JP5475363B2 - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
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Description
半導体素子が形成された一主面と、前記一主面と交差する結晶面を備えた第3の面と、前記第3の面と交差する結晶面を備えた第2の面と、前記第2の面と鈍角の角度で交差する結晶面を備えた第1の面とを有する半導体単結晶基板と、前記第3の面と前記第2の面と前記第1の面の少なくとも一部を覆って設けられた第1の絶縁物とを備えた半導体装置であって、
前記第1の面は、前記第3の面と離間し且つ前記第2の面を介して前記第3の面と接続されており、前記一主面の面方位との間で−5°〜+5°の間の角度をなす面方位の面である半導体装置が提供される。
前記一主面上に設けられた第2の絶縁物をさらに備え、
前記第3の面が前記一主面と交差する線は、前記第2の絶縁物の端部よりも内側であり、
前記第1の絶縁物の一部が前記第2の絶縁物の前記端部よりも内側にまで延在している。
このようにすれば、前記第2の絶縁物の密着性が向上する。
れた封止樹脂をさらに備える。
複数のチップ状半導体装置に分割される半導体単結晶基板を準備する工程と、
前記半導体単結晶基板を前記複数の半導体装置に分割するスクライブラインに沿って前記半導体単結晶基板の一主面から前記半導体単結晶基板の途中まで第1の溝を機械的に形成する工程と、
前記第1の溝に露出する前記半導体単結晶基板をエッチングする工程と、
前記エッチング後に前記第1の溝に第1の絶縁物を埋め込む工程と、
前記第1の溝よりも幅の狭い第2の溝であって、前記第1の溝の底部から前記一主面とは反対側の他の主面に達する前記第2の溝を形成して、前記半導体単結晶基板を前記複数の半導体装置に分割する工程と、を備え、
前記半導体単結晶基板をエッチングすることによって、前記半導体単結晶基板に、前記一主面と交差する第3の面と、前記第3の面と交差する第2の面と、前記第2の面と鈍角の角度で交差し前記一主面の面方位との間で−5°〜+5°の間の角度をなす面方位の第1の面と、を形成する半導体装置の製造方法が提供される。
半導体素子が形成された一主面と、前記一主面と交差する側面とを有する半導体基板と、前記一主面上に設けられた第1の絶縁物と、前記側面の少なくとも一部を覆って設けられた第2の絶縁物とを備えた半導体装置であって、
前記第1の絶縁物で覆われた側面は、前記一主面と交差する面を備え、
前記面が前記一主面と交差する線は、前記第1の絶縁物の端部よりも内側であり
前記第2の絶縁物の一部が前記第1の絶縁物の前記端部よりも内側にまで延在している半導体装置が提供される。
複数のチップ状半導体装置に分割される半導体基板であって、前記半導体基板の一主面上に設けられた第1の絶縁物を有する前記半導体基板を準備する工程と、
前記半導体基板を前記複数の半導体装置に分割するスクライブラインに沿って、前記第1の絶縁物および前記半導体基板に第1の溝を機械的に形成する工程と、
前記第1の溝に露出する前記半導体基板をエッチングする工程と、
前記エッチング後に、前記第1の溝に第2の絶縁物を埋め込む工程と、
前記第1の溝よりも幅の狭い第2の溝であって、前記第1の溝の底部から前記一主面とは反対側の他の主面に達する前記第2の溝を形成して、前記半導体基板を前記複数の半導体装置に分割する工程と、を備え、
前記第1の溝を、前記半導体基板の一主面から前記半導体基板の途中まで形成し、
前記半導体基板をエッチングすることによって、前記一主面と交差する面であって、前記面が前記一主面と交差する線が、前記第1の絶縁物の端部よりも内側である前記面を形成し、
前記第1の溝に第2の絶縁物を埋め込むことによって、前記第2の絶縁物の一部が、前記第1の絶縁物が前記第1の溝に露出する端部よりも内側にまで延在しているようにする、半導体装置の製造方法が提供される。
この第1回目の樹脂研削では、金属ポスト46の頭出しを行い、最終的な樹脂膜厚より浅く(樹脂厚さを厚く)止めるのが好適である。ただし、この封止樹脂50が可視光に対して透明な樹脂である場合には、この第1回目の樹脂研削は必ずしも必要ではない。
11 端面
12 加工面
13 エッジ線
14 加工面
16 加工面
18 主面
19 裏面
20 半導体素子
21 側面
30 層間絶縁膜
31 端面
32 ビアホール
34 埋込電極
36 金属パッド
37 端部
38 パッシベーション膜
39 ビアホール
40 絶縁膜
42 ビアホール
44 金属再配線
46 金属ポスト
48 半田端子
50 封止樹脂
51 端面
60 封止樹脂
62 ラウンド部
64 ハーフカット溝の底部端
66 クラック
70 ハーフカット溝
72 フルカット溝
74 ダイシングのフルカット端
76 ダイシングのハーフカット端
81 荷重刃
82 支点
84 交線
86 垂直な側壁
88 水平な底部
90、92、94 ダイシングブレード
100 W−CSP
Claims (35)
- 半導体素子が形成された一主面と、前記一主面と交差する結晶面を備えた第3の面と、前記第3の面と交差する結晶面を備えた第2の面と、前記第2の面と鈍角の角度で交差する結晶面を備えた第1の面とを有する半導体単結晶基板と、前記第3の面と前記第2の面と前記第1の面の少なくとも一部を覆って設けられた第1の絶縁物とを備えた半導体装置であって、
前記第1の面は、前記第3の面と離間し且つ前記第2の面を介して前記第3の面と接続されており、前記一主面の面方位との間で−5°〜+5°の間の角度をなす面方位の面である半導体装置。 - 前記第1の面は、前記一主面の面方位との間で−3.5°〜+3.5°の間の角度をなす面方位の面である請求項1記載の半導体装置。
- 前記第1の面は、前記一主面の面方位と同じ面方位の面である請求項1記載の半導体装置。
- 前記一主面上に設けられた第2の絶縁物をさらに備え、
前記第3の面が前記一主面と交差する線は、前記第2の絶縁物の端部よりも内側であり、
前記第1の絶縁物の一部が前記第2の絶縁物の前記端部よりも内側にまで延在している請求項1乃至3のいずれかに記載の半導体装置。 - 前記第2の絶縁物が層間絶縁膜である請求項4記載の半導体装置。
- 前記第2の絶縁物が封止樹脂である請求項4記載の半導体装置。
- 前記第2の絶縁物が層間絶縁膜であり、前記層間絶縁膜上に設けられた封止樹脂をさらに備える請求項4記載の半導体装置。
- 前記第1の絶縁物が封止樹脂である請求項1乃至7のいずれかに記載の半導体装置。
- 前記第1の絶縁物が、前記封止樹脂とは異なる封止樹脂である請求項6または7記載の半導体装置。
- 前記一主面が(100)面であり、前記第1の面が(100)面である請求項1乃至9のいずれかに記載の半導体装置。
- 前記一主面が(100)面であり、前記第1の面が(100)面であり、前記第2の面が(111)面である請求項1乃至9のいずれかに記載の半導体装置。
- 前記一主面が(100)面であり、前記第1の面が(100)面であり、前記第3の面が(110)面である請求項1乃至9のいずれかに記載の半導体装置。
- 前記一主面が(110)面であり、前記第1の面が(110)面である請求項1乃至9のいずれかに記載の半導体装置。
- 半導体単結晶基板は、ダイヤモンド構造の単結晶基板またはセン亜鉛鉱型構造の化合物半導体単結晶基板である1乃至13のいずれかに記載の半導体装置。
- 前記一主面上に設けられ、前記半導体素子と電気的に接続された金属再配線と、前記金属再配線に接続して設けられた外部接続端子とをさらに備える請求項1乃至14のいずれかに記載の半導体装置。
- 前記半導体装置がウエハレベル・チップサイズパッケージである請求項1乃至14のいずれかに記載の半導体装置。
- 複数のチップ状半導体装置に分割される半導体単結晶基板を準備する工程と、
前記半導体単結晶基板を前記複数の半導体装置に分割するスクライブラインに沿って前記半導体単結晶基板の一主面から前記半導体単結晶基板の途中まで第1の溝を機械的に形成する工程と、
前記第1の溝に露出する前記半導体単結晶基板をエッチングする工程と、
前記エッチング後に前記第1の溝に第1の絶縁物を埋め込む工程と、
前記第1の溝よりも幅の狭い第2の溝であって、前記第1の溝の底部から前記一主面とは反対側の他の主面に達する前記第2の溝を形成して、前記半導体単結晶基板を前記複数の半導体装置に分割する工程と、を備え、
前記半導体単結晶基板をエッチングすることによって、前記半導体単結晶基板に、前記一主面と交差する第3の面と、前記第3の面と交差する第2の面と、前記第2の面と鈍角の角度で交差し前記一主面の面方位との間で−5°〜+5°の間の角度をなす面方位の第1の面と、を形成する半導体装置の製造方法。 - 前記第1の面は、前記一主面の面方位との間で−3.5°〜+3.5°の間の角度をなす面方位の面である請求項17記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第1の面は、前記一主面の面方位と同じ面方位の面である請求項17記載の半導体装置の製造方法。
- 前記一主面上に第2の絶縁物を形成する工程をさらに備え、前記第1の溝は、前記第2の絶縁物および前記半導体単結晶基板に機械的に形成される請求項17乃至19のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第3の面が前記一主面と交差する線は、前記第2の絶縁物の端部よりも内側であり、
前記第1の溝に前記第1の絶縁物を埋め込む工程によって、前記第1の絶縁物の一部が前記第2の絶縁物が前記第1の溝に露出する端部よりも内側にまで延在しているように前記第1の溝に第1の絶縁物を埋め込む請求項20記載の半導体装置の製造方法。 - 前記第2の絶縁物が層間絶縁膜である請求項20または21記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第2の絶縁物が封止樹脂である請求項20または21記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第2の絶縁物が層間絶縁膜であり、前記層間絶縁膜上に封止樹脂をさらに形成する工程を備え、前記第1の溝は、前記層間絶縁膜、前記封止樹脂および前記半導体単結晶基板に機械的に形成される請求項20または21記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第1の絶縁物が封止樹脂である請求項17乃至22のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第1の絶縁物が、前記封止樹脂とは異なる封止樹脂である請求項24または25記載の半導体装置の製造方法。
- 前記一主面が(100)面であり、前記第1の面が(100)面である請求項17乃至26のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
- 前記一主面が(100)面であり、前記第1の面が(100)面であり、前記第2の面が(111)面である請求項17乃至26のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
- 前記一主面が(100)面であり、前記第1の面が(100)面であり、前記第3の面が(110)面である請求項17乃至26のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
- 前記一主面が(110)面であり、前記第1の面が(110)面である請求項17乃至26のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
- 前記半導体単結晶基板が単結晶シリコン基板であり、前記エッチングが、前記単結晶シリコン基板を異方性にエッチングするウエットエッチングである請求項17乃至30のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
- 前記ウエットエッチングのエッチャントが、KOH水溶液、NaOH水溶液、TMAH水溶液またはヒドラジンである請求項31記載の半導体装置の製造方法。
- 半導体単結晶基板は、ダイヤモンド構造の単結晶基板またはセン亜鉛鉱型構造の化合物半導体単結晶基板である請求項17乃至30のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
- 前記一主面上に設けられ、前記半導体素子と電気的に接続された金属再配線と、前記金属再配線に接続して設けられた外部接続端子とをさらに備える請求項17乃至33のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
- 前記半導体装置がウエハレベル・チップサイズパッケージである請求項17乃至33のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
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