JP5396493B2 - 固体撮像装置及びその製造方法 - Google Patents
固体撮像装置及びその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5396493B2 JP5396493B2 JP2012005233A JP2012005233A JP5396493B2 JP 5396493 B2 JP5396493 B2 JP 5396493B2 JP 2012005233 A JP2012005233 A JP 2012005233A JP 2012005233 A JP2012005233 A JP 2012005233A JP 5396493 B2 JP5396493 B2 JP 5396493B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- recess
- solid
- imaging device
- state imaging
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Landscapes
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Description
102 絶縁膜積層体
102a 凹部
102b 凹部
102c 凹部
103 光導波路
104 配線
111 受光素子
111A 電荷蓄積層
111B 表面層
112 素子分離領域
113 ゲート絶縁膜
114 反射防止膜
115 ゲート電極
121 第1の層間絶縁膜
122 第2の層間絶縁膜
123 第3の層間絶縁膜
124 平坦化絶縁膜
131 第1の膜
132 第2の膜
132a 窪み
141 配線
142 銅膜
143 バリアメタル膜
144 拡散防止膜
151 平坦化樹脂層
152 カラーフィルタ
153 平坦化膜
154 マイクロレンズ
156 絶縁膜
161 犠牲膜
Claims (24)
- 半導体基板の上に形成された受光部と、
前記半導体基板の上に形成され、層間絶縁膜を含み、前記受光部と対応する位置に第1の凹部を有する絶縁膜積層体と、
前記第1の凹部に形成され、前記受光部に光を導く光導波路とを備え、
前記光導波路は、前記絶縁膜積層体側から順次形成された第1の膜及び第2の膜を有し、
前記第1の膜及び前記第2の膜の屈折率はそれぞれ前記層間絶縁膜の屈折率よりも高く、
前記第1の膜は、前記第1の凹部の側面及び底面を覆い且つ前記第1の凹部と対応する位置に第2の凹部を有し、
前記第2の膜は前記第2の凹部内を埋め込むように形成されており、
前記第1の膜における前記第1の凹部の側面上に形成された部分の膜厚は、前記第1の凹部の上部において下部よりも薄く、
前記第1の凹部の側面には、前記層間絶縁膜を含む複数の層が露出し、
前記第1の膜は、前記第1の凹部の側面において前記複数の層と接することを特徴とする固体撮像装置。 - 前記第2の膜は前記第1の膜と接するように形成されており、
前記第2の膜は前記第2の凹部内を前記第2の凹部の上端まで埋め込まれていることを特徴とする請求項1に記載の固体撮像装置。 - 前記第1の膜及び前記第2の膜は単層膜であることを特徴とする請求項1又は2に記載の固体撮像装置。
- 前記第1の膜は、窒化シリコン膜又は窒酸化シリコン膜であることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載の固体撮像装置。
- 前記第2の膜は、窒化シリコン膜又は窒酸化シリコン膜であることを特徴とする請求項1〜4のいずれか1項に記載の固体撮像装置。
- 前記第1の膜における前記第1の凹部の側面を覆う部分の深さ方向の中央部と下端部とを結ぶ直線は、前記半導体基板の主面と並行な方向となす角が75°以下であることを特徴とする請求項1〜5のいずれか1項に記載の固体撮像装置。
- 前記第1の膜における前記第1の凹部の側面上に形成された部分の膜厚は、前記第1の凹部の上部と下部とにおいて比が3:7以下であることを特徴とする請求項1〜6のいずれか1項に記載の固体撮像装置。
- 前記第1の凹部の底面は、前記半導体基板の主面と並行な平面であることを特徴とする請求項1〜7のいずれか1項に記載の固体撮像装置。
- 前記第2の膜の屈折率は、前記第1の膜の屈折率よりも大きいことを特徴とする請求項1〜8のいずれか1項に記載の固体撮像装置。
- 前記第2の膜は、前記第1の凹部の外側の領域に形成されていないことを特徴とする請求項1〜9のいずれか1項に記載の固体撮像装置。
- 前記第1の膜の上面は、前記絶縁膜積層体の上面と同一平面に形成されていることを特徴とする請求項1〜10のいずれか1項に記載の固体撮像装置。
- 前記第1の膜における前記第1の凹部の側面上に形成された部分は、前記第1の凹部の上部から下部に向かって膜厚が直線的に増加していることを特徴とする請求項1〜11のいずれか1項に記載の固体撮像装置。
- 前記第2の膜における前記第1の凹部に形成された部分は、上面が凸レンズ状に形成されていることを特徴とする請求項1〜12のいずれか1項に記載の固体撮像装置。
- 受光素子を形成した半導体基板の上に、前記受光素子と対応する位置に第1の凹部を有する絶縁膜積層体を形成する工程と、
前記第1の凹部に埋め込まれた光導波路を形成する工程とを備え、
前記光導波路を形成する工程は、
前記絶縁膜積層体の上に前記第1の凹部と対応する位置に第2の凹部が残存するように前記絶縁膜積層体より高い屈折率を有する第1の膜を形成する第1の成膜工程と、
前記第1の膜における前記第1の凹部の側面上に形成された部分の膜厚を、前記第1の凹部の上部において下部よりも薄くするエッチング工程と、
前記エッチング工程よりも後に前記第2の凹部を埋めるように前記絶縁膜積層体より高い屈折率を有する第2の膜を前記第1の膜の上に形成する第2の成膜工程とを含み、
前記第1の凹部の側面には、前記層間絶縁膜を含む複数の層が露出し、
前記第1の膜は、前記第1の凹部の側面において前記複数の層と接することを特徴とする固体撮像装置の製造方法。 - 前記第2の膜は、前記第1の膜と接し、且つ前記第2の凹部内を前記第2の凹部の上端まで埋め込むように形成することを特徴とする請求項14に記載の固体撮像装置の製造方法。
- 前記第1の膜及び前記第2の膜は単層膜であることを特徴とする請求項14又は15に記載の固体撮像装置の製造方法。
- 前記第1の膜及び第2の膜は、化学気相堆積法により成膜することを特徴とする請求項14〜16のいずれか1項に記載の固体撮像装置の製造方法。
- 前記エッチング工程において、前記第1の膜における前記第1の凹部の側面を覆う部分の深さ方向の中央部と下端部とを結ぶ直線が、前記半導体基板の主面と並行な方向となす角を75°以下とすることを特徴とする請求項14〜17のいずれか1項に記載の固体撮像装置の製造方法。
- 前記エッチング工程において、前記第1の膜における前記第1の凹部の側面上に形成された部分の膜厚は、前記第1の凹部の上部と下部とにおける比が3:7以下とすることを特徴とする請求項14〜18のいずれか1項に記載の固体撮像装置の製造方法。
- 前記エッチング工程は、窒素、水素又はフッ化炭素系のガスを用いて行うことを特徴とする請求項14〜19のいずれか1項に記載の固体撮像装置の製造方法。
- 前記光導波路を形成する工程は、前記第2の成膜工程よりも後に、前記第2の膜における前記第1の凹部に形成された部分の上面を凸レンズ状に加工するレンズ形成工程を含むことを特徴とする請求項14〜20のいずれか1項に記載の固体撮像装置の製造方法。
- 前記レンズ形成工程は、前記第2の膜を前記第1の膜よりも研磨レートを低くして研磨する工程であることを特徴とする請求項21に記載の固体撮像装置の製造方法。
- 前記レンズ形成工程は、前記第2の膜の上に犠牲膜を形成する工程、及び前記犠牲膜及び前記第2の膜をエッチバックする工程を含み、
前記エッチバックは、前記第2の膜のエッチレートが前記犠牲膜のエッチレートよりも大きい条件で行うことを特徴とする請求項21に記載の固体撮像装置の製造方法。 - 前記レンズ形成工程は、前記第2の膜の上に犠牲膜を形成する工程、及び前記犠牲膜及び前記第2の膜をエッチバックする工程を含み、
前記エッチバックは、前記第1の膜のエッチレートが前記第2の膜のエッチレートよりも大きい条件で行うことを特徴とする請求項21に記載の固体撮像装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012005233A JP5396493B2 (ja) | 2012-01-13 | 2012-01-13 | 固体撮像装置及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012005233A JP5396493B2 (ja) | 2012-01-13 | 2012-01-13 | 固体撮像装置及びその製造方法 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011094752 Division | 2011-04-21 | 2011-04-21 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012227510A JP2012227510A (ja) | 2012-11-15 |
JP5396493B2 true JP5396493B2 (ja) | 2014-01-22 |
Family
ID=47277296
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012005233A Expired - Fee Related JP5396493B2 (ja) | 2012-01-13 | 2012-01-13 | 固体撮像装置及びその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5396493B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6121263B2 (ja) * | 2013-06-26 | 2017-04-26 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体集積回路装置 |
JP2018200955A (ja) * | 2017-05-26 | 2018-12-20 | キヤノン株式会社 | 撮像装置、撮像システム、および、移動体 |
JP7213726B2 (ja) * | 2019-03-13 | 2023-01-27 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜方法及び熱処理装置 |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003282851A (ja) * | 2002-03-27 | 2003-10-03 | Sony Corp | 固体撮像装置の製造方法 |
JP2004079932A (ja) * | 2002-08-22 | 2004-03-11 | Sony Corp | 固体撮像素子及びその製造方法 |
-
2012
- 2012-01-13 JP JP2012005233A patent/JP5396493B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2012227510A (ja) | 2012-11-15 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US10943940B2 (en) | Image sensor comprising reflective guide layer and method of forming the same | |
KR102321856B1 (ko) | 균열에 내성이 있는 딥 트렌치 절연 구조물 | |
US8969194B2 (en) | Backside illuminated image sensor and manufacturing method thereof | |
CN108615739B (zh) | 形成图像传感器装置的方法 | |
KR101339958B1 (ko) | 후면 조명된 이미지 센서들 | |
US11189657B2 (en) | Image sensor with improved quantum efficiency surface structure | |
US10763289B2 (en) | Light blocking layer for image sensor device | |
JP6083572B2 (ja) | 固体撮像装置及びその製造方法 | |
CN106601758B (zh) | 一种半导体器件及其制造方法和电子装置 | |
JP5396493B2 (ja) | 固体撮像装置及びその製造方法 | |
US20120267741A1 (en) | Solid-state imaging device and method for manufacturing the same | |
US20090108390A1 (en) | Image Sensor and Method for Manufacturing Thereof | |
JP2015023199A (ja) | 固体撮像装置 | |
TWI839112B (zh) | 光學結構及其製造方法 | |
KR100910510B1 (ko) | 하드 마스크 제거 방법 | |
US20230230993A1 (en) | Uniform trenches in semiconductor devices and manufacturing method thereof | |
CN110828490B (zh) | 背照式影像传感器 | |
TW202230762A (zh) | 具有複合深溝渠隔離結構的積體晶片及其形成方法 | |
KR20230136299A (ko) | 이미지 센서 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20130628 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130702 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130820 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20131001 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20131021 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |