JP5376103B2 - 微細構造物の構造推定方法、構造推定装置及び成形金型の製造方法 - Google Patents
微細構造物の構造推定方法、構造推定装置及び成形金型の製造方法 Download PDFInfo
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Description
600nm<λ2<700nm (2)
700nm<λ3<850nm (3)
また、前記測定系の光源は赤外光源であってもよい。この場合、前記赤外光源は少なくとも2種類の波長の切り替えが可能であることが好ましい。
600nm<λ2<700nm (2)
700nm<λ3<850nm (3)
また、前記測定系の光源は赤外光源であってもよい。この場合、前記赤外光源は少なくとも2種類の波長の切り替えが可能であることが好ましい。
Tm=(Iy/I’y)×100 (2)
ただし、Te:TE波(図1参照)の実測透過率(%)
Tm:TM波(図1参照)の実測透過率(%)
ただし、nはシミュレーションの番号、kは重み付けの係数である。
5a〜5c 回転ステージ
6 偏光子
7 被測定物
8 検光子
9 ステージコントローラ
10 受光素子
12 パソコン(PC)
20 金型基材
21 凹部
30 レジストマスク
50 微細構造物の構造推定装置
H 構造高さ
L 構造幅
W 構造周期
a 光軸
Claims (23)
- 微細構造分布が未知の微細構造を有する被測定物の透過光量を検光子を介して測定系により測定するステップと、
前記測定結果を用いて位相差を演算する位相差演算ステップと、
前記演算された位相差データと予め計算されたシミュレーション結果のシミュレーションデータとの比較値に基づいて前記微細構造を推定する構造推定ステップと、
前記被測定物の微細構造の2次元分布を測定するステップと、を含み、
前記構造推定及び前記2次元分布測定に基づいて前記微細構造及びその2次元的な分布を非破壊的に推定することを特徴とする微細構造物の構造推定方法。 - TE波及びTM波の透過率を算出する透過率算出ステップを更に含み、前記算出された透過率データを前記微細構造の推定に用いる請求項1に記載の微細構造物の構造推定方法。
- 前記被測定物と前記測定系とを相対移動させて前記微細構造の2次元分布を測定する請求項1または2に記載の微細構造物の構造推定方法。
- 前記測定系の受光部に撮像素子を用いて前記微細構造の2次元分布を測定する請求項1,2または3に記載の微細構造物の構造推定方法。
- 前記微細構造はバイナリー構造である請求項1乃至4のいずれか1項に記載の微細構造物の構造推定方法。
- 前記測定系は、光源として可視光源を備え、少なくとも2種類の波長の切り替えが可能である請求項1乃至5のいずれか1項に記載の微細構造物の構造推定方法。
- 前記2種類の波長は、次式を満たす波長λ1、λ2、λ3のうちのいずれか2種類である請求項6に記載の微細構造物の構造推定方法。
350nm<λ1<550nm
600nm<λ2<700nm
700nm<λ3<850nm - 前記測定系の光源は赤外光源である請求項1乃至5のいずれか1項に記載の微細構造物の構造推定方法。
- 前記赤外光源は少なくとも2種類の波長の切り替えが可能である請求項8に記載の微細構造物の構造推定方法。
- 微細構造分布が未知の微細構造を有する被測定物の透過光量を検光子を介して測定可能な測定系と、
前記測定系による測定結果を用いて位相差を演算する位相差演算手段と、
前記演算された位相差データと予め計算されたシミュレーション結果のシミュレーションデータとの比較値に基づいて前記微細構造を推定する構造推定手段と、
前記被測定物の微細構造の2次元分布を測定するための測定手段と、を備え、
前記構造推定及び前記2次元分布測定に基づいて前記微細構造及びその2次元的な分布を非破壊的に推定することを特徴とする微細構造物の構造推定装置。 - TE波及びTM波の透過率を算出する透過率算出手段を備え、前記算出された透過率データを前記微細構造の推定に用いる請求項10に記載の微細構造物の構造推定装置。
- 前記微細構造の2次元分布を測定するために前記被測定物と前記測定系とを相対移動させるxyステージを備える請求項10または11に記載の微細構造物の構造推定装置。
- 前記微細構造の2次元分布を測定するために前記測定系の受光部に撮像素子を備える請求項10,11または12に記載の微細構造物の構造推定装置。
- 前記微細構造はバイナリー構造である請求項10乃至13のいずれか1項に記載の微細構造物の構造推定装置。
- 前記測定系は、光源として可視光源を備え、少なくとも2種類の波長の切り替えが可能である請求項10乃至14のいずれか1項に記載の微細構造物の構造推定装置。
- 前記2種類の波長は、次式を満たす波長λ1、λ2、λ3のうちのいずれか2種類である請求項15に記載の微細構造物の構造推定装置。
350nm<λ1<550nm
600nm<λ2<700nm
700nm<λ3<850nm - 前記測定系の光源は赤外光源である請求項10乃至14のいずれか1項に記載の微細構造物の構造推定装置。
- 前記赤外光源は少なくとも2種類の波長の切り替えが可能である請求項17に記載の微細構造物の構造推定装置。
- 金型基材の表面に対しエッチングを行うことで微細構造を有する成形金型を製造する方法であって、
前記エッチングの途中で前記金型基材について、請求項1乃至9のいずれか1項に記載の微細構造物の構造推定方法または請求項10乃至18のいずれか1項に記載の微細構造物の構造推定装置により、その微細構造を推定し、その推定結果に基づいて前記金型基材を更にエッチングすることを特徴とする成形金型の製造方法。 - 前記微細構造の推定結果に基づいてエッチングレートを求め、このエッチングレートに基づいて前記金型基材を更にエッチングする請求項19に記載の成形金型の製造方法。
- 金型基材の表面に対しエッチングを行うことで微細構造を有する成形金型を製造する方法であって、
前記エッチングした金型基材について、請求項1乃至9のいずれか1項に記載の微細構造物の構造推定方法または請求項10乃至18のいずれか1項に記載の微細構造物の構造推定装置により、その微細構造を推定し、その推定結果に基づいて前記金型基材の成形金型としての良否を判定することを特徴とする成形金型の製造方法。 - 前記金型基材は可視光を透過する材質からなる請求項19,20または21に記載の成形金型の製造方法。
- 前記金型基材はシリコン(Si)からなる請求項19,20または21に記載の成形金型の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006127636A JP5376103B2 (ja) | 2006-05-01 | 2006-05-01 | 微細構造物の構造推定方法、構造推定装置及び成形金型の製造方法 |
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Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
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JP2007298443A JP2007298443A (ja) | 2007-11-15 |
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ID=38768050
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Country Status (1)
Country | Link |
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JP (1) | JP5376103B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4835621B2 (ja) * | 2008-03-21 | 2011-12-14 | パルステック工業株式会社 | 格子構造の検査装置および格子構造の検査方法 |
CN109540797B (zh) * | 2018-12-21 | 2021-12-10 | 东华大学 | 纤维束排列均匀性和断裂形态的反射式测量装置与方法 |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2731074B1 (fr) * | 1995-02-27 | 1997-05-16 | Instruments Sa | Procede de mesure ellipsometrique, ellipsometre et dispositif de controle d'elaboration de couches les mettant en oeuvre |
JPH10332533A (ja) * | 1997-06-03 | 1998-12-18 | Unie Opt:Kk | 複屈折評価装置 |
JPH11142322A (ja) * | 1997-11-13 | 1999-05-28 | Ricoh Co Ltd | 複屈折測定装置及び複屈折測定方法 |
JPH11326190A (ja) * | 1998-03-19 | 1999-11-26 | Toray Ind Inc | リタ―デ―ション計測装置、複屈折計測装置および同装置を備えたプラスチックフイルムの製造方法 |
JP2000002652A (ja) * | 1998-06-18 | 2000-01-07 | Hitachi Ltd | 位相差測定方法およびそれを用いた光学部品の位相差測定装置 |
JP4281469B2 (ja) * | 2002-08-28 | 2009-06-17 | コニカミノルタホールディングス株式会社 | 電子ビーム描画方法、当該方法を用いる成型用金型の製造方法、製造された金型、該金型にて成形された光学素子 |
JP2004101235A (ja) * | 2002-09-05 | 2004-04-02 | Osaka Industrial Promotion Organization | 半導体の歪量を測定する装置及び方法、半導体の歪量分布を測定する装置及び方法、並びに半導体製造装置及び方法 |
JP2005221488A (ja) * | 2004-02-09 | 2005-08-18 | Japan Science & Technology Agency | 成分情報同定方法、成分情報同定装置、プログラム、及び記憶媒体 |
JP4817106B2 (ja) * | 2004-03-29 | 2011-11-16 | コニカミノルタホールディングス株式会社 | 成形方法及び成形装置の制御方法 |
-
2006
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JP2007298443A (ja) | 2007-11-15 |
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TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
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