JP5420550B2 - キャリア注入を用いるシリコン発光素子 - Google Patents
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Description
間接バンドギャップ材料から成る第1のボディ、
第1のドーピング種から成る前記ボディの第1の領域と第2のドーピング種から成る前記ボディの第2の領域との間に形成される前記ボディ内の第1の接合領域、
前記ボディの前記第2の領域と、前記第1のドーピング種から成る前記ボディの第3の領域との間に形成される前記ボディ内の第2の接合領域であって、前記第1の接合領域と該第2の接合領域は、少数キャリア拡散長以下の距離だけ、互いから離隔して配置される、第2の接合領域、
使用時に、前記第1の接合領域に逆方向バイアスをかけてアバランシェモード又は電界放出モードにし、且つ前記第2の接合領域に順方向バイアスをかけて前記第1の接合領域にキャリアを注入するために、前記ボディの前記第1の領域、前記第2の領域及び前記第3の領域に接続される端子配列、及び
前記第3の領域の少なくとも1つの壁部のすぐ隣りに隣接し、それにより前記第3の領域からの寄生注入を低減する、分離材料から成る第2のボディ、
からなる発光素子が提供される。
第1のドーピング種から成る第1のボディの第1の領域と第2のドーピング種から成る前記ボディの第2の領域との間に形成される、間接バンドギャップ半導体材料から成る前記ボディ内の第1の接合領域と、前記ボディの前記第2の領域と、前記第1のドーピング種から成る前記ボディの第3の領域との間に形成される前記ボディ内の第2の接合領域とを利用する工程、
前記第1の接合領域に逆方向バイアスをかけてアバランシェモード又は電界放出モードにして光を発生させる工程、
前記第2の接合領域に順方向バイアスをかけて前記第1の接合領域にキャリアを注入する工程、及び
分離材料から成る第2のボディによって前記第3の領域の少なくとも1つの壁部を終端して前記第3の領域からの寄生注入を低減する工程、
を有する。
間接バンドギャップ半導体材料から成る第1のボディ、
第1のドーピング種から成る前記ボディの第1の領域と第2のドーピング種から成る前記ボディの第2の領域との間に形成される前記ボディ内の第1の接合領域、
使用時に、前記第1の接合領域に逆方向バイアスをかけてアバランシェモード又は電界放出モードにするために、前記ボディの前記第1の領域及び前記第2の領域に接続される端子配列、及び
前記第1の領域の少なくとも1つの壁部のすぐ隣りに隣接する、分離材料から成る第2のボディ、
からなる発光素子が本発明の範囲内に含まれる。
第1のドーピング種から成る第1のボディの第1の領域と第2のドーピング種から成る前記ボディの第2の領域との間に形成される、間接バンドギャップ半導体材料から成る前記ボディ内の第1の接合領域を利用する工程、
前記第1の接合領域に逆方向バイアスをかけてアバランシェモード又は電界放出モードにして光を発生させる工程、及び
分離材料から成る第2のボディによって前記第1の領域の少なくとも1つの壁部を終端して前記第1の領域からの寄生注入を低減する工程、
からなる方法が本発明の範囲内に含まれる。
Claims (11)
- 発光素子であって、
間接バンドギャップ材料から成る第1のボディ、
第1のドーピング種から成る前記第1のボディの第1の領域と第2のドーピング種から成る前記第1のボディの第2の領域との間に形成される前記第1のボディ内の第1の接合領域、
前記第1のボディの前記第2の領域と、前記第1のドーピング種から成る前記第1のボディの第3の領域との間に形成される前記第1のボディ内の第2の接合領域であって、前記第1の接合領域と該第2の接合領域は、少数キャリア拡散長以下の距離だけ、互いから離隔して配置される、第2の接合領域、
使用時に、前記第1の接合領域に逆方向バイアスをかけてアバランシェモード又は電界放出モードにし、且つ前記第2の接合領域に順方向バイアスをかけて前記第1の接合領域にキャリアを注入するために、前記第1のボディの前記第1の領域、前記第2の領域及び前記第3の領域に接続される端子配列、及び
前記第1のボディの前記第3の領域の上壁、底壁及び側壁の少なくとも2つの各々の少なくとも一部のすぐ隣りに隣接し、それにより前記第1のボディからの寄生注入を低減する、分離材料から成る第2のボディ、
からなる発光素子。 - 前記第1のボディは前記第2のボディ内に封入される、請求項1に記載の発光素子。
- 前記第1のボディは、シリコン・オン・インシュレータ(SOI)相補型金属酸化膜半導体(CMOS)技術を用いて、前記第2のボディ内に封入される、請求項2に記載の発光素子。
- 前記第2のボディはバルク材料のボディの表面上に設けられ、前記第1の接合領域及び前記第2の接合領域は、前記第1のボディの対向する位置の第1の壁部と第2の壁部との間に延在し、該第2の壁部は前記第1の壁部と前記表面との間に位置する、請求項2又は3に記載の発光素子。
- 前記第2のボディの埋込壁が、前記第1のボディの前記第2の壁部を前記バルク材料の層の表面から離隔して配置する、請求項4に記載の発光素子。
- 前記埋込壁は、前記バルク材料に向かって伝搬する光子のための反射体としての役割を果たす、請求項5に記載の発光素子。
- 前記第1のボディの前記第1の壁部の横断面は凹形である、請求項4〜6のいずれか一項に記載の発光素子。
- 前記第1の壁部の横断面は丸みをつけられる、請求項7に記載の発光素子。
- 間接バンドギャップ半導体材料において光を発生させる方法であって、
第1のドーピング種から成る第1のボディの第1の領域と第2のドーピング種から成る前記第1のボディの第2の領域との間に形成される、間接バンドギャップ半導体材料から成る前記第1のボディ内の第1の接合領域と、前記第1のボディの前記第2の領域と、前記第1のドーピング種から成る前記第1のボディの第3の領域との間に形成される前記第1のボディ内の第2の接合領域とを利用する工程、
前記第1の接合領域に逆方向バイアスをかけてアバランシェモード又は電界放出モードにして光を発生させる工程、
前記第2の接合領域に順方向バイアスをかけて前記第1の接合領域にキャリアを注入する工程、及び
分離材料から成る第2のボディによって、前記第1のボディの前記第3の領域の上壁、底壁及び側壁の少なくとも2つの各々の少なくとも一部を終端させ、それにより前記第1のボディからの寄生注入を低減する工程、
からなる方法。 - 発光素子であって、
間接バンドギャップ半導体材料から成る第1のボディ、
第1のドーピング種から成る前記第1のボディの第1の領域と第2のドーピング種から成る前記第1のボディの第2の領域との間に形成される前記第1のボディ内の第1の接合領域、
使用時に、前記第1の接合領域に逆方向バイアスをかけてアバランシェモード又は電界放出モードにするために、前記第1のボディの前記第1の領域及び前記第2の領域に接続される端子配列、及び
前記第1のボディの前記第1の領域の上壁、底壁及び側壁の少なくとも2つの各々の少なくとも一部のすぐ隣りに隣接する、前記第1のボディからの寄生注入を低減するための、分離材料から成る第2のボディ、
からなる発光素子。 - 間接バンドギャップ半導体材料において光を発生させる方法であって、
第1のドーピング種から成る第1のボディの第1の領域と第2のドーピング種から成る前記第1のボディの第2の領域との間に形成される、間接バンドギャップ半導体材料から成る前記第1のボディ内の第1の接合領域を利用する工程、
前記第1の接合領域に逆方向バイアスをかけてアバランシェモード又は電界放出モードにして光を発生させる工程、及び
分離材料から成る第2のボディによって、前記第1のボディの前記第1の領域の上壁、底壁及び側壁の少なくとも2つの各々の少なくとも一部を終端させ、前記第1のボディからの寄生注入を低減する工程、
からなる方法。
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