第４のパターン）を用いて、凹凸面（微細凹凸表面形状）を有する金型を作製し、製造された金型の凹凸面を透明基材上に転写する工程を含むことが好ましい。凹凸面が転写された透明基材を金型から剥がすことにより、微細凹凸表面形状が形成された透明基材（防眩フィルムを含む）を得ることができる。

金型形状の透明基材への転写は、エンボス法により行なうことが好ましい。エンボス法としては、光硬化性樹脂を用いるＵＶエンボス法、熱可塑性樹脂を用いるホットエンボス法が例示され、中でも、生産性の観点から、ＵＶエンボス法が好ましい。

ＵＶエンボス法は、透明基材の表面に光硬化性樹脂層を形成し、その光硬化性樹脂層を金型の凹凸面に押し付けながら硬化させることで、金型の凹凸面が光硬化性樹脂層に転写される方法である。具体的には、透明基材上に紫外線硬化型樹脂を塗工し、塗工した紫外線硬化型樹脂を金型の凹凸面に密着させた状態で透明基材側から紫外線を照射して紫外線硬化型樹脂を硬化させ、その後金型から、硬化後の紫外線硬化型樹脂層が形成された透明基材を剥離することにより、金型の形状を紫外線硬化型樹脂に転写する。

ＵＶエンボス法を用いる場合、透明基材としては、実質的に光学的に透明なフィルムであればよく、たとえばトリアセチルセルロースフィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリメチルメタクリレートフィルム、ポリカーボネートフィルム、ノルボルネン系化合物をモノマーとする非晶性環状ポリオレフィンなどの熱可塑性樹脂の溶剤キャストフィルムや押出フィルムなどの樹脂フィルムが挙げられる。

またＵＶエンボス法を用いる場合における紫外線硬化型樹脂の種類は特に限定されず、市販の適宜のものを用いることができる。また、紫外線硬化型樹脂に適宜選択された光開始剤を組み合わせて、紫外線より波長の長い可視光でも硬化が可能な樹脂を用いることも可能である。具体的には、トリメチロールプロパントリアクリレート、ペンタエリスリトールテトラアクリレートなどの多官能アクリレートをそれぞれ単独で、あるいはそれら２種以上を混合して用い、それと、イルガキュアー９０７（チバ・スペシャルティー・ケミカルズ社製）、イルガキュアー１８４（チバ・スペシャルティー・ケミカルズ社製）、ルシリンＴＰＯ（ＢＡＳＦ社製）などの光重合開始剤とを混合したものを好適に用いることができる。

一方、ホットエンボス法は、熱可塑性樹脂からなる透明基材を加熱状態で金型に押し付け、金型の表面凹凸形状を透明支持体に転写する方法である。ホットエンボス法に用いる透明基材としては、実質的に透明なものであればいかなるものであってもよく、たとえば、ポリメチルメタクリレート、ポリカーボネート、ポリエチレンテレフタレート、トリアセチルセルロース、ノルボルネン系化合物をモノマーとする非晶性環状ポリオレフィンなどの熱可塑性樹脂の溶剤キャストフィルムや押出フィルムなどを用いることができる。これらの透明樹脂フィルムはまた、上で説明したＵＶエンボス法における紫外線硬化型樹脂を塗工するための透明基材としても好適に用いることができるものである。

＜金型の製造方法＞
以下では、本発明の防眩処理方法および防眩フィルムの製造方法に好適に用いることができる金型の製造方法について説明する。図５７は、本発明の金型の製造方法の前半部分の好ましい一例を模式的に示す図である。図５７には、各工程での金型の断面を模式的に示している。本発明の金型の製造方法は、〔１〕第１めっき工程と、〔２〕研磨工程と、〔３〕感光性樹脂膜形成工程と、〔４〕露光工程と、〔５〕現像工程と、〔６〕第１エッチング工程と、〔７〕感光性樹脂膜剥離工程と、〔８〕第２めっき工程を基本的に含む。以下、図５７を参照しながら、本発明の金型の製造方法の各工程について詳細に説明する。

〔１〕第１めっき工程
本発明の金型の製造方法ではまず、金型に用いる基材の表面に、銅めっきまたはニッケルめっきを施す。このように、金型用基材の表面に銅めっきまたはニッケルめっきを施すことにより、後の第２めっき工程におけるクロムめっきの密着性や光沢性を向上させることができる。すなわち、背景技術として上述したように、鉄などの表面にクロムめっきを施した場合、あるいはクロムめっき表面にサンドブラスト法やビーズショット法などで凹凸を形成してから再度クロムめっきを施した場合には、表面が荒れやすく、細かいクラックが生じて、金型の表面の凹凸形状が制御しにくくなる。これに対して、まず、基材表面に銅めっきまたはニッケルめっきを施しておくことにより、このような不都合をなくすことができる。これは、銅めっきまたはニッケルめっきは、被覆性が高く、また平滑化作用が強いことから、金型用基材の微小な凹凸や鬆などを埋めて平坦で光沢のある表面を形成するためである。これらの銅めっきまたはニッケルめっきの特性によって、後述する第２めっき工程においてクロムめっきを施したとしても、基材に存在していた微小な凹凸や鬆に起因すると思われるクロムめっき表面の荒れが解消され、また、銅めっきまたはニッケルめっきの被覆性の高さから、細かいクラックの発生が低減される。

第１めっき工程において用いられる銅またはニッケルとしては、それぞれの純金属であることができるほか、銅を主体とする合金、またはニッケルを主体とする合金であってもよく、したがって、本明細書でいう「銅」は、銅および銅合金を含む意味であり、また「ニッケル」は、ニッケルおよびニッケル合金を含む意味である。銅めっきおよびニッケルめっきは、それぞれ電解めっきで行なっても無電解めっきで行なってもよいが、通常は電解めっきが採用される。

銅めっきまたはニッケルめっきを施す際には、めっき層が余り薄いと、下地表面の影響が排除しきれないことから、その厚みは５０μｍ以上であるのが好ましい。めっき層厚みの上限は臨界的でないが、コストなどに鑑み、めっき層厚みの上限は５００μｍ程度までとすることが好ましい。

本発明の金型の製造方法において、金型用基材の形成に好適に用いられる金属材料としては、コストの観点からアルミニウム、鉄などが挙げられる。取扱いの利便性から、軽量なアルミニウムを用いることがより好ましい。ここでいうアルミニウムや鉄も、それぞれ純金属であることができるほか、アルミニウムまたは鉄を主体とする合金であってもよい。

また、金型用基材の形状は、当該分野において従来採用されている適宜の形状であってよく、たとえば、平板状のほか、円柱状または円筒状のロールであってもよい。ロール状の基材を用いて金型を作製すれば、防眩処理を連続的に行なうことができ、防眩フィルムを連続的なロール状で製造することができるという利点がある。

〔２〕研磨工程
続く研磨工程では、上述した第１めっき工程にて銅めっきまたはニッケルめっきが施された基材表面を研磨する。当該工程を経て、基材表面は、鏡面に近い状態に研磨されることが好ましい。これは、基材となる金属板や金属ロールは、所望の精度にするために、切削や研削などの機械加工が施されていることが多く、それにより基材表面に加工目が残っており、銅めっきまたはニッケルめっきが施された状態でも、それらの加工目が残ることがあるし、また、めっきした状態で、表面が完全に平滑になるとは限らないためである。すなわち、このような深い加工目などが残った表面に後述する工程を施したとしても、各工程を施した後に形成される凹凸よりも加工目などの凹凸の方が深いことがあり、加工目などの影響が残る可能性があり、そのような金型を用いて防眩処理を施したり、防眩フィルムを製造した場合には、光学特性に予期できない影響を及ぼすことがある。図５７（ａ）には、平板状の金型用基材７が、第１めっき工程において銅めっきまたはニッケルめっきをその表面に施され（当該工程で形成した銅めっきまたはニッケルめっきの層については図示せず）、さらに研磨工程によって鏡面研磨された表面８を有するようにされた状態を模式的に示している。

銅めっきまたはニッケルめっきが施された基材表面を研磨する方法については特に制限されるものではなく、機械研磨法、電解研磨法、化学研磨法のいずれも使用できる。機械研磨法としては、超仕上げ法、ラッピング、流体研磨法、バフ研磨法などが例示される。研磨後の表面粗度は、ＪＩＳ Ｂ ０６０１の規定に準拠した中心線平均粗さＲａが０．１μｍ以下であることが好ましく、０．０５μｍ以下であることがより好ましい。研磨後の中心線平均粗さＲａが０．１μｍより大きいと、最終的な金型表面の凹凸形状に研磨後の表面粗度の影響が残る可能性がある。また、中心線平均粗さＲａの下限については特に制限されず、加工時間や加工コストの観点から、おのずと限界があるので、特に指定する必要性はない。

〔３〕感光性樹脂膜形成工程
続く感光性樹脂膜形成工程では、上述した研磨工程によって鏡面研磨を施した金型用基材７の研磨された表面８に、感光性樹脂を溶媒に溶解した溶液として塗布し、加熱・乾燥することにより、感光性樹脂膜を形成する。図５７（ｂ）には、金型用基材７の研磨された表面８に感光性樹脂膜９が形成された状態を模式的に示している。

感光性樹脂としては従来公知の感光性樹脂を用いることができる。感光部分が硬化する性質をもったネガ型の感光性樹脂としては、たとえば、分子中にアクリル基またはメタアクリル基を有するアクリル酸エステルの単量体やプレポリマー、ビスアジドとジエンゴムとの混合物、ポリビニルシンナマート系化合物等を用いることができる。また、現像により感光部分が溶出し、未感光部分だけが残る性質をもったポジ型の感光性樹脂としては、たとえば、フェノール樹脂系やノボラック樹脂系等を用いることができる。また、感光性樹脂には、必要に応じて、増感剤、現像促進剤、密着性改質剤、塗布性改良剤等の各種添加剤を配合してもよい。

これらの感光性樹脂を金型用基材７の研磨された表面８に塗布する際には、良好な塗膜を形成するために、適当な溶媒に希釈して塗布することが好ましい。溶媒としては、セロソルブ系溶媒、プロピレングリコール系溶媒、エステル系溶媒、アルコール系溶媒、ケトン系溶媒、高極性溶媒等を使用することができる。

感光性樹脂溶液を塗布する方法としては、メニスカスコート、ファウンティンコート、ディップコート、回転塗布、ロール塗布、ワイヤーバー塗布、エアーナイフ塗布、ブレード塗布、およびカーテン塗布等の公知の方法を用いることができる。塗布膜の厚さは乾燥後で１〜６μｍの範囲とすることが好ましい。

〔４〕露光工程
続く露光工程では、上述した第１のパターンに、ハイパスフィルタもしくはバンドパスフィルタを適用して作成された第２のパターンあるいはこれを閾値法により２段階に離散化された情報に変換された（二値化された）パターン、第３のパターンまたは第４のパターンを上述した感光性樹脂膜形成工程で形成された感光性樹脂膜９上に露光する。露光工程に用いる光源は、塗布された感光性樹脂の感光波長や感度等に合わせて適宜選択すればよく、たとえば、高圧水銀灯のｇ線（波長：４３６ｎｍ）、高圧水銀灯のｈ線（波長：４０５ｎｍ）、高圧水銀灯のｉ線（波長：３６５ｎｍ）、半導体レーザー（波長：８３０ｎｍ、５３２ｎｍ、４８８ｎｍ、４０５ｎｍ等）、ＹＡＧレーザー（波長：１０６４ｎｍ）、ＫｒＦエキシマーレーザー（波長：２４８ｎｍ）、ＡｒＦエキシマーレーザー（波長：１９３ｎｍ）、Ｆ２エキシマーレーザー（波長：１５７ｎｍ）等を用いることができる。

本発明の金型の製造方法において表面凹凸形状を精度良く形成するためには、露光工程において、上記パターンを感光性樹脂膜上に精密に制御された状態で露光することが好ましい。本発明の金型の製造方法においては、上記パターンを感光性樹脂膜上に精度良く露光するために、コンピュータ上で作成したパターンである画像データまたは離散化された情報の二次元配列に基づいて、コンピュータ制御されたレーザヘッドから発するレーザー光によって、感光性樹脂膜上にパターンを描画することが好ましい。このようなレーザー描画を行なうに際しては印刷版作成用のレーザー描画装置を使用することができる。このようなレーザー描画装置としては、たとえばＬａｓｅｒ Ｓｔｒｅａｍ ＦＸ（（株）シンク・ラボラトリー製）等が挙げられる。

図５７（ｃ）には、感光性樹脂膜９にパターンが露光された状態を模式的に示している。感光性樹脂膜をネガ型の感光性樹脂で形成した場合には、露光された領域１０は露光によって樹脂の架橋反応が進行し、後述する現像液に対する溶解性が低下する。よって、現像工程において露光されていない領域１１が現像液によって溶解され、露光された領域１０のみ基材表面上に残りマスクとなる。一方、感光性樹脂膜をポジ型の感光性樹脂で形成した場合には、露光された領域１０は露光によって樹脂の結合が切断され、後述する現像液に対する溶解性が増加する。よって、現像工程において露光された領域１０が現像液によって溶解され、露光されていない領域１１のみ基材表面上に残りマスクとなる。

〔５〕現像工程
続く現像工程においては、感光性樹脂膜９にネガ型の感光性樹脂を用いた場合には、露光されていない領域１１は現像液によって溶解され、露光された領域１０のみ金型用基材上に残存し、続く第１エッチング工程においてマスクとして作用する。一方、感光性樹脂膜９にポジ型の感光性樹脂を用いた場合には、露光された領域１０のみ現像液によって溶解され、露光されていない領域１１が金型用基材上に残存して、続く第１エッチング工程におけるマスクとして作用する。

現像工程に用いる現像液については従来公知のものを使用することができる。たとえば、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、ケイ酸ナトリウム、メタケイ酸ナトリウム、アンモニア水等の無機アルカリ類、エチルアミン、ｎ−プロピルアミン等の第一アミン類、ジエチルアミン、ジ−ｎ−ブチルアミン等の第二アミン類、トリエチルアミン、メチルジエチルアミン等の第三アミン類、ジメチルエタノールアミン、トリエタノールアミン等のアルコールアミン類、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド、トリメチルヒドロキシエチルアンモニウムヒドロキシド等の第四級アンモニウム塩、ピロール、ピペリジン等の環状アミン類等のアルカリ性水溶液；および、キシレン、トルエン等の有機溶剤等を挙げることができる。

現像工程における現像方法については特に制限されず、浸漬現像、スプレー現像、ブラシ現像、超音波現像等の方法を用いることができる。

図５７（ｄ）には、感光性樹脂膜９にネガ型の感光性樹脂を用いて、現像処理を行なった状態を模式的に示している。図５７（ｃ）において露光されていない領域１１が現像液によって溶解され、露光された領域１０のみ基材表面上に残りマスク１２となる。図５７（ｅ）には、感光性樹脂膜９にポジ型の感光性樹脂を用いて、現像処理を行なった状態を模式的に示している。図５７（ｃ）において露光された領域１０が現像液によって溶解され、露光されていない領域１１のみ基材表面上に残りマスク１２となる。

〔６〕第１エッチング工程
続く第１エッチング工程では、上述した現像工程後に金型用基材表面上に残存した感光性樹脂膜をマスクとして用いて、主にマスクの無い箇所の金型用基材をエッチングし、研磨されためっき面に凹凸を形成する。図５８は、本発明の金型の製造方法の後半部分の好ましい一例を模式的に示す図である。図５８（ａ）には第１エッチング工程によって、主にマスクの無い箇所１３の金型用基材７がエッチングされる状態を模式的に示している。マスク１２の下部の金型用基材７は金型用基材表面からはエッチングされないが、エッチングの進行とともにマスクの無い箇所１３からのエッチングが進行する。よって、マスク１２とマスクの無い箇所１３との境界付近では、マスク１２の下部の金型用基材７もエッチングされる。このようなマスク１２とマスクの無い箇所１３との境界付近において、マスク１２の下部の金型用基材７もエッチングされることを、以下ではサイドエッチングと呼ぶ。図５９に、サイドエッチングの進行を模式的に示した。図５９の点線１４は、エッチングの進行とともに変化する金型用基材の表面を段階に示している。

第１エッチング工程におけるエッチング処理は、通常、塩化第二鉄（ＦｅＣｌ₃）液、塩化第二銅（ＣｕＣｌ₂）液、アルカリエッチング液（Ｃｕ（ＮＨ₃）₄Ｃｌ₂）等を用いて、金属表面を腐食させることによって行なわれるが、塩酸や硫酸などの強酸を用いることもできるし、電解めっき時と逆の電位をかけることによる逆電解エッチングを用いることもできる。エッチング処理を施した際の金型用基材に形成される凹形状は、下地金属の種類、感光性樹脂膜の種類およびエッチング手法等によって異なるため、一概にはいえないが、エッチング量が１０μｍ以下である場合には、エッチング液に触れている金属表面から略等方的にエッチングされる。ここでいうエッチング量とは、エッチングにより削られる基材の厚みである。

第１エッチング工程におけるエッチング量は好ましくは１〜５０μｍである。エッチング量が１μｍ未満である場合には、金属表面に凹凸形状がほとんど形成されずに、ほぼ平坦な金型となってしまうので、防眩性を示さなくなってしまう。また、エッチング量が５０μｍを超える場合には、金属表面に形成される凹凸形状の高低差が大きくなり、得られた金型を使用して作製した防眩フィルムを適用した画像表示装置において白ちゃけが生じる虞がある。第１エッチング工程におけるエッチング処理は１回のエッチング処理によって行なってもよいし、エッチング処理を２回以上に分けて行なってもよい。エッチング処理を２回以上に分けて行なう場合には、２回以上のエッチング処理におけるエッチング量の合計が１〜５０μｍであることが好ましい。

〔７〕感光性樹脂膜剥離工程
続く感光性樹脂膜剥離工程では、第１エッチング工程でマスクとして使用した残存する感光性樹脂膜を完全に溶解し除去する。感光性樹脂膜剥離工程では剥離液を用いて感光性樹脂膜を溶解する。剥離液としては、上述した現像液と同様のものを用いることができて、ｐＨ、温度、濃度および浸漬時間等を変化させることによって、ネガ型の感光性樹脂膜を用いた場合には露光部の、ポジ型の感光性樹脂膜を用いた場合には非露光部の感光性樹脂膜を完全に溶解して除去する。感光性樹脂膜剥離工程における剥離方法についても特に制限されず、浸漬現像、スプレー現像、ブラシ現像、超音波現像等の方法を用いることができる。

図５８（ｂ）は、感光性樹脂膜剥離工程によって、第１エッチング工程でマスク１２として使用した感光性樹脂膜を完全に溶解し除去した状態を模式的に示している。感光性樹脂膜からなるマスク１２を利用したエッチングによって、第１の表面凹凸形状１５が金型用基材表面に形成されている。

〔８〕第２めっき工程
続いて、形成された凹凸面（第１の表面凹凸形状１５）にクロムめっきを施すことによって、表面の凹凸形状を鈍らせる。図５８（ｃ）には、上述したように第１エッチング工程のエッチング処理によって形成された第１の表面凹凸形状１５にクロムめっき層１６を形成することにより、第１の表面凹凸形状１５よりも凹凸が鈍った表面（クロムめっきの表面１７）が形成されている状態が示されている。

本発明では、平板やロールなどの表面に、光沢があって、硬度が高く、摩擦係数が小さく、良好な離型性を与え得るクロムめっきを採用する。クロムめっきの種類は特に制限されないが、いわゆる光沢クロムめっきや装飾用クロムめっきなどと呼ばれる、良好な光沢を発現するクロムめっきを用いることが好ましい。クロムめっきは通常、電解によって行なわれ、そのめっき浴としては、無水クロム酸（ＣｒＯ₃）と少量の硫酸を含む水溶液が用いられる。電流密度と電解時間を調節することにより、クロムめっきの厚みを制御することができる。

上述した特開２００２−１８９１０６号公報、特開２００４−４５４７２号公報、特開２００４−９０１８７号公報などには、クロムめっきを採用することが開示されているが、金型のめっき前の下地とクロムめっきの種類によっては、めっき後に表面が荒れたり、クロムめっきによる微小なクラックが多数発生することが多く、その結果、当該金型を用いて得られる、表面凹凸形状を有する透明基材（防眩フィルムを含む）の光学特性が好ましくない方向へと進む。めっき表面が荒れた状態の金型は、透明基材の防眩処理および防眩フィルムの製造に適していない。何故ならば、一般的にざらつきを消すためにクロムめっき後にめっき表面を研磨することが行なわれているが、後述するように、本発明ではめっき後の表面の研磨が好ましくないからである。本発明では、下地金属に銅めっきまたはニッケルめっきを施すことにより、クロムめっきで生じ易いこのような不都合を解消している。

なお、第２めっき工程において、クロムめっき以外のめっきを施すことは好ましくない。何故なら、クロム以外のめっきでは、硬度や耐摩耗性が低くなるため、金型としての耐久性が低下し、使用中に凹凸が磨り減ったり、金型が損傷したりする。そのような金型を用いた防眩処理および該金型から得られた防眩フィルムでは、十分な防眩機能が得られにくい可能性が高く、また、透明樹脂フィルム等の透明基材上に欠陥が発生する可能性も高くなる。

また、上述した特開２００４−９０１８７号公報などに開示されているようなめっき後の表面研磨も、やはり本発明では好ましくない。すなわち、第２のめっき工程後に表面を研磨する工程を設けることなく、クロムめっきが施された凹凸面を、そのまま透明基材上に転写される金型の凹凸面として用いることが好ましい。研磨することにより、最表面に平坦な部分が生じるため、光学特性の悪化を招く可能性があること、また、形状の制御因子が増えるため、再現性のよい形状制御が困難になることなどの理由による。

このように本発明の金型の製造方法では、微細表面凹凸形状が形成された表面にクロムめっきを施すことにより、凹凸形状が鈍らせられるとともに、その表面硬度が高められた金型が得られる。この際の凹凸の鈍り具合は、下地金属の種類、第１エッチング工程より得られた凹凸のサイズと深さ、まためっきの種類や厚みなどによって異なるため、一概にはいえないが、鈍り具合を制御する上で最も大きな因子は、やはりめっき厚みである。クロムめっきの厚みが薄いと、クロムめっき加工前に得られた凹凸の表面形状を鈍らせる効果が不十分であり、その凹凸形状を透明フィルム等の透明基材上に転写して得られる防眩処理が施された透明基材（防眩フィルムなど）の光学特性があまり良くならない。一方で、めっき厚みが厚すぎると、生産性が悪くなるうえに、ノジュールと呼ばれる突起状のめっき欠陥が発生してしまうため好ましくない。そこで、クロムめっきの厚みは１〜１０μｍの範囲内であるのが好ましく、３〜６μｍの範囲内であるのがより好ましい。

当該第２めっき工程で形成されるクロムめっき層は、ビッカース硬度が８００以上となるように形成されていることが好ましく、１０００以上となるように形成されていることがより好ましい。クロムめっき層のビッカース硬度が８００未満である場合には、金型使用時の耐久性が低下するうえに、クロムめっきで硬度が低下することはめっき処理時にめっき浴組成、電解条件などに異常が発生している可能性が高く、欠陥の発生状況についても好ましくない影響を与える可能性が高いためである。

また、本発明の金型の製造方法においては、上述した〔７〕感光性樹脂膜剥離工程と〔８〕第２めっき工程との間に、第１エッチング工程によって形成された凹凸面をエッチング処理によって鈍らせる第２エッチング工程を含むことが好ましい。第２エッチング工程では、感光性樹脂膜をマスクとして用いた第１エッチング工程によって形成された第１の表面凹凸形状１５を、エッチング処理によって鈍らせる。この第２エッチング処理によって、第１エッチング処理によって形成された第１の表面凹凸形状１５における表面傾斜が急峻な部分がなくなり、得られた金型を用いて製造された防眩フィルム等の防眩処理が施された透明基材の光学特性が好ましい方向へと変化する。図６０には、第２エッチング処理によって、金型用基材７の第１の表面凹凸形状１５が鈍化し、表面傾斜が急峻な部分が鈍らされ、緩やかな表面傾斜を有する第２の表面凹凸形状１８が形成された状態が示されている。

第２エッチング工程のエッチング処理も、第１エッチング工程と同様に、通常、塩化第二鉄（ＦｅＣｌ₃）液、塩化第二銅（ＣｕＣｌ₂）液、アルカリエッチング液（Ｃｕ（ＮＨ₃）₄Ｃｌ₂）などを用い、表面を腐食させることによって行なわれるが、塩酸や硫酸などの強酸を用いることもできるし、電解めっき時と逆の電位をかけることによる逆電解エッチングを用いることもできる。エッチング処理を施した後の凹凸の鈍り具合は、下地金属の種類、エッチング手法、および第１エッチング工程により得られた凹凸のサイズと深さなどによって異なるため、一概にはいえないが、鈍り具合を制御する上で最も大きな因子は、エッチング量である。ここでいうエッチング量も、第１エッチング工程と同様に、エッチングにより削られる基材の厚みである。エッチング量が小さいと、第１エッチング工程により得られた凹凸の表面形状を鈍らせる効果が不十分であり、その凹凸形状を透明フィルム等の透明基材上に転写して得られる防眩処理が施された透明基材（防眩フィルムなど）の光学特性があまり良くならない。一方で、エッチング量が大きすぎると、凹凸形状がほとんどなくなってしまい、ほぼ平坦な金型となってしまうので、防眩性を示さなくなってしまう。そこで、エッチング量は１〜５０μｍの範囲内であることが好ましく、４〜２０μｍの範囲内であることがより好ましい。第２エッチング工程におけるエッチング処理についても、第１エッチング工程と同様に、１回のエッチング処理によって行なってもよいし、エッチング処理を２回以上に分けて行なってもよい。エッチング処理を２回以上に分けて行なう場合には、２回以上のエッチング処理におけるエッチング量の合計が１〜５０μｍであることが好ましい。

本発明の防眩処理方法および防眩フィルムの製造方法により得られる防眩フィルム等の防眩処理が施された透明基材は、その微細凹凸表面形状が精度よく制御されて形成されるため、十分な防眩性を発現し、かつ、白ちゃけが発生せず、画像表示装置の表面に配置した際にもギラツキが発生せず、高いコントラストを示すものとなる。

以下に実施例を挙げて、本発明をさらに詳しく説明するが、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。

＜実施例１〜３および比較例１〜２＞
直径２００ｍｍのアルミロール（ＪＩＳによるＡ５０５６）の表面に銅バラードめっきが施されたものを用意した。銅バラードめっきは、銅めっき層／薄い銀めっき層／表面銅めっき層からなるものであり、めっき層全体の厚みは、約２００μｍとなるように設定した。その銅めっき表面を鏡面研磨し、研磨された銅めっき表面にポジ型の感光性樹脂を塗布、乾燥して感光性樹脂膜を形成した。

ついで、以下に示す５種類のパターンＩ〜Ｖを同時に上記感光性樹脂膜上にレーザー光によって露光し、現像した。レーザー光による露光、および現像はＬａｓｅｒ Ｓｔｒｅａｍ ＦＸ（（株）シンク・ラボラトリー製）を用いて行なった。

（１）パターンＩ（実施例１）：図６１に一部を示す単位パターンを繰り返し並べたパターンである。当該単位パターンは、１２８００ｄｐｉの解像度で生成された３２．７６８ｍｍ四方のパターンであり、図６１はそのうち１．０２４ｍｍ四方を切り出したものである。図６１に示される単位パターンは、平均ドット径が１６μｍであるドットを２０００個／ｍｍ²の密度でランダムに分布させた、図６２に一部を示す第１のパターンに対し、空間周波数範囲下限値Ｂが０．０４０μｍ^-1であり、空間周波数範囲上限値Ｔが０．０７０μｍ^-1であって〔したがって、２×（Ｔ−Ｂ）／（Ｔ＋Ｂ）＝０．５５である〕、透過帯域ピークが、低空間周波数側の傾斜がより急峻である非対称形状を有するバンドパスフィルタを１回適用し、ついで、得られた第２のパターンを閾値法により二値化することによって得られたものである。得られた単位パターンの空間周波数範囲下限値Ｂは０．０４７μｍ^-1であり、空間周波数範囲上限値Ｔは０．０６７μｍ^-1であった。

（２）パターンＩＩ（実施例２）：図６３に一部を示す単位パターンを繰り返し並べたパターンである。当該単位パターンは、１２８００ｄｐｉの解像度で生成された３２．７６８ｍｍ四方のパターンであり、図６３はそのうち１．０２４ｍｍ四方を切り出したものである。図６３に示される単位パターンは、図６２に一部を示す第１のパターンに対し、上記パターンＩで用いたのと同じバンドパスフィルタを１回適用し、ついで、得られた第２のパターンを閾値法により二値化した後、さらに同じバンドパスフィルタを９回繰り返し適用することによって得られたものである。得られた単位パターンの空間周波数範囲下限値Ｂは０．０４７μｍ^-1であり、空間周波数範囲上限値Ｔは０．０６７μｍ^-1であった。

（３）パターンＩＩＩ（実施例３）：図６４に一部を示す単位パターンを繰り返し並べたパターンである。当該単位パターンは、１２８００ｄｐｉの解像度で生成された３２．７６８ｍｍ四方のパターンであり、図６４はそのうち１．０２４ｍｍ四方を切り出したものである。図６４に示される単位パターンは、図６２に一部を示す第１のパターンに対し、上記パターンＩで用いたのと同じバンドパスフィルタを１回適用し、ついで、得られた第２のパターンを閾値法により二値化した後、さらに同じバンドパスフィルタを１９回繰り返し適用することによって得られたものである。得られた単位パターンの空間周波数範囲下限値Ｂは０．０４７μｍ^-1であり、空間周波数範囲上限値Ｔは０．０６７μｍ^-1であった。

（４）パターンＩＶ（比較例１）：図６５に一部を示す単位パターンを繰り返し並べたパターンである。当該単位パターンは、１２８００ｄｐｉの解像度で生成された２０．９４４ｍｍ四方のパターンであり、図６５はそのうち１．０２４ｍｍ四方を切り出したものである。図６５に示される単位パターンは、平均ドット径が１６μｍであるドットを１４１９個／ｍｍ²の密度でランダムに分布させることにより作成した。

（５）パターンＶ（比較例２）：図６６に一部を示す単位パターンを繰り返し並べたパターンである。当該単位パターンは、１２８００ｄｐｉの解像度で生成された２０．９４４ｍｍ四方のパターンであり、図６６はそのうち１．０２４ｍｍ四方を切り出したものである。図６６に示される単位パターンは、平均ドット径が１６μｍであるドットを１４１９個／ｍｍ²の密度でランダムに分布させることにより作成した。

以上のような５種類のパターンＩ〜Ｖを同時に上記感光性樹脂膜上にレーザー光によって露光し、現像した後、塩化第二銅液で第１のエッチング処理を行なった。その際のエッチング量は３μｍとなるように設定した。第１のエッチング処理後のロールから感光性樹脂膜を除去し、再度、塩化第二銅液で第２のエッチング処理を行なった。その際のエッチング量は１０μｍとなるように設定した。その後、クロムめっき加工を行ない、金型を作製した。このとき、クロムめっき厚みが４μｍとなるように設定した。

光硬化性樹脂組成物ＧＲＡＮＤＩＣ ８０６Ｔ（大日本インキ化学工業（株）製）を酢酸エチルにて溶解して、５０重量％濃度の溶液とし、さらに、光重合開始剤であるルシリンＴＰＯ（ＢＡＳＦ社製、化学名：２，４，６−トリメチルベンゾイルジフェニルフォスフィンオキサイド）を、硬化性樹脂成分１００重量部あたり５重量部添加して塗布液を調製した。厚み８０μｍのトリアセチルセルロース（ＴＡＣ）フィルム上に、この塗布液を乾燥後の塗布厚みが１０μｍとなるように塗布し、６０℃に設定した乾燥機中で３分間乾燥させた。乾燥後のフィルムを、先に得られた金型の凹凸面に、光硬化性樹脂組成物層が金型側となるようにゴムロールで押し付けて密着させた。この状態でＴＡＣフィルム側より、強度２０ｍＷ／ｃｍ²の高圧水銀灯からの光をｈ線換算光量で２００ｍＪ／ｃｍ²となるように照射して、光硬化性樹脂組成物層を硬化させた。この後、ＴＡＣフィルムを硬化樹脂ごと金型から剥離して、表面に凹凸を有する硬化樹脂とＴＡＣフィルムとの積層体からなり、パターンＩ〜Ｖに対応した５種類の凹凸表面形状を有する透明な防眩フィルムを作製した。

＜実施例４＞
図６７に一部を示す単位パターンを繰り返し並べたパターンを、ロール１周にわたって感光性樹脂膜上にレーザー光によって露光し、現像すること以外は、実施例１と同様にして金型を作製し、さらに実施例１と同様にして防眩フィルムを作製した。同じ操作を２回行ない、合計２つの防眩フィルムを得た。図６７に示される単位パターンは、１２８００ｄｐｉの解像度で生成された３２．７６８ｍｍ四方のパターンであり、図６７はそのうち１．０２４ｍｍ四方を切り出したものである。

図６７に示される単位パターンは、第１のパターンに対し、バンドパスフィルタを適用して第２のパターンを作成した後、誤差拡散法の適用により二値化して第３のパターンを作成し、さらに、モンテカルロ法を６０回繰り返し適用して作成された第４のパターンである。用いた第１のパターンは、１２８００ｄｐｉの解像度で３２．７６８ｍｍ四方の８ビットのビットマップイメージであり、８ビットの深度を有する２次元配列ＰＩＸＣＥＬ［ｘ，ｙ］に対し、ＰＩＸＣＥＬ［ｘ，ｙ］＝Ｒ［ｘ＋ｙ×ＩｍａｇｅＷｉｄｔｈ］×２５５を代入することによって作成した。ここで、ｘ、ｙは画像におけるピクセルの座標であり、ＩｍａｇｅＷｉｄｔｈはｘ座標の画素幅である。配列Ｒ［］として、「．ＮＥＴ Ｆｒａｍｅｗｏｒｋ２．０クラス ライブラリ」に含まれるＲａｎｄｏｍクラスＮｅｘｔＤｏｕｂｌｅメソッドにより生成される０．０と１．０の間の値をとるＫｎｕｔｈの乱数ジェネレータ減算アルゴリズムによる擬似乱数列を用いた。バンドパスフィルタとしては、空間周波数範囲下限値Ｂが０．０４５μｍ^-1であり、空間周波数範囲上限値Ｔが０．０８０μｍ^-1であって〔したがって、２×（Ｔ−Ｂ）／（Ｔ＋Ｂ）＝０．５６である〕、透過帯域ピークが、低空間周波数側の傾斜がより急峻である非対称形状を有するバンドパスフィルタを用いた。また、誤差拡散マトリクスとしては、図３６に示される拡散距離が３である誤差拡散マトリクスと図３７に示される拡散距離が４である誤差拡散マトリクスとを０．４：０．６の割合で合成したもの（図３６×０．４＋図３７×０．６）を用いた。図６７に示される単位パターンの空間周波数範囲下限値Ｂは０．０４５μｍ^-1であり、空間周波数範囲上限値Ｔは０．０８６μｍ^-1であった。

実施例１〜３で用いた単位パターンの空間周波数分布を図６８に、比較例１〜２で用いた単位パターンの空間周波数分布を図６９に、実施例４で用いた単位パターンの空間周波数分布を図７０に示す。

＜実施例５＞
直径２００ｍｍのアルミロール（ＪＩＳによるＡ５０５６）の表面に銅バラードめっきが施されたものを用意した。銅バラードめっきは、銅めっき層／薄い銀めっき層／表面銅めっき層からなるものであり、めっき層全体の厚みは、約２００μｍとなるように設定した。その銅めっき表面を鏡面研磨し、研磨された銅めっき表面にポジ型の感光性樹脂を塗布、乾燥して感光性樹脂膜を形成した。

ついで、図７１に一部を示す単位パターンを繰り返し並べたパターンを感光性樹脂膜上にレーザー光によって露光し、現像した。レーザー光による露光、および現像はＬａｓｅｒ Ｓｔｒｅａｍ ＦＸ（（株）シンク・ラボラトリー製）を用いて行なった。図７１に示される単位パターンは、１２８００ｄｐｉの解像度で生成された３２．７６８ｍｍ四方のパターンであり、図７１はそのうち１．０２４ｍｍ四方を切り出したものである。

図７１に示される単位パターンは、第１のパターンに対し、バンドパスフィルタを適用して第２のパターンを作成した後、誤差拡散法の適用により二値化して第３のパターンを作成し、さらに、モンテカルロ法を６０回繰り返し適用して作成された第４のパターンである。用いた第１のパターンは、１２８００ｄｐｉの解像度で３２．７６８ｍｍ四方の８ビットのビットマップイメージであり、８ビットの深度を有する２次元配列ＰＩＸＣＥＬ［ｘ，ｙ］に対し、ＰＩＸＣＥＬ［ｘ，ｙ］＝Ｒ［ｘ＋ｙ×ＩｍａｇｅＷｉｄｔｈ］×２５５を代入することによって作成した。ここで、ｘ、ｙは画像におけるピクセルの座標であり、ＩｍａｇｅＷｉｄｔｈはｘ座標の画素幅である。配列Ｒ［］として、「．ＮＥＴ Ｆｒａｍｅｗｏｒｋ２．０クラス ライブラリ」に含まれるＲａｎｄｏｍクラスＮｅｘｔＤｏｕｂｌｅメソッドにより生成される０．０と１．０の間の値をとるＫｎｕｔｈの乱数ジェネレータ減算アルゴリズムによる擬似乱数列を用いた。バンドパスフィルタとしては、空間周波数範囲下限値Ｂが０．０５５μｍ^-1であり、空間周波数範囲上限値Ｔが０．１００μｍ^-1であって〔したがって、２×（Ｔ−Ｂ）／（Ｔ＋Ｂ）＝０．５８である〕、透過帯域ピークの形状がガウス関数型であるバンドパスフィルタを用いた。また、誤差拡散マトリクスとしては、図３７に示される拡散距離が４である誤差拡散マトリクスと図３８に示される拡散距離が５である誤差拡散マトリクスとを０．９：０．１の割合で合成したもの（図３７×０．９＋図３８×０．１）を用いた。図７１に示される単位パターンの空間周波数範囲下限値Ｂは約０．０５５μｍ^-1であり、空間周波数範囲上限値Ｔは約０．１００μｍ^-1であった。図７１に示される単位パターンの空間周波数分布を図７２に示す。

その後、塩化第二銅液で第１のエッチング処理を行なった。その際のエッチング量は５μｍとなるように設定した。第１のエッチング処理後のロールから感光性樹脂膜を除去し、再度、塩化第二銅液で第２のエッチング処理を行なった。その際のエッチング量は８μｍとなるように設定した。その後、クロムめっき加工を行ない、金型を作製した。このとき、クロムめっき厚みが４μｍとなるように設定した。

光硬化性樹脂組成物ＧＲＡＮＤＩＣ ８０６Ｔ（大日本インキ化学工業（株）製）を酢酸エチルにて溶解して、５０重量％濃度の溶液とし、さらに、光重合開始剤であるルシリンＴＰＯ（ＢＡＳＦ社製、化学名：２，４，６−トリメチルベンゾイルジフェニルフォスフィンオキサイド）を、硬化性樹脂成分１００重量部あたり５重量部添加して塗布液を調製した。厚み８０μｍのトリアセチルセルロース（ＴＡＣ）フィルム上に、この塗布液を乾燥後の塗布厚みが１０μｍとなるように塗布し、６０℃に設定した乾燥機中で３分間乾燥させた。乾燥後のフィルムを、先に得られた金型の凹凸面に、光硬化性樹脂組成物層が金型側となるようにゴムロールで押し付けて密着させた。この状態でＴＡＣフィルム側より、強度２０ｍＷ／ｃｍ²の高圧水銀灯からの光をｈ線換算光量で２００ｍＪ／ｃｍ²となるように照射して、光硬化性樹脂組成物層を硬化させた。この後、ＴＡＣフィルムを硬化樹脂ごと金型から剥離して、表面に凹凸を有する硬化樹脂とＴＡＣフィルムとの積層体からなる、透明な防眩フィルムを作製した。

実施例１〜５および比較例１〜２で得られた防眩フィルムについて、下記に示す評価試験を行なった。

（１）ギラツキ評価
ギラツキは、以下の方法で評価した。まず、図７３（ａ）に平面図で示すようなユニットセル６０のパターンを約４０ｍｍ×約２５ｍｍの範囲に規則的に配列させたフォトマスクを用意した。ユニットセル６０においては、透明な基板上に、線幅１０μｍでカギ形のクロム遮光パターン６１が形成され、そのクロム遮光パターン６１の形成されていない部分が開口部６２となっている。このようなフォトマスクにユニットセルの寸法に応じて「解像度呼び」〔単位：ｐｐｉ（ｐｉｘｅｌ ｐｅｒ ｉｎｃｈ）〕を与えた。たとえば、解像度呼び９０ｐｐｉのフォトマスクのユニットセル縦×ユニットセル横は２８２μｍ×９４μｍ、開口部縦×開口部横は２７２μｍ×８４μｍである。このようなユニットセルを表１の数値に基づいて製作し、解像度呼び９０〜１８０ｐｐｉの範囲で、計１０パターンのフォトマスクを用意した。

次に、図７３（ｂ）に示すように、フォトマスク６３のクロム遮光パターン６１を上にしてライトボックス６５（ライトボックス内にはライト６６が設置されている）に置き、１．１ｍｍ厚のガラス板６７に２０μｍ厚みの粘着剤で防眩フィルム７０を貼合したサンプルをフォトマスク６３上に置き、サンプルから約３０ｃｍ離れた場所（目視観察場所６９）から目視観察することにより、ギラツキ発生の有無を官能評価した。この評価は、用意した、異なる解像度呼びを有するフォトマスクそれぞれについて行なった。

上記評価においては、防眩フィルムの特性に依存して、ある解像度呼び以上のフォトマスクにおいてギラツキが観察されるようになる。このときの解像度呼びからギラツキを評価した。具体的に例を挙げて評価数値の判別方法を述べる。

まず、官能評価の際、解像度呼び９０ｐｐｉのフォトマスクにおいて強いギラツキが観察され、解像度呼び８０ｐｐｉのフォトマスクにおいてギラツキが観察されなかったとき、ギラツキの評価として８０ｐｐｉを与える。しかし、防眩フィルムの特性に依存して解像度呼び９０ｐｐｉのフォトマスクにおいて弱いギラツキしか観察されない状態も存在する。このような状態を前記状態と区別するため、このように弱いギラツキしか生じていない場合は、ギラツキ評価として、評価に用いたフォトマスクの解像度呼び８０ｐｐｉと９０ｐｐｉの中間値である８５ｐｐｉを与え、これを区別した。

（２）透過特性の評価
ＪＩＳ Ｋ７１３６に準拠したヘイズメータ（株式会社村上色彩技術研究所製 ＨＭ−１５０）を用いて、防眩フィルムのヘイズを測定した。

上記評価試験の結果を、単位パターンの作成方法および金型の作製条件とともに表２に示す。なお、実施例４については、２つの防眩フィルムの評価結果をそれぞれ示した。

フォトマスクによるギラツキ評価試験により、バンドパスフィルタの適用により低空間周波数成分を低減させたパターンを用いて作製した実施例１〜３の防眩フィルムはいずれも、ドットをランダムに分布させた第１のパターンを用いて作製した比較例１〜２の防眩フィルムに比べ、ギラツキが生じない解像度の上限がより高い水準となり、良好な光学特性を示すことが確認された。また、二値化方法として誤差拡散法を適用して第４のパターンを用いて作製した実施例４の２つの防眩フィルムおよび実施例５の防眩フィルムはいずれも、閾値法を用いた実施例１〜３の防眩フィルムに比べて、さらに高い解像度のフォトマスクでもギラツキが観察されず、より優れた光学特性を示した。

＜実施例６＞
直径２００ｍｍのアルミロール（ＪＩＳによるＡ５０５６）の表面に銅バラードめっきが施されたものを用意する。銅バラードめっきは、銅めっき層／薄い銀めっき層／表面銅めっき層からなるものであり、めっき層全体の厚みは、約２００μｍとなるように設定する。その銅めっき表面を鏡面研磨し、研磨された銅めっき表面にポジ型の感光性樹脂を塗布、乾燥して感光性樹脂膜を形成する。

ついで、図７４に一部を示す単位パターンを繰り返し並べたパターンを感光性樹脂膜上にレーザー光によって露光し、現像する。レーザー光による露光、および現像はＬａｓｅｒ Ｓｔｒｅａｍ ＦＸ（（株）シンク・ラボラトリー製）を用いて行なう。図７４に示される単位パターンは、１２８００ｄｐｉの解像度で生成された３２．７６８ｍｍ四方のパターンであり、図７４はそのうち１．０２４ｍｍ四方を切り出したものである。

図７４に示される単位パターンは、第１のパターンに対し、ハイパスフィルタを適用して第２のパターンを作成した後、誤差拡散法の適用により二値化して第３のパターンを作成し、さらに、モンテカルロ法を６０回繰り返し適用して作成された第４のパターンである。用いた第１のパターンは、平均ドット径が８μｍであるドットを１００００個／ｍｍ²の密度でランダムに分布させることにより作成した。この際、できるだけ均一にドットが分布したものとするため、設定したドット密度に対応する三角格子を設定し、その格子点から、ドットの中心座標ＸおよびＹのそれぞれを、設定された三角格子の格子に対してシフトさせることによりパターンを生成した。なお、シフト後の座標の決定には、下記に示すＣ＃（Ｍｉｃｒｏｓｏｆｔ社により開発されたプログラミング言語であり、言語仕様は「ＪＩＳ Ｘ ３０１５プログラム言語Ｃ＃」等により規定されている）によるプログラムコードを用いた。この関数に、Ａｖｅｒａｇｅとしてシフトさせる格子点の座標値（ＸまたはＹ）およびＤｅｖｉａｔｉｏｎに対して０．３×１５μｍを与えることで、ドット位置をランダムにシフトさせた。この時、擬似乱数（Ｃ＃プログラムコードにおける「ＲａｎｄｏｍＦｕｎｃｔｉｏｎ()」）は広島大学のグループにより実装されたＳＩＭＤ ｏｒｉｅｎｔｅｄ Ｆａｓｔ Ｍｅｒｓｅｎｎｅ Ｔｗｉｓｔｅｒプログラム、ＳＦＭＴ ｖｅｒ１．３．３に対し、種として数値６０７を与えることにより得た。

（実施例６で用いたＣ＃によるプログラムコード）
//cx,cy：新たに描画するドット中心のX座標・Y座標を示す。

//px,py ：設定された三角格子点のX座標・Y座標を示す。
//pD：0.3
//CoreSize:ドットの直径
cX = NormalRandom(px, pD * CoreSize);
cY = NormalRandom(py, pD * CoreSize);
//乱数の正規化関数
// RandomFunction():乱数を返す関数。

// RandomFunctionValueMax()：乱数が取る値の最大値を返す関数。
// Math ：.NET Framework Mathクラスライブラリ
public double NormalRandom(double Average,double Deviation)
{
double buff = 0;
buff = Deviation*Math.Sqrt(-2 * Math.Log(((double)RandomFunction() / (do uble)RandomFunctionValueMax()))) * Math.Sin(2 * Math.PI * ((double)Rando mFunction() / (double)RandomFunctionValueMax()))+Average;
if(buff<0){buff=0;};
return buff;
}
ハイパスフィルタとしては、空間周波数範囲下限値Ｂ’が０．０６７μｍ^-1であるハイパスフィルタを用いた。また、誤差拡散マトリクスとしては、図３７に示される拡散距離が４である誤差拡散マトリクスと図３８に示される拡散距離が５である誤差拡散マトリクスとを０．９：０．１の割合で合成したもの（図３７×０．９＋図３８×０．１）を用いた。図７４に示される単位パターンの空間周波数範囲下限値Ｂ’は約０．０５０μｍ^-1であった。

その後、塩化第二銅液で第１のエッチング処理を行なう。その際のエッチング量は７μｍとなるように設定する。第１のエッチング処理後のロールから感光性樹脂膜を除去し、再度、塩化第二銅液で第２のエッチング処理を行なう。その際のエッチング量は１８μｍとなるように設定する。その後、クロムめっき加工を行ない、金型を作製する。このとき、クロムめっき厚みが４μｍとなるように設定する。

光硬化性樹脂組成物ＧＲＡＮＤＩＣ ８０６Ｔ（大日本インキ化学工業（株）製）を酢酸エチルにて溶解して、５０重量％濃度の溶液とし、さらに、光重合開始剤であるルシリンＴＰＯ（ＢＡＳＦ社製、化学名：２，４，６−トリメチルベンゾイルジフェニルフォスフィンオキサイド）を、硬化性樹脂成分１００重量部あたり５重量部添加して塗布液を調製する。厚み８０μｍのトリアセチルセルロース（ＴＡＣ）フィルム上に、この塗布液を乾燥後の塗布厚みが１０μｍとなるように塗布し、６０℃に設定した乾燥機中で３分間乾燥させる。乾燥後のフィルムを、先に得られる金型の凹凸面に、光硬化性樹脂組成物層が金型側となるようにゴムロールで押し付けて密着させる。この状態でＴＡＣフィルム側より、強度２０ｍＷ／ｃｍ²の高圧水銀灯からの光をｈ線換算光量で２００ｍＪ／ｃｍ²となるように照射して、光硬化性樹脂組成物層を硬化させる。この後、ＴＡＣフィルムを硬化樹脂ごと金型から剥離して、表面に凹凸を有する硬化樹脂とＴＡＣフィルムとの積層体からなる、透明な防眩フィルムを作製する。

＜実施例７＞
閾値法を用いて二値化したこと以外は実施例６と同様にして、図７５に一部を示す単位パターンを繰り返し並べたパターンを作成した。ついで、このパターンを用いること以外は、実施例６と同様にして金型を作製し、防眩フィルムを得る。

図７６は、図７４に示されるパターンの空間周波数分布と、図７５に示されるパターンの空間周波数分布とを比較する図である。図７６より、誤差拡散法を適用した図７４のパターンにおいて、低空間周波数成分がより低減されていることがわかる。

＜実施例８＞
図７７に一部を示すパターンを繰り返し並べたパターンを用いること以外は、実施例６と同様にして金型を作製し、防眩フィルムを得る。

図７７に示される第４のパターンは、１２８００ｄｐｉの解像度で生成された３２．７６８ｍｍ四方のパターンであり、図７７はそのうち１．０２４ｍｍ四方を切り出したものである。この第４のパターンは、第１のパターンに対し、空間周波数範囲下限値Ｂおよび空間周波数範囲上限値Ｔがそれぞれ上記式（Ｉ）および（ＩＩ）〔ＭａｉｎＰｅｒｉｏｄ＝１２（μｍ）、ＢａｎｄＷｉｄｔｈ＝２０（％）とした。〕で表され、透過帯域ピークの形状がガウス型であるバンドパスフィルタを適用することによって得られた第２のパターンを、誤差拡散距離が４である図３７に示される誤差拡散マトリクスに従う誤差拡散法の適用により二値化して第３のパターンを作成し、さらに、モンテカルロ法を６０回繰り返し適用して作成したものである。上記の第１のパターンは、１２８００ｄｐｉの解像度で３２．７６８ｍｍ四方の８ビットのビットマップイメージであり、８ビットの深度を有する２次元配列ＰＩＸＣＥＬ［ｘ，ｙ］に対し、ＰＩＸＣＥＬ［ｘ，ｙ］＝Ｒ［ｘ＋ｙ×ＩｍａｇｅＷｉｄｔｈ］×２５５を代入することによって作成した。ここで、ｘ、ｙは画像におけるピクセルの座標であり、ＩｍａｇｅＷｉｄｔｈはｘ座標の画素幅である。配列Ｒ［］として、「．ＮＥＴ Ｆｒａｍｅｗｏｒｋ２．０クラス ライブラリ」に含まれるＲａｎｄｏｍクラスＮｅｘｔＤｏｕｂｌｅメソッドにより生成される０．０と１．０の間の値をとるＫｎｕｔｈの乱数ジェネレータ減算アルゴリズムによる擬似乱数列を用いた。

＜実施例９＞
閾値法を用いて二値化したこと以外は実施例８と同様にして、図７８に一部を示す単位パターンを繰り返し並べたパターンを作成した。ついで、このパターンを用いること以外は、実施例８と同様にして金型を作製し、防眩フィルムを得る。

図７９は、図７７に示されるパターンの空間周波数分布と、図７８に示されるパターンの空間周波数分布とを比較する図である。図７９より、誤差拡散法を適用した図７７のパターンにおいて、低空間周波数成分がより低減されていることがわかる。

本発明の方法によって作製される防眩フィルム等の防眩処理が施された透明基材は、低空間周波数成分が少ないパターンを反映した微細凹凸表面形状を有しているため、ギラツキが発生せず、十分な防眩性を示し、白ちゃけも発生しないものとなる。また、ヘイズも低いため、画像表示装置に配置した際にもコントラストの低下を引き起こすことが無い。さらに、レジストワークによる再現が難しい孤立したドットが少ないため、エッチング処理も好適に行なうことができる。

＜参考例：ハイパスフィルタの適用によるパターンの作成および評価＞
以下に示す方法により、パターン１〜１５を作成した。

（１）パターン１：平均ドット径が２４μｍであるドットを１１１１個／ｍｍ²の密度でランダムに分布させることにより作成した、図８０に一部を示す第１のパターンＡに対し、空間周波数範囲下限値Ｂ’が約０．０７μｍ^-1であるハイパスフィルタを適用して第２のパターンを作成した後、１２７を閾値とした閾値法により二値化してパターン１を得た。図８１は、パターン１を一部拡大して示す図である。なお、上記第１のパターンの作成にあたっては、実施例６で用いた第１のパターンと同じ方法を採用してドット分布の均一化を図った。

（２）パターン２：パターン１の作成に用いた第２のパターンに、図３７に示される拡散距離が４である誤差拡散マトリクスと図３８に示される拡散距離が５である誤差拡散マトリクスとを０．９：０．１の割合で合成した誤差拡散マトリクス（図３７×０．９＋図３８×０．１）を用いた誤差拡散法を適用して第３のパターンであるパターン２を得た。図８２は、パターン２を一部拡大して示す図である。

（３）パターン３：パターン２にモンテカルロ法を６０回繰り返し適用して第４のパターンであるパターン３を得た。図８３は、パターン３を一部拡大して示す図である。

（４）パターン４：平均ドット径が２０μｍであるドットを１６００個／ｍｍ²の密度でランダムに分布させることにより作成した、図８４に一部を示す第１のパターンＢを用いたこと以外は、パターン１と同様にしてパターン４を得た。図８５は、パターン４を一部拡大して示す図である。

（５）パターン５：パターン４の作成に用いた第２のパターンに、図３７に示される拡散距離が４である誤差拡散マトリクスと図３８に示される拡散距離が５である誤差拡散マトリクスとを０．９：０．１の割合で合成した誤差拡散マトリクス（図３７×０．９＋図３８×０．１）を用いた誤差拡散法を適用して第３のパターンであるパターン５を得た。図８６は、パターン５を一部拡大して示す図である。

（６）パターン６：パターン５にモンテカルロ法を６０回繰り返し適用して第４のパターンであるパターン６を得た。図８７は、パターン６を一部拡大して示す図である。

（７）パターン７：平均ドット径が１６μｍであるドットを２５００個／ｍｍ²の密度でランダムに分布させることにより作成した、図８８に一部を示す第１のパターンＣを用いたこと以外は、パターン１と同様にしてパターン７を得た。図８９は、パターン７を一部拡大して示す図である。

（８）パターン８：パターン７の作成に用いた第２のパターンに、図３７に示される拡散距離が４である誤差拡散マトリクスと図３８に示される拡散距離が５である誤差拡散マトリクスとを０．９：０．１の割合で合成した誤差拡散マトリクス（図３７×０．９＋図３８×０．１）を用いた誤差拡散法を適用して第３のパターンであるパターン８を得た。図９０は、パターン８を一部拡大して示す図である。

（９）パターン９：パターン８にモンテカルロ法を６０回繰り返し適用して第４のパターンであるパターン９を得た。図９１は、パターン９を一部拡大して示す図である。

（１０）パターン１０：平均ドット径が１２μｍであるドットを４４４４個／ｍｍ²の密度でランダムに分布させることにより作成した、図９２に一部を示す第１のパターンＤを用いたこと以外は、パターン１と同様にしてパターン１０を得た。図９３は、パターン１０を一部拡大して示す図である。

（１１）パターン１１：パターン１０の作成に用いた第２のパターンに、図３７に示される拡散距離が４である誤差拡散マトリクスと図３８に示される拡散距離が５である誤差拡散マトリクスとを０．９：０．１の割合で合成した誤差拡散マトリクス（図３７×０．９＋図３８×０．１）を用いた誤差拡散法を適用して第３のパターンであるパターン１１を得た。図９４は、パターン１１を一部拡大して示す図である。

（１２）パターン１２：パターン１１にモンテカルロ法を６０回繰り返し適用して第４のパターンであるパターン１２を得た。図９５は、パターン１２を一部拡大して示す図である。

（１３）パターン１３：平均ドット径が８μｍであるドットを１００００個／ｍｍ²の密度でランダムに分布させることにより作成した、図９６に一部を示す第１のパターンＥを用いたこと以外は、パターン１と同様にしてパターン１３を得た。図９７は、パターン１３を一部拡大して示す図である。

（１４）パターン１４：パターン１３の作成に用いた第２のパターンに、図３７に示される拡散距離が４である誤差拡散マトリクスと図３８に示される拡散距離が５である誤差拡散マトリクスとを０．９：０．１の割合で合成した誤差拡散マトリクス（図３７×０．９＋図３８×０．１）を用いた誤差拡散法を適用して第３のパターンであるパターン１４を得た。図９８は、パターン１４を一部拡大して示す図である。

（１５）パターン１５：パターン１４にモンテカルロ法を６０回繰り返し適用して第４のパターンであるパターン１５を得た。図９９は、パターン１５を一部拡大して示す図である。

第１のパターンＡ〜Ｅの空間周波数分布を図１００に、パターン１〜１５の空間周波数分布を図１０１〜１０５に示す。また、図１０６は、パターンの作製方法の違いによる低空間周波数成分の低減の程度をまとめたものである。図１０６に示されるように、平均ドット径が異なるいずれの第１パターンを用いる場合であっても、ハイパスフィルタの適用、さらには誤差拡散法、モンテカルロ法の適用により、低空間周波数成分が効果的に低減されることがわかる。特に、誤差拡散法を適用した第３のパターンおよびさらにモンテカルロ法を適用した第４のパターンで、低空間周波数成分の低減効果が顕著である。

ハイパスフィルタを用いる場合、バンドパスフィルタと異なり、抽出する空間周波数領域に上限値を設けないため、孤立ドットの発生も懸念されるが、上記パターン１〜１５のように、用いる第１のパターンがドットをランダムに配置したパターンである場合、図１０７に示すように孤立ドットの多発は見られなかった。

一方、図１０８に示されるような明度分布をランダムに配置した第１のパターンを用いる場合、これにハイパスフィルタを適用し、閾値法により二値化したパターン、および、ハイパスフィルタを適用し、誤差拡散法により二値化したパターンでは孤立ドットが十分な程度まで低減されにくく、モンテカルロ法の適用により孤立ドットの低減処理を行なうことが好ましい。

図１０９は、図１０８に示される第１のパターンに対し、上記パターン１の作成と同様の方法でハイパスフィルタの適用および閾値法による二値化を行なって得られたパターンを一部拡大して示す図である。図１１０は、図１０８に示される第１のパターンに対し、上記パターン２の作成と同様の方法でハイパスフィルタの適用および誤差拡散法による二値化を行なって得られたパターンを一部拡大して示す図である。図１１１は、図１０８に示される第１のパターンに対し、上記パターン３の作成と同様の方法でハイパスフィルタの適用、誤差拡散法による二値化およびモンテカルロ法の適用を行なって得られたパターンを一部拡大して示す図である。図１１２は、図１０９〜１１１に示されるパターンの孤立ドット発生個数を示す図である。また、図１１３は、図１０８〜１１１に示されるパターンの空間周波数分布を比較する図である。図１１２および１１３に示されるように、第１のパターンが高空間周波数成分を多く含む場合であっても、ハイパスフィルタおよびモンテカルロ法の適用により、低空間周波数成分が十分に低減されているとともに、孤立ドットの発生が少ない良好なパターンが得られることがわかる。

１ ドット、７ 金型用基材、８ 研磨工程によって研磨された基材の表面、９ 感光性樹脂膜、１０ 露光工程において露光された感光性樹脂膜、１１ 露光工程において露光されない感光性樹脂膜、１２ マスク、１３ マスクの無い箇所、１４ エッチングによって段階的に形成される表面、１５ 第１エッチング工程後の基材表面（第１の表面凹凸形状）、１６ クロムめっき層、１７ クロムめっきの表面、１８ 第２エッチング工程後の基材表面（第２の表面凹凸形状）、６０ ユニットセル、６１ クロム遮光パターン、６２ 開口部、６３ フォトマスク、６５ ライトボックス、６６ ライト、６７ ガラス板、６９ 目視観察場所、７０ 防眩フィルム。

Claims (30)

1. 複数のドットがランダムに配置された、または明度分布が配置された第１のパターンに対し、第１のパターンに含まれる空間周波数成分から、空間周波数が特定値未満である低空間周波数成分を少なくとも除去または低減するフィルタを適用して第２のパターンを作成する工程と、
   前記第２のパターンを用いて、透明基材上に凹凸形状を加工する工程と、
   を備える透明基材の防眩処理方法。
2. 前記フィルタは、前記第１のパターンに含まれる空間周波数成分から、空間周波数が特定値未満である低空間周波数成分のみを除去または低減するハイパスフィルタである請求項１に記載の防眩処理方法。
3. 前記フィルタは、前記第１のパターンに含まれる空間周波数成分から、空間周波数が０．０１μｍ^-1未満である低空間周波数成分のみを除去または低減するハイパスフィルタである請求項２に記載の防眩処理方法。
4. 前記フィルタは、前記第１のパターンに含まれる空間周波数成分から、空間周波数が特定値未満である低空間周波数成分を除去または低減するとともに、空間周波数が特定値を超える高空間周波数成分を除去または低減することにより、特定範囲の空間周波数成分を抽出するバンドパスフィルタである請求項１に記載の防眩処理方法。
5. 前記バンドパスフィルタの適用により抽出される前記特定範囲の空間周波数成分における空間周波数の下限値Ｂは０．０１μｍ^-1以上であり、上限値Ｔは、１／（Ｄ×２）μｍ^-1以下〔Ｄ（μｍ）は、前記透明基材上に凹凸形状を加工する際に用いられる加工装置の分解能である。〕である請求項４に記載の防眩処理方法。
6. 前記空間周波数の上限値Ｔおよび下限値Ｂは、下記式（１）：
   ０．２０ ＜ ２×（Ｔ−Ｂ）／（Ｔ＋Ｂ） ＜ ０．８０ （１）
   を満たす請求項５に記載の防眩処理方法。
7. 前記第２のパターンにディザリング法を適用することにより、離散化された情報に変換された第３のパターンを作成する工程をさらに備え、
   前記透明基材上に凹凸形状を加工する工程は、前記第３のパターンを用いて行なわれる請求項１〜６のいずれかに記載の防眩処理方法。
8. 前記ディザリング法は、誤差拡散法である請求項７に記載の防眩処理方法。
9. ３ピクセル以上、６ピクセル以下の範囲に変換誤差を拡散させる誤差拡散法を適用することにより、第３のパターンを作成する請求項８に記載の防眩処理方法。
10. 前記第３のパターンは、２段階に離散化された情報に変換されたパターンである請求項７〜９のいずれかに記載の防眩処理方法。
11. ２段階に離散化された情報に変換された第３のパターンに対し、モンテカルロ法により孤立した黒、もしくは白ピクセルを移動させて第４のパターンを作成する工程をさらに備え、
    前記透明基材上に凹凸形状を加工する工程は、前記第４のパターンを用いて行なわれる請求項１０に記載の防眩処理方法。
12. 前記透明基材上に凹凸形状を加工する工程は、凹凸面を有する金型を作製し、前記金型の凹凸面を前記透明基材上に転写する工程を含む請求項１〜１１のいずれかに記載の防眩処理方法。
13. 前記透明基材上に凹凸形状を加工する工程は、パターンが有する離散化された情報に基づいて加工を行なう加工装置を用いて行なわれる請求項７〜１２のいずれかに記載の防眩処理方法。
14. 複数のドットがランダムに配置された、または明度分布が配置された第１のパターンに対し、第１のパターンに含まれる空間周波数成分から、空間周波数が特定値未満である低空間周波数成分を少なくとも除去または低減するフィルタを適用して第２のパターンを作成する工程と、
    前記第２のパターンを用いて、透明基材上に凹凸形状を加工する工程と、
    を備える防眩フィルムの製造方法。
15. 前記フィルタは、前記第１のパターンに含まれる空間周波数成分から、空間周波数が特定値未満である低空間周波数成分のみを除去または低減するハイパスフィルタである請求項１４に記載の防眩フィルムの製造方法。
16. 前記フィルタは、前記第１のパターンに含まれる空間周波数成分から、空間周波数が０．０１μｍ^-1未満である低空間周波数成分のみを除去または低減するハイパスフィルタである請求項１５に記載の防眩フィルムの製造方法。
17. 前記フィルタは、前記第１のパターンに含まれる空間周波数成分から、空間周波数が特定値未満である低空間周波数成分を除去または低減するとともに、空間周波数が特定値を超える高空間周波数成分を除去または低減することにより、特定範囲の空間周波数成分を抽出するバンドパスフィルタである請求項１４に記載の防眩フィルムの製造方法。
18. 前記バンドパスフィルタの適用により抽出される前記特定範囲の空間周波数成分における空間周波数の下限値Ｂは０．０１μｍ^-1以上であり、上限値Ｔは、１／（Ｄ×２）μｍ^-1以下〔Ｄ（μｍ）は、前記透明基材上に凹凸形状を加工する際に用いられる加工装置の分解能である。〕である請求項１７に記載の防眩フィルムの製造方法。
19. 前記空間周波数の上限値Ｔおよび下限値Ｂは、下記式（１）：
    ０．２０ ＜ ２×（Ｔ−Ｂ）／（Ｔ＋Ｂ） ＜ ０．８０ （１）
    を満たす請求項１８に記載の防眩フィルムの製造方法。
20. 前記第２のパターンにディザリング法を適用することにより、離散化された情報に変換された第３のパターンを作成する工程をさらに備え、
    前記透明基材上に凹凸形状を加工する工程は、前記第３のパターンを用いて行なわれる請求項１４〜１９のいずれかに記載の防眩フィルムの製造方法。
21. 前記ディザリング法は、誤差拡散法である請求項２０に記載の防眩フィルムの製造方法。
22. ３ピクセル以上、６ピクセル以下の範囲に変換誤差を拡散させる誤差拡散法を適用することにより、第３のパターンを作成する請求項２１に記載の防眩フィルムの製造方法。
23. 前記第３のパターンは、２段階に離散化された情報に変換されたパターンである請求項２０〜２２のいずれかに記載の防眩フィルムの製造方法。
24. ２段階に離散化された情報に変換された第３のパターンに対し、モンテカルロ法により孤立した黒、もしくは白ピクセルを移動させて第４のパターンを作成する工程をさらに備え、
    前記透明基材上に凹凸形状を加工する工程は、前記第４のパターンを用いて行なわれる請求項２３に記載の防眩フィルムの製造方法。
25. 前記透明基材上に凹凸形状を加工する工程は、凹凸面を有する金型を作製し、前記金型の凹凸面を前記透明基材上に転写する工程を含む請求項１４〜２４のいずれかに記載の防眩フィルムの製造方法。
26. 前記透明基材上に凹凸形状を加工する工程は、パターンが有する離散化された情報に基づいて加工を行なう加工装置を用いて行なわれる請求項２０〜２５のいずれかに記載の防眩フィルムの製造方法。
27. 請求項１２に記載の防眩処理方法に用いる金型を製造する方法であって、
    金型用基材の表面に銅めっきまたはニッケルめっきを施す第１めっき工程と、
    第１めっき工程によってめっきが施された表面を研磨する研磨工程と、
    研磨された面に感光性樹脂膜を形成する感光性樹脂膜形成工程と、
    感光性樹脂膜上にパターンを露光する露光工程と、
    パターンが露光された感光性樹脂膜を現像する現像工程と、
    現像された感光性樹脂膜をマスクとして用いてエッチング処理を行ない、研磨されためっき面に凹凸を形成する第１エッチング工程と、
    感光性樹脂膜を剥離する感光性樹脂膜剥離工程と、
    形成された凹凸面にクロムめっきを施す第２めっき工程と、
    を含む、金型の製造方法。
28. 前記感光性樹脂膜剥離工程と前記第２めっき工程との間に、形成された凹凸面の凹凸形状をエッチング処理によって鈍らせる第２エッチング工程を含む請求項２７に記載の製造方法。
29. 前記第２めっき工程において形成されるクロムめっきが施された凹凸面が、前記透明基材上に転写される金型の凹凸面である請求項２７または２８に記載の製造方法。
30. 前記第２めっき工程におけるクロムめっきにより形成されるクロムめっき層が１〜１０μｍの厚みを有する、請求項２７〜２９のいずれかに記載の製造方法。