JP5459298B2 - Manufacturing method of multilayer inductor element - Google Patents

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Description

この発明は、磁性体を含む積層体内にコイル導体のパターンが形成された積層型インダクタ素子の製造方法に関するものである。
The present invention relates to the production how the layered inductor element pattern of the coil conductors are formed in the laminate comprising the magnetic body.

従来、積層型チップ素子を製造する際には、最終的に複数の積層型チップ素子を配列されるマザー基板の状態で機能部となる積層部を形成する。そして、マザー基板を素子単位で分割することで、個別の積層型チップ素子を製造している。   Conventionally, when a laminated chip element is manufactured, a laminated portion that becomes a functional part in a state of a mother substrate on which a plurality of laminated chip elements are finally arranged is formed. Individual mother chip elements are manufactured by dividing the mother substrate into elements.

磁性体を用いない積層セラミックコンデンサ等の従来の一般的な積層型チップ素子の場合、マザー基板から各積層型チップ素子を分割する際には、例えば特許文献１に示すように、マザー基板における分割すべき位置にブレイク用の溝を形成する。ブレイク用の溝は、マザー基板の表面から比較的浅く（表層付近だけ）形成されている。   In the case of a conventional general multilayer chip element such as a multilayer ceramic capacitor that does not use a magnetic material, when dividing each multilayer chip element from a mother substrate, for example, as shown in Patent Document 1, division on the mother substrate is performed. A break groove is formed at a position to be formed. The break groove is formed relatively shallow from the surface of the mother substrate (only in the vicinity of the surface layer).

このような誘電体を用いた積層型チップ素子とは別に、現在、インダクタンスの大きなパワーインダクタ用として、磁性体を含む積層体からなる積層型インダクタ素子が多く利用されている。   In addition to the multilayer chip element using such a dielectric, a multilayer inductor element composed of a multilayer body including a magnetic body is currently widely used for a power inductor having a large inductance.

図１０は、特許文献１に示した積層型チップ素子の製造工程を、磁性体を含む積層型インダクタ素子に適用した場合の製造フローチャートである。この工法を、従来の工法とする。図１１は、特許文献１に示した積層型チップ素子の製造工程を、磁性体を含む積層型インダクタ素子に適用した場合の分割前の断面図である。   FIG. 10 is a manufacturing flowchart in the case where the manufacturing process of the multilayer chip element shown in Patent Document 1 is applied to a multilayer inductor element including a magnetic body. This construction method is a conventional construction method. FIG. 11 is a cross-sectional view before division when the manufacturing process of the multilayer chip element shown in Patent Document 1 is applied to a multilayer inductor element including a magnetic body.

図１０に示すように、従来の工法では、まず第１非磁性体層１２１、第１磁性体層１１１，第２非磁性体層１２２、第２磁性体層１１２、および第３非磁性体層１２３をこの順で積層して、焼成前のマザー基板１００を形成する（Ｓ９０１）。第１磁性体層１１１、第２磁性体層１１２には、ペースト状の導体パターン１３０が形成されている。次に、マザー基板１００の第１非磁性体層１２１側の表面および第３非磁性体層１２３側の表面に、個片化用の溝１４０、１４１を形成する（Ｓ９０２）。この際、溝１４０、１４１は、第１非磁性体層１２１内および第３非磁性体層１２３内に止まる深さで形成されている。次に、マザー基板１００を焼成することで、磁性体および非磁性体の焼結と、導体パターンのメッキ処理を行う（Ｓ９０３）。これにより、図１１に示すような断面形状からなるマザー基板１００が形成される。溝１４１はＶ字状に形成されており、最後に、焼成後のマザー基板１００に作業者が手で負荷をかけることにより、溝１４１に沿ってマザー基板１００を個片に分割する（Ｓ９０４）。これにより、個片化された積層型インダクタ素子の筐体が完成する。そして、筐体の所定位置に外部電極を形成することで、積層型インダクタ素子が実現される。   As shown in FIG. 10, in the conventional method, first, the first nonmagnetic layer 121, the first magnetic layer 111, the second nonmagnetic layer 122, the second magnetic layer 112, and the third nonmagnetic layer. 123 are stacked in this order to form the mother substrate 100 before firing (S901). A paste-like conductor pattern 130 is formed on the first magnetic layer 111 and the second magnetic layer 112. Next, singulation grooves 140 and 141 are formed on the surface of the mother substrate 100 on the first nonmagnetic layer 121 side and the surface of the third nonmagnetic layer 123 side (S902). At this time, the grooves 140 and 141 are formed to a depth that stops in the first nonmagnetic layer 121 and the third nonmagnetic layer 123. Next, by firing the mother substrate 100, the magnetic material and the non-magnetic material are sintered and the conductive pattern is plated (S903). Thereby, the mother substrate 100 having a cross-sectional shape as shown in FIG. 11 is formed. The groove 141 is formed in a V shape, and finally, the operator applies a load to the fired mother substrate 100 by hand to divide the mother substrate 100 into individual pieces along the groove 141 (S904). . As a result, the case of the separated multilayer inductor element is completed. A multilayer inductor element is realized by forming an external electrode at a predetermined position of the housing.

図１２は、図１１で示した積層型インダクタ素子よりも厚みの厚い、磁性体を含む積層型インダクタ素子を製造する場合の分割前の断面図である。   FIG. 12 is a cross-sectional view before division in the case of manufacturing a multilayer inductor element including a magnetic material, which is thicker than the multilayer inductor element shown in FIG.

厚みの厚い積層型インダクタ素子を製造する場合では、まず第１非磁性体層１２１、第１磁性体層１１１，第２非磁性体層１２２、第２磁性体層１１２、および第３非磁性体層１２３をこの順で積層して、焼成前のマザー基板１００を形成する。第１磁性体層１１１、第２磁性体層１１２には、導体パターン１３０が形成されている。次に、マザー基板１００の第１非磁性体層１２１側の表面のみに、個片化用の溝１４０を形成する。この際、溝１４０は、第１非磁性体層１２１内および第３非磁性体層１２３内に止まる深さで形成されている。次に、マザー基板１００の第３非磁性体層１２３側から、ＭＣ（マシニングセンター）やレーザスクライブ工法により、所定の深さまで個片化用のＶ字状の切り込み溝１６０を形成する。次に、マザー基板１００を焼成することで、磁性体および非磁性体の焼結と、導体パターンのメッキ処理を行う。これにより、図１２に示すような断面形状からなるマザー基板１００が形成される。最後に、焼成後のマザー基板１００に作業者が手で負荷をかけることにより、マザー基板１００を個片に分割する。この際、マザー基板１００は、溝１４０と切り込み溝１６０とを結ぶように分割される。   In the case of manufacturing a thick multilayer inductor element, first, the first nonmagnetic material layer 121, the first magnetic material layer 111, the second nonmagnetic material layer 122, the second magnetic material layer 112, and the third nonmagnetic material. The layers 123 are stacked in this order to form the mother substrate 100 before firing. A conductor pattern 130 is formed on the first magnetic layer 111 and the second magnetic layer 112. Next, the singulation grooves 140 are formed only on the surface of the mother substrate 100 on the first nonmagnetic layer 121 side. At this time, the groove 140 is formed to a depth that stops in the first nonmagnetic layer 121 and the third nonmagnetic layer 123. Next, a V-shaped cut groove 160 for singulation is formed from the third nonmagnetic layer 123 side of the mother substrate 100 to a predetermined depth by MC (machining center) or laser scribing method. Next, by firing the mother substrate 100, the magnetic material and the non-magnetic material are sintered and the conductive pattern is plated. Thereby, the mother substrate 100 having a cross-sectional shape as shown in FIG. 12 is formed. Finally, the operator applies a load to the fired mother board 100 by hand, thereby dividing the mother board 100 into pieces. At this time, the mother substrate 100 is divided so as to connect the groove 140 and the cut groove 160.

特開２００５−５７０３１号公報JP 2005-57031 A

しかしながら、従来の工法を用いた場合、分割用のＶ字溝を表層付近にしか形成されていないようにすると、比較的厚みの薄い基板でないと分割できない。   However, when the conventional method is used, if the dividing V-shaped groove is formed only in the vicinity of the surface layer, the substrate cannot be divided unless the substrate is relatively thin.

比較的厚みの厚い基板を分割しようとすると、Ｖ字状の切り込み溝を磁性体層に達するまで入れなければ分割できないため、焼成時に導体パターンに含まれるＡｇ（銀）等が端面（切り込み溝１６０による切断面）に浮き出てしまう。このため、その後のメッキ処理においてメッキの析出・成長を行うことによって、層を跨る導体パターン同士が端面で短絡する等の不良が発生する可能性がある。   When trying to divide a relatively thick substrate, the V-shaped cut groove cannot be divided unless it reaches the magnetic layer, so Ag (silver) or the like contained in the conductor pattern at the time of firing is the end face (cut groove 160). Will appear on the cut surface). For this reason, by performing deposition and growth of plating in the subsequent plating process, there is a possibility that defects such as short-circuiting between the conductor patterns straddling the layers may occur.

したがって、本発明の目的は、マザー基板からの個片化が容易であり、高品質な積層型インダクタ素子を形成できる積層型インダクタ素子の製造方法を提供することにある。   Accordingly, an object of the present invention is to provide a method for manufacturing a multilayer inductor element that can be easily separated from a mother substrate and can form a high-quality multilayer inductor element.

この発明は、次の工程を含む積層型インダクタ素子の製造方法に関する。本願の製造方法では、磁性体シートを含む複数の絶縁性シートに対して導体パターンおよび内部配線パターンを形成する工程と、絶縁性シートおよび磁性体シートよりも線膨張係数の小さい非磁性体シートを用いて、非磁性体シートを備える第１非磁性体層、磁性体シートを備える第１磁性体層、非磁性体シートを備える第２非磁性体層、磁性体シートを備える第２磁性体層、および非磁性体シートを備える第３非磁性体層を順に積層し、導体パターンを接続することでインダクタを形成し、該インダクタ内蔵型の積層体を形成する工程と、を有する。この製造方法では、積層体は、複数のインダクタを含むマザー基板である。この製造方法では、マザー基板の第１非磁性体層の表面に、該第１非磁性体層内に収まる深さからなる溝を、複数のインダクタを区分する境界に沿って、焼成前に形成する工程を有する。この製造方法では、焼成後のマザー基板の第３非磁性体層の表面側から、境界に略沿って所定の押圧力でスクライブ手段を接触させ、部分的なクラックを形成する工程を有する。この製造方法では、クラック形成後のマザー基板に対して外部から応力を加えることにより、個片の積層型インダクタ素子に分割する工程を有する。   The present invention relates to a method for manufacturing a multilayer inductor element including the following steps. In the manufacturing method of the present application, a step of forming a conductor pattern and an internal wiring pattern on a plurality of insulating sheets including a magnetic sheet, and a nonmagnetic sheet having a smaller linear expansion coefficient than the insulating sheet and the magnetic sheet A first nonmagnetic layer comprising a nonmagnetic sheet, a first magnetic layer comprising a magnetic sheet, a second nonmagnetic layer comprising a nonmagnetic sheet, and a second magnetic layer comprising a magnetic sheet And a third nonmagnetic layer including a nonmagnetic sheet are sequentially stacked, an inductor is formed by connecting conductor patterns, and a multilayer body with a built-in inductor is formed. In this manufacturing method, the multilayer body is a mother substrate including a plurality of inductors. In this manufacturing method, a groove having a depth that can be accommodated in the first nonmagnetic layer is formed on the surface of the first nonmagnetic layer of the mother substrate before firing along a boundary dividing the plurality of inductors. The process of carrying out. This manufacturing method includes a step of forming a partial crack by bringing the scribe means into contact with a predetermined pressing force substantially along the boundary from the surface side of the third non-magnetic layer of the mother substrate after firing. This manufacturing method includes a step of dividing the mother substrate after crack formation into individual multilayer inductor elements by applying external stress.

この製造方法では、マザー基板の焼成後に、第３非磁性体層内では留まらない部分的なクラックが形成される。これにより、マザー基板から複数の積層型インダクタ素子へ、容易に個片化することができる。また、焼成後にスクライブをすることで、導体パターンを構成する金属が焼成時に析出しない。   In this manufacturing method, after firing the mother substrate, a partial crack that does not remain in the third nonmagnetic layer is formed. As a result, the mother substrate can be easily separated into a plurality of multilayer inductor elements. Moreover, the metal which comprises a conductor pattern does not precipitate at the time of baking by scribing after baking.

また、この発明の積層型インダクタ素子の製造方法における部分的なクラックを形成する工程は、クラックが第２非磁性体層に達する押圧力でスクライブ手段を接触させることが好ましい。   In the step of forming a partial crack in the method for manufacturing a multilayer inductor element of the present invention, it is preferable that the scribing means is brought into contact with a pressing force at which the crack reaches the second nonmagnetic layer.

この製造方法では、具体的なスクライブ手段の押圧力について示している。非磁性体層は、磁性体層よりも線膨張係数が小さい。したがって、第２非磁性体層には、これを挟む第１磁性体層および第２磁性体層との線膨張係数の差によって、積層方向に直交する方向に沿った応力が加わった状態で焼結する。このため、積層方向に沿ったクラックは、第２非磁性体層を超えて進行しにくい。したがって、所定の押圧力範囲であれば、部分クラックは、第２非磁性体層に達したところでとまる。これにより、設定可能な押圧力の範囲が広くなり、製造条件を設定しやすく、押圧力のばらつきの影響を受け難い。   This manufacturing method shows a specific pressing force of the scribe means. The nonmagnetic layer has a smaller linear expansion coefficient than the magnetic layer. Therefore, the second non-magnetic layer is sintered in a state in which stress is applied along the direction perpendicular to the stacking direction due to the difference in linear expansion coefficient between the first magnetic layer and the second magnetic layer sandwiching the second non-magnetic layer. Conclude. For this reason, cracks along the stacking direction are unlikely to progress beyond the second nonmagnetic layer. Therefore, the partial crack stops when it reaches the second nonmagnetic layer within a predetermined pressing force range. Thereby, the range of the settable pressing force is widened, it is easy to set manufacturing conditions, and it is difficult to be affected by variations in pressing force.

また、この発明の積層型インダクタ素子の製造方法における積層体を形成する工程では、第１磁性体層と第２非磁性体層との間に、磁性体シートを備える第３磁性体層、非磁性体シートを備える第４非磁性体層を、さらに積層することもできる。   Further, in the step of forming the multilayer body in the method of manufacturing the multilayer inductor element of the present invention, the third magnetic layer including the magnetic sheet between the first magnetic layer and the second nonmagnetic layer, A fourth nonmagnetic material layer including a magnetic material sheet can be further laminated.

このような製造方法を用いれば、押圧力が強すぎて、万が一、クラックが第２非磁性体層を貫いても、第４非磁性体層で止めることできる。   If such a manufacturing method is used, even if the pressing force is too strong and a crack penetrates the second nonmagnetic material layer, it can be stopped by the fourth nonmagnetic material layer.

この発明によれば、マザー基板から複数の積層型インダクタ素子へ容易に個片化することができる。また、高品質な積層型インダクタ素子を容易に形成することができる。   According to the present invention, the mother substrate can be easily separated into a plurality of multilayer inductor elements. Further, a high quality multilayer inductor element can be easily formed.

本発明の第１の実施形態に係る積層型インダクタ素子の製造工程を示すフローチャートである。3 is a flowchart showing manufacturing steps of the multilayer inductor element according to the first embodiment of the present invention. 第１の実施形態に係る積層型インダクタ素子の製造工程別の模式断面図である。FIG. 6 is a schematic cross-sectional view for each manufacturing process of the multilayer inductor element according to the first embodiment. クラックの形成概念を示すための模式断面図である。It is a schematic cross section for showing the formation concept of a crack. 本実施形態のマザー基板１００の構成を用いて押圧力を変化させた場合のクラックの進行を示す模式断面図である。It is a schematic cross section which shows progress of a crack at the time of changing pressing force using the structure of the mother board | substrate 100 of this embodiment. 他の積層構成を用いて押圧力を変化させた場合のクラックの進行を示す模式断面図である。It is a schematic cross section which shows the progress of the crack at the time of changing pressing force using another laminated structure. 個片化した積層型インダクタ素子１０の模式断面図である。1 is a schematic cross-sectional view of an individual laminated inductor element 10. スクライブ位置と溝１４０の位置が一致しない場合のクラックの進行の仕方を説明する図である。It is a figure explaining how a crack progresses when a scribe position and the position of a groove | channel 140 do not correspond. 第２非磁性体層１２２の位置を変化させたマザー基板１００Ａの模式断面図である。FIG. 5 is a schematic cross-sectional view of a mother substrate 100A in which the position of a second nonmagnetic material layer 122 is changed. 中間の非磁性体層を二層も受けたマザー基板１００Ｂの模式断面図である。FIG. 5 is a schematic cross-sectional view of a mother substrate 100B that has received two intermediate nonmagnetic layers. 特許文献１に示した積層型チップ素子の製造工程を、磁性体を含む積層型インダクタ素子に適用した場合の製造フローチャートである。10 is a manufacturing flowchart in a case where the manufacturing process of the multilayer chip element shown in Patent Document 1 is applied to a multilayer inductor element including a magnetic body. 特許文献１に示した積層型チップ素子の製造工程を、磁性体を含む積層型インダクタ素子に適用した場合の分割前の模式断面図である。It is a schematic cross section before the division | segmentation at the time of applying the manufacturing process of the multilayer chip element shown to patent document 1 to the multilayer inductor element containing a magnetic body. 図１１で示した積層型インダクタ素子よりも厚みの厚い、磁性体を含む積層型インダクタ素子を製造する場合の分割前の模式断面図である。FIG. 12 is a schematic cross-sectional view before division in the case of manufacturing a multilayer inductor element including a magnetic material that is thicker than the multilayer inductor element shown in FIG. 11.

本発明の第１の実施形態に係る積層型インダクタ素子の製造方法、および積層型インダクタ素子について、図を参照して説明する。図１は、本発明の第１の実施形態に係る積層型インダクタ素子の製造工程を示すフローチャートである。図２は、第１の実施形態に係る積層型インダクタ素子の製造工程別の模式断面図である。図２（Ａ）は積層工程での断面図である。図２（Ｂ）は第１の溝を形成する工程での断面図である。図２（Ｃ）、図２（Ｄ）はダイヤモンドスクライブを用いて部分的なクラックを形成する工程の断面図であり、図２（Ｃ）はクラック形成前を示し、図２（Ｄ）はクラック形成状態を示す。図３は、クラックの形成概念を示すための模式断面図である。なお、図２、図３は、積層方向に平行な面を見た断面図である。   A manufacturing method of a multilayer inductor element and a multilayer inductor element according to a first embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 1 is a flowchart showing manufacturing steps of the multilayer inductor element according to the first embodiment of the present invention. FIG. 2 is a schematic cross-sectional view for each manufacturing process of the multilayer inductor element according to the first embodiment. FIG. 2A is a cross-sectional view in the stacking process. FIG. 2B is a cross-sectional view in the step of forming the first groove. 2 (C) and 2 (D) are cross-sectional views of a process of forming a partial crack using diamond scribe, FIG. 2 (C) shows before the crack formation, and FIG. 2 (D) shows a crack. The formation state is shown. FIG. 3 is a schematic cross-sectional view for illustrating the concept of crack formation. 2 and 3 are cross-sectional views of a plane parallel to the stacking direction.

図１のフローに沿って、本発明の第１の実施形態に係る積層型インダクタ素子の製造方法を説明する。   A manufacturing method of the multilayer inductor element according to the first embodiment of the present invention will be described along the flow of FIG.

第１非磁性体層１２１、第１磁性体層１１１、第２非磁性体層１２２、第２磁性体層１１２、および第３非磁性体層１２３の順で層状化された積層体からなるマザー基板１００を形成する（Ｓ１０１）。   A mother made of a laminated body in which the first nonmagnetic layer 121, the first magnetic layer 111, the second nonmagnetic layer 122, the second magnetic layer 112, and the third nonmagnetic layer 123 are layered in this order. The substrate 100 is formed (S101).

第１磁性体層１１１、第２磁性体層１１２は、それぞれ複数の磁性体シートを積層してなる。磁性体シートは、例えば、ニッケル、亜鉛、および銅を含むフェライトとセラミック材料とを主成分とする硬化されていないシートである。所定の磁性体シートには、Ａｇ等の導電性材料からなる導体パターン１３０が形成されている。導体パターン１３０は、積層型インダクタ素子として形成された状態で、積層方向を軸方向とするヘリカル状のコイル（インダクタ）が形成されるような形状で形成されている。また、所定の磁性体シートには、導体パターン１３０と同様に、Ａｇ等の導電性材料からなる引き回し導体パターン（図示せず）が形成されている。   The first magnetic layer 111 and the second magnetic layer 112 are each formed by laminating a plurality of magnetic sheets. The magnetic sheet is, for example, an uncured sheet mainly composed of a ferrite containing nickel, zinc, and copper and a ceramic material. A conductor pattern 130 made of a conductive material such as Ag is formed on a predetermined magnetic sheet. The conductor pattern 130 is formed in such a shape that a helical coil (inductor) having the stacking direction as an axial direction is formed in a state where it is formed as a multilayer inductor element. Further, similarly to the conductor pattern 130, a predetermined conductor sheet (not shown) made of a conductive material such as Ag is formed on the predetermined magnetic sheet.

第１非磁性体層１２１、第２非磁性体層１２２、および第３非磁性体層１２３は、非磁性体シートを積層することで実現される。非磁性体シートは、例えば、鉄、亜鉛、および銅を含むフェライトとセラミック材料とを主成分とするものである。非磁性体シートは、磁性体シートよりも線膨張係数が小さくなる組成で形成されている。   The first nonmagnetic layer 121, the second nonmagnetic layer 122, and the third nonmagnetic layer 123 are realized by stacking nonmagnetic sheets. The nonmagnetic sheet is composed mainly of, for example, ferrite containing iron, zinc, and copper and a ceramic material. The nonmagnetic material sheet is formed with a composition having a smaller linear expansion coefficient than the magnetic material sheet.

なお、第１、第２磁性体層１１１，１１２の厚み、第１、第２、第３非磁性体層１２１，１２２，１２３の厚みは、積層型インダクタ素子として所望する特性が得られるように、適宜設定されている。   The thicknesses of the first and second magnetic layers 111 and 112 and the thicknesses of the first, second, and third nonmagnetic layers 121, 122, and 123 are such that desired characteristics as a multilayer inductor element can be obtained. Are set as appropriate.

また、本工程では、第１非磁性体層１２１、第１磁性体層１１１、第２非磁性体層１２２、第２磁性体層１１２、および第３非磁性体層１２３をそれぞれ個別に形成した後に、これらを積層するのではなく、非磁性体シートおよび磁性体シートを順次積層して、第１非磁性体層１２１、第１磁性体層１１１、第２非磁性体層１２２、第２磁性体層１１２、および第３非磁性体層１２３からなる層構造を実現している。   In this step, the first nonmagnetic layer 121, the first magnetic layer 111, the second nonmagnetic layer 122, the second magnetic layer 112, and the third nonmagnetic layer 123 were formed individually. Later, instead of laminating them, a nonmagnetic material sheet and a magnetic material sheet are sequentially laminated to form a first nonmagnetic material layer 121, a first magnetic material layer 111, a second nonmagnetic material layer 122, and a second magnetic material. A layer structure including the body layer 112 and the third nonmagnetic layer 123 is realized.

これにより、図２（Ａ）に示すような焼成前のマザー基板１００が形成される。すなわち、積層方向の一方端に第１非磁性体層１２１があり、他方端に第３非磁性体層１２３があるマザー基板１００が形成される。積層方向の第１非磁性体層１２１と第３非磁性体層１２３との間には、第１磁性体層１１１と第２磁性体層１１２とがあり、第１磁性体層１１１と第２磁性体層１１２との間には第２非磁性体層１２２がある。   Thereby, the mother substrate 100 before firing as shown in FIG. 2A is formed. That is, the mother substrate 100 having the first nonmagnetic layer 121 at one end in the stacking direction and the third nonmagnetic layer 123 at the other end is formed. Between the first nonmagnetic material layer 121 and the third nonmagnetic material layer 123 in the stacking direction, there are a first magnetic material layer 111 and a second magnetic material layer 112, and the first magnetic material layer 111 and the second magnetic material layer 112. Between the magnetic layer 112, there is a second nonmagnetic layer 122.

次に、マザー基板１００の第１非磁性体層１２１に個片化用の溝１４０を形成する（Ｓ１０２）。溝１４０は、最終的に複数のインダクタ素子となる領域を区分する境界に沿って形成されている。溝１４０は、図２（Ｂ）に示すように、第１非磁性体層１２１内で収まる深さで形成されている。   Next, the singulation grooves 140 are formed in the first nonmagnetic layer 121 of the mother substrate 100 (S102). The groove 140 is formed along a boundary that divides a region that finally becomes a plurality of inductor elements. As shown in FIG. 2B, the groove 140 is formed with a depth that can be accommodated in the first nonmagnetic layer 121.

次に、溝１４０が形成されたマザー基板１００を所定の温度プロファイルによって焼成し、磁性体シートおよび非磁性体シートを焼結するとともに、導体パターン１３０のメッキ処理を行う（Ｓ１０３）。   Next, the mother substrate 100 in which the grooves 140 are formed is fired according to a predetermined temperature profile, the magnetic material sheet and the nonmagnetic material sheet are sintered, and the conductor pattern 130 is plated (S103).

次に、図２（Ｃ）に示すように、焼成後のマザー基板１００における第３非磁性体層１２３側の面に、所定の押圧力でダイヤモンドスクライバー２００を接触させる。この際、ダイヤモンドスクライバー２００は、第１非磁性体層１１１に形成した溝１４０と対向する位置に接触させる。これにより、図２（Ｄ）に示すように、接触位置から略積層方向に沿ってクラック１５０が発生する（Ｓ１０４）。このダイヤモンドスクライバー２００が本発明の「スクライブ手段」に相当する。なお、このようなクラックを発生できる工法であれば、ダイヤモンドスクライバー２００に限ることなく、他の工法を利用してもよい。   Next, as shown in FIG. 2C, the diamond scriber 200 is brought into contact with the surface of the fired mother substrate 100 on the third nonmagnetic layer 123 side with a predetermined pressing force. At this time, the diamond scriber 200 is brought into contact with a position facing the groove 140 formed in the first nonmagnetic layer 111. As a result, as shown in FIG. 2D, a crack 150 is generated along the substantially laminating direction from the contact position (S104). This diamond scriber 200 corresponds to the “scribe means” of the present invention. Note that other construction methods may be used without being limited to the diamond scriber 200 as long as the construction method can generate such cracks.

次に、マザー基板１００に対して外部から曲げ応力を加えることで、クラック１５０と溝１４０とを結ぶようにマザー基板１００が割れる。これにより、マザー基板１００は、複数の積層型インダクタ素子に個片化される（Ｓ１０５）。   Next, by applying a bending stress to the mother substrate 100 from the outside, the mother substrate 100 is cracked so as to connect the crack 150 and the groove 140. Thereby, the mother substrate 100 is separated into a plurality of multilayer inductor elements (S105).

ところで、上述のように、押圧力は、所定の押圧力範囲に設定されている。この押圧力範囲の下限値は、クラック１５０が第３非磁性体層１２３を少なくとも貫通する程度（破断強度以上）とする。また、この押圧力範囲は、非磁性体層１２３の物性、ダイヤモンドスクライバー２００の形状等から予め推定することができ、予め実験等で確認することもできる。   Incidentally, as described above, the pressing force is set to a predetermined pressing force range. The lower limit value of the pressing force range is set such that the crack 150 penetrates at least the third nonmagnetic layer 123 (breaking strength or more). The pressing force range can be estimated in advance from the physical properties of the nonmagnetic layer 123, the shape of the diamond scriber 200, and the like, and can be confirmed in advance through experiments or the like.

このように、ダイヤモンドスクライバー２００の接触によってマザー基板１００に発生したクラック１５０は、第２磁性体層１１２を貫通して第２非磁性体層１２２で止まる。これは、次の理由によるものである。   As described above, the crack 150 generated in the mother substrate 100 by the contact with the diamond scriber 200 penetrates the second magnetic layer 112 and stops at the second nonmagnetic layer 122. This is due to the following reason.

磁性体シートと非磁性体シートとの間には、上述のように線膨張係数の差がある。したがって、第２非磁性体層１２２は、当該層を挟む第１磁性体層１１１および第２磁性体層１１２よりも線膨張係数が小さくなる。したがって、マザー基板１００の焼成後には、図３に示すように、第２磁性体層１１２と第２非磁性体層１２２との境界面付近では、第２非磁性体層１２２は、積層方向に直交する方向に沿った引っ張り応力（図３の黒矢印５００参照）を受ける。したがって、第２非磁性体層１２２は、積層方向に沿って進行するクラックに対して強くなり、クラック１５０は、第２非磁性体層１２２の第２磁性体層１１２側の表面までしか進行しない。   There is a difference in linear expansion coefficient between the magnetic sheet and the non-magnetic sheet as described above. Therefore, the second nonmagnetic layer 122 has a smaller linear expansion coefficient than the first magnetic layer 111 and the second magnetic layer 112 that sandwich the layer. Therefore, after firing the mother substrate 100, as shown in FIG. 3, the second nonmagnetic layer 122 is arranged in the stacking direction in the vicinity of the boundary surface between the second magnetic layer 112 and the second nonmagnetic layer 122. A tensile stress (refer to the black arrow 500 in FIG. 3) along the orthogonal direction is applied. Therefore, the second nonmagnetic layer 122 is strong against cracks that travel along the stacking direction, and the crack 150 only travels to the surface of the second nonmagnetic layer 122 on the second magnetic layer 112 side. .

図４は、本実施形態のマザー基板１００の構成を用いて押圧力を変化させた場合のクラックの進行を示す模式断面図である。図４（Ａ）は押圧力Ｐ１でダイヤモンドスクライブを行った場合、図４（Ｂ）は押圧力Ｐ２でダイヤモンドスクライブを行った場合、図４（Ｃ）は押圧力Ｐ３でダイヤモンドスクライブを行った場合、図４（Ｄ）は押圧力Ｐ４でダイヤモンドスクライブを行った場合を示す。押圧力Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３，Ｐ４は、Ｐ１＜Ｐ２＜Ｐ３＜Ｐ４の関係である。 FIG. 4 is a schematic cross-sectional view showing the progress of cracks when the pressing force is changed using the configuration of the mother substrate 100 of the present embodiment. 4A shows a case where diamond scribe is performed with a pressing force P 1 , FIG. 4B shows a case where diamond scribe is performed with a pressing force P 2 , and FIG. 4C shows a case where diamond scribe is performed with a pressing force P 3. If you have made, FIG. 4 (D) shows the case of performing a diamond scribe in the pressing force P 4. The pressing forces P 1 , P 2 , P 3 , and P 4 have a relationship of P 1 <P 2 <P 3 <P 4 .

押圧力Ｐ１は低い押圧力であり、クラック１５０Ｐ１は第３非磁性体層１２３を貫通しない。 The pressing force P 1 is a low pressing force, and the crack 150 P 1 does not penetrate the third nonmagnetic material layer 123.

押圧力Ｐ２は押圧力Ｐ１よりも高く、第３非磁性体層１２３の積層方向の破断強度の上限値よりも高い。この場合、クラック１５０Ｐ２は第３非磁性体層１２３を貫通し、第２磁性体層１１２に達する。第２磁性体層１１２は、焼結時の応力によって、積層方向にクラックが入りやすい。したがって、押圧力Ｐ２により、第２磁性体層１１２に達したクラック１５０Ｐ２は第２磁性体層１１２を貫通し、第２非磁性体層１２２の表面まで達する。 The pressing force P 2 is higher than the pressing force P 1 and higher than the upper limit value of the breaking strength in the stacking direction of the third nonmagnetic layer 123. In this case, the crack 150 </ b > P < b > 2 penetrates the third nonmagnetic layer 123 and reaches the second magnetic layer 112. The second magnetic layer 112 tends to crack in the stacking direction due to stress during sintering. Therefore, the pressing force P 2, cracks 150P 2 reaching the second magnetic layer 112 through the second magnetic layer 112 and reaches the surface of the second non-magnetic layer 122.

押圧力Ｐ３は押圧力Ｐ２よりも高い。しかしながら、上述のように、第２非磁性体層１２２は、積層方向のクラックに強いため、積層方向の破断強度の上限値となる押圧力Ｐ３までは、第２非磁性体層１２２内にクラックが進行しない。したがって、押圧力Ｐ３によるクラック１５０Ｐ３は、第２非磁性体層１２２の表面に留まり、第２非磁性体層１２２内まで進行しない。 The pressing force P 3 is higher than the pressing force P 2. However, as described above, the second nonmagnetic layer 122, a strong cracks in the stacking direction, until the pressing force P 3 of the upper limit of the breaking strength of the stacking direction, the second non-magnetic layer 122 Cracks do not progress. Therefore, cracks 150P 3 by the pressing force P 3 remains in the surface of the second non-magnetic layer 122, it does not proceed to the second non-magnetic layer within 122.

押圧力Ｐ４は押圧力Ｐ３よりも高い。そして、この押圧力Ｐ４は、第２非磁性体層２１２の積層方向の破断強度の上限値よりも高い。この場合、クラック１５０Ｐ４は第２非磁性体層１２２を貫通し、第１磁性体層１１１に達する。第１磁性体層１１１は、焼結時の応力によって、積層方向にクラックが入りやすい。したがって、押圧力Ｐ４により、第１磁性体層１１１に達したクラック１５０Ｐ４は第１磁性体層１１１を貫通し、第１非磁性体層１２１の表面まで達する。 The pressing force P 4 is higher than the pressing force P 3. The pressing force P 4 is higher than the upper limit value of the breaking strength of the second nonmagnetic layer 212 in the stacking direction. In this case, the crack 150 </ b> P 4 penetrates the second nonmagnetic layer 122 and reaches the first magnetic layer 111. The first magnetic layer 111 is likely to crack in the stacking direction due to stress during sintering. Therefore, the crack 150P 4 reaching the first magnetic layer 111 by the pressing force P 4 penetrates the first magnetic layer 111 and reaches the surface of the first nonmagnetic layer 121.

このように、本実施形態の積層構造であれば、押圧力Ｐ２から押圧力Ｐ３までの押圧力範囲に設定することで、クラックの進行を、マザー基板１００（積層体）の中間の第２非磁性体層１２２までにすることができる。すなわち、第３非磁性体層１２３の破断強度を超える押圧力以上であって、第２非磁性体層１２２の破断強度と第３非磁性体層１２３の破断強度とを合わせた破断強度、より正確には第２非磁性体層１２２の破断強度と第２磁性体層１１２の破断強度と第３非磁性体層１２３の破断強度とをあわせた破断強度未満とすればよい。 As described above, in the laminated structure of the present embodiment, by setting the pressing force range from the pressing force P 2 to the pressing force P 3 , the progress of cracks is changed to the middle of the mother substrate 100 (laminated body). Up to two nonmagnetic layers 122 can be used. That is, the pressing force exceeds the breaking strength of the third nonmagnetic layer 123, and the breaking strength is a combination of the breaking strength of the second nonmagnetic layer 122 and the breaking strength of the third nonmagnetic layer 123. To be precise, the breaking strength of the second nonmagnetic layer 122, the breaking strength of the second magnetic layer 112, and the breaking strength of the third nonmagnetic layer 123 may be less than the breaking strength.

このような押圧力範囲は、第２非磁性体層１２２が上述のように積層方向に沿ったクラックに対して強いため、広い押圧力範囲に設定することができる。これにより、押圧力の設定範囲を広く取ることができ、押圧力の設定が容易になる。また、この押圧力範囲であれば、クラックを第２非磁性体層１２２までとすることができ、所望とする深さのクラックを安定して形成することができる。   Such a pressing force range can be set to a wide pressing force range because the second nonmagnetic layer 122 is strong against cracks along the stacking direction as described above. Thereby, the setting range of the pressing force can be widened, and the pressing force can be easily set. Moreover, within this pressing force range, the crack can be extended to the second nonmagnetic layer 122, and a crack having a desired depth can be stably formed.

しかしながら、本願発明の構成を用いない場合には、本願発明のように積層方向の途中でクラックの進行を留めることは容易ではない。言い換えれば、積層方向の途中の所望とする位置まで安定してクラックを形成することができない。図５は、他の積層構成を用いて押圧力を変化させた場合のクラックの進行を示す模式断面図である。図５（Ａ）〜図５（Ｄ）は磁性体層１１１Ｘの積層方向の両面にそれぞれ第１非磁性体層１２１、第３非磁性体層１２３が形成されたマザー基板１００Ｘの場合を示す。すなわち、本発明の構成に対して、積層方向の中間の非磁性体層が無い場合を示す。図５（Ｅ）〜図５（Ｈ）は磁性体層１１１Ｙのみから形成されたマザー基板１００Ｙの場合を示す。すなわち、本発明の構成に対して、非磁性体層が無い場合を示す。   However, when the configuration of the present invention is not used, it is not easy to stop the progress of cracks in the stacking direction as in the present invention. In other words, a crack cannot be stably formed up to a desired position in the middle of the stacking direction. FIG. 5 is a schematic cross-sectional view showing the progress of cracks when the pressing force is changed using another laminated structure. FIGS. 5A to 5D show the case of the mother substrate 100X in which the first nonmagnetic material layer 121 and the third nonmagnetic material layer 123 are formed on both surfaces in the stacking direction of the magnetic material layer 111X, respectively. That is, the case where there is no nonmagnetic material layer in the middle of the stacking direction is shown for the configuration of the present invention. FIGS. 5E to 5H show the case of the mother substrate 100Y formed only from the magnetic layer 111Y. That is, the case where there is no nonmagnetic layer is shown for the configuration of the present invention.

図５（Ａ）〜図５（Ｄ）に示すように、中間の非磁性体層が無い場合、第３非磁性体層１２３を貫通する押圧力Ｐ２，Ｐ３，Ｐ４であれば、いずれの場合でも、クラック１５０Ｐ２，１５０Ｐ３，１５０Ｐ４は、磁性体層１１１Ｘを貫通し、第１非磁性体層１２１まで到達してしまう。すなわち、押圧力Ｐ２以上であれば、略分割された状態となってしまう。この場合、クラックの進行方向が不安定になり、きれいな断面が形成できない可能性が高くなる。 As shown in FIG. 5A to FIG. 5D, when there is no intermediate nonmagnetic layer, if the pressing forces P 2 , P 3 , and P 4 penetrate the third nonmagnetic layer 123, In any case, the cracks 150P 2 , 150P 3 , 150P 4 penetrate the magnetic layer 111X and reach the first nonmagnetic layer 121. That is, if the pressing force P 2 or more, resulting in a state of being substantially divided. In this case, the progress direction of the crack becomes unstable, and there is a high possibility that a clean cross section cannot be formed.

図５（Ｅ）〜図５（Ｈ）に示すように、非磁性体層が無い場合、押圧力Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３，Ｐ４に応じてクラック１５０Ｐ１，１５０Ｐ２，１５０Ｐ３，１５０Ｐ４の進行距離は長くなる。しかしながら、磁性体層は積層方向へのクラックに対する強度が高くないため、押圧力とクラックの進行距離とを正確に一致させることができない。すなわち、所望とする深さのクラックを安定して形成することが容易ではない。 As shown in FIGS. 5E to 5H, when there is no non-magnetic layer, cracks 150P 1 , 150P 2 , 150P 3 , depending on the pressing forces P 1 , P 2 , P 3 , P 4 , travel distance of 150P 4 becomes longer. However, since the magnetic layer does not have a high strength against cracks in the stacking direction, the pressing force and the travel distance of the cracks cannot be matched accurately. That is, it is not easy to stably form a crack having a desired depth.

このように製造した積層型インダクタ素子は、図６は、個片化した積層型インダクタ素子１０の模式断面図である。図６に示すように、本実施形態の製造方法を用いれば、積層型インダクタ素子１０の側面、すなわち上述の方法で分割した面は、第３非磁性体層１２３、第２磁性体層１１２、および第２非磁性体層１２２に亘る間の壁面１６２が、クラック１５０によって形成される。また、第２非磁性体層１２２、第１磁性体層１１１、および第１非磁性体層１２１に亘る間の壁面１６１が、外部から曲げ応力による分割工程によって形成される。これらは、外部からの応力によって割れるものであり、フェライトの粒子間の結合が分離されて生じる割れである。したがって、ダイヤモンドスクライブによって粒界を無視して強制的に切断する工法よりも、分割面はあれにくく、表面の形状、品質も良好となる。したがって、きれいに分割された面となり、外形形状も品質も良好な積層型インダクタ素子となる。   FIG. 6 is a schematic cross-sectional view of the multilayer inductor element 10 separated into individual pieces. As shown in FIG. 6, when the manufacturing method of the present embodiment is used, the side surface of the multilayer inductor element 10, that is, the surface divided by the above-described method is the third nonmagnetic material layer 123, the second magnetic material layer 112, A wall surface 162 extending across the second nonmagnetic layer 122 is formed by the crack 150. In addition, the wall surface 161 between the second nonmagnetic layer 122, the first magnetic layer 111, and the first nonmagnetic layer 121 is formed by a dividing process by bending stress from the outside. These cracks are caused by external stress and are caused by separation of the bonds between ferrite particles. Therefore, compared with the method of forcibly cutting by ignoring the grain boundaries by diamond scribing, the divided surface is less likely to be formed, and the surface shape and quality are also improved. Accordingly, the multilayer inductor element has a cleanly divided surface and good external shape and quality.

また、ダイヤモンドスクライバー２００によってクラック１５０を発生させる工程を、マザー基板１００の焼成後に行うことで、従来の第２の工法のように、導体パターンに含まれるＡｇ（銀）等が端面に浮き出すことがない。これにより、異なる層に形成された導体パターン間の不要な短絡を防止できる。   In addition, by performing the process of generating the crack 150 by the diamond scriber 200 after firing the mother substrate 100, Ag (silver) or the like contained in the conductor pattern is raised on the end face as in the second conventional method. There is no. Thereby, an unnecessary short circuit between conductor patterns formed in different layers can be prevented.

また、クラック１５０が積層方向の中間位置まで進行していることで、分割工程において、マザー基板１００を容易に分割することができる。外部からの曲げ応力によって予期しない形状で分割されることを抑制することができる。   Moreover, since the crack 150 has advanced to the intermediate position in the stacking direction, the mother substrate 100 can be easily divided in the dividing step. It can suppress that it is divided | segmented by the unexpected shape by the bending stress from the outside.

なお、製造ばらつきにより、ダイヤモンドスクライバー２００を第３非磁性体層１２３の表面に接触させる位置（スクライブ位置）と、溝１４０の位置とが、マザー基板１００を平面視して（積層方向に沿って見て）、一致しない場合がある。図７（Ａ），（Ｂ）は、スクライブ位置と溝１４０の位置が一致しない場合のクラックの進行の仕方を説明する図である。図７（Ａ），（Ｂ）に示すように、第３非磁性体層１２３、第２磁性体層１１２に生じるクラック１５１，１５３は、スクライブ位置から積層方向に沿って略真っ直ぐに進行する。このため、クラック１５１，１５３の第２非磁性体層１２２側の端点の位置は、マザー基板１００を平面視して（積層方向に沿って見て）、溝１４０の位置と一致しない。   Note that the position at which the diamond scriber 200 is brought into contact with the surface of the third non-magnetic layer 123 (the scribe position) and the position of the groove 140 due to manufacturing variations are determined in plan view of the mother substrate 100 (along the stacking direction). See) and may not match. FIGS. 7A and 7B are diagrams for explaining how a crack progresses when the scribe position and the position of the groove 140 do not coincide with each other. As shown in FIGS. 7A and 7B, the cracks 151 and 153 generated in the third nonmagnetic layer 123 and the second magnetic layer 112 proceed substantially straight from the scribe position along the stacking direction. For this reason, the positions of the end points of the cracks 151 and 153 on the second nonmagnetic layer 122 side do not coincide with the positions of the grooves 140 when the mother substrate 100 is viewed in plan (as viewed in the stacking direction).

このような状態でマザー基板１００を分割すると、分割によるクラック１５２は、クラック１５１の第２非磁性体層１２２側の端点から、溝１４０に向かって進行する。同様に、分割によるクラック１５４は、クラック１５３の第２非磁性体層１２２側の端点から、溝１４０に向かって進行する。すなわち、積層型インダクタ素子の端面（分割面）は、第２非磁性体層１２２を境界にして屈曲する構造となる。しかしながら、本発明の製造方法を用いることで、フェライトの粒界は破壊されないので、きれいな断面を得ることできる。このように、第２非磁性体層１２２を境界に端面が屈曲する形状は、上述の製造方法を用いることで特徴的に現れるものであり、逆に第２非磁性体層１２２を境界に端面が屈曲する積層型インダクタ素子であれば、上述の製造方法で製造したものと推定でき、上述の製造方法で得られる積層型インダクタ素子としての利点を有することができる。   When the mother substrate 100 is divided in such a state, the crack 152 due to the division advances from the end point of the crack 151 on the second nonmagnetic material layer 122 side toward the groove 140. Similarly, the crack 154 caused by the division proceeds from the end point on the second nonmagnetic layer 122 side of the crack 153 toward the groove 140. That is, the end face (divided face) of the multilayer inductor element has a structure that bends with the second nonmagnetic layer 122 as a boundary. However, by using the manufacturing method of the present invention, since the ferrite grain boundaries are not destroyed, a clean cross section can be obtained. As described above, the shape in which the end face bends with the second nonmagnetic layer 122 as a boundary appears characteristically by using the above-described manufacturing method, and conversely, the end face with the second nonmagnetic layer 122 as a boundary. If the multilayer inductor element is bent, it can be presumed that the multilayer inductor element is manufactured by the above-described manufacturing method, and it can have an advantage as a multilayer inductor element obtained by the above-described manufacturing method.

上述の説明では、第２非磁性体層１２２が積層方向の略中央にある場合を示した。しかしながら、第２非磁性体層１２２の位置は、必要とするクラックの深さに応じて適宜設定すればよい。図８は、第２非磁性体層１２２の位置を変化させたマザー基板１００Ａの模式断面図である。マザー基板１００Ａは、上述のマザー基板１００に対して第１磁性体層１１１Ａが厚く、第２磁性体層１１２Ａが薄くなっている。このような構成では、上述のようにダイヤモンドスクライバー２００の押圧力を第２、第３非磁性体層１２２，１２３の破断強度に応じて設定することで、クラック１５０Ａを、マザー基板１００のクラック１５０よりも浅くすることができる。すなわち、積層方向の中間にある非磁性体層の位置を変化させることで、ダイヤモンドスクライバー２００によるクラックの深さを可変することができる。なお、このように積層方向の中間にある非磁性体層の位置を変化させたとしても、積層型インダクタ素子の電気的特性には殆ど変化がないことは、発明者によって実験的確認している。   In the above description, the case where the second nonmagnetic material layer 122 is substantially at the center in the stacking direction is shown. However, the position of the second nonmagnetic layer 122 may be set as appropriate according to the required crack depth. FIG. 8 is a schematic cross-sectional view of the mother substrate 100A in which the position of the second nonmagnetic layer 122 is changed. In the mother substrate 100A, the first magnetic layer 111A is thicker and the second magnetic layer 112A is thinner than the mother substrate 100 described above. In such a configuration, the crack 150 </ b> A is changed to the crack 150 of the mother substrate 100 by setting the pressing force of the diamond scriber 200 according to the breaking strength of the second and third nonmagnetic layers 122 and 123 as described above. Can be shallower. In other words, the crack depth by the diamond scriber 200 can be varied by changing the position of the nonmagnetic layer in the middle of the stacking direction. It has been experimentally confirmed by the inventor that the electrical characteristics of the multilayer inductor element hardly change even if the position of the nonmagnetic layer in the middle of the stacking direction is changed in this way. .

これにより、積層型インダクタ素子としての特性を変化させることなく、マザー基板の厚みに応じた適正な位置（分割しやすく、きれいに個片化できる位置）までクラックを進行させるようにすることができる。   Thereby, the crack can be advanced to an appropriate position (position that can be easily divided and neatly separated) according to the thickness of the mother substrate without changing the characteristics as the multilayer inductor element.

また、上述の説明では、中間の非磁性体層を一層だけ設けた場合を示したが、二層以上設けてもよい。図９は中間の非磁性体層を二層も受けたマザー基板１００Ｂの模式断面図である。   In the above description, the case where only one intermediate nonmagnetic layer is provided is shown, but two or more layers may be provided. FIG. 9 is a schematic cross-sectional view of a mother substrate 100B that has received two intermediate nonmagnetic layers.

マザー基板１００Ｂは、第１非磁性体層１２１、第１磁性体層１１１Ｂ、第４非磁性体層１２２Ｂ２、第３磁性体層１１３Ｂ、第２非磁性体層１２２Ｂ１、第２磁性体層１１２Ｂ、第３非磁性体層１２３の順に積層された積層体からなる。第１磁性体層１１１Ｂ、第２磁性体層１１２Ｂ、第３磁性体層１１３Ｂには、インダクタとなる導体パターンが形成されている。   The mother substrate 100B includes a first nonmagnetic layer 121, a first magnetic layer 111B, a fourth nonmagnetic layer 122B2, a third magnetic layer 113B, a second nonmagnetic layer 122B1, a second magnetic layer 112B, It consists of the laminated body laminated | stacked in order of the 3rd nonmagnetic material layer 123. FIG. Conductor patterns serving as inductors are formed on the first magnetic layer 111B, the second magnetic layer 112B, and the third magnetic layer 113B.

この状態において、ダイヤモンドスクライバー２００の押圧力を第２非磁性体層１２２Ｂ１に到達する程度に設定する。この場合、殆どのクラックは、図９のクラック１５０Ｂ１に示すように、第２非磁性体層１２２Ｂ１の表面で進行が停止する。ここで、例えば、製造ばらつき等によって押圧力が強くなった場合に、図９のクラック１５０Ｂ２に示すように、第２非磁性体層１２２Ｂ１を貫通することがある。しかしながら、第３非磁性体層１２２Ｂ２を設けておくことで、クラック１５０Ｂ２の進行を第３非磁性体層１２２Ｂ２の表面で停止させることができる。すなわち、所定の押圧力範囲であれば、クラックが積層方向の全長に亘って進行することを防止できる。   In this state, the pressing force of the diamond scriber 200 is set so as to reach the second nonmagnetic layer 122B1. In this case, the progress of most cracks stops on the surface of the second nonmagnetic layer 122B1 as indicated by the crack 150B1 in FIG. Here, for example, when the pressing force becomes strong due to manufacturing variation or the like, the second nonmagnetic layer 122B1 may be penetrated as shown by the crack 150B2 in FIG. However, by providing the third nonmagnetic layer 122B2, the progress of the crack 150B2 can be stopped on the surface of the third nonmagnetic layer 122B2. That is, if it is a predetermined pressing force range, it can prevent that a crack progresses over the full length of the lamination direction.

これにより、より確実にクラックの進行を積層方向の中間位置までにすることができる。   Thereby, advancing of a crack can be more reliably made to the intermediate position of the lamination direction.

１０：積層型インダクタ素子、
１００，１００Ａ，１００Ｂ：マザー基板、
１１１，１１１Ａ，１１１Ｂ：第１磁性体層、
１１２，１１２Ａ，１１２Ｂ：第２磁性体層、
１１３Ｂ：第３磁性体層、
１２１：第１非磁性体層、
１２２，１２２Ｂ１：第２非磁性体層、
１２３：第３非磁性体層、
１２２Ｂ２：第４非磁性体層、
１３０：導体パターン、
１４０，１４１：溝、
１５０，１５０Ａ，１５０Ｂ１，１５０Ｂ２，１５１，１５２，１５３，１５４：クラック、
１６０：切り込み溝、
２００：ダイヤモンドスクライバー 10: multilayer inductor element,
100, 100A, 100B: Mother board,
111, 111A, 111B: first magnetic layer,
112, 112A, 112B: second magnetic layer,
113B: third magnetic layer,
121: a first nonmagnetic layer,
122, 122B1: second nonmagnetic layer,
123: the third nonmagnetic layer,
122B2: a fourth nonmagnetic layer,
130: Conductor pattern,
140, 141: groove,
150, 150A, 150B1, 150B2, 151, 152, 153, 154: cracks,
160: notch groove,
200: Diamond scriber

Claims (3)

磁性体シートを含む複数の絶縁性シートに対して導体パターンおよび内部配線パターンを形成する工程と、
前記絶縁性シートと、前記磁性体シートよりも線膨張係数の小さい非磁性体シートとを用いて、前記非磁性体シートを備える第１非磁性体層、前記磁性体シートを備える第１磁性体層、前記非磁性体シートを備える第２非磁性体層、前記磁性体シートを備える第２磁性体層、および前記非磁性体シートを備える第３非磁性体層を順に積層し、前記導体パターンを接続することでインダクタを形成し、該インダクタ内蔵型の積層体を形成する工程と、を有する積層型インダクタ素子の製造方法であって、
前記積層体は、複数のインダクタが配列されたマザー基板であり、
前記マザー基板の前記第１非磁性体層の表面に、該第１非磁性体層内に収まる深さからなる溝を、前記複数のインダクタを区分する境界に沿って、焼成前に形成する工程と、
焼成後の前記マザー基板の前記第３非磁性体層の表面側から、前記境界に略沿って所定の押圧力でスクライブ手段を接触させ、部分的なクラックを形成する工程と、
クラック形成後の前記マザー基板に対して外部から応力を加えることにより、個片の積層型インダクタ素子に分割する工程と、を有することを特徴とする積層型インダクタ素子の製造方法。 Forming a conductor pattern and an internal wiring pattern for a plurality of insulating sheets including a magnetic sheet; and
Using the insulating sheet and a nonmagnetic sheet having a smaller linear expansion coefficient than the magnetic sheet, a first nonmagnetic layer provided with the nonmagnetic sheet, and a first magnetic body provided with the magnetic sheet A layer, a second non-magnetic layer including the non-magnetic sheet, a second magnetic layer including the magnetic sheet, and a third non-magnetic layer including the non-magnetic sheet, and the conductor pattern Forming a inductor by connecting, and forming a multilayer body with a built-in inductor, and a method of manufacturing a multilayer inductor element,
The laminated body is a mother board in which a plurality of inductors are arranged,
Forming a groove having a depth that fits in the first nonmagnetic layer on the surface of the first nonmagnetic layer of the mother substrate, along a boundary that separates the plurality of inductors, before firing; When,
From the surface side of the third nonmagnetic layer of the mother substrate after firing, a step of bringing a scribe means into contact with a predetermined pressing force substantially along the boundary to form a partial crack;
And a step of applying a stress to the mother substrate after the crack formation from the outside to divide the mother substrate into individual multilayer inductor elements. 前記部分的なクラックを形成する工程は、前記クラックが前記第２非磁性体層に達する押圧力で前記スクライブ手段を接触させている、請求項１に記載の積層型インダクタ素子の製造方法。   2. The method for manufacturing a multilayer inductor element according to claim 1, wherein in the step of forming the partial crack, the scribe means is brought into contact with a pressing force at which the crack reaches the second nonmagnetic layer. 前記積層体を形成する工程は、
前記第１磁性体層と前記第２非磁性体層との間に、前記磁性体シートを備える第３磁性体層、前記非磁性体シートを備える第４非磁性体層を、さらに積層する、請求項１または請求項２に記載の積層型インダクタ素子の製造方法。 The step of forming the laminate includes
A third magnetic layer including the magnetic sheet and a fourth nonmagnetic layer including the nonmagnetic sheet are further stacked between the first magnetic layer and the second nonmagnetic layer; The manufacturing method of the multilayer inductor element of Claim 1 or Claim 2.
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