JP5400409B2

JP5400409B2 - Manufacturing method of semiconductor device

Info

Publication number: JP5400409B2
Application number: JP2009033051A
Authority: JP
Inventors: 陽輔佐藤; 淳前田; 新久保田
Original assignee: Lintec Corp
Current assignee: Lintec Corp
Priority date: 2009-02-16
Filing date: 2009-02-16
Publication date: 2014-01-29
Anticipated expiration: 2029-02-16
Also published as: JP2010192537A

Description

本発明は、半導体装置の製造方法に関する。 The present invention relates to a method for manufacturing a semiconductor device.

半導体ウエハは表面に回路が形成された後、ウエハの裏面側に研削加工を施し、ウエハの厚さを調整する裏面研削工程およびウエハを所定のチップサイズに個片化するダイシング工程が行われる。また裏面研削工程に続いて、さらに裏面にエッチング処理などの発熱を伴う加工処理や、裏面への金属膜の蒸着のように高温で行われる処理が施されることがある。 After a circuit is formed on the surface of the semiconductor wafer, a grinding process is performed on the back side of the wafer, and a back grinding process for adjusting the thickness of the wafer and a dicing process for dividing the wafer into a predetermined chip size are performed. Further, following the back surface grinding step, there may be a case where processing on the back surface is accompanied by heat generation such as an etching process, or processing performed at a high temperature such as vapor deposition of a metal film on the back surface.

近年のＩＣカードの普及にともない、その構成部材である半導体チップの薄型化が進められている。このため、従来３５０μｍ程度の厚みであったウエハを、５０〜１００μｍあるいはそれ以下まで薄くすることが求められるようになった。 With the spread of IC cards in recent years, the semiconductor chip that is a constituent member thereof is being made thinner. For this reason, it has been required to reduce the thickness of a conventional wafer having a thickness of about 350 μm to 50 to 100 μm or less.

このため、図５〜図７に示すように、半導体ウエハ１０の裏面研削時に、ウエハ表面に表面保護テープ（図示せず）を貼付してウエハの裏面内周部１６のみを研削し、裏面外周部に環状凸部１７を残存させ、ウエハに剛性を持たせることが提案されている（特許文献１、２等）。ウエハ表面には、図５に示すように、外周端から数ｍｍの範囲には回路１３が形成されていない余剰部分１５があり、回路１３は余剰部分を除くウエハ内周部１４に形成されている。上記の環状凸部１７を有するウエハでは、表面の回路形成部分（ウエハ内周部１４）に対応する裏面内周部１６が所定の厚みまで研削され、回路１３が形成されていない余剰部分１５に対応する裏面外周部は研削されずに残存し、環状凸部１７となる。環状凸部１７は比較的剛性が高いため、上記の形態に研削されたウエハは、安定して搬送、保管でき、また加工時の破損が少なくなる。なお、図６は環状凸部１７が形成されているウエハの裏面側からの斜視図、図７は図６の断面図を示す。 For this reason, as shown in FIGS. 5 to 7, when grinding the back surface of the semiconductor wafer 10, a surface protection tape (not shown) is pasted on the wafer surface to grind only the back inner peripheral portion 16 of the wafer, It has been proposed that the annular protrusion 17 is left in the part to give the wafer rigidity (Patent Documents 1, 2, etc.). On the wafer surface, as shown in FIG. 5, there is a surplus portion 15 in which a circuit 13 is not formed within a range of several mm from the outer peripheral edge, and the circuit 13 is formed on the inner peripheral portion 14 of the wafer excluding the surplus portion. Yes. In the wafer having the annular convex portion 17 described above, the back inner peripheral portion 16 corresponding to the circuit forming portion (wafer inner peripheral portion 14) on the front surface is ground to a predetermined thickness, and the surplus portion 15 where the circuit 13 is not formed is formed. The corresponding outer peripheral portion of the back surface remains without being ground and becomes an annular convex portion 17. Since the annular protrusion 17 has a relatively high rigidity, the wafer ground in the above-described form can be stably transported and stored, and damage during processing is reduced. 6 is a perspective view from the back side of the wafer on which the annular convex portion 17 is formed, and FIG. 7 is a sectional view of FIG.

特開2007-59829号公報JP 2007-59829 A 特開2007-27309号公報JP 2007-27309 JP

半導体ウエハの裏面研削時には、回路面を表面保護テープで保護し、裏面側をグラインダー等を用いて機械的に研削する。この際、表面保護テープの基材面にはウエハの裏面研削時に発生した研削屑が付着することがある。またウエハ裏面を機械的に研削すると、研削面には、グラインダーの切削痕により、破砕層と呼ばれるマイクロクラックが発生する。破砕層は、ウエハの割れやチッピングの起点となるため、機械研削後に、ウエハの裏面にエッチング装置を用いてケミカルエッチングを施し、破砕層を除去することで、ウエハの強度を向上させた後に次工程に移送している。しかし、表面保護テープの基材面に研削屑が付着した状態でウエハのケミカルエッチングを行うと、研削屑がウエハ裏面側に回り込み、ウエハのエッチング面を傷つけたり、またウエハを破損するおそれがある。また研削屑がエッチング中に飛散し、エッチング装置を破損あるいは汚染することがある。 When grinding the back surface of a semiconductor wafer, the circuit surface is protected with a surface protection tape, and the back surface side is mechanically ground using a grinder or the like. At this time, grinding waste generated during the grinding of the back surface of the wafer may adhere to the base material surface of the surface protection tape. When the back surface of the wafer is mechanically ground, microcracks called a crushed layer are generated on the ground surface due to the cutting traces of the grinder. Since the crushed layer is the starting point for cracking and chipping of the wafer, after mechanical grinding, chemical etching is performed on the back surface of the wafer using an etching device, and the crushed layer is removed to improve the strength of the wafer. It is transferred to the process. However, if chemical etching of the wafer is performed with the grinding dust adhering to the base material surface of the surface protection tape, the grinding dust may wrap around the back side of the wafer and damage the wafer etching surface or damage the wafer. . Further, grinding scraps may be scattered during etching, and the etching apparatus may be damaged or contaminated.

このため、ウエハ裏面側をグラインダーにより機械的に研削した後、研削屑をきれいに除去するために高圧で水洗浄を行ったり、あるいは表面保護テープを貼り替えた後にケミカルエッチングを行っている。 For this reason, after the back side of the wafer is mechanically ground by a grinder, water cleaning is performed under high pressure to cleanly remove grinding debris, or chemical etching is performed after the surface protection tape is replaced.

しかし、極薄にまで研削された半導体ウエハは、強度が極めて低く、洗浄時あるいは表面保護テープの貼り替え時にウエハが破損することがあった。とりわけ上記のように環状凸部１７が形成された半導体ウエハでは、環状凸部１７の頂部および内側壁、および裏面内周部１６に破砕層が形成されているため、ウエハの部位毎に強度が異なり、またマイクロクラックの形成方向も異なるため、極めて慎重な取り扱いが必要であった。環状凸部１７はウエハの重量を支えるが、環状凸部１７の頂部および内側壁にマイクロクラックが形成されているため、ウエハの重量を支えきれず、マイクロクラックを起点としてウエハが割れてしまうことがある。また、ウエハを薄く研削することによりウエハに反りが発生し、マイクロクラックを起点としてウエハが割れてしまうことがある。さらに、裏面内周部１６は極めて薄く研削されているため、破砕層を起点としたウエハの割れやチッピングが発生しやすい。特に、環状凸部１７と裏面内周部１６の境界１９付近においてウエハの割れが発生しやすい。 However, a semiconductor wafer ground to an extremely thin thickness is extremely low, and the wafer may be damaged during cleaning or when the surface protection tape is replaced. In particular, in the semiconductor wafer in which the annular protrusion 17 is formed as described above, the crushing layer is formed on the top and inner walls of the annular protrusion 17 and the inner peripheral portion 16 of the back surface. In addition, since the microcracks are formed in different directions, extremely careful handling is necessary. Although the annular protrusion 17 supports the weight of the wafer, microcracks are formed on the top and inner walls of the annular protrusion 17, so that the weight of the wafer cannot be supported and the wafer cracks starting from the microcrack. There is. Further, when the wafer is thinly ground, the wafer may be warped, and the wafer may be broken starting from a microcrack. Furthermore, since the back inner peripheral portion 16 is extremely thinly ground, the wafer is likely to be cracked or chipped from the fractured layer. In particular, the wafer is likely to crack near the boundary 19 between the annular convex portion 17 and the back inner peripheral portion 16.

したがって、本発明は、極薄にまで研削された半導体ウエハ、特に環状凸部が形成された極薄ウエハにおいて、機械的研削工程で発生した研削屑によるウエハおよびエッチング装置の破損や汚染を防止し、半導体装置を歩留まりよく製造しうる方法を提供することを目的としている。 Therefore, the present invention prevents damage and contamination of the wafer and the etching apparatus due to grinding dust generated in the mechanical grinding process in a semiconductor wafer ground to an extremely thin thickness, particularly an ultrathin wafer having an annular convex portion formed thereon. An object of the present invention is to provide a method capable of manufacturing a semiconductor device with a high yield.

このような課題の解決を目的とした本発明の要旨は以下のとおりである。
（１）表面に回路が形成された半導体ウエハの回路面側に、第１の粘着テープを積層する工程と、
該半導体ウエハの裏面を研削する工程と、
第１の粘着テープ上に第２の粘着テープを積層する工程と、
該半導体ウエハの裏面をケミカルエッチングする工程と、を有する半導体装置の製造方法。
（２）表面に回路が形成された半導体ウエハの回路面側に、第１の粘着テープを積層する工程と、
該半導体ウエハの裏面内周部を研削する工程と、
第１の粘着テープ上に第２の粘着テープを積層する工程と、
該半導体ウエハの裏面をケミカルエッチングする工程と、を有する半導体装置の製造方法。 The gist of the present invention aimed at solving such problems is as follows.
(1) a step of laminating a first adhesive tape on a circuit surface side of a semiconductor wafer having a circuit formed on the surface;
Grinding the back surface of the semiconductor wafer;
Laminating a second adhesive tape on the first adhesive tape;
And a step of chemically etching the back surface of the semiconductor wafer.
(2) a step of laminating a first adhesive tape on the circuit surface side of a semiconductor wafer having a circuit formed on the surface;
Grinding the inner surface of the back surface of the semiconductor wafer;
Laminating a second adhesive tape on the first adhesive tape;
And a step of chemically etching the back surface of the semiconductor wafer.

本発明によれば、極薄にまで研削された半導体ウエハ、特に環状凸部が形成された極薄ウエハにおいて、機械的研削工程で発生した研削屑によるウエハおよびエッチング装置の破損や汚染を防止し、半導体装置を歩留まりよく製造しうる方法を提供することができる。 According to the present invention, in a semiconductor wafer ground to an extremely thin thickness, particularly an ultrathin wafer with an annular convex portion formed thereon, damage and contamination of the wafer and the etching apparatus due to grinding dust generated in a mechanical grinding process can be prevented. It is possible to provide a method capable of manufacturing a semiconductor device with a high yield.

本発明に係る半導体装置の製造方法の工程を示す。3 shows a process of a method for manufacturing a semiconductor device according to the present invention. 本発明に係る半導体装置の製造方法の工程を示す。3 shows a process of a method for manufacturing a semiconductor device according to the present invention. 本発明に係る半導体装置の製造方法の工程を示す。3 shows a process of a method for manufacturing a semiconductor device according to the present invention. 本発明に係る半導体装置の製造方法の工程を示す。3 shows a process of a method for manufacturing a semiconductor device according to the present invention. 半導体ウエハの回路形成面の平面図を示す。The top view of the circuit formation surface of a semiconductor wafer is shown. 裏面外周部に環状凸部が形成された半導体ウエハの裏面側からの斜視図を示す。The perspective view from the back surface side of the semiconductor wafer in which the annular convex part was formed in the back surface outer peripheral part is shown. 図６の断面図を示す。FIG. 7 shows a cross-sectional view of FIG. 6.

以下本発明の好ましい態様について、図面を参照しながら、その最良の形態も含めてさらに具体的に説明する。以下では、環状凸部を有する半導体ウエハを作成する工程を含む半導体装置の製造例に基づいて本発明を説明するが、本発明の方法は、環状凸部を形成せずに、ウエハ裏面の全面を平滑に研削する場合であっても適用できる。 Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described more specifically with reference to the drawings, including the best mode. In the following, the present invention will be described based on an example of manufacturing a semiconductor device including a step of forming a semiconductor wafer having an annular protrusion. However, the method of the present invention does not form an annular protrusion, and the entire surface of the back surface of the wafer. It can be applied even when grinding smoothly.

本発明の半導体装置の製造方法は、図１に示すように、表面に回路１３が形成された半導体ウエハ１０の回路面に、第１の粘着テープ２０（以下「表面保護テープ」ともいう）の粘着剤層２１を貼付する。次いで、図２に示すように、ウエハの裏面内周部１６を所定の厚みまで研削する。次いで、図３に示すように、表面保護テープ２０の基材２２に、第２の粘着テープ３０（以下「カバーテープ」ともいう）の粘着剤層３１を貼付する。表面保護テープ２０上にさらにカバーテープ３０を貼付することで、表面保護テープ２０の基材面に付着した研削屑は、カバーテープ３０により固定される。次いで、カバーテープ３０が貼付された状態で、ウエハの裏面（研削面）をケミカルエッチングする。機械研削により発生した研削屑は、カバーテープにより移動できないよう固定されているため、ケミカルエッチング中に、ウエハのエッチング面やエッチング装置が研削屑により破損や汚染されることなく、環状凸部を有する半導体ウエハが製造される。その後、図４に示すように、カバーテープ３０を剥離し、また表面保護テープ２０を剥離する。なお、カバーテープ３０と表面保護テープ２０の剥離は同時に行っても良く、逐次的に行っても良い。得られたウエハ１０のダイシング、ダイボンド、樹脂封止等の工程を経て半導体装置が製造される。図５は表面に回路１３が形成され、裏面外周部に環状凸部１７を有する半導体ウエハ１０の回路面側の平面図、図６は環状凸部１７が形成されたウエハ１０の裏面側からの斜視図、図７は図６の断面図を示す。 As shown in FIG. 1, the method for manufacturing a semiconductor device of the present invention has a first adhesive tape 20 (hereinafter also referred to as “surface protective tape”) on the circuit surface of a semiconductor wafer 10 having a circuit 13 formed on the surface. Adhesive layer 21 is affixed. Next, as shown in FIG. 2, the back surface inner peripheral portion 16 of the wafer is ground to a predetermined thickness. Next, as shown in FIG. 3, an adhesive layer 31 of a second adhesive tape 30 (hereinafter also referred to as “cover tape”) is affixed to the base material 22 of the surface protection tape 20. By further affixing the cover tape 30 on the surface protection tape 20, the grinding dust attached to the base material surface of the surface protection tape 20 is fixed by the cover tape 30. Next, with the cover tape 30 attached, the back surface (grind surface) of the wafer is chemically etched. Since the grinding waste generated by mechanical grinding is fixed so that it cannot be moved by the cover tape, the etching surface of the wafer and the etching apparatus are not damaged or contaminated by the grinding waste during chemical etching, and have an annular projection. A semiconductor wafer is manufactured. Then, as shown in FIG. 4, the cover tape 30 is peeled off and the surface protection tape 20 is peeled off. The cover tape 30 and the surface protection tape 20 may be peeled off simultaneously or sequentially. A semiconductor device is manufactured through processes such as dicing, die bonding, and resin sealing of the obtained wafer 10. FIG. 5 is a plan view of the circuit surface side of the semiconductor wafer 10 having the circuit 13 formed on the front surface and the annular protrusion 17 on the outer periphery of the back surface. FIG. 6 is a plan view from the back surface side of the wafer 10 having the annular protrusion 17 formed. FIG. 7 shows a cross-sectional view of FIG.

半導体ウエハ１０はシリコンウエハであってもよく、またガリウム・砒素などの化合物半導体ウエハであってもよい。ウエハ表面への回路１３の形成はエッチング法、リフトオフ法などの従来より汎用されている方法を含む様々な方法により行うことができる。半導体ウエハの回路形成工程において、所定の回路１３が形成される。回路１３は、ウエハ１０の内周部１４表面に格子状に形成され、外周端から数ｍｍの範囲には回路が存在しない余剰部分１５が残存する。ウエハ１０の研削前の厚みは特に限定はされないが、通常は５００〜１０００μｍ程度である。 The semiconductor wafer 10 may be a silicon wafer or a compound semiconductor wafer such as gallium / arsenic. The formation of the circuit 13 on the wafer surface can be performed by various methods including conventionally used methods such as an etching method and a lift-off method. In the circuit forming process of the semiconductor wafer, a predetermined circuit 13 is formed. The circuit 13 is formed in a lattice shape on the surface of the inner peripheral portion 14 of the wafer 10, and a surplus portion 15 in which no circuit is present remains in a range of several mm from the outer peripheral end. The thickness of the wafer 10 before grinding is not particularly limited, but is usually about 500 to 1000 μm.

裏面研削時には、表面の回路１３を保護するために回路面に表面保護テープ２０を貼付する。裏面研削は、ウエハ１０の回路面側（すなわち表面保護テープ側）をチャックテーブル等により固定し、回路１３が形成されていない裏面側をグラインダーにより研削する。裏面研削時には、まず裏面全面を所定の厚みまで研削した後に、表面の回路形成部分（内周部１４）に対応する裏面内周部１６のみを研削し、回路１３が形成されていない余剰部分１５に対応する裏面領域は研削せずに残存させる。この結果、研削後の半導体ウエハ１０は、裏面内周部１６のみがさらに薄く研削され、外周部分には環状の凸部１７が残存する。このような裏面研削は、たとえば前記した特許文献１，２に記載された公知の手法により行うことができる。 At the time of back grinding, a surface protection tape 20 is attached to the circuit surface in order to protect the circuit 13 on the surface. In the back surface grinding, the circuit surface side (that is, the surface protection tape side) of the wafer 10 is fixed by a chuck table or the like, and the back surface side where the circuit 13 is not formed is ground by a grinder. At the time of back surface grinding, first, the entire back surface is ground to a predetermined thickness, and then only the back surface inner peripheral portion 16 corresponding to the circuit forming portion (inner peripheral portion 14) on the front surface is ground, and the surplus portion 15 where the circuit 13 is not formed. The back surface area corresponding to is left without being ground. As a result, in the semiconductor wafer 10 after grinding, only the back inner peripheral portion 16 is further thinly ground, and the annular convex portion 17 remains on the outer peripheral portion. Such back grinding can be performed by, for example, a known technique described in Patent Documents 1 and 2 described above.

環状凸部１７の全厚Ｔ１（図７参照）は特に限定はされず、ウエハに必要な剛性を与え、またハンドリング性を損なわない程度であればよく、一般的には２００〜７２５μｍ程度である。環状凸部の幅は、余剰部分１５の幅程度であり、一般的には２〜８ｍｍ程度である。また、内周部１６の厚みＴ２はデバイスの設計に依存し、通常は２５〜２００μｍ程度である。 The total thickness T1 (see FIG. 7) of the annular convex portion 17 is not particularly limited as long as it provides the wafer with the necessary rigidity and does not impair the handling properties, and is generally about 200 to 725 μm. . The width of the annular convex portion is about the width of the surplus portion 15 and is generally about 2 to 8 mm. The thickness T2 of the inner peripheral portion 16 depends on the device design, and is usually about 25 to 200 μm.

上記のようにウエハ１０の裏面を機械的に研削すると、裏面研削工程により発生したウエハ１０の研削屑が、表面保護テープ２０の基材２２に付着することがある。本発明では、表面保護テープ２０上にさらにカバーテープ３０を貼付し、研削屑を固定する。この際、半導体ウエハの裏面には破砕層が形成され、ウエハの強度は低下しているが、ウエハは表面保護テープ２０により補強されているため、カバーテープ３０を貼付する際にウエハに力が加えられても、ウエハが破損することはない。 When the back surface of the wafer 10 is mechanically ground as described above, grinding waste of the wafer 10 generated by the back surface grinding process may adhere to the base material 22 of the surface protection tape 20 in some cases. In this invention, the cover tape 30 is further stuck on the surface protection tape 20, and the grinding | polishing waste is fixed. At this time, a crush layer is formed on the back surface of the semiconductor wafer, and the strength of the wafer is reduced. However, since the wafer is reinforced by the surface protection tape 20, a force is applied to the wafer when the cover tape 30 is applied. Even if added, the wafer is not damaged.

カバーテープ３０の貼付後、ウエハの裏面（研削面）にケミカルエッチングを施す。ウエハ１０の表面には表面保護テープ２０およびカバーテープ３０が貼付されているため、ケミカルエッチング工程へ安定して搬送することができ、ケミカルエッチングを施す際にウエハ表面を保護することができる。また、ウエハの裏面にケミカルエッチングを施すことにより、裏面の研削の際に生じた破砕層（マイクロクラック）を取り除くことができる。そのため、ウエハ１０の強度は向上する。その後、ケミカルエッチングを施されたウエハ１０から、表面保護テープ２０およびカバーテープ３０を剥離する。ウエハ１０は、破砕層が取り除かれているため比較的高い強度を有し、表面保護テープおよびカバーテープ剥離時の応力により割れることはない。したがって、上記製法によれば、環状凸部１７を有し、強度が向上した半導体ウエハ１０を簡便に得ることができる。その後、半導体ウエハ１０をダイシングしてチップを得て、チップのダイボンド、樹脂封止等の工程を経て半導体装置が製造される。 After applying the cover tape 30, chemical etching is performed on the back surface (grind surface) of the wafer. Since the surface protective tape 20 and the cover tape 30 are affixed to the surface of the wafer 10, it can be stably conveyed to the chemical etching step, and the wafer surface can be protected when chemical etching is performed. Further, by performing chemical etching on the back surface of the wafer, a crushed layer (micro crack) generated during grinding of the back surface can be removed. Therefore, the strength of the wafer 10 is improved. Thereafter, the surface protection tape 20 and the cover tape 30 are peeled from the chemically etched wafer 10. Since the fractured layer is removed, the wafer 10 has a relatively high strength and is not broken by stress when the surface protection tape and the cover tape are peeled off. Therefore, according to the above manufacturing method, it is possible to easily obtain the semiconductor wafer 10 having the annular protrusion 17 and having improved strength. Thereafter, the semiconductor wafer 10 is diced to obtain a chip, and a semiconductor device is manufactured through processes such as die bonding of the chip and resin sealing.

表面保護テープ２０は、基材２２と、その片面に形成された粘着剤層２１とからなる。基材２２は特に限定はされず、その材質は、例えば、低密度ポリエチレン（ＬＤＰＥ）フィルム、直鎖低密度ポリエチレン（ＬＬＤＰＥ）フィルム、高密度ポリエチレン（ＨＤＰＥ）フィルム等のポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリブテンフィルム、ポリブタジエンフィルム、ポリメチルペンテンフィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリブチレンテレフタレートフィルム、ポリウレタンフィルム、エチレン酢酸ビニル共重合体フィルム、アイオノマー樹脂フィルム、エチレン・（メタ）アクリル酸共重合体フィルム、エチレン・（メタ）アクリル酸エステル共重合体フィルム、ポリスチレンフィルム、ポリカーボネートフィルム、フッ素樹脂フィルム、およびその水添加物または変性物等からなるフィルムが用いられる。またこれらの架橋フィルムも用いられる。上記の基材は１種単独でもよいし、さらにこれらを２種類以上組み合わせた複合フィルムであってもよい。 The surface protection tape 20 includes a base material 22 and an adhesive layer 21 formed on one surface thereof. The substrate 22 is not particularly limited, and examples of the material thereof include polyethylene films such as a low density polyethylene (LDPE) film, a linear low density polyethylene (LLDPE) film, and a high density polyethylene (HDPE) film, a polypropylene film, and a polybutene. Film, polybutadiene film, polymethylpentene film, polyethylene terephthalate film, polybutylene terephthalate film, polyurethane film, ethylene vinyl acetate copolymer film, ionomer resin film, ethylene / (meth) acrylic acid copolymer film, ethylene / (meta ) A film comprising an acrylic ester copolymer film, a polystyrene film, a polycarbonate film, a fluororesin film, and a water additive or a modified product thereof. Used. These crosslinked films are also used. The above-mentioned base material may be one kind alone, or may be a composite film in which two or more kinds are combined.

また、基材２２としては、引裂強度の高いフィルムを使用することが好ましい。ウエハ裏面にケミカルエッチングを施すと、エッチング液が表面保護テープ２０の外周に露出した粘着剤層も腐食し、腐食された粘着剤層がウエハ表面に固着することがある。粘着剤層がウエハ表面に固着すると、ウエハ表面から表面保護テープ２０を剥離する際に、粘着剤層の固着部を起点として、表面保護テープ２０が裂け、基材および粘着剤の一部がウエハ表面に残留することがある。表面保護テープ２０の剥離を確実に行うため、基材２２は引裂強度の高いフィルムであることが好ましい。 Moreover, as the base material 22, it is preferable to use a film having high tear strength. When chemical etching is performed on the back surface of the wafer, the etchant may also corrode the adhesive layer exposed on the outer periphery of the surface protection tape 20, and the corroded adhesive layer may adhere to the wafer surface. When the pressure-sensitive adhesive layer is fixed to the wafer surface, when the surface protective tape 20 is peeled off from the wafer surface, the surface protective tape 20 is torn starting from the fixing portion of the pressure-sensitive adhesive layer, and a part of the base material and the pressure-sensitive adhesive is the wafer. May remain on the surface. In order to surely peel off the surface protection tape 20, the base material 22 is preferably a film having high tear strength.

また、後述するように、粘着剤層２１を紫外線硬化型粘着剤で形成し、粘着剤を硬化するために照射するエネルギー線として紫外線を用いる場合には、紫外線に対して透明である基材が好ましい。なお、エネルギー線として電子線を用いる場合には透明である必要はない。上記フィルムの他、これらを着色した透明フィルム、不透明フィルム等を用いることができる。 Further, as will be described later, when the pressure-sensitive adhesive layer 21 is formed of an ultraviolet curable pressure-sensitive adhesive and ultraviolet rays are used as energy rays to be irradiated to cure the pressure-sensitive adhesive, a substrate transparent to the ultraviolet rays is used. preferable. In addition, when using an electron beam as an energy beam, it does not need to be transparent. In addition to the above film, a transparent film or an opaque film colored with these can be used.

また、基材２２の上面、すなわち粘着剤層２１が設けられる側の基材表面には粘着剤との密着性を向上するために、コロナ処理を施したり、プライマー層を設けてもよい。また、粘着剤層２１とは反対面に、研削屑の付着を低減するため、各種の塗膜を塗工してもよく、剥離処理を施してもよい。表面保護テープ２０は、上記のような基材２２上に粘着剤層２１を設けることで製造される。 Moreover, in order to improve adhesiveness with an adhesive, the upper surface of the base material 22, ie, the base material surface on the side where the adhesive layer 21 is provided, may be subjected to corona treatment or a primer layer. Moreover, in order to reduce adhesion of grinding scraps to the surface opposite to the pressure-sensitive adhesive layer 21, various coating films may be applied or a peeling treatment may be performed. The surface protection tape 20 is manufactured by providing the adhesive layer 21 on the base material 22 as described above.

粘着剤層２１は、ウエハの裏面研削の際に発生する横方向の剪断力に対してウエハ１０を保持できる保持力と再剥離性とを有することが好ましい。ウエハの裏面研削の際には、ウエハ１０には横方向の剪断力が負荷される。したがって、粘着剤層２１の保持力が不十分であると、剪断力によりウエハ１０が横方向に移動し、位置ズレが起こることがある。粘着剤層２１は、適度な保持力を有することで、ウエハ１０の表面保護テープ２０に対する位置ズレを防ぐことができる。また、粘着剤層２１が再剥離性であることで、ウエハの裏面にケミカルエッチングを施した後、表面保護テープ２０をウエハ１０から容易に剥離できる。また、粘着剤層２１の外周に露出した部分は、エッチング液により腐食されることがあるため、エッチング耐性を有することが好ましい。 The pressure-sensitive adhesive layer 21 preferably has a holding force capable of holding the wafer 10 and a removability with respect to a shearing force generated in the lateral direction during the back surface grinding of the wafer. When grinding the back surface of the wafer, a lateral shearing force is applied to the wafer 10. Therefore, if the holding force of the pressure-sensitive adhesive layer 21 is insufficient, the wafer 10 may move in the lateral direction due to the shearing force, and positional displacement may occur. The pressure-sensitive adhesive layer 21 can prevent positional displacement of the wafer 10 with respect to the surface protection tape 20 by having an appropriate holding force. Further, since the pressure-sensitive adhesive layer 21 is removable, the surface protection tape 20 can be easily peeled from the wafer 10 after chemical etching is performed on the back surface of the wafer. Moreover, since the part exposed to the outer periphery of the adhesive layer 21 may be corroded by etching liquid, it is preferable to have etching tolerance.

粘着剤層２１は、上記性能を満たす種々の粘着剤により形成され得る。このような粘着剤としては、何ら限定されるものではないが、例えば、ゴム系、アクリル系、シリコーン系、ポリビニルエーテル等の粘着剤が用いられる。また、エネルギー線硬化型や加熱発泡型、水膨潤型の粘着剤も用いることができる。エネルギー線硬化（紫外線硬化、電子線硬化等）型粘着剤としては、特に紫外線硬化型粘着剤を用いることが好ましい。なお、粘着剤層２１には、その使用前に粘着剤層を保護するために剥離シートが積層されていてもよい。 The pressure-sensitive adhesive layer 21 can be formed of various pressure-sensitive adhesives that satisfy the above performance. Such an adhesive is not limited at all, but, for example, an adhesive such as rubber-based, acrylic-based, silicone-based, or polyvinyl ether is used. In addition, an energy ray curable adhesive, a heat-foaming adhesive, or a water swelling adhesive can be used. As the energy ray curable (UV curable, electron beam curable, etc.) type adhesive, it is particularly preferable to use an ultraviolet curable adhesive. In addition, in order to protect an adhesive layer before the use, the peeling sheet may be laminated | stacked on the adhesive layer 21. FIG.

剥離シートは、特に限定されるものではなく、例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポリプロピレン、ポリエチレン等の樹脂からなるフィルムまたはそれらの発泡フィルムや、グラシン紙、コート紙、ラミネート紙等の紙に、シリコーン系、フッ素系、長鎖アルキル基含有カルバメート等の剥離剤で剥離処理したものを使用することができる。 The release sheet is not particularly limited. For example, a film made of a resin such as polyethylene terephthalate, polypropylene, or polyethylene or a foamed film thereof, paper such as glassine paper, coated paper, laminated paper, silicone-based, fluorine A system and a release agent such as a long chain alkyl group-containing carbamate can be used.

基材２２の表面に粘着剤層２１を設ける方法は、剥離シート上に所定の膜厚になるように塗布し形成した粘着剤層２１を基材２２の表面に転写しても構わないし、基材２２の表面に直接塗布して粘着剤層２１を形成しても構わない。 The method of providing the pressure-sensitive adhesive layer 21 on the surface of the base material 22 may transfer the pressure-sensitive adhesive layer 21 formed on the release sheet so as to have a predetermined film thickness to the surface of the base material 22. The pressure-sensitive adhesive layer 21 may be formed by directly applying to the surface of the material 22.

表面保護テープ２０における粘着剤層２１および基材２２の厚さは特に限定はされないが、一般的に粘着剤層２１の厚さは５〜２００μｍ程度であり、好ましくは１０〜１２０μｍである。基材２２の厚さは５〜３００μｍ程度であり、好ましくは５０〜２００μｍである。 The thickness of the pressure-sensitive adhesive layer 21 and the base material 22 in the surface protection tape 20 is not particularly limited, but generally the thickness of the pressure-sensitive adhesive layer 21 is about 5 to 200 μm, preferably 10 to 120 μm. The thickness of the base material 22 is about 5-300 micrometers, Preferably it is 50-200 micrometers.

また、表面保護テープ２０は、フィルム自体が粘着性を有する自己粘着性フィルムであってもよい。自己粘着性フィルムは、ウエハの裏面研削の際に発生する横方向の剪断力に対してウエハを保持できる保持力と再剥離性とを有することが好ましい。 Further, the surface protection tape 20 may be a self-adhesive film in which the film itself has adhesiveness. The self-adhesive film preferably has a holding force capable of holding the wafer and a removability with respect to a lateral shearing force generated during backside grinding of the wafer.

カバーテープ３０は、基材３２と、その片面に形成された粘着剤層３１とからなる。基材３２は、エッチング耐性を有し、引裂強度の高いフィルムが好ましい。ウエハ裏面にケミカルエッチングを施すと、カバーテープ３０の基材３２側にもエッチング液が回り込むことがある。エッチング液が基材３２側に回り込むと、基材３２がエッチング液により腐食され、ウエハの保持機能が損なわれ、またカバーテープにより固定されていた研削屑が再度露出し、ウエハのエッチング面を傷つけたり、エッチング装置を破損または汚染することがある。したがって、研削屑を確実に固定するため、基材３２はエッチング耐性を有することが好ましい。また、エッチング液はカバーテープ３０の外周に露出した粘着剤層も腐食し、腐食された粘着剤層が表面保護テープ２０の基材表面に固着することがある。粘着剤層が表面保護テープ２０の基材表面に固着すると、表面保護テープ２０からカバーテープ３０を剥離する際に、粘着剤層の固着部を起点として、カバーテープ３０が裂け、カバーテープを剥離できないことがある。カバーテープ３０の剥離を確実に行うため、基材３２は引裂強度の高いフィルムであることが好ましい。ただし、カバーテープ３０を表面保護テープと一体化した状態で剥離する場合には、カバーテープの引裂強度は低くてもよい。また、カバーテープ３０は、表面保護テープの背面に付着した研削屑を固定するために貼付されるが、研削屑によりカバーテープの背面に凹凸が発生することがある。カバーテープの背面に凹凸が発生すると、ケミカルエッチング時にウエハが平坦に保持されず、エッチングが不均一になることがある。したがって、カバーテープ３０の基材３２は、研削屑による凹凸を吸収できる程度に軟質あるいは応力緩和性のフィルムを使用することが好ましい。 The cover tape 30 includes a base material 32 and an adhesive layer 31 formed on one surface thereof. The substrate 32 is preferably a film having etching resistance and high tear strength. When chemical etching is performed on the back surface of the wafer, the etchant may also flow into the base material 32 side of the cover tape 30. When the etching solution wraps around the substrate 32 side, the substrate 32 is corroded by the etching solution, the wafer holding function is impaired, and the grinding debris fixed by the cover tape is exposed again, thereby damaging the etched surface of the wafer. Or the etching apparatus may be damaged or contaminated. Therefore, it is preferable that the base material 32 has etching resistance in order to securely fix the grinding scraps. Further, the etching solution also corrodes the pressure-sensitive adhesive layer exposed on the outer periphery of the cover tape 30, and the corroded pressure-sensitive adhesive layer may adhere to the substrate surface of the surface protection tape 20. When the pressure-sensitive adhesive layer adheres to the surface of the base material of the surface protection tape 20, when the cover tape 30 is peeled off from the surface protection tape 20, the cover tape 30 tears and peels off the cover tape starting from the fixing portion of the pressure-sensitive adhesive layer. There are things that cannot be done. In order to surely remove the cover tape 30, the base material 32 is preferably a film having a high tear strength. However, when the cover tape 30 is peeled off in an integrated state with the surface protection tape, the tear strength of the cover tape may be low. Moreover, although the cover tape 30 is affixed in order to fix the grinding dust adhering to the back surface of the surface protection tape, irregularities may occur on the back surface of the cover tape due to the grinding dust. If unevenness occurs on the back surface of the cover tape, the wafer may not be held flat during chemical etching, and etching may be uneven. Therefore, it is preferable to use a soft or stress-relaxing film as the base material 32 of the cover tape 30 to such an extent that irregularities due to grinding scraps can be absorbed.

カバーテープ３０に用いられる基材３２の材質は、特に限定はされないが、例えば、低密度ポリエチレン（ＬＤＰＥ）フィルム、直鎖低密度ポリエチレン（ＬＬＤＰＥ）フィルム、高密度ポリエチレン（ＨＤＰＥ）フィルム等のポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリブテンフィルム、ポリブタジエンフィルム、ポリメチルペンテンフィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリブチレンテレフタレートフィルム、ポリウレタンフィルム、エチレン酢酸ビニル共重合体フィルム、アイオノマー樹脂フィルム、エチレン・（メタ）アクリル酸共重合体フィルム、エチレン・（メタ）アクリル酸エステル共重合体フィルム、ポリスチレンフィルム、ポリカーボネートフィルム、フッ素樹脂フィルム、およびその水添加物または変性物等からなるフィルムが用いられる。またこれらの架橋フィルムも用いられる。上記の基材は１種単独でもよいし、さらにこれらを２種類以上組み合わせた複合フィルムであってもよい。 Although the material of the base material 32 used for the cover tape 30 is not specifically limited, For example, polyethylene films, such as a low density polyethylene (LDPE) film, a linear low density polyethylene (LLDPE) film, a high density polyethylene (HDPE) film, etc. , Polypropylene film, polybutene film, polybutadiene film, polymethylpentene film, polyethylene terephthalate film, polybutylene terephthalate film, polyurethane film, ethylene vinyl acetate copolymer film, ionomer resin film, ethylene / (meth) acrylic acid copolymer film , Ethylene / (meth) acrylic acid ester copolymer film, polystyrene film, polycarbonate film, fluororesin film, and its water additives The film is used comprising a modified product or the like. These crosslinked films are also used. The above-mentioned base material may be one kind alone, or may be a composite film in which two or more kinds are combined.

また、後述するように、粘着剤層３１を紫外線硬化型粘着剤で形成し、粘着剤を硬化するために照射するエネルギー線として紫外線を用いる場合には、紫外線に対して透明である基材が好ましい。なお、エネルギー線として電子線を用いる場合には透明である必要はない。上記フィルムの他、これらを着色した透明フィルム、不透明フィルム等を用いることができる。 Further, as will be described later, when the pressure-sensitive adhesive layer 31 is formed of an ultraviolet curable pressure-sensitive adhesive and ultraviolet rays are used as energy rays to be irradiated to cure the pressure-sensitive adhesive, a substrate that is transparent to the ultraviolet rays is used. preferable. In addition, when using an electron beam as an energy beam, it does not need to be transparent. In addition to the above film, a transparent film or an opaque film colored with these can be used.

また、基材３２の上面、すなわち粘着剤層３１が設けられる側の基材表面には粘着剤との密着性を向上するために、コロナ処理を施したり、プライマー層を設けてもよい。また、粘着剤層３１とは反対面に各種の塗膜を塗工してもよい。カバーテープ３０は、上記のような基材３２上に粘着剤層３１を設けることで製造される。 Moreover, in order to improve adhesiveness with an adhesive, the upper surface of the base material 32, ie, the base material surface on the side where the adhesive layer 31 is provided, may be subjected to corona treatment or a primer layer. Various coatings may be applied to the surface opposite to the pressure-sensitive adhesive layer 31. The cover tape 30 is manufactured by providing the adhesive layer 31 on the base material 32 as described above.

粘着剤層３１は、ケミカルエッチング中にカバーテープ３０を表面保護テープ２０の基材面に確実に保持できる程度の粘着力があれば特に限定はされない。したがって、粘着剤層は、強粘着性であっても、弱粘着性であってもよく、従来より公知の種々の粘着剤により形成され得る。たとえば、カバーテープ３０を表面保護テープ２０と一体化した状態で剥離する場合には、粘着剤層３１は強粘着剤により形成される。また、図４に示したように、カバーテープ３０を剥離し、その後、表面保護テープ２０を剥離する場合には、粘着剤層３１は再剥離性の粘着剤により形成される。 The pressure-sensitive adhesive layer 31 is not particularly limited as long as the pressure-sensitive adhesive layer 31 has an adhesive force that can reliably hold the cover tape 30 on the base material surface of the surface protection tape 20 during chemical etching. Therefore, the pressure-sensitive adhesive layer may be strong or weakly adhesive, and can be formed of various conventionally known pressure-sensitive adhesives. For example, when the cover tape 30 is peeled off in an integrated state with the surface protection tape 20, the pressure-sensitive adhesive layer 31 is formed of a strong pressure-sensitive adhesive. As shown in FIG. 4, when the cover tape 30 is peeled off and then the surface protection tape 20 is peeled off, the pressure-sensitive adhesive layer 31 is formed of a removable pressure-sensitive adhesive.

このような粘着剤としては、何ら限定されるものではないが、例えば、ゴム系、アクリル系、シリコーン系、ポリビニルエーテル等の粘着剤が用いられる。また、エネルギー線硬化型や加熱発泡型、水膨潤型の粘着剤も用いることができる。エネルギー線硬化（紫外線硬化、電子線硬化等）型粘着剤としては、特に紫外線硬化型粘着剤を用いることが好ましい。粘着剤に密着性を付与するために、タッキファイヤー等を含有していてもよい。なお、粘着剤層３１には、その使用前に粘着剤層を保護するために剥離シートが積層されていてもよい。 Such an adhesive is not limited at all, but, for example, an adhesive such as rubber-based, acrylic-based, silicone-based, or polyvinyl ether is used. In addition, an energy ray curable adhesive, a heat-foaming adhesive, or a water swelling adhesive can be used. As the energy ray curable (UV curable, electron beam curable, etc.) type adhesive, it is particularly preferable to use an ultraviolet curable adhesive. In order to impart adhesiveness to the pressure-sensitive adhesive, a tackifier or the like may be contained. Note that a release sheet may be laminated on the pressure-sensitive adhesive layer 31 in order to protect the pressure-sensitive adhesive layer before use.

基材３２の表面に粘着剤層３１を設ける方法は、剥離シート上に所定の膜厚になるように塗布し形成した粘着剤層３１を基材３２の表面に転写しても構わないし、基材３２の表面に直接塗布して粘着剤層３１を形成しても構わない。 The method of providing the pressure-sensitive adhesive layer 31 on the surface of the base material 32 may transfer the pressure-sensitive adhesive layer 31 formed on the release sheet so as to have a predetermined film thickness to the surface of the base material 32. The pressure-sensitive adhesive layer 31 may be formed by directly applying to the surface of the material 32.

カバーテープ３０における粘着剤層３１および基材３２の厚さは特に限定はされないが、研削屑に起因する凹凸を吸収できる程度の厚みを有することが好ましく、一般的に粘着剤層３１の厚さは５〜２００μｍ程度であり、好ましくは５〜１００μｍである。基材３２の厚さは５〜２００μｍ程度であり、好ましくは２５〜１５０μｍである。 The thickness of the pressure-sensitive adhesive layer 31 and the base material 32 in the cover tape 30 is not particularly limited, but preferably has a thickness that can absorb unevenness caused by grinding scraps. Is about 5 to 200 μm, preferably 5 to 100 μm. The thickness of the base material 32 is about 5-200 micrometers, Preferably it is 25-150 micrometers.

また、カバーテープ３０は、フィルム自体が粘着性を有する自己粘着性フィルムであってもよい。自己粘着性フィルムは、ケミカルエッチングの際に腐食されない程度のエッチング耐性を有することが好ましい。 Further, the cover tape 30 may be a self-adhesive film in which the film itself has adhesiveness. The self-adhesive film preferably has an etching resistance that does not corrode during chemical etching.

以上、本発明について、環状凸部を有する半導体ウエハを作成する工程を含む半導体装置の製造例に基づいて説明したが、本発明の方法は、環状凸部を形成せずに、ウエハ裏面の全面を平滑に研削する場合であっても同様に適用できる。機械的研削時に生じた研削屑が表面保護テープの背面に付着し、ウエハおよびエッチング装置の破損や汚染を引き起こす問題は、ウエハ裏面の全面を平滑に研削する場合であっても同様に発生する。上記した本発明の製法によれば、かかる問題を解消することができる。 As described above, the present invention has been described based on the manufacturing example of the semiconductor device including the step of forming the semiconductor wafer having the annular convex portion. However, the method of the present invention does not form the annular convex portion, and the entire surface of the back surface of the wafer. The same applies to the case of smooth grinding. The problem that grinding scrap generated during mechanical grinding adheres to the back surface of the surface protection tape and causes damage and contamination of the wafer and the etching apparatus occurs even when the entire back surface of the wafer is ground smoothly. According to the manufacturing method of the present invention described above, this problem can be solved.

以下、本発明を実施例により説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。なお、以下の実施例および比較例におけるカバーテープによる汚染防止評価、表面保護テープの剥離性評価は以下のように評価した。 EXAMPLES Hereinafter, although an Example demonstrates this invention, this invention is not limited to these Examples. In addition, the pollution prevention evaluation by the cover tape and the peelability evaluation of the surface protection tape in the following examples and comparative examples were evaluated as follows.

（カバーテープによる汚染防止評価）
ウエハの裏面研削後、表面保護テープにカバーテープを貼付した。長さ２５ｃｍ×幅２５ｃｍ×深さ１０ｃｍのガラス製容器にカバーテープ側が上になるようにウエハを置き、深さ５ｃｍまで水を入れ、スターラー（回転数１００ｒｐｍ）で撹拌した。１時間後、ウエハを浸漬していた水をフィルター（孔径０．５μｍ）でろ過した。ろ過後のフィルターを、キーエンス製デジタルマイクロスコープＶＨＸ−２００を用いて観察（倍率：２００倍）し、シリコン屑（研削屑）が確認された場合を「不良」とした。
（表面保護テープの剥離性評価）
表面保護テープをウエハから剥離した後に、ウエハを観察し、ウエハ割れが確認された場合を「不良」とした。なお、表面保護テープは、カバーテープを剥離した後にウエハから剥離した。 (Evaluation of contamination prevention with cover tape)
After grinding the back surface of the wafer, a cover tape was applied to the surface protective tape. The wafer was placed in a glass container having a length of 25 cm, a width of 25 cm, and a depth of 10 cm so that the cover tape side was up, water was poured to a depth of 5 cm, and the mixture was stirred with a stirrer (rotation speed: 100 rpm). After 1 hour, the water in which the wafer was immersed was filtered with a filter (pore size: 0.5 μm). The filter after filtration was observed (magnification: 200 times) using a KEYENCE digital microscope VHX-200, and a case where silicon scrap (grinding scrap) was confirmed was defined as “bad”.
(Evaluation of peelability of surface protection tape)
After the surface protective tape was peeled from the wafer, the wafer was observed, and the case where the wafer was confirmed to be broken was regarded as “defective”. The surface protective tape was peeled from the wafer after the cover tape was peeled off.

＜実施例１＞
（カバーテープの作製）
２−エチルヘキシルアクリレート６０重量部、酢酸ビニル３０重量部、２−ヒドロキシエチルアクリレート１０重量部を用いて酢酸エチル溶媒中で溶液重合し、重量平均分子量５００，０００、ガラス転移温度−４２℃のアクリル系共重合体の酢酸エチル溶液（３０％溶液）を得た。 <Example 1>
(Preparation of cover tape)
Solution polymerization in ethyl acetate solvent using 60 parts by weight of 2-ethylhexyl acrylate, 30 parts by weight of vinyl acetate, and 10 parts by weight of 2-hydroxyethyl acrylate, an acrylic system having a weight average molecular weight of 500,000 and a glass transition temperature of -42 ° C. An ethyl acetate solution (30% solution) of the copolymer was obtained.

このアクリル系共重合体１００重量部に対し、架橋剤として２．５重量部（固形比）の多価イソシアナート化合物ＣＬ（コロネートＬ（日本ポリウレタン社製））を混合して、アクリル系粘着剤を得た。 To 100 parts by weight of this acrylic copolymer, 2.5 parts by weight (solid ratio) of a polyvalent isocyanate compound CL (Coronate L (manufactured by Nippon Polyurethane Co., Ltd.)) is mixed as a crosslinking agent to prepare an acrylic pressure-sensitive adhesive. Got.

このアクリル系粘着剤をロールナイフコーターを用いて、乾燥後の厚みが２０μｍとなるように、シリコーン剥離処理をしたポリエチレンテレフタレートフィルム（厚さ３８μｍ）の剥離処理面に塗布、乾燥（１００℃、１分間）し粘着剤層とした後、基材として、厚さ１１０μｍのポリエチレンフィルムを用い、粘着剤層を基材に貼り合わせて転写し、剥離処理をしたポリエチレンテレフタレートフィルムを剥がして、カバーテープを得た。 This acrylic pressure-sensitive adhesive was applied to a release-treated surface of a polyethylene terephthalate film (thickness: 38 μm) subjected to silicone release treatment using a roll knife coater so that the thickness after drying was 20 μm, and dried (100 ° C., 1 Minutes) to form a pressure-sensitive adhesive layer, using a 110 μm-thick polyethylene film as the base material, transferring the pressure-sensitive adhesive layer to the base material, transferring it, peeling off the peeled polyethylene terephthalate film, and Obtained.

（表面保護テープの作製）
アクリル酸ブチル７０重量部、２−ヒドロキシエチルアクリレート３０重量部を用いて酢酸エチル溶媒中で溶液重合し、重量平均分子量５００，０００、ガラス転移温度−４４℃のアクリル系共重合体を生成した。このアクリル系共重合体の固形分１００重量部と、紫外線により反応する不飽和基含有化合物としてメタクリロイルオキシエチルイソシアナート８重量部とを反応させ、紫外線硬化型アクリル系共重合体の酢酸エチル溶液（３０％溶液）を得た。 (Production of surface protection tape)
Solution polymerization was performed in an ethyl acetate solvent using 70 parts by weight of butyl acrylate and 30 parts by weight of 2-hydroxyethyl acrylate to produce an acrylic copolymer having a weight average molecular weight of 500,000 and a glass transition temperature of -44 ° C. 100 parts by weight of the solid content of the acrylic copolymer is reacted with 8 parts by weight of methacryloyloxyethyl isocyanate as an unsaturated group-containing compound that reacts with ultraviolet rays to give an ethyl acetate solution of an ultraviolet curable acrylic copolymer ( 30% solution) was obtained.

この紫外線硬化型アクリル系共重合体１００重量部に対し、架橋剤として０．６２５重量部（固形比）の多価イソシアナート化合物ＣＬ（コロネートＬ（日本ポリウレタン社製））と、光重合開始剤（イルガキュア１８４（チバ・スペシャリティケミカルズ社製））３．３重量部（固形比）を混合して、紫外線硬化型アクリル系粘着剤を得た。 For 100 parts by weight of the ultraviolet curable acrylic copolymer, 0.625 parts by weight (solid ratio) of a polyvalent isocyanate compound CL (Coronate L (manufactured by Nippon Polyurethane)) as a crosslinking agent, and a photopolymerization initiator (Irgacure 184 (manufactured by Ciba Specialty Chemicals)) 3.3 parts by weight (solid ratio) was mixed to obtain an ultraviolet curable acrylic pressure-sensitive adhesive.

この紫外線硬化型アクリル系粘着剤をロールナイフコーターを用いて、乾燥後の厚みが６０μｍとなるように、シリコーン剥離処理をしたポリエチレンテレフタレートフィルム（厚さ３８μｍ）の剥離処理面に塗布、乾燥（１００℃、１分間）し粘着剤層とした後、基材として、厚さ１１０μｍのポリエチレンフィルムを用い、粘着剤層を基材に貼り合わせて転写し、剥離処理をしたポリエチレンテレフタレートフィルムを剥がして、表面保護テープを得た。 This ultraviolet curable acrylic pressure-sensitive adhesive was applied to a release surface of a polyethylene terephthalate film (thickness 38 μm) subjected to silicone release treatment using a roll knife coater so that the thickness after drying was 60 μm and dried (100 1 minute), and a pressure-sensitive adhesive layer was used as a base material, and a polyethylene film having a thickness of 110 μm was used. The pressure-sensitive adhesive layer was bonded to the base material, transferred, and the release-treated polyethylene terephthalate film was peeled off. A surface protective tape was obtained.

上記表面保護テープの粘着剤層を、テープラミネータ（ＲＡＤ−３５１０Ｆ／１２（リンテック社製））を用いて、シリコンウエハ（サイズ：２００ｍｍ、厚み：７２５μｍ）の回路面側に貼付した後、ウエハ裏面研削装置（ＤＡＧ８１０（ディスコ社製））を用いて、下記の形状にウエハの裏面を研削した。 After sticking the adhesive layer of the surface protection tape on the circuit surface side of a silicon wafer (size: 200 mm, thickness: 725 μm) using a tape laminator (RAD-3510F / 12 (manufactured by Lintec Corporation)), the back surface of the wafer The back surface of the wafer was ground into the following shape using a grinding apparatus (DAG810 (manufactured by Disco Corporation)).

（ウエハ形状）
外径：２００ｍｍ
環状凸部の内径：１８７ｍｍ
内周部厚み：５０μｍ
環状凸部厚み：７２５μｍ (Wafer shape)
Outer diameter: 200mm
Inner diameter of annular projection: 187mm
Inner peripheral thickness: 50 μm
Ring convex thickness: 725 μm

ウエハの裏面研削後、表面保護テープにカバーテープを貼付し、ウエハの裏面（研削面）にケミカルエッチングを施し、表面保護テープの粘着剤層に紫外線を照射して粘着力を低下させ、ウエハから表面保護テープおよびカバーテープを剥離した。結果を表１に示す。 After grinding the back surface of the wafer, apply a cover tape to the surface protection tape, apply chemical etching to the back surface (grind surface) of the wafer, and irradiate the adhesive layer of the surface protection tape with ultraviolet light to reduce the adhesive force. The surface protection tape and the cover tape were peeled off. The results are shown in Table 1.

＜比較例１＞
カバーテープを用いなかった以外は実施例１と同様の方法で評価を行った。結果を表１に示す。 <Comparative Example 1>
Evaluation was performed in the same manner as in Example 1 except that the cover tape was not used. The results are shown in Table 1.

実施例においては、ケミカルエッチング時に研削屑によるウエハやエッチング装置の破損はなく、歩留まりよく半導体ウエハを研削できた。一方、比較例では、研削屑によって、ウエハのエッチング面が傷付き、歩留まりが低下した。 In the examples, the wafer and the etching apparatus were not damaged by the grinding dust during chemical etching, and the semiconductor wafer could be ground with a high yield. On the other hand, in the comparative example, the etching surface of the wafer was damaged by the grinding scraps, and the yield decreased.

１０…半導体ウエハ（ウエハ）
１３…回路
１４…回路表面内周部
１５…余剰部分
１６…裏面内周部
１７…環状凸部
１９…境界
２０…表面保護テープ
２１…表面保護テープの粘着剤層
２２…表面保護テープの基材
３０…カバーテープ
３１…カバーテープの粘着剤層
３２…カバーテープの基材 10. Semiconductor wafer (wafer)
DESCRIPTION OF SYMBOLS 13 ... Circuit 14 ... Circuit surface inner peripheral part 15 ... Excess part 16 ... Back surface inner peripheral part 17 ... Ring-shaped convex part 19 ... Boundary 20 ... Surface protection tape 21 ... Adhesive layer of surface protection tape 22 ... Base material of surface protection tape 30 ... Cover tape 31 ... Cover tape adhesive layer 32 ... Cover tape substrate

Claims

表面に回路が形成された半導体ウエハの回路面側に、第１の粘着テープを積層する工程と、
該半導体ウエハの裏面を研削する工程と、
第１の粘着テープ上に第２の粘着テープを積層する工程と、
該半導体ウエハの裏面をケミカルエッチングする工程と、をこの順で有する半導体装置の製造方法。 Laminating a first adhesive tape on the circuit surface side of a semiconductor wafer having a circuit formed on the surface;
Grinding the back surface of the semiconductor wafer;
Laminating a second adhesive tape on the first adhesive tape;
A method of manufacturing a semiconductor device, comprising: chemically etching the back surface of the semiconductor wafer in this order .

表面に回路が形成された半導体ウエハの回路面側に、第１の粘着テープを積層する工程と、
該半導体ウエハの裏面内周部を研削する工程と、
第１の粘着テープ上に第２の粘着テープを積層する工程と、
該半導体ウエハの裏面をケミカルエッチングする工程と、をこの順で有する半導体装置の製造方法。 Laminating a first adhesive tape on the circuit surface side of a semiconductor wafer having a circuit formed on the surface;
Grinding the inner surface of the back surface of the semiconductor wafer;
Laminating a second adhesive tape on the first adhesive tape;
A method of manufacturing a semiconductor device, comprising: chemically etching the back surface of the semiconductor wafer in this order .

前記第１の粘着テープの粘着剤層が紫外線硬化型アクリル系粘着剤により形成される、請求項１または２に記載の半導体装置の製造方法。The manufacturing method of the semiconductor device of Claim 1 or 2 with which the adhesive layer of a said 1st adhesive tape is formed with an ultraviolet curing acrylic adhesive.