JP5376103B2 - 微細構造物の構造推定方法、構造推定装置及び成形金型の製造方法 - Google Patents

微細構造物の構造推定方法、構造推定装置及び成形金型の製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP5376103B2
JP5376103B2 JP2006127636A JP2006127636A JP5376103B2 JP 5376103 B2 JP5376103 B2 JP 5376103B2 JP 2006127636 A JP2006127636 A JP 2006127636A JP 2006127636 A JP2006127636 A JP 2006127636A JP 5376103 B2 JP5376103 B2 JP 5376103B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
fine structure
estimation
fine
light source
structure according
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2006127636A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2007298443A (ja
Inventor
修 増田
真紀子 今榮
和三 古田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Konica Minolta Inc
Original Assignee
Konica Minolta Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Konica Minolta Inc filed Critical Konica Minolta Inc
Priority to JP2006127636A priority Critical patent/JP5376103B2/ja
Publication of JP2007298443A publication Critical patent/JP2007298443A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5376103B2 publication Critical patent/JP5376103B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Landscapes

  • Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
  • Investigating Or Analysing Materials By Optical Means (AREA)

Description

本発明は、微細構造物の構造を非破壊的に推定する構造推定方法、構造推定装置及び成形金型の製造方法に関するものである。
構造性複屈折の原理を利用した波長板について、その設計・製作方法・用途等に関し多くの提案がなされている。例えば、下記特許文献1は、基板格子上に基板より屈折率の大きい誘電体媒質を表面が平坦になるように充填することで格子深さを浅く且つ汚染に強い波長板にできることを開示する。下記特許文献2は、2枚のそれぞれが波長以上の周期の構造を持っていても、構造を対向し係合させることで周期を波長の1/2以下にし構造性複屈折を機能させることを開示する。また、下記特許文献3は、二つの異なる波長に対して1/4波長板として機能する構造性複屈折を有する波長板を開示する。
図8に微細な凹凸構造を有する構造性複屈折素子を成形するための従来の成形金型の製作工程を示す。図8(a)のようにシリコンからなる金型基材200上にレジストマスク100を形成し(S91)、図8(b)のようにレジストマスク100に微細パターンを描画し現像する(S92)。次に、図8(c)のようにドライエッチング法により微細パターンに対応した凹部201を金型基材200に形成してから(S93)、図8(d)のように金型基材200上のレジストマスク100を除去する(S94)。そして、図8(e)のように凹部201のある金型基材200を成形金型とし、樹脂からなる被成形材300に対し相対的に接近させることでインプリント成形を行う(S95)。
次に、離型することで図8(f)のように微細な凹凸構造302を有する樹脂からなる構造性複屈折素子301を得るが、この構造性複屈折素子301が所望の性能を持つか否かを評価し(S96)、所望の性能を持つ場合、その成形金型を完成品とし(S97)、所望の性能を持たない場合、上記ステップS91に戻り、成形金型を再製作する。
特開昭62−269103号公報 特開平05−107412号公報 特開2003−207636号公報
しかし、上記各特許文献のいずれにおいてもその形状が設計値どおりに実際に得られているかを確認する手立てとして適切な方法の提案はなされていない。微細な波長構造を有する構造性複屈折素子の場合、所望の位相差量が得られないとき、非破壊で構造を測定するのは、非常に難しい。
例えば、図8のようにして作製した構造性複屈折素子を破断し、その破断面をSEM(走査型電子顕微鏡)等を用いて観察すれば、形状を測定することも可能ではあるが、「正確な破断面を得る」「変形させずに観察する」「観察時の前処理(導電物質のコーティング)の影響を取り除く」などに非常に困難を伴い、正確な測定が難しい。
また、仮に精度の良い測定ができたとしても構造部全体の分布を知るには多くの時間を要し、容易なことではない。特に、構造の方向が一定ではない場合には膨大な時間を要するため直接測定するのは、現実的ではない。
また、構造性複屈折素子を成形するための成形金型を製造する場合、図8のようにして製造した場合、その成形金型の仕上がりのチェックは、実際にインプリント成形をした成形品により行うが、この成形品のできがよくない場合は、成形金型を始めから作り直すことになり、非効率的であるとともに、成形品のチェックも上述のように、非常に困難であり、正確な測定が難しく、多くの時間を要してしまう。また、ダミーの成形金型を一緒にエッチング等して作製し、そのダミーの成形金型を破壊して仕上がりをチェックする方法もあるが、この場合も、ダミーの成形金型のできがよくないときは、成形金型を始めから作り直すことになり、非効率的である。
本発明は、上述のような従来技術の問題に鑑み、微細構造を有する構造物について非破壊でかつ短時間にその微細構造を推定でき、更にその微細構造の分布を知ることが可能な微細構造物の構造推定方法及び構造推定装置を提供することを目的とする。
また、微細構造を有する構造物を成形するための成形金型を効率的に製造可能な成形金型の製造方法を提供することを目的とする。
上記目的を達成するために、本発明による微細構造物の構造推定方法は、微細構造分布が未知の微細構造を有する被測定物の透過光量を検光子を介して測定系により測定するステップと、前記測定結果を用いて位相差を演算する位相差演算ステップと、前記演算された位相差データと予め計算されたシミュレーション結果のシミュレーションデータとの比較値に基づいて前記微細構造を推定する構造推定ステップと、前記被測定物の微細構造の2次元分布を測定するステップと、を含み、前記構造推定及び前記2次元分布測定に基づいて前記微細構造及びその2次元的な分布を非破壊的に推定することを特徴とする。
この微細構造物の構造推定方法によれば、微細構造を有する被測定物の透過光量を測定し、その測定結果を用いて演算した位相差データに基づいて微細構造を推定することで、非破壊でかつ短時間に微細構造物(被測定物)の微細構造を推定できる。
上記微細構造物の構造推定方法においてTE波及びTM波の透過率を算出する透過率算出ステップを更に含み、前記算出された透過率データを前記微細構造の推定に用いることが好ましい。
また、前記被測定物と前記測定系とを相対移動させて前記微細構造の2次元分布を測定することで、及び/又は、前記測定系の受光部にCCD等の撮像素子を用いて前記微細構造の2次元分布を測定することで、微細構造の分布を知ることができる。また、前記微細構造はバイナリー構造であってよい。
また、前記構造推定ステップは、予め計算されたシミュレーション結果のシミュレーションデータと、前記位相差データまたは前記位相差データと前記透過率データと、の比較値を用いて前記微細構造を推定することが好ましい。
また、前記測定系は、光源として可視光源を備え、少なくとも2種類の波長の切り替えが可能であることが好ましく、複数の波長で効率よく測定を行うことができる。この場合、前記2種類の波長は、次式(1)、(2)、(3)を満たす波長λ1、λ2、λ3のうちのいずれか2種類であることが好ましい。
350nm<λ1<550nm (1)
600nm<λ2<700nm (2)
700nm<λ3<850nm (3)
なお、λ3はCDの記録及び/又は再生に使用される光源に対応する波長であり、λ2はDVDの記録及び/又は再生に使用される光源に対応する波長であり、λ3はDVDよりも高記録密度の光ディスクの記録及び/又は再生に使用される光源に対応する波長である。
また、前記測定系の光源は赤外光源であってもよい。この場合、前記赤外光源は少なくとも2種類の波長の切り替えが可能であることが好ましい。
本発明による微細構造物の構造推定装置は、微細構造分布が未知の微細構造を有する被測定物の透過光量を検光子を介して測定可能な測定系と、前記測定系による測定結果を用いて位相差を演算する位相差演算手段と、前記演算された位相差データと予め計算されたシミュレーション結果のシミュレーションデータとの比較値に基づいて前記微細構造を推定する構造推定手段と、前記被測定物の微細構造の2次元分布を測定するための測定手段と、を備え、前記構造推定及び前記2次元分布測定に基づいて前記微細構造及びその2次元的な分布を非破壊的に推定することを特徴とする。
この微細構造物の構造推定装置によれば、上述の微細構造物の構造推定方法を実行でき、微細構造を有する被測定物の透過光量を測定し、その測定結果を用いて演算した位相差データに基づいて微細構造を推定することで、非破壊でかつ短時間に微細構造物(被測定物)の微細構造を推定できる。
上記微細構造物の構造推定装置においてTE波及びTM波の透過率を算出する透過率算出手段を備え、前記算出された透過率データを前記微細構造の推定に用いることが好ましい。
また、前記微細構造の2次元分布を測定するために前記被測定物と前記測定系とを相対移動させるxyステージを備えることで、及び/又は、前記測定系の受光部にCCD等の撮像素子を備えることで、微細構造の分布を知ることができる。また、前記微細構造はバイナリー構造であってよい。
また、前記構造推定手段は、予め計算されたシミュレーション結果のシミュレーションデータと、前記位相差データまたは前記位相差データと前記透過率データと、の比較値を用いて前記微細構造を推定することが好ましい。
また、前記測定系は、光源として可視光源を備え、少なくとも2種類の波長の切り替えが可能であることが好ましく、複数の波長で効率よく測定を行うことができる。この場合、前記2種類の波長は、次式を(1)、(2)、(3)を満たす波長λ1、λ2、λ3のうちのいずれか2種類であることが好ましい。
350nm<λ1<550nm (1)
600nm<λ2<700nm (2)
700nm<λ3<850nm (3)
なお、λ3はCDの記録及び/又は再生に使用される光源に対応する波長であり、λ2はDVDの記録及び/又は再生に使用される光源に対応する波長であり、λ3はDVDよりも高記録密度の光ディスクの記録及び/又は再生に使用される光源に対応する波長である。
また、前記測定系の光源は赤外光源であってもよい。この場合、前記赤外光源は少なくとも2種類の波長の切り替えが可能であることが好ましい。
本発明による成形金型の製造方法は、例えば金型基材の表面にマスクを形成し、前記マスクに微細パターンを形成してから、前記金型基材の表面に対しエッチングを行うことで微細構造を有する成形金型を製造する方法であって、前記エッチングの途中で前記金型基材について上述の微細構造物の構造推定方法または微細構造物の構造推定装置により、その微細構造を推定し、その推定結果に基づいて前記金型基材を更にエッチングすることを特徴とする。
この成形金型の製造方法によれば、エッチングにより加工途中の金型基材を被測定物としてその微細構造を推定し、この推定結果に基づいて以降のエッチングを実行できるので、成形金型を設計値通りに加工でき、成形金型の再製造が不要となり、微細構造を有する構造物を成形するための成形金型を精度よくかつ効率的に製造することができる。
上記成形金型の製造方法において前記微細構造の推定結果に基づいてエッチングレートを求め、このエッチングレートに基づいて前記金型基材を更にエッチングすることで、成形金型を設計値通りに加工できる。
また、本発明による別の成形金型の製造方法は、例えば金型基材の表面にマスクを形成し、前記マスクに微細パターンを形成してから前記金型基材の表面に対しエッチングを行うことで微細構造を有する成形金型を製造する方法であって、前記エッチングした金型基材について、上述の微細構造物の構造推定方法または微細構造物の構造推定装置により、その微細構造を推定し、その推定結果に基づいて前記金型基材の成形金型としての良否を判定することを特徴とする。
この成形金型の製造方法によれば、エッチングした金型基材の微細構造を推定し、その推定結果に基づいて金型基材の成形金型としての良否を判定するので、従来のように成形金型で成形した成形品やダミーの成形金型による良否判定が不要となり成形品やダミーの成形金型の製作が要らず、成形金型の再製造が不要となり、成形金型を効率的に生産できる。
上記各製造方法において前記金型基材は可視光を透過する例えばガラス等の材質からなることが好ましい。
また、前記金型基材はシリコン(Si)からなることが好ましく、この場合、前記測定系の光源は赤外光源であることで、光源からの光がシリコンを透過できる。また、前記赤外光源は少なくとも2種類の波長の切り替えが可能であることが好ましい。
本発明の微細構造物の構造推定方法及び構造推定装置によれば、微細構造を有する構造物について非破壊でかつ短時間にその微細構造を推定でき、更にその微細構造の分布を知ることが可能である。
また、本発明の成形金型の製造方法によれば、微細構造を有する構造物を成形するための成形金型を効率的に製造可能である。
以下、本発明を実施するための最良の形態について図面を用いて説明する。
〈第1の実施の形態〉
図1は第1の実施の形態における被測定物(微細構造物)として微細構造を有する構造性複屈折素子を模式的に示す斜視図である。図2は第1の実施の形態による微細構造物の構造推定装置の要部を概略的に示す図である。図3は図2の微細構造物の構造推定装置50における偏光子、被測定物、検光子による測定状態を模式的に示す図である。
図2に示すように、微細構造物の構造推定装置50は、位相差を測定して複屈折測定可能な位相差測定装置から構成され、レーザダイオード(LD)からなるレーザ光源2a、2bと、レーザ光源2a、2bの駆動を制御するレーザダイオード(LD)コントローラ1と、波長選択性を有するダイクロイックミラー3と、折り返しミラー4と、偏光子6と、偏光子6を光軸aを中心に回転させるモータを回転ステージ5aと、測定対象の被測定物7と、被測定物7を光軸aを中心に回転させるモータを含む回転ステージ5bと、被測定物7の透過光が入射する検光子8と、検光子8を光軸aを中心に回転させるモータを含む回転ステージ5cと、回転ステージ5a〜5cの各モータの回転駆動を制御するステージコントローラ9と、を備える。
微細構造物の構造推定装置50は、更に、検光子8からの光が入射する受光素子10と、受光素子10で受光した光量値を電圧変換し光強度信号として出力する受光回路11と、受光回路11からの光強度信号が入力し各種演算を行うパソコン(PC)12と、演算結果等を表示するモニタ部13と、を備える。
PC12は、各種データを書き換え・読み出し可能に保存するメモリを備え、LDコントローラ1及びステージコントローラ9を含め装置全体を制御する。また、PC12は、測定対象の被測定物7についてシミュレーションを行い、例えばベクトル解析である厳密結合波理論(Rigorous Coupled Wave Analysis)を用いてシミュレーションを行い、そのシミュレーション結果のデータベースを構築している。
測定対象の被測定物7は、図1に示すように、構造幅L、構造周期W及び構造高さHの微細凹凸が周期的に微細凹凸周期構造として形成されたバイナリー構造を有する構造性複屈折素子であり、レーザ光源2a,2bからのレーザ光が透過する材質からなる。
また、TE波(P偏光)とTM波(S偏光)に関し、図1においてTE波は微細凹凸周期構造の主軸7aと平行な偏光方向をもち、TM波は構造性複屈折素子への入射光と直交する偏光方向をもつ。なお、例えば、波長板のような複屈折素子において、光の進む速度が速い(位相が進む)方位をその素子の進相軸といい、反対に遅い(位相が遅れる)方位を遅相軸といい、進相軸と遅相軸とを総称して主軸という。
図2の光学系において、レーザ光源2aからのレーザ光は、ダイクロイックミラー3を透過し光軸a上を通り、レーザ光源2bからのレーザ光は、折り返しミラー4とダイクロイックミラー3で反射し光軸a上を通り、回転する偏光子6を通過して直線偏光状態となり、被測定物7を通過して偏光状態を変え、光軸aを中心に回転する検光子8を通過して受光素子10に入射する光量が変化し、受光素子10が検出した光量変化に基づいて透過率及び位相差を求めることができる。
偏光子6と被測定物7とを、例えば図3のようにレーザ光が偏光子6から被測定物7に入射する入射光の直線偏光の偏光方位が45°に、被測定物7の進相軸方位が90°になるように光軸aを中心に回転駆動させる。
検光子8の回転速度を相対的に変えて検光子8の透過軸方位θ(図3)を変えながら、各回転位置で検光子8を透過し受光素子10に入射した検出光の光強度を検出する。すなわち、検光子8の透過軸方位θ=0°としてx成分光強度Ixを測定し、θ=45°として45°成分光強度I45を測定し、θ=90°としてy成分光強度Iyを測定する。
また、被測定物7がセットされる回転ステージ5bは、ステージコントローラ9により制御されるxyステージを備えることで、被測定物7の測定位置を図2の上下方向及び紙面垂直方向に変えることができる。これにより、被測定物7の微細凹凸構造の2次元的な分布を容易に測定できる。
上述のような各光強度Ix、I45、Iyの測定は、それらの分布測定も含んで、パソコン12の制御の下で自動的に短時間で実行することができる。
また、図2においてレーザ光源2a、2bは波長の異なる可視光を出射するように構成でき、LDコントローラ1でレーザ光源2a、2bを切り替えて波長を切り替えるようにできる。また、レーザ光源を更に増やしてもよい。波長の異なる複数の光源を切り替え可能とすることで、複数の波長域で簡単に測定データを得ることができる。
図2の微細構造物の構造推定装置による構造推定方法における位相差δの算出原理について図1〜図3を参照して説明する。
入射光(偏光子6から被測定物7に入射するレーザ光)及び検出光(受光素子10に入射するレーザ光)のストークスパラメータをそれぞれS、S’とし、次式(数1)のように表現する。
Figure 0005376103
図2の光学系において、被測定物7を部分偏光子XPと位相子XRからなると考えたとき、検光子をPとすると変換行列は次式(数2)のように表すことができる。
Figure 0005376103
ここで、本光学系において、図3のように被測定物7の進相軸方位を90°、入射光を45°直線偏光にして展開すると、ストークスパラメータの各成分は次式(数3)のように表すことができる。
Figure 0005376103
ここで、測定可能なパラメータに置き換えると、上記S’0、S’1、S’2はそれぞれ次式(数4)のように表せる。
Figure 0005376103
すなわち、位相差δは次式(数5)で与えられる。ただし、数5におけるAx,Ay,Ix,Iyは、次式(数6)の関連式が成り立つ。
Figure 0005376103
Figure 0005376103
実際の図2の測定系で考えた場合について図3を参照して説明すると、検光子8の透過軸方位θを0°とした場合、Ixを測定することになる。同様に、θ=45°ではI45を測定し、θ=90°ではIyを測定できる。したがって、これらの3つ測定値Ix、I45、Iyにより位相差δを算出することができる。
次に、図1〜図3の微細構造物の構造推定装置による構造推定方法について図4,図5,図6を参照して説明する。図4は第1の実施の形態による構造推定方法の流れを説明するためのフローチャートである。図5は図4の透過率・位相差演算ステップを説明するための図である。図6は図4の構造推定ステップを説明するための図である。
以下では、図1の被測定物7の微細凹凸における構造パラメータとして構造周期W、構造高さH及びフィリングファクタf(=L/P 但し、L:構造幅)非破壊的に推定する。
図4のように、まず、図2の微細構造物の構造推定装置50において回転ステージ5bに被測定物7をセットせず、基準光量を受光素子10で測定することにより、I’x(x成分基準光強度)、I’y(y成分基準光強度)、I’45(45°成分基準光強度)を求める(S01)。
次に、被測定物7を回転ステージ5bにセットし(S02)、透過光量を測定し、Ix(x成分光強度)、Iy(y成分光強度)、I45(45°成分光強度)を求める(S03)。
次に、透過率・位相差を演算する(S04)。すなわち、図5のように、透過率Te、Tmを次式(1)、(2)から算出し(S41)、位相差を上記式(数5,数6)から算出する(S42)。
Te=(Ix/I’x)×100 (1)
Tm=(Iy/I’y)×100 (2)
ただし、Te:TE波(図1参照)の実測透過率(%)
Tm:TM波(図1参照)の実測透過率(%)
次に、上記演算結果から被測定物7の構造推定を行う(S05)。この構造推定は、シミュレーション結果のデータベースからのシミュレーションデータと、位相差データ(または位相差データと透過率データ)との比較値に基づいて行われる。
すなわち、上記比較値をCとすると、TE波の実測透過率をTe、TM波の実測透過率をTm、位相差の演算結果をδ、またシミュレーションのTE波透過率、TM波透過率、位相差をそれぞれSTe、STm、Sδとしたとき、比較値Cは、例えば、次式(3)から算出される値である。
C(n)=Sqrt((Te-Ste(n))2+(Te-ST(n))2+(k・(δ-Sδ(n)))2) (3)
ただし、nはシミュレーションの番号、kは重み付けの係数である。
図6のように、上記シミュレーション番号nを0として(S51)、最初の比較値C(n=0)を上記式(3)により算出し(S52)、この比較値C(0)を最小値Cminとする(S53)。
次に、n→n+1とし(S54)、上記式(3)により比較値C(n)を算出する(S55)。この比較値C(n)を上記最小値Cminと比較し(S56)、比較値C(n)が上記最小値Cminよりも小さければ、この比較値C(n)を最小値Cminとし、そのシミュレーション番号nの構造パラメータを保存する(S57)。
上記比較が全て完了するまで(S58)、上記ステップS54〜S57を繰り返す。上記ステップS56で比較値C(n)が上記最小値Cminよりも大きい場合は、上記ステップS58で全ての比較が完了したか否かが判断される。
上述のようにして求めた最小値Cminとなった比較値C(n)の構造パラメータ(図1の構造周期W、構造高さH及びフィリングファクタf(=L/P))を被測定物7のバイナリー構造における構造パラメータとし、この結果が出力されて(S06)、例えば図2のモニタ部13に表示される。
また、上記測定後に、ステージコントローラ9の制御により回転ステージ5bのxyステージを駆動し被測定物7を図2の上下方向及び/又は紙面垂直方向に移動して被測定物7の測定位置を変えてから図4の各ステップS01〜S06を繰り返すことで、被測定物7の構造パラメータの2次元的な分布を測定することができる。
以上のように、第1の実施の形態によれば、図1のような構造性複屈折素子の微細凹凸周期構造及びその2次元的な分布を非破壊的に推定することができるとともに、短時間で推定結果を得ることができる。
〈第2の実施の形態〉
第2の実施の形態は、上記微細構造物の構造推定方法を用いて成形金型を製造する方法に関する。図7は、第2の実施の形態による、微細凹凸構造を有する構造性複屈折素子を成形するための成形金型の製作工程を示す図である。
本実施の形態では、図1のような構造幅L、構造周期W及び構造高さHの微細凹凸が周期的に形成された微細凹凸周期構造を有する構造性複屈折素子を成形する成形金型を次のようにして製造する。
すなわち、図7(a)のようにガラスからなる金型基材20上にレジストを均一に塗布してレジストマスク30を形成してから(S61)、図7(b)のように、レジストマスク30の表面に対し電子ビームにより所定の微細パターンを描画し、所定の現像材料により現像する(S62)。
なお、電子ビーム描画は、本発明者等が、例えば、特開2004−107793号公報や特開2004−54218号公報等で提案した電子ビーム描画装置により行うことができる。これにより、所望の描画パターンを電子ビームによる3次元描画でサブミクロンオーダーの高精度でレジスト膜上に形成できる。
次に、レジストマスク30に微細パターンが形成された金型基材20に対し第1回目のプラズマ等によるドライエッチングを行う(S63)。これにより、図7(c)のように、レジストマスク30の微細パターンに対応した凹部21が金型基材20に形成される。
次に、図7(c)の金型基材20を図2の微細構造物の構造推定装置50における被測定物7として第1の実施の形態と同様の測定を行い、図4〜図6の構造推定方法により図7(c)の金型基材20の構造パラメータ(図1の構造周期W、構造高さH及びフィリングファクタf(=L/P))を推定し、所望の微細凹凸周期構造が得られていないときは(S64)、図7(d)のように第2回目のプラズマ等によるドライエッチングを行う(S65)。
次に、上述と同様にして金型基材20の構造パラメータを推定する(S64)。このように所望の微細凹凸周期構造が得られるまで、上記各ステップS64,S65を繰り返す。この場合、上述のように推定した構造パラメータに基づいてエッチングレートを算出し、このエッチングレートに基づいて次のドライエッチングを行うことで、精度よく金型基材20をエッチングすることができる。
上記ステップS64で所望の微細凹凸周期構造が得られると、図7(e)のように金型基材20上のレジストマスク30を除去する(S66)。この金型基材20を成形金型とし、金型が完成する(S67)。
以上のようにして成形金型を製作することができるが、本実施の形態によれば、金型基材20に対するドライエッチングの途中段階で、金型基材20の構造パラメータを推定し、エッチングレートを正確に知ることができるので、所望の微細凹凸周期構造を有し精度のよい成形金型を容易に製造することができる。
特に、従来までは、図8のように、製作した成形金型でインプリント成形し、その成形品を破断して構造パラメータを測定していたが、かかる測定は、不正確であり、また、困難であり長時間を要していたのに対し、本実施の形態によれば、かかる成形品の測定は不要である。
また、従来の方法で成形品の測定を正確に行ったとしても、成形品のできがよくない場合は、成形金型を始めから作り直すことになり、非効率的であり、また、ダミーの成形金型を一緒にエッチング等して作製し、そのダミーの成形金型を破壊して仕上がりをチェックする従来方法では、ダミーの成形金型のできがよくない場合は、成形金型を始めから作り直すことになり、非効率的であったのに対し、本実施の形態によれば、成型金型製造の図7のような各ステップが終了すると、成形金型が完成するので、従来のような成形金型の再製作はありえず、効率的で成形金型の製造コスト減を実現できる。
成形金型を用いて光の波長に近いオーダーの微細構造を有する構造性複屈折素子を生産する場合、透過率及び位相差についてともに所望の性能を得るためには、成形金型を設計通りの非常に厳密な形状に作り込む必要性があるが、その成形金型を作製する際のドライエッチング工程におけるエッチングレートは、エッチング装置内の環境(温度、真空度、ガス密度等)に非常に敏感であり、それを厳密に再現するのは困難である。したがって、成形金型の形状を設計値に追い込んでいく際には、エッチングの途中段階でエッチングレートを正確に知ることが要求されるのであるが、本実施の形態の成形金型の製造方法によれば、エッチングレートを正確に知ることができるので、成形金型の形状を設計値通りにエッチングすることが可能となる。
なお、図7において金型基材20の材質は、例えば、シリコン(Si)でもよく、この場合、図2において、光源2a、2bの波長を赤外域とすることで、光源からの光を被測定物(金型基材20)に透過させることができる。
また、図7のマスク形成(S61)、描画・現像(S62)、ドライエッチング(S63)、マスク除去(S66)の各ステップにより得た成形金型について、構造推定ステップ(S64)を実行することで最終的な成形金型の良否を判定するようにしてもよい。これにより、成形金型の良否を非破壊的に判定ができ、従来のように製作した成形金型でインプリント成形をしてその成形品で良否を判定したり、ダミーの成形金型を製作してそのダミー品で良否を判定する必要がなくなる。
以上のように本発明を実施するための最良の形態について説明したが、本発明はこれらに限定されるものではなく、本発明の技術的思想の範囲内で各種の変形が可能である。例えば、図2の微細構造物の構造推定装置は、位相差測定に偏光素子回転法を用いた構成としたが、本発明はこれに限定されず、位相差の測定が可能であり、かつ、TE波・TM波の透過率を独立に測定可能な光学系であれば、偏光補償法や光ヘテロダイン法などのような他の測定方法であってもよい。
また、第1の実施の形態では、被測定物7の微細凹凸構造の2次元的な分布の測定のために、被測定物7がセットされる回転ステージ5bにxyステージを備えたが、本発明はこれに限定されず、受光素子10にCCD等の撮像素子をxyステージの代わりに、または、xyステージとともに用いてもよい。
第1の実施の形態における被測定物(微細構造物)として微細構造を有する構造性複屈折素子を模式的に示す斜視図である。 第1の実施の形態による微細構造物の構造推定装置の要部を概略的に示す図である。 図2の微細構造物の構造推定装置における偏光子、被測定物、検光子による測定状態を模式的に示す図である。 第1の実施の形態による構造推定方法の流れを説明するためのフローチャートである。 図4の透過率・位相差演算ステップを説明するための図である。 図4の構造推定ステップを説明するための図である。 第2の実施の形態による、微細凹凸構造を有する構造性複屈折素子を成形するための成形金型の製作工程を示す図である。 微細凹凸構造を有する構造性複屈折素子を成形するための成形金型の従来の製作工程を示す図である。
符号の説明
2a,2b レーザ光源
5a〜5c 回転ステージ
6 偏光子
7 被測定物
8 検光子
9 ステージコントローラ
10 受光素子
12 パソコン(PC)
20 金型基材
21 凹部
30 レジストマスク
50 微細構造物の構造推定装置
H 構造高さ
L 構造幅
W 構造周期
a 光軸

Claims (23)

  1. 微細構造分布が未知の微細構造を有する被測定物の透過光量を検光子を介して測定系により測定するステップと、
    前記測定結果を用いて位相差を演算する位相差演算ステップと、
    前記演算された位相差データと予め計算されたシミュレーション結果のシミュレーションデータとの比較値に基づいて前記微細構造を推定する構造推定ステップと、
    前記被測定物の微細構造の2次元分布を測定するステップと、を含み、
    前記構造推定及び前記2次元分布測定に基づいて前記微細構造及びその2次元的な分布を非破壊的に推定することを特徴とする微細構造物の構造推定方法。
  2. TE波及びTM波の透過率を算出する透過率算出ステップを更に含み、前記算出された透過率データを前記微細構造の推定に用いる請求項1に記載の微細構造物の構造推定方法。
  3. 前記被測定物と前記測定系とを相対移動させて前記微細構造の2次元分布を測定する請求項1または2に記載の微細構造物の構造推定方法。
  4. 前記測定系の受光部に撮像素子を用いて前記微細構造の2次元分布を測定する請求項1,2または3に記載の微細構造物の構造推定方法。
  5. 前記微細構造はバイナリー構造である請求項1乃至4のいずれか1項に記載の微細構造物の構造推定方法。
  6. 前記測定系は、光源として可視光源を備え、少なくとも2種類の波長の切り替えが可能である請求項1乃至5のいずれか1項に記載の微細構造物の構造推定方法。
  7. 前記2種類の波長は、次式を満たす波長λ1、λ2、λ3のうちのいずれか2種類である請求項6に記載の微細構造物の構造推定方法。
    350nm<λ1<550nm
    600nm<λ2<700nm
    700nm<λ3<850nm
  8. 前記測定系の光源は赤外光源である請求項1乃至5のいずれか1項に記載の微細構造物の構造推定方法。
  9. 前記赤外光源は少なくとも2種類の波長の切り替えが可能である請求項8に記載の微細構造物の構造推定方法。
  10. 微細構造分布が未知の微細構造を有する被測定物の透過光量を検光子を介して測定可能な測定系と、
    前記測定系による測定結果を用いて位相差を演算する位相差演算手段と、
    前記演算された位相差データと予め計算されたシミュレーション結果のシミュレーションデータとの比較値に基づいて前記微細構造を推定する構造推定手段と、
    前記被測定物の微細構造の2次元分布を測定するための測定手段と、を備え
    前記構造推定及び前記2次元分布測定に基づいて前記微細構造及びその2次元的な分布を非破壊的に推定することを特徴とする微細構造物の構造推定装置。
  11. TE波及びTM波の透過率を算出する透過率算出手段を備え、前記算出された透過率データを前記微細構造の推定に用いる請求項10に記載の微細構造物の構造推定装置。
  12. 前記微細構造の2次元分布を測定するために前記被測定物と前記測定系とを相対移動させるxyステージを備える請求項10または11に記載の微細構造物の構造推定装置。
  13. 前記微細構造の2次元分布を測定するために前記測定系の受光部に撮像素子を備える請求項10,11または12に記載の微細構造物の構造推定装置。
  14. 前記微細構造はバイナリー構造である請求項10乃至13のいずれか1項に記載の微細構造物の構造推定装置。
  15. 前記測定系は、光源として可視光源を備え、少なくとも2種類の波長の切り替えが可能である請求項10乃至14のいずれか1項に記載の微細構造物の構造推定装置。
  16. 前記2種類の波長は、次式を満たす波長λ1、λ2、λ3のうちのいずれか2種類である請求項15に記載の微細構造物の構造推定装置。
    350nm<λ1<550nm
    600nm<λ2<700nm
    700nm<λ3<850nm
  17. 前記測定系の光源は赤外光源である請求項10乃至14のいずれか1項に記載の微細構造物の構造推定装置。
  18. 前記赤外光源は少なくとも2種類の波長の切り替えが可能である請求項17に記載の微細構造物の構造推定装置。
  19. 金型基材の表面に対しエッチングを行うことで微細構造を有する成形金型を製造する方法であって、
    前記エッチングの途中で前記金型基材について、請求項1乃至9のいずれか1項に記載の微細構造物の構造推定方法または請求項10乃至18のいずれか1項に記載の微細構造物の構造推定装置により、その微細構造を推定し、その推定結果に基づいて前記金型基材を更にエッチングすることを特徴とする成形金型の製造方法。
  20. 前記微細構造の推定結果に基づいてエッチングレートを求め、このエッチングレートに基づいて前記金型基材を更にエッチングする請求項19に記載の成形金型の製造方法。
  21. 金型基材の表面に対しエッチングを行うことで微細構造を有する成形金型を製造する方法であって、
    前記エッチングした金型基材について、請求項1乃至9のいずれか1項に記載の微細構造物の構造推定方法または請求項10乃至18のいずれか1項に記載の微細構造物の構造推定装置により、その微細構造を推定し、その推定結果に基づいて前記金型基材の成形金型としての良否を判定することを特徴とする成形金型の製造方法。
  22. 前記金型基材は可視光を透過する材質からなる請求項19,20または21に記載の成形金型の製造方法。
  23. 前記金型基材はシリコン(Si)からなる請求項19,20または21に記載の成形金型の製造方法。
JP2006127636A 2006-05-01 2006-05-01 微細構造物の構造推定方法、構造推定装置及び成形金型の製造方法 Expired - Fee Related JP5376103B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006127636A JP5376103B2 (ja) 2006-05-01 2006-05-01 微細構造物の構造推定方法、構造推定装置及び成形金型の製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006127636A JP5376103B2 (ja) 2006-05-01 2006-05-01 微細構造物の構造推定方法、構造推定装置及び成形金型の製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2007298443A JP2007298443A (ja) 2007-11-15
JP5376103B2 true JP5376103B2 (ja) 2013-12-25

Family

ID=38768050

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2006127636A Expired - Fee Related JP5376103B2 (ja) 2006-05-01 2006-05-01 微細構造物の構造推定方法、構造推定装置及び成形金型の製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP5376103B2 (ja)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4835621B2 (ja) * 2008-03-21 2011-12-14 パルステック工業株式会社 格子構造の検査装置および格子構造の検査方法
CN109540797B (zh) * 2018-12-21 2021-12-10 东华大学 纤维束排列均匀性和断裂形态的反射式测量装置与方法

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2731074B1 (fr) * 1995-02-27 1997-05-16 Instruments Sa Procede de mesure ellipsometrique, ellipsometre et dispositif de controle d'elaboration de couches les mettant en oeuvre
JPH10332533A (ja) * 1997-06-03 1998-12-18 Unie Opt:Kk 複屈折評価装置
JPH11142322A (ja) * 1997-11-13 1999-05-28 Ricoh Co Ltd 複屈折測定装置及び複屈折測定方法
JPH11326190A (ja) * 1998-03-19 1999-11-26 Toray Ind Inc リタ―デ―ション計測装置、複屈折計測装置および同装置を備えたプラスチックフイルムの製造方法
JP2000002652A (ja) * 1998-06-18 2000-01-07 Hitachi Ltd 位相差測定方法およびそれを用いた光学部品の位相差測定装置
JP4281469B2 (ja) * 2002-08-28 2009-06-17 コニカミノルタホールディングス株式会社 電子ビーム描画方法、当該方法を用いる成型用金型の製造方法、製造された金型、該金型にて成形された光学素子
JP2004101235A (ja) * 2002-09-05 2004-04-02 Osaka Industrial Promotion Organization 半導体の歪量を測定する装置及び方法、半導体の歪量分布を測定する装置及び方法、並びに半導体製造装置及び方法
JP2005221488A (ja) * 2004-02-09 2005-08-18 Japan Science & Technology Agency 成分情報同定方法、成分情報同定装置、プログラム、及び記憶媒体
JP4817106B2 (ja) * 2004-03-29 2011-11-16 コニカミノルタホールディングス株式会社 成形方法及び成形装置の制御方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP2007298443A (ja) 2007-11-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4767924B2 (ja) 角度分解分光リソグラフィの特徴付けのための方法および装置
TWI703651B (zh) 驗證度量目標及其設計
JP5016579B2 (ja) モデルの自由及び固定パラメータの選択を支援する方法、特性を測定する方法、デバイス製造方法、分光計及びリソグラフィ装置
TWI536010B (zh) 評估結構的注意參數值重建品質之方法,檢測裝置及電腦程式產品
TWI583917B (zh) 檢測方法及裝置、用於其中的基板及元件製造方法
US8227265B2 (en) Method of measuring pattern shape, method of manufacturing semiconductor device, and process control system
JP4940122B2 (ja) ハードディスクメディア上のパターンの検査方法及び検査装置
JP6655601B2 (ja) 放射をスペクトル的に拡大するための方法及び装置
JP4875685B2 (ja) ターゲットパターンのパラメータを割り出す方法、ライブラリを生成する方法、検査装置、リソグラフィ装置、リソグラフィセル、及びコンピュータプログラム
JP2018152552A (ja) 複雑な構造の測定システム及び方法
NL2016614A (en) Metrology method and apparatus, computer program and lithographic system.
JP5376103B2 (ja) 微細構造物の構造推定方法、構造推定装置及び成形金型の製造方法
KR101573116B1 (ko) 측정 장치, 임프린트 시스템, 측정 방법 및 디바이스 제조 방법
JP7324782B2 (ja) 格子形成をモニタリングするためのシステム
Bosch-Charpenay et al. Real-time etch-depth measurements of MEMS devices
CN111458985B (zh) 一种光刻中颗粒类污染的测量方法
JP5576135B2 (ja) パターン検査方法及びその装置
TW202127005A (zh) 量測基板之裝置及方法
JP5548151B2 (ja) パターン形状検査方法及びその装置
JP2012019111A (ja) 計測方法、インプリント装置及び物品の製造方法
TW202405371A (zh) 用於光學臨界尺寸量測的方法、用於光學臨界尺寸量測的系統以及非暫時性機器可存取儲存媒體
JP2013104751A (ja) 入射条件の決定方法、データベースの作成方法、パターンの凹部の厚さの計測方法、インプリント装置及び物品の製造方法
JP2012129313A (ja) 決定方法、インプリント装置及び物品の製造方法
TWI786360B (zh) 度量衡方法
Zhao et al. Experimental implementation and investigation of real-time metrology for exposure controlled projection lithography

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20090428

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20120110

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20120307

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20121206

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20130204

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20130828

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20130910

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5376103

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees