JP5488171B2 - バイアス回路、電力増幅器及びカレントミラー回路 - Google Patents
バイアス回路、電力増幅器及びカレントミラー回路 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5488171B2 JP5488171B2 JP2010102403A JP2010102403A JP5488171B2 JP 5488171 B2 JP5488171 B2 JP 5488171B2 JP 2010102403 A JP2010102403 A JP 2010102403A JP 2010102403 A JP2010102403 A JP 2010102403A JP 5488171 B2 JP5488171 B2 JP 5488171B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- fet
- current
- current mirror
- circuit
- mirror circuit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 27
- 101100112673 Rattus norvegicus Ccnd2 gene Proteins 0.000 description 23
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 15
- 230000008859 change Effects 0.000 description 10
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 7
- HEZMWWAKWCSUCB-PHDIDXHHSA-N (3R,4R)-3,4-dihydroxycyclohexa-1,5-diene-1-carboxylic acid Chemical compound O[C@@H]1C=CC(C(O)=O)=C[C@H]1O HEZMWWAKWCSUCB-PHDIDXHHSA-N 0.000 description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- 241001125929 Trisopterus luscus Species 0.000 description 4
- HBBGRARXTFLTSG-UHFFFAOYSA-N Lithium ion Chemical compound [Li+] HBBGRARXTFLTSG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910001416 lithium ion Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- 230000010076 replication Effects 0.000 description 3
- 239000008186 active pharmaceutical agent Substances 0.000 description 2
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 2
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 2
- 101100502609 Caenorhabditis elegans fem-1 gene Proteins 0.000 description 1
- 101100334582 Drosophila melanogaster Fem-1 gene Proteins 0.000 description 1
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 238000005513 bias potential Methods 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 230000001413 cellular effect Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
- 230000007480 spreading Effects 0.000 description 1
- 230000001131 transforming effect Effects 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
- H03F1/30—Modifications of amplifiers to reduce influence of variations of temperature or supply voltage or other physical parameters
- H03F1/301—Modifications of amplifiers to reduce influence of variations of temperature or supply voltage or other physical parameters in MOSFET amplifiers
-
- G—PHYSICS
- G05—CONTROLLING; REGULATING
- G05F—SYSTEMS FOR REGULATING ELECTRIC OR MAGNETIC VARIABLES
- G05F3/00—Non-retroactive systems for regulating electric variables by using an uncontrolled element, or an uncontrolled combination of elements, such element or such combination having self-regulating properties
- G05F3/02—Regulating voltage or current
- G05F3/08—Regulating voltage or current wherein the variable is dc
- G05F3/10—Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics
- G05F3/16—Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices
- G05F3/20—Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices using diode- transistor combinations
- G05F3/26—Current mirrors
- G05F3/262—Current mirrors using field-effect transistors only
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/189—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers
- H03F3/19—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers with semiconductor devices only
- H03F3/193—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers with semiconductor devices only with field-effect devices
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
- H03F2200/18—Indexing scheme relating to amplifiers the bias of the gate of a FET being controlled by a control signal
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Radar, Positioning & Navigation (AREA)
- Automation & Control Theory (AREA)
- Amplifiers (AREA)
Description
図3は本発明の第1の実施の形態に関わるバイアス回路の基本的な動作を説明する回路図である。
次に本発明の第2の実施の形態について説明する。
次に第3の実施の形態について説明する。
次に第4の実施の形態について図を用いて説明する。
次に、本発明の第5の実施の形態について図を用いて説明する。
各段の温度特性などの詳細なバイアス制御の実現を可能ならしめる。
BB1、BB2…バイアス回路、M1、M2、M3…増幅器、
CM、CM1、CM2…カレントミラー回路、
Offset1、Offset2…オフセット回路、
BIAS、PBUF…オペアンプ、M1,M2、M3、M4…FET。
Claims (11)
- オペアンプと、前記オペアンプの出力をゲート端子に入力し動作するFETと、前記FETのドレイン端子に流れる電流を前記オペアンプに帰還するカレントミラー回路と、を含んで構成するバイアス回路であって、
前記オペアンプの−の入力端子には前記カレントミラー回路の出力電流が、他の入力端子には電流源の出力電流がそれぞれ入力され、
前記カレントミラー回路を構成する各FETはバックゲート端子を有し、前記各FETのバックゲート端子には共通に接続され同時に制御され、
前記カレントミラー回路を構成する前記各FETは、P型のFETで構成され、
前記カレントミラー回路を構成する前記各FETのバックゲート端子の電位は前記カレントミラー回路を構成する前記各FETのドレイン端子の電位にダイオード接続された別のFETのドレイン端子から生成することを特徴とするバイアス回路。 - 請求項1記載のバイアス回路において、前記電流源が定電流源であることを特徴とするバイアス回路。
- 請求項1記載のバイアス回路において、前記電流源が可変電流源であることを特徴とするバイアス回路。
- オペアンプと、前記オペアンプの出力をゲート端子に入力し動作するFETと、前記FETのドレイン端子に流れる電流を前記オペアンプに帰還するカレントミラー回路と、前記カレントミラー回路のバックゲート端子に流れる電流を引き抜くオフセット回路と、を含んで構成するバイアス回路であって、
前記オペアンプの−の入力端子には前記カレントミラー回路の出力電流と前記オフセット回路の出力電流が、他の入力端子には電流源の出力電流がそれぞれ入力され、
前記カレントミラー回路を構成する各FETはバックゲート端子を有し、前記各FETのバックゲート端子は共通に接続され同時に制御することを特徴とするバイアス回路。 - オペアンプと、前記オペアンプの出力をゲート端子に入力し動作する第1のFETと、前記第1のFETのドレイン端子に流れる電流を前記オペアンプの−の入力端子に帰還する第1のカレントミラー回路と、前記第1のカレントミラー回路と並列に接続される第2のカレントミラー回路と、を含んで構成するバイアス回路であって、
前記第1のカレントミラー回路を構成する各FETには可変電圧が入力され、前記第2のカレントミラー回路を構成する各FETには固定電圧が入力されることを特徴とするバイアス回路。 - 請求項5記載のバイアス回路において、前記第1のカレントミラー回路を構成する各FET及び前記第2のカレントミラー回路を構成する各FETはバックゲート端子を有し、
前記第1のカレントミラー回路を構成する各FET及び前記第2のカレントミラー回路を構成する前記各FETのバックゲート端子は略同電位となることを特徴とするバイアス回路。 - 請求項5または6に記載のバイアス回路において、前記オペアンプの他の入力端子に定電流源が接続されていることを特徴とするバイアス回路。
- 請求項5または6に記載のバイアス回路において、前記オペアンプの他の入力端子に可変電流源が接続されていることを特徴とするバイアス回路。
- 請求項5に記載のバイアス回路において、該バイアス回路は更に前記オペアンプの出力とRF信号の交流成分とを加算した信号をゲート端子に入力する第2のFETを有し、
前記第2のFETのドレイン端子電圧を前記可変電圧とすることを特徴とするバイアス回路。 - 請求項5に記載のバイアス回路において、前記オペアンプの駆動電源電圧を前記固定電圧とすることを特徴とするバイアス回路。
- 請求項1乃至10のいずれか1項に記載のバイアス回路を利用することを特徴とする電力増幅器。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010102403A JP5488171B2 (ja) | 2010-04-27 | 2010-04-27 | バイアス回路、電力増幅器及びカレントミラー回路 |
US13/089,454 US8471631B2 (en) | 2010-04-27 | 2011-04-19 | Bias circuit, power amplifier, and current mirror circuit |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010102403A JP5488171B2 (ja) | 2010-04-27 | 2010-04-27 | バイアス回路、電力増幅器及びカレントミラー回路 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011234117A JP2011234117A (ja) | 2011-11-17 |
JP5488171B2 true JP5488171B2 (ja) | 2014-05-14 |
Family
ID=44815299
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010102403A Active JP5488171B2 (ja) | 2010-04-27 | 2010-04-27 | バイアス回路、電力増幅器及びカレントミラー回路 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8471631B2 (ja) |
JP (1) | JP5488171B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101803132B1 (ko) * | 2014-04-28 | 2017-11-29 | 엘에스산전 주식회사 | 무 변압기형 태양광 인버터의 누설전류 감시 장치 |
US11309435B2 (en) * | 2020-03-09 | 2022-04-19 | Globalfoundries U.S. Inc. | Bandgap reference circuit including vertically stacked active SOI devices |
US20210286394A1 (en) * | 2020-03-14 | 2021-09-16 | Vidatronic, Inc. | Current reference circuit with current mirror devices having dynamic body biasing |
FR3124866B1 (fr) * | 2021-06-30 | 2024-02-02 | St Microelectronics Grenoble 2 | Circuit Miroir de courant |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
NL8001492A (nl) * | 1980-03-13 | 1981-10-01 | Philips Nv | Stroomspiegelschakeling. |
JPH05191170A (ja) * | 1992-01-13 | 1993-07-30 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | ソースフォロワ回路 |
US5606287A (en) * | 1994-06-17 | 1997-02-25 | Fujitsu Limited | Operational amplifier having stable operations for a wide range of source voltage, and current detector circuit employing a small number of elements |
JPH11312930A (ja) * | 1998-04-28 | 1999-11-09 | New Japan Radio Co Ltd | 差動増幅器 |
JP4548562B2 (ja) * | 2001-03-26 | 2010-09-22 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | カレントミラー回路及びアナログデジタル変換回路 |
JP2005110327A (ja) * | 2001-12-12 | 2005-04-21 | Renesas Technology Corp | 高周波電力増幅用電子部品および高周波電力増幅システム |
JP4301760B2 (ja) * | 2002-02-26 | 2009-07-22 | 株式会社ルネサステクノロジ | 半導体装置 |
KR100455385B1 (ko) * | 2002-05-07 | 2004-11-06 | 삼성전자주식회사 | 정지 전류의 제어가 가능한 ab급 버퍼 증폭기 |
JP2004193846A (ja) * | 2002-12-10 | 2004-07-08 | Renesas Technology Corp | 高周波電力増幅用電子部品および無線通信システム |
JP2005123861A (ja) * | 2003-10-16 | 2005-05-12 | Renesas Technology Corp | 高周波電力増幅回路および高周波電力増幅用電子部品 |
US7236048B1 (en) * | 2005-11-22 | 2007-06-26 | National Semiconductor Corporation | Self-regulating process-error trimmable PTAT current source |
JP2007287095A (ja) * | 2006-04-20 | 2007-11-01 | Nec Electronics Corp | 基準電圧発生回路 |
US7385446B2 (en) * | 2006-06-13 | 2008-06-10 | Monolithic Power Systems, Inc. | High-impedance level-shifting amplifier capable of handling input signals with a voltage magnitude that exceeds a supply voltage |
WO2009037762A1 (ja) | 2007-09-20 | 2009-03-26 | Fujitsu Limited | カレントミラー回路 |
-
2010
- 2010-04-27 JP JP2010102403A patent/JP5488171B2/ja active Active
-
2011
- 2011-04-19 US US13/089,454 patent/US8471631B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20110260796A1 (en) | 2011-10-27 |
JP2011234117A (ja) | 2011-11-17 |
US8471631B2 (en) | 2013-06-25 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US10224880B2 (en) | Power amplification circuit | |
US9602059B2 (en) | Amplifier topology for envelope tracking | |
JP4087336B2 (ja) | 能動バイアス回路 | |
US8552803B2 (en) | Amplifier with dynamic bias | |
US9203368B2 (en) | Power amplifier | |
TWI639299B (zh) | 電流補償電路 | |
US20070164824A1 (en) | Amplifier | |
US7733181B2 (en) | Amplifier circuit having dynamically biased configuration | |
TWI383581B (zh) | 功率放大器和其功率放大方法 | |
US7948318B2 (en) | Amplifying circuit, AC signal amplifying circuit and input bias adjusting method | |
US20120001696A1 (en) | Semiconductor integrated circuit device | |
US20100026391A1 (en) | Amplifier | |
CN107994897B (zh) | 一种偏置电流控制电路、方法以及功率放大控制电路 | |
JP5488171B2 (ja) | バイアス回路、電力増幅器及びカレントミラー回路 | |
KR101419806B1 (ko) | 고정 대역폭을 갖는 가변 이득 증폭기 | |
US7777575B2 (en) | Circuit with single-ended input and differential output | |
TW201545472A (zh) | 具有加強的線性之低電壓類比可變增益放大器 | |
CN107124148B (zh) | 一种控制电路、偏置电路及控制方法 | |
JP5454366B2 (ja) | パワーアンプモジュール及び携帯情報端末 | |
US20060170497A1 (en) | Gain variable amplifier | |
US20070188229A1 (en) | Variable gain amplifier with constant input referred third order intercept | |
US8471636B2 (en) | Differential pair with constant offset | |
KR20150088025A (ko) | 셀프-캐스코드 구조를 이용한 2단 연산 증폭기 회로 | |
US11368129B2 (en) | Amplifier circuit | |
JP5308407B2 (ja) | 増幅回路 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20120323 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20130109 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20130821 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130827 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20131024 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20140128 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20140210 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5488171 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |