JP5387248B2 - 半導体酸化物薄膜 - Google Patents
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(実施の形態1)
本実施の形態における半導体酸化物は、In、Ga、Zn、OおよびNを含む。半導体酸化物は、In、Ga、Zn、OおよびNを主成分とし、残部が不可避的不純物であることが好ましい。
本実施の形態における半導体酸化物は、実施の形態1の半導体酸化物と同様であるので、その説明は繰り返さない。
1.材料粉末の粉砕混合
In2O3(純度99.99%、BET比表面積5m2/g)、Ga2O3(純度99.99%、BET比表面積11m2/g)、およびZnO(純度99.99%、BET比表面積4m2/g)の各粉末を、ボールミル装置を用いて3時間粉砕混合した。なお、分散媒には水を用いた。粉砕混合後スプレードライヤで乾燥した。
次に、得られた混合粉末をアルミナ製ルツボに入れ、大気雰囲気中、1100℃で5時間仮焼を行ない、仮焼粉体を得た。
次に、得られた仮焼粉体をCIPにより加圧成形し、直径100mm、厚さ約9mmの円板状の成形体を得た。得られた成形体を1気圧のN2雰囲気中、1550℃で12時間焼結して焼結体を得た。得られた焼結体は、直径が80mmに収縮(厚さは約7mm)していた。
次に、得られた焼結体を直径76.2mm、厚さ5.0mmに加工して実施例1のターゲットとした。
次に、実施例1のターゲットを用いて、以下のように膜を形成した。成膜は、DCマグネトロンスパッタ法を用いた。スパッタ電源はDCを用いた。ターゲットサイズは、直径76.2mm、厚み5mmであり、直径3インチの平面がスパッタ面であった。
実施例2のIGZO膜は、基本的には実施例1のIGZO膜と同様に製造したが、準備したターゲットにおいて異なっていた。ターゲットの材料粉末については、準備した材料粉末のモル比を変更して、ターゲットの組成が下記の表1の記載になるように各材料粉末を準備した。また、ターゲットの焼結については、得られた成形体を2気圧のNH3およびAr雰囲気中で焼結した。
実施例3のIGZO膜は、基本的には実施例1のIGZO膜と同様に製造したが、準備したターゲットにおいて異なっていた。ターゲットの材料粉末については、準備した材料粉末のモル比を変更して、ターゲットの組成が下記の表1の記載になるように各材料粉末を準備した。
実施例4のIGZO膜は、基本的には実施例1のIGZO膜と同様に製造したが、準備したターゲットにおいて異なっていた。ターゲットの材料粉末については、準備した材料粉末のモル比を変更して、ターゲットの組成が下記の表1の記載になるように各材料粉末を準備した。また、ターゲットの焼結については、得られた成形体を2気圧の雰囲気中で焼結した。
実施例5のIGZO膜は、基本的には実施例1のIGZO膜と同様に製造したが、準備したターゲットおよびIGZO膜の成膜について異なっていた。具体的には、以下の通りである。
実施例6のIGZO膜は、基本的には実施例5のIGZO膜と同様に製造したが、準備したターゲットおよびIGZO膜の成膜について異なっていた。ターゲットの材料粉末については、準備した材料粉末のモル比を変更して、ターゲットの組成が下記の表1の記載になるように各材料粉末を準備した。また、成膜については、スパッタ圧力を0.4Paとした。
実施例7のIGZO膜は、基本的には実施例5のIGZO膜と同様に製造したが、準備したターゲットおよびIGZO膜の成膜について異なっていた。ターゲットの材料粉末については、準備した材料粉末のモル比を変更して、ターゲットの組成が下記の表1の記載になるように各材料粉末を準備した。また、成膜については、スパッタ圧力を3Paとした。
実施例8のIGZO膜は、基本的には実施例5のIGZO膜と同様に製造したが、準備したターゲットおよびIGZO膜の成膜について異なっていた。ターゲットの材料粉末については、準備した材料粉末のモル比を変更して、ターゲットの組成が下記の表1の記載になるように各材料粉末を準備した。また、成膜については、スパッタ圧力を8Paとした。
比較例1のIGZO膜は、基本的には実施例1と同様に製造したが、成形体を1気圧の大気中で焼結したターゲットを用いた点において異なっていた。比較例1では、Nを含まないターゲットを用いて、Nを取り込むことのできない雰囲気でIGZO膜を形成したので、比較例1のIGZO膜にはNは含まれていなかった。
比較例2のIGZO膜は、基本的には実施例1と同様に製造したが、準備したターゲットにおいて異なっていた。具体的には、以下の通りである。
In2O3(純度99.99%、BET比表面積5m2/g)、Ga2O3(純度99.99%、BET比表面積11m2/g)、ZnO(純度99.99%、BET比表面積4m2/g)、およびGaN(純度99.99%、BET比表面積2m2/g)の各粉末を、ボールミル装置を用いて3時間粉砕混合した。なお、分散媒には水を用いた。粉砕混合後スプレードライヤで乾燥した。
次に、得られた混合粉末をアルミナ製ルツボに入れ、大気雰囲気中、600℃で5時間仮焼を行ない、仮焼粉体を得た。
次に、得られた仮焼粉体を一軸加圧成形により加圧成形し、直径100mm、厚さ約9mmの円板状の成形体を得た。得られた成形体を1気圧のAr雰囲気中、1550℃で12時間焼結して焼結体を得た。得られた焼結体は、直径が80mmに収縮(厚さは約7mm)していた。
次に、得られた焼結体を直径76.2mm、厚さ5.0mmに加工して比較例2のターゲットとした。
比較例3のIGZO膜は、基本的には比較例2と同様に製造したが、準備したターゲットにおいて異なっていた。ターゲットの材料粉末については、InNをさらに混合するために、準備した材料粉末のモル比を変更して、ターゲットの組成が下記の表1の記載になるように各材料粉末を準備した。また、焼結については、得られた成形体を6気圧のN2雰囲気中で焼結した。
比較例4のIGZO膜は、基本的には比較例2と同様に製造したが、準備したターゲットにおいて異なっていた。ターゲットの材料粉末については、準備した材料粉末のモル比を変更して、ターゲットの組成が下記の表1の記載になるように各材料粉末を準備した。また、焼結については、得られた成形体を1気圧のN2雰囲気中で焼結した。
比較例5のIGZO膜は、基本的には比較例2のIGZO膜と同様に製造したが、準備したターゲットにおいて異なっていた。ターゲットの材料粉末については、準備した材料粉末のモル比を変更して、ターゲットの組成が下記の表1の記載になるように各材料粉末を準備した。また、焼結については、得られた成形体を1気圧のNH3およびAr雰囲気中で焼結した。
実施例1〜8および比較例1〜5のターゲットの焼結体およびIGZO膜について、X線回折測定、以下の条件でのRBSによるIn、Ga、およびZnの組成分析、およびSIMSによるNの定量測定を実施した。その結果を下記の表1に示す。
X線回折測定の結果、実施例1〜8および比較例1〜5のIGZO膜は、非結晶質であることがわかった。このため、TFTのチャンネル層や、透明電極用の透明薄膜などに用いることができることがわかった。また、実施例1〜8および比較例1〜5のターゲットの焼結体は、結晶質であることがわかった。
Claims (1)
- 非結晶質の半導体酸化物であって、
インジウム、ガリウム、亜鉛、酸素および窒素を含み、
前記窒素の濃度は、1×1020atom/cc以上1×1022atom/cc以下であり、
前記インジウムの濃度と前記ガリウムの濃度と前記亜鉛の濃度との合計の濃度に対する前記インジウムの濃度の比が0.30以上0.66以下であり、
スパッタリング法により製造される、半導体酸化物薄膜。
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