JP5504412B2 - Wafer manufacturing method and manufacturing apparatus, and curable resin composition - Google Patents
Wafer manufacturing method and manufacturing apparatus, and curable resin composition Download PDFInfo
- Publication number
- JP5504412B2 JP5504412B2 JP2008123731A JP2008123731A JP5504412B2 JP 5504412 B2 JP5504412 B2 JP 5504412B2 JP 2008123731 A JP2008123731 A JP 2008123731A JP 2008123731 A JP2008123731 A JP 2008123731A JP 5504412 B2 JP5504412 B2 JP 5504412B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- resin composition
- curable resin
- meth
- grinding
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000011342 resin composition Substances 0.000 title claims description 175
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 42
- 238000000227 grinding Methods 0.000 claims description 69
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M Acrylate Chemical compound [O-]C(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 27
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 22
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims description 18
- 238000003825 pressing Methods 0.000 claims description 17
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 claims description 14
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 claims description 14
- -1 acrylic compound Chemical class 0.000 claims description 13
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 claims description 11
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 claims description 11
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 9
- 239000003999 initiator Substances 0.000 claims description 7
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 6
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 3
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 186
- 239000010408 film Substances 0.000 description 40
- 238000000034 method Methods 0.000 description 36
- 125000004386 diacrylate group Chemical group 0.000 description 17
- 239000002202 Polyethylene glycol Substances 0.000 description 15
- 229920001223 polyethylene glycol Polymers 0.000 description 15
- 239000000047 product Substances 0.000 description 14
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 13
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 12
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 12
- 239000007870 radical polymerization initiator Substances 0.000 description 11
- 238000003776 cleavage reaction Methods 0.000 description 10
- 230000007017 scission Effects 0.000 description 10
- 239000004034 viscosity adjusting agent Substances 0.000 description 7
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 4
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 4
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 4
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 4
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 4
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 4
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 4
- QNODIIQQMGDSEF-UHFFFAOYSA-N (1-hydroxycyclohexyl)-phenylmethanone Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(=O)C1(O)CCCCC1 QNODIIQQMGDSEF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920002799 BoPET Polymers 0.000 description 3
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 3
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 3
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 3
- 125000003827 glycol group Chemical group 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- KWVGIHKZDCUPEU-UHFFFAOYSA-N 2,2-dimethoxy-2-phenylacetophenone Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(OC)(OC)C(=O)C1=CC=CC=C1 KWVGIHKZDCUPEU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GJKGAPPUXSSCFI-UHFFFAOYSA-N 2-Hydroxy-4'-(2-hydroxyethoxy)-2-methylpropiophenone Chemical compound CC(C)(O)C(=O)C1=CC=C(OCCO)C=C1 GJKGAPPUXSSCFI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VVBLNCFGVYUYGU-UHFFFAOYSA-N 4,4'-Bis(dimethylamino)benzophenone Chemical compound C1=CC(N(C)C)=CC=C1C(=O)C1=CC=C(N(C)C)C=C1 VVBLNCFGVYUYGU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KWOLFJPFCHCOCG-UHFFFAOYSA-N Acetophenone Chemical compound CC(=O)C1=CC=CC=C1 KWOLFJPFCHCOCG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VTYYLEPIZMXCLO-UHFFFAOYSA-L Calcium carbonate Chemical compound [Ca+2].[O-]C([O-])=O VTYYLEPIZMXCLO-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 2
- TZCXTZWJZNENPQ-UHFFFAOYSA-L barium sulfate Chemical compound [Ba+2].[O-]S([O-])(=O)=O TZCXTZWJZNENPQ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- ISAOCJYIOMOJEB-UHFFFAOYSA-N benzoin Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(O)C(=O)C1=CC=CC=C1 ISAOCJYIOMOJEB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N bisphenol A Chemical compound C=1C=C(O)C=CC=1C(C)(C)C1=CC=C(O)C=C1 IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXKLMJQFEQBVLD-UHFFFAOYSA-N bisphenol F Chemical compound C1=CC(O)=CC=C1CC1=CC=C(O)C=C1 PXKLMJQFEQBVLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OSGAYBCDTDRGGQ-UHFFFAOYSA-L calcium sulfate Chemical compound [Ca+2].[O-]S([O-])(=O)=O OSGAYBCDTDRGGQ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 239000004927 clay Substances 0.000 description 2
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 125000003055 glycidyl group Chemical group C(C1CO1)* 0.000 description 2
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 description 2
- 229920005862 polyol Polymers 0.000 description 2
- 150000003077 polyols Chemical class 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- BGGPWYUMZXIUBW-UHFFFAOYSA-N 1,2,3-trichlorothioxanthen-9-one Chemical compound S1C2=CC=CC=C2C(=O)C2=C1C=C(Cl)C(Cl)=C2Cl BGGPWYUMZXIUBW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PUBNJSZGANKUGX-UHFFFAOYSA-N 2-(dimethylamino)-2-[(4-methylphenyl)methyl]-1-(4-morpholin-4-ylphenyl)butan-1-one Chemical compound C=1C=C(N2CCOCC2)C=CC=1C(=O)C(CC)(N(C)C)CC1=CC=C(C)C=C1 PUBNJSZGANKUGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UHFFVFAKEGKNAQ-UHFFFAOYSA-N 2-benzyl-2-(dimethylamino)-1-(4-morpholin-4-ylphenyl)butan-1-one Chemical compound C=1C=C(N2CCOCC2)C=CC=1C(=O)C(CC)(N(C)C)CC1=CC=CC=C1 UHFFVFAKEGKNAQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KMNCBSZOIQAUFX-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxy-1,2-diphenylethanone Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(OCC)C(=O)C1=CC=CC=C1 KMNCBSZOIQAUFX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XMLYCEVDHLAQEL-UHFFFAOYSA-N 2-hydroxy-2-methyl-1-phenylpropan-1-one Chemical compound CC(C)(O)C(=O)C1=CC=CC=C1 XMLYCEVDHLAQEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQZJOQXSCSZQPS-UHFFFAOYSA-N 2-methoxy-1,2-diphenylethanone Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(OC)C(=O)C1=CC=CC=C1 BQZJOQXSCSZQPS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QTWJRLJHJPIABL-UHFFFAOYSA-N 2-methylphenol;3-methylphenol;4-methylphenol Chemical compound CC1=CC=C(O)C=C1.CC1=CC=CC(O)=C1.CC1=CC=CC=C1O QTWJRLJHJPIABL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 235000008733 Citrus aurantifolia Nutrition 0.000 description 1
- 239000005909 Kieselgur Substances 0.000 description 1
- CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N Methacrylic acid Chemical compound CC(=C)C(O)=O CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N Phenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1 ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000006004 Quartz sand Substances 0.000 description 1
- 235000000126 Styrax benzoin Nutrition 0.000 description 1
- 244000028419 Styrax benzoin Species 0.000 description 1
- 235000008411 Sumatra benzointree Nutrition 0.000 description 1
- 235000011941 Tilia x europaea Nutrition 0.000 description 1
- 150000001252 acrylic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 230000001464 adherent effect Effects 0.000 description 1
- 125000003158 alcohol group Chemical group 0.000 description 1
- 125000002723 alicyclic group Chemical group 0.000 description 1
- WNROFYMDJYEPJX-UHFFFAOYSA-K aluminium hydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[OH-].[Al+3] WNROFYMDJYEPJX-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001408 amides Chemical group 0.000 description 1
- 239000002518 antifoaming agent Substances 0.000 description 1
- 239000003963 antioxidant agent Substances 0.000 description 1
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 1
- JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N barium titanate Chemical compound [Ba+2].[Ba+2].[O-][Ti]([O-])([O-])[O-] JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 description 1
- 229960002130 benzoin Drugs 0.000 description 1
- RWCCWEUUXYIKHB-UHFFFAOYSA-N benzophenone Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(=O)C1=CC=CC=C1 RWCCWEUUXYIKHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012965 benzophenone Substances 0.000 description 1
- 125000001797 benzyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(C([H])=C1[H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 230000001588 bifunctional effect Effects 0.000 description 1
- MQDJYUACMFCOFT-UHFFFAOYSA-N bis[2-(1-hydroxycyclohexyl)phenyl]methanone Chemical compound C=1C=CC=C(C(=O)C=2C(=CC=CC=2)C2(O)CCCCC2)C=1C1(O)CCCCC1 MQDJYUACMFCOFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000019 calcium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000378 calcium silicate Substances 0.000 description 1
- 229910052918 calcium silicate Inorganic materials 0.000 description 1
- OYACROKNLOSFPA-UHFFFAOYSA-N calcium;dioxido(oxo)silane Chemical compound [Ca+2].[O-][Si]([O-])=O OYACROKNLOSFPA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 239000007822 coupling agent Substances 0.000 description 1
- 229930003836 cresol Natural products 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 239000003085 diluting agent Substances 0.000 description 1
- REQPQFUJGGOFQL-UHFFFAOYSA-N dimethylcarbamothioyl n,n-dimethylcarbamodithioate Chemical compound CN(C)C(=S)SC(=S)N(C)C REQPQFUJGGOFQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 1
- 239000003063 flame retardant Substances 0.000 description 1
- 229910021485 fumed silica Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 1
- 235000019382 gum benzoic Nutrition 0.000 description 1
- 125000002768 hydroxyalkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 239000011256 inorganic filler Substances 0.000 description 1
- 229910003475 inorganic filler Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004571 lime Substances 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- ZLNQQNXFFQJAID-UHFFFAOYSA-L magnesium carbonate Chemical compound [Mg+2].[O-]C([O-])=O ZLNQQNXFFQJAID-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000001095 magnesium carbonate Substances 0.000 description 1
- 229910000021 magnesium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 125000005395 methacrylic acid group Chemical group 0.000 description 1
- YLHXLHGIAMFFBU-UHFFFAOYSA-N methyl phenylglyoxalate Chemical compound COC(=O)C(=O)C1=CC=CC=C1 YLHXLHGIAMFFBU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004005 microsphere Substances 0.000 description 1
- 239000003607 modifier Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 239000012466 permeate Substances 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 1
- 239000004014 plasticizer Substances 0.000 description 1
- 229920001281 polyalkylene Polymers 0.000 description 1
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 229920001228 polyisocyanate Polymers 0.000 description 1
- 239000005056 polyisocyanate Substances 0.000 description 1
- 239000003505 polymerization initiator Substances 0.000 description 1
- 229920000098 polyolefin Polymers 0.000 description 1
- 229920001451 polypropylene glycol Polymers 0.000 description 1
- 150000007519 polyprotic acids Polymers 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- NHARPDSAXCBDDR-UHFFFAOYSA-N propyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CCCOC(=O)C(C)=C NHARPDSAXCBDDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 238000000518 rheometry Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 125000000542 sulfonic acid group Chemical group 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02002—Preparing wafers
- H01L21/02005—Preparing bulk and homogeneous wafers
- H01L21/02008—Multistep processes
- H01L21/0201—Specific process step
- H01L21/02013—Grinding, lapping
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
Description
本発明は半導体素子に供されるウェーハの製造方法に関し、さらに詳細にはシリコンに代表される単結晶インゴットをスライスした際に発生するウェーハの反り、うねりを除去するための手段に関する。 The present invention relates to a method of manufacturing a wafer to be used for a semiconductor device, and more particularly to a means for removing warpage and undulation of a wafer that occurs when a single crystal ingot typified by silicon is sliced.
従来のウェーハ製造は、例えば図８に示すプロセスにより製造される。まず、ステップＳ１０で、例えば単結晶引き上げ法によって製造された単結晶インゴットの外周研削を行った後、結晶方向の位置決めのための例えばオリエンテーションフラット加工やノッチ加工を施して、内周刃ソーあるいはワイヤーソーにより単結晶インゴットをスライシングする（ステップＳ１０：スライス工程）。次いで、ステップＳ２０で、研削砥石により、スライスされたウェーハの外周部を面取り（ベベリング）した後（ステップＳ２０：面取り工程）、ステップＳ３０で、ラッピング工程あるいは両頭研削工程により均一な厚みにする。 Conventional wafer manufacturing is performed, for example, by the process shown in FIG. First, in step S10, for example, an outer peripheral grinding of a single crystal ingot manufactured by a single crystal pulling method, for example, orientation flat processing or notch processing for positioning in the crystal direction is performed, and an inner peripheral saw or wire The single crystal ingot is sliced with a saw (step S10: slicing step). Next, in step S20, the outer peripheral portion of the sliced wafer is chamfered (beveled) with a grinding wheel (step S20: chamfering process), and then in step S30, the thickness is made uniform by a lapping process or a double-headed grinding process.
その後、ステップＳ４０で、研削砥石により、ウェーハ表面を片面毎にまたは両面を同時に研削（グラインディング）してスライスによって発生したウェーハのうねりを除去し、ウェーハの両面を平坦化する。このとき、グラインダによりウェーハの両面を研削すると、ウェーハ表面に加工変質層が発生する。そこで、ステップＳ５０で、酸やアルカリによりエッチングあるいはＣＭＰ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｐｏ１ｉｓｈｉｎｇ：化学的機械的研磨法）などの研磨によって加工変質層を除去する。 After that, in step S40, the wafer surface is ground (grinding) one side or both sides with a grinding wheel to remove the waviness of the wafer generated by slicing, and both sides of the wafer are flattened. At this time, when both surfaces of the wafer are ground by the grinder, a work-affected layer is generated on the wafer surface. Therefore, in step S50, the work-affected layer is removed by etching such as acid or alkali or polishing such as CMP (Chemical Mechanical Polishing).
従来は、このようにしてシリコンに代表されるウェーハを製造していたが、単結晶インゴットからウェーハを製造するまでの工程数が多いことから、ウェーハ製造工程の簡略化が求められていた。 Conventionally, a wafer typified by silicon has been manufactured in this way, but since the number of processes from manufacturing a single crystal ingot to manufacturing a wafer is large, simplification of the wafer manufacturing process has been demanded.
そこで、ラッピング工程または両頭研削工程を省略することが検討された。しかし、通常の研削工程のみでは、単結晶インゴットのスライス時に発生したウェーハ表面の反り、うねりを除去することができないという問題があった。 Therefore, it has been studied to omit the lapping process or the double-head grinding process. However, there has been a problem that the warping and undulation of the wafer surface that has occurred during the slicing of the single crystal ingot cannot be removed only by a normal grinding process.
このようなうねりを除去するための方法が、特許文献１または特許文献２に開示されている。これらの方法は、まずスライスされたウェーハのいずれか一方の面にワックスや樹脂などを塗工し、これを硬化させる。硬化させる際、ワックスや樹脂の表面に平坦な板を圧接させて、硬化させた樹脂の表面が均一な平坦面（基準面）となるようにする。次いで、ワックスや樹脂を硬化させた後、硬化させた表面を下側にして、基準面とチャックテーブルの面とを接触させて、ウェーハをチャックテーブル上に保持する。さらに、チャックテーブル上に保持されたウェーハの上側表面を研削砥石により研削する。これにより、表面にあるうねりを除去し、さらに必要な量の研削を行うことで、均一な平坦面を形成することができる。その後、ウェーハの上側表面に形成された平坦面を下側にして、ウェーハをチャックテーブル上に保持させる。そして、研削前に硬化したワックスや樹脂を除去した後、ウェーハの他方の面に対してうねりの除去と研削とを行うことによってウェーハを表面が平坦かつ所定厚さに仕上げることができる。 Patent Document 1 or Patent Document 2 discloses a method for removing such swell. In these methods, first, wax or resin is applied to one surface of a sliced wafer, and this is cured. At the time of curing, a flat plate is pressed against the surface of wax or resin so that the surface of the cured resin becomes a uniform flat surface (reference surface). Next, after the wax or resin is cured, the reference surface and the surface of the chuck table are brought into contact with the cured surface facing down to hold the wafer on the chuck table. Further, the upper surface of the wafer held on the chuck table is ground with a grinding wheel. Thereby, a uniform flat surface can be formed by removing the undulations on the surface and further performing a necessary amount of grinding. Thereafter, the wafer is held on the chuck table with the flat surface formed on the upper surface of the wafer facing downward. Then, after removing the hardened wax or resin before grinding, the surface of the wafer can be finished to a predetermined thickness by removing the waviness and grinding the other surface of the wafer.
しかし、上記の方法では、ウェーハの表面に塗工するワックスや樹脂の厚さが特定されていないため、この厚さによっては以下のような問題が生じることがある。例えばウェーハに塗工する樹脂等の厚さが薄すぎると、樹脂等によってうねりを十分に吸収することができず、研削時にウェーハの加工面にうねりが転写されてしまい、結果的にうねりを除去することができない。一方、ウェーハに塗工する樹脂等の厚さが厚すぎると、樹脂等の弾性作用によって研削砥石からウェーハが逃げてしまうため、表面のうねりを除去することができても、ウェーハを均一の厚さに研削することができない。 However, in the above method, since the thickness of the wax or resin applied to the wafer surface is not specified, the following problems may occur depending on the thickness. For example, if the thickness of the resin applied to the wafer is too thin, the resin cannot absorb the waviness sufficiently, and the waviness is transferred to the processed surface of the wafer during grinding, resulting in the removal of the waviness. Can not do it. On the other hand, if the thickness of the resin applied to the wafer is too thick, the wafer will escape from the grinding wheel due to the elastic action of the resin, etc., so even if the waviness on the surface can be removed, the wafer has a uniform thickness. It cannot be ground.
かかる課題を解決するため、特許文献３、特許文献４ではウェーハ表面に基準面を設けるための表面固定化手段として、ペースト状の硬化性材料を用い、該硬化性材料によりウェーハの反り、うねりを吸収するという技術が提案されている。 In order to solve this problem, in Patent Document 3 and Patent Document 4, a paste-like curable material is used as a surface fixing means for providing a reference surface on the wafer surface, and the wafer is warped and swelled by the curable material. The technique of absorbing is proposed.
特許文献３では、反り、うねりを吸収するための構成として、ウェーハを固定するための手段に接着材料を用いることのみが開示されている。また特許文献４では硬化性材料を特定の厚さで塗工することにより、うねりが吸収できるという技術が開示されている。 Patent Document 3 discloses only the use of an adhesive material as a means for fixing a wafer as a configuration for absorbing warpage and waviness. Patent Document 4 discloses a technique in which swell can be absorbed by coating a curable material with a specific thickness.
しかしながら、ウェーハ表面の反り、うねりを共に同時に除去することは困難であり、また硬化性樹脂組成物を用いた場合、通常基材上に塗工、硬化させた後、硬化に伴う収縮が発生するため、この収縮によりウェーハに反りが発生する。このような理由から、研削加工時におけるウェーハの反り、うねりを除去でき、かつ硬化性樹脂組成物の硬化時におけるウェーハの反りの発生を抑制できるような材料の開発が望まれていた。 However, it is difficult to remove both warpage and waviness on the wafer surface at the same time, and when a curable resin composition is used, shrinkage associated with curing usually occurs after coating and curing on a substrate. Therefore, warpage occurs in the wafer due to this shrinkage. For these reasons, it has been desired to develop a material that can remove the warpage and waviness of the wafer during grinding and can suppress the occurrence of warpage of the wafer during curing of the curable resin composition.
本発明は上記問題に鑑みてなされたものであり、その目的は、ウェーハ表面に塗工した硬化性樹脂組成物の硬化時にウェーハに反りが発生せず、さらにウェーハ表面の研削加工工程においてウェーハの表面の反り、うねりを除去し、必要とする厚さにウェーハを研削することの可能な、新規かつ改良されたウェーハの製造方法及び製造装置、並びに前記製造方法に使用される硬化性樹脂組成物を提供することにある。 The present invention has been made in view of the above problems, and the object thereof is that the wafer does not warp when the curable resin composition applied to the wafer surface is cured, and the wafer surface is ground in the grinding process of the wafer surface. New and improved wafer manufacturing method and manufacturing apparatus capable of removing surface warpage and undulation and grinding the wafer to a required thickness, and curable resin composition used in the manufacturing method Is to provide.
上記課題を解決するために案出された本発明は、以下の構成よりなるウェーハの製造方法である。すなわち、
（Ａ）インゴットよりスライスして得られた薄板状ウェーハを用意する前工程
（Ｂ）下記の（ｂ１）及び（ｂ２）の特性を有する硬化性樹脂組成物を前記ウェーハの第１面に１０μｍ〜２００μｍの膜厚で塗工する硬化性樹脂組成物層形成工程
（ｂ１）硬化収縮率が７％以下
（ｂ２）硬化体の貯蔵弾性率（Ｅ’）の２５℃での値が１．０×１０６〜３．０×１０９Ｐａ
（Ｃ）前記硬化性樹脂組成物を塗工したウェーハの第２面を押圧手段により押圧することにより第１面に塗布した硬化性樹脂組成物層を平坦化する平坦化工程
（Ｄ）前記押圧手段による押圧を解除した後、前記ウェーハに塗工された硬化性樹脂組成物層に活性エネルギー線を照射し、ウェーハ表面で硬化させる硬化性樹脂組成物層固定化工程
（Ｅ）前記硬化性樹脂組成物層にて固定されたウェーハの第２面を平坦に研削加工する第１の研削工程
（Ｆ）前記第１の研削工程により平坦化されたウェーハの第２面を基準面として、第１面を研削加工する第２の研削工程
を含み、
前記（Ｂ）工程における硬化性樹脂組成物が、（イ）ポリエステルジ（メタ）アクリレート、ポリウレタンジ（メタ）アクリレート、エポキシジ（メタ）アクリレートから選ばれる、少なくとも分子鎖両末端に（メタ）アクリル基を有する（メタ）アクリル化合物、（ロ）少なくとも分子中に２個の（メタ）アクリル基を有する親水性（メタ）アクリル化合物、（ハ）光重合開始剤からなる硬化性樹脂組成物である
ことを特徴とするウェーハの製造方法である。
The present invention devised to solve the above problems is a method for manufacturing a wafer having the following configuration. That is,
(A) Pre-process for preparing a thin wafer obtained by slicing from an ingot (B) A curable resin composition having the following characteristics (b1) and (b2) is applied to the first surface of the wafer from 10 μm to Curable resin composition layer forming step for coating with a film thickness of 200 μm (b1) Curing shrinkage is 7% or less (b2) The storage elastic modulus (E ′) of the cured body is 1.0 × 10 6 to 3.0 × 10 9 Pa
(C) A flattening step of flattening the curable resin composition layer applied to the first surface by pressing the second surface of the wafer coated with the curable resin composition by pressing means (D) the pressing A curable resin composition layer fixing step (E) in which the curable resin composition layer applied to the wafer is irradiated with active energy rays and cured on the wafer surface after releasing the pressure by the means (E) First grinding step (F) for flatly grinding the second surface of the wafer fixed by the composition layer (F) First with the second surface of the wafer flattened by the first grinding step as a reference surface Including a second grinding step of grinding the surface,
The curable resin composition in the step (B) is selected from (i) polyester di (meth) acrylate, polyurethane di (meth) acrylate, and epoxy di (meth) acrylate, at least at both molecular chain ends (meth) acrylic groups. (B) a curable resin composition comprising a (meth) acrylic compound having at least two (meth) acrylic groups in the molecule, and (c) a photopolymerization initiator. the Ru manufacturing method der wafer characterized.
また本発明は、前記ウェーハの製造方法に供される、ウェーハの製造装置にも関する。すなわち、第１面に硬化性樹脂組成物が塗布されたウェーハの第２面を露出するように保持する略水平な保持面を有するステージと、前記ステージと対向して配設され該ステージに保持された前記ウェーハを前記第２面側から前記ステージ方向に押圧する押圧手段と、前記ウェーハに塗布された前記硬化性樹脂組成物に活性エネルギー線を照射する活性エネルギー線照射手段と、前記硬化性樹脂組成物層にて固定された前記ウェーハの前記第２面を平坦に研削加工する第１の研削手段と、前記第１の研削手段により平坦化された前記ウェーハの前記第２面を基準面として、前記第１面を研削加工する第２の研削手段を少なくとも備えることを特徴とするウェーハ製造装置である。 The present invention also relates to a wafer manufacturing apparatus provided for the wafer manufacturing method. That is, a stage having a substantially horizontal holding surface that holds the second surface of the wafer having the curable resin composition applied to the first surface so as to be exposed, and the stage disposed opposite to the stage and held on the stage Pressing means for pressing the wafer that has been applied in the direction of the stage from the second surface side, active energy ray irradiating means for irradiating the curable resin composition applied to the wafer with active energy rays, and the curability A first grinding means for flatly grinding the second surface of the wafer fixed by a resin composition layer; and a reference surface for the second surface of the wafer flattened by the first grinding means. A wafer manufacturing apparatus comprising at least second grinding means for grinding the first surface.
かかるウェーハの製造方法では、インゴットからスライスし得られたウェーハの第１の面に特定の硬化性樹脂組成物を塗工し、硬化性樹脂組成物層を形成する。この塗工方法としては、例えばＰＥＴフィルム等の透光性を有する部材に予め硬化性樹脂組成物を塗工処理し、硬化性樹脂組成物層の上にウェーハを載置することで実施できるが、本発明の機能を妨げない限りは特に限定されない。次いで、硬化性樹脂組成物層が形成された側の表面を基準面とするため、硬化性樹脂組成物層の存在する面が底面となるようにウェーハを平坦な板状部材等の押圧手段により均等に押圧して平坦面に加工する。然る後、硬化性樹脂組成物層に紫外線、電子線、ガンマ線などの活性エネルギー線を照射してこれを硬化させる。なおこの際、押圧手段をウェーハから離反させた後に活性エネルギー線を照射して前記硬化性樹脂組成物層を硬化させる。これは、硬化性樹脂組成物層に内部応力を残存させないためである。そして平坦面がウェーハ保持手段を構成するチャックテーブル等の部材と接するようにウェーハを載置し、平坦面とは他側のウェーハの第２の面を研削する。ここで、硬化性樹脂組成物は貯蔵弾性率（Ｅ’）の２５℃での値が１．０×１０６〜３．０×１０９Ｐａという特徴を有しており、またその厚さを１０μｍ〜２００μｍとすることにより、この硬化性樹脂組成物層によりウェーハの反り、うねりを十分に吸収することができ、研削加工工程においてウェーハの加工面に反り、うねりが転写されてしまうことがない。さらに硬化性樹脂組成物層の適度な弾性作用によりウェーハ表面を均一の厚さに研削することができる。加えて、硬化性樹脂組成物層は硬化収縮率が７％以下という特徴を有していることにより、硬化性樹脂組成物の硬化時において、この硬化性樹脂組成物の収縮にウェーハが追従してウェーハに新たな反りが生じるという現象も改善することができる。 In such a wafer manufacturing method, a specific curable resin composition is applied to the first surface of a wafer obtained by slicing from an ingot to form a curable resin composition layer. As this coating method, for example, a curable resin composition can be applied in advance to a translucent member such as a PET film, and a wafer is placed on the curable resin composition layer. There is no particular limitation as long as the function of the present invention is not disturbed. Next, in order to use the surface on which the curable resin composition layer is formed as a reference surface, the wafer is pressed by a pressing means such as a flat plate member so that the surface on which the curable resin composition layer exists becomes the bottom surface. Press evenly to process into a flat surface. Thereafter, the curable resin composition layer is irradiated with active energy rays such as ultraviolet rays, electron beams, and gamma rays to be cured. In this case, the curable resin composition layer is cured by irradiating active energy rays after the pressing means is separated from the wafer. This is because no internal stress remains in the curable resin composition layer. Then, the wafer is placed so that the flat surface is in contact with a member such as a chuck table constituting the wafer holding means, and the second surface of the wafer on the other side of the flat surface is ground. Here, the curable resin composition has a storage elastic modulus (E ′) value at 25 ° C. of 1.0 × 10 6 to 3.0 × 10 9 Pa, and has a thickness of By setting the thickness to 10 μm to 200 μm, the warp and waviness of the wafer can be sufficiently absorbed by this curable resin composition layer, and the warped surface of the wafer is not warped and transferred in the grinding process. . Further, the wafer surface can be ground to a uniform thickness by an appropriate elastic action of the curable resin composition layer. In addition, since the curable resin composition layer has a characteristic of a cure shrinkage rate of 7% or less, the wafer follows the shrinkage of the curable resin composition when the curable resin composition is cured. This can also improve the phenomenon of new warping of the wafer.
このようにして、ウェーハの第２の面は、ラッピング工程または両頭研削工程を行うことなく、研削工程により反り、うねりが除去された均一な平坦面に加工される。その後、ウェーハの第１の面を加工するが、ここで第１の面を研削する前に第１の面に塗工された硬化性樹脂組成物層を除去してもよい。除去の方法としては、６０〜９０℃の熱水に浸漬することにより本発明の硬化性組成物層を容易に剥離することができるため、熱水浸漬により剥離除去することが好ましいが、本発明ではこれに限定されず、例えば有機溶剤浸漬あるいは水蒸気スチーム等により剥離除去するなどの方法を採っても良い。また、硬化性樹脂組成物層がフィルム上に形成されている場合は、フィルムを剥離することにより前記硬化性樹脂組成物層を容易に剥離除去することができる。その後、平坦に加工された第２の面が接するように、ウェーハをチャックテーブル等の固定部材上に載置して第１面を研削する。このとき、固定部材に接している第２の面が平坦面であるため、第１面に反り、うねりが転写されることもなく、厚さの均一な平坦面に加工することができる。 In this way, the second surface of the wafer is processed into a uniform flat surface from which warpage and undulation have been removed without performing a lapping process or a double-headed grinding process. Then, although the 1st surface of a wafer is processed, you may remove the curable resin composition layer coated on the 1st surface here before grinding a 1st surface. As a removal method, since the curable composition layer of the present invention can be easily peeled by being immersed in hot water at 60 to 90 ° C., it is preferable to peel and remove by hot water immersion. However, the present invention is not limited to this, and a method of peeling and removing by, for example, organic solvent immersion or steam steam may be employed. Moreover, when the curable resin composition layer is formed on the film, the curable resin composition layer can be easily peeled and removed by peeling the film. Thereafter, the wafer is placed on a fixing member such as a chuck table so that the flatly processed second surface is in contact with the first surface, and the first surface is ground. At this time, since the second surface in contact with the fixing member is a flat surface, it can be processed into a flat surface having a uniform thickness without warping the first surface and without transferring waviness.
なお、上記のように予め硬化性樹脂組成物層を除去した後に第１の面を研削する代わりに、硬化性樹脂組成物層を除去せず、硬化性樹脂組成物層をウェーハの第１面上に付着させたまま、次の工程で該硬化性樹脂組成物層とともにウェーハの第１面を研削しても良い。このように、１つの切削工程により硬化性樹脂組成物の除去とウェーハの反り、うねりの除去を行うことができ、さらにウェーハを均一な厚さの平坦面に加工することができる。 Instead of grinding the first surface after removing the curable resin composition layer in advance as described above, the curable resin composition layer is not removed and the first surface of the wafer is removed. You may grind the 1st surface of a wafer with this curable resin composition layer with the following process, making it adhere on. As described above, the curable resin composition can be removed, the wafer is warped, and the undulation can be removed by one cutting process, and the wafer can be processed into a flat surface having a uniform thickness.
さらに本発明では硬化性樹脂組成物を、透光性を有する軟質薄膜フィルムに予め塗工処理し、該処理済みフィルムの硬化性樹脂組成物上にウェーハを載置することで硬化性樹脂組成物層形成工程とすることができる。フィルム上に硬化性樹脂組成物層を形成することで、ウェーハの第1面を加工後に硬化性樹脂組成物層を除去する際に容易にウェーハから剥離除去することができるため、剥離工程を簡略化することができ、さらに剥離時にウェーハに無理な応力がかかってこれを破損させる虞を低減することができる。フィルムの材質としては、ＰＥＴ、ポリオレフィン製のものが柔軟性にすぐれ、また硬化性樹脂組成物層の追従性が良好であるため特に好適であるが、これに限定されるものではない。 Furthermore, in the present invention, the curable resin composition is preliminarily applied to a light-transmitting soft thin film, and the wafer is placed on the curable resin composition of the processed film, thereby curable resin composition. It can be a layer forming step. By forming the curable resin composition layer on the film, it can be easily removed from the wafer when removing the curable resin composition layer after processing the first surface of the wafer, simplifying the peeling process Further, it is possible to reduce a possibility that an excessive stress is applied to the wafer at the time of peeling and the wafer is damaged. As the material for the film, those made of PET and polyolefin are particularly suitable because they are excellent in flexibility and the followability of the curable resin composition layer is good, but are not limited thereto.
また本発明は、前記ウェーハの製造方法に供される硬化性樹脂組成物にも関する。即ち、
（イ）ポリエステルジ（メタ）アクリレート、ポリウレタンジ（メタ）アクリレート、エポキシジ（メタ）アクリレートから選ばれる、少なくとも分子鎖両末端に（メタ）アクリル基を有する（メタ）アクリル化合物、（ロ）少なくとも分子中に２個の（メタ）アクリル基を有する親水性（メタ）アクリル化合物、（ハ）光重合開始剤からなり、下記の（ｂ１）及び（ｂ２）の特性を有することを特徴とする硬化性樹脂組成物である。
（ｂ１）硬化収縮率が７％以下
（ｂ２）硬化体の貯蔵弾性率（Ｅ’）の２５℃での値が１．０×１０６〜３．０×１０９ Ｐａ
The present invention also relates to a curable resin composition used for the method for producing a wafer. That is,
(I) Polyester di (meth) acrylate, polyurethane di (meth) acrylate, epoxy di (meth) acrylate, (meth) acrylic compound having (meth) acrylic groups at both ends of the molecular chain, (b) at least molecules Curability characterized by comprising a hydrophilic (meth) acrylic compound having two (meth) acrylic groups therein and (c) a photopolymerization initiator and having the following characteristics (b1) and (b2): It is a resin composition.
(B1) Curing shrinkage is 7% or less (b2) The storage elastic modulus (E ′) of the cured product has a value at 25 ° C. of 1.0 × 10 6 to 3.0 × 10 9 Pa.
以上説明したように本発明によれば、研削工程において、スライス時に生じたウェーハ表面の反り及びうねりを除去することができ、なおかつ新たにウェーハ表面に反りを生じることなく、必要とする厚さにウェーハを研削することの可能なウェーハの製造方法及び製造装置、並びに前記製造方法に使用される硬化性樹脂組成物を提供することができる。 As described above, according to the present invention, in the grinding process, it is possible to remove the warpage and waviness of the wafer surface generated at the time of slicing, and to obtain the required thickness without newly causing warpage of the wafer surface. A wafer production method and production apparatus capable of grinding a wafer, and a curable resin composition used in the production method can be provided.
以下に添付図面を参照しながら、本発明の好適な実施の形態について詳細に説明する。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の機能構成を有する構成要素については、同一の符号を付することにより重複説明を省略する。 Exemplary embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the accompanying drawings. In addition, in this specification and drawing, about the component which has the substantially same function structure, duplication description is abbreviate | omitted by attaching | subjecting the same code | symbol.
まず、図面に基づいて本発明のウェーハの製造方法について説明する。図１は、本発明の典型的な実施形態に係るウェーハの製造方法を示すフローチャートである。図２は、ウェーハの製造方における工程（Ａ）〜（Ｆ）を説明するための模式図である。 First, the wafer manufacturing method of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 1 is a flowchart illustrating a method for manufacturing a wafer according to an exemplary embodiment of the present invention. FIG. 2 is a schematic diagram for explaining steps (A) to (F) in the wafer manufacturing method.
本発明は、ウェーハの製造方法において従来の研削工程では除去できなかったウェーハの反り及び表面のうねりを研削工程において除去するものである。 The present invention removes wafer warpage and surface waviness that could not be removed by a conventional grinding process in the wafer manufacturing method in the grinding process.
本発明のウェーハの製造方法における工程（Ａ）は、図１に示すように、まず単結晶インゴットをスライスして、スライスされたウェーハを得る（ステップＳ１１０：スライス工程）。ステップＳ１１０では、例えば、単結晶引き上げ法により製造された単結晶インゴットの外周研削を行った後、結晶方向の位置決めのための、例えばオリエンテーションフラット加工やノッチ加工を施す。そして、例えばワイヤーソーにより単結晶インゴットをスライスして、ウェーハを得る。 In step (A) in the method for producing a wafer of the present invention, as shown in FIG. 1, first, a single crystal ingot is sliced to obtain a sliced wafer (step S110: slicing step). In step S110, for example, after performing peripheral grinding of a single crystal ingot manufactured by a single crystal pulling method, orientation flat processing or notch processing for positioning in the crystal direction is performed. And a single crystal ingot is sliced with a wire saw, for example, and a wafer is obtained.
次いで工程（Ｂ）で、スライスされたウェーハの第1の表面に硬化性樹脂組成物を塗工し、硬化性樹脂組成物層を形成する（ステップＳ１２０：硬化性樹脂組成物層形成工程）。図２（ａ）に示すように、スライスされたウェーハ１０には、単結晶インゴットのスライス時に発生した反り及びうねりがある。これらの反り、うねりがある面を基準面としてチャックテーブル等の固定部材１２に載置し、基準面と他側の加工面を研削すると、うねりが加工面に転写してしまう。このため、平坦な基準面を形成する必要があり、ウェーハ１０の第１の面１０ａに硬化性樹脂組成物を塗工して平坦面を形成する。 Next, in step (B), the curable resin composition is applied to the first surface of the sliced wafer to form a curable resin composition layer (step S120: curable resin composition layer forming step). As shown in FIG. 2A, the sliced wafer 10 has warpage and undulation that occurred during the slicing of the single crystal ingot. When these warped and wavy surfaces are placed on a fixing member 12 such as a chuck table with a reference surface as a reference surface, and the reference surface and the other processed surface are ground, the waviness is transferred to the processed surface. For this reason, it is necessary to form a flat reference surface, and the flat surface is formed by applying the curable resin composition to the first surface 10 a of the wafer 10.
ステップＳ１２０で硬化性樹脂組成物をウェーハ１０の第１の面１０ａに塗工する方法は特に限定されるものでなく、例えば硬化性樹脂組成物のフィルム化、スピンコート、スクリーン印刷、ロールコーター、ダイコーター、またはカーテンコーターなどの方法により実施することができる。なお図２（ｂ）には、透光性を有する軟質薄膜フィルム１１に硬化性樹脂組成物を予め一定膜厚で塗工して硬化性樹脂組成物層を形成し、硬化性樹脂組成物層２０の上にウェーハ１０を載置することにより、ウェーハ１０の第１の面１０ａ上に硬化性樹脂組成物層２０を形成するという状態を示している。 The method for applying the curable resin composition to the first surface 10a of the wafer 10 in step S120 is not particularly limited. For example, the curable resin composition is formed into a film, spin-coated, screen-printed, roll coater, It can be carried out by a method such as a die coater or a curtain coater. In FIG. 2B, a curable resin composition layer is formed by applying a curable resin composition in advance to a light-transmitting soft thin film 11 with a constant film thickness, thereby forming a curable resin composition layer. 2 shows a state in which the curable resin composition layer 20 is formed on the first surface 10 a of the wafer 10 by placing the wafer 10 on the substrate 20.
なお、塗工する硬化性樹脂組成物層２０の膜厚は１０μｍ〜２００μｍ、好ましくは２０μｍ〜１００μｍとする。この範囲の膜厚の硬化性樹脂組成物層２０を形成することで、ウェーハ表面に存在する反り、うねりを十分に吸収することができる。膜厚が１０μｍより小さいと、ウェーハ１０の研削時に硬化性樹脂組成物層２０が十分に衝撃を吸収することができず、反り、うねりが残存することになり、２００μｍより大きいとウェーハ１０の研削時に研削砥石から逃れてしまい、結果反り、うねりが残存することになる。さらに２００μｍより大きいと、温水浸漬により硬化性樹脂組成物層２０を剥離除去する際、接着界面に水分が十分浸透することができず、残渣無くきれいに剥離することが困難となる。 The film thickness of the curable resin composition layer 20 to be applied is 10 μm to 200 μm, preferably 20 μm to 100 μm. By forming the curable resin composition layer 20 having a film thickness in this range, warping and undulation existing on the wafer surface can be sufficiently absorbed. If the film thickness is smaller than 10 μm, the curable resin composition layer 20 cannot sufficiently absorb the impact when grinding the wafer 10, and warping and undulation will remain. If the film thickness is larger than 200 μm, the wafer 10 is ground. Sometimes it escapes from the grinding wheel, resulting in warping and waviness. Further, if it is larger than 200 μm, when the curable resin composition layer 20 is peeled and removed by immersion in warm water, moisture cannot sufficiently permeate the adhesive interface, and it becomes difficult to peel cleanly without residue.
ここで、塗工する硬化性樹脂組成物としては、（ｂ１）硬化収縮率が７％以下、（ｂ２）硬化体の貯蔵弾性率の２５℃での値が１．０×１０６〜３．０×１０９Ｐａ、さらに望ましくは５．０×１０６〜１．５×１０９Ｐａという特徴を有する硬化性樹脂組成物である。硬化収縮率が７％を越えると硬化性樹脂組成物が硬化する際にウェーハ１０が硬化性樹脂組成物に追従し、ウェーハ１０に反りが発生してしまう。また、硬化体の貯蔵弾性率の２５℃での値が３．０×１０９Ｐａを越えるとウェーハ１０の反り、うねりを吸収することができず、１．０×１０６より小さいと研削加工時にウェーハ１０が研削砥石から逃れてしまい、加工面に反り、うねりが転写され、それぞれウェーハ表面に反り、うねりが残存することになる。 Here, as the curable resin composition to be applied, (b1) the cure shrinkage is 7% or less, and (b2) the storage elastic modulus of the cured product at 25 ° C. is 1.0 × 10 6 to 3. It is a curable resin composition having the characteristics of 0 × 10 9 Pa, more preferably 5.0 × 10 6 to 1.5 × 10 9 Pa. When the curing shrinkage rate exceeds 7%, the wafer 10 follows the curable resin composition when the curable resin composition is cured, and the wafer 10 is warped. Further, if the storage elastic modulus of the cured body at 25 ° C. exceeds 3.0 × 10 9 Pa, warpage and undulation of the wafer 10 cannot be absorbed, and if it is less than 1.0 × 10 6 , grinding work is performed. Occasionally, the wafer 10 escapes from the grinding wheel, warps the processed surface, and swells are transferred, and warps and swells respectively remain on the wafer surface.
上記のような特徴を有する硬化性樹脂組成物であれば、その種類には制限はないが、本発明においては（イ）ポリエステルジ（メタ）アクリレート、ポリウレタンジ（メタ）アクリレート、エポキシジ（メタ）アクリレートから選ばれる、少なくとも分子鎖両末端に（メタ）アクリル基を有する（メタ）アクリル化合物、（ロ）少なくとも分子中に２個の（メタ）アクリル基を有する親水性（メタ）アクリル化合物、（ハ）光重合開始剤からなる硬化性樹脂組成物であることが望ましい。なお、（メタ）アクリルとは、慣用されるようにアクリルとメタクリルの総称である。 If it is curable resin composition which has the above characteristics, there will be no restriction | limiting in the kind, In this invention, (i) Polyester di (meth) acrylate, Polyurethane di (meth) acrylate, Epoxy di (meth) (Meth) acrylic compounds having (meth) acrylic groups at least at both ends of the molecular chain selected from acrylates, (b) hydrophilic (meth) acrylic compounds having at least two (meth) acrylic groups in the molecule, ( C) A curable resin composition comprising a photopolymerization initiator is desirable. In addition, (meth) acryl is a general term for acrylic and methacrylic as commonly used.
ここで（イ）、（ロ）、（ハ）各成分に付いて説明する。本発明に好ましく用いられる（イ）成分としては、少なくとも分子鎖の両末端に（メタ）アクリル基を有するポリエステル（メタ）アクリレート、ポリウレタン（メタ）アクリレート、エポキシ（メタ）アクリレートから選ばれる少なくとも１種であれば特に限定はない。ポリエステル（メタ）アクリレートとは、ポリオールと多塩基酸を反応させて得られるポリエステルの主鎖構造を有し、分子鎖の両末端に少なくとも２個のアクリル基を有する化合物である。ポリウレタン（メタ）アクリレートとは、ポリオールとポリイソシアネートを反応させて得られるポリウレタンの主鎖骨格を有し、少なくとも分子鎖の両末端にアクリル基を有する化合物である。エポキシ（メタ）アクリレートとは、ビスフェノールＡまたはビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂など、分子内に少なくとも２個のグリシジル基を有するエポキシ樹脂に（メタ）アクリル酸を反応させ、グリシジル基を(メタ)アクリル化することにより合成した、（メタ）アクリル基を分子鎖の両末端に有する（メタ）アクリル化合物である。本発明においては、硬化性樹脂組成物の硬化収縮率が７％以下となるようにするため、（イ）成分の数平均分子量が６００〜１８００にあることが特に好ましい。 Here, (a), (b), and (c) each component will be described. The component (a) preferably used in the present invention is at least one selected from polyester (meth) acrylate, polyurethane (meth) acrylate, epoxy (meth) acrylate having (meth) acrylic groups at both ends of the molecular chain. If there is no particular limitation. Polyester (meth) acrylate is a compound having a main chain structure of polyester obtained by reacting a polyol and a polybasic acid and having at least two acrylic groups at both ends of the molecular chain. Polyurethane (meth) acrylate is a compound having a main chain skeleton of polyurethane obtained by reacting polyol and polyisocyanate, and having acrylic groups at both ends of the molecular chain. Epoxy (meth) acrylate refers to (meth) acrylic acid added to epoxy resins having at least two glycidyl groups in the molecule, such as bisphenol A or bisphenol F type epoxy resins, phenol novolac type epoxy resins, cresol novolac type epoxy resins. It is a (meth) acrylic compound having a (meth) acrylic group at both ends of a molecular chain, which is synthesized by reacting and (meth) acrylating a glycidyl group. In the present invention, it is particularly preferable that the number average molecular weight of the component (a) is in the range of 600 to 1800 so that the curing shrinkage of the curable resin composition is 7% or less.
本発明に好ましく用いられる（ロ）成分としては、少なくとも分子中に２個の（メタ）アクリル基を有する、親水性の（メタ）アクリル化合物であれば特に限定はない。ここでいう親水性とは、分子内に極性の高い原子や原子団を有し、水乃至熱水に対し一定の溶解性を示す構造のもので、例としてポリエチレングリコールやポリプロピレングリコールなどのポリアルキレングリコール構造、アミド構造、スルホン酸構造、アルコール構造、その他極性官能基を有する構造を分子中に有する２官能の（メタ）アクリル化合物などが挙げられるが、中でも特にポリエチレングリコール構造を有する（メタ）アクリル化合物（ポリエチレングリコールジ(メタ)アクリレート）が好ましい。なお、ここでいうポリエチレングリコール構造とは、−（ＣＨ２ＣＨ２Ｏ）−の繰り返し単位を２つ以上有する構造のものを示す。 The (b) component preferably used in the present invention is not particularly limited as long as it is a hydrophilic (meth) acrylic compound having at least two (meth) acrylic groups in the molecule. The term “hydrophilic” as used herein refers to a structure having a highly polar atom or atomic group in the molecule and having a certain solubility in water or hot water. For example, polyalkylene such as polyethylene glycol or polypropylene glycol. Bifunctional (meth) acrylic compounds having a glycol structure, an amide structure, a sulfonic acid structure, an alcohol structure, and other polar functional groups in the molecule may be mentioned, and in particular, a (meth) acrylic compound having a polyethylene glycol structure. A compound (polyethylene glycol di (meth) acrylate) is preferred. Note that the polyethylene glycol structure here, - (CH 2 CH 2 O ) - repeating units shown with structures having more than one.
本発明において硬化性樹脂組成物の硬化体の貯蔵弾性率の２５℃での値が１．０×１０６〜３．０×１０９Ｐａとなるようにするためには、ポリエチレングリコールジ(メタ)アクリレートの数平均分子量が１０００以下のものを用いることが好ましい。さらに、硬化性樹脂組成物層２０をＰＥＴフィルム上に形成した場合、（ロ）成分にポリエチレングリコールジ(メタ)アクリレートを用いることで、剥離除去時にウェーハ上に硬化性樹脂組成物層２０の残渣が残らず、容易に剥離除去を行うことができる。 In the present invention, in order that the storage elastic modulus of the cured product of the curable resin composition at 25 ° C. is 1.0 × 10 6 to 3.0 × 10 9 Pa, polyethylene glycol di (meta It is preferable to use a acrylate having a number average molecular weight of 1000 or less. Furthermore, when the curable resin composition layer 20 is formed on a PET film, the residue of the curable resin composition layer 20 on the wafer at the time of peeling and removing is obtained by using polyethylene glycol di (meth) acrylate as the component (b). Can be easily removed and removed.
（ハ）成分としては、（メタ）アクリル系樹脂用に常用される重合開始剤を使用することができるが、本発明においては硬化性樹脂組成物に光硬化性を付与する目的で光重合開始剤を用いることが好ましい。光重合開始剤の例としては、ベンゾフェノン、アセトフェノン、ミヒラーズケトン、ベンジル、ベンゾイン、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、テトラメチルチウラムスルフィド、チオキサントリクロロチオキサントン、ベンジルジメチルケタール、メチルベンゾイルフォーメート等が挙げられるがこれらに限定されない。市販品としては、D A R O C U R E 1 1 7 3（２−ヒドロキシ−２−メチル−1−フェニルプロパン−1−オン） 、ＩＲＧＡＣＵＲＥ２９５９（１−［４−（ ２−ヒドロキシエトキシ）−フェニル］２−ヒドロキシ−２−メチル−1−プロパン−1−オン） 、ＩＲＧＡＣＵＲＥ１８４（１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン）、ＩＲＧＡＣＵＲＥ６５１（２、２−ジメトキシ−１、２−ジフェニルエタン−1−オン）、ＩＲＧＡＣＵＲＥ３６９（２−ベンジル−２−ジメチルアミノ−１−（４−モリフォリノフェニル）−ブタノン−１）、ＩＲＧＡＣＵＲＥ３７９（２−ジメチルアミノ−２−（４−メチル−ベンジル）−１−（４−モリフォリン−４−イル−フェニル）−ブタン−１−オン）、ＩＲＧＡＣＵＲＥ８１９（ビス（２、４、６−トリメチルベンゾイル）−フェニルフォスフィンオキサイド、以上チバスペシャリティ社製品）などが挙げられる。中でも、硬化性、保存性および剥離性の点から本発明にはＩＲＧＡＣＵＲＥ１８４が特に好ましい。 As the component (c), a polymerization initiator commonly used for (meth) acrylic resins can be used, but in the present invention, photopolymerization is initiated for the purpose of imparting photocurability to the curable resin composition. It is preferable to use an agent. Examples of photopolymerization initiators include benzophenone, acetophenone, Michler's ketone, benzyl, benzoin, benzoin methyl ether, benzoin ethyl ether, tetramethyl thiuram sulfide, thioxan trichlorothioxanthone, benzyl dimethyl ketal, and methyl benzoyl formate. It is not limited to these. Commercially available products include DAROCURE 1 1 7 3 (2-hydroxy-2-methyl-1-phenylpropan-1-one), IRGACURE 2959 (1- [4- (2-hydroxyethoxy) -phenyl] 2-hydroxy-2 -Methyl-1-propan-1-one), IRGACURE 184 (1-hydroxycyclohexyl phenyl ketone), IRGACURE 651 (2,2-dimethoxy-1,2-diphenylethane-1-one), IRGACURE 369 (2-benzyl-2-one) Dimethylamino-1- (4-morpholinophenyl) -butanone-1), IRGACURE 379 (2-dimethylamino-2- (4-methyl-benzyl) -1- (4-morpholin-4-yl-phenyl)- Butan-1-one), IRGACURE 819 (bis (2,4,6-trime Tilbenzoyl) -phenylphosphine oxide, products of Ciba Specialty Co., Ltd.) and the like. Among them, IRGACURE 184 is particularly preferable in the present invention from the viewpoints of curability, storage stability and peelability.
前記の構成の硬化性樹脂組成物において、硬化体の硬化収縮率が７％以下、硬化体の貯蔵弾性率（Ｅ’）の２５℃での値が１．０×１０６〜３．０×１０９Ｐａとするには、硬化時の活性エネルギー線照射条件が、３０ｋＪ／ｍ２であることが好ましいがこの限りではなく、硬化体の硬化収縮率および貯蔵弾性率が規定の範囲に収まる条件であれば特に限定されない。 In the curable resin composition having the above-described configuration, the curing shrinkage of the cured body is 7% or less, and the storage elastic modulus (E ′) of the cured body is 1.0 × 10 6 to 3.0 × at 25 ° C. In order to obtain 10 9 Pa, the active energy ray irradiation condition at the time of curing is preferably 30 kJ / m 2 , but not limited thereto, and the condition that the curing shrinkage rate and the storage elastic modulus of the cured product fall within a specified range. If it is, it will not specifically limit.
なお、塗工時の作業性の観点から硬化性樹脂組成物は、未硬化時の粘度が１０００〜５００００ｍＰａ・ｓであることが望ましく、好ましくは３０００〜１００００ｍＰａ・ｓ、さらに好ましくは４５００〜６５００ｍＰａ・ｓの範囲にあることが望ましい。硬化性樹脂組成物の未硬化時粘度が１０００ｍＰａ・ｓより小さいと、形状保持性が小さすぎるため一定の厚みを持った塗膜を形成することができず、またフィルム上での形成も困難となる。未硬化時粘度が５００００ｍＰａ・ｓより大きくなると、流動性が小さすぎるため塗工工程自体が困難となる。 From the viewpoint of workability during coating, the curable resin composition preferably has an uncured viscosity of 1000 to 50000 mPa · s, preferably 3000 to 10000 mPa · s, more preferably 4500 to 6500 mPa · s. It is desirable to be in the range of s. If the uncured viscosity of the curable resin composition is less than 1000 mPa · s, the shape-retaining property is too small to form a coating film with a certain thickness, and it is difficult to form on a film. Become. If the uncured viscosity is greater than 50000 mPa · s, the fluidity is too small and the coating process itself becomes difficult.
本発明に用いられる硬化性樹脂組成物には、本発明の特性を損なわない範囲において顔料、染料などの着色剤、低分子量モノマーなどの反応性希釈剤、ヒュームドシリカ、ガラスマイクロスフィア等の透明フィラー、少量の炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、硫酸カルシウム、珪酸カルシウム、硫酸バリウム、チタン酸バリウム、非晶質シリカ、白土、クレー、珪藻土、グラファイト、夕ルク、カーボン、珪砂、ベンガラ、アルミナ、水酸化アルミニウムなどの無機充填剤、難燃剤、可塑剤、酸化防止剤、消泡剤、カップリング剤、レベリング剤、レオロジーコントロール剤等の添加剤を適量配合しても良い。これらの添加により、より好ましい物性の硬化性樹脂組成物を得ることができる。 In the curable resin composition used in the present invention, a colorant such as a pigment and a dye, a reactive diluent such as a low molecular weight monomer, a fumed silica, a transparent glass microsphere, etc. Filler, small amount of calcium carbonate, magnesium carbonate, calcium sulfate, calcium silicate, barium sulfate, barium titanate, amorphous silica, white clay, clay, diatomaceous earth, graphite, evening lime, carbon, quartz sand, bengara, alumina, aluminum hydroxide An appropriate amount of additives such as inorganic fillers, flame retardants, plasticizers, antioxidants, antifoaming agents, coupling agents, leveling agents, rheology control agents and the like may be blended. By adding these, a curable resin composition having more preferable physical properties can be obtained.
前記の構成の硬化性樹脂組成物を本発明に用いることにより、研削加工時に被着部材であるウェーハ１０のうねりを吸収することができ、また温水浸漬によりウェーハ１０から硬化性樹脂組成物の硬化体を容易に剥離することができる。 By using the curable resin composition having the above-described configuration in the present invention, it is possible to absorb the waviness of the wafer 10 which is an adherent member during grinding, and the curable resin composition is cured from the wafer 10 by immersion in hot water. The body can be easily peeled off.
本発明で使用する硬化性樹脂組成物は、硬化時にウェーハに対する熱の影響を防ぐ目的もあり、紫外線、電子線、ガンマ線などの活性エネルギー線を照射することにより硬化する感光性の樹脂組成物である。なお、硬化性樹脂組成物の硬化は、押圧手段１３をウェーハ１０から離反させた後に活性エネルギー線を照射して行う。これは、硬化性樹脂組成物層２０に内部応力を残存させないためである。硬化性樹脂組成物層２０に内部応力が残存した状態であると、研削加工後にウェーハ１０から該硬化性樹脂組成物層を除去した際にウェーハ１０は前記内部応力から解放され、再度反り、うねりを生じやすくなる。 The curable resin composition used in the present invention is also a photosensitive resin composition that cures by irradiating active energy rays such as ultraviolet rays, electron beams, and gamma rays for the purpose of preventing the influence of heat on the wafer during curing. is there. The curable resin composition is cured by irradiating active energy rays after the pressing means 13 is separated from the wafer 10. This is because internal stress does not remain in the curable resin composition layer 20. When the internal stress remains in the curable resin composition layer 20, the wafer 10 is released from the internal stress when the curable resin composition layer is removed from the wafer 10 after grinding, and warps and swells again. Is likely to occur.
次いで、ウェーハ１０の第１の面１０ａに塗工された硬化性樹脂組成物層２０の表面を平坦に加工する（ステップＳ１３０：平坦化工程）。加工する方法としては、例えば、図２（ｃ）に示すように、硬化性樹脂組成物が硬化する前に、平坦な板状部材、例えば高平坦度を有するセラミック板１３などの押圧手段によって、硬化性樹脂組成物層２０を均等に押圧する。このとき、硬化性樹脂組成物を塗工処理した面は、平坦で水平な保持面を有するステージ上１２に配置しておく。その後押圧手段１３を離反し、硬化性樹脂組成物を塗工処理した面、透光性フィルム１１に塗工してある場合は透光性フィルム１１のある面から活性エネルギー線を照射し、硬化性樹脂組成物層２０を硬化させる（ステップＳ１４０：硬化性樹脂組成物層固定化工程）。この工程により、硬化性樹脂組成物層２０のウェーハ１０とは反対側の表面が均一な平坦面に形成された硬化体となる。硬化性樹脂組成物の硬化体の硬化収縮率は７％以下であるため、このときの硬化によりウェーハ１０は硬化性樹脂組成物の収縮に追従した新たな反りは発生せずに平坦面が形成され、図２（ｄ）に示すように、硬化性樹脂組成物の平坦面を、ウェーハ１０の第２の面１０ｂを加工するときの基準面とすることができるようになる。 Next, the surface of the curable resin composition layer 20 applied to the first surface 10a of the wafer 10 is processed to be flat (step S130: flattening step). As a method of processing, for example, as shown in FIG. 2 (c), before the curable resin composition is cured, by a pressing means such as a flat plate member, for example, a ceramic plate 13 having high flatness, The curable resin composition layer 20 is pressed evenly. At this time, the surface coated with the curable resin composition is placed on a stage 12 having a flat and horizontal holding surface. Thereafter, the pressing means 13 is separated, and when the curable resin composition is applied to the light-transmitting film 11, it is irradiated with active energy rays from the surface having the light-transmitting film 11 and cured. The curable resin composition layer 20 is cured (step S140: curable resin composition layer fixing step). By this step, a cured body is obtained in which the surface of the curable resin composition layer 20 opposite to the wafer 10 is formed on a uniform flat surface. Since the curing shrinkage rate of the cured product of the curable resin composition is 7% or less, the wafer 10 does not generate a new warp following the shrinkage of the curable resin composition by the curing at this time, and a flat surface is formed. Then, as shown in FIG. 2D, the flat surface of the curable resin composition can be used as a reference surface when processing the second surface 10 b of the wafer 10.
その後、ウェーハ１０の第２の面１０ｂを研削する（ステップＳ１５０：第１の研削工程）。この工程は、ウェーハ１０を基準面たる硬化性樹脂組成物の平坦面が研削装置のチャックテーブル等の平坦な固定部材１２上に当接するように載置して、真空吸着等により該チャックテーブルに強固に保持する。その後、モータの駆動力を、スピンドル等を介して伝達し、前記チャックテーブルを水平方向に所定速度で回転させる。そして、チャックテーブルの上方から、モータの駆動力を、スピンドル、ダイヤモンドホイールを介して伝達して、研削砥石を高速回転させながら降下させる。そして、研削砥石をウェーハ１０の第２の面１０ｂに押圧させて、ウェーハ１０が所定の厚さになるまで研削する。これにより、第２の面１０ｂのうねりを除去すると共に、ウェーハ１０を必要な厚さだけ研削することができる。このようにして、加工面１０ｂは、図２（ｅ）に示すようなうねりが除去された均一な平坦面に形成される。 Thereafter, the second surface 10b of the wafer 10 is ground (step S150: first grinding step). In this step, the wafer 10 is placed so that the flat surface of the curable resin composition serving as a reference surface is in contact with a flat fixing member 12 such as a chuck table of a grinding apparatus, and is applied to the chuck table by vacuum suction or the like. Hold firmly. Thereafter, the driving force of the motor is transmitted through a spindle or the like, and the chuck table is rotated in the horizontal direction at a predetermined speed. Then, the driving force of the motor is transmitted from above the chuck table via the spindle and diamond wheel, and the grinding wheel is lowered while rotating at high speed. Then, the grinding wheel is pressed against the second surface 10b of the wafer 10 and is ground until the wafer 10 has a predetermined thickness. As a result, the waviness of the second surface 10b can be removed and the wafer 10 can be ground to a required thickness. In this way, the processed surface 10b is formed on a uniform flat surface from which the undulation as shown in FIG.
このとき、ウェーハ１０は真空吸着装置の真空吸着などにより平坦な固定部材１２上に固定されるため、ウェーハ１０に大きな応力が作用してもウェーハ１０の相対位置の変化は生じない。また、ウェーハ１０には特定の厚みに硬化した硬化性樹脂組成物層２０が一体的に強固に形成されており、硬化性樹脂組成物の硬化体はＥ’の２５℃での値が１．０×１０６〜３．０×１０９Ｐａであるという特性を有していることにより、ウェーハ１０に大きな応力が作用したとしても硬化性樹脂組成物層２０がこの応力を吸収するため、ウェーハ１０に弾性変形は生じず、従ってうねりを無くすことができる。また、硬化性樹脂組成物の硬化体の硬化収縮率が７％以下という特性により、硬化性樹脂組成物の硬化に伴うウェーハ１０の反りも著しく低減することができる。 At this time, since the wafer 10 is fixed on the flat fixing member 12 by vacuum suction or the like of a vacuum suction device, the relative position of the wafer 10 does not change even if a large stress is applied to the wafer 10. Further, a curable resin composition layer 20 cured to a specific thickness is integrally and firmly formed on the wafer 10, and the cured product of the curable resin composition has a value of 1. Since the curable resin composition layer 20 absorbs this stress even if a large stress is applied to the wafer 10 by having the characteristics of 0 × 10 6 to 3.0 × 10 9 Pa, the wafer 10 is not elastically deformed, and thus undulation can be eliminated. Further, the warpage of the wafer 10 accompanying the curing of the curable resin composition can be remarkably reduced due to the property that the curing shrinkage of the cured product of the curable resin composition is 7% or less.
次の工程で、硬化性樹脂組成物層２０が一体化されたウェーハ１０を反転するが（図１（ｆ））、このときウェーハ１０に塗工された硬化性樹脂組成物層２０を除去してもよい（ステップＳ１６０：硬化性樹脂組成物層除去工程）。ステップＳ１６０では、第１の面１０ａを加工する前に、第１の面１０ａに塗工された硬化性樹脂組成物層２０を除去するが、この工程で硬化性樹脂組成物層２０を除去せずに、次の第２の研削工程でウェーハを研削加工すると同時に硬化性樹脂組成物層２０を研削除去しても良い。硬化性樹脂組成物層２０を除去する方法としては特に限定されず、例えば硬化性樹脂組成物層２０を溶剤で溶解して除去する方法、光などの放射線によって硬化性樹脂組成物層２０を変形させて剥離除去する方法、塗工された硬化性樹脂組成物層２０が剥離しやすい方向に力を加えて、硬化性樹脂組成物層２０を剥離除去する方法、または６０〜９０℃の熱水に浸漬させ、硬化性樹脂組成物層２０を膨潤させることにより剥離除去する方法などを採ることができる。硬化性樹脂組成物層２０が透光性フィルム１１上に形成されている場合は、透光性フィルム１１ごと容易に剥離除去することができる。尚、硬化性樹脂組成物層２０がウェーハ１０の第１の面１０ａに残存する場合があるが、次の第２の研削工程で残渣も除去される。 In the next step, the wafer 10 in which the curable resin composition layer 20 is integrated is reversed (FIG. 1 (f)). At this time, the curable resin composition layer 20 applied to the wafer 10 is removed. (Step S160: curable resin composition layer removing step). In step S160, the curable resin composition layer 20 applied to the first surface 10a is removed before processing the first surface 10a. In this step, the curable resin composition layer 20 is removed. Instead, the curable resin composition layer 20 may be ground and removed at the same time as the wafer is ground in the next second grinding step. The method for removing the curable resin composition layer 20 is not particularly limited. For example, the method for removing the curable resin composition layer 20 by dissolving it with a solvent, the deformation of the curable resin composition layer 20 by radiation such as light. And removing the curable resin composition layer 20 by applying force in a direction in which the coated curable resin composition layer 20 is easily peeled off, or hot water at 60 to 90 ° C. It is possible to adopt a method of peeling and removing by immersing the curable resin composition layer 20 in a swell. When the curable resin composition layer 20 is formed on the translucent film 11, the translucent film 11 can be easily peeled and removed. The curable resin composition layer 20 may remain on the first surface 10a of the wafer 10, but the residue is also removed in the next second grinding step.
さらに、前記ステップによりウェーハを反転した後、第１の面１０ａを研削する（ステップＳ１７０：第２の研削工程）。図２（ｇ）に示すように、ステップＳ１７０では、ステップＳ１４０にて加工した第２の面１０ｂをチャックテーブル等の平坦な固定部材１２上に接するように、ウェーハ１０を固定部材１２に載置する。そして、研削砥石をウェーハ１０の第１の面１０ａに押圧して、第１の面１０ａを研削することにより、第１の面１０ａのうねりを除去するとともに、ウェーハ１０を必要な厚さに研削できる。こうして、図２（ｈ）に示すような、第１の面１０ａおよび第２の面１０ｂのうねりが除去され、所定の厚さに研削されたウェーハが形成される。 Further, after the wafer is reversed by the above step, the first surface 10a is ground (step S170: second grinding step). As shown in FIG. 2G, in step S170, the wafer 10 is placed on the fixing member 12 so that the second surface 10b processed in step S140 is in contact with the flat fixing member 12 such as a chuck table. To do. Then, the grinding wheel is pressed against the first surface 10a of the wafer 10 to grind the first surface 10a, thereby removing the waviness of the first surface 10a and grinding the wafer 10 to a necessary thickness. it can. In this way, the waviness of the first surface 10a and the second surface 10b as shown in FIG. 2H is removed, and a wafer ground to a predetermined thickness is formed.
ここで、ステップＳ１６０により硬化性樹脂組成物層２０を除去した後、ステップＳ１７０により第１の面１０ａを研削したが、ステップＳ１６０は省略することもできる。この場合、ステップＳ１５０による第２の面１０ｂを研削した後、ウェーハ１０を研削された第２の面１０ｂが固定部材１２に接するように載置する。続いて研削砥石を硬化性樹脂組成物層２０に押圧させて、硬化性樹脂組成物を研削除去する。研削が進むと、研削砥石は第１の面１０ａに到達し、さらにウェーハ１０を研削することによって、第１の面１０ａのうねりを除去し、ウェーハ１０を所定の厚さまで切削する。このように、１パスの研削により、硬化性樹脂組成物の除去と、第１の面１０ａの研削とを行うことができ、第１の面１０ａおよび第２の面１０ｂのうねりが除去され、所定の厚さに研削されたウェーハが形成される。 Here, after removing the curable resin composition layer 20 in step S160, the first surface 10a is ground in step S170, but step S160 may be omitted. In this case, after grinding the second surface 10b in step S150, the wafer 10 is placed so that the ground second surface 10b is in contact with the fixing member 12. Subsequently, the grinding wheel is pressed against the curable resin composition layer 20 to remove the curable resin composition by grinding. As the grinding progresses, the grinding wheel reaches the first surface 10a. Further, by grinding the wafer 10, the waviness of the first surface 10a is removed, and the wafer 10 is cut to a predetermined thickness. As described above, the removal of the curable resin composition and the grinding of the first surface 10a can be performed by one-pass grinding, and the undulation of the first surface 10a and the second surface 10b is removed. A wafer ground to a predetermined thickness is formed.
さらにその後、ウェーハを酸やアルカリによりエッチングあるいはＣＭＰ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｐｏ１ｉｓｈｉｎｇ：化学的機械的研磨法）などの研磨によって、加工変質層を除去することが望ましい（ステップＳ１８０）。 After that, it is desirable to remove the work-affected layer by etching the wafer with acid or alkali or polishing such as CMP (Chemical Mechanical Polishing) (step S180).
以上、本実施形態に係るウェーハの製造方法について説明した。本発明は、ステップＳ１２０で塗工処理される硬化性樹脂組成物の硬化物特性を以下のように特定することに特徴がある。（ｂ１）硬化体の硬化収縮率が７％以下で、（ｂ２）硬化体の貯蔵弾性率（Ｅ’）の２５℃での値が１．０×１０６〜３．０×１０９Ｐａである。また、このような特徴を備えた硬化性樹脂組成物としては、（イ）ポリエステルジ（メタ）アクリレート、ポリウレタンジ（メタ）アクリレート、エポキシジ（メタ）アクリレートから選ばれる、少なくとも分子鎖両末端に（メタ）アクリル基を有する（メタ）アクリル化合物、（ロ）少なくとも分子中に２個の（メタ）アクリル基を有する親水性（メタ）アクリル化合物、（ハ）光重合開始剤という構成であるものが特に望ましく用いることができる。 The wafer manufacturing method according to the present embodiment has been described above. The present invention is characterized in that the cured product characteristics of the curable resin composition applied in step S120 are specified as follows. (B1) The cure shrinkage of the cured product is 7% or less, and (b2) the storage elastic modulus (E ′) of the cured product at 25 ° C. is 1.0 × 10 6 to 3.0 × 10 9 Pa. is there. In addition, as the curable resin composition having such characteristics, (a) polyester di (meth) acrylate, polyurethane di (meth) acrylate, epoxy di (meth) acrylate, at least at both ends of the molecular chain ( A (meth) acrylic compound having a (meth) acrylic group, (b) a hydrophilic (meth) acrylic compound having at least two (meth) acrylic groups in the molecule, and (c) a photopolymerization initiator. It can be used particularly desirably.
本発明は、前記の工程を実現できるウェーハの製造装置も含む。例えば、図３に示した構成の装置、即ちウェーハを搬送することの可能な透光性を有した帯状のフィルム１００と、フィルム１００の表面に硬化性樹脂組成物を供給・塗工する樹脂塗布手段１０１と、硬化性樹脂組成物が塗工されたフィルム１００の上にウェーハ１１０を供給し載置するユニット（図示せず）と、フィルム１００の上に載置されたウェーハ１１０をステージ１２０の上で均等に押圧し平坦化するための押圧手段１２１と、ウェーハ１１０に活性エネルギー線を照射して硬化性樹脂組成物をウェーハ１１０の表面で硬化させる硬化手段１３０と、硬化性樹脂組成物を硬化させた後、ウェーハ１１０を囲むようにフィルム１００ごと切り抜く切抜き手段１４０と、さらには何れも図示しないが、フィルム１００とともに切り抜いたウェーハ１１０の平坦化されていない面を研削するための第１の研削手段と、片面が研削されたウェーハ１１０を表裏反転した後、平坦化されていない他方の面を研削する第２の研削手段などからなる装置であるが、本発明の構成に合致するものであればこれに限定されるものではない。 The present invention also includes a wafer manufacturing apparatus capable of realizing the above-described steps. For example, the apparatus shown in FIG. 3, that is, a belt-like film 100 having translucency capable of transporting a wafer, and resin application for supplying and applying a curable resin composition to the surface of the film 100 Means 101, a unit (not shown) for supplying and placing the wafer 110 on the film 100 coated with the curable resin composition, and the wafer 110 placed on the film 100 on the stage 120 A pressing means 121 for pressing and flattening uniformly above, a curing means 130 for irradiating the wafer 110 with active energy rays to cure the curable resin composition on the surface of the wafer 110, and a curable resin composition After curing, a cutting means 140 for cutting out the entire film 100 so as to surround the wafer 110, and further, although not shown, cut out together with the film 100. A first grinding means for grinding an unflattened surface of the wafer 110; and a second grinding means for grinding the other non-flattened surface after reversing the wafer 110 with one side ground. However, the present invention is not limited to this as long as it matches the configuration of the present invention.
上記の製造装置を詳述すると、ロール状に形成されたフィルム１００は、一端のモータから送り出され、他端のモータで巻き取られる。 If said manufacturing apparatus is explained in full detail, the film 100 formed in roll shape will be sent out from the motor of one end, and will be wound up with the motor of the other end.
樹脂塗布手段１０１では、スリットコーターなどにより液状の上記硬化性樹脂組成物をフィルム１００の上に塗布した後、塗布された硬化性樹脂組成物上にウェーハ供給手段（図示せず）からウェーハ１１０を供給し、ウェーハ１１０とフィルム１００とをローラで挟み込んだ後、押圧手段１２１へと送る。 In the resin application means 101, the liquid curable resin composition is applied onto the film 100 by a slit coater or the like, and then the wafer 110 is applied from the wafer supply means (not shown) onto the applied curable resin composition. Then, the wafer 110 and the film 100 are sandwiched between rollers and then sent to the pressing means 121.
押圧手段１２１のステージ１２０の内部には硬化手段１３０が配設されており、フィルム側からＵＶランプ１３１を照射して硬化性樹脂組成物を硬化させる。尚、ＵＶランプ１３１の上部には、開閉する遮断手段１３２が配設されており、この遮断手段１３２を閉じるとＵＶランプ１３１から発せられる全ての光が遮断される。また、遮断手段１３２の上部には紫外光以外の光を遮断するフィルタ１３３が配設されている。更に、ＵＶランプ１３１の照射によりステージ１２０の内部の気温が上昇し、ステージ１２０が熱膨張するおそれがあるため、排気手段１３５により内部の雰囲気を外部に排出するようになっている。 A curing unit 130 is disposed inside the stage 120 of the pressing unit 121, and the UV lamp 131 is irradiated from the film side to cure the curable resin composition. A blocking means 132 that opens and closes is disposed above the UV lamp 131. When the blocking means 132 is closed, all the light emitted from the UV lamp 131 is blocked. In addition, a filter 133 that blocks light other than ultraviolet light is disposed above the blocking means 132. Further, since the temperature inside the stage 120 rises due to the irradiation of the UV lamp 131 and the stage 120 may be thermally expanded, the internal atmosphere is discharged to the outside by the exhaust means 135.
切り抜き手段１４０は、ウェーハ１１０の直径より大きいリング状の刃部を備えており、ステージ上でウェーハ１１０を囲むようにフィルム１００ごと切り抜く。 The cutting means 140 has a ring-shaped blade portion larger than the diameter of the wafer 110 and cuts out the entire film 100 so as to surround the wafer 110 on the stage.
次いで、ウェーハ１１０は矢印方向に進み、カセットなどに収容される。そして、ウェーハ周辺を切り抜かれたフィルム１５０のみが巻き取られる。 Next, the wafer 110 advances in the direction of the arrow and is accommodated in a cassette or the like. Then, only the film 150 cut out around the wafer is taken up.
その後、ウェーハ１１０は研削装置に搬送され、表面が平坦に研削される。 Thereafter, the wafer 110 is transferred to a grinding apparatus, and the surface is ground flat.
また、本発明は、前記で説明したウェーハの製造方法に供される硬化性樹脂組成物も含むが、本発明の硬化性樹脂組成物は、前記の（ｂ１）及び（ｂ２）を満足する。 Moreover, although this invention also includes the curable resin composition used for the manufacturing method of the wafer demonstrated above, the curable resin composition of this invention satisfies said (b1) and (b2).
以下、本発明を実施例及び比較例により更に具体的に説明するが、本発明のウェーハの製造方法はこれらの例に限定されるものではない。 EXAMPLES Hereinafter, although an Example and a comparative example demonstrate this invention further more concretely, the manufacturing method of the wafer of this invention is not limited to these examples.
以下の装置、条件を適用し、本発明によるウェーハの製造を実施した。
・基材ウェーハ：φ２００ｍｍシリコンアズスライスウェーハ（ワイヤーソー仕上げ）。
・硬化収縮率：ＪＩＳ−Ｋ−６９０１に規定される体積収縮率を用い、積算光量３０ｋＪ／ｍ２×２回の照射条件で硬化性樹脂組成物を硬化させ、硬化前後の体積変化を測定することで硬化収縮率を求めた。
・貯蔵弾性率：粘弾性スペクトロメーター（ＤＭＳ、エスアイアイナノテクノロジー社製）を用い、積算光量３０ｋＪ／ｍ２×２回の照射条件で硬化性樹脂組成物を硬化させて硬化体の貯蔵弾性率を測定した。
・フィルム形成性評価：硬化性樹脂組成物をスリットコーターを用いて厚さ７５μｍのＰＥＴフィルム上に所定の厚さで塗工処理したとき、該硬化性樹脂組成物層と一体化したフィルムが形成できるか否かについて評価した。一定の膜厚を持った硬化性樹脂組成物層を形成できたものを合格とし、流動性が高すぎたり、作業性に問題があるなどして一定の膜厚を持った硬化性樹脂組成物層を形成できなかったものを不合格とした。尚、実施例５ではフィルムを用いることなく、硬化性樹脂組成物をウェーハに直接塗工した。
・反り評価：光学干渉式平坦度測定装置（ＡＤＥ社製）によりＷＡＲＰ、ベストフィットを測定した。反りがほぼ８μｍ以下になったものを◎、１０μｍ以下になったものを○、１０μｍより大きかったものを×とした。
・うねり評価：山下電装製ＹＩＳ−３０００で魔鏡観察を行うことにより目視でうねりの残存性を評価した。図４に示したようにうねりが完全に消失したものを◎、図５に示したようにうねりのほぼ消失したものを○、図６に示したようにうねりの残りが認められたものを×とした。
・フィルム剥離：フィルム上に形成した硬化性樹脂組成物層を剥離する際、該硬化性樹脂組成物層の残渣無くきれいに剥離できたものを合格として○で表し、残渣が残ったものを不合格として×で表した。
The following apparatus and conditions were applied to manufacture the wafer according to the present invention.
-Substrate wafer: φ200 mm silicon as-sliced wafer (wire saw finish).
Curing shrinkage rate: The volume shrinkage rate specified in JIS-K-6901 is used, the curable resin composition is cured under irradiation conditions of 30 kJ / m 2 × 2 times of integrated light quantity, and the volume change before and after curing is measured. Thus, the cure shrinkage rate was determined.
-Storage elastic modulus: Using a viscoelastic spectrometer (DMS, manufactured by SII Nano Technology), the storage elastic modulus of the cured product is obtained by curing the curable resin composition under irradiation conditions of 30 kJ / m 2 × 2 times of integrated light quantity. Was measured.
Film formability evaluation: When a curable resin composition is coated on a 75 μm thick PET film with a predetermined thickness using a slit coater, a film integrated with the curable resin composition layer is formed. We evaluated whether it was possible. A curable resin composition with a certain film thickness that has passed a curable resin composition layer with a certain film thickness is accepted and has a high fluidity or a problem in workability. What failed to form a layer was rejected. In Example 5 , the curable resin composition was directly applied to the wafer without using a film.
Warpage evaluation: WARP and best fit were measured with an optical interference flatness measuring device (manufactured by ADE). The case where the warpage was about 8 μm or less was evaluated as “◎”, the case where the warpage was 10 μm or less was “◯”, and the case where the warpage was larger than 10 μm was rated as “X”.
-Swell evaluation: Residual of swell was evaluated visually by performing magic mirror observation with Yamashita Denso YIS-3000. As shown in FIG. 4, the case where the undulation completely disappeared is shown as ◎, as shown in FIG. 5, the case where the undulation almost disappeared is shown as ◯, and as shown in FIG. It was.
-Film peeling: When the curable resin composition layer formed on the film is peeled off, a film that can be peeled cleanly without any residue of the curable resin composition layer is indicated as a pass, and a residue remaining is rejected. As x.
実施例及び比較例にて使用した硬化性樹脂組成物は以下の通り。
・硬化性樹脂組成物A：ポリウレタンジアクリレート（Ｍｎ１６００）６０重量部、ポリエチレングリコールジアクリレート（Ｍｎ５５０）４０重量部、開裂型ラジカル重合開始剤（ＩＲＧＡＣＵＲＥ１８４）５重量部、粘度調整剤（乾式シリカ粉）３重量部よりなる
・硬化性樹脂組成物Ｂ：ポリウレタンジアクリレート（Ｍｎ１６００）５０重量部、ポリエチレングリコールジアクリレート（Ｍｎ５５０）５０重量部、開裂型ラジカル重合開始剤５重量部よりなる
・硬化性樹脂組成物Ｃ：エポキシジアクリレート（Ｍｎ１５００）６５重量部、ポリエチレングリコールジアクリレート（Ｍｎ１１５０）３５重量部、開裂型ラジカル重合開始剤５重量部、粘度調整剤３重量部よりなる
・硬化性樹脂組成物Ｄ：ポリエステルジアクリレート（Ｍｎ１２００）６０重量部、ポリエチレングリコールジアクリレート（Ｍｎ５５０）４０重量部、開裂型ラジカル重合開始剤５重量部よりなる
・硬化性樹脂組成物Ｅ：ポリウレタンジアクリレート（Ｍｎ１６００）３０重量部、ポリエチレングリコールジアクリレート（Ｍｎ５５０）２０重量部、アクリルモノマー５０重量部、開裂型ラジカル重合開始剤５重量部よりなる
・硬化性樹脂組成物Ｆ：ポリウレタンジアクリレート（Ｍｎ１６００）６５重量部、２−ヒドロキシ−３−（アクリロイルオキシ）プロピルメタクリレート３５重量部、開裂型ラジカル重合開始剤５重量部、粘度調整剤５重量部よりなる
・硬化性樹脂組成物Ｇ：ポリウレタンジアクリレート（Ｍｎ２０００）５０重量部、ポリエチレングリコールジアクリレート（Ｍｎ５５０）５０重量部、開裂型ラジカル重合開始剤５重量部、粘度調整剤４重量部よりなる
・硬化性樹脂組成物Ｈ：ポリエステルモノアクリレート（Ｍｎ９５０）５０重量部、ポリエチレングリコールジアクリレート（Ｍｎ８００）５０重量部、脂環式モノアクリルモノマー２０重量部、開裂型ラジカル重合開始剤５重量部、粘度調整剤１１重量部よりなる
・硬化性樹脂組成物Ｉ：エポキシジアクリレート（Ｍｎ１５００）５０重量部、ポリエチレングリコールモノアクリレート（Ｍｎ３６０）５０重量部、開裂型ラジカル重合開始剤５重量部、粘度調整剤７重量部よりなる
・硬化性樹脂組成物Ｊ：エポキシジアクリレート（Ｍｎ１５００）６５重量部、ヒドロキシアルキルモノアクリルモノマー３５重量部、開裂型ラジカル重合開始剤５重量部、粘度調整剤７重量部よりなる
・硬化性樹脂組成物Ｋ：ポリエチレングリコールジアクリレート（Ｍｎ８００）１００重量部、開裂型ラジカル重合開始剤５重量部、粘度調整剤１０重量部よりなる
The curable resin compositions used in the examples and comparative examples are as follows.
Curable resin composition A: 60 parts by weight of polyurethane diacrylate (Mn1600), 40 parts by weight of polyethylene glycol diacrylate (Mn550), 5 parts by weight of a cleavage type radical polymerization initiator (IRGACURE184), viscosity modifier (dry silica powder) 3 parts by weight-curable resin composition B: polyurethane diacrylate (Mn 1600) 50 parts by weight, polyethylene glycol diacrylate (Mn 550) 50 parts by weight, cleavage type radical polymerization initiator 5 parts by weight-curable resin composition Product C: 65 parts by weight of epoxy diacrylate (Mn 1500), 35 parts by weight of polyethylene glycol diacrylate (Mn 1150), 5 parts by weight of a cleavage type radical polymerization initiator, and 3 parts by weight of a viscosity modifier. Curable resin composition D: Polyester diacrylate (Mn 1200) 60 parts by weight, polyethylene glycol diacrylate (Mn550) 40 parts by weight, cleavage type radical polymerization initiator 5 parts by weight ・ Curable resin composition E: polyurethane diacrylate (Mn1600) 30 parts by weight, polyethylene glycol diacrylate (Mn550) 20 parts by weight, acrylic monomer 50 parts by weight, cleavage type radical polymerization initiator 5 parts by weight ・ Curable resin composition F: 65 parts by weight of polyurethane diacrylate (Mn1600), 2-hydroxy-3- (acryloyl) Oxy) propyl methacrylate 35 parts by weight, cleavage type radical polymerization initiator 5 parts by weight, viscosity modifier 5 parts by weight-curable resin composition G: polyurethane diacrylate (Mn2000) 50 parts by weight, polyethylene glycol diacrylate (Mn550) 50 parts by weight, 5 parts by weight of a cleavage type radical polymerization initiator, 4 parts by weight of a viscosity modifier. Curable resin composition H: 50 parts by weight of polyester monoacrylate (Mn950), 50 parts by weight of polyethylene glycol diacrylate (Mn800) , Comprising 20 parts by weight of an alicyclic monoacrylic monomer, 5 parts by weight of a cleavage type radical polymerization initiator, and 11 parts by weight of a viscosity modifier. ・ Curable resin composition I: 50 parts by weight of epoxy diacrylate (Mn 1500), polyethylene glycol mono Consisting of 50 parts by weight of acrylate (Mn360), 5 parts by weight of a cleavage-type radical polymerization initiator, and 7 parts by weight of a viscosity modifier. Curable resin composition J: 65 parts by weight of epoxy diacrylate (Mn1500), hydroxyalkyl monoacrylic monomer 35 Parts by weight, cleavage type radical polymerization initiator 5 parts by weight, viscosity · A curable resin composition consisting modifier 7 parts by weight K: Polyethylene glycol diacrylate (MN 800) 100 parts by weight, cleavage type radical polymerization initiator 5 parts by weight, consisting of a viscosity modifier, 10 parts by weight
比較例１では、硬化性樹脂組成物を用いることなくウェーハ表面を研削したが、平坦度測定の結果大きな反りが残存し、また図７の魔鏡観察写真に示すように、表面にうねりが残存していた。これに対し、本発明の構成に含まれる硬化性樹脂組成物を用いて製造したウェーハは、何れも反りや表面のうねりが消失していた。 In Comparative Example 1, the wafer surface was ground without using the curable resin composition. However, as a result of the flatness measurement, a large warp remained, and as shown in the magic mirror observation photograph of FIG. Was. On the other hand, all the wafers manufactured using the curable resin composition included in the configuration of the present invention have lost warpage and surface waviness.
また、硬化性樹脂組成物を使用した場合でも、本発明に従い前記（ｂ１）及び（ｂ２）を満足しない硬化性樹脂組成物では、ウェーハの反りや表面のうねりが残存することがわかる。即ち、硬化収縮率が７％より大きいもの、あるいは貯蔵弾性率が３．０×１０９Ｐａより大きいもの、１．０×１０６Ｐａより小さいものはウェーハ表面に反りまたはうねりが残存していることがわかる。硬化収縮率が７％以下であっても、貯蔵弾性率が３．０×１０９〜１．０×１０６の範囲にないと反り、うねり共に残存しており、反対に貯蔵弾性率が３．０×１０９以下でも硬化収縮率が７％より大きい場合は、うねりはなくなっているが反りは残存している。これは硬化性樹脂組成物の硬化収縮に伴うウェーハの追従による反りであると思われる。さらに、硬化収縮率、貯蔵弾性率ともに規定した範囲内にあっても、膜厚が２００μｍより大きいと反り、うねりを除去することができないことが確認された。 Further, even when a curable resin composition is used, it can be seen that in the curable resin composition that does not satisfy the above (b1) and (b2) according to the present invention, wafer warpage and surface waviness remain. That is, when the cure shrinkage rate is larger than 7%, or when the storage elastic modulus is larger than 3.0 × 10 9 Pa or smaller than 1.0 × 10 6 Pa, warpage or undulation remains on the wafer surface. I understand that. Even when the curing shrinkage is 7% or less, warpage and undulation remain if the storage elastic modulus is not in the range of 3.0 × 10 9 to 1.0 × 10 6. Conversely, the storage elastic modulus is 3 When the cure shrinkage is larger than 7% even at 0.0 × 10 9 or less, the undulation is eliminated but the warp remains. This seems to be a warp due to the following of the wafer accompanying the curing shrinkage of the curable resin composition. Furthermore, it was confirmed that even when both the curing shrinkage rate and the storage elastic modulus are within the specified ranges, the film thickness is larger than 200 μm, so that warping and undulation cannot be removed.
本発明によれば、ウェーハの研削において精度良く平坦に加工できるため、高品質のウェーハを提供することができる。 According to the present invention, a wafer with high quality can be provided because it can be processed accurately and flatly in grinding of the wafer.
１０ ウェーハ
１０ａ ウェーハの第１の表面
１０ｂ ウェーハの第２の表面
１１ 透光性フィルム
１２ 平坦な固定部材
１３ 平坦な板状部材
２０ 硬化性樹脂組成物層
DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Wafer 10a Wafer 1st surface 10b Wafer 2nd surface 11 Translucent film 12 Flat fixing member 13 Flat plate-shaped member 20 Curable resin composition layer
Claims (6)
（Ａ）インゴットよりスライスして得られた薄板状ウェーハを用意する前工程
（Ｂ）下記の（ｂ１）及び（ｂ２）の特性を有する硬化性樹脂組成物を前記ウェーハの第１面に１０μｍ〜２００μｍの膜厚で塗工する硬化性樹脂組成物層形成工程
（ｂ１）硬化収縮率が７％以下
（ｂ２）硬化体の貯蔵弾性率（Ｅ’）の２５℃での値が１．０×１０６〜３．０×１０９Ｐａ
（Ｃ）前記硬化性樹脂組成物を塗工したウェーハの第２面を押圧手段により押圧することにより第１面に塗布した硬化性樹脂組成物層を平坦化する平坦化工程
（Ｄ）前記押圧手段による押圧を解除した後、前記ウェーハに塗工された硬化性樹脂組成物層に活性エネルギー線を照射し、ウェーハ表面で硬化させる硬化性樹脂組成物層固定化工程
（Ｅ）前記硬化性樹脂組成物層にて固定されたウェーハの第２面を平坦に研削加工する第１の研削工程
（Ｆ）前記第１の研削工程により平坦化されたウェーハの第２面を基準面として、第１面を研削加工する第２の研削工程
を含み、
前記（Ｂ）工程における硬化性樹脂組成物が、（イ）ポリエステルジ（メタ）アクリレート、ポリウレタンジ（メタ）アクリレート、エポキシジ（メタ）アクリレートから選ばれる、少なくとも分子鎖両末端に（メタ）アクリル基を有する（メタ）アクリル化合物、（ロ）少なくとも分子中に２個の（メタ）アクリル基を有する親水性（メタ）アクリル化合物、（ハ）光重合開始剤からなる硬化性樹脂組成物であることを特徴とするウェーハの製造方法。 It is a manufacturing method of a wafer, and the following steps (A) to (F):
(A) Pre-process for preparing a thin wafer obtained by slicing from an ingot (B) A curable resin composition having the following characteristics (b1) and (b2) is applied to the first surface of the wafer from 10 μm to Curable resin composition layer forming step for coating with a film thickness of 200 μm (b1) Curing shrinkage is 7% or less (b2) The storage elastic modulus (E ′) of the cured body is 1.0 × 10 6 to 3.0 × 10 9 Pa
(C) A flattening step of flattening the curable resin composition layer applied to the first surface by pressing the second surface of the wafer coated with the curable resin composition by pressing means (D) the pressing A curable resin composition layer fixing step (E) in which the curable resin composition layer applied to the wafer is irradiated with active energy rays and cured on the wafer surface after releasing the pressure by the means (E) First grinding step (F) for flatly grinding the second surface of the wafer fixed by the composition layer (F) First with the second surface of the wafer flattened by the first grinding step as a reference surface Including a second grinding step of grinding the surface,
The curable resin composition in the step (B) is selected from (i) polyester di (meth) acrylate, polyurethane di (meth) acrylate, and epoxy di (meth) acrylate, at least at both molecular chain ends (meth) acrylic groups. (B) a curable resin composition comprising a (meth) acrylic compound having at least two (meth) acrylic groups in the molecule, and (c) a photopolymerization initiator. A method for producing a wafer characterized by the above.
（イ）ポリエステルジ（メタ）アクリレート、ポリウレタンジ（メタ）アクリレート、エポキシジ（メタ）アクリレートから選ばれる、少なくとも分子鎖両末端に（メタ）アクリル基を有する（メタ）アクリル化合物、（ロ）少なくとも分子中に２個の（メタ）アクリル基を有する親水性（メタ）アクリル化合物、（ハ）光重合開始剤からなり、
下記の（ｂ１）及び（ｂ２）の特性を有することを特徴とする硬化性樹脂組成物。
（ｂ１）硬化収縮率が７％以下
（ｂ２）硬化体の貯蔵弾性率（Ｅ’）の２５℃での値が１．０×１０６〜３．０×１０９Ｐａ A curable resin composition used in the method for producing a wafer according to any one of claims 1 , 3 , and 4 ,
(I) Polyester di (meth) acrylate, polyurethane di (meth) acrylate, epoxy di (meth) acrylate, (meth) acrylic compound having (meth) acrylic groups at both ends of the molecular chain, (b) at least molecules It consists of a hydrophilic (meth) acrylic compound having two (meth) acrylic groups, (c) a photopolymerization initiator,
A curable resin composition having the following characteristics (b1) and (b2):
(B1) Cure shrinkage is 7% or less (b2) The storage elastic modulus (E ′) of the cured product has a value at 25 ° C. of 1.0 × 10 6 to 3.0 × 10 9 Pa.
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2008123731A JP5504412B2 (en) | 2008-05-09 | 2008-05-09 | Wafer manufacturing method and manufacturing apparatus, and curable resin composition |
| KR1020090032451A KR101456724B1 (en) | 2008-05-09 | 2009-04-14 | Method and apparatus for manufacturing wafer, and curable resin composition |
| CN2009101392019A CN101577219B (en) | 2008-05-09 | 2009-04-24 | Method and apparatus for preparing wafer and cured resin composition |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2008123731A JP5504412B2 (en) | 2008-05-09 | 2008-05-09 | Wafer manufacturing method and manufacturing apparatus, and curable resin composition |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2009272557A JP2009272557A (en) | 2009-11-19 |
| JP5504412B2 true JP5504412B2 (en) | 2014-05-28 |
Family
ID=41272110
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2008123731A Active JP5504412B2 (en) | 2008-05-09 | 2008-05-09 | Wafer manufacturing method and manufacturing apparatus, and curable resin composition |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP5504412B2 (en) |
| KR (1) | KR101456724B1 (en) |
| CN (1) | CN101577219B (en) |
Families Citing this family (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5541681B2 (en) * | 2010-01-20 | 2014-07-09 | 株式会社ディスコ | Wafer flattening method |
| JP5524716B2 (en) * | 2010-05-28 | 2014-06-18 | 株式会社ディスコ | Wafer flat processing method |
| JP5675378B2 (en) * | 2011-01-13 | 2015-02-25 | 株式会社ディスコ | Resin coating device |
| JP2012242525A (en) * | 2011-05-17 | 2012-12-10 | Dnp Fine Chemicals Co Ltd | Structure having specific surface shape and method for manufacturing the structure |
| JP6021362B2 (en) * | 2012-03-09 | 2016-11-09 | 株式会社ディスコ | Grinding method for plate |
| WO2014038288A1 (en) * | 2012-09-05 | 2014-03-13 | シャープ株式会社 | Moth-eye film |
| US9881783B2 (en) | 2013-02-19 | 2018-01-30 | Sumco Corporation | Method for processing semiconductor wafer |
| JP2015038919A (en) * | 2013-08-19 | 2015-02-26 | 株式会社ディスコ | Wafer manufacturing method |
| JP6370086B2 (en) * | 2014-04-23 | 2018-08-08 | 株式会社ディスコ | Resin composition and plate fixing method |
| JP6418130B2 (en) | 2015-10-20 | 2018-11-07 | 株式会社Sumco | Semiconductor wafer processing method |
| JP6500796B2 (en) * | 2016-02-03 | 2019-04-17 | 株式会社Sumco | Wafer manufacturing method |
| JP2018074019A (en) * | 2016-10-31 | 2018-05-10 | 株式会社Sumco | Wafer manufacturing method and wafer |
| JP6878676B2 (en) | 2018-02-21 | 2021-06-02 | 株式会社Sumco | Wafer manufacturing method |
| JP7240154B2 (en) * | 2018-12-05 | 2023-03-15 | 株式会社ディスコ | Protective member forming method and protective member forming apparatus |
| JP7254425B2 (en) * | 2019-06-18 | 2023-04-10 | 株式会社ディスコ | Semiconductor wafer manufacturing method |
| CN110465846A (en) * | 2019-07-25 | 2019-11-19 | 江苏吉星新材料有限公司 | A kind of face type restorative procedure of large-size sapphire substrate wafer piece |
| JP7173091B2 (en) * | 2020-05-08 | 2022-11-16 | 信越半導体株式会社 | Surface grinding method |
| CN114290132A (en) * | 2021-12-30 | 2022-04-08 | 北京天科合达半导体股份有限公司 | Surface treatment method for silicon carbide wafer |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3055401B2 (en) * | 1994-08-29 | 2000-06-26 | 信越半導体株式会社 | Work surface grinding method and device |
| JP3924641B2 (en) * | 1997-10-07 | 2007-06-06 | 東芝セラミックス株式会社 | Manufacturing method of semiconductor wafer |
| JP2000005982A (en) * | 1998-06-22 | 2000-01-11 | Enya System:Kk | Method for forming reference plane of sliced wafer |
| JP3383227B2 (en) * | 1998-11-06 | 2003-03-04 | リンテック株式会社 | Semiconductor wafer backside grinding method |
| JP2002203828A (en) * | 2000-12-28 | 2002-07-19 | Lintec Corp | Method for grinding back side of wafer |
| TWI310230B (en) * | 2003-01-22 | 2009-05-21 | Lintec Corp | Adhesive sheet, method for protecting surface of semiconductor wafer and method for processing work |
| JP4728023B2 (en) * | 2005-03-24 | 2011-07-20 | 株式会社ディスコ | Wafer manufacturing method |
| CN1739915A (en) * | 2005-09-08 | 2006-03-01 | 大连理工大学 | Prepn process of polishing pad for chemomechanical polishing |
| JP2007102980A (en) * | 2005-10-07 | 2007-04-19 | Dainippon Ink & Chem Inc | Optical disk |
| WO2008001855A1 (en) * | 2006-06-30 | 2008-01-03 | Mitsubishi Plastics, Inc. | Active energy ray curable composition, transparent film made of the composition, and optical disk using the film |
-
2008
- 2008-05-09 JP JP2008123731A patent/JP5504412B2/en active Active
-
2009
- 2009-04-14 KR KR1020090032451A patent/KR101456724B1/en active IP Right Grant
- 2009-04-24 CN CN2009101392019A patent/CN101577219B/en active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN101577219B (en) | 2012-07-04 |
| CN101577219A (en) | 2009-11-11 |
| KR20090117612A (en) | 2009-11-12 |
| JP2009272557A (en) | 2009-11-19 |
| KR101456724B1 (en) | 2014-10-31 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP5504412B2 (en) | Wafer manufacturing method and manufacturing apparatus, and curable resin composition | |
| JP5254664B2 (en) | Antireflection film and method for manufacturing the same | |
| US9919406B2 (en) | Abrasive material product, its production method and use method | |
| TWI647296B (en) | Adhesive sheet | |
| TWI595067B (en) | Surface protection sheet | |
| TWI336691B (en) | Edge coated glass polarized lens | |
| WO2011125335A1 (en) | Pattern forming method and pattern substrate manufacturing method | |
| US20090017248A1 (en) | Layered body and method for manufacturing thin substrate using the layered body | |
| JP2011222647A (en) | Pattern forming method and pattern substrate manufacturing method | |
| KR20110031347A (en) | Method for provisional fixing/release of member and adhesive for provisional fixing suitable therefor | |
| TWI566042B (en) | A hardening composition, a temporary bonding material, and a temporary method of using the member and the substrate | |
| TWI507502B (en) | Semiconductor wafer processing adhesive sheet | |
| KR101215157B1 (en) | The laser dising sheet and method for manufacturing chip body | |
| JP2016002683A (en) | Method for manufacturing 3d shaped object, photocurable composition for 3d shaping, and ink set for 3d shaping | |
| JP2010079958A (en) | Adhesive for temporary bonding | |
| JP2008218930A (en) | Energy ray hardening type chip protecting film | |
| JP6703848B2 (en) | Method for fixing resin composition and plate-like material | |
| JP2012183785A (en) | Flexographic printing plate, plate material used for plate-making for flexographic printing, and support sheet for plate-making for flexographic printing | |
| JP5367996B2 (en) | Adhesive sheet base film and adhesive sheet | |
| JP2013210638A (en) | Antireflection film and production method of the same | |
| JP2017220622A (en) | Processing method of semiconductor wafer | |
| KR20160113799A (en) | Grinding method of sapphire wafer using UV mounting process | |
| KR20220149007A (en) | Surface protection curable resin composition required for processing ultra-thin glass for foldable cover windows | |
| JP6370086B2 (en) | Resin composition and plate fixing method | |
| KR101670523B1 (en) | Adhesive Tape for Semiconductor Wafer Processing and Method of Fabricating the same |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20110224 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20130214 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130305 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130502 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20131001 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20131022 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712 Effective date: 20140129 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20140204 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20140214 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140225 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5504412 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313115 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |