JP5453628B2 - 非導電性ナノワイヤー及びその製造方法 - Google Patents
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れ,好ましくはCN又はClである。なお,TCNQは,7,7,8,8−テトラシアノキノジメタン(tetracyanoquinodimethane)の略であり,TMPDは,N,N,N’,N’−テトラメチルパラフェニレンジアミン(tetramethylparaphenylenediamine)の略であり,TTFはテトラチアフルバレン(tetrathiofulvalene)の略である。
る。
Claims (11)
- 幅が50nm〜1μmであり,
長さが100nm〜5μmであり,
有機化合物の結晶を含む有機モット絶縁体である非導電性ナノワイヤーであって,
前記有機モット絶縁体が,[M(Pc)L2]中性ラジカル結晶(Mは金属を示し,Lは軸配位子を示し,Pcはフタロシアニンを示す。)からなり,
前記[M(Pc)L2]中性ラジカル結晶が,[Co(Pc)(CN)2]・2CHBr3結晶,[Co(Pc)(CN)2]・2CH2Cl2結晶,[Co(Pc)(CN)2]・2CHCl3結晶,[Co(Pc)(CN)2]・CH3CN結晶,[Co(Pc)(CN)2]・2(CH3)2SO結晶,[Co(Pc)(CN)2]・2H2O結晶,[Co(Pc)(CN)2]・2(CH3)2CO結晶,又は[Co(Pc)(CN)2]・CH3CH2OH結晶である
非導電性ナノワイヤー。 - 伝導度が1S・cm−1以下である請求項1に記載の非導電性ナノワイヤー。
- 有機モット絶縁体の原料を含む電解液を用い,
最も近接した部位の間隔が20μm〜100μmである2本の電極から最大電位差を10mV〜20Vとする直流電圧または交流電圧のいずれかまたは両方を前記2本の電極に印加することにより非導電性ナノワイヤーを製造する工程を含み,
前記有機モット絶縁体が,[M(Pc)L2]中性ラジカル結晶(Mは金属を示し,Lは軸配位子を示し,Pcはフタロシアニンを示す。)からなり,
前記[M(Pc)L2]中性ラジカル結晶が,[Co(Pc)(CN)2]・2CHBr3結晶,[Co(Pc)(CN)2]・2CH2Cl2結晶,[Co(Pc)(CN)2]・2CHCl3結晶,[Co(Pc)(CN)2]・CH3CN結晶,[Co(Pc)(CN)2]・2(CH3)2SO結晶,[Co(Pc)(CN)2]・2H2O結晶,[Co(Pc)(CN)2]・2(CH3)2CO結晶,又は[Co(Pc)(CN)2]・CH3CH2OH結晶である
有機モット絶縁体である非導電性ナノワイヤーの製造方法。 - 交流電圧を前記2本の電極に印加することにより,
前記2本の電極間に幅が50nm〜1μmであり,長さが100nm〜5μmである非導電性ナノワイヤーを製造する請求項3に記載の非導電性ナノワイヤーの製造方法。 - ソース電極,ドレイン電極及びゲート電極を具備し,
前記ソース電極及びドレイン電極が,有機化合物の結晶を含む有機モット絶縁体である非導電性ナノワイヤーで連結されており,
前記有機モット絶縁体が,[M(Pc)L2]中性ラジカル結晶(Mは金属を示し,Lは軸配位子を示し,Pcはフタロシアニンを示す。)からなり,
前記[M(Pc)L2]中性ラジカル結晶が,[Co(Pc)(CN)2]・2CHBr3結晶,[Co(Pc)(CN)2]・2CH2Cl2結晶,[Co(Pc)(CN)2]・2CHCl3結晶,[Co(Pc)(CN)2]・CH3CN結晶,[Co(Pc)(CN)2]・2(CH3)2SO結晶,[Co(Pc)(CN)2]・2H2O結晶,[Co(Pc)(CN)2]・2(CH3)2CO結晶,又は[Co(Pc)(CN)2]・CH3CH2OH結晶である
トランジスタ。 - 前記ソース電極及びドレイン電極と,ゲート電極との間に,絶縁層を具備する請求項5に記載のトランジスタ。
- 前記ソース電極及びドレイン電極の最も近接した部位の距離が,20μm〜100μmである請求項5に記載のトランジスタ。
- 前記非導電性ナノワイヤーの幅が50nm〜1μmであり,長さが100nm〜5μmである,請求項5に記載のトランジスタ。
- 前記非導電性ナノワイヤーの伝導度が1S・cm−1以下である請求項5に記載のトランジスタ。
- 前記ソース電極及びドレイン電極は,それぞれ突起部を有し,
前記突起部は,先端部に複数のくし状突起を有する請求項5に記載のトランジスタ。 - 前記非導電性ナノワイヤーが,有機化合物錯体の単結晶又は有機化合物の単結晶からなる請求項5に記載のトランジスタ。
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