JP5421118B2 - オレフィンモノマーのオリゴマー化用配位子及び触媒 - Google Patents
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Description
エチレンを1−ヘキセン及び1−オクテンに三量化又は四量化するなど、オレフィンモノマーの効率的な接触三量化又は四量化は、工業的価値の程度が変化する三量体及び四量体の製造に非常に関心のある領域である。特に1−ヘキセンは、線状低密度ポリエチレン(LLDPE)用に貴重なコモノマーであり、また1−オクテンは、可塑剤アルコール、脂肪酸、洗浄剤アルコール及び潤滑油添加剤の製造における化学的中間体として貴重であり、またポリエチレンのような重合体の製造における貴重なコモノマーである。1−ヘキセン及び1−オクテンは、従来の遷移金属オリゴマー化方法、好ましくは三量化及び四量化方法で製造できる。
US−A−5198563(フィリップス)は、オレフィンの三量化に有用な一座アミン配位子を含有するクロムベース触媒を開示している。
Chem.Commn.,2005,5,622−624は、極性置換ジホスフィン配位子を有するエチレンの三量化及び四量化触媒に関する。
J.Gen.Chem.USSR,第34巻,第2号,1984年,3289〜3295頁にはテトラアルキルジホスフィンイミド及び異性ジホスファゼンが記載されている。
Chem.Commn.,2002,8,858−859(BP(British Petroleum))は、エチレンの三量化用触媒としてAr2PN(Me)PAr2(Ar=o−メトキシ置換アリール基)型配位子のクロム錯体を開示している。
Angewandte Chemie,第44巻,2005年,3271〜3275頁は、ジホスフィンアミン金属錯体の合成及び固体状態構造と関連する。
最近のエチレンの1−オクテンへの四量化用触媒システムが記載されている。これら多数の触媒はクロムをベースとしている。
本発明によれば、一般式(I):
(R1)2P−P(R1)m(R2)n=N(R3) (I)
(但し、R3は水素、ヒドロカルビル基、置換ヒドロカルビル基、ヘテロヒドロカルビル基、置換へテロヒドロカルビル基、シリル基又はその誘導体から選ばれ、R1基は独立に、オルト位の少なくとも1つに極性置換基を有する任意に置換した芳香族基から選ばれ、R2基は独立に、ヒドロカルビル、置換ヒドロカルビル、ヘテロヒドロカルビル基及び置換へテロヒドロカルビル基から選ばれるが、R2基が芳香族である場合は、オルト位のいずれにも極性置換基を持たず、またmは0又は1、nは1又は2であるが、m+nの合計は2である)
を有する配位子が提供される。
P(R1)m(R2)n-P(R1)2=N(R3) (II)
(但し、R3は水素、ヒドロカルビル基、置換ヒドロカルビル基、ヘテロヒドロカルビル基、置換へテロヒドロカルビル基、シリル基又はその誘導体から選ばれ、R1基は独立に、オルト位の少なくとも1つに極性置換基を有する任意に置換した芳香族基から選ばれ、R2基は独立に、ヒドロカルビル、置換ヒドロカルビル、ヘテロヒドロカルビル基及び置換へテロヒドロカルビル基から選ばれるが、R2基が芳香族である場合は、オルト位のいずれにも極性置換基を持たず、またmは0又は1、nは1又は2であるが、m+nの合計は2である)
を有する配位子が提供される。
X−P(R 1 ) m (R 2 ) n (III)
(但し、Xはハロゲン化物であり、R1、R2、m及びnは、一般式(I)及び(II)の配位子について定義した通りである)
の化合物と、(ii)式(IV):
(R1)2P−N(R3)H (IV)
(但し、R1及びR3は、一般式(I)及び(II)の配位子について定義した通りである)
の化合物とをHX受容体の存在下で反応させることを特徴とする前記一般式(I)又は(II)の配位子の製造方法が提供される。
X−P(R1)2 (V)
(但し、Xはハロゲン化物であり、R1は、一般式(I)及び(II)の配位子について定義した通りである)
の化合物と、(ii)式(VI):
(R1)m(R2)nP−N(R3)H (VI)
(但し、R1、R2、m及びnは、一般式(I)及び(II)の配位子について定義した通りである)
の化合物とをHX受容体の存在下で反応させることを特徴とする一般式(I)又は(II)の配位子の製造方法が提供される。
X−P(R 1 ) m (R 2 ) n (III)
(但し、Xはハロゲン化物であり、R1、R2、m及びnは、一般式(I)及び(II)の配位子について定義した通りである)
の化合物と、(ii)式(IV):
(R1)2P−N(R3)H (IV)
(但し、R1及びR3は、一般式(I)及び(II)の配位子について定義した通りである)
の化合物とをHX受容体の存在下で反応させることにより製造した配位子システムが提供される。
X−P(R1)2 (V)
(但し、Xはハロゲン化物であり、R1は、一般式(I)及び(II)の配位子について定義した通りである)
の化合物と、(ii)式(VI):
(R1)m(R2)nP−N(R3)H (VI)
(但し、R1、R2、m及びnは、一般式(I)及び(II)の配位子について定義した通りである)
の化合物とをHX受容体の存在下で反応させることにより製造した配位子システムが提供される。
ここで使用した用語“三量化”とは、オレフィンモノマーを接触三量化して該オレフィンモノマーの3つの反応で誘導された化合物に富む生成物組成物を付与することを意味する。用語:三量化には、原料流中の全てのオレフィンモノマーが同一であるばかりでなく、該原料流が2種以上の異なるオレフィンモノマーを含有する場合も含む。
エチレンの三量化と関連して使用した場合の用語“三量化選択率”は、生成物組成物内に形成されたC6フラクションの量を意味する。
エチレンの四量化と関連して使用した場合の用語“四量化選択率”は、生成物組成物内に形成されたC8フラクションの量を意味する。
本発明の配位子は、下記一般式(I)及び(II):
(R1)2P−P(R1)m(R2)n=N(R3) (I)
P(R1)m(R2)n−P(R1)2=N(R3) (II)
(但し、R1、R2、R3及びR4は、前記定義した通りである)
を有する。
本発明の一実施態様では、mは1、nは1である。他の一実施態様では、mは0、nは2である。通常、本発明の成分(b)の配位子では、mは0、nは2である。
極性は、IUPACにより、全体として永久電子双極子モーメントを有すると定義される。したがって、ここで使用した用語“極性置換基”は、永久電子双極子モーメントが入った置換基を意味する。
式(I)及び(II)を有する配位子のR1基は同一で、また同じ数及び種類の極性置換基を有することが好ましい。前記各R1基は、2つの利用可能なオルト位にただ1つの極性置換基を有することが好ましい。
好適な非極性置換基は、メチル、エチル、プロピル、ブチル、イソプロピル、イソブチル、t−ブチル、ペンチル、ヘキシル、シクロペンチル、2−メチルシクロヘキシル、シクロヘキシル、シクロペンタジエニル、フェニル、ビフェニル、ナフチル、トリル、キシリル、メシチル、エテニル、プロペニル及びベンジル基等であってよい。好ましくは非極性置換基は電子供与性ではない。
R1及びR2基のいずれも独立に、互いの1つ以上に、又は=N(R3)基に結合して環式構造を形成してよい。特にnが2の場合、2つのR2基は共に結合して燐原子を取り込んだ環式構造を形成してよい。
X−P(R1)m(R2)n (III)
(但し、Xはハロゲン化物であり、R1、R2、m及びnは配位子(I)及び(II)について定義した通りである)
の化合物と、(ii)式(IV):
(R1)2P=N(R3)H (IV)
(但し、R1及びR3は配位子(I)及び(II)について定義した通りである)
の化合物とをHX受容体の存在下に反応させる方法により製造できる。
(i)式(V):
X−P(R1)2 (V)
(但し、Xはハロゲン化物であり、R1は配位子(I)及び(II)について定義した通りである)
の化合物と、(ii)式(VI):
(R1)m(R2)nP−N(R3)H (VI)
(但し、R1、R2、R3、m及びnは配位子(I)及び(II)について定義した通りである)
の化合物とをHX受容体の存在下に反応させる方法により製造できる。
(R1)2P−P(R1)m(R2)n=N(R3)⇔
(R1)m(R2)nP−P−(R1)2=N(R3)⇔
(R1)2P−N(R3)−P(R1)m(R2)n
X−P(R1)m(R2)n (III)
(但し、Xはハロゲン化物であり、R1、R2、m及びnは配位子(I)及び(II)について定義した通りである)
(R1)2P=N(R3)H (IV)
(但し、R1及びR3は配位子(I)及び(II)について定義した通りである)
の化合物とをHX受容体の存在下に反応させる方法により製造した配位子システムが提供される。
(i)式(V):
X−P(R1)2 (V)
(但し、Xはハロゲン化物であり、R1は配位子(I)及び(II)について定義した通りである)
の化合物と、(ii)式(VI):
(R1)m(R2)nP−N(R3)H (VI)
(但し、R1、R2、R3、m及びnは配位子(I)及び(II)について定義した通りである)
の化合物とをHX受容体の存在下に反応させる方法により製造した配位子システムが提供される。
(2−メトキシフェニル)2PN(メチル)P(2−メトキシフェニル)(フェニル)、
(2−メトキシフェニル)2PN(メチル)P(フェニル)2、
(2−エトキシフェニル)2PN(メチル)P(2−エトキシフェニル)(フェニル)、
(2−エトキシフェニル)2PN(メチル)P(フェニル)2、
(2−メトキシフェニル)(2−エトキシフェニル)PN(メチル)P(2−メトキシフェニル)(フェニル)、
(2−メトキシフェニル)(2−エトキシフェニル)PN(メチル)P(フェニル)2、
(2−イソプロポキシフェニル)2PN(メチル)P(2−イソプロポキシフェニル)(フェニル)、
(2−イソプロポキシフェニル)2PN(メチル)P(フェニル)2、
(2−メトキシフェニル)2PN(メチル)P(2−メトキシフェニル)(3−メトキシフェニル)、
(2−メトキシフェニル)2PN(メチル)P(3−メトキシフェニル)2、
(2−メトキシフェニル)2PN(メチル)P(2−メトキシフェニル)(4−メトキシフェニル)、
(2−メトキシフェニル)2PN(メチル)P(4−メトキシフェニル)2、
(2−メトキシフェニル)2PN(メチル)P(2−メトキシフェニル)(4−フルオロフェニル)、
(2−メトキシフェニル)2PN(メチル)P(4−フルオロフェニル)2、
(2−メトキシフェニル)2PN(メチル)P(2−エトキシフェニル)(4−フルオロフェニル)、
(2−メトキシフェニル)2PN(メチル)P(2−メトキシフェニル)(4−ジメチルアミノフェニル)、
(2−メトキシフェニル)2PN(メチル)P(4−ジメチルアミノフェニル)2、
(2−メトキシフェニル)2PN(メチル)P(2−メトキシフェニル)(4−(4−メトキシフェニル)フェニル)、
(2−メトキシフェニル)2PN(メチル)P(4−(4−メトキシフェニル)フェニル)2、
(2−メトキシフェニル)2PN(メチル)P(2−メトキシフェニル)(4−ジメチルアミノフェニル)、
(2−メトキシフェニル)2PN(メチル)P(4−ジメチルアミノフェニル)2、
(2−メトキシフェニル)2PN(メチル)P(2−メトキシフェニル)(4−(4−メトキシフェニル)フェニル)、
(2−メトキシフェニル)2PN(メチル)P(4−(4−メトキシフェニル)フェニル)2、
(2−メトキシフェニル)2PN(メチル)P(2−メトキシフェニル)(エチル)、
(2−メトキシフェニル)2PN(メチル)P(エチル)2、
(2−メトキシフェニル)2PN(メチル)P(2−メトキシフェニル)(2−エチルフェニル)、
(2−メトキシフェニル)2PN(メチル)P(2−エチルフェニル)2、
(2−メトキシフェニル)2PN(メチル)P(2−メトキシフェニル)(2−ナフチル)、
(2−メトキシフェニル)2PN(メチル)P(2−ナフチル)2、
(2−メトキシフェニル)2PN(メチル)P(2−メトキシフェニル)(4−ビフェニル)、
(2−メトキシフェニル)2PN(メチル)P(4−ビフェニル)2、
(2−メトキシフェニル)2PN(メチル)P(2−メトキシフェニル)(4−メチルフェニル)、
(2−メトキシフェニル)2PN(メチル)P(4−メチルフェニル)2、
(2−メトキシフェニル)2PN(メチル)P(2−メトキシフェニル)(2−チオフェニル)、
(2−メトキシフェニル)2PN(メチル)P(2−チオフェニル)2、
(2−メトキシフェニル)2PN(メチル)P(2−メトキシフェニル)(3−メチルフェニル)、
(2−メトキシフェニル)2PN(メチル)P(3−メチルフェニル)2、
(2−メトキシフェニル)2PN(エチル)P(2−メトキシフェニル)(フェニル)、
(2−メトキシフェニル)2PN(エチル)P(フェニル)2、
(2−メトキシフェニル)2PN(プロピル)P(2−メトキシフェニル)(フェニル)、
(2−メトキシフェニル)2PN(プロピル)P(フェニル)2、
(2−メトキシフェニル)2PN(イソプロピル)P(2−メトキシフェニル)(フェニル)、
(2−メトキシフェニル)2PN(イソプロピル)P(フェニル)2、
(2−メトキシフェニル)2PN(ブチル)P(2−メトキシフェニル)(フェニル)、
(2−メトキシフェニル)2PN(ブチル)P(フェニル)2、
(2−メトキシフェニル)2PN(t−ブチル)P(2−メトキシフェニル)(フェニル)、
(2−メトキシフェニル)2PN(t−ブチル)P(フェニル)2、
(2−メトキシフェニル)2PN(フェニル)P(2−メトキシフェニル)(フェニル)、
(2−メトキシフェニル)2PN(フェニル)P(フェニル)2、
(2−メトキシフェニル)2PN(シクロヘキシル)P(2−メトキシフェニル)(フェニル)、
(2−メトキシフェニル)2PN(シクロヘキシル)P(フェニル)2、
(2−メトキシフェニル)2PN(1−シクロヘキシルエチル)P(2−メトキシフェニル)(フェニル)、
(2−メトキシフェニル)2PN(1−シクロヘキシルエチル)P(フェニル)2、
(2−メトキシフェニル)2PN(2−メチルシクロヘキシル)P(2−メトキシフェニル)(フェニル)、
(2−メトキシフェニル)2PN(2−メチルシクロヘキシル)P(フェニル)2、
(2−メトキシフェニル)2PN(デシル)P(2−メトキシフェニル)(フェニル)、
(2−メトキシフェニル)2PN(デシル)P(フェニル)2、
(2−メトキシフェニル)2PN(アリル)P(2−メトキシフェニル)(フェニル)、
(2−メトキシフェニル)2PN(アリル)P(フェニル)2、
(2−メトキシフェニル)2PN(4−メトキシフェニル)P(2−メトキシフェニル)(フェニル)、
(2−メトキシフェニル)2PN(4−メトキシフェニル)P(フェニル)2、
(2−メトキシフェニル)2PN(4−t−ブチルフェニル)P(2−メトキシフェニル)(フェニル)、
(2−メトキシフェニル)2PN(4−t−ブチルフェニル)P(フェニル)2、
(2−メトキシフェニル)2PN((CH2)3−N−モルホリン)P(2−メトキシフェニル)(フェニル)、
(2−メトキシフェニル)2PN((CH2)3−N−モルホリン)P(フェニル)2、
(2−メトキシフェニル)2PN(Si(CH3)3)P(2−メトキシフェニル)(フェニル)、
(2−メトキシフェニル)2PN(Si(CH3)3)P(フェニル)2、
(2−メトキシフェニル)2PN(ベンジル)P(2−メトキシフェニル)(フェニル)、
(2−メトキシフェニル)2PN(ベンジル)P(フェニル)2、
(2−メトキシフェニル)2PN(1−シクロヘキシルエチル)P(2−メトキシフェニル)(フェニル)、
(2−メトキシフェニル)2PN(1−シクロヘキシルエチル)P(フェニル)2、
(2−メトキシフェニル)2PN(CH2CH2CH2Si(OMe3))P(2−メトキシフェニル)(フェニル)、
(2−メトキシフェニル)2PN(CH2CH2CH2Si(OMe3))P(フェニル)2、
(2−メトキシフェニル)2PN(2−メチルシクロヘキシル)P(2−メトキシフェニル)(フェニル)、
(2−メトキシフェニル)2PN(1−シクロヘキシルエチル)P(フェニル)2、
(2−エイコサノキシフェニル)2PN(メチル)P(2−エイコサノキシフェニル)(フェニル)、
(2−エイコサノキシフェニル)2PN(メチル)P(フェニル)2、
(2−メトキシフェニル)(2−エイコサノキシフェニル)PN(メチル)P(2−エイコサノキシフェニル)(フェニル)、
(2−エイコサノキシフェニル)2PN(メチル)P(4−エイコサノキシフェニル)(フェニル)、
(2−メトキシフェニル)(2−エイコサノキシフェニル)PN(メチル)P(4−エイコサノキシフェニル)(フェニル)、
(2−エイコサノキシフェニル)2PN(メチル)P(4−エイコサノキシフェニル)2、
(2−メトキシフェニル)(2−エイコサノキシフェニル)PN(メチル)P(4−エイコサノキシフェニル)2、
(2−エイコサノキシフェニル)2PN(メチル)P(2−エイコサノキシフェニル)(4−エイコサノキシフェニル)、
(2−メトキシフェニル)(2−エイコサノキシフェニル)PN(メチル)P(2−エイコサノキシフェニル)(4−エイコサノキシフェニル)等が挙げられる。
本発明の配位子及び配位子システムは、(a)クロム、モリブデン又はタングステンの供給源、(b)前述のような配位子又は配位子システム、及び(c)助触媒を含む触媒システムに使用できる。
ここで、好ましい実施態様では、成分(a)はクロム、特にクロム(III)の供給源である。
本発明触媒システム中の触媒の量は、クロム、モリブデン又はタングステンの1原子当たりアルミニウム又はホウ素原子を通常、0.1〜20,000、好ましくは1〜2000、更に好ましくは1〜1000、最も好ましくは1〜500の範囲の比を得るのに充分な量である。
本発明の触媒システムは、独立に前述のような配位子を2種以上含有してよい。
本発明の触媒システムは、支持体材料に担持しても担持しなくてもよい。好適な支持体材料の例は、WO 02/04119、WO 2004/056478、WO 2004/056479で見ることができる。
本発明の三量化及び四量化方法で使用される好ましいオレフィンモノマーは、プロピレン及びエチレンである。エチレンが特に好ましい。
本発明の触媒システム及び方法は、エチレンから1−ヘキセン及び1−オクテンへの同時三量化及び四量化に特に有用である。
溶液相又はスラリー相中で同時に三量化及び四量化を行う場合、三量化及び四量化条件下で実質的に不活性な希釈剤又は溶剤が使用できる。好適な希釈剤又は溶剤は、WO 02/04119、WO 2004/056478、WO 2004/056479に開示されるような、三量化及び四量化条件下で実質的に不活性である、脂肪族及び芳香族炭化水素、ハロゲン化炭化水素及びオレフィンが使用できる。
反応器、溶剤、分離法等についての詳細はWO 02/04119で見ることができる。
本発明方法を用いたエチレンの三量化及び四量化において製造されるC12〜C14の量は、通常、約10重量%以下である。
本発明を以下の非限定的実施例により説明する。
調製に使用した化学薬品は全てAldrichから購入し、特に述べない限り、更に精製しなかった。
触媒システムによる操作は全て窒素雰囲気下で行った。使用した溶剤は全て標準的な方法を用いて乾燥した。無水トルエン(純度99.8%)を4Åモレキュラシーブ上で乾燥した(最終水分:約3ppm)。無水ヘプタン(純度99.8%)を4Åモレキュラシーブ上に通しで乾燥した(最終水分:約1ppm)。
HP 5890シリーズII装置及び以下のクロマトグラフィー条件を用いてオリゴマーの分布を評価するため、得られたオリゴマーをガスクロマトグラフィー(GC)で特徴化した。
エチレンの1−オクテンへの四量化に関連して使用した用語“四量化選択率”とは、生成物組成物内に形成されたC8フラクションの量(GCで測定)を意味する。
“全生成物”の量は、GC分析に由来する主としてオレフィン生成物の量と固体の量との合計である。
Varian 300MHz又は400MHz装置により、室温でNMRデータを得た。
配位子B、C、D、E、F及びGとクロム供給源とを含有する触媒前駆体組成物から本発明の触媒組成物を製造した。これらの成分は以下の通りである。
エチレンの同時三量化及び四量化反応におけるクロム供給源として、トリス(2,4−ペンタンジオン酸)クロム、即ち、Cr(acac)3を用いた。
配位子組成物E
下記方法により(2−メトキシフェニル)2PNH(メチル)と(フェニル)2PClとの反応生成物を製造した。
まず(2−メトキシフェニル)2PNEt2 1.59g(5mモル)のジエチルエーテル20ml溶液を形成することにより、(2−メトキシフェニル)2PN(CH3)P(2−メトキシフェニル)2配位子を製造した。この溶液に、不活性雰囲気下、室温で1M HClジエチルエーテル溶液(HCl 5mモル)を加えた。こうして形成された懸濁液を一夜撹拌した。生成物からジエチルエーテルを真空下で除去し、乾燥トルエン20mlを加えた。得られた溶液を濾過し、濾液からトルエンを真空下で除去して、白色固体(2−メトキシフェニル)2PCl生成物を得た。
(フェニル)2PN(イソプロピル)P(フェニル)2配位子を以下の方法で製造した。0℃、窒素雰囲気下で、トリエチルアミン15mlを、(フェニル)2PCl 6.3gの乾燥ジクロロメタン80ml溶液に加えた。得られた混合物に、イソプロピルアミン0.844gを加え、室温で一夜撹拌した。得られた溶液から溶剤を真空下で除去し、乾燥トルエン50mlを加えた。次いで混合物をシリカの小層上で濾過した。濾液からトルエンを真空下で除去した。(フェニル)2PN(イソプロピル)P(フェニル)2生成物が白色固体として単離された。エタノールから結晶化して、(フェニル)2PN(イソプロピル)P(フェニル)2を白色結晶として得た。
(フェニル)2PN(イソプロピル)P(2−メトキシフェニル)2配位子を以下の方法で製造した。窒素雰囲気下で、トリエチルアミン12mlを、イソプロピルアミン3.39gの乾燥トルエン10ml溶液に加えた。得られた混合物に(フェニル)2PCl 5.15mlを徐々に加え、室温で一夜撹拌した。沈殿を濾過により除去した。得られた溶液から溶剤を真空下で除去した。この蒸発残査にペンタンを加え、次いでペンタン溶液から溶剤を真空下で除去し、(フェニル)2PNH(イソプロピル)を無色油として得た。これを室温で放置して結晶化させた。
(2−メトキシフェニル)2PNH(メチル)と(シクロヘキシル)2PClとの反応生成物
窒素雰囲気下、Me3SiCH2Li 38mg(0.404モル)を、(2−メトキシフェニル)2PNH(メチル)101mg(0.367mモル)の乾燥トルエン15ml溶液に徐々に加えた。得られた混合物に、(シクロへキシル)2PCl(Aldrich)95mg(0.408モル)のトルエン5ml溶液を徐々に加えた。混合物を室温で2時間撹拌した。この混合物にヘキサン5mlを加えた。沈殿は遠心分離により除去した。真空下で溶剤を除去した。得られた粘着性材料をヘキサン10〜15mlで抽出した。このヘキサン溶液を−20℃に冷却すると、生成物が白色固体として単離された。31P−NMR(d8トルエン中)δ90.4及び49.5で信号(JPP=247Hz)。31P−NMRによれば、一方のP原子に2つのシクロヘキシル基を有し、他方のP原子に2つの2−メトキシフェニル基、(シクロヘキシル)2P(2−メトキシフェニル)2PN(メチル)又は(2−メトキシフェニル)2P(シクロヘキシル)2PN(メチル)を有するP−P=N(メチル)構造で少なくとも殆ど構成されていた(化1参照)。
下記のように(2−メトキシフェニル)2PNH(イソプロピル)と(2−メトキシフェニル)2PClとの反応生成物(配位子組成物G)を製造した。
窒素雰囲気下、トリエチルアミン3mlを、乾燥トルエン5ml中のイソプロピルアミン1.5ml(17.6mモル)に加えた。得られた混合物に、トルエン20ml中の(2−メトキシフェニル)2PCl 2.2g(7.84mモル)を徐々に加え、室温で一夜撹拌した。沈殿を遠心分離で除去した。得られた溶液から溶剤を真空下で除去した。ペンタンで洗浄して、(2−メトキシフェニル)2PNH(イソプロピル)を白色固体として得た。31P−NMR(C6D6中)δ21.8。
以下の実験で使用した助触媒は、Crompton GmbH,Bergkamen,ドイツから供給した、トルエン中のメチルアルミノキサン(MAO)、[Al]=5.20重量%である。
バッチ式オートクレーブでの同時三量化及び四量化用触媒システムの製造:
Braun MB 200−G乾燥箱中で、クロムトリス(アセチルアセトネート)(通常、30μモル)及び表1に示した配位子成分B,C、D、E、F又はGの量をガラス瓶に入れ、これに乾燥トルエン(通常、4g)を加えて触媒前駆体溶液を得た。最後に瓶を隔膜蓋で密封した。
加熱/冷却浴(Julabo,ATS−2型)で冷却するジャケット、タービン/ガス撹拌器及びバッフルを備えた1.0リットル鋼製オートクレーブで同時時三、四量化実験を行った。
表1に実験データを示す。
‡ ターンオーバー頻度(TOF)時間当たり転化エチレンkモル/触媒モル(kモル/モル*h);ターンオーバー数(TON)転化エチレンkモル/触媒モル(kモル/モル)
* 生成物組成物におけるC6部分の中の1−ヘキセン重量%
** 生成物組成物におけるC8部分の中の1−オクテン重量%
† 特記しない限り、大部分が分岐鎖オレフィン及び/又は内部オレ
フィン
† 生成物組成物におけるC10部分の中の1−デセン約50重量%
## 40℃、10分間
C6 炭素原子数6の炭化水素
C8 炭素原子数8の炭化水素
C10 炭素原子数10の炭化水素
C12−C14 炭素原子数12及び/又は14の炭化水素
固体 濾過により単離された蝋及びポリエチレン
全生成物 GC分析から誘導された、固体量を含むC4〜C100オレフィンの
量
Claims (13)
- 一般式(I):
(R1)2P−P(R1)m(R2)n=N(R3) (I)
(但し、R3基はC1〜C15アルキル基、置換C1〜C15アルキル基、C2〜C15アルケニル基、置換C2〜C15アルケニル基、C3〜C15シクロアルキル基、置換C3〜C15シクロアルキル基、C5〜C15芳香族基、置換C5〜C15芳香族基、C1〜C15アルコキシ基、置換C1〜C15アルコキシ基から選ばれ、
R1基は独立に、オルト位の少なくとも1つに任意に分岐したC1〜C20アルコキシ基を有する置換又は非置換の芳香族基から選ばれ、
R2基は独立に、置換又は非置換のヘテロ芳香族基を含む置換又は非置換の芳香族基(但し、オルト位のいずれにも極性置換基を持たない)から選ばれ、
またmは0又は1、nは1又は2であるが、m+nの合計は2である)
を有する配位子。 - 一般式(II):
P(R1)m(R2)n−P(R1)2=N(R3) (II)
(但し、R3はC1〜C15アルキル基、置換C1〜C15アルキル基、C2〜C15アルケニル基、置換C2〜C15アルケニル基、C3〜C15シクロアルキル基、置換C3〜C15シクロアルキル基、C5〜C15芳香族基、置換C5〜C15芳香族基、C1〜C15アルコキシ基、置換C1〜C15アルコキシ基からから選ばれ、
R1基は独立に、オルト位の少なくとも1つに任意に分岐したC1〜C20アルコキシ基を有する置換又は非置換の芳香族基から選ばれ、
R2基は独立に、置換又は非置換のヘテロ芳香族基を含む置換又は非置換の芳香族基(但し、オルト位のいずれにも極性置換基を持たない)から選ばれ、
またmは0又は1、nは1又は2であるが、m+nの合計は2である)
を有する配位子。 - R3がC1〜C15アルキル基から選ばれる請求項1又は2に記載の配位子。
- mが0で、nが2である請求項1〜3のいずれか1項に記載の配位子。
- R2基は独立に、オルト位のいずれにも極性置換基を持たない任意に置換したフェニル基から選ばれる請求項1〜4のいずれか1項に記載の配位子。
- R1基はo−アニシル基である請求項1〜5のいずれか1項に記載の配位子。
- (i)式(III):
X−P(R1)m(R2)n (III)
(但し、Xはハロゲン化物であり、R1、R2、m及びnは、一般式(I)及び(II)の配位子について請求項1および2に定義した通りである)
の化合物と、
(ii)式(IV):
(R1)2P−N(R3)H (IV)
(但し、R1及びR3は、一般式(I)及び(II)の配位子について請求項1および2に定義した通りである)
の化合物とを
HX受容体の存在下で反応させることを含む請求項1〜6のいずれか1項に記載の配位子の製造方法。 - (i)式(V):
X−P(R1)2 (V)
(但し、Xはハロゲン化物であり、R1は、一般式(I)及び(II)の配位子について請求項1および2に定義した通りである)
の化合物と、
(ii)式(VI):
(R1)m(R2)nP−N(R3)H (VI)
(但し、R1、R2、R3、m及びnは、一般式(I)及び(II)の配位子について請求項1および2に定義した通りである)
の化合物とを
HX受容体の存在下で反応させることを含む請求項1〜6のいずれか1項に記載の配位子の製造方法。 - (i)式(III):
X−P(R1)m(R2)n (III)
(但し、Xはハロゲン化物であり、R1、R2、m及びnは、一般式(I)及び(II)の配位子について請求項1および2に定義した通りである)
の化合物と、
(ii)式(IV):
(R1)2P−N(R3)H (IV)
(但し、R1及びR3は、一般式(I)及び(II)の配位子について請求項1および2に定義した通りである)
の化合物とを
HX受容体の存在下で反応させることにより配位子システムを製造するための方法。 - (i)式(V):
X−P(R1)2 (V)
(但し、Xはハロゲン化物であり、R1は、一般式(I)及び(II)の配位子について請求項1および2に定義した通りである)
の化合物と、
(ii)式(VI):
(R1)m(R2)nP−N(R3)H (VI)
(但し、R1、R2、R3、m及びnは、一般式(I)及び(II)の配位子について請求項1および2に定義した通りである)
の化合物とを
HX受容体の存在下で反応させることにより配位子システムを製造するための方法。 - a)クロムの供給源、b)請求項1〜6のいずれか1項に記載の配位子、或いは請求項9又は10に記載の配位子システム、及びc)助触媒を含むオレフィンモノマーの同時三量化及び四量化方法のための触媒システム。
- 少なくとも1種のオレフィンモノマーと請求項11に記載の触媒システムとを大気圧未満〜100バール(ゲージ圧)の範囲の圧力及び0〜200℃の範囲の温度で接触させることを含むオレフィンモノマーの同時三量化及び四量化方法。
- 前記オレフィンモノマーがエチレンである請求項12に記載の方法。
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