JP5413303B2 - 光集積素子及びその製造方法 - Google Patents
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Description
本発明は、光集積素子及びその製造方法に関する。
複数の光素子をハイブリッド集積して光集積素子を作製する場合、精度良く位置合わせを行なう必要がある。例えば、光導波路素子上に発光素子を実装して光集積素子を作製する場合、発光素子の活性導波路の端面と光導波路素子の光導波路の端面とを精度良く位置合わせする必要がある。
この方法として、アクティブアライメント法と、パッシブアライメント法とがある。
この方法として、アクティブアライメント法と、パッシブアライメント法とがある。
アクティブアライメント法は、出力をモニタしながら光軸を調整できるため、高精度の位置合わせが可能である。
しかし、光集積素子を作製するのに多くの時間がかかり、工程が複雑になる。この点でパッシブアライメント法は有利である。パッシブアライメント法を用いるものとして、例えば、搭載時の映像をモニタしながら、光導波路が形成された基板上に、活性層を有する光素子を実装する技術がある。
しかし、光集積素子を作製するのに多くの時間がかかり、工程が複雑になる。この点でパッシブアライメント法は有利である。パッシブアライメント法を用いるものとして、例えば、搭載時の映像をモニタしながら、光導波路が形成された基板上に、活性層を有する光素子を実装する技術がある。
ところで、導波路端面での光反射を考えると、光素子の導波路は素子端面に対して斜めの導波路であることが望ましい。
しかしながら、光素子の導波路を斜め導波路とする場合、へき開などによって素子端面を形成する際に、例えば図14に示すように、端面位置(へき開位置)が所望の位置からずれてしまうと、斜め導波路の端面位置もずれてしまう。この斜め導波路の端面位置のずれは素子毎に異なってしまう。このため、斜め導波路を有する光素子を集積する場合、精度良く位置合わせを行なうのが難しい。
しかしながら、光素子の導波路を斜め導波路とする場合、へき開などによって素子端面を形成する際に、例えば図14に示すように、端面位置(へき開位置)が所望の位置からずれてしまうと、斜め導波路の端面位置もずれてしまう。この斜め導波路の端面位置のずれは素子毎に異なってしまう。このため、斜め導波路を有する光素子を集積する場合、精度良く位置合わせを行なうのが難しい。
そこで、斜め導波路を有する光素子を集積する場合に、素子端面の位置がずれてしまっても、精度良く位置合わせを行なえるようにしたい。
このため、本光集積素子の製造方法は、第1斜め導波路を有する第1光素子の表面又は裏面に、第1光素子の端面位置を検知しうる、複数の端面位置検知マーカを含む端面位置検知マーカ群を形成する工程と、第1光素子の表面又は裏面に、複数の端面位置検知マーカのそれぞれに対応する複数の第1位置合わせマーカを含む第1位置合わせマーカ群を形成する工程と、第2斜め導波路を有する第2光素子の素子実装領域の表面に、第1斜め導波路の端面位置と第2斜め導波路の端面位置とが合った場合に複数の第1位置合わせマーカのいずれかにいずれかの位置が合う複数の第2位置合わせマーカを含む第2位置合わせマーカ群を形成する工程と、第1光素子を第2光素子の素子実装領域に載せ、第1光素子の端面位置を検知した端面位置検知マーカに対応する第1位置合わせマーカと、第1位置合わせマーカに対応する第2位置合わせマーカとを位置合わせすることによって第1斜め導波路の端面と第2斜め導波路の端面とを位置合わせして、第2光素子上に第1光素子を実装する工程とを含むことを要件とする。
また、本光集積素子は、素子端面に対して斜めの第1斜め導波路を有する第1光素子と、素子端面に対して斜めの第2斜め導波路を有する第2光素子とを備え、第1斜め導波路の端面位置と第2斜め導波路の端面位置とが合わされた状態で第2光素子上に第1光素子が実装されており、第1光素子は、表面又は裏面に、第1光素子の端面に接する端面位置検知マーカを含む端面位置検知マーカ群を有し、かつ、表面又は裏面に、端面位置検知マーカに対応する第1位置合わせマーカを含む第1位置合わせマーカ群を有し、第2光素子は、素子実装領域の表面に、第1位置合わせマーカに位置が合っている第2位置合わせマーカを含む第2位置合わせマーカ群を有することを要件とする。
したがって、本光集積素子及びその製造方法によれば、斜め導波路を有する光素子を集積する場合に、素子端面の位置がずれてしまっても、精度良く位置合わせを行なえるという利点がある。
以下、図面により、本発明の実施の形態にかかる光集積素子及びその製造方法について、図1〜図11を参照しながら説明する。
本実施形態にかかる光集積素子は、図1に示すように、第1光素子1と、第2光素子2とを備え、第1光素子1と第2光素子2とが同一基板3上にハイブリッド集積されている。なお、光集積素子は、光素子、あるいは、発光素子ともいう。また、本実施形態では、光集積素子は半導体材料からなるため、半導体光素子、半導体発光素子、あるいは、半導体素子ともいう。
本実施形態にかかる光集積素子は、図1に示すように、第1光素子1と、第2光素子2とを備え、第1光素子1と第2光素子2とが同一基板3上にハイブリッド集積されている。なお、光集積素子は、光素子、あるいは、発光素子ともいう。また、本実施形態では、光集積素子は半導体材料からなるため、半導体光素子、半導体発光素子、あるいは、半導体素子ともいう。
ここで、第1光素子1は、図2に示すように、素子端面4に対して斜めの導波路(第1斜め導波路)5を有する。つまり、第1光素子1は、導波路が延びる方向(導波路方向)が素子端面4に対して斜めになっている斜め導波路構造を有する。本実施形態では、第1光素子1は、斜め導波路5及び直線導波路6を含む光導波路を有する発光素子であり、斜め導波路5の角度θ1(素子端面4に直交する線に対する角度)は例えば約7°になっている。つまり、直線導波路6に対する斜め導波路5の角度が例えば約7°になっている。ここでは、第1光素子1は、例えばInP基板上に、クラッド層(ここではInP層)、コア層(導波路コア)、クラッド層(ここではInP層)を順に積層した構造になっている。なお、第1光素子1は、活性導波路も含む。また、第1光素子1は、第1発光素子ともいう。また、本実施形態では、第1光素子1は半導体材料からなるため、第1半導体光素子、あるいは、第1半導体発光素子ともいう。なお、図2(A)では、電極14は図示しておらず、説明を分かり易くするために、端面位置検知マーカ群11と第1位置合わせマーカ群12とを並べて図示している。
第2光素子2は、図3に示すように、素子端面7に対して斜めの導波路(第2斜め導波路)8を有する。つまり、第2光素子2は、導波路方向が素子端面7に対して斜めになっている斜め導波路構造を有する。本実施形態では、第2光素子2は、斜め導波路8及び直線導波路9を含む光導波路を有する光導波路素子であり、斜め導波路8の角度θ2(素子端面7に直交する線に対する角度)は例えば約15°になっている。つまり、直線導波路9に対する斜め導波路8の角度が例えば約15°になっている。ここでは、第2光素子2は、例えばSi基板上に、クラッド層(ここではSiO2層)、コア層(導波路コア)、クラッド層(ここではSiO2層)を順に積層した構造になっている。なお、本実施形態では、第2光素子2は半導体材料からなるため、第2半導体光素子ともいう。なお、図3(A)では、電極16や高さ調整用台座15は図示していない。
そして、本光集積素子では、図1に示すように、第1斜め導波路5の端面位置と第2斜め導波路の端面位置とが合わされた状態で第2光素子2上に第1光素子1が実装されている。つまり、第2光素子2は、素子実装領域10を有し、この素子実装領域10上に第1光素子1が実装されている。なお、第1斜め導波路5の端面位置と第2斜め導波路8の端面位置とが合わされた状態とは、第1斜め導波路5と第2斜め導波路8とが結合している状態をいう。
このような光集積素子は、例えば光ファイバ通信や光インターコネクトにおいて、例えば光源用として用いられる。
ところで、第2光素子2の素子実装領域10に露出する端面7、即ち、第1光素子1に対向する端面7は、エッチングによって形成するため、高精度に形成することができる。一方、第1光素子1の端面4、即ち、第2光素子2に対向する端面4は、へき開によって形成するため、スクライブの精度以内の範囲で、端面位置(へき開位置)にずれが生じる。つまり、第1光素子1の端面位置が、図2中、x軸に沿う方向にずれることになる(図14参照)。この場合、第1光素子1の端面近傍に設けられる第1斜め導波路5の端面位置が、図2中、y軸に沿う方向にずれることになる(図14参照)。そして、このような第1光素子1の端面位置のずれ量(図2中、x方向のずれ量)、ひいては、第1斜め導波路5の端面位置のずれ量(図2中、y軸に沿う方向のずれ量)は、素子毎に異なるため、第1斜め導波路5の端面位置を第2斜め導波路8の端面位置に精度良く位置合わせするのは難しい。また、第1斜め導波路5の端面位置と第2斜め導波路8の端面位置とを精度良く位置合わせできないと、過剰結合損が生じてしまうことになる。
ところで、第2光素子2の素子実装領域10に露出する端面7、即ち、第1光素子1に対向する端面7は、エッチングによって形成するため、高精度に形成することができる。一方、第1光素子1の端面4、即ち、第2光素子2に対向する端面4は、へき開によって形成するため、スクライブの精度以内の範囲で、端面位置(へき開位置)にずれが生じる。つまり、第1光素子1の端面位置が、図2中、x軸に沿う方向にずれることになる(図14参照)。この場合、第1光素子1の端面近傍に設けられる第1斜め導波路5の端面位置が、図2中、y軸に沿う方向にずれることになる(図14参照)。そして、このような第1光素子1の端面位置のずれ量(図2中、x方向のずれ量)、ひいては、第1斜め導波路5の端面位置のずれ量(図2中、y軸に沿う方向のずれ量)は、素子毎に異なるため、第1斜め導波路5の端面位置を第2斜め導波路8の端面位置に精度良く位置合わせするのは難しい。また、第1斜め導波路5の端面位置と第2斜め導波路8の端面位置とを精度良く位置合わせできないと、過剰結合損が生じてしまうことになる。
そこで、素子端面を形成する際に端面位置がずれてしまっても、精度良く位置合わせを行なえるように、第1光素子1に、端面位置検知マーカ群11及び第1位置合わせマーカ群12が設けられており、第2光素子2に、第2位置合わせマーカ群13が設けられている。
本実施形態では、個片の第1光素子1は、図2に示すように、その表面(上面)に、第1光素子1の端面4に接する端面位置検知マーカ11Aを含む端面位置検知マーカ群11を備える。一方、へき開する前のウエハ状態の第1光素子1は、その表面に、第1光素子1のへき開によって形成された端面4の位置を検知しうる、複数の端面位置検知マーカ11Aを含む端面位置検知マーカ群11を備える。なお、ここでは、第1光素子1の表面に端面位置検知マーカ群11を設けているが、これに限られるものではなく、第1光素子1の裏面に端面位置検知マーカ群11を設けても良い。また、端面位置検知マーカ群11の具体的な構成については、後述の製造方法の説明の中で説明する。
本実施形態では、個片の第1光素子1は、図2に示すように、その表面(上面)に、第1光素子1の端面4に接する端面位置検知マーカ11Aを含む端面位置検知マーカ群11を備える。一方、へき開する前のウエハ状態の第1光素子1は、その表面に、第1光素子1のへき開によって形成された端面4の位置を検知しうる、複数の端面位置検知マーカ11Aを含む端面位置検知マーカ群11を備える。なお、ここでは、第1光素子1の表面に端面位置検知マーカ群11を設けているが、これに限られるものではなく、第1光素子1の裏面に端面位置検知マーカ群11を設けても良い。また、端面位置検知マーカ群11の具体的な構成については、後述の製造方法の説明の中で説明する。
また、個片の第1光素子1は、その裏面(下面)であって、端面位置検知マーカ群11よりも第1光素子1の端面4から遠い側に、第1光素子1の端面4に接する端面位置検知マーカ11Aに対応する第1位置合わせマーカ12Aを含む第1位置合わせマーカ群12を備える。一方、ウエハ状態の第1光素子1は、その裏面であって、端面位置検知マーカ群11よりも第1光素子1の想定される端面から遠い側に、複数の端面位置検知マーカ11Aのそれぞれに対応する複数の第1位置合わせマーカ12Aを含む第1位置合わせマーカ群12を備える。また、第1光素子1の裏面には、電極14も形成されている。この電極14には、第1光素子1を第2光素子2上に実装した場合に後述の第2光素子2の高さ調整用台座15が接する領域及びその近傍の領域に窓(電極窓)14Aが形成されている。なお、ここでは、第1光素子1の裏面に第1位置合わせマーカ群12を設けているが、これに限られるものではなく、第1光素子1の表面に第1位置合わせマーカ群12を設けても良い。また、第1位置合わせマーカ群12の具体的な構成については、後述の製造方法の説明の中で説明する。
第2光素子2は、図3に示すように、その表面、ここでは素子実装領域10の表面に、第1光素子1の端面4に接する端面位置検知マーカ11Aに対応する第1位置合わせマーカ12Aに位置が合っている第2位置合わせマーカ13Aを含む第2位置合わせマーカ群13を備える。つまり、第2光素子2は、その表面に、第1斜め導波路5の端面位置と第2斜め導波路8の端面位置とが合った場合に複数の第1位置合わせマーカ12Aのいずれかにいずれかの位置が合う複数の第2位置合わせマーカ13Aを含む第2位置合わせマーカ群13を備える。なお、素子実装領域10の表面は、第2光素子2の基板3の延伸部分の上側の表面である。本実施形態では、素子実装領域10において、基板3をエッチングして高さ調整用台座15を形成している。このため、エッチング底面が素子実装領域10の表面となる。この素子実装領域10の表面には、電極16も形成されている。なお、第2位置合わせマーカ群13の具体的な構成については、後述の製造方法の説明の中で説明する。
そして、本光集積素子では、図1に示すように、第2光素子2の素子実装領域10の表面に形成された電極16と、第1光素子1の裏面に形成された電極14とは、例えばはんだ17によって、電気的に接続されている。
次に、本実施形態にかかる光集積素子の製造方法について説明する。
なお、本光集積素子の製造方法は、第1光素子1を第2光素子2上に実装する実装方法、即ち、光素子の実装方法を含む。
次に、本実施形態にかかる光集積素子の製造方法について説明する。
なお、本光集積素子の製造方法は、第1光素子1を第2光素子2上に実装する実装方法、即ち、光素子の実装方法を含む。
本光集積素子の製造方法では、まず、素子端面4に対して斜めになる導波路5(第1斜め導波路)を有する第1光素子1、及び、素子端面7に対して斜めになる導波路8(第2斜め導波路)を有する第2光素子2を作製する(図2、図3参照)。次に、図4に示すように、第1光素子1に、端面位置検知マーカ群11及び第1位置合わせマーカ群12を形成するとともに、図5、図6に示すように、第2光素子2に、第2位置合わせマーカ群13を形成する。そして、これらのマーカ群11〜13を用いて、パッシブアライメント法によって、第2光素子2上に第1光素子1を集積させて、光集積素子を製造する。これにより、斜め導波路を有する光素子同士をパッシブアライメント法によって集積する場合に、光素子1の端面4を形成する際に端面位置がずれてしまっても、精度良く位置合わせを行なうことができ、高精度で斜め導波路5、8を結合することが可能となる。
以下、具体的に説明する。
まず、素子端面4に対して斜めになる第1斜め導波路5を有する第1光素子1(図2参照)、及び、素子端面7に対して斜めになる第2斜め導波路8を有する第2光素子2(図3参照)を作製する。
本実施形態では、第1光素子1として、例えばInP基板上に、直線導波路6及び斜め導波路5を含む光導波路を有する発光素子を作製する。ここでは、斜め導波路5の角度は例えば約7°とする。また、第1光素子1の裏面には、電極14を形成する。この電極14には、第1光素子1を第2光素子2上に実装した場合に後述の第2光素子2の高さ調整用台座15が接する領域及びその近傍の領域に窓(電極窓)14Aを設ける。
まず、素子端面4に対して斜めになる第1斜め導波路5を有する第1光素子1(図2参照)、及び、素子端面7に対して斜めになる第2斜め導波路8を有する第2光素子2(図3参照)を作製する。
本実施形態では、第1光素子1として、例えばInP基板上に、直線導波路6及び斜め導波路5を含む光導波路を有する発光素子を作製する。ここでは、斜め導波路5の角度は例えば約7°とする。また、第1光素子1の裏面には、電極14を形成する。この電極14には、第1光素子1を第2光素子2上に実装した場合に後述の第2光素子2の高さ調整用台座15が接する領域及びその近傍の領域に窓(電極窓)14Aを設ける。
また、第2光素子2として、例えばSi基板上に、直線導波路9及び斜め導波路8を含む光導波路を有する光導波路素子を作製する。ここでは、斜め導波路8の角度は例えば約15°とする。また、第2光素子2には、第2光素子2を構成する半導体積層構造をエッチングによって除去することによって素子実装領域10を形成する。また、この素子実装領域10において、基板3をエッチングして高さ調整用台座15を形成する。また、この素子実装領域10の表面には、電極16を形成する。
ところで、第2光素子2の素子実装領域10は、第2光素子2を構成する半導体積層構造をエッチングによって除去することによって形成される。このため、第2光素子2を構成する半導体積層構造の素子実装領域10に露出する端面7が、第1光素子1に対向する端面7となる。つまり、第2光素子2の端面7、即ち、第1光素子1に対向する端面7は、エッチングによって形成され、垂直端面になっている。
一方、第1光素子1の端面4、即ち、第2光素子2に対向する端面4は、へき開によって形成される。
このように、第2光素子2の端面7は、エッチングによって形成するため、高精度に形成することができる。一方、第1光素子1の端面4は、へき開によって形成するため、スクライブの精度以内の範囲で、端面位置(へき開位置)にずれが生じる。つまり、第1光素子1の端面位置が、図2中、x軸に沿う方向にずれることになる(図14参照)。この場合、第1光素子1の端面近傍に設けられる第1斜め導波路5の端面位置が、図2中、y軸に沿う方向にずれることになる(図14参照)。このため、第1斜め導波路5の端面位置のずれ量に応じて、x−y面内で第1光素子1を平行移動させて位置合わせを行なうことになる。しかしながら、第1光素子1の端面位置のずれ量(図2中、x軸に沿う方向のずれ量)、ひいては、第1斜め導波路5の端面位置のずれ量(図2中、y軸に沿う方向のずれ量)は、素子毎に異なるため、第1斜め導波路5の端面位置を第2斜め導波路8の端面位置に精度良く位置合わせするのは難しい。また、第1斜め導波路5の端面位置と第2斜め導波路8の端面位置とを精度良く位置合わせできないと、過剰結合損が生じてしまうことになる。
このように、第2光素子2の端面7は、エッチングによって形成するため、高精度に形成することができる。一方、第1光素子1の端面4は、へき開によって形成するため、スクライブの精度以内の範囲で、端面位置(へき開位置)にずれが生じる。つまり、第1光素子1の端面位置が、図2中、x軸に沿う方向にずれることになる(図14参照)。この場合、第1光素子1の端面近傍に設けられる第1斜め導波路5の端面位置が、図2中、y軸に沿う方向にずれることになる(図14参照)。このため、第1斜め導波路5の端面位置のずれ量に応じて、x−y面内で第1光素子1を平行移動させて位置合わせを行なうことになる。しかしながら、第1光素子1の端面位置のずれ量(図2中、x軸に沿う方向のずれ量)、ひいては、第1斜め導波路5の端面位置のずれ量(図2中、y軸に沿う方向のずれ量)は、素子毎に異なるため、第1斜め導波路5の端面位置を第2斜め導波路8の端面位置に精度良く位置合わせするのは難しい。また、第1斜め導波路5の端面位置と第2斜め導波路8の端面位置とを精度良く位置合わせできないと、過剰結合損が生じてしまうことになる。
そこで、図4に示すように、ウエハ状態の第1光素子1に、端面位置検知マーカ群11及び第1位置合わせマーカ群12を形成するとともに、図5、図6に示すように、個片の第2光素子2に、第2位置合わせマーカ群13を形成する。
特に、本実施形態では、端面位置検知マーカ群11を形成する工程及び第1位置合わせマーカ群12を形成する工程において、端面位置検知マーカ群11と第1位置合わせマーカ群12とを、想定される素子端面に平行な直線であって、かつ、端面位置検知マーカ群11を挟んで想定される素子端面の反対側に位置する直線に対して線対称な位置に対して、対応する端面位置検知マーカ11Aと第1位置合わせマーカ12Aとが第1斜め導波路5に平行な直線上に位置するように、ずらした位置に形成する。
特に、本実施形態では、端面位置検知マーカ群11を形成する工程及び第1位置合わせマーカ群12を形成する工程において、端面位置検知マーカ群11と第1位置合わせマーカ群12とを、想定される素子端面に平行な直線であって、かつ、端面位置検知マーカ群11を挟んで想定される素子端面の反対側に位置する直線に対して線対称な位置に対して、対応する端面位置検知マーカ11Aと第1位置合わせマーカ12Aとが第1斜め導波路5に平行な直線上に位置するように、ずらした位置に形成する。
この場合、へき開された個片の第1光素子1は、端面位置検知マーカ群11と第1位置合わせマーカ群12とが、第1光素子1の端面4に平行な直線であって、かつ、端面位置検知マーカ群11を挟んで第1光素子1の端面4の反対側に位置する直線に対して線対称な位置に対して、対応する端面位置検知マーカ11Aと第1位置合わせマーカ12Aとが第1斜め導波路5に平行な直線上に位置するように、ずらした位置に配置されているものとなる。
また、本実施形態では、第1位置合わせマーカ群12を形成する工程及び第2位置合わせマーカ群13を形成する工程において、第1位置合わせマーカ12A及び第2位置合わせマーカ13Aとして、相補的な形状を有するマーカを形成する。つまり、第1位置合わせマーカ群に含まれる第1位置合わせマーカと第2位置合わせマーカ群に含まれる第2位置合わせマーカとは、相補的な形状になっている。ここでは、第1位置合わせマーカ12Aの形状を、例えば十字型とし、第2位置合わせマーカ13Aの形状を、田の字型としている。
まず、第1光素子1に端面位置検知マーカ群11を作成する工程について説明する。
この工程では、第1光素子1の表面(上面)に、図4に示すように、第1光素子1のへき開によって形成された端面4の位置を検知しうる、複数の端面位置検知マーカ11Aを含む端面位置検知マーカ群11を形成する。この端面位置検知マーカ群11は、へき開によって露出した端面位置を検知するために用いられるものである。ここでは、複数の端面位置検知マーカ11Aとして、第1光素子1の上面に、例えばリフトオフ法によって、例えばAuからなる十字型マーカ11Aを形成する。
この工程では、第1光素子1の表面(上面)に、図4に示すように、第1光素子1のへき開によって形成された端面4の位置を検知しうる、複数の端面位置検知マーカ11Aを含む端面位置検知マーカ群11を形成する。この端面位置検知マーカ群11は、へき開によって露出した端面位置を検知するために用いられるものである。ここでは、複数の端面位置検知マーカ11Aとして、第1光素子1の上面に、例えばリフトオフ法によって、例えばAuからなる十字型マーカ11Aを形成する。
なお、ここでは、第1光素子1の表面に端面位置検知マーカ群11を設けているが、これに限られるものではなく、第1光素子1の裏面(下面)に端面位置検知マーカ群11を設けても良い。
この工程で、へき開によって第1光素子1の端面4を形成する場合の精度ばらつきdxをN分割し、複数の端面位置検知マーカ11AとしてN+1個の端面位置検知マーカを設ける場合、想定される素子端面に直交する方向(想定される端面から離れる方向)にdx/Nずつずらし、かつ、想定される素子端面に沿う方向(想定される端面から離れる方向に直交する方向)に互いに重ならないようにずらして、N+1個の端面位置検知マーカ11Aを形成する。
この工程で、へき開によって第1光素子1の端面4を形成する場合の精度ばらつきdxをN分割し、複数の端面位置検知マーカ11AとしてN+1個の端面位置検知マーカを設ける場合、想定される素子端面に直交する方向(想定される端面から離れる方向)にdx/Nずつずらし、かつ、想定される素子端面に沿う方向(想定される端面から離れる方向に直交する方向)に互いに重ならないようにずらして、N+1個の端面位置検知マーカ11Aを形成する。
例えば、ウエハ状態の第1光素子1をへき開によって個片にする際に想定される端面位置を検知しうる端面位置検知マーカ11Aを基準マーカとし、1番目の端面位置検知マーカ11Aとして配置する。次に、残りのN個の端面位置検知マーカ11Aを、基準マーカとしての1番目の端面位置検知マーカ11Aからdx/Nずつ想定される素子端面に直交する方向にずらし、かつ、想定される素子端面に沿う方向にマーカ同士が重ならない程度の間隔dyだけずらして配置する。このようにして、N+1個の端面位置検知マーカ11Aを順番に並べて配置する。
ここで、例えばInP基板上に形成された第1光素子1(InP素子)の端面4をへき開によって形成する場合、通常、約20μm程度以内の端面位置のずれが生じる。つまり、精度ばらつきdxは約20μmである。ここでは、Nを20とし、精度ばらつきdx(=約20μm)を20分割し、即ち、約20μmを20で割って、図4中、x軸に沿う方向へずらす量dx/Nを約1μmとし、21個の端面位置検知マーカ11Aからなる端面位置検知マーカ群11を設ける。また、ここでは、端面位置検知マーカ11Aとして、約10μm×約10μmの大きさの十字型マーカを設ける。そして、マーカ同士が重ならないように、図4中、y方向へずらす量dyを約10μmとする。つまり、ここでは、ウエハ状態の第1光素子1をへき開によって個片にする際に想定される端面位置の近傍領域に、約10μm×約10μmの大きさの21個の十字型マーカ11Aを、図4中、x軸に沿う方向へ約1μmずつずらし、y軸に沿う方向へ約10μmずつずらして配置する。なお、図4中、番号1〜21は、端面位置検知マーカ11Aを配置する際の順番を示している。
このように、21個の十字型マーカ11Aを、図4中、x軸に沿う方向へ約1μmずつずらして設けることで、精度ばらつきである約20μmの範囲内で、約1μmの精度で、第1光素子1の端面位置(へき開位置)を特定することができる。
特に、ここでは、端面位置検知マーカ群11を配置するスペースを小さくするために、21個の十字型マーカ11Aを2列に並べて配置する。例えば、図4中、x軸に沿う方向へ約1μmずつずらして順番に十字型マーカ11Aを配置する場合に、奇数番目の十字型マーカ11A及び偶数番目の十字型マーカ11Aをそれぞれ1列に並べ、奇数番目の十字型マーカ11Aに対して偶数番目の十字型マーカ11Aを約55μmだけ、図4中、y軸に沿う方向へずらして配置する。つまり、上述のようにして1番目の十字型マーカ11Aを配置した後、2番目の十字型マーカ11Aは、1番目の十字型マーカ11Aに対して、図4中、x軸に沿う方向(負の方向)へ約1μmずらし、かつ、y軸に沿う方向(負の方向)へ約55μmずらして配置する。次いで、3番目の十字型マーカ11Aは、2番目の十字型マーカ11Aに対して、図4中、x軸に沿う方向(負の方向)へ約1μmずらし、かつ、1番目の十字型マーカ11Aに対して、図4中、y軸に沿う方向(負の方向)へ約10μmずらして配置する。次に、4番目の十字型マーカ11Aは、3番目の十字型マーカ11Aに対して、図4中、x軸に沿う方向(負の方向)へ約1μmずらし、かつ、y軸に沿う方向(負の方向)へ約55μmずらして配置する。以後、同様にして、21個の十字型マーカ11Aを配置する。なお、十字型マーカ11Aの配置の仕方はこれに限られるものではない。例えば、21個の十字型マーカ11Aが、互いに、図4中、x軸に沿う方向へ約1μmずつずれており、y軸に沿う方向へ約10μmずつずれていれば、任意の順番で配置しても良い。
特に、ここでは、端面位置検知マーカ群11を配置するスペースを小さくするために、21個の十字型マーカ11Aを2列に並べて配置する。例えば、図4中、x軸に沿う方向へ約1μmずつずらして順番に十字型マーカ11Aを配置する場合に、奇数番目の十字型マーカ11A及び偶数番目の十字型マーカ11Aをそれぞれ1列に並べ、奇数番目の十字型マーカ11Aに対して偶数番目の十字型マーカ11Aを約55μmだけ、図4中、y軸に沿う方向へずらして配置する。つまり、上述のようにして1番目の十字型マーカ11Aを配置した後、2番目の十字型マーカ11Aは、1番目の十字型マーカ11Aに対して、図4中、x軸に沿う方向(負の方向)へ約1μmずらし、かつ、y軸に沿う方向(負の方向)へ約55μmずらして配置する。次いで、3番目の十字型マーカ11Aは、2番目の十字型マーカ11Aに対して、図4中、x軸に沿う方向(負の方向)へ約1μmずらし、かつ、1番目の十字型マーカ11Aに対して、図4中、y軸に沿う方向(負の方向)へ約10μmずらして配置する。次に、4番目の十字型マーカ11Aは、3番目の十字型マーカ11Aに対して、図4中、x軸に沿う方向(負の方向)へ約1μmずらし、かつ、y軸に沿う方向(負の方向)へ約55μmずらして配置する。以後、同様にして、21個の十字型マーカ11Aを配置する。なお、十字型マーカ11Aの配置の仕方はこれに限られるものではない。例えば、21個の十字型マーカ11Aが、互いに、図4中、x軸に沿う方向へ約1μmずつずれており、y軸に沿う方向へ約10μmずつずれていれば、任意の順番で配置しても良い。
次に、第1光素子1に第1位置合わせマーカ群12を形成する工程について説明する。
この工程では、第1光素子1の裏面(下面)であって、端面位置検知マーカ群11よりも第1光素子1の想定される端面から遠い側に、複数の端面位置検知マーカ11Aのそれぞれに対応する複数の第1位置合わせマーカ12Aを含む第1位置合わせマーカ群12を形成する。なお、第1位置合わせマーカ群12は、第2光素子2との位置合わせ、即ち、第2光素子2に備えられる第2斜め導波路8との位置合わせを行なうのに用いられるものである。ここでは、複数の第1位置合わせマーカ12Aとして、第1光素子1の下面に、例えばリフトオフ法によって、例えばAuからなる十字型マーカを形成する。
この工程では、第1光素子1の裏面(下面)であって、端面位置検知マーカ群11よりも第1光素子1の想定される端面から遠い側に、複数の端面位置検知マーカ11Aのそれぞれに対応する複数の第1位置合わせマーカ12Aを含む第1位置合わせマーカ群12を形成する。なお、第1位置合わせマーカ群12は、第2光素子2との位置合わせ、即ち、第2光素子2に備えられる第2斜め導波路8との位置合わせを行なうのに用いられるものである。ここでは、複数の第1位置合わせマーカ12Aとして、第1光素子1の下面に、例えばリフトオフ法によって、例えばAuからなる十字型マーカを形成する。
なお、ここでは、第1光素子1の裏面に第1位置合わせマーカ群12を設けているが、これに限られるものではなく、第1光素子1の表面(上面)に第1位置合わせマーカ群12を設けても良い。
特に、本実施形態では、第1位置合わせマーカ群12と端面位置検知マーカ群11とが、想定される素子端面に平行な直線であって、かつ、端面位置検知マーカ群11を挟んで想定される素子端面の反対側に位置する直線に対して線対称な位置に対して、対応する端面位置検知マーカ11Aと第1位置合わせマーカ12Aとが第1斜め導波路5に平行な直線上に位置するように、ずらした位置に配置されるように、上述のように配置された端面位置検知マーカ群11に対して、第1位置合わせマーカ群12を形成する。
特に、本実施形態では、第1位置合わせマーカ群12と端面位置検知マーカ群11とが、想定される素子端面に平行な直線であって、かつ、端面位置検知マーカ群11を挟んで想定される素子端面の反対側に位置する直線に対して線対称な位置に対して、対応する端面位置検知マーカ11Aと第1位置合わせマーカ12Aとが第1斜め導波路5に平行な直線上に位置するように、ずらした位置に配置されるように、上述のように配置された端面位置検知マーカ群11に対して、第1位置合わせマーカ群12を形成する。
このため、この工程で、へき開によって第1光素子1の端面4を形成する場合の精度ばらつきdxをN分割し、複数の端面位置検知マーカ11AとしてN+1個の端面位置検知マーカを設ける場合、複数の第1位置合わせマーカ12AとしてN+1個の第1位置合わせマーカを設けることになる。つまり、第1光素子1の端面4を形成する場合の精度ばらつきdxをN分割し、第1位置合わせマーカ群12としてN+1個の第1位置合わせマーカ12Aを設ける場合、想定される素子端面に直交する方向(想定される端面に近づく方向)にdx/Nずつずらし、かつ、想定される素子端面に沿う方向(想定される端面に近づく方向に直交する方向)に互いに重ならないようにずらして、N+1個の第1位置合わせマーカ12Aを形成する。
この場合、へき開された個片の第1光素子1は、第1光素子1の端面を形成する場合の精度ばらつきdxをN分割し、第1位置合わせマーカ群12としてN+1個の第1位置合わせマーカ12Aを設ける場合、N+1個の第1位置合わせマーカ12Aは、素子端面4に直交する方向にdx/Nずつずらされており、かつ、素子端面4に沿う方向に互いに重ならないようにずらされているものとなる。
例えば、ウエハ状態の第1光素子1をへき開によって個片にする際に想定される端面位置を検知しうる端面位置検知マーカ11Aを基準マーカとし、1番目の端面位置検知マーカ11Aとして配置する場合、1番目の端面位置検知マーカ11Aから第1斜め導波路5に平行な直線X上で任意の距離だけ離れた位置に、基準位置合わせマーカとして、1番目の第1位置合わせマーカ12Aを配置する。次に、残りのN個の第1位置合わせマーカ12Aを、基準位置合わせマーカとしての1番目の第1位置合わせマーカ12Aからdx/Nずつ想定される素子端面に直交する方向にずらし、かつ、想定される素子端面に沿う方向にマーカ同士が重ならない程度の間隔dyだけずらして配置する。このようにして、N+1個の第1位置合わせマーカ12Aを順番に並べて配置する。
ここでは、21個の第1位置合わせマーカ12Aからなる第1位置合わせマーカ群12を設ける。また、ここでは、第1位置合わせマーカ12Aとして、約10μm×約10μmの大きさの十字型マーカを設ける。つまり、ここでは、約10μm×約10μmの大きさの21個の十字型マーカ12Aを、図4中、x軸に沿う方向へ約1μmずつずらし、y軸に沿う方向へ約10μmずつずらして配置する。
特に、ここでは、第1位置合わせマーカ群12を配置するスペースを小さくするために、21個の第1位置合わせマーカ12Aを2列に並べて配置する。例えば、図4中、x軸に沿う方向へ約1μmずつずらして順番に第1位置合わせマーカ12Aを配置する場合に、奇数番目の第1位置合わせマーカ12A及び偶数番目の第1位置合わせマーカ12Aをそれぞれ1列に並べ、奇数番目の第1位置合わせマーカ12Aに対して偶数番目の第1位置合わせマーカ12Aを約55μmだけ、図4中、y軸に沿う方向へずらして配置する。
つまり、ここでは、第1光素子1に設けられる第1斜め導波路5の角度は7°であるため、1番目の端面位置検知マーカ11Aから想定される素子端面に直交する線に対して7°の角度を有する直線X上を想定される素子端面から離れる方向へ平行移動した位置に、1番目の端面位置検知マーカ11Aに対応する1番目の第1位置合わせマーカ12Aを配置する。また、ここでは、端面位置検知マーカ群11と第1位置合わせマーカ群12とが重ならないように、1番目の端面位置検知マーカ11Aから、図4中、x軸に沿う方向(負の方向)へ約60μmずらした位置に、1番目の第1位置合わせマーカ12Aを配置する。つまり、1番目の端面位置検知マーカ11Aと1番目の第1位置合わせマーカ12Aとの距離を約60μmとする。次に、2番目の端面位置検知マーカ11Aに対応する2番目の第1位置合わせマーカ12Aは、1番目の第1位置合わせマーカ12Aに対して、図4中、x軸に沿う方向(正の方向)へ約1μmずらし、かつ、y軸に沿う方向(負の方向)へ約55μmずらして配置する。次いで、3番目の端面位置検知マーカ11Aに対応する3番目の第1位置合わせマーカ12Aは、2番目の第1位置合わせマーカ12Aに対して、図4中、x軸に沿う方向(正の方向)へ約1μmずらし、かつ、1番目の第1位置合わせマーカ12Aに対して、図4中、y軸に沿う方向(負の方向)へ約10μmずらして配置する。次に、4番目の端面位置検知マーカ11Aに対応する4番目の第1位置合わせマーカ12Aは、3番目の第1位置合わせマーカ12Aに対して、図4中、x軸に沿う方向(正の方向)へ約1μmずらし、かつ、y軸に沿う方向(負の方向)へ約55μmずらして配置する。以後、同様にして、21個の第1位置合わせマーカ12Aを配置する。なお、図4中、番号1〜21は、第1位置合わせマーカ12Aを配置する際の順番を示している。
このように、第1位置合わせマーカ群12を構成する複数の第1位置合わせマーカ12Aは、上述の端面位置検知マーカ群11を構成する複数の端面位置検知マーカ11Aの配置の仕方に応じて配置する。
次に、第2光素子2に第2位置合わせマーカ群13を形成する工程について説明する。
この工程では、第2光素子2の素子実装領域10の表面(上面)に、図5に示すように、第1斜め導波路5の端面位置と第2斜め導波路8の端面位置とが合った場合に複数の第1位置合わせマーカ12Aのいずれかにいずれかの位置が合う複数の第2位置合わせマーカ13Aを含む第2位置合わせマーカ群13を形成する。なお、第2位置合わせマーカ群13は、第1光素子2との位置合わせ、即ち、第1光素子2に備えられる第1斜め導波路5との位置合わせを行なうのに用いられるものである。ここでは、複数の第2位置合わせマーカ13Aとして、第2光素子2の上面(第1光素子1が接触する面)にエッチングによって形成されたくぼみの底面に、例えばリフトオフ法によって、例えばAuからなる田の字型マーカ13Aを形成する。
次に、第2光素子2に第2位置合わせマーカ群13を形成する工程について説明する。
この工程では、第2光素子2の素子実装領域10の表面(上面)に、図5に示すように、第1斜め導波路5の端面位置と第2斜め導波路8の端面位置とが合った場合に複数の第1位置合わせマーカ12Aのいずれかにいずれかの位置が合う複数の第2位置合わせマーカ13Aを含む第2位置合わせマーカ群13を形成する。なお、第2位置合わせマーカ群13は、第1光素子2との位置合わせ、即ち、第1光素子2に備えられる第1斜め導波路5との位置合わせを行なうのに用いられるものである。ここでは、複数の第2位置合わせマーカ13Aとして、第2光素子2の上面(第1光素子1が接触する面)にエッチングによって形成されたくぼみの底面に、例えばリフトオフ法によって、例えばAuからなる田の字型マーカ13Aを形成する。
特に、本実施形態では、複数の第2位置合わせマーカ13Aは、それぞれ、上述のようにして配置される複数の第1位置合わせマーカ12Aに対応する位置に配置される。
このため、この工程で、へき開によって第1光素子1の端面4を形成する場合の精度ばらつきdxをN分割し、複数の端面位置検知マーカ11AとしてN+1個の端面位置検知マーカを設ける場合、複数の第2位置合わせマーカ13AとしてN+1個の第2位置合わせマーカ13Aを設けることになる。つまり、第1光素子1の端面4を形成する場合の精度ばらつきdxをN分割し、第2位置合わせマーカ群13としてN+1個の第2位置合わせマーカ13Aを設ける場合、素子端面7に直交する方向(端面7に近づく方向)に2dx/Nずつずらし、かつ、素子端面7に沿う方向(端面7に近づく方向に直交する方向)にdy−dx/N・tanθ1ずつずらして、N+1個の第2位置合わせマーカ13Aを形成する。ここで、θ1は第1光素子1の斜め導波路5の角度である。
このため、この工程で、へき開によって第1光素子1の端面4を形成する場合の精度ばらつきdxをN分割し、複数の端面位置検知マーカ11AとしてN+1個の端面位置検知マーカを設ける場合、複数の第2位置合わせマーカ13AとしてN+1個の第2位置合わせマーカ13Aを設けることになる。つまり、第1光素子1の端面4を形成する場合の精度ばらつきdxをN分割し、第2位置合わせマーカ群13としてN+1個の第2位置合わせマーカ13Aを設ける場合、素子端面7に直交する方向(端面7に近づく方向)に2dx/Nずつずらし、かつ、素子端面7に沿う方向(端面7に近づく方向に直交する方向)にdy−dx/N・tanθ1ずつずらして、N+1個の第2位置合わせマーカ13Aを形成する。ここで、θ1は第1光素子1の斜め導波路5の角度である。
例えば、ウエハ状態の第1光素子1をへき開によって個片にする際に想定される端面位置を検知しうる端面位置検知マーカ11Aを基準マーカとし、1番目の端面位置検知マーカ11Aとして配置する場合、1番目の第1位置合わせマーカ12Aと合わせたときに第1斜め導波路5の端面位置と第2斜め導波路8の端面位置とが合う位置に、基準位置合わせマーカとして、1番目の第2位置合わせマーカ13Aを配置する。次に、残りのN個の第2位置合わせマーカ13Aを、基準位置合わせマーカとしての1番目の第2位置合わせマーカ13Aから2dx/Nずつ素子端面7に直交する方向にずらし、かつ、素子端面7に沿う方向にdy−dx/N・tanθ1ずつずらして配置する。このようにして、N+1個の第2位置合わせマーカ13Aを順番に並べて配置する。
ここでは、21個の第2位置合わせマーカ13Aからなる第2位置合わせマーカ群13を設ける。また、ここでは、第2位置合わせマーカ13Aとして、約10μm×約10μmの大きさの田の字型マーカを設ける。つまり、ここでは、約10μm×約10μmの大きさの21個の田の字型マーカ13Aを、図5中、x軸に沿う方向へ約2μmずつずらし、y軸に沿う方向へ10μm−1μm×tan7°程度ずつずらして配置する。なお、図5中、番号1〜21は、第2位置合わせマーカ13Aを配置する際の順番を示している。
しかし、21個の第2位置合わせマーカ13Aを1列に並べると、スペースを多くとってしまう。
そこで、図6に示すように、21個の第2位置合わせマーカ13Aを2列に並べて配置するのが好ましい。例えば、図6中、x軸に沿う方向へ約2μmずつずらして順番に第2位置合わせマーカ13Aを配置する場合に、奇数番目の第2位置合わせマーカ13A及び偶数番目の第2位置合わせマーカ13Aをそれぞれ1列に並べ、奇数番目の第2位置合わせマーカ13Aに対して偶数番目の第2位置合わせマーカ13Aを、図6中、y軸に沿う方向へ55μm−1μm×tan7°程度ずらして配置する。
そこで、図6に示すように、21個の第2位置合わせマーカ13Aを2列に並べて配置するのが好ましい。例えば、図6中、x軸に沿う方向へ約2μmずつずらして順番に第2位置合わせマーカ13Aを配置する場合に、奇数番目の第2位置合わせマーカ13A及び偶数番目の第2位置合わせマーカ13Aをそれぞれ1列に並べ、奇数番目の第2位置合わせマーカ13Aに対して偶数番目の第2位置合わせマーカ13Aを、図6中、y軸に沿う方向へ55μm−1μm×tan7°程度ずらして配置する。
つまり、ここでは、上述のようにして、1番目の第1位置合わせマーカ12Aに対応する位置に1番目の第2位置合わせマーカ13Aを配置する。次に、2番目の第1位置合わせマーカ12Aに対応する2番目の第2位置合わせマーカ13Aは、1番目の第2位置合わせマーカ13Aに対して、図6中、x軸に沿う方向(正の方向;素子端面7に近づく方向)へ約2μmずらし、かつ、y軸に沿う方向(負の方向)へ55μm−1μm×tan7°程度ずらして配置する。次いで、3番目の第1位置合わせマーカ12Aに対応する3番目の第2位置合わせマーカ13Aは、2番目の第2位置合わせマーカ13Aに対して、図6中、x軸に沿う方向(正の方向)へ約2μmずらし、かつ、1番目の第2位置合わせマーカ13Aに対して、図6中、y軸に沿う方向(負の方向)へ10μm−2μm×tan7°程度ずらして配置する。次に、4番目の第1位置合わせマーカ12Aに対応する4番目の第2位置合わせマーカ13Aは、3番目の第2位置合わせマーカ13Aに対して、図6中、x軸に沿う方向(正の方向)へ約2μmずらし、かつ、y軸に沿う方向(負の方向)へ55μm−1μm×tan7°程度ずらして配置する。以後、同様にして、21個の第2位置合わせマーカ13Aを配置する。なお、図6中、番号1〜21は、第2位置合わせマーカ13Aを配置する際の順番を示している。
ここで、図6中、x軸に沿う方向へ約2μmずつずらして配置するのは、第1位置合わせマーカ12Aをx軸に沿う方向へ約1μmずつずらして配置するのに加えて、一つ後の順番で配置する第2位置合わせマーカ13Aを用いる場合は、その前の順番で配置する第2位置合わせマーカ13Aを用いる場合に対して、第1斜め導波路5の端面位置が、x軸に沿う方向へ約1μmずれているからである。
また、奇数番目の第2位置合わせマーカ13Aに対して偶数番目の第2位置合わせマーカ13Aを、図6中、y軸に沿う方向へ55μm−1μm×tan7°程度ずらして配置するのは、奇数番目の第1位置合わせマーカ12Aに対して偶数番目の第1位置合わせマーカ12Aを、図4中、y軸に沿う方向へ約55μmずらして配置するのに加えて、一つ後の順番で配置する第2位置合わせマーカ13Aを用いる場合は、その前の順番で配置する第2位置合わせマーカ13Aを用いる場合に対して、第1斜め導波路5の端面位置が、y軸に沿う方向へ1μm×tan7°程度ずれているからである。
このようにして、ウエハ状態の第1光素子1に、端面位置検知マーカ群11及び第1位置合わせマーカ群12を形成するとともに、個片の第2光素子2に、第2位置合わせマーカ群13を形成した後、以下のようにして、第2光素子2上に第1光素子1を実装する。
次に、第2光素子2上に第1光素子1を実装する工程について説明する。
この工程では、まず、ウエハ状態の第1光素子1をへき開して、個片の第1光素子1を作製する。つまり、第1光素子1の端面4をへき開によって形成する。
次に、第2光素子2上に第1光素子1を実装する工程について説明する。
この工程では、まず、ウエハ状態の第1光素子1をへき開して、個片の第1光素子1を作製する。つまり、第1光素子1の端面4をへき開によって形成する。
次に、第1光素子1を第2光素子2の素子実装領域10に載せ、端面位置を検知した端面位置検知マーカ11Aに対応する第1位置合わせマーカ12Aと、第1位置合わせマーカ12Aに対応する第2位置合わせマーカ13Aとを位置合わせすることによって第1斜め導波路5の端面と第2斜め導波路8の端面とを位置合わせして、第2光素子2上に第1光素子1を実装する。
ここでは、まず、端面位置検知マーカ群11を用いて、へき開によって形成された第1光素子1の端面4の位置を検知する。次に、端面位置を検知した端面位置検知マーカ11Aに対応する第1位置合わせマーカ12Aを選択する。また、選択された第1位置合わせマーカ12Aに対応する第2位置合わせマーカ13Aを選択する。そして、選択された第1位置合わせマーカ12Aと、これに対応する第2位置合わせマーカ13Aとを位置合わせすることによって、第1光素子1と第2光素子2との位置合わせ、即ち、第1斜め導波路5の端面と第2斜め導波路8の端面との位置合わせを行なって、第2光素子2上に第1光素子1を実装する。
以下、第1光素子1の端面が、端面位置検知マーカ群11の中の7番目の端面位置検知マーカ11Aの右端の位置で形成された場合を例に挙げて、図7〜図9を参照しながら説明する。
まず、図7に示すように、第1光素子1の端面4をへき開によって形成する(ステップS10)。
まず、図7に示すように、第1光素子1の端面4をへき開によって形成する(ステップS10)。
次に、図7に示すように、端面位置検知マーカ群11の中から、元の十字型の形状を維持している端面位置検知マーカ11Aであって、その右端が第1光素子1の端面4に接しているものを検知する(ステップS20)。つまり、端面位置検知マーカ群11の中から、元の十字型の形状を維持している端面位置検知マーカ11Aであって、図8中、最も右側にあるものを検知する。このようにして、端面位置検知マーカ群11を用いて、へき開によって形成された第1光素子1の端面4の位置を検知する。なお、この端面位置検知マーカ群11を用いた端面位置の検知は、カメラを用い、各端面位置検知マーカ11Aの形状を観察して行なっても良いし、カメラで撮像したものをコンピュータで処理して、自動的に行なうようにしても良い。
ここでは、1番目から6番目までの端面位置検知マーカ11Aは、一部が欠損してもとの形状を維持していない。このため、元の形状を維持しており、その右端が第1光素子1の端面4に接しているもの(即ち、図8中、最も右側にあるもの)として、7番目の端面位置検知マーカ11Aが検知される。
次に、図7に示すように、端面位置を検知した端面位置検知マーカ11Aに対応する第1位置合わせマーカ12Aを選択する(ステップS30)。ここでは、7番目の端面位置検知マーカ11Aが、端面位置を検知した端面位置検知マーカであるため、この7番目の端面位置検知マーカ11Aに対応する7番目の第1位置合わせマーカ12Aを選択する。
次に、図7に示すように、端面位置を検知した端面位置検知マーカ11Aに対応する第1位置合わせマーカ12Aを選択する(ステップS30)。ここでは、7番目の端面位置検知マーカ11Aが、端面位置を検知した端面位置検知マーカであるため、この7番目の端面位置検知マーカ11Aに対応する7番目の第1位置合わせマーカ12Aを選択する。
また、選択された第1位置合わせマーカ12Aに対応する第2位置合わせマーカ13Aを選択する。ここでは、7番目の第1位置合わせマーカ12Aが選択されたため、この7番目の第1位置合わせマーカ12Aに対応する7番目の第2位置合わせマーカ13Aを選択する。
次に、図7に示すように、例えばフリップチップボンダによって、第1光素子1をピックアップし、第2光素子2の上方に運ぶ(ステップS40)。そして、第1光素子1と第2光素子2との間に、上下を同時に観察できるカメラ又は上方視野と下方視野とを切り替え可能なカメラを移動させ、これを用いて、7番目の第1位置合わせマーカ12Aと7番目の第2位置合わせマーカ13Aとが合うように、第1光素子1をx−y平面内で平行移動させる(ステップS40)。つまり、7番目の第1位置合わせマーカ12Aと7番目の第2位置合わせマーカ13Aとを位置合わせすることによって、第1光素子1と第2光素子2との位置合わせ、即ち、第1斜め導波路5の端面と第2斜め導波路8の端面との位置合わせを行なう。この第1斜め導波路5の端面と第2斜め導波路8の端面との位置合わせは、水平方向での位置合わせであり、導波路の幅方向の位置合わせである。これにより、へき開によって形成される第1光素子1の端面位置のずれを補正することができる。
次に、図7に示すように、例えばフリップチップボンダによって、第1光素子1をピックアップし、第2光素子2の上方に運ぶ(ステップS40)。そして、第1光素子1と第2光素子2との間に、上下を同時に観察できるカメラ又は上方視野と下方視野とを切り替え可能なカメラを移動させ、これを用いて、7番目の第1位置合わせマーカ12Aと7番目の第2位置合わせマーカ13Aとが合うように、第1光素子1をx−y平面内で平行移動させる(ステップS40)。つまり、7番目の第1位置合わせマーカ12Aと7番目の第2位置合わせマーカ13Aとを位置合わせすることによって、第1光素子1と第2光素子2との位置合わせ、即ち、第1斜め導波路5の端面と第2斜め導波路8の端面との位置合わせを行なう。この第1斜め導波路5の端面と第2斜め導波路8の端面との位置合わせは、水平方向での位置合わせであり、導波路の幅方向の位置合わせである。これにより、へき開によって形成される第1光素子1の端面位置のずれを補正することができる。
ここでは、第1光素子1をx−y平面内で平行移動させた後、7番目の第1位置合わせマーカ12Aと7番目の第2位置合わせマーカ13Aとが合ったか否かを判定し(ステップS50)、合っていない場合(noルート)には、ステップS40へ戻り、処理を繰り返す。
そして、7番目の第1位置合わせマーカ12Aと7番目の第2位置合わせマーカ13Aとが合ったら(図9参照)、アライメントを終了し(yesルート)、カメラを素子付近から退避させる。
そして、7番目の第1位置合わせマーカ12Aと7番目の第2位置合わせマーカ13Aとが合ったら(図9参照)、アライメントを終了し(yesルート)、カメラを素子付近から退避させる。
その後、第1光素子1を降下させ、第1光素子1を第2光素子2上に固定する(ステップS60)。
ここでは、第2光素子2を加熱して、はんだ17によって、第1光素子1の電極14と第2光素子2の電極16とを電気的に接続することで、第1光素子1を第2光素子2上に固定する(図1参照)。
ここでは、第2光素子2を加熱して、はんだ17によって、第1光素子1の電極14と第2光素子2の電極16とを電気的に接続することで、第1光素子1を第2光素子2上に固定する(図1参照)。
なお、上述の実装工程における処理(図7のフローチャートに示す処理)は、コンピュータ等を用いて自動制御で行なうようにしても良い。
ところで、本実施形態では、図10に示すように、第2光素子2の素子実装領域10の表面、即ち、素子実装領域10において露出した基板3の表面上に高さ調整用台座15が設けられており、この高さ調整用台座15によって第1光素子1が支持されるようにする。つまり、第1光素子1の裏面(下面;電極窓14A内の半導体表面)と第2光素子2の高さ調整用台座15が接触するように、第2光素子2上に第1光素子1を配置する。これにより、第1光素子1の第1斜め導波路5の端面と第2光素子2の第2斜め導波路8の端面との垂直方向での位置合わせ、即ち、導波路の高さ方向の位置合わせを行なう。
ところで、本実施形態では、図10に示すように、第2光素子2の素子実装領域10の表面、即ち、素子実装領域10において露出した基板3の表面上に高さ調整用台座15が設けられており、この高さ調整用台座15によって第1光素子1が支持されるようにする。つまり、第1光素子1の裏面(下面;電極窓14A内の半導体表面)と第2光素子2の高さ調整用台座15が接触するように、第2光素子2上に第1光素子1を配置する。これにより、第1光素子1の第1斜め導波路5の端面と第2光素子2の第2斜め導波路8の端面との垂直方向での位置合わせ、即ち、導波路の高さ方向の位置合わせを行なう。
ここでは、第1光素子1のクラッド層(ここではInP層)の膜厚制御、第2光素子2のクラッド層(ここではSiO2層)の膜厚制御及び高さ調整用台座15を形成するための選択エッチングの制御によって、第1斜め導波路5の高さ方向位置と第2斜め導波路8の高さ方向位置とを精密に制御する。これにより、第1光素子1の裏面と第2光素子2の高さ調整用台座15が接触するように、第2光素子2上に第1光素子1を配置するだけで、第1光素子1の第1斜め導波路5の端面と第2光素子2の第2斜め導波路8の端面との垂直方向での位置合わせを精密に行なうことができる。
特に、このような導波路の高さ方向の位置合わせを精密に行なえるように、第1光素子1の裏面(底面;第2光素子2との接合面)に設けられる電極窓14Aを、図10,11に示すように、第1光素子1の端面位置がずれても、第2光素子2の高さ調整用台座15が第1光素子1の電極14に接触しないような大きさにする。
例えば、1番目の第1位置合わせマーカ12Aと1番目の第2位置合わせマーカ13Aを合わせた場合に、高さ調整用台座15の図10,11中、右側の側面に対応する位置よりも、図10,11中、右側に、電極窓14Aの図10,11中、右側の辺が位置するように、電極窓14Aを形成する。
例えば、1番目の第1位置合わせマーカ12Aと1番目の第2位置合わせマーカ13Aを合わせた場合に、高さ調整用台座15の図10,11中、右側の側面に対応する位置よりも、図10,11中、右側に、電極窓14Aの図10,11中、右側の辺が位置するように、電極窓14Aを形成する。
また、21番目の第1位置合わせマーカ12Aと21番目の第2位置合わせマーカ13Aを合わせた場合に、高さ調整用台座15の図10,11中、左側の側面に対応する位置よりも、図10,11中、左側に、電極窓14Aの図10,11中、左側の辺が位置するように、電極窓14Aを形成する。
ここでは、1番目の第2位置合わせマーカ12Aの位置と21番目の第2位置合わせマーカ13Aの位置とは、図5,6中、x軸に沿う方向へ約40μm(=約2μm×20)ずれている。このため、電極窓14Aの図10,11中、x軸に沿う方向の大きさは、高さ調整用台座15の図10,11中、x軸に沿う方向の大きさよりも、少なくとも約40μm大きくする。
ここでは、1番目の第2位置合わせマーカ12Aの位置と21番目の第2位置合わせマーカ13Aの位置とは、図5,6中、x軸に沿う方向へ約40μm(=約2μm×20)ずれている。このため、電極窓14Aの図10,11中、x軸に沿う方向の大きさは、高さ調整用台座15の図10,11中、x軸に沿う方向の大きさよりも、少なくとも約40μm大きくする。
また、1番目の第1位置合わせマーカ12Aと1番目の第2位置合わせマーカ13Aを合わせた場合に、高さ調整用台座15の図10,11中、上側の側面に対応する位置よりも、図10,11中、上側に、電極窓14Aの図10,11中、上側の辺が位置するように、電極窓14Aを形成する。
また、21番目の第1位置合わせマーカ12Aと21番目の第2位置合わせマーカ13Aを合わせた場合に、高さ調整用台座15の図10,11中、下側の側面に対応する位置よりも、図10,11中、下側に、電極窓14Aの図10,11中、下側の辺が位置するように、電極窓14Aを形成する。
また、21番目の第1位置合わせマーカ12Aと21番目の第2位置合わせマーカ13Aを合わせた場合に、高さ調整用台座15の図10,11中、下側の側面に対応する位置よりも、図10,11中、下側に、電極窓14Aの図10,11中、下側の辺が位置するように、電極窓14Aを形成する。
ここで、第2位置合わせマーカ13Aを1列に並べた場合、1番目の第2位置合わせマーカ13Aの位置と21番目の第2位置合わせマーカ13Aの位置とは、図5中、y軸に沿う方向へ(10μm−1μm×tan7°)×21程度ずれている。このため、電極窓14Aの図10,11中、y軸に沿う方向の大きさは、高さ調整用台座15の図10,11中、y軸に沿う方向の大きさよりも、少なくとも(10μm−1μm×tan7°)×21程度大きくする。
第2位置合わせマーカ13Aを2列に並べた場合、1番目の第2位置合わせマーカ13Aの位置と21番目の第2位置合わせマーカ13Aの位置とは、図5中、y軸に沿う方向へ(55μm−1μm×tan7°)+(10μm−2μm×tan7°)×10程度ずれている。このため、電極窓14Aの図10,11中、y軸に沿う方向の大きさは、高さ調整用台座15の図10,11中、y軸に沿う方向の大きさよりも、少なくとも(55μm−1μm×tan7°)+(10μm−2μm×tan7°)×10程度大きくする。
このようにして、第2光素子2上に第1光素子1を実装する。
上述のようにして、第2光素子2上に第1光素子1を実装することで、へき開によって形成される第1光素子1の端面4の位置がずれてしまった場合であっても、第1光素子1の第1斜め導波路5の端面と第2光素子2の第2斜め導波路8の端面とがずれないように、第2光素子2上に第1光素子1を実装することができる。
上述のようにして、第2光素子2上に第1光素子1を実装することで、へき開によって形成される第1光素子1の端面4の位置がずれてしまった場合であっても、第1光素子1の第1斜め導波路5の端面と第2光素子2の第2斜め導波路8の端面とがずれないように、第2光素子2上に第1光素子1を実装することができる。
したがって、本実施形態にかかる光集積素子及びその製造方法によれば、斜め導波路を有する光素子を集積する場合に、素子端面の位置がずれてしまっても、精度良く位置合わせを行なえるという利点がある。
なお、本発明は、上述した実施形態に記載した構成に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で種々変形することが可能である。
なお、本発明は、上述した実施形態に記載した構成に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で種々変形することが可能である。
例えば、上述の実施形態では、第1光素子1の端面4をへき開によって形成するようにしているが、これに限られるものではなく、端面位置がずれてしまう他の方法によって第1光素子の端面を形成する場合にも、本発明を適用することができる。
また、上述の実施形態では、複数の端面位置検知マーカ11Aを約1μmずつずらして配置しているが、ずらす量はこれに限られるものではない。例えば、結合させる導波路同士の許容結合損失量、光素子上のマーカを配置できるスペース、マーカの読み出し精度などを考慮して決定すれば良い。なお、上述の実施形態では、約1μmのx方向の位置ずれに対して、結合損失が約0.1dB程度と小さい値であるため、複数の端面位置検知マーカ11Aを約1μmずつずらせば十分である。
また、上述の実施形態では、複数の端面位置検知マーカ11Aを約1μmずつずらして配置しているが、ずらす量はこれに限られるものではない。例えば、結合させる導波路同士の許容結合損失量、光素子上のマーカを配置できるスペース、マーカの読み出し精度などを考慮して決定すれば良い。なお、上述の実施形態では、約1μmのx方向の位置ずれに対して、結合損失が約0.1dB程度と小さい値であるため、複数の端面位置検知マーカ11Aを約1μmずつずらせば十分である。
また、上述の実施形態では、端面位置検知マーカ群11、第1位置合わせマーカ群12及び第2位置合わせマーカ群13を、図1に示すように、導波路の上側に設けているが、これに限られるものではない。例えば、図12に示すように、端面位置検知マーカ群11、第1位置合わせマーカ群12及び第2位置合わせマーカ群13を、導波路の上側及び下側(導波路を挟んで両側)に設けても良い。また、端面位置検知マーカ群11、第1位置合わせマーカ群12及び第2位置合わせマーカ群13を、導波路の下側に設けても良い。また、端面位置検知マーカ群11を、導波路の上側に設け、第1位置合わせマーカ群12及び第2位置合わせマーカ群13を、導波路の下側に設けても良い。また、端面位置検知マーカ群11を、導波路の下側に設け、第1位置合わせマーカ群12及び第2位置合わせマーカ群13を、導波路の上側に設けても良い。また、端面位置検知マーカ群11を、導波路を挟んで両側に設け、第1位置合わせマーカ群12及び第2位置合わせマーカ群13を、導波路の一方の側に設けても良い。また、端面位置検知マーカ群11を、導波路の一方の側に設け、第1位置合わせマーカ群12及び第2位置合わせマーカ群13を、導波路を挟んで両側に設けても良い。
また、上述の実施形態では、端面位置検知マーカの形状を十字型とし、大きさを約10μm×約10μmとしているが、これに限られるものではなく、へき開位置(端面位置)を検知できる形状及び大きさであれば良い。例えば、端面位置検知マーカ11Aの形状は、図13(A)〜(D)のそれぞれに示すように、十字型、T字型、くさび型、スリット型のいずれかにするのが好ましい。また、元の形状を維持しているか否かによってへき開位置を検知できるものが好ましい。
また、上述の実施形態では、位置合わせを行ないやすくするために、第1位置合わせマーカ12Aの形状を十字型とし、第2位置合わせマーカ13Aの形状を田の字型としているが、各マーカの形状及び組み合わせは、これに限られるものではない。なお、位置合わせを行ないやすくするためには、第1位置合わせマーカ及び第2位置合わせマーカとして、相補的な形状のマーカを形成するのが好ましい。
また、上述の実施形態では、図4,6中、y軸に沿う方向への配置スペースを小さくするために、各マーカ群に含まれる複数のマーカを2列に並べて配置しているが、マーカの配列の仕方はこれに限られるものではない。例えば、1列に並べて配置しても良いし、3列以上に並べて配置しても良い。但し、配置スペースを小さくすることができるという点で、複数列に並べて配置するのが好ましい。
また、上述の実施形態では、各マーカ群11,12,13に含まれる複数のマーカ11A,12A,13Aを順番に配置する際に、奇数番目のマーカを1列に順番に配置し、偶数番目のマーカを1列に順番に配置するようにしているが、これに限られるものではない。例えば、各マーカ群に含まれる複数のマーカの位置がずれていれば、配置する順番は任意に決めることができる。
また、上述の実施形態では、第1光素子1と第2光素子2との間にカメラを置いて、第1位置合わせマーカ12A及び第2位置合わせマーカ13Aを観察しながらアライメントを行なうようにしているが、これに限られるものではない。例えば、赤外カメラを用いて、素子の上方又は下方からの第1位置合わせマーカ及び第2位置合わせマーカの透過像を観察しながらアライメントを行なうようにしても良い。また、第1位置合わせマーカ12A及び第2位置合わせマーカ13Aをカメラで撮像し、これをコンピュータで処理して、自動的にアライメントを行なうようにしても良い。
また、上述の実施形態では、第1光素子1をInP基板上に形成された発光素子とし、第2光素子2をSi基板上に形成された光導波路素子としているが、これに限られるものではなく、第1光素子及び第2光素子は、素子端面に対して斜めの導波路を有するものであれば良い。例えば、上述の実施形態では、第1光素子1及び第2光素子2は、それぞれ、直線導波路6、9を有するが、第1光素子及び第2光素子は、直線導波路を有しないものであっても良い。
また、上述の実施形態では、InP素子1の斜め導波路5の角度を約7°とし、Si素子2の斜め導波路8の角度を約15°としているが、角度はこれらに限られるものではない。但し、例えばInP素子1の斜め導波路5の角度を変更した場合は、それに応じてSi素子2の斜め導波路8の角度も変更することになる。
また、上述の実施形態の光集積素子を光ファイバと結合する場合には、光素子の導波路の端面近傍にスポットサイズ変換器を設けても良い。これにより、光ファイバとの光の結合効率を向上させることができる。
また、上述の実施形態の光集積素子を光ファイバと結合する場合には、光素子の導波路の端面近傍にスポットサイズ変換器を設けても良い。これにより、光ファイバとの光の結合効率を向上させることができる。
以下、上述の実施形態及びその変形例に関し、更に、付記を開示する。
(付記1)
第1斜め導波路を有する第1光素子の表面又は裏面に、前記第1光素子の端面位置を検知しうる、複数の端面位置検知マーカを含む端面位置検知マーカ群を形成する工程と、
前記第1光素子の表面又は裏面に、前記複数の端面位置検知マーカのそれぞれに対応する複数の第1位置合わせマーカを含む第1位置合わせマーカ群を形成する工程と、
第2斜め導波路を有する第2光素子の素子実装領域の表面に、前記第1斜め導波路の端面位置と前記第2斜め導波路の端面位置とが合った場合に前記複数の第1位置合わせマーカのいずれかにいずれかの位置が合う複数の第2位置合わせマーカを含む第2位置合わせマーカ群を形成する工程と、
前記第1光素子を前記第2光素子の前記素子実装領域に載せ、前記第1光素子の端面位置を検知した端面位置検知マーカに対応する第1位置合わせマーカと、前記第1位置合わせマーカに対応する第2位置合わせマーカとを位置合わせすることによって前記第1斜め導波路の端面と前記第2斜め導波路の端面とを位置合わせして、前記第2光素子上に前記第1光素子を実装する工程とを含むことを特徴とする光集積素子の製造方法。
(付記1)
第1斜め導波路を有する第1光素子の表面又は裏面に、前記第1光素子の端面位置を検知しうる、複数の端面位置検知マーカを含む端面位置検知マーカ群を形成する工程と、
前記第1光素子の表面又は裏面に、前記複数の端面位置検知マーカのそれぞれに対応する複数の第1位置合わせマーカを含む第1位置合わせマーカ群を形成する工程と、
第2斜め導波路を有する第2光素子の素子実装領域の表面に、前記第1斜め導波路の端面位置と前記第2斜め導波路の端面位置とが合った場合に前記複数の第1位置合わせマーカのいずれかにいずれかの位置が合う複数の第2位置合わせマーカを含む第2位置合わせマーカ群を形成する工程と、
前記第1光素子を前記第2光素子の前記素子実装領域に載せ、前記第1光素子の端面位置を検知した端面位置検知マーカに対応する第1位置合わせマーカと、前記第1位置合わせマーカに対応する第2位置合わせマーカとを位置合わせすることによって前記第1斜め導波路の端面と前記第2斜め導波路の端面とを位置合わせして、前記第2光素子上に前記第1光素子を実装する工程とを含むことを特徴とする光集積素子の製造方法。
(付記2)
前記端面位置検知マーカ群を形成する工程及び前記第1位置合わせマーカ群を形成する工程において、前記端面位置検知マーカ群と前記第1位置合わせマーカ群とを、想定される素子端面に平行な直線であって、かつ、前記端面位置検知マーカ群を挟んで想定される素子端面の反対側に位置する直線に対して線対称な位置に対して、対応する端面位置検知マーカと第1位置合わせマーカとが前記第1斜め導波路に平行な直線上に位置するように、ずらした位置に形成することを特徴とする、付記1に記載の光集積素子の製造方法。
前記端面位置検知マーカ群を形成する工程及び前記第1位置合わせマーカ群を形成する工程において、前記端面位置検知マーカ群と前記第1位置合わせマーカ群とを、想定される素子端面に平行な直線であって、かつ、前記端面位置検知マーカ群を挟んで想定される素子端面の反対側に位置する直線に対して線対称な位置に対して、対応する端面位置検知マーカと第1位置合わせマーカとが前記第1斜め導波路に平行な直線上に位置するように、ずらした位置に形成することを特徴とする、付記1に記載の光集積素子の製造方法。
(付記3)
前記端面位置検知マーカ群を形成する工程において、前記第1光素子の端面を形成する場合の精度ばらつきdxをN分割し、前記複数の端面位置検知マーカとしてN+1個の端面位置検知マーカを設ける場合、想定される素子端面に直交する方向にdx/Nずつずらし、かつ、前記想定される素子端面に沿う方向に互いに重ならないようにずらして、前記N+1個の端面位置検知マーカを形成することを特徴とする、付記1又は2に記載の光集積素子の製造方法。
前記端面位置検知マーカ群を形成する工程において、前記第1光素子の端面を形成する場合の精度ばらつきdxをN分割し、前記複数の端面位置検知マーカとしてN+1個の端面位置検知マーカを設ける場合、想定される素子端面に直交する方向にdx/Nずつずらし、かつ、前記想定される素子端面に沿う方向に互いに重ならないようにずらして、前記N+1個の端面位置検知マーカを形成することを特徴とする、付記1又は2に記載の光集積素子の製造方法。
(付記4)
前記第1位置合わせマーカ群を形成する工程及び前記第2位置合わせマーカ群を形成する工程において、前記第1位置合わせマーカ及び前記第2位置合わせマーカとして、相補的な形状を有するマーカを形成することを特徴とする、付記1〜3のいずれか1項に記載の光集積素子の製造方法。
前記第1位置合わせマーカ群を形成する工程及び前記第2位置合わせマーカ群を形成する工程において、前記第1位置合わせマーカ及び前記第2位置合わせマーカとして、相補的な形状を有するマーカを形成することを特徴とする、付記1〜3のいずれか1項に記載の光集積素子の製造方法。
(付記5)
前記第2光素子上に前記第1光素子を実装する工程において、前記第1光素子の電極と前記第2光素子の電極とを電気的に接続して、前記第2光素子上に前記第1光素子を実装することを特徴とする、付記1〜4のいずれか1項に記載の光集積素子の製造方法。
(付記6)
前記端面位置検知マーカ群を形成する工程において、前記複数の端面位置検知マーカを複数列に並べて配置し、
前記第1位置合わせマーカ群を形成する工程において、前記複数の第1位置合わせマーカを複数列に並べて配置し、
前記第2位置合わせマーカ群を形成する工程において、前記複数の第2位置合わせマーカを複数列に並べて配置することを特徴とする、付記1〜5のいずれか1項に記載の光集積素子の製造方法。
前記第2光素子上に前記第1光素子を実装する工程において、前記第1光素子の電極と前記第2光素子の電極とを電気的に接続して、前記第2光素子上に前記第1光素子を実装することを特徴とする、付記1〜4のいずれか1項に記載の光集積素子の製造方法。
(付記6)
前記端面位置検知マーカ群を形成する工程において、前記複数の端面位置検知マーカを複数列に並べて配置し、
前記第1位置合わせマーカ群を形成する工程において、前記複数の第1位置合わせマーカを複数列に並べて配置し、
前記第2位置合わせマーカ群を形成する工程において、前記複数の第2位置合わせマーカを複数列に並べて配置することを特徴とする、付記1〜5のいずれか1項に記載の光集積素子の製造方法。
(付記7)
素子端面に対して斜めの第1斜め導波路を有する第1光素子と、
素子端面に対して斜めの第2斜め導波路を有する第2光素子とを備え、
前記第1斜め導波路の端面位置と前記第2斜め導波路の端面位置とが合わされた状態で前記第2光素子上に前記第1光素子が実装されており、
前記第1光素子は、表面又は裏面に、前記第1光素子の端面に接する端面位置検知マーカを含む端面位置検知マーカ群を有し、かつ、表面又は裏面に、前記端面位置検知マーカに対応する第1位置合わせマーカを含む第1位置合わせマーカ群を有し、
前記第2光素子は、素子実装領域の表面に、前記第1位置合わせマーカに位置が合っている第2位置合わせマーカを含む第2位置合わせマーカ群を有することを特徴とする光集積素子。
素子端面に対して斜めの第1斜め導波路を有する第1光素子と、
素子端面に対して斜めの第2斜め導波路を有する第2光素子とを備え、
前記第1斜め導波路の端面位置と前記第2斜め導波路の端面位置とが合わされた状態で前記第2光素子上に前記第1光素子が実装されており、
前記第1光素子は、表面又は裏面に、前記第1光素子の端面に接する端面位置検知マーカを含む端面位置検知マーカ群を有し、かつ、表面又は裏面に、前記端面位置検知マーカに対応する第1位置合わせマーカを含む第1位置合わせマーカ群を有し、
前記第2光素子は、素子実装領域の表面に、前記第1位置合わせマーカに位置が合っている第2位置合わせマーカを含む第2位置合わせマーカ群を有することを特徴とする光集積素子。
(付記8)
前記端面位置検知マーカ群と前記第1位置合わせマーカ群とが、想定される素子端面に平行な直線であって、かつ、前記端面位置検知マーカ群を挟んで想定される素子端面の反対側に位置する直線に対して線対称な位置に対して、対応する端面位置検知マーカと第1位置合わせマーカとが前記第1斜め導波路に平行な直線上に位置するように、ずらした位置に配置されていることを特徴とする、付記7に記載の光集積素子。
前記端面位置検知マーカ群と前記第1位置合わせマーカ群とが、想定される素子端面に平行な直線であって、かつ、前記端面位置検知マーカ群を挟んで想定される素子端面の反対側に位置する直線に対して線対称な位置に対して、対応する端面位置検知マーカと第1位置合わせマーカとが前記第1斜め導波路に平行な直線上に位置するように、ずらした位置に配置されていることを特徴とする、付記7に記載の光集積素子。
(付記9)
前記第1光素子の端面を形成する場合の精度ばらつきdxをN分割し、前記第1位置合わせマーカ群としてN+1個の第1位置合わせマーカを設ける場合、前記N+1個の第1位置合わせマーカは、前記素子端面に直交する方向にdx/Nずつずらされており、かつ、前記素子端面に沿う方向に互いに重ならないようにずらされていることを特徴とする、付記7又は8に記載の光集積素子。
前記第1光素子の端面を形成する場合の精度ばらつきdxをN分割し、前記第1位置合わせマーカ群としてN+1個の第1位置合わせマーカを設ける場合、前記N+1個の第1位置合わせマーカは、前記素子端面に直交する方向にdx/Nずつずらされており、かつ、前記素子端面に沿う方向に互いに重ならないようにずらされていることを特徴とする、付記7又は8に記載の光集積素子。
(付記10)
前記第1位置合わせマーカ及び前記第2位置合わせマーカとして、相補的な形状を有するマーカが形成されていることを特徴とする、付記7〜9のいずれか1項に記載の光集積素子。
(付記11)
前記複数の端面位置検知マーカ、前記複数の第1位置合わせマーカ及び前記複数の第2位置合わせマーカは、いずれも、複数列に並べて配置されていることを特徴とする、付記7〜10のいずれか1項に記載の光集積素子。
前記第1位置合わせマーカ及び前記第2位置合わせマーカとして、相補的な形状を有するマーカが形成されていることを特徴とする、付記7〜9のいずれか1項に記載の光集積素子。
(付記11)
前記複数の端面位置検知マーカ、前記複数の第1位置合わせマーカ及び前記複数の第2位置合わせマーカは、いずれも、複数列に並べて配置されていることを特徴とする、付記7〜10のいずれか1項に記載の光集積素子。
1 第1光素子
2 第2光素子
3 基板
4 第1光素子の端面
5 斜め導波路(第1斜め導波路)
6 直線導波路
7 第2光素子の端面
8 斜め導波路(第2斜め導波路)
9 直線導波路
10 素子実装領域
11 端面位置検知マーカ群
11A 端面位置検知マーカ
12 第1位置合わせマーカ群
12A 第1位置合わせマーカ
13 第2位置合わせマーカ群
13A 第2位置合わせマーカ
14 電極
14A 電極窓
15 高さ調整用台座
16 電極
17 はんだ
2 第2光素子
3 基板
4 第1光素子の端面
5 斜め導波路(第1斜め導波路)
6 直線導波路
7 第2光素子の端面
8 斜め導波路(第2斜め導波路)
9 直線導波路
10 素子実装領域
11 端面位置検知マーカ群
11A 端面位置検知マーカ
12 第1位置合わせマーカ群
12A 第1位置合わせマーカ
13 第2位置合わせマーカ群
13A 第2位置合わせマーカ
14 電極
14A 電極窓
15 高さ調整用台座
16 電極
17 はんだ
Claims (6)
- 第1斜め導波路を有する第1光素子の表面又は裏面に、前記第1光素子の端面位置を検知しうる、複数の端面位置検知マーカを含む端面位置検知マーカ群を形成する工程と、
前記第1光素子の表面又は裏面に、前記複数の端面位置検知マーカのそれぞれに対応する複数の第1位置合わせマーカを含む第1位置合わせマーカ群を形成する工程と、
第2斜め導波路を有する第2光素子の素子実装領域の表面に、前記第1斜め導波路の端面位置と前記第2斜め導波路の端面位置とが合った場合に前記複数の第1位置合わせマーカのいずれかにいずれかの位置が合う複数の第2位置合わせマーカを含む第2位置合わせマーカ群を形成する工程と、
前記第1光素子を前記第2光素子の前記素子実装領域に載せ、前記第1光素子の端面位置を検知した端面位置検知マーカに対応する第1位置合わせマーカと、前記第1位置合わせマーカに対応する第2位置合わせマーカとを位置合わせすることによって前記第1斜め導波路の端面と前記第2斜め導波路の端面とを位置合わせして、前記第2光素子上に前記第1光素子を実装する工程とを含むことを特徴とする光集積素子の製造方法。 - 前記端面位置検知マーカ群を形成する工程及び前記第1位置合わせマーカ群を形成する工程において、前記端面位置検知マーカ群と前記第1位置合わせマーカ群とを、想定される素子端面に平行な直線であって、かつ、前記端面位置検知マーカ群を挟んで想定される素子端面の反対側に位置する直線に対して線対称な位置に対して、対応する端面位置検知マーカと第1位置合わせマーカとが前記第1斜め導波路に平行な直線上に位置するように、ずらした位置に形成することを特徴とする、請求項1に記載の光集積素子の製造方法。
- 前記端面位置検知マーカ群を形成する工程において、前記第1光素子の端面を形成する場合の精度ばらつきdxをN分割し、前記複数の端面位置検知マーカとしてN+1個の端面位置検知マーカを設ける場合、想定される素子端面に直交する方向にdx/Nずつずらし、かつ、前記想定される素子端面に沿う方向に互いに重ならないようにずらして、前記N+1個の端面位置検知マーカを形成することを特徴とする、請求項1又は2に記載の光集積素子の製造方法。
- 前記第1位置合わせマーカ群を形成する工程及び前記第2位置合わせマーカ群を形成する工程において、前記第1位置合わせマーカ及び前記第2位置合わせマーカとして、相補的な形状を有するマーカを形成することを特徴とする、請求項1〜3のいずれか1項に記載の光集積素子の製造方法。
- 前記端面位置検知マーカ群を形成する工程において、前記複数の端面位置検知マーカを複数列に並べて配置し、
前記第1位置合わせマーカ群を形成する工程において、前記複数の第1位置合わせマーカを複数列に並べて配置し、
前記第2位置合わせマーカ群を形成する工程において、前記複数の第2位置合わせマーカを複数列に並べて配置することを特徴とする、請求項1〜4のいずれか1項に記載の光集積素子の製造方法。 - 素子端面に対して斜めの第1斜め導波路を有する第1光素子と、
素子端面に対して斜めの第2斜め導波路を有する第2光素子とを備え、
前記第1斜め導波路の端面位置と前記第2斜め導波路の端面位置とが合わされた状態で前記第2光素子上に前記第1光素子が実装されており、
前記第1光素子は、表面又は裏面に、前記第1光素子の端面に接する端面位置検知マーカを含む端面位置検知マーカ群を有し、かつ、表面又は裏面に、前記端面位置検知マーカに対応する第1位置合わせマーカを含む第1位置合わせマーカ群を有し、
前記第2光素子は、素子実装領域の表面に、前記第1位置合わせマーカに位置が合っている第2位置合わせマーカを含む第2位置合わせマーカ群を有することを特徴とする光集積素子。
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