JP5458236B2 - 電気ヒューズ判定回路及び判定方法 - Google Patents
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Description
高電圧側に接続された第1の電気ヒューズ素子は、電気ヒューズ素子14に、低電圧側に接続された第2の電気ヒューズ素子は、電気ヒューズ素子15に対応している。電気ヒューズ素子のいずれか一方を導通状態にする設定手段は、NMOSトランジスタ8やPMOSトランジスタ3を含む信号STORE0または信号STORE1によって動作する回路に対応している。所定の接点は、node Aに対応し、その電圧のレベルを判定する判定手段は、NMOSトランジスタ11、12、13を含む判定回路に対応している。また、第1の開閉手段と第2の開閉手段は、PMOSトランジスタ4とPMOSトランジスタ5にそれぞれ対応している。
6〜13 NMOSトランジスタ
14、15 電気ヒューズ素子
Claims (7)
- 一端が高電圧側に接続された第1の電気ヒューズ素子と、
一端が低電圧側に接続された第2の電気ヒューズ素子と、
前記第1の電気ヒューズ素子及び前記第2の電気ヒューズ素子のいずれか一方を導通状態にする設定手段と、
前記第1の電気ヒューズ素子の他端と前記第2の電気ヒューズ素子の他端とを接続する所定の接点の電圧レベルを判定する判定手段と、
前記第1の電気ヒューズ素子の他端を前記所定の接点に接続又は非接続する第1の開閉手段と、
前記第2の電気ヒューズ素子の他端を前記所定の接点に接続又は非接続する第2の開閉手段と、を備える、ことを特徴とする電気ヒューズ判定回路。 - 前記判定手段は、前記所定の接点をあらかじめプリチャージすることなく、前記導通状態に設定された前記第1の電気ヒューズ素子及び前記第2の電気ヒューズ素子のいずれか一方に関連する電圧を判定する、ことを特徴とする請求項1に記載の電気ヒューズ判定回路。
- 前記設定手段は、
第1の制御信号を受信し、前記第1の電気ヒューズ素子の他端に接続される第1の回路と、
第2の制御信号を受信し、前記第2の電気ヒューズ素子の他端に接続される第2の回路と、を含み、
前記第1及び第2の制御信号のいずれか一方が活性化することにより、前記第1の電気ヒューズ素子及び前記第2の電気ヒューズ素子のいずれか一方を導通状態にする、ことを特徴とする請求項2に記載の電気ヒューズ判定回路。 - 前記第1の開閉手段及び前記第2の開閉手段は、前記設定手段の動作時に電気的に切断し、
前記第1の開閉手段及び前記第2の開閉手段は、前記設定手段の非動作時に電気的に接続する、ことを特徴とする請求項3に記載の電気ヒューズ判定回路。 - 前記高電圧側の電圧レベルが、前記設定手段の動作時に、前記判定手段の電源電圧より高い電圧レベルに設定され、
前記高電圧側の電圧レベルが、前記設定手段の非動作時に、前記判定手段の電源電圧と同じ電圧レベルに設定され、
前記低電圧側の電圧レベルが、前記設定手段の動作時に、前記判定手段の接地電圧レベルより低い電圧レベルに設定され、
前記低電圧側の電圧レベルが、前記設定手段の非動作時に、前記判定手段の接地電圧レベルと同じ電圧レベルに設定される、ことを特徴とする請求項4に記載の電気ヒューズ判定回路。 - 一端が高電圧側に接続された第1の電気ヒューズ素子と、一端が低電圧側に接続された第2の電気ヒューズ素子とを設け、
前記第1の電気ヒューズ素子及び前記第2の電気ヒューズ素子のいずれか一方を導通状態に設定し、
前記第1の電気ヒューズ素子の他端と前記第2の電気ヒューズ素子の他端とを接続する所定の接点の電圧レベルを判定し、
電源投入時からモードレジスタセットコマンドが外部から供給されるまでの期間、前記所定の接点の前記電圧レベルが、前記導通状態に設定された前記第1の電気ヒューズ素子及び前記第2の電気ヒューズ素子のいずれか一方に関連する所定のレベルに設定される、ことを特徴とする電気ヒューズ判定方法。 - 前記モードレジスタセットコマンドが外部から供給された後に、前記所定の接点の電圧レベルを判定する、ことを特徴とする請求項6に記載の電気ヒューズ判定方法。
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