JP5432028B2 - 集束イオンビーム装置、チップ先端構造検査方法及びチップ先端構造再生方法 - Google Patents
集束イオンビーム装置、チップ先端構造検査方法及びチップ先端構造再生方法 Download PDFInfo
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Description
本発明に係る集束イオンビーム装置は、針状のチップと、チップにガスを供給するガス供給部と、チップ表面に吸着したガスをイオン化してイオンビームを引き出すためにチップとの間で電圧を印加する引出電極と、イオンビームの照射方向を調整するアライメント電極と、試料にイオンビームを集束させるレンズ系とを有する集束イオンビーム装置であり、電圧を変化させ、イオンビームの電流量を測定する電流測定部と、電流測定部で測定した測定データと標準データとを比較し、前記チップの良否判断処理する処理部とを有する。これにより、引出電圧を変化させたときの電流量を測定することができる。測定時と同じガス種、ガス圧力で先端構造が正常であるチップで測定した電流電圧の標準データと測定データとを比較することで、標準データとの差異が基準値よりも大きい場合は先端構造が正常ではないと判定することができる。
本実施形態の集束イオンビーム装置は、図1に示すように、針状のチップ1(エミッター)と、チップ1にガスを供給するイオン源用ガスノズル2とイオン源用ガス供給源3からなるガス供給部と、チップ1との間で電圧を印加し、チップ1の表面に吸着したガスをイオン化してイオンを引き出す引出電極4と、イオンを試料13に向けて加速させるカソード電極5からなるイオン銃部19を備えている。また針状のチップ1はチップ1を支持するフィラメント(図示せず)に電流を流すことにより加熱する機構を備えている。そして、イオン銃部19とレンズ系の間に配置された第二のアパーチャ10と、第二のアパーチャ10を移動させるアパーチャ駆動部110と、試料13にイオンビーム11を集束させる集束レンズ電極6と対物レンズ電極8からなるレンズ系を備えている。これによりイオン銃部19から放出されたイオンビーム11を制限することができる。また、集束レンズ電極6と対物レンズ電極8の間に開口部7aを有する第一のアパーチャ7を備えている。また、第一のアパーチャ7は開口径の異なる開口部を備えている(図示せず)。異なる大きさの開口径を選択し、ビーム軸の設置することで、通過するイオンビーム11のビーム量を調整することができる。そして、イオン銃部19を装置の外側からレンズ系に対して相対的に移動可能な調整機構20を備える。
電界電離型イオン源は、図2に示すように、イオン発生室21と、チップ1と、引出電極4と、冷却装置24とを備えている。
図1に示すように、イオン銃部19は、上記電界電離型イオン源と引出電極4を通過したイオン11aを試料13に向けて加速させるカソード電極5とを備えている。そして、イオン銃部19は調整機構20と接続されている。調整機構20は真空外部からイオン銃部19をレンズ系に対して相対的に移動する。これによりレンズ系に入射するイオンビーム11の位置を調整することができる。
レンズ系は、チップ1側から試料13側に向けて順に、イオンビーム11を集束する集束レンズ電極6と、イオンビーム11を絞り込む第一のアパーチャ7と、イオンビーム11の光軸を調整するアライナ(図示せず)と、イオンビーム11の非点を調整するスティグマ(図示せず)と、イオンビーム11を試料13に対して集束する対物レンズ電極8と、試料上でイオンビーム11を走査する偏向器(図示せず)とを備えて構成される。
ガス銃18は、試料13表面にデポジション膜の原料ガス(例えば、フェナントレン、ナフタレンなどのカーボン系ガス、プラチナやタングステンなどの金属を含有する金属化合物ガスなど)を原料容器からノズルを通して供給する構成になっている。
図3に示すように、チップ1と引出電極4との間に電圧を供給する電圧供給部27は、電圧制御部113により印加電圧値を制御する。また、第二のアパーチャ10は絶縁されており、電流測定部111に接続され、第二のアパーチャ10の閉塞部10bに照射されたイオンビーム11の電流量を測定することができる。また、電流測定部111は電圧制御部113を接続されており、印加電圧値をモニタする。これにより電流測定部111では、チップ1と引出電極4との間に印加した電圧と、そのときに照射されたイオンビーム11の電流量を測定することができる。
チップの先端構造がピラミッド構造を形成した正常なチップを標準試料として、標準データの測定を行う。正常なチップにヘリウムガスを供給し、チップと引出電圧4との間に引出電圧を印加してイオンビーム11を放出する。放出したイオンビーム11を電流測定部111に接続した第二のアパーチャ10に照射する。引出電圧を8kVから12kVまで0.2kVの間隔で徐々に増加させる。そのときに第二のアパーチャ10で検出したビーム電流量と引出電圧の関係を表示する。図5(a)は、引出電圧を横軸、第二のアパーチャ10で検出したイオンビーム11の電流量を縦軸とした正常チップの電流電圧の関係であり、標準データ54のような曲線になる。先端構造がピラミッド構造でないチップと正常なチップについて上記の電流測定によりデータを取得する。これより正常なチップの許容範囲の上限データ53aと下限データ53bを設定する。ここでは、10.5kVにおける上限データ53aと下限データ53bの幅は100pAである。
2…イオン源用ガスノズル
3…イオン源用ガス供給源
4…引出電極
5…カソード電極
6…集束レンズ電極
7…第一のアパーチャ
7a…開口部
8…対物レンズ電極
9…ガンアライメント
10…第二のアパーチャ
10a…開口部
11…イオンビーム
12…試料ステージ
13…試料
14…検出器
15…試料室
16…制御部
17…表示部
18…ガス銃
19…イオン銃部
20…調整機構
21…イオン発生室
24…冷却装置
25…ガス分子
27…電圧供給部
110…第二のアパーチャ駆動部
111…電流測定部
112…ブランキング電極
113…電圧制御部
114…測定データ処理部
115…ビーム測定電極
Claims (10)
- 針状のチップと、チップにガスを供給するガス供給部と、チップ表面に吸着したガスをイオン化してイオンビームを引き出すためにチップとの間で電圧を印加する引出電極と、イオンビームの照射方向を調整するアライメント電極と、試料にイオンビームを集束させるレンズ系とを有する集束イオンビーム装置において、
前記電圧を変化させ、前記イオンビームの電流量を測定する電流測定部と、
前記電流測定部で測定した測定データと標準データとを比較し、前記チップの良否判断処理する処理部と、を有する集束イオンビーム装置。 - 前記処理部でチップ不良と判断した場合に、前記チップの先端を再生処理するために前記チップを加熱するフィラメントを有する請求項1に記載の集束イオンビーム装置。
- 前記イオンビームの電流量を制限するために前記イオンビーム照射軸上に開口部を移動可能で、前記引出電極よりも前記試料側に配置されたアパーチャを有する請求項1または2に記載の集束イオンビーム装置。
- 前記アパーチャは、前記イオンビームの電流量を測定するための絶縁された閉塞部を有する請求項3に記載の集束イオンビーム装置。
- 前記イオンビームを前記試料に照射しないように偏向する前記引出電極よりも前記試料側に配置されたブランキング電極と、
前記ブランキング電極で偏向したイオンビームの電流量を測定するビーム測定電極と、を有する請求項1または2に記載の集束イオンビーム装置。 - 前記チップは第一の金属の上に第二の金属を被覆した構造である請求項1から5のいずれか一つに記載の集束イオンビーム装置。
- 前記第一の金属はタングステンまたはモリブデンであり、前記第二の金属は白金、パラジウム、イリジウム、ロジウム、金のいずれか一つである請求項6に記載の集束イオンビーム装置。
- 前記ガスは、アルゴン(Ar)、ヘリウム(He)、ネオン(Ne)、クリプトン(Kr)、キセノン(Xe)、水素(H2)、酸素(O2)、窒素(N2)のうちいずれか一つである請求項1から7のいずれか一つに記載の集束イオンビーム装置。
- イオン源ガスを供給し、電圧を印加し、先端部からイオンビームを照射するチップのチップ先端構造検査方法において、
前記電圧を変化させ、前記イオンビームを電流測定部に照射し、電流量を測定する電流測定工程と、
前記電圧と前記電流量の測定データと標準データとを比較し、前記チップの良否判断処理する処理工程と、からなるチップ先端構造検査方法。 - 請求項9に記載の前記処理工程で前記チップが不良であると判断した場合に、前記イオン源ガスを排気する排気工程と、
前記チップの先端を再生処理するために前記チップを加熱する加熱工程と、からなるチップ先端構造再生方法。
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