JP5359003B2 - 有機薄膜トランジスタ装置、およびその製造方法 - Google Patents
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Description
図1は、本発明の第1実施形態に係る有機TFT装置20を概略的に示した図である。図1(a)は、画像表示装置においてマトリックス状に配列された多数の画素のうちの1画素に係る有機TFT装置20の部分を示す平面図であり、図1(b)は、有機TFT装置20を図1(a)の切断面線I−Iから見た断面図である。
第2実施形態に係る有機TFT装置30の構成およびその製造工程の一部は、前述した第1実施形態に係る有機TFT装置20(図1〜8)のものと類似している。例えば、図1に示した有機TFT装置20の構成のうち、基板1、ゲート電極7、およびゲート絶縁膜8の構成については同様なものとなり、これらの構成を形成する工程(図2〜4)についても同様なものとなる。したがって、以下では、第2実施形態に係る有機TFT装置30の構成およびその製造工程のうち、第1実施形態に係る有機TFT装置20のものと同様な部分については同一の参照符号を付して説明を省略し、異なる部分について以下説明する。
以上、この発明の実施形態について説明したが、この発明は上記説明した内容のものに限定されるものではない。
基板にはガラス、ゲート電極にはCr、ゲート絶縁膜にはSiO2をそれぞれ用いた。なお、SiO2についてはプラズマCVDにより500nmの厚みで成膜した。続いて、ゲート絶縁膜上に、ソース電極およびドレイン電極に相当する第1および第2電極をリフトオフ法で形成するためのレジストパターンを形成し、RF(高周波)スパッタ法により、厚さ5nmのCr膜を成膜し、その上に厚さ50nmのAu膜を成膜した。成膜後、NMP(N−メチル−2−ピロリドン)を主成分とする剥離液でレジストを剥離することで、第1および第2電極のパターンを形成した。
基板、ゲート電極、およびゲート絶縁膜の素材、構成、形成方法については、実施例1と同様とした。続いて、ゲート絶縁膜上に、ソース電極およびドレイン電極に相当する第1および第2電極をリフトオフ法で形成するためのレジストパターンを形成し、RFスパッタ法により、厚さ5nmのCr膜を成膜し、その上に厚さ200nmのAu膜を成膜した。その後、NMPを主成分とする剥離液でレジストを剥離することで、第1および第2電極のパターンを形成した。
基板、ゲート電極、およびゲート絶縁膜の素材、構成、形成方法については、実施例1と同様とした。続いて、ゲート絶縁膜上に、ソース電極およびドレイン電極に相当する第1および第2電極をリフトオフ法で形成するためのレジストパターンを形成し、RFスパッタ法により、厚さ5nmのCr膜を成膜し、その上に厚さ50nmのAu膜を成膜した。その後、NMPを主成分とする剥離液でレジストを剥離することで、第1および第2電極のパターンを形成した。
実施例1において、支持部を形成することなく保護層を有機半導体層上に直接形成することで製作した有機TFT装置を比較例1とした。なお、比較例1についても、上記実施例1〜3と同様に、保護層を形成する前後のトランジスタ特性を測定した。
2 有機半導体層
3,3A 第1電極
4,4A 第2電極
5 支持部
6 保護層
7 ゲート電極
8 ゲート絶縁膜
9 封止部
13 保護フィルム
20 ,30 有機TFT装置(有機薄膜トランジスタ装置)
Claims (8)
- 基板上に、少なくともゲート電極、ゲート絶縁膜、ソース電極、ドレイン電極、および有機半導体層を有する有機薄膜トランジスタ装置であって、
前記有機半導体層を挟む支持部と、
前記支持部による支持によって、前記有機半導体層に対して空間を介して離隔配置されている保護層と、
を備え、
前記支持部が、
前記ソース電極および前記ドレイン電極によって形成されていることを特徴とする有機薄膜トランジスタ装置。 - 基板上に、少なくともゲート電極、ゲート絶縁膜、ソース電極、ドレイン電極、および有機半導体層を有する有機薄膜トランジスタ装置であって、
前記有機半導体層を挟む支持部と、
前記支持部による支持によって、前記有機半導体層に対して空間を介して離隔配置されている保護層と、
を備え、
前記保護層が、
感光性ドライフィルムレジストによって形成されていることを特徴とする有機薄膜トランジスタ装置。 - 請求項1または請求項2に記載の有機薄膜トランジスタ装置であって、
前記空間が、
不活性ガスが充満した空間であることを特徴とする有機薄膜トランジスタ装置。 - 基板上に、少なくともゲート電極、ゲート絶縁膜、ソース電極、ドレイン電極、および有機半導体層を有する有機薄膜トランジスタ装置の製造方法であって、
前記有機半導体層を形成するための領域を側方より囲み、かつ前記有機半導体層よりも前記基板上面からの高さが高い支持部を形成する工程と、
前記領域に有機半導体層を形成する工程と、
前記支持部上に前記有機半導体層に対して空間を介して離隔配置される保護層を形成する工程と、
を備え、
前記保護層が、保護フィルムを含み、
前記保護層を形成する工程が、前記支持部上に前記保護フィルムをラミネートする工程を含み、
前記保護フィルムをラミネートする工程が、減圧下で行われることを特徴とする有機薄膜トランジスタ装置の製造方法。 - 請求項4に記載の有機薄膜トランジスタ装置の製造方法であって、
前記保護層が、保護フィルムを含み、
前記保護層を形成する工程が、前記支持部上に前記保護フィルムをラミネートする工程を含み、
前記保護フィルムをラミネートする工程が、不活性ガス雰囲気中にて行われることを特徴とする有機薄膜トランジスタ装置の製造方法。 - 基板上に、少なくともゲート電極、ゲート絶縁膜、ソース電極、ドレイン電極、および有機半導体層を有する有機薄膜トランジスタ装置の製造方法であって、
前記有機半導体層を形成するための領域を側方から一方向に挟み、かつ前記有機半導体層よりも前記基板上面からの高さが高い第1および第2支持部を形成する工程と、
前記第1および第2支持部上に前記有機半導体層に対して空間を介して離隔配置される保護層を形成する工程と、
前記有機半導体層と前記第1および第2支持部とを側方から前記一方向とは異なる他方向に挟み、且つ前記有機半導体層を前記第1および第2支持部と前記保護層とともに囲んで封止する封止部を形成する工程と、
を備えることを特徴とする有機薄膜トランジスタ装置の製造方法。 - 請求項6に記載の有機薄膜トランジスタ装置の製造方法であって、
前記保護層が、保護フィルムを含み、
前記保護層を形成する工程が、前記第1および第2支持部上に前記保護フィルムをラミネートする工程を含み、
前記保護フィルムをラミネートする工程が、不活性ガス雰囲気中にて行われることを特徴とする有機薄膜トランジスタ装置の製造方法。 - 請求項6または7に記載の有機薄膜トランジスタ装置の製造方法であって、
前記保護層が、保護フィルムを含み、
前記保護層を形成する工程が、前記第1および第2支持部上に前記保護フィルムをラミネートする工程を含み、
前記保護フィルムをラミネートする工程が、減圧下で行われることを特徴とする有機薄膜トランジスタ装置の製造方法。
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