JP5415732B2

JP5415732B2 - Surface protection sheet

Info

Publication number: JP5415732B2
Application number: JP2008238384A
Authority: JP
Inventors: 茂人奥地; 新久保田
Original assignee: Lintec Corp
Current assignee: Lintec Corp
Priority date: 2008-09-17
Filing date: 2008-09-17
Publication date: 2014-02-12
Anticipated expiration: 2028-09-17
Also published as: JP2010073816A

Description

本発明は、表面に回路が形成された半導体ウエハの裏面研削時に該ウエハ表面に仮着され、回路パターンを保護するために使用される表面保護用シートに関する。 The present invention relates to a sheet for protecting a surface, which is temporarily attached to the surface of a semiconductor wafer having a circuit formed on the surface and used for protecting a circuit pattern.

近年のＩＣカードの普及にともない、その構成部材である半導体チップの薄型化が進められている。このため、従来３５０μｍ程度の厚みであったウエハを、５０〜１００μｍあるいはそれ以下まで薄くすることが求められるようになった。 With the spread of IC cards in recent years, the semiconductor chip that is a constituent member thereof is being made thinner. For this reason, it has been required to reduce the thickness of a conventional wafer having a thickness of about 350 μm to 50 to 100 μm or less.

半導体ウエハ表面に回路パターン形成後にウエハ裏面を研削することは従来より行われている。この際、回路面に表面保護用シートと呼ばれる粘着シートを貼付して、回路面の保護およびウエハの固定を行い、裏面研削を行っている。研削時には、発生する研削屑および熱を除去するため、ウエハの研削面に水を噴霧することが一般的である。 Conventionally, after the circuit pattern is formed on the surface of the semiconductor wafer, the back surface of the wafer is ground. At this time, a pressure-sensitive adhesive sheet called a surface protection sheet is attached to the circuit surface to protect the circuit surface and fix the wafer, and perform back surface grinding. In grinding, in order to remove generated grinding dust and heat, it is common to spray water on the grinding surface of the wafer.

従来、表面保護用シートには、軟質基材上に粘着剤が塗工されてなる粘着シートが用いられていた（たとえば特許文献１、２、３等参照）。 Conventionally, a pressure-sensitive adhesive sheet obtained by coating a soft substrate with a pressure-sensitive adhesive has been used as the surface protection sheet (see, for example, Patent Documents 1, 2, and 3).

このような表面保護用シートに用いられる粘着剤としては、回路面への研削水の浸入を防止するため、比較的強い粘着力を有するアクリル系の粘着剤が汎用されている。たとえば、１８０°ピール強度が１．０Ｎ／２５ｍｍ以上あるいはプローブタック値が６５０ｍＮ以上の粘着剤がよく使用されている。 As an adhesive used for such a surface protection sheet, an acrylic adhesive having a relatively strong adhesive force is widely used in order to prevent the grinding water from entering the circuit surface. For example, an adhesive having a 180 ° peel strength of 1.0 N / 25 mm or more or a probe tack value of 650 mN or more is often used.

ウエハ裏面の研削処理が終了した後、表面保護用シートはウエハ表面から剥離される。しかし、上記のように比較的強い粘着力を有する粘着剤が使用されているため、シートの剥離後に、ウエハ表面に粘着剤が残着してしまうことがあった。ウエハ表面に粘着剤が残着した場合には、付着した粘着剤を除去する必要がある。ウエハ表面に付着した粘着剤の除去は、ウエハ表面を、トリクロロエチレンなどの含塩素系有機溶剤で洗浄した後精製水で洗浄することによって行なわれてきた。ところがウエハ表面の洗浄に用いられるトリクロロエチレンなどの含塩素溶剤は、人体や環境に対して悪影響を与える危険性が指摘されているため、その使用を控えることが望まれている。また上記のようにウエハ表面の洗浄工程は、トリクロロエチレンなどの有機溶剤で洗浄した後精製水で洗浄するという２つの工程からなっているため、手間がかかるという問題点があった。
特開平07-201787号公報特開2000-068237号公報特開2000-150432号公報 After the wafer back surface grinding process is completed, the surface protection sheet is peeled off from the wafer surface. However, since the adhesive having a relatively strong adhesive force is used as described above, the adhesive sometimes remains on the wafer surface after the sheet is peeled off. When the adhesive remains on the wafer surface, it is necessary to remove the adhered adhesive. The pressure-sensitive adhesive adhered to the wafer surface has been removed by washing the wafer surface with a chlorine-containing organic solvent such as trichlorethylene and then with purified water. However, a chlorine-containing solvent such as trichlorethylene used for cleaning the wafer surface has been pointed out to be harmful to the human body and the environment. In addition, as described above, the wafer surface cleaning process is composed of two processes of cleaning with an organic solvent such as trichlorethylene and then cleaning with purified water, so that there is a problem that it takes time.
Japanese Unexamined Patent Publication No. 07-201787 JP 2000-068237 A JP 2000-150432 A

本発明は、上記のような従来技術に鑑みてなされたものであって、表面に回路が形成された半導体ウエハの裏面研削時に該ウエハ表面に仮着され、回路パターンを保護するために使用される表面保護用シートであって、裏面研削終了後にウエハ表面から剥離した際に、保護用シート由来の残渣物によるウエハ表面の汚染が極めて少ない保護用シートを提供することを目的としている。 The present invention has been made in view of the prior art as described above, and is temporarily attached to the front surface of a semiconductor wafer having a circuit formed on the surface thereof, and used to protect the circuit pattern. It is an object of the present invention to provide a protective sheet for protecting a surface of a wafer with very little contamination from a residue derived from the protective sheet when peeling from the wafer surface after completion of back surface grinding.

このような課題の解決を目的とした本発明の要旨は以下のとおりである。
（１）表面に回路が形成された半導体ウエハの裏面研削時に該ウエハ表面に仮着される表面保護用シートであって、
ウエハに仮着されるシート面が、プローブタック値１００ｍＮ未満の樹脂からなり、
該シート面の保持時間が７００００秒以上である表面保護用シート。
（２）前記樹脂からなる単層シートである（１）に記載の表面保護用シート。
（３）前記樹脂からなる層が基材上に設けられてなる（１）に記載の表面保護用シート。
（４）前記樹脂がエチレン・酢酸ビニル共重合体からなる（１）〜（３）の何れかに記載の表面保護用シート。
（５）エチレン・酢酸ビニル共重合体の酢酸ビニル単位含量が５０重量％以上である（４）に記載の表面保護用シート。
（６）表面に回路が形成された半導体ウエハの裏面研削時に該ウエハ表面に仮着される表面保護用シートであって、
ウエハに仮着されるシート面が、エチレン・酢酸ビニル共重合体からなり、
前記エチレン・酢酸ビニル共重合体の酢酸ビニル単位含量が５０重量％以上である表面保護用シート。 The gist of the present invention aimed at solving such problems is as follows.
(1) A surface protection sheet that is temporarily attached to a wafer surface during back grinding of a semiconductor wafer having a circuit formed on the surface,
The sheet surface temporarily attached to the wafer is made of a resin having a probe tack value of less than 100 mN,
A sheet for protecting a surface, wherein the retention time of the sheet surface is 70000 seconds or more.
(2) The sheet for surface protection according to (1), which is a single-layer sheet made of the resin.
(3) The surface protective sheet according to (1), wherein a layer made of the resin is provided on a substrate.
(4) The surface protecting sheet according to any one of (1) to (3), wherein the resin is made of an ethylene / vinyl acetate copolymer.
(5) The sheet for surface protection according to (4), wherein the ethylene / vinyl acetate copolymer has a vinyl acetate unit content of 50% by weight or more.
(6) A surface protection sheet that is temporarily attached to the surface of the semiconductor wafer when the back surface of the semiconductor wafer having a circuit formed thereon is ground.
The sheet surface temporarily attached to the wafer is made of an ethylene / vinyl acetate copolymer,
A sheet for protecting a surface, wherein the ethylene / vinyl acetate copolymer has a vinyl acetate unit content of 50% by weight or more.

本発明のウエハ表面保護用シートによれば、裏面研削終了後にウエハ表面から保護用シートを剥離した際に、保護用シート由来の残渣物によるウエハ表面の汚染が極めて少なく、洗浄工程が不要になり、また得られる半導体チップの品質も安定する。 According to the wafer surface protective sheet of the present invention, when the protective sheet is peeled off from the wafer surface after the back surface grinding is completed, the wafer surface is hardly contaminated by the residue derived from the protective sheet, and the cleaning process becomes unnecessary. Also, the quality of the obtained semiconductor chip is stabilized.

以下本発明の好ましい態様について、図面を参照しながら、その最良の形態も含めてさらに具体的に説明する。 Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described more specifically with reference to the drawings, including the best mode.

図１に示すように、本発明に係るウエハ表面保護用シート１０は、半導体ウエハに仮着される側のシート面Ａが、特定の樹脂層１により構成されている。表面保護用シート１０は、図１に示すように、樹脂層１の単層シートであってもよく、また図２に示すように、基材２上に樹脂層１が形成された積層シートであってもよい。 As shown in FIG. 1, in the wafer surface protection sheet 10 according to the present invention, the sheet surface A on the side temporarily attached to the semiconductor wafer is constituted by a specific resin layer 1. The surface protecting sheet 10 may be a single layer sheet of the resin layer 1 as shown in FIG. 1 or a laminated sheet in which the resin layer 1 is formed on the substrate 2 as shown in FIG. There may be.

樹脂層１は、シート面Ａ（以下、「仮着面Ａ」と記載することがある）におけるプローブタック値（ＪＩＳＺ０２３７：１９９１参考５に準拠）が、１００ｍＮ未満、好ましくは５０ｍＮ以下、さらに好ましくは１０ｍＮ以下の範囲にある微粘着性または非粘着性の樹脂からなる。仮着面Ａのプローブタック値が上記範囲にあると、ウエハ回路面に密着し、裏面研削時に剪断力が加えられても保護用シートの剥離が無く、また研削中に研削水が回路面に浸入することもない。さらに、裏面研削終了後にウエハから保護用シート１０を剥離しても、保護用シート由来の残渣物によるウエハ表面の汚染が極めて少ないという効果が奏される。 The resin layer 1 has a probe tack value (based on JIS Z0237: 1991 Reference 5) on the sheet surface A (hereinafter sometimes referred to as “temporarily attached surface A”) of less than 100 mN, preferably 50 mN or less, and more preferably. Consists of a slightly tacky or non-tacky resin in the range of 10 mN or less. If the probe tack value of the temporary attachment surface A is in the above range, it adheres closely to the wafer circuit surface, and even if a shearing force is applied during back surface grinding, there is no peeling of the protective sheet, and grinding water is applied to the circuit surface during grinding. There is no intrusion. Furthermore, even if the protective sheet 10 is peeled from the wafer after the backside grinding is completed, there is an effect that the contamination of the wafer surface with the residue derived from the protective sheet is extremely small.

一方、プローブタック値が高すぎる場合には、裏面研削終了後にウエハから保護用シート１０を剥離した際に、保護用シート由来の残渣物、特に樹脂層１を構成する樹脂がウエハ表面に転着し、ウエハを汚染するおそれがある。 On the other hand, when the probe tack value is too high, when the protective sheet 10 is peeled off from the wafer after the back surface grinding is finished, the residue derived from the protective sheet, particularly the resin constituting the resin layer 1 is transferred to the wafer surface. Then, there is a risk of contaminating the wafer.

従来、表面保護用シートに用いられる粘着剤としては、回路面への研削水の浸入を防止するため、比較的強い粘着力を有するアクリル系の粘着剤が汎用されている。たとえば、１８０°ピール強度が１．０Ｎ／２５ｍｍ以上あるいはプローブタック値が６５０ｍＮ以上の粘着剤がよく使用されている。しかしながら、このような粘着剤では、ウエハ表面に粘着剤が残着するという問題があった。本発明者らは、従来は粘着剤としての使用が考えられない微粘着性あるいは非粘着性の樹脂を仮着面に用いた場合であっても、仮着面におけるプローブタック値が所定範囲にあればウエハの保護を確実に行えるとの知見を得て本発明を完成するに至った。 Conventionally, acrylic pressure-sensitive adhesives having a relatively strong adhesive force have been widely used as pressure-sensitive adhesives used for surface protection sheets in order to prevent the penetration of grinding water into the circuit surface. For example, an adhesive having a 180 ° peel strength of 1.0 N / 25 mm or more or a probe tack value of 650 mN or more is often used. However, such an adhesive has a problem that the adhesive remains on the wafer surface. The inventors of the present invention have a probe tack value on the temporary attachment surface within a predetermined range even when a slightly adhesive or non-adhesive resin that cannot be conventionally used as an adhesive is used for the temporary attachment surface. The present invention has been completed with the knowledge that the wafer can be reliably protected if there is.

また、本発明の表面保護用シート１０において、仮着面Ａの保持時間（ＪＩＳＺ０２３７：２０００に準拠）は、７００００秒以上の範囲にある。さらに、本発明の表面保護用シート１０の仮着面Ａにおける１８０°ピール強度（ＪＩＳＺ０２３７：２０００に準拠）は、好ましくは３０〜１０００ｍＮ／２５ｍｍ、さらに好ましくは５０〜９８０ｍＮ／２５ｍｍ、特に好ましくは１００〜６００ｍＮ／２５ｍｍの範囲にある。仮着面Ａの保持時間および１８０°ピール強度が上記範囲にあると、裏面研削時にウエハに剪断力が加えられても、ウエハと保護用シート１０とが剥離することなく、また研削水の回路面への浸入も防止できる。 Moreover, in the surface protection sheet 10 of the present invention, the holding time of the temporary attachment surface A (conforming to JIS Z0237: 2000) is in the range of 70000 seconds or more. Furthermore, the 180 ° peel strength (according to JIS Z0237: 2000) on the temporary attachment surface A of the surface protective sheet 10 of the present invention is preferably 30 to 1000 mN / 25 mm, more preferably 50 to 980 mN / 25 mm, and particularly preferably. It is in the range of 100 to 600 mN / 25 mm. If the holding time of the temporary attachment surface A and the 180 ° peel strength are in the above ranges, the wafer and the protective sheet 10 are not separated even when a shearing force is applied to the wafer during backside grinding, and the circuit for the grinding water Intrusion into the surface can also be prevented.

本発明において、仮着面Ａを構成する樹脂は、上述したような物性を有する限り特に限定はされないが、所定の物性を達成する観点から、下記特性を有することが好ましい。 In the present invention, the resin constituting the temporary attachment surface A is not particularly limited as long as it has the above-described physical properties, but preferably has the following characteristics from the viewpoint of achieving predetermined physical properties.

すなわち、仮着面Ａを構成する樹脂のヤング率は、好ましくは０．５〜１００ＭＰａ、さらに好ましくは１〜５０ＭＰａ、特に好ましくは１〜３０ＭＰａの範囲にある。仮着面Ａを構成する樹脂として上記特性を有する樹脂を使用することで、前述した本発明で規定する物性の達成が容易になる。 That is, the Young's modulus of the resin constituting the temporary attachment surface A is preferably in the range of 0.5 to 100 MPa, more preferably 1 to 50 MPa, and particularly preferably 1 to 30 MPa. By using the resin having the above characteristics as the resin constituting the temporary attachment surface A, it is easy to achieve the physical properties defined in the present invention.

仮着面Ａを構成する樹脂の材質は、上記物性を満足する限り特に限定はされず、ゴム系、アクリル系、シリコーン系、ポリウレタン系、ポリウレタンアクリレート系、ポリエステル系、ポリオレフィン系、ポリビニルエーテル系等からなる非粘着性の樹脂や微粘着性の樹脂であってもよい。また紫外線などのエネルギー線により硬化し、粘着性が任意に制御されたエネルギー線硬化型の樹脂であってもよい。 The material of the resin constituting the temporary attachment surface A is not particularly limited as long as the above physical properties are satisfied, such as rubber, acrylic, silicone, polyurethane, polyurethane acrylate, polyester, polyolefin, polyvinyl ether, etc. A non-adhesive resin or a slightly adhesive resin may be used. Further, it may be an energy ray curable resin that is cured by energy rays such as ultraviolet rays and whose adhesiveness is arbitrarily controlled.

しかしながら、特にエチレン・酢酸ビニル共重合体を使用することで、上記した所定の物性の達成が容易になる。エチレン・酢酸ビニル共重合体は、エチレンと酢酸ビニルとを共重合してなり、エチレン単位と酢酸ビニル単位とを含むポリオレフィン系の樹脂である。エチレン・酢酸ビニル共重合体における酢酸ビニル単位含量は、好ましくは５０重量％以上であり、さらに好ましくは５５〜９８重量％の範囲にある。酢酸ビニル単位含量が少なすぎる場合には、所定の物性が達成されないおそれがある。 However, the use of the ethylene / vinyl acetate copolymer makes it easy to achieve the above-mentioned predetermined physical properties. The ethylene / vinyl acetate copolymer is a polyolefin-based resin obtained by copolymerizing ethylene and vinyl acetate and containing an ethylene unit and a vinyl acetate unit. The vinyl acetate unit content in the ethylene / vinyl acetate copolymer is preferably 50% by weight or more, more preferably 55 to 98% by weight. If the vinyl acetate unit content is too small, the predetermined physical properties may not be achieved.

また、エチレン・酢酸ビニル共重合体の重量平均分子量（Ｍｗ）は、好ましくは１万〜１００万、さらに好ましくは３万〜５０万、特に好ましくは１０万〜４０万の範囲にある。 The weight average molecular weight (Mw) of the ethylene / vinyl acetate copolymer is preferably in the range of 10,000 to 1,000,000, more preferably 30,000 to 500,000, and particularly preferably 100,000 to 400,000.

本発明に係るウエハ表面保護用シート１０は、図１に示すように、樹脂層１の単層シートであってもよく、また図２に示すように、基材２上に樹脂層１が形成された積層シートであってもよい。 The wafer surface protection sheet 10 according to the present invention may be a single-layer sheet of the resin layer 1 as shown in FIG. 1, and the resin layer 1 is formed on the substrate 2 as shown in FIG. A laminated sheet may be used.

保護用シート１０が樹脂層１の単層シートである場合には、その厚みは好ましくは５〜５００μｍ、さらに好ましくは１０〜３００μｍ、特に好ましくは３０〜２００μｍの範囲にある。シートの厚みが薄すぎる場合には、研削時に研削水が浸入し、ウエハ表面が汚染されることがある。また、保護シートに自立性がなく、取扱性が低下する。一方、シートの厚みが厚すぎる場合には、ウエハの研削厚み精度が低下する。また、ウエハに残渣物が発生することがある。 When the protective sheet 10 is a single layer sheet of the resin layer 1, the thickness is preferably in the range of 5 to 500 μm, more preferably 10 to 300 μm, and particularly preferably 30 to 200 μm. If the thickness of the sheet is too thin, grinding water may enter during grinding and the wafer surface may be contaminated. In addition, the protective sheet is not self-supporting and handling properties are reduced. On the other hand, if the thickness of the sheet is too thick, the grinding thickness accuracy of the wafer decreases. Further, a residue may be generated on the wafer.

また、ウエハ表面保護用シート１０が基材２と樹脂層１とから構成される積層シートである場合、基材２は特に限定はされないが例えば低密度ポリエチレン、直鎖低密度ポリエチレン、高密度ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリブテン等のポリオレフィン、エチレン酢酸ビニル共重合体、エチレン(メタ)アクリル酸共重合体、エチレン(メタ)アクリル酸エステル共重合体等のエチレン共重合体、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート等のポリエステル、ポリ塩化ビニル、アクリルゴム、ポリアミド、ウレタン等からなるフィルムが用いられる。またこれらの架橋フィルムも用いられる。上記の基材は１種単独でもよいし、さらにこれらを２種類以上組み合わせた複合フィルムであってもよい。また上記のフィルムの他、これらを着色した透明フィルムまたは不透明フィルム等を用いることができる。 Further, when the wafer surface protecting sheet 10 is a laminated sheet composed of the base material 2 and the resin layer 1, the base material 2 is not particularly limited, but for example, low density polyethylene, linear low density polyethylene, high density polyethylene. Polyolefins such as polypropylene and polybutene, ethylene vinyl acetate copolymers, ethylene (meth) acrylic acid copolymers, ethylene copolymers such as ethylene (meth) acrylic acid ester copolymers, polyethylene terephthalate, polyethylene naphthalate, etc. A film made of polyester, polyvinyl chloride, acrylic rubber, polyamide, urethane or the like is used. These crosslinked films are also used. The above-mentioned base material may be one kind alone, or may be a composite film in which two or more kinds are combined. In addition to the above films, transparent films or opaque films colored with these can be used.

また、基材２の上面、すなわち樹脂層１が設けられる側の基材表面には樹脂層１との密着性を向上するために、コロナ処理を施したり、プライマー層を設けてもよい。また樹脂層１とは反対面に耐熱性、易滑性等の各種層を設けてもよい。このようなウエハ表面保護用シート１０は、上記のような基材２上に所定の樹脂層１を設けることで製造される。 Moreover, in order to improve the adhesiveness with the resin layer 1, you may give a corona treatment or a primer layer in the upper surface of the base material 2, ie, the base material surface in the side in which the resin layer 1 is provided. Further, various layers such as heat resistance and slipperiness may be provided on the surface opposite to the resin layer 1. Such a wafer surface protecting sheet 10 is manufactured by providing a predetermined resin layer 1 on the substrate 2 as described above.

ウエハ表面保護用シート１０が基材２と樹脂層１とから構成される積層シートである場合、樹脂層１の厚みは好ましくは０．５〜２００μｍ、さらに好ましくは１〜１００μｍ、特に好ましくは５〜５０μｍの範囲にある。また、基材２の厚みは好ましくは５〜５００μｍ、さらに好ましくは１０〜３００μｍ、特に好ましくは３０〜２００μｍの範囲にある。積層シートの場合には、シートの自立性が保たれるため、樹脂層１は単層シートの場合と比べて薄くても良い。 When the wafer surface protecting sheet 10 is a laminated sheet composed of the substrate 2 and the resin layer 1, the thickness of the resin layer 1 is preferably 0.5 to 200 μm, more preferably 1 to 100 μm, and particularly preferably 5 It is in the range of ˜50 μm. The thickness of the substrate 2 is preferably in the range of 5 to 500 μm, more preferably 10 to 300 μm, and particularly preferably 30 to 200 μm. In the case of a laminated sheet, since the self-supporting property of the sheet is maintained, the resin layer 1 may be thinner than in the case of a single-layer sheet.

なお、ウエハ表面保護用シート１０の樹脂層１には、その使用前に樹脂層を保護するために剥離シートが積層されていてもよい。 Note that a release sheet may be laminated on the resin layer 1 of the wafer surface protection sheet 10 in order to protect the resin layer before use.

剥離シートは、特に限定されるものではなく、例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポリプロピレン、ポリエチレン等の樹脂からなるフィルムまたはそれらの発泡フィルムや、グラシン紙、コート紙、ラミネート紙等の紙に、シリコーン系、フッ素系、長鎖アルキル基含有カルバメート等の剥離剤で剥離処理したものを使用することができる。 The release sheet is not particularly limited. For example, a film made of a resin such as polyethylene terephthalate, polypropylene, or polyethylene or a foamed film thereof, paper such as glassine paper, coated paper, laminated paper, silicone-based, fluorine A system and a release agent such as a long chain alkyl group-containing carbamate can be used.

単層シートの製造は、種々周知の方法で行われ、たとえば押し出し成形、キャスト成膜などにより製造することができる。 The monolayer sheet is produced by various well-known methods, and can be produced by, for example, extrusion molding or cast film formation.

また、基材２表面に樹脂層１を設ける方法は、溶剤希釈した樹脂を、剥離シート上に所定の膜厚になるように塗布、乾燥し形成した樹脂層を基材表面に転写しても構わないし、基材表面に直接、溶剤希釈した樹脂を塗布、乾燥して樹脂層１を形成しても構わない。さらに、前記の単層シートと基材とをドライラミネートなどの方法で積層してもよい。 Moreover, the method of providing the resin layer 1 on the surface of the base material 2 is such that the resin layer formed by applying a solvent-diluted resin on the release sheet so as to have a predetermined film thickness is dried and transferred to the base material surface. Alternatively, the resin layer 1 may be formed by applying a solvent-diluted resin directly on the substrate surface and drying. Further, the single layer sheet and the substrate may be laminated by a method such as dry lamination.

次に、本発明のウエハ表面保護用シート１０を用いた半導体ウエハの裏面研削方法について説明する。 Next, a semiconductor wafer back surface grinding method using the wafer surface protecting sheet 10 of the present invention will be described.

ウエハの裏面研削においては、図３に示すように、表面に回路が形成された半導体ウエハ１１の回路面に、ウエハ表面保護用シート１０の仮着面Ａを仮着して回路面を保護しつつウエハの裏面をグラインダー２０により研削し、所定厚みのウエハとする。 In the back surface grinding of the wafer, as shown in FIG. 3, a temporary attachment surface A of the wafer surface protection sheet 10 is temporarily attached to the circuit surface of the semiconductor wafer 11 having a circuit formed on the surface to protect the circuit surface. Meanwhile, the back surface of the wafer is ground by the grinder 20 to obtain a wafer having a predetermined thickness.

半導体ウエハ１１はシリコンウエハであってもよく、またガリウム・砒素などの化合物半導体ウエハであってもよい。ウエハ表面への回路１２の形成はエッチング法、リフトオフ法などの従来より汎用されている方法を含む様々な方法により行うことができる。半導体ウエハの回路形成工程において、所定の回路１２が形成される。図４に示すように、回路１２は、ウエハ１１の内周部１３表面に格子状に形成され、外周端から数ｍｍの範囲には回路が存在しない余剰部分１４が残存する。ウエハ１１の研削前の厚みは特に限定はされないが、通常は５００〜１０００μｍ程度である。 The semiconductor wafer 11 may be a silicon wafer or a compound semiconductor wafer such as gallium / arsenic. Formation of the circuit 12 on the wafer surface can be performed by various methods including conventionally used methods such as an etching method and a lift-off method. In the circuit forming process of the semiconductor wafer, a predetermined circuit 12 is formed. As shown in FIG. 4, the circuit 12 is formed in a lattice pattern on the surface of the inner peripheral portion 13 of the wafer 11, and a surplus portion 14 that does not have a circuit remains in a range of several mm from the outer peripheral end. The thickness of the wafer 11 before grinding is not particularly limited, but is usually about 500 to 1000 μm.

裏面研削時には、図３に示すように、ウエハ表面の回路を保護するために回路面に本発明のウエハ表面保護用シート１０を仮着する。なお、ここでシートを仮着するとは、シートを再剥離可能に被着体に固定することをいう。ウエハ表面へのウエハ表面保護用シート１０の仮着は、テープマウンターなどを用いた汎用の手法により行われる。また、ウエハ表面保護用シート１０は、予め半導体ウエハ１１と略同形状に切断されていてもよく、ウエハにシートを仮着後、余分なシートをウエハ外周に沿って切断、除去してもよい。 At the time of back surface grinding, as shown in FIG. 3, the wafer surface protection sheet 10 of the present invention is temporarily attached to the circuit surface to protect the circuit on the wafer surface. Here, temporarily attaching the sheet means fixing the sheet to the adherend so as to be removable again. The temporary attachment of the wafer surface protection sheet 10 to the wafer surface is performed by a general-purpose method using a tape mounter or the like. Further, the wafer surface protection sheet 10 may be cut in advance in substantially the same shape as the semiconductor wafer 11, and after the sheet is temporarily attached to the wafer, the excess sheet may be cut and removed along the outer periphery of the wafer. .

ウエハ１１の裏面研削はウエハ表面保護用シート１０が回路の全面に仮着された状態で、グラインダー２０およびウエハ固定のための吸着テーブル（図示せず）等を用いた公知の手法により行われる。本発明においては、微粘着性あるいは非粘着性の樹脂層１により半導体ウエハ１１を仮着しているにも関わらず、ウエハ裏面研削時における剪断力に抗してウエハを安定して保持できるため、回路面への研削水の浸入もなく、またウエハ裏面を均一に研削することができる。 The back surface grinding of the wafer 11 is performed by a known method using a grinder 20 and a suction table (not shown) for fixing the wafer while the wafer surface protection sheet 10 is temporarily attached to the entire surface of the circuit. In the present invention, although the semiconductor wafer 11 is temporarily attached by the slightly adhesive or non-adhesive resin layer 1, the wafer can be stably held against the shearing force at the time of wafer back grinding. In addition, the grinding water does not enter the circuit surface, and the back surface of the wafer can be uniformly ground.

本発明においては、室温（例えば２３℃）でウエハ回路面に表面保護用シート１０を仮着することにより本発明の効果が得られるが、ウエハの外周部を確実に封止し、研削水の浸入を防止するため、ウエハ回路面に表面保護用シート１０を仮着する際に、ウエハ外周部においてシート１０を加熱貼付してもよい。ウエハ外周部には前述した余剰部分１４が形成されている。したがって、シート１０を加熱貼付する際に、余剰部分１４においてシート１０とウエハ１１とを貼合することが好ましい。 In the present invention, the effect of the present invention can be obtained by temporarily attaching the surface protection sheet 10 to the wafer circuit surface at room temperature (for example, 23 ° C.). In order to prevent intrusion, when the surface protection sheet 10 is temporarily attached to the wafer circuit surface, the sheet 10 may be heated and pasted on the outer periphery of the wafer. The surplus portion 14 described above is formed on the outer periphery of the wafer. Therefore, when the sheet 10 is bonded by heating, it is preferable to bond the sheet 10 and the wafer 11 at the surplus portion 14.

裏面研削後の半導体ウエハの厚みは、特に限定はされないが、好ましくは１０〜３００μｍ、特に好ましくは２５〜２００μｍ程度である。 The thickness of the semiconductor wafer after back grinding is not particularly limited, but is preferably 10 to 300 μm, and particularly preferably about 25 to 200 μm.

裏面研削終了後、ウエハ表面からウエハ表面保護用シート１０を剥離する。本発明のウエハ表面保護用シートによれば、裏面研削終了後にウエハ表面から保護用シートを剥離した際に、保護用シート由来の残渣物によるウエハ表面の汚染が極めて少なく、洗浄工程が不要になり、また得られる半導体チップの品質も安定する。 After finishing the back surface grinding, the wafer surface protection sheet 10 is peeled off from the wafer surface. According to the wafer surface protective sheet of the present invention, when the protective sheet is peeled off from the wafer surface after the back surface grinding is completed, the wafer surface is hardly contaminated by the residue derived from the protective sheet, and the cleaning process becomes unnecessary. Also, the quality of the obtained semiconductor chip is stabilized.

次いで、ウエハのダイシング、チップのマウンティング、樹脂封止などの工程を経て、半導体装置が得られる。 Next, a semiconductor device is obtained through processes such as wafer dicing, chip mounting, and resin sealing.

以下本発明を実施例により説明するが、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。
実施例および比較例における各種物性値は以下のように評価した。 EXAMPLES The present invention will be described below with reference to examples, but the present invention is not limited to these examples.
Various physical property values in Examples and Comparative Examples were evaluated as follows.

（プローブタック値）
実施例および比較例で作成した表面保護用シートの樹脂層において、理学工業社製ＰＲＯＢＥＴＡＣＫＴＥＳＴＥＲを用い、ＪＩＳＺ０２３７：１９９１参考５に準拠して測定した。具体的には、表面保護用シートを２５ｍｍ×２５ｍｍの試験片に切り取り、２３℃の環境下、その試験片のウエハに貼付する面に直径５ｍｍのステンレス製プローブを１０秒間、接触荷重０．９８Ｎ／ｃｍ^２で接触させた後、プローブを１０ｍｍ／秒の速度で試験片から離し、その際に必要な力を測定した。 (Probe tack value)
In the resin layer of the surface protecting sheet prepared in Examples and Comparative Examples, the measurement was performed in accordance with JIS Z0237: 1991 Reference 5 using PROBE TACK TESTER manufactured by Rigaku Corporation. Specifically, the surface protection sheet is cut into a 25 mm × 25 mm test piece, and a stainless steel probe having a diameter of 5 mm is applied to the surface of the test piece to be attached to the wafer in a 23 ° C. environment for 10 seconds with a contact load of 0.98 N. After the contact at / cm ² , the probe was separated from the test piece at a speed of 10 mm / second, and the force required at that time was measured.

（保持時間）
圧着回数１回で試験板（ＳＵＳ３０４鋼板）に表面保護用シート（幅２５ｍｍ、長さ１５０ｍｍ）の樹脂層を２５ｍｍ×２５ｍｍの面積が接するように貼り付け、ＪＩＳＺ０２３７：２０００の保持力試験に準拠して測定した。 (Retention time)
A surface protection sheet (width: 25 mm, length: 150 mm) is applied to a test plate (SUS304 steel plate) with a single crimping cycle so that the area of 25 mm x 25 mm is in contact, and conforms to the holding power test of JIS Z0237: 2000 And measured.

（１８０°ピール強度）
表面保護用シートを幅２５ｍｍ、長さ１００ｍｍに切り出し、樹脂層をシリコンウエハの鏡面に貼付し２０分放置後、オリエンテック社製テンシロンＲＴＡ−１００を用いて、３００ｍｍ／分のピール速度でＪＩＳＺ０２３７：２０００に準拠して測定した。なお、ピール強度が極端に低い場合には、上記の測定値においては、シートのコシ（基材を１８０°湾曲させるための力）の影響が大きくなる。 (180 ° peel strength)
The sheet for surface protection was cut to a width of 25 mm and a length of 100 mm, and the resin layer was affixed to the mirror surface of a silicon wafer and allowed to stand for 20 minutes, and then JIS Z0237 at a peel rate of 300 mm / min using Tensilon RTA-100 manufactured by Orientec. : Measured according to 2000. In the case where the peel strength is extremely low, the above-described measurement value has a large influence of sheet stiffness (force for bending the substrate by 180 °).

（ヤング率）
幅１５ｍｍ、長さ１００ｍｍに切り出した樹脂層をオリエンテック社製テンシロンＲＴＡ−１００を用いて速度２００ｍｍ／分で引っ張り、得られたＳｔｒｅｓｓ−Ｓｔｒａｉｎ曲線よりヤング率を求めた。 (Young's modulus)
A resin layer cut out to a width of 15 mm and a length of 100 mm was pulled at a speed of 200 mm / min using Tensilon RTA-100 manufactured by Orientec, and the Young's modulus was determined from the obtained Stress-Strain curve.

（酢酸ビニル単位含量）
樹脂層にエチレン・酢酸ビニル共重合体を使用する場合には、共重合体の酢酸ビニル単位含量を^１３Ｃ−ＮＭＲにて測定した。 (Vinyl acetate unit content)
When an ethylene / vinyl acetate copolymer was used for the resin layer, the vinyl acetate unit content of the copolymer was measured by ¹³ C-NMR.

（裏面研削結果の評価）
また、本発明の表面保護用シートを用いたウエハの裏面研削において、「ウエハの割れ」、「研削水の浸入」および「残留パーティクル」を以下のように評価した。
厚さ７２５μｍの８インチシリコンウエハに室温でリンテック社製ＲＡＤ−３５００を用いて表面保護用シートの樹脂層を仮着し、ディスコ社製ＤＧＰ−８７６０を用いてウエハ厚み１００μｍまで研削した。研削後、ウエハの割れ、研削水浸入の有無を確認した。表面保護用シートを剥離後、日立エンジニアリング社製パーティクルカウンター（型式：ＬＳ６６００）を用いてシリコンウエハ表面上の残渣物（サイズ：０．２７〜０．５μｍ）をカウントした。 (Evaluation of back grinding results)
Further, in wafer backside grinding using the surface protecting sheet of the present invention, “wafer cracking”, “penetration of grinding water” and “residual particles” were evaluated as follows.
A resin layer of a surface protection sheet was temporarily attached to a 725 μm-thick 8-inch silicon wafer at room temperature using RAD-3500 manufactured by Lintec, and ground to a wafer thickness of 100 μm using DGP-8760 manufactured by Disco. After grinding, the presence of cracks in the wafer and intrusion of grinding water was checked. After peeling off the surface protective sheet, the residue (size: 0.27 to 0.5 μm) on the silicon wafer surface was counted using a particle counter (model: LS6600) manufactured by Hitachi Engineering.

（実施例１）
日本合成化学社製エチレン・酢酸ビニル共重合体（品名：ソアレックスＳＥ−８３０、酢酸ビニル単位含量８６．４％）を固形濃度２０％になるようにトルエンにて希釈した塗布液を、厚み３８μｍの剥離処理したポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム上に、乾燥後の厚みが５μｍになるように塗布し、１００℃で１分間乾燥した。エチレン・酢酸ビニル共重合体層と、厚み１１０μｍの低密度ポリエチレンフィルム基材とを貼り合わせ、剥離処理したＰＥＴフィルムを剥がして、樹脂層がエチレン・酢酸ビニル共重合体層からなる半導体ウエハの表面保護用シートを作製し評価した。 Example 1
A coating solution obtained by diluting an ethylene / vinyl acetate copolymer (product name: Soarex SE-830, vinyl acetate unit content 86.4%) manufactured by Nippon Synthetic Chemical Co., Ltd. with toluene to a solid concentration of 20%, has a thickness of 38 μm. On the polyethylene terephthalate (PET) film subjected to the release treatment, the film was applied so that the thickness after drying was 5 μm, and dried at 100 ° C. for 1 minute. A surface of a semiconductor wafer in which an ethylene / vinyl acetate copolymer layer and a low-density polyethylene film substrate having a thickness of 110 μm are bonded together, and then the peeled PET film is peeled off, so that the resin layer is an ethylene / vinyl acetate copolymer layer. A protective sheet was prepared and evaluated.

（実施例２）
日本合成化学社製エチレン・酢酸ビニル共重合体（品名：ポリエースＳ−４３０６、酢酸ビニル単位含量６９．６％）を固形濃度２０％になるようにトルエンにて希釈した塗布液を、厚み３８μｍの剥離処理したＰＥＴフィルム上に、乾燥後の厚みが５μｍになるように塗布し、１００℃で１分間乾燥した。エチレン・酢酸ビニル共重合体層と、厚み１１０μｍの低密度ポリエチレンフィルム基材とを貼り合わせ、剥離処理したＰＥＴフィルムを剥がして、樹脂層がエチレン・酢酸ビニル共重合体層からなる半導体ウエハの表面保護用シートを作製し評価した。 (Example 2)
A coating solution obtained by diluting an ethylene / vinyl acetate copolymer (product name: Polyace S-4306, vinyl acetate unit content 69.6%) manufactured by Nippon Synthetic Chemical Co., Ltd. with toluene so as to have a solid concentration of 20% has a thickness of 38 μm. It apply | coated so that the thickness after drying might be set to 5 micrometers on PET film which carried out the peeling process, and it dried at 100 degreeC for 1 minute. A surface of a semiconductor wafer in which an ethylene / vinyl acetate copolymer layer and a low-density polyethylene film substrate having a thickness of 110 μm are bonded together, and then the peeled PET film is peeled off, so that the resin layer is an ethylene / vinyl acetate copolymer layer. A protective sheet was prepared and evaluated.

（実施例３）
日本合成化学社製エチレン・酢酸ビニル共重合体（品名：ポリエースＳ−４３０５、酢酸ビニル単位含量５９．４％）を固形濃度２０％になるようにトルエンにて希釈した塗布液を、厚み３８μｍの剥離処理したＰＥＴフィルム上に、乾燥後の厚みが５μｍになるように塗布し、１００℃で１分間乾燥した。エチレン・酢酸ビニル共重合体層と、厚み１１０μｍの低密度ポリエチレンフィルム基材とを貼り合わせ、剥離処理したＰＥＴフィルムを剥がして、樹脂層がエチレン・酢酸ビニル共重合体層からなる半導体ウエハの表面保護用シートを作製し評価した。 (Example 3)
A coating solution obtained by diluting an ethylene / vinyl acetate copolymer (product name: Polyace S-4305, vinyl acetate unit content 59.4%) manufactured by Nippon Synthetic Chemical Co., Ltd. with toluene so as to have a solid concentration of 20% has a thickness of 38 μm. It apply | coated so that the thickness after drying might be set to 5 micrometers on PET film which carried out the peeling process, and it dried at 100 degreeC for 1 minute. A surface of a semiconductor wafer in which an ethylene / vinyl acetate copolymer layer and a low-density polyethylene film substrate having a thickness of 110 μm are bonded together, and then the peeled PET film is peeled off, so that the resin layer is an ethylene / vinyl acetate copolymer layer. A protective sheet was prepared and evaluated.

（実施例４）
基材として、重量平均分子量３８００のウレタンアクリレート系オリゴマー（荒川化学社製）４０重量部と、イソボルニルアクリレート４０重量部とフェニルヒドロキシプロピルアクリレート２０重量部と、光重合開始剤（チバスペシャルティケミカルズ社製ダロキュアＤ−１１７３）０．５重量部を配合して樹脂組成物を作製後、ファウンテンダイ方式によりポリウレタンフィルム（１１０μｍ厚）を得た。日本合成化学社製エチレン・酢酸ビニル共重合体（品名：ソアレックスＳＥ−８３０）を固形濃度２０％になるようにトルエンにて希釈した塗布液を、厚み３８μｍの剥離処理したＰＥＴフィルム上に、乾燥後の厚みが５μｍになるように塗布し、１００℃で１分間乾燥した。エチレン・酢酸ビニル共重合体層と、ポリウレタンフィルム基材とを貼り合わせ、剥離処理したＰＥＴフィルムを剥がして、樹脂層がエチレン・酢酸ビニル共重合体層からなる半導体ウエハの表面保護用シートを作製し評価した。 Example 4
As a base material, 40 parts by weight of urethane acrylate oligomer having a weight average molecular weight of 3800 (Arakawa Chemical Co., Ltd.), 40 parts by weight of isobornyl acrylate and 20 parts by weight of phenylhydroxypropyl acrylate, a photopolymerization initiator (Ciba Specialty Chemicals) Darocur D-1173) 0.5 parts by weight was blended to prepare a resin composition, and a polyurethane film (thickness 110 μm) was obtained by a fountain die method. A coating solution obtained by diluting an ethylene / vinyl acetate copolymer (product name: Soarex SE-830) manufactured by Nippon Synthetic Chemical Co., Ltd. with toluene so as to have a solid concentration of 20% is applied to a PET film having a thickness of 38 μm and subjected to a release treatment. It was applied so that the thickness after drying was 5 μm, and dried at 100 ° C. for 1 minute. An ethylene / vinyl acetate copolymer layer and a polyurethane film substrate are bonded together, and the release-treated PET film is peeled off to produce a semiconductor wafer surface protection sheet consisting of an ethylene / vinyl acetate copolymer layer. And evaluated.

（実施例５）
日本合成化学社製エチレン・酢酸ビニル共重合体（品名：ソアレックスＳＥ−８３０）を固形濃度２０％になるようにトルエンにて希釈し、厚み３８μｍの剥離処理したＰＥＴフィルム上に、乾燥後の厚みが１００μｍの厚みになるように塗布し、７０℃で３分間乾燥した。さらにエチレン・酢酸ビニル共重合体上に厚み３８μｍの剥離処理したＰＥＴフィルムを貼り合せた。その後、エチレン・酢酸ビニル共重合体の両面に貼られたＰＥＴフィルムをそれぞれ剥離し、樹脂層がエチレン・酢酸ビニル共重合体層からなる半導体ウエハの表面保護用シートを作製し評価した。 (Example 5)
Ethylene / vinyl acetate copolymer (product name: Soarex SE-830) manufactured by Nippon Synthetic Chemical Co., Ltd. was diluted with toluene to a solid concentration of 20%, and dried on a PET film having a thickness of 38 μm after drying. The film was applied to a thickness of 100 μm and dried at 70 ° C. for 3 minutes. Further, a PET film having a thickness of 38 μm which was subjected to a release treatment was bonded onto the ethylene / vinyl acetate copolymer. Thereafter, the PET films attached to both sides of the ethylene / vinyl acetate copolymer were peeled off, and a semiconductor wafer surface protection sheet comprising a resin layer made of an ethylene / vinyl acetate copolymer layer was prepared and evaluated.

（比較例１）
エチレン・酢酸ビニル共重合体として、三井デュポン社製エチレン・酢酸ビニル共重合体（品名：エバフレックスＥＶ４５Ｘ、酢酸ビニル単位含量４５．８％）を用いた以外は実施例１と同様にして半導体ウエハの表面保護用シートを作製し評価した。 (Comparative Example 1)
Semiconductor wafer in the same manner as in Example 1 except that an ethylene / vinyl acetate copolymer (product name: Everflex EV45X, vinyl acetate unit content: 45.8%) manufactured by Mitsui DuPont was used as the ethylene / vinyl acetate copolymer. A surface protective sheet was prepared and evaluated.

（比較例２）
エチレン・酢酸ビニル共重合体として、積水フーラー社製エチレン・酢酸ビニル共重合体（品名：エスダイン＃１２１０、酢酸ビニル単位含量３３．０％）を用いた以外は実施例１と同様にして半導体ウエハの表面保護用シートを作製し評価した。 (Comparative Example 2)
Semiconductor wafer in the same manner as in Example 1 except that Sekisui Fuller's ethylene / vinyl acetate copolymer (product name: Esdyne # 1210, vinyl acetate unit content 33.0%) was used as the ethylene / vinyl acetate copolymer. A surface protective sheet was prepared and evaluated.

（比較例３）
エチレン・酢酸ビニル共重合体として、三井デュポン社製エチレン・酢酸ビニル共重合体（品名：エバフレックスＥＶ１５０、酢酸ビニル単位含量４２．０％）を用いた以外は実施例１と同様にして半導体ウエハの表面保護用シートを作製し評価した。 (Comparative Example 3)
Semiconductor wafer as in Example 1 except that an ethylene / vinyl acetate copolymer (product name: Everflex EV150, vinyl acetate unit content 42.0%) manufactured by Mitsui DuPont was used as the ethylene / vinyl acetate copolymer. A surface protective sheet was prepared and evaluated.

（比較例４）
表面保護用シートとして、リンテック社製再剥離性粘着シート（品名：ＡｄｗｉｌｌＰ−１６００Ｂ）を用いた以外は実施例１と同様にして評価した。 (Comparative Example 4)
Evaluation was conducted in the same manner as in Example 1 except that a re-peelable pressure-sensitive adhesive sheet manufactured by Lintec (product name: Adwill P-1600B) was used as the surface protection sheet.

（比較例５）
エチレン・酢酸ビニル共重合体の代わりに、アクリル系粘着剤（ブチルアクリレート／アクリル酸＝９０／１０）を用いた以外は実施例１と同様にして半導体ウエハの表面保護用シートを作製し評価した。 (Comparative Example 5)
A semiconductor wafer surface protective sheet was prepared and evaluated in the same manner as in Example 1 except that an acrylic adhesive (butyl acrylate / acrylic acid = 90/10) was used instead of the ethylene / vinyl acetate copolymer. .

（比較例６）
表面保護用シートとして、ＰＥＴ基材２５μｍ／エチレン・酢酸ビニル共重合体１２０μｍ／オレフィン系樹脂３５０μｍの積層フィルムを用いた以外は実施例１と同様にして評価した。なお、シリコンウエハの回路面には表面保護用シートのオレフィン系樹脂側を仮着した。
表１に表面保護用シートの特性値を示し、表２に裏面研削結果を示す。 (Comparative Example 6)
Evaluation was conducted in the same manner as in Example 1 except that a laminated film of 25 μm PET base material / 120 μm ethylene / vinyl acetate copolymer / 350 μm olefin resin was used as the surface protection sheet. In addition, the olefin resin side of the surface protection sheet was temporarily attached to the circuit surface of the silicon wafer.
Table 1 shows the characteristic values of the surface protective sheet, and Table 2 shows the results of back grinding.

本発明の１態様に係るウエハ表面保護用シートの断面図を示す。Sectional drawing of the wafer surface protection sheet which concerns on 1 aspect of this invention is shown. 本発明の他の態様に係るウエハ表面保護用シートの断面図を示す。Sectional drawing of the sheet | seat for wafer surface protection which concerns on the other aspect of this invention is shown. 本発明のウエハ表面保護用シートを用いたウエハ裏面研削工程を示す。The wafer back surface grinding process using the sheet | seat for wafer surface protection of this invention is shown. 半導体ウエハの回路形成面の平面図を示す。The top view of the circuit formation surface of a semiconductor wafer is shown.

符号の説明Explanation of symbols

１…樹脂層
２…基材
１０…ウエハ表面保護用シート
１１……半導体ウエハ
１２…回路
１３…回路表面内周部
１４…余剰部分
２０…グラインダー DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Resin layer 2 ... Base material 10 ... Wafer surface protection sheet 11 ... Semiconductor wafer 12 ... Circuit 13 ... Circuit surface inner peripheral part 14 ... Surplus part 20 ... Grinder

Claims

表面に回路が形成された半導体ウエハの裏面研削時に該ウエハ表面に仮着される表面保護用シートであって、
ウエハに仮着されるシート面が、プローブタック値１００ｍＮ未満の樹脂からなり、
該シート面の保持時間が７００００秒以上であり、
前記樹脂からなる層が基材上に設けられてなる表面保護用シート。 A surface protection sheet temporarily attached to the surface of the wafer when grinding a back surface of a semiconductor wafer having a circuit formed on the surface,
The sheet surface temporarily attached to the wafer is made of a resin having a probe tack value of less than 100 mN,
Retention time of the sheet surface is Ri der 70,000 seconds,
A sheet for protecting a surface, wherein a layer made of the resin is provided on a substrate .

表面に回路が形成された半導体ウエハの裏面研削時に該ウエハ表面に仮着される表面保護用シートであって、
ウエハに仮着されるシート面が、プローブタック値１００ｍＮ未満の樹脂からなり、
該シート面の保持時間が７００００秒以上であり、
ウエハに仮着されるシート面における１８０°ピール強度が、３０〜１０００ｍＮ／２５ｍｍである表面保護用シート。 A surface protection sheet temporarily attached to the surface of the wafer when grinding a back surface of a semiconductor wafer having a circuit formed on the surface,
The sheet surface temporarily attached to the wafer is made of a resin having a probe tack value of less than 100 mN,
The holding time of the sheet surface is 70000 seconds or more,
A surface protecting sheet having a 180 ° peel strength of 30 to 1000 mN / 25 mm on a sheet surface temporarily attached to a wafer .

表面に回路が形成された半導体ウエハの裏面研削時に該ウエハ表面に仮着される表面保護用シートであって、
ウエハに仮着されるシート面が、プローブタック値１００ｍＮ未満の樹脂からなり、
該シート面の保持時間が７００００秒以上であり、
前記樹脂がエチレン・酢酸ビニル共重合体からなり、
エチレン・酢酸ビニル共重合体の酢酸ビニル単位含量が５５〜９８重量％である表面保護用シート。 A surface protection sheet temporarily attached to the surface of the wafer when grinding a back surface of a semiconductor wafer having a circuit formed on the surface,
The sheet surface temporarily attached to the wafer is made of a resin having a probe tack value of less than 100 mN,
The holding time of the sheet surface is 70000 seconds or more,
The resin is made of an ethylene / vinyl acetate copolymer,
A sheet for protecting a surface, wherein the vinyl acetate unit content of the ethylene / vinyl acetate copolymer is 55 to 98% by weight .

表面に回路が形成された半導体ウエハの裏面研削時に該ウエハ表面に仮着される表面保護用シートであって、
ウエハに仮着されるシート面が、エチレン・酢酸ビニル共重合体からなり、
前記エチレン・酢酸ビニル共重合体の酢酸ビニル単位含量が５５〜９８重量％である表面保護用シート。 A surface protection sheet temporarily attached to the surface of the wafer when grinding a back surface of a semiconductor wafer having a circuit formed on the surface,
The sheet surface temporarily attached to the wafer is made of an ethylene / vinyl acetate copolymer,
A sheet for protecting a surface, wherein the ethylene / vinyl acetate copolymer has a vinyl acetate unit content of 55 to 98% by weight.

表面に回路が形成された半導体ウエハの裏面研削時に該ウエハ表面に仮着される表面保護用シートであって、
ウエハに仮着されるシート面が、エチレン・酢酸ビニル共重合体からなり、
前記エチレン・酢酸ビニル共重合体の酢酸ビニル単位含量が５５〜９８重量％であり、
エチレン・酢酸ビニル共重合体からなる単層シートである表面保護用シート。 A surface protection sheet temporarily attached to the surface of the wafer when grinding a back surface of a semiconductor wafer having a circuit formed on the surface,
The sheet surface temporarily attached to the wafer is made of an ethylene / vinyl acetate copolymer,
The ethylene / vinyl acetate copolymer has a vinyl acetate unit content of 55 to 98% by weight;
A sheet for surface protection, which is a single-layer sheet made of an ethylene / vinyl acetate copolymer .

表面に回路が形成された半導体ウエハの裏面研削時に該ウエハ表面に仮着される表面保護用シートであって、
ウエハに仮着されるシート面が、エチレン・酢酸ビニル共重合体からなり、
前記エチレン・酢酸ビニル共重合体の酢酸ビニル単位含量が５５〜９８重量％であり、
エチレン・酢酸ビニル共重合体からなる層が基材上に設けられてなる表面保護用シート。 A surface protection sheet temporarily attached to the surface of the wafer when grinding a back surface of a semiconductor wafer having a circuit formed on the surface,
The sheet surface temporarily attached to the wafer is made of an ethylene / vinyl acetate copolymer,
The ethylene / vinyl acetate copolymer has a vinyl acetate unit content of 55 to 98% by weight;
A sheet for protecting a surface , wherein a layer made of an ethylene / vinyl acetate copolymer is provided on a substrate .