JP5504221B2 - 発光装置及びその作製方法 - Google Patents
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Description
また、成膜温度が低すぎると膜質の低下につながり、水分や酸素の透過を十分防ぐことが難しくなる。
よって、外力が与えられても破壊することなく、フレキシブルな発光装置とすることができる。
なお、支持体となるカバー材30aを接着した後、剥離する際には配線引き出し端子の部分(接続部分)が絶縁膜20、11のみとなり機械強度が弱くなるため、剥離前にFPC19を貼りつけ、さらに有機樹脂32で固定している。
が取り付けられていても良い。本明細書におけるELモジュールには、発光素子が設けられた基板本体だけでなく、それにFPCもしくはPWBが取り付けられた状態をも含むものとする。
フィルム基板45aとフィルム基板45bとを接着した後、ICチップを装着してもよいし、フィルム基板45aにICチップを装着した後でフィルム基板45bで封止してもよい。
この加熱処理は、電気炉の熱処理または強光の照射を用いればよい。電気炉の熱処理で行う場合は、500℃〜650℃で4〜24時間で行えばよい。ここでは脱水素化のための熱処理(500℃、1時間)の後、結晶化のための熱処理(550℃、4時間)を行って結晶構造を有するシリコン膜を得る。なお、ここでは炉を用いた熱処理を用いて結晶化を行ったが、ランプアニール装置で結晶化を行ってもよい。なお、ここではシリコンの結晶化を助長する金属元素としてニッケルを用いた結晶化技術を用いたが、他の公知の結晶化技術、例えば固相成長法やレーザー結晶化法を用いてもよい。
により得られる。
とし、成膜パワーを3kWとし、基板温度を150℃とする。なお、上記条件での非晶質シリコン膜に含まれるアルゴン元素の原子濃度は、3×1020/cm3〜6×1020/cm3、酸素の原子濃度は1×1019/cm3〜3×1019/cm3である。その後、ランプアニール装置を用いて650℃、3分の熱処理を行いゲッタリングする。
エッチング法を用いると良い。ICPエッチング法を用い、エッチング条件(コイル型の電極に印加される電力量、基板側の電極に印加される電力量、基板側の電極温度等)を適宜調節することによって所望のテーパー形状に膜をエッチングすることができる。なお、エッチング用ガスとしては、Cl2、BCl3、SiCl4、CCl4などを代表とする塩素系ガスまたはCF4、SF6、NF3などを代表とするフッ素系ガス、またはO2を適宜用いることができる。
112はゲート絶縁膜であり、第1の形状の導電層で覆われない領域は20〜50nm程度エッチングされ薄くなる。
、タンタル(Ta)などを用いて、ソース配線またはドレイン配線126〜128を形成する。
とソース領域またはドレイン領域として機能する不純物領域119を有している。
とが設けられており、貼り合わせた後の状態が、実施の形態1に示した図1(A)、図1(B)である。第2の材料層202が絶縁膜11に対応している。
)このAlNXOY膜307は保護膜として機能する。ここでは、窒化アルミニウム(AlN)ターゲットを用い、アルゴンガス(20sccm)と窒素ガス(15sccm)と酸素ガス(5sccm)を混合した雰囲気下にて成膜する。また、アルミニウム(Al)ターゲットを用い、窒素ガス及び酸素ガスを含む雰囲気下にて成膜してもよい。また、AlNXOY膜307は、装置外から水分や酸素などの不純物といったOLED15の劣化を促す物質が侵入することを防ぐ効果も有している。
、ポリエチレンナフタレート(PEN)、ポリカーボネート(PC)、ナイロン、ポリエーテルエーテルケトン(PEEK)、ポリスルホン(PSF)、ポリエーテルイミド(PEI)、ポリアリレート(PAR)、ポリブチレンテレフタレート(PBT)などのプラスチック基板が好ましい。
Claims (4)
- プラスチック基板上の第1のアルミニウムを含む窒化酸化物膜と、
前記第1のアルミニウムを含む窒化酸化物膜上の第1の有機樹脂膜と、
前記第1の有機樹脂膜上の第2のアルミニウムを含む窒化酸化物膜と、
前記第2のアルミニウムを含む窒化酸化物膜上の接着層と、
前記接着層上の絶縁膜と、
前記絶縁膜上の薄膜トランジスタと、
前記薄膜トランジスタ上の、前記薄膜トランジスタに電気的に接続される、陽極、陰極及び前記陽極と前記陰極の間の有機発光層を含む発光素子と、
前記発光素子を覆う第2の有機樹脂膜と、
前記第2の有機樹脂膜を覆う保護膜と、を有し、
前記薄膜トランジスタ及び前記発光素子は、接着剤を用いて第3のアルミニウムを含む窒化酸化物膜が設けられたカバー材で封止されており、
前記発光素子からの発光は、前記カバー材を介して射出することを特徴とする発光装置。 - 第1の基板上に第1の材料層、第2の材料層、下地絶縁膜を順に形成し、
前記下地絶縁膜上に、画素部の第1のTFT素子及び駆動回路の第2のTFT素子を形成し、
前記第1のTFT素子及び前記第2のTFT素子上に、前記第1のTFT素子に電気的に接続される、陽極、陰極及び前記陽極と前記陰極の間の有機発光層を含む発光素子を形成し、
前記発光素子上に層間絶縁膜を形成し、
前記発光素子及び前記層間絶縁膜を覆うようにアルミニウムを含む窒化酸化物膜でなる第1の膜を形成し、
前記第2のTFT素子に電気的に接続される入出力端子にFPCを異方性導電材で接着し、
前記FPC及び前記第1の膜上に支持体を第1の接着層を介して貼り付け、
前記支持体の接着により前記入出力端子と前記FPCとの接続を固定した後、前記第1の材料層が設けられた前記第1の基板を前記第2の材料層から引きはがし、
前記第2の材料層に第2の接着層を介してアルミニウムを含む窒化酸化物膜でなる第2の膜と、前記第2の膜上に形成された有機樹脂からなる第3の膜と、前記第3の膜上に形成されたアルミニウムを含む窒化酸化物膜でなる第4の膜との積層膜が設けられたプラスチック基板である第2の基板を貼り合わせることを特徴とする発光装置の作製方法。 - 請求項2において、
前記第1の材料層は、タングステン膜または窒化タングステン膜であることを特徴とする発光装置の作製方法。 - 請求項2または3において、
前記第2の材料層は、酸化シリコン材料層、酸化金属材料層、または前記酸化シリコン材料層と前記酸化金属材料層の積層であることを特徴とする発光装置の作製方法。
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