JP5449270B2 - Solid-state imaging device and method for manufacturing solid-state imaging device - Google Patents
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- 238000003384 imaging method Methods 0.000 title claims description 70
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 title description 9
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 237
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 79
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 78
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims description 66
- XMWRBQBLMFGWIX-UHFFFAOYSA-N C60 fullerene Chemical class C12=C3C(C4=C56)=C7C8=C5C5=C9C%10=C6C6=C4C1=C1C4=C6C6=C%10C%10=C9C9=C%11C5=C8C5=C8C7=C3C3=C7C2=C1C1=C2C4=C6C4=C%10C6=C9C9=C%11C5=C5C8=C3C3=C7C1=C1C2=C4C6=C2C9=C5C3=C12 XMWRBQBLMFGWIX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 58
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 52
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 52
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 52
- 229910003472 fullerene Inorganic materials 0.000 claims description 45
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 38
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims description 33
- 238000000862 absorption spectrum Methods 0.000 claims description 12
- NRCMAYZCPIVABH-UHFFFAOYSA-N Quinacridone Chemical group N1C2=CC=CC=C2C(=O)C2=C1C=C1C(=O)C3=CC=CC=C3NC1=C2 NRCMAYZCPIVABH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N phthalocyanine Chemical group N1C(N=C2C3=CC=CC=C3C(N=C3C4=CC=CC=C4C(=N4)N3)=N2)=C(C=CC=C2)C2=C1N=C1C2=CC=CC=C2C4=N1 IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims description 7
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims description 7
- ATLMFJTZZPOKLC-UHFFFAOYSA-N C70 fullerene Chemical compound C12=C(C3=C4C5=C67)C8=C9C%10=C%11C%12=C%13C(C%14=C%15C%16=%17)=C%18C%19=C%20C%21=C%22C%23=C%24C%21=C%21C(C=%25%26)=C%20C%18=C%12C%26=C%10C8=C4C=%25C%21=C5C%24=C6C(C4=C56)=C%23C5=C5C%22=C%19C%14=C5C=%17C6=C5C6=C4C7=C3C1=C6C1=C5C%16=C3C%15=C%13C%11=C4C9=C2C1=C34 ATLMFJTZZPOKLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- -1 triarylamine compound Chemical class 0.000 description 39
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 35
- 239000003446 ligand Substances 0.000 description 29
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 23
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 18
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 15
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 12
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 8
- GVEPBJHOBDJJJI-UHFFFAOYSA-N fluoranthene Chemical class C1=CC(C2=CC=CC=C22)=C3C2=CC=CC3=C1 GVEPBJHOBDJJJI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 7
- 238000000859 sublimation Methods 0.000 description 7
- 230000008022 sublimation Effects 0.000 description 7
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 6
- RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N imidazole Natural products C1=CNC=N1 RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- DZVCFNFOPIZQKX-LTHRDKTGSA-M merocyanine Chemical compound [Na+].O=C1N(CCCC)C(=O)N(CCCC)C(=O)C1=C\C=C\C=C/1N(CCCS([O-])(=O)=O)C2=CC=CC=C2O\1 DZVCFNFOPIZQKX-LTHRDKTGSA-M 0.000 description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 6
- 238000000746 purification Methods 0.000 description 6
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 6
- UJOBWOGCFQCDNV-UHFFFAOYSA-N Carbazole Natural products C1=CC=C2C3=CC=CC=C3NC2=C1 UJOBWOGCFQCDNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- UHZAFCVNWQGRLM-UHFFFAOYSA-N bis(trihexylsiloxy)silicon 2,3-naphthalocyanine Chemical compound N1=C(C2=CC3=CC=CC=C3C=C2C2=NC=3C4=CC5=CC=CC=C5C=C4C(=N4)N=3)N2[Si](O[Si](CCCCCC)(CCCCCC)CCCCCC)(O[Si](CCCCCC)(CCCCCC)CCCCCC)N2C4=C(C=C3C(C=CC=C3)=C3)C3=C2N=C2C3=CC4=CC=CC=C4C=C3C1=N2 UHZAFCVNWQGRLM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 125000002080 perylenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45)* 0.000 description 5
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 5
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 5
- JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N Pyridine Chemical compound C1=CC=NC=C1 JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 150000001454 anthracenes Chemical class 0.000 description 4
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 4
- 150000004696 coordination complex Chemical class 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 4
- 150000002790 naphthalenes Chemical class 0.000 description 4
- 150000002987 phenanthrenes Chemical class 0.000 description 4
- 150000003220 pyrenes Chemical class 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- 150000003518 tetracenes Chemical class 0.000 description 4
- YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N Divinylene sulfide Natural products C=1C=CSC=1 YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- PCNDJXKNXGMECE-UHFFFAOYSA-N Phenazine Natural products C1=CC=CC2=NC3=CC=CC=C3N=C21 PCNDJXKNXGMECE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- PTFCDOFLOPIGGS-UHFFFAOYSA-N Zinc dication Chemical compound [Zn+2] PTFCDOFLOPIGGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 3
- 125000004104 aryloxy group Chemical group 0.000 description 3
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 3
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 3
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- XSCHRSMBECNVNS-UHFFFAOYSA-N quinoxaline Chemical compound N1=CC=NC2=CC=CC=C21 XSCHRSMBECNVNS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 125000004469 siloxy group Chemical group [SiH3]O* 0.000 description 3
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 3
- QGKMIGUHVLGJBR-UHFFFAOYSA-M (4z)-1-(3-methylbutyl)-4-[[1-(3-methylbutyl)quinolin-1-ium-4-yl]methylidene]quinoline;iodide Chemical compound [I-].C12=CC=CC=C2N(CCC(C)C)C=CC1=CC1=CC=[N+](CCC(C)C)C2=CC=CC=C12 QGKMIGUHVLGJBR-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- AZQWKYJCGOJGHM-UHFFFAOYSA-N 1,4-benzoquinone Chemical compound O=C1C=CC(=O)C=C1 AZQWKYJCGOJGHM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VEPOHXYIFQMVHW-XOZOLZJESA-N 2,3-dihydroxybutanedioic acid (2S,3S)-3,4-dimethyl-2-phenylmorpholine Chemical compound OC(C(O)C(O)=O)C(O)=O.C[C@H]1[C@@H](OCCN1C)c1ccccc1 VEPOHXYIFQMVHW-XOZOLZJESA-N 0.000 description 2
- ONKCIMOQGCARHN-UHFFFAOYSA-N 3-methyl-n-[4-[4-(3-methylanilino)phenyl]phenyl]aniline Chemical compound CC1=CC=CC(NC=2C=CC(=CC=2)C=2C=CC(NC=3C=C(C)C=CC=3)=CC=2)=C1 ONKCIMOQGCARHN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DIVZFUBWFAOMCW-UHFFFAOYSA-N 4-n-(3-methylphenyl)-1-n,1-n-bis[4-(n-(3-methylphenyl)anilino)phenyl]-4-n-phenylbenzene-1,4-diamine Chemical compound CC1=CC=CC(N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)=C1 DIVZFUBWFAOMCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KDCGOANMDULRCW-UHFFFAOYSA-N 7H-purine Chemical compound N1=CNC2=NC=NC2=C1 KDCGOANMDULRCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KAKZBPTYRLMSJV-UHFFFAOYSA-N Butadiene Chemical compound C=CC=C KAKZBPTYRLMSJV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SIKJAQJRHWYJAI-UHFFFAOYSA-N Indole Chemical compound C1=CC=C2NC=CC2=C1 SIKJAQJRHWYJAI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZCQWOFVYLHDMMC-UHFFFAOYSA-N Oxazole Chemical compound C1=COC=N1 ZCQWOFVYLHDMMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KYQCOXFCLRTKLS-UHFFFAOYSA-N Pyrazine Chemical compound C1=CN=CC=N1 KYQCOXFCLRTKLS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KAESVJOAVNADME-UHFFFAOYSA-N Pyrrole Chemical compound C=1C=CNC=1 KAESVJOAVNADME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SMWDFEZZVXVKRB-UHFFFAOYSA-N Quinoline Chemical compound N1=CC=CC2=CC=CC=C21 SMWDFEZZVXVKRB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007983 Tris buffer Substances 0.000 description 2
- DZBUGLKDJFMEHC-UHFFFAOYSA-N acridine Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3N=C21 DZBUGLKDJFMEHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AZDRQVAHHNSJOQ-UHFFFAOYSA-N alumane Chemical class [AlH3] AZDRQVAHHNSJOQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001601 aromatic carbocyclic compounds Chemical class 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- IOJUPLGTWVMSFF-UHFFFAOYSA-N benzothiazole Chemical compound C1=CC=C2SC=NC2=C1 IOJUPLGTWVMSFF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001423 beryllium ion Inorganic materials 0.000 description 2
- PWOSZCQLSAMRQW-UHFFFAOYSA-N beryllium(2+) Chemical compound [Be+2] PWOSZCQLSAMRQW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 2
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 2
- ZYGHJZDHTFUPRJ-UHFFFAOYSA-N coumarin Chemical compound C1=CC=C2OC(=O)C=CC2=C1 ZYGHJZDHTFUPRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N diphenyl Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1 ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DMBHHRLKUKUOEG-UHFFFAOYSA-N diphenylamine Chemical compound C=1C=CC=CC=1NC1=CC=CC=C1 DMBHHRLKUKUOEG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CKHJYUSOUQDYEN-UHFFFAOYSA-N gallium(3+) Chemical compound [Ga+3] CKHJYUSOUQDYEN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N heliogen blue Chemical compound [Cu].[N-]1C2=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=NC([N-]1)=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=N2 RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000005553 heteroaryloxy group Chemical group 0.000 description 2
- AWJUIBRHMBBTKR-UHFFFAOYSA-N isoquinoline Chemical compound C1=NC=CC2=CC=CC=C21 AWJUIBRHMBBTKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 2
- 125000004433 nitrogen atom Chemical group N* 0.000 description 2
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 description 2
- 229920000412 polyarylene Chemical class 0.000 description 2
- 150000003219 pyrazolines Chemical class 0.000 description 2
- BBEAQIROQSPTKN-UHFFFAOYSA-N pyrene Chemical compound C1=CC=C2C=CC3=CC=CC4=CC=C1C2=C43 BBEAQIROQSPTKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N pyridine Natural products COC1=CC=CN=C1 UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 125000005504 styryl group Chemical group 0.000 description 2
- 125000004434 sulfur atom Chemical group 0.000 description 2
- 229930192474 thiophene Natural products 0.000 description 2
- JYEUMXHLPRZUAT-UHFFFAOYSA-N 1,2,3-triazine Chemical compound C1=CN=NN=C1 JYEUMXHLPRZUAT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BCMCBBGGLRIHSE-UHFFFAOYSA-N 1,3-benzoxazole Chemical compound C1=CC=C2OC=NC2=C1 BCMCBBGGLRIHSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VERMWGQSKPXSPZ-BUHFOSPRSA-N 1-[(e)-2-phenylethenyl]anthracene Chemical class C=1C=CC2=CC3=CC=CC=C3C=C2C=1\C=C\C1=CC=CC=C1 VERMWGQSKPXSPZ-BUHFOSPRSA-N 0.000 description 1
- WJFKNYWRSNBZNX-UHFFFAOYSA-N 10H-phenothiazine Chemical compound C1=CC=C2NC3=CC=CC=C3SC2=C1 WJFKNYWRSNBZNX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TZMSYXZUNZXBOL-UHFFFAOYSA-N 10H-phenoxazine Chemical compound C1=CC=C2NC3=CC=CC=C3OC2=C1 TZMSYXZUNZXBOL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HYZJCKYKOHLVJF-UHFFFAOYSA-N 1H-benzimidazole Chemical compound C1=CC=C2NC=NC2=C1 HYZJCKYKOHLVJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BAXOFTOLAUCFNW-UHFFFAOYSA-N 1H-indazole Chemical compound C1=CC=C2C=NNC2=C1 BAXOFTOLAUCFNW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XWIYUCRMWCHYJR-UHFFFAOYSA-N 1h-pyrrolo[3,2-b]pyridine Chemical compound C1=CC=C2NC=CC2=N1 XWIYUCRMWCHYJR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MVWPVABZQQJTPL-UHFFFAOYSA-N 2,3-diphenylcyclohexa-2,5-diene-1,4-dione Chemical class O=C1C=CC(=O)C(C=2C=CC=CC=2)=C1C1=CC=CC=C1 MVWPVABZQQJTPL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- STTGYIUESPWXOW-UHFFFAOYSA-N 2,9-dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline Chemical compound C=12C=CC3=C(C=4C=CC=CC=4)C=C(C)N=C3C2=NC(C)=CC=1C1=CC=CC=C1 STTGYIUESPWXOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TXWSZJSDZKWQAU-UHFFFAOYSA-N 2,9-dimethyl-5,12-dihydroquinolino[2,3-b]acridine-7,14-dione Chemical compound N1C2=CC=C(C)C=C2C(=O)C2=C1C=C(C(=O)C=1C(=CC=C(C=1)C)N1)C1=C2 TXWSZJSDZKWQAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FQJQNLKWTRGIEB-UHFFFAOYSA-N 2-(4-tert-butylphenyl)-5-[3-[5-(4-tert-butylphenyl)-1,3,4-oxadiazol-2-yl]phenyl]-1,3,4-oxadiazole Chemical compound C1=CC(C(C)(C)C)=CC=C1C1=NN=C(C=2C=C(C=CC=2)C=2OC(=NN=2)C=2C=CC(=CC=2)C(C)(C)C)O1 FQJQNLKWTRGIEB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BSKHPKMHTQYZBB-UHFFFAOYSA-N 2-methylpyridine Chemical compound CC1=CC=CC=N1 BSKHPKMHTQYZBB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HONWGFNQCPRRFM-UHFFFAOYSA-N 2-n-(3-methylphenyl)-1-n,1-n,2-n-triphenylbenzene-1,2-diamine Chemical compound CC1=CC=CC(N(C=2C=CC=CC=2)C=2C(=CC=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC=CC=2)=C1 HONWGFNQCPRRFM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JDGRKGBUVQASCJ-UHFFFAOYSA-N 2-phenyl-1,3-benzoxazol-4-ol Chemical compound N=1C=2C(O)=CC=CC=2OC=1C1=CC=CC=C1 JDGRKGBUVQASCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CEPQKEJONUPZGD-UHFFFAOYSA-N 2-phenyl-1h-imidazol-5-ol Chemical compound N1C(O)=CN=C1C1=CC=CC=C1 CEPQKEJONUPZGD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VVGHUTIRZIAMAI-UHFFFAOYSA-N 2-phenyl-1h-pyrrol-3-ol Chemical compound C1=CNC(C=2C=CC=CC=2)=C1O VVGHUTIRZIAMAI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IPFDTWHBEBJTLE-UHFFFAOYSA-N 2h-acridin-1-one Chemical compound C1=CC=C2C=C3C(=O)CC=CC3=NC2=C1 IPFDTWHBEBJTLE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CBHTTYDJRXOHHL-UHFFFAOYSA-N 2h-triazolo[4,5-c]pyridazine Chemical compound N1=NC=CC2=C1N=NN2 CBHTTYDJRXOHHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CAAMSDWKXXPUJR-UHFFFAOYSA-N 3,5-dihydro-4H-imidazol-4-one Chemical compound O=C1CNC=N1 CAAMSDWKXXPUJR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DHDHJYNTEFLIHY-UHFFFAOYSA-N 4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=NC2=C1C=CC1=C(C=3C=CC=CC=3)C=CN=C21 DHDHJYNTEFLIHY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GAMYYCRTACQSBR-UHFFFAOYSA-N 4-azabenzimidazole Chemical compound C1=CC=C2NC=NC2=N1 GAMYYCRTACQSBR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MRUWJENAYHTDQG-UHFFFAOYSA-N 4H-pyran Chemical class C1C=COC=C1 MRUWJENAYHTDQG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LCGTWRLJTMHIQZ-UHFFFAOYSA-N 5H-dibenzo[b,f]azepine Chemical compound C1=CC2=CC=CC=C2NC2=CC=CC=C21 LCGTWRLJTMHIQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000000660 7-membered heterocyclic compounds Chemical class 0.000 description 1
- ROFVEXUMMXZLPA-UHFFFAOYSA-N Bipyridyl Chemical group N1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1 ROFVEXUMMXZLPA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 108010007702 G-substrate Proteins 0.000 description 1
- WRYCSMQKUKOKBP-UHFFFAOYSA-N Imidazolidine Chemical compound C1CNCN1 WRYCSMQKUKOKBP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JLVVSXFLKOJNIY-UHFFFAOYSA-N Magnesium ion Chemical compound [Mg+2] JLVVSXFLKOJNIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101000574352 Mus musculus Protein phosphatase 1 regulatory subunit 17 Proteins 0.000 description 1
- 102100025780 Protein phosphatase 1 regulatory subunit 17 Human genes 0.000 description 1
- WTKZEGDFNFYCGP-UHFFFAOYSA-N Pyrazole Chemical compound C=1C=NNC=1 WTKZEGDFNFYCGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CZPWVGJYEJSRLH-UHFFFAOYSA-N Pyrimidine Chemical compound C1=CN=CN=C1 CZPWVGJYEJSRLH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FZWLAAWBMGSTSO-UHFFFAOYSA-N Thiazole Chemical compound C1=CSC=N1 FZWLAAWBMGSTSO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DGEZNRSVGBDHLK-UHFFFAOYSA-N [1,10]phenanthroline Chemical compound C1=CN=C2C3=NC=CC=C3C=CC2=C1 DGEZNRSVGBDHLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000999 acridine dye Substances 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 description 1
- 125000004414 alkyl thio group Chemical group 0.000 description 1
- HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N alpha-acetylene Natural products C#C HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 1
- 239000001000 anthraquinone dye Substances 0.000 description 1
- 125000005110 aryl thio group Chemical group 0.000 description 1
- 150000004646 arylidenes Chemical group 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000987 azo dye Substances 0.000 description 1
- QRUDEWIWKLJBPS-UHFFFAOYSA-N benzotriazole Chemical compound C1=CC=C2N[N][N]C2=C1 QRUDEWIWKLJBPS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012964 benzotriazole Substances 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 235000010290 biphenyl Nutrition 0.000 description 1
- 239000004305 biphenyl Substances 0.000 description 1
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 1
- LLCSWKVOHICRDD-UHFFFAOYSA-N buta-1,3-diyne Chemical group C#CC#C LLCSWKVOHICRDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- XWXMGTIHBYFTIE-UHFFFAOYSA-N chembl203360 Chemical compound OC1=CC=CC=C1C1=NC2=CC=CC=C2N1 XWXMGTIHBYFTIE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 229930002875 chlorophyll Natural products 0.000 description 1
- 235000019804 chlorophyll Nutrition 0.000 description 1
- ATNHDLDRLWWWCB-AENOIHSZSA-M chlorophyll a Chemical compound C1([C@@H](C(=O)OC)C(=O)C2=C3C)=C2N2C3=CC(C(CC)=C3C)=[N+]4C3=CC3=C(C=C)C(C)=C5N3[Mg-2]42[N+]2=C1[C@@H](CCC(=O)OC\C=C(/C)CCC[C@H](C)CCC[C@H](C)CCCC(C)C)[C@H](C)C2=C5 ATNHDLDRLWWWCB-AENOIHSZSA-M 0.000 description 1
- WCZVZNOTHYJIEI-UHFFFAOYSA-N cinnoline Chemical compound N1=NC=CC2=CC=CC=C21 WCZVZNOTHYJIEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229960000956 coumarin Drugs 0.000 description 1
- 235000001671 coumarin Nutrition 0.000 description 1
- ZSWFCLXCOIISFI-UHFFFAOYSA-N cyclopentadiene Chemical class C1C=CC=C1 ZSWFCLXCOIISFI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- CZZYITDELCSZES-UHFFFAOYSA-N diphenylmethane Chemical compound C=1C=CC=CC=1CC1=CC=CC=C1 CZZYITDELCSZES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 125000002534 ethynyl group Chemical group [H]C#C* 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 150000002219 fluoranthenes Chemical class 0.000 description 1
- YLQWCDOCJODRMT-UHFFFAOYSA-N fluoren-9-one Chemical compound C1=CC=C2C(=O)C3=CC=CC=C3C2=C1 YLQWCDOCJODRMT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002220 fluorenes Chemical class 0.000 description 1
- 150000008376 fluorenones Chemical class 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 125000000623 heterocyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 229940083761 high-ceiling diuretics pyrazolone derivative Drugs 0.000 description 1
- 150000007857 hydrazones Chemical class 0.000 description 1
- 150000002460 imidazoles Chemical class 0.000 description 1
- COHYTHOBJLSHDF-BUHFOSPRSA-N indigo dye Chemical compound N\1C2=CC=CC=C2C(=O)C/1=C1/C(=O)C2=CC=CC=C2N1 COHYTHOBJLSHDF-BUHFOSPRSA-N 0.000 description 1
- COHYTHOBJLSHDF-UHFFFAOYSA-N indigo powder Natural products N1C2=CC=CC=C2C(=O)C1=C1C(=O)C2=CC=CC=C2N1 COHYTHOBJLSHDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001449 indium ion Inorganic materials 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PZOUSPYUWWUPPK-UHFFFAOYSA-N indole Natural products CC1=CC=CC2=C1C=CN2 PZOUSPYUWWUPPK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RKJUIXBNRJVNHR-UHFFFAOYSA-N indolenine Natural products C1=CC=C2CC=NC2=C1 RKJUIXBNRJVNHR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002475 indoles Chemical class 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 229940079865 intestinal antiinfectives imidazole derivative Drugs 0.000 description 1
- 229910001425 magnesium ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000434 metal complex dye Substances 0.000 description 1
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000001434 methanylylidene group Chemical group [H]C#[*] 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-(n-naphthalen-1-ylanilino)phenyl]phenyl]-n-phenylnaphthalen-1-amine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C2=CC=CC=C2C=CC=1)C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)C=C1 IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LKKPNUDVOYAOBB-UHFFFAOYSA-N naphthalocyanine Chemical compound N1C(N=C2C3=CC4=CC=CC=C4C=C3C(N=C3C4=CC5=CC=CC=C5C=C4C(=N4)N3)=N2)=C(C=C2C(C=CC=C2)=C2)C2=C1N=C1C2=CC3=CC=CC=C3C=C2C4=N1 LKKPNUDVOYAOBB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000002524 organometallic group Chemical group 0.000 description 1
- WCPAKWJPBJAGKN-UHFFFAOYSA-N oxadiazole Chemical compound C1=CON=N1 WCPAKWJPBJAGKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004866 oxadiazoles Chemical class 0.000 description 1
- 150000007978 oxazole derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- SJHHDDDGXWOYOE-UHFFFAOYSA-N oxytitamium phthalocyanine Chemical compound [Ti+2]=O.C12=CC=CC=C2C(N=C2[N-]C(C3=CC=CC=C32)=N2)=NC1=NC([C]1C=CC=CC1=1)=NC=1N=C1[C]3C=CC=CC3=C2[N-]1 SJHHDDDGXWOYOE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JZRYQZJSTWVBBD-UHFFFAOYSA-N pentaporphyrin i Chemical compound N1C(C=C2NC(=CC3=NC(=C4)C=C3)C=C2)=CC=C1C=C1C=CC4=N1 JZRYQZJSTWVBBD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N peryrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=3C2=C2C=CC=3)=C3C2=CC=CC3=C1 CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229950000688 phenothiazine Drugs 0.000 description 1
- 150000004986 phenylenediamines Chemical class 0.000 description 1
- 125000003356 phenylsulfanyl group Chemical group [*]SC1=C([H])C([H])=C([H])C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- LFSXCDWNBUNEEM-UHFFFAOYSA-N phthalazine Chemical compound C1=NN=CC2=CC=CC=C21 LFSXCDWNBUNEEM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001007 phthalocyanine dye Substances 0.000 description 1
- 229920000548 poly(silane) polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920000768 polyamine Polymers 0.000 description 1
- 150000004291 polyenes Chemical class 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 1
- 150000004032 porphyrins Chemical class 0.000 description 1
- CPNGPNLZQNNVQM-UHFFFAOYSA-N pteridine Chemical compound N1=CN=CC2=NC=CN=C21 CPNGPNLZQNNVQM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JEXVQSWXXUJEMA-UHFFFAOYSA-N pyrazol-3-one Chemical class O=C1C=CN=N1 JEXVQSWXXUJEMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003217 pyrazoles Chemical class 0.000 description 1
- PBMFSQRYOILNGV-UHFFFAOYSA-N pyridazine Chemical compound C1=CC=NN=C1 PBMFSQRYOILNGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004076 pyridyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000005030 pyridylthio group Chemical group N1=C(C=CC=C1)S* 0.000 description 1
- 150000003233 pyrroles Chemical class 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- JWVCLYRUEFBMGU-UHFFFAOYSA-N quinazoline Chemical compound N1=CN=CC2=CC=CC=C21 JWVCLYRUEFBMGU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LISFMEBWQUVKPJ-UHFFFAOYSA-N quinolin-2-ol Chemical compound C1=CC=C2NC(=O)C=CC2=C1 LISFMEBWQUVKPJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IZMJMCDDWKSTTK-UHFFFAOYSA-N quinoline yellow Chemical compound C1=CC=CC2=NC(C3C(C4=CC=CC=C4C3=O)=O)=CC=C21 IZMJMCDDWKSTTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003967 siloles Chemical class 0.000 description 1
- 125000003808 silyl group Chemical group [H][Si]([H])([H])[*] 0.000 description 1
- 238000004611 spectroscopical analysis Methods 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 150000003413 spiro compounds Chemical class 0.000 description 1
- PJANXHGTPQOBST-UHFFFAOYSA-N stilbene Chemical class C=1C=CC=CC=1C=CC1=CC=CC=C1 PJANXHGTPQOBST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000446 sulfanediyl group Chemical group *S* 0.000 description 1
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 1
- 229940042055 systemic antimycotics triazole derivative Drugs 0.000 description 1
- 150000003536 tetrazoles Chemical class 0.000 description 1
- QKTRRACPJVYJNU-UHFFFAOYSA-N thiadiazolo[5,4-b]pyridine Chemical compound C1=CN=C2SN=NC2=C1 QKTRRACPJVYJNU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001432 tin ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003852 triazoles Chemical class 0.000 description 1
- YWBFPKPWMSWWEA-UHFFFAOYSA-O triazolopyrimidine Chemical compound BrC1=CC=CC(C=2N=C3N=CN[N+]3=C(NCC=3C=CN=CC=3)C=2)=C1 YWBFPKPWMSWWEA-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 1
- AAAQKTZKLRYKHR-UHFFFAOYSA-N triphenylmethane Chemical compound C1=CC=CC=C1C(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 AAAQKTZKLRYKHR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
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Description
本発明は、下部電極と、下部電極に対向する上部電極と、下部電極と上部電極との間に形成された有機光電変換層とを備えた光電変換素子、光電変換素子の製造方法、固体撮像素子に関する。 The present invention relates to a photoelectric conversion element comprising a lower electrode, an upper electrode facing the lower electrode, and an organic photoelectric conversion layer formed between the lower electrode and the upper electrode, a method for manufacturing the photoelectric conversion element, and solid-state imaging It relates to an element.
従来の光センサは、シリコン（Ｓｉ）などの半導体基板中にフォトダイオード（ＰＤ）を形成して作成した素子が一般的であり、固体撮像素子としては、半導体基板中にＰＤを２次元的に配列し、各ＰＤで光電変換により発生した信号電荷に応じた信号をCCDやCMOS回路で読み出す平面型固体撮像素子が広く用いられている。カラー固体撮像素子を実現する方法としては、平面型固体撮像素子の光入射面側に、色分離用に特定の波長の光のみを透過するカラーフィルタを配した構造が一般的であり、特に、現在デジタルカメラなどに広く用いられている方式として、２次元的に配列した各ＰＤ上に、青色（Ｂ）光、緑色（Ｇ）光、赤色（Ｒ）光をそれぞれ透過するカラーフィルタを規則的に配した単板式固体撮像素子がよく知られている。 A conventional optical sensor is generally an element formed by forming a photodiode (PD) in a semiconductor substrate such as silicon (Si). As a solid-state image sensor, a PD is two-dimensionally formed in a semiconductor substrate. 2. Description of the Related Art Flat-type solid-state imaging devices that are arranged and read out a signal corresponding to a signal charge generated by photoelectric conversion in each PD by a CCD or CMOS circuit are widely used. As a method for realizing a color solid-state imaging device, a structure in which a color filter that transmits only light of a specific wavelength for color separation is generally arranged on the light incident surface side of the flat-type solid-state imaging device. As a method widely used in digital cameras and the like at present, color filters that respectively transmit blue (B) light, green (G) light, and red (R) light are regularly arranged on the two-dimensionally arranged PDs. A single-plate type solid-state imaging device arranged in is well known.
ただし、単板式固体撮像素子においては、カラーフィルタが限られた波長の光のみしか透過しないため、カラーフィルタを透過しなかった光が利用されず光利用効率が悪い。また、高集積化に伴い、ＰＤのサイズが光の波長と同程度のサイズとなり、光がＰＤに導波されにくくなる。また、青色光、緑色光、赤色光を、近接するそれぞれ別々のＰＤで検出した後それらを演算処理することによって色再現するため、偽色が生じることがあり、この偽色を回避するために光学的ローパスフィルタを必要とし、このフィルタによる光損失も生じる。 However, in the single-plate solid-state imaging device, the color filter transmits only light of a limited wavelength, so that the light that does not pass through the color filter is not used and the light use efficiency is poor. Further, with the high integration, the size of the PD becomes about the same as the wavelength of light, and the light is less likely to be guided to the PD. In addition, since blue light, green light, and red light are color-reproduced by detecting them with separate PDs that are close to each other, false colors may be generated. In order to avoid this false color An optical low-pass filter is required, and optical loss due to this filter also occurs.
従来、これらの欠点を解決する素子として、シリコンの吸収係数の波長依存性を利用して、シリコン基板内に３つのＰＤを積層し、それぞれのＰＤのｐｎ接合面の深さの差によって色分離を行うカラーセンサが報告されている。しかしながら、この方式では、積層されたＰＤでの分光感度の波長依存性がブロードであり、色分離が不十分であるという問題点がある。特に、青色と緑色の色分離が不十分である。 Conventionally, as a device for solving these drawbacks, three PDs are stacked in a silicon substrate by utilizing the wavelength dependence of the absorption coefficient of silicon, and color separation is performed by the difference in the depth of the pn junction surface of each PD. A color sensor has been reported. However, this method has a problem that the wavelength dependence of spectral sensitivity in the stacked PD is broad and color separation is insufficient. In particular, blue and green color separation is insufficient.
この問題点を解決するために、緑色光を検出してこれに応じた信号電荷を発生する有機光電変換素子をシリコン基板上方に設け、シリコン基板内に積層した２つのＰＤで青色光と赤色光を検出するという積層型撮像素子が提案されている。シリコン基板上方に設けられる有機光電変換素子は、シリコン基板上に積層された下部電極と、下部電極上に積層された有機材料からなる有機光電変換層と、有機光電変換層上に積層された上部電極とを含んで構成されており、下部電極と上部電極間に電圧を印加することで、有機光電変換層内で発生した信号電荷が下部電極と上部電極に移動し、いずれかの電極に移動した信号電荷に応じた信号が、シリコン基板内に設けられたＣＣＤやＣＭＯＳ回路等で読み出される構成となっている。本明細書において、光電変換層とは、そこに入射した特定の波長の光を吸収し、吸収した光量に応じた電子及び正孔を発生する層のことを言う。 In order to solve this problem, an organic photoelectric conversion element that detects green light and generates a signal charge corresponding thereto is provided above the silicon substrate, and blue light and red light are formed by two PDs stacked in the silicon substrate. There has been proposed a multilayer image pickup device for detecting the above. The organic photoelectric conversion element provided above the silicon substrate includes a lower electrode laminated on the silicon substrate, an organic photoelectric conversion layer made of an organic material laminated on the lower electrode, and an upper portion laminated on the organic photoelectric conversion layer. The signal charge generated in the organic photoelectric conversion layer moves to the lower electrode and the upper electrode by applying a voltage between the lower electrode and the upper electrode, and moves to one of the electrodes. A signal corresponding to the signal charge is read by a CCD or CMOS circuit provided in the silicon substrate. In this specification, the photoelectric conversion layer refers to a layer that absorbs light having a specific wavelength incident thereon and generates electrons and holes according to the absorbed light amount.
従来の光電変換素子において、光電変換効率を高める為にフラーレン類を積層もしくは混合する方法が開示されている。 In a conventional photoelectric conversion element, a method of laminating or mixing fullerenes to increase photoelectric conversion efficiency is disclosed.
しかし、従来の光電変換素子において、光電変換効率を高める為にフラーレン類を積層もしくは混合する方法により確かに光電変換効率は向上するが、暗電流も大きくなってしまい、十分な光電流/暗電流比が得られないという問題があった。この暗電流の増加は有機太陽電池などにおいては大きな問題にはならないが、有機撮像素子や有機イメージスキャナなどの低い暗電流を必要とするアプリケーションでは致命的な欠点となり、従来の方法をこのようなアプリケーションに用いることは難しかった。またフラーレン類の吸収スペクトルはブロードであるため、シャープな分光感度を必要とする撮像素子や可視光透過性赤外光電変換素子では、暗電流だけでなく吸収スペクトルという点においても、フラーレン類を光電変換層に用いることは難しかった。 However, in the conventional photoelectric conversion element, the method of laminating or mixing fullerenes to increase the photoelectric conversion efficiency certainly improves the photoelectric conversion efficiency, but the dark current also increases, and sufficient photocurrent / dark current There was a problem that the ratio could not be obtained. This increase in dark current is not a major problem in organic solar cells, but it is a fatal drawback in applications that require low dark current, such as organic imaging devices and organic image scanners. It was difficult to use for applications. In addition, since the absorption spectrum of fullerenes is broad, image sensors and visible light transmissive infrared photoelectric conversion elements that require sharp spectral sensitivity are not limited to dark current but also have an absorption spectrum. It was difficult to use for the conversion layer.
光電変換層にフラーレンを用いた従来の有機光電変換素子は、効率を最大限に高めることを目的として素子構成の最適化が行われてきた。例えば、光電変換層の構成としてｎ型有機半導体であるフラーレンとｐ型有機半導体である銅フタロシアニンでは混合比１：１程度の構成がもっとも太陽電池としての効率が高くなることが報告されている（例えば、Appl.Phys.Lett., Vol.84, p4218）。しかし、これまでの検討はほとんどが太陽電池に関するものであり、撮像素子に必要な光電流/暗電流比の向上についての報告はない。 In the conventional organic photoelectric conversion element using fullerene in the photoelectric conversion layer, the element configuration has been optimized for the purpose of maximizing the efficiency. For example, it has been reported that in the case of fullerene, which is an n-type organic semiconductor, and copper phthalocyanine, which is a p-type organic semiconductor, the configuration of the photoelectric conversion layer has a configuration with a mixing ratio of about 1: 1 and has the highest efficiency as a solar cell ( For example, Appl. Phys. Lett., Vol. 84, p4218). However, most of the studies so far have been related to solar cells, and there has been no report on improvement of the photocurrent / dark current ratio necessary for the image sensor.
また、太陽電池では、光照射における無バイアス状態での短絡電流値と、バイアス印加時の開放電圧値やフィルファクターを最大化する構成が必要とされる。しかし、短絡によるリーク電流以外の暗電流については特に問題とことはなく、例えば数μA/cm2程度の暗電流電流であってもよい。それにくらべて撮像素子やイメージスキャナでは、バイアス印加時の大きな光電流と小さな暗電流が求められる。例えば、暗い室内での撮影を行う場合などは、光電流がかなり小さくなるため、撮像素子にはそれよりさらに低い暗電流が求められ、多くとも数nA/cm2、できれば数百ｐA/cm2〜数ｐA/cm2程度の暗電流に抑える必要がある。例えば太陽電池用途として最適化した有機光電変換素子に数ボルトのバイアスを印加した場合、効率は確かに高いが暗電流が数十μA/cm2程度と大きすぎる為に撮像素子として用いることはできない。また暗電流を抑えるために印加するバイアスを小さくしたりゼロにした場合は、効率が十分得られなくなり、やはり撮像素子として用いることはできない。
In addition, a solar cell requires a configuration that maximizes a short-circuit current value in a non-bias state in light irradiation, an open-circuit voltage value and a fill factor when a bias is applied. However, there is no particular problem with dark currents other than leakage current due to a short circuit. For example, a dark current of about several μA /
さらに、できるだけ幅広い波長の可視光を吸収して光電変換し、エネルギーとして取り出したい太陽電池とは違って、撮像素子の場合は、シャープな吸収スペクトルを求められる。例えば400nm〜500nmにピークをもつ青色光のみ、500nm〜600nmにピークをもつ緑色光のみ、600nm〜700nmにピークをもつ赤色光のみ、もしくは可視光すべてを透過して近赤外光のみなど、半値幅100nm程度のシャープな分光感度が必要とされる。しかし、フラーレンは可視域に幅広い吸収スペクトルをもっているため、フラーレンとｐ型有機半導体を混合比１：１くらいで光電変換層を形成すると、撮像素子に必要なシャープな分光感度スペクトルを得ることは難しい。 Further, unlike a solar cell that absorbs visible light of as wide a wavelength as possible and photoelectrically converts it to extract it as energy, an imaging device requires a sharp absorption spectrum. For example, only blue light with a peak at 400 nm to 500 nm, only green light with a peak at 500 nm to 600 nm, only red light with a peak at 600 nm to 700 nm, or only near infrared light through all visible light. Sharp spectral sensitivity with a value range of about 100 nm is required. However, since fullerene has a wide absorption spectrum in the visible region, it is difficult to obtain a sharp spectral sensitivity spectrum necessary for an image sensor when a photoelectric conversion layer is formed with a mixture ratio of fullerene and a p-type organic semiconductor of about 1: 1. .
本発明は、上記事情に鑑みてなされたもので、その目的は、暗電流の発生を抑制しつつ、光電変換効率を向上させることができる光電変換素子、光電変換素子の製造方法、固体撮像素子を提供することにある。 The present invention has been made in view of the above circumstances, and an object thereof is to provide a photoelectric conversion element capable of improving photoelectric conversion efficiency while suppressing generation of dark current, a method for manufacturing the photoelectric conversion element, and a solid-state imaging element. Is to provide.
以上のように、これまでに太陽電池で検討されたフラーレンによる効率向上効果を撮像素子としてそのまま利用するのは難しく、新たに検討を行う必要があった。そこで、本発明者は、様々な試行錯誤の上、フラーレンの混合比率を十分小さくすることにより、フラーレンによる効率向上と低い暗電流を両立させ十分な光電流／暗電流比を得られることを見出した。通常、フラーレンの混合比率を低下させると効率の向上効果も低下してしまうと思われるが外部から電圧を印加する場合は意外にもそれほど大きな低下は見られず、暗電流が顕著に低下した。そのため、結果として撮像素子に十分な光電流／暗電流比を得ることができた。
また、フラーレンの混合比を下げることでフラーレン由来のブロードな吸収スペクトルも小さくなり、シャープな分光感度を必要とする撮像素子へ適用することも可能となった。
As described above, it is difficult to directly use the effect of improving the efficiency of fullerene that has been studied for solar cells as an image sensor as it is, and it has been necessary to newly investigate. Therefore, the present inventor has found that a sufficient photocurrent / dark current ratio can be obtained by making the mixing ratio of fullerene sufficiently small through various trials and errors to achieve both efficiency improvement and low dark current by fullerene. It was. Usually, when the mixing ratio of the fullerene is decreased, the efficiency improvement effect is also decreased, but when applying a voltage from the outside, a surprisingly large decrease is not seen, and the dark current is remarkably decreased. As a result, a sufficient photocurrent / dark current ratio could be obtained for the image sensor.
In addition, by reducing the fullerene mixing ratio, the broad absorption spectrum derived from fullerene is also reduced, and it has become possible to apply it to an image sensor that requires sharp spectral sensitivity.
本発明の上記目的は、下記構成によって達成される。
（１） 第１光電変換素子をアレイ状に多数配置した固体撮像素子であって、
前記第１光電変換素子は、一対の電極と、前記一対の電極の間に配置された光電変換層と、前記一方の電極と前記光電変換層との間に設けられ、前記一対の電極間への電圧印加時に前記一対の電極の一方から前記光電変換層に電荷が注入されるのを抑制する第１の電荷ブロッキング層と、を含み、半導体基板の上方に積層された光電変換部を有しており、
更に、前記半導体基板の上方に形成され、前記光電変換層で吸収される光の波長域とは異なる波長域の光を透過するカラーフィルタ層と、
前記光電変換層下方の前記半導体基板内に形成され、前記カラーフィルタ層及び前記光電変換層を透過した光を吸収して前記光に応じた電荷を発生する第２光電変換素子と、
前記光電変換層で発生した電荷に応じた信号及び前記第２光電変換素子で発生した電荷に応じた信号をそれぞれ読み出す信号読み出し部と、
を備え、
前記一対の電極間に外部から印加される電圧を前記一対の電極間の距離で割った値が１．０×１０５Ｖ／ｃｍ〜１．０×１０７Ｖ／ｃｍであり、
前記光電変換層の少なくとも一部がｐ型有機半導体とフラーレン類の混合層を含み、
前記フラーレン類がフラーレンＣ６０もしくはフラーレンＣ７０であり、
該ｐ型有機半導体に対するフラーレン類の混合比が体積比で１０：１〜３：１である固体撮像素子。
（２） （１）記載の固体撮像素子であって、
前記光電変換部が、前記一対の電極間への電圧印加時に前記一対の電極の他方から前記光電変換層に電荷が注入されるのを抑制する第２の電荷ブロッキング層を前記他方の電極と前記光電変換層との間に備える固体撮像素子。
（３） （１）又は（２）に記載の固体撮像素子であって、
前記ｐ型有機半導体がフタロシアニン類である固体撮像素子。
（４） （１）又は（２）に記載の固体撮像素子であって、
前記ｐ型有機半導体がナフタロフタロシアニン類である固体撮像素子。
（５） （１）又は（２）に記載の固体撮像素子であって、
前記ｐ型有機半導体がキナクリドン類である固体撮像素子。
（６） （１）〜（５）のいずれか１つに記載の固体撮像素子であって、
前記光電変換層が近赤外域に吸収スペクトルの最大ピークをもつ有機半導体を光電変換材料として含む固体撮像素子。
（７） （６）記載の固体撮像素子であって、
前記有機半導体が可視域の光に対して透明である固体撮像素子。
（８） （７）記載の固体撮像素子であって、
前記有機半導体がＳｎＰｃもしくはシリコンナフタロシアニン類である固体撮像素子。
（９） （１）〜（８）のいずれか１つに記載の固体撮像素子であって、
前記カラーフィルタ層が前記光電変換層よりも上方に形成されている固体撮像素子。
（１０） （９）記載の固体撮像素子であって、
前記カラーフィルタ層が、前記第２光電変換素子の各々に対応する多数のカラーフィルタで構成され、
前記多数のカラーフィルタが、それぞれ異なる波長域の光を透過する複数種類のカラーフィルタに分類される固体撮像素子。
（１１） 第１光電変換素子をアレイ状に多数配置した固体撮像素子の製造方法であって、
前記第１光電変換素子は、一対の電極と、前記一対の電極の間に配置された光電変換層と、前記一方の電極と前記光電変換層との間に設けられ、前記一対の電極間への電圧印加時に前記一対の電極の一方から前記光電変換層に電荷が注入されるのを抑制する第１の電荷ブロッキング層と、を含み、半導体基板の上方に積層された光電変換部を有しており、
更に、前記半導体基板の上方に形成され、前記光電変換層で吸収される光の波長域とは異なる波長域の光を透過するカラーフィルタ層と、
前記光電変換層下方の前記半導体基板内に形成され、前記カラーフィルタ層及び前記光電変換層を透過した光を吸収して前記光に応じた電荷を発生する第２光電変換素子と、
前記光電変換層で発生した電荷に応じた信号及び前記第２光電変換素子で発生した電荷に応じた信号をそれぞれ読み出す信号読み出し部と、
を備え、
前記一対の電極間に外部から印加される電圧を前記一対の電極間の距離で割った値が１．０×１０５Ｖ／ｃｍ〜１．０×１０７Ｖ／ｃｍであり、
前記光電変換層の少なくとも一部がｐ型有機半導体とフラーレン類の混合層を含み、
前記フラーレン類がフラーレンＣ６０もしくはフラーレンＣ７０であり、
該ｐ型有機半導体に対するフラーレン類の混合比が体積比で１０：１〜３：１となるように共蒸着によって形成する固体撮像素子の製造方法。
The above object of the present invention is achieved by the following configurations.
(1) A solid-state imaging device in which a large number of first photoelectric conversion elements are arranged in an array,
The first photoelectric conversion element is provided between a pair of electrodes, a photoelectric conversion layer disposed between the pair of electrodes, the one electrode and the photoelectric conversion layer, and between the pair of electrodes. And a first charge blocking layer that suppresses charge injection from one of the pair of electrodes to the photoelectric conversion layer when a voltage is applied, and has a photoelectric conversion unit stacked above the semiconductor substrate. And
Furthermore, a color filter layer that is formed above the semiconductor substrate and transmits light in a wavelength range different from the wavelength range of light absorbed by the photoelectric conversion layer;
A second photoelectric conversion element that is formed in the semiconductor substrate below the photoelectric conversion layer and absorbs light transmitted through the color filter layer and the photoelectric conversion layer to generate a charge corresponding to the light;
A signal reading unit that reads a signal corresponding to the charge generated in the photoelectric conversion layer and a signal corresponding to the charge generated in the second photoelectric conversion element, respectively;
With
A value obtained by dividing a voltage applied from the outside between the pair of electrodes by a distance between the pair of electrodes is 1.0 × 10 5 V / cm to 1.0 × 10 7 V / cm,
At least a part of the photoelectric conversion layer includes a mixed layer of a p-type organic semiconductor and fullerenes,
The fullerene is fullerene C60 or fullerene C70;
A solid-state imaging device in which a mixing ratio of fullerenes to the p-type organic semiconductor is 10: 1 to 3: 1 by volume .
(2) The solid-state imaging device according to (1),
The photoelectric conversion unit includes a second charge blocking layer for suppressing charge injection from the other of the pair of electrodes to the photoelectric conversion layer when a voltage is applied between the pair of electrodes. A solid-state imaging device provided between the photoelectric conversion layer.
(3) The solid-state imaging device according to (1) or (2),
A solid-state imaging device in which the p-type organic semiconductor is a phthalocyanine.
(4) The solid-state imaging device according to (1) or (2),
A solid-state imaging device in which the p-type organic semiconductor is naphthalophthalocyanines.
(5) The solid-state imaging device according to (1) or (2),
A solid-state imaging device in which the p-type organic semiconductor is a quinacridone.
(6) The solid-state imaging device according to any one of (1) to (5),
A solid-state imaging device, wherein the photoelectric conversion layer includes an organic semiconductor having a maximum absorption spectrum peak in the near infrared region as a photoelectric conversion material.
(7) The solid-state imaging device according to (6),
A solid-state imaging device in which the organic semiconductor is transparent to visible light.
(8) The solid-state imaging device according to (7),
A solid-state imaging device in which the organic semiconductor is SnPc or silicon naphthalocyanines.
(9) The solid-state imaging device according to any one of (1) to (8),
A solid-state imaging device in which the color filter layer is formed above the photoelectric conversion layer.
(10) The solid-state imaging device according to (9),
The color filter layer is composed of a number of color filters corresponding to each of the second photoelectric conversion elements,
A solid-state imaging device in which the plurality of color filters are classified into a plurality of types of color filters that transmit light in different wavelength ranges.
(11) A method of manufacturing a solid-state imaging device in which a large number of first photoelectric conversion devices are arranged in an array,
The first photoelectric conversion element is provided between a pair of electrodes, a photoelectric conversion layer disposed between the pair of electrodes, the one electrode and the photoelectric conversion layer, and between the pair of electrodes. And a first charge blocking layer that suppresses charge injection from one of the pair of electrodes to the photoelectric conversion layer when a voltage is applied, and has a photoelectric conversion unit stacked above the semiconductor substrate. And
Furthermore, a color filter layer that is formed above the semiconductor substrate and transmits light in a wavelength range different from the wavelength range of light absorbed by the photoelectric conversion layer;
A second photoelectric conversion element that is formed in the semiconductor substrate below the photoelectric conversion layer, absorbs light transmitted through the color filter layer and the photoelectric conversion layer, and generates a charge corresponding to the light;
A signal reading unit that reads a signal corresponding to the charge generated in the photoelectric conversion layer and a signal corresponding to the charge generated in the second photoelectric conversion element, respectively;
With
A value obtained by dividing a voltage applied from the outside between the pair of electrodes by a distance between the pair of electrodes is 1.0 × 10 5 V / cm to 1.0 × 10 7 V / cm,
At least a part of the photoelectric conversion layer includes a mixed layer of a p-type organic semiconductor and fullerenes,
The fullerene is fullerene C60 or fullerene C70;
A method for producing a solid-state imaging device, wherein the mixing ratio of fullerenes to the p-type organic semiconductor is 10: 1 to 3: 1 by volume so as to be a volume ratio .
本発明によれば、暗電流の発生を抑制しつつ、光電変換効率を向上させることができる光電変換素子を提供できる。 ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the photoelectric conversion element which can improve photoelectric conversion efficiency can be provided, suppressing generation | occurrence | production of dark current.
以下、本発明の実施形態について図面を参照して説明する。 Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.
（第一実施形態）
図１は、本発明の第一実施形態である光電変換素子の基本的構成を示す断面模式図である。
図１に示す光電変換素子は、基板Ｓと、該基板Ｓ上に形成された下部電極（画素電極）１０１と、下部電極１０１上に形成された電子ブロッキング層１０５と、電子ブロッキング層１０５上に形成された光電変換層１０２と、光電変換層１０２上に形成された正孔ブロッキング層１０３と、正孔ブロッキング層１０３上に形成された上部電極（対向電極）１０４とを備える。
(First embodiment)
FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing the basic configuration of the photoelectric conversion element according to the first embodiment of the present invention.
A photoelectric conversion element shown in FIG. 1 includes a substrate S, a lower electrode (pixel electrode) 101 formed on the substrate S, an
光電変換層１０２は、光電変換機能を有する有機材料を含んで構成される。有機材料としては、例えば電子写真の感光材料に用いられているような、様々な有機半導体材料を用いることができる。その中でも、高い光電変換性能を有すること、分光する際の色分離に優れていること、長時間の光照射に対する耐久性が高いこと、真空蒸着を行いやすいこと、等の観点から、キナクリドン骨格を含む材料やフタロシアニン骨格を含む有機材料が特に好ましい。
The
本発明にかかる光電変換素子は、光電変換層１０２の少なくとも一部がｐ型有機半導体とフラーレン類の混合層を含み、ｐ型有機半導体とフラーレン類の混合比が４：１以下である。ｐ型有機半導体としては、例えば、後述するように、フラーレンＣ６０もしくはフラーレンＣ70、フタロシアニン類、ナフタロフタロシアニン類、キナクリドン類を用いることが好ましい。
In the photoelectric conversion element according to the present invention, at least a part of the
光電変換層１０２として以下の化１で示されるキナクリドンを用いた場合には、光電変換層１０２にて緑色の波長域の光を吸収してこれに応じた電荷を発生することが可能となる。光電変換層１０２として以下の化２で示される亜鉛フタロシアニンを用いた場合には、光電変換層１０２にて赤色の波長域の光を吸収してこれに応じた電荷を発生することが可能となる。
In the case where quinacridone represented by the following
光電変換層１０２は、この上の正孔ブロッキング層１０３が、上部電極１０４形成時に光電変換層１０２に与えられる損傷を軽減する役割も果たす場合、光電変換層１０２上に上部電極１０４が直接形成される従来構成よりも厚みを薄くすることが可能となる。光電変換層１０２の厚みは、光吸収率やバイアス電圧の低電圧化等を考慮すると、１０ｎｍ〜２００ｎｍ程度であることが好ましい。
When the
図１に示す光電変換素子は、上部電極１０４上方から光が入射するものとしている。又、図１に示す光電変換素子は、光電変換層１０２で発生した電荷（正孔及び電子）のうち、正孔を下部電極１０１に移動させ、電子を上部電極１０４に移動させるように、下部電極１０１及び上部電極１０４間にバイアス電圧が印加されるものとしている。つまり、上部電極１０４を電子捕集用の電極とし、下部電極１０１を正孔捕集用の電極としている。
In the photoelectric conversion element shown in FIG. 1, light enters from above the
上部電極１０４は、光電変換層１０２に光を入射させる必要があるため、透明な導電性材料で構成されている。ここで、透明とは、波長が約４２０ｎｍ〜約６６０ｎｍの範囲の可視光を約８０％以上透過することを言う。透明な導電性材料としてはＩＴＯを用いることが好ましい。
The
下部電極１０１は導電性材料であればよく、透明である必要はない。しかし、図１に示す光電変換素子は、後述するが、下部電極１０１下方にも光を透過させることが必要になる場合もあるため、下部電極１０１も透明な導電性材料で構成することが好ましい。上部電極１０４と同様に、下部電極１０１においてもＩＴＯを用いることが好ましい。
The
光電変換層１０２を構成する有機材料は、有機ｐ型半導体及び有機ｎ型半導体の少なくとも一方を含んでいることが好ましい。有機ｐ型半導体及び有機ｎ型半導体として、それぞれキナクリドン誘導体、ナフタレン誘導体、アントラセン誘導体、フェナントレン誘導体、テトラセン誘導体、ピレン誘導体、ペリレン誘導体、及びフルオランテン誘導体のいずれかを特に好ましく用いることができる。
The organic material constituting the
有機ｐ型半導体（化合物）は、ドナー性有機半導体（化合物）であり、主に正孔輸送性有機化合物に代表され、電子を供与しやすい性質がある有機化合物をいう。さらに詳しくは２つの有機材料を接触させて用いたときにイオン化ポテンシャルの小さい方の有機化合物をいう。したがって、ドナー性有機化合物は、電子供与性のある有機化合物であればいずれの有機化合物も使用可能である。例えば、トリアリールアミン化合物、ベンジジン化合物、ピラゾリン化合物、スチリルアミン化合物、ヒドラゾン化合物、トリフェニルメタン化合物、カルバゾール化合物、ポリシラン化合物、チオフェン化合物、フタロシアニン化合物、シアニン化合物、メロシアニン化合物、オキソノール化合物、ポリアミン化合物、インドール化合物、ピロール化合物、ピラゾール化合物、ポリアリーレン化合物、縮合芳香族炭素環化合物（ナフタレン誘導体、アントラセン誘導体、フェナントレン誘導体、テトラセン誘導体、ピレン誘導体、ペリレン誘導体、フルオランテン誘導体）、含窒素ヘテロ環化合物を配位子として有する金属錯体等を用いることができる。なお、これに限らず、上記したように、ｎ型（アクセプター性）化合物として用いた有機化合物よりもイオン化ポテンシャルの小さい有機化合物であればドナー性有機半導体として用いてよい。 The organic p-type semiconductor (compound) is a donor-type organic semiconductor (compound), which is mainly represented by a hole-transporting organic compound and refers to an organic compound having a property of easily donating electrons. More specifically, an organic compound having a smaller ionization potential when two organic materials are used in contact with each other. Therefore, any organic compound can be used as the donor organic compound as long as it is an electron-donating organic compound. For example, triarylamine compound, benzidine compound, pyrazoline compound, styrylamine compound, hydrazone compound, triphenylmethane compound, carbazole compound, polysilane compound, thiophene compound, phthalocyanine compound, cyanine compound, merocyanine compound, oxonol compound, polyamine compound, indole Compounds, pyrrole compounds, pyrazole compounds, polyarylene compounds, condensed aromatic carbocyclic compounds (naphthalene derivatives, anthracene derivatives, phenanthrene derivatives, tetracene derivatives, pyrene derivatives, perylene derivatives, fluoranthene derivatives), nitrogen-containing heterocyclic compounds The metal complex etc. which it has as can be used. Not limited to this, as described above, any organic compound having an ionization potential smaller than that of the organic compound used as the n-type (acceptor property) compound may be used as the donor organic semiconductor.
有機ｎ型半導体（化合物）は、アクセプター性有機半導体（化合物）であり、主に電子輸送性有機化合物に代表され、電子を受容しやすい性質がある有機化合物をいう。さらに詳しくは２つの有機化合物を接触させて用いたときに電子親和力の大きい方の有機化合物をいう。したがって、アクセプター性有機化合物は、電子受容性のある有機化合物であればいずれの有機化合物も使用可能である。例えば、縮合芳香族炭素環化合物（ナフタレン誘導体、アントラセン誘導体、フェナントレン誘導体、テトラセン誘導体、ピレン誘導体、ペリレン誘導体、フルオランテン誘導体）、窒素原子、酸素原子、硫黄原子を含有する５ないし７員のヘテロ環化合物（例えばピリジン、ピラジン、ピリミジン、ピリダジン、トリアジン、キノリン、キノキサリン、キナゾリン、フタラジン、シンノリン、イソキノリン、プテリジン、アクリジン、フェナジン、フェナントロリン、テトラゾール、ピラゾール、イミダゾール、チアゾール、オキサゾール、インダゾール、ベンズイミダゾール、ベンゾトリアゾール、ベンゾオキサゾール、ベンゾチアゾール、カルバゾール、プリン、トリアゾロピリダジン、トリアゾロピリミジン、テトラザインデン、オキサジアゾール、イミダゾピリジン、ピラリジン、ピロロピリジン、チアジアゾロピリジン、ジベンズアゼピン、トリベンズアゼピン等）、ポリアリーレン化合物、フルオレン化合物、シクロペンタジエン化合物、シリル化合物、含窒素ヘテロ環化合物を配位子として有する金属錯体などが挙げられる。なお、これに限らず、上記したように、ドナー性有機化合物として用いた有機化合物よりも電子親和力の大きな有機化合物であればアクセプター性有機半導体として用いてよい。 Organic n-type semiconductors (compounds) are acceptor organic semiconductors (compounds), which are mainly represented by electron-transporting organic compounds and refer to organic compounds that easily accept electrons. More specifically, the organic compound having the higher electron affinity when two organic compounds are used in contact with each other. Therefore, as the acceptor organic compound, any organic compound can be used as long as it is an electron-accepting organic compound. For example, condensed aromatic carbocyclic compounds (naphthalene derivatives, anthracene derivatives, phenanthrene derivatives, tetracene derivatives, pyrene derivatives, perylene derivatives, fluoranthene derivatives), 5- to 7-membered heterocyclic compounds containing nitrogen atoms, oxygen atoms, and sulfur atoms (E.g. pyridine, pyrazine, pyrimidine, pyridazine, triazine, quinoline, quinoxaline, quinazoline, phthalazine, cinnoline, isoquinoline, pteridine, acridine, phenazine, phenanthroline, tetrazole, pyrazole, imidazole, thiazole, oxazole, indazole, benzimidazole, benzotriazole, Benzoxazole, benzothiazole, carbazole, purine, triazolopyridazine, triazolopyrimidine, tetrazaindene, o Metal complexes having ligands such as saziazole, imidazopyridine, pyralidine, pyrrolopyridine, thiadiazolopyridine, dibenzazepine, tribenzazepine), polyarylene compounds, fluorene compounds, cyclopentadiene compounds, silyl compounds, and nitrogen-containing heterocyclic compounds. Etc. Note that the present invention is not limited thereto, and as described above, any organic compound having an electron affinity higher than that of the organic compound used as the donor organic compound may be used as the acceptor organic semiconductor.
ｐ型有機色素、又はｎ型有機色素としては、いかなるものを用いても良いが、好ましくは、シアニン色素、スチリル色素、ヘミシアニン色素、メロシアニン色素（ゼロメチンメロシアニン（シンプルメロシアニン）を含む）、３核メロシアニン色素、４核メロシアニン色素、ロダシアニン色素、コンプレックスシアニン色素、コンプレックスメロシアニン色素、アロポーラー色素、オキソノール色素、ヘミオキソノール色素、スクアリウム色素、クロコニウム色素、アザメチン色素、クマリン色素、アリーリデン色素、アントラキノン色素、トリフェニルメタン色素、アゾ色素、アゾメチン色素、スピロ化合物、メタロセン色素、フルオレノン色素、フルギド色素、ペリレン色素、フェナジン色素、フェノチアジン色素、キノン色素、インジゴ色素、ジフェニルメタン色素、ポリエン色素、アクリジン色素、アクリジノン色素、ジフェニルアミン色素、キナクリドン色素、キノフタロン色素、フェノキサジン色素、フタロペリレン色素、ポルフィリン色素、クロロフィル色素、フタロシアニン色素、金属錯体色素、縮合芳香族炭素環系色素（ナフタレン誘導体、アントラセン誘導体、フェナントレン誘導体、テトラセン誘導体、ピレン誘導体、ペリレン誘導体、フルオランテン誘導体）が挙げられる。 Any p-type organic dye or n-type organic dye may be used, but preferably a cyanine dye, styryl dye, hemicyanine dye, merocyanine dye (including zero methine merocyanine (simple merocyanine)), three nucleus Merocyanine dye, tetranuclear merocyanine dye, rhodacyanine dye, complex cyanine dye, complex merocyanine dye, allopolar dye, oxonol dye, hemioxonol dye, squalium dye, croconium dye, azamethine dye, coumarin dye, arylidene dye, anthraquinone dye, triphenyl Methane dye, azo dye, azomethine dye, spiro compound, metallocene dye, fluorenone dye, fulgide dye, perylene dye, phenazine dye, phenothiazine dye, quinone dye, indigo Dye, diphenylmethane dye, polyene dye, acridine dye, acridinone dye, diphenylamine dye, quinacridone dye, quinophthalone dye, phenoxazine dye, phthaloperylene dye, porphyrin dye, chlorophyll dye, phthalocyanine dye, metal complex dye, condensed aromatic carbocyclic dye (Naphthalene derivatives, anthracene derivatives, phenanthrene derivatives, tetracene derivatives, pyrene derivatives, perylene derivatives, fluoranthene derivatives).
次に金属錯体化合物について説明する。金属錯体化合物は金属に配位する少なくとも１つの窒素原子または酸素原子または硫黄原子を有する配位子をもつ金属錯体であり、金属錯体中の金属イオンは特に限定されないが、好ましくはベリリウムイオン、マグネシウムイオン、アルミニウムイオン、ガリウムイオン、亜鉛イオン、インジウムイオン、または錫イオンであり、より好ましくはベリリウムイオン、アルミニウムイオン、ガリウムイオン、または亜鉛イオンであり、更に好ましくはアルミニウムイオン、または亜鉛イオンである。前記金属錯体中に含まれる配位子としては種々の公知の配位子が有るが、例えば、「Photochemistry and Photophysics of Coordination Compounds」 Springer-Verlag社 H.Yersin著１９８７年発行、「有機金属化学−基礎と応用−」裳華房社山本明夫著１９８２年発行等に記載の配位子が挙げられる。 Next, the metal complex compound will be described. The metal complex compound is a metal complex having a ligand having at least one nitrogen atom or oxygen atom or sulfur atom coordinated to the metal, and the metal ion in the metal complex is not particularly limited, but preferably beryllium ion, magnesium Ion, aluminum ion, gallium ion, zinc ion, indium ion, or tin ion, more preferably beryllium ion, aluminum ion, gallium ion, or zinc ion, and still more preferably aluminum ion or zinc ion. As the ligand contained in the metal complex, there are various known ligands. For example, “Photochemistry and Photophysics of Coordination Compounds” published by Springer-Verlag H. Yersin in 1987, “Organometallic Chemistry— Examples of the ligands described in “Basics and Applications—” published by Akio Yamamoto, 1982, etc.
前記配位子として、好ましくは含窒素ヘテロ環配位子（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数３〜１５であり、単座配位子であっても２座以上の配位子であっても良い。好ましくは２座配位子である。例えばピリジン配位子、ビピリジル配位子、キノリノール配位子、ヒドロキシフェニルアゾール配位子（ヒドロキシフェニルベンズイミダゾール、ヒドロキシフェニルベンズオキサゾール配位子、ヒドロキシフェニルイミダゾール配位子）などが挙げられる）、アルコキシ配位子（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１０であり、例えばメトキシ、エトキシ、ブトキシ、２−エチルヘキシロキシなどが挙げられる。）、アリールオキシ配位子（好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニルオキシ、１−ナフチルオキシ、２−ナフチルオキシ、２，４，６−トリメチルフェニルオキシ、４−ビフェニルオキシなどが挙げられる。）、ヘテロアリールオキシ配位子（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばピリジルオキシ、ピラジルオキシ、ピリミジルオキシ、キノリルオキシなどが挙げられる。）、アルキルチオ配位子（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメチルチオ、エチルチオなどが挙げられる。）、アリールチオ配位子（好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニルチオなどが挙げられる。）、ヘテロ環置換チオ配位子（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばピリジルチオ、２−ベンズイミゾリルチオ、２−ベンズオキサゾリルチオ、２−ベンズチアゾリルチオなどが挙げられる。）、またはシロキシ配位子（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数３〜２５、特に好ましくは炭素数６〜２０であり、例えば、トリフェニルシロキシ基、トリエトキシシロキシ基、トリイソプロピルシロキシ基などが挙げられる）であり、より好ましくは含窒素ヘテロ環配位子、アリールオキシ配位子、ヘテロアリールオキシ基、またはシロキシ配位子であり、更に好ましくは含窒素ヘテロ環配位子、アリールオキシ配位子、またはシロキシ配位子が挙げられる。 The ligand is preferably a nitrogen-containing heterocyclic ligand (preferably having 1 to 30 carbon atoms, more preferably 2 to 20 carbon atoms, particularly preferably 3 to 15 carbon atoms, and a monodentate ligand. Or a bidentate or higher ligand, preferably a bidentate ligand such as a pyridine ligand, a bipyridyl ligand, a quinolinol ligand, a hydroxyphenylazole ligand (hydroxyphenyl) Benzimidazole, hydroxyphenylbenzoxazole ligand, hydroxyphenylimidazole ligand)), alkoxy ligand (preferably 1-30 carbon atoms, more preferably 1-20 carbon atoms, particularly preferably carbon 1-10, for example, methoxy, ethoxy, butoxy, 2-ethylhexyloxy, etc.), aryloxy ligands Preferably it has 6 to 30 carbon atoms, more preferably 6 to 20 carbon atoms, particularly preferably 6 to 12 carbon atoms, such as phenyloxy, 1-naphthyloxy, 2-naphthyloxy, 2,4,6-trimethylphenyl Oxy, 4-biphenyloxy, etc.), heteroaryloxy ligands (preferably having 1 to 30 carbon atoms, more preferably 1 to 20 carbon atoms, particularly preferably 1 to 12 carbon atoms, such as pyridyl. Oxy, pyrazyloxy, pyrimidyloxy, quinolyloxy, etc.), alkylthio ligands (preferably having 1 to 30 carbon atoms, more preferably 1 to 20 carbon atoms, particularly preferably 1 to 12 carbon atoms, such as methylthio, Ethylthio, etc.), arylthio ligands (preferably having 6 to 30 carbon atoms, more preferred) Has 6 to 20 carbon atoms, particularly preferably 6 to 12 carbon atoms, such as phenylthio, etc.), a heterocyclic substituted thio ligand (preferably 1 to 30 carbon atoms, more preferably 1 to carbon atoms). 20, particularly preferably 1 to 12 carbon atoms, such as pyridylthio, 2-benzimidazolylthio, 2-benzoxazolylthio, 2-benzthiazolylthio and the like, or siloxy ligand (preferably Has 1 to 30 carbon atoms, more preferably 3 to 25 carbon atoms, particularly preferably 6 to 20 carbon atoms, and examples thereof include a triphenylsiloxy group, a triethoxysiloxy group, and a triisopropylsiloxy group. More preferably a nitrogen-containing heterocyclic ligand, an aryloxy ligand, a heteroaryloxy group, or a siloxy ligand, Preferably, a nitrogen-containing heterocyclic ligand, an aryloxy ligand, or a siloxy ligand is used.
正孔ブロッキング層１０３は、光電変換層１０２に光を入射させる必要があるため、波長が約４２０ｎｍ〜約６６０ｎｍの範囲の可視光を８０％以上、好ましくは９０％以上透過する材料で構成される。又、正孔ブロッキング層１０３は、バイアス電圧印加時に、上部電極１０４から光電変換層１０２に正孔が注入されるのを抑制すると共に、光電変換層１０２で発生した電子を輸送する機能を持たせる必要があるため、前述のように、正孔輸送性・注入性が低く、かつ電子輸送性が高い材料が用いられる。
Since the
次に、正孔ブロッキング層１０３および電子ブロッキング層１０５を構成する有機材料の候補について説明する。
Next, organic material candidates constituting the
（正孔ブロッキング層）
正孔ブロッキング層１０３には、電子受容性有機材料を用いることができる。
電子受容性材料としては、１，３−ビス（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル−１，３，４−オキサジアゾリル）フェニレン（ＯＸＤ−７）等のオキサジアゾール誘導体、アントラキノジメタン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、バソクプロイン、バソフェナントロリン、及びこれらの誘導体、トリアゾール化合物、トリス（８−ヒドロキシキノリナート）アルミニウム錯体、ビス（４−メチル−８−キノリナート）アルミニウム錯体、ジスチリルアリーレン誘導体、シロール化合物などを用いることができる。また、電子受容性有機材料でなくとも、十分な電子輸送性を有する材料ならば使用することは可能である。ポルフィリン系化合物や、DCM（4-ジシアノメチレン-2-メチル-6-(4-(ジメチルアミノスチリル))-4Hピラン）等のスチリル系化合物、4Hピラン系化合物を用いることができる。
(Hole blocking layer)
An electron-accepting organic material can be used for the
Examples of the electron-accepting material include 1,3-bis (4-tert-butylphenyl-1,3,4-oxadiazolyl) phenylene (OXD-7) and other oxadiazole derivatives, anthraquinodimethane derivatives, and diphenylquinone derivatives. , Bathocuproine, bathophenanthroline, and derivatives thereof, triazole compounds, tris (8-hydroxyquinolinato) aluminum complexes, bis (4-methyl-8-quinolinato) aluminum complexes, distyrylarylene derivatives, silole compounds, etc. Can do. Moreover, even if it is not an electron-accepting organic material, it can be used if it is a material which has sufficient electron transport property. Porphyrin compounds, styryl compounds such as DCM (4-dicyanomethylene-2-methyl-6- (4- (dimethylaminostyryl))-4H pyran), and 4H pyran compounds can be used.
正孔ブロッキング層１０３の厚みは、１０ｎｍ以上２００ｎｍ以下が好ましく、さらに好ましくは３０ｎｍ以上１５０ｎｍ以下、特に好ましくは５０ｎｍ以上１００ｎｍ以下である。この厚みが薄すぎると、暗電流抑制効果が低下してしまい、厚すぎると光電変換効率が低下してしまうためである。
The thickness of the
正孔ブロッキング材料の候補として、具体的には、下記の化３〜化８で示される材料が例として挙げられる。Ｅａはその材料の電子親和力、ｌｐはその材料のイオン化ポテンシャルを示す。
Specific examples of the hole blocking material candidate include materials represented by the following
実際に正孔ブロッキング層１０３に用いる材料は、隣接する電極の材料および隣接する光電変換層の材料により、選択の幅が規定される。隣接する電極の材料の仕事関数（Ｗｆ）より１．３ｅＶ以上イオン化ポテンシャル（Ｉｐ）が大きく、かつ、隣接する光電変換層の材料の電子親和力（Ｅａ）と同等のＥａもしくはそれより大きいＥａを持つものが良い。
The selection range of the material actually used for the
（電子ブロッキング層）
電子ブロッキング層１０５には、電子供与性有機材料を用いることができる。具体的には、低分子材料では、Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−（１，１’−ビフェニル）−４，４’−ジアミン（ＴＰＤ）や４，４’−ビス［Ｎ−（ナフチル）−Ｎ−フェニル−アミノ］ビフェニル（α−ＮＰＤ）等の芳香族ジアミン化合物、オキサゾール、オキサジアゾール、トリアゾール、イミダゾール、イミダゾロン、スチルベン誘導体、ピラゾリン誘導体、テトラヒドロイミダゾール、ポリアリールアルカン、ブタジエン、４，４’，４”−トリス（Ｎ−（３−メチルフェニル）Ｎ−フェニルアミノ）トリフェニルアミン（ｍ−ＭＴＤＡＴＡ）、ポルフィン、テトラフェニルポルフィン銅、フタロシアニン、銅フタロシアニン、チタニウムフタロシアニンオキサイド等のポリフィリン化合物、トリアゾール誘導体、オキサジザゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体、ピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アニールアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、オキサゾール誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、シラザン誘導体などを用いることができ、高分子材料では、フェニレンビニレン、フルオレン、カルバゾール、インドール、ピレン、ピロール、ピコリン、チオフェン、アセチレン、ジアセチレン等の重合体や、その誘導体を用いることができる。電子供与性化合物でなくとも、十分なホール輸送性を有する化合物であれば用いることは可能である。
(Electronic blocking layer)
An electron-donating organic material can be used for the
電子ブロッキング層１０５の厚みは、１０ｎｍ以上２００ｎｍ以下が好ましく、さらに好ましくは３０ｎｍ以上１５０ｎｍ以下、特に好ましくは５０ｎｍ以上１００ｎｍ以下である。この厚みが薄すぎると、暗電流抑制効果が低下してしまい、厚すぎると光電変換効率が低下してしまうためである。
The thickness of the
また、電子ブロッキング材料の候補として、具体的には、例えば下記の化９〜化１５で示される材料が挙げられる。
Specific examples of the electron blocking material candidate include materials represented by the following
実際に電子ブロッキング層１０５に用いる材料は、隣接する電極の材料および隣接する光電変換層１０２の材料により、選択の幅が規定される。隣接する電極の材料の仕事関数（Ｗｆ）より１．３ｅＶ以上電子親和力（Ｅａ）が大きく、かつ、隣接する光電変換層１０２の材料のイオン化ポテンシャル（Ｉｐ）と同等のＩｐもしくはそれより小さいＩｐを持つものがよい。
The selection range of the material actually used for the
なお、上部電極１０４と下部電極１０１からなる一対の電極の一方から光電変換層１０２に電荷が注入されるのを抑制するため、一方の電極（例えば上部電極１０４）と光電変換層１０２との間に第１の電荷ブロッキング層（例えば正孔ブロッキング層１０３）を形成する構成としてもよく、また、他方の電極（例えば下部電極１０１）と光電変換層１０２との間に第２の電荷ブロッキング層（例えば電子ブロッキング層１０５）を形成する構成としてもよい。
Note that in order to prevent charge from being injected into the
上部電極１０４と下部電極１０１との間に外部から印加される電圧を、電極１０１，１０４間の距離で割った値が１．０×１０5Ｖ／ｃｍ〜１．０×１０7Ｖ／ｃｍであることが好ましい。
A value obtained by dividing the voltage applied from the outside between the
本実施形態の光電変換素子は、光電変換層の少なくとも一部がｐ型有機半導体とフラーレン類の混合層を含み、該ｐ型有機半導体に対するフラーレン類の混合比が１：１より小さいことを特徴とする。 The photoelectric conversion element of this embodiment is characterized in that at least a part of the photoelectric conversion layer includes a mixed layer of a p-type organic semiconductor and fullerenes, and the mixing ratio of fullerenes to the p-type organic semiconductor is smaller than 1: 1. And
以下の第２実施形態〜第５実施形態では、上述したような光電変換素子を半導体基板上方に積層した構成のセンサとしてあげられる構成例を説明する。なお、以下に説明する実施形態において、すでに説明した部材などと同等な構成・作用を有する部材等については、図中に同一符号又は相当符号を付すことにより、説明を簡略化或いは省略する。 In the following second to fifth embodiments, description will be given of configuration examples that can be cited as sensors having a configuration in which the photoelectric conversion elements as described above are stacked above a semiconductor substrate. In the embodiments described below, members having the same configuration / action as those already described are denoted by the same or corresponding reference numerals in the drawings, and description thereof is simplified or omitted.
（第２実施形態）
図２は、本発明の第二実施形態を説明するための固体撮像素子の１画素分の断面模式図である。図２において図１と同等の構成には同一符号を付してある。
固体撮像素子１００は、図２に示す１画素が同一平面上でアレイ状に多数配置されたものであり、この１画素から得られる信号によって画像データの１つの画素データを生成することができる。
(Second Embodiment)
FIG. 2 is a schematic cross-sectional view of one pixel of a solid-state image sensor for explaining the second embodiment of the present invention. In FIG. 2, the same components as those in FIG.
The solid-
図２に示す固体撮像素子の１画素は、ｐ型シリコン基板１と、ｐ型シリコン基板１上に形成された透明な絶縁膜７と、絶縁膜７上に形成された下部電極１０１、下部電極１０１上に形成された光電変換層１０２、光電変換層１０２の上に形成された正孔ブロッキング層１０３（図示省略）、光電変換層１０２の下に形成された電子ブロッキング層１０５（図示省略）、及び、正孔ブロッキング層１０３上に形成された上部電極１０４からなる第一実施形態で説明した構成の光電変換素子とを含んで構成され、光電変換素子上には開口の設けられた遮光膜１４が形成されている。上部電極１０４上には透明な絶縁膜１５が形成されている。
2 includes a p-
ｐ型シリコン基板１内には、その浅い方からｎ型不純物領域（以下、ｎ領域と略す）４と、ｐ型不純物領域（以下、ｐ領域と略す）３と、ｎ領域２がこの順に形成されている。ｎ領域４の遮光膜１４によって遮光されている部分の表面部には、高濃度のｎ領域（ｎ＋領域という）６が形成され、ｎ＋領域６の周りはｐ領域５によって囲まれている。
In the p-
ｎ領域４とｐ領域３とのｐｎ接合面のｐ型シリコン基板１表面からの深さは、青色光を吸収する深さ（約０．２μｍ）となっている。したがって、ｎ領域４とｐ領域３は、青色光を吸収してそれに応じた電荷を蓄積するフォトダイオード（Ｂフォトダイオード）を形成する。本実施形態において、Ｂフォトダイオードは、半導体基板内に形成され、光電変換部１０２の光電変換層で発生した電荷を蓄積するための電荷蓄積部として機能する。Ｂフォトダイオードで発生した電子は、ｎ領域４に蓄積される。
The depth of the pn junction surface between the
ｎ領域２とｐ型シリコン基板１とのｐｎ接合面のｐ型シリコン基板１表面からの深さは、赤色光を吸収する深さ（約２μｍ）となっている。したがって、ｎ領域２とｐ型シリコン基板１は、赤色光を吸収してそれに応じた電荷を蓄積するフォトダイオード（Ｒフォトダイオード）を形成する。Ｒフォトダイオードは、半導体基板内に形成され、光電変換部１０２の光電変換層で発生した電荷を蓄積するための電荷蓄積部として機能する。Ｒフォトダイオードで発生した電子は、ｎ領域２に蓄積される。
The depth of the pn junction surface between the
ｎ＋領域６は、絶縁膜７に開けられた開口に形成された接続部９を介して下部電極１０１と電気的に接続されている。下部電極１０１で捕集された正孔は、ｎ＋領域６の電子と再結合するため、捕集した正孔の数に応じ、ｎ＋領域６にリセット時に蓄積された電子が減少することとなる。接続部９は、下部電極１０１とｎ＋領域６以外とは絶縁膜８によって電気的に絶縁される。
The n +
ｎ領域２に蓄積された電子は、ｐ型シリコン基板１内に形成されたｎチャネルＭＯＳトランジスタからなるＭＯＳ回路（不図示）によってその電荷量に応じた信号に変換され、ｎ領域４に蓄積された電子は、ｐ領域３内に形成されたｎチャネルＭＯＳトランジスタからなるＭＯＳ回路（不図示）によってその電荷量に応じた信号に変換され、ｎ＋領域６に蓄積されている電子は、ｐ領域５内に形成されたｎチャネルＭＯＳトランジスタからなるＭＯＳ回路（不図示）によってその電荷量に応じた信号に変換されて、固体撮像素子１００外部へと出力される。各ＭＯＳ回路は配線１０によって図示しない信号読み出しパッドに接続される。なお、ｎ領域２、ｎ領域４に引き出し電極を設け、所定のリセット電位をかけると、各領域が空乏化し、各ｐｎ接合部の容量は限りなく小さい値になる。これにより、接合面に生じる容量を極めて小さくすることができる。
The electrons accumulated in the
このような構成により、光電変換層１０２でＧ光を光電変換し、ｐ型シリコン基板１中のＢフォトダイオードとＲフォトダイオードでＢ光およびＲ光を光電変換することができる。また上部でＧ光がまず吸収されるため、Ｂ−Ｇ間およびＧ−Ｒ間の色分離は優れている。これが、シリコン基板内に３つのＰＤを積層し、シリコン基板内でＢＧＲ光を全て分離する形式の固体撮像素子に比べ、大きく優れた点である。
With such a configuration, G light can be photoelectrically converted by the
本実施形態の固体撮像素子１００において、光電変換層１０２の少なくとも一部がｐ型有機半導体とフラーレン類の混合層を含み、該ｐ型有機半導体に対するフラーレン類の混合比が１：１より小さい。
In the solid-
（第３実施形態）
本実施形態では、図２のシリコン基板１内に２つのフォトダイオードを積層するのではなく、入射光の入射方向に対して垂直な方向に２つのフォトダイオードを配列して、ｐ型シリコン基板内で２色の光を検出するようにしたものである。
(Third embodiment)
In the present embodiment, two photodiodes are not stacked in the
図３は、本発明の第３実施形態を説明するための固体撮像素子の１画素分の断面模式図である。図３において図１と同等の構成には同一符号を付してある。
図３に示す固体撮像素子２００の１画素は、ｐ型シリコン基板１７と、ｐ型シリコン基板１７上方に形成された下部電極１０１、下部電極１０１上に形成された光電変換層１０２、光電変換層１０２上に形成された正孔ブロッキング層１０３（図示省略）、光電変換層１０２の下に形成された電子ブロッキング層１０５（図示省略）、及び、正孔ブロッキング層１０３上に形成された上部電極１０４からなる第一実施形態で説明した構成の光電変換素子とを含んで構成され、光電変換素子上には開口の設けられた遮光膜３４が形成されている。また、上部電極１０４上には透明な絶縁膜３３が形成されている。
FIG. 3 is a schematic cross-sectional view of one pixel of a solid-state image sensor for explaining a third embodiment of the present invention. In FIG. 3, the same components as those in FIG.
3 includes a p-type silicon substrate 17, a
遮光膜３４の開口下方のｐ型シリコン基板１７表面には、ｐ領域１９とｎ領域１８からなるフォトダイオードと、ｐ領域２１とｎ領域２０からなるフォトダイオードとが、ｐ型シリコン基板１７表面に並んで形成されている。ｐ型シリコン基板１７表面上の任意の面方向が、入射光の入射方向に対して垂直な方向となる。
On the surface of the p-type silicon substrate 17 below the opening of the
ｐ領域１９とｎ領域１８からなるフォトダイオードの上方には、透明な絶縁膜２４を介してＢ光を透過するカラーフィルタ２８が形成され、その上に下部電極１０１が形成されている。ｐ領域２１とｎ領域２０からなるフォトダイオードの上方には、透明な絶縁膜２４を介してＲ光を透過するカラーフィルタ２９が形成され、その上に下部電極１０１が形成されている。カラーフィルタ２８，２９の周囲は、透明な絶縁膜２５で覆われている。
Above the photodiode composed of the
ｐ領域１９とｎ領域１８からなるフォトダイオードは、カラーフィルタ２８を透過したＢ光を吸収してそれに応じた電子を発生し、発生した電子をｎ領域１８に蓄積する基板内光電変換部として機能する。ｐ領域２１とｎ領域２０からなるフォトダイオードは、カラーフィルタ２９を透過したＲ光を吸収してそれに応じた電子を発生し、発生した電子をｎ領域２０に蓄積する基板内光電変換部として機能する。
The photodiode composed of the
ｎ型シリコン基板１７表面の遮光膜３４によって遮光されている部分には、ｎ＋領域２３が形成され、ｎ＋領域２３の周りはｐ領域２２によって囲まれている。
An n +
ｎ＋領域２３は、絶縁膜２４，２５に開けられた開口に形成された接続部２７を介して下部電極１０１と電気的に接続されている。下部電極１０１で捕集された正孔は、ｎ＋領域２３の電子と再結合するため、捕集した正孔の数に応じ、ｎ＋領域２３にリセット時に蓄積された電子が減少することとなる。接続部２７は、下部電極１０１とｎ＋領域２３以外とは絶縁膜２６によって電気的に絶縁される。
The n +
ｎ領域１８に蓄積された電子は、ｐ型シリコン基板１７内に形成されたｎチャネルＭＯＳトランジスタからなるＭＯＳ回路（不図示）によってその電荷量に応じた信号に変換され、ｎ領域２０に蓄積された電子は、ｐ型シリコン基板１７内に形成されたｎチャネルＭＯＳトランジスタからなるＭＯＳ回路（不図示）によってその電荷量に応じた信号に変換され、ｎ＋領域２３に蓄積されている電子は、ｐ領域２２内に形成されたｎチャネルＭＯＳトランジスタからなるＭＯＳ回路（不図示）によってその電荷量に応じた信号に変換されて、固体撮像素子２００外部へと出力される。各ＭＯＳ回路は配線３５によって図示しない信号読み出しパッドに接続される。
なお、信号読出し部は、ＭＯＳ回路ではなくＣＣＤとアンプによって構成してもよい。つまり、ｎ領域１８、ｎ領域２０、及びｎ＋領域２３に蓄積された電子をｐ型シリコン基板１７内に形成したＣＣＤに読み出し、これをＣＣＤでアンプまで転送して、アンプからその電子に応じた信号を出力させるような信号読出し部であってもよい。
The electrons accumulated in the
The signal reading unit may be constituted by a CCD and an amplifier instead of the MOS circuit. That is, the electrons accumulated in the
このように、信号読み出し部は、ＣＣＤおよびＣＭＯＳ構造が挙げられるが、消費電力、高速読出し、画素加算、部分読出し等の点からは、ＣＭＯＳの方が好ましい。 As described above, the signal reading unit includes a CCD and a CMOS structure, but CMOS is preferable in terms of power consumption, high-speed reading, pixel addition, partial reading, and the like.
なお、図３では、カラーフィルタ２８，２９によってＲ光とＢ光の色分離を行っているが、カラーフィルタ２８，２９を設けず、ｎ領域２０とｐ領域２１のｐｎ接合面の深さと、ｎ領域１８とｐ領域１９のｐｎ接合面の深さを各々調整して、それぞれのフォトダイオードでＲ光とＢ光を吸収するようにしてもよい。この場合、ｐ型シリコン基板１７と下部電極１０１との間（例えば絶縁膜２４とｐ型シリコン基板１７との間）に、光電変換層１０２を透過した光を吸収して、該光に応じた電荷を発生しこれを蓄積する無機材料からなる無機光電変換部を形成することも可能である。この場合、ｐ型シリコン基板１７内に、この無機光電変換部の電荷蓄積領域に蓄積された電荷に応じた信号を読み出すためのＭＯＳ回路を設け、このＭＯＳ回路にも配線３５を接続しておけばよい。
In FIG. 3, the
また、ｐ型シリコン基板１７内に設けるフォトダイオードを１つとし、ｐ型シリコン基板１７上方に光電変換部を複数積層した構成としてもよい。更に、ｐ型シリコン基板１７内に設けるフォトダイオードを複数とし、ｐ型シリコン基板１７上方に光電変換部を複数積層した構成としてもよい。また、カラー画像を作る必要がないのであれば、ｐ型シリコン基板１７内に設けるフォトダイオードを１つとし、光電変換部を１つだけ積層した構成としてもよい。 Alternatively, a single photodiode may be provided in the p-type silicon substrate 17 and a plurality of photoelectric conversion units may be stacked above the p-type silicon substrate 17. Further, a plurality of photodiodes provided in the p-type silicon substrate 17 may be provided, and a plurality of photoelectric conversion units may be stacked above the p-type silicon substrate 17. If there is no need to create a color image, a single photodiode provided in the p-type silicon substrate 17 and only one photoelectric conversion unit may be stacked.
本実施形態の固体撮像素子２００において、光電変換層１０２の少なくとも一部がｐ型有機半導体とフラーレン類の混合層を含み、該ｐ型有機半導体に対するフラーレン類の混合比が１：１より小さい。
In the solid-
（第４実施形態）
本実施形態の固体撮像素子は、図１のシリコン基板内にフォトダイオードを設けず、シリコン基板上方に複数（ここでは３つ）の光電変換素子を積層した構成である。
図４は、本発明の第４実施形態を説明するための固体撮像素子の１画素分の断面模式図である。
図４に示す固体撮像素子３００は、シリコン基板４１上方に、下部電極１０１ｒ、下部電極１０１ｒ上に積層された光電変換層１０２ｒ、光電変換層１０２ｒ上に形成された正孔ブロッキング層（図示省略）、光電変換層１０２ｒの下に形成された電子ブロッキング層（図示省略）、及び、正孔ブロッキング層上に積層された上部電極１０４ｒを含むＲ光電変換素子と、下部電極１０１ｂ、下部電極１０１ｂ上に積層された光電変換層１０２ｂ、光電変換層１０２ｂ上に形成された正孔ブロッキング層（図示省略）、光電変換層１０２ｒの下に形成された電子ブロッキング層（図示省略）、及び、正孔ブロッキング層上に積層された上部電極１０４ｂを含むＢ光電変換素子と、下部電極１０１ｇ、下部電極１０１ｇ上に積層された光電変換層１０２ｇ、光電変換層１０２ｇ上に形成された正孔ブロッキング層（図示省略）、光電変換層１０２ｒの下に形成された電子ブロッキング層（図示省略）、及び、正孔ブロッキング層上に積層された上部電極１０４ｇを含むＧ光電変換素子とが、それぞれに含まれる下部電極をシリコン基板４１側に向けた状態で、この順に積層された構成となっている。
(Fourth embodiment)
The solid-state imaging device of the present embodiment has a configuration in which a photodiode is not provided in the silicon substrate of FIG. 1 and a plurality (three in this case) of photoelectric conversion elements are stacked above the silicon substrate.
FIG. 4 is a schematic cross-sectional view of one pixel of a solid-state image sensor for explaining a fourth embodiment of the present invention.
4 includes a
シリコン基板４１上には透明な絶縁膜４８が形成され、その上にＲ光電変換素子が形成され、その上に透明な絶縁膜５９が形成され、その上にＢ光電変換素子が形成され、その上に透明な絶縁膜６３が形成され、その上にＧ光電変換素子が形成され、その上に開口の設けられた遮光膜６８が形成され、その上に透明な絶縁膜６７が形成されている。
A transparent insulating
Ｇ光電変換素子に含まれる下部電極１０１ｇ、光電変換層１０２ｇ、正孔ブロッキング層、電子ブロッキング層、及び上部電極１０４ｇは、それぞれ、図１に示す下部電極１０１、光電変換層１０２、正孔ブロッキング層１０３、電子ブロッキング層１０５、及び上部電極１０４と同じ構成である。ただし、光電変換層１０２ｇは、緑色光を吸収してこれに応じた電子及び正孔を発生する有機材料を用いる。
The
Ｂ光電変換素子に含まれる下部電極１０１ｂ、光電変換層１０２ｂ、正孔ブロッキング層、電子ブロッキング層、及び上部電極１０４ｂは、それぞれ、図１に示す下部電極１０１、光電変換層１０２、正孔ブロッキング層１０３、電子ブロッキング層１０５、及び上部電極１０４と同じ構成である。ただし、光電変換層１０２ｂは、青色光を吸収してこれに応じた電子及び正孔を発生する有機材料を用いる。
The
Ｒ光電変換素子に含まれる下部電極１０１ｒ、光電変換層１０２ｒ、正孔ブロッキング層、電子ブロッキング層、及び上部電極１０４ｒは、それぞれ、図１に示す下部電極１０１、光電変換層１０２、正孔ブロッキング層１０３、電子ブロッキング層１０５、及び上部電極１０４と同じ構成である。ただし、光電変換層１０２ｒは、赤色光を吸収してこれに応じた電子及び正孔を発生する有機材料を用いる。
The
シリコン基板４１表面の遮光膜６８によって遮光されている部分には、ｎ＋領域４３，４５，４７が形成され、それぞれの周りはｐ領域４２，４４，４６によって囲まれている。
N +
ｎ＋領域４３は、絶縁膜４８に開けられた開口に形成された接続部５４を介して下部電極１０１ｒと電気的に接続されている。下部電極１０１ｒで捕集された正孔は、ｎ＋領域４３の電子と再結合するため、捕集した正孔の数に応じ、ｎ＋領域４３にリセット時に蓄積された電子が減少することとなる。接続部５４は、下部電極１０１ｒとｎ＋領域４３以外とは絶縁膜５１によって電気的に絶縁される。
The n +
ｎ＋領域４５は、絶縁膜４８、Ｒ光電変換素子、及び絶縁膜５９に開けられた開口に形成された接続部５３を介して下部電極１０１ｂと電気的に接続されている。下部電極１０１ｂで捕集された正孔は、ｎ＋領域４５の電子と再結合するため、捕集した正孔の数に応じ、ｎ＋領域４５にリセット時に蓄積された電子が減少することとなる。接続部５３は、下部電極１０１ｂとｎ＋領域４５以外とは絶縁膜５０によって電気的に絶縁される。
The n +
ｎ＋領域４７は、絶縁膜４８、Ｒ光電変換素子、絶縁膜５９、Ｂ光電変換素子、及び絶縁膜６３に開けられた開口に形成された接続部５２を介して下部電極１０１ｇと電気的に接続されている。下部電極１０１ｇで捕集された正孔は、ｎ＋領域４７の電子と再結合するため、捕集した正孔の数に応じ、ｎ＋領域４７にリセット時に蓄積された電子が減少することとなる。接続部５２は、下部電極１０１ｇとｎ＋領域４７以外とは絶縁膜４９によって電気的に絶縁される。
The n +
ｎ＋領域４３に蓄積されている電子は、ｐ領域４２内に形成されたｎチャネルＭＯＳトランジスタからなるＭＯＳ回路（不図示）によってその電荷量に応じた信号に変換され、ｎ＋領域４５に蓄積されている電子は、ｐ領域４４内に形成されたｎチャネルＭＯＳトランジスタからなるＭＯＳ回路（不図示）によってその電荷量に応じた信号に変換され、ｎ＋領域４７に蓄積されている電子は、ｐ領域４６内に形成されたｎチャネルＭＯＳトランジスタからなるＭＯＳ回路（不図示）によってその電荷量に応じた信号に変換されて、固体撮像素子３００外部へと出力される。各ＭＯＳ回路は配線５５によって図示しない信号読み出しパッドに接続される。なお、信号読出し部は、ＭＯＳ回路ではなくＣＣＤとアンプによって構成してもよい。つまり、ｎ＋領域４３，４５，４７に蓄積された電子をシリコン基板４１内に形成したＣＣＤに読み出し、これをＣＣＤでアンプまで転送して、アンプからその正孔に応じた信号を出力させるような信号読出し部であってもよい。
The electrons accumulated in the n +
以上の説明において、Ｂ光を吸収する光電変換層とは、少なくとも４００〜５００ｎｍの光を吸収することができ、好ましくはその波長域でのピ−ク波長の吸収率が５０％以上であるものを意味する。Ｇ光を吸収する光電変換層とは、少なくとも５００〜６００ｎｍの光を吸収することができ、好ましくはその波長域でのピ−ク波長の吸収率が５０％以上であることを意味する。Ｒ光を吸収する光電変換層とは、少なくとも６００〜７００ｎｍの光を吸収することができ、好ましくはその波長域でのピ−ク波長の吸収率が５０％以上であることを意味する。 In the above description, the photoelectric conversion layer that absorbs B light can absorb light of at least 400 to 500 nm, and preferably has a peak wavelength absorptance of 50% or more in that wavelength region. Means. The photoelectric conversion layer that absorbs G light means that it can absorb light of at least 500 to 600 nm, and preferably has a peak wavelength absorptance of 50% or more in that wavelength region. The photoelectric conversion layer that absorbs R light means that it can absorb light of at least 600 to 700 nm, and preferably has an absorption factor of a peak wavelength in the wavelength region of 50% or more.
本実施形態の固体撮像素子３００において、光電変換層１０２ｒ，１０２ｇ，１０２ｂの少なくとも一部がｐ型有機半導体とフラーレン類の混合層を含み、該ｐ型有機半導体に対するフラーレン類の混合比が１：１より小さい。
In the solid-
（第５実施形態）
図５は、本発明の第五実施形態を説明するための固体撮像素子の断面模式図である。
ｐ型シリコン基板８１上方の同一面上の行方向とこれに直交する列方向には、主としてＲの波長域の光を透過するカラーフィルタ９３ｒと、主としてＧの波長域の光を透過するカラーフィルタ９３ｇと、主としてＢの波長域の光を透過するカラーフィルタ９３ｂとの３種類のカラーフィルタがそれぞれ多数配列されている。
(Fifth embodiment)
FIG. 5 is a schematic cross-sectional view of a solid-state imaging device for explaining a fifth embodiment of the present invention.
In the row direction on the same plane above the p-
カラーフィルタ９３ｒは、公知の材料を用いることができるが、このような材料は、Ｒの波長域の光の他に、赤外域の光の一部も透過する。カラーフィルタ９３ｇは、公知の材料を用いることができるが、このような材料は、Ｇの波長域の光の他に、赤外域の光の一部も透過する。カラーフィルタ９３ｂは、公知の材料を用いることができるが、このような材料は、Ｂの波長域の光の他に、赤外域の光の一部も透過する。
A known material can be used for the
カラーフィルタ９３ｒ，９３ｇ，９３ｂの配列は、公知の単板式固体撮像素子に用いられているカラーフィルタ配列（ベイヤー配列や縦ストライプ、横ストライプ等）を採用することができる。
As the arrangement of the
カラーフィルタ９３ｒ下方には、カラーフィルタ９３ｒに対応させてｎ型不純物領域（以下、ｎ領域という）８３ｒが形成されており、ｎ領域８３ｒとｐ型シリコン基板８１とのｐｎ接合によって、カラーフィルタ９３ｒに対応するＲ光電変換素子が構成されている。
Below the
カラーフィルタ９３ｇ下方には、カラーフィルタ９３ｇに対応させてｎ領域８３ｇが形成されており、ｎ領域８３ｇとｐ型シリコン基板８１とのｐｎ接合によって、カラーフィルタ９３ｇに対応するＧ光電変換素子が構成されている。
Below the
カラーフィルタ９３ｂ下方には、カラーフィルタ９３ｂに対応させてｎ領域８３ｂが形成されており、ｎ領域８３ｂとｐ型シリコン基板８１とのｐｎ接合によって、カラーフィルタ９３ｂに対応するＢ光電変換素子が構成されている。
An
ｎ領域８３ｒ上方には下部電極８７ｒ（図１の下部電極１０１と同じ機能を持つ）が形成され、ｎ領域８３ｇ上方には下部電極８７ｇ（図１の下部電極１０１と同じ機能を持つ）が形成され、ｎ領域８３ｂ上方には下部電極８７ｂ（図１の下部電極１０１と同じ機能を持つ）が形成されている。下部電極８７ｒ，８７ｇ，８７ｂは、それぞれカラーフィルタ９３ｒ，９３ｇ，９３ｂの各々に対応して分割されている。下部電極８７ｒ，８７ｇ，８７ｂは、それぞれ、可視光及び赤外光に対して透明な材料で構成され、例えばＩＴＯ(Indium Tin Oxide)やＩＺＯ(Indium Zico Oxide)等を用いることができる。透明電極８７ｒ，８７ｇ，８７ｂは、それぞれ、絶縁層内に埋設されている。
A
下部電極８７ｒ，８７ｇ，８７ｂの各々の上には、主として波長５８０ｎｍ以上の赤外域の光を吸収してこれに応じた電荷を発生し、赤外域以外の可視域（波長約３８０ｎｍ〜約５８０ｎｍ）の光を透過する、カラーフィルタ９３ｒ，９３ｇ，９３ｂの各々で共通の一枚構成である光電変換層８９（図１の光電変換層１０２と同じ機能を持つ）が形成されている。光電変換層８９を構成する材料は、例えば、フタロシアニン系有機材料やナフタロシアニン系有機材料を用いる。
On each of the
光電変換層８９上には、カラーフィルタ９３ｒ，９３ｇ，９３ｂの各々で共通の一枚構成である上部電極８０（図１の上部電極１０４と同じ機能を持つ）が形成されている。上部電極８０は、可視光及び赤外光に対して透明な材料で構成され、例えばＩＴＯやＩＺＯ等を用いることができる。なお、図示していないが、光電変換層８９と上部電極８０との間には、図１の正孔ブロッキング層１０３と同じ機能を持つ正孔ブロッキング層が形成されている。
On the
下部電極８７ｒと、それに対向する上部電極８０と、これらに挟まれる光電変換層８９の一部とにより、カラーフィルタ９３ｒに対応する光電変換素子が形成される。以下では、この光電変換素子を、半導体基板上に形成されたものであるため、Ｒ基板上光電変換素子という。
A photoelectric conversion element corresponding to the
下部電極８７ｇと、それに対向する上部電極８０と、これらに挟まれる光電変換層８９の一部とにより、カラーフィルタ９３ｇに対応する光電変換素子が形成される。以下では、この光電変換素子をＧ基板上光電変換素子という。
A photoelectric conversion element corresponding to the
下部電極８７ｂと、それに対向する上部電極８０と、これらに挟まれる光電変換層８９の一部とにより、カラーフィルタ９３ｂに対応する光電変換素子が形成される。以下では、この光電変換素子をＢ基板上光電変換素子という。
A photoelectric conversion element corresponding to the
ｎ領域８３ｒの隣には、Ｒ基板上光電変換素子の下部電極８７ｒと接続された高濃度のｎ型不純物領域（以下、ｎ＋領域という）８４ｒが形成されている。尚、ｎ＋領域８４ｒに光が入るのを防ぐために、ｎ＋領域８４ｒ上には遮光膜を設けておくことが好ましい。
Next to the
ｎ領域８３ｇの隣には、Ｇ基板上光電変換素子の下部電極８７ｇと接続されたｎ＋領域８４ｇが形成されている。なお、ｎ＋領域８４ｇに光が入るのを防ぐために、ｎ＋領域８４ｇ上には遮光膜を設けておくことが好ましい。
Next to the
ｎ領域８３ｂの隣には、Ｂ基板上光電変換素子の下部電極８７ｂと接続されたｎ＋領域８４ｂが形成されている。なお、ｎ＋領域８４ｂに光が入るのを防ぐために、ｎ＋領域８４ｂ上には遮光膜を設けておくことが好ましい。
Next to the
ｎ＋領域８４ｒ上にはタングステン、アルミニウム等の金属からなるコンタクト部８６ｒが形成され、コンタクト部８６ｒ上に下部電極８７ｒが形成されており、ｎ＋領域８４ｒと下部電極８７ｒはコンタクト部８６ｒによって電気的に接続されている。コンタクト部８６ｒは、可視光及び赤外光に対して透明な絶縁層８５内に埋設されている。
A
ｎ＋領域８４ｇ上にはタングステン、アルミニウム等の金属からなるコンタクト部８６ｇが形成され、コンタクト部８６ｇ上に下部電極８７ｇが形成されており、ｎ＋領域８４ｇと下部電極８７ｇはコンタクト部８６ｇによって電気的に接続されている。コンタクト部８６ｇは絶縁層８５内に埋設されている。
A
ｎ＋領域８４ｂ上にはタングステン、アルミニウム等の金属からなるコンタクト部８６ｂが形成され、コンタクト部８６ｂ上に下部電極８７ｂが形成されており、ｎ＋領域８４ｂと下部電極８７ｂはコンタクト部８６ｂによって電気的に接続されている。コンタクト部８６ｂは絶縁層８５内に埋設されている。
A
ｎ領域８３ｒ，８３ｇ，８３ｂ、ｎ＋領域８４ｒ，８４ｇ，８４ｂが形成されている以外の領域には、ｎ領域８３ｒ及びｎ＋領域８４ｒに蓄積されている電子に応じた信号をそれぞれ読み出すためのｎチャネルＭＯＳトランジスタからなる信号読み出し部８５ｒと、ｎ領域８３ｇ及びｎ＋領域８４ｇに蓄積されている電子に応じた信号をそれぞれ読み出すためのｎチャネルＭＯＳトランジスタからなる信号読み出し部８５ｇと、ｎ領域８３ｂ及びｎ＋領域８４ｂに蓄積されている電子に応じた信号をそれぞれ読み出すためのｎチャネルＭＯＳトランジスタからなる信号読み出し部８５ｂとが形成されている。信号読み出し部８５ｒ，８５ｇ，８５ｂは、それぞれ、ＣＣＤによって構成してもよい。尚、信号読み出し部８５ｒ，８５ｇ，８５ｂに光が入るのを防ぐために、信号読み出し部８５ｒ，８５ｇ，８５ｂ上には遮光膜を設けておくことが好ましい。
In the regions other than the
このような構成によれば、ＲＧＢカラー画像と、赤外画像とを同一解像度で同時に得ることができる。このため、この固体撮像素子を電子内視鏡等に応用すること等が可能となる。 According to such a configuration, an RGB color image and an infrared image can be obtained simultaneously with the same resolution. For this reason, this solid-state imaging device can be applied to an electronic endoscope or the like.
本実施形態の固体撮像素子４００において、光電変換層８９の少なくとも一部がｐ型有機半導体とフラーレン類の混合層を含み、該ｐ型有機半導体に対するフラーレン類の混合比が１：１より小さい。
In the solid-
上記実施形態の光電変換部のうち、のいずれかの光電変換材料が近赤外域に吸収スペクトルの最大ピークをもつ有機半導体とすることができる。このとき、光電変換材料が可視域の光に対して透明とすることが好ましい。さらに、光電変換材料がＳｎＰｃもしくはシリコンナフタロシアニン類であることが好ましい。 Any one of the photoelectric conversion materials in the photoelectric conversion part of the above embodiment can be an organic semiconductor having a maximum absorption spectrum peak in the near infrared region. At this time, the photoelectric conversion material is preferably transparent to visible light. Further, the photoelectric conversion material is preferably SnPc or silicon naphthalocyanines.
以下、本発明の実施例を説明する。本実施例では、光電変換層に混合層を有しない従来の光電変換素子に比べて、ｐ型有機半導体とフラーレン類の混合層を含む光電変換素子の方が、暗電流を抑制しつつ、十分な外部量子効率を得ることができることを実証する。 Examples of the present invention will be described below. In this example, the photoelectric conversion element including the mixed layer of the p-type organic semiconductor and the fullerenes is sufficiently reduced while suppressing the dark current as compared with the conventional photoelectric conversion element having no mixed layer in the photoelectric conversion layer. It is demonstrated that an external quantum efficiency can be obtained.
（実施例1）
２５ｍｍ角のＩＴＯ電極付ガラス基板を、アセトン、セミコクリーン、イソプロピルアルコール（ＩＰＡ）でそれぞれ１５分超音波洗浄した。最後にＩＰＡ煮沸洗浄を行った後、ＵＶ／Ｏ3洗浄を行った。その基板を有機蒸着室に移動し、室内を１×１０-4Ｐａ以下に減圧した。その後、基板ホルダーを回転させながら、ＩＴＯ電極上に、第一の電荷ブロッキング層としてｍ-ＭＴＤＡＴＡを抵抗加熱法により蒸着速度０．５〜１Å／ｓｅｃで厚み１０００Åとなるように蒸着した。次に、光電変換層のｐ型有機半導体として、Silicon 2,3-naphthalocyanine bis(trihexylsilyloxide)（シグマアルドリッチジャパン株式会社から購入し昇華精製を施したもの）の蒸着速度を３.０Å／ｓｅｃに保ちながら、ｎ型有機半導体であるフラーレンＣ６０（シグマアルドリッチジャパン株式会社昇華品）の蒸着速度を、１５.０Å／ｓｅｃ、もしくは１２.０Å／ｓｅｃ、もしくは、９.０Å／ｓｅｃ、もしくは、６.０Å／ｓｅｃ、もしくは、３.０Å／ｓｅｃ、もしくは、１. ５Å／ｓｅｃ、もしくは、１.０Å／ｓｅｃ、もしくは、０.７５Å／ｓｅｃ、もしくは、０.６Å／ｓｅｃ、もしくは、０.５Å／ｓｅｃ、もしくは、０.４５Å／ｓｅｃ、もしくは、０.３８Å／ｓｅｃ、もしくは、０.３３Å／ｓｅｃ、もしくは、０.３０Å／ｓｅｃにそれぞれ保つことにより、混合比を、１：５、もしくは、１：４、もしくは、１：３、もしくは、１：２、もしくは、１：１、もしくは、２：１、もしくは、３：１、もしくは、４：１、もしくは、５：１、もしくは、６：１、もしくは、７：１、もしくは、８：１、もしくは、９：１、もしくは、１０：１、にそれぞれ保ちながら合計５００Åとなるように共蒸着してｐ型有機半導体とフラーレンＣ６０が混合された光電変換層を形成した。続いて、昇華精製を行ったＡｌｑ３ を蒸着速度１〜２Å／ｓｅｃで厚み３００Åとなるように蒸着して第二の電荷ブロッキング層とした。
次に、この基板を、真空中を保ちながら金属蒸着室に搬送した。室内を１×１０-4Ｐａ以下に保ったまま、第二の電荷ブロッキング層上に、対向電極としてアルミを厚み１０００Åとなるように蒸着した。また、最下層のＩＴＯ電極と、アルミ対向電極とが形成する光電変換領域の面積は２ｍｍ×２ｍｍとした。この基板を大気に曝すことなく、水分、酸素をそれぞれ１ｐｐｍ以下に保ったグローブボックスに搬送し、ＵＶ硬化性樹脂を用いて、吸湿剤を張ったガラスで封止を行った。
(Example 1)
A 25 mm square glass substrate with an ITO electrode was ultrasonically cleaned with acetone, semicoclean, and isopropyl alcohol (IPA) for 15 minutes. Finally, after IPA boiling cleaning, UV / O 3 cleaning was performed. The substrate was moved to the organic vapor deposition chamber, and the pressure in the chamber was reduced to 1 × 10 −4 Pa or less. Thereafter, while rotating the substrate holder, m-MTDATA was deposited on the ITO electrode as a first charge blocking layer by a resistance heating method so that the thickness became 1000 mm at a deposition rate of 0.5 to 1 mm / sec. Next, as a p-type organic semiconductor for the photoelectric conversion layer, the deposition rate of
Next, the substrate was transferred to a metal vapor deposition chamber while maintaining a vacuum. With the chamber kept at 1 × 10 −4 Pa or less, aluminum was deposited as a counter electrode on the second charge blocking layer so as to have a thickness of 1000 mm. The area of the photoelectric conversion region formed by the lowermost ITO electrode and the aluminum counter electrode was 2 mm × 2 mm. Without exposing this board | substrate to air | atmosphere, it conveyed to the glove box which kept the water | moisture content and oxygen each 1 ppm or less, and sealed with the glass which put the moisture absorption agent using UV curable resin.
このようにして作製した素子を、オプテル製定エネルギー量子効率測定装置（ソースメータはケースレー６４３０を使用）を用いて、素子に対して１.０×１０６ Ｖ/ｃｍ２ の外部電界を与えた場合において、図６に示すように、光非照射時に流れる暗電流値と光照射時に流れる光電流値を測定し外部量子効率を算出した。光電変換領域の面積は２ｍｍ×２ｍｍのうち１．５ｍｍφの領域に対して光照射を行った。照射した光量は５０μＷ／ｃｍ２とした。また、光照射時に得られた外部量子効率を光非照射時に得られた暗電流密度で割った値をＳ/Ｎ比として、混合比ごとに測定した。結果を図７に示す。 In the case of applying an external electric field of 1.0 × 10 6 V / cm 2 to the device using the Optel constant energy quantum efficiency measuring device (source meter uses Keithley 6430). As shown in FIG. 6, the external quantum efficiency was calculated by measuring the dark current value flowing when light was not irradiated and the photocurrent value flowing when light was irradiated. The area of the photoelectric conversion region was irradiated with light to a 1.5 mmφ region out of 2 mm × 2 mm. The amount of light irradiated was 50 μW / cm 2 . In addition, the value obtained by dividing the external quantum efficiency obtained at the time of light irradiation by the dark current density obtained at the time of no light irradiation was measured for each mixing ratio as the S / N ratio. The results are shown in FIG.
（実施例２）
実施例１においてSilicon 2,3-naphthalocyanine bis(trihexylsilyloxide)の変わりにｐ型有半導体として、スズフタロシアニン（SnPc）（シグマアルドリッチジャパン株式会社から購入し昇華精製を施したもの）を用いて、実施例１と同じ条件で素子作製を行い、Ｓ/Ｎ比を求めた。結果を図８に示す。
(Example 2)
In Example 1, tin phthalocyanine (SnPc) (purchased from Sigma-Aldrich Japan Co., Ltd. and subjected to sublimation purification) was used as the p-type semiconductor instead of
（実施例３）
実施例１においてSilicon 2,3-naphthalocyanine bis(trihexylsilyloxide)の変わりにｐ型有半導体として、チタニルフタロシアニン（TiOPc）（シグマアルドリッチジャパン株式会社から購入し昇華精製を施したもの）を用いて、実施例１と同じ条件で素子作製を行い、Ｓ/Ｎ比を求めた。結果を図９に示す。
(Example 3)
In Example 1, instead of
（実施例４）
実施例１においてSilicon 2,3-naphthalocyanine bis(trihexylsilyloxide)の変わりにｐ型有半導体として、キナクリドン（シグマアルドリッチジャパン株式会社から購入し昇華精製を施したもの）を用いて、実施例１と同じ条件で素子作製を行い、Ｓ/Ｎ比を求めた。結果を図１０に示す。また、キナクリドンとフラーレンＣ６０の比が１：１の場合と４：１の場合について蒸着膜の吸収スペクトルを測定した。なお、吸収スペクトルについては、石英上に蒸着した光電変換層のみについて、日立分光光度計U-3310を用いて測定を行った。
Example 4
The same conditions as in Example 1 except that quinacridone (purchased from Sigma-Aldrich Japan Co., Ltd. and subjected to sublimation purification) was used as the p-type semiconductor in place of
（実施例５）
実施例１においてSilicon 2,3-naphthalocyanine bis(trihexylsilyloxide)の変わりにｐ型有半導体として、ＰＲ−１２２（２，９−ジメチルーキナクリドン）（シグマアルドリッチジャパン株式会社から購入し昇華精製を施したもの）を用いて、実施例１と同じ条件で素子作製を行い、Ｓ/Ｎ比を求めた。結果を図１１に示す。
(Example 5)
PR-122 (2,9-dimethyl-quinacridone) (purchased from Sigma-Aldrich Japan Co., Ltd.) as a p-type semiconductor in place of
（実施例６）
実施例１においてフラーレンＣ６０の変わりにｎ型有半導体として、フラーレンＣ70（シグマアルドリッチジャパン株式会社から購入し昇華精製を施したもの）を用いて、実施例１と同じ条件で素子作製を行い、Ｓ/Ｎ比を求めた。結果を図１２に示す。
(Example 6)
In Example 1, instead of fullerene C60, as an n-type semiconductor, fullerene C70 (purchased from Sigma-Aldrich Japan Co., Ltd. and subjected to sublimation purification) was used to produce a device under the same conditions as in Example 1, and S The / N ratio was determined. The results are shown in FIG.
実施例１から実施例５までの結果として、ｐ型有機半導体とフラーレンＣ６０の混合比において、フラーレンの比率が１：１より小さくすることでＳ/Ｎが改善され、２：１より小さい場合にＳ/Ｎが更に改善され、４：１より小さい場合に大きなＳ/Ｎが得られた。特に、ｐ型有機半導体とフラーレンＣ６０の混合比を４：１より小さくすると、暗電流を小さくできることがわかった。これは、フラーレンの比率を下げることによる外部量子効率の低下に対して、該比率を下げることによる暗電流の低下の方が著しく、結果として、大きなＳ/Ｎ比が得られたものである。最適なフラーレンの混合比率としては、撮像素子として許される暗電流において最も効率が高くなる混合比率を選ぶことができる。ただし、フラーレンの混合比率が低すぎると、暗電流は小さくなるが、十分な外部量子効率も得られないため、ｐ型有機半導体に対するフラーレンＣ６０の混合比が１：１未満〜１０：１程度が好ましい。 As a result of Example 1 to Example 5, in the mixing ratio of the p-type organic semiconductor and the fullerene C60, the S / N ratio is improved by making the fullerene ratio smaller than 1: 1. The S / N was further improved, and a large S / N was obtained when it was less than 4: 1. In particular, it was found that the dark current can be reduced when the mixing ratio of the p-type organic semiconductor and the fullerene C60 is less than 4: 1. This is because the decrease in dark current due to the reduction in the external quantum efficiency due to the reduction in the fullerene ratio is more remarkable, and as a result, a large S / N ratio is obtained. As the optimum mixing ratio of fullerenes, a mixing ratio that provides the highest efficiency in the dark current allowed for the image sensor can be selected. However, if the mixing ratio of fullerene is too low, the dark current becomes small, but sufficient external quantum efficiency cannot be obtained. Therefore, the mixing ratio of fullerene C60 to p-type organic semiconductor is less than 1: 1 to about 10: 1. preferable.
また、可視光全域に吸収スペクトルをもつフラーレンＣ６０について、キナクリドンとの混合比を１：１とした場合は、特に青色光に対して強い吸収が現れ、また赤色にも少し吸収が現れてしまう。それに対して、キナクリドン：フラーレンの比を４：１とした場合は、青色や赤色に対してはほとんど吸収をもたず、緑色光のみを吸収することが可能となる。積層型の有機撮像素子などのシャープな分光透過特性を必要とする場合は、高いフラーレンの比率による吸収スペクトルのブロード化は致命的な欠点となってしまうが、ｐ型有機半導体に対するフラーレンの混合比を１：１未満とすることで、シャープな吸収を維持しながら、Ｓ/Ｎ比を向上させることができる。 Moreover, when fullerene C60 having an absorption spectrum in the entire visible light region has a mixing ratio with quinacridone of 1: 1, strong absorption particularly for blue light appears, and a little absorption also appears for red. On the other hand, when the ratio of quinacridone: fullerene is 4: 1, blue and red are hardly absorbed, and only green light can be absorbed. When sharp spectral transmission characteristics such as stacked organic imaging devices are required, the broadening of the absorption spectrum due to the high fullerene ratio is a fatal defect, but the fullerene mixing ratio with respect to the p-type organic semiconductor By setting the ratio to less than 1: 1, the S / N ratio can be improved while maintaining sharp absorption.
１０１ 下部電極
１０２ 光電変換層
１０３ 正孔ブロッキング層
１０４ 上部電極
１０５ 電子ブロッキング層
101
Claims (11)
前記第１光電変換素子は、一対の電極と、前記一対の電極の間に配置された光電変換層と、前記一方の電極と前記光電変換層との間に設けられ、前記一対の電極間への電圧印加時に前記一対の電極の一方から前記光電変換層に電荷が注入されるのを抑制する第１の電荷ブロッキング層と、を含み、半導体基板の上方に積層された光電変換部を有しており、
更に、前記半導体基板の上方に形成され、前記光電変換層で吸収される光の波長域とは異なる波長域の光を透過するカラーフィルタ層と、
前記光電変換層下方の前記半導体基板内に形成され、前記カラーフィルタ層及び前記光電変換層を透過した光を吸収して前記光に応じた電荷を発生する第２光電変換素子と、
前記光電変換層で発生した電荷に応じた信号及び前記第２光電変換素子で発生した電荷に応じた信号をそれぞれ読み出す信号読み出し部と、
を備え、
前記一対の電極間に外部から印加される電圧を前記一対の電極間の距離で割った値が１．０×１０５Ｖ／ｃｍ〜１．０×１０７Ｖ／ｃｍであり、
前記光電変換層の少なくとも一部がｐ型有機半導体とフラーレン類の混合層を含み、
前記フラーレン類がフラーレンＣ６０もしくはフラーレンＣ７０であり、
該ｐ型有機半導体に対するフラーレン類の混合比が体積比で１０：１〜３：１である固体撮像素子。 A solid-state imaging device in which a large number of first photoelectric conversion devices are arranged in an array,
The first photoelectric conversion element is provided between a pair of electrodes, a photoelectric conversion layer disposed between the pair of electrodes, the one electrode and the photoelectric conversion layer, and between the pair of electrodes. And a first charge blocking layer that suppresses charge injection from one of the pair of electrodes to the photoelectric conversion layer when a voltage is applied, and has a photoelectric conversion unit stacked above the semiconductor substrate. And
Furthermore, a color filter layer that is formed above the semiconductor substrate and transmits light in a wavelength range different from the wavelength range of light absorbed by the photoelectric conversion layer;
A second photoelectric conversion element that is formed in the semiconductor substrate below the photoelectric conversion layer and absorbs light transmitted through the color filter layer and the photoelectric conversion layer to generate a charge corresponding to the light;
A signal reading unit that reads a signal corresponding to the charge generated in the photoelectric conversion layer and a signal corresponding to the charge generated in the second photoelectric conversion element, respectively;
With
A value obtained by dividing a voltage applied from the outside between the pair of electrodes by a distance between the pair of electrodes is 1.0 × 10 5 V / cm to 1.0 × 10 7 V / cm,
At least a part of the photoelectric conversion layer includes a mixed layer of a p-type organic semiconductor and fullerenes,
The fullerene is fullerene C60 or fullerene C70;
A solid-state imaging device in which a mixing ratio of fullerenes to the p-type organic semiconductor is 10: 1 to 3: 1 by volume .
前記光電変換部が、前記一対の電極間への電圧印加時に前記一対の電極の他方から前記光電変換層に電荷が注入されるのを抑制する第２の電荷ブロッキング層を前記他方の電極と前記光電変換層との間に備える固体撮像素子。 The solid-state imaging device according to claim 1,
The photoelectric conversion unit includes a second charge blocking layer for suppressing charge injection from the other of the pair of electrodes to the photoelectric conversion layer when a voltage is applied between the pair of electrodes. A solid-state imaging device provided between the photoelectric conversion layer.
前記ｐ型有機半導体がフタロシアニン類である固体撮像素子。 The solid-state imaging device according to claim 1 or 2,
A solid-state imaging device in which the p-type organic semiconductor is a phthalocyanine.
前記ｐ型有機半導体がナフタロフタロシアニン類である固体撮像素子。 The solid-state imaging device according to claim 1 or 2,
A solid-state imaging device in which the p-type organic semiconductor is naphthalophthalocyanines.
前記ｐ型有機半導体がキナクリドン類である固体撮像素子。 The solid-state imaging device according to claim 1 or 2,
A solid-state imaging device in which the p-type organic semiconductor is a quinacridone.
前記光電変換層が近赤外域に吸収スペクトルの最大ピークをもつ有機半導体を光電変換材料として含む固体撮像素子。 The solid-state imaging device according to any one of claims 1 to 5,
A solid-state imaging device, wherein the photoelectric conversion layer includes an organic semiconductor having a maximum absorption spectrum peak in the near infrared region as a photoelectric conversion material.
前記有機半導体が可視域の光に対して透明である固体撮像素子。 The solid-state imaging device according to claim 6,
A solid-state imaging device in which the organic semiconductor is transparent to visible light.
前記有機半導体がＳｎＰｃもしくはシリコンナフタロシアニン類である固体撮像素子。 The solid-state imaging device according to claim 7,
A solid-state imaging device in which the organic semiconductor is SnPc or silicon naphthalocyanines.
前記カラーフィルタ層が前記光電変換層よりも上方に形成されている固体撮像素子。 The solid-state imaging device according to any one of claims 1 to 8,
A solid-state imaging device in which the color filter layer is formed above the photoelectric conversion layer.
前記カラーフィルタ層が、前記第２光電変換素子の各々に対応する多数のカラーフィルタで構成され、
前記多数のカラーフィルタが、それぞれ異なる波長域の光を透過する複数種類のカラーフィルタに分類される固体撮像素子。 The solid-state imaging device according to claim 9,
The color filter layer is composed of a number of color filters corresponding to each of the second photoelectric conversion elements,
A solid-state imaging device in which the plurality of color filters are classified into a plurality of types of color filters that transmit light in different wavelength ranges.
前記第１光電変換素子は、一対の電極と、前記一対の電極の間に配置された光電変換層と、前記一方の電極と前記光電変換層との間に設けられ、前記一対の電極間への電圧印加時に前記一対の電極の一方から前記光電変換層に電荷が注入されるのを抑制する第１の電荷ブロッキング層と、を含み、半導体基板の上方に積層された光電変換部を有しており、
更に、前記半導体基板の上方に形成され、前記光電変換層で吸収される光の波長域とは異なる波長域の光を透過するカラーフィルタ層と、
前記光電変換層下方の前記半導体基板内に形成され、前記カラーフィルタ層及び前記光電変換層を透過した光を吸収して前記光に応じた電荷を発生する第２光電変換素子と、
前記光電変換層で発生した電荷に応じた信号及び前記第２光電変換素子で発生した電荷に応じた信号をそれぞれ読み出す信号読み出し部と、
を備え、
前記一対の電極間に外部から印加される電圧を前記一対の電極間の距離で割った値が１．０×１０５Ｖ／ｃｍ〜１．０×１０７Ｖ／ｃｍであり、
前記光電変換層の少なくとも一部がｐ型有機半導体とフラーレン類の混合層を含み、
前記フラーレン類がフラーレンＣ６０もしくはフラーレンＣ７０であり、
該ｐ型有機半導体に対するフラーレン類の混合比が体積比で１０：１〜３：１となるように共蒸着によって形成する固体撮像素子の製造方法。 A method of manufacturing a solid-state imaging device in which a large number of first photoelectric conversion elements are arranged in an array,
The first photoelectric conversion element is provided between a pair of electrodes, a photoelectric conversion layer disposed between the pair of electrodes, the one electrode and the photoelectric conversion layer, and between the pair of electrodes. And a first charge blocking layer that suppresses charge injection from one of the pair of electrodes to the photoelectric conversion layer when a voltage is applied, and has a photoelectric conversion unit stacked above the semiconductor substrate. And
Furthermore, a color filter layer that is formed above the semiconductor substrate and transmits light in a wavelength range different from the wavelength range of light absorbed by the photoelectric conversion layer;
A second photoelectric conversion element that is formed in the semiconductor substrate below the photoelectric conversion layer and absorbs light transmitted through the color filter layer and the photoelectric conversion layer to generate a charge corresponding to the light;
A signal reading unit that reads a signal corresponding to the charge generated in the photoelectric conversion layer and a signal corresponding to the charge generated in the second photoelectric conversion element, respectively;
With
A value obtained by dividing a voltage applied from the outside between the pair of electrodes by a distance between the pair of electrodes is 1.0 × 10 5 V / cm to 1.0 × 10 7 V / cm,
At least a part of the photoelectric conversion layer includes a mixed layer of a p-type organic semiconductor and fullerenes,
The fullerene is fullerene C60 or fullerene C70;
A method for producing a solid-state imaging device, wherein the mixing ratio of fullerenes to the p-type organic semiconductor is 10: 1 to 3: 1 by volume so as to be a volume ratio .
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2011163691A JP5449270B2 (en) | 2011-07-26 | 2011-07-26 | Solid-state imaging device and method for manufacturing solid-state imaging device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2011163691A JP5449270B2 (en) | 2011-07-26 | 2011-07-26 | Solid-state imaging device and method for manufacturing solid-state imaging device |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2007215715A Division JP2009049278A (en) | 2007-08-22 | 2007-08-22 | Photoelectric conversion element, manufacturing method of photoelectric conversion element, and solid-state imaging element |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2012004578A JP2012004578A (en) | 2012-01-05 |
| JP5449270B2 true JP5449270B2 (en) | 2014-03-19 |
Family
ID=45536133
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2011163691A Active JP5449270B2 (en) | 2011-07-26 | 2011-07-26 | Solid-state imaging device and method for manufacturing solid-state imaging device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP5449270B2 (en) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6788568B2 (en) | 2017-12-04 | 2020-11-25 | 株式会社東芝 | Photoelectric conversion element and radiation detector |
| JP7400734B2 (en) | 2018-12-20 | 2023-12-19 | 三菱ケミカル株式会社 | Organic photodiode and infrared CMOS sensor |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04352786A (en) * | 1991-02-21 | 1992-12-07 | Nippon Oil & Fats Co Ltd | Naphthalocyanine derivative containing perfluoroalkyl group |
| US7196366B2 (en) * | 2004-08-05 | 2007-03-27 | The Trustees Of Princeton University | Stacked organic photosensitive devices |
| JP4621484B2 (en) * | 2004-11-19 | 2011-01-26 | 富士フイルム株式会社 | Solid-state image sensor |
| JP2007012982A (en) * | 2005-07-01 | 2007-01-18 | Konica Minolta Medical & Graphic Inc | Photoelectric conversion element, radiation image detector, and radiation image photographing system |
| US8012530B2 (en) * | 2005-09-06 | 2011-09-06 | Kyoto University | Organic thin-film photoelectric conversion element and method of manufacturing the same |
| JP2007080936A (en) * | 2005-09-12 | 2007-03-29 | Fujifilm Corp | Photoelectric conversion element and solid state imaging element |
| JP4914597B2 (en) * | 2005-10-31 | 2012-04-11 | 富士フイルム株式会社 | Photoelectric conversion element, imaging element, and method of applying electric field to them |
-
2011
- 2011-07-26 JP JP2011163691A patent/JP5449270B2/en active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2012004578A (en) | 2012-01-05 |
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Legal Events
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| RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
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| RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
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|
| A521 | Request for written amendment filed |
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|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
| A521 | Request for written amendment filed |
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| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
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| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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