JP5506387B2 - 近接場光ヘッド及び情報記録再生装置 - Google Patents

Description

本発明は、近接場光の相互作用を利用して記録媒体に各種の情報を超高密度で記録することができる近接場光ヘッド及び該近接場光ヘッドを有する情報記録再生装置に関するものである。

光記録装置の高密度化を達成する方法として近年、近接場光を応用した光記録が注目されていて、近接場光発生素子の光記録装置における光ヘッドへの搭載が研究されている。

高密度な光記録装置の開発は、近年の画像や動画などの情報量の爆発的増加に伴い積極的に進められている。ＣＤ（コンパクトディスク）やＤＶＤ（デジタル多用途ディスク）に代表される光ディスクは光の回折限界によって記録密度に限界があることが知られている。この限界を超えるために、より波長の短い光を利用する方法や、近接場光を利用する方法が提案されている。近接場光を利用する光記録装置は、波長以下のサイズの光学的微小開口に光を入射し、開口からわずかに広がった近接場光と記録媒体表面とを相互作用させ、透過あるいは反射した散乱光を検出することで微小なデータマークを読み出す方法である。記録再生できる最小マークサイズは入射光の波長ではなく、開口サイズによって限定されるため、微小な開口を作製することで記録密度の向上が可能となる。近接場光を用いた光記録装置においては、開口が記録媒体表面に近接する必要がある。また、高いデータ転送速度を実現するためには開口が高速に記録媒体表面上を走査する必要がある。

これらの条件を満たすために、代表的には従来の磁気記録で用いられるフライングヘッド方式が提案されている。例えば、特許文献１に記載されているように、入射光の波長以下の大きさを持つ光学的微小開口を有し、微小開口に入射光を照射することによって、近接場光を発生させる近接場光発生素子が研究されている。その微小開口は、開口の輪郭のうち一ヶ所が入射光の偏光方向と略直交するように作製することによって、微小開口の輪郭のうち、入射光の偏光方向と略直交する部分のみが、大きな強度の近接場光を発生させ、高い解像度と高い光効率が得られる。

また、特許文献２に記載されているように、光学的に透明な浮上スライダ上の、記録媒体と対向する面上に、スライダと記録媒体の接触ないし浮上の状態を制御するために設けられた円柱ないし角柱形状のパッドと、微小なスポットサイズの近接場光を発生させるプローブを近接して設け、さらに、前記パッドと前記プローブの、スライダの前記情報記録媒体と対向する面からの高さが略等しく、かつ前記プローブの前記情報記録媒体と対向する面からの高さが前記パッドの前記情報記録媒体と対向する面からの高さより小さくする。これにより、近接場ヘッドがスライダと一体形成され、従来の磁気ディスク装置で用いられているヘッドと同様の性能をもった、小型、軽量、簡略な構成の近接場光ヘッドが構成できる。また、スライダが小型、軽量となるため、記録媒体と情報を記録再生する光ヘッドの相対速度を大きくすることが可能となる。さらに、前記近接場光ヘッドにおいて、パッドとプローブ上に光学的に不透明な薄膜、例えば金属薄膜を形成したり、さらにまた、プローブの先端部分において、プローブを構成する物体が露出している構造を有し、かつプローブの露出している部分の表面と、前記金属薄膜の表面とが、実質的に同一平面になる微小開口を作製することにより、微小なサイズの近接場光を発生させることができるようにする。

また、磁気記録装置においては、近年、コンピュータ機器におけるハードディスク等の容量増加に伴い、単一記録面内における情報の記録密度が増加している。例えば、磁気ディスクの一枚当たりの記録容量を多くするためには、面記録密度を高くする必要がある。ところが、記録密度が高くなるにつれて、記録媒体上で１ビット当たりの占める記録面積が小さくなっている。このビットサイズが小さくなると、１ビットの情報が記録された状態のポテンシャルエネルギーが、室温の熱エネルギーに近くなり、記録した情報が熱揺らぎ等のために反転したり、消えてしまったりする等の熱減磁の問題が生じてしまう。

一般的に用いられてきた面内記録方式では、磁化の方向が記録媒体の面内方向に向くように磁気を記録する方式であるが、この方式では上述した熱減磁による記録情報の消失等が起こり易い。そこで、このような不具合を解消するために、記録媒体に対して垂直な方向に磁化信号を記録する垂直記録方式に移行しつつある。この方式は、記録媒体に対して、単磁極を近づける原理で磁気情報を記録する方式である。この方式によれば、記録磁界が記録膜に対してほぼ垂直な方向を向く。垂直な磁界で記録された情報は、記録膜面内においてＮ極とＳ極とがループを作り難いため、エネルギー的に安定を保ち易い。そのため、この垂直記録方式は、面内記録方式に対して熱減磁に強くなっている。

しかしながら、近年の記録媒体は、より大量且つ高密度情報の記録再生を行いたい等のニーズを受けて、さらなる高密度化が求められている。そのため、隣り合う磁区同士の影響や、熱揺らぎを最小限に抑えるために、保磁力の強いものが記録媒体として採用され始めている。そのため、上述した垂直記録方式であっても、記録媒体に情報を記録することが困難になっていた。

そこで、この不具合を解消するために、近接場光により磁区を局所的に加熱して一時的に保磁力を低下させ、その間に書き込みを行うハイブリッド磁気記録方式（近接場光アシスト磁気記録方式）が提案されている。このハイブリッド磁気記録方式は、微小領域と、近接場光ヘッドに形成された光の波長以下のサイズに形成された光学的開口（例えば、特許文献３）との相互作用により発生する近接場光を利用する方式である。このように、光の回折限界を超えた微小な光学的開口、即ち、近接場光発生素子を有する近接場光ヘッドを利用することで、従来の光学系において限界とされていた光の波長以下となる領域における領域を加熱することが可能となる。よって、従来の光情報記録再生装置等を超える記録ビットの高密度化を図ることができる。

このように構成された磁気記録ヘッドを利用する場合には、近接場光を発生させると同時に記録磁界を印加することで、記録媒体に各種の情報を記録している。つまり、近接場光と磁場との協働により、記録媒体への記録を行うことができる。
特許２００２−０９２２７６号 特開平１１−２６５５２０号 WO ２００７/０７４６５０号

しかしながら、上述した従来の光記録ヘッド、あるいは、磁気記録ヘッドには、まだ以下の改善すべき課題が残されていた。即ち、上記特許文献１、２及び３に記載されている近接場光発生素子の光学的開口では、開口に導入する光を偏光制御した場合、その偏光方向と開口の輪郭が直交する輪郭が複数あると、前記輪郭の全てに強度の等しい近接場光が発生する。つまり、複数の近接場光スポットで記録媒体を加熱するため、高密度化に必要な媒体の加熱スポットを更に微小化することに制限がある。そのため、媒体の加熱領域の分解能が悪い。

また、複数の近接場光スポットの内、隣に比べ、比較的に強度の強い単数の近接場光スポットを発生させることが可能だとしても、隣の近接場光スポットがバクグラウンドライトになるため、その単数の近接場光スポットで媒体の加熱を行うときでも、分解能が低下し、書き込みの信頼性を向上させることができないことがあった。

そこで、本発明は以上の点に鑑みてなされたものであり、小型化を図ると共に、高分解能の近接場光を発生させることができる近接場光ヘッド及び情報記録再生装置を提供することを目的とする。

導入された光束から近接場光を発生させて、一定方向に回転する磁気記録媒体を加熱すると共に、該磁気記録媒体に磁界を与えて磁化反転を生じさせ情報を記録させる近接場光ヘッドであって、前記磁気記録媒体の表面から所定距離だけ浮上した状態で配置され、前記磁気記録媒体の表面に対向する対向面を有するスライダと、前記対向面上に形成され、前記対向面と接する底面を有し、前記底面と所定角度を成す平面で錐体の先端が切断されることで形成された頂面と、前記底面と前記頂面を結ぶ側面を有すると共に、前記頂面の輪郭の内、前記対向面との距離が最大となる最大距離輪郭部と、前記頂面の輪郭の内、前記最大距離輪郭部を除く他の一部分である他部分輪郭部とのそれぞれから近接場光を発生させるティップ状の近接場光発生素子と、前記側面上に形成され、お互いに対向する主磁極と副磁極から構成される磁極部と、前記対向面上に形成され、前記磁極部に接続された薄膜状の磁気回路と、前記磁気回路の周囲に巻回されたコイルとを備えることを特徴とするものである。また本発明は、前記光束は、前記頂面の輪郭上の点の内、輪郭と前記対向面の距離が最大になる輪郭上の複数の点を結んだ直線（輪郭部２）に対し、略垂直な偏光を有することを特徴とするものである。

また本発明は、前記光束は、前記最大距離輪郭部の少なくとも一点における接線に対し、略垂直な偏光を有することを特徴とするものである。

また本発明は、前記ティップの前記側面上の少なくとも一部に金属膜を備えることを特徴とするものである。

また本発明は、少なくとも前記最大距離輪郭部と接する側の前記側面上に金属膜を備えることを特徴とするものである。

また本発明は、前記最大距離輪郭部と接する側の前記側面上に第１金属膜が形成されると共に、前記他部分輪郭部と接する側の前記側面上に第２金属膜が形成されることを特徴とするものである。

また本発明は、前記第１金属膜と前記第２金属膜の材質が異なることを特徴とするものである。

また本発明は、前記最大距離輪郭部と接する側の前記側面上に、前記磁極部の前記主磁極が前記第１金属膜を介して形成されると共に、前記他部分輪郭部と接する側の前記側面上に、前記磁極部の前記副磁極が前記第２金属膜を介して形成されることを特徴とするものである。

また本発明は、前記最大距離輪郭部を含む前記頂面の一部分が、前記対向面と平行となることを特徴とするものである。

また本発明は、前記対向面が前記近接場光発生素子が備えられた素子領域と前記素子領域以外の他領域とを有し、前記副磁極が前記他領域に形成されていることを特徴とするものである。

また、本発明は、副磁極が側面上に形成されていることを特徴とするものである。

本発明に係る近接場光ヘッドを有する情報記録再生装置の第１実施形態を示す構成図である。 図１に示す近接場光ヘッドの拡大断面図と、コアを中心とした拡大断面図である。 図２に示す近接場光ヘッドを、ディスク面側から見た図である。 図３に示す近接場光ヘッドのコアを斜面側から見た拡大斜視図と拡大断面図である。 図４に示す近接場光ヘッドのコアの製造方法を示す断面図である。 図４に示す近接場光ヘッドのコアと磁極の製造方法を示す断面図である。 図４に示す近接場光ヘッドのコアと磁極の製造方法を示す断面図である。 本発明に係る近接場光ヘッドの第２実施形態を示す、近接場光ヘッドのコアを斜面側から見た拡大斜視図である。 本発明に係る近接場光ヘッドの第２実施形態を示す、近接場光ヘッドのコアを斜面側から見た拡大斜視図と拡大断面図である。 本発明に係る近接場光ヘッドの第３実施形態を示す、近接場光ヘッドのコアを端面側から見た拡大斜視図である。 本発明に係る近接場光ヘッドの第３実施形態を示す、近接場光ヘッドのコアを斜面側から見た拡大斜視図と拡大断面図である。 本発明に係る近接場光ヘッドの第４実施形態を示す、近接場光ヘッドのコアを斜面側から見た拡大斜視図である。 図２（a）に示す近接場光ヘッドのコアを中心とした拡大断面図である。 図１３に示す近接場光ヘッドを、ディスク面側から見た図である。

発明の実施するための最良の形態

（実施の形態１）
以下、本発明に係る近接場光記録素子、近接場光ヘッド及び情報記録再生装置の第１実施形態を、図１から図７を参照して説明する。なお、本実施形態の情報記録再生装置１は、磁気記録層ｄ４を有するディスク（磁気記録媒体）Ｄに対して、垂直記録方式で書き込みを行う装置である。また、本実施形態では、ディスクＤが回転する空気の流れを利用して近接場光ヘッド２を浮かせた空気浮上タイプを例に挙げて説明する。

図１に本実施形態の情報記録再生装置１の概略を示す。情報記録再生装置１は、近接場光ヘッド２と、ディスクDの表面（磁気記録媒体の表面）に平行なＸＹ方向に移動可能とされ、ディスクＤの表面に平行で且つ互いに直交する２軸（Ｘ軸、Ｙ軸）回りに回動自在な状態で近接場光ヘッド２を先端側で支持するビーム３と、光導波路４の基端側から該光導波路４に対して光束Ｌ（図２に示す）を入射させる光信号コントローラ（光源）５と、ビーム３の基端側を支持すると共に、該ビーム３をディスクＤの表面に平行なＸＹ方向に向けてスキャン移動させるアクチュエータ６と、ディスクＤを一定方向に回転させるスピンドルモータ（回転駆動部）７と、情報に応じて変調した電流を後述するコイル２１に対して供給すると共に、光信号コントローラ５の作動を制御する制御部８と、これら各構成品を内部に収容するハウジング９とを備えている。

ハウジング９は、アルミニウム等の金属材料により、上面視四角形状に形成されていると共に、内側に各構成品を収容する凹部９ａが形成されている。また、このハウジング９には、凹部９ａの開口を塞ぐように図示しない蓋が着脱可能に固定されるようになっている。凹部９ａの略中心には、上記スピンドルモータ７が取り付けられており、該スピンドルモータ７に中心孔を嵌め込むことでディスクＤが着脱自在に固定される。凹部９ａの隅角部には、上記アクチュエータ６が取り付けられている。このアクチュエータ６には、軸受１０を介してキャリッジ１１が取り付けられており、該キャリッジ１１の先端にビーム３が取り付けられている。そして、キャリッジ１１及びビーム３は、アクチュエータ６の駆動によって共に上記ＸＹ方向に移動可能とされている。なお、キャリッジ１１及びビーム３は、ディスクＤの回転停止時にアクチュエータ６の駆動によって、ディスクＤ上から退避するようになっている。また、近接場光ヘッド２とビーム３とで、サスペンション１２を構成している。また、光信号コントローラ５は、アクチュエータ６に隣接するように凹部９ａ内に取り付けられている。そして、このアクチュエータ６に隣接して、上記制御部８が取り付けられている。

図２（ａ）には上記近接場光ヘッド２とディスクＤの断面図を、図２（ｂ）には図２（ａ）のコア１６とその近傍の第１形態の拡大図を示し、近接場光ヘッド２の詳細な構造を説明する。

上記近接場光ヘッド２は、導入された光束Ｌから近接場光Ｒを発生させてディスクＤを加熱すると共に、ディスクＤに磁界を与えて磁化反転を生じさせ情報を記録させるものである。即ち、近接場光ヘッド２は、ディスク面Ｄ１から所定距離Ｈだけ浮上した状態で配置され、ディスク面Ｄ１に対向する対向面１５ａを有するスライダ１５と、該スライダ１５に固定され、近接場光Ｒを発生させるコア１６と、コア１６内に光束Ｌを導入させる光導波路４及びレンズ２６と、コア１６に形成された主磁極１８と、副磁極１９を備えている。

スライダ１５は、石英ガラス等の光透過性材料によって、略直方体状に形成されている。このスライダ１５は、対向面１５ａをディスクＤに対向させた状態で、ジンバル部２５を介してビーム３の先端にぶら下がるように支持されている。このジンバル部２５は、ディスク面Ｄ１に垂直なＺ方向、Ｘ軸回り及びＹ軸回りにのみ変位するように動きが規制された部品である。これによりスライダ１５は、上述したようにディスク面Ｄ１に平行で且つ互いに直交する２軸（Ｘ軸、Ｙ軸）回りに回動自在とされている。

スライダ１５の対向面１５aには、回転するディスクＤによって生じた空気流の粘性から、浮上するための圧力を発生させる凸状部１５ｂが形成されている。本実施形態では、レール状に並ぶように、長手方向に沿って延びた凸状部１５ｂを２つ形成している場合を例にしている。但し、この場合に限定されるものではなく、スライダ１５をディスク面Ｄ１から離そうとする正圧とスライダ１５をディスク面Ｄ１に引き付けようとする負圧とを調整して、スライダ１５を最適な状態で浮上させるように設計されていれば、どのような凹凸形状でも構わない。なお、この凸状部１５ｂの表面はＡＢＳ（Air Bearing Surface）と呼ばれる。
スライダ１５は、この２つの凸状部１５ｂによってディスク面Ｄ１から浮上する力を受けていると共に、ビーム３によってディスク面Ｄ１側に押さえ付けられる力を受けている。スライダ１５は、この両者の力のバランスによって、上述したようにディスク面Ｄ１から所定距離Ｈだけ離間した状態で浮上する。

更に、コア１６の端面１６ｂは、光束Ｌが内部に導入されたときに近接場光Ｒを発生さ
せるサイズに形成されている。即ち、コア１６の端面１６ｂの開口サイズは、光束Ｌの波
長よりも遥かに微細なサイズ（例えば、一辺が数十ｎｍ程度のサイズ）となるように設計
されており、通常の伝播光を透過させることがないが、近接場光Ｒを近傍に漏れ出させる
ことを可能にしている。

また、スライダ１５の上面には、コア１６の真上に当たる位置にレンズ２６が形成され
ている。このレンズ２６は、例えば、グレースケールマスクを用いたエッチングによって
形成される非球面のマイクロレンズである。更に、スライダ１５の上面には、光ファイバ
ー等の光導波路４が取り付けられている。この光導波路４は、先端が略４５度にカットされたミラー面４ａとなっており、該ミラー面４ａがレンズ２６の真上に位置するように取
り付け位置が調整されている。そして、光導波路４は、ビーム３及びキャリッジ１１等を
介して光信号コントローラ５に引き出されて接続されている。

これにより光導波路４は、光信号コントローラ５から入射された光束Ｌを先端側まで導
き、ミラー面４ａで反射させて向きを変えた後、レンズ２６に出射することができるよう
になっている。また、出射された光束Ｌは、レンズ２６によって集束した後、スライダ１
５を透過してコア１６の底面１６ａに導入されるようになっている。

また、スライダ１５の先端面１５ｃには、図２及び図３に示すように、ディスクＤの磁気記録層ｄ４から漏れ出ている磁界の大きさに応じて電気抵抗が変換する磁気抵抗効果膜２７が形成されている。この磁気抵抗効果膜２７は、コア１６の端面１６ｂと略同じ幅で形成されている。また、この磁気抵抗効果膜２７には、図示しないリード膜等を介して制御部８からバイアス電流が供給されている。これにより制御部８は、ディスクＤから漏れ出た磁界の変化を電圧の変化として検出することでき、この電圧の変化から信号の再生を行っている。即ち、磁気抵抗効果膜２７は、再生素子として機能している。

なお、本実施形態のディスクＤは、少なくとも、ディスク面Ｄ１に垂直な方向に磁化容易軸を有する垂直記録層ｄ４と、高透磁率材料からなる軟磁性層ｄ２との２層で構成される垂直２層膜ディスクを使用する。このようなディスクＤとしては、例えば、図２に示すように、基板ｄ１上に、軟磁性層ｄ２と、中間層ｄ３と、垂直記録層ｄ４と、保護層ｄ５と、潤滑層ｄ６とを順に成膜したものを使用する。

基板ｄ１としては、例えば、アルミ基板やガラス基板等である。軟磁性層ｄ２は、高透磁率層である。中間層ｄ３は、垂直記録層ｄ４の結晶制御層である。垂直記録層ｄ４は、垂直異方性磁性層となっており、例えばＣｏＣｒＰｔ系合金が使用される。保護層ｄ５は、垂直記録層ｄ４を保護するためのもので、例えばＤＬＣ（ダイヤモンド・ライク・カーボン）膜が使用される。潤滑層ｄ６は、例えば、フッ素系の液体潤滑材が使用される。
図３には、近接場光ヘッド２の対向面１５a上の構造を示す。凸状部１５ｂが対抗面１５aの両端側に設けられ、それらの略中間の位置にコア１６が形成されている。コア１６は前記中間の位置に沿って対抗面１５aのどの位置に形成されても良いが、磁気抵抗効果膜２７に可能な限り近い位置に形成されたほうが望ましい。また、コア１６の斜面上には主磁極１８と副磁極１９が、開口を介して互いに向い合わせに配置されることにより、近接場光がディスクＤに照射される領域と磁極からの記録磁界がディスクＤに照射される領域とをより一致させることができるため、近接場光及び磁界の広がりを抑制して書き込みの信頼性を向上することができる。

記録磁界は、対向面１５a上の磁気回路２０に巻回されているコイル２０は、制御部８からの情報に応じて変調された電流が供給される配線Wと接続されていて、コイル２０に電流が流れると、磁気回路２０に磁界が発生することから、主磁極１８から副磁極１９へ記録磁界が流れる、という発生原理となっている。

図４はコア１６の拡大図であり、図４（a）にはコア１６の頂面１６ｂが四角形である場合の一例を、また図４（ｂ）には図４（a）のa−a´断面図を示す。
図４（a）に示すように、コア１６は、底面１６ａと端面１６ｂと４つの側面１６ｃ１、１６ｃ２、１６ｃ３、１６ｃ４から構成される。具体的には、４辺を有するように平面視長方形状に形成された底面１６ａと、該底面１６ａより小さな面積でほぼ同一形状（平面視長方形状）に形成され、底面１６ａから所定距離離間した位置に配された端面１６ｂと、底面１６ａ及び端面１６ｂの頂点をそれぞれ結んで形成された４つの側面１６ｃとを有するように加工されている。ここで、端面１６ｂは、底面１６aと平行な面１６ｂ´から所定の角度Aを持って傾いている斜面状態になっている。その結果、端面１６ｂは、四つの輪郭の内、底面１６aから最大の距離を持つ輪郭（最大距離輪郭部）１６ｂ１と最短の距離を持つ輪郭（他部分輪郭部）１６ｂ２を有する。

但し、コア１６としては、４つの側面１６ｃを有する場合に限定されるものではなく、平面視多角形状（例えば、６角形状、８角形状、及び、台形）の底面及び端面と、これら底面及び端面のそれぞれの頂点を結ぶ複数の側面（例えば、底面及び端面が６角形状の場合には６面）とを有するコアでも良い。また、底面に対し、端面が所定の角度を持って傾いている斜面構造であれば良い。なお、底面及び端面は、共に同じ形状でなくても良い。

また、側面１６ｃ１上と側面１６ｃ２上には磁性材料からなる前記主磁極１８と前記副磁極１９が形成されている。また、前記主磁極１８と前記副磁極１９は、図３に示すように、前記磁極と同一材料からスライダ１５内にパターニングされて形成されている磁気回路２０の両端とそれぞれ接続されている。
このように構成されたコア１６は、図２に示すように、底面１６ａをスライダ１５の対向面１５ａに面接触させた状態で固定されている。この際、互いに対向し、主磁極１８と副磁極１９を有する２つの側面1６ｃ１と１６ｃ２が、スライダ１５の長手方向、即ち、ディスクＤの移動方向に沿って並ぶように固定されている。なお、コア１６とスライダ１５とをそれぞれ別々に作製した後、互いを固定しても構わないし、石英ガラス等から一体的に作製しても構わない。特に、一体的に作製することで、製造工程の簡略化、製造時間の短縮化等を図ることができるので、より好ましい。

また、底面１６ａを対向面１５ａに面接触させているので、コア１６の端面１６ｂはスライダ１５の対向面１５ａ及びディスク面Ｄ１に対して所定の角度を持って傾いている。この際、端面１６ｂの輪郭１６ｂ１の高さは凸状部１５ｂの高さとほぼ同じになるように、コア１６の高さが設定されている。

ここで、コア１６の端面１６ｂは、上述したように底面１６ａよりも小さいサイズで該底面１６ａとほぼ同じ形状に形成されているので、４つの側面１６ｃ１、１６ｃ２、１６ｃ３、１６ｃ４は、端面１６ｂに向かうにしたがって向い合う該側面１６ｃ１、１６ｃ２、１６ｃ３、１６ｃ４との間隔が漸次狭まる斜面状態となっている。特に、コア１６の端面１６ｂのサイズは、近接場光Ｒを発生させる極微小サイズであるので、端面１６ｂにおける両磁極１８、１９の間隔（磁気ギャップ）Ｇは非常に近接した状態となっている。つまり、微小な磁気ギャップＧとなっている。

図４（ｂ）には、前記端面１６ｂ上に発生した近接場光がディス面D１を局所的に加熱する原理を示す。該輪郭１６ｂ１と輪郭１６ｂ２と略垂直な方向に偏光方向Pを持った光束Ｌがコア１６内に導入されると、局在化された近接場光N１とN２が端面１６ｂの輪郭１６ｂ１と輪郭１６ｂ２の近傍に発生する。その際、端面１６ｂは所定の角度Aを持ってディスク面D１に対し傾いているので、ディスク面D１と最も近接している輪郭１６ｂ１近傍に発生した近接場光N１のみが、ディスク面D１を加熱することになる。その結果、従来構造である端面１６ｂがディスク面D１と平行になっていて、近接場光N１とN２がとディス面D１との距離がほぼ同じである構造とは違い、近接場光N２のディスク面D１に対する作用を抑えることが可能である。

従来構造では、開口に導入する光を偏光制御した場合、複数の領域に強度の等しい近接場光が発生し、複数の近接場光スポットで記録媒体（ディスク面D１）を加熱するため、高密度化に必要な媒体（ディスク面D１）の加熱スポットを更に微小化することに制限があり、媒体（ディスク面D１）の加熱領域の分解能が悪かった。しかし、図４に示すコア１６の構造では、前記の従来構造の問題を回避することができ、高分解能の近接場光N1のみを発生させることができる。

また、上記のコア１６の構造に加え、低面からの距離Dが最大になる輪郭の少なくとも一点における接線に対し、略垂直な偏光を有する光速Lを導入することで、近接場光が端面の輪郭の2ヶ所に発生するコア構造であり、また、端面が底面に対し所定角度を持って傾いているコア構造であれば、どの構造であっても上記のコア１６構造が持つ効果を得ることが可能になる。

そうすることで、主磁極１８から発生した記録磁界が作用するディスク面D１の微小な領域のみを加熱することができ、磁界の記録時の熱アシストを高分解能で精度よく行うことができる。

ここで、近接場光がディスク面Ｄ１に照射される領域（近接場光領域）と磁極からの記録磁界がディスク面Ｄ１に照射される領域（磁極領域）とが一致している領域を小さくするために、主磁極１８と副磁極１９とが隣接して配置されている。特に本実施形態では、近接場光領域と磁極領域とが一致している領域を最小限にするために、コア１６の斜面上において主磁極１８と副磁極１９とが、開口を介して互いに向い合わせに配置されている。この状況では、主磁極１８に隣接する側の輪郭１６ｂ１と副磁極１９に隣接する側の輪郭１６ｂ２とが互いに向い合わせになるため、光束Ｌの偏光方向が両輪郭に対して略垂直となり、両輪郭のそれぞれから近接場光が発生する場合がある。

このように２箇所から近接場光が発生すると、ディスクＤ１上の近接場光領域の大きさが１つの近接場光よりも大きくなるため、近接場光の全体の分解能を向上させることができず、更には近接場光領域と磁極領域とが一致している領域が大きくなり高密度に情報を記録することができない。そこで、本発明は、近接場光が２箇所から発生しても、ディスク面Ｄ１上の近接場光領域を大きくしないようにして、高密度に情報を記録させることを目的としている。すなわち、本発明は、近接場光を発生する２つの輪郭（１６ｂ１,１６ｂ２）のうち、いずれか一方の輪郭をスライダ１５の対向面１５ａからの距離が最大となる位置に配置している。これにより、一方の輪郭からの近接場光が他方の輪郭よりもディスク面Ｄ１に照射され易くなり、他の輪郭からの近接場光がディスク面Ｄ１に照射され難くなるため、ディスク面Ｄ１上の近接場光領域を大きくさせることなく、高密度に情報を記録させることができる。

図５は、本発明の実施の形態１におけるコア１６の製造方法の一例を示す図であり、図５（a）は図４（a）のa−a´断面図を、図５（ｂ）は図４（a）のｂ−ｂ´断面図を示す。Ｓ１からＳ３の各行は作製ステップを示す。

まず、ステップＳ１に示すように、スライダ１５のディスクDと対向となる面上にエッチングマスク１０１を形成する。エッチングマスク１０１はフォトリソグラフィーで加工されたフォトレジスト薄膜である。エッチングマスク１０１は長方形である。

次にステップＳ２に示すように、スライダ１５のディスクDと対向となる面上のエッチングを行う。エッチングはウエットエッチングでもドライエッチングでも良いが、等方性エッチングである必要がある。例えば、スライダ１５を石英ガラスとすると、フッ化水素酸水溶液によるウエットエッチングを用いると良い。スライダ１５のディスクDと対向となる面上のエッチングにより、エッチングマスク１０１の下には四つの側面（１６０ｃ１、１６０ｃ２、１６０ｃ３、１６０ｃ４）を持つ四角錐台１６０が形成される。

次にステップＳ３に示すように、エッチングマスク１０１を除去する。エッチングマスク１０１の除去にはアセトンなどの有機溶媒や発煙硝酸などを用いる。エッチングマスク１０１を除去すると、四角錐台１６０の頂面１６０ｂが露出する。

次に、図６と図７に亘って、コア１６の斜面１６ｃ１と１６ｃ２上に主磁極１８と副磁極１９を形成する方法と、対向面１５aに対し所定角度を持って傾いた端面１６ｂを加工する方法の一例を説明する。

図６には、コア１６の端面１６ｂを加工する方法を示す。図６（a）は図４（a）のa−a´断面図であり、図６（ｂ）は図４（a）のｂ−ｂ´断面図である。

まず、ステップＳ４のように、四角錐台１６０の側面１６０ｃ２上に、側面１６０ｃ２に対して略垂直な方向Ｄ６０１から、スプレーコート法など指向性を有する樹脂膜形成方法を用いて、エッチングマスク１０２を形成する。このときエッチングマスク１０２は、側面１６０ｃ２だけでなく、側面１６０ｃ２に隣接する側面１６０ｃ３ 、１６０ｃ４および頂面１６０ｂ上にも形成される。成膜方法の指向性により陰になるから、側面１６０ｃ２と向かい合わせとなる側面１６０ｃ１上には、エッチングマスク１０２は形成されない。エッチングマスク１０２はフォトレジストなどの樹脂膜からなり、その膜厚は数十ｎｍから数μｍである。

次に、ステップＳ５に示すように、コア１６の端面１６ｂが頂面１６０ｂに対し、所定の角度Aを持った斜面形状になるまで加工を行う。四角錐台１６０が石英ガラスとすると、フッ化水素酸水溶液によるウエットエッチングを用いれば、側面１６ｃ１と犠牲層１０２が接する部分（ステップS４の１６０ｃ５）からのサイドエッチングが進み、端面１６ｂが加工される。そのとき、フッ化水素酸水溶の濃度を変えることで、前記所定の角度Aをコントロールすることができる。この方法は、ウエハ上の複数のコア１６を一括で加工することが可能であるので、大量生産に適している。

また、FIB（Focused Ion Bean）を用い、斜面形状の１６ｂを形成することも可能である。また、四角錐台１６０の頂面１６０ｂに対し、所定の角度を持った研磨材を用い、斜め研磨する方法を用いても斜面形状の１６ｂを形成することが可能である。

また、四角錐台１６０の頂面１６０ｂとコア１６の端面１６ｂの輪郭１６ｂ２との距離ｄが数ナノメートルから数十ナノメートルになるように角度Aを制御すると良い。

次に、ステップＳ６には、ステップ５の工程を行った後の、エッチングマスク１０２をアセトンなどの有機溶媒を用いて除去する。また、その際に超音波を付加するとより容易に犠牲層１０２を剥離することが出来る。そうすることで、端面１６ｂと四つの斜面（１６ｃ１、１６ｃ２、１６ｃ３、１６ｃ４）を持ったコア１６の構造が得られる。

次に、ステップＳ７に示すように、ステップ４のエッチングマスク１０２を形成する方法と同様な方法で、犠牲層１０３を形成する。このとき犠牲層１０３は、側面１６ｃ２だけでなく、側面１６ｃ２に隣接する側面１６ｃ３ 、１６ｃ４および端面１６ｂ上にも形成される。成膜方法の指向性により陰になるから、側面１６ｃ２と向かい合わせとなる側面１６ｃ１上には、犠牲層１０３は形成されない。犠牲層１０３はフォトレジストなどの樹脂膜からなり、その膜厚は数十ｎｍから数μｍである。

次に、ステップＳ８に示すように、真空蒸着法など指向性を有する金属膜形成方法を用いて、磁性膜２０１を形成する。このとき、磁性膜２０１は側面１６０ｃ１上と端面１６ｂに載る犠牲層１０３上だけでなく、側面１６ｃ３、１６ｃ４に載る犠牲層１０３上にも形成される。

図７は、斜面１６ｃ１と１６ｃ２上に主磁極１８と副磁極１９を形成する方法を示す。図７（a）は、図４（a）のa−a´断面図であり、図７（ｂ）は図４（a）のｂ−ｂ´断面図である。

まず、ステップＳ９に示すように、犠牲層１０３をアセトンなどの有機溶媒を用いてリフトオフする。また、その際に超音波を付加するとより容易に犠牲層１０２を剥離することが出来る。このとき、犠牲層１０３に載る磁性膜２０１も剥離され、側面１６ｃ１に載る磁性膜２０１（主磁極１８）のみが残る。

次に、ステップＳ１０に示すように、主磁極１８が載る側面１６ｃ１上に、側面１６ｃ１に対して略垂直な方向Ｄ７０１から、スプレーコート法など指向性を有するフォトレジスト形成方法を用いて、犠牲層１０４を形成する。このとき犠牲層１０４は、側面１６ｃ１上に載る主磁極１８上だけでなく、側面１６ｃ１に隣接する側面１６ｃ３ 、１６ｃ４ および端面１６ｂ上にも形成される。成膜方法の指向性により陰になるから、側面１６ｃ１と向かい合わせとなる側面１６ｃ２ 上には、犠牲層１０４は形成されない。犠牲層１０４はフォトレジストからなり、その膜厚は数十ｎｍから数μｍである。

次に、ステップＳ１１に示すように、側面１６ｃ２上に、側面１６ｃ２に対して略垂直な方向Ｄ７０２から、真空蒸着法など指向性を有する金属膜形成方法を用いて、磁性膜２０２を形成する。このとき、磁性膜２０２は側面１６ｃ２上と頂面１６ｂに載る犠牲層１０４上だけでなく、側面１６ｃ３、１６ｃ４に載る犠牲層１０４上にも形成される。

次に、ステップＳ１２に示すように、アセトンなどの有機溶媒を用いて犠牲層１０４を剥離する。また、その際に超音波を付加するとより容易に犠牲層１０４を剥離することが出来る。このとき、犠牲層１０４に載る磁性膜２０２も剥離され、側面１６ｃ２に載る磁性膜２０２（副磁極１９）のみが残る。

そうすることで、コア１６の両側面１６ｃ１と１６ｃ２上に主磁極１８と副磁極１９を精度よく形成することができる。
（実施の形態２）
次に、本発明に係る近接場光ヘッドの第２実施形態について、図８と図９を参照して説明する。なお、第２実施形態において第１実施形態と同一の構成については、同一の符号を付しその説明を省略する。

図８には、図４に示す構造と同様な構造のコア１６であって、更にコア１６の斜面（１６ｃ１、１６ｃ２、１６ｃ３、１６ｃ４）上に金属膜（M１、M２、M３、M４）が形成されていて、該金属膜M１とM２上に主磁極１８と副磁極１９が形成されている構造の一例である。

該金属膜は、導入された光束Lがコア１６の外部に漏れてしまうことを防止するための遮光膜機能を持つと共に、金属の表面プラズモン効果を得るために形成されている。そうすることで、光束Ｌをより集光させることができ、近接場光N１を効率良く発生させることができる。また、該プラズモン効果により、更に強度が加わった局在化した高エネルギーを持つ、近接場光N1を発生させることができる。

また、金属膜の材質としてはAlまたは、Auなどの金属材料を用いれば有効である。
金属膜（M１、M２、M３、M４）は、図５に示すコア１６の作製後、真空蒸着やスパッタリング法などの成膜手段を用い、コア１６上の全面上に金属膜を形成した後、コア１６の端面１６ｂ上の金属のみをFIB（Focused Ion Beam）、研磨、または重りで押し付けるなどの手段を用い除去することで、形成が可能になる。また、図６と図７のステップS５とS８に示す、真空蒸着法など指向性を有する金属膜形成方法を用いても、金属膜（M１、M２、M３、M４）をコア１６の斜面上に簡単に形成することが可能である。

前記の真空蒸着法など指向性を有する金属膜形成方法を用いると、図９の（a）に示すように、コア１６の斜面１６ｃ１上と斜面１６ｃ２、１６ｃ３、１６ｃ４上とに異なる材料の金属膜M５と金属膜M２、M３、M４を形成することも可能である。例えば、金属膜M５としてはAuを、金属膜M２、M３、M４としてはAlを用いることができる。

そうすることで、図９（ｂ）に示すように、偏光方向Pを持った光束Lを導入した際、端面１６ｂは所定の角度Aを持ってディスク面D１に対し傾いているので、ディスク面D１と最も近接している輪郭１６ｂ１近傍に発生した近接場光N３のみが、近接場光N４より更に高い強度を持って、ディスク面D１に作用することができる。

それは、近接場光N４のディスクDに対するバクグラウンドライド影響を抑えることが可能になると共に、高強度で高分解能を実現した近接場光N３を用い、ディスク面D１を熱アシストすることができ、書き込みの信頼性を向上させることができる。
（実施の形態３）
次に、本発明に係る近接場光ヘッドの第３実施形態について、図１０と図１１を参照して説明する。なお、第３実施形態において第１実施形態と第２実施形態と同一の構成については、同一の符号を付しその説明を省略する。

図１０には、コア３６の底面３６aと端面３６ｂの形状が台形であり、側面３６ｃ１、３６ｃ２、３６ｃ３、及び３６ｃ４を有する構造の一例を示す。また、端面３６ｂは底面３６aと所定の角度を持って傾いている。

端面３６ｂの輪郭３６ｂ１と垂直な偏光方向Pを有する光束Lが、コア３６に導入されると、輪郭３６ｂ１と輪郭３６ｂ２の近傍に近接場光N１とN２が発生する。その際、コア３６の内、ディスク面D１に最も近接している輪郭３６ｂ１近傍の近接場光N１のみがディスク面D１に作用するようになる。

コア３６の構造の効果は、図４のコア１６が有する効果と同様に、主磁極１８から発生した記録磁界が作用するディスク面D１の微小な領域のみを加熱することができ、磁界の記録時の熱アシストを高分解能で精度よく行うことができる。

更に、コア３６の磁極構造を、副磁極１９の頂面１９aが、主磁極１８の頂面１８aより大きい面積になるように作製することで、主磁極１８から発生した記録磁界が、ディスクDの記録層D３に情報を記録した後、強度が低下し分散された磁界に変え、副磁極１９にリターンされるようになる。そうなることで、精度や効率の良い磁気記録を行うことができる。

コア３６の作製は、図５から図７に示すコア１６の作製方法に台形のエッチングマスク１０１に変えるだけで可能になる。

また、図８と図９に示すように、コア３６の側面（３６ｃ１、３６ｃ２、３６ｃ３、３６ｃ４）上に、金属膜（M１またはM５、M２、M３、M４）を形成することで、コア１６が持つ効果と同様に、強度の高い近接場光N１を発生させることができる。

図１１（a）にはコア４６構造の構成を、図１１（ｂ）には図１１（a）のa−a´断面図を示す。

図１１（a）に示すコア４６は、図４に示すコア１６の端面１６ｂの輪郭１６ｂ１近傍の一部が底面１６aに対し平行になっている構造であり、コア４６の端面は、底面４６aに対し、所定の角度Aを持って傾いている端面４６ｂと、底面４６aに対し平行な端面４６ｂ１を有する構成となっている。

コア４６の構造は、図１１（ｂ）に示すように、底面４６aと平行で端面４６ｂの輪郭４６ｂ２と垂直な偏光方向Pを有する光束Lが、コア４６に導入された場合、輪郭４６ｂ２、輪郭４６ｂ３、及び輪郭４６ｂ４の近傍に近接場光N１、N２及びN３が発生する。その際、コア４６の内、ディスク面D１に最も近接している端面４６ｂ１の輪郭４６ｂ２と輪郭４６ｂ３の近傍には、近接場光N１とN２が発生するが、近接場光N２の強度は近接場光N１の強度に比べ微弱であるため、ほぼ近接場光N１のみがディスク面D１に作用するようになる。

コア３６の構造の効果は、図４のコア１６が有する効果と同様に、主磁極１８から発生した記録磁界が作用するディスク面D１の微小な領域のみを加熱することができ、磁界の記録時の熱アシストを高分解能で精度よく行うことができる。

コア４６の作製は、図５から図７に示すコア１６作製ステップの最後に、コア１６の輪郭１６ｂ１近傍と主磁極１８の頂面を研磨やFIB（Focused Ion Beam）を用い、削ることで可能になる。また、コア１６の作製ステップS６を行った後、輪郭１６ｂ１近傍を研磨やFIB（Focused Ion Beam）を用い、削る方法でも可能である。また、コア１６の作製ステップS５を行う段階で、サイドエッチングが進み、輪郭１６ｂ１形成される前段階でエッチングを止める方法でも、端面４６ｂ１を形成することができる。

また、図８と図９に示すように、コア４６の側面（４６ｃ１、４６ｃ２、４６ｃ３、４６ｃ４）上に、金属膜（M１またはM５、M２、M３、M４）を形成することで、コア１６が持つ効果と同様に、強度の高い近接場光N１を発生させることができる。

また、コア４６の磁極構造の、副磁極１９の頂面１９aを、主磁極１８の頂面１８aより大きい面積になるように作製することで、主磁極１８から発生した記録磁界が、ディスクDの記録層D３に情報を記録した後、強度が低下し分散された磁界に変え、副磁極１９にリターンされるようになる。そうなることで、精度や効率の良い磁気記録を行うことができる。

（実施の形態４）
次に、本発明に係る近接場光ヘッドの第４実施形態について、図１２を参照して説明する。なお、第４実施形態において第１実施形態、第２実施形態及び第３実施形態と同一の構成については、同一の符号を付しその説明を省略する。

図１２に示すコア５６構造は、円形の底面５６aと端面５６ｂと側面５６ｃを有する円筒構造の一例を示す。また、端面５６ｂは底面５６aと平行な面５６ｂ´と所定の角度Aを持って傾いている。

端面５６ｂの輪郭上の一点５６ｂ１における接線Tと略垂直な偏光方向Pを有する光束Lが、コア５６に導入されると、輪郭上の一点５６ｂ１と５６ｂ２の近傍に、局在化された近接場光N１とN２が発生する。その際、コア５６の内、ディスク面D１に最も近接している輪郭上の一点５６ｂ１近傍の近接場光N１のみがディスク面D１に作用するようになる。

図４のコア１６のように、端面が角形形状になっている構造の輪郭に発生する近接場光は、輪郭長さ方向に沿って発生するため、発生した近接場光は多少細長い形状を持つ。しかし、コア５６のように、円形の端面をもつ構造は、輪郭上の一点５６ｂ１と５６ｂ２の近傍に更に局在化されたスポット状の近接場光N１とN２を発生させる。

その結果、コア５６の構造は、図４のコア１６が有する効果に加え、主磁極１８から発生した記録磁界が作用するディスク面D１の極微小な領域を加熱することができ、磁界の記録時の熱アシストを高分解能で精度よく行うことができる。

更に、コア５６の磁極構造を、副磁極１９の頂面１９aが、主磁極１８の頂面１８aより大きい面積になるように作製することで、主磁極１８から発生した記録磁界が、ディスクDの記録層D３に情報を記録した後、強度が低下し分散された磁界に変え、副磁極１９にリターンされるようになる。そうなることで、精度や効率の良い磁気記録を行うことができる。

コア５６の作製は、図５から図７に示すコア１６の作製方法に円形のエッチングマスク１０１に変えるだけで可能になる。

また、図８と図９に示すように、コア５６の側面５６ｃ上に、金属膜（M１またはM５、M２、M３、M４）を形成することで、コア１６が持つ効果と同様に、強度の高い近接場光N１を発生させることができる。

また、コア５６の構造の、副磁極１９の頂面１９aを、主磁極１８の頂面１８aより大きい面積になるように作製することで、主磁極１８から発生した記録磁界が、ディスクDの記録層D３に情報を記録した後、強度が低下し分散された磁界に変え、副磁極１９にリターンされるようになる。そうなることで、精度や効率の良い磁気記録を行うことができる。

（実施の形態５）
次に、本発明に係る近接場光ヘッドの第５実施形態について、図１３を参照して説明する。なお、第５実施形態において第１実施形態、第２実施形態、第３実施形態及び第４実施形態と同一の構成については、同一の符号を付しその説明を省略する。

図１３には、図２（ａ）のコア１６とその近傍の第２形態の拡大図を示す。図１３に示す近接場光ヘッド２の構造は図２（ｂ）に示す近接場光ヘッド２の第１形態の構造と類似だが、図２（ｂ）のコア１６に形成された副磁極１９が、図１３には対向面１５a上に形成されている点が異なる。

また、図１４には近接場光ヘッド２の第２形態の対向面１５a上の構造を示す。

近接場光ヘッド２の第１形態である図３の構造と異なる点は、コア１６の斜面上には主磁極１８のみが形成され、対向面１５a上に副磁極１９が形成されていることであり、主磁極１８と副磁極１９が磁気回路２０によってつながっている。

対向面１５a上の磁気回路２０に巻回されているコイル２１は、制御部８からの情報に応じて変調された電流が供給される配線Wと接続されている。コイル２１に電流が流れると、磁気回路２０に磁場が発生することから、図１３に示すように主磁極１８から副磁極１９へ記録磁界が流れ、情報記録を行う。

また、図１３と図１４に示すコア１６と主磁極１８は、図５と図６に示す方法と同一の方法を用い製造することができる。また、副磁極１９は、コア１６と主磁極１８を作製した後、副磁極１９を別途に対向面１５a上に設けても良いし、主磁極１８の形成時に用いるフォトマスクに副磁極１９のパターンを入れ、主磁極１８の形成時に副磁極１９を同時に形成しても良い。また、コア１６の形成時に用いるフォトマスクに副磁極１９が形成される突起構造をコア１６の形成時と同時に対向面１５a上に設け、その後、コア１６上に主磁極１８の形成と同時に副磁極１９を前記突起上に形成しても良い。また、コア１６上に主磁極１８を形成した後、前記突起上に副磁極１９を形成しても良い。

近接場光ヘッド２の第２形態は、図２（ｂ）に示す第1形態が有する、近接場光がディスクＤに照射される領域と磁極からの記録磁界がディスクＤに照射される領域とをより一致させることができるため、近接場光及び磁界の広がりを抑制して書き込みの信頼性を向上する効果を持つと共に、主磁極１８と副磁極１９が対向面１５a上で所定の距離を持って離れているため、主磁極１８から発生した記録磁界が、ディスクDの記録層D３に情報を記録した後、強度が低下し分散された磁界に変え、副磁極１９にリターンされるようになり、他の記録された磁界を反転させたりする影響を少なくする効果を有する。そうなることで、精度や効率の良い磁気記録を行うことができる。

また、図１３と図１４に示す、主磁極１８と副磁極１９の距離ｄが、数百ナノメートルから数十マイクロメートルまでとなることで磁気記録は可能である。特に距離ｄが数マイクロメートルの場合、もっとも効率良く磁気記録を行うことができる。

また、近接場光ヘッド２の第２形態のコア１６は、図４、図８、図９、図１０、図１１に示すコア１６，３６，４６，５６と同一な構造で作製することができるため、図４、図8、図９、図１０、図１１に示す近接場光ヘッドの構造・機能状の特徴を同一に有することができ、精度や効率の良い磁気記録を行うことができる。

なお、上記各実施の形態では、磁気回路２０が対抗面１５ａに備えられていることを前提に説明したが、これに限定されないのは勿論のことである。例えば、磁気回路２０は、コア１６の斜面上に備えられていても良いし、それ以外の場所に備えられていても良い。

本発明によれば、小型化を図ると共に、高分解能の近接場光を発生させることができる。

Claims (11)

1. 導入された光束から近接場光を発生させて、一定方向に回転する磁気記録媒体を加熱すると共に、該磁気記録媒体に磁界を与えて磁化反転を生じさせ情報を記録させる近接場光ヘッドであって、
   前記磁気記録媒体の表面から所定距離だけ浮上した状態で配置され、前記磁気記録媒体の表面に対向する対向面を有するスライダと、
   前記対向面上に形成され、前記対向面と接する底面を有し、前記底面と所定角度を成す平面で錐体の先端が切断されることで形成された頂面と、前記底面と前記頂面を結び互いに傾斜する側面を有すると共に、前記頂面の輪郭の内、前記対向面との距離が最大となる最大距離輪郭部と、前記頂面の輪郭の内、前記最大距離輪郭部を除く他の一部分である他部分輪郭部とのそれぞれから近接場光を発生させるティップ状の近接場光発生素子と、
   前記最大距離輪郭部を有する前記側面上に形成された主磁極と、前記他部分輪郭部を有する副磁極とにより構成される磁極部と、
   前記磁極部に接続された薄膜状の磁気回路と、
   前記磁気回路の周囲に巻回されたコイルと
   を備えることを特徴とする近接場光ヘッド。
2. 前記光束は、前記最大距離輪郭部の少なくとも一点における接線に対し、略垂直な偏光を有することを特徴とする請求項１記載の近接場光ヘッド。
3. 前記ティップの前記側面上の少なくとも一部に金属膜を備えることを特徴とする請求項１に記載の近接場光ヘッド。
4. 少なくとも前記最大距離輪郭部と接する側の前記側面上に金属膜を備えることを特徴とする請求項３に記載の近接場光ヘッド。
5. 前記最大距離輪郭部と接する側の前記側面上に第１金属膜が形成されると共に、前記他部分輪郭部と接する側の前記側面上に第２金属膜が形成されることを特徴とする請求項４に記載の近接場光ヘッド。
6. 前記第１金属膜と前記第２金属膜の材質が異なることを特徴とする請求項５に記載の近接場光ヘッド。
7. 前記最大距離輪郭部と接する側の前記側面上に、前記磁極部の前記主磁極が前記第１金属膜を介して形成されると共に、前記他部分輪郭部と接する側の前記側面上に、前記磁極部の前記副磁極が前記第２金属膜を介して形成されることを特徴とする請求項５に記載の近接場光ヘッド。
8. 前記最大距離輪郭部を含む前記頂面の一部分が、前記対向面と平行となることを特徴とする請求項２に記載の近接場光ヘッド。
9. 前記対向面は、前記近接場光発生素子が備えられた素子領域と、前記素子領域以外の他領域とを有し、
   前記副磁極が前記他領域に形成されていることを特徴とする請求項１に記載の近接場光ヘッド。
10. 前記副磁極は、前記側面上に形成されていることを特徴とする請求項1に記載の近接場光ヘッド。
11. 請求項１から１０のいずれか１項に記載の近接場光ヘッドと、
    前記磁気記録媒体の表面に平行な方向に移動可能とされ、該磁気記録媒体の表面に平行で且つ互いに直交する２軸回りに回動自在な状態で、前記近接場光ヘッドを先端側で支持するビームと、
    前記スライダに対して平行に配置された状態で該スライダに固定され、入射された光束を前記近接場発生素子に導く光束導入手段と、
    前記光束導入手段に対して前記光束を入射させる光源と、
    前記ビームの基端側を支持すると共に、該ビームを前記磁気記録媒体の表面に平行な方向に向けて移動させるアクチュエータと、
    前記磁気記録媒体を前記一定方向に回転させる回転駆動部と、
    前記コイルに電流を供給すると共に前記光源の作動を制御する制御部とを備えていることを特徴とする情報記録再生装置。

Images