JP5373182B2 - 液晶表示パネルおよび液晶表示装置 - Google Patents

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Description

本発明は、液晶表示パネルおよび液晶表示装置に関し、特には、1絵素を複数のドメインに分割させ、液晶分子を多方向に配向できる液晶表示パネルおよび液晶表示装置に関するものである。
近年、ブラウン管(CRT)に代わり急速に普及している液晶表示装置は、省エネ型、薄型、軽量型等の特徴を活かしテレビ、モニター、携帯電話等に幅広く利用されている。
特に、最近においては、駆動電源として限られた容量を有するバッテリーと、表示手段として液晶表示装置とを備えた、いわゆるモバイル機器が増加している。
これらのモバイル機器においては、限られた容量を有するバッテリーが駆動電源として用いられているため、モバイル機器の連続駆動時間をより長くするためには、液晶表示装置の消費電力の低減が、より一層重要視されるようになっている。
そこで、液晶表示装置に備えられた液晶表示パネルの開口率および透過率を上げ、その分、バックライトの光量を削減し、結果として液晶表示装置の低消費電力化を実現する技術が注目されている。
液晶表示装置において、従来から最も一般的に使用されて来たのが、正の誘電率異方性を有する液晶分子を用いるTN(Twisted Nematic)モード方式である。しかしながら、このTNモード方式の液晶表示装置のコントラストや色調などの画質は、上記液晶表示装置を正面方向から見た場合に比べて、上下左右の斜め方向から見た場合に、著しく劣るという問題がある。
すなわち、上記TNモード方式の液晶表示装置は、画質の視野角依存性が大きいため、正面方向以外からの観賞が想定される用途には不向きである。
このような画質の視野角依存性を改善した液晶表示装置としては、IPS(In−Plane Switching)モードの液晶表示装置、MVA(Multi−domain Vertical Alignment)モードの液晶表示装置などが知られている。
しかし、上記IPSモードの液晶表示装置においては、印加電圧に応じて基板面に平行な面内で液晶分子の向きが変化するので、画質の視野角依存性は大きく改善されるものの、TFT基板側において、絵素毎に上記液晶分子を基板面に平行な面内で制御するために設けられた二つの電極上には、液晶分子を制御することができない領域が存在し、実質的な開口率の低下を招いてしまうという問題がある。
一方、MVAモードの液晶表示装置においては、液晶層を挟持する一対の基板の少なくとも一方における上記液晶層と接する面には、配向分割手段として突起物や切欠き部を有する透明電極の何れか、または、これらの組み合わせが設けられており、これにより、各絵素内において、液晶分子が配向される方向がそれぞれ異なる領域を形成し、広視野角特性を実現している。
しかしながら、近年、液晶表示装置の高精細化が進み、一絵素サイズは縮小される傾向にあり、このような絵素には、さらに配向分割手段として突起物や切欠き部を有するようにパターニングされた透明電極が備えられているため、一絵素の有効開口率も小さくなる傾向にある。
各絵素内において、絵素のエッジ部やブラックマトリクス形成領域、コンタクトホール部などの段差部においては、液晶分子の配向乱れが生じ、特に、上述したような一絵素の有効開口率が小さい場合には、各絵素において、液晶分子の配向乱れが生じる領域の割合が大きくなる。
その結果、微小なパターンの仕上がりばらつき(製造ばらつき)による液晶分子の配向乱れの違いにより、各絵素毎に輝度の違いが生じ、ざらつきとして視認され、液晶表示装置の表示品位の低下を招いてしまう。
このようなざらつきによる表示品位の低下を抑制するためには、液晶分子の配向乱れが生じる領域における液晶分子の配向をより安定化できるようにパターニングされた透明電極を用いたり、ざらつき発生領域を遮光したりすることが考えられる。
例えば、特許文献1には、3個の多角形の透明電極部分を直列に接続した形状の絵素電極を備えた垂直配向方式の液晶表示装置について記載されている。
図12は、上記垂直配向方式の液晶表示装置における絵素電極の概略的な構成を示す図である。
図示されているように、絵素電極348は、3個の多角形の透明電極部分(以下、「サブ絵素電極348u」と呼ぶ。)を接続した形状を有しており、1つの絵素電極348は、対応するサブ絵素領域349内(ハッチングした領域内)に形成される。
なお、各サブ絵素電極348uは、液晶分子をサブ絵素電極348u上で略放射状に配向させるため、電極の外縁又は外周が中心点から略等距離にある多角形形状に形成されている。
また、絵素電極348は、図示されてないアクティブマトリクス基板に形成されたオーバーレイヤー上にマトリクス状に配列され、各絵素電極348は、R(赤)、G(緑)、B(青)の各色に対応し、上記アクティブマトリクス基板と対向するように配置された対向基板に略矩形形状に形成されたカラーフィルター205R・205G・205Bと対向するように配置されている。
図示されているように、絵素電極348は、TFD(Thin Film Diode)320と接続される配線、すなわち、接続部分348cを有しており、接続部分348cは、絵素電極348と同一の材料であるITO(Indium Tin Oxide)などで形成されている。
この接続部分348cは、サブ絵素領域349内における最も下側に位置するサブ絵素電極348uの外周辺からコンタクトホール346の位置まで延び出ている。同一列に属する絵素電極348は、対応するコンタクトホール346の位置において、TFD320を介して、1本のデータ線314に共通接続されている。
一方、同一行に属する絵素電極348は、それぞれ1本の走査線214(波線部分)と対向している。
すなわち、走査線214は、上記対向基板に設けられており、走査線214には、各サブ画素電極348uの略中心に対応する位置に開口214aが形成されており、上記アクティブマトリクス基板と上記対向基板との間に電圧が印加されると、開口214aとサブ画素電極348uとの相互作用により、その部分に斜め電界が生じ、液晶分子の傾倒方向が規定されるようになっている。
したがって、上記両基板間に印加する電圧の大きさに応じて上記液晶分子の配向状態を放射状に制御することができ、上記液晶分子が放射状に配向した領域を形成できる。
上記オーバーレイヤーは、平面視すると略円形をなす開口、すなわち、コンタクトホール346を有しており、絵素電極348の接続部分348cと、TFD320およびデータ線314とは、このコンタクトホール346を介して電気的に接続されている。
このようなオーバーレイヤー構造を有する垂直配向方式の液晶表示装置では、電圧無印加時の液晶の初期配向状態において、液晶分子は垂直方向に配向するが、コンタクトホールの上方に位置する液晶分子は、段差を有するコンタクトホールの傾斜面の影響を受けるため、その部分では液晶の配向乱れが生じることとなる。
したがって、例えば、コンタクトホール346を、絵素電極348の有効表示領域、すなわち、サブ絵素電極348uに対応する位置または、その付近に形成した場合には、コンタクトホール346の部分で生じる液晶分子の配向乱れによって、上記有効表示領域の液晶分子に影響を及ぼし、表示むらなどの画質問題を招いてしまう。
このような画質問題の発生を抑制するため、上記特許文献1の構成においては、図示されているように、コンタクトホール346を、サブ絵素領域349内における絵素電極348と重ならない位置であるとともに、絵素領域内、すなわち、サブ絵素領域349内において絵素電極348から最も離れた位置(サブ絵素領域349の角の位置)に形成している。
上記構成によれば、コンタクトホール346と、有効表示領域となるサブ絵素電極348uとの距離をできる限り離すことができるので、サブ絵素電極348uの位置に対応し、表示部分となる上記有効表示領域の液晶分子は、コンタクトホール346の部分にて生じる液晶分子の配向乱れの影響を受け難くなる。
したがって、上記有効表示領域における液晶分子の配向乱れの発生を抑制することができ、高品位な表示画像を表示できる液晶表示装置を実現することができると記載されている。
さらには、コンタクトホール346を絵素電極348とは、重ならない位置に形成しているので、開口率の低下を防止することができると記載されている。
日本国公開特許公報「特開2005−338762号公報(2005年12月8日公開)」
しかしながら、上記特許文献1に記載されている構成においては、図12に図示されているように、コンタクトホール346と有効表示領域となるサブ絵素電極348uとを距離的に離す必要がある構成となっており、有効表示領域となるサブ絵素電極348uの面積を大きく確保することは困難である。
また、コンタクトホールは、後工程を考慮し、順テーパー形状に形成されるのが一般的であり、このような場合、コンタクトホールは、順テーパー部分、すなわち、傾斜領域を有することとなる。
このような傾斜領域を含むコンタクトホールは、液晶分子の配向乱れの原因となるが、この配向乱れが生じた領域を視認されないように遮光する場合は、液晶表示パネルおよび液晶表示装置の開口率と透過率との低下を招いてしまう。
したがって、このような構成によっては、高開口率および高透過率を有する液晶表示パネルおよび液晶表示装置を実現するのは困難である。
本発明は、上記の問題点に鑑みてなされたものであり、高品位な表示ができるとともに、高開口率および高透過率を有する液晶表示パネルと、高品位な表示を行いながらも低消費電力で表示を行える液晶表示装置とを提供することを目的とする。
本発明の液晶表示パネルは、上記の課題を解決するために、第1の絶縁基板と、第2の絶縁基板と、上記第1の絶縁基板と上記第2の絶縁基板との間に挟持された負の誘電異方性を示す液晶層と、複数の絵素とを備えた液晶表示パネルであって、上記複数の絵素の各絵素において、同様に上記液晶層の液晶分子が複数の異なる方向に配向されるように、上記第1の絶縁基板および上記第2の絶縁基板の内の何れか一方の基板における上記液晶層と接する側の面には、配向分割手段として突起および/または、切欠き部を有する共通電極が形成されており、上記第1の絶縁基板および上記第2の絶縁基板の内の他方の基板における上記液晶層と接する側の面には、走査信号線と、データ信号線と、絵素電極とが形成されており、上記絵素電極には、切欠き部と、凸部とが備えられており、上記絵素電極は、上記絵素電極を制御するために備えられたアクティブ素子のドレイン電極と、絶縁層に形成された貫通孔を介して電気的に接続されており、上記他方の基板において、上記絵素電極は、上記絶縁層より上記液晶層側に形成されており、上記絵素電極の凸部の少なくとも一部は、平面視において、上記貫通孔と重なるように形成されていることを特徴としている。
上記貫通孔は、後工程を考慮し、順テーパー形状に形成されるのが一般的であり、このような場合、上記貫通孔は、段差部において傾斜領域を有することとなる。
このような傾斜領域を含む貫通孔は、液晶分子の配向乱れを引き起こす原因となる。
従来の構成においては、上記貫通孔の形成領域と有効表示領域となる絵素電極の形成領域とを距離的に離す必要がある構成または、有効表示領域となる絵素電極の略中央部に上記貫通孔を形成する構成が用いられていたため、有効表示領域を広く確保したり、上記貫通孔に起因して配向乱れが生じた液晶分子が、有効表示領域となる所定方向に配向された液晶分子に与える影響を小さくすることは困難であった。
上記貫通孔が形成されている領域においては、その傾斜領域形状に起因して、液晶分子の配向乱れが生じ、高精細な液晶表示パネルのように1絵素サイズが小さい場合などでは、その影響が無視できなくなっている。したがって、上記貫通孔の微小なパターンの仕上がりばらつきや製造工程に起因する傾斜領域形状の微小な差異による液晶分子の配向乱れの違いが、ざらつきなどの表示不具合を引き起こすこととなる。
また、上記貫通孔が形成されている領域、すなわち、液晶分子の配向乱れが生じている領域は、その周辺の液晶分子の配向にも影響を及ぼし、ざらつきなどの表示不具合は、さらに視認されやすくなる。
上記構成によれば、上記絵素電極の凸部の少なくとも一部は、平面視において、上記貫通孔と重なるように形成されている。
このような構成によれば、上記貫通孔に起因して配向乱れが生じた液晶分子が、有効表示領域となる所定方向に配向された液晶分子に与える影響を小さくすることができ、ざらつきなどの表示不具合を抑制することができる。
したがって、高品位な表示ができるとともに、高開口率および高透過率を有する液晶表示パネルを実現することができる。
なお、上記貫通孔とは、アクティブ素子のドレイン電極と絵素電極との実質的接触部のみならず、絶縁層の傾斜部の領域(上記傾斜領域)も含むものとする。
本発明の液晶表示装置は、上記の課題を解決するために、上記液晶表示パネルを備えていることを特徴としている。
上記構成によれば、ざらつきなどの表示品位の劣化を効果的に抑制しながらも高開口率および高透過率を確保できる液晶表示パネルを備えているため、高品位な表示を行いながらも、低消費電力である優れた液晶表示装置を実現できる。
本発明の液晶表示パネルは、以上のように、上記複数の絵素の各絵素において、同様に上記液晶層の液晶分子が複数の異なる方向に配向されるように、上記第1の絶縁基板および上記第2の絶縁基板の内の何れか一方の基板における上記液晶層と接する側の面には、配向分割手段として突起および/または、切欠き部を有する共通電極が形成されており、上記第1の絶縁基板および上記第2の絶縁基板の内の他方の基板における上記液晶層と接する側の面には、走査信号線と、データ信号線と、絵素電極とが形成されており、上記絵素電極には、切欠き部と、凸部とが備えられており、上記絵素電極は、上記絵素電極を制御するために備えられたアクティブ素子のドレイン電極と、絶縁層に形成された貫通孔を介して電気的に接続されており、上記他方の基板において、上記絵素電極は、上記絶縁層より上記液晶層側に形成されており、上記絵素電極の凸部の少なくとも一部は、平面視において、上記貫通孔と重なるように形成されている構成である。
本発明の液晶表示装置は、以上のように、上記液晶表示パネルを備えている構成である。
それゆえ、高品位な表示ができるとともに、高開口率および高透過率を有する液晶表示パネルを得ることができる。さらには、このような液晶表示パネルを備えた液晶表示装置は、バックライト輝度を低減させることができるため、低消費電力での表示を実現することができる。
本発明の一実施の形態の液晶表示装置のアレイ基板に備えられた絵素電極の概略的な形状を示す図である。 本発明の一実施の形態の液晶表示装置の概略構成を示す図である。 本発明の一実施の形態の液晶表示装置に備えられたアレイ基板の概略構成を示す図である。 絵素電極に凸部と上記凸部を配置できる凹部とが備えられてない従来のアレイ基板と、絵素電極に凸部と上記凸部を配置できる凹部とが備えられているアレイ基板との有効開口部面積率の差を説明するための図である。 本発明の他の実施の形態の液晶表示装置のアレイ基板に備えられた絵素電極の概略的な形状を示す図である。 本発明の他の実施の形態の液晶表示装置のアレイ基板に備えられた絵素電極の概略的な形状および対向基板の対向電極上に配向分割手段として設けられた突起部の模様を示す図である。 本発明のさらに他の実施の形態の液晶表示装置のアレイ基板に備えられた絵素電極の概略的な形状および対向基板の対向電極上に配向分割手段として設けられた突起部の模様を示す図である。 本発明の他の実施の形態の液晶表示装置のアレイ基板に備えられた絵素電極の概略的な形状および対向基板の対向電極上に形成されたフォトスペーサーの模様を示す図である。 本発明のさらに他の実施の形態の液晶表示装置のアレイ基板に備えられた絵素電極の概略的な形状および対向基板の対向電極上に配向分割手段として設けられた突起部の模様を示す図である。 本発明のさらに他の実施の形態の液晶表示装置のアレイ基板に備えられた絵素電極の概略的な形状および対向基板の対向電極上に配向分割手段として設けられた突起部の模様を示す図である。 本発明の他の実施の形態の液晶表示装置のアレイ基板に備えられた絵素電極の概略的な形状および対向基板に備えられたブラックマトリクスの模様を示す図である。 従来の垂直配向方式の液晶表示装置における絵素電極の概略的な構成を示す図である。
以下、図面に基づいて本発明の実施の形態について詳しく説明する。ただし、この実施の形態に記載されている構成部品の寸法、材質、形状、その相対配置などはあくまで一実施形態に過ぎず、これらによってこの発明の範囲が限定解釈されるべきではない。
〔実施の形態1〕
以下、図1〜図4に基づいて、本発明の第1の実施形態について説明する。
本実施の形態においては、1絵素領域を複数のドメインに分割したMVA(Multidomain Vertical Alignment)方式の液晶表示パネルを備えた液晶表示装置(以下、MVA型液晶表示装置と称する)について説明する。
なお、上記1絵素領域とは、TFT素子(アクティブ素子)に直接接続された絵素電極に相当する領域のみを指すものではなく、TFT素子または、TFT素子に接続された絵素電極と、結合容量を介して接続された副絵素電極の領域も含む。さらには、TFT素子に接続された絵素電極と副絵素電極を一体としてみた場合の領域も含む。
以下、図2に基づき、本発明のMVA型液晶表示パネル12を備えたMVA型液晶表示装置13の構成について説明する。
図2は、本発明の一実施の形態の液晶表示装置13の概略構成を示す図である。
図示されているように、液晶表示パネル12は、第1の基板(第1の絶縁基板)としてのアレイ基板1と、第2の基板(第2の絶縁基板)としての対向基板5との間に、誘電異方性が負の液晶材料からなる液晶層9を挟持した構成となっている。
アレイ基板1には、絶縁性基板としてのガラス基板2と、ガラス基板2上に形成された図示してないTFT素子と上記TFT素子と電気的に接続された配線とを含むTFT素子形成層と、上記TFT素子形成層上に形成された層間絶縁膜3(絶縁層)と、層間絶縁膜3に形成された図示してないコンタクトホールを介して、上記TFT素子のドレイン電極と電気的に接続された絵素電極4とが備えられ、さらに、絵素電極4の液晶層9と接する側の面には、図示してない垂直配向膜が形成された構造となっている。
絵素電極4は、凸部と切欠き部とを備えており、図2においては、上記切欠き部の一部4cを示している。なお、絵素電極4の凸部および切欠き部についての詳細は後述する。
一方、対向基板5には、絶縁性基板としてのガラス基板6と、ガラス基板6上に形成された対向電極7(共通電極)と、対向電極7上に形成された配向分割手段としての突起部8とが備えられ、さらに、対向電極7および突起部8の液晶層9と接する側の面には、図示してない垂直配向膜が形成された構造となっている。
また、アレイ基板1において、液晶層9と接する側の反対側の面には偏光板10が、対向基板5において、液晶層9と接する側の反対側の面には偏光板11が、それぞれ備えられている。
また、本実施の形態において、対向基板5には、配向分割手段として突起状構造物である突起部8を形成しているが、これに限定されることはなく、対向電極7を切開した切開部(切欠き部)を配向分割手段として用いることもできる。また、突起部8の断面形状は、図2に示す形状に限定されず、その断面形状は、例えば、三角形状または、台形状などであってもよい。
また、本実施の形態においては、突起部8は、可視光領域の透過率が高い感光性レジストを用いて所定形状に形成しているが、これに限定されることはない。
また、本実施の形態においては、アレイ基板1の各絵素毎に設けられた絵素電極4に対して、図示してない、例えば、赤色・緑色・青色のカラーフィルター層をガラス基板6と対向電極7との間に設けているが、これに限定されることはなく、上記カラーフィルター層をアレイ基板1側に設けたCOA(Color Filter On Array)構造としてもよい。
以下、図3に基づき、液晶表示装置13に備えられたアレイ基板1の構成について詳しく説明する。
図3は、本発明の一実施の形態の液晶表示装置13に備えられたアレイ基板1の概略構成を示す図である。
図示されているように、アレイ基板1には、各絵素PIXがマトリクス状に配された表示領域R1と、表示領域R1に画像表示を行うために必要とされる信号を供給するデータ信号線駆動回路19および走査信号線駆動回路20とが備えられている。
本実施の形態においては、液晶表示装置13における額縁領域を狭小化するため、表示領域R1の周辺領域に、データ信号線駆動回路19と走査信号線駆動回路20とを、表示領域R1の各絵素PIXに設けられたTFT素子16とモノリシックに形成しているが、これに限定されることはなく、大型液晶表示装置のように額縁領域の狭小化が比較的に重要視されない場合などにおいては、フレキシブルプリント基板などを介してデータ信号線駆動回路19と走査信号線駆動回路20とを外付けで設けてもよい。
また、TFT素子16の半導体層(図1の半導体層18)が非晶質半導体層である場合には、走査信号線駆動回路20のみをTFT素子16とモノリシックに形成することが好ましい。
アレイ基板1の表示領域R1には、図示されているように、複数のデータ信号線SL1・SL2・・・と複数の走査信号線GL1・GL2・・・とが設けられており、データ信号線SL1・SL2・・・と走査信号線GL1・GL2・・・との各交差部には、TFT素子16が設けられている。
データ信号線駆動回路19から入力された画像信号は、走査信号線駆動回路20から各走査信号線GL1・GL2・・・にハイレベルの走査信号が順次供給され、各走査信号線GL1・GL2・・・に接続されているTFT素子16がONとなった時に、データ信号線SL1・SL2・・・に接続されたTFT素子16のソース電極を介して、TFT素子16のドレイン電極に接続された絵素電極に供給されるようになっている。
なお、図3において、液晶容量CLは、TFT素子16のドレイン電極に接続された絵素電極と液晶層と対向電極とで構成される容量を示し、蓄積容量Csは、TFT素子16のドレイン電極に接続された蓄積容量対向電極と層間絶縁膜と蓄積容量配線に接続された蓄積容量電極とで構成される容量を示す。また、図3においては、走査信号線GL1・GL2・・・と平行に形成される複数の蓄積容量配線は、省略している。
また、本実施の形態においては、各絵素毎に蓄積容量Csを備えた構成としているが、これに限定されることはなく、蓄積容量Csは適宜省略することもできる。
以下、図1に基づいて、アレイ基板1に備えられた絵素電極4について詳細に説明する。
図1は、本実施の形態の液晶表示装置13のアレイ基板1に備えられた絵素電極4の概略的な形状を示す図である。
本実施の形態の液晶表示装置13においては、赤色絵素、緑色絵素および青色絵素の3個の絵素が1組となって、略正方形の1つの画素を形成し、上記3個の絵素それぞれは、図示されているように略長方形に形成されている。
上記各絵素毎に形成されている絵素電極4には、凸部4aと、凹部4bと、1絵素における蓄積容量配線CSn−2・CSn−1・CSn・・・が形成されている側の2隅が切り欠かれた切欠き部4cとが備えられている。
絵素電極4は、絵素電極4の凸部4aにおいて、層間絶縁膜に形成されたコンタクトホール17(貫通孔)を介してTFT素子16のドレイン電極と電気的に接続されている。すなわち、コンタクトホール17は、後述する蓄積容量対向電極15上に形成されている。
コンタクトホール17は、後工程を考慮し、順テーパー形状に形成されるのが一般的であり、このような場合、段差部において傾斜領域を有することとなる。
図1に示すコンタクトホール17は、TFT素子16のドレイン電極と絵素電極4との実質的接触部のみならず、層間絶縁膜の傾斜部の領域(上記傾斜領域)も含むものとする。
なお、本実施の形態において、コンタクトホール17の形状は、図1に図示されているように、平面視において長方形形状に形成しているが、これに限定されることはなく、例えば、楕円形状や円形状などで形成することもできる。
このようなコンタクトホール17が形成されている領域においては、その段差形状に起因して、液晶分子の配向乱れが生じ、高精細な液晶表示装置のように1絵素サイズが小さい場合などでは、その影響が無視できなくなっている。したがって、コンタクトホール17の微小なパターンの仕上がりばらつきによる液晶分子の配向乱れの違いが、ざらつきなどの表示不具合を引き起こす。
また、コンタクトホール17が形成されている領域、すなわち、液晶分子の配向乱れが生じている領域は、その周辺の液晶分子の配向にも影響を及ぼし、ざらつきなどの表示不具合は、さらに視認されやすくなる。
図示されているように、アレイ基板1においては、絵素電極4の凸部4aの少なくとも一部は、平面視において、コンタクトホール17と重なるように形成されている。
このような構成によれば、コンタクトホール17に起因して配向乱れが生じた液晶分子が、有効表示領域となる所定方向に配向された液晶分子に与える影響を小さくすることができ、ざらつきなどの表示不具合を抑制することができる。
なお、絵素電極4は、ITO(Indium Tin Oxide)やIZO(Indium Zinc Oxide)などの導電性材料で形成することができる。なお、絵素電極4のパターニングは、ITO膜または、IZO膜上に所定パターンを有するレジスト膜を形成し、上記レジスト膜をマスクとして、上記ITO膜または、上記IZO膜をエッチングすることにより、行うことができる。
以上のように、液晶表示装置13においては、絵素電極4の凸部4aの少なくとも一部は、平面視において、上記傾斜領域を含むコンタクトホール17と重なるように形成されている。
したがって、上記傾斜領域を含むコンタクトホール17において配向乱れが生じた液晶分子が、有効表示領域となる所定方向に配向された液晶分子に与える影響を小さくすることができ、ざらつきなどの表示不具合をさらに抑制することができる。
また、図示されているように、液晶表示装置13の絵素電極4には、対向基板5側に備えられた配向分割手段である突起部8の傾斜とほぼ同じになるように、絵素電極4を略三角形状に切り欠いて得られた凹部4bが備えられている。
なお、絵素電極4の凹部4bは、該凹部4bと最隣接絵素の絵素電極4の凸部4aを配置することができる(一部収容できる)形状に形成されている。
以上のように、絵素電極4の凹部4bは、配向分割手段であるとともに、該凹部4bと最隣接絵素の絵素電極4の凸部4aを配置することができるようになっている。
このような構成であるため、有効表示領域として用いることのできなかった絵素電極4の凹部4b部分を効率的に利用することができ、有効開口部面積率を高めることができるので、高開口率および高透過率を有する液晶表示装置13を実現することができる。
なお、従来構成と比較して有効開口部面積率が高くなる具体例については、後述する。
また、本実施の形態においては、絵素電極4の凸部4aおよび凹部4bは、何れも略三角形状に形成されているが、これに限定されることはなく、凹部4bに凸部4aを配置できる形状であれば特に限定されない。
さらに、本実施の形態においては、絵素電極4の凹部4bの少なくとも一部は、対向基板5側に備えられた配向分割手段である突起部8と、平面視において略平行に形成しているが、これに限定されることはなく、凹部4bに凸部4aを配置できる形状であれば特に限定されない。
なお、図1に示すように、本実施の形態においては、絵素電極4の凸部4aと、平面視において、重なるように形成されているコンタクトホール17は、後述する蓄積容量Cs形成部とも平面視において、重なるように形成されている。
蓄積容量Cs形成部は、走査信号線GLn−1・GLn・・・と同一層で形成されているとともに、蓄積容量配線CSn−2・CSn−1・CSn・・・に接続され、隣接する絵素の絵素電極4の凹部4bまで形成されている蓄積容量電極14と、図示されてない絶縁層と、データ信号線SLm−1・SLm・・・と同一層で形成されているとともに、TFT素子16のドレイン電極に接続され、蓄積容量電極14と対向し、上記絶縁層を挟むように形成された蓄積容量対向電極15とで構成されている。
上記構成によれば、液晶分子の配向乱れが生じるコンタクトホール17と、メタル層を備え光を透過させることができない蓄積容量Cs形成部とを、平面視において少なくとも一部が重なるように形成しているため、高開口率および高透過率を有する液晶表示装置13を実現することができる。
なお、走査信号線GLn−1・GLn・・・、蓄積容量配線CSn−2・CSn−1・CSn・・・、データ信号線SLm−1・SLm・・・、蓄積容量電極14、蓄積容量対向電極15は、Mo、Ta、W、Ti、Al、Cu、Cr、Ndなどから選ばれた元素、あるいは前記元素を主成分とする合金材料もしくは化合物材料を用いて形成することができるが、これらに限定されることはない。
また、図1に図示されているように、絵素電極4には、対向基板5側に備えられた配向分割手段である突起部8の傾斜とほぼ同じになるように、1絵素における蓄積容量配線CSn−2・CSn−1・CSn・・・が形成されている側の2隅が切り欠かれた切欠き部4cが備えられている。
したがって、この切欠き部4cは、配向分割手段として機能するようになっている。
また、図1に図示されているように、アレイ基板1において、走査信号線GLn−1・GLn・・・と、対向基板5側に備えられた配向分割手段である突起部8とは、平面視において一部重なるように形成されている。
さらに、絵素電極4は、該絵素電極4と電気的に接続されたTFT素子16に走査信号を供給する走査信号線GLn−1・GLn・・・とは、平面視において重ならず、隣接する他の走査信号線と重なるようになっている。
以上のように、本実施の形態においては、絵素電極4の切欠き部4cは、対向基板5側に備えられた配向分割手段である突起部8と、平面視において略平行に形成しているが、これに限定されることはない。
以下、図4に基づいて、従来構成と比較して有効開口部面積率が高くなる具体例について説明する。
図4は、絵素電極に凸部と上記凸部を配置できる凹部とが備えられてない従来のアレイ基板と、絵素電極に凸部と上記凸部を配置できる凹部とが備えられているアレイ基板との有効開口部面積率の差を説明するための図である。
図4の(a)は、従来のアレイ基板100に備えられた絵素電極104の概略的な形状を示す図であり、図4の(b)は、実施の形態4でその構成を詳細に説明する本発明の他の実施の形態の液晶表示装置のアレイ基板1bに備えられた絵素電極4の概略的な形状を示す図である。
図4の(a)に示す従来のアレイ基板100に備えられた絵素電極104には、絵素電極に凸部と上記凸部を配置できる凹部とが備えられてない。
したがって、コンタクトホール117の形成領域の周りにおいては、液晶分子の配向乱れが発生しやすい構造となっており、製造工程における微小な仕上がりのばらつきの差が、ざらつきとして視認されやすい構成となっている。
なお、従来のアレイ基板100に備えられた各絵素のサイズを縦幅63.5μm、横幅190.5μmとした場合、メタル部材などの光非透過部形成領域および配向分割手段の形成領域の面積を除いた部分の各絵素の面積と各絵素の全体面積との比を示す有効開口部面積率は、31.6%であるのに対し、図4の(a)の場合と各絵素のサイズが同じである図4の(b)に示すアレイ基板1bにおいては、絵素電極4に凸部4aと凸部4aを配置できる凹部4bとが備えられているため、上記有効開口部面積率は、34.9%となる。
すなわち、図4の(b)に示すアレイ基板1bに備えられた絵素電極4の形状を用いた場合、図4の(a)に示す従来の構成と比較して各絵素において、上記有効開口部面積率が3.3%増加し、1画素においては、略10%増加することとなる。
なお、図4の(a)における、絵素電極104の切欠き部104a・104b、突起部108、蓄積容量電極114、蓄積容量対向電極115、TFT素子116および半導体層118の各機能は、図1に示す各部材と同様であるため、その説明を省略する。
〔実施の形態2〕
次に、図5に基づいて、本発明の第2の実施形態について説明する。本実施の形態は、走査信号線GLn−1・GLn・・・上に、走査信号線GLn−1・GLn・・・の電界をシールドするシールド電極21が設けられている点において、実施の形態1とは異なっており、その他の構成については実施の形態1において説明したとおりである。説明の便宜上、上記の実施の形態1の図面に示した部材と同じ機能を有する部材については、同じ符号を付し、その説明を省略する。
図5は、本実施の形態の液晶表示装置のアレイ基板1aに備えられた絵素電極4の概略的な形状を示す図である。
図5においては、図1と同様に、絵素電極4の凸部4aは、隣接する絵素における絵素電極4の凹部4bに隣接して配置されている。
このような配置を有する高精細な液晶表示装置においては、配向分割手段である絵素電極4の凹部4bを配置する箇所は制限されており、図示されているように、走査信号線GLn−1・GLn・・・上に絵素電極4の凹部4bが形成され、走査信号線GLn−1・GLn・・・の一部が露出する場合がある。
このような構成においては、走査信号線GLn−1・GLn・・・近傍にシールド電極21を設けることが好ましい。
また、シールド電極21は、隣接絵素の絵素電極4または、データ信号線SLm−1・SLm・・・と同一層で形成されることが好ましい。
走査信号線GLn−1・GLn・・・近傍にシールド電極21が設けられてなく、走査信号線GLn−1・GLn・・・の一部が露出されている構成においては、電圧保持期間中(走査信号線GLn−1・GLn・・・にロウレベルの電位が印加されている期間中)に、該当箇所にて不純物イオンがトラップされ、トラップされた箇所が特異点となって液晶の配向不良が生じ、液晶表示装置の表示不良を招いてしまう。
以上のように、シールド電極21を備えた構成とすることにより、走査信号線GLn−1・GLn・・・の電界をシールドすることができるので、上述した液晶表示装置の表示不良を抑制することができる。
〔実施の形態3〕
次に、図6に基づいて、本発明の第3の実施形態について説明する。本実施の形態は、対向基板5の対向電極7上に配向分割手段として突起部8とともに、さらに他の突起部8a(第2の突起)が、アレイ基板1aに備えられたコンタクトホール17の上側領域(コンタクトホール17の端部)と平面視において重なるように設けられている点において、実施の形態2とは異なっており、その他の構成については実施の形態1および2において説明したとおりである。説明の便宜上、上記の実施の形態1および2の図面に示した部材と同じ機能を有する部材については、同じ符号を付し、その説明を省略する。
図6は、本実施の形態の液晶表示装置のアレイ基板1aに備えられた絵素電極4の概略的な形状および対向基板5の対向電極7上に配向分割手段として設けられた突起部8・8aの模様を示す図である。
図示されているように、アレイ基板1aに備えられたコンタクトホール17の上側領域、すなわち、アレイ基板1aに備えられたコンタクトホール17におけるシールド電極21側は、対向基板5の対向電極7上に配向分割手段として設けられた突起部8aと、平面視において重なるように設けられている。
以上のように、コンタクトホール17の上側領域、すなわち、アレイ基板1aに備えられたコンタクトホール17におけるシールド電極21側に、配向分割手段である突起部8aを配置することで、液晶分子の配向を対向基板5に備えられた配向分割手段である突起部8・8aに沿って連続的に並ぶように規制することができる。
したがって、コンタクトホール17周りの液晶分子の配向乱れを抑制することができ、アレイ基板1aおよび対向基板5の製造ばらつきなどによる液晶分子の配向乱れの差が生じるのを抑制することができる。よって、上記構成によれば、ざらつきなどの表示品位の劣化を効果的に抑制することができる液晶表示装置を実現することができる。
なお、対向基板5の対向電極7上に配向分割手段として設けられた突起部8aは、補助的なもので十分な効果が得られる。
また、本実施の形態においては、突起部8と突起部8aとは、可視光領域の透過率が高い感光性レジストを用いて所定形状に形成しているが、これに限定されることはない。
なお、本実施の形態においては、突起部8aを対向基板5側に設けているが、これに限定されることはなく、アレイ基板1a側に設けることもできる。
〔実施の形態4〕
次に、図7に基づいて、本発明の第4の実施形態について説明する。本実施の形態は、絵素電極4のV字型の凹部4bの先端に、補助配向分割手段4d(第2の切欠き部)が設けられている点において、実施の形態3とは異なっており、その他の構成については実施の形態1〜3において説明したとおりである。説明の便宜上、上記の実施の形態1〜3の図面に示した部材と同じ機能を有する部材については、同じ符号を付し、その説明を省略する。
図7は、本実施の形態の液晶表示装置のアレイ基板1bに備えられた絵素電極4の概略的な形状および対向基板5の対向電極7上に配向分割手段として設けられた突起部8・8aの模様を示す図である。
図示されているように、絵素電極4のV字型の凹部4bの先端には、補助配向分割手段4dが設けられており、この補助配向分割手段4dを設けることにより、走査信号線GLn−1・GLn・・・が一部露出されるため、このような場合においては、実施の形態2で説明したシールド電極21を走査信号線GLn−1・GLn・・・の一部露出箇所を覆うように設けることが好ましい。
上記構成によれば、補助配向分割手段4dが設けられた絵素電極4のV字型の凹部4bの先端近傍における液晶分子の配向規制力を向上させることができ、より効果的に液晶分子を配向させることができる。
したがって、ざらつきなどの表示品位の劣化を効果的に抑制することができる液晶表示装置を実現することができる。
〔実施の形態5〕
次に、図8に基づいて、本発明の第5の実施形態について説明する。本実施の形態は、アレイ基板1と対向基板5との間のセル厚を一定に保つ役割をする対向基板5側に設けられたフォトスペーサー22が、隣接する絵素間であり、隣接する2つの絵素電極4の切欠き部4cの中間領域に配置されるように設けられている点において、実施の形態1〜4とは異なっており、その他の構成については実施の形態1〜4において説明したとおりである。説明の便宜上、上記の実施の形態1〜4の図面に示した部材と同じ機能を有する部材については、同じ符号を付し、その説明を省略する。
図8は、本実施の形態の液晶表示装置のアレイ基板1aに備えられた絵素電極4の概略的な形状および対向基板5の対向電極7上に形成されたフォトスペーサー22の模様を示す図である。
本実施の形態においては、図示されているように、アレイ基板1と対向基板5との間のセル厚を一定に保つ役割をする対向基板5側に設けられたフォトスペーサー22は、隣接する絵素間であり、隣接する2つの絵素電極4の切欠き部4cの中間領域に配置されるように設けられているが、これに限定されず、絵素電極4の切欠き部4cに形成されていればよい。
フォトスペーサー22を設ける個数は、アレイ基板1と対向基板5との間のセル厚を一定に保つことができるのであれば、特に限定されないが、例えば、特定の色の隣接する絵素間に配置するなどしてもよい。
なお、本実施の形態においては、フォトスペーサー22は、可視光領域の透過率が高い感光性レジストを用いて所定形状に形成しているが、これに限定されることはない。
上記構成によれば、アレイ基板1aにおいて、絵素電極4のない平坦部にフォトスペーサー22を置くことができ、セル厚の保持精度を高めることができる。
また、通常、フォトスペーサー22の形成領域周辺では、液晶分子の配向乱れが生じやすいが、絵素電極4の切欠き部4cにフォトスペーサー22を配置することにより、所定方向に配向された液晶分子を有する有効表示領域への液晶分子の配向乱れの波及を抑制することができる。
したがって、ざらつきなどの表示品位の劣化を効果的に抑制することができる液晶表示装置を実現することができる。
〔実施の形態6〕
次に、図9に基づいて、本発明の第6の実施形態について説明する。本実施の形態は、各絵素が縦長形状に形成されている点において、実施の形態1〜5とは異なっており、その他の構成については実施の形態1〜5において説明したとおりである。説明の便宜上、上記の実施の形態1〜5の図面に示した部材と同じ機能を有する部材については、同じ符号を付し、その説明を省略する。
図9は、本実施の形態の液晶表示装置のアレイ基板1cに備えられた絵素電極4の概略的な形状および対向基板5の対向電極7上に配向分割手段として設けられた突起部8・8aの模様を示す図である。
図示されているように、上述した実施の形態1〜5においては、各絵素が横長形状(各絵素の長手方向が図中の左右方向)に形成されている場合について説明したが、本実施の形態の液晶表示装置のアレイ基板1cに備えられた各絵素は、縦長形状(各絵素の長手方向が図中の上下方向)に形成されている。
なお、本実施の形態においては、図示されているように、蓄積容量対向電極15を用いて、実施の形態2で上述したシールド電極21を形成している。
以上のように、各絵素が、縦長形状に形成されている場合においては、実施の形態2で上述したシールド電極21をデータ信号線SLm−1・SLm・・・や蓄積容量対向電極15を用いて容易に形成できる点以外においては、各絵素が縦長形状に形成されていても、各絵素が横長形状に形成されている場合と同様の効果を得ることができる。
〔実施の形態7〕
次に、図10に基づいて、本発明の第7の実施形態について説明する。本実施の形態は、対向基板5の対向電極7上に配向分割手段として設けられた突起部8b・8c・8dの数を増加させるともに、アレイ基板1dの絵素電極4には、配向分割手段として切開部4e・4fを設けた場合を示している点において、実施の形態1〜6とは異なっており、その他の構成については実施の形態1〜6において説明したとおりである。説明の便宜上、上記の実施の形態1〜6の図面に示した部材と同じ機能を有する部材については、同じ符号を付し、その説明を省略する。
図10は、本実施の形態の液晶表示装置のアレイ基板1dに備えられた絵素電極4の概略的な形状および対向基板5の対向電極7上に配向分割手段として設けられた突起部の模様を示す図である。
図示されているように、対向基板5の対向電極7上には、配向分割手段として突起部8b・8c・8dが形成されており、一方、絵素電極4には、突起部8b・8c・8dと同方向に延びる切開部4e・4fが形成されている。
以上のように、1絵素内において、配向分割手段の数を増加させた場合でも、絵素電極4の凸部4aを、コンタクトホール17と平面視において重なるように配置し、かつ隣接絵素の配向分割手段である絵素電極4の凹部4bと隣接させて配置することにより、ざらつきなどの表示品位の劣化を効果的に抑制することができる高品位な液晶表示装置を実現することができる。
また、図示されているように、対向基板5の対向電極7上に、配向分割手段としてさらに突起部8d(第2の突起)を、コンタクトホール17の周辺領域(コンタクトホール17の端部)に配置されるように設けることにより、コンタクトホール17の周辺領域における液晶分子の配向の乱れをさらに効果的に抑制することができる。
〔実施の形態8〕
次に、図11に基づいて、本発明の第8の実施形態について説明する。本実施の形態は、平面視において、絵素電極4の凸部4aと重なる対向基板5の少なくとも一部に、遮光体としてブラックマトリクス23が形成されている点において、実施の形態1〜7とは異なっており、その他の構成については実施の形態1〜7において説明したとおりである。説明の便宜上、上記の実施の形態1〜7の図面に示した部材と同じ機能を有する部材については、同じ符号を付し、その説明を省略する。
図11は、本実施の形態の液晶表示装置のアレイ基板1aに備えられた絵素電極4の概略的な形状および対向基板5に備えられたブラックマトリクス23の模様を示す図である。
ブラックマトリクス23は、平面視において、絵素電極4の凸部4aと重なる対向基板5の少なくとも一部に形成されることが好ましい。
本実施の形態においては、コンタクトホール17が形成されている領域における液晶分子の配向乱れ、光漏れ、反射光の光漏れをより効果的に遮光するとともに、隣接絵素の異なる色の混色を抑制するため、各絵素を取り囲むように、平面視において、絵素電極4の凸部4aと、TFT素子16の形成領域と、蓄積容量配線CSn−2・CSn−1・CSn・・・の形成領域と、データ信号線SLm−1・SLm・・・の形成領域と重なる対向基板5の領域にブラックマトリクス23を形成しているが、これに限定されることはない。
なお、本実施の形態においては、ブラックマトリクス23として、カーボンブラックを含む感光性樹脂を用いたが、これに限定されることはない。
本発明の液晶表示パネルにおいて、上記絵素電極には、一方の絵素電極に隣接する他方の絵素電極の凸部を少なくとも一部収容できるように、上記絵素電極の一部が切欠かれた凹部が備えられていることが好ましい。
上記構成によれば、上記絵素電極の凹部は、該凹部と最隣接絵素の絵素電極の凸部を配置することができる形状に形成されている。
このような構成であるため、有効表示領域として用いることのできなかった絵素電極の凹部部分を効率的に利用することができ、高開口率および高透過率を有する液晶表示パネルを実現することができる。
本発明の液晶表示パネルにおいて、上記絵素電極の凹部の少なくとも一部は、上記一方の基板における上記液晶層と接する側の面に、配向分割手段として形成された突起および/または、共通電極の切欠き部と、平面視において略平行に形成されていることが好ましい。
上記構成によれば、上記絵素電極の凹部は、該凹部と最隣接絵素の絵素電極の凸部を配置することができる形状に形成されているとともに、さらに、上記絵素電極の凹部の少なくとも一部は、配向分割手段として機能するようになっている。
このような構成であるため、有効表示領域として用いることのできなかった絵素電極の凹部部分をより効率的に利用することができ、貫通孔に起因する配向乱れの影響を抑制するとともに、高開口率および高透過率を有する液晶表示パネルを実現することができる。
本発明の液晶表示パネルにおいては、上記他方の基板における上記液晶層と接する側の面に備えられた配線は、シールド電極より上記基板側に形成されており、上記絵素電極の凹部において、上記配線の一部が露出されている箇所の少なくとも一部は、平面視において、上記シールド電極と重なるように形成されていることが好ましい。
上記アクティブ素子を制御するための配線の一部が露出されている箇所において、上記シールド電極が設けられてない場合には、当該配線の電位変化の影響を受けて液晶の配向が乱されたり、当該箇所にて不純物イオンがトラップされ、トラップされた箇所が特異点となって液晶の配向不良が生じるなどして、液晶表示パネルの表示不良を招いてしまう。
したがって、上記シールド電極を備えた構成とすることにより、上記配線の電界をシールドすることができるので、上述した液晶表示パネルの表示不良を抑制することができる。
本発明の液晶表示パネルにおいて、上記絵素電極の凹部には、上記凹部の一部が切欠かれた配向分割手段として第2の切欠き部が形成されていることが好ましい。
上記構成によれば、上記第2の切欠き部が設けられた絵素電極の凹部において、液晶分子の配向規制力を向上させることができ、より効果的に液晶分子を配向させることができる。
したがって、ざらつきなどの表示品位の劣化を効果的に抑制することができる液晶表示パネルを実現することができる。
本発明の液晶表示パネルにおいて、上記絵素電極の凸部の少なくとも一部は、平面視において、上記アクティブ素子のドレイン電極に接続された蓄積容量対向電極と絶縁層と蓄積容量配線に接続された蓄積容量電極とで構成される蓄積容量の形成領域と重なるように形成されていることが好ましい。
上記構成によれば、上記絵素電極の凸部の少なくとも一部が、メタル層などを備え、光を透過させることができない蓄積容量の形成領域と、平面視において少なくとも一部が重なるように形成しているため、高開口率および高透過率を有する液晶表示パネルを実現することができる。
本発明の液晶表示パネルにおいて、一部が露出された上記配線は、上記走査信号線であり、上記シールド電極は、上記絵素電極または、上記データ信号線と同一層によって形成されていることが好ましい。
上記走査信号線が露出されている箇所において、上記シールド電極が設けられてない場合には、上記走査信号線にロウレベルの電位が印加されている期間中に、該当箇所にて不純物イオンがトラップされ、トラップされた箇所が特異点となって液晶の配向不良が生じ、液晶表示パネルの表示不良を招いてしまう。
上記構成によれば、上記シールド電極を容易に形成することができるとともに、上述した液晶表示パネルの表示不良を抑制することができる。
本発明の液晶表示パネルにおいて、上記第1の絶縁基板および上記第2の絶縁基板の何れか一方の基板における上記液晶層と接する側の面には、第2の突起が、上記貫通孔の端部の少なくとも一部と、平面視において重なるように形成されていることが好ましい。
上記構成によれば、上記貫通孔周りの液晶分子の配向乱れを抑制することができ、製造ばらつきなどによる液晶分子の配向乱れの差が生じるのを抑制することができる。したがって、ざらつきなどの表示品位の劣化を効果的に抑制することができる液晶表示パネルを実現することができる。
本発明の液晶表示パネルにおいて、上記液晶層の厚さを保持するためのフォトスペーサーは、上記絵素電極の切欠き部に形成されていることが好ましい。
上記構成によれば、上記絵素電極のない平坦部に上記フォトスペーサーを置くことができ、上記液晶層の厚さの保持精度を高めることができる。
また、通常フォトスペーサーの周辺領域では液晶分子の配向乱れが生じやすいが、上記絵素電極の切欠き部にフォトスペーサーを配置することにより、所定方向に配向された液晶分子を有する有効表示領域への液晶分子の配向乱れの波及を抑制することができる。
したがって、ざらつきなどの表示品位の劣化を効果的に抑制することができる液晶表示パネルを実現することができる。
本発明の液晶表示パネルは、平面視において、上記絵素電極の凸部における上記貫通孔と重なる上記第1の絶縁基板および上記第2の絶縁基板の何れか一方の基板における上記液晶層と接する側の面には、少なくとも一部遮光層が形成されていることが好ましい。
上記構成によれば、平面視において、上記絵素電極の凸部における上記貫通孔と重なる上記第1の絶縁基板および上記第2の絶縁基板の何れか一方の基板における上記液晶層と接する側の面には、少なくとも一部遮光層が形成されているため、上記貫通孔が形成されている領域における液晶分子の配向乱れ、光漏れ、反射光の光漏れをより効果的に遮光することができる。
本発明は上記した各実施の形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能であり、異なる実施の形態にそれぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施の形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。
本発明は、MVA型の液晶表示装置の表示品位向上、実装コスト削減を図る技術として有効であり、特に車載、フォトフレーム、IA(Industrial Appliance)、PC(Personal Computer)などのモバイル中型クラスの製品に搭載される液晶表示装置に特に有用である。
1、1a、1b、1c、1d アレイ基板
2 ガラス基板(第1の絶縁基板)
3 層間絶縁膜(絶縁層)
4 絵素電極
4a 凸部
4b 凹部
4c 切欠き部
4d 補助配向分割手段(第2の切欠き部)
5 対向基板
6 ガラス基板(第2の絶縁基板)
7 対向電極(共通電極)
8 突起部(突起)
8a・8d 突起部(第2の突起)
9 液晶層
12 液晶表示パネル
13 液晶表示装置
14 蓄積容量電極
15 蓄積容量対向電極
16 TFT素子(アクティブ素子)
17 コンタクトホール(貫通孔)
18 半導体層
21 シールド電極
22 フォトスペーサー
23 ブラックマトリクス(遮光層)
SLm データ信号線
GLn 走査信号線
PIX 絵素
CS 蓄積容量
R1 表示領域

Claims (11)

  1. 第1の絶縁基板と、
    第2の絶縁基板と、
    上記第1の絶縁基板と上記第2の絶縁基板との間に挟持された負の誘電異方性を示す液晶層と、
    複数の絵素とを備えた液晶表示パネルであって、
    上記複数の絵素の各絵素において、同様に上記液晶層の液晶分子が複数の異なる方向に配向されるように、
    上記第1の絶縁基板および上記第2の絶縁基板の内の何れか一方の基板における上記液晶層と接する側の面には、配向分割手段として突起および/または、切欠き部を有する共通電極が形成されており、
    上記第1の絶縁基板および上記第2の絶縁基板の内の他方の基板における上記液晶層と接する側の面には、走査信号線と、データ信号線と、絵素電極とが形成されており、
    上記絵素電極には、切欠き部と、凸部とが備えられており、
    上記絵素電極は、上記絵素電極を制御するために備えられたアクティブ素子のドレイン電極と、絶縁層に形成された貫通孔を介して電気的に接続されており、
    上記他方の基板において、上記絵素電極は、上記絶縁層より上記液晶層側に形成されており、
    上記絵素電極の凸部の少なくとも一部は、平面視において、上記貫通孔と重なるように形成されていることを特徴とする液晶表示パネル。
  2. 上記絵素電極には、一方の絵素電極に隣接する他方の絵素電極の凸部を少なくとも一部収容できるように、上記絵素電極の一部が切欠かれた凹部が備えられていることを特徴とする請求項1に記載の液晶表示パネル。
  3. 上記絵素電極の凹部の少なくとも一部は、上記一方の基板における上記液晶層と接する側の面に、配向分割手段として形成された突起および/または、共通電極の切欠き部と、平面視において略平行に形成されていることを特徴とする請求項2に記載の液晶表示パネル。
  4. 上記他方の基板における上記液晶層と接する側の面に備えられた配線は、シールド電極より上記基板側に形成されており、
    上記絵素電極の凹部において、上記配線の一部が露出されている箇所の少なくとも一部は、平面視において、上記シールド電極と重なるように形成されていることを特徴とする請求項2または3に記載の液晶表示パネル。
  5. 上記絵素電極の凹部には、上記凹部の一部が切欠かれた配向分割手段として第2の切欠き部が形成されていることを特徴とする請求項2から4の何れか1項に記載の液晶表示パネル。
  6. 上記絵素電極の凸部の少なくとも一部は、平面視において、上記アクティブ素子のドレイン電極に接続された蓄積容量対向電極と絶縁層と蓄積容量配線に接続された蓄積容量電極とで構成される蓄積容量の形成領域と重なるように形成されていることを特徴とする請求項1から5の何れか1項に記載の液晶表示パネル。
  7. 一部が露出された上記配線は、上記走査信号線であり、
    上記シールド電極は、上記絵素電極または、上記データ信号線と同一層によって形成されていることを特徴とする請求項4に記載の液晶表示パネル。
  8. 上記第1の絶縁基板および上記第2の絶縁基板の何れか一方の基板における上記液晶層と接する側の面には、
    第2の突起が、上記貫通孔の端部の少なくとも一部と、平面視において重なるように形成されていることを特徴とする請求項1から7の何れか1項に記載の液晶表示パネル。
  9. 上記液晶層の厚さを保持するためのフォトスペーサーは、
    上記絵素電極の切欠き部に形成されていることを特徴とする請求項1から8の何れか1項に記載の液晶表示パネル。
  10. 平面視において、上記絵素電極の凸部における上記貫通孔と重なる上記第1の絶縁基板および上記第2の絶縁基板の何れか一方の基板における上記液晶層と接する側の面には、少なくとも一部遮光層が形成されていることを特徴とする請求項1から9の何れか1項に記載の液晶表示パネル。
  11. 請求項1から10に記載の液晶表示パネルを備えていることを特徴とする液晶表示装置。
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