JP5471951B2 - エッチングモニタリング装置 - Google Patents
エッチングモニタリング装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5471951B2 JP5471951B2 JP2010175792A JP2010175792A JP5471951B2 JP 5471951 B2 JP5471951 B2 JP 5471951B2 JP 2010175792 A JP2010175792 A JP 2010175792A JP 2010175792 A JP2010175792 A JP 2010175792A JP 5471951 B2 JP5471951 B2 JP 5471951B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- processed
- light
- intensity
- irradiation position
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
Description
所定の波長幅を有する可干渉光を発生する光源と、前記可干渉光を被エッチング部の径又は幅よりも大きいスポット径で被処理基板上に導く導入光学系と、前記被処理基板上で反射した前記可干渉光を干渉させる干渉光学系と、前記干渉光学系により得られる干渉光を波長毎に検出する検出部と、を有するエッチングモニタリング装置において
前記被処理基板上の前記可干渉光の照射位置を移動させる照射位置移動手段と、
前記被処理基板上を前記スポット径以下の間隔で走査した前記照射位置の各々に対し、前記光検出部の検出信号に含まれる干渉成分の強度を取得する干渉強度取得手段と、
前記干渉成分の強度が最大となる前記被処理基板上の位置を探索し、該最大位置においてエッチング深さの測定を行うよう前記照射位置を移動させる測定位置決定手段と、
を有することを特徴とする。
以下、本発明による測定位置の算出方法を図3のフローチャートを用いて説明する。なお、本実施例では上記のように、入射スポット光40の照射位置の移動を微小移動ステージ16により行っているが、この微小移動ステージ16の移動精度は、被処理基板S上のスポット径Rや被エッチング部の穴径Wよりも十分に小さくする必要がある。本実施例で用いる微小移動ステージ16の精度は、入射スポット光40のスポット径Rが110μm、被エッチング部の穴径Wが数μmに対して、0.2μmである。
i) ウエハ31の表面からの反射光41とレジスト層32の表面からの反射光42、
ii) ウエハ31の表面からの反射光41と被エッチング部33からの反射光43、
iii) レジスト層32の表面からの反射光42と被エッチング部33からの反射光43、
のそれぞれの間に光路差が生じ、これらの反射光が干渉光学系を通ることによって互いに干渉する。このようにして得られた干渉光を分光器17により分光し、CCDラインセンサ18により波長毎に検出する(ステップA2)。この検出信号はデジタル信号に変換され、入力信号として制御・データ処理部19に送られる(図5)。
α=参照信号面積/入力信号面積
であり、参照信号面積は参照信号とベースライン(波長に対して信号強度が0で一定の直線)とが為す面積、入力信号面積は入力信号とベースラインとが為す面積である。これら無照射時信号と参照信号のデータは、予備実験等により予め取得され、記憶部24に格納されている。この式(1)によって、図8に示すような正規化信号のデータが得られる。
D3c4d = D3c + D3d + D4d + D4c … (2)
全ての最小矩形領域に対して式(2)のような重み付けを行った後、最大の重みを有する矩形領域を探索する。ここで、最大の重みを有する最小矩形領域が点5e、5f、6f、6eを頂点とする領域(すなわち、最大の重みがD5e6f)であったとする。
11…光ファイバ
12…コリメータレンズ
13…対物レンズ
14…計測窓
15…エッチングチャンバ
16…微小移動ステージ
17…分光器
18…CCDラインセンサ
19…制御・データ処理部
20…観察用カメラ
21…補助光源
22…粗位置決定部
23…照射位置制御部
24…記憶部
25…干渉強度取得部
26…測定位置決定部
27…深さ算出部
31…ウエハ(被エッチング層)
32…レジスト層
33…被エッチング部
40…入射スポット光
41…ウエハ表面からの反射光
42…レジスト層表面からの反射光
43…被エッチング部からの反射光
44…初期照射位置の中心点
45a、45b、45c、45d…内分点
46…最大照射位置(測定位置)の中心点
1a〜7g…点(照射位置の中心点)
S…被処理基板
Claims (6)
- 所定の波長幅を有する可干渉光を発生する光源と、前記可干渉光を被エッチング部の径又は幅よりも大きいスポット径で被処理基板上に導く導入光学系と、前記被処理基板上で反射した前記可干渉光を干渉させる干渉光学系と、前記干渉光学系により得られる干渉光を波長毎に検出する検出部と、を有するエッチングモニタリング装置において
前記被処理基板上の前記可干渉光の照射位置を移動させる照射位置移動手段と、
前記被処理基板上を前記スポット径以下の間隔で走査した前記照射位置の各々に対し、前記光検出部の検出信号に含まれる干渉成分の強度を取得する干渉強度取得手段と、
前記干渉成分の強度が最大となる前記被処理基板上の位置を探索し、該最大位置においてエッチング深さの測定を行うよう前記照射位置を移動させる測定位置決定手段と、
を有することを特徴とするエッチングモニタリング装置。 - 前記可干渉光の発光波長の半値全幅が10nm以上あることを特徴とする請求項1に記載のエッチングモニタリング装置。
- 前記光源がスーパールミネッセントダイオードであることを特徴とする請求項1又は2に記載のエッチングモニタリング装置。
- 更に、被処理基板の表面を撮影するための補助光学系と、該補助光学系により撮影された画像を解析し、被処理基板上の初期照射位置を決定する粗位置算出手段と、を備えることを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載のエッチングモニタリング装置。
- 前記測定位置決定手段が、照射位置の中心点を頂点とする最小の矩形領域において、その頂点に対応する前記干渉成分の強度の和により重み付けを行い、該重みが最大となる前記最小矩形領域において、それぞれの辺の内分点を各辺の両端の2つの頂点における前記干渉成分の強度の逆比により求め、向かい合う辺の内分点同士を線分で繋ぎ、2つの線分の交点を前記干渉成分の強度が最大となる照射位置の中心点とすることを特徴とする請求項1〜5のいずれかに記載のエッチングモニタリング装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010175792A JP5471951B2 (ja) | 2010-08-04 | 2010-08-04 | エッチングモニタリング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010175792A JP5471951B2 (ja) | 2010-08-04 | 2010-08-04 | エッチングモニタリング装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012037292A JP2012037292A (ja) | 2012-02-23 |
JP5471951B2 true JP5471951B2 (ja) | 2014-04-16 |
Family
ID=45849452
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010175792A Expired - Fee Related JP5471951B2 (ja) | 2010-08-04 | 2010-08-04 | エッチングモニタリング装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5471951B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2015022851A1 (ja) * | 2013-08-15 | 2015-02-19 | 富士通株式会社 | 光干渉法を用いた計測装置及び光干渉法を用いた計測方法 |
WO2017037886A1 (ja) * | 2015-09-02 | 2017-03-09 | 富士機械製造株式会社 | 情報処理装置 |
CN110954029B (zh) * | 2019-11-04 | 2022-11-18 | 奥比中光科技集团股份有限公司 | 一种屏下三维测量*** |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3901533B2 (ja) * | 2002-02-04 | 2007-04-04 | 株式会社東芝 | モニタ方法、エッチング方法及び半導体装置の製造方法 |
JP3740079B2 (ja) * | 2002-03-04 | 2006-01-25 | 大日本スクリーン製造株式会社 | エッチング溝深さ分布を測定するための装置および方法 |
JP2009283736A (ja) * | 2008-05-23 | 2009-12-03 | Fujifilm Corp | 光半導体素子および光半導体素子を用いた光干渉断層画像装置 |
-
2010
- 2010-08-04 JP JP2010175792A patent/JP5471951B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2012037292A (ja) | 2012-02-23 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US10935501B2 (en) | Sub-resolution defect detection | |
JP4647998B2 (ja) | 重ね合わせ誤差検出方法および装置 | |
KR101191839B1 (ko) | 투명막 측정 방법, 장치 및 시스템 | |
JP6732858B2 (ja) | 基板検査装置及び基板検査方法 | |
US10254110B2 (en) | Via characterization for BCD and depth metrology | |
KR102583096B1 (ko) | 정적 프린지 패턴을 사용하는 간섭 롤오프 측정 | |
EP2463618A1 (en) | Surface profile inspection device | |
WO2011109545A2 (en) | Systems and methods for wafer edge feature detection and quantification | |
JP6411504B2 (ja) | ウエハ検査システム内での基板表面の高速高度制御のための方法及びシステム | |
JP5471951B2 (ja) | エッチングモニタリング装置 | |
WO2019090315A1 (en) | Laser triangulation sensor system and method for wafer inspection | |
TW591689B (en) | Semiconductor device identification apparatus | |
JPH11325877A (ja) | 測定誤差を減少させるための方法及び装置 | |
Rahimi et al. | Improving measurement accuracy of position sensitive detector (PSD) for a new scanning PSD microscopy system | |
JP2023176026A (ja) | 走査範囲決定方法 | |
JP5710314B2 (ja) | マスク検査方法およびその装置 | |
KR101883748B1 (ko) | 일정 영역의 표면 정밀도의 정량 측정을 위한 방법 및 장치 | |
JP6820516B2 (ja) | 表面形状測定方法 | |
US20180301385A1 (en) | Target Location in Semiconductor Manufacturing | |
JP6880396B2 (ja) | 形状測定装置および形状測定方法 | |
Timoney et al. | New interferometric measurement technique for small diameter TSV | |
US9194692B1 (en) | Systems and methods for using white light interferometry to measure undercut of a bi-layer structure | |
KR20140024620A (ko) | 3차원 표면 형상 측정장치 및 3차원 표면 형상 측정방법 | |
JP2004528580A (ja) | ビデオ画像を使用下光学的表面検査のためのサンプル位置付けシステム及びその方法 | |
TWI805083B (zh) | 異質整合檢測方法與異質整合檢測裝置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20121129 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20131008 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20131015 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20131210 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20140107 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20140120 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 5471951 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |