JP5446160B2 - 再生シリコンウェーハの製造方法 - Google Patents
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Description
再生対象である前記シリコンウェーハを加熱することにより、前記シリコンウェーハの内部に含まれる銅原子を表面に移動させる加熱工程と、
前記シリコンウェーハの表面に移動した銅原子をエッチングにより除去するエッチング工程と、
前記エッチング工程を経たシリコンウェーハを加熱した後に、表面における銅原子の存在量を全反射蛍光エックス線分析法により定量して、前記シリコンウェーハの再生の程度を判定する判定工程と、を備えることを特徴とする。
本実施態様の前処理工程S1は、再生対象となるシリコンウェーハの表面に存在する酸化膜等の被膜や汚れ等を除去する工程である。再生対象となるウェーハは、その表面に半導体デバイスの回路が形成されている場合もあるので、例えば、ゲート酸化膜等の酸化膜が表面に存在している場合がある。また、例えば、空気や水蒸気と接触することにより、ウェーハの表面にごく薄い酸化膜が形成されている場合もある。さらに、半導体デバイスの製造工程においてパーティクルやレジスト残渣等の汚れが付着する場合もある。このような場合、後に説明する加熱工程S2及びエッチング工程S3によりウェーハに含まれる銅原子を十分に除去することが困難となるので、本工程においてこれらの被膜や汚れ等を除去しておくことが好ましい。
加熱工程S2は、シリコンウェーハを加熱することにより、ウェーハ内部に存在する銅原子を熱処理により外方拡散させ、ウェーハ表面に銅原子を析出させる工程である。
エッチング工程S3は、加熱工程S2によりシリコンウェーハの表面に析出した銅原子をエッチング処理により除去する工程である。
判定工程S4は、シリコンウェーハに含まれていた銅原子が上述のエッチング工程S3で除去されたか否かを判定する工程である。
研磨工程S5は、上述のエッチング工程S3でシリコンウェーハの表面から銅原子が除去された後に残るピット痕を取り除くための工程である。
本発明の上記実施態様は、判定工程S4を備える。判定工程S4は、エッチング工程S3を経たシリコンウェーハがその内部に依然として銅原子を多く含む場合に、前記ウェーハの再生の程度が不足すると判定することができ、前記ウェーハについて、再度、加熱工程S2、エッチング工程S3、及び判定工程S4を繰り返すことができる。このため、加熱工程S2及びエッチング工程S3を一度経ただけでは十分に除去できない程の銅原子を含んだウェーハの再生処理にも対応することができるので、様々な量の銅原子を含有するシリコンウェーハの再生処理に対応することが可能となる。
S2 加熱工程
S3 エッチング工程
S4 判定工程
S5 研磨工程
Claims (3)
- 再生対象となる銅原子を含むシリコンウェーハから、銅原子が除去された再生シリコンウェーハを製造する方法であって、
再生対象である前記シリコンウェーハを加熱することにより、前記シリコンウェーハの内部に含まれる銅原子を表面に移動させる加熱工程と、
前記シリコンウェーハの表面に移動した銅原子をエッチングにより除去するエッチング工程と、
前記エッチング工程を経たシリコンウェーハを加熱した後に、表面における銅原子の存在量を全反射蛍光エックス線分析法により定量して、前記シリコンウェーハの再生の程度を判定する判定工程と、を含み、
前記エッチング工程では、SC−1液によりエッチングを行った後、さらにSC−2液又はHCl−HF液によりエッチングを行い、
前記判定工程において再生の程度が不足すると判断されたシリコンウェーハについて、再度、前記加熱工程、前記エッチング工程、及び前記判定工程を繰り返す再生シリコンウェーハの製造方法。 - 前記判定工程を経たシリコンウェーハに研磨加工を施す研磨工程をさらに含む、請求項1記載の再生シリコンウェーハの製造方法。
- 再生対象となる前記シリコンウェーハが回路パターンを有する請求項1又は2記載の再生シリコンウェーハの製造方法。
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