JP5440275B2 - トリメチルインジウムの精製方法 - Google Patents
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図1に示したように、還流冷却器6及び10μmSUS焼結金属金網3を備えた10Lの濾過乾燥機1に、不純物として有機珪素成分7ppm、アルミニウム成分7,600ppmを含むトリメチルインジウム(TMI)1kg、ノルマルヘキサン(ヘキサン)2kgを仕込み、撹拌翼5により撹拌しながら昇温し、ジャケット2により70℃で加熱還流した。この際、トリメチルインジウムはノルマルヘキサンに完全に溶解していた。
加熱を止め、トリメチルインジウムのノルマルヘキサン溶液をゆっくりと20℃まで冷却したところ、釜内にはトリメチルインジウムの結晶が生成した。ノルマルヘキサンをSUS焼結金属金網3を通して濾過して濾液を母液ノルマルヘキサン受器4に移し、生成したトリメチルインジウムと分離した。上記晶析濾過工程を同条件でもう一度繰り返した。濾過したトリメチルインジウムを20℃で真空乾燥し、残存するノルマルヘキサンを除去した。濾過乾燥機を80℃に昇温してトリメチルインジウムを昇華移送した。得られたトリメチルインジウムは0.8kgであった。得られたトリメチルインジウムの純度は有機珪素成分が<0.05ppm、有機アルミニウム成分が<0.1ppm、酸素不純物、金属不純物及び炭化水素不純物は検出限界以下であった。
再結晶溶媒をシクロペンタンに換えたことを除いて実施例1と同様の操作を行った。シクロペンタン2kgでは49℃で還流し、トリメチルインジウムの一部に溶け残りが生じた。得られたトリメチルインジウムは0.8kgであった。得られたトリメチルインジウムの純度は有機珪素成分が1ppm、有機アルミニウム成分が12ppmであった。
再結晶溶媒を流動パラフィンに換えたことを除いて実施例1と同様の操作を行った。流動パラフィンにトリメチルインジウムは溶解せず、再結晶操作を行うことができなかった。加熱温度を90℃まで上げるとトリメチルインジウムは溶解した。20℃まで冷却したところ、釜内にはトリメチルインジウムの結晶が生成したが、流動パラフィンの粘度が高く、濾過できなかった。
再結晶溶媒をトルエンに換えたことを除いて実施例1と同様の操作を行った。トルエンにトリメチルインジウムは容易に溶解したが、20℃まで冷却してもトリメチルインジウムの結晶は晶析せず、再結晶操作を行うことができなかった。
2 ジャケット
3 SUS焼結金属金網
4 母液ノルマルヘキサン受器
5 撹拌翼
6 還流冷却器
Claims (3)
- トリメチルアルミニウムとインジウムハライドより製造したトリメチルインジウムをトリメチルインジウムに対して100〜300質量%のノルマルヘキサンで加熱溶解した後、冷却し再結晶を行って、高純度トリメチルインジウムを得ることを特徴とするトリメチルインジウムの精製方法。
- 再結晶操作によりトリメチルインジウム中の有機珪素成分と有機アルミニウム成分を除去することを特徴とする請求項1記載の精製方法。
- 再結晶操作に濾過乾燥機を用いることを特徴とする請求項1又は2記載の精製方法。
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