JP5453664B1 - 自己検知型カンチレバーを用いた走査型探針顕微鏡式プローバ - Google Patents
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Abstract
【課題】被測定物の微細領域での測定は、走査型探針顕微鏡画像を作成し、その画像で探針を微細領域へコンタクトさせて行うが、pA以下の微小電流の測定のため、カンチレバーの変形を検出するセンサー回路をガード電極に流用する。
【解決手段】自己検知型カンチレバーを用い、探針に電流を供給する第1配線と、カンチレバーの変形を検出するセンサー回路用の第2配線について、第2配線を第1配線のガード配線として用いるためのガード電位発生手段と、第2配線を、センサーとして使用する第1期間と、ガード電位に保つ第2期間と、を含む時分割で切換える第2配線切換え手段と、を備える。さらに、第1期間で2次元分布を得た後、第2期間に前記2次元分布基づく所定の位置に上記探針を移動し、第1配線の電流あるいは電圧を測定する。
【選択図】図3
【解決手段】自己検知型カンチレバーを用い、探針に電流を供給する第1配線と、カンチレバーの変形を検出するセンサー回路用の第2配線について、第2配線を第1配線のガード配線として用いるためのガード電位発生手段と、第2配線を、センサーとして使用する第1期間と、ガード電位に保つ第2期間と、を含む時分割で切換える第2配線切換え手段と、を備える。さらに、第1期間で2次元分布を得た後、第2期間に前記2次元分布基づく所定の位置に上記探針を移動し、第1配線の電流あるいは電圧を測定する。
【選択図】図3
Description
この発明は、高集積半導体デバイスの光学顕微鏡で観察しづらい微細領域に直接探針を当てて電気測定を行うことができる自己検知型カンチレバーを用いた走査型探針顕微鏡式プローバに関するものである。
超微細ルールの製造プロセスによる半導体デバイスの故障解析において、多探針AFM(原子間力顕微鏡)式のナノプローバによる電気測定が普及している。トランジスター動作を通常のDC(直流)測定として行う前に、欠陥位置の絞込みとしてAFM動作をしながら背面のアースまたは他の電極等に流れる電流像をとることで、電極からのリークなどのデバイス故障が発見される場合がある。しかし、SOI(シリコンオンインシュレータ)基板など、背面から電流を取り出すことが難しいデバイスも増えてきている。さらに、インラインでのウエーハでの測定では、プロセス状況によっては、背面から電流信号を取ることが難しい場合も多い。この場合は、所定の電極との間の電流像をとる。
光学顕微鏡で観察できなり領域のナノプローバには、SEM(操作型電子顕微鏡)で観測しながらプロービングするものと、AFMの自身の探針で像をとりながらプロービングするものがある。ナノプローバを用いて高集積半導体デバイスの故障解析を行う場合、例えば、サブミクロン以下の露光ルールに微細化した最先端デバイスでは、AFM式が有利であると考えられている。これは、SEMを用いる場合には、電子線損傷によるデバイス特性の劣化や、残留炭化水素による絶縁層の形成などの問題を伴うためである。
通常用いるAFMの探針(プローブ)は、それぞれが独自に移動可能なものである。通常、AFMの探針は個々にカンチレバーに固定された状態で4本から6本使用され、それぞれが独立にXYZ方向にナノメートル(nm)の分解能で移動可能である。この移動はカンチレバーを介してピエゾ素子駆動で行われる。また、通常用いられる探針は、先端半径数十nm(先端デバイス用)であり、その先端で電極に直接コンタクトできる。また、通常、先端から60度以下の角度の中にAFMに必要な全ての機構が収まる。
従来技術として例えば特許文献1(米国特許第6668628 B2号明細書)に、SPM(Scanning probe microscope:走査型探針顕微鏡)やAFM(Atomic force microscope:原子間力顕微鏡)などのスキャニングプローブ装置が開示されており、また、複数の探針を所定の構造をもつ一体ものとして、半導体プロセス等で作り込むことが記載される。しかし、先端半導体デバイスの微細化電極間は100nm以下に達しており、この距離まで近接した複数の探針もつ構造を作り込むことは不可能に近い。さらに、AFMのスキャニング(走査)で、この探針先端は摩耗していくため、頻繁に探針を交換する必要があり、この探針は、低コストで製造することが求められる。
上記のように微細半導体デバイスの故障解析を行う場合は、所定のそれぞれの箇所に各探針を当てることが必要である。この場合、数十nmでプローブの位置制御を行う必要があり、光学顕微鏡での観察による位置制御は極めて困難である。このため、SEM(走査型電子顕微鏡)やAFM(原子間力顕微鏡)による画像を用いたプローブの位置制御が行われる。
実際の例として、従来のナノプローバによる電気測定のプロービングの動作画面を図2に示す。ここでは、図2(a)の配置から得られる4枚のAFMイメージによりコンタクトを取るべき電極を認識し、プロービングを行う。すなわちAFMイメージングでのnNレベルの力での表面観察から、スキャンを止めて、指定の電極に数百nNで探針を押し付ける。しかし、スキャン時の探針と電極の位置関係が、温度変化やピエゾ駆動素子のクリーブ等で変化してしまい、一回で目的のコンタクトをとることは難しい。これを避けるために、通常クローズドループ(Closed loop:閉ループ)と呼ばれる制御を行う。これは、位置センサーとして例えば静電容量をモニターすることで、ピエゾ駆動系のクリーブ等のずれを絶対値として評価フィードバックをかけるものである。しかし、数nmのずれが生じることによって、電気的導通(コンタクト)が変化し、コンタクト抵抗が高くなることが良く起こる。ここで、コンタクトの確認には、例えば、探針からデバイスの電極を通じて試料裏面に流れる電流をモニターし、その電流−電圧特性から確認することができる。通常、この段階でのコンタクト具合の調整には、探針に印加する圧力を変えたり、探針の位置を移動したりする。しかし、実際には、探針は例えば1μm以上程度離れた位置にあり、目標である所定の電極までの移動の際にはnmオーダーの制御が必要になる。このような移動の際に、上記の様にその探針自身のAFMイメージをもとにする場合があるが、この場合でも、かなり困難な作業である。
ここでコンタクトにおいては、図2の例では、4枚のAFMイメージから相互位置を判断し、それぞれの探針が交差しないようにする事が肝要である。コンタクト時は、力のフィードバックを行わず、スキャン時より2桁程度強い力で探針を電極(ここでは導電性プラグ18)に押し付ける。この場合、カンチレバーの撓みを含めても数100nN程度の力でコンタクトを得ることができ、これはSEM式のナノプローバに比べて弱い力であり、探針先端部を損傷することが少ない。
従来の多探針AFMナノプローバの例を図1に示す。この例は、上記のように、複数のプローブを備え、そのプローブを動かして被検査物の所定の部分をスキャンするものである。
また、例えば特許文献2(米国特許第6880389 B2号明細書)には、AFMのカンチレバーに取り付けられた複数のスキャニングプローブを用いて、極狭い領域でスキャニングを行う方法とそのためのSPM装置が開示されている。これは、部分的に重複した領域をスキャンする際に、衝突を避けるように各プローブを制御する制御装置を備えるものである。また、特許文献3(米国特許第6951130 B2号明細書)には、AFMのカンチレバーに取り付けられた複数のスキャニングプローブを用いて極狭い領域でスキャニングを行う方法とSPM装置が開示されている。これは、プローブを動かして所定の領域をスキャンする際にプローブが交叉しそうな場合は、衝突を避けるように一方のプローブをその所定の領域から後退させる制御をする制御装置を備えるものである。また、特許文献4(米国特許第7444857 B2号明細書)には、それぞれ独自の座標系をもったAFMのカンチレバーに取り付けられた複数のスキャニングプローブを用いてスキャニングを行う、SPM装置とそのプローブの制御方法が開示されている。これは、プローブが互いに干渉しないように、その座標系のもとでオフセットを維持してスキャンするものである。
自己検知型カンチレバーを用いた走査型探針顕微鏡式プローバにおいて、被測定物の微細領域での測定は、その周辺のSPM(走査型探針顕微鏡)画像を作成し、その画像に基づいて探針を上記微細領域へコンタクトさせて行うが、pA以下の微小電流を測定するために、カンチレバーの変形を検出するセンサー回路を流用して、カンチレバーにガード電極を設ける。
本発明の自己検知型カンチレバーを用いた走査型探針顕微鏡式プローバは、2次元走査が可能な試料ステージに搭載された被測定物の電気的測定を、2次元走査が可能な探針ステージに搭載された探針を用いて行うことが可能で、前記探針に働く力あるいは前記探針に流れる電流を所定の値にするための制御量の2次元分布を得ることができる走査型探針顕微鏡であって、
上記制御量の2次元分布に基づいて決定された位置に上記探針を設定する設定手段と、上記探針と上記被測定物の所定の部位間の電流あるいは電圧を測定する測定手段と、を備える。
上記探針は、カンチレバーの先端部に設けられ、
上記カンチレバーは自己検知型であって、上記探針に電流を供給するための第1配線と、上記カンチレバーの変形を検出するセンサー回路用の第2配線とを備える。
また、上記センサー回路の出力の変化を検出する検出手段と、
第2配線を第1配線のガード配線として用いるためのガード電位発生手段と、
上記第2配線を、センサーとして使用する第1期間と、ガード電位に保つ第2期間と、を含む時分割で使用するように切換える第2配線切換え手段と、を備える。
さらに、第1期間で上記2次元分布を得た後、第2期間に前記2次元分布基づく所定の位置に上記探針を移動し、第1配線の電流あるいは電圧を測定するものである。
上記制御量の2次元分布に基づいて決定された位置に上記探針を設定する設定手段と、上記探針と上記被測定物の所定の部位間の電流あるいは電圧を測定する測定手段と、を備える。
上記探針は、カンチレバーの先端部に設けられ、
上記カンチレバーは自己検知型であって、上記探針に電流を供給するための第1配線と、上記カンチレバーの変形を検出するセンサー回路用の第2配線とを備える。
また、上記センサー回路の出力の変化を検出する検出手段と、
第2配線を第1配線のガード配線として用いるためのガード電位発生手段と、
上記第2配線を、センサーとして使用する第1期間と、ガード電位に保つ第2期間と、を含む時分割で使用するように切換える第2配線切換え手段と、を備える。
さらに、第1期間で上記2次元分布を得た後、第2期間に前記2次元分布基づく所定の位置に上記探針を移動し、第1配線の電流あるいは電圧を測定するものである。
上記制御量の2次元分布は、上記試料ステージの走査により得るものである。
上記第2期間に上記2次元分布基づく所定の位置に上記探針を移動する操作は、上記探針ステージの移動によって行われるものである。
上記試料ステージおよび上記探針ステージは、3次元の各々の方向の変位を検出するリニアエンコーダと3次元の各々の方向に駆動する駆動系とを備え、
前記リニアエンコーダと前記駆動系とを用いて、前記リニアエンコーダの特定の位置に留まるように制御する閉ループ制御系を備えるものであって、
上記第2期間においては、少なくとも1つの制御系において閉ループ制御を行うものである。
前記リニアエンコーダと前記駆動系とを用いて、前記リニアエンコーダの特定の位置に留まるように制御する閉ループ制御系を備えるものであって、
上記第2期間においては、少なくとも1つの制御系において閉ループ制御を行うものである。
また、本発明の自己検知型カンチレバーを用いた走査型探針顕微鏡式プローバは、上記第1配線の電流あるいは電圧の測定値について、電圧−電流特性が所定の範囲にあるかどうかを判定する判定手段を備え、
上記判定手段による、電圧−電流特性の合格または不合格の判定し、
合格の場合は、測定した電流値あるいは電圧値を出力し、
不合格の場合は、上記探針ステージの移動によって、上記制御量の2次元分布を再度得て、上記再度得た該2次元分布基づく所定の位置に上記探針を移動した後、再度、上記判定手段による、電圧−電流特性の合格または不合格の判定からの手続きを繰り返す測定を行うものである。
上記判定手段による、電圧−電流特性の合格または不合格の判定し、
合格の場合は、測定した電流値あるいは電圧値を出力し、
不合格の場合は、上記探針ステージの移動によって、上記制御量の2次元分布を再度得て、上記再度得た該2次元分布基づく所定の位置に上記探針を移動した後、再度、上記判定手段による、電圧−電流特性の合格または不合格の判定からの手続きを繰り返す測定を行うものである。
同一の被測定物の所定の位置についての上記試料ステージ駆動による2次元分布Aと上記探針ステージ駆動による2次元分布Bとの比較から、上記試料ステージのリニアエンコーダの示す座標値と上記探針ステージのリニアエンコーダの示す座標値との変換係数を決定し、前記変換係数を用いて座標変換する座標変換手段を備え、
上記の、第2期間に前記2次元分布基づく所定の位置に上記探針を移動する操作は、上記座標変換手段を用いて変換した移動値を用いた移動である。
上記の、第2期間に前記2次元分布基づく所定の位置に上記探針を移動する操作は、上記座標変換手段を用いて変換した移動値を用いた移動である。
超微細ルールの製造プロセスによる半導体デバイスの故障解析において必要な多探針ナノプローバによる電気測定において、光学顕微鏡の下では困難な針立てを容易に行うことができるようになり、また、漏れ電流の少ない状態で行うことができる。
以下に、この発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。以下の説明においては、同じ機能あるいは類似の機能をもった装置に、特別な理由がない場合には、同じ符号を用いるものとする。
図3に本発明の自己検知型カンチレバーを用いた走査型探針顕微鏡式プローバの模式図を示す。一般に、SPMの動作モードには、1)コンタクトモード、2)ノンコンタクトモード、3)タッピングモード、4)フォースモード、などがあることが知られている。本発明は、そのいずれの型であっても適用することができる。代表例として図3には、コンタクトモードで動作し、2つのAFMを用いる多探針走査型探針顕微鏡式プローバを用いた例を示す。
被測定物3は、例えば、故障解析を行おうとする半導体チップであり、これは、ステージ2上に置かれる。ステージ2は、その表面と平行に可動であって、定められたX軸とY軸に沿って駆動部1によって駆動される。被測定物3については、探針4a(またはb)を備えたカンチレバー5a(またはb)でAFMイメージがとられ電気的測定が行われる。カンチレバー5a(またはb)は、カンチレバー駆動部6a(またはb)で、定められたX´、Y´、Z´方向に移動することができる。また、AFMイメージの取得においては、駆動部1がコンピュータ10の指示を受けてX´Y´面をスキャンする。このスキャンは、ラスタスキャンやスパイラルスキャンでよい。
カンチレバー駆動部6a(またはb)は、コンピュータ10からのX´Y´面制御とZ´軸についてはフィードバック(FB)回路9a(またはb)からの制御を受ける。Z´軸に関する前記制御は、通常の自己検知型カンチレバーを用いたAFMと同様に行う。つまり、カンチレバーに内蔵されあるいは取り付けられたピエゾ抵抗検出型、静電容量検出型あるいは圧電検出型などのセンサーを用いて、カンチレバーの撓み検出することで原子間力を検知する。図3では、例えばカンチレバーに内蔵されたピエゾ抵抗部19a(またはb)の抵抗変化として原子間力を検知し、所定の値になるようにフィードバックをかけるものである。この様なカンチレバー例はその製造方法とともに、例えば特許文献5(特開平06−300557号公報)に開示されている。
ここで、カンチレバー5a、5bは、図4に示す構造のもので、シリコン基板から形成されたカンチレバー32では、支持体30から伸びるその先端部には探針31が設けられ、その探針31からカンチレバー32の根元方向に配線36が延び、引出し用電極35に至る。また、ピエゾ抵抗33aは、シリコン基板に設けられた不純物拡散層で形成され、これに電極34a、34bを介して通電するための金属配線33b、33cが設けられており、上記不純物拡散層と上記金属配線は絶縁膜で分離されるが、一部においてコンタクト窓37を介して電気的に接続されている。このカンチレバー32に隣接して、温度補償用のダミー抵抗38が設けられている。これは、上記カンチレバーに設けられたピエゾ抵抗33aと同一のものである。
また、このダミー抵抗あるいはその等価抵抗をさらに2つ用意して計3個とし、上記カンチレバーに設けられたピエゾ抵抗と併せて四辺形の各辺の位置に各々配置してよく知られたブリッジ回路を構成し、このブリッジ回路を用いて上記カンチレバーに設けられたピエゾ抵抗の抵抗値の変化を検出することで、上記カンチレバーの撓みを検知するようにしてもよい。
また、このダミー抵抗あるいはその等価抵抗をさらに2つ用意して計3個とし、上記カンチレバーに設けられたピエゾ抵抗と併せて四辺形の各辺の位置に各々配置してよく知られたブリッジ回路を構成し、このブリッジ回路を用いて上記カンチレバーに設けられたピエゾ抵抗の抵抗値の変化を検出することで、上記カンチレバーの撓みを検知するようにしてもよい。
図3に示す例では、電圧電流計17aは探針4aと4b間の電圧電流特性を計測するが、それらの探針に接続する配線間の電圧電流特性を計測してもよいことは明らかである。また、電圧電流計17bはカンチレバー5aの配線と被測定物3に電気的に接続したステージ2間の、それぞれの電圧電流特性を得るための配置としている。
ここで、カンチレバーのピエゾ抵抗19bは、コンピュ−タ10からの制御を受けた切換部21によって、電圧フォロア20の出力あるいはZ軸フィードバック(FB)制御装置9bの入力と排他的に接続される。上記電圧フォロア20は、探針4bの電位に所定のオフセット電圧を付加した電圧を発生する装置で、オフセット電圧の値は通常はゼロである。
上記ピエゾ抵抗19bが電圧フォロア20の出力に接続される場合で、オフセット電圧がゼロの場合に、探針4bまたはその配線に生じる漏れ電流を抑制することができる。これは、通常のガード電極の働きと同様である。このように漏れ電流の少ない状態で探針4aと4b間の電圧電流特性を計測することで、正確な測定を行うことができる。
また、上記ピエゾ抵抗19bがZ´軸フィードバック(FB)制御装置9bの入力に接続される場合は、探針に架かる微弱な力を一定に保ちながらスキャン領域16をスキャンすることで、よく知られた原子間力顕微鏡として動作させることができる。
従って、原子間力顕微鏡による画像を得た後、切換部21を切換えることによって、その画像をもとに探針位置を調整することができるので、微細な測定部分を狙って探針を立てて電気的測定を行うことができるようになる。
図5に本発明の自己検知型カンチレバーを用いた走査型探針顕微鏡式プローバのブロック図を示す。図5において、試料53は試料ステージ52上に置かれ、試料ステージ52は制御PC62で制御されるが、クリーブについてはキャパシタンスセンサ51を用いた閉ループで制御される。
また、カンチレバー54には、参照回路56付の力検出回路55と微小電流測定回路57が設けられており、力検出機能と微小電流測定機能とは、制御PC62で制御されるスイッチ(SW、切換部)58で切り替えられる。この例では、上記の、カンチレバー54、力検出回路55、微小電流測定回路57およびスイッチ58は、探針ステージ59上に配置される。前記探針ステージ59にはエンコーダ60が具備され、探針ステージ59の位置情報が制御PC62に伝送される。上記力検出回路55や微小電流測定回路57における電流あるいは電圧の測定は、半導体パラメトリックアナライザー61で測定し、ガード配線の電位の維持も、この半導体パラメトリックアナライザー61で行うことができる。前記半導体パラメトリックアナライザー61の制御は上記制御PC62から行うことができる。
また、カンチレバー54には、参照回路56付の力検出回路55と微小電流測定回路57が設けられており、力検出機能と微小電流測定機能とは、制御PC62で制御されるスイッチ(SW、切換部)58で切り替えられる。この例では、上記の、カンチレバー54、力検出回路55、微小電流測定回路57およびスイッチ58は、探針ステージ59上に配置される。前記探針ステージ59にはエンコーダ60が具備され、探針ステージ59の位置情報が制御PC62に伝送される。上記力検出回路55や微小電流測定回路57における電流あるいは電圧の測定は、半導体パラメトリックアナライザー61で測定し、ガード配線の電位の維持も、この半導体パラメトリックアナライザー61で行うことができる。前記半導体パラメトリックアナライザー61の制御は上記制御PC62から行うことができる。
図3の上記自己検知型カンチレバーを用いた走査型探針顕微鏡式プローバを用いた被測定物3の電気的測定は、例えば図6に示す手順で行う。
1.試料ステージを動かしながら、光学的に位置の確認を行う。これは、試料の置き方による試料ステージとの変位角測定のためである。
2.開始点を設定するために初期位置確認を行う。この際、試料ステージのエンコーダ値をリセットする。
3.光学顕微鏡画像を用い探針ステージを駆動して、プローブの自動針寄せを行う。この場合1ミクロン程度の誤差で針寄せを行うことができる。
ここで、試料ステージの閉ループ制御を開始する。
4.カンチレバーの探針の相互位置を確認する。この確認には、例えばAFM像を用いる。
5.故障個所へ探針ステージ駆動により移動する。微細半導体デバイスの故障解析を行う場合は、その半導体デバイスのCADデータを利用して移動方向や移動距離を予め設定することができる。
6.カンチレバーの探針の相互位置を再確認する。この再確認には、例えば上記のAFM像を用いる。
7.カンチレバーの探針の針寄せを行う。これは、針立てし易い位置にカンチレバーをセットするためである。例えばAFM像を用いるが、上記のAFM像を用いることができる状況にあればそれを用いてもよい。
8.針立てをして電気的コンタクトをとり、所定の電圧電流測定を行う。
1.試料ステージを動かしながら、光学的に位置の確認を行う。これは、試料の置き方による試料ステージとの変位角測定のためである。
2.開始点を設定するために初期位置確認を行う。この際、試料ステージのエンコーダ値をリセットする。
3.光学顕微鏡画像を用い探針ステージを駆動して、プローブの自動針寄せを行う。この場合1ミクロン程度の誤差で針寄せを行うことができる。
ここで、試料ステージの閉ループ制御を開始する。
4.カンチレバーの探針の相互位置を確認する。この確認には、例えばAFM像を用いる。
5.故障個所へ探針ステージ駆動により移動する。微細半導体デバイスの故障解析を行う場合は、その半導体デバイスのCADデータを利用して移動方向や移動距離を予め設定することができる。
6.カンチレバーの探針の相互位置を再確認する。この再確認には、例えば上記のAFM像を用いる。
7.カンチレバーの探針の針寄せを行う。これは、針立てし易い位置にカンチレバーをセットするためである。例えばAFM像を用いるが、上記のAFM像を用いることができる状況にあればそれを用いてもよい。
8.針立てをして電気的コンタクトをとり、所定の電圧電流測定を行う。
あるいは、次の様に行ってもよい。
1) 複数の探針を所定の距離に離間して配置する。この際、これらが例えば図2(a)の所定のスキャン領域16に入るようにする。これは、アラインメントマークまたはその代用となるAFMイメージをとることで容易に行うことができる。スキャン領域16が比較的大きなサイズの場合、光学顕微鏡のもとでもこれを行うことができる。ここで、後に述べる理由から、探針間をできるだけ接近して配置することが望ましい。
1) 複数の探針を所定の距離に離間して配置する。この際、これらが例えば図2(a)の所定のスキャン領域16に入るようにする。これは、アラインメントマークまたはその代用となるAFMイメージをとることで容易に行うことができる。スキャン領域16が比較的大きなサイズの場合、光学顕微鏡のもとでもこれを行うことができる。ここで、後に述べる理由から、探針間をできるだけ接近して配置することが望ましい。
2) 上記可動ステージ2をラスタスキャンして、それぞれの探針による画像について、重なり領域のあるそれぞれのAFMイメージを取得する。ここで、ラスタスキャンの領域サイズは、迅速な測定を行うためには、できるだけ小さい領域であることが望ましいことは明らかであるが、重なり領域を見出せるサイズであることが必要である。例えば、探針4a、4bを用いて、AFMイメージである図7(a)のマップA、マップBをそれぞれ取得する。ラスタスキャンの場合、探針4a、4bのスキャン最後の位置が、それぞれのマップA、Bの端にくるので、それぞれのマップの中心付近に戻しておくことが望ましい。また、外側から内側に向かうスパイラルスキャンを行うと、スキャン最後の位置がスキャン領域のほぼ中央になるので、望ましい。
3) 取得したイメージにおける上記重なり領域を見出して、上記探針のそれぞれの位置を読み取る。これは、例えば図7(a)の重複部分である。重複部分を見出すことは、マップAとマップBの相対位置を少しずつ変えて相関係数を評価し、最大となるところを見出すことで行うことができる。また、この重複部分で連結することによって、図7(b)に示す合成したマップを得ることができる。これは、当然のことながら、スキャン領域よりも広い面積をカバーしている。
上記の試料ステージでの操作の次に、探針ステージでカンチレバーを駆動して、測定しようとする点に探針をたてる。その際、探針ステージの駆動軸と試料ステージの駆動軸が整合していない場合が多い。そこで、探針ステージのスキャンによる画像(例えば、AFM像あるいはSTM像)と、試料ステージ駆動によるカンチレバーのスキャンによる画像(例えば、AFM像)とを比較して、探針ステージの駆動軸と、試料ステージの駆動軸との合わせこみを行う。
この合わせこみは、図8に示す様に、それぞれの駆動軸を座標軸とみて、上記試料ステージの座標系41と標準となる座標系40間の変換式、および上記探針ステージの座標系42と標準となる座標系40間の変換式を決定することに等しい。この際、そのいずれか一方を標準となる座標系としても良いことは明らかである。また、上記の駆動系による移動範囲は微小領域に限られるので、上記の変換式は、一次式としても十分な精度が得られる。
つまり、上記の合わせこみは、同一の被測定物の所定の位置についての上記試料ステージ駆動による2次元分布Aと上記探針ステージ駆動による2次元分布Bとの比較から、既によく知られた方法によって、上記試料ステージのリニアエンコーダの示す座標値の一次変換式の変換係数と、上記探針ステージのリニアエンコーダの示す座標値の一次変換式の変換係数とを決定するものである。
また、試料ステージの駆動用または探針ステージの駆動用に、そのいずれか一方の座標系あるいはそのいずれとも異なる座標系から変換係数を用いて座標変換する座標変換手段を備える。特に、カンチレバーに設けられた上記センサーをガード電極として使用する上記第2期間に、前記2次元分布基づく所定の位置に上記探針を移動する操作は、上記座標変換手段を用いて変換した移動値を用いた移動である。
この合わせこみは、図8に示す様に、それぞれの駆動軸を座標軸とみて、上記試料ステージの座標系41と標準となる座標系40間の変換式、および上記探針ステージの座標系42と標準となる座標系40間の変換式を決定することに等しい。この際、そのいずれか一方を標準となる座標系としても良いことは明らかである。また、上記の駆動系による移動範囲は微小領域に限られるので、上記の変換式は、一次式としても十分な精度が得られる。
つまり、上記の合わせこみは、同一の被測定物の所定の位置についての上記試料ステージ駆動による2次元分布Aと上記探針ステージ駆動による2次元分布Bとの比較から、既によく知られた方法によって、上記試料ステージのリニアエンコーダの示す座標値の一次変換式の変換係数と、上記探針ステージのリニアエンコーダの示す座標値の一次変換式の変換係数とを決定するものである。
また、試料ステージの駆動用または探針ステージの駆動用に、そのいずれか一方の座標系あるいはそのいずれとも異なる座標系から変換係数を用いて座標変換する座標変換手段を備える。特に、カンチレバーに設けられた上記センサーをガード電極として使用する上記第2期間に、前記2次元分布基づく所定の位置に上記探針を移動する操作は、上記座標変換手段を用いて変換した移動値を用いた移動である。
4) 上記探針のそれぞれを、所定の位置に移動する。この段階では、上記の合成したマップを用いることができる。
5) 上記被測定物の測定を行う。この際、図2(b)に示すように、例えば探針4a、4bが、点線像から実線像の方にずれることが度々起こる。例えば、被測定物のコンタクトホールやスルーホールに埋め込まれた導電性プラグ18に圧接して電気的導通をとる場合に、圧接する際に探針が被測定物の表面を滑って、その位置がずれることが度々起こる。このため、圧接前の距離にこのずれを見込んでおくことが望ましい。
5) 上記被測定物の測定を行う。この際、図2(b)に示すように、例えば探針4a、4bが、点線像から実線像の方にずれることが度々起こる。例えば、被測定物のコンタクトホールやスルーホールに埋め込まれた導電性プラグ18に圧接して電気的導通をとる場合に、圧接する際に探針が被測定物の表面を滑って、その位置がずれることが度々起こる。このため、圧接前の距離にこのずれを見込んでおくことが望ましい。
上記の例では、探針を所定の距離に離間する際、アラインメントマークまたはその代用となるものを用いるか、光学顕微鏡を用いた。光学顕微鏡のもとでは、上記微細配線に比べて比較的大きなサイズの対象物である場合でも、光学顕微鏡で確認できる限界以下のサイズにおいては、探針先端を損傷する場合が多い。そこで、次のようにすることで、探針先端の受ける損傷を避けることができる。
1) 探針間の導通特性から、該探針間が近接位置であることを示すように、該探針のそれぞれの位置を設定する。例えば、図9(a)に示すように、一方、あるいは両方の探針を、トンネル電流あるいはイオン化されたガスによるイオン電流が流れるまで移動して接近させる。ここで、電圧電流計を用いて、通常の電気的導通が得られる直前で停止することが肝要である。また、原子間力が働く程度の距離に接近させることでも、上記と同様な距離に設定することができる。
この際、探針間に過大な電圧を印加すると、探針同士が静電引力で引き合い、互いに接触する傾向にある。このため、上記探針間に印加する電圧は、静電引力が邪魔にならない程度の電圧値にすることが肝要である。この際、高抵抗素子を通じて電圧を印加するようにすることが望ましい。これによって探針先端部分を過電流破損から保護することができる。また、適切な抵抗値を用いることで、接触による電荷の放電と離間時の充電が交互に起こり、探針先端部を振動させることができるので、この機械的振動あるいは電流の断続を検出することにより、探針間が接近した状態にあることを検知することが可能である。
また、上記探針を同電圧で、周囲の電位から見ると明確に正電位あるいは負電位となるようにすることにより、探針間の静電気反発力を生じさせ、これを用いて上記探針間を反発させながら接近させることができる。
また、上記探針の固有振動周波数よりも高い周波数の交流電圧を上記探針間に印加して引力と斥力を交互に働かせることにより、上記探針間の接触を避けながら探針間の距離を縮めることが可能である。上記交流電圧を徐々に低下させながら、上記探針間に印加する機械的圧力を減少させることで、上記探針間を極接近した位置に互いに離間した状態にすることができる。
2) 上記探針を図9(b)に示す様に所定の距離で離間する。これは、上記の様に、上記探針間が極接近した距離にあっては、互いの干渉なしに電気的測定を行うことができないためである。また、この際の所定の距離は、なるべく小さいことが望ましい。これは、スキャン領域の面積が一定の場合に、上記のマップA、マップBの重複領域の面積割合をなるべく大きくするためである。
1) 探針間の導通特性から、該探針間が近接位置であることを示すように、該探針のそれぞれの位置を設定する。例えば、図9(a)に示すように、一方、あるいは両方の探針を、トンネル電流あるいはイオン化されたガスによるイオン電流が流れるまで移動して接近させる。ここで、電圧電流計を用いて、通常の電気的導通が得られる直前で停止することが肝要である。また、原子間力が働く程度の距離に接近させることでも、上記と同様な距離に設定することができる。
この際、探針間に過大な電圧を印加すると、探針同士が静電引力で引き合い、互いに接触する傾向にある。このため、上記探針間に印加する電圧は、静電引力が邪魔にならない程度の電圧値にすることが肝要である。この際、高抵抗素子を通じて電圧を印加するようにすることが望ましい。これによって探針先端部分を過電流破損から保護することができる。また、適切な抵抗値を用いることで、接触による電荷の放電と離間時の充電が交互に起こり、探針先端部を振動させることができるので、この機械的振動あるいは電流の断続を検出することにより、探針間が接近した状態にあることを検知することが可能である。
また、上記探針を同電圧で、周囲の電位から見ると明確に正電位あるいは負電位となるようにすることにより、探針間の静電気反発力を生じさせ、これを用いて上記探針間を反発させながら接近させることができる。
また、上記探針の固有振動周波数よりも高い周波数の交流電圧を上記探針間に印加して引力と斥力を交互に働かせることにより、上記探針間の接触を避けながら探針間の距離を縮めることが可能である。上記交流電圧を徐々に低下させながら、上記探針間に印加する機械的圧力を減少させることで、上記探針間を極接近した位置に互いに離間した状態にすることができる。
2) 上記探針を図9(b)に示す様に所定の距離で離間する。これは、上記の様に、上記探針間が極接近した距離にあっては、互いの干渉なしに電気的測定を行うことができないためである。また、この際の所定の距離は、なるべく小さいことが望ましい。これは、スキャン領域の面積が一定の場合に、上記のマップA、マップBの重複領域の面積割合をなるべく大きくするためである。
本発明は、半導体デバイスの故障解析、立ち上げ時の少量不良に関する詳細解析などにも、容易に適用することができる。また、インラインテスト時など、ウエーハ段階での故障解析などに裏面から電気的コンタクトを取りにくい状況での電気特性検査に使用すると効果的である。
1 駆動部
2 ステージ
3 被測定物
4a、4b 探針
5a、5b カンチレバー
6a、6b カンチレバー駆動部 ⇒探針ステージ
7a、7b レーザ光源
8a、8b 4分割光検出器
9a、9b フィードバック(FB)回路
10 コンピュータ
11 制御線
12a、12b 制御線
13a、13b 信号線
14a、14b 信号線
15a、15b レーザ光
16 スキャン領域
17a、17b 電圧電流計
18 導電性プラグ
19a、19b ピエゾ抵抗部
20 電圧フォロア
21 切換部
30 支持体
31 探針
32 カンチレバー
33a ピエゾ抵抗
33b、33c 金属配線
34a、34b 電極
35 引出し用電極
36 配線
37 コンタクト窓
38 ダミー抵抗
40 標準となる座標系
41 試料ステージの座標系
42 探針ステージの座標系
51 キャパシタンスセンサ
52 試料ステージ
53 試料
54 カンチレバー
55 力検出回路
56 参照回路
57 微小電流測定回路
58 スイッチ(SW)
59 探針ステージ
60 エンコーダ
61 半導体パラメトリックアナライザー
62 制御PC
2 ステージ
3 被測定物
4a、4b 探針
5a、5b カンチレバー
6a、6b カンチレバー駆動部 ⇒探針ステージ
7a、7b レーザ光源
8a、8b 4分割光検出器
9a、9b フィードバック(FB)回路
10 コンピュータ
11 制御線
12a、12b 制御線
13a、13b 信号線
14a、14b 信号線
15a、15b レーザ光
16 スキャン領域
17a、17b 電圧電流計
18 導電性プラグ
19a、19b ピエゾ抵抗部
20 電圧フォロア
21 切換部
30 支持体
31 探針
32 カンチレバー
33a ピエゾ抵抗
33b、33c 金属配線
34a、34b 電極
35 引出し用電極
36 配線
37 コンタクト窓
38 ダミー抵抗
40 標準となる座標系
41 試料ステージの座標系
42 探針ステージの座標系
51 キャパシタンスセンサ
52 試料ステージ
53 試料
54 カンチレバー
55 力検出回路
56 参照回路
57 微小電流測定回路
58 スイッチ(SW)
59 探針ステージ
60 エンコーダ
61 半導体パラメトリックアナライザー
62 制御PC
Claims (6)
- 2次元走査が可能な試料ステージに搭載された被測定物の電気的測定を、2次元走査が可能な探針ステージに搭載された探針を用いて行うことが可能で、前記探針に働く力あるいは前記探針に流れる電流を所定の値にするための制御量の2次元分布を得ることができる走査型探針顕微鏡であって、
上記制御量の2次元分布に基づいて決定された位置に上記探針を設定する設定手段と、上記探針と上記被測定物の所定の部位間との間の電流あるいは電圧を測定する測定手段と、を備え、
上記探針は、カンチレバーの先端部に設けられ、
上記カンチレバーは自己検知型であって、上記探針に電流を供給するための第1配線と、上記カンチレバーの変形を検出するセンサー回路用の第2配線とを備え、
上記センサー回路の出力の変化を検出する検出手段と、
第2配線を第1配線のガード配線として用いるためのガード電位発生手段と、
上記第2配線を、センサーとして使用する第1期間と、ガード電位に保つ第2期間と、を含む時分割で使用するように切換える第2配線切換え手段と、を備え、
第1期間で上記2次元分布を得た後、第2期間に前記2次元分布基づく所定の位置に上記探針を移動し、第1配線の電流あるいは電圧を測定するものであることを特徴とする自己検知型カンチレバーを用いた走査型探針顕微鏡式プローバ。 - 上記制御量の2次元分布は、上記試料ステージの走査により得るものであることを特徴とする請求項1に記載の自己検知型カンチレバーを用いた走査型探針顕微鏡式プローバ。
- 上記第2期間に上記2次元分布基づく所定の位置に上記探針を移動する操作は、上記探針ステージの移動によって行われるものであることを特徴とする請求項1あるいは2のいずれか1つに記載の自己検知型カンチレバーを用いた走査型探針顕微鏡式プローバ。
- 上記試料ステージおよび上記探針ステージは、それぞれ、3次元の各々の方向の変位を検出するリニアエンコーダと3次元の各々の方向に駆動する駆動系とを備え、
前記リニアエンコーダと前記駆動系とを含み、前記リニアエンコーダの特定の位置に留まるように制御する閉ループ制御系を備えるものであって、
上記第2期間においては、少なくとも1つの制御系において閉ループ制御を行うものであることを特徴とする請求項1から3のいずれか1つに記載の自己検知型カンチレバーを用いた走査型探針顕微鏡式プローバ。 - 上記第1配線の電流あるいは電圧の測定値について、電圧−電流特性が所定の範囲にあるかどうかを判定する判定手段を備え、
(1)電流あるいは電圧の測定の際に、電圧−電流特性を上記判定手段で判定し、
(2)上記所定の範囲にある場合は、測定した電流あるいは電圧を出力し、
(3)上記所定の範囲にない場合は、上記探針ステージの移動によって、上記制御量の2次元分布を再度得て、上記再度得た該2次元分布基づく所定の位置に上記探針を移動した後、上記(1)ステップに戻って、
測定を行うものであることを特徴とする請求項1から4のいずれか1つに記載の自己検知型カンチレバーを用いた走査型探針顕微鏡式プローバ。 - 同一の被測定物の所定の位置についての上記試料ステージ駆動による2次元分布Aと上記探針ステージ駆動による2次元分布Bとの比較から、上記試料ステージのリニアエンコーダの示す座標値と上記探針ステージのリニアエンコーダの示す座標値との変換係数を決定し、前記変換係数を用いて座標変換する座標変換手段を備え、
上記の、第2期間に前記2次元分布基づく所定の位置に上記探針を移動する操作は、上記座標変換手段を用いて変換した移動値を用いた移動である、ことを特徴とする請求項1から5のいずれか1つに記載の自己検知型カンチレバーを用いた走査型探針顕微鏡式プローバ。
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