JP5428410B2 - Photomask and writing accuracy evaluation method - Google Patents
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Description
本発明は、周期性パターンを有する被検査体のパターンのムラを検査するムラ検査装置のムラ検出能力の評価する、評価用パターンに関するものである。また、その評価用パターンを被検査体へ描画させて、描画装置の精度を評価する評価用パターンに関するものである。 The present invention relates to an evaluation pattern for evaluating the unevenness detection capability of an unevenness inspection apparatus for inspecting unevenness of a pattern of an object to be inspected having a periodic pattern. The present invention also relates to an evaluation pattern for evaluating the accuracy of the drawing apparatus by drawing the evaluation pattern on the object to be inspected.
周期性パターンとは、所定形状の単位パターンが、一定の間隔において整列している集合体を称し、例えばライン状のパターンが所定のピッチで配列したストライプ状の周期性パターン、または矩形状のパターンが所定の周期で２次元的に配列したマトリクス状のパターン等が該当する。周期性パターンを有する被検査体としては、撮像デバイス及び表示デバイスの製造の際のフォトリソグラフィ処理の露光工程に用いられるフォトマスク、さらに撮像デバイスや表示デバイスに用いられるカラーフィルタなどが挙げられる。 The periodic pattern refers to an aggregate in which unit patterns of a predetermined shape are aligned at a constant interval, for example, a striped periodic pattern in which line-shaped patterns are arranged at a predetermined pitch, or a rectangular pattern Corresponds to a matrix pattern or the like arranged two-dimensionally with a predetermined period. Examples of the inspection object having a periodic pattern include a photomask used in an exposure process of a photolithography process in manufacturing an imaging device and a display device, and a color filter used in the imaging device and the display device.
このような周期性パターンをもつ被検査体において、その周期性に異常が発生しているとき、微妙なムラ欠陥として観測できる。そのようなムラ欠陥検出の検査を行う装置のムラ検出能力の評価や検出精度管理のために、基準を与えるための評価用パターンを有する標準サンプルが必要とされている。また、その評価用パターンを描画した結果を検査することで、描画装置の描画精度の評価をすることもできる。 In the inspection object having such a periodic pattern, when an abnormality occurs in the periodicity, it can be observed as a subtle uneven defect. A standard sample having an evaluation pattern for providing a reference is required for evaluation of unevenness detection capability and detection accuracy management of an apparatus for inspecting such unevenness defect detection. In addition, the drawing accuracy of the drawing apparatus can be evaluated by inspecting the result of drawing the pattern for evaluation.
周期性パターンを有する被検査体、例えばＣＣＤやＣＭＯＳなどの撮像デバイス用フォトマスクや各種表示装置などの表示デバイス用フォトマスクにおけるムラ欠陥は、周期的なピクセル（画素）のパターンのピッチずれや位置ずれやサイズずれといった変動が、規則的に配列して発生していることが原因であることが多い。そのため個々のパターン検査では発見することが困難で、周期性パターンを広い領域において観察した時に初めて認識できる欠陥である。 A nonuniformity defect in an inspection object having a periodic pattern, for example, a photomask for an imaging device such as a CCD or CMOS, or a photomask for a display device such as various display devices, is caused by a pitch deviation or a position of a periodic pixel pattern In many cases, the fluctuations such as deviation and size deviation are caused by regular arrangement. Therefore, it is difficult to find by individual pattern inspection, and is a defect that can be recognized only when a periodic pattern is observed in a wide area.
周期性パターンにおける従来のムラ検査では、同軸の透過照明や平面照明を用いて透過画像を撮像し、各々の画像での光強度を比較することによって正常部とムラ欠陥部の視認を行っている。しかし、正常部とムラ欠陥部における光の強度差は決して大きいわけではなく、得られる画像のコントラストは低い。そのため、コントラストの低い画像に対しその強度差の処理方法を工夫することでコントラストの向上を図り、ムラ欠陥部を抽出して検査を行っている（特許文献１参照）。 In the conventional unevenness inspection in the periodic pattern, a transmission image is captured using coaxial transmission illumination or planar illumination, and the normal part and the uneven defect part are visually recognized by comparing the light intensity in each image. . However, the difference in light intensity between the normal part and the mura defect part is not always large, and the contrast of the obtained image is low. For this reason, an improvement in contrast is devised by devising an intensity difference processing method for low-contrast images, and inspection is performed by extracting a mura defect portion (see Patent Document 1).
しかし、前記従来技術においては、格子状周期性パターンのブラックマトリクスのムラ、特に開口部の大きいブラックマトリクスのムラを撮像した画像において、正常部とムラ欠陥部でのコントラスト向上が期待できず、強度差の処理を工夫したとしても元画像のコントラストが低い画像の場合の検査では、目視での官能検査方法より低い検査能力しか達成できないという問題がある。 However, in the prior art, in an image obtained by capturing black matrix unevenness of a lattice-like periodic pattern, in particular, black matrix unevenness having a large opening, it is not possible to expect an improvement in contrast between a normal portion and a non-uniformity defect portion. Even if the difference processing is devised, the inspection in the case of an image with a low contrast of the original image has a problem that only a lower inspection ability than the visual sensory inspection method can be achieved.
近年、半導体回路の微細化や、微細でかつ高い輝度出力を目指した表示機器の開発、また高い感度をもつ撮像機器の開発により、これらの製品で使用される周期性パターンはいっそう微細化したり開口部比率が増大したりする傾向が進んでいる。将来的には、より開口部が大きく、より微細な形状の周期性パターンのムラ検査装置及びムラ検査方法が必要となる。すなわち、従来の光の振幅による光の強度（明るさ）の強弱のみの出力では限界がある。 In recent years, the periodic patterns used in these products have been further miniaturized and apertured due to the miniaturization of semiconductor circuits, the development of display devices aiming at fine and high luminance output, and the development of imaging devices with high sensitivity. There is a tendency for the ratio of parts to increase. In the future, a periodic pattern irregularity inspection apparatus and unevenness inspection method having a larger opening and a finer shape will be required. That is, there is a limit in the conventional output with only the intensity (brightness) of light based on the amplitude of light.
そこで、周期性のあるパターン、例えばブラックマトリクスに発生するムラ欠陥を安定的かつ高精度に検出することを目的として、例えば特許文献２の検査装置が提案された。特許文献２の検査装置は、照明光を被検査体に照射し、周期性パターンによって生じる透過回折光の画像を撮像して検査するというものである。周期性パターンの正常部では開口部の形状・ピッチが一定となるため互いに干渉し一定の方向に回折光を生じる。それに対し、ムラ欠陥部では開口部の形状、ピッチが不規則になるため、形状、ピッチに応じて種々の方向に、種々の強さで回折光が生じる。この検査装置では、正常部とムラ欠陥部における回折光強度コントラストの違いから、ムラ欠陥部を検出する方式をとっている。 Therefore, for example, an inspection apparatus disclosed in Patent Document 2 has been proposed for the purpose of stably and highly accurately detecting a periodic pattern, for example, a mura defect occurring in a black matrix. The inspection apparatus of Patent Document 2 irradiates an object to be inspected with illumination light, and picks up and inspects an image of transmitted diffracted light generated by a periodic pattern. In the normal part of the periodic pattern, the shape and pitch of the openings are constant, so that they interfere with each other and generate diffracted light in a certain direction. On the other hand, since the shape and pitch of the opening are irregular in the mura defect portion, diffracted light is generated with various intensities in various directions according to the shape and pitch. This inspection apparatus employs a method of detecting a mura defect portion from a difference in diffracted light intensity contrast between a normal portion and a mura defect portion.
フォトマスクは、透明基板上にクロム等の遮光膜やＡｒ−Ｆ、Ｋｒ−Ｆ等のハーフトーン膜が設けられ、これが選択的に除去されることで所定のパターンを形成して構成されたものが知られており、半導体回路、撮像デバイス及び表示デバイスなどの製造工程で用いられる。 A photomask is formed by providing a light-shielding film such as chromium and a halftone film such as Ar-F or Kr-F on a transparent substrate, and selectively removing this to form a predetermined pattern. Is known and used in the manufacturing process of semiconductor circuits, imaging devices, display devices and the like.
フォトマスクの製作にはまず、透明基板上に遮光膜（またはハーフトーン膜）を成膜したものにレジストを塗布する。次にレジスト上に描画装置で所定のパターンを描画する。その後、描画したレジスト膜を現像し、描画部と非描画部のどちらか一方を選択的に除去する。現像によって残されたレジスト膜をマスクとして遮光膜にパターン形状をエッチングし、その後残されたレジストを除去することでフォトマスクが完成する。エッチングの手法として、遮光膜に対して腐食性を有す液体を使用するウェットエッチングや、遮光膜に対し腐食性を有す気体によるドライエッチングが挙げられる。 For the production of a photomask, first, a resist is applied to a light-shielding film (or halftone film) formed on a transparent substrate. Next, a predetermined pattern is drawn on the resist by a drawing apparatus. Thereafter, the drawn resist film is developed, and either the drawing portion or the non-drawing portion is selectively removed. The pattern shape is etched into the light shielding film using the resist film left by development as a mask, and the remaining resist is removed thereafter to complete the photomask. Etching techniques include wet etching using a liquid that is corrosive to the light shielding film, and dry etching using a gas that is corrosive to the light shielding film.
フォトマスクにおいては、パターンを描画する際、一般的に電子ビーム描画装置やレーザビーム描画装置が用いられる。これらのパターン描画装置では、フォトマスク上の所定サイズの矩形領域（描画単位領域）内にあるパターンを描画したら、次の描画単位領域に移ってその中にあるパターンを描画する、というステップアンドリピート方式でフォトマスク全体のパターンを描画する。 In a photomask, an electron beam drawing apparatus or a laser beam drawing apparatus is generally used when drawing a pattern. In these pattern drawing devices, when a pattern within a rectangular area (drawing unit area) of a predetermined size on a photomask is drawn, the process moves to the next drawing unit area and draws the pattern therein. The pattern of the whole photomask is drawn by this method.
フォトマスクの描画工程では、ある描画単位領域と隣接する描画単位領域の境界部分において、数ｎｍオーダーで、ピッチずれ、サイズずれおよび位置ずれといった描画パターンの変動が連続して生じることが知られている。つまり、この描画単位領域の大きさの周期でムラ欠陥が発生する傾向があり、周期性パターン領域におけるムラ欠陥の発生様式、面内分布は、描画単位領域形状に依存するといってもよい。 In the photomask drawing process, it is known that fluctuations in the drawing pattern such as pitch deviation, size deviation, and position deviation continuously occur on the order of several nanometers at the boundary between a drawing unit area and an adjacent drawing unit area. Yes. In other words, the mura defect tends to occur in the period of the size of the drawing unit area, and the generation pattern and in-plane distribution of the mura defect in the periodic pattern area may depend on the drawing unit area shape.
フォトマスクにおいては、パターンの微細化が急速に進んでおり、特にＣＣＤやＣＭＯＳなどの撮像デバイス用フォトマスクにおいては、ウエハ転写時におけるピクセル（画素）の１周期が１μｍに迫るほどの勢いで微細化が進んでいる。 In photomasks, pattern miniaturization is rapidly progressing. Particularly in photomasks for imaging devices such as CCDs and CMOSs, one cycle of pixels at the time of wafer transfer is as fine as 1 μm. Is progressing.
このように、パターン自体は微細化しているのに対し、描画装置の各ステップの間で生じる、ピッチずれ、サイズずれ、位置ずれといった描画パターンの変動の大きさは、描画装置、または描画方法によって固有の大きさを持つ。従って、パターンのサイズに対して、描画装置の各ステップの間で生じる描画パターンの変動量は、相対的に大きなものとなってしまっている。 In this way, while the pattern itself is miniaturized, the magnitude of fluctuations in the drawing pattern, such as pitch deviation, size deviation, and position deviation, that occurs between each step of the drawing apparatus depends on the drawing apparatus or drawing method. Has a unique size. Therefore, the variation amount of the drawing pattern generated between each step of the drawing apparatus is relatively large with respect to the size of the pattern.
また、フォトマスクの場合、描画時だけではなく、レジスト現像の際の現像液や遮光膜のエッチングの際のエッチング液の濡れ性が局所的に異なることによって、パターンのサイズや形状が一部で変化し、ムラ欠陥となることが報告されている。 In addition, in the case of a photomask, the pattern size and shape are partly due to local differences in the wettability of the developing solution during resist development and the etching solution during etching of the light shielding film, not only during drawing. It has been reported to change and result in mura defects.
フォトマスクのムラ欠陥を検出するための検査装置のムラ欠陥検出能力を測る標準サンプルとして、フォトマスク上に周期的に配置されたパターンに、一定の割合でその周期性や単位パターン寸法を意図的にずらしてパターン形成したフォトマスクが提案されている。（特許文献３参照） As a standard sample for measuring the mura defect detection capability of an inspection device for detecting mura defects in photomasks, the periodicity and unit pattern dimensions are intentionally set to a pattern periodically arranged on the photomask. There has been proposed a photomask having a pattern formed by shifting the pattern. (See Patent Document 3)
しかし、実際のフォトマスクの製作においては、描画や現像といった工程を経ることで、上述の様にムラを発生させる原因が複合的に生じることがある。これにより単位パターン寸法の異常と、単位パターンの中心位置のずれが同時に起こるなど、複数のムラ欠陥モードが組み合わされたムラ欠陥が現れる場合がある。このように複雑に変動した単位パターンが、ムラ検査装置での検査によって、どのように検出されるのかを確かめる必要がある。 However, in the actual production of a photomask, the causes of unevenness as described above may occur in a complex manner through processes such as drawing and development. As a result, an irregularity of unit pattern dimensions and a deviation of the center position of the unit pattern may occur at the same time, and a mura defect in which a plurality of mura defect modes are combined may appear. It is necessary to confirm how such a unit pattern that varies in a complex manner is detected by inspection with the unevenness inspection apparatus.
以上のことからムラ検査装置において、周期性パターンに含まれるムラ欠陥や周期的ムラ欠陥の検出能力を評価する方法が要求され、そのための基準となる標準サンプルが必要となる。 From the above, in the unevenness inspection apparatus, a method for evaluating the detection capability of the unevenness defect included in the periodic pattern and the periodic unevenness defect is required, and a standard sample as a reference for that is required.
本発明は上記の様な問題に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、撮像デバイス用フォトマスクや表示デバイス用フォトマスクのように周期性のあるパターンをもつ被検査体のムラ欠陥を検出するためのムラ検査装置の、ムラ欠陥検出能力を評価することが可能な、評価用パターンおよびその評価用パターンを形成したフォトマスクを提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of the above-described problems, and an object of the present invention is to provide unevenness of an object to be inspected having a periodic pattern such as a photomask for an imaging device or a photomask for a display device. An object of the present invention is to provide an evaluation pattern and a photomask on which the evaluation pattern is formed, which can evaluate the unevenness defect detection capability of the unevenness inspection apparatus for detecting defects.
さらに、定期的に、描画装置でこの評価用パターンを描画したフォトマスクを作成し、また、ムラ検査装置で検査・評価することにより、描画装置の描画精度の定期的な管理ができるようにすることを目的とする。 Furthermore, by periodically creating a photomask on which the pattern for evaluation is drawn with a drawing apparatus and inspecting and evaluating with a non-uniformity inspection apparatus, it is possible to regularly manage the drawing accuracy of the drawing apparatus. For the purpose.
上記の課題を解決するため本発明の請求項１においては、周期性パターンの製作時に生じる、ムラ欠陥を擬似的に再現する評価パターンを描画したフォトマスクにおいて、
前記評価パターンは、パターン形成領域をＸおよびＹ方向に複数配置してなり、
前記パターン形成領域は正常部と変動部で構成されおり、
前記正常部は単位パターンを２次元配列状に配置するとともに、
前記変動部はムラ欠陥の原因となる前記正常部の単位パターンと比べてＸおよびＹ方向の寸法が異なる単位パターンを、同じくムラ欠陥の原因となる前記正常部の単位パターンの中心位置から同じ量位置ずれした位置に所定の列数で配置しており、かつ、隣接するパターン形成領域間で変動部の前記単位パターンのＸおよびＹ方向の寸法あるいは前記位置ずれ量のいずれかを段階的に変化する様に配置してなることを特徴とするフォトマスクとしたものである。
In order to solve the above-described problem, in
The evaluation pattern is formed by arranging a plurality of pattern formation regions in the X and Y directions,
The pattern formation region is composed of a normal part and a variable part,
Together with the normal portion arranges the unit of pattern in a two-dimensional array form,
The variation part has the same amount of unit patterns having different dimensions in the X and Y directions from the center position of the normal part unit pattern causing uneven defects, compared to the unit pattern of the normal part causing uneven defects. Arranged in a predetermined number of rows at positions that are misaligned, and stepwise changes either the size of the unit pattern in the X and Y directions or the amount of misalignment between adjacent pattern formation regions. The photomask is characterized by being arranged as described above.
また、本発明の請求項２においては、フォトマスクの描画装置において、請求項１に記載のフォトマスクを描画して、前記描画したフォトマスクを撮像し、前記フォトマスクの評価パターンの正常部と変動部の輝度差から、周期性パターンに含まれる欠陥の変動量を検出することを特徴とする描画装置の描画精度評価方法としたものである。
In the second aspect of the present invention, the drawing device off Otomasuku, by drawing a photomask according to
本発明の評価用パターンによれば、周期性のあるパターン、特に撮像デバイス用フォトマスクや表示デバイス用フォトマスクなどの被検査体を検査する検査装置において、複数種類のムラ欠陥が組み合わされて生じるムラの検出性能の評価、さらに、周期的に発生するムラの検出能力の評価が可能となる。また、ムラ検査装置の性能を定期的に評価・管理するための標準サンプルとして使用することで、検査装置の性能維持に有用である。 According to the evaluation pattern of the present invention, a periodic pattern, in particular, an inspection apparatus for inspecting an object to be inspected such as a photomask for an imaging device or a photomask for a display device, is caused by combining a plurality of types of unevenness defects. It is possible to evaluate the detection performance of unevenness, and to evaluate the ability to detect unevenness that occurs periodically. Moreover, it is useful for maintaining the performance of the inspection device by using it as a standard sample for periodically evaluating and managing the performance of the unevenness inspection device.
さらに、周期性パターンを描画する装置で、本発明の評価用パターンを定期的に描画し、ムラ検査装置で評価することにより、パターン製造工程の精度の評価・管理にも有用である。
Furthermore, by periodically drawing the evaluation pattern of the present invention with an apparatus for drawing a periodic pattern and evaluating it with a non-uniformity inspection apparatus, it is useful for evaluating and managing the accuracy of the pattern manufacturing process.
以下、本発明の評価用パターンおよびその評価用パターンを形成したフォトマスクの実施形態について説明する。 Hereinafter, embodiments of an evaluation pattern of the present invention and a photomask on which the evaluation pattern is formed will be described.
図１〜３は、本発明の実施形態の評価用パターンの基本構成である単位パターンを示す図である。評価用パターンの基本構成は、サイズが横ｘ、縦ｙの矩形状の単位パターン６５を、ｘ方向の周期ｄ１、ｙ方向の周期ｄ２で、二次元配列状に所定個数並べたものである。
1 to 3 are diagrams showing a unit pattern which is a basic configuration of an evaluation pattern according to an embodiment of the present invention. The basic configuration of the evaluation pattern is a predetermined number of
図１〜３においては説明を簡単にするため、この単位パターン６５を矩形状で表しているが、矩形以外の形状を単位パターンとしてもかまわない。例えばある種のフォトマスクでは、ウェハ上に直角部分を持つパターンを焼き付けたい場合に、フォトマスク上のその部分は直角の先端部分に小さな矩形を重ねたようなパターンとすることがあるが、そのような形状を単位パターンとしてもよい。
In order to simplify the description in FIGS. 1 to 3, the
この単位パターン６５をフォトマスクとして作成する場合には、透明で平らなガラスなどの基板上に、クロム等の遮光膜、または、Ａｒ−Ｆ、Ｋｒ−Ｆ等のハーフトーン膜のある領域とない領域を形成することにより、作成すればよい。遮光膜またはハーフトーン膜のある領域を、単位パターン６５の内部とするか外部とするかは、適宜選択可能である。
When the
図１は、正常な単位パターン６５のなかに、サイズが局所的に異なるＣＤ（Ｃｒｉｔｉｃａｌ Ｄｉｍｅｎｓｉｏｎ）ムラ欠陥を起こしている単位パターン６３がある場合を示す模式図である。ＣＤムラ欠陥の単位パターン６３は、サイズが横ｘ’、縦ｙ’の矩形状をしており、正常な単位パターン６５に比べてそのサイズが、（ｘ’−ｘ）、（ｙ’−ｙ）だけ異なっているものである。ただし単位パターン６３の周期は、単位パターン６５を同じで、ｘ方向の周期ｄ１、ｙ方向の周期ｄ２である。
FIG. 1 is a schematic diagram showing a case where a
図１では、ＣＤムラ欠陥を起こした単位パターン６３が２列である場合を示しているが、１列または３列以上であってもよい。 Although FIG. 1 shows a case where the unit pattern 63 causing the CD unevenness defect is two rows, it may be one row or three or more rows.
このＣＤムラ欠陥は、フォトマスクの製作においては、描画に使用する電子線やレーザビームの光学系の収差や、ある描画単位領域と隣接する描画単位領域がその境界部分において重複することなどがその原因として知られている。また、現像やウェットエッチングの際の、現像液またはエッチング液の濡れ性が局所的に異なることなどによっても生じる。さらにドライエッチングで遮光膜を加工する場合には、ガスの導入方向やガスを励起するプラズマの形状が均一でない場合に基板内でエッチング特性に変化が生じ、パターン寸法のムラに繋がることがある。 This CD unevenness defect is caused by, for example, the aberration of the electron beam or laser beam optical system used for drawing or the overlapping of a drawing unit area adjacent to a drawing unit area at the boundary in the production of a photomask. Known as the cause. Further, it also occurs due to local differences in the wettability of the developer or etchant during development or wet etching. Further, when the light shielding film is processed by dry etching, if the gas introduction direction or the shape of the plasma for exciting the gas is not uniform, the etching characteristics may change in the substrate, leading to uneven pattern dimensions.
以下では、単位パターンの寸法が変動する方向が、ｘ方向の場合をＣＤ−ｘ、ｙ方向の場合をＣＤ−ｙ、という欠陥モード名でそれぞれ呼ぶことにする。図１のようにｘ方向とｙ方向の両方に変動がある場合は、ＣＤ−ｘｙと呼ぶことにする。 Hereinafter, the direction in which the dimension of the unit pattern varies is referred to as a defect mode name CD-x when the direction is the x direction and CD-y when the direction is the y direction. When there is a change in both the x direction and the y direction as shown in FIG. 1, it is called CD-xy.
図２は、正常な単位パターン６５が規定周期で正しく配列しているなかに、規定周期の位置からずれるＩＰ（Ｉｍａｇｅ Ｐｌａｃｅｍｅｎｔ）ムラ欠陥を起こしている単位パターン６４がある場合を示す模式図である。ＩＰムラ欠陥の単位パターン６４は、本来あるべき位置からｘ方向にΔｄｘ、ｙ方向にΔｄｙだけずれた位置にある。ただし、単位パターン６４は、正常な単位パターン６５と同じサイズ（横ｘ、縦ｙ）の矩形状である。また単位パターン６４どうしの周期は、正常な単位パターン６５と同じ周期（ｘ方向の周期ｄ１、ｙ方向の周期ｄ２）である。
FIG. 2 is a schematic diagram showing a case where there is a
図２では、ＩＰムラ欠陥を起こした単位パターン６４が２列である場合を示しているが、１列または３列以上であってもよい。
FIG. 2 shows a case where the
このＩＰムラ欠陥は、フォトマスクの製作においては、ある描画単位領域と隣接する描画単位領域を描画する際の位置ずれによって起こるものであり、その原因としては、温度変化、外部磁場、振動などが知られている。 This IP unevenness defect is caused by misalignment in drawing a drawing unit area adjacent to a certain drawing unit area in the production of a photomask, and causes such as temperature change, external magnetic field, vibration, etc. Are known.
以下では、単位パターンの中心座標がずれる方向が、ｘ方向の場合をＩＰ−ｘ、ｙ方向の場合をＩＰ−ｙ、という欠陥モード名でそれぞれ呼ぶことにする。図２のようにｘ方向とｙ方向の両方にずれが生じる場合は、ＩＰ−ｘｙと呼ぶことにする。 Hereinafter, the direction in which the center coordinate of the unit pattern is shifted is referred to as a defect mode name IP-x when the direction is the x direction and IP-y when the direction is the y direction. When a shift occurs in both the x direction and the y direction as shown in FIG. 2, it is referred to as IP-xy.
図３は、正常な単位パターン６５が規定周期で正しく配列しているなかに、ＣＤムラ欠陥とＩＰムラ欠陥の両方を起こしている単位パターン６２がある場合を示す模式図である。すなわち、単位パターン６２は、サイズが横ｘ’、縦ｙ’の矩形状をしており、さらに、本来あるべき位置からｘ方向にΔｄｘ、ｙ方向にΔｄｙだけずれた位置にある。ただし、単位パターン６２どうしの周期は、正常な単位パターン６５と同じ周期（ｘ方向の周期ｄ１、ｙ方向の周期ｄ２）である。
FIG. 3 is a schematic diagram showing a case where there is a
図３では、ＣＤムラ欠陥およびＩＰムラ欠陥を起こした単位パターン６２が２列である場合を示しているが、１列または３列以上であってもよい。図３のように、ｘ方向とｙ方向の両方にＣＤムラ欠陥とＩＰムラ欠陥がある場合は、欠陥モードはＣＤ−ｘｙおよびＩＰ−ｘｙである。
Although FIG. 3 shows a case where the
図４は、以上で説明した所定個数の単位パターン（正常な単位パターン６５、ＣＤムラ欠陥またはＩＰムラ欠陥またはその両方を起こしている単位パターン６３、６４、６２）が形成されている、ひとまとまりのパターン形成領域６１の概略を示す模式図である。
FIG. 4 shows a group in which the predetermined number of unit patterns described above (
図４（ａ）のパターン形成領域６１中で、黒色表示している箇所は正常な単位パターン６５が形成されている正常部であることを模式的に示し、白色表示している箇所はムラ欠陥を起こしている単位パターン（６３、６４、６２のいずれか）が形成されている変動部であることを模式的に示している。白色表示箇所の太さは、ムラ欠陥を起こしている単位パターン（６３、６４、６２のいずれか）の列数の多さを模式的に表したものである。
In the
すなわち、図４（ａ）中のｂの部分は、図４（ｂ）に示したように正常な単位パターン６５が形成されている。また、図４（ａ）中のｃの部分は、図４（ｃ）に示したようにＣＤムラ欠陥の単位パターン６３が１列だけ形成されている。同様に図４（ａ）中のｄ，ｅの部分はそれぞれ、図４（ｄ）、図４（ｅ）に示したようにＣＤムラ欠陥の単位パターン６３の３列、５列が形成されている。
That is, a
なお、ある一つのパターン形成領域６１中にあるＣＤムラ欠陥の単位パターン６３は、形状とサイズ（ｘ’、ｙ’）が全て同じになるように形成されている。
The unit pattern 63 of the CD unevenness defect in a certain
図４（ｂ）〜（ｅ）では、ＣＤムラ欠陥の単位パターン６３が所定列数形成されている場合を例示しているが、ＩＰムラ欠陥の単位パターン６４や、ＣＤムラ欠陥とＩＰムラ欠陥の両方を起こしている単位パターン６２を形成することも可能である。その際も、ある一つのパターン形成領域６１中のムラ欠陥の単位パターン６４または６２は、形状とサイズ（ｘ’、ｙ’）、および位置ずれ量（Δｄｘ、Δｄｙ）が全て同じになるように形成する。
4B to 4E exemplify the case where the CD unevenness defect unit patterns 63 are formed in a predetermined number of columns, the IP unevenness
このように、ムラ欠陥を起こしている単位パターン（６３、６４、６２のいずれか）が所定列ずつ並んだ領域を、正常な単位パターン６５が正しく配列している領域を挟んで並べていくことにより、パターン形成領域６１を形成する。
In this way, by arranging the regions in which the unit patterns (any of 63, 64, 62) causing the mura defect are arranged in predetermined rows, with the regions in which the
なお、図４（ａ）においては、右側ほどムラ欠陥を起こしている単位パターンの列数が多い領域が来るように並んでいる場合を示しているが、必ずしもそのようにする必要はない。すなわち、右側ほど列数が少ない領域が来るようにしても良いし、列数とは全く関係のない順序で並べても良い。 Although FIG. 4A shows a case where the right side of the unit pattern in which the unevenness defect is generated is arranged so that the number of columns of the unit pattern is larger, it is not always necessary to do so. That is, an area with a smaller number of columns may be arranged on the right side, or may be arranged in an order that has nothing to do with the number of columns.
図５は、パターン形成領域６１を二次元配列状に所定個数並べた評価用パターンを、基板上に形成したフォトマスク６０の一例の概略構成を示したものである。
FIG. 5 shows a schematic configuration of an example of a
図５のフォトマスク６０においては、ｘ方向にａ１〜ａ６、ｙ方向にｂ１〜ｂ６の番号が振られたパターン形成領域６１が、６×６＝３６個形成されている。各パターン形成領域６１は、前述したように、ムラ欠陥を起こしている単位パターンが所定列ずつ並んだ領域（変動部）と、正常な単位パターン６５が正しく配列している領域（正常部）が交互に並んだ状態で構成されているものである。各パターン形成領域６１の配列数は、上記以外の数であってもかまわない。
In the
ここで、ａ１〜ａ６の各列は、同じ列内では同じ変動量のＣＤ−ｘ欠陥を有していて、その変動量がａ１列からａ６列に向かってだんだん大きくなるように設定されているものとする。また、ｂ１〜ｂ６の各行は、同じ行内では同じ変動量のＩＰ−ｘ欠陥を有していて、その変動量がｂ１行からｂ６行に向かってだんだん大きくなるように設定されているものとする。ａ１列はＣＤ−ｘ欠陥が発生していない（単位パターンのサイズの変動量が０）としたり、ｂ１行はＩＰ−ｘ欠陥が発生していない（単位パターンの位置ずれ量が０）としたりしてもよい。 Here, each of the columns a1 to a6 has the same variation amount of CD-x defects in the same column, and the variation amount is set to gradually increase from the a1 column toward the a6 column. Shall. Also, it is assumed that the rows b1 to b6 have the same amount of IP-x defect in the same row, and that the amount of variation gradually increases from the b1 row to the b6 row. . The a1 column has no CD-x defect (unit pattern size variation is 0), and the b1 row has no IP-x defect (unit pattern displacement is 0). May be.
図５のフォトマスク６０は、ｘ方向にＣＤ−ｘ、ｙ方向にＩＰ−ｘという欠陥モードの組み合わせのものを例にとして説明したが、他の欠陥モードの組み合わせとすることも可能である。すなわち、
ＣＤ−ｘとＣＤ−ｙ、ＩＰ−ｘとＩＰ−ｙ、ＣＤ−ｘとＩＰ−ｘ、ＣＤ−ｘとＩＰ−ｙ、ＣＤ−ｙとＩＰ−ｘ、ＣＤ−ｙとＩＰ−ｙ、
ＣＤ−ｘｙとＩＰ−ｘ、ＣＤ−ｘｙとＩＰ−ｙ、ＣＤ−ｘとＩＰ−ｘｙ、ＣＤ−ｙとＩＰ−ｘｙ、ＣＤ−ｘｙとＩＰ−ｘｙ、
などの組み合わせを適宜選択して評価用パターンを作成し使用すれば良い。また、ｘ方向とｙ方向に使う欠陥モードを入れ替えることも可能である。
The
CD-x and CD-y, IP-x and IP-y, CD-x and IP-x, CD-x and IP-y, CD-y and IP-x, CD-y and IP-y,
CD-xy and IP-x, CD-xy and IP-y, CD-x and IP-xy, CD-y and IP-xy, CD-xy and IP-xy,
An evaluation pattern may be created and used by appropriately selecting a combination. It is also possible to exchange the defect modes used in the x direction and the y direction.
なお、ムラ検査装置のムラ検出能力評価用の標準サンプルとして使用するためには、ムラ欠陥変動をより忠実に再現するために、周期性パターンの描画には高い精度が必要とされる。描画する周期性パターンに対し、変動量が少ない描画装置を使用するのが好ましい。描画する単位パターンの変動量の最小値より小さい描画解像度を有していることが必要である。 In order to use it as a standard sample for evaluating the unevenness detection capability of the unevenness inspection apparatus, high accuracy is required for drawing a periodic pattern in order to more accurately reproduce unevenness defect variation. It is preferable to use a drawing apparatus with a small amount of fluctuation with respect to the periodic pattern to be drawn. It is necessary to have a drawing resolution smaller than the minimum value of the fluctuation amount of the unit pattern to be drawn.
ここで、本発明の評価用パターンを形成したフォトマスクを検査するムラ検査装置１について説明する。図６は、ムラ検査装置１の主要部分を示した概略構成図である。
Here, the
図６に示す様に、ムラ検査装置１は透過照明部１０と、被検査体６０の位置決め動作および基板搬送動作が可能な検査ステージ部２０と、被検査体６０の位置決めを実施するためのアライメント用撮像部３０と、検査画像を取得する為の撮像部４０と、処理・制御部１００から構成されている。ここで、被検査体６０の基板面には周期性パターンが形成されている。ここで基板面とは被検査体６０の厚さ方向の一方に位置する面である。なお、本検査装置は外乱光や迷光を極力低減させた暗環境かつ被検査体への異物付着を防止するクリーン環境で稼動されることが望ましい。
As shown in FIG. 6, the
透過照明部１０では、円弧レール１１が設置されており、円弧レール１１には照明ヘッド１２が設けられており、光源１３からはライトガイド１４を用いて導光している。円弧レール１１上で照明ヘッド１２を駆動することによって被検査体６０の基板面に対して垂直方向の照射角度調整を可能としている（この駆動軸をφ軸と定義する）。円弧レール１１上のどの位置にあっても照明ヘッド１２は、検査ステージ部２０上の所定位置に照明光を照射することができる様に調整されており、これによって、検査ステージ部２０上の被検査体６０の基板面に対して、様々な照射角度からの透過照明が可能となっている。
In the transmitted
なお、照明ヘッド１２には平行光学系が設けられている。光源１３にはフィルタチェンジャー機構が設けられており、複数の波長選択フィルタを用いることが可能となっている。また、本実施形態では光源１３にはメタルハライドランプを用いており、動作時間に対する光量変動幅が１％以下で光量安定度が高いものを選定していることが特徴である。
The
照明ヘッド１２から周期性パターンを有す被検査体６０へ入射した光は、パターンのピッチや単位パターンの形状によって、様々な方向へ回折される。本ムラ検査装置１は、回折光の中から被検査体のパターン直上方向へ向かう透過回折光を選択的に検出する。
Light incident on the
被検査体のパターンにＣＤムラ欠陥やＩＰムラ欠陥などといった欠陥があれば、被検査体６０の単位パターンの開口部の形状や周期性が一様ではなくなる。回折は被検査体のパターンによって生じるものであるから、開口部の形状や周期性に欠陥がある場合、その部分から回折する光の強度が正常部と異なる。そのため回折光による像をカメラ４１で観察した場合、ムラ欠陥部と正常部とで輝度のコントラストに差が生じる。この輝度のコントラストをムラとして検出する機構となっている。正常部との輝度の違いによって可視化されたムラの数などに基づき、その被検査体のムラの程度を評価する。
If there is a defect such as a CD unevenness defect or an IP unevenness defect in the pattern of the inspection object, the shape and periodicity of the opening of the unit pattern of the
ムラ検査装置１を用いて、図５のようなフォトマスク６０中のパターン形成領域６１を撮像して検査した検査結果の一例を、図７に示す。図７（ａ）はパターン形成領域６１の模式図であり、パターン形成領域６１をムラ検査装置１によって撮像した画像の模式図を図７（ｂ）及び図７（ｃ）に示している。
FIG. 7 shows an example of an inspection result obtained by imaging and inspecting the
検査対象のパターン形成領域６１は図７（ａ）に示したように、ムラ欠陥を起こしている単位パターンの領域Ａ１〜Ａ５が形成されているものである。領域Ａ１〜Ａ５は、ムラ欠陥を起こしている単位パターンの列数が異なっており、Ａ１からＡ６に向かってだんだん列数が多くなるように設定されているものである。
As shown in FIG. 7A, the
図７（ａ）のパターン形成領域６１のムラ欠陥の欠陥モードは、例えば、図５と同じで、ｘ方向にＣＤ−ｘ、ｙ方向にＩＰ−ｘであるとする。撮像された画像が図７（ｂ）のようなものであった場合、ムラ欠陥のある単位パターンの列数は、領域Ａ４の列数以上でなければ、このムラ検査装置１では検出できないことがわかる。このことを模式的に表したものを図７（ｃ）に示す。
For example, the defect mode of the mura defect in the
さらに別のパターン形成領域６１であって、例えば、ｘ方向のＣＤ−ｘの変動量は同一だが、ｙ方向のＩＰ−ｘの変動量の値が小さいものを撮像した画像の模式図を図７（ｃ）とする。このとき、図７（ｃ）の画像から、その変動量の大きさのムラは、全く検出できないことが分かる。このようにしてムラ検査装置の検出限界を、ムラ欠陥の種類（欠陥モード）及びムラ欠陥の変動量で示すことができる。
FIG. 7 is a schematic diagram of an image obtained by imaging another
本発明の評価用パターンを有するフォトマスク６０を使った検査結果によって、ムラ検査装置のムラ検出性能の向上のための改善点を発見できる。例えばムラ検査機装置の検出能力の不足により、被検査体上に製作された変動部をムラ検査装置で検出できない場合を考える。例えば、変動部の欠陥の種類と変動量が同じでも、変動部の列数によって検出の可否が分かれる場合、撮像系の解像度の不足が原因として挙げられる。一方、変動部の欠陥の種類と列数は同じでも、変動量の違いによって検出の可否が分かれる場合、正常部と変動部の違いを検出する検査装置の検出機構の改良が必要であることが分かる。特許文献２のようなムラ検査装置においては、光学系の平行性を高めることで回折光の変動をより正確に強調した画像が捕らえられる。
From the inspection result using the
また、本発明の評価用パターンを複数の描画装置によって描画し、それらを同一の検査装置で検査することによって、描画装置の描画性能の比較評価ができる。そのためには描画装置の描画解像度に近い値でＣＤムラ欠陥やＩＰムラ欠陥の変動量を設定するのが効果的である。異なる製作工程で生じた被検査体の検査結果の違いはパターンの描画装置などの製造工程に起因するものである。これにより描画装置や現像工程の性能評価・管理に有用となる。 Further, by drawing the evaluation pattern of the present invention with a plurality of drawing devices and inspecting them with the same inspection device, the drawing performance of the drawing devices can be compared and evaluated. For this purpose, it is effective to set the variation amount of the CD unevenness defect or the IP unevenness defect with a value close to the drawing resolution of the drawing apparatus. The difference in the inspection result of the object to be inspected that occurs in different manufacturing processes is due to the manufacturing process of the pattern drawing apparatus or the like. This is useful for performance evaluation and management of the drawing apparatus and the development process.
製品としてのフォトマスクは全く同一の周期や単位パターン形状を持つものが複数の描画装置を用いて何枚も製作される場合は少ない。しかし、本発明のような評価用パターンで周期や単位パターン形状が統一されていれば、同じパターンを有する被検査体を異なる描画装置を用いて製作し、同一の検査装置で評価することで、機体差や工程の差を直接比較することができる。例えば２台の描画装置ＡとＢで描画した被検査体を比較し、設計では同じ変動量の評価用パターンが描画されているとしても、検査画像で変動部の輝度が異なったり、または一方のみ変動部が検出されなかったりする場合、変動部の単位パターンの変動量が異なっているという結論を導き出すこともできる。 There are few cases where a number of photomasks as products having exactly the same period and unit pattern shape are manufactured using a plurality of drawing apparatuses. However, if the period and unit pattern shape are unified in the pattern for evaluation as in the present invention, an object to be inspected having the same pattern is manufactured using different drawing devices, and evaluated by the same inspection device, It is possible to directly compare machine differences and process differences. For example, the test objects drawn by the two drawing devices A and B are compared, and even if the evaluation pattern having the same fluctuation amount is drawn in the design, the luminance of the fluctuation part is different in the inspection image or only one of them is drawn. If the fluctuation part is not detected, a conclusion that the fluctuation amount of the unit pattern of the fluctuation part is different can be drawn.
同一のムラ検査機において、同じ検査条件で、同一の正常部の周期で変動量の異なる評価用パターンを撮像することで、撮像した画像の正常部と変動部の輝度差から、周期性パターンに含まれる欠陥の変動量を画像の輝度の差から検出することができる。特に、欠陥の変動量を段階的に変化させている評価用パターンであれば、単位パターンの変動のずれ量を画像の輝度の差で比較できる。これにより、電子顕微鏡など高額な装置を使用せずとも、ムラ検査装置１の様な装置で広い面積を短時間で撮像し、変動部の単位パターンの変形量や位置の変動量を知ることが可能となる。
In the same unevenness inspection machine, by imaging the evaluation patterns with different fluctuation amounts in the same normal part cycle under the same inspection conditions, the brightness pattern between the normal part and the fluctuation part of the captured image is converted into a periodic pattern. It is possible to detect the fluctuation amount of the contained defect from the difference in luminance of the image. In particular, in the case of an evaluation pattern in which the amount of variation in defects is changed stepwise, the amount of variation in unit pattern variation can be compared based on the difference in image brightness. As a result, without using an expensive apparatus such as an electron microscope, a large area can be imaged in a short time with an apparatus such as the
以上で説明した本発明の実施形態の方法では、フォトマスクの描画装置による単位パターン寸法の変動を主眼としたＣＤムラ欠陥を描画しているが、レジストの塗布や現像、遮光膜のエッチングの際に生じるＣＤムラ欠陥を想定したムラ欠陥を含むパターン領域を追加しても良い。これらの欠陥分布は、レジストや現像液、ガスの供給方法や使用する装置の構成によって異なる。例えばレジストがマスクの一部で厚く塗布された場合、露光量の不足によって現像残渣が生じ、単位パターン寸法が変わってしまうことがある。この場合、ＣＤムラ欠陥の生じる領域はレジスト膜厚の分布に従うため、レジストがスピンコート方式によって供給された場合、ＣＤ変動はマスクの中心から同心円状の配置となる。 In the method of the embodiment of the present invention described above, the CD unevenness defect is drawn mainly by the fluctuation of the unit pattern size by the photomask drawing apparatus. However, the resist is applied or developed, and the light shielding film is etched. A pattern region including a mura defect that assumes a CD mura defect generated in the above process may be added. These defect distributions differ depending on the resist, developer, gas supply method, and the configuration of the apparatus used. For example, when the resist is applied thickly at a part of the mask, a development residue may be generated due to insufficient exposure, and the unit pattern size may change. In this case, since the region where the CD unevenness defect occurs follows the distribution of the resist film thickness, when the resist is supplied by the spin coating method, the CD variation is arranged concentrically from the center of the mask.
本発明の実施形態の評価用パターンでは、周期性パターンの製作時に実際に生じる、複数のムラ欠陥モードを組み合わせたムラを擬似的に再現できることにより、従来提案されていた単一のムラ欠陥モードにのみ着目したムラ検査用パターンよりも、ムラ検査装置のムラ検出能力の評価を詳細に実施することができる。また、描画装置や工程などで生じる単位パターン変動の原因を特定するのに有用である。さらに検査条件を統一することにより、単位パターンの変動量を検査画像の輝度から解析する手法として使用することができる。 In the pattern for evaluation of the embodiment of the present invention, it is possible to simulate the unevenness combining a plurality of uneven defect modes, which actually occurs during the production of the periodic pattern, so that a single uneven defect mode that has been conventionally proposed can be obtained. The unevenness detection capability of the unevenness inspection apparatus can be evaluated in more detail than the unevenness inspection pattern that focuses only on the image. It is also useful for identifying the cause of unit pattern fluctuations that occur in the drawing apparatus and process. Furthermore, by unifying the inspection conditions, it can be used as a method of analyzing the variation amount of the unit pattern from the luminance of the inspection image.
被検査体６０をムラ検査装置などの定期的な検出精度評価の標準サンプルとして使用する場合、パターンの劣化に配慮する必要がある。そのため、被検査体の表裏両面への塵の付着を避ける必要がある。被検査体がフォトマスクなど特に微細なパターンを有する被検査体であれば、ペリクル膜などを取り付け、クリーン環境で保管するのが望ましい。
When the
６０・・・被検査体
６１・・・被検査体のパターン形成領域
６２・・・ＣＤムラ欠陥とＩＰムラ欠陥の混合欠陥
６３・・・ＣＤムラ欠陥
６４・・・ＩＰムラ欠陥
６５・・・単位パターン（正常部）
１・・・ムラ検査装置
１０・・・透過照明部
１１・・・円弧レール
１２・・・照明ヘッド
１３・・・光源
１４・・・ライトガイド
２０・・・Ｘ−Ｙ−θステージ部
３０・・・アライメント用撮像部
３１・・・カメラ
３２・・・レンズ
３３・・・照明
３４・・・照明制御装置
４０・・・撮像部
４１・・・カメラ
４２・・・平行光学系
１００・・・処理・制御部
１０１・・・情報処理手段
１０２・・・信号入力装置
１０３・・・信号入力装置
１０４・・・表示手段
１０５・・・対人操作手段
60 ...
DESCRIPTION OF
Claims (2)
前記評価パターンは、パターン形成領域をＸおよびＹ方向に複数配置してなり、
前記パターン形成領域は正常部と変動部で構成されおり、
前記正常部は単位パターンを２次元配列状に配置するとともに、
前記変動部はムラ欠陥の原因となる前記正常部の単位パターンと比べてＸおよびＹ方向の寸法が異なる単位パターンを、同じくムラ欠陥の原因となる前記正常部の単位パターンの中心位置から同じ量位置ずれした位置に所定の列数で配置しており、かつ、隣接するパターン形成領域間で変動部の前記単位パターンのＸおよびＹ方向の寸法あるいは前記位置ずれ量のいずれかを段階的に変化する様に配置してなることを特徴とするフォトマスク。 In the photomask on which the evaluation pattern that simulates the mura defect generated in the production of the periodic pattern is drawn,
The evaluation pattern is formed by arranging a plurality of pattern formation regions in the X and Y directions,
The pattern formation region is composed of a normal part and a variable part,
Together with the normal portion arranges the unit of pattern in a two-dimensional array form,
The variation part has the same amount of unit patterns having different dimensions in the X and Y directions from the center position of the normal part unit pattern causing uneven defects, compared to the unit pattern of the normal part causing uneven defects. Arranged in a predetermined number of rows at positions that are misaligned, and stepwise changes either the size of the unit pattern in the X and Y directions or the amount of misalignment between adjacent pattern formation regions. A photomask characterized by being arranged in such a manner.
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