JP5359772B2 - Method for removing moisture in resist and resist coating apparatus - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To improve qualities and yields of a semiconductor and a photomask by providing a resist film of high quality by reducing water in resist. <P>SOLUTION: A coating device includes a filter unit 103 with a cooling mechanism, which is installed in a path through which resist adjusted into a liquid state reaches a dispense nozzle 104 from a resist bottle 100. The resist is cooled through cooling effect of the cooling mechanism, water contained a little in the resist is solidified (formed into ice particles), and the ice particles are captured by a filter 102 in the filter unit 103. <P>COPYRIGHT: (C)2011,JPO&amp;INPIT

Description

本発明は、レジスト中の水分を除去する水分除去方法、および該水分除去方法を好適に実施できるレジスト塗布装置に関する。   The present invention relates to a moisture removal method for removing moisture in a resist, and a resist coating apparatus that can suitably carry out the moisture removal method.

近年、大規模集積回路（LSI）等の半導体デバイスの高集積化に伴って、回路パターンのさらなる微細化が進んでいる。このような微細な回路パターンを実現するためには、回路を構成する配線パターンやコンタクトホールパターンの細線化が要求されている。これらのパターニングはフォトマスクを用いた光リソグラフィにより形成されるため、原版となるフォトマスクパターンも微細かつ高精度で形成する技術が求められている。   In recent years, as semiconductor devices such as large-scale integrated circuits (LSIs) are highly integrated, circuit patterns are further miniaturized. In order to realize such a fine circuit pattern, it is required to thin the wiring pattern and contact hole pattern constituting the circuit. Since these patterning are formed by photolithography using a photomask, there is a demand for a technique for forming a photomask pattern serving as an original plate finely and with high accuracy.

半導体デバイス製造における光リソグラフィは、通常、ステッパーやスキャナーと呼ばれる露光装置を用いて、フォトマスクパターンを４分の１にして縮小投影し、半導体デバイスへパターン転写されるのが一般的であるため、フォトマスクのパターンサイズは、半導体デバイスパターンの４倍程度の大きさである。   In photolithography in semiconductor device manufacturing, it is common to use an exposure apparatus called a stepper or scanner, and reduce the projection of the photomask pattern to 1/4 and transfer the pattern to the semiconductor device. The pattern size of the photomask is about four times as large as the semiconductor device pattern.

しかしながら、近年の光リソグラフィで転写される回路パターンのサイズは露光波長（先端の露光装置で波長193nm）以下のサイズとなっており、露光の際に生じる光の干渉や回折、収差などの影響で、フォトマスクパターン通りの形状を半導体基板上のレジスト膜に転写することは困難である。（非特許文献１）   However, the size of the circuit pattern transferred by recent optical lithography is smaller than the exposure wavelength (wavelength of 193 nm with the leading exposure device), which is affected by light interference, diffraction, aberration, etc. that occur during exposure. It is difficult to transfer the shape according to the photomask pattern to the resist film on the semiconductor substrate. (Non-Patent Document 1)

このため、実際の半導体デバイスパターンよりも複雑な形状のフォトマスクパターン（いわゆるＯＰＣパターン）や、半導体デバイスに直接転写されることのない微細な補助パターン（例えばSRAF: Sub Resolution Assist Feature）などが必要とされる。これにより、実際には、フォトマスクパターンは半導体パターンと同等もしくはそれ以上の、高いパターン加工精度と解像性が求められている。（非特許文献２）   For this reason, a photomask pattern (so-called OPC pattern) with a more complicated shape than the actual semiconductor device pattern or a fine auxiliary pattern (eg SRAF: Sub Resolution Assist Feature) that is not directly transferred to the semiconductor device is required. It is said. Accordingly, in practice, the photomask pattern is required to have high pattern processing accuracy and resolution equivalent to or higher than that of the semiconductor pattern. (Non-Patent Document 2)

これら、半導体の回路パターンやその原版となるフォトマスクパターンの作製には、基板にコートされたフォトレジストや電子線レジストにパターンを露光（または描画）し、その後、現像処理により所望のパターンが形成される。   For the production of these semiconductor circuit patterns and photomask patterns that serve as the originals, the photoresist or electron beam resist coated on the substrate is exposed (or drawn), and then a desired pattern is formed by development processing. Is done.

このようにパターンを形成するためのレジスト膜は、スピンコート方式の塗布装置（レジストコーター）により均一に全面塗布する方法が一般的で、そのための塗布装置がさまざまなメーカーから提供されている。   In general, the resist film for forming a pattern is generally applied by a spin coat type coating apparatus (resist coater), and a coating apparatus for this purpose is provided by various manufacturers.

現在提供されている塗布装置は、結露によるレジストへの水分混入を防ぐため、レジストを容器ごと室温にした後に、レジスト容器を開封し、塗布装置に装着するのが一般的である。なぜなら、レジストに微量でも水分が混入すると、レジストの感度低下や解像不良、コート欠陥などレジスト膜の品質劣化を誘発させるためである。   In order to prevent moisture from being mixed into the resist due to dew condensation, it is common for the coating apparatus currently provided to open the resist container and place the resist container on the coating apparatus after the resist is brought to room temperature. This is because, even if a very small amount of moisture is mixed in the resist, the resist film quality deterioration such as a decrease in resist sensitivity, a poor resolution, or a coating defect is induced.

しかし、このようにレジスト容器を室温にすることで、容器装着時に結露による水分混入は防げるものの、レジストメーカーから出荷される時点で既に混入している水分に関しては、取り除く方法または機能を有している塗布装置は存在していなかった。レジストの製造過程では、当然ながら、有機溶剤やレジスト組成物の純度や濃度管理はされているものの、水分を完全にゼロにすることは不可能であり、概ね0.01〜0.1%程度の微量な水分が必ず含まれてしまう。
このような課題から、本発明はレジスト中に含まれる微量な水分を除去する方法の発明に至った。 However, by bringing the resist container to room temperature in this way, it is possible to prevent moisture from being mixed due to dew condensation when the container is mounted, but it has a method or function for removing moisture already mixed in at the time of shipment from the resist manufacturer. There were no applicators present. In the resist manufacturing process, of course, the purity and concentration of organic solvents and resist compositions are controlled, but it is impossible to make the water completely zero. Will always be included.
From such problems, the present invention has led to the invention of a method for removing a trace amount of water contained in a resist.

入門ビジュアルテクノロジー 半導体のすべて 日本実業出版社 (1998)Introductory Visual Technology All about Semiconductors Nippon Jitsugyo Publishing (1998) 入門フォトマスク技術 工業調査会 (2006)Introductory Photomask Technology Industrial Research Committee (2006)

従来の塗布装置では、有機溶剤中に存在する水分を除去する機能がないためレジスト製造中に含まれる微量な水分によって感度低下や解像不良、コート欠陥などコート後のレジスト膜の品質低下を誘発させてしまっていた。このようなレジスト膜の品質低下を発生させないための水分除去方法および塗布装置を提供することが本発明の目的である。   Conventional coating equipment does not have the function of removing moisture present in organic solvents, so a small amount of moisture contained during resist production induces deterioration in resist film quality after coating, such as reduced sensitivity, poor resolution, and coating defects. I was allowed to. It is an object of the present invention to provide a moisture removal method and a coating apparatus that do not cause such quality deterioration of the resist film.

前記目的を達成するため、請求項１記載の発明は、レジスト中の水分を除去する方法であって、前記レジストを液状に調整し、前記レジストを冷却することにより前記レジスト中に含まれる水分を氷粒子に固体化し、前記レジストをろ過することにより前記氷粒子を前記レジスト中から除去するようにしたことを特徴とするレジスト中の水分を除去する方法である。   In order to achieve the object, the invention according to claim 1 is a method for removing moisture in a resist, wherein the resist is adjusted to a liquid state, and the resist is cooled to remove moisture contained in the resist. A method of removing moisture in a resist, wherein the ice particles are removed from the resist by solidifying into ice particles and filtering the resist.

請求項２記載の発明は、レジスト収容部に収容された液状のレジストをノズルから吐出するレジスト塗布装置において、前記レジスト収容部と前記レジストとの間の経路に設けられ前記レジストをろ過するフィルターユニットと、前記フィルターユニットを冷却し前記レジスト中に含まれる水分を氷粒子に固体化する冷却機構とを備えることを特徴とするレジスト塗布装置である。   According to a second aspect of the present invention, in the resist coating apparatus for discharging the liquid resist accommodated in the resist accommodating portion from the nozzle, the filter unit is provided in a path between the resist accommodating portion and the resist and filters the resist. And a cooling mechanism that cools the filter unit and solidifies the water contained in the resist into ice particles.

請求項３記載の発明は、前記冷却機構は、更にフィルターユニットを含む周辺部分を冷却することを特徴とする請求項２に記載のレジスト塗布装置である。   The invention according to claim 3 is the resist coating apparatus according to claim 2, wherein the cooling mechanism further cools a peripheral portion including a filter unit.

請求項４記載の発明は、前記冷却機構は、前記レジストの融点以上でかつ零度以下に前記レジストを冷却することを特徴とする請求項２または請求項３に記載のレジスト塗布装置である。   A fourth aspect of the present invention is the resist coating apparatus according to the second or third aspect, wherein the cooling mechanism cools the resist to a temperature not lower than the melting point of the resist and not higher than zero degree.

レジスト中の水分を低減させることができるため、高品質なレジスト膜を提供でき、半導体やフォトマスクの品質や収率を向上させることが出来る。   Since moisture in the resist can be reduced, a high-quality resist film can be provided, and the quality and yield of semiconductors and photomasks can be improved.

本発明のレジスト塗布装置の構成図Configuration diagram of resist coating apparatus of the present invention 本発明の実施例２のレジストパターン形成工程の説明図Explanatory drawing of the resist pattern formation process of Example 2 of this invention 本発明の実施例２のレジストパターンの解像限界の説明図Explanatory drawing of the resolution limit of the resist pattern of Example 2 of this invention 本発明の実施例３のレジストコート欠陥比較の説明図Explanatory drawing of resist coat defect comparison of Example 3 of this invention

本発明の塗布装置は、図１に示すように、液状に調整されたレジストがレジストボトル100からディスペンスノズル104に到達する経路の間に冷却機構を有した冷却機構付きフィルターユニット103が設置されていて、そのフィルターユニット103の冷却効果によってレジスト中にわずかに含まれる水分が固体化（氷粒子）し、その氷粒子がフィルターユニット内のフィルター102によって捕捉される構造になっている。   In the coating apparatus of the present invention, as shown in FIG. 1, a filter unit 103 with a cooling mechanism having a cooling mechanism is installed between paths in which a resist adjusted in a liquid state reaches the dispense nozzle 104 from the resist bottle 100. Thus, the water content slightly contained in the resist is solidified (ice particles) by the cooling effect of the filter unit 103, and the ice particles are captured by the filter 102 in the filter unit.

その際、本発明の構成上は最低限フィルター部分が冷却される機構を有することが必要であり、フィルターユニット103より上流のライン（配管）などその周辺部分を冷却することについては、適宜選択可能である。   At that time, it is necessary to have a mechanism that cools at least the filter part in the configuration of the present invention, and cooling of the peripheral part such as a line (pipe) upstream from the filter unit 103 can be selected as appropriate. It is.

冷却機構は、レジスト中の水分を固体化させるために十分な冷却能力を備えており、冷凍機などの種々の市販品が使用可能である。例えば、フィルターユニット103を気密に覆うハウジングを設け、このハウジングの内部の空気を冷凍機で冷却すればよい。
フィルターユニット103を冷却するための設定温度は、水の融点である零度以下に設定出来る。具体的には水の融点以下で、使用されるレジスト等溶剤の融点以上の温度範囲内で温度設定することが好ましい。
また、フィルターユニット103や冷却機構を通る配管の径は、レジストがそこを通過する間に十分冷却されるのに適した口径と長さがあれば良い。
このような構成によりレジストを冷却し、レジスト中に含まれる水分を氷粒子に固体化する。 The cooling mechanism has sufficient cooling capacity to solidify the moisture in the resist, and various commercial products such as a refrigerator can be used. For example, a housing that covers the filter unit 103 in an airtight manner may be provided, and the air inside the housing may be cooled with a refrigerator.
The set temperature for cooling the filter unit 103 can be set to zero or less, which is the melting point of water. Specifically, it is preferable to set the temperature within the temperature range below the melting point of water and above the melting point of the solvent such as the resist used.
Further, the diameter of the pipe passing through the filter unit 103 and the cooling mechanism only needs to have a diameter and a length suitable for sufficient cooling while the resist passes therethrough.
With such a configuration, the resist is cooled, and water contained in the resist is solidified into ice particles.

そして、固体化された氷粒子を捕捉してレジスト中から除去するように、フィルターユニット103は全量ろ過方式を採用している。電子工業用のフォトレジストや電子線レジストに含まれる水分は、0.01〜0.1wt%と微量であるためこの方式で十分効果が発揮される。また、こちらの冷却フィルター部分の設定温度は、氷粒子が解けないために零度以下であれば良い。   The filter unit 103 employs a total filtration method so that the solidified ice particles are captured and removed from the resist. Since the moisture contained in the photoresist and electron beam resist for electronic industry is a very small amount of 0.01 to 0.1 wt%, this method is sufficiently effective. In addition, the set temperature of the cooling filter portion may be zero degrees or less so that ice particles cannot be melted.

なお、必要に応じて、冷却されたレジストを室温に戻すための温調機構付き配管を、冷却機構付きフィルターユニット102からディスペンスノズル104の間に配置してもよい。   If necessary, a pipe with a temperature adjusting mechanism for returning the cooled resist to room temperature may be disposed between the filter unit with the cooling mechanism 102 and the dispensing nozzle 104.

また、本発明を用いたレジスト等の塗布装置としては、例えば次のような形態となる。
塗布されるレジストは、レジストボトル100に入った状態で装置に装着する。ポンプ101は、レジストを吸い上げるためのものであり、レジストボトル100と冷却機構付きフィルターユニット103の間に装着する。 Moreover, as a coating apparatus for resists and the like using the present invention, for example, the following forms are employed.
The resist to be applied is mounted on the apparatus in a state where it is in the resist bottle 100. The pump 101 is for sucking up the resist, and is mounted between the resist bottle 100 and the filter unit 103 with a cooling mechanism.

冷却機構付きフィルターユニット103は、レジストが塗布される前に水分を除去させるためのものであるため、ポンプ101とディスペンスノズル104の間に装着する。また、フィルター102はトラップした氷粒子が融解しないように冷却機構付きフィルターユニット103内に装着する。ディスペンスノズル104は、水分の除去されたレジストの吐出口としてマスクブランク105の上部に取り付ける。マスクブランク105は、スピンコートしながらレジスト膜を形成させるためステージ106の上に装着する。   Since the filter unit 103 with a cooling mechanism is for removing moisture before the resist is applied, the filter unit 103 is mounted between the pump 101 and the dispense nozzle 104. The filter 102 is mounted in a filter unit 103 with a cooling mechanism so that trapped ice particles do not melt. The dispense nozzle 104 is attached to the upper part of the mask blank 105 as a resist ejection port from which moisture has been removed. The mask blank 105 is mounted on the stage 106 in order to form a resist film while spin coating.

次に、本発明の処理手順について説明する。   Next, the processing procedure of the present invention will be described.

まず、冷却機構付きフィルターユニット103を稼動させ零度以下の設定温度にする。
次いで、ポンプ101によってレジストボトル100からレジストをフィルターユニット103まで導入し、レジストを冷却してレジスト中に含まれる水分を氷粒子に固体化する。
そして、レジストをフィルター102によってろ過することで、フィルター102により氷粒子を捕捉し、レジスト中の水分を取り除く。 First, the filter unit 103 with a cooling mechanism is operated and set to a set temperature of zero degrees or less.
Next, the resist is introduced from the resist bottle 100 to the filter unit 103 by the pump 101, and the resist is cooled to solidify the moisture contained in the resist into ice particles.
Then, by filtering the resist through the filter 102, the ice particles are captured by the filter 102, and moisture in the resist is removed.

一方、予めレジストコートの前に、ウェハもしくはマスクブランク等の基板をコーターステージ上に配置しておく。この際、レジストコートの事前処理としてウェハやマスクブランクをプリ洗浄しておいても良い。例えば、プリ洗浄の方法は、ＵＶオゾン洗浄、硫酸洗浄、超音波洗浄、アンモニア過水洗浄等が挙げられる。   On the other hand, a substrate such as a wafer or a mask blank is previously placed on the coater stage before the resist coating. At this time, the wafer or mask blank may be pre-cleaned as a pre-treatment for resist coating. For example, examples of the pre-cleaning method include UV ozone cleaning, sulfuric acid cleaning, ultrasonic cleaning, and ammonia overwater cleaning.

冷却機構付きフィルター103を通過したレジストを、その後、ディスペンスノズル104からコートに必要な量を、任意の吐出レート及び時間で吐出する。このときのコート方法は、基板を静止したまま塗布するスタティックディスペンスや基板を回転させた状態で塗布するダイナミックディスペンスのいずれも可能である。   The resist having passed through the filter 103 with the cooling mechanism is then discharged from the dispense nozzle 104 in an amount necessary for coating at an arbitrary discharge rate and time. As the coating method at this time, either static dispensing for applying the substrate while it is stationary or dynamic dispensing for applying the substrate while rotating is possible.

次いで、塗布したレジスト膜を乾燥させるためのベーク処理などを行う。ベーク方法は特に限定されず、ホットプレート方式、オーブン方式など、一般的な方法が可能である。   Next, a baking process for drying the applied resist film is performed. The baking method is not particularly limited, and general methods such as a hot plate method and an oven method are possible.

以下、本発明の実施例を説明する。   Examples of the present invention will be described below.

本実施例１では、本発明のコーターと従来コーターの水分除去効果を比較評価した。   In Example 1, the water removal effects of the coater of the present invention and the conventional coater were compared and evaluated.

レジストをろ過するためのフィルター部とその周辺部を冷却するための冷却機構を有したフィルターユニットを、既存のフォトマスク用レジストコーターに取り付けた。本実施例では、フィルターはポリエチレン製の口径５０ｎｍを使用した。次いで、フィルターユニットの設定温度を−１０度に設定し、フィルターユニットが充分に冷却されたのを待ち、電子線ポジレジストＦＥＰ１７１（富士フイルムエレクトロニクスマテリアルズ）を、本コーターへボトル装着し、ポンプによりレジストをフィルターユニットまで導入した。次いで、フィルターによって0.5ml/秒のろ過レートでろ過した。   A filter unit having a filter unit for filtering the resist and a cooling mechanism for cooling the periphery thereof was attached to an existing photomask resist coater. In this example, the filter used was a polyethylene aperture of 50 nm. Next, set the temperature of the filter unit to -10 degrees, wait for the filter unit to cool down sufficiently, attach the electron beam positive resist FEP171 (Fuji Film Electronics Materials) to the coater, and use the pump. The resist was introduced up to the filter unit. Then, it was filtered through a filter at a filtration rate of 0.5 ml / second.

この冷却フィルタリング効果を確認するため、次のような確認評価を行った。まず、従来構造の塗布装置を通ってろ過したレジストを50mgほどディスペンスノズル先端部より採取した。同様に、本発明の装置を使用してろ過したレジストを同じく50mg採取した。この2つのレジストを微量水分測定装置（三菱化学アナリテック製CA-200）に注入し電量測定した。結果、従来の塗布装置から吐出されたレジストの水分量は0.05wt%であったが、本発明の装置を使用して吐出されたレジストの水分量は0.01wt%（測定限界）以下であった。このことから、本発明装置の水分除去効果の有効性を確認することができた。   In order to confirm this cooling filtering effect, the following confirmation evaluation was performed. First, about 50 mg of the resist filtered through a coating apparatus having a conventional structure was collected from the tip of the dispensing nozzle. Similarly, 50 mg of the resist filtered using the apparatus of the present invention was also collected. These two resists were injected into a trace moisture measuring device (CA-200 manufactured by Mitsubishi Chemical Analytech) and coulometrically measured. As a result, the water content of the resist discharged from the conventional coating apparatus was 0.05 wt%, but the water content of the resist discharged using the apparatus of the present invention was 0.01 wt% (measurement limit) or less. . From this, the effectiveness of the water removal effect of the device of the present invention could be confirmed.

本実施例２では、本発明のコーターによって塗布されたレジストと従来のコーターによって塗布されたレジストのパターン解像限界を比較した。   In Example 2, the pattern resolution limit of the resist applied by the coater of the present invention and the resist applied by the conventional coater were compared.

本発明の装置を使用して吐出されたレジストを、マスク石英基板200とその上に成膜されたクロム層202からなるマスクブランク203（図２（ａ））に塗布しレジスト膜201を成膜した（図２（ｂ））。成膜されたレジスト膜201は、コート後PAB（Post Apply Bake）処理などを行った。   The resist discharged using the apparatus of the present invention is applied to a mask blank 203 (FIG. 2A) composed of a mask quartz substrate 200 and a chromium layer 202 formed thereon to form a resist film 201. (FIG. 2B). The formed resist film 201 was subjected to a PAB (Post Apply Bake) process after coating.

次いで、レジストが塗布されたマスクブランク（図２（ｂ））に電子線描画機（JBX9000/日本電子）を使ってパターンサイズ20〜2000nmのパターンを描画した。描画後、PEB（Post Exposure Bake）及び現像（SFG3000/シグマメルテック社）を行い、レジストパターンを形成した（図２（ｃ））。そして、測長SEM（LWM9000/Leica社）にて、孤立スペース・密集スペース・孤立ラインの線幅を測長した。   Next, a pattern having a pattern size of 20 to 2000 nm was drawn on the mask blank (FIG. 2B) coated with a resist using an electron beam drawing machine (JBX9000 / JEOL). After drawing, PEB (Post Exposure Bake) and development (SFG3000 / Sigma Meltech) were performed to form a resist pattern (FIG. 2 (c)). Then, the length of isolated space, dense space, and isolated line was measured with a length measuring SEM (LWM9000 / Leica).

測長SEMにて測ったラインの最小線幅（解像限界）を図３に示す。比較例として従来のレジストコート方法による結果も示す。これによれば、どのパターン種においても、仕上がり値共に従来よりも解像限界の向上が確認できた。   FIG. 3 shows the minimum line width (resolution limit) of the line measured by the length measurement SEM. The result by the conventional resist coating method is also shown as a comparative example. According to this, in any pattern type, it was confirmed that the resolution limit was improved as compared with the conventional method in terms of the finished value.

本実施例３では、本発明のコーターによって塗布されたレジスト膜と、従来のコーターによって塗布されたレジスト膜のレジスト欠陥の比較を行った。   In this Example 3, the resist defects of the resist film applied by the coater of the present invention and the resist film applied by the conventional coater were compared.

まず、レジストのコートされていないマスクブランク203をマスクブランク欠陥検査装置M2350（Lasertec)でブランクの欠陥検査を行った。   First, a blank inspection of a mask blank 203 not coated with a resist was performed using a mask blank inspection apparatus M2350 (Lasertec).

欠陥検査を行ったマスクブランク二枚に次の二通りの方法を使ってレジストをコートした。一つは、従来の塗布装置を用いたレジストコート、もう一つは、本発明の装置を使用してレジストコートである。   Two mask blanks subjected to defect inspection were coated with a resist using the following two methods. One is a resist coating using a conventional coating apparatus, and the other is a resist coating using the apparatus of the present invention.

レジストがコートされたこの二枚のコートブランクを再度マスクブランク欠陥装置にて欠陥検査を行った。レジストコートする前の欠陥とレジストコート後の欠陥座標の照合を行い、座標が一致しないコート後の欠陥を、コート起因欠陥と判断して、その欠陥サイズと個数の比較を行った。   The two coated blanks coated with the resist were again inspected for defects using a mask blank defect apparatus. The defect before the resist coating and the defect coordinates after the resist coating were collated, and the post-coating defect whose coordinates did not match was judged as a coating-induced defect, and the defect size and number were compared.

その結果を図４に示す。これによれば、従来の塗布装置でコートした場合のコート起因欠陥数は、21〜40pixelで５個、11〜20pixelで１２個、7〜10pixelで３２個の計４９個であった。
一方、本発明の装置でコートした場合のコート起因欠陥数は、11〜20pixelで1個のみであった。この１個の欠陥は、検査機で撮影された画像から気泡であると判断された。ここで、本発明装置での塗布ブランクにおいて、7〜10pixelの欠陥が1個減少しているが、これは、レジストコート前に検出された欠陥がレジストコートされることによって検査機で検出されなくなったためである。
以上のように、本発明の塗布装置によってコートされたレジスト膜は、欠陥が少ないことが確認できた。 The result is shown in FIG. According to this, the number of coating-induced defects when coating was performed with a conventional coating apparatus was 49 in total: 5 from 21 to 40 pixels, 12 from 11 to 20 pixels, and 32 from 7 to 10 pixels.
On the other hand, the number of coating-induced defects when coated with the apparatus of the present invention was only 1 to 11 to 20 pixels. This single defect was determined to be a bubble from an image taken with an inspection machine. Here, in the coating blank in the apparatus of the present invention, one defect of 7 to 10 pixels is reduced, but this is not detected by the inspection machine because the defect detected before resist coating is resist coated. This is because.
As described above, it was confirmed that the resist film coated by the coating apparatus of the present invention had few defects.

以上のような実施例を行った冷却機構付きフィルターは、定期的に新品と交換することでフィルター内に溜まった氷粒子を取り除くことが出来る。これにより、本発明効果（実施例１・実施例２・実施例３）を継続的に発揮させることが出来る。   The filter with a cooling mechanism according to the embodiment as described above can remove ice particles accumulated in the filter by periodically replacing the filter with a new one. Thereby, this invention effect (Example 1, Example 2, Example 3) can be exhibited continuously.

上記発明は、半導体デバイスやフォトマスク製造において、パターン形成の向上に寄与する方法および装置として利用可能である。   The above invention can be used as a method and apparatus that contributes to the improvement of pattern formation in the manufacture of semiconductor devices and photomasks.

１００…レジストボトル
１０１…ポンプ
１０２…フィルター
１０３…冷却機構付きフィルターユニット
１０４…ディスペンスノズル
１０５…マスクブランク
１０６…ステージ
２００…マスク石英基板
２０１…レジスト膜
２０２…クロム層
２０３…マスクブランク DESCRIPTION OF SYMBOLS 100 ... Resist bottle 101 ... Pump 102 ... Filter 103 ... Filter unit 104 with cooling mechanism ... Dispensing nozzle 105 ... Mask blank 106 ... Stage 200 ... Mask quartz substrate 201 ... Resist film 202 ... Chromium layer 203 ... Mask blank

Claims (4)

レジスト中の水分を除去する方法であって、
前記レジストを液状に調整し、
前記レジストを冷却することにより前記レジスト中に含まれる水分を氷粒子に固体化し、
前記レジストをろ過することにより前記氷粒子を前記レジスト中から除去するようにした、
ことを特徴とするレジスト中の水分を除去する方法。 A method for removing moisture in a resist,
Adjusting the resist to a liquid state;
The water contained in the resist is solidified into ice particles by cooling the resist,
The ice particles are removed from the resist by filtering the resist.
A method for removing moisture in a resist. レジスト収容部に収容された液状のレジストをノズルから吐出するレジスト塗布装置において、
前記レジスト収容部と前記レジストとの間の経路に設けられ前記レジストをろ過するフィルターユニットと、
前記フィルターユニットを冷却し前記レジスト中に含まれる水分を氷粒子に固体化する冷却機構と、
を備えることを特徴とするレジスト塗布装置。 In a resist coating apparatus that discharges a liquid resist contained in a resist container from a nozzle,
A filter unit provided in a path between the resist container and the resist to filter the resist;
A cooling mechanism for cooling the filter unit and solidifying the water contained in the resist into ice particles;
A resist coating apparatus comprising: 前記冷却機構は、更にフィルターユニットを含む周辺部分を冷却する、
ことを特徴とする請求項２に記載のレジスト塗布装置。 The cooling mechanism further cools a peripheral portion including the filter unit.
The resist coating apparatus according to claim 2. 前記冷却機構は、前記レジストの融点以上でかつ零度以下に前記レジストを冷却する、
ことを特徴とする請求項２または請求項３に記載のレジスト塗布装置。 The cooling mechanism cools the resist to a temperature not lower than the melting point of the resist and not higher than zero degree.
The resist coating apparatus according to claim 2 or claim 3, wherein
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JP6404056B2 (en) * 2014-09-29 2018-10-10 東京応化工業株式会社 Chemical liquid purification method for semiconductor photolithography, chemical liquid purification apparatus for semiconductor photolithography, and chemical liquid for semiconductor photolithography

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03291913A (en) * 1990-04-09 1991-12-24 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> Coating equipment for manufacturing semiconductor
JPH04119627A (en) * 1990-09-10 1992-04-21 Mitsubishi Electric Corp Resist applying device
JPH05337416A (en) * 1992-06-04 1993-12-21 Fuji Electric Co Ltd Coating device
JPH10312944A (en) * 1997-05-13 1998-11-24 Sony Corp Resist nozzle receiving body
JP3751435B2 (en) * 1998-02-27 2006-03-01 宮崎沖電気株式会社 Resist regeneration system and resist regeneration method
JP2000117201A (en) * 1998-10-12 2000-04-25 Sony Corp Washer and washing method
JP5013400B2 (en) * 2006-09-29 2012-08-29 国立大学法人東北大学 Coating film coating equipment
JP5257915B2 (en) * 2006-09-29 2013-08-07 国立大学法人東北大学 Film coating apparatus and film coating method

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