JP5445985B2 - プローブカード及びその製造方法 - Google Patents
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Description
10 プローブ基板、セラミック基板
20 プローブピン
2 導電性ビア
4 電極パッド
6 回路パターン
8 配線パターン
19 絶縁保護層
Claims (7)
- 一方の面に少なくとも一つの電極パッドを備えるセラミック基板と、
前記電極パッドに接合されるプローブピンと
を含み、
前記電極パッドの面積は、前記プローブピンの接合面の面積より大きく形成され、
前記プローブピンは、前記セラミック基板の外部に露出する前記電極パッドの上部面の中心に接合され、
前記セラミック基板は、前記電極パッドの一部を覆い、前記電極パッドが備えられた一面に直接形成される絶縁保護層をさらに含む、プローブカード。 - 前記セラミック基板は、
複数の導電性ビアと、
前記導電性ビアと前記電極パッドとを電気的に連結する回路パターンと
をさらに含む、請求項1に記載のプローブカード。 - 前記絶縁保護層は、前記プローブピンが接合される部分に貫通孔が形成される、請求項1に記載のプローブカード。
- 前記絶縁保護層は、ポリイミド(Polyimide)材質で形成される、請求項1又は3に記載のプローブカード。
- プローブピンの接合面の面積より大きい面積を有する電極パッドが形成されたセラミック基板を用意する段階と、
前記電極パッド上に前記プローブピンを接合する段階と、
前記電極パッドが形成された前記セラミック基板の一面に直接形成され、前記電極パッドの周りに沿って一部分を覆う絶縁保護層を形成する段階と
を含む、プローブカードの製造方法。 - 前記絶縁保護層を形成する段階は、
前記プローブピンが接合される部分に貫通孔が備えられるように前記絶縁保護層を形成する段階である、請求項5に記載のプローブカードの製造方法。 - 前記絶縁保護層を形成する段階は、
ポリイミド(Polyimide)材質で前記絶縁保護層を形成する段階である、請求項5または6に記載のプローブカードの製造方法。
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