JP5367421B2 - Method for forming adhesive layer and method for handling wafer - Google Patents

Method for forming adhesive layer and method for handling wafer Download PDF

Info

Publication number
JP5367421B2
JP5367421B2 JP2009062306A JP2009062306A JP5367421B2 JP 5367421 B2 JP5367421 B2 JP 5367421B2 JP 2009062306 A JP2009062306 A JP 2009062306A JP 2009062306 A JP2009062306 A JP 2009062306A JP 5367421 B2 JP5367421 B2 JP 5367421B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wafer
adhesive
adhesive layer
pressing member
pressing
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2009062306A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP2010219178A (en
Inventor
貴司 小野
岳彦 檜垣
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Disco Corp
Original Assignee
Disco Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Disco Corp filed Critical Disco Corp
Priority to JP2009062306A priority Critical patent/JP5367421B2/en
Publication of JP2010219178A publication Critical patent/JP2010219178A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP5367421B2 publication Critical patent/JP5367421B2/en
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Landscapes

  • Dicing (AREA)

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method of forming an adhesive layer which can form an adhesive layer efficiently on a rear surface of a wafer. <P>SOLUTION: The method of forming the adhesive layer on the rear surface of the wafer of which a front surface includes a plurality of lines for division in a lattice shape and in which devices are formed on a plurality of regions divided by the plurality of lines for division, includes an adhesive supply process for supplying a predetermined amount of adhesive on a rear surface side of the wafer, a pressing process for pressing the wafer and the adhesive and spreading the adhesive by a first pressing member arranged oppositely to the rear surface of the wafer and a second pressing member arranged oppositely to the front surface of the wafer after carrying out the adhesive supply process, and a curing process for curing the adhesive while the wafer is pressed by the first pressing member and second pressing member after carrying out the pressing process. <P>COPYRIGHT: (C)2010,JPO&amp;INPIT

Description

本発明は、ウエーハの裏面に接着剤層を形成する接着剤層の形成方法及び該接着剤層を利用したウエーハの取り扱い方法に関する。   The present invention relates to a method for forming an adhesive layer for forming an adhesive layer on the back surface of a wafer, and a method for handling a wafer using the adhesive layer.

半導体デバイスの製造プロセスにおいては、複数のＩＣやＬＳＩ等のデバイスが表面に形成された半導体ウエーハを個々のデバイスへと分割することで半導体デバイスが形成される。   In a semiconductor device manufacturing process, a semiconductor device is formed by dividing a semiconductor wafer having a plurality of devices such as ICs and LSIs formed on the surface thereof into individual devices.

分割された半導体デバイスは、金属製基板（リードフレーム）やテープ基板等にダイボンディング（接着）され、これらの金属性基板やテープ基板が分割されることで個々の半導体チップが製造される。こうして製造された半導体チップは、携帯電話やパソコン等の電子機器に広く使用されている。   The divided semiconductor devices are die-bonded (adhered) to a metal substrate (lead frame), a tape substrate, and the like, and individual semiconductor chips are manufactured by dividing these metallic substrates and tape substrates. The semiconductor chip thus manufactured is widely used in electronic devices such as mobile phones and personal computers.

半導体デバイスを基板上にダイボンディングするには、基板上の半導体デバイス搭載位置に半田やＡｕ−Ｓｉ共晶、樹脂ペースト等の接着剤を供給してその上に半導体デバイスを載置して接着する方法が用いられている。   In order to die-bond a semiconductor device on a substrate, an adhesive such as solder, Au-Si eutectic, resin paste or the like is supplied to the semiconductor device mounting position on the substrate, and the semiconductor device is mounted thereon and bonded. The method is used.

近年では、例えば特開平１１−２１９９６２号公報に開示されているように、予め半導体ウエーハの裏面にＤＡＦ（ダイアタッチフィルム）と称される接着フィルムを接着しておく方法が広く採用されている。   In recent years, for example, as disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 11-219962, a method in which an adhesive film called DAF (die attach film) is bonded in advance to the back surface of a semiconductor wafer has been widely adopted.

即ち、ダイアタッチフィルムが接着された半導体ウエーハを個々のデバイスへと分割することで、接着フィルムが裏面に装着された半導体デバイスを形成する。その後、半導体デバイス裏面のＤＡＦを介して基板上にダイボンディングすることで、使用する接着剤を最小限とし、また半導体デバイスの搭載エリアを最小にできるというメリットがある。   That is, by dividing the semiconductor wafer to which the die attach film is bonded into individual devices, a semiconductor device having the adhesive film mounted on the back surface is formed. Thereafter, die bonding is performed on the substrate via the DAF on the back surface of the semiconductor device, so that there is an advantage that the adhesive to be used can be minimized and the mounting area of the semiconductor device can be minimized.

特開２００５−３１７７１２号公報には、表面にデバイス保護用の保護テープが貼着され、裏面側を研削装置によって研削されて薄化された半導体ウエーハをロードし、ダイアタッチフィルムを裏面に貼り付け、ダイシングテープによって半導体ウエーハをフレームに固定した後、保護テープを剥離する工程までを自動で行うテープマウンタが開示されている。   In Japanese Patent Application Laid-Open No. 2005-317712, a protective tape for device protection is attached to the front surface, a thinned semiconductor wafer is loaded by grinding with a grinding device on the back surface, and a die attach film is attached to the back surface. A tape mounter that automatically performs a process from fixing a semiconductor wafer to a frame with a dicing tape and then peeling off the protective tape is disclosed.

一方、近年の電子機器に対する小型・軽量化の要望から、半導体チップも薄化が望まれている。半導体ウエーハの薄化とともにダイアタッチフィルムも薄化される必要があるが、薄化されたダイアタッチフィルムではウエーハに貼着する際等のハンドリングが難しくなる。   On the other hand, due to recent demands for smaller and lighter electronic devices, semiconductor chips are also desired to be thinner. Although the die attach film needs to be thinned along with the thinning of the semiconductor wafer, the thin die attach film is difficult to handle when it is attached to the wafer.

そこで、例えば特開平８−２３６５５４号公報に開示されているように、ダイアタッチフィルムの代わりに接着剤となるダイアタッチペーストを半導体ウエーハの裏面に塗布する方法が注目されている。この公開公報に開示された方法では、半導体ウエーハの裏面にスピンコート法を用いてダイアタッチペーストを塗布し、接着剤層を形成している。   Thus, for example, as disclosed in JP-A-8-236554, a method of applying a die attach paste as an adhesive on the back surface of a semiconductor wafer in place of a die attach film has attracted attention. In the method disclosed in this publication, a die attach paste is applied to the back surface of a semiconductor wafer by using a spin coating method to form an adhesive layer.

特開平１１−２１９９６２号公報Japanese Patent Laid-Open No. 11-219962 特開２００５−３１７７１２号公報JP 2005-317712 A 特開平８−２３６５５４号公報JP-A-8-236554

ところが、特許文献３に開示された方法のようにダイアタッチペーストをスピンコート法により供給すると、供給された接着剤の９０％以上が飛散して廃棄されてしまうので非常に不経済であるという問題がある。   However, when the die attach paste is supplied by spin coating as in the method disclosed in Patent Document 3, 90% or more of the supplied adhesive is scattered and discarded, which is very uneconomical. There is.

本発明はこのような点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、ウエーハの裏面に接着剤層を効率良く形成可能な接着剤層の形成方法を提供することである。   This invention is made | formed in view of such a point, The place made into the objective is providing the formation method of the adhesive bond layer which can form an adhesive bond layer efficiently on the back surface of a wafer.

請求項１記載の発明によると、表面に複数の分割予定ラインが格子状に形成されているとともに、該複数の分割予定ラインによって区画された複数の領域にそれぞれデバイスが形成されたウエーハの裏面に接着剤層を形成する方法であって、ウエーハの裏面側に所定量の接着剤を供給する接着剤供給工程と、該接着剤供給工程を実施した後、ウエーハの裏面に対向して配設された第１押圧部材と、ウエーハの表面に対向して配設された第２押圧部材とでウエーハと該接着剤とを押圧するとともに該接着剤を広げ延ばす押圧工程と、該押圧工程を実施した後、該第１押圧部材と該第２押圧部材とでウエーハを押圧した状態で該接着剤を硬化させ、ウエーハを分割して形成される複数のチップを基板へとマウントする際に用いられる該接着剤層を形成する硬化工程と、を具備したことを特徴とする接着剤層の形成方法が提供される。
According to the first aspect of the present invention, a plurality of planned division lines are formed in a lattice shape on the front surface, and devices are formed in a plurality of regions partitioned by the plurality of divided division lines, respectively. A method of forming an adhesive layer, wherein an adhesive supply step for supplying a predetermined amount of adhesive to the back side of the wafer, and after the adhesive supply step is performed, the adhesive layer is disposed to face the back side of the wafer. The pressing step of pressing the wafer and the adhesive with the first pressing member and the second pressing member disposed opposite to the surface of the wafer and spreading the adhesive, and the pressing step were performed. Thereafter, the adhesive is cured in a state where the wafer is pressed by the first pressing member and the second pressing member, and the plurality of chips formed by dividing the wafer are mounted on a substrate. Adhesive layer The method of forming the adhesive layer, characterized by comprising a curing step of forming, is provided.

請求項２記載の発明によると、請求項１記載の発明において、前記第１押圧部材は該分割予定ラインに対応して格子状に形成された複数の凸部を有しており、前記押圧工程では、該第１押圧部材の前記凸部の各々が複数の前記分割予定ラインにそれぞれ合致するようにウエーハと該第１押圧部材とを位置づけて、該第１押圧部材と該第２押圧部材とでウエーハを押圧し、その後、前記硬化工程を実施することで、該分割予定ラインによって区画される複数の領域のみに接着剤層を形成する接着剤層の形成方法が提供される。   According to a second aspect of the present invention, in the first aspect of the present invention, the first pressing member has a plurality of convex portions formed in a lattice shape corresponding to the scheduled division lines, and the pressing step Then, the wafer and the first pressing member are positioned so that each of the convex portions of the first pressing member respectively matches the plurality of division lines, and the first pressing member, the second pressing member, The method of forming the adhesive layer is provided in which the wafer is pressed and then the curing step is performed, so that the adhesive layer is formed only in a plurality of regions defined by the division lines.

請求項３記載の発明によると、請求項１又は２記載の発明において、前記接着剤は紫外線硬化性を有すると共に、前記第１押圧部材は紫外線に対して透過性を有しており、前記硬化工程では、該第１押圧部材を介して該接着剤に紫外線を照射して該接着剤を硬化させる接着剤層の形成方法が提供される。   According to a third aspect of the invention, in the first or second aspect of the invention, the adhesive has ultraviolet curable properties, and the first pressing member is transmissive to ultraviolet rays, and the cured In the step, there is provided a method for forming an adhesive layer in which the adhesive is cured by irradiating the adhesive with ultraviolet rays through the first pressing member.

請求項４記載の発明によると、請求項１〜３の何れかの記載の発明において、前記接着剤供給工程を実施する前に、ウエーハの裏面に研削又は研磨の少なくとも何れかを施す研削・研磨工程を更に具備した接着剤層の形成方法が提供される。   According to a fourth aspect of the present invention, in the invention according to any one of the first to third aspects, the grinding / polishing is performed such that at least one of grinding and polishing is performed on the back surface of the wafer before the adhesive supplying step is performed. A method for forming an adhesive layer further comprising the steps is provided.

請求項５記載の発明によると、請求項１〜４の何れかに記載の方法により形成された接着剤層を利用したウエーハの取り扱い方法であって、前記硬化工程を実施した後に、前記分割予定ラインに沿ってウエーハを該接着剤層とともに複数のチップに分割する分割工程と、該分割工程を実施した後、該チップを該接着剤層を介して基板へマウントするマウント工程と、を具備したウエーハの取り扱い方法が提供される。   According to the invention described in claim 5, a wafer handling method using the adhesive layer formed by the method according to any one of claims 1 to 4, wherein the division is scheduled after the curing step is performed. A dividing step of dividing the wafer into a plurality of chips along with the adhesive layer along a line; and a mounting step of mounting the chip on the substrate through the adhesive layer after the dividing step is performed. A method of handling a wafer is provided.

請求項１記載の発明によると、ウエーハの裏面に接着剤層を効率良く形成可能な接着剤層の形成方法が提供される。請求項２記載の発明によると、分割予定ライン上には接着剤層が形成されないため、接着剤層のダイシング時に発生するウィスカーと呼ばれるひげ状のばりの発生を防止することができる。   According to the first aspect of the present invention, there is provided a method for forming an adhesive layer capable of efficiently forming an adhesive layer on the back surface of a wafer. According to the second aspect of the present invention, since the adhesive layer is not formed on the planned dividing line, it is possible to prevent the occurrence of whiskers called whiskers that occur when the adhesive layer is diced.

本発明第１実施形態の接着剤層の形成方法及び該接着剤層を利用したウエーハの取り扱い方法を示すフローチャートである。It is a flowchart which shows the formation method of the adhesive bond layer of 1st Embodiment of this invention, and the handling method of the wafer using this adhesive bond layer. 本発明第２実施形態の接着剤層の形成方法及び該接着剤層を利用したウエーハの取り扱い方法を示すフローチャートである。It is a flowchart which shows the formation method of the adhesive layer of 2nd Embodiment of this invention, and the handling method of the wafer using this adhesive layer. 半導体ウエーハの表面側斜視図である。It is a surface side perspective view of a semiconductor wafer. 研削工程を示す斜視図である。It is a perspective view which shows a grinding process. 研磨工程を示す斜視図である。It is a perspective view which shows a grinding | polishing process. 接着剤供給工程の説明図である。It is explanatory drawing of an adhesive agent supply process. 押圧工程の説明図である。It is explanatory drawing of a press process. 押圧工程の他の実施形態の説明図である。It is explanatory drawing of other embodiment of a press process. 硬化工程の説明図である。It is explanatory drawing of a hardening process. 分割予定ラインに対応する領域に凸部を有する第１押圧部材を用いて押圧工程を行った後のウエーハの裏面側斜視図である。It is a back surface side perspective view of a wafer after performing a press process using the 1st press member which has a convex part in a field corresponding to a division line. ダイサーによる分割工程を示す一部断面図である。It is a partial cross section figure which shows the division | segmentation process by a dicer. レーザ加工装置による分割工程の説明図である。It is explanatory drawing of the division | segmentation process by a laser processing apparatus. エクスパンド工程を示す縦断面図である。It is a longitudinal cross-sectional view which shows an expanding process. ピックアップ工程を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows a pick-up process. ダイボンディング工程の説明図である。It is explanatory drawing of a die-bonding process.

以下、本発明の実施形態を図面を参照して詳細に説明する。図１のフローチャートは、本発明第１実施形態の接着剤層の形成方法及び該接着剤層を利用したウエーハの取り扱い方法の各工程を示しており、図２に示すフローチャートは本発明第２実施形態の接着剤層の形成方法及び該接着剤層を利用したウエーハの取り扱い方法の各工程を示している。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. The flowchart of FIG. 1 shows each step of the method for forming an adhesive layer and the method for handling a wafer using the adhesive layer according to the first embodiment of the present invention. The flowchart shown in FIG. 1 shows each step of a method for forming an adhesive layer in a form and a method for handling a wafer using the adhesive layer.

本発明の接着剤層の形成方法は、まず図１のステップＳ１０及び図２のステップＳ２０に示すように、ウエーハの裏面を研削又は研磨する研削・研磨工程を実施する。図３に示すように、半導体ウエーハ２の表面においては、第１分割予定ラインＳ１と第２分割予定ラインＳ２が直交して形成されており、第１分割予定ラインＳ１と第２分割予定ラインＳ２によって区画された複数の領域にそれぞれデバイスＤが形成されている。   In the method for forming an adhesive layer according to the present invention, first, as shown in step S10 in FIG. 1 and step S20 in FIG. 2, a grinding / polishing process for grinding or polishing the back surface of the wafer is performed. As shown in FIG. 3, on the surface of the semiconductor wafer 2, the first scheduled division line S1 and the second scheduled division line S2 are formed orthogonally, and the first scheduled division line S1 and the second scheduled division line S2 are formed. A device D is formed in each of a plurality of regions partitioned by.

研削工程では、図４に示すようにウエーハ２の表面に保護テープ４を貼着し、研削装置のチャックテーブル６によりウエーハ２の裏面２ｂ側を上に向けて保護テープ４側を吸引保持する。   In the grinding process, as shown in FIG. 4, the protective tape 4 is adhered to the surface of the wafer 2, and the protective tape 4 side is sucked and held by the chuck table 6 of the grinding device with the back surface 2b side of the wafer 2 facing up.

研削装置のスピンドル１０の先端部にはホイールマウント１２が固定されており、このホイールマウント１２には研削ホイール８がねじ１８で装着されている。研削ホイール８は、環状基台１４の自由端部に粒径０．３〜１．０μｍのダイアモンド砥粒をビトリファイドボンド等で固めた複数の研削砥石１６が固着されて構成されている。   A wheel mount 12 is fixed to the tip of the spindle 10 of the grinding apparatus, and a grinding wheel 8 is attached to the wheel mount 12 with screws 18. The grinding wheel 8 is configured by fixing a plurality of grinding wheels 16 in which diamond abrasive grains having a particle diameter of 0.3 to 1.0 μm are hardened by vitrified bond or the like to a free end portion of an annular base 14.

保護テープ４を下にしてチャックテーブル６に吸引保持されたウエーハ２が図４に示す研削位置に位置づけられると、チャックテーブル６を矢印ａ方向に例えば３００ｒｐｍで回転しつつ、研削ホイール８をチャックテーブル６と同一方向に、即ち矢印ｂ方向に例えば６０００ｒｐｍで回転させるとともに、図示しない研削ユニット送り機構を作動して研削砥石１６をウエーハ２の裏面２ｂに接触させる。   When the wafer 2 sucked and held by the chuck table 6 with the protective tape 4 down is positioned at the grinding position shown in FIG. 4, the grinding wheel 8 is moved to the chuck table while rotating the chuck table 6 in the direction of arrow a at, for example, 300 rpm. 6 is rotated at 6000 rpm, for example, in the direction of arrow b, and a grinding unit feed mechanism (not shown) is operated to bring the grinding wheel 16 into contact with the back surface 2b of the wafer 2.

そして、研削ホイール８を所定の研削送り速度（例えば３〜５μｍ／秒）で下方に所定量研削送りして、ウエーハ２の研削を実施する。図示しない接触式の厚み測定ゲージによってウエーハの厚みを測定しながらウエーハを所望の厚み、例えば７０μｍに仕上げる。   Then, the grinding wheel 8 is ground and fed downward by a predetermined amount at a predetermined grinding feed speed (for example, 3 to 5 μm / second), and the wafer 2 is ground. While measuring the thickness of the wafer with a contact-type thickness measurement gauge (not shown), the wafer is finished to a desired thickness, for example, 70 μm.

研磨工程では、図５に示すように環状基台１４の自由端部に研磨パッド２０が固着された研磨ホイール８Ａをねじ１８でホイールマウント１２に締結した研磨装置を使用する。研削工程と同様に、チャックテーブル６を矢印ａ方向に例えば３００ｒｐｍで回転しつつ、研磨ホイール８Ａを矢印ｂ方向に例えば６０００ｒｐｍで回転させながら、研磨ホイール８Ａを研磨送りしてウエーハ２の裏面２ｂを研磨する。   In the polishing process, as shown in FIG. 5, a polishing apparatus is used in which a polishing wheel 8 </ b> A having a polishing pad 20 fixed to the free end of the annular base 14 is fastened to the wheel mount 12 with screws 18. Similar to the grinding process, the polishing wheel 8A is polished and fed to rotate the back surface 2b of the wafer 2 while rotating the chuck wheel 6A in the direction of arrow a at 300 rpm, for example, and the polishing wheel 8A in the direction of arrow b at 6000 rpm, for example. Grind.

研削又は研磨工程を実施後、図１のステップＳ１１及び図２のステップＳ２１に示すように、ウエーハの裏面に所定量の接着剤を供給する接着剤供給工程を実施する。この接着剤供給工程は、図６に示すようにウエーハ２を第２押圧部材２２上に保持し、接着剤供給ノズル２４から液状の接着剤２６をウエーハ２の裏面２ｂ上に所定量供給する。   After performing the grinding or polishing process, as shown in step S11 in FIG. 1 and step S21 in FIG. 2, an adhesive supply process for supplying a predetermined amount of adhesive to the back surface of the wafer is performed. In this adhesive supply process, as shown in FIG. 6, the wafer 2 is held on the second pressing member 22, and a predetermined amount of liquid adhesive 26 is supplied from the adhesive supply nozzle 24 onto the back surface 2 b of the wafer 2.

この接着剤２６は、硬化させた後にＤＡＦ（ダイアタッチフィルム）として使用可能な紫外線硬化型接着剤が好ましい。例えば、Ｈｏｎｇｈｏｗ Ｓｐｅｃｉａｌｔｙ Ｃｈｅｍｉｃａｌｓ Ｉｎｃ．製の商品名「ＨＰ２０ＶＬ」又は「ＳＴ２０ＶＬ」を使用可能である。   The adhesive 26 is preferably an ultraviolet curable adhesive that can be used as a DAF (die attach film) after being cured. For example, Hong Kong Specialty Chemicals Inc. The product name “HP20VL” or “ST20VL” can be used.

この接着剤の粘度は１４００ｃＰであるが、本発明で使用可能なＤＡＦ用接着剤の粘度は１０００〜１５０００ｃＰである。ここで注意すべきは、現在一般的に使用されているＤＡＦは熱硬化型がほとんどであるという点である。   The viscosity of this adhesive is 1400 cP, but the viscosity of the DAF adhesive usable in the present invention is 1000 to 15000 cP. It should be noted here that most commonly used DAFs are thermosetting.

ウエーハ２上に紫外線硬化型接着剤２６を供給した後は、図１のステップＳ１２及び図２のステップＳ２２に示すように、接着剤２６を押圧する押圧工程を実施する。図１に示す第１実施形態のステップＳ１２の押圧工程では、まず図７（Ａ）に示すように、紫外線に対して透過性を有する第１押圧部材２８の下面に少量の接着剤２６ａを塗布しておく。これにより、第１押圧部材２８を第２押圧部材２２に近づけて接着剤２６と２６ａが接触する際点接触となり、気泡等の発生を防止できる。   After supplying the ultraviolet curable adhesive 26 onto the wafer 2, as shown in step S12 of FIG. 1 and step S22 of FIG. 2, a pressing process of pressing the adhesive 26 is performed. In the pressing step in step S12 of the first embodiment shown in FIG. 1, first, as shown in FIG. 7A, a small amount of adhesive 26a is applied to the lower surface of the first pressing member 28 that is permeable to ultraviolet rays. Keep it. Accordingly, when the first pressing member 28 is brought close to the second pressing member 22 and the adhesives 26 and 26a come into contact with each other, point contact is made, and generation of bubbles or the like can be prevented.

第１実施形態の押圧工程では、図７（Ｂ）に示すように、紫外線に対して透過性を有する第１押圧部材２８でウエーハ２上に供給された紫外線硬化型接着剤２６を押圧して、紫外線硬化型接着剤を広げ延ばして平坦化して紫外線硬化型接着剤層３０を形成する。第１押圧部材２８は、例えばガラス、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）等から形成されている。   In the pressing step of the first embodiment, as shown in FIG. 7B, the ultraviolet curable adhesive 26 supplied onto the wafer 2 is pressed by a first pressing member 28 that is permeable to ultraviolet rays. Then, the UV curable adhesive layer 30 is formed by spreading and flattening the UV curable adhesive. The first pressing member 28 is made of, for example, glass, PET (polyethylene terephthalate), or the like.

図２に示す第２実施形態のステップＳ２２の押圧工程は、図８に示すように、紫外線に対し透過性を有し、ウエーハ２の分割予定ラインＳ１，Ｓ２に対応する領域に格子状の凸部３４を有する第１押圧部材３２を使用する。   As shown in FIG. 8, the pressing process in step S22 of the second embodiment shown in FIG. 2 is transparent to ultraviolet rays, and has a grid-like protrusion in the region corresponding to the division lines S1 and S2 of the wafer 2. A first pressing member 32 having a portion 34 is used.

即ち、第１押圧部材３２の凸部３４とウエーハ２の分割予定ラインＳ１，Ｓ２とが合致するように第１押圧部材３２でウエーハ２の表面を押圧して、紫外線硬化型接着剤２６を広げ延ばして平坦化するとともに分割予定ラインＳ１，Ｓ２上の紫外線硬化型接着剤を排除して、紫外線硬化型接着剤層３０ａを形成する。   In other words, the surface of the wafer 2 is pressed by the first pressing member 32 so that the projection 34 of the first pressing member 32 and the division lines S1 and S2 of the wafer 2 coincide with each other, and the ultraviolet curable adhesive 26 is spread. The UV curable adhesive layer 30a is formed by extending and flattening and excluding the UV curable adhesive on the division lines S1 and S2.

本実施形態の第１押圧部材３２も、例えばガラス、ＰＥＴ等から形成されている。尚、押圧工程では、０．５〜４．０ｋＮの押圧力で押圧し、約５〜３０秒間保持する。好ましくは、１．０〜３．０ｋＮの押圧力で押圧し、２０〜３０秒程度保持する。   The 1st press member 32 of this embodiment is also formed from glass, PET, etc., for example. In the pressing step, pressing is performed with a pressing force of 0.5 to 4.0 kN, and the pressure is held for about 5 to 30 seconds. Preferably, it is pressed with a pressing force of 1.0 to 3.0 kN and held for about 20 to 30 seconds.

押圧工程を実施した後は、図１のステップＳ１３及び図２のステップＳ２３に示す紫外線硬化型接着剤層３０，３０ａを硬化させる硬化工程を実施する。図１に示す第１実施形態の硬化工程は、図９（Ａ）に示すように、第１押圧部材２８で紫外線硬化型接着剤層３０を介してウエーハ２の表面を押圧した状態で、紫外線照射源３６から第１押圧部材２８を介して紫外線硬化型接着剤層３０へ紫外線を照射して、紫外線硬化型接着剤層３０を硬化させる。   After performing the pressing process, a curing process for curing the ultraviolet curable adhesive layers 30 and 30a shown in step S13 in FIG. 1 and step S23 in FIG. 2 is performed. As shown in FIG. 9A, the curing process of the first embodiment shown in FIG. 1 is performed in a state where the surface of the wafer 2 is pressed by the first pressing member 28 via the ultraviolet curable adhesive layer 30. The ultraviolet curable adhesive layer 30 is irradiated from the irradiation source 36 through the first pressing member 28 to cure the ultraviolet curable adhesive layer 30.

図２に示す第２実施形態の硬化工程も第１実施形態と同様であり、図９（Ｂ）に示すように、第１押圧部材３２で紫外線硬化型接着剤層３０ａを介してウエーハ２の表面を押圧した状態で、紫外線照射源３６から第１押圧部材３２を介して紫外線硬化型接着剤層３０ａへ紫外線を照射して、紫外線硬化型接着剤層３０ａを硬化させる。   The curing process of the second embodiment shown in FIG. 2 is the same as that of the first embodiment. As shown in FIG. 9B, the first pressing member 32 of the wafer 2 passes through the ultraviolet curable adhesive layer 30a. While the surface is pressed, the UV curable adhesive layer 30a is cured by irradiating the UV curable adhesive layer 30a from the UV irradiation source 36 through the first pressing member 32.

図９（Ａ）に示す第１実施形態の硬化工程及び図９（Ｂ）に示す第２実施形態の硬化工程とも、紫外線硬化型接着剤層３０，３０ａを硬化させてから、第１押圧部材２８，３２を紫外線硬化型接着剤層３０，３０ａから離す際、第１押圧部材２８，３２に接着剤が残らないよう、第１押圧部材２８，３２をフッ素系樹脂（例えば、ＰＴＦＦ／ポリテトラフルオロエチレン）でコーティングするのが好ましい。   In both the curing step of the first embodiment shown in FIG. 9A and the curing step of the second embodiment shown in FIG. 9B, the first pressing member is made after the ultraviolet curable adhesive layers 30 and 30a are cured. When separating the first and second pressure members 28 and 32 from the ultraviolet curable adhesive layers 30 and 30a, the first pressure members 28 and 32 are made of a fluororesin (for example, PTFF / polytetra) so that no adhesive remains on the first pressure members 28 and 32. Coating with fluoroethylene) is preferred.

図１に示す第１実施形態のステップＳ１１〜ステップＳ１３は真空環境下で行うのが好ましく、同様に図２に示す第２実施形態のステップＳ２１〜ステップＳ２３も真空環境下で実施するのが好ましい。接着剤層硬化工程での紫外線の照射時間は５〜１８０秒、好ましくは１０〜６０秒間紫外線を照射する。   Steps S11 to S13 of the first embodiment shown in FIG. 1 are preferably performed in a vacuum environment. Similarly, steps S21 to S23 of the second embodiment shown in FIG. 2 are preferably performed in a vacuum environment. . The ultraviolet irradiation time in the adhesive layer curing step is 5 to 180 seconds, preferably 10 to 60 seconds.

図９（Ｂ）に示す第２実施形態の硬化工程実施後には、図１０に示すようにウエーハ２の裏面には分割予定ラインＳ１，Ｓ２に対応した格子状の溝３８を有する接着剤層３０ａが形成される。この接着剤層３０ａは、ＤＡＦ（ダイアタッチフィルム）として使用される。   After the curing process of the second embodiment shown in FIG. 9B, an adhesive layer 30a having lattice-like grooves 38 corresponding to the division lines S1 and S2 on the back surface of the wafer 2 as shown in FIG. Is formed. This adhesive layer 30a is used as a DAF (die attach film).

硬化工程が終了すると、図１に示す第１実施形態では、ステップＳ１４の分割工程を実施する。図２に示す第２実施形態でも、同様にステップＳ２４の分割工程を実施する。この分割工程は、ダイシング装置（切削装置）又はレーザ加工装置を使用して実施することができる。   When the curing process is finished, in the first embodiment shown in FIG. 1, the dividing process of step S14 is performed. In the second embodiment shown in FIG. 2 as well, the dividing step of step S24 is similarly performed. This dividing step can be performed using a dicing apparatus (cutting apparatus) or a laser processing apparatus.

ダイシング装置を使用して分割工程を実施する場合には、図１１に示すようにダイシング装置のチャックテーブル４０上に裏面に接着剤層３０ａが形成されたウエーハ２を吸引保持し、ダイシング装置の切削ブレード５６を高速回転（例えば３００００ｒｐｍ）させながらウエーハ２に切り込むことにより分割工程を実施する。   When the dicing process is performed using a dicing apparatus, the wafer 2 having the adhesive layer 30a formed on the back surface is sucked and held on the chuck table 40 of the dicing apparatus as shown in FIG. The dividing step is performed by cutting the wafer 56 into the wafer 2 while rotating the blade 56 at a high speed (for example, 30000 rpm).

図１１において、チャックテーブル４０はポーラスなセラミック等から形成された無数の吸引孔を備えた吸着チャック４４を備えており、この吸着チャック４４がチャックテーブル４０の吸引路４６及び支持基台４２の吸引路４８を介して図示しない真空吸引源に接続されることにより、ウエーハ２はチャックテーブル４０により吸引保持される。   In FIG. 11, the chuck table 40 includes a suction chuck 44 having an infinite number of suction holes formed of porous ceramic or the like, and the suction chuck 44 sucks the suction path 46 and the support base 42 of the chuck table 40. By being connected to a vacuum suction source (not shown) via the path 48, the wafer 2 is sucked and held by the chuck table 40.

裏面に接着剤層３０ａが形成されたウエーハ２は外周部が環状フレーム５２に装着されたダイシングテープ５０に貼着され、環状フレーム５２がクランプ５４によりクランプされてチャックテーブル４０の保持面（吸着チャック４４の表面）に対して下方に引き落とされる。   The wafer 2 having the adhesive layer 30a formed on the back surface is adhered to a dicing tape 50 having an outer peripheral portion attached to an annular frame 52, and the annular frame 52 is clamped by a clamp 54 to hold the chuck table 40 holding surface (adsorption chuck). 44 surface).

この分割工程の第１実施形態では、切削ブレード５６を矢印Ａ方向に高速回転（例えば３００００ｒｐｍ）させながらダイシングテープ５０に薄く切り込む位置まで下降させて、チャックテーブル４０を加工送り方向、即ち矢印Ｘ方向に移動させて、ダイシングテープ５０に薄く切り込みながらウエーハ２を位置合わせされた分割予定ラインに沿って切削する。   In the first embodiment of the dividing step, the chuck table 40 is lowered to a position where the cutting blade 56 is thinly cut into the dicing tape 50 while rotating at high speed (for example, 30000 rpm) in the direction of arrow A, and the chuck table 40 is moved in the processing feed direction, that is, in the direction of arrow X. The wafer 2 is cut along the aligned division planned lines while being thinly cut into the dicing tape 50.

メモリに記憶された分割予定ラインのピッチずつ切削ブレード５６をインデックス送りしながら切削を行うことにより、同方向の分割予定ラインＳ１が全て切削される。更に、チャックテーブル４０を９０度回転させてから、上記と同様の切削を行うと、分割予定ラインＳ２も全て切削され、ウエーハ２は個々のデバイスＤに分割される。   By performing cutting while indexing the cutting blade 56 by the pitch of the planned division line stored in the memory, all the planned division lines S1 in the same direction are cut. Further, when the chuck table 40 is rotated 90 degrees and then the same cutting is performed as above, all the division planned lines S2 are also cut, and the wafer 2 is divided into individual devices D.

分割工程の第２実施形態では、レーザ加工装置によりウエーハ２を個々のデバイスＤに分割する。このレーザ加工装置によるウエーハ２の分割では、図１２（Ａ）に示すように、レーザ加工装置のチャックテーブル５８によりウエーハ２の表面側を吸引保持してもよいし、或いは図１２（Ｂ）に示すように、ウエーハ２の裏面に形成された接着剤層３０ａ側をチャックテーブル５８により吸引保持するようにしてもよい。   In the second embodiment of the dividing step, the wafer 2 is divided into individual devices D by a laser processing apparatus. In the division of the wafer 2 by this laser processing apparatus, the surface side of the wafer 2 may be sucked and held by the chuck table 58 of the laser processing apparatus, as shown in FIG. 12A, or as shown in FIG. As shown, the adhesive layer 30 a side formed on the back surface of the wafer 2 may be sucked and held by the chuck table 58.

図１２（Ａ）に示す場合は、ウエーハ２の裏面に形成された接着剤層３０ａの溝３８が分割予定ラインＳ１，Ｓ２に対応しているため、レーザ加工装置のチャックテーブル５８をＸ方向に移動しながら、レーザヘッド６０からウエーハ２の裏面に形成された接着剤層３０ａの溝３８に沿ってウエーハ２に対して吸収性を有するレーザビームを照射して、ウエーハ２をハーフカット又はフルカットする。   In the case shown in FIG. 12A, since the groove 38 of the adhesive layer 30a formed on the back surface of the wafer 2 corresponds to the division lines S1 and S2, the chuck table 58 of the laser processing apparatus is moved in the X direction. While moving, the wafer 2 is irradiated with a laser beam having an absorptivity along the groove 38 of the adhesive layer 30a formed on the back surface of the wafer 2, so that the wafer 2 is half cut or full cut. To do.

図１２（Ｂ）に示す場合には、レーザヘッド６０からウエーハ２の分割予定ラインＳ１又はＳ２に沿ってウエーハ２に対して吸収性を有するレーザビームを照射して、ウエーハ２を分割予定ラインＳ１，Ｓ２に沿ってハーフカット又はフルカットする。   In the case shown in FIG. 12B, the laser beam is irradiated from the laser head 60 along the planned division line S1 or S2 of the wafer 2 to the wafer 2 so that the wafer 2 is divided. , Half cut or full cut along S2.

レーザ加工条件は例えば以下の通りである。   The laser processing conditions are as follows, for example.

光源：ＹＶＯ４レーザ又はＹＡＧレーザ
波長：３５５ｎｍ
出力：２．０Ｗ
繰り返し周波数：２００ｋＨｚ
パルス幅：３００ｎｓ
集光スポット径：φ１０μｍ
加工送り速度：６００ｍｍ／ｓ Light source: YVO4 laser or YAG laser
Wavelength: 355nm
Output: 2.0W
Repeat frequency: 200 kHz
Pulse width: 300ns
Condensing spot diameter: φ10μm
Processing feed rate: 600mm / s

図１１を参照して説明した分割工程が終了すると、図１３（Ａ）に示すように、ウエーハ２をダイシングテープ５０を介して支持した環状フレーム５２を、エクスパンド装置６１のフレーム保持部材６６の載置面６６ａ上に載置し、クランプ６８によって環状フレームを固定する。この時、フレーム保持部材６６はその載置面６６ａが拡張ドラム７０の上端と略同一高さとなる基準位置に位置づけられる。   When the dividing step described with reference to FIG. 11 is completed, the annular frame 52 supporting the wafer 2 via the dicing tape 50 is mounted on the frame holding member 66 of the expander 61 as shown in FIG. The annular frame is fixed by a clamp 68 placed on the mounting surface 66a. At this time, the frame holding member 66 is positioned at a reference position where the mounting surface 66 a is substantially the same height as the upper end of the expansion drum 70.

次いで、エアシリンダ７６を駆動してフレーム保持部材６６を下方に約１５ｍｍ程度移動して、図１３（Ｂ）に示す拡張位置に下降させる。これにより、フレーム保持部材６６の載置面６６ａ上に固定されている環状フレーム５２も下降するため、環状フレーム５２に装着されたダイシングテープ５０は拡張ドラム７０の上端辺に当接して主に半径方向に拡張される。   Next, the air cylinder 76 is driven and the frame holding member 66 is moved downward by about 15 mm and lowered to the extended position shown in FIG. Accordingly, the annular frame 52 fixed on the mounting surface 66a of the frame holding member 66 is also lowered, so that the dicing tape 50 attached to the annular frame 52 abuts on the upper end side of the expansion drum 70 and mainly has a radius. Expanded in the direction.

その結果、ダイシングテープ５０に貼着されているウエーハ２及び接着剤層３２ａには放射状に引張力が作用する。このように引張力が作用すると、接着剤層３０ａを介してダイシングテープ５０に貼着されている隣接するデバイスＤ間のギャップが拡大される。このように隣接するデバイスＤ間のギャップを拡大してから、各デバイスＤをダイシングテープ５０からピックアップするピックアップ工程を実施する。   As a result, a radial tensile force acts on the wafer 2 and the adhesive layer 32a adhered to the dicing tape 50. When the tensile force acts in this way, the gap between the adjacent devices D attached to the dicing tape 50 via the adhesive layer 30a is enlarged. Thus, after the gap between the adjacent devices D is enlarged, a pickup process of picking up each device D from the dicing tape 50 is performed.

このピックアップ工程では、図１４（Ａ）に示すように、ピッカー８２を有するピックアップ装置８０により裏面にＤＡＦとしての接着剤層３０ａを有するデバイスＤをダイシングテープ５０から剥離してピックアップする。即ち、裏面に接着剤層３０ａを有するデバイスＤは図１４（Ｂ）に示すように矢印Ａ方向にダイシングテープ５０から剥離され、ピックアップ装置８０によりピックアップされる。   In this pickup process, as shown in FIG. 14A, the pickup device 80 having the picker 82 separates and picks up the device D having the adhesive layer 30a as the DAF from the dicing tape 50 on the back surface. That is, the device D having the adhesive layer 30a on the back surface is peeled off from the dicing tape 50 in the direction of arrow A and picked up by the pickup device 80 as shown in FIG.

ダイシングテープ５０からデバイスＤを剥離してから、図１のステップＳ１５及び図２のステップＳ２５に示すマウント工程（実装工程）を実施する。このマウント工程においては、図１５の矢印Ｂに示すように半導体チップ（デバイス）Ｄを接着剤層３０ａを介して基板（リードフレーム）８４にマウントする。   After the device D is peeled from the dicing tape 50, the mounting process (mounting process) shown in step S15 in FIG. 1 and step S25 in FIG. 2 is performed. In this mounting step, the semiconductor chip (device) D is mounted on the substrate (lead frame) 84 via the adhesive layer 30a as shown by an arrow B in FIG.

２ 半導体ウエーハ
２２ 第２押圧部材
２４ 第１押圧部材
２６ 接着剤
２８，３２ 第１押圧部材
３０，３０ａ 接着剤層
３６ 紫外線照射源
５６ 切削ブレード
６０ レーザヘッド
６１ エクスパンド装置 2 Semiconductor wafer 22 Second pressing member 24 First pressing member 26 Adhesives 28, 32 First pressing members 30, 30a Adhesive layer 36 Ultraviolet irradiation source 56 Cutting blade 60 Laser head 61 Expanding device

Claims (5)

表面に複数の分割予定ラインが格子状に形成されているとともに、該複数の分割予定ラインによって区画された複数の領域にそれぞれデバイスが形成されたウエーハの裏面に接着剤層を形成する方法であって、
ウエーハの裏面側に所定量の接着剤を供給する接着剤供給工程と、
該接着剤供給工程を実施した後、ウエーハの裏面に対向して配設された第１押圧部材と、ウエーハの表面に対向して配設された第２押圧部材とでウエーハと該接着剤とを押圧するとともに該接着剤を広げ延ばす押圧工程と、
該押圧工程を実施した後、該第１押圧部材と該第２押圧部材とでウエーハを押圧した状態で該接着剤を硬化させ、ウエーハを分割して形成される複数のチップを基板へとマウントする際に用いられる該接着剤層を形成する硬化工程と、
を具備したことを特徴とする接着剤層の形成方法。 In this method, an adhesive layer is formed on the back surface of a wafer in which a plurality of division lines are formed in a lattice pattern on the surface and devices are formed in a plurality of regions partitioned by the plurality of division lines. And
An adhesive supply step of supplying a predetermined amount of adhesive to the back side of the wafer;
After carrying out the adhesive supplying step, the wafer and the adhesive are composed of a first pressing member disposed facing the back surface of the wafer and a second pressing member disposed facing the surface of the wafer. A pressing step of spreading and spreading the adhesive while pressing
After performing the pressing step, the adhesive is cured in a state where the wafer is pressed by the first pressing member and the second pressing member, and a plurality of chips formed by dividing the wafer are mounted on the substrate. A curing step for forming the adhesive layer used when
A method for forming an adhesive layer, comprising: 前記第１押圧部材は該分割予定ラインに対応して格子状に形成された複数の凸部を有しており、
前記押圧工程では、該第１押圧部材の前記凸部の各々が複数の前記分割予定ラインにそれぞれ合致するようにウエーハと該第１押圧部材とを位置づけて、該第１押圧部材と該第２押圧部材とでウエーハを押圧し、その後、前記硬化工程を実施することで、該分割予定ラインによって区画される複数の領域のみに接着剤層を形成する請求項１記載の接着剤層の形成方法。 The first pressing member has a plurality of convex portions formed in a lattice shape corresponding to the planned dividing line,
In the pressing step, the wafer and the first pressing member are positioned so that each of the convex portions of the first pressing member respectively matches the plurality of division lines, and the first pressing member and the second pressing member are positioned. 2. The method for forming an adhesive layer according to claim 1, wherein the adhesive layer is formed only in a plurality of regions partitioned by the division line by pressing the wafer with the pressing member and then performing the curing step. . 前記接着剤は紫外線硬化性を有すると共に、前記第１押圧部材は紫外線に対して透過性を有しており、
前記硬化工程では、該第１押圧部材を介して該接着剤に紫外線を照射して該接着剤を硬化させる請求項１又は２記載の接着剤層の形成方法。 The adhesive has ultraviolet curable properties, and the first pressing member is permeable to ultraviolet rays,
The method for forming an adhesive layer according to claim 1 or 2, wherein in the curing step, the adhesive is cured by irradiating the adhesive with ultraviolet rays through the first pressing member. 前記接着剤供給工程を実施する前に、ウエーハの裏面に研削又は研磨の少なくとも何れかを施す研削・研磨工程を更に具備した請求項１〜３の何れかに記載の接着剤層の形成方法。   The method for forming an adhesive layer according to any one of claims 1 to 3, further comprising a grinding / polishing step of performing at least one of grinding and polishing on a back surface of the wafer before performing the adhesive supplying step. 請求項１〜４の何れかに記載の方法により形成された接着剤層を利用したウエーハの取り扱い方法であって、
前記硬化工程を実施した後に、前記分割予定ラインに沿ってウエーハを該接着剤層とともに複数のチップに分割する分割工程と、
該分割工程を実施した後、該チップを該接着剤層を介して基板へマウントするマウント工程と、
を具備したことを特徴とするウエーハの取り扱い方法。 A method for handling a wafer using an adhesive layer formed by the method according to claim 1,
After performing the curing step, a dividing step of dividing the wafer into a plurality of chips together with the adhesive layer along the division planned line;
A mounting step of mounting the chip on the substrate via the adhesive layer after performing the dividing step;
A method for handling a wafer, comprising:
JP2009062306A 2009-03-16 2009-03-16 Method for forming adhesive layer and method for handling wafer Active JP5367421B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009062306A JP5367421B2 (en) 2009-03-16 2009-03-16 Method for forming adhesive layer and method for handling wafer

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009062306A JP5367421B2 (en) 2009-03-16 2009-03-16 Method for forming adhesive layer and method for handling wafer

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2010219178A JP2010219178A (en) 2010-09-30
JP5367421B2 true JP5367421B2 (en) 2013-12-11

Family

ID=42977712

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2009062306A Active JP5367421B2 (en) 2009-03-16 2009-03-16 Method for forming adhesive layer and method for handling wafer

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP5367421B2 (en)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6994965B2 (en) * 2018-01-29 2022-02-04 株式会社ディスコ How to lay resin for die bond

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003086539A (en) * 2001-09-07 2003-03-20 Hitachi Ltd Manufacturing method of semiconductor device
JP4134813B2 (en) * 2002-08-23 2008-08-20 ダイソー株式会社 Photocurable resin composition containing dimethallyl phthalate prepolymer
JP2007000794A (en) * 2005-06-24 2007-01-11 Nippon Oil Corp Method for curing ultraviolet curing adhesive
JP2008066653A (en) * 2006-09-11 2008-03-21 Tokyo Seimitsu Co Ltd Wafer processing method, and wafer processing apparatus
JP4818187B2 (en) * 2007-04-16 2011-11-16 株式会社東芝 Manufacturing method of semiconductor device
JP2010093187A (en) * 2008-10-10 2010-04-22 Renesas Technology Corp Method of manufacturing semiconductor integrated circuit device

Also Published As

Publication number Publication date
JP2010219178A (en) 2010-09-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4769560B2 (en) Wafer division method
US8016973B2 (en) Film bonding method, film bonding apparatus, and semiconductor device manufacturing method
JP5231136B2 (en) Processing method of optical device wafer
KR20170046584A (en) Wafer processing method
JP6013806B2 (en) Wafer processing method
JPWO2004100240A1 (en) Method and apparatus for dividing plate-like member
JP7130323B2 (en) Wafer processing method
JP2007266191A (en) Wafer processing method
JP4505789B2 (en) Chip manufacturing method
JP2017204557A (en) Wafer processing method
JP4324788B2 (en) Wafer mounter
JP6029347B2 (en) Wafer processing method
JP7139048B2 (en) Wafer processing method
JP2007201179A (en) Device and method for mounting wafer
JP2007134510A (en) Wafer mounter
JP5367421B2 (en) Method for forming adhesive layer and method for handling wafer
JP2014013807A (en) Wafer processing method
JP5907805B2 (en) Surface protection tape and wafer processing method
JP4362755B2 (en) Method and apparatus for dividing plate-like member
JP4781770B2 (en) Wafer processing method
JP2018206936A (en) Substrate processing system and substrate processing method
JP2005260154A (en) Method of manufacturing chip
JP2018198241A (en) Processing method for wafer
JP2005223282A (en) Method for dividing wafer
JP4441923B2 (en) Method and apparatus for dividing plate-like member

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20120217

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20130423

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20130507

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20130617

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20130910

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20130911

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5367421

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250