JP5441543B2 - 画像形成装置 - Google Patents

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Description

本発明は、レーザビームプリンタ等の感光体上に複数の光ビームを走査して像形成を行う画像形成装置において、各光ビームの光量調整を短時間で高精度に行う技術に関する。
従来、レーザビームプリンタなど、感光体上を走査露光して画像形成を行う電子写真方式の画像形成装置では、光ビームをレンズ系で集光し、ポリゴンミラーで偏向走査する走査光学系が多く用いられてきた。このような走査光学系を有する画像形成装置において、印字速度の高速化、高解像度化に対応するため、光源として面発光レーザ(以下「VCSEL」という)を用いて発光点の数を増やして複数の光ビームを同時に走査して画像形成を行う技術が提案されている。
このような面発光レーザを用いた画像形成装置では、光源から射出された光ビームをハーフミラーで透過光を感光体方向に、反射光を光量センサ方向に振分け、ハーフミラーの反射光が集光レンズによって光量センサの受光面上に集光させる。そして光ビームが感光体上の画像領域外を走査する非画像領域の期間において発光点毎にこの光量センサで検出した光量に基づいて各発光点の光量制御を行う自動光量制御(以下「APC」という)の技術が提案されている。図8に、数ライン周期でAPCを行う場合のAPCのシーケンスを示す。
特開2005−156933号公報
光量センサへの入射光をレンズで集光する方式では、受光面上に光を集光することで光量センサの受光面積を広げることなく、光量センサへの入射光量を増やすことができる。しかし、従来の技術においてはVCSELの発光点が益々増えてくると、光量センサよびレンズ系の部品配置は、装置の大きさによって制約されるため、全ての光ビームを光量センサの受光面中心に集光することは困難となる。このため各々の発光点が同一光量の光ビームを発光していたとしても、発光点の位置によっては光量センサに入射される光量が変わるため検出される光量にばらつきが出てしまう。
またコリメータ後の光ビームを光量センサに入射する場合、光量センサが光検出できるだけの光を入射する必要がある。VCSELは、端面発光レーザに比べて出力光の光量が少ないため、感光体上に照射する光量を十分に保つためには、光量センサ側に分離する光ビームの光量が少なくなるようにハーフミラーの透過と反射の比率を設定しなくてはならない。さらに低光量の光を検出するためには、光量センサからの出力を増幅する必要があるが、増幅器は増幅率を上げると応答速度が下がってしまう。このため、1発光点の光量制御に必要となる時間(APC時間)は長くなる。また、一般的に光量センサは受光面積によって応答速度が変化するため、受光面積を広げて入射する光量を増やしたとしても、光量センサの応答速度が下がってしまいAPCにかかる時間は長くなってしまう。
このため発光点が増えてくるとビーム数分のAPC時間を非画像領域の期間に設けることが困難となり、全ビームに対して精度よくAPCを行うには問題があった。
本発明は上記課題に鑑み、複数のビームを有する画像形成装置において、各発光点の光量センサへの入射光量が低光量で、かつ、入射光量がばらついても、各発光点のAPCを高頻度に行う画像形成装置を提供することを目的とする。
上記目的を達成するため、本出願に係る発明は以下の構成を有する。
複数の発光点を備え、前記複数の発光点から射出された複数の光ビームを用いて感光体上に画像形成る画像形成装置において、前記複数の発光点から射出される光ビームを受光し、受光光量に応じた信号を出力する受光手段と、前記受光手段に光ビームを入射させるために前記複数の発光点を順次点灯させる駆動手段と、前記受光手段から出力される前記信号の出力レベルに応じた増幅率によって当該信号を増幅させる増幅手段と、前記増幅手段によって増幅された信号に基づいて、当該信号に対応する前記発光点から射出される光ビームの光量を調整する調整手段と、を有し、前記調整手段は、前記複数の発光点の各発光点が射出する光ビームの光量を制御するために前記受光手段に入射させる時間を前記増幅手段の増幅率に応じて異ならせるように前記駆動手段を制御することを特徴とする画像形成装置。
本出願に係る発明の画像形成装置は、レーザ毎にAPCの目標光量と、APC時間を設定する。これにより、受光素子への入射光量がビーム毎にばらついても、ビーム毎の光量を一定の目標値に制御可能である。また、APC期間設定部により、APC時間の設定を受光素子の応答に応じて行うことで、各レーザのAPC時間を各々最短に設定可能であり、APC時間を短縮化できるという効果を奏する。
面発光レーザの出力光をハーフミラーでPDに導く光学系を示す図 実施例1におけるAPC制御を行う回路のブロック図 PDの受光面上でのレーザ照射位置を示す図 実施例1における受光光量に対する光検出手段の出力波形を示す図 実施例1におけるCPUの動作を示すフローチャート 実施例1におけるAPCのシーケンスを示す図 実施例2におけるCPUの動作を示すフローチャート 従来例におけるAPCのシーケンスを示す図
以下、本発明を実施するための形態を、実施例により詳しく説明する。
本発明に係る第1の実施の形態を以下に示す。本実施例は、光源としての面発光レーザ(VCSEL)からの出力光をハーフミラーで透過光と反射光に分離し、透過光で感光体上を走査し、反射光を受光素子の受光面上に照射して各光ビームの光量検出を行う。この検出した光量(検出結果)をもとに自動光量制御(APC)を行う画像形成装置に関するものである。以下に詳細を述べる。
図1に本発明の第1の実施の形態に係る光走査装置100を示す。尚、この光走査装置100は、画像形成装置に搭載されて、画像形成装置が備える感光体600をその軸方向(主走査方向であり矢印Aの方向)に露光走査する。光走査装置100は、面発光レーザアレイ(VCSEL)101、光量センサ102、コリメータレンズ603、ハーフミラー604、集光レンズ605、シリンダレンズ606、ポリゴンミラー607、fθレンズ608、駆動回路120を備える。
光源としてのVCSEL101は、複数の発光点が二次元配列されており、複数の光ビームを同時に出力することができる。光走査装置100は、このようなVCSEL101を光源として用いることで、複数の光ビームを同時に露光走査させることが可能となる。
また光走査装置100は、VCSEL101を駆動させるための駆動回路120を備え、VCSEL101は駆動回路120と接続されている。VCSEL101の各発光点は、駆動回路120から駆動電流が供給されることにより発光し、供給された駆動電流値に応じた光量の光ビームを出力する。光走査装置100は、VCSEL101から出力された光ビームの進行方向下流側には、コリメータレンズ603、及び光分離手段としてのハーフミラー604が順に配置されている。コリメータレンズ603は、VCSEL101から出力された各光ビームを発散光から略並行光に変換する。コリメータレンズ603を透過した各光ビームはハーフミラー604に入射され、各光ビームの一部はハーフミラー604を透過し、残りの一部はハーフミラー604によって反射される。なお、本実施形態では、ハーフミラー604の透過光が感光体600を露光走査するために用いられる光ビームとして、ポリゴンミラー607の反射面に入射されるようになっている。
ハーフミラー604とポリゴンミラー607の間には、シリンダレンズ606が配置されている。シリンダレンズ606は、主走査方向と直交する方向(以下、「副走査方向」という)にパワーを有し、光ビームをポリゴンミラー607の反射面上に主走査方向に細長い線像として収束させる。
ポリゴンミラー607は、図示しないポリゴンモータによって所定速度で矢印B方向に回転されており、この回転によって反射面に対する光ビームの入射角度が連続的に変化し、反射面に入射した光ビームが偏向される。これにより、VCSEL101から出力された各光ビームが主走査方向(矢印A参照)に走査されることになる。
ポリゴンミラー607によって反射された光ビームの進行方向には、第1のレンズ及び第2のレンズからなるθレンズ608が配置されている。ポリゴンミラー607によって反射された光ビームは、θレンズ608を透過した後、感光体600に照射される。このとき、ポリゴンミラー607によって反射された光ビームは、θレンズ608によって、感光体600の表面上で結像点が結ばれ、かつ感光体600上での走査速度が略等速度にされる。画像形成装置では、光走査装置100によって光ビームを感光体600上で主走査させ、且つ感光体600を矢印C方向に一定速度で回転することで副走査がなされ、感光体600上に潜像を形成することができる。
θレンズ608よりも光の進行方向下流側で、且つ主走査方向の最上流側にはフォトダイオード等の受光素子を備えたSOS(Start of Scan)センサ609が配設されている。光走査装置100では、感光体600上を光ビームが走査する毎に、感光体600上の走査開始手前の光ビームがSOSセンサ609へと案内され、SOSセンサ609によって走査開始タイミングを検知することができるようになっている。画像形成装置に光走査装置100が搭載された際には、このSOSセンサ609による走査開始タイミングの検知信号(SOS信号)が駆動回路120に入力され、光走査装置100の各種動作タイミングの制御がなされる。
一方、ハーフミラー604による光の反射方向には、集光レンズ605、及び光量モニタ用の光量センサ102が配設されている。ハーフミラー604によって反射された光ビームは、モニタビームとして、集光レンズ605によって集光されて光量センサ102に入射されることになる。光量センサ102は、本発明の受光手段に対応するものであり、入射したモニタビームを受光し、その受光量に応じた値の電流を駆動回路120に出力する。また光量センサ102は、各発光点を時系列に順次点灯させてモニタビームが入射される。
図2に本発明の第1の実施の形態に係る駆動回路120を示す。駆動回路120には、外部(画像形成装置のコントローラ)から点灯信号、光量指示信号、光量制御実行指示(APC)信号といった各種の制御信号が入力されるようになっている。駆動回路120は、点灯信号に従って、VCSEL101の対応する発光点への駆動電流の供給をON/OFFし、発光点をビーム点灯させたり消灯させたりする。具体的に、画像形成装置に搭載時には、SOS信号を取得するためにビーム点灯させたり、光量制御のためにビーム点灯させたり、画像データに基づいてビーム点灯させるための点灯信号が入力される。
また、駆動回路120は、光量制御のためにVCSEL101の何れかの発光点の点灯を指示する点灯信号と、光量制御の実行を指示するAPC信号とが入力された光量制御時には、次の調整を行う。点灯信号に従って該当する発光点を点灯させた状態で、モニタ光量信号が光量指示信号と略一致するように、すなわち光量センサ102での検出光量が光量指示信号で指示されている所定光量となるように、該当する発光点へ供給する駆動電流値を調整する。これにより、当該発光点から出力される光ビームの光量を制御することができ、光量制御後は調整後の駆動電流値を保持し、当該発光点の以降の点灯時には、該駆動電流値の電流を供給する。この発光点へ供給する駆動電流値を調整するのに必要な時間が本発明の光量調整時間(APC時間)に対応するものである。
駆動回路120は、電流/電圧変換回路103、電圧増幅部104、比較器105、APC制御部106、サンプル・ホールド回路110、電流源111、CPU112、メモリ113と、を備える。またAPC制御部106は、基準電圧設定部107、ゲイン選択部108、APC期間設定部109と、を備える。
APC期間設定部109が、本発明の調整期間設定部に対応するものである。
光量センサ102の出力は、電流/電圧変換回路103を介して電圧増幅部104と接続されている。光量センサ102から出力された受光量に応じた電流値は電流/電圧変換回路103によって電圧変換され、該電流値に応じた値の電圧信号(以下、モニタ光量信号)となって、電圧増幅部104に入力される。これにより、VCSEL101から出力された光ビームのうち、ハーフミラー604によって反射されたモニタビームの光量を表すモニタ光量信号が電圧増幅部104に入力されることになる。
電圧増幅部104は、増幅率の異なる複数の増幅器(電圧増幅器A〜電圧増幅器F)を備えており、光量センサ102への入射光量に応じて、つまり発光点に応じて増幅器の選択を行う。比較器105は、基準電圧設定部107からVCSEL101の発光点毎に指示される基準電圧と、電圧増幅部104の出力電圧とを比較し、各発光点に対応した電流源111の出力電流値を設定する。すなわち、光量センサ102への入射光量をもとに光ビームの光量を調整する光量調整が行われる。比較器105の出力はサンプルホールド回路110に入力され、そのサンプルホールドされた電圧値をもとに発光点毎に電流源111の電流値が設定される。APC期間設定部109は、APC期間において各発光点に対応するサンプルホールド回路110にON/OFF、基準電圧設定部107に基準電圧の切り替え、及び電圧増幅部104に増幅器の切り替えを指示する。
CPU112は、メモリ113に格納された各発光点の設定光量を読み出し、基準電圧設定部107に各発光点に対応した基準電圧値を指示し、電圧増幅部104に各発光点に対応した増幅器を指示する。基準電圧設定部107は、各発光点に対応した基準電圧を生成し、APC期間設定部の指示に応じてAPCを行う発光点に対応した基準電圧を出力する。ゲイン選択部108は、電圧増幅部104に対してAPC期間設定部の指示に応じてAPCを行う発光点に対応した増幅器の選択を指示する。
本実施例では、感光体600に潜像形成する際(画像形成中)に走査面上での光ビームの光量を一定に保つため、APCを光ビームが感光体600の画像領域を走査する以外の非画像領域の期間で実施する。また複数の発光点から射出される光ビームの各々を単一の光量センサ102で受光する。このためVCSEL101の発光点の数が多くなると端部に位置する発光点から射出された光ビームを光量センサ102の受光面内の中心に集光することが困難になる。光量センサ102の受光面の中心位置からずれるため(図3(a))、光量センサ102の受光面の中心に照射される光ビームの光量に対して、端部に照射される光ビームの光量は低くなる(図3(b))。つまり、光量センサ102の受光面上での光ビームの照射位置は、発光点LD1〜LD6毎に異なり、光量センサ102で出力される光量も発光点LD1〜LD6毎に位置の影響を受ける。このため光量センサ102上で各発光点の照射光量が一定とならない。つまり感光体600上に照射される光量が均一だとしても、光量センサ102上での照射光量はばらついてしまう。
そこで本願発明では、電圧増幅部104に増幅率の異なる複数の電圧増幅器A〜Fを備えており、CPU112は、電圧増幅部に光量センサ102への照射光量に応じて、つまり各発光点に対応した(発光点LD1〜6毎に)電圧増幅器A〜Fの選択を行う。
本願発明では、工場での組み立て時において、各発光点の感光体の表面相当位置での光量が均一になる状態で、光量センサ102への光ビームの照射光量を測定し、各発光点の光量センサ102への照射光量をメモリ113に格納する。
このようにAPCを行う際の目標光量は発光点毎にばらつくが、増幅率の異なる増幅器を選択することで安定してAPCを行うことが可能となる。しかし、低光量になるとPD及び増幅器の応答速度が遅くなってくる。
また本実施例では、発光点毎のAPC時間は、光量センサ102への入射光量によって決定される。図4は、低光量時の増幅器で増幅された受光光量の出力と、高光量時の出力を示す図である。なお、本図におけるLD1、LD4は図3におけるLD1、LD4に対応する。このように受光光量によって応答速度がばらつくため、必要最小となるAPC時間が発光点毎に異なってくる。本実施例においては、各発光点の光量センサ102への照射光量に応じて、最小となるAPC時間を予めメモリ113に記録しておき、各レーザのAPC時間の決定を行うことで、各発光点のAPC時間の総和が最小になるようにする。
図5に、CPU112によるAPC期間設定のフローチャートを示す。S101〜102では、電源投入時にメモリ113から各発光点の目標光量値を読み出す。S103では、目標光量値を基準電圧設定部107の各発光点に対応したレジスタ(光量設定部)に設定する。S104では、ゲイン選択部108に各発光点のゲイン設定を行う。ここで、各発光点のゲインは目標光量値に対して決定するものであり、光量値が低い場合は高いゲインが選択され、光量値が高い場合は低いゲインが選択される。また、選択されるゲインによって、比較器105に入力する光検出出力が変化するため、基準電圧設定部107に設定される各発光点の基準電圧は、各発光点の目標光量値と選択するゲインを積算した値が設定される。
S105では、メモリ113から各発光点に対応したAPC時間の読み出しを行い、S106〜S108でライン間のAPCシーケンスを決定する。S106では、ライン間でAPCを行う発光点を最初に一つ選択する。S107では、S105で読み出したAPC時間が、非画像領域期間における時間間隔に対して長いか否かを判別する。選択したレーザのAPC時間の総和が非画像領域期間より短い場合、S108において発光点の選択数を一つ増やす。APC時間の総和が非画像領域期間より長くなった場合、S109で最後に追加した発光点を選択から外す。
S110では、選択した発光点と、各発光点のAPC時間をもとにライン間のAPC時間をAPC期間設定部109に設定する。ここで、APC時間の設定は、APCを実施しない画像領域中に行う。S106で最初に選択される発光点は、前ライン間で最後にAPCを行った発光点の次の発光点が選択される。S106〜108の動作によって、非画像領域期間とAPC時間の総和を比較しながら、一つずつ選択する発光点を追加してゆき、非画像領域期間よりAPC時間の総和が長くなったところで、S109に移行して最後に選択した発光点を選択から外す。この動作によってライン間で、常に最大数の発光点を選択してAPCを行う。
図6にAPCのシーケンスを示す。各発光点のAPCは、走査ライン間の非画像領域中で行われ、1ライン間で複数の発光点のAPCを順次行い、総数n個の発光点のAPCを順に行う。本実施例においては、各発光点のAPC時間の総和が、ライン間の非画像領域期間より長いため、複数ライン毎にAPCのシーケンスを組む。
CPU112は各ライン間において、APCを行う発光点のAPC時間の総和が、非画像領域期間より小さくなり、かつ、APCを行う発光点の数が最大となるように、APCを行う発光点の選択を指示する。例えば、L1においては、以下の式が成り立つため、1〜5の発光点のAPCを指示する。
非画像領域>LD1+LD2+LD3+LD4+LD5
非画像領域<LD1+LD2+LD3+LD4+LD5+LD6
上記した本実施例では、各発光点の光量センサ102への照射光量をもとに各発光点のAPC時間を必要最小の値になるように決定し、ライン間において行う発光点のAPC時間の総和が非画像領域期間を超えない最大の数になるようにAPCシーケンスを組む。LD1は、本発明の第1の発光点に対応するものであり、LD2は、本発明の第2の発光点に対応するものである。
比較例として、各発光点ともに一定時間のAPC時間設定してAPC制御を行う場合、低光量のレーザが必要とするAPC時間に合わせてAPC期間を設定するため、APC時間の総和が長くなりAPCの頻度が落ちてしまう。本実施例では各発光点のAPC時間の総和が最短となるように、APC時間を発光点毎に最小化し、ライン間においてAPCを行う発光点の数が多くなるようにAPCシーケンスを組むことで、APCの頻度を上げることが可能となり光量の安定化が可能となる。
本発明に係る第2の実施例について以下に示す。実施例1と異なる点に関して特に述べる。本実施例においては、APC期間設定部において、発光点毎に選択される増幅器に応じて各発光点のAPC時間が決定される。
CPU112は、メモリ113に格納された各発光点の設定光量を読み出し、基準電圧設定部107に各発光点に対応した基準電圧値を指示し、電圧増幅部104に各発光点に対応した増幅器を指示する。基準電圧設定部107は、各発光点に対応した基準電圧を生成し、APC期間設定部の指示に応じてAPCを行う発光点に対応した基準電圧を出力する。ゲイン選択部108は、電圧増幅部104に対してAPC期間設定部の指示に応じてAPCを行う発光点に対応した増幅器の選択を指示する。
本実施例においては、光量が低いほど増幅器の増幅率を上げ、入力値が低くても比較器105への入力電圧が一定レベル以上になるように増幅器を選択する。増幅器は増幅率を高くするほど応答速度が下がるため、選択する増幅器によってAPCに必要な時間が異なってくる。そのため本実施例では、各発光点が選択した増幅器に応じてAPC時間を決定する。
図7に、CPU112の動作を示す。S201〜202では、電源投入時にメモリ113から各光ビームの目標光量値を読み出す。S203では、目標光量値を基準電圧設定部107の各光ビームに対応した基準電圧をレジスタに設定する。S204では、ゲイン選択部に各光ビームのゲイン設定を行う。S205では、S204で選択したゲインに対応してAPC時間を決定する。S206〜S208では、実施例1と同様の動作でライン間のAPCシーケンスを決定する。
本実施例においては、上記したように光検出の際のゲインに応じてAPC期間を設定する。光出力を増幅する際にゲインの違いにより検出速度が変化しても、ゲインに応じてAPC時間を決定することで、APCに必要な時間を確保すると同時に各発光点のAPC時間を最小に設定する。これによって、APCの頻度を上げ、光量を安定化させることが可能となる。
100 光走査装置
101 VCSEL(複数の発光点に対応)
102 光量センサ(受光手段に対応)
120 駆動回路(調整手段に対応)
600 感光体

Claims (5)

  1. 複数の発光点を備え、前記複数の発光点から射出された複数の光ビームを用いて感光体上に画像形成る画像形成装置において、
    前記複数の発光点から射出される光ビームを受光し、受光光量に応じた信号を出力する受光手段と、
    前記受光手段に光ビームを入射させるために前記複数の発光点を順次点灯させる駆動手段と、
    前記受光手段から出力される前記信号の出力レベルに応じた増幅率によって当該信号を増幅させる増幅手段と、
    前記増幅手段によって増幅された信号に基づいて、当該信号に対応する前記発光点から射出される光ビームの光量を調整する調整手段と、を有し、
    前記調整手段は、前記複数の発光点の各発光点が射出する光ビームの光量を制御するために前記受光手段に入射させる時間を前記増幅手段の増幅率に応じて異ならせるように前記駆動手段を制御することを特徴とする画像形成装置。
  2. 前記受光手段は、前記受光光量に応じた信号として電流を出力し、
    前記調整手段は、前記電流を電圧に変換する電流−電圧変換回路を含み、
    前記増幅手段は、前記電流−電圧変換回路が出力する電圧が第1の電圧の場合、第1の増幅率によって前記第1の電圧を増幅し、前記電流−電圧変換回路が出力する電圧が前記第1の電圧よりも低い第2の電圧の場合、前記第1の増幅率よりも高い第2の増幅率によって前記第2の電圧を増幅し、
    前記調整手段は、前記電流−電圧変換回路が前記第2の電圧を出力している際に前記受光手段に光ビームを入射させる時間が、前記電流−電圧変換回路が前記第1の電圧を出力している際に前記受光手段に光ビームを入射させる時間よりも長くなるように前記駆動手段を制御することを特徴とする請求項1記載の画像形成装置。
  3. 前記増幅手段は、前記増幅率を前記複数の発光点各々に対してあらかじめ決められた目標光量に対する前記受光手段から出力される前記信号の出力レベルに応じて設定し、
    前記調整手段は、各発光点が射出する光ビームの光量を制御するために前記受光手段に入射させる時間を前記増幅率に応じて各発光点ごとに設定することを特徴とする請求項1または記載の画像形成装置。
  4. 前記調整手段は、走査ラインごとに光ビームの光量調整する発光点の選択を行い、該選択された発光点に対して走査ライン間の非画像領域で前記受光手段に光ビームを入射させる時間設定することを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の画像形成装置。
  5. 前記発光点の選択は、各発光点の前記受光手段に光ビームを入射させる時間をもとに、選択された発光点の前記受光手段に光ビームを入射させる時間の和が前記非画像領域の期間に収まるように行われ、かつ、光ビームの光量調整する発光点の数が最大となるように行われることを特徴とする請求項4に記載の画像形成装置。
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