JP5448972B2 - 高周波増幅回路 - Google Patents
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Description
Vgs=−Rs×Id
で与えられる。ここで、Rsは抵抗913の抵抗成分である。これより、ゲート電位は、見かけ上負の電位となる。このようなセルフバイアス回路912を用いることで、1つの電源だけで高周波増幅回路900を動作させることができる。
本発明の高周波増幅回路の好ましい第1の実施の形態を、図面に基づいて説明する。図1は、本実施形態の高周波増幅回路の構成図である。同図に示す高周波増幅回路100は、10GHz以上の高周波帯で使用可能な高周波トランジスタ101を用いて構成される。
101 高周波トランジスタ
102 ゲート端子
103 ドレイン端子
104 ソース端子
105 入力端子
106 出力端子
107、108a、108b、114、213、216 ランド
109a、109b、115、217 スルーホール
110、210 セルフバイアス回路
111、113、124 抵抗
112、119、212a、212b コンデンサ
116 電源
117 バイアス回路
118、121〜123 インダクタ
202 基板
203 グランド
214 金属板
215 スルーホール
218 誘電体
Claims (6)
- ゲート端子が入力端子に接続され、ドレイン端子が出力端子に接続されて高周波帯で動作する高周波トランジスタと、
一端が前記高周波トランジスタのソース端子に接続され他端が接地されて前記ゲート端子の直流電位を見かけ上接地電位より低くするための第1抵抗と、一端が前記ソース端子に接続され他端が接地されて高周波電流をショートさせるためのコンデンサとが並列に配列されたセルフバイアス回路と、
一端が前記ゲート端子側に接続され他端が接地された第2抵抗と、
前記ドレイン側に接続されて前記高周波トランジスタを駆動させるための正の直流電源と、
前記ドレイン端子から出力される高周波信号が前記直流電源に漏出するのを防止するバイアス回路と、
所定の基板の一方の面に形成されて前記基板の他方の面に形成されたグランドにスルーホールで接続されたランドと、を備え、
前記第1抵抗及び前記コンデンサは、前記ランドに直接接続されて接地されており、
前記高周波トランジスタが前記直流電源のみで動作し、かつ所定の使用周波数で安定係数Kが1以上となるように、前記第1抵抗及び前記コンデンサが、前記ランドとの接続点から前記スルーホールまでの距離Dを調整して前記ランドに接続されている
ことを特徴とする高周波増幅回路。 - 前記距離Dは、事前に作成された周波数の1次式に前記使用周波数を代入することで決定される
ことを特徴とする請求項1に記載の高周波増幅回路。 - 前記コンデンサは、前記ランドに電気的に接続された所定の大きさの別のランドを前記グランドと対向するように前記基板の一方の面上に配置して形成されている
ことを特徴とする請求項1または2に記載の高周波増幅回路。 - 前記コンデンサは、前記ランドに電気的に接続されて前記基板の一方の面上に配置された所定の大きさの別のランドと、スルーホールで前記グランドに接続されて前記基板に内蔵された所定の大きさの金属板とを、所定距離だけ離して相互に対向させて形成されている
ことを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の高周波増幅回路。 - スルーホールで前記グランドに接続された別のランドが前記ランドに近接して前記基板の一方の面上に配置され、前記コンデンサは、前記ランドの側面と前記別のランドの側面とを所定距離だけ離して所定の面積だけ対向させて形成されている
ことを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の高周波増幅回路。 - 前記ランドの側面と前記別のランドの側面との間に所定の誘電率を有する誘電体が配置されている
ことを特徴とする請求項5に記載の高周波増幅回路。
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