JP5463149B2 - 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法 - Google Patents
荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法 Download PDFInfo
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Description
荷電粒子ビームを放出する放出部と、
基板重量を入力し、基板重量を用いてかかる基板重量の基板にパターンを描画した際の位置ずれを補正する補正係数を演算する補正係数演算部と、
補正係数を用いて荷電粒子ビームの第1の偏向量を補正する補正部と、
補正された第2の偏向量で荷電粒子ビームを偏向し、基板上に荷電粒子ビームを照射する偏向器と、
を備えたことを特徴とする。
補正係数演算部は、測定された基板重量を入力すると好適である。
ステージの位置を測定する測定部と、
測定されたステージの位置に基づいてステージを移動する際の加速度を演算する加速度演算部と、
をさらに備えると好適である。
補正部は、第1の偏向量に、加速度と補正係数とを用いた補正量を加算すると好適である。
荷電粒子ビームを放出する工程と、
基板重量を入力し、基板重量を用いてかかる基板重量の基板にパターンを描画した際の位置ずれを補正する補正係数を演算する工程と、
補正係数を用いて荷電粒子ビームの第1の偏向量を補正する工程と、
偏向器を用いて、補正された第2の偏向量で荷電粒子ビームを偏向し、基板上に荷電粒子ビームを照射する工程と、
を備えたことを特徴とする。
図1は、実施の形態1における描画装置の構成を示す概念図である。図1において、描画装置100は、荷電粒子ビーム描画装置の一例である。描画装置100は、描画部150、制御部160、搬出入口(I/F)120、ロードロック(L/L)チャンバ130、ロボット(R)チャンバ140、アライメント(ALN)チャンバ146、及び真空ポンプ170を備えている。そして、描画装置100は、電子ビーム200を用いて、基板101に所望するパターンを描画する。描画対象となる基板101として、例えば、半導体装置を製造するための露光用のマスク基板やシリコンウェハ等が含まれる。
(1) Coeff(w)=A・w+B
(2) Acc(t)={v(t)−v(t−Δt)}/Δt
={x(t)−2x(t−Δt)+x(t−2Δt)}/Δt2
(3) L’=L+P=L+Acc(t)・Coeff(w)
12 補正係数演算部
14 メモリ
20 偏向量演算部
22 加速度演算部
24 補正部
100 描画装置
101 基板
102 電子鏡筒
103 描画室
105 XYステージ
106,133 支持ピン
107 ミラー
109 記憶装置
110 制御計算機ユニット
112 偏向制御回路
114 DAC
116 レーザ測長装置
118 制御回路
120 搬出入口
122,142 搬送ロボット
130 ロードロックチャンバ
131,144 重量センサ
132,134,136 ゲートバルブ
140 ロボットチャンバ
143 ロボットハンド
146 アライメントチャンバ
150 描画部
160 制御部
170 真空ポンプ
172,174,176 バルブ
200 電子ビーム
201 電子銃
208 偏向器
330 電子線
340 試料
410 第1のアパーチャ
411 開口
420 第2のアパーチャ
421 可変成形開口
430 荷電粒子ソース
Claims (5)
- 荷電粒子ビームを放出する放出部と、
基板重量を入力し、前記基板重量を用いて前記基板重量の基板にパターンを描画した際の位置ずれを補正する補正係数を演算する補正係数演算部と、
前記補正係数を用いて前記荷電粒子ビームの第1の偏向量を補正する補正部と、
補正された第2の偏向量で前記荷電粒子ビームを偏向し、前記基板上に前記荷電粒子ビームを照射する偏向器と、
を備えたことを特徴とする荷電粒子ビーム描画装置。 - 前記基板重量を測定する重量センサをさらに備え、
前記補正係数演算部は、測定された前記基板重量を入力することを特徴とする請求項1記載の荷電粒子ビーム描画装置。 - 前記基板を載置し、移動可能なステージと、
前記ステージの位置を測定する測定部と、
測定された前記ステージの位置に基づいて前記ステージを移動する際の加速度を演算する加速度演算部と、
をさらに備えたことを特徴とする請求項1又は2記載の荷電粒子ビーム描画装置。 - 前記第1の偏向量を演算する偏向量演算部をさらに備え、
前記補正部は、前記第1の偏向量に、前記加速度と前記補正係数とを用いた補正量を加算することを特徴とする請求項3記載の荷電粒子ビーム描画装置。 - 荷電粒子ビームを放出する工程と、
基板重量を入力し、前記基板重量を用いて前記基板重量の基板にパターンを描画した際の位置ずれを補正する補正係数を演算する工程と、
前記補正係数を用いて前記荷電粒子ビームの第1の偏向量を補正する工程と、
偏向器を用いて、補正された第2の偏向量で前記荷電粒子ビームを偏向し、前記基板上に前記荷電粒子ビームを照射する工程と、
を備えたことを特徴とする荷電粒子ビーム描画方法。
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