JP5495936B2

JP5495936B2 - Wafer holding apparatus and wafer processing apparatus

Info

Publication number: JP5495936B2
Application number: JP2010115459A
Authority: JP
Inventors: 禎足立; 文雄間瀬; 一夫山川; 廣継飛山
Original assignee: Tokyo Seimitsu Co Ltd
Current assignee: Tokyo Seimitsu Co Ltd
Priority date: 2009-06-17
Filing date: 2010-05-19
Publication date: 2014-05-21
Anticipated expiration: 2030-05-19
Also published as: JP2011023708A

Description

本発明は、所定の処理、例えば裏面研削処理を行うときにウェーハを保持するウェーハ保持装置およびそのようなウェーハ保持装置を備えたウェーハ処理装置に関する。 The present invention relates to a wafer holding apparatus that holds a wafer when performing a predetermined process, for example, a back grinding process, and a wafer processing apparatus including such a wafer holding apparatus.

半導体ウェーハ（以下「ウェーハ」と省略する）やＬＣＤ用ガラス等の薄くて被加工面の広いウェーハを研削・研磨する場合には、ウェーハの表面を均等に研削・研磨することが要求される。このような要求に対し、ウェーハを真空吸着して固定する装置について従来より種々の技術が提案されてきた。 When grinding and polishing a thin wafer having a wide processing surface such as a semiconductor wafer (hereinafter abbreviated as “wafer”) or LCD glass, it is required to uniformly grind and polish the surface of the wafer. In response to such demands, various techniques have been proposed for an apparatus for vacuum-adsorbing and fixing a wafer.

例えば特許文献１には、ウェーハのような薄板状基板の外周部の縁だれや盛り上がりを防止するために、薄板状基板の非加工面側の外周部とその下方のステージの平面との間隙を液体を用いてシールし、加工液が間隙を通じて薄板状基板の内方に流入することを防止する技術が開示されている。 For example, Patent Document 1 discloses a gap between the outer peripheral portion of the thin plate-like substrate on the non-processed surface side and the plane of the stage below the thin plate-like substrate in order to prevent the edge of the outer periphery of the thin plate-like substrate such as a wafer from rising. A technique for sealing with a liquid and preventing the processing liquid from flowing into the thin plate-like substrate through the gap is disclosed.

また、特許文献２には、研削盤の真空吸着機能を有するチャック機構のチャック本体を通気性部材と不通気性部材との環状部にて構成し、サイズの異なるウェーハであっても確実に真空吸着することができるウェーハのチャック機構が開示されている。 Further, in Patent Document 2, a chuck body of a chuck mechanism having a vacuum suction function of a grinding machine is configured by an annular portion of a breathable member and a non-breathable member, so that even a wafer having a different size can be reliably vacuumed. A wafer chucking mechanism capable of adsorbing is disclosed.

しかしながら、これら特許文献１および特許文献２においては、研削・研磨の前後にウェーハを加工用チャックから取外して別の搬送装置に保持させる必要がある。ウェーハは研削・研磨処理によってその厚みが小さくされており、例えば５０マイクロメートル以下である。このような薄いウェーハは平面維持力を有しておらず、ウェーハの表面に貼付けられた表面保護フィルムや、加工時にウェーハに与えられる内部応力によってウェーハの反り力が大きくなる。従って、このようなウェーハをチャックと搬送装置との間で移動させるときに、ウェーハが反り返って破損する可能性がある。 However, in Patent Document 1 and Patent Document 2, it is necessary to remove the wafer from the processing chuck and hold it on another transfer device before and after grinding and polishing. The thickness of the wafer is reduced by grinding / polishing treatment, for example, 50 micrometers or less. Such a thin wafer does not have a plane maintaining force, and the warping force of the wafer increases due to a surface protection film attached to the surface of the wafer and internal stress applied to the wafer during processing. Therefore, when such a wafer is moved between the chuck and the transfer device, the wafer may be warped and damaged.

ところで、ウェーハの裏面を研削・研磨する装置は、ターンテーブル上に、粗研削ユニット、仕上研削ユニットおよび研磨ユニット等を順番に備えている。ターンテーブルをインデックス回転させることによって、ウェーハは該ウェーハのためのウェーハ回転軸と共に或るユニットから他のユニットまで旋回移動される。 By the way, an apparatus for grinding and polishing the back surface of a wafer includes a rough grinding unit, a finish grinding unit, a polishing unit, and the like in order on a turntable. By indexing the turntable, the wafer is pivoted from one unit to another along with the wafer rotation axis for the wafer.

このような装置においてウェーハ仕上精度（ウェーハ面内厚みバラツキ）を高めるためには、それぞれのウェーハ回転軸の倒れ角度（鉛直軸線に対する角度）を互いに等しくする必要がある。しかしながら、倒れ角度を互いに等しく設定するのは容易でなく、またこのような設定は煩雑であるので時間がかかるという問題がある。 In such an apparatus, in order to increase the wafer finishing accuracy (thickness variation in the wafer surface), it is necessary to make the tilt angles (angles with respect to the vertical axis) of the respective wafer rotation axes equal to each other. However, it is not easy to set the tilt angles to be equal to each other, and there is a problem that it takes time because such setting is complicated.

これに対し、ウェーハ回転軸は対応する研削・研磨軸に対して固定した状態で、ウェーハ搬送装置によりウェーハのみを搬送する装置も存在しており、このような装置では上記のような問題は生じない。ところが、前述した薄いウェーハの場合には、平面維持力が無いために、搬送時にウェーハに割れが発生する可能性がある。 On the other hand, there is also a device that transports only the wafer by the wafer transport device while the wafer rotation shaft is fixed with respect to the corresponding grinding / polishing shaft, and the above-mentioned problems occur in such a device. Absent. However, in the case of the thin wafer described above, since there is no plane maintaining force, there is a possibility that the wafer will be cracked during transportation.

さらに、ウェーハをガラス製などの別の基材に接着して処理を行う技術も存在しているが、薄いウェーハの場合には、ウェーハを基材から剥離する際に、ウェーハに応力がかかって割れが同様に発生する。 In addition, there are technologies for processing by bonding the wafer to another substrate such as glass, but in the case of a thin wafer, stress is applied to the wafer when the wafer is peeled off from the substrate. Cracks occur as well.

また、特許文献３においては、洗浄ユニットおよび研削ユニットがそれぞれ真空チャックを備えており、これら真空チャックの間に交換アームが配置されている。そして、ウェーハを真空保持したそれぞれの真空チャックは交換アームにより、洗浄ユニットと研削ユニットとの間で互いに入れ替えられている。 In Patent Document 3, each of the cleaning unit and the grinding unit includes a vacuum chuck, and an exchange arm is disposed between the vacuum chucks. Each vacuum chuck that holds the wafer in vacuum is exchanged between the cleaning unit and the grinding unit by an exchange arm.

特開平１０−１３５３１６号公報Japanese Patent Laid-Open No. 10-135316 特公平０２−０４６３３１号公報Japanese Examined Patent Publication No. 02-046331 特開平１１−３４７８７８号公報Japanese Patent Laid-Open No. 11-347878

しかしながら、特許文献３においてチャックを入れ替える際に真空チャックはウェーハを真空吸引しているわけではない。このため、薄いウェーハの場合には、ウェーハが反り返る力が、真空チャックがウェーハを保持する吸引力よりも大きくなり、搬送時には、やはりウェーハが反り返ってウェーハに割れが生じることとなる。また、このような薄いウェーハは慎重に扱う必要があるので、処理時間が遅延するという問題もあった。 However, when replacing the chuck in Patent Document 3, the vacuum chuck does not vacuum the wafer. For this reason, in the case of a thin wafer, the force with which the wafer is warped becomes larger than the suction force with which the vacuum chuck holds the wafer, and the wafer is also warped during the transportation, and the wafer is cracked. In addition, since such a thin wafer needs to be handled carefully, there is a problem that processing time is delayed.

本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであり、ウェーハの研削・研磨時および搬送時に破損させることなしにウェーハを安定して保持することのできるウェーハ保持装置およびそのようなウェーハ保持装置を備えたウェーハ処理装置を提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of such circumstances, and a wafer holding device capable of stably holding a wafer without being damaged during grinding / polishing and transfer of the wafer, and such a wafer holding device. It aims at providing the wafer processing apparatus provided with.

前述した目的を達成するために１番目の発明によれば、真空吸着によりウェーハを吸着する吸着部と、該吸着部周りに配置されたカバー部と、前記吸着部を回転させる回転機構部と前記カバー部とを通って、前記吸着部と真空源とを切離し可能に接続する第一管路と、前記カバー部に配置されていて前記第一管路を開閉する第一弁機構部と、前記吸着部を搬送させる搬送機構部と前記カバー部とを通って、前記吸着部と前記真空源とを切離し可能に接続する第二管路と、前記カバー部に配置されていて前記第二管路を開閉する第二弁機構部とを具備するウェーハ保持装置が提供される。 In order to achieve the above-described object, according to the first invention, an adsorption part for adsorbing a wafer by vacuum adsorption, a cover part arranged around the adsorption part, a rotation mechanism part for rotating the adsorption part, A first conduit that detachably connects the suction portion and the vacuum source through the cover, a first valve mechanism that is disposed in the cover and opens and closes the first conduit; A second conduit that detachably connects the suction portion and the vacuum source through the transport mechanism portion that transports the suction portion and the cover portion, and the second conduit that is disposed in the cover portion. And a second valve mechanism for opening and closing the wafer.

すなわち１番目の発明においては、ウェーハの研削などを行う場合には第一弁機構部を開放すると共に第二弁機構部を閉鎖し、それにより、ウェーハ保持装置と一緒にウェーハを回転させる。また、ウェーハを搬送するときには第一弁機構部を閉鎖すると共に第二弁機構部を開放し、それにより、ウェーハ保持装置と一緒にウェーハを搬送する。これにより、ウェーハのみを回転および移動させることがなくなる。従って、ウェーハの研削・研磨時および搬送時に破損させることなしにウェーハを安定して保持することができる。なお、真空源により作用する圧力は−８０ｋＰａ以下であるのが好ましい。 That is, in the first invention, when the wafer is ground or the like, the first valve mechanism is opened and the second valve mechanism is closed, whereby the wafer is rotated together with the wafer holding device. When the wafer is transferred, the first valve mechanism is closed and the second valve mechanism is opened, whereby the wafer is transferred together with the wafer holding device. As a result, only the wafer is not rotated and moved. Therefore, the wafer can be stably held without being damaged during grinding / polishing and conveyance of the wafer. In addition, it is preferable that the pressure which acts with a vacuum source is -80 kPa or less.

２番目の発明によれば、１番目の発明において、前記第一管路および前記第二管路の少なくとも一方は前記カバー部の周面を通過する。
すなわち２番目の発明においては、管路がウェーハ保持装置と回転機構部との連結箇所に存在しないようにできる。このため、ウェーハ保持装置と回転機構部との連結箇所に異物、例えば研削屑が挟み込まれるのを防止することができる。 According to a second aspect, in the first aspect, at least one of the first pipe and the second pipe passes through a peripheral surface of the cover portion.
That is, in the second invention, the pipe line can be made not to exist at the connecting portion between the wafer holding device and the rotation mechanism. For this reason, it can prevent that a foreign material, for example, grinding | polishing waste, is pinched | interposed into the connection location of a wafer holding apparatus and a rotation mechanism part.

３番目の発明によれば、１番目または２番目の発明におけるウェーハ保持装置に保持される前記ウェーハを処理する第一処理ユニットと、前記第一処理ユニットにより処理された前記ウェーハに対して前記第一処理ユニットとは異なる処理を行う第二処理ユニットと、を備えたウェーハ処理装置が提供される。 According to the third invention, the first processing unit for processing the wafer held by the wafer holding device in the first or second invention, and the first processing unit for the wafer processed by the first processing unit. There is provided a wafer processing apparatus including a second processing unit that performs processing different from one processing unit.

４番目の発明によれば、３番目の発明において、前記第一処理ユニットが少なくとも二つの前記回転機構部を含んでおり、前記搬送機構部が、前記ウェーハ保持装置を前記回転機構部から別の回転機構部まで周回させる周回機構部である。
すなわち４番目の発明においては、ウェーハはウェーハ保持装置と一緒に周回されるので、ウェーハを或る回転機構部から他の回転機構部まで安定して周回させられる。第一処理ユニットは、例えば四つの回転機構部を備えた裏面研削ユニットである。第一処理ユニットが裏面研削ユニットである場合には、各回転機構部におけるウェーハ回転軸の倒れ角度を互いに等しく設定する必要がないので、裏面研削ユニットにより研削されるウェーハの厚さの面内バラツキを抑えることもできる。 According to a fourth aspect, in the third aspect, the first processing unit includes at least two rotation mechanism units, and the transfer mechanism unit separates the wafer holding device from the rotation mechanism unit. It is the rotation mechanism part which makes it rotate to a rotation mechanism part.
That is, in the fourth aspect of the invention, since the wafer is circulated together with the wafer holding device, the wafer can be stably circulated from one rotation mechanism to another rotation mechanism. The first processing unit is, for example, a back surface grinding unit including four rotation mechanism units. When the first processing unit is a back surface grinding unit, it is not necessary to set the tilt angles of the wafer rotation axes in each rotation mechanism portion to be equal to each other. Can also be suppressed.

５番目の発明によれば、３番目の発明において、前記搬送機構部が、前記ウェーハ保持装置を前記第一処理ユニットと前記第二処理ユニットとの間で搬送する搬送ロボットである。
すなわち５番目の発明においては、ウェーハはウェーハ保持装置と一緒に搬送されるので、ウェーハを第一処理ユニットと第二処理ユニットとの間で安定して搬送させられる。 According to a fifth aspect, in the third aspect, the transfer mechanism unit is a transfer robot that transfers the wafer holding device between the first processing unit and the second processing unit.
That is, in the fifth aspect, since the wafer is transferred together with the wafer holding device, the wafer can be stably transferred between the first processing unit and the second processing unit.

本発明に基づくウェーハ保持装置を備えたウェーハ処理装置の略平面図である。1 is a schematic plan view of a wafer processing apparatus provided with a wafer holding device according to the present invention. （ａ）ウェーハ保持装置の側断面図である。（ｂ）図２（ａ）に示されるウェーハ保持装置の第一および第二弁機構部のタイムチャートである。(A) It is a sectional side view of a wafer holding device. (B) It is a time chart of the 1st and 2nd valve mechanism part of the wafer holding | maintenance apparatus shown by Fig.2 (a). （ａ）他の方向におけるウェーハ保持装置の側断面図である。（ｂ）図３（ａ）に示されるウェーハ保持装置の第一および第三弁機構部のタイムチャートである。(A) It is a sectional side view of the wafer holding device in another direction. (B) It is a time chart of the 1st and 3rd valve mechanism part of the wafer holding apparatus shown by Fig.3 (a). 本発明の他の実施形態に基づくウェーハ保持装置を備えたウェーハ処理装置の略平面図である。It is a schematic plan view of the wafer processing apparatus provided with the wafer holding | maintenance apparatus based on other embodiment of this invention. 図４に示されるウェーハ処理装置の側面図である。It is a side view of the wafer processing apparatus shown by FIG. 図４に示されるウェーハ保持装置の部分頂面図である。FIG. 5 is a partial top view of the wafer holding device shown in FIG. 4. 図６の線Ｘ−Ｙに沿ってみたウェーハ保持装置の断面図である。It is sectional drawing of the wafer holding device seen along line XY of FIG. （ａ）〜（ｃ）裏面研削ユニットにおけるウェーハの搬送を説明するための図である。(A)-(c) It is a figure for demonstrating conveyance of the wafer in a back surface grinding unit. （ａ）搬送ロボットの第一の側面図である。（ｂ）搬送ロボットの第二の側面図である。(A) It is the 1st side view of a conveyance robot. (B) It is a 2nd side view of a conveyance robot. （ａ）搬送ロボットのハンドベースの頂面図である。（ｂ）図１０（ａ）の線Ｂ−Ｂに沿ってみた部分側断面図である。(A) It is a top view of the hand base of a conveyance robot. (B) It is the fragmentary sectional side view taken along line BB of Fig.10 (a). （ａ）〜（ｂ）搬送ロボットを用いたウェーハの搬送を説明するための図であり、図６の線Ａ−Ｙに沿ってみた断面図である。(A)-(b) It is a figure for demonstrating conveyance of the wafer using a conveyance robot, and is sectional drawing seen along line AY of FIG. 図６の線Ａ−Ａに沿ってみたウェーハ保持装置の断面図である。It is sectional drawing of the wafer holding device seen along line AA of FIG.

以下、添付図面を参照して本発明の実施形態を説明する。以下の図面において同様の部材には同様の参照符号が付けられている。理解を容易にするために、これら図面は縮尺を適宜変更している。
図１は本発明に基づくウェーハ保持装置を備えたウェーハ処理装置の略平面図である。図示されるように、ウェーハ処理装置４０は、裏面研削ユニット５８と、後工程のユニット５５、例えばダイシングユニットとを主に含んでいる。これら裏面研削ユニット５８およびユニット５５は、後述するチャック部１を搬送するための搬送通路５６、５７により互いに接続されている。 Embodiments of the present invention will be described below with reference to the accompanying drawings. In the following drawings, the same members are denoted by the same reference numerals. In order to facilitate understanding, the scales of these drawings are appropriately changed.
FIG. 1 is a schematic plan view of a wafer processing apparatus provided with a wafer holding apparatus according to the present invention. As shown in the figure, the wafer processing apparatus 40 mainly includes a back grinding unit 58 and a post-processing unit 55 such as a dicing unit. The back grinding unit 58 and the unit 55 are connected to each other by transport passages 56 and 57 for transporting the chuck unit 1 described later.

なお、後工程のユニット５５は、ウェーハの表面に貼付けられた保護フィルムを剥離するフィルム剥離ユニット、フィルムに紫外線を照射するＵＶ照射ユニット、ウェーハにバーコードを貼付けるバーコード貼付ユニットまたはウェーハをエッチングするエッチングユニット、もしくはこれらの組合せであってもよい。 The post-process unit 55 includes a film peeling unit for peeling off the protective film stuck on the surface of the wafer, a UV irradiation unit for irradiating the film with ultraviolet light, a barcode sticking unit for sticking a barcode to the wafer, or etching the wafer. It may be an etching unit or a combination thereof.

図１においては、裏面研削ユニット５８には、複数の回路パターンが形成された表面が保護フィルム（図示しない）により保護されている複数のウェーハＷがカセット４１ａから供給されるものとする。 In FIG. 1, it is assumed that a plurality of wafers W whose surfaces on which a plurality of circuit patterns are formed are protected by a protective film (not shown) are supplied from the cassette 41 a to the back surface grinding unit 58.

図１に示される裏面研削ユニット５８は、それぞれがウェーハＷを吸着保持することのできる四つのチャック部１ａ〜１ｄを備えている。これらチャック部１ａ〜１ｄは、ウェーハＷを保持するウェーハ保持装置としての役目を果たす。以下、チャック部を適宜、ウェーハ保持装置と呼ぶ場合がある。図から分かるように、これらチャック部１ａ〜１ｄは、ターンテーブル１１によって矢印Ａ方向にインデックス回転する。さらに、裏面研削ユニット５８は、四つのチャック部１ａ〜１ｄを洗浄する洗浄ユニット４４と、ウェーハＷを搬送する搬送ロボット４５とを含んでいる。 The back surface grinding unit 58 shown in FIG. 1 includes four chuck portions 1a to 1d that can hold the wafer W by suction. These chuck portions 1 a to 1 d serve as a wafer holding device that holds the wafer W. Hereinafter, the chuck portion may be appropriately referred to as a wafer holding device. As can be seen from the drawing, these chuck portions 1 a to 1 d are index-rotated in the direction of arrow A by the turntable 11. Further, the back surface grinding unit 58 includes a cleaning unit 44 that cleans the four chuck portions 1 a to 1 d and a transfer robot 45 that transfers the wafer W.

さらに、図１に示されるように、裏面研削ユニット５８においては、粗研削ユニット５１、仕上研削ユニット５２および研磨ユニット５３がターンテーブル１１の周囲に沿って順番に配置されている。なお、粗研削ユニット５１は粗研削砥石（図示しない）によりウェーハＷの裏面を粗研削し、仕上研削ユニット５２は仕上研削砥石（図示しない）によりウェーハＷの裏面を仕上研削し、研磨ユニット５３は研磨布（図示しない）によってウェーハＷの裏面を研磨する。 Further, as shown in FIG. 1, in the back surface grinding unit 58, the rough grinding unit 51, the finish grinding unit 52, and the polishing unit 53 are sequentially arranged along the periphery of the turntable 11. The rough grinding unit 51 rough-grinds the back surface of the wafer W with a rough grinding wheel (not shown), the finish grinding unit 52 finish-grinds the back surface of the wafer W with a finish grinding wheel (not shown), and the polishing unit 53 The back surface of the wafer W is polished with a polishing cloth (not shown).

図２（ａ）は或る方向に沿ってみたウェーハ保持装置の側断面図である。図２（ａ）に示されるチャック部１は図１におけるチャック部１ａ〜１ｄを代表するものである。言い換えれば、図１におけるチャック部１ａ〜１ｄは、図２におけるチャック部１と同様な構成である。 FIG. 2A is a side sectional view of the wafer holding device taken along a certain direction. The chuck portion 1 shown in FIG. 2A represents the chuck portions 1a to 1d in FIG. In other words, the chuck portions 1a to 1d in FIG. 1 have the same configuration as the chuck portion 1 in FIG.

図２（ａ）に示されるように、チャック部１は、ウェーハＷを吸着保持する吸着部２と、吸着部２をその周方向に被覆するカバー部４とを主に含んでいる。この目的のために、吸着部２は多孔質材料、例えば多孔質のアルミナから形成されており、カバー部４は例えば緻密なアルミナから形成されている。 As shown in FIG. 2A, the chuck portion 1 mainly includes a suction portion 2 that sucks and holds the wafer W and a cover portion 4 that covers the suction portion 2 in the circumferential direction. For this purpose, the adsorbing part 2 is made of a porous material such as porous alumina, and the cover part 4 is made of dense alumina, for example.

チャック部１の底面は公知の連結機構（図示しない）によってスピンドル２２に取外し可能に連結されている。このため、スピンドル２２が回転するとチャック部１も一緒に回転できる。また、図から分かるように、スピンドル２２はターンテーブル１１に形成された開口部に挿入されている。スピンドル２２は、装置ベース上に固定されているので、複数のスピンドル２２の間でウェーハ回転軸の倒れ角度を互いに等しく設定する必要がない。従って、ウェーハの厚さの面内バラツキを抑え、加工精度を向上させられる。 The bottom surface of the chuck portion 1 is detachably connected to the spindle 22 by a known connection mechanism (not shown). For this reason, when the spindle 22 rotates, the chuck portion 1 can also rotate together. As can be seen from the figure, the spindle 22 is inserted into an opening formed in the turntable 11. Since the spindles 22 are fixed on the apparatus base, it is not necessary to set the tilt angles of the wafer rotation axes equal to each other among the plurality of spindles 22. Therefore, the in-plane variation of the wafer thickness can be suppressed and the processing accuracy can be improved.

また、上方に突出するピン２３がターンテーブル１１に設けられており、ピン２３に係合する凹部２４がカバー部４の底面に形成されている。これらピン２３および凹部２４は互いに協働してチャック部１を位置合わせする役目を果たす。 A pin 23 protruding upward is provided on the turntable 11, and a recess 24 that engages with the pin 23 is formed on the bottom surface of the cover portion 4. The pins 23 and the recesses 24 serve to align the chuck portion 1 in cooperation with each other.

図２（ａ）から分かるように、カバー部４の吸着部２の下方に内部室３が形成されている。そして、内部室３から延びる管路１８、２０がカバー部４の底面に形成された接続部１８'、２０'にそれぞれ到達している。これら管路１８、２０には、管路１８、２０をそれぞれ開閉する第一および第二弁機構部Ｖ１、Ｖ２がそれぞれ設けられている。 As can be seen from FIG. 2A, an internal chamber 3 is formed below the suction portion 2 of the cover portion 4. Pipe lines 18 and 20 extending from the inner chamber 3 reach connection portions 18 ′ and 20 ′ formed on the bottom surface of the cover portion 4, respectively. The pipes 18 and 20 are provided with first and second valve mechanism portions V1 and V2 for opening and closing the pipes 18 and 20, respectively.

また、真空源６０からスピンドル２２を通って延びる管路１５および真空源６０からターンテーブル１１を通って延びる管路１９が設けられている。図２（ａ）から分かるように、接続部１８'によって管路１８を管路１５に接続できる。同様に、接続部２０'によって管路２０を管路１９に接続できる。 Further, a conduit 15 extending from the vacuum source 60 through the spindle 22 and a conduit 19 extending from the vacuum source 60 through the turntable 11 are provided. As can be seen from FIG. 2A, the pipe line 18 can be connected to the pipe line 15 by the connecting portion 18 ′. Similarly, the pipe line 20 can be connected to the pipe line 19 by the connecting portion 20 ′.

図２（ｂ）は第一および第二弁機構部のタイムチャートである。以下、図面を参照しつつ、裏面研削ユニット５８およびウェーハ保持装置の動作を説明する。はじめに、スピンドル２２が回転してチャック部１を回転させる。これと同時に洗浄ユニット４４から洗浄流体が供給され、洗浄ユニット４４の洗浄パッドがチャック部１の吸着部２およびカバー部４を洗浄する。洗浄が終了すると、搬送ロボット４５によって、カセット４１ａから一つのウェーハＷが取出されて、チャック部１（図１に示されるチャック部１ａの場所に対応する）まで搬送される。そして、時刻Ｔ１において第一弁機構部Ｖ１を開放し、ウェーハＷはその裏面が上方を向いた状態でチャック部１の吸着部２に吸着保持される。 FIG. 2B is a time chart of the first and second valve mechanism portions. Hereinafter, the operations of the back grinding unit 58 and the wafer holding device will be described with reference to the drawings. First, the spindle 22 rotates to rotate the chuck unit 1. At the same time, the cleaning fluid is supplied from the cleaning unit 44, and the cleaning pad of the cleaning unit 44 cleans the suction unit 2 and the cover unit 4 of the chuck unit 1. When the cleaning is completed, one wafer W is taken out from the cassette 41a by the transfer robot 45 and transferred to the chuck portion 1 (corresponding to the location of the chuck portion 1a shown in FIG. 1). Then, at time T1, the first valve mechanism V1 is opened, and the wafer W is sucked and held by the sucking portion 2 of the chuck portion 1 with its back surface facing upward.

次いで、スピンドル２２がチャック部１ａを低速で回転させ、それにより、凹部２４がピン２３に対応した位置に到達する。次いで、ターンテーブル１１を上昇させて、ターンテーブル１１のピン２３とチャック部１の凹部２４とを係合させる。そして、接続部２０'によって真空源６０側の管路１９とチャック部１の管路２０とを接続すると共に、スピンドル２２とチャック部１との連結を解除する。 Next, the spindle 22 rotates the chuck portion 1 a at a low speed, so that the concave portion 24 reaches a position corresponding to the pin 23. Next, the turntable 11 is raised and the pin 23 of the turntable 11 and the recess 24 of the chuck portion 1 are engaged. Then, the pipe line 19 on the vacuum source 60 side and the pipe line 20 of the chuck part 1 are connected by the connection part 20 ′, and the connection between the spindle 22 and the chuck part 1 is released.

時刻Ｔ２になると、第二弁機構部Ｖ２を開放する。これにより、ウェーハＷは管路１８および管路２０からの両方の真空作用により吸着部２に吸着される。そして、時刻Ｔ３において、第一弁機構部Ｖ１のみを閉鎖し、それにより、ウェーハＷが管路２０からの真空作用のみによって吸着されるようにする。 At time T2, the second valve mechanism V2 is opened. Thereby, the wafer W is adsorbed to the adsorbing portion 2 by the vacuum action from both the pipe line 18 and the pipe line 20. At time T3, only the first valve mechanism V1 is closed so that the wafer W is adsorbed only by the vacuum action from the pipe line 20.

次いで、時刻Ｔ４において、ターンテーブル１１がインデックス回転、つまり所定角度だけ回転し、チャック部１が洗浄ユニット４４から粗研削ユニット５１まで周回される。チャック部１が所望位置まで周回されると、その位置に在る別のスピンドル２２に同様に備えられた別の管路１５がチャック部１の管路１８に接続され、チャック部１は別のスピンドル２２に連結される。このとき、別のチャック部（図１におけるチャック部１ｄの場所に対応する）には別のウェーハＷが搬送ロボット４５により搬送され、前述したのと同様な処理が行われる。 Next, at time T <b> 4, the turntable 11 rotates by an index, that is, a predetermined angle, and the chuck unit 1 is rotated from the cleaning unit 44 to the rough grinding unit 51. When the chuck part 1 is circulated to a desired position, another pipe line 15 similarly provided on another spindle 22 at that position is connected to the pipe line 18 of the chuck part 1 so that the chuck part 1 Connected to the spindle 22. At this time, another wafer W is transferred by the transfer robot 45 to another chuck portion (corresponding to the location of the chuck portion 1d in FIG. 1), and the same processing as described above is performed.

そして、時刻Ｔ５において、第一弁機構部Ｖ１を開放し、それにより、ウェーハＷは管路１８および管路２０からの両方の真空作用により吸着部２に吸着されるようになる。次いで、時刻Ｔ６において、第二弁機構部Ｖ２のみを閉鎖し、それにより、ウェーハＷが管路１８からの真空作用のみによって吸着されるようにする。その後、粗研削ユニット５１によって粗研削処理を行い、粗研削処理が終了すると、再び時刻Ｔ２に戻って次の仕上研削処理を同様に行う。このような処理は、研磨ユニット５３による研磨処理が終了するまで繰返されるものとする。 At time T5, the first valve mechanism V1 is opened, so that the wafer W is adsorbed to the adsorbing unit 2 by the vacuum action from both the pipe line 18 and the pipe line 20. Next, at time T6, only the second valve mechanism V2 is closed, so that the wafer W is adsorbed only by the vacuum action from the conduit 18. Thereafter, the rough grinding process is performed by the rough grinding unit 51. When the rough grinding process is completed, the process returns to the time T2 and the next finish grinding process is similarly performed. Such a process is repeated until the polishing process by the polishing unit 53 is completed.

このようにして、本発明においては、第一弁機構部Ｖ１を開放すると共に第二弁機構部Ｖ２を閉鎖し、それにより、ウェーハ保持装置１と一緒にウェーハＷを回転させつつウェーハＷの研削等を行うようにしている。さらに、第一弁機構部Ｖ１を閉鎖すると共に第二弁機構部Ｖ２を開放し、それにより、ウェーハ保持装置１と一緒にウェーハＷを周回させている。つまり、本発明においては、ウェーハＷは常にウェーハ保持装置１と一緒に回転および周回され、ウェーハＷが単独で回転および周回されることはない。 In this way, in the present invention, the first valve mechanism V1 is opened and the second valve mechanism V2 is closed, thereby grinding the wafer W while rotating the wafer W together with the wafer holding device 1. And so on. Further, the first valve mechanism V1 is closed and the second valve mechanism V2 is opened, so that the wafer W is circulated together with the wafer holding device 1. In other words, in the present invention, the wafer W is always rotated and rotated together with the wafer holding device 1, and the wafer W is not rotated and rotated independently.

一般に、粗研削ユニット５１などによって裏面研削処理を受けると、ウェーハＷは周回時などに破損しやすくなる。しかしながら、本発明においては、ウェーハＷは常にウェーハ保持装置１と一緒に回転および周回されるので、ウェーハＷの回転および周回時であっても破損させることなしにウェーハＷを安定して保持することができる。さらに、本発明においては、厚さの小さいウェーハＷを慎重に扱う必要もないので、処理時間を短縮することも可能である。 In general, when the back grinding process is performed by the rough grinding unit 51 or the like, the wafer W is likely to be damaged during the rotation. However, in the present invention, since the wafer W is always rotated and circulated together with the wafer holding device 1, the wafer W can be stably held without being damaged even when the wafer W is rotated and circulated. Can do. Furthermore, in the present invention, since it is not necessary to handle the wafer W with a small thickness carefully, it is possible to shorten the processing time.

ところで、裏面研削ユニット５８が動作しているときには、異物、例えば研削屑などがウェーハ保持装置１の管路１８、２０に流入する場合がある。ところが、図２（ａ）から分かるように、管路１８、２０はいずれもウェーハ保持装置１とスピンドル２２との連結箇所以外の場所で、管路１５、１９に接続されている。言い換えれば、ウェーハ保持装置１と吸着部２との連結箇所には管路１８、２０は存在していない。 By the way, when the back surface grinding unit 58 is operating, foreign matter such as grinding scraps may flow into the pipelines 18 and 20 of the wafer holding device 1. However, as can be seen from FIG. 2A, the pipes 18 and 20 are both connected to the pipes 15 and 19 at a place other than the connecting part between the wafer holding device 1 and the spindle 22. In other words, the pipe lines 18 and 20 do not exist at the connection portion between the wafer holding device 1 and the suction unit 2.

このため、本発明においては、ウェーハ保持装置１を或るスピンドル２２から別のスピンドル２２まで搬送したとしても、ウェーハ保持装置１とスピンドル２２との連結箇所に異物、例えば研削屑が挟み込まれることはない。従って、ウェーハ保持装置１が傾斜した状態でスピンドル２２に連結されることもなく、その結果、ウェーハＷの研削などを良好に行うことが可能である。 For this reason, in the present invention, even if the wafer holding device 1 is transported from one spindle 22 to another spindle 22, foreign matter, for example, grinding scraps, is not caught in the connection portion between the wafer holding device 1 and the spindle 22. Absent. Therefore, the wafer holding device 1 is not connected to the spindle 22 in an inclined state, and as a result, the wafer W can be ground well.

図３（ａ）は他の方向に沿ってみたウェーハ保持装置の側断面図であり、ウェーハ保持装置１を搬送する搬送ロボット７０が示されている。さらに、仕上研削ユニット５２および研磨ユニット５３による処理を受けると、ウェーハＷは搬送ロボット７０によって裏面研削ユニット５８からユニット５５まで搬送される。 FIG. 3A is a side sectional view of the wafer holding device taken along the other direction, and shows a transfer robot 70 that transfers the wafer holding device 1. Further, when receiving the processing by the finish grinding unit 52 and the polishing unit 53, the wafer W is transferred from the back grinding unit 58 to the unit 55 by the transfer robot 70.

搬送ロボット７０は搬送通路５６（図１を参照）に昇降可能に懸架されていて搬送通路５６に沿って移動する。図３（ａ）には、搬送ロボット７０のハンドベース３４がカバー部４の上方まで降下した状態が示されている。ただし、ハンドベース３４はウェーハＷおよびカバー部４の上面に接触しないことに留意されたい。 The transfer robot 70 is suspended in a transfer path 56 (see FIG. 1) so as to be able to move up and down, and moves along the transfer path 56. FIG. 3A shows a state where the hand base 34 of the transfer robot 70 is lowered to above the cover unit 4. However, it should be noted that the hand base 34 does not contact the wafer W and the upper surface of the cover unit 4.

図３（ａ）においては、カバー部４の内部室３から延びる管路２１がカバー部４の周面に形成された接続部２１'に到達している。そして、管路２１には、管路２１を開閉する第三弁機構部Ｖ３が設けられている。 In FIG. 3A, the pipe line 21 extending from the inner chamber 3 of the cover part 4 reaches a connection part 21 ′ formed on the peripheral surface of the cover part 4. The pipe 21 is provided with a third valve mechanism V3 that opens and closes the pipe 21.

図３（ａ）に示されるように、ハンドベース３４の上面には駆動シリンダ２６が設けられている。さらに、駆動シリンダ２６から延びるロッド２６'の先端には略Ｃ字形状のガイド２７が取付けられている。さらに、ガイド２７の先端には、真空源６０から延びる管路３０が接続されている。図３（ａ）に示されるように、ロッド２６'がウェーハ保持装置１の半径方向に移動することにより、管路３０はウェーハ保持装置１の管路２１に接続される。 As shown in FIG. 3A, the drive cylinder 26 is provided on the upper surface of the hand base 34. Further, a substantially C-shaped guide 27 is attached to the tip of a rod 26 ′ extending from the drive cylinder 26. Further, a pipe 30 extending from the vacuum source 60 is connected to the tip of the guide 27. As shown in FIG. 3A, the pipe 30 is connected to the pipe 21 of the wafer holding device 1 by moving the rod 26 ′ in the radial direction of the wafer holding device 1.

また、駆動シリンダ２６およびガイド２７と同様な形態の複数のフック（図示しない）がハンドベース３４に設けられている。これらフックは、カバー部４の周面に形成された凹部（図示しない）に係合し、それにより、搬送ロボット７０はウェーハ保持装置１を保持することができる。 The hand base 34 is provided with a plurality of hooks (not shown) having the same form as the drive cylinder 26 and the guide 27. These hooks engage with recesses (not shown) formed on the peripheral surface of the cover portion 4, whereby the transfer robot 70 can hold the wafer holding device 1.

図３（ｂ）は第一および第三弁機構部のタイムチャートである。以下、図面を参照しつつ、搬送ロボット７０およびウェーハ保持装置の動作を説明する。図３（ｂ）における初期状態においては、ウェーハＷの裏面研削処理が終了して、ウェーハＷが管路１８からの吸引作用によってウェーハ保持装置１に保持されているものとする。 FIG. 3B is a time chart of the first and third valve mechanism portions. Hereinafter, operations of the transfer robot 70 and the wafer holding device will be described with reference to the drawings. In the initial state in FIG. 3B, it is assumed that the back grinding process of the wafer W is completed and the wafer W is held by the wafer holding device 1 by the suction action from the pipe line 18.

ロッド２６'を後退させ、それにより、ガイド２７の先端の管路３０をウェーハ保持装置１の接続部２１'に接続する。次いで、図３（ｂ）に示される時刻Ｔ７において第三弁機構部Ｖ３を開放し、それにより、ウェーハＷは管路１８および管路２１からの両方の真空作用により吸着部２に吸着されるようになる。 The rod 26 ′ is retracted, whereby the pipe line 30 at the tip of the guide 27 is connected to the connection portion 21 ′ of the wafer holding device 1. Next, the third valve mechanism V3 is opened at time T7 shown in FIG. 3B, whereby the wafer W is adsorbed to the adsorbing unit 2 by the vacuum action from both the pipeline 18 and the pipeline 21. It becomes like this.

次いで、時刻Ｔ８において、第一弁機構部Ｖ１のみを閉鎖し、それにより、ウェーハＷが管路２１からの真空作用のみによって吸着されるようにする。その後、図示しないフックを用いてウェーハ保持装置１を保持し、搬送ロボット７０はウェーハ保持装置１を搬送通路５６に沿って裏面研削ユニット５８から後工程のユニット５５、例えばダイシングユニットまで搬送する。 Next, at time T8, only the first valve mechanism V1 is closed, so that the wafer W is adsorbed only by the vacuum action from the conduit 21. Thereafter, the wafer holding device 1 is held using a hook (not shown), and the transfer robot 70 transfers the wafer holding device 1 along the transfer path 56 from the back surface grinding unit 58 to a unit 55 such as a dicing unit in a subsequent process.

後工程のユニット５５は、前述したのと同様な管路１５を含んでいるものとする。ウェーハ保持装置１が後工程のユニット５５まで搬送されると、接続部１８'によって管路１５は管路１８に接続される。そして、時刻Ｔ９において、第一弁機構部Ｖ１を開放し、それにより、ウェーハＷは管路１８および管路２１からの両方の真空作用により吸着部２に吸着されるようになる。その後、時刻Ｔ１０において、第二弁機構部Ｖ２のみを閉鎖し、それにより、ウェーハＷが管路１８からの真空作用のみによって吸着されるようにする。時刻Ｔ１１以降においては、ユニット５５において所定の処理が行われる。なお、図２（ａ）および図３（ａ）に示される真空源により作用する圧力は−８０ｋＰａ以下であるのが好ましい。 Assume that the post-process unit 55 includes the pipe line 15 similar to that described above. When the wafer holding device 1 is transported to the unit 55 in the subsequent process, the pipe line 15 is connected to the pipe line 18 by the connecting portion 18 ′. At time T9, the first valve mechanism V1 is opened, so that the wafer W is adsorbed to the adsorbing unit 2 by the vacuum action from both the pipe line 18 and the pipe line 21. Thereafter, at time T10, only the second valve mechanism V2 is closed, so that the wafer W is adsorbed only by the vacuum action from the conduit 18. After time T11, a predetermined process is performed in the unit 55. In addition, it is preferable that the pressure which acts with the vacuum source shown by Fig.2 (a) and FIG.3 (a) is -80 kPa or less.

このように、本発明においては、第一弁機構部Ｖ１を閉鎖すると共に第二弁機構部Ｖ２を開放し、それにより、ウェーハ保持装置１と一緒にウェーハＷを搬送している。従って、ウェーハＷの搬送時においても、破損させることなしにウェーハＷを安定して保持しつつ搬送できることが分かるであろう。 As described above, in the present invention, the first valve mechanism V1 is closed and the second valve mechanism V2 is opened, whereby the wafer W is transferred together with the wafer holding device 1. Therefore, it will be understood that even when the wafer W is transferred, the wafer W can be transferred while being stably held without being damaged.

なお、後工程のユニット５５における処理が終了した後で、さらに後工程のユニット（図示しない）までウェーハ保持装置１およびウェーハＷを同様に搬送してもよい。あるいは、後工程のユニット５５における処理が終了した後で、ウェーハＷをウェーハ保持装置１から取外し、ウェーハ保持装置１のみを搬送通路５７に沿って裏面研削ユニット５８まで帰還させてもよい。 Note that after the processing in the post-process unit 55 is completed, the wafer holding device 1 and the wafer W may be similarly transported to a post-process unit (not shown). Alternatively, after the processing in the post-process unit 55 is completed, the wafer W may be removed from the wafer holding device 1, and only the wafer holding device 1 may be returned to the back surface grinding unit 58 along the transfer path 57.

なお、前述した実施形態においては、前工程のユニットが裏面研削ユニット５８であるものとして説明しているが、前工程のユニットが裏面研削ユニット５８に限定されないのは当業者であれば明らかであろう。また、当然のことながら、あらゆる構成の第一〜第三の弁機構部Ｖ１〜Ｖ３を採用することが可能である。 In the embodiment described above, the unit in the previous process is described as the back grinding unit 58, but it is obvious to those skilled in the art that the unit in the previous process is not limited to the back grinding unit 58. Let's go. Naturally, it is possible to employ the first to third valve mechanism portions V1 to V3 having any configuration.

ところで、図４は、本発明の他の実施形態に基づくウェーハ保持装置を備えたウェーハ処理装置の略平面図であり、図５は図４に示されるウェーハ処理装置の側面図である。これら図面に示されるウェーハ処理装置４０は、前述したのと同様な構成の裏面研削ユニット５８と、ウェーハ個片化ユニット５５ａと、後処理ユニット５５ｂと、を主に含んでいる。 4 is a schematic plan view of a wafer processing apparatus including a wafer holding device according to another embodiment of the present invention, and FIG. 5 is a side view of the wafer processing apparatus shown in FIG. The wafer processing apparatus 40 shown in these drawings mainly includes a back grinding unit 58 having the same configuration as described above, a wafer singulation unit 55a, and a post-processing unit 55b.

図示されるように、裏面研削ユニット５８とウェーハ個片化ユニット５５ａとの間、ならびにウェーハ個片化ユニット５５ａと後処理ユニット５５ｂとの間は、搬送通路５６、５７によって連結されている。また、図面には示さないものの、搬送通路５６、５７によって同様に接続されたウェーハエッチングユニットがウェーハ個片化ユニット５５ａと後処理ユニット５５ｂとの間に配置されるのが好ましい。さらに、図４および図５においては、ウェーハ個片化ユニット５５ａおよび後処理ユニット５５ｂの領域のそれぞれに搬送ロボット７０が配置されている。 As shown in the drawing, the back surface grinding unit 58 and the wafer singulation unit 55a and the wafer singulation unit 55a and the post-processing unit 55b are connected by transfer paths 56 and 57, respectively. Although not shown in the drawings, it is preferable that a wafer etching unit connected in the same way by the transfer passages 56 and 57 is disposed between the wafer singulation unit 55a and the post-processing unit 55b. Further, in FIGS. 4 and 5, a transfer robot 70 is arranged in each of the regions of the wafer singulation unit 55a and the post-processing unit 55b.

ここで、ウェーハ個片化ユニット５５ａは、ウェーハを賽の目状にダイシングする装置である。ただし、ウェーハ個片化ユニット５５ａはウェーハＷを厚さ方向に部分的にのみダイシングするのみであり、ウェーハＷ自体を完全に個片化するわけではないことに留意されたい。 Here, the wafer singulation unit 55a is a device for dicing the wafer into a square shape. However, it should be noted that the wafer singulation unit 55a only dices the wafer W only partially in the thickness direction, and does not completely divide the wafer W itself.

後処理ユニット５５ｂは、図４に示されるようにウェーハＷのためのダイシングフレームが保管されたダイシングフレーム保管部６１と、後処理ユニット５５ｂにおける全ての処理が終了したウェーハＷを保管するウェーハ保管部６２とを含んでいる。さらに、後処理ユニット５５ｂは、ダイシングテープによりウェーハＷをダイシングフレームと一体化してＵＶ（紫外線）を照射するＵＶ照射領域Ａ１と、ウェーハＷの表面に貼付けられた保護フィルム（図示しない）を剥離する保護フィルム剥離領域Ａ２と、ウェーハＷにバーコードを貼付けるバーコード貼付領域Ａ３とを含んでいる。図示されるように、これらＵＶ照射領域Ａ１、保護フィルム剥離領域Ａ２およびバーコード貼付領域Ａ３は後処理ユニット５５ｂにおけるチャック搬送レール５９に沿って順番に配置されている。 As shown in FIG. 4, the post-processing unit 55b includes a dicing frame storage unit 61 in which a dicing frame for the wafer W is stored, and a wafer storage unit that stores the wafer W in which all the processing in the post-processing unit 55b has been completed. 62. Further, the post-processing unit 55b peels off the UV irradiation region A1 in which the wafer W is integrated with the dicing frame with a dicing tape to irradiate UV (ultraviolet rays), and the protective film (not shown) attached to the surface of the wafer W. A protective film peeling area A2 and a barcode pasting area A3 for pasting a barcode on the wafer W are included. As shown in the drawing, the UV irradiation area A1, the protective film peeling area A2, and the barcode attaching area A3 are arranged in order along the chuck conveyance rail 59 in the post-processing unit 55b.

また、ウェーハ個片化ユニット５５ａに対応する搬送通路５６の一部分には、チャック待機部Ｂ１、Ｂ２が設けられている。チャック待機部Ｂ１にはウェーハ個片化ユニット５５ａによる処理を受ける前のチャック部１が一時的に配置され、チャック待機部Ｂ２にはウェーハ個片化ユニット５５ａによる処理を受けた後のチャックが一時的に配置されるものとする。 Further, chuck standby portions B1 and B2 are provided in a part of the transfer passage 56 corresponding to the wafer singulation unit 55a. The chuck standby unit B1 is temporarily provided with the chuck unit 1 before being subjected to the processing by the wafer individualization unit 55a, and the chuck standby unit B2 is temporarily provided with the chuck after being subjected to the processing by the wafer individualization unit 55a. Shall be arranged.

これらチャック待機部Ｂ１、Ｂ２は後述する図７（ｃ）に示されるように、チャック部１が排除された残りのスピンドル２２等と同様の機構部を備えている。従って、チャック待機部Ｂ１、Ｂ２についての詳細な説明を省略する。なお、ウェーハエッチングユニットが存在する場合においても同様に、チャック待機部Ｂ１、Ｂ２がウェーハエッチングユニットに対応する搬送通路５６の一部分に設けられているものとする。 These chuck standby parts B1 and B2 are provided with a mechanism part similar to the remaining spindle 22 and the like from which the chuck part 1 is removed, as shown in FIG. Therefore, a detailed description of the chuck standby portions B1 and B2 is omitted. In the case where there is a wafer etching unit, similarly, the chuck standby portions B1 and B2 are provided in a part of the transfer path 56 corresponding to the wafer etching unit.

図６は図４に示される裏面研削ユニット５８内におけるウェーハ保持装置の部分頂面図であり、図７は図６の線Ｘ−Ｙに沿ってみたウェーハ保持装置の断面図である。これら図面に示されるように、チャック部１は、カバー部４内に吸着部２を備えている。そして、カバー部４から延びる搬送部カバー９がターンテーブル１１を被覆している。カバー部４に形成された管路１６は、吸着部２とスピンドル２２の内部通路とを接続している。 6 is a partial top view of the wafer holding device in the back surface grinding unit 58 shown in FIG. 4, and FIG. 7 is a cross-sectional view of the wafer holding device taken along line XY in FIG. As shown in these drawings, the chuck portion 1 includes a suction portion 2 in a cover portion 4. A transport unit cover 9 extending from the cover unit 4 covers the turntable 11. A pipe line 16 formed in the cover part 4 connects the suction part 2 and the internal passage of the spindle 22.

図７から分かるように、カバー部４には管路１８がさらに形成されていて、吸着部２の側部まで延びている。管路１８には、バネ７により下方に付勢された弁体５を含む小室が配置されている。また、管路１５には、フロート６が載置されたダイヤフラム８を含む別の小室が配置されている。なお、弁体５から延びる突起はフロート６上に載置されている。管路１５、１８に関連する弁体５、フロート６、バネ７およびダイヤフラム８は第一弁機構部Ｖ１としての役目を果たす。 As can be seen from FIG. 7, a pipe 18 is further formed in the cover portion 4 and extends to the side of the suction portion 2. A small chamber including the valve body 5 biased downward by the spring 7 is disposed in the pipe line 18. Further, another small chamber including the diaphragm 8 on which the float 6 is placed is disposed in the pipe line 15. A protrusion extending from the valve body 5 is placed on the float 6. The valve body 5, the float 6, the spring 7, and the diaphragm 8 related to the pipe lines 15 and 18 serve as the first valve mechanism V1.

また、図７に示されるカバー部４内の別の管路２０にも弁体５およびバネ７が同様に配置されており、管路１９にもダイヤフラム８およびフロート６が同様に配置されている。これら管路１９、２０に関連する弁体５、フロート６、バネ７およびダイヤフラム８は第二弁機構部Ｖ２としての役目を果たす。 Further, the valve body 5 and the spring 7 are similarly arranged in another pipe line 20 in the cover portion 4 shown in FIG. 7, and the diaphragm 8 and the float 6 are similarly arranged in the pipe line 19. . The valve body 5, the float 6, the spring 7, and the diaphragm 8 related to the pipe lines 19 and 20 serve as the second valve mechanism portion V2.

図８（ａ）〜図８（ｃ）は裏面研削ユニットにおけるウェーハの搬送を説明するための図である。以下、これら図面を参照しつつ、本発明の他の実施形態におけるウェーハＷの搬送動作を簡潔に説明する。なお、基本的な動作は図２（ａ）および図２（ｂ）を参照して前述したのと同様であるものとする。また、以下の図面においては、簡潔にする目的でウェーハＷを図示していないが、実際にはウェーハＷが吸着部２上に載置されていることに留意されたい。 FIG. 8A to FIG. 8C are views for explaining wafer conveyance in the back grinding unit. Hereinafter, a wafer W transfer operation in another embodiment of the present invention will be briefly described with reference to these drawings. The basic operation is the same as described above with reference to FIGS. 2 (a) and 2 (b). In the following drawings, the wafer W is not shown for the sake of brevity, but it should be noted that the wafer W is actually placed on the suction portion 2.

裏面研削加工時には、図６に示される管路１７からエアが供給され、ダイヤフラム８が押し上げられて、フロート６および弁体５が上昇する。従って、管路１５と吸着部２との間の経路が開状態となり、この経路に真空が作用してウェーハＷが吸着部２に吸着される。そして、図１を参照して前述した裏面研削加工が終了すると、スピンドル２２が回転して、ターンテーブル１１の位置決めピン２３が搬送部カバー９の凹部２４に対応した位置まで移動する。 At the time of back grinding, air is supplied from the pipe line 17 shown in FIG. 6, the diaphragm 8 is pushed up, and the float 6 and the valve body 5 are raised. Accordingly, a path between the pipe line 15 and the suction unit 2 is opened, and a vacuum acts on this path, so that the wafer W is sucked by the suction unit 2. 1 is completed, the spindle 22 rotates, and the positioning pin 23 of the turntable 11 moves to a position corresponding to the concave portion 24 of the transport unit cover 9.

次いで、図８（ｂ）に示されるように、ターンテーブル１１を上昇させる。これにより、位置決めピン２３は凹部２４に進入すると共に、管路１９はカバー部４内の対応する管路２０に連通するようになる。そして、管路１９からエアが供給されると、管路１９におけるダイヤフラム８が押し上げられて、フロート６および弁体５が上昇する。これにより、管路１９と吸着部２との間の経路が開状態となる。そして、この経路に真空が適用される。 Next, as shown in FIG. 8B, the turntable 11 is raised. As a result, the positioning pin 23 enters the recess 24 and the pipe line 19 communicates with the corresponding pipe line 20 in the cover portion 4. And if air is supplied from the pipe line 19, the diaphragm 8 in the pipe line 19 will be pushed up, and the float 6 and the valve body 5 will raise. Thereby, the path | route between the pipe line 19 and the adsorption | suction part 2 will be in an open state. A vacuum is applied to this path.

次いで、管路１８を大気開放すると、バネ７の作用により弁体５は小室の底面に付勢され、フロート６およびダイヤフラム８も元位置まで下降する。これにより、管路１５に対する真空を遮断することが可能となる。その後、管路１５、１６にエアを供給して、裏面研削時に行っていたチャック部１に対する吸着動作を解除する。これにより、管路１８からの真空作用により吸着されていた作用しウェーハＷは、管路２０からの真空作用のみにより吸着されるようになる。 Next, when the pipe line 18 is opened to the atmosphere, the valve body 5 is urged to the bottom surface of the small chamber by the action of the spring 7, and the float 6 and the diaphragm 8 are also lowered to their original positions. Thereby, it becomes possible to interrupt | block the vacuum with respect to the pipe line 15. FIG. Thereafter, air is supplied to the pipes 15 and 16, and the suction operation for the chuck portion 1 performed during the back surface grinding is canceled. Thus, the acting wafer W that has been adsorbed by the vacuum action from the pipe line 18 is adsorbed only by the vacuum action from the pipe line 20.

次いで、図８（ｃ）に示されるように、ターンテーブル１１をさらに上昇させて、チャック部１のカバー部４等をスピンドル２２から離脱させる。この状態においても、ウェーハＷは管路２０からの真空作用により吸着部２に吸着されたままである。従って、ウェーハＷを保持しつつ、チャック部１を所望の場所、例えば裏面研削ユニット５８内における他の部位まで安定して搬送することができる。 Next, as shown in FIG. 8C, the turntable 11 is further raised, and the cover portion 4 and the like of the chuck portion 1 are detached from the spindle 22. Even in this state, the wafer W remains adsorbed to the adsorbing portion 2 by the vacuum action from the pipe line 20. Accordingly, the chuck unit 1 can be stably conveyed to a desired place, for example, another part in the back surface grinding unit 58 while holding the wafer W.

そして、チャック部１が他の部位、例えば搬送通路５６近傍の位置まで搬送されると、前述した動作を逆の順序で行い、最終的には管路１５と吸着部２との間の経路に真空を適用してウェーハＷが吸着される。このように本発明においては、チャック部１の搬送時においても、管路２０と吸着部２との間の経路に真空が適用されていることに留意されたい。従って、ウェーハＷが破損することなしに、ウェーハＷを安定して保持できるのが分かるであろう。 When the chuck unit 1 is transported to another part, for example, a position in the vicinity of the transport passage 56, the above-described operations are performed in the reverse order, and finally the path between the pipe line 15 and the suction unit 2 is performed. The wafer W is attracted by applying a vacuum. Thus, in the present invention, it should be noted that the vacuum is applied to the path between the pipe line 20 and the suction part 2 even when the chuck part 1 is transported. Therefore, it will be understood that the wafer W can be stably held without the wafer W being damaged.

ところで、図９（ａ）および図９（ｂ）は搬送ロボット７０の側面図である。これら図面に示されるように、搬送ロボット７０は、昇降動作可能な主要本体７１と、主要本体７１から延びる伸縮アーム７２とを備えている。そして、伸縮アーム７２の先端には、ハンドベース３４が備えられている。図９（ｂ）から分かるように、搬送ロボット７０は伸縮アーム７２を伸縮することによって、チャック部１を遠方まで搬送させられる。さらに、搬送ロボット７０自体がチャック部１を把持しつつ、搬送通路５６に沿って移動することも可能である。 9A and 9B are side views of the transfer robot 70. FIG. As shown in these drawings, the transfer robot 70 includes a main body 71 capable of moving up and down, and an extendable arm 72 extending from the main body 71. A hand base 34 is provided at the distal end of the telescopic arm 72. As can be seen from FIG. 9B, the transfer robot 70 can move the chuck unit 1 far by extending and retracting the extendable arm 72. Further, the transfer robot 70 itself can move along the transfer path 56 while holding the chuck portion 1.

図１０（ａ）は搬送ロボットのハンドベースの頂面図である。図１０（ａ）に示されるように、搬送ロボット７０のハンドベース３４はチャック部１とほぼ同様の外径を有している。そして、ハンドベース３４の上面には互いに対向する一対の駆動シリンダ２６が設けられている。 FIG. 10A is a top view of the hand base of the transfer robot. As shown in FIG. 10A, the hand base 34 of the transfer robot 70 has substantially the same outer diameter as that of the chuck portion 1. A pair of drive cylinders 26 facing each other are provided on the upper surface of the hand base 34.

ここで、図１１（ａ）〜図１１（ｂ）は搬送ロボットを用いたウェーハの搬送を説明するための図であり、図６の線Ａ−Ｙに沿ってみた断面図である。図１１（ａ）に示されるように、駆動シリンダ２６から延びるロッド２６'の先端には略Ｃ字形状のガイド２７が取付けられている。なお、ロッド２６’は短距離用駆動シリンダ２５によっても駆動されるものとする。また、ガイド２７の先端には、真空源６０（図示しない）から延びる管路３０が接続されている。管路３０の先端には、ベローズ２８と協動する中空の押出ピン３１が設けられている。 Here, FIG. 11A to FIG. 11B are views for explaining wafer transfer using the transfer robot, and are cross-sectional views taken along line AY in FIG. As shown in FIG. 11A, a substantially C-shaped guide 27 is attached to the tip of a rod 26 ′ extending from the drive cylinder 26. The rod 26 ′ is also driven by the short-distance drive cylinder 25. Further, a pipe 30 extending from a vacuum source 60 (not shown) is connected to the tip of the guide 27. A hollow extrusion pin 31 that cooperates with the bellows 28 is provided at the tip of the pipe line 30.

図１２は図６の線Ａ−Ａに沿ってみたウェーハ保持装置の断面図である。図１２から分かるように、カバー部４の外周部から吸着部２まで延びる管路２１がカバー部４内に形成されている。そして、カバー部４の外周部には弁座２９が設けられており、弁座２９の内方にボール３２が図示しないバネなどにより付勢されている。これらベローズ２８、弁座２９、押出ピン３１、およびボール３２は第三弁機構部Ｖ３としての役目を果たす。 12 is a cross-sectional view of the wafer holding device taken along line AA of FIG. As can be seen from FIG. 12, a duct 21 extending from the outer peripheral portion of the cover portion 4 to the suction portion 2 is formed in the cover portion 4. And the valve seat 29 is provided in the outer peripheral part of the cover part 4, and the ball | bowl 32 is urged | biased by the spring etc. which are not illustrated in the valve seat 29 inside. The bellows 28, the valve seat 29, the push pin 31, and the ball 32 serve as the third valve mechanism V3.

ここで再び図１０（ａ）を参照すると、ハンドベース３４には、複数、例えば四つの駆動シリンダ３５が設けられている。図示されるように、駆動シリンダ３５と前述した駆動シリンダ２６とはハンドベース３４の周方向に概ね等間隔で配置されている。そして、図１０（ａ）の線Ｂ−Ｂに沿ってみた部分側断面図である図１０（ｂ）に示されるように、駆動シリンダ３５から延びるロッド３５’には、略Ｃ字形状のクランプ爪３６が取付けられている。また、ハンドベース３４には、クランプ爪３６を案内するガイド３３が設けられているのが分かるであろう。 Here, referring to FIG. 10A again, the hand base 34 is provided with a plurality of, for example, four drive cylinders 35. As shown in the figure, the drive cylinder 35 and the drive cylinder 26 described above are arranged at substantially equal intervals in the circumferential direction of the hand base 34. Then, as shown in FIG. 10B, which is a partial side sectional view taken along line BB in FIG. 10A, the rod 35 ′ extending from the drive cylinder 35 has a substantially C-shaped clamp. A claw 36 is attached. It will also be appreciated that the hand base 34 is provided with a guide 33 for guiding the clamp pawl 36.

図１０（ａ）および図１０（ｂ）から分かるように、カバー部４の外周面には、複数、例えば四つの凹部３９が形成されている。ロッド３５’がハンドベース３４の半径方向に移動すると、クランプ爪３６がカバー部４の凹部３９に係合する。これにより、搬送ロボット７０は、ウェーハＷに接触することなしにウェーハ保持装置１を保持することができる。 As can be seen from FIGS. 10A and 10B, a plurality of, for example, four concave portions 39 are formed on the outer peripheral surface of the cover portion 4. When the rod 35 ′ moves in the radial direction of the hand base 34, the clamp pawl 36 engages with the recess 39 of the cover portion 4. Thereby, the transfer robot 70 can hold the wafer holding apparatus 1 without contacting the wafer W.

以下、図１１（ａ）から図１１（ｂ）を参照しつつ、本発明の他の実施形態におけるウェーハＷの搬送動作を簡潔に説明する。なお、基本的な動作は図３（ａ）および図３（ｂ）を参照して前述したのと同様であるものとする。 Hereinafter, a wafer W transfer operation according to another embodiment of the present invention will be briefly described with reference to FIGS. 11 (a) to 11 (b). The basic operation is the same as described above with reference to FIGS. 3 (a) and 3 (b).

チャック部１が、例えば裏面研削ユニット５８における搬送通路５６近傍の位置まで搬送される。次いで、搬送ロボット７０の伸縮アーム７２を伸縮させる。これにより、図１１（ａ）に示されるように、ハンドベース３４がチャック部１の真上に位置するようにする。 For example, the chuck unit 1 is transported to a position in the vicinity of the transport path 56 in the back grinding unit 58. Next, the telescopic arm 72 of the transfer robot 70 is expanded and contracted. As a result, as shown in FIG. 11A, the hand base 34 is positioned directly above the chuck portion 1.

次いで、短距離用駆動シリンダ２５を駆動して、ガイド２７を半径方向内側に移動させる。これにより、押出ピン３１に取付けられたベローズ２８が弁座２９に到達すると、管路３０に真空を適用する。従って、ベローズ２８と弁座２９とが密着するようになる。 Next, the short-distance drive cylinder 25 is driven to move the guide 27 radially inward. Thereby, when the bellows 28 attached to the push pin 31 reaches the valve seat 29, a vacuum is applied to the pipe line 30. Accordingly, the bellows 28 and the valve seat 29 come into close contact with each other.

管路３０に対して真空を適用したまま、押出ピン３１をさらに半径方向内側に移動させると、押出ピン３１がバネ（図示しない）に抗してボール３２を内方に押込むようになる。これにより、吸着部２にまで真空が適用される。 When the push pin 31 is moved further radially inward while the vacuum is applied to the conduit 30, the push pin 31 pushes the ball 32 inward against a spring (not shown). Thereby, a vacuum is applied to the adsorption part 2.

これとほぼ同時に、図１０（ｂ）に示される駆動シリンダ３５を駆動して、クランプ爪３６の先端が凹部３９に挿入されるまで、クランプ爪３６を半径方向内側に移動させる。その結果、搬送ロボット７０のハンドベース３４がチャック部１のカバー部４を把持するようになる。次いで、管路１８を大気開放すると、バネ７により弁体５が小室の底面に付勢されて、フロート６およびダイヤフラム８も元位置まで下降する。その後、管路１５、１６にエアを供給すると、チャック部１が着脱可能な状態となる。 At substantially the same time, the drive cylinder 35 shown in FIG. 10B is driven to move the clamp pawl 36 radially inward until the tip of the clamp pawl 36 is inserted into the recess 39. As a result, the hand base 34 of the transfer robot 70 grips the cover unit 4 of the chuck unit 1. Next, when the pipe line 18 is opened to the atmosphere, the valve body 5 is urged to the bottom surface of the small chamber by the spring 7, and the float 6 and the diaphragm 8 are also lowered to their original positions. After that, when air is supplied to the pipes 15 and 16, the chuck portion 1 becomes detachable.

次いで、図１１（ｂ）に示されるように、管路３０による真空状態を維持したまま、ハンドベース３４を上昇させて、チャック部１を持上げる。そして、搬送ロボット７０が搬送通路５６に沿って移動し、チャック部１を所望の場所、例えばウェーハ個片化ユニット５５ａのチャック待機部Ｂ１（図４を参照されたい）まで移動させる。チャック待機部Ｂ１においては、前述した動作を逆の順序で行い、最終的には、チャック部１がチャック待機部Ｂ１のスピンドル２２に接続されるようになる。 Next, as shown in FIG. 11B, the hand base 34 is raised while the vacuum state by the pipe line 30 is maintained, and the chuck portion 1 is lifted. Then, the transfer robot 70 moves along the transfer path 56, and moves the chuck unit 1 to a desired place, for example, the chuck standby unit B1 of the wafer singulation unit 55a (see FIG. 4). In the chuck standby unit B1, the above-described operations are performed in the reverse order, and finally the chuck unit 1 is connected to the spindle 22 of the chuck standby unit B1.

その後、ウェーハ個片化ユニット５５ａの搬送ロボット７０が図１１を参照して説明したのと同様な手順でチャック部１を把持する。ウェーハ個片化ユニット５５ａ内には、チャック待機部Ｂ１と同様な機構部が備えられている。従って、搬送ロボット７０はウェーハ個片化ユニット５５ａの機構部にチャック部１を受渡し、次いで、ウェーハ個片化ユニット５５ａがウェーハＷの個片化処理を行う。 Thereafter, the transfer robot 70 of the wafer singulation unit 55a grips the chuck portion 1 in the same procedure as described with reference to FIG. In the wafer singulation unit 55a, a mechanism unit similar to the chuck standby unit B1 is provided. Therefore, the transfer robot 70 delivers the chuck unit 1 to the mechanical unit of the wafer singulation unit 55a, and then the wafer singulation unit 55a performs the wafer W singulation process.

その後、搬送ロボット７０は前述した手法でウェーハ個片化ユニット５５ａの機構部からチャック部１を受取って、チャック待機部Ｂ２に載置する。そして、後処理ユニット５５ｂ側の搬送ロボット７０がチャック待機部Ｂ２からチャック部１を受取って、搬送通路５６を摺動し、後処理ユニット５５ｂの同様な機構部に受渡す。このように本発明においては、チャック部１の搬送時においても、管路２０と吸着部２との間の経路に真空が適用されていることに留意されたい。従って、この場合にも、ウェーハＷが破損することなしに、ウェーハＷを安定して保持できるのが分かるであろう。 Thereafter, the transfer robot 70 receives the chuck unit 1 from the mechanical unit of the wafer singulation unit 55a by the above-described method and places the chuck unit 1 on the chuck standby unit B2. Then, the transfer robot 70 on the post-processing unit 55b side receives the chuck unit 1 from the chuck standby unit B2, slides on the transfer path 56, and transfers it to a similar mechanism unit of the post-processing unit 55b. Thus, in the present invention, it should be noted that the vacuum is applied to the path between the pipe line 20 and the suction part 2 even when the chuck part 1 is transported. Therefore, it will be understood that the wafer W can be stably held without being damaged in this case.

次いで、チャック部１はチャック搬送レール５９に沿って搬送されつつ、ＵＶ照射領域Ａ１、保護フィルム剥離領域Ａ２およびバーコード貼付領域Ａ３のそれぞれにおいて所定の処理を受ける。その後、ウェーハＷは、ダイシングフレームと一緒に、図示しないロボットによってチャック部１から取外されてウェーハ保管部６２に格納される。 Next, the chuck unit 1 is subjected to a predetermined process in each of the UV irradiation region A1, the protective film peeling region A2, and the barcode pasting region A3 while being transported along the chuck transport rail 59. Thereafter, the wafer W is removed from the chuck unit 1 together with the dicing frame by a robot (not shown) and stored in the wafer storage unit 62.

また、ウェーハＷが取外されたチャック部１はチャック搬送レール５９を反対方向に移動し、後処理ユニット５５ｂ側の搬送ロボット７０によって受取られる。次いで、搬送ロボット７０の主要本体７１が下降して、チャック部１を搬送通路５７上に載置する（図５を参照されたい）。次いで、操作者または図示しないロボットがチャック部１を搬送通路５７上に摺動させて裏面研削ユニット５８まで戻す。その後、チャック部１は洗浄された後で裏面研削ユニット５８にセットされ、再利用される。 Further, the chuck unit 1 from which the wafer W has been removed moves on the chuck transport rail 59 in the opposite direction, and is received by the transport robot 70 on the post-processing unit 55b side. Next, the main body 71 of the transfer robot 70 is lowered, and the chuck portion 1 is placed on the transfer path 57 (see FIG. 5). Next, an operator or a robot (not shown) slides the chuck portion 1 onto the conveyance path 57 and returns it to the back surface grinding unit 58. Thereafter, the chuck portion 1 is cleaned and then set in the back grinding unit 58 and reused.

このように本発明においては、ウェーハＷをチャック部１と一緒にウェーハ処理装置４０内で搬送しており、しかもウェーハＷはチャック部１に真空吸着されたままとなっている。従って、ウェーハ処理装置４０における全ての処理ユニット間においてウェーハを搬送する場合であっても、破損させることなしにウェーハＷを安定して保持することが可能である。さらに、本実施形態においても、図１〜図３を参照して前述したのと同様な効果が得られるのは、当業者であれば明らかである。 As described above, in the present invention, the wafer W is transported together with the chuck portion 1 in the wafer processing apparatus 40, and the wafer W remains vacuum-sucked by the chuck portion 1. Therefore, even when the wafer is transferred between all the processing units in the wafer processing apparatus 40, the wafer W can be stably held without being damaged. Furthermore, it will be apparent to those skilled in the art that effects similar to those described above with reference to FIGS.

１、１ａ〜１ｄチャック部（ウェーハ保持装置）
２吸着部
３内部室
４カバー部
５弁体
６フロート
７バネ
８ダイヤフラム
９搬送部カバー
１１ターンテーブル（周回機構部）
１５管路
１５、１６、１８、１９、２０、２１、３０管路
１８’、２０’、２１’ 接続部
２２スピンドル（回転機構部）
２３位置決めピン
２４凹部
２５短距離用駆動シリンダ
２６駆動シリンダ
２６’ ロッド
２７ガイド
２８ベローズ
２９弁座
３０管路
３１押出ピン
３２ボール
３３ガイド
３４ハンドベース
３５駆動シリンダ
３５’ ロッド
３６クランプ爪
３９凹部
４０ウェーハ処理装置
４１ａカセット
４４洗浄ユニット
４５搬送ロボット
５１粗研削ユニット
５２仕上研削ユニット
５３研磨ユニット
５５後工程のユニット（第二処理ユニット）
５５ａウェーハ個片化ユニット（第二処理ユニット）
５５ｂ後処理ユニット
５６、５７搬送通路
５８裏面研削ユニット（第一処理ユニット）
５９チャック搬送レール
６０真空源
６１ダイシングフレーム保管部
６２ウェーハ保管部
７０搬送ロボット
７１主要本体
７２伸縮アーム
Ｖ１第一弁機構部
Ｖ２第二弁機構部
Ｖ３第三弁機構部
Ｗウェーハ 1, 1a to 1d Chuck part (wafer holding device)
DESCRIPTION OF SYMBOLS 2 Adsorption part 3 Internal chamber 4 Cover part 5 Valve body 6 Float 7 Spring 8 Diaphragm 9 Conveyance part cover 11 Turntable (circulation mechanism part)
15 Pipe line 15, 16, 18, 19, 20, 21, 30 Pipe line 18 ', 20', 21 'Connection part 22 Spindle (rotating mechanism part)
23 Positioning Pin 24 Concave 25 Short Distance Drive Cylinder 26 Drive Cylinder 26 'Rod 27 Guide 28 Bellows 29 Valve Seat 30 Pipe 31 Extrusion Pin 32 Ball 33 Guide 34 Hand Base 35 Drive Cylinder 35' Rod 36 Clamp Claw 39 Concave 40 Wafer Processing device 41a Cassette 44 Cleaning unit 45 Transfer robot 51 Coarse grinding unit 52 Finish grinding unit 53 Polishing unit 55 Subsequent process unit (second processing unit)
55a Wafer singulation unit (second processing unit)
55b Post-processing unit 56, 57 Conveyance path 58 Back grinding unit (first processing unit)
59 chuck chuck rail 60 vacuum source 61 dicing frame storage unit 62 wafer storage unit 70 transfer robot 71 main body 72 telescopic arm V1 first valve mechanism V2 second valve mechanism V3 third valve mechanism W wafer

Claims

真空吸着によりウェーハを吸着する吸着部と、
該吸着部周りに配置されたカバー部と、
前記吸着部を回転させる回転機構部と前記カバー部とを通って、前記吸着部と真空源とを切離し可能に接続する第一管路と、
前記カバー部に配置されていて前記第一管路を開閉する第一弁機構部と、
前記吸着部を搬送させる搬送機構部と前記カバー部とを通って、前記吸着部と前記真空源とを切離し可能に接続する第二管路と、
前記カバー部に配置されていて前記第二管路を開閉する第二弁機構部とを具備するウェーハ保持装置。 An adsorption part for adsorbing a wafer by vacuum adsorption;
A cover part arranged around the adsorption part;
A first conduit that connects the suction portion and the vacuum source in a detachable manner through the rotation mechanism portion that rotates the suction portion and the cover portion;
A first valve mechanism that is disposed in the cover and opens and closes the first pipe;
A second pipe line that connects the suction unit and the vacuum source so as to be detachable, through a transport mechanism unit that transports the suction unit and the cover unit;
A wafer holding apparatus comprising: a second valve mechanism portion that is disposed on the cover portion and opens and closes the second pipe line.

前記第一管路および前記第二管路の少なくとも一方は前記カバー部の周面を通過する請求項１に記載のウェーハ保持装置。 The wafer holding device according to claim 1, wherein at least one of the first pipe line and the second pipe line passes through a peripheral surface of the cover part.

請求項１または２に記載のウェーハ保持装置に保持される前記ウェーハを処理する第一処理ユニットと、
前記第一処理ユニットにより処理された前記ウェーハに対して前記第一処理ユニットとは異なる処理を行う第二処理ユニットと、を備えたウェーハ処理装置。 A first processing unit for processing the wafer held by the wafer holding device according to claim 1 or 2,
A wafer processing apparatus comprising: a second processing unit that performs processing different from the first processing unit on the wafer processed by the first processing unit.

前記第一処理ユニットが少なくとも二つの前記回転機構部を含んでおり、
前記搬送機構部が、前記ウェーハ保持装置を前記回転機構部から別の回転機構部まで周回させる周回機構部である請求項３に記載のウェーハ処理装置。 The first processing unit includes at least two of the rotation mechanism units;
The wafer processing apparatus according to claim 3, wherein the transfer mechanism unit is a rotation mechanism unit that rotates the wafer holding device from the rotation mechanism unit to another rotation mechanism unit.

前記搬送機構部が、前記ウェーハ保持装置を前記第一処理ユニットと前記第二処理ユニットとの間で搬送する搬送ロボットである請求項３に記載のウェーハ処理装置。 The wafer processing apparatus according to claim 3, wherein the transfer mechanism unit is a transfer robot that transfers the wafer holding device between the first processing unit and the second processing unit.