JP5459210B2 - ワイヤグリッド型偏光子およびその製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、ワイヤグリッド型偏光子およびその製造方法に関する。

液晶表示装置、リアプロジェクションテレビ、フロントプロジェクター等の画像表示装置に用いられる、可視光領域で偏光分離能を示す偏光子（偏光分離素子ともいう。）としては、吸収型偏光子および反射型偏光子がある。
吸収型偏光子は、たとえば、ヨウ素等の二色性色素を樹脂フィルム中に配向させた偏光子である。しかし、吸収型偏光子は、一方の偏光を吸収するため、光の利用効率が低い。

一方、反射型偏光子は、偏光子に入射せずに反射した光を偏光子に再入射させることにより、光の利用効率を上げることができる。そのため、液晶表示装置等の高輝度化を目的として反射型偏光子のニーズが高まっている。
反射型偏光子としては、複屈折樹脂積層体からなる直線偏光子、コレステリック液晶からなる円偏光子、ワイヤグリッド型偏光子がある。
しかし、直線偏光子および円偏光子は、偏光分離能が低い。そのため、高い偏光分離能を示すワイヤグリッド型偏光子が注目されている。

ワイヤグリッド型偏光子は、光透過性基板上に複数の金属細線が互いに平行に配列した構造を有する。金属細線のピッチが入射光の波長よりも充分に短い場合、入射光のうち、金属細線に直交する電場ベクトルを有する成分（すなわちｐ偏光）は透過し、金属細線と平行な電場ベクトルを有する成分（すなわちｓ偏光）は反射される。

可視光領域で偏光分離能を示すワイヤグリッド型偏光子としては、下記のものが知られている。
（１）光透過性基板上に所定のピッチで金属細線が形成されたワイヤグリッド型偏光子（特許文献１）。
（２）光透過性基板の表面に所定のピッチで形成された複数の凸条の上面および側面が、金属または金属化合物からなる材料膜で被覆されて金属細線をなしているワイヤグリッド型偏光子（特許文献２）。
しかし、（１）、（２）のワイヤグリッド型偏光子ともには、偏光分離能がいまだ不充分である。

また、明所コントラストが改善されたワイヤグリッド型偏光子としては、下記のものが知られている。
（３）光透過性基板上に所定のピッチで金属細線および低反射率部材（ＳｉＯ_２等。）が形成されたワイヤグリッド型偏光子（特許文献３）。
しかし、（３）のワイヤグリッド型偏光子は、短波長領域での透過率が不充分である。

特開２００５−０７０４５６号公報 特開２００６−００３４４７号公報 特開２００８−０４６６３７号公報

本発明は、可視光領域において高い偏光分離能を示し、かつ短波長領域の透過率が向上したワイヤグリッド型偏光子、および該ワイヤグリッド型偏光子を容易に製造できる方法を提供する。

本発明のワイヤグリッド型偏光子は、表面に複数の凸条が互いに平行にかつ所定のピッチで形成されている光透過性基板と、前記凸条の少なくとも頂部とさらに凸条の側面の全面に存在する、金属酸化物からなる下地層と、前記下地層の表面上でかつ凸条の少なくとも頂部とさらに凸条の側面の面積の７０％以上において存在する金属層からなる金属細線とを有することを特徴とする。
金属層は、さらに凸条の側面の全面に存在していてもよい。
下地層は、さらに、凸条間の光透過性基板表面に存在していてもよい。
金属細線の幅（Ｄａ）、凸条のピッチ（Ｐｐ）および凸条の幅（Ｄｐ）は、下式（５）を満足することが好ましい。
Ｄａ−Ｄｐ≦０．４×（Ｐｐ−Ｄｐ） ・・・（５）。

前記金属酸化物は、ＳｉＯ_２またはＴｉＯ_２であることが好ましい。
前記下地層の凸条の頂部における高さは１〜２０ｎｍであることが好ましい。
前記金属層の凸条の頂部における高さは、３０ｎｍ以上であることが好ましい。
さらに、金属細線のピッチ（Ｐａ）は、５０〜２００ｎｍであり、金属細線の幅（Ｄａ）とピッチ（Ｐａ）の比（Ｄａ／Ｐａ）は、０．１〜０．６であることが好ましい。

本発明のワイヤグリッド型偏光子の製造方法は、表面に複数の凸条が互いに平行にかつ所定のピッチで形成されている光透過性基板の凸条の少なくとも頂部とさらに凸条の側面の全面に金属酸化物を蒸着して金属酸化物からなる下地層を形成し、次いで、前記下地層の表面上でかつ凸条の少なくとも頂部とさらに凸条の側面の面積の７０％以上に金属を蒸着して金属層を形成して金属細線とすることを特徴とする。
前記下地層は、真空蒸着法を使用した斜方蒸着法で凸条の少なくとも頂部に形成されることが好ましい。

また、前記下地層は、凸条の全表面および凸条間の光透過性基板表面に形成されることが好ましく、この場合、下地層はスパッタ法で形成されることがさらに好ましい。
金属層は、凸条の側面の全面および凸条の頂部に形成に形成されることが好ましい。
金属細線の幅（Ｄａ）、凸条のピッチ（Ｐｐ）および凸条の幅（Ｄｐ）は、下式（５）を満足することが好ましい。
Ｄａ−Ｄｐ≦０．４×（Ｐｐ−Ｄｐ） ・・・（５）。

また、前記金属層は、真空蒸着法を使用した斜方蒸着法で形成されることが好ましい。
前記金属層が真空蒸着法を使用した斜方蒸着法で形成される場合は、下記の条件で形成されることが好ましい。
（Ａ）凸条の長さ方向に対して略直交し、かつ凸条の高さ方向に対して角度θ^Ｒをなす方向から金属を蒸着する。
（Ｂ）凸条の長さ方向に対して略直交し、かつ凸条の高さ方向に対して前記角度θ^Ｒとは反対側に角度θ^Ｌをなす方向から金属を蒸着する。
（Ｃ）前記条件（Ａ）による蒸着および前記条件（Ｂ）による蒸着を交互に、前記条件（Ａ）による蒸着をｍ回（ただし、ｍは１以上である。）、前記条件（Ｂ）による蒸着をｎ回（ただし、ｎは１以上である。）、合計（ｍ＋ｎ）で３回以上行う。
（Ｄ）前記条件（Ａ）によるｍ回の蒸着のうちの１回目の蒸着における角度θ^Ｒは、下式（IV）を満足し、前記条件（Ｂ）によるｎ回の蒸着のうちの１回目の蒸着における角度θ^Ｌは、下式（Ｖ）を満足する。
１５゜≦θ^Ｒ≦４５゜ ・・・（IV）、
１５゜≦θ^Ｌ≦４５゜ ・・・（Ｖ）。
（Ｅ）前記ｍが２以上の場合、ｉ回目（ただし、ｉ＝２〜ｍである。）のθ^Ｒ _ｉと（ｉ−１）回目のθ^Ｒ _{（ｉ−１）}とは、下式（VI）を満足し、前記ｎが２以上の場合、ｊ回目（ただし、ｊ＝２〜ｎである。）のθ^Ｌ _ｊと（ｊ−１）回目のθ^Ｌ _{（ｊ−１）}とは、下式（VII）を満足する。
θ^Ｒ _ｉ≦θ^Ｒ _{（ｉ−１）} ・・・（VI）、
θ^Ｌ _ｊ≦θ^Ｌ _{（ｊ−１）} ・・・（VII）。

本発明のワイヤグリッド型偏光子は、可視光領域において高い偏光分離能を示し、かつ短波長領域の透過率が向上する。
本発明のワイヤグリッド型偏光子の製造方法によれば、可視光領域において高い偏光分離能を示し、かつ短波長領域の透過率が向上したワイヤグリッド型偏光子を容易に製造できる。

本発明のワイヤグリッド型偏光子の第１の実施形態を示す斜視図である。 本発明のワイヤグリッド型偏光子の第２の実施形態を示す斜視図である。 本発明のワイヤグリッド型偏光子の第３の実施形態を示す斜視図である。 光透過性基板の一例を示す斜視図である。

＜ワイヤグリッド型偏光子＞
本発明のワイヤグリッド型偏光子は、表面に複数の凸条が互いに平行にかつ所定のピッチで形成されている光透過性基板と、凸条の少なくとも頂部に存在する金属酸化物からなる下地層と、下地層表面上でかつ凸条の少なくとも頂部に存在する金属層からなる金属細線とを有するものである。凸条の少なくとも頂部に存在する金属層は凸条の長さ方向に伸びた線状をなしていることより、ワイヤグリッド型偏光子を構成する金属細線に相当する。
なお、本発明における凸条、下地層および金属層の各寸法は、ワイヤグリッド型偏光子の断面の走査型電子顕微鏡像または透過型電子顕微鏡像において測定したものをいう。

（光透過性基板）
光透過性基板は、ワイヤグリッド型偏光子の使用波長範囲において光透過性を有する基板である。光透過性とは、光を透過することを意味し、使用波長範囲は、具体的には、４００ｎｍ〜８００ｎｍの範囲である。

本発明において凸条とは、光透過性基板の表面から立ち上がり、かつその立ち上がりが一方向に伸びている部分をいう。凸条は光透過性基板の表面と一体で光透過性基板の表面部分と同じ材料からなっていてもよく、光透過性基板の表面部分と異なる光透過性材料からなっていてもよい。凸条は光透過性基板の表面と一体で、かつ光透過性基板の表面部分と同じ材料からなっていることが好ましく、光透過性基板の少なくとも表面部分を成形することにより形成された凸条であることが好ましい。

凸条は、その長さ方向と光透過性基板の主表面とに直交する方向の断面の形状が長さ方向にわたってほぼ一定であり、複数の凸条においてもそれらの断面形状はすべてほぼ一定であることが好ましい。前記断面形状は、光透過性基板の表面から高さ方向にほぼ一定の幅を保って立ち上がっている形状、または光透過性基板の表面から高さ方向に幅が減少しながら立ち上がっている形状であることが好ましい。光透過性基板の表面から高さ方向にほぼ一定の幅を有して立ち上がり、その後、幅が減少しながら立ち上がっている形状であってもよい。具体的な断面形状としては、たとえば、矩形、台形、三角形、半円形、半楕円形、矩形上部が半円形となった形状等が挙げられる。

本発明において、凸条の頂部とは、前記断面形状の最も高い部分が長さ方向に連なった部分を意味する。凸条の頂部は面であっても線であってもよい。たとえば、断面形状が矩形や台形の場合には頂部は面をなし、断面形状が三角形や半円形の場合には頂部は線をなす。本発明において、凸条の頂部以外の表面を（凸条の）側面という。なお、隣接する２つの凸状間の面（隣接する２つの凸条から形成される溝の底面）は凸条の表面ではなく、（凸条間の）光透過性基板表面とみなす。

光透過性基板の原料または材料としては、光硬化樹脂、熱可塑性樹脂、ガラス等が挙げられ、後述するインプリント法にて凸条を形成できる点から、光硬化樹脂または熱可塑性樹脂が好ましく、光インプリント法にて凸条を形成できる点および耐熱性および耐久性に優れる点から、光硬化樹脂が特に好ましい。光硬化樹脂としては、生産性の点から、光ラジカル重合により光硬化しうる光硬化性組成物を光硬化して得られる光硬化樹脂が好ましい。

光硬化性組成物としては、光硬化後の硬化膜の水に対する接触角が９０°以上となるものが好ましい。該硬化膜の水に対する接触角が９０°以上であれば、光インプリント法により凸条を形成する際、モールドとの離型性がよくなり、精度の高い転写が可能となり、得られるワイヤグリッド型偏光子が目的とする性能を充分に発揮できる。また、この接触角が高くても下地層の付着には支障がない。

凸条を有する領域において光透過性基板の厚さ（凸条の高さを含む）は０．５〜１０００μｍが好ましく、１〜４０μｍがより好ましい。また、凸条を有する領域において凸条の高さを除いた光透過性基板の厚さは０．３μｍ以上が好ましく、０．５μｍ以上がより好ましい。凸条を有する領域以外の光透過性基板の厚さは、上記凸条を有する領域において光透過性基板の厚さ（凸条の高さを含む）とほぼ等しい厚さ、すなわち０．５〜１０００μｍが好ましく、１〜４０μｍがより好ましい。

凸条の高さは３０〜５００ｎｍが好ましく、５０〜３００ｎｍがより好ましい。この高さを３０ｎｍ以上とすることにより、凸条の表面への下地層の選択的な形成が容易となる。この高さを５００ｎｍ以下とすることにより、ワイヤグリッド型偏光子の偏光度の入射角度依存性が小さくなる。また、凸条の高さは、蒸着によって金属層を形成しやすい点から、８０〜２７０ｎｍが特に好ましい。

（下地層）
下地層は、金属酸化物からなる層である。金属層が下地層の表面上に存在している必要があることより、下地層は凸条の少なくとも頂部に存在し、さらに、金属層が凸条の頂部以外にさらに凸条の側面にも存在している場合は、その金属層が存在する側面にも存在する。また、下地層は金属層が存在しない凸条の側面に存在していてもよく、さらに凸条間の光透過性基板の表面に存在していてもよい。下地層は、凸条の全面に存在することが好ましく、さらには凸条の全面と凸条間の光透過性基板の表面とに存在することがより好ましい。すなわち、凸条が存在する光透過性基板表面の全面に下地層が存在していることがより好ましい。

金属酸化物としては、ＳｉＯ_２、Ａｌ_２Ｏ_３、ＴｉＯ_２、ＺｒＯ_２、ＳｎＯ_２等が挙げられる。特に、ワイヤグリッド型偏光子が短波長領域で高い透過率を示す点から、ＳｉＯ_２またはＴｉＯ_２が特に好ましい。また、Ａｌ_２Ｏ_３、ＴｉＯ_２、ＺｒＯ_２等の高屈折率材料からなる下地層の場合、金属層に被覆されていない下地層の表面と空気や光透過性基板材料との界面における屈折率差が大きくなり、短波長領域における透過率をさらに高めることができる。

下地層の厚さは実質的に均一な厚さであってもよく、部分的に異なる厚さを有していてもよい。たとえば、凸条の頂部、凸条の側面および凸条間の光透過性基板の表面における厚さはそれぞれ異なっていてもよい。たとえば、凸条の頂部の下地層の厚さを他の表面の下地層の厚さよりも厚いものとすることができる。なお、凸条の頂部における下地層の厚さは、凸条の高さ方向の厚さをいい、以下、凸条の頂部における下地層の厚さを高さということもある。

凸条の頂部における下地層の高さ（凸条の高さ方向の厚さ）は、１〜２０ｎｍであることが好ましく、２〜１５ｎｍであることが特に好ましい。この高さが１ｎｍ以上であれば、金属細線の膜質が向上し、ワイヤグリッド型偏光子のｐ偏光透過率が向上する。この高さが２０ｎｍ以下であれば、光透過性基板との干渉による波長分散が抑えられ、ワイヤグリッド型偏光子のｐ偏光透過率が向上する。凸条の側面における下地層の厚さは、通常、凸条の頂部における下地層の高さと等しいかそれ以下の厚さである。凸条の側面における下地層の厚さは頂部から下方に徐々に薄くなっていてもよい。凸条の頂部以外の下地層の厚さは、凸条の頂部の下地層の高さと等しいかそれ以下であって、場所によらずほぼ均一な厚さを有することがより好ましく、その厚さは１ｎｍ以上であることが好ましい。

下地層は、蒸着法で形成されることが好ましい。蒸着法としては、物理蒸着法（ＰＶＤ）や化学蒸着法（ＣＶＤ）が挙げられ、そのうちでも真空蒸着法、スパッタ法、イオンプレーティング法等の蒸着法が好ましい。特に、真空蒸着法またはスパッタ法が好ましい。真空蒸着法は付着させる微粒子の光透過性基板に対する入射方向を制御することが容易であり、後述の斜方蒸着法を行うことが容易である。一方、スパッタ法は微粒子の入射方向がランダムになりやすく、凹凸のある表面に均一な厚さの薄膜を形成する方法として適している。したがって、凸条の頂部のみや凸条の頂部と側面に選択的に下地層を形成する場合には真空蒸着法の使用が好ましく、凸条が存在する光透過性基板の表面の全面に下地層を形成する場合にはスパッタ法の使用が好ましい。なお、スパッタ法としては反応スパッタ法（たとえば、金属ターゲットを使用し、酸素含有ガス中でスパッタを行い金属酸化物層を形成する、等の方法）を使用することもできる。また、スパッタ法のうちでも特に高真空雰囲気を使用するスパッタ法（たとえば、マグネトロンスパッタ法等）では入射方向を制御することが比較的容易であることより、前記真空蒸着法に代えて下地層の形成に使用することもできる。なお、以下の説明においてスパッタ法とは、特に言及しない限り、汎用の直流スパッタ法や高周波スパッタ法をいう。

スパッタ法等の高エネルギー微粒子を生成させて該微粒子を凸条の表面に付着させる方法においては、凸条の表面が高エネルギー微粒子の衝突により侵食されることがある。たとえば、断面形状が矩形である凸条においてはその角部が侵食されて丸まることがある。さらには、凸条の幅が減少する、凸条の高さが低下する等の場合がある。特に、凸条の材料が樹脂等の比較的軟質の材料である場合にこのような侵食が起こりやすい。また、高エネルギー微粒子の衝突が多い凸条の上部ほどこのような侵食が起こりやすいと考えられる。したがって、スパッタ法等による下地層の形成の結果、凸条の形状は下地層の形成前の形状とは異なる形状となる場合がある。しかし、その形状変化は極端にならない限り許容される。ワイヤグリッド型偏光子は基本的にその金属細線の幅とピッチによりその機能が発揮されるものであり、所定の幅とピッチを有する金属細線が形成される限り、光透過性基板の凸条の形状の機能に対する影響は少ないからである。

（金属細線）
本発明のワイヤグリッド型偏光子において、金属細線は凸条の表面上の金属層から構成されている。金属層は、下地層の表面上でかつ凸条の少なくとも頂部に存在する。金属層は凸条の頂部とさらに凸条の側面に存在していてもよく、この場合、凸条の頂部と凸条の側面に存在する金属層は連続しているのが通例である。金属層が側面に存在する場合、片方の側面に存在してもよく、両方の側面に存在してもよい。凸条の側面の金属層は凸条の所定の高さよりも上方に存在していてもよく、側面の全面に存在していてもよい。金属層は凸条間の光透過性基板の表面には存在しないが、側面の全面に金属層が存在する場合には光透過性基板の表面と凸条の側面が接する部分（凸条の立ち上がり部）に多少の側面の金属層のはみ出しがあってもよい。

金属層が凸条の頂部に存在することによりワイヤグリッド型偏光子の機能を発揮することができる。加えて、金属層が凸条の側面に存在することにより、光透過性基板の裏面（金属細線が存在しない主表面）から入射するｓ偏光が吸収され、ワイヤグリッド型偏光子が裏面側から入射する光に対して低いｓ偏光反射率を示す。さらに、側面の全面に金属層が存在することにより、光透過性基板の表面から入射するｓ偏光が効率よく反射され、ワイヤグリッド型偏光子が高い偏光分離能を示す。
また、金属層が下地層の表面に形成されることより、金属層の形成時に金属材料が結晶化することによる微小金属粒子の生成が抑制される。これにより、微小金属粒子の存在を原因とする光の吸収が低減されてワイヤグリッド型偏光子の透過率が向上する。

凸条の頂部における金属層の高さ（凸条の高さ方向の厚さ）は、３０ｎｍ以上であることが好ましい。この高さが３０ｎｍ以上であれば、ｓ偏光透過が（特に短波長領域において）抑えられ、ワイヤグリッド型偏光子が充分に高い偏光分離能を示す。凸条の頂部における金属層の高さが高すぎると、回折現象や金属層の結晶化が生じてワイヤグリッド型偏光子の透過率が低下するおそれがあり、また、金属層の形成が困難となることより、その上限は２００ｎｍであることが好ましい。凸条の頂部における金属層の高さは、特に４０〜１５０ｎｍであることが好ましい。

凸条の側面における金属層の厚さ（下地層の表面からの厚さ）は、通常、凸条の頂部における金属層の高さと等しいかそれ以下の厚さである。凸条の側面における金属層の厚さは頂部から下方に徐々に薄くなっていてもよい。
凸条の側面を被覆する金属層は、凸条の側面の面積の５０％以上において存在することが好ましく、６０％以上がより好ましく、７０％以上がさらに好ましく、１００％が特に好ましい。側面を被覆している金属層の面積が広くなり、ワイヤグリッド型偏光子の裏面側から入射するｓ偏光が効率よく吸収されるため、裏面側から入射する光に対してさらに低いｓ偏光反射率を示す。また、金属層が凸条の側面の面積の１００％を占める場合には、光透過性基板の表面から入射するｓ偏光が効率よく反射され、ワイヤグリッド型偏光子が高い偏光分離能を示す。

ワイヤグリッド型偏光子の基本的機能は金属細線の幅とピッチ（金属細線の幅方向の繰り返し距離）で決まる。金属細線の幅（金属細線の長さ方向に直行する方向の幅）は、光の入射方向（光透過性基板の主表面に垂直な方向）から見た金属層の幅であり、光透過性基板の凸条の幅よりも狭いことも広いこともある。たとえば、凸条の頂部が平面である場合その頂部の幅よりも広い幅の金属層を形成することができ、凸条の頂部が線状である場合その頂部と側面に金属層を形成して幅のある金属層とすることができる。凸条の頂部が平面である場合、通常その平面の幅に等しいかその幅よりも多少広い幅の金属層であることが好ましい。なお、金属細線のピッチは凸条のピッチに等しい。

金属細線の幅をＤａ、ピッチをＰａで表すと、ＤａとＰａの比（Ｄａ／Ｐａ）は０．１〜０．６が好ましく、０．２〜０．５がより好ましい。Ｄａ／Ｐａを０．１以上とすることにより、ワイヤグリッド型偏光子が表面（金属細線が形成されている面）側から入射する光に対してさらに高い偏光度を示す。Ｄａ／Ｐａを０．６以下とすることにより、ｐ偏光透過率がより高くなる。

ピッチ（Ｐａ）は、３００ｎｍ以下が好ましく、５０〜２００ｎｍがより好ましい。Ｐａを３００ｎｍ以下とすることにより、ワイヤグリッド型偏光子が充分に高い反射率、および４００ｎｍ付近の短波長領域においても充分に高い偏光分離能を示す。また、回折による着色現象が抑えられる。
金属細線の幅（Ｄａ）は、１０〜１２０ｎｍであることがさらに好ましく、さらに蒸着による金属層形成の容易さを考慮すると３０〜１００ｎｍが特に好ましい。なお、下地層を含めた凸条の最大幅は、金属細線の幅（Ｄａ）と等しいかそれ以下であることが好ましい。

金属層の材料は、充分な導電性を有する金属材料であればよいが、導電性以外に耐蝕性等の特性も考慮された材料であることが好ましい。金属材料としては、金属単体、合金、ドーパントや所定量以下の不純物を含有した金属等が挙げられる。たとえば、アルミニウム、銀、クロム、マグネシウム、アルミニウム系合金、銀系合金等が挙げられる。また、炭素等の非金属元素をドーパント等として含む金属も使用できる。可視光に対する反射率が高く、可視光の吸収が少なく、かつ高い導電率を有する点から、アルミニウム、アルミニウム系合金、銀、クロム、マグネシウムが好ましく、アルミニウムやアルミニウム系合金が特に好ましい。

金属層は、蒸着法で形成されることが好ましい。蒸着法としては、物理蒸着法（ＰＶＤ）や化学蒸着法（ＣＶＤ）が挙げられ、そのうちでも真空蒸着法、スパッタ法、イオンプレーティング法等の蒸着法が好ましい。金属層の形成は、特に、真空蒸着法が好ましい。真空蒸着法は付着させる微粒子の光透過性基板に対する入射方向を制御することが容易であり、後述の斜方蒸着法を行うことが容易である。金属層の形成は凸条の頂部のみまたは凸条の頂部と凸条の側面に選択的に金属を蒸着して形成する必要があるため、真空蒸着法を使用した斜方蒸着法がもっとも好ましい金属層の形成方法である。また、スパッタ法のうちでも特に高真空雰囲気を使用するスパッタ法（たとえば、マグネトロンスパッタ法等）では入射方向を制御することが比較的容易であることより、金属層の形成に使用できる。

（保護層）
金属細線の幅や厚さは非常に微細であるため、金属細線がわずかに傷ついただけでもワイヤグリッド型偏光子の性能に影響する。また、酸化等の化学変化（錆の生成等）により金属細線の導電率が低下し、ワイヤグリッド型偏光子の性能が低下する場合がある。よって、金属細線の傷付きおよび化学変化等を抑えるために、金属細線を保護層で被覆してもよい。保護層は、金属層の表面を被覆するばかりでなく、さらに、露出した（すなわち、その上に金属層がない）下地層の表面や露出した（すなわち、その上に下地層がない）光透過性基板の表面を被覆していてもよい。さらに、凸条間の溝を埋め金属細線が存在する面を平坦にする保護層を形成してもよい。

保護層の材料としては、樹脂、金属酸化物、ガラス等が挙げられる。金属層のみを被覆する保護層の材料としては、光透過性ではない不透明な材料であってもよいが、他の表面をも被覆する保護層の材料としては光透過性の保護層を形成できる材料が使用される。材料自体の光透過性が低い場合であっても、層の厚さが充分に薄い保護層であれば光透過性の保護層とすることができる。また、保護層の材料としては、耐熱性や化学的耐久性の高い材料であることが好ましい。なお、金属層の表面を自然にまたは積極的に化学変化させて保護層を形成することもできる。たとえば、金属層の材料としてアルミニウムを用いた場合、空気中で酸化されて酸化アルミニウム薄膜が表面に形成され、この金属酸化物薄膜は、金属細線の保護層として機能する。

保護層が下地層表面や光透過性基板表面も被覆している場合、保護層とそれら表面との界面でｐ偏光反射を低減させるおそれがある。このため、保護層の屈折率と下地層や光透過性基板の屈折率とを実質的に一致させることが好ましい。また、広帯域にわたり高い偏光分離能が得られる点から、屈折率の低い材料からなることがより好ましい。
保護層は、ワイヤグリッド型偏光子の最表面に存在するため、鉛筆硬度Ｈ以上の硬さを有するものが好ましく、防汚性も有することが好ましい。また、保護層の表面に反射防止構造（たとえば、反射防止膜等）を設けてもよい。なお、光透過性基板の裏面にも硬質表面層や反射防止構造を設けることもできる。

＜ワイヤグリッド型偏光子の製造方法＞
ワイヤグリッド型偏光子は、表面に複数の凸条が互いに平行にかつ所定のピッチで形成された光透過性基板を作製した後、下地層を形成し、ついで金属層を形成することによって製造される。

（光透過性基板の作製）
光透過性基板の作製方法としては、インプリント法（光インプリント法、熱インプリント法。）、リソグラフィ法等が挙げられ、凸条を生産性よく形成できる点および光透過性基板を大面積化できる点から、インプリント法が好ましく、凸条をより生産性よく形成できる点およびモールドの溝を精度よく転写できる点から、光インプリント法が特に好ましい。

光インプリント法は、たとえば、電子線描画とエッチングとの組み合わせにより、複数の溝が互いに平行にかつ所定のピッチで形成されたモールドを作製し、該モールドの溝を、任意の基材の表面に塗布された光硬化性組成物に転写し、同時に該光硬化性組成物を光硬化させる方法である。

光インプリント法による光透過性基板の作製は、具体的には下記の工程（ｉ）〜（iv）を経て行われることが好ましい。
（ｉ）光硬化性組成物を基材の表面に塗布する工程。
（ii）複数の溝が互いに平行にかつ所定のピッチで形成されたモールドを、溝が光硬化性組成物に接するように、光硬化性組成物に押しつける工程。
（iii）モールドを光硬化性組成物に押しつけた状態で放射線（紫外線、電子線等。）を照射して光硬化性組成物を硬化させて、モールドの溝に対応する複数の凸条を有する光透過性基板を作製する工程。
（iv）光透過性基板からモールドを分離する工程。
なお、得られた、基材上の光透過性基板は、基材と一体のまま後述の下地層および金属層の形成を行うことができる。また必要により金属層の形成後に光透過性基板と基材を分離することができる。さらに、基材上に作製された光透過性基板を基材から分離した後、後述の下地層および金属層の形成を行うことができる。

熱インプリント法による光透過性基板の作製は、具体的には下記の工程（ｉ）〜（iii）を経て行われることが好ましい。
（ｉ）基材の表面に熱可塑性樹脂の被転写膜を形成する工程、または熱可塑性樹脂の被転写フィルムを作製する工程。
（ii）複数の溝が互いに平行にかつ一定のピッチで形成されたモールドを、溝が被転写膜または被転写フィルムに接するように、熱可塑性樹脂のガラス転移温度（Ｔｇ）または融点（Ｔｍ）以上に加熱した被転写膜または被転写フィルムに押しつけ、モールドの溝に対応する複数の凸条を有する光透過性基板を作製する工程。
（iii）光透過性基板をＴｇまたはＴｍより低い温度に冷却して光透過性基板からモールドを分離する工程。
なお、得られた、基材上の光透過性基板は、基材と一体のまま後述の下地層および金属層の形成を行うことができる。また必要により金属層形成後に光透過性基板と基材を分離することができる。さらに、基材上に作製された光透過性基板を基材から分離した後、後述の下地層および金属層の形成を行うことができる。

（下地層および金属層の形成）
本発明のワイヤグリッド型偏光子は、表面に複数の凸条が互いに平行にかつ所定のピッチで形成されている光透過性基板の凸条の表面に金属酸化物を蒸着して該凸条の少なくとも頂部に金属酸化物からなる下地層を形成し、ついで、前記下地層の表面上でかつ凸条の少なくとも頂部に金属を蒸着して金属層を形成して金属細線とする方法で製造されることが好ましい。前記のように、下地層は、真空蒸着法を使用した斜方蒸着法で凸条の少なくとも頂部に形成されることが好ましい。また、下地層を凸条の全表面および凸条間の光透過性基板表面に形成する場合は、下地層はスパッタ法で形成されることが好ましい。金属層は、凸条の側面の少なくとも一部および凸条の頂部に形成されることが好ましく、側面の全部および凸条の頂部に形成されることがより好ましい。金属層をこのような特定の表面に選択的に形成するために、金属層は真空蒸着法を使用した斜方蒸着法で形成されることが好ましい。

斜方蒸着法による下地層や金属層の形成においては、凸条の長さ方向に対して略直交し、かつ凸条の高さ方向に対してある角度をなす方向から蒸着する工程と、凸条の長さ方向に対して略直交し、かつ凸条の高さ方向に対して前記角度とは反対側にある角度をなす方向から蒸着する工程とをそれぞれ１回以上交互に行うことにより、目的の下地層や金属層を形成することができる。なお、本明細書において、「略直交し」とは、凸条の長さ方向と凸条の高さ方向に対してある角度をなす方向のなす角度が８５〜９５度の範囲にあることを意味する。

斜方蒸着法による金属層の形成を例として、斜方蒸着法をさらに説明する。金属層の形成は下記の条件で行うことが好ましい。この方法は後述の第３の実施形態のワイヤグリッド型偏光子を製造する場合に適した方法である。
（Ａ）凸条の長さ方向に対して略直交し、かつ凸条の高さ方向に対して角度θ^Ｒをなす方向から金属を蒸着する。
（Ｂ）凸条の長さ方向に対して略直交し、かつ凸条の高さ方向に対して前記角度θ^Ｒとは反対側に角度θ^Ｌをなす方向から金属を蒸着する。
（Ｃ）前記条件（Ａ）による蒸着および前記条件（Ｂ）による蒸着を交互に、前記条件（Ａ）による蒸着をｍ回（ただし、ｍは１以上である。）、前記条件（Ｂ）による蒸着をｎ回（ただし、ｎは１以上である。）、合計（ｍ＋ｎ）で３回以上、好ましくは６回以下、さらに好ましくは４〜５回行う。
（Ｄ）前記条件（Ａ）によるｍ回の蒸着のうちの１回目の蒸着における角度θ^Ｒは、下式（IV）を満足し、前記条件（Ｂ）によるｎ回の蒸着のうちの１回目の蒸着における角度θ^Ｌは、下式（Ｖ）を満足する。
１５゜≦θ^Ｒ≦４５゜ ・・・（IV）、
１５゜≦θ^Ｌ≦４５゜ ・・・（Ｖ）。
（Ｅ）前記ｍが２以上の場合、ｉ回目（ただし、ｉ＝２〜ｍである。）のθ^Ｒ _ｉと（ｉ−１）回目のθ^Ｒ _{（ｉ−１）}とは、下式（VI）を満足し、前記ｎが２以上の場合、ｊ回目（ただし、ｊ＝２〜ｎである。）のθ^Ｌ _ｊと（ｊ−１）回目のθ^Ｌ _{（ｊ−１）}とは、下式（VII）を満足する。
θ^Ｒ _ｉ≦θ^Ｒ _{（ｉ−１）} ・・・（VI）、
θ^Ｌ _ｊ≦θ^Ｌ _{（ｊ−１）} ・・・（VII）。

後述の第１や第２の実施形態のワイヤグリッド型偏光子を製造する場合には、前記条件の蒸着方向の角度や蒸着回数を変えることにより、同様に金属層を形成することができる。たとえば、第１の実施形態では（Ｄ）の条件における蒸着角度をより小さくすることができ、第２の実施形態では両方向の１回目の蒸着をより大きい蒸着角度とし２回目以降の蒸着角度を上記と同様に４０°以下とすることができる。

斜方蒸着法により下地層を形成する場合、下地層は金属層の形成範囲と同等以上の範囲に形成する必要性がある。凸条の頂部や凸条間の光透過性基板の表面に下地層を形成するためには１５°よりもさらに小さい角度を採用することが好ましい。斜方蒸着法の場合は蒸着角度が大きくても垂直方向の蒸着もある程度起こることより、通常は大きい蒸着角度を採用することが好ましい。したがって、斜方蒸着法により下地層を形成する場合は、角度θ^Ｒと角度θ^Ｌはそれぞれ４５°よりも大きい角度が採用され、その角度は６０°以上、９０°未満が適当である。その角度は６５〜８５°が好ましく、７０〜８０°がより好ましい。なお、斜方蒸着法による下地層の形成の場合、前記（ｍ＋ｎ）は２であってもよく、また、前記（Ｄ）の条件の採用は必須ではない。

スパッタ法は蒸着方向がランダムであり、下地層形成の場合スパッタ法を採用することにより凹凸によらず光透過性基板表面にほぼ均一な厚さの下地層を形成できる。したがって、下地層の形成はスパッタ法で行うことがより好ましい。

＜各実施形態のワイヤグリッド型偏光子＞
以下に本発明のワイヤグリッド型偏光子を、図を用いて説明する。以下の図は模式図であり、実際のワイヤグリッド型偏光子は図示したような理論的かつ理想的形状を有するものではない。たとえば、凸条等の形状の崩れは少なくなく、下地層や金属層の厚さの不均一も少なからず生じている。図示した光透過性基板の表面の凸条は矩形の断面形状を有するが、前記のように実際に製造されたワイヤグリッド型偏光子においては頂部が丸まった形状や幅が上方に狭まった形状を有していることが少なくない。

〔第１の実施形態〕
図１は、本発明のワイヤグリッド型偏光子の第１の実施形態を示す斜視図である。ワイヤグリッド型偏光子１０は、表面に複数の凸条１２が互いに平行にかつ所定のピッチ（Ｐｐ）で形成された光透過性基板１４と、該凸条１２の上面１６、および凸条１２の長さ方向に延びる２つの側面である側面１８と側面２０の上縁部を被覆する下地層２２と、下地層２２の上面に形成された金属材料からなる金属層２４とを有する。金属層２４は凸条の長さ方向に伸びて金属細線を構成する。以下、凸条間の光透過性基板の表面を溝２６という。

Ｐｐは、凸条１２の幅Ｄｐと、凸条１２間に形成される溝２６の幅との合計である。Ｐｐは、５０〜２００ｎｍが好ましい。
ＤｐとＰｐの比（Ｄｐ／Ｐｐ）は、０．１〜０．５５が好ましく、０．２５〜０．４５が好ましい。
また、Ｄｐは、蒸着によって金属層を形成しやすい点から、３０〜８０ｎｍが好ましい。
凸条１２の高さＨｐは、５０〜３００ｎｍが好ましい。
光透過性基板１４の厚さＨｓは、１〜４０μｍが好ましい。
凸条の頂部における下地層２２の高さＨｘは、凸条１２の上面１６を被覆している部分の下地層の厚さである。Ｈｘは、２〜１５ｎｍが好ましい。

第１の実施形態におけるＤｘ１およびＤｘ２は、下地層２２が凸条１２の側面１８または側面２０よりも外側に突出した部分の幅であり、Ｄａ１およびＤａ２は、金属層２４が凸条１２の側面１８または側面２０よりも外側に突出した部分の幅である。

金属層２４の幅Ｄａ、凸条１２のピッチＰｐおよび凸条１２の幅Ｄｐは、下式（５）を満足することが好ましい。
Ｄａ−Ｄｐ≦０．４×（Ｐｐ−Ｄｐ） ・・・（５）。
Ｄａ−Ｄｐが０．４×（Ｐｐ−Ｄｐ）以下であれば、溝２６の開口が確保され、ワイヤグリッド型偏光子１０のｐ偏光透過率が向上する。

〔第２の実施形態〕
図２は、本発明のワイヤグリッド型偏光子の第２の実施形態を示す斜視図である。ワイヤグリッド型偏光子１０は、表面に複数の凸条１２が互いに平行にかつ所定のピッチ（Ｐｐ）で形成された光透過性基板１４と、該凸条１２の上面１６、凸条１２の長さ方向に延びる２つの側面である側面１８と側面２０の表面および溝２６の底面を被覆する下地層２２と、下地層２２の上面に形成された金属層２４とを有する。

第２の実施形態においては、第１の実施形態のワイヤグリッド型偏光子１０と同じ構成については、説明を省略する。
第２の実施形態におけるＤｘ１およびＤｘ２は、下地層２２が凸条１２の側面１８または側面２０よりも外側に突出した部分の幅でもあり、凸条１２の側面１８または側面２０を被覆する下地層２２の厚さでもある。

〔第３の実施形態〕
図３は、本発明のワイヤグリッド型偏光子の第３の実施形態を示す斜視図である。ワイヤグリッド型偏光子１０は、表面に複数の凸条１２が互いに平行にかつ所定のピッチ（Ｐｐ）で形成された光透過性基板１４と、該凸条１２の上面１６、凸条１２の長さ方向に延びる２つの側面である側面１８と側面２０の表面および溝２６の底面を被覆する下地層２２と、該凸条１２の上面１６、側面１８および側面２０の下地層２２表面を被覆する金属層２４とを有する。

第３の実施形態においては、第１の実施形態または第２の実施形態のワイヤグリッド型偏光子１０と同じ構成については、説明を省略する。
第３の実施形態におけるＤａ１およびＤａ２は、金属層２４が凸条１２の側面１８または側面２０よりも外側に突出した部分の幅でもあり、凸条１２の側面１８または側面２０を被覆している下地層２２の表面に形成された金属層２４の厚さでもある。

凸条１２の側面１８を被覆している金属層２４の幅（凸条１２の上面１６から溝への深さ方向の長さ）Ｈａ１、凸条１２の側面２０を被覆している金属層２４の幅（凸条１２の上面１６から溝への深さ方向の長さ）Ｈａ２および凸条１２の高さＨｐはそれぞれ、下式（６−１）、（７−１）を満足することが好ましく、下式（６−２）、（７−２）を満足することがより好ましく、下式（６−３）、（７−３）を満足することがさらに好ましい。
Ｈａ１≧０．５×Ｈｐ ・・・（６−１）、
Ｈａ２≧０．５×Ｈｐ ・・・（７−１）、
Ｈａ１≧０．６×Ｈｐ ・・・（６−２）、
Ｈａ２≧０．６×Ｈｐ ・・・（７−２）、
Ｈａ１＝Ｈｐ ・・・（６−３）、
Ｈａ２＝Ｈｐ ・・・（７−３）。

Ｈａ１およびＨａ２がそれぞれＨｐの５０％以上であれば、側面１８を被覆している金属層２４および側面２０を被覆している金属層２４の面積が広くなり、ワイヤグリッド型偏光子１０の裏面側から入射するｓ偏光が効率よく吸収されるため、裏面側から入射する光に対してさらに低いｓ偏光反射率を示す。Ｈａ１およびＨａ２がＨｐと等しい場合には、ワイヤグリッド型偏光子１０の表面側からから入射するｓ偏光が効率よく反射され、ワイヤグリッド型偏光子１０が高い偏光分離能を示す。

なお、凸条１２の上面１６、側面１８、側面２０および溝２６の底面はそれぞれ、平面であってもよく、曲面であってもよい。

＜各実施形態のワイヤグリッド型偏光子の製造方法＞
〔第１の実施形態のワイヤグリッド型偏光子の製造方法〕
第１の実施形態のワイヤグリッド型偏光子１０は、光透過性基板１４の凸条１２の上面１６を被覆する下地層２２と、該下地層２２の上面に形成される金属層２４とを、下記の条件（Ａ１）〜（Ｊ１）を満足する蒸着法で形成する方法で製造できる。

（下地層の形成方法）
下地層２２は、光透過性基板１４の凸条１２が形成された面の斜め上方から金属酸化物を蒸着させる斜方蒸着法により形成される。

下地層２２は、具体的には、下記の条件（Ａ１）〜（Ｅ１）を満足する斜方蒸着法で形成されることが好ましい。
（Ａ１）図４に示すように、凸条１２の長さ方向Ｌに対して略直交し、かつ凸条１２の高さ方向Ｈに対して側面１８の側に角度θ^Ｒをなす方向Ｖ１から凸条１２の上面１６または下記条件（Ｂ１）の蒸着で形成された下地層２２の上面に金属酸化物を蒸着する。
（Ｂ１）図４に示すように、凸条１２の長さ方向Ｌに対して略直交し、かつ凸条１２の高さ方向Ｈに対して側面２０の側に角度θ^Ｌをなす方向Ｖ２から凸条１２の上面１６または前記条件（Ａ１）の蒸着で形成された下地層２２の上面に金属酸化物を蒸着する。
（Ｃ１）前記条件（Ａ１）による蒸着を１回行い、前記条件（Ｂ１）による蒸着を１回行う。
（Ｄ１）前記条件（Ａ１）の蒸着における角度θ^Ｒは、下式（１−Ｉ）を満足し、前記条件（Ｂ１）の蒸着における角度θ^Ｌは、下式（１−II）を満足することが好ましい。
４５゜≦θ^Ｒ＜９０゜ ・・・（１−Ｉ）、
４５゜≦θ^Ｌ＜９０゜ ・・・（１−II）。
（Ｅ１）前記条件（Ａ１）の蒸着で形成される下地層２２の高さおよび前記条件（Ｂ１）の蒸着で形成される下地層２２の高さは、下式（１−III）を満足することが好ましい。
０．５ｎｍ≦Ｈｘ’≦１５ｎｍ ・・・（１−III）。
ただし、Ｈｘ’は、凸条の頂部における、１回の蒸着で形成される下地層２２の高さである。

条件（Ａ１）〜（Ｃ１）：条件（Ａ１）〜（Ｃ１）を満足しない場合、下地層２２が凸条１２の側面１８または側面２０よりも外側に突出した部分が形成されないため、金属層２４を形成する際に、側面１８および側面２０に金属が蒸着しやすくなる。また、溝２６の底面に金属酸化物が蒸着しやすくなる。

条件（Ｄ１）：光の波長以下のピッチの凸条１２に蒸着を行う場合、蒸着の角度θ^Ｒ（またはθ^Ｌ）に応じて下地層２２の形状が変化するため、角度θ^Ｒ（またはθ^Ｌ）によっては、適切な形状の下地層２２を形成できない場合がある。角度θ^Ｒ（またはθ^Ｌ）が４５゜未満では、下地層２２が側面１８または側面２０よりも外側に突出した部分が形成されない。または、それぞれの幅Ｄｘ１およびＤｘ２が不足する。または、下地層２２が側面１８または側面２０よりも外側に突出した部分を形成する際に、側面１８および側面２０に金属酸化物が蒸着する。角度θ^Ｒ（またはθ^Ｌ）が９０゜では、下地層２２の形成が困難である。したがって、図１に示す、凸条１２の上面１６よりも幅広の下地層を形成する場合は、角度θ^Ｒ（またはθ^Ｌ）は６５〜８５°が好ましい。

条件（Ｅ１）：１回の蒸着で形成される下地層２２の高さＨｘ’が０．５ｎｍ未満では、下地層２２が凸条１２の側面１８または側面２０よりも外側に突出した部分が充分に形成されないため、金属層２４を形成する際に、側面１８および側面２０に金属が蒸着しやすくなる。Ｈｘ’が１０ｎｍを超えると、下地層２２の厚さが大きくなるため、ワイヤグリッド型偏光子１０の波長分散が大きくなり、短波長側の透過率が低下する。Ｈｘ’は２〜１０ｎｍが好ましい。

（金属層の形成方法）
金属層２４は、光透過性基板１４の凸条１２が形成された面の斜め上方から金属を蒸着させることにより形成される。

金属層２４は、具体的には、下記の条件（Ｆ１）〜（Ｊ１）を満足する斜方蒸着法で形成されることが好ましい。
（Ｆ１）凸条１２の長さ方向Ｌに対して略直交し、かつ凸条１２の高さ方向Ｈに対して側面１８の側に角度θ^Ｒをなす方向Ｖ１から下地層２２の上面または下記条件（Ｇ１）の蒸着で形成された金属層２４の上面に金属を蒸着する。
（Ｇ１）凸条１２の長さ方向Ｌに対して略直交し、かつ凸条１２の高さ方向Ｈに対して側面２０の側に角度θ^Ｌをなす方向Ｖ２から下地層２２の上面または前記条件（Ｆ１）の蒸着で形成された金属層２４の上面に金属を蒸着する。
（Ｈ１）前記条件（Ｆ１）による蒸着および前記条件（Ｇ１）による蒸着を交互に、前記条件（Ｆ１）による蒸着をｍ回（ただし、ｍは１以上である。）、前記条件（Ｇ１）による蒸着をｎ回（ただし、ｎは１以上である。）、合計（ｍ＋ｎ）で３回以上行う。
（Ｉ１）前記条件（Ｆ１）によるｍ回の蒸着のうちの１回目の蒸着における角度θ^Ｒは、下式（１−IV）を満足し、前記条件（Ｇ１）によるｎ回の蒸着のうちの１回目の蒸着における角度θ^Ｌは、下式（１−Ｖ）を満足する。
１０゜≦θ^Ｒ≦４５゜ ・・・（１−IV）、
１０゜≦θ^Ｌ≦４５゜ ・・・（１−Ｖ）。
（Ｊ１）前記ｍが２以上の場合、ｉ回目（ただし、ｉ＝２〜ｍである。）のθ^Ｒ _ｉと（ｉ−１）回目のθ^Ｒ _{（ｉ−１）}とは、下式（１−VI）を満足し、前記ｎが２以上の場合、ｊ回目（ただし、ｊ＝２〜ｎである。）のθ^Ｌ _ｊと（ｊ−１）回目のθ^Ｌ _{（ｊ−１）}とは、下式（１−VII）を満足する。
θ^Ｒ _ｉ≦θ^Ｒ _{（ｉ−１）} ・・・（１−VI）、
θ^Ｌ _ｊ≦θ^Ｌ _{（ｊ−１）} ・・・（１−VII）。

条件（Ｆ１）、（Ｇ１）：条件（Ｆ１）、（Ｇ１）を満足しない場合、溝２６の底面に金属が蒸着しやすくなる。

条件（Ｈ１）：条件（Ｆ１）による蒸着および条件（Ｇ１）による蒸着を交互に合計で３回以上に分けて行うことにより、金属が偏って蒸着することがなく、均一な金属層２４が形成される。

条件（Ｉ１）：光の波長以下のピッチの凸条１２に蒸着を行う場合、蒸着の角度θ^Ｒ（またはθ^Ｌ）に応じて金属層２４の形状が変化するため、角度θ^Ｒ（またはθ^Ｌ）によっては、適切な形状の金属層２４を形成できない場合がある。ｍ回の蒸着のうちの１回目の蒸着における角度θ^Ｒおよびｎ回の蒸着のうちの１回目の蒸着における角度θ^Ｌが１０゜未満では、凸条１２間の溝２６の底面にも金属が蒸着する。ｍ回の蒸着のうちの１回目の蒸着における角度θ^Ｒおよびｎ回の蒸着のうちの１回目の蒸着における角度θ^Ｌが４５゜を超えると、金属が偏って蒸着し、斜めに傾いた金属層２４が形成されてしまう。

条件（Ｊ１）：条件（Ｊ１）を満足しない場合、高さＨａが３０ｎｍ以上の金属層２４を形成することが困難である。

〔第２の実施形態のワイヤグリッド型偏光子の製造方法〕
第２の実施形態のワイヤグリッド型偏光子１０は、光透過性基板１４の凸条１２の上面１６、側面１８、側面２０および溝２６の底面を被覆する下地層２２を、スパッタ法で形成し、凸条１２の上面１６を被覆する下地層２２の上面に形成される金属層２４を、下記の条件（Ａ２）〜（Ｈ２）を満足する蒸着法で形成する方法で製造できる。

（下地層の形成方法）
下地層２２は、光透過性基板１４の凸条１２が形成された面の全面に金属酸化物を付着させるスパッタ法により形成される。

（金属層の形成方法）
金属層２４は、光透過性基板１４の凸条１２が形成された面の斜め上方から金属を蒸着させることにより形成される。スパッタ法で形成される下地層２２は、凸条１２の側面１８または側面２０よりも外側に突出した部分が充分に形成されないため、金属層２４を形成する際に、側面１８および側面２０に金属が蒸着しやすくなる。このため、側面に金属層２４が存在せず、金属層２４の幅が凸条１２の上面１６よりも幅広の金属層２４を形成するためには、具体的には、下記の条件（Ａ２）〜（Ｈ２）を満足する斜方蒸着法で形成されることが好ましい。

（Ａ２）図４に示すように、凸条１２の長さ方向Ｌに対して略直交し、かつ凸条１２の高さ方向Ｈに対して側面１８の側に角度θ^Ｒをなす方向Ｖ１から下地層２２の表面および／または下記条件（Ｂ２）の蒸着で形成された金属層２４の表面に金属を少なくとも１回蒸着する。
（Ｂ２）図４に示すように、凸条１２の長さ方向Ｌに対して略直交し、かつ凸条１２の高さ方向Ｈに対して側面２０の側に角度θ^Ｌをなす方向Ｖ２から下地層２２の表面および／または前記条件（Ａ２）の蒸着で形成された金属層２４の表面に金属を少なくとも１回蒸着する。
（Ｃ２）前記条件（Ａ２）による蒸着および前記条件（Ｂ２）による蒸着を交互に、前記条件（Ａ２）による蒸着をｍ回（ただし、ｍは２以上である。）、前記条件（Ｂ２）による蒸着をｎ回（ただし、ｎは２以上である。）、合計（ｍ＋ｎ）で５回以上行う。
（Ｄ２）前記条件（Ａ２）によるｍ回の蒸着のうちの１回目の蒸着における角度θ^Ｒは、下式（２−Ｉ）を満足し、前記条件（Ｂ２）によるｎ回の蒸着のうちの１回目の蒸着における角度θ^Ｌは、下式（２−II）を満足する。
４５゜≦θ^Ｒ＜９０゜ ・・・（２−Ｉ）、
４５゜≦θ^Ｌ＜９０゜ ・・・（２−II）。
（Ｅ２）前記条件（Ａ２）によるｍ回の蒸着のうちの１回目の蒸着で形成される金属層２４の高さおよび前記条件（Ｂ２）によるｎ回の蒸着のうちの１回目で形成される金属層２４の高さは、下式（２−III）を満足する。
０．５ｎｍ≦Ｈａ’≦１０ｎｍ ・・・（２−III）。
ただし、Ｈａ’は、１回の蒸着で形成される金属層２４の高さである。
（Ｆ２）前記条件（Ａ２）によるｍ回の蒸着のうちの２回目の蒸着における角度θ^Ｒは、下式（２−IV）を満足し、前記条件（Ｂ２）によるｎ回の蒸着のうちの２回目の蒸着における角度θ^Ｌは、下式（２−Ｖ）を満足する。
１０゜≦θ^Ｒ≦４５゜ ・・・（２−IV）、
１０゜≦θ^Ｌ≦４５゜ ・・・（２−Ｖ）。
（Ｇ２）前記条件（Ａ２）によるｍ回の蒸着のうちの２回目の蒸着で形成される金属層２４の高さおよび前記条件（Ｂ２）によるｎ回の蒸着のうちの２回目で形成される金属層２４の高さは、下式（２−III）を満足する。
１ｎｍ≦Ｈａ’≦１５ｎｍ ・・・（２−III）。
ただし、Ｈａ’は、１回の蒸着で形成される金属層２４の高さである。
（Ｈ２）前記ｍが３以上の場合、ｉ回目（ただし、ｉ＝３〜ｍである。）のθ^Ｒ _ｉと（ｉ−１）回目のθ^Ｒ _{（ｉ−１）}とは、下式（２−VI）を満足し、前記ｎが３以上の場合、ｊ回目（ただし、ｊ＝３〜ｎである。）のθ^Ｌ _ｊと（ｊ−１）回目のθ^Ｌ _{（ｊ−１）}とは、下式（２−VII）を満足する。
θ^Ｒ _ｉ≦θ^Ｒ _{（ｉ−１）} ・・・（２−VI）、
θ^Ｌ _ｊ≦θ^Ｌ _{（ｊ−１）} ・・・（２−VII）。

条件（Ａ２）、（Ｂ２）：条件（Ａ２）、（Ｂ２）を満足しない場合、金属層２４が凸条１２の側面１８または側面２０よりも外側に突出した部分が形成されないため、側面１８および側面２０を被覆している下地層２２に金属が蒸着しやすくなる。また、溝２６の底面に金属が蒸着しやすくなる。

条件（Ｃ２）：条件（Ａ２）による蒸着および条件（Ｂ２）による蒸着を交互に合計で５回以上に分けて行うことにより、金属が偏って蒸着することがなく、均一な金属層２４が形成される。

条件（Ｄ２）：光の波長以下のピッチの凸条１２に蒸着を行う場合、蒸着の角度θ^Ｒ（またはθ^Ｌ）に応じて金属層２４の形状が変化するため、角度θ^Ｒ（またはθ^Ｌ）によっては、適切な形状の金属層２４を形成できない場合がある。角度θ^Ｒ（またはθ^Ｌ）が４５゜未満では、金属層２４が凸条１２の側面１８または側面２０よりも外側に突出した部分が形成されない。または、それぞれの幅Ｄａ１およびＤａ２が不足する。または、金属層２４が凸条１２の側面１８または側面２０よりも外側に突出した部分を形成する際に、側面１８および側面２０を被覆している下地層２２に金属が蒸着する。角度θ^Ｒ（またはθ^Ｌ）が９０゜では、金属層２４の形成が困難である。角度θ^Ｒ（またはθ^Ｌ）は６０°以上、８５°以下が好ましく、６５°〜８０°が特に好ましい。

条件（Ｅ２）：凸条１２の頂部における、１回の蒸着で形成される金属層２４の高さＨａ’が０．５ｎｍ未満では、金属層２４が凸条１２の側面１８または側面２０よりも外側に突出した部分が充分に形成されないため、側面１８および側面２０を被覆している下地層２２に金属が蒸着しやすくなる。Ｈａ’が１０ｎｍを超えると、金属層２４の厚さが大きくなる。

条件（Ｆ２）：光の波長以下のピッチの凸条１２に蒸着を行う場合、蒸着の角度θ^Ｒ（またはθ^Ｌ）に応じて金属層２４の形状が変化するため、角度θ^Ｒ（またはθ^Ｌ）によっては、適切な形状の金属層２４を形成できない場合がある。ｍ回の蒸着のうちの２回目の蒸着における角度θ^Ｒおよびｎ回の蒸着のうちの２回目の蒸着における角度θ^Ｌが１０゜未満では、凸条１２間の溝２６の底面にも金属が蒸着する。ｍ回の蒸着のうちの２回目の蒸着における角度θ^Ｒおよびｎ回の蒸着のうちの２回目の蒸着における角度θ^Ｌが４５゜を超えると、金属が偏って蒸着し、斜めに傾いた金属層２４が形成されてしまう。

条件（Ｇ２）：１回の蒸着で形成される金属層２４の高さＨａ’が１ｎｍ未満では、高さＨａが３０ｎｍ以上の金属層２４を形成することが困難である。Ｈａ’が１５ｎｍを超えると、金属層２４の厚さが大きくなる。

条件（Ｈ２）：条件（Ｈ２）を満足しない場合、高さＨａが３０ｎｍ以上の金属層２４を形成することが困難である。

〔第３の実施形態のワイヤグリッド型偏光子の製造方法〕
第３の実施形態のワイヤグリッド型偏光子１０は、光透過性基板１４の凸条１２の上面１６、側面１８、側面２０および溝２６の底面を被覆する下地層２２を、スパッタ法で形成し、凸条１２の上面１６、側面１８および側面２０を被覆する下地層２２の表面に形成される金属層２４を、下記の条件（Ａ３）〜（Ｅ３）を満足する斜方蒸着法で形成する方法で製造することが好ましい。

（下地層の形成方法）
下地層２２は、光透過性基板１４の凸条１２が形成された面の全面に金属酸化物を付着させるスパッタ法により形成される。

（金属層の形成方法）
金属層２４は、光透過性基板１４の凸条１２が形成された面の斜め上方から金属を蒸着させることにより形成される。

金属層２４は、具体的には、下記の条件（Ａ３）〜（Ｅ３）を満足する斜方蒸着法で形成される。
（Ａ３）図４に示すように、凸条１２の長さ方向Ｌに対して略直交し、かつ凸条１２の高さ方向Ｈに対して側面１８の側に角度θ^Ｒをなす方向Ｖ１から下地層２２の表面および／または下記条件（Ｂ３）の蒸着で形成された金属層２４の表面に金属を少なくとも１回蒸着する。
（Ｂ３）図４に示すように、凸条１２の長さ方向Ｌに対して略直交し、かつ凸条１２の高さ方向Ｈに対して側面２０の側に角度θ^Ｌをなす方向Ｖ２から下地層２２の表面および／または前記条件（Ａ３）の蒸着で形成された金属層２４の表面に金属を少なくとも１回蒸着する。
（Ｃ３）前記条件（Ａ３）による蒸着および前記条件（Ｂ３）による蒸着を交互に、前記条件（Ａ３）による蒸着をｍ回（ただし、ｍは１以上である。）、前記条件（Ｂ３）による蒸着をｎ回（ただし、ｎは１以上である。）、合計（ｍ＋ｎ）で３回以上、好ましくは６回以下、さらに好ましくは４〜５回行う。
（Ｄ３）前記条件（Ａ３）によるｍ回の蒸着のうちの１回目の蒸着における角度θ^Ｒは、下式（３−IV）を満足し、前記条件（Ｂ３）によるｎ回の蒸着のうちの１回目の蒸着における角度θ^Ｌは、下式（３−Ｖ）を満足する。
１５゜≦θ^Ｒ≦４５゜ ・・・（３−IV）、
１５゜≦θ^Ｌ≦４５゜ ・・・（３−Ｖ）。
（Ｅ３）前記ｍが２以上の場合、ｉ回目（ただし、ｉ＝２〜ｍである。）のθ^Ｒ _ｉと（ｉ−１）回目のθ^Ｒ _{（ｉ−１）}とは、下式（３−VI）を満足し、前記ｎが２以上の場合、ｊ回目（ただし、ｊ＝２〜ｎである。）のθ^Ｌ _ｊと（ｊ−１）回目のθ^Ｌ _{（ｊ−１）}とは、下式（３−VII）を満足する。
θ^Ｒ _ｉ≦θ^Ｒ _{（ｉ−１）} ・・・（３−VI）、
θ^Ｌ _ｊ≦θ^Ｌ _{（ｊ−１）} ・・・（３−VII）。

条件（Ａ３）、（Ｂ３）：条件（Ａ３）、（Ｂ３）を満足しない場合、凸条１２の上面１６、側面１８および側面２０を被覆する下地層２２の表面に金属層２４を形成できない。

条件（Ｃ３）：条件（Ｃ３）を満足しない場合、凸条１２の上面１６を被覆している下地層２２の上面に形成される金属層２４の高さＨａが低くなる。すなわち、条件（Ａ３）、（Ｂ３）のそれぞれ１回の蒸着で、金属層２４が凸条１２の側面１８または側面２０よりも外側に突出した部分が充分な厚さを有するように蒸着しようとすると、角度θ^Ｒおよび角度θ^Ｌを大きくする必要があり、その結果、上面に蒸着される金属の量が少なくなる。

また、条件（Ａ３）による蒸着および条件（Ｂ３）による蒸着を交互に行うことにより、金属が偏って蒸着することがなく、金属層２４が凸条１２の側面１８または側面２０よりも外側に突出した部分の厚さＤａ１およびＤａ２がほぼ同じになる。

条件（Ｄ３）：光の波長以下のピッチの凸条１２に蒸着を行う場合、蒸着の角度θ^Ｒ（またはθ^Ｌ）に応じて金属層２４の形状が変化するため、角度θ^Ｒ（またはθ^Ｌ）によっては、適切な形状の金属層２４を形成できない場合がある。ｍ回の蒸着のうちの１回目の蒸着における角度θ^Ｒおよびｎ回の蒸着のうちの１回目の蒸着における角度θ^Ｌが１５゜未満では、溝２６の底面にも金属が蒸着する。ｍ回の蒸着のうちの１回目の蒸着における角度θ^Ｒおよびｎ回の蒸着のうちの１回目の蒸着における角度θ^Ｌが４５゜を超えると、金属が偏って蒸着し、斜めに傾いた金属層２４が形成されてしまう。

条件（Ｅ３）：条件（Ｅ３）を満足しない場合、金属層２４が凸条１２の側面１８または側面２０よりも外側に突出した部分を所定の厚さにした場合、凸条１２の上面１６を被覆している下地層２２の上面に形成される金属層２４の高さＨａが低くなりすぎる。また、凸条１２の上面１６を被覆している下地層２２の上面の金属層２４の高さＨａを３０ｎｍ以上にする場合、金属層２４が側面１８または側面２０よりも外側に突出した部分の厚さが厚くなりすぎる。

条件（Ｆ３）：蒸着法は、さらに下記の条件（Ｆ３）を満足することが好ましい。
（Ｆ３）前記条件（Ａ３）によるｍ回の蒸着のうちの１回目の蒸着で形成される金属層２４の高さおよび前記条件（Ｂ３）によるｎ回の蒸着のうちの１回目で形成される金属層２４の高さは、下式（３−III）を満足する。
０．５ｎｍ≦Ｈａ’≦１０ｎｍ ・・・（３−III）。
ただし、Ｈａ’は、凸条の頂部における１回の蒸着で形成される金属層２４の高さである。

初期の蒸着において、金属層２４の高さＨａ’を低くしてしまうと、金属層２４が凸条１２の側面１８または側面２０よりも外側に突出した部分が厚くなりすぎる場合がある。

〔第１〜３の実施形態の製造方法に共通〕
角度θ^Ｒ（またはθ^Ｌ）は、たとえば、下記の蒸着装置を用いることによって調整できる。
凸条１２の長さ方向Ｌに対して略直交し、かつ凸条１２の高さ方向Ｈに対して側面１８の側に角度θ^Ｒをなす方向Ｖ１または凸条１２の高さ方向Ｈに対して側面２０の側に角度θ^Ｌをなす方向Ｖ２の延長線上に蒸着源が位置するように、蒸着源に対向して配置された光透過性基板１４の傾きを変更できる蒸着装置。

以上説明したワイヤグリッド型偏光子１０の製造方法にあっては、上述の条件を満足する蒸着法で金属層２４、または下地層２２および金属層２４を形成しているため、ワイヤグリッド型偏光子１０を容易に製造できる。

以下、実施例により本発明をさらに詳しく説明するが、本発明はこれら実施例に限定されない。
例１〜１３は実施例であり、例１４〜１６は比較例である。

（下地層および金属細線の各寸法）
下地層および金属層（金属細線）の各寸法は、ワイヤグリッド型偏光子の断面の透過型電子顕微鏡像または走査型電子顕微鏡像において５箇所の下地層および金属層における各寸法の最大値を測定し、５箇所の該値を平均して求めた。

（透過率）
ワイヤグリッド型偏光子の表面側（金属層が形成された面側）から波長４０５ｎｍの固体レーザー光および波長６３５ｎｍの半導体レーザー光を、ワイヤグリッド型偏光子の表面に対して垂直に入射し、ｐ偏光透過率およびｓ偏光透過率を測定した。
波長４００ｎｍまたは７００ｎｍのｐ偏光透過率が、７８％以上をＳとし、７５％以上７８％未満をＡとし、７５％未満をＸとした。

（反射率）
ワイヤグリッド型偏光子の表面側または裏面側（金属細線が形成されていない面側）から波長４０５ｎｍの固体レーザー光および波長６３５ｎｍの半導体レーザー光を、ワイヤグリッド型偏光子の表面または裏面に対して５°の角度で入射し、ｓ偏光反射率を測定した。
表面側の波長４００ｎｍまたは７００ｎｍのｓ偏光反射率が、８２％以上をＳとし、８０％以上８２％未満をＡとし、８０％未満をＸとした。
裏面側の波長４００ｎｍまたは７００ｎｍのｓ偏光反射率が、４０％未満をＡとし、４０％以上をＸとした。

（偏光度）
偏光度は、下式から計算した。
偏光度＝（（Ｔｐ−Ｔｓ）／（Ｔｐ＋Ｔｓ））^０．５
ただし、Ｔｐは、ｐ偏光透過率であり、Ｔｓは、ｓ偏光透過率である。
波長４００ｎｍまたは７００ｎｍの偏光度が９９．７以上をＳとし、９９．５％以上９９．７％未満をＡとし、９９．５％未満をＸとした。

（光硬化性組成物の調製）
撹拌機および冷却管を装着した１０００ｍＬの４つ口フラスコに、
単量体１（新中村化学工業社製、ＮＫ エステル Ａ−ＤＰＨ、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート）の６０ｇ、
単量体２（新中村化学工業社製、ＮＫ エステル Ａ−ＮＰＧ、ネオペンチルグリコールジアクリレート）の４０ｇ、
光重合開始剤（チバスペシャリティーケミカルズ社製、ＩＲＧＡＣＵＲＥ９０７）の４．０ｇ、
含フッ素界面活性剤（旭硝子社製、フルオロアクリレート（ＣＨ_２＝ＣＨＣＯＯ（ＣＨ_２）_２（ＣＦ_２）_８Ｆ）とブチルアクリレートとのコオリゴマー、フッ素含有量：約３０質量％、質量平均分子量：約３０００）の０．１ｇ、
重合禁止剤（和光純薬社製、Ｑ１３０１）の１．０ｇ、および
シクロヘキサノンの６５．０ｇを入れた。

フラスコ内を常温および遮光にした状態で、１時間撹拌して均一化した。ついで、フラスコ内を撹拌しながら、コロイド状シリカの１００ｇ（固形分：３０ｇ）をゆっくりと加え、さらにフラスコ内を常温および遮光にした状態で１時間撹拌して均一化した。ついで、シクロヘキサノンの３４０ｇを加え、フラスコ内を常温および遮光にした状態で１時間撹拌して光硬化性組成物１の溶液を得た。

〔例１〕
（光透過性基板の作製）
厚さ１００μｍの高透過ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム（帝人デュポン社製、帝人テトロンＯ３、１００ｍｍ×１００ｍｍ）の表面に、光硬化性組成物１をスピンコート法により塗布し、厚さ１μｍの光硬化性組成物１の塗膜を形成した。

複数の溝が互いに平行にかつ所定のピッチで形成された石英製モールド（５０ｍｍ×５０ｍｍ、溝のピッチ：１５０ｎｍ、溝の幅：５０ｎｍ、溝の深さ：１００ｎｍ、溝の長さ：５０ｍｍ、溝の断面形状：矩形。）を、溝が光硬化性組成物１の塗膜に接するように、２５℃にて０．５ＭＰａ（ゲージ圧）で光硬化性組成物１の塗膜に押しつけた。

該状態を保持したまま、石英製モールド側から高圧水銀灯（周波数：１．５ｋＨｚ〜２．０ｋＨｚ、主波長光：２５５ｎｍ、３１５ｎｍおよび３６５ｎｍ、３６５ｎｍにおける照射エネルギー：１０００ｍＪ。）の光を１５秒間照射し、光硬化性組成物１を硬化させて、石英製モールドの溝に対応する複数の凸条を有する光透過性基板（凸条のピッチＰｐ：１５０ｎｍ、凸条の幅Ｄｐ：５０ｎｍ、凸条の高さＨｐ：１００ｎｍ。）を作製した。
光透過性基板から石英製モールドをゆっくり分離した。

（下地層および金属層の形成）
蒸着源に対向する光透過性基板の傾きを変更可能な真空蒸着装置（昭和真空社製、ＳＥＣ−１６ＣＭ）を用い、光透過性基板の凸条に金属酸化物および金属を蒸着させ、図１に示すような下地層および金属層を形成し、裏面にＰＥＴフィルムが貼着されたワイヤグリッド型偏光子を得た。この際、凸条の長さ方向Ｌに対して略直交し、かつ凸条の高さ方向Ｈに対して一方の側面の側に角度θ^Ｒをなす方向Ｖ１（すなわち側面１８の側）からの蒸着と、凸条の長さ方向Ｌに対して略直交し、かつ凸条の高さ方向Ｈに対して他方の側面の側に角度θ^Ｌをなす方向Ｖ２（すなわち側面２０の側）からの蒸着とを交互に行い、かつ各回の蒸着における蒸着源、角度θ^Ｒまたはθ^Ｌ、および１回の蒸着で形成される下地層の高さＨｘ’または金属層の高さＨａ’を表１、２に示す材料、角度および高さとした。なお、Ｈｘ’およびＨａ’は、水晶振動子を膜厚センサーとする膜厚モニターにより測定した。

得られたワイヤグリッド型偏光子について、下地層および金属層の各寸法を測定した。結果を表３に示す。
また、得られたワイヤグリッド型偏光子について、透過率、反射率、偏光度を測定した。結果を表４に示す。

〔例２〕
（光透過性基板の作製）
例１と同様にして光透過性基板を作製した。

（下地層の形成）
ロードロック機構を備えたインライン型スパッタ装置（日真精機社製）を用い、光透過性基板の凸条が形成された面の全面に金属酸化物を蒸着させ、図２に示すような下地層を形成した。
金属酸化物の種類、スパッタ法で形成される下地層の高さＨｘ’を表１に示す材料および高さとした。

（金属層の形成）
蒸着源に対向する光透過性基板の傾きを変更可能な真空蒸着装置（昭和真空社製、ＳＥＣ−１６ＣＭ）を用い、光透過性基板の凸条に金属を蒸着させ、図２に示すような金属層を形成し、裏面にＰＥＴフィルムが貼着されたワイヤグリッド型偏光子を得た。この際、凸条の長さ方向Ｌに対して略直交し、かつ凸条の高さ方向Ｈに対して一方の側面の側に角度θ^Ｒをなす方向Ｖ１（すなわち側面１８の側）からの蒸着と、凸条の長さ方向Ｌに対して略直交し、かつ凸条の高さ方向Ｈに対して他方の側面の側に角度θ^Ｌをなす方向Ｖ２（すなわち側面２０の側）からの蒸着とを交互に行い、かつ各回の蒸着における蒸着源、角度θ^Ｒまたはθ^Ｌ、および１回の蒸着で形成される金属層の高さＨａ’を表２に示す材料、角度および高さとした。

得られたワイヤグリッド型偏光子について、下地層および金属層の各寸法を測定した。結果を表３に示す。
また、得られたワイヤグリッド型偏光子について、透過率、反射率、偏光度を測定した。結果を表４に示す。

〔例３〕
例１と同様にして光透過性基板を作製した後、金属酸化物の種類、スパッタ法で形成される下地層の高さＨｘ’を表１に示す材料および高さとした以外は、例２と同様にして図３に示すような下地層を形成した。
ついで、蒸着の回数、各回の蒸着における蒸着源、角度θ^Ｒまたはθ^Ｌおよび１回の蒸着で形成される金属層の高さＨａ’を表２に示す材料、角度および高さとした以外は、例２と同様にして図３に示すような金属層を形成し、ワイヤグリッド型偏光子を得た。

得られたワイヤグリッド型偏光子について、下地層および金属層の各寸法を測定した。結果を表３に示す。
また、得られたワイヤグリッド型偏光子について、透過率、反射率、偏光度を測定した。結果を表４に示す。

〔例４〕
例１と同様にして光透過性基板を作製した後、蒸着の回数、各回の蒸着における蒸着源、角度θ^Ｒまたはθ^Ｌおよび１回の蒸着で形成される下地層の高さＨｘ’または金属層の高さＨａ’を表１、２に示す材料、角度および高さとした以外は、例１と同様にして図１に示すような下地層および金属層を形成し、ワイヤグリッド型偏光子を得た。

得られたワイヤグリッド型偏光子について、下地層および金属層の各寸法を測定した。結果を表３に示す。
また、得られたワイヤグリッド型偏光子について、透過率、反射率、偏光度を測定した。結果を表４に示す。

〔例５〕
例１と同様にして光透過性基板を作製した後、金属酸化物の種類、スパッタ法で形成される下地層の高さＨｘ’を表１に示す材料および高さとした以外は、例２と同様にして図２に示すような下地層を形成した。
ついで、蒸着の回数、各回の蒸着における蒸着源、角度θ^Ｒまたはθ^Ｌおよび１回の蒸着で形成される金属層の高さＨａ’を表２に示す材料、角度および高さとした以外は、例２と同様にして図２に示すような金属層を形成し、ワイヤグリッド型偏光子を得た。

得られたワイヤグリッド型偏光子について、下地層および金属層の各寸法を測定した。結果を表３に示す。
また、得られたワイヤグリッド型偏光子について、透過率、反射率、偏光度を測定した。結果を表４に示す。

〔例６〜１３〕
例１と同様にして光透過性基板を作製した後、金属酸化物の種類、スパッタ法で形成される下地層の高さＨｘ’を表１に示す材料および高さとした以外は、例２と同様にして図３に示すような下地層を形成した。
ついで、蒸着の回数、各回の蒸着における蒸着源、角度θ^Ｒまたはθ^Ｌおよび１回の蒸着で形成される金属層の高さＨａ’を表２に示す材料、角度および高さとした以外は、例２と同様にして図３に示すような金属層を形成し、ワイヤグリッド型偏光子を得た。

得られたワイヤグリッド型偏光子について、下地層および金属層の各寸法を測定した。結果を表３に示す。
また、得られたワイヤグリッド型偏光子について、透過率、反射率、偏光度を測定した。結果を表４に示す。

〔例１４〕
例１と同様にして光透過性基板を作製した後、蒸着の回数、各回の蒸着における蒸着源、角度θ^Ｒまたはθ^Ｌおよび１回の蒸着で形成される金属層の高さＨａ’を表２に示す材料、角度および高さとした以外は、例１と同様にして下地層のないワイヤグリッド型偏光子を得た。

得られたワイヤグリッド型偏光子について、下地層および金属層の各寸法を測定した。結果を表３に示す。
また、得られたワイヤグリッド型偏光子について、透過率、反射率、偏光度を測定した。結果を表４に示す。

〔例１５〕
（光透過性基板の作製）
モールドとして、複数の溝が互いに平行にかつ所定のピッチで形成されたシリコン製モールド（２０ｍｍ×２０ｍｍ、溝のピッチ：２００ｎｍ、溝の幅：６０ｎｍ、溝の深さ：１００ｎｍ、溝の長さ：１０ｍｍ、溝の断面形状：矩形。）を用いた以外は、例１と同様にしてシリコン製モールドの溝に対応する複数の凸条を有する光透過性基板（凸条のピッチＰｐ：２００ｎｍ、凸条の幅Ｄｐ：６０ｎｍ、凸条の高さＨｐ：１００ｎｍ。）を作製した。

（金属層の形成）
蒸着の回数、各回の蒸着における蒸着源、角度θ^Ｒまたはθ^Ｌおよび１回の蒸着で形成される金属層の高さＨａ’を表２に示す材料、角度および高さとした以外は、例１と同様にして下地層のないワイヤグリッド型偏光子を得た。
得られたワイヤグリッド型偏光子について、下地層および金属層の各寸法を測定した。結果を表３に示す。
また、得られたワイヤグリッド型偏光子について、透過率、反射率、偏光度を測定した。結果を表４に示す。

〔例１６〕
厚さ１００μｍの高透過ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム（帝人デュポン社製、帝人テトロンＯ３、１００ｍｍ×１００ｍｍ）の表面に、厚さ１００ｎｍのＳｉＯ_２膜をスパッタ法により形成した。
ついで、ＳｉＯ_２膜の上に、厚さ１００ｎｍのＡｌ膜をスパッタ法により形成し、ＰＥＴフィルム上にＳｉＯ_２膜、Ａｌ膜が積層された多層膜を作製した。

Ａｌ膜の上に厚さ１００ｎｍのレジスト（日本ゼオン社製、ＺＥＰ５２０Ａ）をスピンコート法により塗布した。電子線描画装置（日立ハイテクノロジー社製、ＨＬ８００Ｄ（５０ｋｅＶ））を用いて、ＥＢ露光、現像を行い、複数の溝（幅：１００ｎｍ）が互いに平行にかつ所定のピッチ（２００ｎｍ）で形成されたレジスト膜を形成した。
ついで、プラズマエッチング装置（サムコ社製、ＲＩＥ−１４０ｉＰＣ）を用い、ＳＦ_６によりエッチングを行い、特許文献３の図３に示すようなワイヤグリッド型偏光子を作製した。

得られたワイヤグリッド型偏光子について、金属層の各寸法を測定した。結果を表３に示す。
また、得られたワイヤグリッド型偏光子について、透過率、反射率、偏光度を測定した。結果を表４に示す。

例１〜１３は、凸条の上面に金属酸化物からなる下地層が形成されているため、高い偏光度、ｐ偏光透過率およびｓ偏光反射率を示した。
例１４は、下地層がないためｐ偏光の透過率が低下した。
例１５は、特許文献２の実施例１に相当する例であり、下地層がないためｐ偏光の透過率が低下した。
例１６は、特許文献３に相当する例であり、樹脂グリッドがないため、短波長のｐ偏光透過率が低下した。

本発明のワイヤグリッド型偏光子は、液晶表示装置、リアプロジェクションテレビ、フロントプロジェクター等の画像表示装置の偏光子として有用である。

なお、２００８年７月１０日に出願された日本特許出願２００８−１８０４４８号の明細書、特許請求の範囲、図面及び要約書の全内容をここに引用し、本発明の明細書の開示として、取り入れるものである。

１０ ワイヤグリッド型偏光子
１２ 凸条
１４ 光透過性基板
１６ 凸条の上面
１８ 凸条の一方の側面
２０ 凸条の他方の側面
２２ 下地層
２４ 金属層
２６ 凸条間の溝

Claims (16)

1. 表面に複数の凸条が互いに平行にかつ所定のピッチで形成されている光透過性基板と、
   前記凸条の少なくとも頂部とさらに凸条の側面の全面に存在する、金属酸化物からなる下地層と、
   前記下地層の表面上でかつ凸条の少なくとも頂部とさらに凸条の側面の面積の７０％以上において存在する金属層からなる金属細線と
   を有する、ワイヤグリッド型偏光子。
2. 金属細線の幅（Ｄａ）、凸条のピッチ（Ｐｐ）および凸条の幅（Ｄｐ）が、下式（５）を満足する、請求項１に記載のワイヤグリッド型偏光子。
   Ｄａ−Ｄｐ≦０．４×（Ｐｐ−Ｄｐ） ・・・（５）。
3. 金属層がさらに凸条の側面の全面に存在する、請求項１または２に記載のワイヤグリッド型偏光子。
4. 下地層がさらに凸条間の光透過性基板の表面に存在する、請求項１〜３のいずれかに記載のワイヤグリッド型偏光子。
5. 金属酸化物が、ＳｉＯ_２またはＴｉＯ_２である、請求項１〜４のいずれかに記載のワイヤグリッド型偏光子。
6. 下地層の凸条の頂部における高さが１〜２０ｎｍである、請求項１〜５のいずれかに記載のワイヤグリッド型偏光子。
7. 金属層の凸条の頂部における高さが３０ｎｍ以上である、請求項１〜６のいずれかに記載のワイヤグリッド型偏光子。
8. 金属細線のピッチ（Ｐａ）が５０〜２００ｎｍであり、金属細線の幅（Ｄａ）とピッチ（Ｐａ）の比（Ｄａ／Ｐａ）が０．１〜０．６である、請求項１〜７のいずれかに記載のワイヤグリッド型偏光子。
9. ワイヤグリッド型偏光子を製造する方法であって、
   表面に複数の凸条が互いに平行にかつ所定のピッチで形成されている光透過性基板の凸条の少なくとも頂部とさらに凸条の側面の全面に金属酸化物を蒸着して金属酸化物からなる下地層を形成し、
   ついで、前記下地層の表面上でかつ凸条の少なくとも頂部とさらに凸条の側面の面積の７０％以上に金属を蒸着して金属層を形成して金属細線とする
   ことを特徴とするワイヤグリッド型偏光子の製造方法。
10. 真空蒸着法を使用した斜方蒸着法で凸条の少なくとも頂部に下地層を形成する、請求項９に記載の製造方法。
11. 凸条の全表面および凸条間の光透過性基板表面に下地層を形成する、請求項９に記載の製造方法。
12. 下地層をスパッタ法で形成する、請求項１１に記載の製造方法。
13. 金属細線の幅（Ｄａ）、凸条のピッチ（Ｐｐ）および凸条の幅（Ｄｐ）が、下式（５）を満足する、請求項９〜１２のいずれかに記載の製造方法。
    Ｄａ−Ｄｐ≦０．４×（Ｐｐ−Ｄｐ） ・・・（５）。
14. 金属層を凸条の側面の全面および凸条の頂部に形成する、請求項９〜１３のいずれかに記載の製造方法。
15. 真空蒸着法を使用した斜方蒸着法で金属層を形成する、請求項９〜１４のいずれかに記載の製造方法。
16. 斜方蒸着法を使用した金属層を下記の条件で形成する、請求項１５に記載の製造方法。
    （Ａ）凸条の長さ方向に対して略直交し、かつ凸条の高さ方向に対して角度θ^Ｒをなす方向から金属を蒸着する。
    （Ｂ）凸条の長さ方向に対して略直交し、かつ凸条の高さ方向に対して前記角度θ^Ｒとは反対側に角度θ^Ｌをなす方向から金属を蒸着する。
    （Ｃ）前記条件（Ａ）による蒸着および前記条件（Ｂ）による蒸着を交互に、前記条件（Ａ）による蒸着をｍ回（ただし、ｍは１以上である。）、前記条件（Ｂ）による蒸着をｎ回（ただし、ｎは１以上である。）、合計（ｍ＋ｎ）で３回以上行う。
    （Ｄ）前記条件（Ａ）によるｍ回の蒸着のうちの１回目の蒸着における角度θ^Ｒは、下式（IV）を満足し、前記条件（Ｂ）によるｎ回の蒸着のうちの１回目の蒸着における角度θ^Ｌは、下式（Ｖ）を満足する。
    １５゜≦θ^Ｒ≦４５゜ ・・・（IV）、
    １５゜≦θ^Ｌ≦４５゜ ・・・（Ｖ）。
    （Ｅ）前記ｍが２以上の場合、ｉ回目（ただし、ｉ＝２〜ｍである。）のθ^Ｒ _ｉと（ｉ−１）回目のθ^Ｒ _{（ｉ−１）}とは、下式（VI）を満足し、前記ｎが２以上の場合、ｊ回目（ただし、ｊ＝２〜ｎである。）のθ^Ｌ _ｊと（ｊ−１）回目のθ^Ｌ _{（ｊ−１）}とは、下式（VII）を満足する。
    θ^Ｒ _ｉ≦θ^Ｒ _{（ｉ−１）} ・・・（VI）、
    θ^Ｌ _ｊ≦θ^Ｌ _{（ｊ−１）} ・・・（VII）。

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