JP5398142B2 - 赤外線検出器 - Google Patents

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Description

本発明は、赤外線検出器に関し、より詳細には、受動型赤外線(PIR)検出器に関する。そのような赤外線検出器は、侵入者検出システムおよび火災報知器に用途がある。
本発明の背景として、従来の受動型赤外線(PIR)検出器は、一般に鉛を基材とするセラミック材料、例えばジルコニウム酸チタン酸鉛(PZT)を含む焦電検出器要素を利用する。検出器要素内に使用される鉛を基材とするセラミック材料は処理するのが比較的簡単であり、関連の製造技術が成熟している。数千万ものPIR検出器が、検出器要素当たり約1米ドルの一般的コストで毎年作成される。
上記にもかかわらず、従来の鉛を基材とするPIR検出器には、いくつかの潜在的な不都合がある。
従来のPIRセンサは、一般にPIR検出器要素を含むいくつかの個別部品を有する部分組立体を備える。PIR検出器要素はプレス加工したセラミック材料から切り取られていくつかの処理ステップを受け、それによって厚さが低下し、検出器が研磨される。検出器要素は、次にパッケージに取り付けられ、読出しトランジスタに接続される。通常、赤外線(IR)透過窓またはレンズがPIRセンサに取り付けられる。様々な構成要素を、PIR部分組立体へと処理して組み立てるには時間がかかり、また、小分けされていない検出器の切り離し製作、検出器自体の製造、および検出器の増幅器チップへの組み付けが必要である。したがって、PIR検出器要素の処理、パッケージング、および接続に関連した個別の生産ステップが相まって、PIR部分組立体の全体コストを増加させる。
技術的性能に関して、従来のPIR検出器の動作パラメータは、一般に、検出器要素が作成されるPZT材料の特性およびそれ自体の基板から熱的に絶縁される度合いによって決定される。PZT材料の構成物のばらつきが検出器性能に影響することがあり、例えば時定数などの動作パラメータが、定義が不完全であったり不定であったりする。
PIR検出器の性能も検出器要素の設計の関数であり、製作時に固定される。したがって、従来のPIR検出器の基幹動作パラメータ(例えば視野)は、製作後には変更され得ず、エンドユーザの特定の要求仕様に応じるためにも簡単には調整され得ない。
従来の鉛を基材とするPIR検出器を使用し続けることに影響し得るもう1つの要因は、電気機器および電子機器から重金属を除去するという今日の要求である。実際、電気機器および電子機器における欧州共同体の特定有害物質使用制限指令(RoHS)2002/95/ECが、2006年7月1日から欧州共同体(EU)全体にわたって施行されるであろう。したがって、従来の鉛を基材とするPIR検出器の製造業者は、既存のPIR検出器市場に供給するためには鉛を含まない代替の検出器方式を探し出さなければならないであろう。
従来の鉛を基材とするPIR検出器にはいくつかの代替が存在するが、そのような代替は、従来のPIR検出器の別の用途に向けられたものである。例えば、タンタル酸リチウムはPIR検出器内の代替材料として使用され得る。しかし、タンタル酸リチウムは、従来から高性能を必要とする用途に使用され、したがって、材料の高コストから、高品質で高コストでもある長距離の検出システムでの使用に向けられる。
ボロメータ検出器は、赤外線検出器のさらなる代替のクラスを与える。ボロメータ検出器は、従来から中程度の性能から高性能の民生用および軍用の赤外線結像用途に向けられ、通常2次元の焦点面配列(FPA)に構成される。そのようなボロメータ配列は、従来から密封容器内の真空中で動作される。気密囲壁の長期間の密閉をもたらす技術は高くつく。その上、この配列は、適切な性能を確保するために、温度が安定化され、絶対温度が注意深く制御されることが必要であろう。この種の検出器からの多重出力を復号し、かつ配列内の検出器要素からの出力における不均一性を補正するために、通常、複雑な信号処理を行う電子ネットワークが必要とされる。
上記に留意すると、ボロメータ検出器は、本質的な技術的性能およびコスト上の理由で、従来のPZTのPIR検出器に対する信頼できる代替とは見なされない。
本発明の目的は、代替の赤外線検出器を提供することである。本発明のさらなる目的は、前述の従来のPIR検出器の不都合を、少なくともいくつかは緩和する赤外線検出器を提供することである。
本発明の第1の態様によれば、複数のボロメータ検出器、ボロメータ検出器にバイアスを印加するための手段、およびネットワークを形成するようにボロメータ検出器をともに接続するための手段を備える赤外線検出器が今や提案され、ボロメータ検出器は実質的に大気圧の環境内に配置され、使用時、バイアス手段は、ボロメータ検出器を実質的に一定のバイアス温度で動作させるように配置される。
上記の赤外線検出器は、ボロメータ検出器が、従来動作された真空環境を解消する一方で、適切な感度および性能を維持するという点で有利である。従来のボロメータ検出器のための真空環境を作り上げて維持するのに必要な技術は、比較的高くつく。したがって、本赤外線検出器は、従来のボロメータ検出器に対して顕著な経費削減を提供する。
明確にするために、標準大気圧は、単位圧力が760mmHgまたは14.7ポンド毎平方インチ(1.01325×10パスカル)と等しいものと慣例的に定義される。しかし、これらの数値は、海抜ゼロメートル地点、0℃、および標準重力の下での標準大気圧を意味する。ここで言う大気圧は、周囲圧力と解釈されるものとし、上記の絶対値によって制限されないものとする。熟練者なら、大気圧が一定でなく、場所(例えば高度、温度、重力)および気象条件などを含むいくつかのパラメータに応じて変動することを容易に理解するであろう。
好ましい実施形態では、使用時、接続手段が、ネットワーク内で直列および並列の少なくとも1つにボロメータ検出器をともに接続するように配置される。このようにボロメータ検出器をともに接続することによって、赤外線検出器の総合的な感度を向上させることができる。感度における改善は、そのようにネットワーク内でともに接続された検出器の数の平方根と等しい。感度における改善は、ボロメータ検出器のそれ自体からの熱エネルギー伝導による性能劣化を少なくとも部分的に補償する。
別の好ましい実施形態では、バイアス手段は、使用時、ネットワーク内のボロメータ検出器要素に直流バイアス電流を供給するように配置される。
本ボロメータ検出器が動作される真空化されていない環境は、付加的な従来実現されなかった特別な利益を与える。すなわち、真空化されていない環境に伴う高い熱伝導によって、ボロメータ検出器内の所与の温度上昇に対してより大きなバイアス電流(直流バイアス)が使用されることになる。ボロメータからの信号電流が(一次近似で)バイアス電流に比例するので、本方法でバイアス電流を増加すると赤外線検出器の総合的な感度が増加する。前述のように、感度におけるこの改善は、環境を介する熱伝導向上によるボロメータ検出器の性能劣化を少なくとも部分的に補償する。上記とは対照的に、検出器要素の疲労および故障をまねく可能性がある検出器の過熱および熱サイクルを防ぐために、従来から、真空化されたボロメータ検出器には交流バイアスが使用されている。
したがって、本赤外線検出器は、真空化されていない環境の向上した熱伝導率を利用することにより、それ自体によってもたらされる性能劣化を少なくとも部分的に補償するために意外な利点を与える。
好ましくは、この赤外線検出器は、ボロメータ検出器、バイアス手段、および接続手段がその上に集積化されている基板を備える。読出しおよび信号処理回路も同じ基板上に集積化されてよい。集積化赤外線検出器によって製造が容易になり、したがって、個別部品に対して製造原価が低下する。
したがって、この赤外線検出器は、モノリシック集積回路を備えてよく、特にシリコンモノリシック集積回路を備えてよい。モノリシック集積回路は、nチャネルMOSFET(NMOS)集積回路、pチャネルMOSFET(PMOS)集積回路および相補型MOSFET(CMOS)集積回路のうちの1つでよい。したがって、この赤外線検出器は、標準的なシリコンICの生産ラインで見られる技術を使用して製作され得る。
好都合には、使用時、バイアス温度は、雰囲気より上の1℃以上から50℃以下の範囲である。好ましくは、使用時、バイアス温度は、雰囲気より上の1℃以上から20℃以下の範囲である。さらに好ましくは、使用時、バイアス温度は、雰囲気より上の1℃以上から10℃以下の範囲である。
一実施形態では、接続手段は、ネットワーク内のボロメータ検出器間に形成された複数の配線接続を備える。
別の実施形態では、接続手段は、ネットワーク内のボロメータ検出器を複数の構成へと再構成することができる。有利には、接続手段は、ネットワーク内のボロメータ検出器をリアルタイムで再構成することができる。ボロメータ検出器を再構成する能力があると、赤外線検出器の視野がエンドユーザの個々の要求に適合されることが可能になる。ボロメータのブロックが、赤外線検出器内に組み込まれるかまたは赤外線検出器から切り離され得て、そこから形成された合成PIR検出器要素の外見上の形状を動的に変える。
例えば、視野は、入口、出口または窓に対応するように配置されてよい。その上、厄介な赤外線源(例えば暖房機器、放熱器など)を視野から除外することができ、それによって誤った警報が減少する。リアルタイムに再構成可能であることは、赤外線検出器にある程度の判断力を与えるのに利用することができ、赤外線検出器が、入射赤外線放射の変化またはパターンに対するその応答を適合させることを可能にする。
好ましくは、ボロメータ検出器は、少なくとも1つの抵抗ボロメータを備える。具体的には、ボロメータ検出器は、少なくとも1つのマイクロブリッジボロメータを備えてよい。
好都合には、ボロメータ検出器は行と列に配置される。
有利には、ボロメータの数は、10個以上1000個以下の範囲にある。一般に、0.5mmから1mmの間の面積のPIR検出器と取り替えるには、40〜200個のボロメータ検出器が必要になるはずであり、一般に75μmの正方形のものが使用されることになる。
好ましくは、ボロメータ検出器は、3μm〜14μmの範囲の波長を有する放射を検出するように構成される。特定用途のために、例えば日光による誤った警報を排除するために8μm〜14μmのサブバンドが選択されてよく、あるいは炎の検出用に4.2μm前後の狭帯域のサブバンドが選択されてよい。
ボロメータ検出器が配置される環境は、空気、窒素および高分子量気体(例えばキセノン、六フッ化硫黄)の少なくとも1つを含んでよい。高分子量気体を使用することにより、空気に比べてより低い熱伝導率のために省電力または性能向上が実現され得る。
本発明の第2の態様によれば、ボロメータ検出器からの流体を介した熱エネルギー伝導による赤外線検出器の感度低下を少なくとも部分的に補償するために流体に接して動作するように配置された複数のボロメータ検出器を有する赤外線検出器の感度を向上させる方法が今や提案され、この方法は、
(i)直列と並列のうち少なくとも1つにボロメータ検出器をともに接続するステップと、
(ii)直流バイアス電流でボロメータ検出器を動作させるステップと、
(iii)実質的に一定のバイアス温度でボロメータ検出器を動作させるステップとのうち少なくとも1つを含む。
好ましくは、流体は実質的に大気圧にあり、空気、窒素および高分子量気体(例えばキセノン)のうち少なくとも1つを含む。
本発明の第3の態様によれば、複数のボロメータ検出器、ボロメータ検出器にバイアスを印加するための手段、およびネットワークを形成するようにボロメータ検出器をともに接続するための手段を備える赤外線検出器を動作させるための方法が今や提案され、この方法は、ボロメータ検出器を実質的に大気圧の環境に配置するステップと、ボロメータ検出器を実質的に一定のバイアス温度で動作させるステップとを含む。
有利には、バイアス温度は、雰囲気より上の1℃以上から50℃以下の範囲に保たれる。好ましくは、バイアス温度は雰囲気より上の1℃以上から20℃以下の範囲に保たれ、さらに好ましくは、雰囲気より上の1℃以上から10℃以下の範囲に保たれる。
本発明の第3の態様およびそれに関連した実施形態による方法に関して、環境は、好ましくは空気、窒素および高分子量気体(例えばキセノン)のうち少なくとも1つを含む。
本発明の第4の態様によれば、情景からの電磁放射を受け取るように構成された複数のボロメータ検出器がその上に集積化された基板と、ボロメータ検出器にバイアスを印加するための手段と、ネットワークを形成するようにボロメータ検出器をともに接続するための手段と、ボロメータ検出器ネットワークからの出力信号に応答する信号処理手段とを備える受動型赤外線(PIR)警報器が今や提案され、
信号処理手段は、ボロメータ検出器のネットワーク上に入射する電磁放射の変化による出力信号の変化を識別し、情景中の事象を示す出力を供給するように構成される。
具体的には、例えば、赤外線警報器の視野内の赤外線源の導入または運動から発生して、ボロメータ検出器上に入射する赤外線放射における空間的変化および時間的変化のうち少なくとも1つを出力が示し得る。
好ましくは、ボロメータ検出器は、実質的に大気圧の環境内に配置される。
好都合には、環境は、空気、窒素および高分子量気体の少なくとも1つを含む。
バイアス手段は、好ましくは実質的に一定のバイアス温度でボロメータ検出器を動作させるように配置される。
好都合には、使用時、バイアス温度は、雰囲気より上の1℃以上から50℃以下の範囲であるように計画される。好ましくは、バイアス温度は雰囲気より上の1℃以上から20℃以下の範囲であり、さらに好ましくは、雰囲気より上の1℃以上から10℃以下の範囲である。
好ましくは、受動型赤外線(PIR)警報器は、ボロメータ検出器と、バイアス手段と、接続手段と信号処理手段とがその上に集積化されている単一基板を備える。集積化PIR警報器によって製造が容易になり、したがって、個別部品に対して製造原価が低下する。したがって、受動型赤外線(PIR)警報器は、モノリシック集積回路を備えてよく、特にシリコンモノリシック集積回路を備えてよい。モノリシック集積回路は、nチャネルMOSFET(NMOS)集積回路、pチャネルMOSFET(PMOS)集積回路および相補型MOSFET(CMOS)集積回路のうちの1つでよい。
シリコンを基材とする手法を使用すると、検出器自体と同じチップ上に完全なPIR検出システム(例えば増幅機能、検出閾値機能、タイミング機能)の集積化が実現可能であり、したがってはるかに小さくより廉価なPIR検出モジュールが作成されることが可能になる。正確なリソグラフィの使用は、ボロメータをベースにするPIR検出器が、非常に正確に定義された寸法、位置、および形状を有し得ることを意味する。
さらに、検出器チップ上にPIRサブシステムの全機能を集積化することが可能であり、総コストがより低下する。
好ましい実施形態では、受動型赤外線(PIR)警報器は侵入防止警報器として動作するように構成される。
別の好ましい実施形態では、受動型赤外線(PIR)警報器は火災報知器として動作するように構成される。
次に、本発明が、添付図面を参照しながら例としてのみ説明されるであろう。
従来のボロメータ検出器は、本質的な技術的性能および高コストの理由で、従来のPZTのPIR検出器に対する信頼できる代替とは見なされない。主なコスト推進要因の1つは、ボロメータ検出器のまわりに真空化された密封容器を設けるのに必要とされるパッケージング技術である。本赤外線検出器では、ボロメータ検出器は、実質的に大気圧の環境(例えば空気)で動作され、それによって高くつく真空パッケージングを解消する。ボロメータ検出器から離れたところでの熱エネルギーの伝導は、空気中の方が真空中より高く、結果として赤外線検出器の感度が弱められる。しかし、本発明では、ネットワーク内で複数のボロメータ検出器をともに組み合わせることおよび/または高バイアス電力/電流でボロメータ検出器を動作させることにより、感度の低下は少なくとも部分的に補償される。
次に本発明の第1の実施形態を参照すると、図1は、基板(8)上に配置された複数のボロメータ検出器(4)および関連する電子回路(6)を備える赤外線検出器(2)を示す。
ボロメータ検出器は、直列/並列接続されているブロックとして構成される。
このようにともに接続されている複数の検出器を動作させると、検出器数の平方根と等しい感度の改善を与える。例えば、0.25mm×1.0mmの寸法をしている従来のPIR検出器は、14×3のボロメータ検出器の組と取り替えられ得て(現在の焦点面配列で見つかったボロメータ検出器の密度と類似のものを想定)、これは単一のボロメータ検出器より6.5倍高感度になるであろう。
個々のボロメータ検出器(4)は、直列、並列、または直列/並列の組合せに電気的に接続され、入手可能な電子回路(6)と整合するのに好都合な総電気抵抗を与える。例えば、増幅器を高電圧ノイズに対応させるためには、直列の組合せが使用されるであろう。
図2は、本発明によって直列/並列構成に接続されたボロメータ検出器(4)のネットワークを示す。
図2では、総合的な抵抗は、個々のボロメータ検出器(4)の値の5/4であろう。少なくともいくつかの並列接続を使用することのさらなる利益は、個々のボロメータ検出器(4)が故障して開回路になる場合には、検出器の全体的な作用面積において損失は一部でしかないということである。
ボロメータ検出器(4)の大きな組(10)を使用すると、ボロメータ検出器の組(10)(一般に1つの赤外線検出器ごとにボロメータ検出器(4)が1または2組(10))ごとに単独出力を与えて、外部電子回路が大幅に単純化する。
図3bを参照すると、雰囲気温度の変化によってもたらされた信号に対する補償は、PIR検出器で現在広く用いられている方法と類似の、入ってくる放射から保護されるかまたは熱的に基板(8)から絶縁されていない複製のデバイス(ダミー)(20)を使用するやり方で行われ得る。あるいは、図3aを参照すると、複製のデバイス(ダミー)(20)の代わりに定電流源(22)が使用される。
PIR検出器内で現在使用されている焦電検出器は、元来、入ってくる放射に交流結合されている(すなわち放射の変化にしか応答しない)。この焦電検出器向けの低い時定数は、一般に不明確である。侵入者検出器の場合には、この時定数は、どれほどゆっくり警報を作動させずに検出器が接近され得るかということを設定するパラメータである。図3に示される実施形態の侵入防止警報器では、外付けの交流結合コンデンサ(24)が使用され、これで、必要に応じて時定数が正確に制御されることが可能になる。
本発明の一実施形態による集積受動型赤外線(PIR)警報システム(30)が図4に示される。PIR警報器(30)は、ボロメータ検出器の2つの組(32、42)を備え、その各々が関連する増幅器(34、44)を有する。検出器の2つの組(32、42)の各々からの出力は、増幅され(34、44)、バンドパスフィルタ(36、46)によってフィルタリングされ、コンパレータ(38、48)によってレベル閾値と比較される。次いで、アラーム出力(60)を与えるために、警報プロセッサ(50)によって論理的処理が行われる。侵入防止警報器として動作するように構成されたとき、論理的処理は、侵入者の存在および侵入者が移動している方向を判断する。別の実施形態では、論理的処理は、警報出力(60)を出す前に、所与の期間において複数の事象を必要とする。
ボロメータ検出器(4)が製作されるプロセスは、従来のCMOS加工技術と適合する。したがって、本発明の別の実施形態では、赤外線検出器は、ボロメータ検出器と同じチップ上に集積化された埋込み型マイクロプロセッサおよび複合のデジタル電子回路を備え、使用者が特定の用途のために特定の機能をプログラムすることを可能にする。
各ボロメータ検出器(4)は、WO/GB00/03243に説明されるように製作されてよい。そのようなデバイスでは、マイクロブリッジとしてマイクロボロメータが形成され、その中で、例えばチタンの層が、薄い脚体によって、基板表面から約1μmから4μm、一般に2.5μm離隔される。一般に、チタンは、0.05μmから0.3μmの範囲内で約0.1μmから0.25μmの厚さであり、1.5Ω/平方から6Ω/平方の範囲内で約3.3Ω/平方のシート抵抗を有する。チタンボロメータ検出器のマイクロブリッジは、約λ/4(λは検出されるべき放射の波長)の厚さを有する酸化シリコン層の下で支持される。そのようなチタン検出器は、3μmから14μmの間の赤外線放射帯域のものを含む様々な波長を検出するように構成され得る。検出器上に入射する赤外線エネルギーは、マイクロブリッジ(チタン)および酸化シリコン層の組合せに吸収され、その後の温度変化がチタンの抵抗変化を引き起こす。したがって、検出器抵抗を測定することが、入射する放射振幅の値を与える。
従来の熱探知カメラでは、熱伝導を低下させるために真空内でのパッケージングが必要であり、そうしないと、ボロメータ検出器(4)を囲む空気を介して熱伝導が生じる。真空であると、この熱伝導がデバイスの支持脚を介した伝導を下回るように低下され得る。
大気圧の空気は、一般的な脚体の導電率の100倍前後の導電性を有し、したがって、結像の場合における感度は、空気を使用すると真空より約100倍悪いであろう。ボロメータ検出器を直流で動作させると、本発明のボロメータ検出器を囲む空気(またはある気体)の高い熱伝導によって、ボロメータ検出器内部の所与の温度上昇でより大きなバイアス電流が使用されることが可能になるので、この性能ロスのうちのいくらかは回復されることが可能になる。直流で動作する場合のボロメータを通るバイアス電流の制限は、ボロメータ自体の内部温度上昇で、雰囲気より10℃程度上が一般的な値であろう。
高い熱伝導を有すると信号が低下して次式となる(一次近似を使用)。
Figure 0005398142
上式で、Isig=信号電流、α=温度係数、Psig=信号の電力、Tbias=直流電流によるバイアス温度、R=電気抵抗、G=熱伝導である。1次の電流ノイズは1/√Rに比例するので、性能は次式で与えられる。
Figure 0005398142
従来の結像配列に基づく値を使用して、空気を含む環境内に配置された1mm×0.25mmのピクセルの性能は、バイアス温度および電力消費の関数として予測されている(図5および図6参照)。この予測は、100Hzの帯域幅および50%の有効放射吸収を想定している。
本発明による空気がパッケージされたボロメータ検出器で、雑音等価温度差(NETD)0.1℃が達成可能であり、したがって真空パッケージングの高くつくステップを解消する。
空気より(係数2.5だけ)低い伝導率を有するキセノンなど高い分子(または原子)質量の気体を含む環境内にボロメータ検出器をパッケージングすることにより、かなりの省電力が達成可能であることは注目に値する。キセノンの高い原子量は、パッケージシールを通って拡散する可能性が空気より低いことを意味し、したがって、例えば、腐食および凝縮を防ぐために半導体産業で慣例的に行われる乾燥した窒素中での処理であるシーリング以上に厄介なシーリングをすることがない。
この例で用いられた100Hzの帯域幅は、軍用の高等級PIRシステムに一般的なものであり、家庭向きのPIRシステムの場合には、ほとんど間違いなく係数10だけ縮小(3倍優れた感度と等価)され得ることが留意されるべきである。
本発明の一実施形態による赤外線検出器の概略構想図である。 本発明の一実施形態によって構成されたボロメータ検出器の概略回路図である。図は、直列/並列構成に接続されているボロメータのネットワークを示す。 ボロメータが定電流で動作されるとき、ボロメータ検出器からの出力が温度ドリフトに対してどのように補償されるかを示す図である。 温度ドリフトを補償するために複製(ダミー)ボロメータを使用したとき、ボロメータ検出器からの出力が温度ドリフトに対してどのように補償されるかを示す図である。 本発明の一実施形態による集積化PIR警報システムの概略ブロック図である。 キセノンを含む環境内および空気を含む環境内でそれぞれ動作された本発明によるボロメータ検出器のバイアス温度(℃)に対する雑音等価温度差(感度)(℃)を示すグラフである。 キセノンを含む環境内および空気を含む環境内でそれぞれ動作された本発明によるボロメータ検出器の電力(W)に対する雑音等価温度差(感度)(℃)を示すグラフである。

Claims (30)

  1. 複数のボロメータ検出器(4)と、ボロメータ検出器にバイアスを印加するための手段と、ネットワークを形成するようにボロメータ検出器をともに接続するための手段とを備える赤外線検出器(2)であって、ボロメータ検出器(4)が実質的に大気圧の環境に配置され、接続手段が、ネットワーク内で直列および並列の少なくとも1つにボロメータ検出器(4)をともに接続するように配置され、動作、バイアス手段が、雰囲気より上の1℃以上から50℃以下の範囲にある実質的に一定のバイアス温度でボロメータ検出器要素(4)に直流バイアス電流を供給するように配置され、
    接続手段が、ネットワーク内のボロメータ検出器(4)を、該検出器の動作中に、複数の構成に再構成することができる、赤外線検出器(2)。
  2. 続手段が、ボロメータ検出器(4)のネットワークから単一の出力を提供するように配置される、請求項1に記載の赤外線検出器(2)。
  3. ボロメータ検出器(4)と、バイアス手段と、接続手段とが集積化されている基板(8)を備える、請求項1または2のいずれかに記載の赤外線検出器(2)。
  4. モノリシック集積回路を備える、請求項3に記載の赤外線検出器(2)。
  5. シリコンモノリシック集積回路を備える、請求項4に記載の赤外線検出器(2)。
  6. モノリシック集積回路が、nチャネルMOSFET(NMOS)集積回路、pチャネルMOSFET(PMOS)集積回路および相補型MOSFET(CMOS)集積回路のうちの1つである、請求項5に記載の赤外線検出器(2)。
  7. 動作時、バイアス温度が雰囲気より上の1℃以上から20℃以下の範囲にある、請求項1から6のいずれか一項に記載の赤外線検出器(2)。
  8. 動作時、バイアス温度が雰囲気より上の1℃以上から10℃以下の範囲にある、請求項7に記載の赤外線検出器(2)。
  9. ボロメータ検出器(4)が少なくとも1つの抵抗ボロメータを備える、請求項1からのいずれかに記載の赤外線検出器(2)。
  10. ボロメータ検出器(4)が少なくとも1つのマイクロブリッジボロメータを備える、請求項1からのいずれかに記載の赤外線検出器(2)。
  11. その中でボロメータ検出器(4)が行と列に配置される、請求項1から10のいずれかに記載の赤外線検出器(2)。
  12. ボロメータ検出器(4)の数が、10個以上〜1000個以下の範囲にある、請求項1から11のいずれかに記載の赤外線検出器(2)。
  13. ボロメータ検出器(4)の数が、40個以上〜200個以下の範囲にある、請求項12に記載の赤外線検出器(2)。
  14. ボロメータ検出器(4)が、3μm〜14μmの範囲の波長を有する放射を検出するように構成された、請求項1から13のいずれかに記載の焦点面検出器(2)。
  15. 環境が、空気、窒素および高分子量気体のうち少なくとも1つを含む、請求項1から14のいずれかに記載の赤外線検出器(2)。
  16. ボロメータ検出器(4)からの流体を介した熱エネルギー伝導による赤外線検出器の感度低下を少なくとも部分的に補償するために、流体に接して動作するように配置された複数のボロメータ検出器(4)を有して赤外線検出器(2)の感度を向上させるための方法であって、
    (i)雰囲気より上の1℃以上から50℃以下の範囲にある実質的に一定のバイアス温度でボロメータ検出器(4)を動作させるステップと、
    (ii)直列と並列のうち少なくとも1つにボロメータ検出器(4)をともに接続するステップと、
    (iii)直流バイアス電流でボロメータ検出器(4)を動作させるステップと、
    (iv)ネットワーク内のボロメータ検出器(4)を、該検出器の動作中に、複数の構成に再構成するステップと、
    を含む、方法。
  17. 流体が実質的に大気圧にある、請求項16に記載の方法。
  18. 流体が、空気、窒素および高分子量気体のうち少なくとも1つを含む、請求項16または17のいずれかに記載の方法。
  19. 複数のボロメータ検出器(4)と、ボロメータ検出器に直流バイアス電流を印加するための手段と、ネットワークを形成するように直列および並列の少なくとも1つにボロメータ検出器をともに接続するための手段とを備える赤外線検出器(2)を動作させるための方法であって、ボロメータ検出器(4)を実質的に大気圧の環境に配置するステップと、ボロメータ検出器を雰囲気より上の1℃以上から50℃以下の範囲にある実質的に一定のバイアス温度で動作させるステップと、接続手段がネットワーク内のボロメータ検出器(4)を、該検出器の動作中に、複数の構成に再構成するステップとを含む、方法。
  20. バイアス温度が雰囲気より上の1℃以上から20℃以下の範囲に維持される、請求項19に記載の方法。
  21. バイアス温度が雰囲気より上の1℃以上から10℃以下の範囲に維持される、請求項20に記載の方法。
  22. 環境が、空気、窒素および高分子量気体のうち少なくとも1つを含む請求項19に記載の方法。
  23. 情景からの電磁放射を受け取るように構成された複数のボロメータ検出器(32、42)が集積化されている基板(8)と、ボロメータ検出器(4)を雰囲気より上の1℃以上から50℃以下の範囲にある実質的に一定のバイアス温度で動作させるようにボロメータ検出器に直流バイアス電流を印加するための手段と、ネットワークを形成するように直列および並列の少なくとも1つにボロメータ検出器をともに接続するための手段と、ボロメータ検出器のネットワークからの出力信号に応答する信号処理手段(34、36、38、44、46、48、50)とを備える受動型赤外線(PIR)警報器であって、
    信号処理手段(34、36、38、44、46、48、50)が、ボロメータ検出器(4)のネットワーク上に入射する電磁放射の変化による出力信号の変化を識別し、情景中の事象を示す出力(60)を供給するように構成され、
    接続手段が、ネットワーク内のボロメータ検出器(4)を、該検出器の動作中に、複数の構成に再構成することができる、受動型赤外線(PIR)警報器。
  24. ボロメータ検出器(32、42)が実質的に大気圧の環境内に配置される、請求項23に記載の受動型赤外線(PIR)警報器。
  25. 環境が、空気、窒素および高分子量気体のうち少なくとも1つを含む、請求項24に記載の受動型赤外線(PIR)警報器。
  26. イアス手段が、ボロメータ検出器(32、42)を実質的に一定のバイアス温度で動作させるように配置される、請求項23から25のいずれかに記載の受動型赤外線(PIR)警報器。
  27. 動作時、バイアス温度が雰囲気より上の1℃以上から20℃以下の範囲にある、請求項23から26のいずれかに記載の受動型赤外線(PIR)警報器。
  28. 動作時、バイアス温度が雰囲気より上の1℃以上から10℃以下の範囲にある、請求項27に記載の受動型赤外線(PIR)警報器。
  29. 侵入防止警報器として動作するように構成された、請求項26から28のいずれかに記載の受動型赤外線(PIR)警報器。
  30. 火災報知器として動作するように構成された、請求項23から29のいずれかに記載の受動型赤外線(PIR)警報器。
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