JP5367779B2 - ステージ装置、リソグラフィ装置及びオブジェクトテーブルの位置決め方法 - Google Patents
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Description
1.ステップモードにおいては、パターニングデバイス支持体(例えばマスクテーブル)MT又は「マスク支持体」及び基板テーブルWT又は「基板支持体」は、基本的に静止状態に維持される一方、放射ビームに与えたパターン全体が1回でターゲット部分Cに投影される(すなわち単一静的露光)。次に、別のターゲット部分Cを露光できるように、基板テーブルWT又は「基板支持体」がX方向及び/又はY方向に移動される。ステップモードでは、露光フィールドの最大サイズによって、単一静的露光で像が形成されるターゲット部分Cのサイズが制限される。
2.スキャンモードにおいては、パターニングデバイス支持体(例えばマスクテーブル)MT又は「マスク支持体」及び基板テーブルWT又は「基板支持体」は同期的にスキャンされる一方、放射ビームに与えられるパターンがターゲット部分Cに投影される(すなわち単一動的露光)。パターニングデバイス支持体(例えばマスクテーブル)MT又は「マスク支持体」に対する基板テーブルWT又は「基板支持体」の速度及び方向は、投影システムPSの拡大(縮小)及び像反転特性によって求めることができる。スキャンモードでは、露光フィールドの最大サイズによって、単一動的露光におけるターゲット部分の(非スキャン方向における)幅が制限され、スキャン動作の長さによってターゲット部分の(スキャン方向における)高さが決まる。
3.別のモードでは、パターニングデバイス支持体(例えばマスクテーブル)MT又は「マスク支持体」はプログラマブルパターニングデバイスを保持して基本的に静止状態に維持され、基板テーブルWT又は「基板支持体」を移動又はスキャンさせながら、放射ビームに与えられたパターンをターゲット部分Cに投影する。このモードでは、一般にパルス状放射源を使用して、基板テーブルWT又は「基板支持体」を移動させる毎に、又はスキャン中に連続する放射パルスの間で、プログラマブルパターニングデバイスを必要に応じて更新する。この動作モードは、以上で言及したようなタイプのプログラマブルミラーアレイなどのプログラマブルパターニングデバイスを使用するマスクレスリソグラフィに容易に適用することができる。
Claims (12)
- 実質的に静止しているフレームに対してオブジェクトテーブルを位置決めするためのステージ装置であって、前記ステージ装置が、
オブジェクトテーブルと、
実質的に静止しているフレームに対して前記オブジェクトテーブルを位置決めするように構成された位置決めデバイスと、
前記オブジェクトテーブルの第1の位置依存信号を提供するように構成された測定システムであって、
前記オブジェクトテーブル上に取り付けられた第1の測定システム部品と、
前記実質的に静止しているフレーム上に取り付けられた第2の測定システム部品とを備え、使用時に、前記第1及び第2の測定システム部品が前記第1の位置依存信号を提供するために互いに協働する測定システムと、
前記位置決めデバイスを制御するために制御信号を生成するように構成されたコントローラと、
前記第2の測定システム部品を前記実質的に静止しているフレーム上に取り付けるように構成された取付けデバイスと、
前記実質的に静止しているフレームに対する前記第2の測定システム部品の位置を表す第2の位置依存信号を提供するように構成された位置センサと、
前記実質的に静止しているフレームに対する前記第2の測定システム部品の移動及び/又は変形を少なくとも部分的に補償するように構成された補償器と、
を備え、
前記コントローラが、その入力端末で前記第1及び第2の位置依存信号を受信するように構築及び配置され、前記制御信号が、前記第1及び第2の両方の位置依存信号に基づいており、
前記補償器が、前記第2の測定システム部品の移動及び/又は変形をダンピングするように構成されたダンパを備える、ステージ装置。 - 前記コントローラが、前記第1の位置依存信号を調整するために前記第2の位置依存信号を適用するように構築及び配置される、請求項1に記載のステージ装置。
- 前記測定システムがエンコーダタイプの測定システムであり、前記第2の測定システム部品がセンサ又はセンサアレイを備え、前記第1の測定システム部品が回折格子又はグリッドを備えるセンサターゲットオブジェクトを備える、請求項1又は2のいずれかに記載のステージ装置。
- 前記測定システムがエンコーダタイプの測定システムであり、前記第1の測定システム部品が少なくとも1つのセンサを備え、前記第2の測定システム部品が回折格子又はグリッドを備えるセンサターゲットオブジェクトを備える、請求項1又は2のいずれかに記載のステージ装置。
- 前記補償器が、前記センサターゲットオブジェクトの移動及び/又は変形をダンピングするように構成されたダンパを備える、請求項4に記載のステージ装置。
- 前記ダンパが、受動式ダンパ又は能動式ダンパである、請求項1から5のいずれか一項に記載のステージ装置。
- 前記補償器が、フィードバック位置制御システムを備える、請求項1から6のいずれか一項に記載のステージ装置。
- 前記補償器が、実質上前記センサターゲットオブジェクトの共振周波数領域内で補償するように構成されたダンパと、実質上前記共振周波数領域よりも低い周波数領域内で補償するように構成された位置コントローラとを備える、請求項5に記載のステージ装置。
- 前記位置センサが、前記第2の位置依存信号を提供するように構成された1つ又は複数の容量センサを備える、請求項1乃至請求項9のいずれか一項に記載のステージ装置。
- リソグラフィ装置であって、
放射ビームを調節するように構成された照明システムと、
パターニングデバイスを支持するように構築されたパターニングデバイス支持体であって、前記パターニングデバイスが、パターニングされた放射ビームを形成するために、放射ビームの断面にパターンを付与することができるパターニングデバイス支持体と、
基板を保持するように構築された基板テーブルと、
前記パターニングされた放射ビームを前記基板のターゲット部分上に投影するように構成された投影システムと、
前記投影システムが取り付けられる実質的に静止しているフレームに対して、前記基板テーブル又はパターニングデバイス支持体を位置決めするように構成された位置決めデバイスと、
前記基板テーブル又はパターニングデバイス支持体の第1の位置依存信号を提供するように構成された測定システムであって、
前記基板テーブル又はパターニングデバイス支持体上に取り付けられた第1の測定システム部品と、
前記実質的に静止しているフレーム上に取り付けられた第2の測定システム部品とを備え、使用時に、前記第1及び第2の部品が前記第1の位置依存信号を提供するために互いに協働する測定システムと、
前記位置決めデバイスを制御するために制御信号を生成するように構成されたコントローラと、
前記第2の部品を前記実質的に静止しているフレーム上に取り付けるように構成された取付けデバイスと、
前記実質的に静止しているフレームに対する前記第2の測定システム部品の位置を表す第2の位置依存信号を提供するように構成された位置センサと、
前記実質的に静止しているフレームに対する前記第2の測定システム部品の移動及び/又は変形を少なくとも部分的に補償するように構成された補償器と、
を備え、
前記コントローラが、その入力端末で前記第1及び第2の位置依存信号を受信するように構築及び配置され、前記制御信号が、前記第1及び第2の両方の位置依存信号に基づいており、
前記補償器が、前記第2の測定システム部品の移動及び/又は変形をダンピングするように構成されたダンパを備える、リソグラフィ装置。 - 前記測定システムが、エンコーダタイプの測定システムである、請求項10に記載のリソグラフィ装置。
- オブジェクトテーブルを位置決めするように構成された位置決めデバイスと、前記オブジェクトテーブルの第1の位置依存信号を提供するために互いに協働するように構成された第1の測定システム部品及び第2の測定システム部品を備える測定システムとを使用して実質的に静止しているフレームに対して前記オブジェクトテーブルを位置決めする方法であって、
前記実質的に静止しているフレーム上に取り付けられた前記第2の測定システム部品に対する前記オブジェクトテーブル上に取り付けられた前記第1の測定システム部品の位置を表す第1の位置依存信号を提供するステップと、
前記実質的に静止しているフレームに対する前記第2の測定システム部品の位置を表す第2の位置依存信号を提供するステップと、
前記位置決めデバイスを制御するために、コントローラの入力端末で前記第1及び第2の位置依存信号を提供するステップと、
前記コントローラによって前記位置決めデバイスを制御するための制御信号を提供するステップと、
を含み、
前記制御信号が、前記第1及び第2の両方の位置依存信号に基づいており、
前記実質的に静止しているフレームに対する前記第2の測定システム部品の移動及び/又は変形を少なくとも部分的に補償するステップをさらに含み、
前記補償するステップが、前記第2の測定システム部品の移動及び/又は変形をダンピングするステップを含む、方法。
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---|---|---|---|---|
NL2008679C2 (en) | 2011-04-22 | 2013-06-26 | Mapper Lithography Ip Bv | Position determination in a lithography system using a substrate having a partially reflective position mark. |
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JP5932023B2 (ja) * | 2011-05-13 | 2016-06-08 | マッパー・リソグラフィー・アイピー・ビー.ブイ. | ターゲットの少なくとも一部を処理するためのリソグラフィシステム |
WO2013113633A1 (en) * | 2012-01-30 | 2013-08-08 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus with a metrology system for measuring a position of a substrate table |
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JP6016432B2 (ja) * | 2012-04-20 | 2016-10-26 | キヤノン株式会社 | 位置決め装置、露光装置、デバイス製造方法 |
JP6016433B2 (ja) * | 2012-04-20 | 2016-10-26 | キヤノン株式会社 | 位置決め装置、露光装置、デバイス製造方法 |
US9435642B2 (en) | 2012-04-20 | 2016-09-06 | Canon Kabushiki Kaisha | Position measuring apparatus, pattern transfer apparatus, and method for manufacturing a device |
JP2015515758A (ja) * | 2012-04-26 | 2015-05-28 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 |
TWI468880B (zh) * | 2012-06-15 | 2015-01-11 | Asml Netherlands Bv | 定位系統、微影裝置及器件製造方法 |
JP2014143253A (ja) * | 2013-01-22 | 2014-08-07 | Canon Inc | 検出装置、計測装置、リソグラフィ装置、および物品の製造方法 |
JP6111718B2 (ja) * | 2013-02-14 | 2017-04-12 | 株式会社ニコン | 計測システム及び露光装置、並びにデバイス製造方法 |
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JP6422246B2 (ja) * | 2014-06-25 | 2018-11-14 | キヤノン株式会社 | 計測装置、リソグラフィ装置、および物品の製造方法 |
CN104074683A (zh) * | 2014-07-07 | 2014-10-01 | 国家电网公司 | 一种悬浮式垂直轴风力发电机组 |
JP6467065B2 (ja) * | 2015-03-23 | 2019-02-06 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 |
JP6885335B2 (ja) * | 2015-09-30 | 2021-06-16 | 株式会社ニコン | 移動体装置、露光装置、フラットパネルディスプレイの製造方法、及びデバイス製造方法、並びに物体の移動方法 |
US20200209757A1 (en) * | 2016-07-22 | 2020-07-02 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic Apparatus, Lithographic Projection Apparatus and Device Manufacturing Method |
CN107883887B (zh) * | 2016-09-30 | 2019-11-26 | 上海微电子装备(集团)股份有限公司 | 一种光学测量装置和方法 |
NL2019477A (en) * | 2016-10-04 | 2018-04-10 | Asml Netherlands Bv | Athermalization of an alignment system |
Family Cites Families (28)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5331369A (en) * | 1991-09-20 | 1994-07-19 | Hitachi, Ltd. | Method of forming patterns and apparatus for carrying out the same |
JP3221823B2 (ja) | 1995-11-24 | 2001-10-22 | キヤノン株式会社 | 投影露光装置およびこれを用いた露光方法ならびに半導体製造方法 |
JP4109747B2 (ja) * | 1998-05-07 | 2008-07-02 | キヤノン株式会社 | アクティブ除振装置および露光装置 |
US7561270B2 (en) * | 2000-08-24 | 2009-07-14 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, device manufacturing method and device manufactured thereby |
JP3961311B2 (ja) * | 2001-01-19 | 2007-08-22 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | リソグラフィ装置およびデバイスの製造方法 |
JP3919560B2 (ja) * | 2002-02-26 | 2007-05-30 | キヤノン株式会社 | 振動制御装置及び振動制御方法及び露光装置及びデバイスの製造方法 |
JP4458322B2 (ja) * | 2003-01-14 | 2010-04-28 | キヤノン株式会社 | 露光装置およびデバイス製造方法 |
US7126671B2 (en) * | 2003-04-04 | 2006-10-24 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
SG147288A1 (en) * | 2003-04-29 | 2008-11-28 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus, device manufacturing method and angular encoder |
US7388663B2 (en) | 2004-10-28 | 2008-06-17 | Asml Netherlands B.V. | Optical position assessment apparatus and method |
US7265813B2 (en) | 2004-12-28 | 2007-09-04 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
JP4410216B2 (ja) | 2005-05-24 | 2010-02-03 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | 2ステージ・リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 |
US7483120B2 (en) | 2006-05-09 | 2009-01-27 | Asml Netherlands B.V. | Displacement measurement system, lithographic apparatus, displacement measurement method and device manufacturing method |
US7538273B2 (en) * | 2006-08-08 | 2009-05-26 | Asml Netherlands B.V. | Cable connection to decrease the passing on of vibrations from a first object to a second object |
KR20180063382A (ko) | 2006-08-31 | 2018-06-11 | 가부시키가이샤 니콘 | 이동체 구동 방법 및 이동체 구동 시스템, 패턴 형성 방법 및 장치, 노광 방법 및 장치, 그리고 디바이스 제조 방법 |
US7903866B2 (en) * | 2007-03-29 | 2011-03-08 | Asml Netherlands B.V. | Measurement system, lithographic apparatus and method for measuring a position dependent signal of a movable object |
CN105487351A (zh) * | 2007-07-18 | 2016-04-13 | 株式会社尼康 | 曝光装置、曝光方法、及元件制造方法 |
DE102007049318B3 (de) | 2007-10-15 | 2009-05-07 | Carl Zeiss Sms Gmbh | Meßsystem und Meßverfahren |
NL1036474A1 (nl) * | 2008-02-08 | 2009-08-11 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and calibration method. |
NL1036618A1 (nl) | 2008-03-24 | 2009-09-25 | Asml Netherlands Bv | Encoder-type measurement system, lithograpic apparatus and method to detect an error on or in a grid or grating of an encoder-type measurement system. |
CN101246314B (zh) | 2008-03-25 | 2010-06-02 | 上海微电子装备有限公司 | 硅片对准信号的处理方法 |
JP5057235B2 (ja) | 2008-04-04 | 2012-10-24 | 株式会社ニコン | 較正方法、露光方法及びデバイス製造方法、並びに露光装置 |
JP5350139B2 (ja) * | 2008-10-01 | 2013-11-27 | キヤノン株式会社 | 露光装置、及びデバイスの製造方法 |
NL2003529A (en) | 2008-10-24 | 2010-04-27 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus, device manufacturing method and position control method. |
US8773635B2 (en) * | 2008-12-19 | 2014-07-08 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method |
JP2010245144A (ja) | 2009-04-02 | 2010-10-28 | Canon Inc | 露光装置、及びそれを用いたデバイスの製造方法 |
JP2010243413A (ja) | 2009-04-08 | 2010-10-28 | Canon Inc | 測定装置、露光装置及びデバイスの製造方法 |
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