JP5424136B2 - 波長可変レーザ装置、光モジュールおよび波長可変レーザの制御方法 - Google Patents
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Description
本発明は、波長可変レーザ装置、光モジュールおよび波長可変レーザの制御方法に関する。
近年、急速なインターネットの普及に伴い、通信トラフィックの大容量化が求められている。この求めに応えて、システム単チャンネルあたりの伝送速度の向上、および波長分割多重(WDM:Wavelength Division Multiplexing)化によるチャンネル数の拡大が進んでいる。前記WDMは、異なる搬送波長(チャンネル)に割り当てられる複数の光信号を同時に伝送でき、チャンネル数に応じて通信容量を増大可能である。前記WDMでは、各チャンネル波長が十分に隔てられている。例えば、1チャンネルあたり10ギガビット/秒で変調して、100チャンネル分を1つの共通な光ファイバで伝送することによって、通信容量は1テラビット/秒に達する。
近年の中長距離光通信では、光ファイバ増幅器(EDFA:エルビウム・ドープ・ファイバ・アンプリファイヤ)で増幅することのできるC帯(1530〜1570nm)が、広く用いられている。前記WDMでは、例えば、光通信で用いられる100チャンネルに対して、それぞれに応じた100品種のレーザ装置が必要となる。このため、レーザ装置の在庫管理や棚卸し等のコストが増大する。この問題の解決のために、中長距離通信では、前述のC帯を1台のレーザ装置で全てカバーできる波長可変レーザ装置が求められている。
前記波長可変レーザ装置の光源としては、例えば、半導体光増幅器(SOA:セミコンダクター・オプティカル・アンプリファイヤ)と、波長可変フィルタと、反射鏡とから構成される光源(外部共振器型波長可変レーザ等)がある。前記波長可変フィルタは、フィルタ部の屈折率(フィルタ部の材料の屈折率)を変化させてレーザの発振波長を制御する。このような光源を備える波長可変レーザ装置が記載された公知文献としては、例えば、特許文献1から4があげられる。
フィルタ部の屈折率(フィルタ部の材料の屈折率)の変化には、例えば、電流によるキャリアプラズマ効果、電圧印加による電気光学効果、ヒータ加熱による熱光学効果等が用いられる。前述の熱光学効果による屈折率の変化は、波長可変レーザの素子全体の温度変化によっても起こりうる。この変化を避けるために、波長可変レーザの素子全体の温度を、熱電クーラ(TEC:Thermoelectric Cooler)によって、例えば、0.01Kの精度で制御する。
しかしながら、TECは、その消費電力が波長可変レーザの消費電力と比較して大きい。一例として、波長可変レーザの消費電力が0.2W程度であるのに対し、TECの温度を75℃から25℃まで50℃下げるためには、2W程度の電力が必要である。すなわち、現状の波長可変レーザ装置の消費電力は、TECによりほぼ決定される。したがって、TECを必要としない、またはTECの消費電力を削減可能な波長可変レーザ装置を実現できれば、光出力モジュールの消費電力を大幅に低減できる。
前述の特許文献1から4には、TECによる温度制御以外の方法で波長可変レーザを制御する装置が開示されている。具体的には、以下のとおりである。特許文献1には、方向性結合器を用いた反射率制御機構を備える装置が開示されている。また、特許文献2には、方向性結合器を用いた出力光強度制御機構を備える装置が開示されている。また、特許文献3には、波長可変レーザの温度を測定し、その温度に応じて波長可変レーザに印加するバイアスを調整する機構を備える装置が開示されている。また、特許文献4には、電界吸収部に流れる光電流をモニタし、この光電流値を一定に保持することで一定光強度レベルの前方光出力を得る機構を備える装置が開示されている。
しかしながら、特許文献1、2および4に記載の装置では、レーザの波長を決定する波長可変フィルタが、温度変化により屈折率が変化して発振波長が変化してしまう。このため、一定温度に制御する場合に比べて、波長可変レーザの動作が不安定になるという問題がある。
また、特許文献1から3に記載の装置では、レーザ素子の温度が上昇すると、活性層における利得ピーク波長の長波化と利得低下とが起こり、レーザ光出力が低下する。このため、温度が変化しても一定の出力を得るには、高温になるほど高い電流密度でレーザを駆動させる必要がある。この結果、素子寿命劣化(信頼性劣化)をまねくおそれがある。
本発明の目的は、省電力で、かつ信頼性の高い波長可変レーザ装置、光モジュールおよび波長可変レーザの制御方法を提供することにある。
前記目的を達成するために、本発明の波長可変レーザ装置は、
波長可変レーザと、温度検知素子と、制御部とを含み、
前記波長可変レーザが、光源と波長可変機構とを含むレーザ共振器と、光損失制御手段とを含み、
前記温度検知素子が、前記波長可変レーザに熱的に接続され、かつ前記制御部に電気的に接続され、
前記制御部が、前記波長可変機構と前記光損失制御手段とに電気的に接続され、
前記温度検知素子が、前記波長可変レーザの温度を検知し、
前記制御部が、
前記温度検知素子から前記波長可変レーザの温度情報を取得し、
前記温度情報に基づき波長可変制御パラメータおよび光損失制御パラメータを算出し、
前記波長可変制御パラメータに基づき前記波長可変機構を制御し、
前記光損失制御パラメータに基づき前記光損失制御手段を制御することを特徴とする。
波長可変レーザと、温度検知素子と、制御部とを含み、
前記波長可変レーザが、光源と波長可変機構とを含むレーザ共振器と、光損失制御手段とを含み、
前記温度検知素子が、前記波長可変レーザに熱的に接続され、かつ前記制御部に電気的に接続され、
前記制御部が、前記波長可変機構と前記光損失制御手段とに電気的に接続され、
前記温度検知素子が、前記波長可変レーザの温度を検知し、
前記制御部が、
前記温度検知素子から前記波長可変レーザの温度情報を取得し、
前記温度情報に基づき波長可変制御パラメータおよび光損失制御パラメータを算出し、
前記波長可変制御パラメータに基づき前記波長可変機構を制御し、
前記光損失制御パラメータに基づき前記光損失制御手段を制御することを特徴とする。
また、本発明の光モジュールは、
前記本発明の波長可変レーザ装置を含むことを特徴とする。
前記本発明の波長可変レーザ装置を含むことを特徴とする。
また、本発明の波長可変レーザの制御方法は、
前記本発明の波長可変レーザ装置を使用し、
前記温度検知素子により前記波長可変レーザの温度を検知する工程と、
前記制御部により前記温度検知素子から前記波長可変レーザの温度情報を取得する工程と、
前記制御部により前記温度情報に基づき波長可変制御パラメータおよび光損失制御パラメータを算出する工程と、
前記制御部により前記波長可変制御パラメータに基づき前記波長可変機構を制御する工程と、
前記制御部により前記光損失制御パラメータに基づき前記光損失制御手段を制御する工程とを含むことを特徴とする。
前記本発明の波長可変レーザ装置を使用し、
前記温度検知素子により前記波長可変レーザの温度を検知する工程と、
前記制御部により前記温度検知素子から前記波長可変レーザの温度情報を取得する工程と、
前記制御部により前記温度情報に基づき波長可変制御パラメータおよび光損失制御パラメータを算出する工程と、
前記制御部により前記波長可変制御パラメータに基づき前記波長可変機構を制御する工程と、
前記制御部により前記光損失制御パラメータに基づき前記光損失制御手段を制御する工程とを含むことを特徴とする。
本発明によれば、省電力で、かつ信頼性の高い波長可変レーザ装置、光モジュールおよび波長可変レーザの制御方法を提供できる。
以下、本発明の波長可変レーザ装置、光モジュールおよび波長可変レーザの制御方法について、詳細に説明する。ただし、本発明は、以下の実施形態に限定されない。なお、以下の図1から図7において、同一部分には、同一符号を付している。また、本発明において、数値限定により発明を特定する場合は、厳密にその数値でも良いし、約その数値でも良い。
(実施形態1)
図1に、本実施形態の波長可変レーザ装置の構成を示す。図示のとおり、この波長可変レーザ装置10は、波長可変レーザ11と、温度検知素子12と、制御部13とを主要な構成要素として含む。前記波長可変レーザ11は、光源である利得領域111と波長可変機構である波長安定化領域112および波長可変フィルタ領域113とを含むレーザ共振器と、光損失制御手段である吸収領域114aおよび光反射率可変ミラー114bとを含む。前記吸収領域114aおよび前記光反射率可変ミラー114bは、前記利得領域111の光出射端面側に配置されている。前記波長安定化領域112および前記波長可変フィルタ領域113は、前記利得領域111の前記光出射端面とは反対面の側に配置されている。前記波長可変レーザ11と前記温度検知素子12とは、適切な間隔をあけてサブキャリア14上に実装され、かつ熱的に接続されている。前記波長可変レーザ11は、前記サブキャリア14を介して、熱電クーラ(TEC)15上に搭載されている。TEC15は、波長可変レーザ11の温度を制御する「温度制御部」に相当する。前記制御部13は、DSP(Digital Signal Processor)を含む回路13aと、前記回路13aに電気的に接続された電流分配回路13bとを含む。前記温度検知素子12は、前記回路13aに電気的に接続されている。前記電流分配回路13bは、前記吸収領域114a、前記光反射率可変ミラー114b、前記利得領域111、前記波長安定化領域112、前記波長可変フィルタ領域113および前記TEC15に、電気的に接続されている。この波長可変レーザ装置10は、さらに、ビームスプリッタ16とフォトディテクタ17とを含む。前記フォトディテクタ17は、前記回路13aに電気的に接続されている。この波長可変レーザ装置10は、ヒートシンク18上に搭載されている。
図1に、本実施形態の波長可変レーザ装置の構成を示す。図示のとおり、この波長可変レーザ装置10は、波長可変レーザ11と、温度検知素子12と、制御部13とを主要な構成要素として含む。前記波長可変レーザ11は、光源である利得領域111と波長可変機構である波長安定化領域112および波長可変フィルタ領域113とを含むレーザ共振器と、光損失制御手段である吸収領域114aおよび光反射率可変ミラー114bとを含む。前記吸収領域114aおよび前記光反射率可変ミラー114bは、前記利得領域111の光出射端面側に配置されている。前記波長安定化領域112および前記波長可変フィルタ領域113は、前記利得領域111の前記光出射端面とは反対面の側に配置されている。前記波長可変レーザ11と前記温度検知素子12とは、適切な間隔をあけてサブキャリア14上に実装され、かつ熱的に接続されている。前記波長可変レーザ11は、前記サブキャリア14を介して、熱電クーラ(TEC)15上に搭載されている。TEC15は、波長可変レーザ11の温度を制御する「温度制御部」に相当する。前記制御部13は、DSP(Digital Signal Processor)を含む回路13aと、前記回路13aに電気的に接続された電流分配回路13bとを含む。前記温度検知素子12は、前記回路13aに電気的に接続されている。前記電流分配回路13bは、前記吸収領域114a、前記光反射率可変ミラー114b、前記利得領域111、前記波長安定化領域112、前記波長可変フィルタ領域113および前記TEC15に、電気的に接続されている。この波長可変レーザ装置10は、さらに、ビームスプリッタ16とフォトディテクタ17とを含む。前記フォトディテクタ17は、前記回路13aに電気的に接続されている。この波長可変レーザ装置10は、ヒートシンク18上に搭載されている。
なお、本発明において、「上に(upper side)」は、特に断らない限り、上面に直接接触している状態(on)に限定されず、間に他の構成要素等が存在し、直接接触していない状態(above)も含む。同様に、「下に(lower side)」は、特に断らない限り、下面に直接接触している状態(on)でも良いし、間に他の構成要素等が存在し、直接接触していない状態(below)でも良い。また、「上面に(on the upper surface)」は、上面に直接接触している状態を指す。同様に、「下面に(on the lower surface)」は、下面に直接接触している状態を指す。「片面側に(at the one side)」は、特に断らない限り、片面側に直接接触している状態でも良いし、間に他の構成要素等が存在し、直接接触していない状態でも良い。「両面側に(at the both side)」も、同様とする。「片面に(on the one side)」は、片面に直接接触している状態を指す。「両面に(on the both side)」も、同様とする。
また、本実施形態の波長可変レーザ装置では、光損失制御手段として、吸収領域および光反射率可変ミラーの両方を含むが、本発明は、この例に限定されず、吸収領域または光反射率可変ミラーのいずれか一方を備えていてもよいし、別の光損失制御手段を備えてもよい。前記別の光損失制御手段としては、例えば、レーザ光より狭いバンドギャップ波長組成の半導体をコア層とする光導波路等があげられる。この光導波路は、例えば、公知のバットジョイント技術等により、前記利得領域に光学的に接続される。ただし、この接続は、バットジョイント技術に限定されない。
本実施形態の波長可変レーザにおいて、前記波長可変レーザ11の能動素子(光源)である前記利得領域111は、半導体光増幅器(SOA)である。前記半導体光増幅器には、多重量子井戸(MQW:Multiple Quantum Well)が形成されている。前記多重量子井戸により、電流の注入に応じて光が発生・増幅される。
前記波長可変レーザ11の受動素子である前記波長安定化領域112は、バルク組成または多重量子井戸で構成され、かつレーザ発振光を吸収しない程度にバンドギャップが広く設定されている領域である。前記波長安定化領域112は、電流の注入または電圧の印加に応じて、その領域の屈折率が変化する。前記利得領域111と前記波長安定化領域112とは、例えば、公知のバットジョイント技術、公知の選択成長技術、公知の装荷結合技術等を用いて作製することができる。前記両領域は、十分に電気的に離れている。前記両領域間には、例えば、1kΩ以上の分離抵抗があり、互いに電流が干渉しないようにされている。
前記波長可変レーザ11は、前述のとおり、波長可変機構である前記波長安定化領域112と前記波長可変フィルタ領域113とを含む。これらにより、発振波長を制御可能である。前記波長可変フィルタ領域113としては、例えば、リング型共振器、ディスク型共振器、分布反射型(DBR)フィルタ等があげられる。
図2(a)に、前記吸収領域114aの一例の構成を示す。同図における矢印は、光の伝搬方向を示す。前記吸収領域114aでは、半導体21が通電用電極22aおよび22bに挟持されている。前記吸収領域114aでは、図2(b)に示すように、前記通電用電極22aおよび22bによる通電(電流注入)に伴う自由キャリア吸収効果により、光吸収損失が増大する。前記吸収領域に通電(電流注入)して光吸収損失を増大させることで、半導体レーザの発振しきい値を一定に保つことが可能となる。これにより、例えば、温度低下による半導体レーザ発振しきい値の低下を防止することができる。
図3(a)に、前記光反射率可変ミラー114bの構成の一例を示す。前記光反射率可変ミラー114bは、通電用電極31と方向性結合器32と反射鏡33とを含む。前記方向性結合器32は、光導波路34aおよび34bの一端に光学的に接続されている。前記光導波路34aの他端は、前記利得領域111に光学的に接続されている。
前記光反射率可変ミラー114bでは、前記利得領域111から出射されたレーザ光が、前記光導波路34aを介して前記方向性結合器32に入射される。前記入射したレーザ光は、前記反射鏡33により反射される。この反射光のうち、一定の割合の光は、前記光導波路34aを介して前記利得領域111側に帰還される。それ以外の光は、前記光導波路34bを介して外部に出射される。図3(a)に示すように、前記光導波路34bの他端が、機能素子35に光学的に接続されている場合には、前記光は、前記機能素子35により、例えば、変調、減衰、波長変換等を受ける。前記利得領域111側に帰還させる光の割合は、例えば、前記方向性結合器32の光路長を変化させることで調整可能である。前記通電電極31による通電に伴うキャリアプラズマ効果により、前記方向性結合器32における屈折率を変化させることで、前記方向性結合器32の光路長を変化させることができる。この結果、図3(b)に示すように、光源である前記利得領域の光出射端面の光反射率を制御することができる。
前述のとおり、前記温度検知素子12は、前記波長可変レーザ11に熱的に接続されている。この熱的接続により、前記波長可変レーザ11の温度を検知可能である。前記温度検知素子12は、前記波長可変レーザ11が駆動している間、その温度をモニタする。前記温度検知素子12としては、例えば、サーミスタ等があげられる。
前記DSPを含む回路13aは、前記温度検知素子12から前記波長可変レーザ11の温度情報を取得し、この温度情報に基づいて、各種制御パラメータを算出する。詳細は後述する。前記電流分配回路13bは、前記各種制御パラメータに基づき、前記吸収領域114a、前記光反射率可変ミラー114b、前記利得領域111、前記波長安定化領域112、前記波長可変フィルタ領域113および前記TEC15を制御する。詳細は後述する。
本実施形態の波長可変レーザ装置では、前述のとおり、前記波長可変レーザ11は、前記サブキャリア14を介して素子温度を制御する前記TEC15に搭載されている。本発明では、TEC(温度制御部)は必ずしも必要はないが、例えば、以下のような場合が想定されるため、TECを備えていることが好ましい。すなわち、後述の光吸収損失および光反射率の制御による波長可変レーザの制御範囲は有限であるため、利得領域の駆動電流を一定に制御できる温度範囲も有限である。前記波長可変レーザの温度が、前述の光吸収損失および光反射率による制御により利得領域の駆動電流を一定に制御できる温度範囲内にある間は、例えば、前記TECを作動させないでおく。一方、その温度範囲を超えた場合には、前記TECを作動させて、前記波長可変レーザの温度を前述の温度範囲内となるようにする。このようにすることで、本実施形態の波長可変レーザ装置の全駆動時間における消費電力の平均を大幅に低減可能となる。この結果、本実施形態の波長可変レーザ装置は、省電力である。本実施形態の波長可変レーザ装置は、例えば、通常の使用環境温度範囲では、前記TECを作動させる必要がなく、極めて低温または高温でのみ、一時的に前記TECを作動させる装置でもよい。
また、前記波長可変レーザの温度を、例えば、前記TECにより前述の温度範囲内とする必要のない用途に、本発明の波長可変レーザ装置を用いる場合には、図4に示すように、前記TECを備えなくともよい。このようにすれば、低コストで、かつ小型な装置とすることができる。
前記波長可変レーザ11から出射されるレーザ光Aは、前記ビームスプリッタ16により、その一部が光出力モニタ用として光パワーBに分岐される。前記光パワーBは、光出力モニタ用の前記フォトディテクタ17に受光される。これにより、前記ビームスプリッタ16の分岐比から、光出力の光パワーを知ることができる。前記フォトディテクタ17としては、例えば、フォトダイオード、アバランシェフォトダイオード等があげられる。
つぎに、図1から3に基づき、本実施形態の波長可変レーザ装置を使用した波長可変レーザの制御方法を説明する。
本実施形態の波長可変レーザ装置の可動時において、前記温度検知素子12は、前記波長可変レーザ11の温度をモニタしている。このモニタにより得られた前記波長可変レーザ11の温度情報aは、前記回路13aに出力される。前記回路13aは、前記温度情報aに基づき、前記吸収領域114aを制御するための吸収領域制御パラメータ、および前記光反射率可変ミラー114bを制御するための光反射率可変ミラー制御パラメータを算出する。前記吸収領域制御パラメータとしては、前記吸収領域114aに注入される電流(Ima)、前記吸収領域114aに印加される電圧(Vma)等があげられる。前記吸収領域制御パラメータは、一種類を単独で用いてもよいし、複数種類を併用してもよい。前記光反射率可変ミラー制御パラメータとしては、前記光反射率可変ミラー114b(方向性結合器32)に注入される電流(Imb)、前記光反射率可変ミラー114b(方向性結合器32)に印加される電圧(Vmb)等があげられる。前記光反射率可変ミラー制御パラメータは、一種類を単独で用いてもよいし、複数種類を併用してもよい。
なお、前記両パラメータの算出には、前記温度情報aに加えて、前記フォトディテクタ17を介して取得する光出力情報Cを参照してもよい。また、前記吸収領域または前記光反射率可変ミラーのいずれか一方のみを用いる場合には、前記両パラメータもいずれか一方のみでよい。
ついで、前記吸収領域制御パラメータに基づき前記電流分配回路13bから、前記通電用電極22aおよび22bを通じて前記吸収領域114aに電流(Ima、図1における矢印b1)を注入し、前記吸収領域114aの光吸収損失を制御する。前記光反射率可変ミラー制御パラメータに基づき前記電流分配回路13bから、前記通電用電極31を通じて前記光反射率可変ミラー114b(方向性結合器32)に電圧(Vmb、図1における矢印b2)を印加し、前記光反射率可変ミラー114bによる光反射率を制御する。このようにすることで、本実施形態の波長可変レーザ装置では、前記波長可変レーザ11から出射されるレーザ光Aの出力光強度を所望の値にすることができる。
本発明の波長可変レーザ装置では、波長可変レーザの温度が変化した場合でも、レーザ理論に基づき、その発振しきい値および効率を一定にできるため、前述の効果が得られる。以下、前記レーザ理論について、数式を用いて説明する。ただし、以下の数式は理論式であり、本発明の波長可変レーザ装置における実際の現象は、下記数式およびその説明と完全には一致しない場合がある。また、数値は例示であり、本発明を何ら限定しない。
所望の光出力を得るのに必要な利得領域への駆動電流は、発振しきい電流と効率により決定される。前記発振しきい電流は、発振しきい利得gthと相関があり、下記数式(1)で表される。
αM+αi=Γgth=Γ(N−Ng)dg/dN≒ΓNdg/dN (1)
Γ:光閉じ込め係数
αM:波長可変レーザのミラー損失
αi:内部損失
N:キャリア密度
Ng:透明キャリア密度
dg/dN:微分利得
αM+αi=Γgth=Γ(N−Ng)dg/dN≒ΓNdg/dN (1)
Γ:光閉じ込め係数
αM:波長可変レーザのミラー損失
αi:内部損失
N:キャリア密度
Ng:透明キャリア密度
dg/dN:微分利得
また、前記波長可変レーザの効率は、外部微分量子効率ηdと相関があり、下記数式(2)で表される。
ηd=ηiαM/(αM+αi) (2)
ηi:内部微分量子効率
ηd=ηiαM/(αM+αi) (2)
ηi:内部微分量子効率
例えば、利得領域にInGaAsP/InP系材料を用いた場合、温度が20K上昇すると、dg/dNは5.4%減少し、ηdは7.4%減少する。例えば、温度変化前のαMが20cm−1、αiが20cm−1であり、温度が20K上昇する場合は、光反射率可変ミラーの光反射率低下によりαMを22.6cm−1まで増大させる。また、吸収領域の電流注入量を減らすことによる光吸収損失減少によりαiを19.5cm−1まで減少させる。このようにすることで、gthとηdとを一定に保つことができる。この結果、利得領域への駆動電流を一定に保つことが可能となる。
以上のとおり、本発明の波長可変レーザ装置では、波長可変レーザの制御が容易であり、かつ高温時においても利得領域の駆動電流を上昇させる必要がないため、素子寿命の劣化をまねくことがなく、信頼性が高い。
本実施形態の波長可変レーザ装置では、前記両パラメータと共に、前記回路13aは、前記温度情報aに基づき、前記波長安定化領域112を制御するための波長安定化領域制御パラメータ、および前記波長可変フィルタ領域113を制御するための波長可変フィルタ領域制御パラメータを算出する。前記波長安定化領域制御パラメータとしては、例えば、前記波長安定化領域112に注入される電流(IPC)等があげられる。前記波長可変フィルタ領域制御パラメータとしては、例えば、前記波長可変フィルタ領域113に注入される電流(IF)等があげられる。なお、これらのパラメータの算出には、前記温度情報aに加えて、前記フォトディテクタ17を介して取得する光出力情報Cを参照してもよい。
ついで、前記波長安定化領域制御パラメータに基づき前記電流分配回路13bから、前記波長安定化領域112に電流(IPC、図1における矢印d)を注入して、前記波長安定化領域112を制御する。前記波長可変フィルタ領域制御パラメータに基づき前記電流分配回路13bから、前記波長可変フィルタ領域113に電流(IF、図1における矢印e)を注入して、前記波長可変フィルタ領域113を制御する。このようにすることで、本実施形態の波長可変レーザ装置では、発振波長を所望の波長とすることができる。このため、温度変化による波長可変フィルタの屈折率変化等による発振波長の変化により、波長可変レーザの動作が不安定になることがない。この結果、本実施形態の波長可変レーザ装置は、信頼性が高い。また、本実施形態の波長可変レーザ装置では、波長可変機構および光損失制御手段の両方を、温度検知素子から得られる波長可変レーザの温度情報に基づく、前述の制御機構により制御可能である。このため、例えば、前記波長可変機構および前記光損失制御手段を別々の制御機構により制御する場合と比較して、その装置構造が単純である。
本実施形態の波長可変レーザ装置では、前述のパラメータに加えて、前記回路13aは、前記温度情報aに基づき、前記利得領域111を制御するための利得領域制御パラメータを算出する。本発明では、この制御パラメータは、任意のパラメータであるため、算出しなくともよいが、算出することが好ましい。前記利得領域制御パラメータとしては、例えば、前記利得領域111に注入される電流(ISOA)等があげられる。なお、このパラメータの算出には、前記温度情報aに加えて、前記フォトディテクタ17を介して取得する光出力情報Cを参照してもよい。
ついで、前記利得領域制御パラメータに基づき前記電流分配回路13bから、前記利得領域111に電流(ISOA、図1における矢印c)を注入して、前記利得領域111を制御する。このようにすることで、例えば、前記波長可変レーザ11から出射されるレーザ光Aの出力光強度を、より高精度に所望の値に制御することができる。
本実施形態の波長可変レーザ装置では、前述のパラメータに加えて、前記回路13aは、前記温度情報aに基づき、前記TEC15を制御するためのTEC制御パラメータ(温度制御部制御パラメータ)を算出する。本発明では、この制御パラメータは、任意のパラメータであるため、算出しなくともよいが、算出することが好ましい。前記TEC制御パラメータとしては、例えば、前記TEC15に注入される電流(ITEC)等があげられる。なお、前記TEC制御パラメータの算出には、前記温度情報aに加えて、前記フォトディテクタ17を介して取得する光出力情報Cを参照してもよい。
前記吸収領域114aおよび前記光反射率可変ミラー114bによる制御可能な温度範囲より、例えば、前記波長可変レーザ11の温度が上昇した場合、前記TEC制御パラメータに基づき前記電流分配回路13bから、前記TEC15に電流(ITEC、図1における矢印f)を注入して前記TEC15を作動させる。これにより、前述の温度範囲内まで前記波長可変レーザの温度を低下させる。このようにすることで、例えば、前述の温度範囲を超えるような場合でも、前記波長可変レーザ11から出射されるレーザ光Aの波長および出力光強度を所望の値にすることができる。この結果、例えば、本実施形態の波長可変レーザ装置の信頼性が、より高くなる。
本実施形態の波長可変レーザ装置は、例えば、光モジュールの光源として用いることができる。このようにすることで、省電力で、かつ信頼性の高い光モジュールを得ることができる。
本実施形態の波長可変レーザ装置では、前記波長可変レーザにおける利得領域は、例えば、結合量子井戸構造を含んでもよい。前記結合量子井戸構造は、特に制限されないが、例えば、2から5種類の異なる利得ピーク波長を有する量子井戸が、少なくとも各種類2つ以上連続して積層されており、その間に存在する障壁層の少なくとも一つの層厚が2nmから5nmであることを特徴とする量子構造である。前記結合量子井戸構造は、閾値電流などの特性を劣化させることなく、例えば、60nm以上の広い利得帯域を得ることができる。このため、必要な波長可変範囲を保持できる。
利得領域は、ある限られた利得帯域を有する。この利得帯域により発振波長範囲は制限される。この利得帯域は、温度上昇と共に長波長側にシフトする。利得帯域は、電流密度が一定の条件下では、例えば、1℃あたり約0.4nm長波長側にシフトする。このため、ある温度範囲で波長可変レーザを動作させる場合、動作温度の下限から上限までで重なる波長可変範囲が狭くなるか、最悪の場合、重なりが存在しなくなる。図5(b)に示すように、通常の量子井戸構造の利得帯域は、例えば、40nm程度である。このため、温度が50℃変化した場合の利得帯域の重なりは、40−20=20nmとなる。この結果、例えば、前述のC帯におけるフルバンド駆動が困難となる。一方、図5(a)に示すように、前述の結合量子井戸構造の利得帯域は、例えば、60nm以上である。このため、温度が50℃変化した場合の利得帯域の重なりは、60−20=40nmとなる。この結果、例えば、前述のC帯におけるフルバンド駆動が可能となる。したがって、結合量子井戸構造を用いれば、例えば、より信頼性を高めることができる。
前記結合量子井戸構造は、例えば、それぞれ、異なる利得ピークを有する量子井戸構造を3種類準備し、これらの量子構造を一つのユニットとして用いる。
1つ目の量子井戸構造は、井戸を1.63μm組成圧縮歪InGaAsPの5.5nm幅、障壁は1.25μm組成InGaAsPとし、4つの量子井戸を積層する。そのうち、1番目と2番目の量子井戸の間、および3番目と4番目の量子井戸の間の障壁層の厚さを4nmとし、2番目と3番目の間の障壁層の厚さを10nmとする。すなわち、1番目と2番目、3番目と4番目の量子井戸をそれぞれ結合化する。
2つ目の量子井戸構造は、井戸を1.52μm組成圧縮歪InGaAsPの5nm幅、障壁は1.25μm組成InGaAsPとする。障壁層の厚さは、1つ目の量子井戸構造と同じとする。
3つ目の量子井戸構造は、井戸を1.52μm組成圧縮歪InGaAsPの4.5nm幅、障壁は1.25μm組成InGaAsPとする。障壁層の厚さは、1つ目の量子井戸構造と同じとする。
これらの量子井戸構造を、例えば、3つ目、2つ目、1つ目の順に成長圧力98.6kPa、成長温度625℃で成長させる。このようにして、結合量子井戸構造を形成可能である。また、この量子井戸構造の前後に、SCH(分離閉じこめヘテロ構造)を配置することで、半導体光増幅器(SOA)を形成することができる。
(実施形態2)
図6に、本実施形態の波長可変レーザ装置の構成を示す。図6に示すとおり、この波長可変レーザ装置60では、吸収領域114aおよび光反射率可変ミラー114bの前記利得領域111側とは反対側に、機能素子61がモノリシック集積されている。この点を除き、この波長可変レーザ装置60は、図1に示す実施形態1の波長可変レーザ装置と同様の構成である。なお、TECは、任意の構成であり、必ずしも備えなくともよいが、前述の実施形態1と同様に、備えることが好ましい。
図6に、本実施形態の波長可変レーザ装置の構成を示す。図6に示すとおり、この波長可変レーザ装置60では、吸収領域114aおよび光反射率可変ミラー114bの前記利得領域111側とは反対側に、機能素子61がモノリシック集積されている。この点を除き、この波長可変レーザ装置60は、図1に示す実施形態1の波長可変レーザ装置と同様の構成である。なお、TECは、任意の構成であり、必ずしも備えなくともよいが、前述の実施形態1と同様に、備えることが好ましい。
前記機能素子61は、前記波長可変レーザ11と同じサブキャリア(半導体基板)14上にモノリシック集積されているが、例えば、別途準備した素子を組合せてもよい。また、前記機能素子61は、例えば、図3(a)に示すように、前記光反射率可変ミラー32を介して折り返した形で前記波長可変レーザ11に光学的に接続されてもよいし、前記波長可変レーザ11の光出射端面に直接光学的に接続されてもよい。前記機能素子61としては、例えば、前記波長可変レーザから出射されるレーザ光を変調する光変調器、レーザ光を減衰する光可変減衰器、レーザ光を波長変換する波長変換素子等があげられる。前記機能素子は、一種類を単独で用いてもよいし、複数種類を併用してもよい。
本実施形態の波長可変レーザ装置では、以下の点を除き、例えば、図1に示す実施形態1の波長可変レーザ装置を使用した場合と同様に、波長可変レーザを制御可能である。
DSPを含む回路13aは、前記波長可変レーザ11の温度情報aに基づき、前記機能素子61を制御するための機能素子制御パラメータを算出する。前記機能素子制御パラメータとしては、例えば、前記機能素子61に注入される電流(Imc)等があげられる。なお、前記機能素子制御パラメータの算出には、前記温度情報aに加えて、フォトディテクタ17を介して取得する光出力情報Cを参照してもよい。
ついで、前記機能素子制御パラメータに基づき前記電流分配回路13bから、前記機能素子61に電流(Imc、図6における矢印g)を注入し、前記機能素子61を制御する。このようにすることで、前述の実施形態1の効果に加えて、例えば、レーザ光に対する変調や可変光出力減衰(シャッタ)等の機能を追加することができる。なお、前記機能素子制御パラメータに基づく機能素子の制御は、例えば、他の制御パラメータに基づく制御と独立して行ってもよい。
(実施形態3)
図7に、本実施形態の波長可変レーザ装置の構成を示す。図7に示すとおり、この波長可変レーザ装置70は、波長可変レーザ11の吸収領域114aおよび光反射率可変ミラー114b側とは反対側に、ダミー電流注入領域71をさらに含む。ダミー電流注入領域71は、波長可変レーザ11に印加される全電力を一定にする電流経路の一部に相当する。この点を除き、この波長可変レーザ装置70は、図6に示す実施形態2の波長可変レーザ装置と同様の構成である。なお、TECは、任意の構成であり、必ずしも備えなくともよいが、前述の実施形態1と同様に、備えることが好ましい。
図7に、本実施形態の波長可変レーザ装置の構成を示す。図7に示すとおり、この波長可変レーザ装置70は、波長可変レーザ11の吸収領域114aおよび光反射率可変ミラー114b側とは反対側に、ダミー電流注入領域71をさらに含む。ダミー電流注入領域71は、波長可変レーザ11に印加される全電力を一定にする電流経路の一部に相当する。この点を除き、この波長可変レーザ装置70は、図6に示す実施形態2の波長可変レーザ装置と同様の構成である。なお、TECは、任意の構成であり、必ずしも備えなくともよいが、前述の実施形態1と同様に、備えることが好ましい。
本実施形態の波長可変レーザ装置では、以下の点を除き、例えば、図6に示す実施形態2の波長可変レーザ装置を使用した場合と同様に、波長可変レーザを制御可能である。
DSPを含む回路13aは、前記波長可変レーザ11の温度情報aに基づき、前記ダミー電流注入領域71を制御するためのダミー電流注入領域制御パラメータ(電流経路制御パラメータ)を算出する。前記ダミー電流注入領域制御パラメータとしては、例えば、前記ダミー電流注入領域71に注入されるトータル投入電力制御電流(ID)等があげられる。なお、前記ダミー電流注入領域制御パラメータの算出には、前記温度情報aに加えて、フォトディテクタ17を介して取得する光出力情報Cを参照してもよい。
ついで、前記ダミー電流注入領域制御パラメータに基づき前記電流分配回路13bから、前記ダミー電流注入領域71にトータル投入電力制御電流(ID、図7における矢印h)を注入して、前記ダミー電流注入領域71を制御する。このようにすることで、前述の実施形態1および2の効果に加えて、ダミー電力と素子制御電力との総量と、素子内部での発熱量とヒートシンクを介した外部への放熱とを釣り合わせることができる。この結果、前記波長可変レーザ11の温度制御を行わない場合に起こり得る、各種制御パラメータに基づくトータル投入電力の増減による素子温度の発散を防止可能である。
以上のとおり、本発明の波長可変レーザ装置は、省電力で、かつ信頼性が高い。従って、本発明の波長可変レーザ装置は、例えば、幹線系、アクセス系に使用される波長多重通信用の中長距離光源に適用することができる。ただし、その用途は限定されず、広い分野に適用可能である。
以上、実施形態を参照して本願発明を説明したが、本願発明は、上記実施形態に限定されるものではない。本願発明の構成や詳細には、本願発明のスコープ内で当業者が理解しうる様々な変更をすることができる。
この出願は、2009年10月22日に出願された日本出願特願2009−243914を基礎とする優先権を主張し、その開示の全てをここに取り込む。
10、60、70 波長可変レーザ装置
11 波長可変レーザ
12 温度検知素子
13 制御部
13a DSPを含む回路
13b 電流分配回路
14 サブキャリア
15 TEC
16 ビームスプリッタ
17 フォトディテクタ
18 ヒートシンク
21 半導体
22a、22b、31 通電用電極
32 方向性結合器
33 反射鏡
34a、34b 光導波路
35、61 機能素子
71 ダミー電流注入領域
111 利得領域(光源)
112 波長安定化領域(波長可変機構)
113 波長可変フィルタ領域(波長可変機構)
114a 吸収領域(光損失制御手段)
114b 光反射率可変ミラー(光損失制御手段)
11 波長可変レーザ
12 温度検知素子
13 制御部
13a DSPを含む回路
13b 電流分配回路
14 サブキャリア
15 TEC
16 ビームスプリッタ
17 フォトディテクタ
18 ヒートシンク
21 半導体
22a、22b、31 通電用電極
32 方向性結合器
33 反射鏡
34a、34b 光導波路
35、61 機能素子
71 ダミー電流注入領域
111 利得領域(光源)
112 波長安定化領域(波長可変機構)
113 波長可変フィルタ領域(波長可変機構)
114a 吸収領域(光損失制御手段)
114b 光反射率可変ミラー(光損失制御手段)
Claims (9)
- 波長可変レーザと、温度検知素子と、制御部とを含み、
前記波長可変レーザが、光源と波長可変機構とを含むレーザ共振器と、光損失制御手段
とを含み、
前記光損失制御手段が、吸収領域および光反射率可変ミラーを含み、
前記吸収領域は、前記レーザ共振器の光吸収損失を制御可能であり、
前記光反射率可変ミラーは、前記レーザ共振器の光出射端面の光反射率を制御可能であり、
前記吸収領域を制御する前記光損失制御パラメータが、吸収領域制御パラメータであり、
前記光反射率可変ミラーを制御する前記光損失制御パラメータが、光反射率可変ミラー制御パラメータであり、
前記温度検知素子が、前記波長可変レーザに熱的に接続され、かつ前記制御部に電気的
に接続され、
前記制御部が、前記波長可変機構と前記光損失制御手段とに電気的に接続され、
前記温度検知素子が、前記波長可変レーザの温度を検知し、
前記制御部が、
前記温度検知素子から前記波長可変レーザの温度情報を取得し、
前記温度情報に基づき波長可変制御パラメータおよび光損失制御パラメータを算出し、
前記波長可変制御パラメータに基づき前記波長可変機構を制御し、
前記光損失制御パラメータに基づき前記光損失制御手段を制御することを特徴とする波
長可変レーザ装置。 - 前記吸収領域制御パラメータが、前記吸収領域に注入される電流、および前記吸収領域に印加される電圧の少なくとも一方であることを特徴とする請求項1記載の波長可変レーザ装置。
- 前記光源が、利得領域を含み、
前記利得領域が、結合量子井戸構造を含むことを特徴とする請求項1または2に記載の波長可変レーザ装置。 - 前記波長可変機構が、波長可変フィルタ領域および波長安定化領域を含むことを特徴とする請求項1から3のいずれか一項に記載の波長可変レーザ装置。
- 前記光反射率可変ミラーが、通電用電極と方向性結合器と反射鏡とを含むことを特徴と
する請求項1から4のいずれか一項に記載の波長可変レーザ装置。 - さらに、前記波長可変レーザの温度を制御する温度制御部を含むことを特徴とする請求項1から5のいずれか一項に記載の波長可変レーザ装置。
- さらに、変調器、光可変減衰器および波長変換素子からなる群から選択される少なくとも一つの機能素子を含むことを特徴とする請求項1から6のいずれか一項に記載の波長可変レーザ装置。
- 請求項1から7のいずれか一項に記載の波長可変レーザ装置を含むことを特徴とする光モジュール。
- 請求項1から7のいずれか一項に記載の波長可変レーザ装置を使用し、
前記温度検知素子により前記波長可変レーザの温度を検知する工程と、
前記制御部により前記温度検知素子から前記波長可変レーザの温度情報を取得する工程と、
前記制御部により前記温度情報に基づき波長可変制御パラメータおよび光損失制御パラメータを算出する工程と、
前記制御部により前記波長可変制御パラメータに基づき前記波長可変機構を制御する工程と、
前記制御部により前記光損失制御パラメータに基づき前記光損失制御手段を制御する工程とを含むことを特徴とする波長可変レーザの制御方法。
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Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0318083A (ja) * | 1989-06-14 | 1991-01-25 | Canon Inc | 半導体レーザ |
JPH07111354A (ja) * | 1993-10-12 | 1995-04-25 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 半導体レーザの駆動装置 |
JP2008147290A (ja) * | 2006-12-07 | 2008-06-26 | Nec Corp | 量子構造及びそれを含む光増幅器、波長可変レーザ |
JP2008218947A (ja) * | 2007-03-08 | 2008-09-18 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 波長可変半導体レーザ素子及びその制御装置、制御方法 |
WO2008126276A1 (ja) * | 2007-03-30 | 2008-10-23 | Fujitsu Limited | 光送信装置およびその制御方法 |
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JPH1084130A (ja) * | 1996-09-06 | 1998-03-31 | Hamamatsu Photonics Kk | 発光素子 |
JP2000124541A (ja) | 1998-10-21 | 2000-04-28 | Hitachi Ltd | 半導体レーザおよび半導体レーザモジュール |
US7061943B2 (en) * | 2000-06-29 | 2006-06-13 | Agility Communications, Inc. | Controller calibration for small form factor sampled grating distributed Bragg reflector laser |
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JPH07111354A (ja) * | 1993-10-12 | 1995-04-25 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 半導体レーザの駆動装置 |
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