JP5441084B2 - コーティング、複合材料および添加剤としての、ポリヘドラルオリゴメリックシルセスキオキサンおよび金属化されたポリヘドラルオリゴメリックシルセスキオキサン - Google Patents
コーティング、複合材料および添加剤としての、ポリヘドラルオリゴメリックシルセスキオキサンおよび金属化されたポリヘドラルオリゴメリックシルセスキオキサン Download PDFInfo
- Publication number
- JP5441084B2 JP5441084B2 JP2006545469A JP2006545469A JP5441084B2 JP 5441084 B2 JP5441084 B2 JP 5441084B2 JP 2006545469 A JP2006545469 A JP 2006545469A JP 2006545469 A JP2006545469 A JP 2006545469A JP 5441084 B2 JP5441084 B2 JP 5441084B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- polymer
- barrier
- radiation
- glass
- poss
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05D—PROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05D3/00—Pretreatment of surfaces to which liquids or other fluent materials are to be applied; After-treatment of applied coatings, e.g. intermediate treating of an applied coating preparatory to subsequent applications of liquids or other fluent materials
- B05D3/02—Pretreatment of surfaces to which liquids or other fluent materials are to be applied; After-treatment of applied coatings, e.g. intermediate treating of an applied coating preparatory to subsequent applications of liquids or other fluent materials by baking
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/02—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition
- C23C18/12—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition characterised by the deposition of inorganic material other than metallic material
- C23C18/1229—Composition of the substrate
- C23C18/1233—Organic substrates
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05D—PROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05D7/00—Processes, other than flocking, specially adapted for applying liquids or other fluent materials to particular surfaces or for applying particular liquids or other fluent materials
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B27/00—Layered products comprising a layer of synthetic resin
- B32B27/28—Layered products comprising a layer of synthetic resin comprising synthetic resins not wholly covered by any one of the sub-groups B32B27/30 - B32B27/42
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
- C08L83/00—Compositions of macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon only; Compositions of derivatives of such polymers
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/02—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition
- C23C18/12—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition characterised by the deposition of inorganic material other than metallic material
- C23C18/1204—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition characterised by the deposition of inorganic material other than metallic material inorganic material, e.g. non-oxide and non-metallic such as sulfides, nitrides based compounds
- C23C18/1208—Oxides, e.g. ceramics
- C23C18/1212—Zeolites, glasses
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/02—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition
- C23C18/12—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition characterised by the deposition of inorganic material other than metallic material
- C23C18/1204—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition characterised by the deposition of inorganic material other than metallic material inorganic material, e.g. non-oxide and non-metallic such as sulfides, nitrides based compounds
- C23C18/122—Inorganic polymers, e.g. silanes, polysilazanes, polysiloxanes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
- H01L23/29—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
- H01L23/293—Organic, e.g. plastic
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
- C08K5/00—Use of organic ingredients
- C08K5/54—Silicon-containing compounds
- C08K5/541—Silicon-containing compounds containing oxygen
- C08K5/5415—Silicon-containing compounds containing oxygen containing at least one Si—O bond
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
- C08K5/00—Use of organic ingredients
- C08K5/54—Silicon-containing compounds
- C08K5/549—Silicon-containing compounds containing silicon in a ring
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
- H01L2924/1204—Optical Diode
- H01L2924/12044—OLED
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Thermal Sciences (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Medicinal Chemistry (AREA)
- Wood Science & Technology (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Polymers & Plastics (AREA)
- Treatments Of Macromolecular Shaped Articles (AREA)
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Silicon Polymers (AREA)
- Paints Or Removers (AREA)
- Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
- Radiation-Therapy Devices (AREA)
Description
本出願は、2003年12月18日に出願された米国仮出願第60/531,458号の利益を主張する。
本発明は、一般的に、人造または天然起源の熱可塑性および熱硬化性ポリマーおよびそれらの組成物の特性を高める方法に関する。より具体的には、本発明は、放射線吸収、インサイチュガラス化、ガスおよび水分バリア、および表面およびバルク特性の改良のためにそのようなポリマーへのナノ構造の化学物質の組み込みに関する。
本発明は、ポリヘドラルオリゴメリックシルセスキオキサン(POSS)、シルセスキオキサン、ポリヘドラルオリゴメリックシリケート、シリケート、シリコーンまたは金属化されたポリヘドラルオリゴメリックシルセスキオキサン、シルセスキオキサン、ポリヘドラルオリゴメリックシリケート、シリケート、およびシリコーンの、ポリマー材料とアロイ化可能な試薬としての使用に関する。ポリヘドラルオリゴメリックシルセスキオキサン、シルセスキオキサン、ポリヘドラルオリゴメリックシリケート、シリケート、シリコーンおよび金属化ポリヘドラルオリゴメリックシルセスキオキサン、シルセスキオキサン、ポリヘドラルオリゴメリックシリケート、シリケート、シリコーンを、以下、ケイ素含有試薬という。
本発明は、新規な一連のポリマー添加剤および放射線の吸収におけるその利用、ガスおおび液体バリア形成、縮合重合の触媒作用、およびナノスコピックなガラス層のインサイチュ形成を記述する。金属化されたPOSSは、それ自身で、またはポリマーもしくは金属もしくは複合材料と組み合わせて、または繊維、クレー、ガラス、金属、鉱物および他の粒子フィラーのようなマクロスコピックな補強材と組み合わせて非常に有用である。
本発明の化学組成物を理解する目的のために、ケイ素含有試薬、特にポリヘドラルオリゴメリックシルセスキオキサン(POSS)およびポリヘドラルオリゴメリックシリケート(POS)ナノ構造体の化学式表現を以下に定義する。
ヘテロレプティック組成物(式中R≠R’)の場合に[(RSiO1.5)n(R’SiO1.5)m]Σ#
ヘテロ官能化されたヘテロレプティック組成物の場合に[(RSiO1.5)n(RSiO1.0)m(M)j]Σ#
官能化されたヘテロレプティック組成物(式中、R基は等価または不等価でありうる)の場合に[(RSiO1.5)n(RXSiO1.0)m]Σ#。
本発明は、放射線の吸収、ガスおよび液体バリア特性の形成、縮合ポリマーの触媒作用、屈折率の制御、発光特性の制御、レーザーマーキング、ポリマー材料中でのガラス層のインサイチュ形成、および分子レベルでのポリマーコイル、ドメイン、チェーンおよびセグメントの補強のためのアロイ化剤としてのケイ素含有試薬の使用を教示している。
すべてのプロセスに適用できる一般的なプロセス変数
化学プロセスで典型的なように、任意のプロセスの純度、選択性、速度および機構を制御するために用いることができる多くの変数がある。ケイ素含有試薬のプラスチックへの組み込みのプロセスに影響を与える変数は、ナノスコピック試薬のサイズおよび多分散性ならびに組成を含む。同様に、ポリマー系の分子量、多分散性および組成も、ケイ素含有試薬とポリマーとの間で適合していなければならない。最後に、コンパウンドまたは混合プロセスの間に用いられる、動力学、熱力学、加工助剤、フィラーも、組み込みにより得られる充填レベルおよび補強度合に影響しうる交換の道具である。ブレンドプロセスたとえば溶融ブレンド、乾燥ブレンド、および溶液混合ブレンドは、ナノスコピックなケイ素含有試薬をプラスチックに混合しアロイ化するにあたりすべて有効である。
ケイ素含有試薬を、ツインスクリューミキサーを用いて溶融コンパウンドすることよりポリマーに組み込み、フィルムに加工した後、非ガラス化フィルム(図4a)およびガラス化(酸化)フィルム(図4b)についてMocon(登録商標)装置で透過性測定を行った。
さまざまな充填レベルのGd POSSを含む光学的に透明な試料をFireQuench(登録商標)1287樹脂系に配合した。Au箔をGd POSS(登録商標)FireQuench(登録商標)アロイの間に挟んだ。次いで試料をワット***中性子スペクトル(エネルギー範囲:1〜20MeV、平均:略1MeV)を与える中性子反応器に曝した。熱中性子(0.0253eV)および熱外中性子(>0.5eV)のフラックスのみを測定した。合計の中性子フラックスを、高純度金箔を用いて測定した。関与した反応はAu−197(n,£^)Au−198である。カドミウムカバーを用いて、合計の中性子フラックスのうち熱成分を決定した。測定した金箔中の誘導活量から、絶対フラックスを決定した。ガンマ線分光分析を、エネルギーと効率について較正した高純度ゲルマニウム検出器(HPGe)で実施した。950kWで測定した中性子フラックス分布は、3.57E+07n/cm2−secの熱中性子および1.27E+07n/cm2−secの熱外中性子である。フラックス測定での計算誤差は0.75%である。中性子フラックスの減少は、樹脂に充填したGd POSSの重量%とともに線形に変化した。熱中性子の2/3減少には50重量%天然産出Gd POSSを含む1mm厚さの絶縁保護コーティングが必要となり(図9)、一方で同位体により富化された157Gdのわずか0.1mm厚さのコーティングが試料レベルの保護を与えるであろう(図10)、ということが計算された。同様の結果が、ホウ素およびサマリウムPOSS系で得られた。したがって、熱中性子損傷からの電子部品の保護が、B、Sm、またはGd POSS添加剤を含む絶縁保護コーティングを用いて達成できる。それらの添加剤を複合樹脂に組み込んで、中性子シールドとして役立つ構造複合材にすることもできる。POSSケージあたりで多数の水素原子があると、さらに高速中性子を熱中性子化することを助け、そうしてB、SmまたはGd原子によるそれらの捕捉を可能にする。高速中性子を熱中性子化してそれらを捕捉するためにB、SmおよびGd POSSを使用することは、それらが高速中性子腫瘍治療におけるより有効な中性子捕捉剤として機能することも可能にする。
さまざまな金属化されたPOSSの試料を、UVから可視光線に曝した。それらの吸収特性を図12に示す。吸収特性は、系中に含まれる金属の調整により調節できることが明らかである。たとえば、CeおよびTi系のPOSSは、吸収の狭いAl POSSよりも広いスペクトルのUV線に対して特に良好な吸収剤である。さらに、それらの系は光学的に透明なポリマーおよび複合材料に組み込むことができ、次いでナノスコピックに薄いガラス表面層に変換でき、放射線吸収トップコートとしてさらに利点を与えるであろうということが示されている。それらのコーティングは、150nmで劣化するシリコーンを含むさまざまのポリマー、および243nmで劣化するポリカーボネートで有用性があるであろう。
さまざまな金属化されたPOSSを含む光学的に透明な試料を、FireQuench(登録商標)1287樹脂系に配合した。屈折率の値を、異なる入射波長で屈折計を用いて測定した。このシリーズは、屈折率を、金属の変化により狭く、または官能基(たとえばチオール)の変化により急激に微調整する能力を示している。金属により偏極しやすい電子があるかまたはPOSSケージにR基があると、屈折率により大きなシフトをもたらす。
二片のポリウレタン、エポキシド、およびシロキサンからなる光学的に透明な試料を、さまざまな金属化されたPOSSを用いた触媒作用によって得た。たとえば、1ppmレベル以上に充填したTi POSSはポリウレタンの高速縮合重合を促進することがわかり、SnPOSSはシラノールおよびシラン配合シリコーンの硬化に有利であることがわかった。それぞれの場合に、硬化は温度と触媒充填の増加により加速された。それらの金属化された触媒の特に有利な点は、その大きな原子量に起因して、可燃性およびマイグレーションが低いことである。さらなる利点は、ガラスに変換され、フィラーとして機能して収縮を減少し得られるポリマーの透過特性の酸化を改善することである。
Claims (21)
- ポリマー表面上にガラスバリア層および放射線バリアを形成する方法であって、
(a)B、Gd、Sm、Ce、Ti、Tb、およびErからなる群より選択される金属を含む金属化されたポリヘドラルオリゴメリックシルセスキオキサン(POSS)をポリマーに混合して放射線バリアを形成する工程と,ここで、前記放射線バリアは、中性子、紫外線、および可視光線からなる群の要素による透過を減衰させるバリアを形成する、
(b)前記ポリマーの表面を酸化してガラスバリア層を形成することによって前記ポリマー表面上に前記ガラスバリア層を形成する工程と,ここで、前記ガラスバリア層は水および酸素分子からなる群の要素による透過を減衰させるバリアを形成する、
を有する方法。 - ポリマーの屈折率が前記金属化されたPOSSの選択により制御される請求項1記載の方法。
- ポリマーの発光特性が前記金属化されたPOSSの選択により制御される請求項1記載の方法。
- ガラス層の形成後にポリマーをレーザーマーキングする工程をさらに有する請求項1記載の方法。
- 金属化された複数のPOSSをポリマーに混合する請求項1記載の方法。
- ポリマーがオイル、アモルファス、半結晶、結晶、エラストマー、およびゴムからなる群より選択される物理状態にある請求項1記載の方法。
- ポリマーがポリマーコイル、ポリマードメイン、ポリマーチェーン、ポリマーセグメント、またはそれらの混合物である請求項1記載の方法。
- 前記金属化されたPOSSが分子レベルでポリマーを補強する請求項1記載の方法。
- 混合が非反応性である請求項1記載の方法。
- 混合が反応性である請求項1記載の方法。
- ポリマーの物理的特性を改善する請求項1記載の方法。
- 物理的特性が接着、撥水性、難燃性、密度、低誘電定数、熱伝導性、ガラス転移、粘度、溶融転移、貯蔵弾性、緩和、応力輸送、摩擦抵抗、耐火性、生物学的適合性、ガス透過性、ポロシティ、放射線吸収、放射線放出、屈折率、光学品質からなる群より選択される請求項12記載の方法。
- 混合がマクロスコピックまたはナノスコピックな少なくとも1種の他のフィラーまたは添加剤と組み合わせて達成される請求項1記載の方法。
- バリアを高速中性子治療における治療用化学物質として用いる請求項1記載の方法。
- 前記放射線バリアが中性子による透過を減衰させるバリアを形成する請求項1記載の方法。
- 前記金属がB、Gd、およびSmからなる群より選択される請求項15記載の方法。
- 前記金属がB、Gd、およびSmからなる群より選択される請求項14記載の方法。
- 前記放射線バリアがUV線を減衰させるバリアを形成する請求項1記載の方法。
- 前記金属がCeおよびTiからなる群より選択される請求項18記載の方法。
- 前記ポリマーの発光特性が前記金属の選択によって制御される請求項1記載の方法。
- 前記金属がTbまたはErである請求項20記載の方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US53145803P | 2003-12-18 | 2003-12-18 | |
US60/531,458 | 2003-12-18 | ||
PCT/US2004/042422 WO2005060671A2 (en) | 2003-12-18 | 2004-12-17 | Polyhedral oligomeric silsesquioxanes and metallized polyhedral oligomeric silsesquioxanes as coatings, composites and additives |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007523968A JP2007523968A (ja) | 2007-08-23 |
JP5441084B2 true JP5441084B2 (ja) | 2014-03-12 |
Family
ID=34710227
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006545469A Expired - Fee Related JP5441084B2 (ja) | 2003-12-18 | 2004-12-17 | コーティング、複合材料および添加剤としての、ポリヘドラルオリゴメリックシルセスキオキサンおよび金属化されたポリヘドラルオリゴメリックシルセスキオキサン |
Country Status (9)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US20050192364A1 (ja) |
EP (1) | EP1711278A4 (ja) |
JP (1) | JP5441084B2 (ja) |
KR (1) | KR20070008546A (ja) |
CN (1) | CN100544836C (ja) |
RU (1) | RU2006125722A (ja) |
SG (1) | SG149034A1 (ja) |
TW (1) | TW200528462A (ja) |
WO (1) | WO2005060671A2 (ja) |
Families Citing this family (41)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7820761B2 (en) * | 1999-08-04 | 2010-10-26 | Hybrid Plastics, Inc. | Metallized nanostructured chemicals as cure promoters |
US7612143B2 (en) * | 1999-08-04 | 2009-11-03 | Hybrid Plastics, Inc. | Metallized nanostructured chemicals alloyed into polymers |
US20060263531A1 (en) * | 2003-12-18 | 2006-11-23 | Lichtenhan Joseph D | Polyhedral oligomeric silsesquioxanes as glass forming coatings |
US20060127583A1 (en) * | 2003-12-18 | 2006-06-15 | Lichtenhan Joseph D | Polyhedral oligomeric silsesquioxanes and polyhedral oligomeric silicates barrier materials for packaging |
US7141277B1 (en) * | 2002-03-07 | 2006-11-28 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force | Self-generating inorganic passivation layers for polymer-layered silicate nanocomposites |
US7737228B2 (en) * | 2003-12-18 | 2010-06-15 | Hybrid Plastics, Inc. | Metallized polyhedral oligomeric silsesquioxanes as catalysts for polyurethanes |
US20090085011A1 (en) * | 2003-12-18 | 2009-04-02 | Lichtenhan Joseph D | Neutron shielding composition |
KR100682859B1 (ko) * | 2004-01-27 | 2007-02-15 | 삼성에스디아이 주식회사 | 폴리실세스퀴옥산계 화합물 및 이를 이용한 유기 전계발광 소자 |
EP1856190A4 (en) * | 2005-03-07 | 2011-02-09 | Hybrid Plastics Inc | PROCESS FOR THE PREPARATION OF POSS MONOMERS |
EP1931351A4 (en) * | 2005-08-19 | 2010-06-23 | Hybrid Plastics Inc | METAL-COATED IN POLYMERS ALLOY CHEMICALS |
EP1928948A4 (en) * | 2005-09-29 | 2010-11-24 | Hybrid Plastics Inc | METALLIZED NANOSTRUCTURED CHEMICALS AS A TREATMENT AGENT |
US20070134462A1 (en) * | 2005-12-09 | 2007-06-14 | General Electric Company | Storage media and associated method |
TW200730558A (en) * | 2005-12-16 | 2007-08-16 | Hybrid Plastics Inc | POSS nanostructured chemicals as dispersion aids and friction reducing agents |
TW200821358A (en) * | 2006-08-30 | 2008-05-16 | Hybrid Plastics Inc | Radiation shielding with polyhedral oligomeric silsesquioxanes and metallized additives |
US20080108773A1 (en) * | 2006-11-06 | 2008-05-08 | Wicks Douglas A | Polyurethane dispersions containing POSS nanoparticles |
TW200909462A (en) * | 2007-05-21 | 2009-03-01 | Hybrid Plastics Inc | Metallized polyhedral oligomeric silsesquioxanes as catalysts for polyurethanes |
KR20090015591A (ko) * | 2007-08-09 | 2009-02-12 | 삼성전자주식회사 | 폴리우레탄 발포 복합체 조성물, 이로부터 제조된폴리우레탄 발포 복합체 및 그 제조방법 |
US8794282B2 (en) * | 2007-12-31 | 2014-08-05 | Bridgestone Corporation | Amino alkoxy-modified silsesquioxane adhesives for improved metal adhesion and metal adhesion retention to cured rubber |
WO2010021971A1 (en) * | 2008-08-18 | 2010-02-25 | Massachusetts Institute Of Technology | Highly reactive multilayer assembled coating of metal oxides on organic and inorganic substrates |
US8163357B2 (en) * | 2009-03-26 | 2012-04-24 | Signet Armorlite, Inc. | Scratch-resistant coatings with improved adhesion to inorganic thin film coatings |
WO2011076570A1 (en) * | 2009-12-21 | 2011-06-30 | Huntsman International Llc | A method to form a polyurethane material |
EP2543629A4 (en) * | 2010-03-31 | 2016-08-17 | Central Glass Co Ltd | MOLDED OXIDE AND PROCESS FOR PRODUCING THE SAME |
US20120135165A1 (en) * | 2010-11-29 | 2012-05-31 | Yu-Hui Huang | Antiglare and antiseptic coating material and touchscreen coated with the same |
US20120177920A1 (en) * | 2011-01-11 | 2012-07-12 | Yu-Hui Huang | Antiglare and antiseptic coating material and touchscreen coated with the same |
US8946874B2 (en) | 2011-01-25 | 2015-02-03 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | IC in-process solution to reduce thermal neutrons soft error rate |
US9373734B1 (en) | 2011-11-02 | 2016-06-21 | Lockheed Martin Corporation | High-efficiency solar energy device |
US20130241390A1 (en) * | 2012-03-14 | 2013-09-19 | Peter Guschl | Metal-containing encapsulant compositions and methods |
TWI565732B (zh) * | 2012-06-13 | 2017-01-11 | 財團法人工業技術研究院 | 有機-無機金屬氧化物混成樹脂、其形成方法、及其形成的樹脂組成物 |
US10722845B1 (en) * | 2012-07-31 | 2020-07-28 | Raytheon Company | Isotope enrichment for improved magnetic materials |
WO2014030806A1 (ko) * | 2012-08-24 | 2014-02-27 | 농업회사법인 코엔에프(유) | 음료용 컵 뚜껑 및 음료용 컵 |
EP2796493A1 (en) * | 2013-04-25 | 2014-10-29 | Huntsman International Llc | Composition comprising silylated polymers and polyhedral oligomeric metallo silsesquioxane |
CN104425879B (zh) * | 2013-09-03 | 2017-12-29 | 深圳光启创新技术有限公司 | 共形天线、制造共形天线的方法及材料 |
US9970297B2 (en) * | 2014-08-29 | 2018-05-15 | Rolls-Royce Corporation | Composite fan slider with nano-coating |
US10157689B2 (en) | 2014-12-17 | 2018-12-18 | Savannah River Nuclear Solutions, Llc | Reinforced radiological containment bag |
TWI738730B (zh) | 2016-03-29 | 2021-09-11 | 德商漢高智慧財產控股公司 | 兩液型可固化組合物 |
US10340049B2 (en) | 2016-08-04 | 2019-07-02 | Savannah River Nuclear Solutions, Llc | Alpha/beta radiation shielding materials |
EP3392313A1 (de) | 2017-04-21 | 2018-10-24 | Nitrochemie Aschau GmbH | Härtbare silikonkautschukmassen |
EP3715396A1 (de) * | 2019-03-26 | 2020-09-30 | PolyU GmbH | Zusammensetzung und verfahren zur herstellung silylierter polymere und deren verwendung |
EP3875541A1 (de) | 2020-03-03 | 2021-09-08 | PolyU GmbH | Zusammensetzung und verfahren zur herstellung von silikonmassen und deren verwendung |
WO2021183651A1 (en) * | 2020-03-10 | 2021-09-16 | Hybrid Plastics, Incorporated | Heteroleptic polyhedral oligomeric silsesquioxane compositions and method |
CN114063389A (zh) * | 2020-07-31 | 2022-02-18 | 华为技术有限公司 | 图案化材料和图案化薄膜 |
Family Cites Families (48)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4753855A (en) * | 1986-12-04 | 1988-06-28 | Dow Corning Corporation | Multilayer ceramic coatings from metal oxides for protection of electronic devices |
US4973526A (en) * | 1990-02-15 | 1990-11-27 | Dow Corning Corporation | Method of forming ceramic coatings and resulting articles |
US5059448A (en) * | 1990-06-18 | 1991-10-22 | Dow Corning Corporation | Rapid thermal process for obtaining silica coatings |
NL9100210A (nl) * | 1991-02-06 | 1992-09-01 | Veg Gasinstituut Nv | Katalysator- of membraan-precursorsystemen, katalysator- of membraan-systemen alsmede werkwijze voor de vervaardiging daarvan. |
US5294567A (en) * | 1993-01-08 | 1994-03-15 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Method for forming via holes in multilayer circuits |
US5856551A (en) * | 1993-03-12 | 1999-01-05 | The Regents Of The University Of California | Macromolecular structure for boron neutron-capture therapy |
US5412053A (en) * | 1993-08-12 | 1995-05-02 | The University Of Dayton | Polymers containing alternating silsesquioxane and bridging group segments and process for their preparation |
US5484867A (en) * | 1993-08-12 | 1996-01-16 | The University Of Dayton | Process for preparation of polyhedral oligomeric silsesquioxanes and systhesis of polymers containing polyhedral oligomeric silsesqioxane group segments |
US6455864B1 (en) * | 1994-04-01 | 2002-09-24 | Maxwell Electronic Components Group, Inc. | Methods and compositions for ionizing radiation shielding |
US5630786A (en) * | 1994-06-27 | 1997-05-20 | Ionix Corporation | Boron neutron capture enhancement of fast neutron therapy |
CA2143606C (en) * | 1995-02-24 | 1999-07-20 | Peter Arrowsmith | Method of making electronic housings more reliable by preventing formation of metallic whiskers on the sheets used to fabricate them |
US5753374A (en) * | 1995-11-27 | 1998-05-19 | Dow Corning Corporation | Protective electronic coating |
US5858544A (en) * | 1995-12-15 | 1999-01-12 | Univ Michigan | Spherosiloxane coatings |
WO1997024344A1 (en) * | 1995-12-27 | 1997-07-10 | Shell Internationale Research Maatschappij B.V. | Preparation of oxirane compounds with titanasilsesquioxane catalysts |
US5780163A (en) * | 1996-06-05 | 1998-07-14 | Dow Corning Corporation | Multilayer coating for microelectronic devices |
US6362279B2 (en) * | 1996-09-27 | 2002-03-26 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force | Preceramic additives as fire retardants for plastics |
US5924005A (en) * | 1997-02-18 | 1999-07-13 | Motorola, Inc. | Process for forming a semiconductor device |
US6080526A (en) * | 1997-03-24 | 2000-06-27 | Alliedsignal Inc. | Integration of low-k polymers into interlevel dielectrics using controlled electron-beam radiation |
WO1998046352A1 (de) * | 1997-04-16 | 1998-10-22 | Solvay Deutschland Gmbh | Verfahren zur herstellung von silasesquioxan-metallkomplexen, neue silasesquioxan-metallkomplexe und deren verwendung |
US6770724B1 (en) * | 1998-03-03 | 2004-08-03 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force | Altering of poss rings |
US6207364B1 (en) * | 1998-04-21 | 2001-03-27 | Konica Corporation | Thermally developable material |
JPH11322992A (ja) * | 1998-05-18 | 1999-11-26 | Jsr Corp | 多孔質膜 |
EP0967229A1 (en) * | 1998-06-26 | 1999-12-29 | Dsm N.V. | Metal complex containing one or more silsesquioxane ligands |
TW436837B (en) * | 1998-11-16 | 2001-05-28 | Matsushita Electric Works Ltd | Field emission-type electron source and manufacturing method thereof and display using the electron source |
US6841791B2 (en) * | 1998-12-07 | 2005-01-11 | Meridian Research And Development | Multiple hazard protection articles and methods for making them |
DE60022746T2 (de) * | 1999-04-14 | 2006-06-29 | Alliedsignal Inc. | Durch polymerabbau erhältliches nano-poröses material mit niedriger dielektrizitätskonstante |
US6329280B1 (en) * | 1999-05-13 | 2001-12-11 | International Business Machines Corporation | Interim oxidation of silsesquioxane dielectric for dual damascene process |
EP1202791B1 (en) * | 1999-06-11 | 2006-12-27 | Gas Separation Technology, Inc. | Porous gas permeable material for gas separation |
US7820761B2 (en) * | 1999-08-04 | 2010-10-26 | Hybrid Plastics, Inc. | Metallized nanostructured chemicals as cure promoters |
US7612143B2 (en) * | 1999-08-04 | 2009-11-03 | Hybrid Plastics, Inc. | Metallized nanostructured chemicals alloyed into polymers |
US6100417A (en) * | 1999-08-31 | 2000-08-08 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force | Functionalizing olefin bearing silsesquioxanes |
GB9928781D0 (en) * | 1999-12-02 | 2000-02-02 | Dow Corning | Surface treatment |
DK1268635T3 (da) * | 2000-03-24 | 2005-11-28 | Hybrid Plastics Llp | Nanostrukturerede kemikalier som legeringsmidler i polymerer |
US6517958B1 (en) * | 2000-07-14 | 2003-02-11 | Canon Kabushiki Kaisha | Organic-inorganic hybrid light emitting devices (HLED) |
US6375769B1 (en) * | 2000-08-15 | 2002-04-23 | Kimberly-Clark Worldwide, Inc. | Method of applying curved leg elastics using pucks with curved surfaces |
US6518357B1 (en) * | 2000-10-04 | 2003-02-11 | General Electric Company | Flame retardant polycarbonate-silsesquioxane compositions, method for making and articles made thereby |
KR100766206B1 (ko) * | 2000-11-21 | 2007-10-10 | 타이코 일렉트로닉스 코포레이션 | 레이저 마킹에 사용하기 위한 안료 및 조성물 |
US6608319B2 (en) * | 2001-06-08 | 2003-08-19 | Adrian Joseph | Flexible amorphous composition for high level radiation and environmental protection |
JP2002371186A (ja) * | 2001-06-15 | 2002-12-26 | Orient Chem Ind Ltd | 高分子材料、成形品およびその製造方法 |
US6936537B2 (en) * | 2001-06-19 | 2005-08-30 | The Boc Group, Inc. | Methods for forming low-k dielectric films |
WO2003064490A2 (en) * | 2001-06-27 | 2003-08-07 | Hybrid Plastics Llp | Process for the functionalization of polyhedral oligomeric silsesquioxanes |
US6569932B2 (en) * | 2001-07-06 | 2003-05-27 | Benjamin S. Hsiao | Blends of organic silicon compounds with ethylene-based polymers |
US6767930B1 (en) * | 2001-09-07 | 2004-07-27 | Steven A. Svejda | Polyhedral oligomeric silsesquioxane polyimide composites |
JP2004307738A (ja) * | 2003-04-10 | 2004-11-04 | Toray Ind Inc | ポリエステル組成物 |
US7101617B2 (en) * | 2003-07-10 | 2006-09-05 | Motorola, Inc. | Silicone dispensing with a conformal film |
US7737228B2 (en) * | 2003-12-18 | 2010-06-15 | Hybrid Plastics, Inc. | Metallized polyhedral oligomeric silsesquioxanes as catalysts for polyurethanes |
CN101427182B (zh) * | 2004-04-27 | 2011-10-19 | 伊利诺伊大学评议会 | 用于软光刻法的复合构图设备 |
US20060104855A1 (en) * | 2004-11-15 | 2006-05-18 | Metallic Resources, Inc. | Lead-free solder alloy |
-
2004
- 2004-12-17 EP EP04818048A patent/EP1711278A4/en not_active Withdrawn
- 2004-12-17 KR KR1020067014306A patent/KR20070008546A/ko not_active Application Discontinuation
- 2004-12-17 RU RU2006125722/04A patent/RU2006125722A/ru not_active Application Discontinuation
- 2004-12-17 CN CNB2004800410710A patent/CN100544836C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2004-12-17 JP JP2006545469A patent/JP5441084B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2004-12-17 TW TW093139444A patent/TW200528462A/zh unknown
- 2004-12-17 US US11/015,185 patent/US20050192364A1/en not_active Abandoned
- 2004-12-17 SG SG200809344-5A patent/SG149034A1/en unknown
- 2004-12-17 WO PCT/US2004/042422 patent/WO2005060671A2/en active Application Filing
-
2010
- 2010-12-13 US US12/928,549 patent/US20110092661A1/en not_active Abandoned
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN100544836C (zh) | 2009-09-30 |
US20050192364A1 (en) | 2005-09-01 |
WO2005060671A2 (en) | 2005-07-07 |
TW200528462A (en) | 2005-09-01 |
US20110092661A1 (en) | 2011-04-21 |
WO2005060671A3 (en) | 2006-02-09 |
KR20070008546A (ko) | 2007-01-17 |
JP2007523968A (ja) | 2007-08-23 |
SG149034A1 (en) | 2009-01-29 |
CN1909978A (zh) | 2007-02-07 |
RU2006125722A (ru) | 2008-01-27 |
EP1711278A2 (en) | 2006-10-18 |
EP1711278A4 (en) | 2010-12-22 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5441084B2 (ja) | コーティング、複合材料および添加剤としての、ポリヘドラルオリゴメリックシルセスキオキサンおよび金属化されたポリヘドラルオリゴメリックシルセスキオキサン | |
EP2265666B1 (en) | Silicone composition, silicone adhesive, coated and laminated substrates | |
JP5520528B2 (ja) | ガスバリアー性硬化オルガノポリシロキサン樹脂フィルム及びその製造方法 | |
KR102454572B1 (ko) | 실록산 폴리머 및 입자를 포함하는 조성물 | |
TWI628237B (zh) | 粉末樹脂直鏈有機聚矽氧烷組成物 | |
JP7479120B2 (ja) | 金属-ポリオルガノシロキサン | |
CN101467263A (zh) | 碲化镉基光伏器件及其制造方法 | |
KR20110091869A (ko) | 실리콘 조성물과 이를 제조하는 방법 | |
WO2008051190A9 (en) | Metallized nanostructured chemicals alloyed into polymers | |
TW202130740A (zh) | 導電性矽氧組成物、導電性矽氧硬化物、導電性矽氧硬化物的製造方法、及積層體 | |
US20110318587A1 (en) | Radiation shielding with polyhedral oligomeric silsesquioxanes and metallized additives | |
Dworak et al. | Evaluation of protective silicone/siloxane coatings in simulated low-earth-orbit environment | |
EP1838458A2 (en) | Polyhedral oligomeric silsequioxanes and polyhedral oligomeric silicates barrier materials for packaging | |
Ahn et al. | Ladder-Structured Polysilsesquioxane/Al 2 O 3 Nanocomposites for Transparent Wear-Resistant Windows | |
US20060263531A1 (en) | Polyhedral oligomeric silsesquioxanes as glass forming coatings | |
KR20080043315A (ko) | 폴리실란을 포함하는 uv 경화성 전기 전도성 필름 | |
WO2008097274A2 (en) | Radiation shielding with polyhedral oligomeric silsesquioxanes and metallized additives | |
EP1888259A2 (en) | Polyhedral oligomeric silsesquioxanes as glass forming coatings | |
JP2020037694A (ja) | 樹脂組成物の硬化物、積層体、及び樹脂組成物 | |
Su et al. | Synthesis of modified silica spheres used for the preparation of dual ultraviolet‐and thermo‐cured epoxyacrylate/silica composites | |
US20080262162A1 (en) | Metallized nanostructured chemicals alloyed into polymers | |
KR101207238B1 (ko) | 초저유전막의 제조방법 | |
Sommer | United States Patent po |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20071122 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20100929 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20101019 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20110119 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20110126 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110419 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120117 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20120417 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20120424 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20120529 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120717 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130507 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20130806 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20130813 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20131010 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20131112 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20131211 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |