JP5438439B2

JP5438439B2 - 気体供給システム

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Publication number: JP5438439B2
Application number: JP2009205162A
Authority: JP
Inventors: 修吉本
Original assignee: Toyo Tanso Co Ltd
Current assignee: Toyo Tanso Co Ltd
Priority date: 2009-09-04
Filing date: 2009-09-04
Publication date: 2014-03-12
Anticipated expiration: 2029-09-04
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Description

本発明は、気体供給システムに関する。

半導体の製造工程においては、例えば基板上にシリコン等の薄膜を形成するＣＶＤ（化学気相成長）装置が用いられる。ＣＶＤ装置において、気体（例えば、フッ素ガス）を用いて基板の洗浄等の処理を行うために、気体を発生する気体発生装置がＣＶＤ装置に接続される。

例えば、特許文献１に示される半導体製造プラントにおいては、複数のフッ素ガス発生装置、複数のＣＶＤ装置、および貯蔵タンクが配管を介して互いに接続される。具体的には、複数のフッ素ガス発生装置の各々から延びる複数の配管が互いに合流して貯蔵タンクに接続される。また、貯蔵タンクから延びる１つの配管が複数の配管に分岐して複数のＣＶＤ装置にそれぞれ接続される。この場合、複数のフッ素ガス発生装置において発生したフッ素ガスが共通の配管を通して一旦貯蔵タンクに貯蔵される。そして、貯蔵タンクに貯蔵されたフッ素ガスが、共通の配管を通して各ＣＶＤ装置に供給される。

上記半導体製造プラントにおいては、貯蔵タンクを設けることにより、一のフッ素ガス発生装置に問題が生じた場合、稼動している他のフッ素ガス発生装置を停止することなく、一のフッ素ガス発生装置の修理を行うことができる。

特開２００７−２１１２６１号公報

一般に、フッ素ガス発生装置内の部品または配管が老朽化すると、フッ素ガス発生装置内または配管内で鉄、ニッケルまたは銅等の金属が露出する場合がある。この場合、フッ素ガス発生装置内または配管内でフッ素ガスが鉄、ニッケルおよび銅等の金属と反応することにより、金属フッ化物が生成されることがある。この金属フッ化物は、気体またはパーティクルとしてフッ素ガスに混入する。許容量を超える量の金属フッ化物を含むフッ素ガスがＣＶＤ装置に送られると、ＣＶＤ装置内で、基板の金属汚染が発生する。この場合、フッ素ガス発生装置の稼動を停止し、フッ素ガス発生装置およびＣＶＤ装置のメンテナンスを行う必要がある。

しかしながら、上記の半導体製造プラントでは、複数のフッ素ガス発生装置において発生したフッ素ガスが共通の配管を通して複数のＣＶＤ装置に供給される。したがって、いずれかのＣＶＤ装置内で金属汚染が発生した場合、その金属汚染が複数のフッ素ガス発生装置のうちいずれのフッ素ガス発生装置を起因とした金属汚染であるかを特定することができない。したがって、金属汚染の原因となったフッ素ガス発生装置を含めて全てのフッ素ガス発生装置の稼動を停止し、全てのフッ素ガス発生装置のメンテナンスを行う必要がある。その結果、メンテナンスの効率が大幅に低下する。また、全てのフッ素ガス発生装置の稼動が停止されるので、全てのＣＶＤ装置における基板の処理も停止する必要がある。したがって、ＣＶＤ装置の稼動効率も低下する。

本発明の目的は、不具合が発生した部位の特定が容易になることにより異常発生時のメンテナンスの効率が向上されるとともに気体を用いた処理の効率の低下が防止された気体供給システムを提供することである。

（１）第１の発明に係る気体供給システムは、気体を用いた処理を行う複数の処理装置に気体を供給する気体供給システムであって、気体を発生させる複数の第１の気体発生装置と、複数の第１の気体発生装置にそれぞれ接続され、複数の第１の気体発生装置により発生された気体を複数の処理装置に供給するための複数の第１の配管と、複数の第１の配管にそれぞれ設けられ、流路を開閉するための複数の第１の開閉手段と、各第１の配管と他の第１の配管との間に接続される第２の配管と、第２の配管に設けられ、流路を開閉するための第２の開閉手段とを備え、複数の第１の配管は、複数の第１の気体発生装置が、互いに異なる処理装置に接続されるように構成されるものである。

その気体供給システムにおいては、複数の第１の開閉手段が開放状態でありかつ第２の開閉手段が閉止状態である場合に、複数の第１の気体発生装置で発生された気体が複数の第１の配管を通して複数の処理装置にそれぞれ供給される。この状態で、複数の第１の気体発生装置のいずれかの異常に起因していずれかの処理装置における処理に不具合が発生した場合に、いずれの第１の気体発生装置に異常が発生したかを容易に特定することができる。したがって、メンテナンスを行うべき第１の気体発生装置を容易に特定することができる。

この場合、異常が発生した第１の気体発生装置に対応する第１の開閉手段を閉止状態にしかつ第２の開閉手段を開放状態にすることにより、異常が発生した第１の気体発生装置から不具合が発生した処理装置への気体の供給を停止することができるとともに、正常な他の第１の気体発生装置から第２の配管を通して不具合が発生した処理装置に気体を供給することができる。したがって、異常が発生した第１の気体発生装置のメンテナンスを行いつつ、その第１の気体発生装置の異常に起因する不具合が発生した処理装置において処理を続行することができる。

その結果、不具合が発生した部位の特定が容易になることにより異常発生時の第１の気体発生装置のメンテナンスの効率を向上させることが可能になるとともに複数の処理装置での気体を用いた処理の効率の低下を防止することが可能になる。

（２）気体供給システムは、複数の第１の開閉手段および第２の開閉手段の開閉を制御する制御手段をさらに備え、制御手段は、複数の第１の配管のうち一の第１の配管に設けられた第１の開閉手段を閉止状態にした場合、一の第１の配管に接続される処理装置に他の第１の配管に接続される第１の気体発生装置から気体が供給されるように第２の開閉手段を開放状態にするように構成されてもよい。

この場合、制御手段により、複数の第１の配管のうち一の第１の配管に設けられた第１の開閉手段が閉止状態にされた場合、一の第１の配管に接続される処理装置に他の第１の配管に接続される第１の気体発生装置から気体が供給されるように第２の開閉手段が開放状態にされる。したがって、異常が発生した第１の気体発生装置から処理装置への気体の供給が停止されるとともに、正常な他の第１の気体発生装置からその処理装置へ気体が供給される。

（３）制御手段は、一の第１の配管に設けられた第１の開閉手段を閉止状態にした場合、第２の開閉手段の上流側の圧力が下流側の圧力よりも高くなったときに第２の開閉手段を開放状態にするように構成されてもよい。

この場合、第１の気体発生装置の異常に起因する不具合が発生した処理装置から正常な第１の気体発生装置へ気体が逆流することが確実に防止される。

（４）第２の発明に係る気体供給システムは、気体を用いた処理を行う複数の処理装置に気体を供給する気体発生システムであって、気体を発生させる複数の第１の気体発生装置と、複数の第１の気体発生装置にそれぞれ接続され、複数の第１の気体発生装置により発生された気体を複数の処理装置に供給するための複数の第１の配管と、複数の第１の配管にそれぞれ設けられ、流路を開閉するための複数の第１の開閉手段と、複数の処理装置に共通に設けられ、気体を発生させる第２の気体発生装置と、第２の気体発生装置により発生された気体を複数の処理装置にそれぞれ供給するための複数の第３の配管と、複数の第３の配管にそれぞれ設けられ、流路を開閉するための複数の第３の開閉手段とを備え、複数の第１の配管は、複数の第１の気体発生装置が、互いに異なる処理装置に接続されるように構成されるものである。

その気体供給システムにおいては、複数の第１の開閉手段が開放状態でありかつ第３の開閉手段が閉止状態である場合に、複数の第１の気体発生装置で発生された気体が複数の第１の配管を通して複数の処理装置にそれぞれ供給される。この状態で、複数の第１の気体発生装置のいずれかの異常に起因していずれかの処理装置における処理に不具合が発生した場合に、いずれの第１の気体発生装置に異常が発生したかを容易に特定することができる。

この場合、異常が発生した第１の気体発生装置に対応する第１の開閉手段を閉止状態にしかつ第３の開閉手段を開放状態にすることにより、異常が発生した第１の気体発生装置から不具合が発生した処理装置への気体の供給を停止することができるとともに、第２の気体発生装置から第３の配管を通して不具合が発生した処理装置に気体を供給することができる。したがって、異常が発生した第１の気体発生装置のメンテナンスを行いつつ、その第１の気体発生装置の異常に起因する不具合が発生した処理装置において処理を続行することができる。

（５）気体供給システムは、複数の第１の開閉手段および複数の第３の開閉手段の開閉動作を制御する制御手段をさらに備え、制御手段は、複数の第１の配管のうち一の第１の配管に設けられた第１の開閉手段を閉止状態にした場合、一の第１の配管に接続される処理装置に第２の気体発生装置から気体が供給されるように一の第１の配管に対応する第３の開閉手段を開放状態にするように構成されてもよい。

この場合、制御手段により、複数の第１の配管のうち一の第１の配管に設けられた第１の開閉手段が閉止状態にされた場合、一の第１の配管に接続される処理装置に第２の気体発生装置から気体が供給されるように一の第１の配管に対応する第３の開閉手段が開放状態にされる。したがって、異常が発生した第１の気体発生装置から処理装置への気体の供給が停止されるとともに、第２の気体発生装置からその処理装置へ気体が供給される。

（６）第３の発明に係る気体供給システムは、気体を用いた処理を行う複数の処理装置に気体を供給する気体発生システムであって、気体を発生させる複数の第１の気体発生装置と、複数の第１の気体発生装置にそれぞれ接続され、複数の第１の気体発生装置により発生された気体を複数の処理装置に供給するための複数の第１の配管と、複数の第１の配管にそれぞれ設けられ、流路を開閉するための複数の第１の開閉手段と、複数の処理装置に共通に設けられ、気体を発生させる第３の気体発生装置と、第３の気体発生装置に接続される第４の配管と、第４の配管と複数の第１の開閉手段の下流側における複数の第１の配管の部分との間にそれぞれ接続される複数の第５の配管と、複数の第５の配管にそれぞれ設けられ、流路を開閉するための複数の第４の開閉手段とを備え、複数の第１の配管は、複数の第１の気体発生装置が、互いに異なる処理装置に接続されるように構成されるものである。

その気体供給システムにおいては、複数の第１の開閉手段が開放状態でありかつ第４の開閉手段が閉止状態である場合に、複数の第１の気体発生装置で発生された気体が複数の第１の配管を通して複数の処理装置にそれぞれ供給される。この状態で、複数の第１の気体発生装置のいずれかの異常に起因していずれかの処理装置における処理に不具合が発生した場合に、いずれの第１の気体発生装置に異常が発生したかを容易に特定することができる。したがって、メンテナンスを行うべき第１の気体発生装置を容易に特定することができる。

この場合、異常が発生した第１の気体発生装置に対応する第１の開閉手段を閉止状態にしかつ第４の開閉手段を開放状態にすることにより、異常が発生した第１の気体発生装置から不具合が発生した処理装置への気体の供給を停止することができるとともに、第３の気体発生装置から第４および第５の配管を通して不具合が発生した処理装置に気体を供給することができる。したがって、異常が発生した第１の気体発生装置のメンテナンスを行いつつ、その第１の気体発生装置の異常に起因する不具合が発生した処理装置において処理を続行することができる。

（７）気体供給システムは、複数の第１の開閉手段および複数の第４の開閉手段の開閉動作を制御する制御手段をさらに備え、制御手段は、複数の第１の配管のうち一の第１の配管に設けられた第１の開閉手段を閉止状態にした場合、一の第１の配管に接続される処理装置に第３の気体発生装置から気体が供給されるように一の第１の配管に対応する第４の開閉手段を開放状態にするように構成されてもよい。

この場合、制御手段により、複数の第１の配管のうち一の第１の配管に設けられた第１の開閉手段が閉止状態にされた場合、一の第１の配管に接続される処理装置に第３の気体発生装置から気体が供給されるように一の第１の配管に対応する第４の開閉手段が開放状態にされる。したがって、異常が発生した第１の気体発生装置から処理装置への気体の供給が停止されるとともに、第３の気体発生装置からその処理装置へ気体が供給される。

（８）制御手段は、一の第１の配管に設けられた第１の開閉手段を閉止状態にした場合、一の第１の配管に対応する第４の開閉手段の上流側の圧力が下流側の圧力よりも高くなったときに一の第１の配管に対応する第４の開閉手段を開放状態にするように構成されてもよい。

この場合、第１の気体発生装置の異常に起因する不具合が発生した処理装置から第３の気体発生装置へ気体が逆流することが確実に防止される。

（９）制御手段は、一の第１の配管に対応する第４の開閉手段を開放状態にした場合、第４の配管内の圧力が予め定められた値よりも低い場合に、一の第１の配管に接続される処理装置に他の第１の配管に接続される第１の気体発生装置から気体が供給されるように他の第１の配管に対応する第４の開閉手段を開放状態にするように構成されてもよい。

この場合、制御手段により、複数の第１の配管のうち一の第１の配管に対応する第４の開閉手段が開放状態にされた場合、第４の配管内の圧力が予め定められた値よりも低い場合に、一の第１の配管に接続される処理装置に他の第１の配管に接続される第１の気体発生装置から気体が供給されるように他の第１の配管に対応する第４の開閉手段が開放状態にされる。これにより、第３の気体発生装置から不具合が発生した処理装置への気体の供給能力が不足している場合に、他の第１の気体発生装置からその処理装置へ自動的に気体が供給される。その結果、第３の気体発生装置の供給能力を他の第１の気体発生装置により補うことができる。

（１０）制御手段は、一の第１の配管に対応する第４の開閉手段を開放状態にした場合、他の第１の配管に対応する第４の開閉手段の上流側の圧力が下流側の圧力よりも高くなったときに他の第１の配管に対応する第４の開閉手段を開放状態にするように構成されてもよい。

この場合、第１の気体発生装置の異常に起因する不具合が発生した処理装置かから正常な第１の気体発生装置へ気体が逆流することが確実に防止される。

本発明によれば、メンテナンスを行うべき第１の気体発生装置を容易に特定することができる。また、異常が発生した第１の気体発生装置のメンテナンスを行いつつ、その第１の気体発生装置の異常に起因する不具合が発生した処理装置において処理を続行することができる。その結果、不具合が発生した部位の特定が容易になることにより異常発生時の第１の気体発生装置のメンテナンスの効率を向上させることが可能になるとともに複数の処理装置での気体を用いた処理の効率の低下を防止することが可能になる。

第１の実施形態に係るフッ素ガス供給システム構成を示す模式図である。第１の実施形態に係るフッ素ガス供給システムにおける制御系の一部を示すブロック図である。第１の実施形態に係る制御装置による供給経路切替処理のフローチャートである。第２の実施形態に係るフッ素ガス供給システムの構成を示す模式図である。第２の実施形態に係るフッ素ガス供給システムにおける制御系の一部を示すブロック図である。第２の実施形態に係る制御装置による供給経路切替処理のフローチャートである。第３の実施形態に係るフッ素ガス供給システムの構成を示す模式図である。第３の実施形態に係るフッ素ガス供給システムにおける制御系の一部を示すブロック図である。第３の実施形態に係る制御装置による供給経路切替処理のフローチャートである。

以下、本発明の一実施の形態に係る気体供給システムについて図面を参照しながら説明する。以下の実施の形態においては、気体供給システムの一例として、フッ素ガスを発生するフッ素ガス供給システムについて説明する。

（１）第１の実施の形態
（１−１）フッ素ガス供給システムの構成
図１は、第１の実施の形態に係るフッ素ガス供給システム１００の構成を示す模式図である。図１に示すように、フッ素ガス供給システム１００は、複数のフッ素ガス供給系１００ａおよび制御装置９０を備える。各フッ素ガス供給系１００ａは、複数（本例では８つ）のＣＶＤ（化学気相成長）装置を含むＣＶＤ装置群１００ｂに接続される。

各フッ素ガス供給系１００ａは、フッ素ガス発生装置５０を含む。フッ素ガス発生装置５０はフッ素ガス発生部１およびバッファタンク２を有する。フッ素ガス発生部１とバッファタンク２とは配管３を介して接続される。

各フッ素ガス発生部１は、例えばＫＦ−ＨＦ系混合溶融塩からなる電解浴が形成された電解槽を備える。電解槽内でＨＦ（フッ化水素）の電気分解が行われることにより、フッ素ガスが発生する。フッ素ガス発生部１で発生したフッ素ガスは配管３を通してバッファタンク２に送られ、貯蔵される。なお、配管３に開閉バルブが介挿されてもよい。この場合、フッ素ガス発生部１からバッファタンク２へのフッ素ガスの供給のタイミングを制御することができるとともに、バッファタンク２からフッ素ガス発生部１へのフッ素ガスの逆流を防止することができる。

各フッ素ガス発生装置５０には、異常検知センサ１１が取り付けられる。異常検知センサ１１は、フッ素ガス発生装置５０の異常を検出する。フッ素ガス発生装置５０の異常としては、例えば外部へのフッ素ガスの漏洩または電気系統の異常等がある。

各フッ素ガス発生装置５０のバッファタンク２に、配管４の一端部が接続される。配管４には、開閉バルブ３ｂが介挿される。また、開閉バルブ３ｂの一方側および他方側における配管４の部分に圧力計５ａ，５ｂがそれぞれ取り付けられる。

配管４の他端部は、複数（本例では８つ）の配管７に分岐する。各配管７がＣＶＤ装置群１００ｂのＣＶＤ装置８に接続される。

隣り合うフッ素ガス供給系１００ａの配管４は、配管４ａにより互いに接続される。これにより、複数のフッ素ガス供給系１００ａが配管４，４ａを介して互いに接続される。各配管４ａには、開閉バルブ３ｃが介挿される。また、開閉バルブ３ｃの一方側および他方側における配管４ａの部分に圧力計５ｃ，５ｄがそれぞれ取り付けられる。

各ＣＶＤ装置８においては、フッ素ガスを用いて基板の処理が行われる。各ＣＶＤ装置８には、異常検知センサ１０が取り付けられる。異常検知センサ１０は、ＣＶＤ装置８内における基板の金属汚染の発生を検出する。

制御装置９０は、ＣＰＵ（中央演算処理装置）およびメモリまたはマイクロコンピュータを含み、フッ素ガス供給システム１００の各構成要素の動作を制御する。本実施の形態では、金属汚染の発生時に、制御装置９０によりフッ素ガスの供給経路が切り替えられる。制御装置９０の制御動作の詳細については後述する。

ここで、ＣＶＤ装置８における金属汚染の発生原因について説明する。フッ素ガス発生装置５０内の部品または配管４，４ａの老朽化等により、フッ素ガス発生装置５０内または配管４，４ａ内で金属が露出する場合がある。フッ素ガス発生装置５０内または各配管４，４ａ内でフッ素ガスと金属とが反応することにより、金属フッ化物が生成される。この場合、金属フッ化物がフッ素ガスと共にＣＶＤ装置８に供給される。これにより、ＣＶＤ装置８において、金属フッ化物を含むフッ素ガスが基板に供給され、基板の金属汚染が発生する。このように、フッ素ガス供給系１００ａの異常に起因してＣＶＤ装置８で金属汚染が発生する。したがって、金属汚染の発生時には、フッ素ガス発生装置５０内および各配管４，４ａのメンテナンスを行う必要がある。ここで、メンテナンスとは、清掃または部品交換等を含む。

（１−２）フッ素ガス供給システムの制御系
図２は、図１のフッ素ガス供給システム１００における制御系の一部を示すブロック図である。図２に示すように、制御装置９０には、圧力計５ａ〜５ｄおよび異常検知センサ１０，１１の出力信号が与えられる。制御装置９０は、圧力計５ａ〜５ｄおよび異常検知センサ１０，１１から与えられる出力信号に基づいて、開閉バルブ３ｂ，３ｃを制御する。

（１−３）開閉バルブの制御
本実施の形態ではフッ素ガス供給システム１００の動作時に、制御装置９０により以下の供給経路切替処理が行われる。これにより、フッ素ガス供給系１００ａが正常である場合とフッ素ガス供給系１００ａに異常が発生した場合とでフッ素ガスの供給経路が切り替えられる。

全てのフッ素ガス供給系１００ａが正常に動作している場合、全ての開閉バルブ３ｂが開かれるとともに、全ての開閉バルブ３ｃが閉じられる。それにより、全てのフッ素ガス供給系１００ａのフッ素ガス発生装置５０により発生されたフッ素ガスが配管４，７を通して複数のＣＶＤ装置８に供給される。

なお、各フッ素ガス供給系１００ａにおいて、フッ素ガス発生装置５０から複数のＣＶＤ装置８へのフッ素ガスの供給を開始する際には、圧力計５ａの計測値が圧力計５ｂの計測値よりも高くなった状態で開閉バルブ３ｂが開かれる。これにより、フッ素ガスがフッ素ガス発生装置５０に逆流することが防止される。

一方、いずれかのフッ素ガス供給系１００ａにおいて異常が発生した場合、対応する開閉バルブ３ｂが選択的に閉じられるとともに、対応する開閉バルブ３ｃが選択的に開かれる。これにより、正常なフッ素ガス供給系１００ａのフッ素ガス発生装置５０により発生されたフッ素ガスが配管４ａを通して異常なフッ素ガス供給系１００ａに接続された複数のＣＶＤ装置８に供給される。

以下、制御装置９０による供給経路切替処理について詳細に説明する。図３は、第１の実施の形態におけるフッ素ガス供給システム１００の制御装置９０による供給経路切替処理のフローチャートである。本例では、初期状態として全てのフッ素ガス供給系１００ａが正常に動作している。すなわち、全ての開閉バルブ３ｂが開かれるとともに、全ての開閉バルブ３ｃが閉じられている。また、以下の説明においては、正常なフッ素ガス供給系１００ａを正常供給系１００ａと呼び、異常が発生したフッ素ガス供給系１００ａを異常供給系１００ａと呼ぶ。

図３に示すように、まず、制御装置９０は、いずれかの異常検知センサ１０によってＣＶＤ装置８内で金属汚染が検出されたか否かを判定する（ステップＳ１）。

金属汚染が検出されない場合、制御装置９０は、いずれかの異常検知センサ１１によってフッ素ガス発生装置５０の異常が検出されたか否かを判定する（ステップＳ２）。フッ素ガス発生装置５０の異常が検出されない場合、制御装置９０は、ステップＳ１の処理に戻る。

ステップＳ１で金属汚染が検出された場合、またはステップＳ２でフッ素ガス発生装置５０の異常が検出された場合、制御装置９０は、異常が発生したフッ素ガス供給系１００ａ（異常供給系１００ａ）の開閉バルブ３ｂを閉じる（ステップＳ３）。これにより、異常供給系１００ａのフッ素ガス発生装置５０からＣＶＤ装置８へのフッ素ガスの供給が停止される。

次に、制御装置９０は、異常供給系１００ａに隣り合う２つのフッ素ガス供給系１００ａのうち一方を選択する（ステップＳ４）。異常供給系１００ａに隣り合う２つのフッ素ガス供給系１００ａがともに正常に動作している場合、制御装置９０は、例えば予め記憶された優先順位に基づいて一方のフッ素ガス供給系１００ａを選択する。

一方のフッ素ガス供給系１００ａのみが正常に動作している場合、制御装置９０は、正常に動作しているフッ素ガス供給系１００ａ（正常供給系１００ａ）を選択する。

次に、制御装置９０は、異常供給系１００ａとステップＳ４で選択した正常供給系１００ａとの間の配管４ａに設けられた圧力計５ｃ，５ｄの計測値を比較する。そして、制御装置９０は圧力計５ｃ，５ｄのうちの正常供給系１００ａ側に配置された圧力計の計測値（以下、正常側圧力値Ｐ３と呼ぶ）が、異常供給系１００ａ側に配置された圧力計の計測値（以下、異常側圧力値Ｐ４と呼ぶ）よりも高いか否かを判定する（ステップＳ５）。

例えば、図１において、上段に示されるフッ素ガス供給系１００ａにおいて異常が発生し、下段に示されるフッ素ガス供給系１００ａが正常に動作している場合、制御装置９０は、圧力計５ｄの計測値が圧力計５ｃの計測値よりも高いか否かを判定する。

この場合、上記のように、異常供給系１００ａにおいては、フッ素ガス発生装置５０からのフッ素ガスの供給が停止されている。そのため、徐々に異常側圧力値Ｐ４が低下し、正常側圧力値Ｐ３が異常側圧力値Ｐ４よりも高くなる。

正常側圧力値Ｐ３が異常側圧力値Ｐ４以下である場合、制御装置９０は、正常側圧力値Ｐ３が異常側圧力値Ｐ４よりも高くなるまで待機する。正常側圧力値Ｐ３が異常側圧力値Ｐ４よりも高くなると、制御装置９０は、異常供給系１００ａとステップＳ４で選択された正常供給系１００ｂとの間の配管４ａに設けられた開閉バルブ３ｃを開く（ステップＳ６）。

この場合、正常供給系１００ａから配管４ａを通して異常供給系１００ａに接続された複数のＣＶＤ装置８にフッ素ガスが供給される。また、正常側圧力値Ｐ３が異常側圧力値Ｐ４よりも高くなった状態で開閉バルブ３ｃが開かれるので、異常供給系１００ａから正常供給系１００ａにフッ素ガスが逆流することが防止される。それにより、金属フッ化物を含むフッ素ガスが正常供給系１００ａに進入することが防止される。その後、制御装置９０は、ステップＳ１の処理に戻る。

このように、いずれかのフッ素ガス供給系１００ａに起因する金属汚染が発生した場合、およびいずれかのフッ素ガス供給系１００ａにおいてフッ素ガス発生装置５０の異常が発生した場合、その異常供給系１００ａの開閉バルブ３ｂが閉じられるとともに、その異常供給系１００ａに接続される配管４ａの開閉バルブ３ｃが開かれる。

それにより、異常供給系１００ａにより発生されたフッ素ガスの供給が停止されるとともに、正常供給系１００ａのフッ素ガス発生装置５０により発生されたフッ素ガスが異常供給系１００ａに接続された複数のＣＶＤ装置８に供給される。

この状態で、異常供給系１００ａのフッ素ガス発生装置５０のメンテナンスが行われる。異常供給系１００ａが正常な状態に復旧すると、ステップＳ６で開かれた開閉バルブ３ｃが閉じられ、ステップＳ３で閉じられた開閉バルブ３ｂが開かれる。この場合、圧力計５ａの計測値が圧力計５ｂの計測値よりも高くなった状態で開閉バルブ３ｂが開かれる。それにより、フッ素ガスがフッ素ガス発生装置５０に逆流することが防止される。

（１−４）効果
第１の実施の形態に係るフッ素ガス供給システム１００においては、全てのフッ素ガス供給系１００ａが正常である場合、１つのフッ素ガス発生装置５０から複数のＣＶＤ装置８にフッ素ガスがそれぞれ供給される。この場合、いずれかのＣＶＤ装置８において金属汚染が発生した場合に、メンテナンスを行うべき異常供給系１００ａを容易に特定することができる。したがって、正常供給系１００ａのフッ素ガス発生装置５０を稼動させた状態で、異常供給系１００ａのフッ素ガス発生装置５０のメンテナンスを効率よく行うことができる。

また、いずれかのフッ素ガス供給系１００ａで異常が発生した場合、その異常供給系１００ａのフッ素ガス発生装置５０からＣＶＤ装置８へのフッ素ガスの供給が停止されるとともに、正常供給系１００ａのフッ素ガス発生装置５０により発生されたフッ素ガスが異常供給系１００ａに接続されたＣＶＤ装置８に供給される。

そのため、異常供給系１００ａに接続された複数のＣＶＤ装置８に継続的にフッ素ガスを供給しつつ、異常供給系１００ａのメンテナンスを行うことができる。その結果、異常供給系１００ａに接続された複数のＣＶＤ装置８における基板の処理を中断することなく、異常供給系１００ａを正常な状態に復旧させることができる。

また、異常の発生によってフッ素ガスの供給経路が切り替えられた状態でも、各ＣＶＤ装置８には１つのフッ素ガス発生装置５０からフッ素ガスが供給される。それにより、その状態でさらにいずれかのＣＶＤ装置８において金属汚染が発生した場合でも、メンテナンスを行うべき異常供給系１００ａを容易に特定することができる。したがって、効率よく異常供給系１００ａのメンテナンスを行うことができる。

（１−５）他の制御例
図３の例では、いずれかのフッ素ガス供給系１００ａで異常が発生した場合、その異常供給系１００ａに隣り合う２つのフッ素ガス供給系１００ａのうち一方のフッ素ガス供給系１００ａから異常供給系１００ａにフッ素ガスが供給される。この場合、異常供給系１００ａに隣り合う２つのフッ素ガス供給系１００ａがともに正常であれば、その両方の正常供給系１００ａから異常供給系１００ａにフッ素ガスが供給されてもよい。それにより、異常供給系１００ａに接続されたＣＶＤ装置８に十分なフッ素ガスが供給される。

（２）第２の実施の形態
本発明の第２の実施の形態に係るフッ素ガス供給システム１００について、上記第１の実施の形態のフッ素ガス供給システム１００と異なる点を説明する。

（２−１）フッ素ガス供給システムの構成
図４は、第２の実施の形態に係るフッ素ガス供給システム１００の構成を示す模式図である。図４に示すように、第２の実施の形態に係るフッ素ガス供給システム１００は、バックアップ用のフッ素ガス発生装置４０を備える。フッ素ガス発生装置４０は、フッ素ガス発生装置５０と同様の構成を有する。なお、フッ素ガス発生装置４０は、バッファタンク２を有さなくてもよい。

フッ素ガス発生装置４０には、配管４１が接続される。配管４１は複数のフッ素ガス供給系１００ａにそれぞれ対応する複数の配管４２に分岐する。配管４２には、開閉バルブ４２ａが介挿される。各配管４２は、各フッ素ガス供給系１００ａの複数のＣＶＤ装置８にそれぞれ対応する複数の配管７に接続される。

（２−２）フッ素ガス供給システムの制御系
図５は、図４のフッ素ガス供給システム１００における制御系の一部を示すブロック図である。図５に示すように、制御装置９０には、圧力計５ａ〜５ｄおよび異常検知センサ１０，１１から出力信号が与えられる。制御装置９０は、圧力計５ａ〜５ｄおよび異常検知センサ１０,１１から与えられる出力信号に基づいて、開閉バルブ３ｂ，３ｃ，４２ａを制御する。

（２−３）開閉バルブの制御
第２の実施の形態では、全てのフッ素ガス供給系１００ａが正常に動作している場合、全ての開閉バルブ３ｂが開かれるとともに、全ての開閉バルブ３ｃ，４２ａが閉じられる。それにより、全てのフッ素ガス供給系１００ａのフッ素ガス発生装置５０により発生されたフッ素ガスが配管４，７を通して複数のＣＶＤ装置８に供給される。

一方、いずれかのフッ素ガス供給系１００ａにおいて異常が発生した場合、対応する開閉バルブ３ｂが選択的に閉じられるともに、対応する開閉バルブ４２ａが選択的に開かれる。これにより、バックアップ用のフッ素ガス発生装置４０により発生されたフッ素ガスが配管４１，４２，７を通して異常供給系１００ａに接続された複数のＣＶＤ装置８に供給される。

図６は、第２の実施の形態に係るフッ素ガス供給システム１００の制御装置９０による供給経路切替処理のフローチャートである。なお、本実施の形態においては、初期状態として全てのフッ素ガス供給系１００ａが正常に動作しており、全ての開閉バルブ３ｂが開かれるとともに、全ての開閉バルブ３ｃ，４２ａが閉じられている。

図６のステップＳ１〜Ｓ３の処理は、図３のステップＳ１〜Ｓ３の処理と同様である。制御装置９０は、ステップＳ３で異常供給系１００ａの開閉バルブ３ｂを閉じた後、異常供給系１００ａに対応する開閉バルブ４２ａを開く（ステップＳ４ａ）。

この場合、フッ素ガス発生装置４０から配管４１，４２，７を通して、異常供給系１００ａに接続された複数のＣＶＤ装置８にフッ素ガスが供給される。その後、制御装置９０は、ステップ１の処理に戻る。

このように、いずれかのフッ素ガス供給系１００ａに起因して金属汚染が発生した場合、およびいずれかのフッ素ガス供給系１００ａにおいてフッ素ガス発生装置５０の異常が発生した場合、その異常供給系１００ａの開閉バルブ３ｂが閉じられるとともに、その異常供給系１００ａに接続された複数のＣＶＤ装置８に接続される配管４２の開閉バルブ４２ａが開かれる。

それにより、異常供給系１００ａのフッ素ガス発生装置５０により発生されたフッ素ガスの供給が停止されるとともに、バックアップ用のフッ素ガス発生装置４０により発生されたフッ素ガスが異常供給系１００ａに接続された複数のＣＶＤ装置８に供給される。

この状態で、異常供給系１００ａのメンテナンスが行われる。異常供給系１００ａが正常な状態に復旧すると、ステップＳ４ａで開かれた開閉バルブ４２ａが閉じられ、ステップＳ３で閉じられた開閉バルブ３ｂが開かれる。

（２−４）効果
第２の実施の形態に係るフッ素ガス供給システム１００においては、いずれかのフッ素ガス供給系１００ａに異常が発生した場合、その異常供給系１００ａのフッ素ガス発生装置５０から複数のＣＶＤ装置８へのフッ素ガスの供給が停止されるとともに、バックアップ用のフッ素ガス発生装置４０からその異常供給系１００ａに接続された複数のＣＶＤ装置８にフッ素ガスが供給される。そのため、異常供給系１００ａに接続された複数のＣＶＤ装置８に継続的にフッ素ガスを供給しつつ、異常供給系１００ａのメンテナンスを行うことができる。その結果、異常供給系１００ａに接続された複数のＣＶＤ装置８における基板の処理を中断することなく、異常供給系１００ａを正常な状態に復旧させることができる。

（２−５）他の制御例
上記第１の実施の形態と同様に、いずれかのフッ素ガス供給系１００ａで異常が発生した場合、対応する開閉バルブ３ｃが選択的に開かれることにより、正常供給系１００ａから異常供給系１００ａに接続された複数のＣＶＤ装置８にフッ素ガスが供給されてもよい。この場合、異常供給系１００ａに接続された複数のＣＶＤ装置８に十分な量のフッ素ガスが供給される。

（３）第３の実施の形態
第３の実施の形態に係るフッ素ガス供給システム１００について、上記第１の実施の形態のフッ素ガス供給システム１００と異なる点を説明する。

（３−１）フッ素ガス供給システムの構成
図７は、第３の実施の形態に係るフッ素ガス供給システム１００の構成を示す模式図である。図７に示すように、第３の実施の形態に係るフッ素ガス供給システム１００は、バックアップ用のフッ素ガス発生装置６０を備える。フッ素ガス発生装置６０は、フッ素ガス発生装置５０と同様の構成を有する。なお、フッ素ガス発生装置６０は、バッファタンク２を有さなくてもよい。フッ素ガス発生装置６０には、配管６５が接続される。また、各フッ素ガス供給系１００ａの配管４は、圧力計５ｂの下流側の位置で配管６１を介して配管６５に接続される。各配管６１には開閉バルブ６３が介挿される。配管６１との接続点よりも下流側における配管４の位置に開閉バルブ６４が介挿される。開閉バルブ６４と配管７との間の配管４の部分には、圧力計５ｊが取り付けられる。開閉バルブ６３と配管６５との間における配管６１の部分には圧力計５ｉが取り付けられる。

（３−２）フッ素ガス供給システムの制御系
図８は、図７のフッ素ガス供給システム１００における制御系の一部を示すブロック図である。図８に示すように、制御装置９０には、圧力計５ａ，５ｂ，５ｉ，５ｊおよび異常検知センサ１０,１１の出力信号が与えられる。制御装置９０は、圧力計５ａ，５ｂ,５ｉ，５ｊおよび異常検知センサ１０,１１から与えられる出力信号に基づいて、開閉バルブ３ｂ,６３，６４を制御する。

（３−３）開閉バルブの制御
第３の実施の形態では、全てのフッ素ガス供給系１００ａが正常に動作している場合、全ての開閉バルブ３ｂ，６４が開かれるとともに、全ての開閉バルブ６３が閉じられる。それにより、全てのフッ素ガス供給系１００ａのフッ素ガス発生装置５０により発生されたフッ素ガスが配管４，７を通して複数のＣＶＤ装置８に供給される。

一方、いずれかのフッ素ガス供給系１００ａにおいて異常が発生した場合、対応する開閉バルブ３ｂが選択的に閉じられるとともに、対応する開閉バルブ６３が選択的に開かれる。これにより、フッ素ガス発生装置６０により発生されたフッ素ガスが配管６５，６１，４，７を通して異常供給系１００ａに接続された複数のＣＶＤ装置８に供給される。

図９は、第３の実施の形態に係るフッ素ガス発生システム１００の制御装置９０による供給経路切替処理のフローチャートである。本実施の形態においては、初期状態として全てのフッ素ガス供給系１００ａが正常に動作しており、全ての開閉バルブ３ｂ，６４が開かれるとともに、全ての開閉バルブ６３が閉じられている。

図９のステップＳ１、Ｓ２の処理は、図３のステップＳ１、Ｓ２の処理と同様である。ステップＳ１でいずれかの異常検知センサ１０によってＣＶＤ装置８内で金属汚染が検出された場合、またはステップＳ２でいずれかの異常検知センサ１１によってフッ素ガス発生装置５０の異常が検出された場合、制御装置９０は異常供給系１００ａの開閉バルブ３ｂを閉じる（ステップＳ３ｂ）。これにより、異常供給系１００ａのフッ素ガス発生装置５０からのフッ素ガスの供給が停止される。

次に、制御装置９０は、異常供給系１００ａの配管６１に設けられた圧力計５ｉの計測値（以下、バックアップ側圧力値Ｐ５と呼ぶ）および異常供給系１００ａの配管４に設けられた圧力計５ｂの計測値（以下、異常側圧力値Ｐ６と呼ぶ）を比較する。

そして、制御装置９０は、バックアップ側圧力値Ｐ５が異常側圧力値Ｐ６よりも高いか否かを判定する（ステップＳ４ｂ）。

この場合、上記のように、異常供給系１００ａにおいては、フッ素ガス発生装置５０からのフッ素ガスの供給が停止されている。そのため、徐々に異常側圧力値Ｐ６が低下する。したがって、バックアップ側圧力値Ｐ５が異常側圧力値Ｐ６よりも高くなる。

バックアップ側圧力値Ｐ５が異常側圧力値Ｐ６以下である場合、制御装置９０は、バックアップ側圧力値Ｐ５が異常側圧力値Ｐ６よりも高くなるまで待機する。バックアップ側圧力値Ｐ５が異常側圧力値Ｐ６よりも高くなると、制御装置９０は異常供給系１００ａの開閉バルブ６３を開く（ステップＳ５ｂ）。

この場合、フッ素ガス発生装置６０から配管６５，６１，４，７を通して異常供給系１００ａに接続された複数のＣＶＤ装置８にフッ素ガスが供給される。また、バックアップ側圧力値Ｐ５が異常側圧力値Ｐ６よりも高くなった状態で、開閉バルブ６３が開かれるので、異常供給系１００ａから配管６５にフッ素ガスが逆流することが防止される。それにより、金属フッ化物を含むフッ素ガスがフッ素ガス発生装置６０に進入することが防止される。

次に、制御装置９０は配管６５内の圧力（以下、供給圧力値Ｐ７と呼ぶ）が予め定められたしきい値Ｔ１よりも高いか否かを判定する（ステップＳ６ｂ）。配管６５内の圧力としては、異常供給系１００ａの圧力計５ｊの計測値を用いてもよく、異常供給系１００ａの圧力計５ｂの計測値を用いてもよく、異常供給系１００ａの圧力計５ｉの計測値を用いてもよい。この場合、異常供給系１００ａに
接続された複数のＣＶＤ装置８にフッ素ガスが十分に供給されているか否かが判定される。供給圧力値Ｐ７がしきい値Ｔ１よりも高い場合、制御装置９０は、ステップＳ１の処理に戻る。

供給圧力値Ｐ７がしきい値Ｔ１以下である場合、制御装置９０は、例えば予め記憶された優先順位に基づいて、いずれかの正常供給系１００ａを選択する（ステップＳ７ｂ）。次に、制御装置９０は、選択した正常供給系１００ａの圧力計５ｂの計測値（以下、正常側圧力値Ｐ８と呼ぶ）と選択した正常供給系１００ａの圧力計５ｉの圧力値（以下、バックアップ側圧力値Ｐ９と呼ぶ）とを比較する。そして、制御装置９０は、正常側圧力値Ｐ８がバックアップ側圧力値Ｐ９よりも高いか否かを判定する（ステップＳ８ｂ）。

正常側圧力値Ｐ８がバックアップ側圧力値Ｐ９以下である場合、制御装置９０は、正常側圧力値Ｐ８がバックアップ側圧力値Ｐ９よりも高くなるまで待機する。正常側圧力値Ｐ８がバックアップ側圧力値Ｐ９よりも高くなると、制御装置９０は、ステップＳ７ｂで選択した正常供給系１００ａの配管６１に設けられた開閉バルブ６３を開く（ステップＳ９ｂ）。その後、制御装置９０は、ステップ１の処理に戻る。

この場合、正常供給系１００ａのフッ素ガス発生装置５０から配管４，６１，６５，４，７を通して異常供給系１００ａに接続された複数のＣＶＤ装置８にフッ素ガスが供給される。また、正常側圧力値Ｐ８がバックアップ側圧力値Ｐ９よりも高くなった状態で開閉バルブ６３が開かれるので、正常供給系１００ａにフッ素ガスが逆流することが防止される。

（３−４）効果
第３の実施の形態に係るフッ素ガス供給システム１００においては、いずれかのフッ素ガス供給系１００ａに異常が発生した場合、異常供給系１００ａのフッ素ガス発生装置５０からのフッ素ガスの供給が停止されるとともに、バックアップ用のフッ素ガス発生装置６０から異常供給系１００ａに接続された複数のＣＶＤ装置８にフッ素ガスが供給される。そのため、異常供給系１００ａに接続された複数のＣＶＤ装置８に継続的にフッ素ガスを供給しつつ、異常供給系１００ａのメンテナンスを行うことができる。その結果、異常供給系１００ａに接続された複数のＣＶＤ装置８における基板の処理を中断することなく、異常供給系１００ａを正常な状態に復旧させることができる。

なお、複数のフッ素ガス供給系１００ａに異常が生じた場合には、フッ素ガス発生装置６０から複数の異常供給系１００ａに接続された複数のＣＶＤ装置８にフッ素ガスが供給される。フッ素ガス発生装置６０におけるフッ素ガスの発生量は一定であるので、フッ素ガス発生装置６０から複数の異常供給系１００ａに接続された複数のＣＶＤ装置８にフッ素ガスが供給される場合、供給されるフッ素ガスが不足することがある。

そこで、本実施の形態では、ＣＶＤ装置８に供給されるフッ素ガスが不足している場合、正常供給系１００ａから異常供給系１００ａに接続された複数のＣＶＤ装置８にさらにフッ素ガスが供給される。これにより、複数のフッ素ガス供給系１００ａに異常が発生した場合でも、各異常供給系１００ａに接続された複数のＣＶＤ装置８に十分な量のフッ素ガスが供給される。

１または複数のフッ素ガス供給系１００ａに接続されたＣＶＤ装置群１００ｂにおいて、フッ素ガスを用いた処理を行わない場合、そのフッ素ガス供給系１００ａの開閉バルブ６４を閉じるとともに、そのフッ素ガス供給系１００ａの開閉バルブ６３および他のフッ素ガス供給系１００ａの開閉バルブ６３を開いてもよい。

この場合、ＣＶＤ装置群１００ｂにフッ素ガスを供給する必要がないフッ素ガス供給系１００ａから配管６１，６５，６１と通して他のフッ素ガス供給系１００ａにフッ素ガスを供給することができる。それにより、他のフッ素ガス供給系１００ａからＣＶＤ装置群１００ｂにより十分な量のフッ素ガスを供給することができる。

（４）請求項の各構成要素と実施の形態の各部との対応関係
以下、請求項の各構成要素と実施の形態の各部との対応関係の例について説明するが、本発明は下記の例に限定されない。

上記実施の形態においては、ＣＶＤ装置８が処理装置の例であり、フッ素ガス供給システム１００が気体供給システムの例であり、フッ素ガス発生装置５０が第１の気体発生装置の例であり、配管４，７が第１の配管の例であり、開閉バルブ３ｂが第１の開閉手段の例であり、配管４ａが第２の配管の例であり、開閉バルブ３ｃが第２の開閉手段の例であり、制御装置９０が制御手段の例であり、フッ素ガス発生装置４０が第２の気体発生装置の例であり、配管４１，４２が第３の配管の例であり、開閉バルブ４２ａが第３の開閉手段の例であり、フッ素ガス発生装置６０が第３の気体発生装置の例であり、配管６５が第４の配管の例であり、配管６１が第５の配管の例であり、開閉バルブ６３が第４の開閉手段の例である。

請求項の各構成要素として、請求項に記載されている構成または機能を有する他の種々の要素を用いることもできる。

本発明は、種々の処理装置への気体の供給に利用することができる。

１フッ素ガス発生部
４０，５０，６０フッ素ガス発生装置
２バッファタンク
３，４，４ａ，７，４１，４２，６１，６５配管
３ｂ，３ｃ，４２ａ，６３，６４開閉バルブ
５ａ，５ｂ，５ｃ，５ｄ，５ｉ，５ｊ圧力計
８ＣＶＤ装置
１０，１１異常検知センサ
９０制御装置
１００フッ素ガス供給システム
１００ａフッ素ガス供給系
１００ｂＣＶＤ装置群

Claims

気体を用いた処理を行う複数の処理装置に気体を供給する気体供給システムであって、
気体を発生させる複数の第１の気体発生装置と、
前記複数の第１の気体発生装置にそれぞれ接続され、前記複数の第１の気体発生装置により発生された気体を前記複数の処理装置に供給するための複数の第１の配管と、
前記複数の第１の配管にそれぞれ設けられ、流路を開閉するための複数の第１の開閉手段と、
各第１の配管と他の第１の配管との間に接続される第２の配管と、
前記第２の配管に設けられ、流路を開閉するための第２の開閉手段とを備え、
前記複数の第１の配管は、前記複数の第１の気体発生装置が、互いに異なる処理装置に接続されるように構成されることを特徴とする気体供給システム。
前記複数の第１の開閉手段および第２の開閉手段の開閉を制御する制御手段をさらに備え、
前記制御手段は、前記複数の第１の配管のうち一の第１の配管に設けられた第１の開閉手段を閉止状態にした場合、前記一の第１の配管に接続される処理装置に他の第１の配管に接続される第１の気体発生装置から気体が供給されるように前記第２の開閉手段を開放状態にするように構成されていることを特徴とする請求項１記載の気体供給システム。
前記制御手段は、前記一の第１の配管に設けられた第１の開閉手段を閉止状態にした場合、前記第２の開閉手段を上流側の圧力が下流側の圧力よりも高くなったときに前記第２の開閉手段を開放状態にするように構成されていることを特徴とする請求項２記載の気体供給システム。
気体を用いた処理を行う複数の処理装置に気体を供給する気体供給システムであって、
気体を発生させる複数の第１の気体発生装置と、
前記複数の第１の気体発生装置にそれぞれ接続され、前記複数の第１の気体発生装置により発生された気体を前記複数の処理装置に供給するための複数の第１の配管と、
前記複数の第１の配管にそれぞれ設けられ、流路を開閉するための複数の第１の開閉手段と、
前記複数の処理装置に共通に設けられ、気体を発生させる第２の気体発生装置と、
前記第２の気体発生装置により発生された気体を前記複数の処理装置にそれぞれ供給するための複数の第３の配管と、
前記複数の第３の配管にそれぞれ設けられ、流路を開閉するための複数の第３の開閉手段とを備え、
前記複数の第１の配管は、前記複数の第１の気体発生装置が、互いに異なる処理装置に接続されるように構成されることを特徴とする気体供給システム。
前記複数の第１の開閉手段および前記複数の第３の開閉手段の開閉動作を制御する制御手段をさらに備え、
前記制御手段は、前記複数の第１の配管のうち一の第１の配管に設けられた第１の開閉手段を閉止状態にした場合、前記一の第１の配管に接続される処理装置に前記第２の気体発生装置から気体が供給されるように前記一の第１の配管に対応する第３の開閉手段を開放状態にするように構成されていることを特徴とする請求項４記載の気体供給システム。
気体を用いた処理を行う複数の処理装置に気体を供給する気体供給システムであって、
気体を発生させる複数の第１の気体発生装置と、
前記複数の第１の気体発生装置にそれぞれ接続され、前記複数の第１の気体発生装置により発生された気体を前記複数の処理装置に供給するための複数の第１の配管と、
前記複数の第１の配管にそれぞれ設けられ、流路を開閉するための複数の第１の開閉手段と、
前記複数の処理装置に共通に設けられ、気体を発生させる第３の気体発生装置と、
前記第３の気体発生装置に接続される第４の配管と、
前記第４の配管と前記複数の第１の開閉手段の下流側における前記複数の第１の配管の部分との間にそれぞれ接続される複数の第５の配管と、
前記複数の第５の配管にそれぞれ設けられ、流路を開閉するための複数の第４の開閉手段とを備え、
前記複数の第１の配管は、前記複数の第１の気体発生装置が、互いに異なる処理装置に接続されるように構成されることを特徴とする気体供給システム。
前記複数の第１の開閉手段および前記複数の第４の開閉手段の開閉動作を制御する制御手段をさらに備え、
前記制御手段は、前記複数の第１の配管のうち一の第１の配管に設けられた第１の開閉手段を閉止状態にした場合、前記一の第１の配管に接続される処理装置に前記第３の気体発生装置から気体が供給されるように前記一の第１の配管に対応する第４の開閉手段を開放状態にするように構成されていることを特徴とする請求項６記載の気体供給システム。
前記制御手段は、前記一の第１の配管に設けられた第１の開閉手段を閉止状態にした場合、前記一の第１の配管に対応する第４の開閉手段の上流側の圧力が下流側の圧力よりも高くなったときに前記一の第１の配管に対応する第４の開閉手段を開放状態にするように構成されていることを特徴とする請求項７記載の気体供給システム。
前記制御手段は、前記一の第１の配管に対応する第４の開閉手段を開放状態にした場合、前記第４の配管内の圧力が予め定められた値よりも低い場合に、前記一の第１の配管に接続される処理装置に他の第１の配管に接続される第１の気体発生装置から気体が供給されるように前記他の第１の配管に対応する第４の開閉手段を開放状態にするように構成されていることを特徴とする請求項７または８記載の気体供給システム。
前記制御手段は、前記一の第１の配管に対応する第４の開閉手段を開放状態にした場合、前記他の第１の配管に対応する第４の開閉手段の上流側の圧力が下流側の圧力よりも高くなったときに前記他の第１の配管に対応する第４の開閉手段を開放状態にするように構成されていることを特徴とする請求項９記載の気体供給システム。