JP5360165B2 - コネクタ - Google Patents
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Description
フレームにコンタクトを圧入するためには、図11に示すように、薄く形成された樹脂製フレーム111の端子挿入口112にコンタクト113を並べた状態で一度に挿入することにより圧入固定する。
(2)前記絶縁接合したコンタクトの接点部が臨んでいる前記フレームの表面を覆うようにシールドカバーを被せ、該シールドカバーと前記フレームで形成される空間がメモリカードを挿入するカード挿入経路を形成する(1)に記載のコネクタ。
(4)前記絶縁接合したコンタクトの接点部が臨んでいる前記フレームの表面を覆うようにシールドカバーを被せ、該シールドカバーと前記フレームで形成される空間がメモリカードを挿入するカード挿入経路を形成する(3)に記載のコネクタ。
(5)コネクタは、金属性板部材に、コンタクトを絶縁接合するための部位を切り欠いて形成された接合部を備えたフレームと、金属性部材で構成され、接点部と端子部を有するコンタクトと、からなり、前記接合部の裏面に絶縁膜を施し、前記コンタクトの接点部と端子部を除いた部位の表面に絶縁膜を施し、前記絶縁膜を施した前記コンタクトの部位表面を、前記絶縁膜を施した接合部の裏面から前記接点部を臨ませた状態にして接合したことである。
(6)前記絶縁接合したコンタクトの接点部が臨んでいる前記フレームの表面を覆うようにシールドカバーを被せ、該シールドカバーと前記フレームで形成される空間がメモリカードを挿入するカード挿入経路を形成する(5)に記載のコネクタ。
(7)前記接合部の裏面を肉薄に形成したことを特徴とする(5)に記載のコネクタ。
(8)前記フレームの表面に絶縁膜を施したことを特徴とする(5)に記載のコネクタ。
(10)前記絶縁接合したコンタクトの接点部が臨んでいる前記フレームの表面を覆うようにシールドカバーを被せ、該シールドカバーと前記フレームで形成される空間がメモリカードを挿入するカード挿入経路を形成する(9)に記載のコネクタ。
(11)前記接合された前記コンタクトの接点部と端子部を除く部位の表面に絶縁膜を施したことを特徴とする(9)に記載のコネクタ。
(13)前記絶縁接合したコンタクトの接点部が臨んでいる前記フレームの表面を覆うようにシールドカバーを被せ、該シールドカバーと前記フレームで形成される空間がメモリカードを挿入するカード挿入経路を形成する(12)に記載のコネクタ。
(14)前記接合された前記コンタクトの接点部と端子部を除く部位の表面に絶縁膜を施し、前記フレームの表面に絶縁膜を施したことを特徴とする(12)に記載のコネクタ。
又、記述したようにフレームを金属性部材で構成することによりコネクタに必要とされる剛性(反り低減を含む)、耐熱性(特に実装時の耐熱性)、絶縁性を確保できる。
そして、左壁13及び右壁14の頂端部に亘らせるようにシールドカバー38を被せることで、シールドカバー38の裏面とカード挿入経路16との間にメモリカード51を挿入させる空間を形成する。
この枠体32の部分がコンタクト貫通孔25の縁部、即ち、第1の接合凹部23に載せることで第1のコンタクト31を装着する。
又、この枠体32の反り返る接点部34側の全面、即ち、接点部34と端子部33以外の表面35部位は、絶縁塗膜工程により絶縁膜が施される(図3における斜線の部分)。
絶縁塗膜工程は、即ち絶縁膜被膜工程で、先ず、脱脂、マスキングをして、液温30℃前後で数分間の被膜を行う。次に、被膜した部材を洗浄して、温度が約200℃で時間が約20分程度加熱して硬化させる。硬化させた部材は冷却して絶縁膜が施される。
この枠体42の部分、即ち、接点部44と端子部43以外の部分がコンタクト貫通孔26の縁部、即ち、第2の接合凹部24に載せることで第2のコンタクト41を装着する。
又、この枠体42の反り返る接点部44側の全面、即ち、接点部44と端子部43以外の表面45部位は、絶縁塗膜工程により絶縁膜が施されている(図3における斜線の部分)。
先ず、図4に示すように、フレーム12の表面17には、絶縁膜が施されている(斜線の部分)。
そして、第1のコンタクト31を形成する枠体32の表面35全面に絶縁膜を施す(図3に示す斜線の部分)。同様に第2のコンタクト41を形成する枠体42の表面45全面にも絶縁膜を施す(図3に示す斜線の部分)。
次に、図3に示すように、フレーム12の裏面18側のコンタクト貫通孔26の周囲の第1の接合凹部23に絶縁テープを貼り付ける(図3の斜線の部分)。同様に、コンタクト貫通孔25の周囲の第2の接合凹部24に絶縁テープを貼り付ける(図3の斜線の部分)。
この状態で絶縁テープを貼り付けた第1の接合凹部23に絶縁膜を施した第1のコンタクト31の枠体32を装着させ、且つ絶縁テープを貼り付けた第2の接合凹部24に絶縁膜を施した第2のコンタクト41の枠体42を装着させる。
これで、金属性部材で形成されたフレーム12にやはり金属性部材で形成された第1及び第2のコンタクト31、41が電気的に絶縁された状態で取り付けることができる。そして、フレーム12の表面17側であるコネクタ貫通孔25、26から第1及び第2のコンタクト31、41の接点部34、44が臨ませて配列されている上部位置を覆うようにシールドカバー38を被せることでコネクタが完成する。
尚、第1実施形態におけるコンタクト(第1及び第2のコンタクト)を接合させるフレームにシールドカバーを被せる構造となっているが、これに限定されることなく、フレーム自体をシールドカバーも兼ねた構造のケースに形成してもよい。このケースはメモリカードの挿入口側(図1において手前側)が開口した箱状に曲げ加工又は絞り加工にて形成するようにして、メモリカードが挿入できる構造にすればよい。この場合、カバーの部分は箱状に全てを覆うような形状でなくともよく、メモリカードの両側を挿入方向に正常な接続位置まで案内できてメモリカードを挿入してコンタクトに電気的な接触が確保できる様にカード挿入経路16の両端がコ字状に折曲された構造であってもよい。
又、フレームに接合するコンタクトの接合面やコンタクトが接合されるフレーム表面は粗面にして接合面積を増加させるようにしてもよい。
更に、コンタクト(第1及び第2のコンタクト)の構造は、実施例においては長方形状のフレーム形状の枠体32を有する形状になっているがこれに限定されることなく、例えば、細長い板状部材を屈曲させて、先端側に接点部を設けた弾性片を、他端側に端子部を直線状に形成するようにしてもよい。この場合、接合面は、弾性片と端子部の間に設けた水平形状に設ければ良い。
そして、左壁13及び右壁14の頂端部を亘らせるようにシールドカバー38を被せることで、シールドカバー38の裏面とカード挿入経路16との間にメモリカード51を挿入させる空間を形成する。
この枠体32の裏面を第1の接合部21のコンタクト貫通孔25の縁部に載せることで第1のコンタクト31を装着する。
又、この枠体32の反り返る接点部34の反対側の裏面36は、絶縁塗膜工程により絶縁膜が施されている(図7の斜線の部分)。
この枠体の裏面を第2のコンタクト貫通孔の縁部に載せることで第2のコンタクトを装着する。
又、この枠体46の反り返る接点部44の反対側の裏面46は、絶縁塗膜工程により絶縁膜が施されている(図7の斜線の部分)。同様に、接点部44と端子部43を除いた枠体42の表面45にも絶縁塗膜工程により絶縁膜が施されている(図7の斜線の部分)。
先ず、図7に示すように、フレーム12の表面17には、絶縁膜が施されている(斜線の部分)。
そして、第1のコンタクト31を形成する枠体32の裏面36全面に絶縁膜を施す(図7の斜線部分)。同様に、第2のコンタクト41を形成する枠体42の裏面46全面にも絶縁膜を施す(図7の斜線部分)。
次に、フレーム12の表面17側の第1の接合部21のコンタクト貫通孔25の周囲に絶縁テープを貼り付ける(図7の点線で囲った部分)。同様に,コンタクト貫通孔26の周囲に絶縁テープを貼り付ける(図7の点線で囲った部分)。
この状態で絶縁テープを貼り付けたコンタクト貫通孔25の周囲に絶縁膜を施した第1のコンタクト31の枠体32の裏面36側を装着させ、且つ絶縁テープを貼り付けた第2の接合部22のコンタクト貫通孔26の周囲に絶縁膜を施した第2のコンタクト41の枠体42の裏面46側を装着させる。
これで、金属性部材で形成されたフレーム12にやはり金属性部材で形成された第1及び第2のコンタクト31、41が電気的に絶縁された状態で取り付けることができる。そして、フレーム12の表面17側にシールドカバー38を被せることでコネクタが完成する。
そして、左壁13及び右壁14の頂端部に亘らせるようにシールドカバー38を被せることで、シールドカバー12の裏面とカード挿入経路16との間にメモリカード51を挿入させる空間を形成する。
図10に示すように、この枠体32の側面37をコンタクト貫通孔25の破断面27に合わせ、その合わせた隙間に絶縁接着剤を充填して接着させることで第1のコンタクト31を絶縁接合する。
又、この枠体32の反り返る接点部34側の表面35は、絶縁塗膜工程により絶縁膜が施されている。
ここで、絶縁接着剤で接着する枠体32の側面37とコンタクト貫通孔25の破断面27とは略並行状態に形成されているが、これに限定されることなく、例えば、コンタクト貫通孔25の破断面27の形状を下方拡がりの形状にすることにより、下端部分への絶縁接着剤の量を多くすることができ、第1のコンタクト31の上方向への抜けを防止できる。
図10に示すように、この枠体42の側面37をコンタクト貫通孔26の破断面27に合わせ、その合わせた隙間に絶縁接着剤を充填して接着させることで第2のコンタクト41を絶縁接合する。
又、この枠体42の反り返る接点部44側の表面45は、絶縁塗膜工程により絶縁膜が施されている。
ここで、絶縁接着剤で接着する枠体42の側面47とコンタクト貫通孔26の破断面28とは略並行状態に形成されているが、これに限定されることなく、例えば、コンタクト貫通孔26の破断面28の形状を下方拡がりの形状にすることにより、下端部分への絶縁接着剤の量を多くすることができ、第2のコンタクト41の上方向への抜けを防止できる。
先ず、第1のコンタクト31を形成する枠体32の表面35全面に絶縁膜を施す。同様に、第2のコンタクト41を形成する枠体42の表面45全面にも絶縁膜を施す。
次に、フレーム12の表面17全面に絶縁膜を施す。
この状態で第1の接合部21のコンタクト貫通孔25の破断面27と第1のコンタクト31の枠体32の側面37との間に絶縁接着剤を充填して接着させ、第2の接合部22のコンタクト貫通孔26の破断面28と第2のコンタクト41の枠体42の側面47との間に絶縁接着剤を充填して接着させる。
これで、金属性部材で形成されたフレーム12にやはり金属性部材で形成された第1及び第2のコンタクト31、41が電気的に絶縁された状態で取り付けることができる。そして、フレーム12の表面17側にシールドカバー38を被せることでコネクタが完成する。
このように、第3実施形態のフレームには、コンタクトをコンタクト貫通孔の破断面に合わせて絶縁接着剤を充填する、所謂、化学的な接続形態となっているが、これに限定されることなく、コンタクトとフレームを付き合わせる破断面に絶縁を施して、その付き合わせた面にプレス等をかけることで機械的に固定するようにしてもよく、付き合わせる破断面にシリコン樹脂を入れて絶縁性を担保してシリコン樹脂の弾性によって固定しても良い。
13 左壁
14 右壁
15 後端壁
16 カード挿入経路
17 表面
18 裏面
21 第1の接合部
22 第2の接合部
23 第1の接合凹部
24 第2の接合凹部
25 コンタクト貫通孔
26 コンタクト貫通孔
27 破断面
28 破断面
31 第1のコンタクト
32 枠体
33 端子部
34 接点部
35 表面
36 裏面
37 側面
38 シールドカバー
41 第2のコンタクト
42 枠体
43 端子部
44 接点部
45 表面
46 裏面
47 側面
51 メモリカード
52 接点
Claims (7)
- 接点部(34,44)と端子部(33,43)を有する金属性部材で構成されるコンタクト(31,41)と、
コンタクト(31,41)が装着される接合部(21,22)を有する金属性部材で構成されるフレーム(12)とから成るコネクタであって、
接合部(21,22)に装着する部位に、各コンタクト(31,41)ごとに塗膜工程により絶縁膜を施したコンタクト(31,41)を絶縁性接着剤によって接合部(21,22)に装着することで、
各コンタクト(31,41)をフレーム(12)に電気的に絶縁された状態で取り付ける絶縁接合をしたことを特徴とするコネクタ。 - 接合部(21,22)に絶縁膜を施したことを特徴とする請求項1記載のコネクタ。
- 板厚を薄くした接合凹部(23,24)を接合部(21,22)に形成したことを特徴とする請求項1記載のコネクタ。
- 接合部(21,22)には、コンタクト貫通孔(25,26)を有し、
コンタクト貫通孔(25,26)から接点部(34,44)を臨ませた状態にして、各コンタクト(31,41)を、フレーム(12)の裏面(18)に設けられた接合部(21,22)に絶縁接合したことを特徴とする請求項1記載のコネクタ。 - 各コンタクト(31,41)を、フレーム(12)の表面(17)に設けられた接合部(21,22)に絶縁結合したことを特徴とする請求項1記載のコネクタ。
- 接合部(21,22)には、コンタクト(31,41)を収納できる大きさに切り欠いて形成されたコンタクト貫通孔(25,26)を有し、
コンタクト貫通孔(25,26)の破断面とコンタクト(31,41)の側面との間に絶縁性接着剤を充填して、
各コンタクト(31,41)を、フレーム(12)に絶縁接合をしたことを特徴とする請求項1記載のコネクタ。 - 接点部(34,44)が臨むフレーム(12)の表面を覆うようにシールドカバー(38)を被せ、シールドカバー(38)とフレーム(12)で形成される空間にメモリカード(51)を挿入するカード挿入経路を形成する請求項1記載のコネクタ。
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